46 FIGURA 4.3: Representação e comportamento de um diodo.

sendo a constante de Planck, c a

velocidade da luz no vácuo e à o comprimento de onda do fóton. É importante destacar que a
intensidade da radiação incidente influencia na quantidade de elétrons gerados, mas não determina a
energia desses elétrons, energia essa que depende apenas da freqüência dos fótons. O efeito
fotoelétrico é a base para o funcionamento das células solares, dispositivos baseado na junção p-n
descrita acima, cujos elétrons são movidos para a banda de condução pela entrada de energia dos
fótons incidentes. O campo elétrico da junção aciona os portadores gerados por essa interação e
dificulta a recombinação. Essa corrente de iluminação, chamada fotocorrente, agora é utilizável por um
circuito externo. No entanto, a presença de tensão nos terminais da junção (por exemplo, a diferença
de potencial em um resistor alimentado pelo dispositivo) reduz a barreira de potencial da junção, e
consequentemente favorece os processos de recombinação que, conforme descrito anteriormente,
constituem o corrente de diodo, que agora é chamada de corrente escura. Conseqüentemente, em uma
junção p-n iluminada coexistem duas correntes com direções opostas e com origens diferentes. A
corrente de iluminação ou fotocorrente, devido à incidência de fótons, circula da região n para a região
p. A corrente escura ou corrente de diodo, devido à recombinação de portadores favorecidos pela
tensão no circuito externo, flui da região p para a região n (figura 4.4). A corrente total é expressa pela
equação 4.3: 1 = 12-10- | exp(V)-1] União p Nesta equação I é utilizado para designar a fotocorrente e,
como o uso da célula solar consiste em extrair esta corrente para o exterior, o sinal negativo foi utilizado
para a corrente do diodo. reta O fenômeno de geração de portadores devido ao efeito fotoelétrico
depende da frequência dos fótons incidentes. Se o fóton incidente for de baixa energia em comparação
com as características da junção p-n (E < Eg), ele não interage com o semicondutor e passa por ele como
se fosse transparente. Os fótons mais energéticos (aqueles com comprimentos de onda curtos e altas
frequências) quebram uma ligação na superfície do semicondutor. O par elétron-buraco produzido está
longe do campo elétrico da junção, de modo que não poderá exercer sobre eles a força adequada para
evitar que se recombinem antes de deixar o semicondutor para o circuito externo. Intuitivamente,
entende-se que a junção p-n será capaz de aproveitar adequadamente aqueles fótons com energia
suficiente para causar a quebra de uma ligação, mas não tanto que essa interação ocorra muito longe.
da União. Para silício, fótons no espectro visível (400 nm < A < 700 nm) e próximo ao ultravioleta (300
nm < A < 400 nm) são utilizáveis. No entanto, os fótons do infravermelho (> 1100 nm) não quebram as
ligações e os do ultravioleta são muito energéticos (figura 4.5). Os fótons de radiação com E < Eg
passam pelo cristal sem serem absorvidos e são quantificados por perdas por não absorção. Devido à
largura finita do semicondutor e seu coeficiente de absorção , parte O fóton Zona ( P + ) Campo elétrico
Zona p ( B ) 4.1 . Teoria dos semicondutores 6 doctron A frequência do fóton é f-f buraco ID (4.3) 1 = 1-1
V FIGURA 4.4: Corrente de iluminação e corrente de diodo em uma célula solar que alimenta uma carga.
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