Encontraremos seu equilíbrio quando os átomos estiverem separados pela distância interatômica típica

do cristal em questão. A separação real entre os átomos no cristal será aquela para a qual a energia do
sólido é mínima. Em um sólido o número de átomos é tão alto que os níveis de energia formam bandas
contínuas de energia. Os elétrons associados aos átomos do sólido preenchem essas bandas em ordem
crescente. A banda totalmente ocupada de energia mais alta é chamada de banda de valência (elétrons
ligados aos átomos). A próxima banda, parcialmente ocupada ou vazia, é chamada de banda de
condução (elétrons desprendidos dos átomos). Essas bandas podem ser separadas por outra banda de
energia que corresponde a estados não permitidos, e por isso essa banda é chamada de banda proibida,
ou podem ser sobrepostas, permitindo uma fácil transição de uma para outra. As propriedades elétricas
do sólido dependem dessa posição relativa entre as bandas. Assim, o valor da largura da banda proibida
(gap de energia, Eg) permite classificar os sólidos em condutores, isolantes e semicondutores. Em um
condutor, o E é muito baixo e os elétrons circulam facilmente pela banda de condução. Em um isolante
é necessária uma quantidade muito alta de energia para que os elétrons possam acessar a banda de
condução já que o E é muito alto (Ex. > 5eV). No entanto, em um semicondutor o E, é baixo (E, < 5eV),
de modo que os elétrons podem "saltar" para a banda de condução com uma contribuição de energia.
Por exemplo, para o silício E = 1,12 eV. Dado o uso predominante deste material na indústria solar, a
partir de agora iremos nos referir a este semicondutor preferencialmente. 4.1.2. Quebra e
recombinação de ligações Em qualquer temperatura acima do zero absoluto, algumas ligações se
romperão devido à vibração térmica dos átomos da rede, criando elétrons livres no sólido. A energia
necessária para quebrar ligações é precisamente Eg. O elétron que adquire essa energia e permanece
livre, faz uma transição da banda de valência para a banda de condução. Nesta situação, ambas as
bandas têm elétrons e estados livres. Na banda de condução, os elétrons livres poderão adquirir
movimento sob a ação de um campo externo. Mas também os elétrons ligados da banda de valência
poderão se mover, pois existem estados livres (ligações covalentes com vacância devido a um elétron
que migrou para a banda de condução). Quando um elétron da banda de valência ocupa essa vacância
em uma ligação próxima, por sua vez deixa outra vacância, com uma carga positiva associada. O
resultado aparente é o de um movimento de vacâncias ou buracos carregados positivamente. Por esta
razão, a corrente devido aos elétrons da banda de valência é representada pela corrente devido aos
buracos. 4. A CÉLULA SOLAR 43 Desta forma, quando uma ligação é quebrada em um semicondutor
puro, um elétron e uma lacuna, que identificaremos como portadores, ficam livres para se moverem
pelo material. No entanto, a densidade de buracos e elétrons é idêntica. Essa densidade, chamada de
densidade intrínseca, depende da temperatura e da largura do band gap. A corrente elétrica produzida
é aleatória, sem direção predeterminada e, portanto, não é utilizável em um circuito externo. De vez
em quando, ocorrem encontros elétron-buraco que restabelecem uma ligação com a liberação de
energia (Eg) na forma de calor. Esse fenômeno é chamado de recombinação de um par elétron-buraco,
e é favorecido pelas impurezas no cristal. Como o objetivo é manter a existência da corrente elétrica e
aproveitá-la externamente, é necessário evitar a recombinação, para a qual é necessário direcionar o
movimento de elétrons e lacunas por meio de um campo elétrico. Aplicando um campo elétrico externo
poderíamos separar e direcionar os elétrons e as lacunas, mas a energia utilizada para manter esse
estado seria maior do que a obtida. Outro mecanismo para manter a condução elétrica é baseado no
uso de semicondutores dopados. 4.1.3. A dopagem de semicondutores da junção p-n consiste em
introduzir impurezas no cristal de forma controlada. Consideremos primeiro o uso de átomos de fósforo
(símbolo P na tabela periódica). Os átomos de fósforo têm cinco elétrons de valência (um a mais que o
silício). Ao purificar um cristal de Silício com átomos de Fósforo, o quinto elétron não está bem
integrado na rede e, portanto, a quebra dessa ligação ocorre com uma contribuição energética menor
que a largura do band gap do semicondutor intrínseco. Este quinto elétron permanece livre na banda
de condução, mas a carga positiva associada (íon P¹) permanece ligada à rede cristalina sem poder
contribuir para a condução elétrica. Nestas condições a densidade de elétrons é maior que a de
buracos, e este semicondutor é classificado como tipo n (figura 4.1b). Dada sua maior concentração, o
portador majoritário em um semicondutor do tipo n é o elétron. As impurezas que, como o fósforo,
contribuem com elétrons adicionais são chamadas de doadores. Vejamos agora o caso de um átomo de
boro (símbolo B na tabela periódica). Os átomos de boro têm três elétrons de valência (um a menos que
o silício). Ao purificar um cristal de Silício com átomos de Boro, ficará uma vacância nas ligações das
quais participa (buraco). Novamente, a quebra desta ligação ocorre com uma entrada de energia menor
que a largura do gap do semicondutor intrínseco. O buraco está livre para contribuir para a corrente
elétrica, mas a carga negativa (íon B-) permanece ligada à rede cristalina. Nesse caso, a densidade de
lacunas é maior que a de elétrons e esse semicondutor é classificado como tipo p (figura 4.1a). Agora a
operadora majoritária é o buraco. Suponha agora a existência de dois semicondutores, um tipo p e um
tipo n (figura 4.2). Ao juntá-los fisicamente, produz-se um desequilíbrio dada a diferente concentração
de elétrons e lacunas em cada cristal. Para atingir o equilíbrio, ocorre a difusão dos portadores
majoritários, de modo que um movimento de buracos aparece do cristal p para o cristal n, deixando o
primeiro carregado negativamente. Simultaneamente, há um movimento de elétrons do cristal n para o
cristal p, deixando o primeiro carregado positivamente. Se as lacunas e os elétrons não fossem
partículas carregadas, esse processo de difusão continuaria até atingir uma concentração uniforme em
todo o volume. Mas o ônus de