IE-311 – Tópicos em Microondas II

1. Lasers Semicondutores – princípios de funcionamento e estudo teórico

Introdução e fundamentos
Fontes ópticas → componentes ativos em um sistema de comunicação.

Laser: Ligth Amplification by Stimulated Emission of Radiation.

Primeiras fontes semicondutoras → operando entre 0,8 e 0,9 µm → porém, devido

as baixas perdas e dispersão das fibras em 1,3 e 1,55 µm → houve a necessidade de se
desenvolver e aprimorar as técnicas de fabricação para deslocar o comprimento de onda de
operação das fontes para os valores de interesse.

Vantagens da utilização de lasers semicondutores para comunicações em relação

aos outros tipos de laser:
• Tamanho e configurações compatíveis com o processo de acoplamento de luz à
fibra óptica. Além disso, seu tamanho é ideal para o desenvolvimento de
circuitos ópticos integrados;
• Como é operado por corrente, a modulação de sua intensidade pode ser obtida
diretamente à partir da modulação desta mesma corrente. O dispositivo
possibilita a modulação direta num faixa bem ampla de freqüências que vai de
poucos kHz até dezenas de GHz;
• Além da intensidade, a variação da corrente elétrica de polarização do dispositivo
pode alterar sua freqüência de operação e, desta forma, sua fase. Assim, a
utilização de técnicas coerentes com realimentação de corrente, por exemplo,
possibilita a modulação da fase e da freqüência do laser;
• Produz potência óptica suficiente para contrabalançar as perdas intrínsecas da
fibra e perdas por emenda, entre outras, e ainda fornecer o suficiente para o
fotodectetor recuperar as informações enviadas, principalmente em sistemas de
curta distância;
• O comprimento de onda da luz emitida pelo laser concorda com os pontos de
mínima atenuação e dispersão da fibra;
• Seu custo tem caído consideravelmente nos últimos anos, enquanto que seu
tempo de vida médio aumentado consideravelmente.

Os lasers semicondutores são as fontes luminosas mais freqüentemente utilizadas

para a transmissão de sinais ópticos.

A estrutura básica do laser semicondutor é bem semelhante a estrutura de um diodo

→ nada mais é do que uma junção pn que, para fornecer luz, é polarizada diretamente.

1
 Diferenças entre o diodo comum e o diodo laser:
• Ganho óptico: em determinada condição de operação, a quantidade de luz gerada
no interior do dispositivo é suficiente para contrabalançar as perdas;
• Realimentação de luz: faces do dispositivo são “cortadas” (clivadas)
perpendicularmente à junção e polidas, de forma a refletir luz de volta a
cavidade;
• Materiais semicondutores com band-gap direto: GaAs, InAs, InP, GaAsP,
GaInAs, InPAs, InGaAsP → determinaram os diferentes comprimentos de onda
de operação dos lasers semicondutores (Fig. 1).

Fig. 1 – Faixa de comprimentos de onda de operação dos lasers semicondutores em

relação aos materiais utilizados.

Absorção e emissão de radiação:

Interação da luz com a matéria pode ser representada através da utilização do
conceito de fóton (dualidade partícula onda).
A absorção de fótons por elétrons (Fig. 2), os quais ocupam determinados níveis
discretos de energia, faz com que estes elétrons passem para níveis de energia mais altos →
elétrons excitados.
Por um outro lado, os elétrons excitados podem perder energia através da emissão
de fótons (recombinação de elétrons com lacunas – junção pn). Pela física quântica, a
freqüência da luz absorvida ou emitida f durante o processo de “troca” de níveis de energia
(E1 e E2) é dada por:

E = E 2 − E1 = hf (1)

onde h = 6,626 × 10-34 J.s é a constante de Planck.

2
 Numa estrutura do tipo daquela do laser semicondutor, as transições de elétrons
excitados para níveis mais baixos podem gerar luz de duas maneiras: espontânea e
estimulada.
• Espontânea: fótons são gerados aleatoriamente;
• Estimulada: geração de fótons acontece segundo um princípio quântico → a
presença de um fóton próximo a um elétron excitado estimula este elétron a
decair para um nível de energia mais baixo, gerando um fóton de mesma
freqüência, fase e momento.

Fig. 2 – Diagrama de energia mostrando as diferentes interações fóton-elétron.

Contudo, dependendo do material, as recombinações não geram exclusivamente

fótons (Fig. 3).
• Materiais de bad-gap direto → geram predominantemente fótons;
• Materiais de bad-gap indireto → elétrons interagem com a rede cristalina do
material na forma de vibrações (fónons).

Princípio básico de operação:

Quando as os materiais p e n que formam o diodo semicondutor são postos em
contato, os níveis quasi-Fermi dos dois materiais estão desalinhados. Isto ocorre devido ao
fato de que as concentrações de portadores livres (elétrons e lacunas) para os dois materiais
são diferentes. Contudo, um fluxo de portadores por difusão é rapidamente estabelecido
próximo a região de junção para compensar os gradientes de concentração, deixando esta
região praticamente vazia de portadores livres (região de depleção). Este fluxo continua até
que um campo elétrico oposto a direção de deslocamento dos portadores é formado, devido
a carga dos íons fixos das impurezas de dopagem doadoras e aceitadoras ficam para trás.

3
Quando isto acontece, um nível de equilíbrio é atingido, com os níveis quasi-Fermi se
alinhando, e uma barreira de potencial é estabelecida (Fig. 4a). Quando a junção é
polarizada diretamente, o campo elétrico é reduzido permitindo um novo fluxo de
portadores por difusão através da junção. Apesar da região de depleção se estreitar sob
estas condições, é possível de se dizer que, durante este processo de difusão, tanto lacunas
como elétrons estarão simultaneamente presentes nesta região, tornando a probabilidade de
recombinação radiativa maior. Contudo, existe também a probabilidade de que estes fótons
possam ser absorvidos novamente pelo material, pois, normalmente, a população de
elétrons na banda de valência é maior que àquela na banda de condução. É somente quando
a tensão aplicada aos terminais exceder um determinado valor (limiar ou threshold) que o
número de portadores livres na junção aumenta de tal maneira que o número de fótons
gerados é suficiente para contrabalançar as perdas → condição de inversão de população
(ou transparência) → população de elétrons na banda de valência fica ligeiramente menor
que àquela na banda de condução. A partir deste momento, a junção pn é capaz de
amplificar luz uma vez que a tensão aplicada seja maior que àquela de limiar, ou seja, o
dispositivo passa a apresentar ganho óptico. Na verdade, esta tensão aplicada gera uma
corrente elétrica nos terminais do dispositivo → normalmente, utiliza-se a corrente como
parâmetro de referência para o laser.

Fig. 3 – Band-gap direto e indireto. (a) Lacunas e elétrons possuem mesmo momento, o
que propicia recombinação direta. (b) A diferença no momento entre elétrons e lacunas
exige que o elétron perca parte do seu momento na forma de interações com a rede
cristalina do semicondutor.

A operação do laser semicondutor pode ser aprimorada se for possível:

• Aumentar o número de elétrons e lacunas próximos a junção: garante que a
condição de inversão pode ser atingida mais rapidamente → ganho óptico fica
confinado;
• Confinar a luz na região de ganho óptico: produção de luz por emissão
estimulada (coerente e desejável) com probabilidade maior.

4
Isto gerou intensas pesquisas na área de estruturas de lasers semicondutores →
heteroestruturas → podem fornecer tanto confinamento óptico quanto elétrico (Fig. 5) →
material da junção (p ou n) possui um band-gap menor que o material que vem logo a
seguir na estrutura → os elétrons e lacunas vêem um poço de potencial na região de junção
e ficam confinados → ao mesmo tempo, o índice de refração destes materiais é maior que o
índice de refração dos materiais que vem a seguir → lei de Fresnell e reflexão total →
confinamento óptico. Diferentes configurações estruturais de lasers foram desenvolvidas
para este fim (Fig. 6).

Fig. 4 – Diagrama das bandas de energia de uma junção pn. (a) após o contato e sem
polarização; (b) sob polarização; (c) condição de transparência.

Contudo, apenas atingir a condição de ganho e confinamento não é suficiente para

que o dispositivo opere satisfatoriamente → realimentação óptica → reflexão nas faces do
laser:
• Direciona e confina os fótons que participam do processo de emissão estimulada
na cavidade;
• Devido às reflexões na face, a radiação eletromagnética fica confinada em uma
cavidade de Fabry-Perot → isto gera um processo seletivo de comprimentos de
onda → ressonância.

Com isto, acima da condição de limiar → todo par elétron-lacuna injetado na região
de junção (através do aumento da corrente de injeção) praticamente se recombina através
de emissão estimulada → isto faz com que a relação entre a corrente injetada e a potência
óptica produzida seja quase linear.

5
Fig. 5 – Diagrama de banda de energia para lasers semicondutores com heterostrutura
dupla.

Fig. 6 – Evolução das estruturas de lasers semicondutores.

6
 A partir deste ponto, passa-se a estudar as características ópticas do laser
semicondutor com relação à densidade de corrente injetada J. Devido às características
estruturais de confinamento, os lasers apenas suportam modos de propagação da luz
(distribuição espacial da luz em guias de onda) TE ou TM (menos comum – modo TE tem
limiar relativamente menor que os dos modos TM). Outra característica única dos lasers
semicondutores é a de que não é apenas o ganho óptico que varia com a corrente de injeção
→ o índice de refração também (discute-se a razão física disto mais tarde) → isto é
interessante, pois não só potência óptica varia com o aumento da corrente de injeção, mas
também a freqüência de operação.

Como se está interessado em estudar o comportamento da luz no interior dos lasers

semicondutores, nada mais apropriado que a obtenção da equação de onda para o problema
a partir das equações de Maxwell:

∂B
∇× E = − (2)
∂t

∂D
∇× H = J + (3)
∂t

∇⋅E = ρ (4)

∇⋅B = 0 (5)

onde E e H representam os vetores dos campos elétrico e magnético, D e B representam os

vetores dos fluxos elétrico e magnético, J representa o vetor densidade de corrente e ρ as
fontes do campo eletromagnético.

Os fluxos elétrico e magnético D e B podem ser representados para o material

semicondutor (meio dielétrico não magnético) através de:

D = εoE + P (6)

B = µo H (7)

J = σE (8)

onde εo é a permissividade no vácuo, µo é a permeabilidade no vácuo e σ é a condutividade

do meio. O vetor polarização é dado por P. As equações de Maxwell podem ser utilizadas
para se obter a equação de onda que descreve a propagação da luz no meio. Aplicando o
rotacional a Eq. (2), tem-se:

∂
∇ × ∇ × E = ∇(∇ ⋅ E ) − ∇ 2 E = − µ o (∇ × H ) (9)
∂t

7
onde se utilizou também a Eq. (7). Utilizando-se as Eq. (3), (6) e (8), a Eq. (9) pode ser re-
escrita como:

∂E ∂2E ∂2P
∇(∇ ⋅ E ) − ∇ 2 E = − µ oσ − µ oε o 2 − µ o 2 (10)
∂t ∂t ∂t

Na ausência de cargas, ρ = 0 e das Eq. (4) e (6) pode-se escrever que:

∇ ⋅ D = ε o∇ ⋅ E + ∇ ⋅ P = 0 (11)

Normalmente, o divergente de P pode ser desprezado, de forma que, com boa

aproximação, o divergente de E é igual a 0. Desta forma, a Eq. (10) fica:

σ ∂E 1 ∂2E 1 ∂2P
∇ E−
2
− = (12)
ε oc 2 ∂t c 2 ∂t 2 ε o c 2 ∂t 2

onde c2 = 1/µoεo é o quadrado da velocidade da luz no vácuo. Para resolver a Eq. (12),
assume-se que o campo óptico varia harmonicamente com o tempo (qualquer campo pode
ser decomposto em componentes senoidais de Fourier). Assim, os termos da equação são
dados por:

[ ]
E ( x, y, z,t ) = Re E( x, y, z )e -jωt
(13)
P (x, y, z,t ) = Re[P( x, y, z )e ] - j ωt

onde ω = 2πf é a freqüência angular e f = c/λ é a freqüência de oscilação do campo óptico

no vácuo. E e P são agora vetores complexos (carregam informação de fase) que dependem
apenas da posição. Sob condições estacionárias de operação, o campo elétrico se relaciona
com o vetor polarização através de:

P( x, y, z ) = ε o χ (ω)E( x, y, z ) = ε o ( χ o + χ p )E( x, y, z ) (14)

onde a suceptibilidade χ(ω) mostra a natureza dispersiva do meio através de sua

dependência com a freqüência. A decomposição da suceptibilidade em duas componentes
leva em conta a resposta do meio sem (sub-índice “o”) e com (sub-índice “p”) a presença
da corrente de injeção, onde χp varia com a densidade de portadores presentes na região de
interesse → isto modela a dependência da freqüência de operação do laser com a variação
da corrente de injeção. Cabe-se notar que, por causa do meio de propagação, a
suceptibilidade e suas componentes são complexas e dependentes da freqüência. Se a Eq.
(13) é substituída na Eq. (12), a equação de onda fica:

 σ  k o2
∇ E + k 1 + j
2 2
=− P (15)
εo
o
 εo ω 

8
onde ko = ω/c = 2π/λ é o número de onda no vácuo. Utilizando-se Eq. (14) na Eq. (15):

∇ 2 E + εk o2 E = 0 (16)

onde a constante dielétrica ε é dada por:

ε = ε ′ + jε ′′ (17)

onde:

ε ′ = 1 + Re(χ o ) + Re(χ p ) = ε b + Re(χ p )

σ (18)
ε ′′ = Im(χ o ) + Im(χ p ) +
ε oω

onde εb é definida como a constante dielétrica do meio sem perturbações.

A Eq. (16) permite que se obtenha a estrutura de distribuição espacial (modos) do

campo elétrico no interior da região ativa do laser. Esta análise requer uma matemática
rebuscada e somente seus resultados serão utilizados mais tarde. Contudo, uma visão
introdutória do que acontece dentro da estrutura do laser pode ser obtida se, para a solução
da Eq. (16), as ondas propagando no interior do laser são consideradas planas. Neste caso,
pode-se substituir a notação da constante dielétrica complexa por termos mais comumente
utilizados no tratamento da propagação de ondas planas: índice de refração (n) e coeficiente
de absorção (α). Considerando-se uma onda plana propagando-se na direção positiva de z,
tem-se:

E( x, y, z ) = x̂E o e jβz (19)

onde se assume Eo como a amplitude constante do campo elétrico. A constante de

propagação complexa é definida à partir da Eq. (16) como:

β = k o ε = k o n~ (20)

onde ñ é o índice de refração complexo que pode ser escrito como:

α
n~ = n + j (21)
2k o

onde n é o índice de refração do meio e α é o coeficiente de absorção. Usando o fato de que

ñ2 = ε e que, normalmente, α << nko, pode-se equacionar os termos da Eq. (21) como:

9
 n = ε ′ = ε b + Re( χ p )
k o ε ′′ k o  σ  (22)
α= = Im(χ o + χ p ) +
n n  ε oω 

Devido à dependência do índice de refração e do coeficiente de absorção com χp,

ambos são afetados pela variação da corrente de injeção do laser. As razões físicas para isto
estão relacionadas com a alta densidade de portadores dentro da região ativa. Vários são os
mecanismos que levam a esta dependência, o mais importante sendo a variação da largura
da banda proibida (band-gap) na presença de portadores de carga. Geralmente, para a parte
real do índice de refração, a contribuição de χp é muito menor que a de εb. desta forma,
pode-se utilizar a Eq. (22) para definir:

 Re(χ p ) 
n = ε b + Re( χ p ) ≅ ε b 1 +  = n b + ∆n p (23)
 2ε b 

onde:

nb = ε b
Re(χ p ) (24)
∆n p =
2 nb

onde ∆np define a porção do índice de refração que varia com a presença de portadores
injetados e nb é o índice de refração do meio sem injeção. Por exemplo, em lasers de gás,
∆np ≈ 0 → a existência deste comportamento é exclusiva de lasers semicondutores.

Condição de limiar e modos longitudinais

A solução de onda plana, Eq. (19), pode ser utilizada para se estimar a freqüência do
laser (aproximação da distribuição real espacial de modos) e o ganho óptico necessário para
a emissão de luz. Para isso, considere a Fig. 7. Uma fina região central é responsável pelo
ganho óptico do laser. As faces clivadas do laser, separadas por uma distância L, são
responsáveis pela realimentação óptica e e formam, com isto, uma cavidade de Fabry-Perot
(FP).

O coeficiente de absorção dado pela Eq. (22) é formado por um termo que leva em
conta a absorção intrínseca do material, Im(χo), e um outro que leva em conta a sua redução
da absorção devido a presença da injeção de portadores externa, Im(χp). Como a
contribuição destes dois componentes é inversa, o aumento da injeção de corrente pode
levar a diminuição da absorção e a eventual condição de transparência. Normalmente, o
efeito destes dois componentes é combinado, definindo-se o ganho líquido g como:

Im(χ o + χ p )
ko
g=− (25)
n

10
 Fig. 7 – Ilustração esquemática de um laser semicondutor.

O último termo da Eq. (22) leva em consideração outros tipos de perdas que
ocorrem no semicondutor, tais como a recombinação não radiativa de pares elétron-lacuna
e o espalhamento de portadores nos limites da região ativa. Contudo, levar em conta cada
um dos efeitos individualmente é uma tarefa difícil, de forma que suas contribuições para a
absorção total são consideradas coletivamente (αint) através da seguinte definição:

k oσ
α int = (26)
nε oω

Assim, utilizando-se as duas últimas equações, o coeficiente de absorção líquido

pode ser escrito como:

α = α int − Γg (27)

onde o termo Γ, definido como fator de confinamento, foi introduzido

fenomenologicamente para levar em consideração a redução no ganho devido ao fato de
que parte da energia acoplada ao modo se propaga fora da região ativa → menos luz na
região ativa, menor o ganho.

Para se chegar a conclusões com relação à condição de limiar do laser, utiliza-se a

solução para a equação de onda proposta, Eq. (19), e se aplicam as condições de contorno
de acordo com a Fig. 7. Para que o laser atinja o limiar, é necessário que o campo elétrico
que se propaga no seu interior consiga se reproduzir em um ponto qualquer do dispositivo
após uma viajem completa no interior do dispositivo, isto é, ser refletido duas vezes pelas
faces do laser → se isto for alcançado → ganho maior que perdas. Se as refletividades das
duas faces são dadas por R1 e R2, a condição para limiar pode ser obtida da Eq. (19) por:

R1 R2 e jβ 2 L = 1 (28)

11
onde se assumiu a amplitude do campo elétrico como unitária, para haver limiar e que o
coeficiente de propagação é dado pela Eq. (20). Separando-se as partes real e imaginária da
Eq. (28), obtém-se:

R1 R2 e −αL = 1
(29)
sin (2nk o L ) = 0

A primeira equação determina o ganho de limiar. Utilizando-se a Eq. (27), ele pode
ser escrito como:

Γg = α m + α int (30)

onde:

1  1 
αm = ln  (31)
2 L  R1 R2 

é o coeficiente de perdas no espelho e leva em consideração a parte da radiação escapando

da cavidade devido aos coeficientes de reflexão finitos (30%). A Eq. (30) expressa o fato de
que o ganho devido a injeção de portadores deve contrabalançar todas as perdas no interior
da cavidade para que o limiar possa ser alcançado. Contudo, para os resultados acima,
considera-se que apenas emissões estimuladas estão ocorrendo. O ganho, portanto, deve ser
um pouco menor que o dado pela Eq. (30), a emissão espontânea contribui com luz no
interior da cavidade.

O outro termo em (29) é responsável pela freqüência de operação do laser. Porém,

devido a natureza periódica da função trigonométrica, ele possui múltiplas soluções:

2nk o L = 2mπ (32)

onde m é um inteiro. Utilizando-se a definição de número de onda, a freqüência de

operação do laser f é dada por:

c
f = fm = m (33)
2nL

onde fm é normalmente chamado de freqüência de ressonância da cavidade e corresponde a

freqüência de operação do m-ésimo modo da cavidade de FP de comprimento óptico nL.
Portanto, o laser tende a oscilar nas freqüências que podem ser suportadas pela cavidade de
FP. O número de diferentes freqüências que vão ser possíveis depende de como é o
comportamento espectral do ganho. A Fig. 8 mostra o que acontece com um laser FP com
distribuição de ganho gaussiana → apenas o modo central, cuja posição coincide com o
pico do ganho, vai possuir ganho suficiente para ultrapassar as perdas → o laser pode
operar, desta forma, em um regime monomodal.

12
 Fig. 8 – Ilustração do espectro de ganho para um laser semicondutor do tipo FP.

No cálculo do espaçamento entre modos, pode-se utilizar a Eq. (33). Contudo, para
materiais semicondutores, que são dispersivos, o índice de refração varia com a freqüência
f. Se a seguinte relação for utilizada:

∆(nf ) = n∆f + f∆n (34)

onde o delta denota pequenas variações, o espaçamento intermodal pode ser obtido da Eq.
(33) e dado por:

c c
∆(nf ) = n∆f + f∆n = (ni +1 f i +1 ) − (ni f i ) = [(i + 1) − i ] = (35)
2L 2L

onde i denomina o i-ésimo modo. Resolvendo (35) chega-se a:

c c c
∆f = ≅ = (36)
 ∆n   ∂n  2n g L
2 L n + f  2 L n + f 
 ∆f   ∂f 

onde se define o índice de grupo do material dispersivo.

Ganho e emissão estimulada

O tratamento do mecanismo de ganho em termos da injeção de portadores é um
tanto quanto complicado. Para os propósitos desta análise preliminar, é suficiente analisar
esta dependência levando em consideração observações experimentais. Estes resultados
mostram que, para a freqüência de operação, que corresponde ao pico do espectro de
ganho, o valor deste ganho varia quase que linearmente com a densidade de corrente
injetada J. Levando isto em consideração, uma nova expressão para o ganho g pode ser
escrita:

g (η ) = a(η − η o ) (37)

onde a é uma constante empírica, η é a densidade de portadores e ηo é a densidade de

portadores necessária para se atingir a transparência. Para concluir esta aproximação

13
fenomenológica, observou-se também que o índice de refração possui uma dependência
linear com a densidade de portadores. Assim:

∆n p = bη (38)

onde b também é um valor empírico. Cabe-se ressaltar que a densidade de portadores varia
muito pouco acima do limiar → quase todos os portadores extras que são injetados quando
se aumenta a corrente de polarização são transformados em fótons → a aproximação linear
empírica fica mais aceitável.

Se as Eq. (37), (38), (23), (24) e (25) são comparadas, pode-se obter a variação de χp
com a densidade de portadores:

 a 
χ p = nb  2b − j η (39)
 ko 

A razão entre as partes real e imaginária de χp define um parâmetro importante para

lasers semicondutores, que mostra o acoplamento entre amplitude e fase do campo elétrico
propagando em seu interior, ou seja, o fator de alargamento de linha (αlin):

Re( χ p ) 2k o b
α lin = =− (40)
Im(χ p ) a

O estudo fenomenológico se completa quando uma relação entre a densidade de

portadores e a densidade de corrente injetada for apresentada. Isto é feito à partir de uma
equação de taxa que incorpora todos os mecanismos pelos quais portadores são gerados ou
perdidos no interior da cavidade. Esta equação é dada por (só o estudo para os elétrons é
suficiente):

∂η
∂t
(
= D ∇ 2η +
J
qd
)
− R(η ) (41)

O primeiro termo do segundo membro leva em conta o espalhamento devido à

difusão dos portadores, ou seja, à parte dos portadores que é perdida no caminho entre os
terminais e a região ativa e D é o coeficiente de difusão. O segundo termo dá a taxa de
portadores que são injetados na região ativa devido à corrente de injeção, onde q é a
magnitude da carga do elétron e d a espessura da região ativa. O último termo R(η) leva em
consideração a perda de portadores por recombinação, seja ela radioativa ou não radioativa.
Para lasers com heteroestrutura, tanto a luz como os portadores estão propriamente guiados
de tal maneira que perdas de portadores por difusão são desprezíveis. Assim, a densidade
de portadores fica praticamente constante ao longo das dimensões da região ativa de tal
forma que, adotando este tipo de estrutura, pode-se desprezar o primeiro termo de (41).
Para condições estacionárias, a derivada temporal é igual a zero e pode-se escrever que:

14
 J = qdR (η ) (42)

Para completar a descrição, a taxa de recombinação R(η) é definida em termos dos

dois tipos de recombinação possível:

η
R(η ) = + Rstη ph (43)
τe

onde o primeiro tempo representa a taxa de portadores que são perdidas por recombinações
devido a interação dos portadores com a rede cristalina do semicondutor e por emissões
espontâneas que acontecem durante o tempo de vida médio dos portadores τe. O segundo
termo leva em consideração a recombinação estimulada, que acontece a uma taxa Rst =
(c/ng)g(η) e depende da densidade de fótons na cavidade ηph.

Para finalizar, são apresentadas as características da relação entre a potência óptica

produzida em função da corrente de injeção do laser. A luz emitida pela face do laser é
medida como uma função da corrente de polarização I. A Fig. 9 mostra este
comportamento, que é fortemente influenciado pela temperatura de operação. A expressão
para a densidade de portadores de limiar (threshold) pode ser obtida das Eq. (37) e (30):

(α m + α int )
η th = η o + (44)
aΓ

onde, a densidade de corrente esta relacionada a (44) através da Eq. (42), onde, no limiar,
pode-se desprezar a contribuição das emissões estimuladas:

η th
J th = qd (45)
τe

Acima do limiar, a densidade de portadores fica aproximadamente fixa em ηth e o

aumento na corrente de injeção leva a geração de fótons estimulados. Utilizando-se
novamente as Eq. (42) e (43), pode-se obter a relação entre a densidade de fótons e a
corrente injetada por:

τp
η ph = η i (J − J th ) (46)
qd

onde a eficiência quântica ηi foi introduzida fenomenologicamente e indica a fração dos

portadores injetados que é convertida em fótons. O tempo de vida dos fótons define o
período de tempo médio que um fóton “sobrevive” antes de acontecer uma recombinação e
é definido como:

1
τp = (47)
v g (α m + α int )

15
onde vg = c/ng é a velocidade de grupo. Para a determinação da relação entre a potência
óptica e a corrente de injeção acima do limiar, basta observar que a densidade de fótons é
diretamente proporcional a potência de saída do laser e que a corrente de injeção I se
relaciona da mesma maneira com J.

Fig. 9 – Curva L-I para o laser.

Fig. 10 – Espectro de potência óptica como uma função da corrente.

16
2. Lasers Semicondutores – equações de taxa
O propósito desta seção é o de discutir as características estáticas, espectrais e
dinâmicas de lasers semicondutores e sua relação com os principais parâmetros de operação
do dispositivo, os quais variam de acordo com a estrutura do laser em questão.
Basicamente, a operação desejada para o laser semicondutor requer que ele possua baixa
corrente de limiar, largura espectral estreita e resposta rápida a variações de corrente.
Portanto, é necessário que ferramentas sejam desenvolvidas para permitir acesso a relações
entre parâmetros do dispositivo, de maneira que a resposta do laser seja aprimorada e/ou
maximizada com relação a estas características. As equações de taxa oferecem condições
para que esta análise seja desenvolvida, oferecendo resultados que apresentam boa
concordância com investigações experimentais.

Para a obtenção das equações de taxa, necessita-se retornar a Eq. (12). De maneira a
se obter uma expressão válida para o vetor polarização induzida P, as dinâmicas do
material semicondutor devem que ser consideradas. Isto é extremamente complicado, pois
todos os processos de decaimento intra e interbanda devem ser considerados. Contudo, as
características dos materiais utilizados na confecção de lasers permitem que algumas
simplificações na análise de P sejam feitas. No caso de alguns tipos de materiais (a
maioria), o processo de decaimento de elétrons de um estado de energia para outro numa
mesma banda (intrabanda), seja por espalhamento devido a interações do tipo elétron-
elétron ou elétron-fónon, são tão rápidos comparados com o tempo de vida dos portadores e
com o tempo de vida dos fótons, que a Eq. (14) pode ser válida até para campos variantes
no tempo. Em outras palavras, os efeitos que os espalhamentos intrabanda podem ocasionar
na determinação dos momentos de dipolo que levam a expressão de P ocorrem tão
rapidamente que se pode considerar a resposta do material como instantânea, mesmo com a
oscilação temporal do campo no interior do material. Assim, substituindo-se a Eq. (14) na
(12), a equação de onda fica:

1 ∂ 2 εE
∇ E− 2
2 a f
=0
c ∂t 2 (48)

onde o termo de perda relacionado a condutividade do material foi incorporado na parte

imaginária da constante dielétrica dada pela Eq. (17). A solução da Eq. (48) deve levar em
conta a distribuição espacial dos modos no interior da cavidade, em vez da aproximação
feita para a solução da Eq. (16). Geralmente, num laser semicondutor, assume-se que o
dispositivo é projetado para suportar um modo transversal e um modo lateral (é o que
acontece na prática), de forma que E pode ser escrito como:

a f
E x, y, z, t =
1
2
a f a f a f af
x$ ψ x φ y sin kz E t e − jωt + c. c.
(49)

onde ψ(x) e φ(y) são, respectivamente, a distribuição do campo na direção x e y e c.c. é a

abreviatura para complexo conjugado do termo. Observar que agora, considera-se que a
amplitude do campo elétrico também pode variar com o tempo, o que é uma aproximação
mais real do comportamento do laser. A equação de taxa pode ser obtida, após

17
simplificações, substituindo-se a Eq. (49) na Eq. (48), assumindo-se que o campo elétrico
varia lentamente no interior do material (derivada segunda de E(t) = 0), multiplicando-se o
resultado por ψ(x) e φ(y) e integrando-o para todo x e y. O tratamento utilizado para a
obtenção da equação de taxa está fora do escopo desta análise, pois envolve um longo
processo matemático para se chegar as expressões de ψ(x) e φ(y). Porém, os passo para o
procedimento estão dados e podem ser consultados em [1]. Assim, a equação de taxa é dada
por:

dE
=j
n′
a
ω −Ω E+ j
ω
f FG
Γ∆n p + j
α′
E
IJ
dt ng ng H 2 ko K (50)

onde n´ é o índice de refração efetivo do guia (leva em consideração o fato que não temos
uma onda plana propagando → se este fosse o caso, n´ = n), Ω corresponde a freqüência
angular de ressonância da cavidade (que, devido ao fato de que portadores injetados alteram
o índice de refração do material, nem sempre corresponde a freqüência angular de operação
ω → na maioria dos casos, os valores de ω e Ω são bem próximos) e α´ é o coeficiente de
absorção efetivo, que leva em conta também a perda nos espelhos:

α ′ = − Γg + α int + α m (51)

onde os termos que aparecem foram definidos anteriormente. Para que se possa separar a
Eq. (50) em uma parte real e uma parte imaginária, é usual se expressar E(t) como:

af af
E t = A t e − jγ a t f (52)

onde A(t) e γ(t) são, respectivamente, a amplitude e a fase de E(t). Se a Eq. (52) é
substituída na Eq. (50), tem-se:

dA 1
b
= vg Γg − α int + α m A
dt 2
g (53)

dγ n′ ω
= − (ω − Ω ) − Γ∆n p (54)
dt ng ng

onde a Eq. (51) foi utilizada para eliminar o termo α´. A Eq. (53) mostra que a taxa de
aumento na amplitude é igual ao ganho menos as perdas, uma vez que exista luz presente
na região ativa (multiplicação pelo próprio A). Isso foi obtido anteriormente através de
análises do comportamento de emissão e da física do dispositivo. O interessante é que as
equações de taxa foram obtidas das equações de Maxwell utilizando aproximações que
foram pré-estabelecidas [1] → qualquer necessidade de melhoria do modelo pode ser
propriamente atacada. A eq. (54) também é consistente com o que foi observado

18
experimentalmente → a variação no índice de refração causada pela injeção de portadores
na cavidade é responsável pela variação da freqüência angular de operação ω.

É mais conveniente rescrever a Eq. (53) substituindo a amplitude A pelo número de

fótons Nph na cavidade. Sabendo-se que Nph ∝ |E|2, tem-se:

dN ph LM
= G−
1 OP N + Rsp
dt MN τp PQ ph
(55)

onde:

G = Γgvg (56)

é a taxa líquida de emissões estimuladas e

1
τp =
b
vg α int + α m g (57)

é o tempo de vida do fóton na cavidade do laser. O termo Rsp foi introduzido para levar em
consideração a contribuição do número de fótons gerado pelas emissões espontâneas, já
que, até agora, havia sido assumido que as únicas formas de recombinação radiativas eram
estimuladas. Se as Eq. (37), (38) e (40) forem utilizadas, pode-se rescrever a equação de
fase em termos do ganho do dispositivo, substituindo a variação do índice de refração por:

α lin
∆n p = − ∆g
2 k0 (58)

Assim, assumindo-se que:

1
∆G = vg Γ∆g = G −
τp (59)

a equação de fase fica:

dγ
b 1
g1 F I
dt
= − ω − ω th + α lin G −
2 τp GH JK (60)

onde n´ ≈ ng e Ω é redefinido como ωth por razões que ficarão claras mais tarde. A última
equação diz que qualquer mudança no ganho leva a variações na fase do campo do laser.
Isto é esperado, pois, para haver variações no ganho, é necessário que se varie a corrente de
injeção, que por sua vez provoca alterações no índice de refração do material e, portanto, na
fase do campo.

19
 Como G depende de g, e g depende de η, é necessário que se utilize uma equação
que mostre o comportamento dos portadores no material semicondutor para que se possa
chegar a um conjunto mais completo de equações de taxa. Isto permitirá o modelamento e
quantificação de alguns resultados que são observados experimentalmente. Para isto,
utiliza-se a Eq. (41), que mostra como acontece a variação da densidade de portadores com
o tempo dentro do dispositivo e os mecanismos que contribuem para isto. Assume-se que o
dispositivo é bem projetado de forma que a parcela devida a difusão pode ser desprezada
(laser de heteroestrutura). Definindo o número de portadores como N:

z
N = ηdV = ηV = ηLwd
(61)

onde w representa a largura da região ativa do dispositivo. Se a Eq. (61) é substituída na Eq.
(41), a equação de taxa de portadores fica:

dN I N
= − − GN ph
dt q τ e (62)

onde I = wLJ é a corrente de injeção no dispositivo (assumindo-se que toda ela passa pela
região ativa).

Pode-se agora partir para as soluções das equações de taxa. Apesar das equações
parecerem bem comportadas, cada uma delas apresenta um termo cuja dependência é dada
em relação a outra equação de taxa. Desta forma, elas estão interligadas e soluções só
podem ser obtidas por métodos numéricos. Contudo, uma boa visualização do que está
acontecendo com o laser pode ser obtida se uma análise de pequenos sinais for empregada,
ou seja, assume-se que qualquer variação temporal ocorre como uma perturbação em torno
do ponto de operação estacionário do dispositivo. Para tanto, o primeiro passo consiste em
se determinar as soluções estacionárias para o sistema de três equações de taxa. Depois, de
posse das soluções estacionárias, introduz-se as perturbações e se faz a análise do
comportamento dinâmico. A partir da análise dinâmica, pode-se chegar a conclusões
quanto as características de ruído e de modulação do dispositivo.

Características Estacionárias
A soluções estacionárias podem obtidas fazendo-se as derivadas temporais das
equações de taxa iguais a zero. Da Eq. (55), o número de fótons estacionário é dado por:

Rsp
N ph =
F 1 − GI
GH τ JK
p
(63)

Desta equação pode-se chegar a uma descrição física do que está envolvido no
processo de limiar do laser, além de fornecer uma maneira de se obter a curva L-I. A
equação mostra que o laser pode ser considerado como um amplificador de ruído
regenerativo. No início do processo laser, são as emissões espontâneas que fornecem o

20
ruído de entrada que é amplificado pelo ganho do dispositivo advindo da injeção de
portadores. Contudo, ao contrário do que foi visto no tratamento inicial da física do laser
semicondutor, onde se assumiu o campo propagante como sendo plano, a Eq. (63) mostra
que o ganho necessário para se atingir o limiar deve ficar um pouco abaixo do valor de
perdas (caso contrário, teríamos um número de fótons negativo) e se aproxima do valor de
1/τe assimptoticamente conforme a potência óptica de saída aumenta.

Uma expressão para a curva L-I pode ser obtida substituindo-se a Eq. (63) na Eq.
(62) estacionária:

I N G
= +
q τe F 1 − GI R sp

GH τ JK
p
(64)

Da Eq. (64), pode-se obter uma relação entre a corrente de injeção I e o número de
portadores N. Cabe-se ressaltar que tanto 1/τe quanto Rsp dependem do valor de N para
funcionamento do laser abaixo do limiar (lembrar que, acima do limiar, N varia pouco de
tal modo que estes dois parâmetros podem ser considerados constantes nestas condições –
Fig. 11).

Fig. 11 – Variação da número de portadores com a corrente injetada no dispositivo.

Utilizando-se as Eq. (37) e (56), G, que é uma função de N, pode ser escrito como:

a f F N −η I
G N = Γv g a
HV K o
(65)

As expressões para 1/τe e Rsp em função de N são dadas, respectivamente, por:

21
 a f L
τe N =
1

MN A N F I OP
N
2

nr + B +C
V H KQ
V
(66)

β sp BN 2
a f
Rsp N =
V (67)

onde Anr é a taxa de recombinações não radiativas que ocorrem na região ativa (devido a
defeitos e interfaces do semicondutor), βsp é o fator de emissão espontânea, que determina a
fração dos fótons produzidos por emissão espontânea que fazem parte do modo de
propagação do laser, B é um termo que leva em consideração a perda de elétrons devido a
recombinações espontâneas e C é um termo que leva em conta um tipo especial de
recombinação não radiativa que envolve a interação de quatro estados de energia de
partículas (três de elétrons e um de lacuna, dois de elétrons e dois de lacuna, e assim por
diante). Neste tipo de recombinação, conhecido como recombinação Auger, a energia
perdida durante uma recombinação é transferida a um outro elétron ou lacuna (em vez de se
transformar em fóton), que absorve esta energia e passa para um estado de energia mais alto
dentro da banda. Este elétron (ou lacuna) então decai para níveis mais baixos, em direção
ao seu equilíbrio térmico. No processo, a partícula perde energia na forma de vibrações que
são transferidas a rede cristalina do semicondutor.

Substituindo-se as Eq. (65), (66) e (67) na Eq. (64), obtêm-se um polinômio de

quarta ordem que pode ser resolvido para se obter uma relação entre o número de
portadores N e a corrente de injeção I. A relação entre o número de fótons e a corrente de
injeção pode ser então encontrada via Eq. (63). Com isto, pode-se chegar a uma curva
semelhante a da Fig. 9, com a diferença de que há a necessidade de se converter o número
de fótons em potência óptica de saída do laser (Fig. 12). A taxa de fótons que escapa pela
face do laser pode ser obtida multiplicando-se a velocidade de propagação do modo do
laser vg pelo coeficiente de perda do espelho αm (isto é coerente com a definição de τp). A
energia do fóton é dada por hω. Portanto a energia total na cavidade é dada por hωNph.
Assim, a potência de saída do laser é dada por:

1
Pout = hωvgα m N ph
2 (68)

onde ½ foi introduzido assumindo que a refletividade dos espelhos é igual. Do ponto de
vista prático, o parâmetro de interesse é a corrente de limiar Ith. Na Fig. 12, observa-se que
a variação de potência com a corrente é mais suave a medida que βsp se torna maior. Para a
definição de Ith, utiliza-se a o ponto extremo onde a variação da curva é mais abrupta, ou
seja, βsp → 0. Neste caso, a Eq. (64) fica:

22
 Nth
Ith = q
b g
τ e Nth (69)

uma vez que o número de portadores pode ser considerado constante acima do limiar.

Fig. 12 – Curva L-I para um laser de InGaAsP operando em 1,3 µm.

Características Dinâmicas
A maioria dos dispositivos semicondutores leva um tempo diferente de zero para se
ajustar a qualquer transiente. Ou seja, no caso do laser semicondutor, se um pulso é
aplicado a sua corrente polarização, as populações de elétrons e fótons oscilam durante um
intervalo até que os atinjam seus novos valores estacionários relativos ao novo valor de
corrente. Estas oscilações, conhecidas como oscilações de relaxação, são uma manifestação
do caráter de ressonância da cavidade do laser, onde a energia do sistema é trocada entre as
populações de elétrons e fótons antes do estado estacionário ser atingido. A Fig. 13 mostra
o comportamento do número de fótons e do número de portadores após se aplicar tal pulso.
Pode-se observar que os máximos para N e Nph estão defasados de, aproximadamente, 90
graus. Quando o pulso é aplicado, o número de portadores aumenta rapidamente. Acima do
limiar, estes portadores em excesso devem ser (na grande maioria) transformados em
fótons. Os fótons, então, começam a ser gerados e consomem rapidamente os elétrons
injetados, fazendo com que o número de portadores caia. Porém, se o número de portadores
cai, o número de fótons, após atingir seu máximo, também deve cair. Assim, com a queda
do número de fótons, o número de emissões estimuladas cai, o que dá condições ao número
de portadores de aumentar novamente. Este processo continua até que o equilíbrio seja
estabelecido. Como pode ser notado, existe um amortecimento no processo, caso contrário,
as oscilações ocorreriam indefinidamente. O efeito de oscilação é importante pois limita a
freqüência máxima de modulação direta da corrente do laser. De fato, é possível de se
observar experimentalmente que a resposta em freqüência à modulação direta da corrente

23
do laser é limitada pela freqüência das oscilações de relaxação. Através da análise dinâmica
das equações de taxa, pode-se chegar a uma estimativa do valor da freqüência de relaxação.

Fig. 13 – Evolução temporal das populações de fótons e portadores, evidenciando a

existência das oscilações de relaxação.

As Eq. (55) e (62) expressam as equações de taxa para o número de fótons e o

número de portadores na cavidade, respectivamente. Para a determinação do valor da
freqüência das oscilações de relaxação, devemos, portanto, partir delas. Apesar da
aproximação linear da dependência de G com relação N ser freqüentemente válida, esta
suposição linear será deixada de lado por hora. Para incluir efeitos de não linearidade [2-3]
no ganho , será assumido que G tem uma certa dependência com Nph. Esta dependência é
explicada através de mecanismos que ocorrem no interior da cavidade do laser, tais como a
absorção de dois fótons, aquecimento de portadores e spectral hole burning. Assumindo
que a corrente de operação esta acima da corrente de limiar, pode-se linearizar as equações
de taxa aplicando o princípio das perturbações em torno dos pontos estacionários.
Assumindo que o número de fótons e de portadores possam agora ser escritos como:

N ph = N pho + δN ph
N = N o + δN (70)

onde Npho e No representam os valores estacionários para o número de fótons e de

portadores, calculados anteriormente, e δNph e δN são as perturbações em torno dos pontos
estacionários para o número de fótons e de portadores, respectivamente. Se a Eq. (70) é
substituída nas Eq. (55) e (62), e a análise estática desenvolvida anteriormente é levada em
consideração, através das Eq. (63) e (64), pode-se escrever que:

24
dδN ph
= − ΓNphδN ph + GN N phoδN
dt (71)

dδ N
dt
c
= − ΓN δN − G + GNph N pho δN ph h (72)

onde os termos quadráticos e de ordens maiores das perturbações foram desprezados. As

taxas de decaimento na população de fótons e de portadores são definidas, respectivamente,
como:

Rsp
ΓNph = − GNph N pho
N pho (73)

1
ΓN = + GN N pho
τe (74)

Para a obtenção das Eq. (71) e (72), o ganho G, agora uma função de N e Nph, cuja a
expressão é desconhecida, foi expandido numa série truncada de Taylor:

c h
G N , N ph = G + GN δN + GNphδN ph
(75)

onde GN = ∂G/∂N e GNph = ∂G/∂Nph. O valor de GNph é normalmente negativo, devido aos
efeitos de redução do ganho óptico para altas potências. Apesar da redução do ganho ser
menor que 1%, o que levaria hipótese de se desprezar GNph, a sua influência é grande na
taxa de decaimento de fótons. As Eq. (71) e (72) podem ser resolvidas assumindo-se uma
solução exponencial dependente do tempo para as oscilações δNph e δN:

δN ph = δN ph max e − ht
δN = δN max e − ht (76)

onde, para se obter uma solução oscilatória que se aproxima do equilíbrio:

h = ΓR ± jΩ R (77)

onde ΓR é definido como a taxa de amortecimento e ΩR como a freqüência angular das

oscilações de relaxação. Se a Eq. (76) é substituída de volta nas Eq. (71) e (72), podem-se
isolar os termos e obter soluções para ΓR e ΩR:

ΓR =
1
2
cΓNph + ΓN h (78)

25
 LM h OP
h − cΓ
2 1/ 2
− ΓNph
= cG + G hc N
ΩR N pho GN N pho
MN Nph
4 PQ (79)

Substituindo-se os valores dos parâmetros da Eq. (79), pode-se concluir que o valor
da freqüência angular das oscilações de relaxação gira em torno da faixa dos GHz. Isto
limita a modulação do laser a freqüências abaixo deste valor. Porém, o aprimoramento nas
técnicas de fabricação do laser tem compensado este efeito, possibilitado freqüências de
modulação maiores.

26
3. Lasers Semicondutores – ruído de amplitude e fase
Nas análises anteriores, foi assumido que tanto a potência óptica produzida pelo
laser quanto a sua freqüência de operação permaneciam constantes com o tempo uma vez
que a condição estacionária fosse alcançada. Como, na maioria dos casos, esse tipo de
comportamento é muito bom para ser verdade, o laser semicondutor apresenta certas
flutuações de intensidade e de fase. De uma maneira geral, estas flutuações tem origem na
natureza quântica do processo que leva a emissão de luz pelo laser. Desta forma, uma
descrição propriamente dita do que acontece no dispositivo depende de uma formulação das
equações de taxa baseada na mecânica quântica (o que envolve um tratamento estatístico).
Em geral, o ruído de intensidade atinge seu pico nas vizinhanças do limiar e tende a
decrescer conforme a corrente de polarização aumenta. Será visto que o espectro do ruído
de intensidade atinge um pico próximo da freqüência das oscilações de relaxação como
uma conseqüência da ressonância intrínseca do laser. Já as flutuações de fase produzem um
alargamento dos modos longitudinais do dispositivo e são responsáveis pela largura de
linha do laser.

Dentro de um tratamento semiclássico, as flutuações de fase, devido às emissões

espontâneas, e de amplitude, devido ao processo de recombinação e geração de portadores,
podem ser incorporadas ao tratamento teórico adicionando as chamadas fontes de ruído de
Langevin às equações de taxa. Desta forma estas equações se tornam:

dN ph LM
= G−
1 OP N af
+ Rsp + FNph t
dt MN τp PQ ph
(80)

dN I N
= − − GN ph + FN t
dt q τ e
af
(81)

dγ
b 1
g 1 F I af
dt
= − ω o − ω th + α lin G −
2 τp GH
+ Fγ t JK (82)

Fisicamente, FNph e Fγ foram adicionados para levar em conta as flutuações no

número de fótons e na freqüência de operação devido as emissões espontâneas. Já FN tem
origem na natureza discreta do processo de geração e recombinação (ruído balístico). Na
presença destas fontes de ruído F, Nph, N e γ tornam-se aleatórios e seus processos
dinâmicos passam a ser regidos por um tratamento estocástico das equações de taxa. Dentre
as mais diversas maneiras de se tratar estatisticamente estes ruídos, a forma mais aplicada e
a que mais simplifica a análise do problema das equações de taxa é assumir que o tempo de
correlação entre as fontes de ruído é muito mais curto que os tempos médios de vida de
portadores e fótons (o sistema não tem memória). Se este tratamento é levado em
consideração, a média estatística entre as fontes de ruído pode ser escrita como:

af
Fi t = 0 (83)

27
 af a f
Fi t Fj t ′ = 2 Dijδ t − t ′ a f (84)

onde Dij são os coeficientes de difusão associados com as fontes de ruído. Um análise
apropriada de como se chegar a expressões para as Eq. (83) e (84) pode ser obtida em [2] e
[3]. Assim:

Rsp
DNph Nph = Rsp N pho Dγ γ = DNphγ = 0
4 N pho (85)

No
DN N = Rsp N pho + DNph N = − Rsp N pho DN γ = 0
τe (86)

Para se obter as características de ruído, assume-se que os valores estacionários de

Nph, N e γ são perturbados por δNph(t) δN(t) e δγ(t), respectivamente. As equações de taxa
estocásticas são então linearizadas, utilizando-se o mesmo procedimento visto
anteriormente. Desta forma:

dδN ph
dt
= − ΓNphδN ph + GN N phoδN + FNph t af (87)

dδ N
dt
c
= − ΓN δN − G + GNph N pho δN ph + FN t h af (88)

dδγ 1
dt
= α lin GN δN + Fγ t
2
af (89)

Notar que foi necessário se considerar a equação de fase para levar em conta, mais
tarde, as flutuações na freqüência do laser e a determinação de sua largura de linha. A
dependência não linear do ganho com relação à potência óptica é considerada através do
termo GNph. Contudo, a contribuição deste termo pode ser desprezada na equação de fase
devido ao fato que sua contribuição para a variação do índice de refração é muito menor
frente a variação provocada pela flutuação dos portadores de carga.

As Eq. (87) a (89) podem ser solucionadas no domínio da freqüência utilizando-se

transformadas de Fourier ou Laplace. Por hora, utilizaremos a solução por análise de
Fourier, cuja transformada é definida por:

~
af
f ω = z−∞
+∞
af
f t e − jωt dt
(90)

Aplicando-se a transformada, as soluções para as equações de taxa no domínio da

freqüência ficam como:

28
 ~
δN ph ω =
b Γ + jω g F + G N F
N
~ ~
a f bΩ + ω − jΓ gbΩ − ω + jΓ g Nph N pho N

R R R R (91)

δN aω f =
~ c Γ + jω h F − cG + G N h F
Nph
~
N
~
o Nph pho Nph

bΩ + ω − jΓ gbΩ − ω + jΓ g
R R R R (92)

1 F~ 1
δγ~aω f = F + α G δN I
~
jω H 2
γ
K
lin N
(93)

As Eq. (91) e (92) mostram que o ruído tende a aumentar quando a freqüência
angular tende para o valor da freqüência angular das oscilações de relaxação devido a
intrínseca ressonância com relação às populações de fóton e portadores. De posse das
equações acima, pode-se ter uma idéia de como os processos de emissão espontânea e
recombinação de portadores podem afetar a intensidade de luz emitida pelo laser, a fase
óptica e a população de portadores.

Ruído de Intensidade
A potência óptica emitida pelos lasers flutua em torno do seu valor estacionário.
Geralmente, este ruído pode causar problemas em sistemas de transmissão de longa
distância. Isto pois, após a propagação pela fibra, o sinal do laser é atenuado, chegando ao
fotodetector em tais níveis (baixo número de fótons) que as flutuações ocasionadas pelo
ruído podem ser interpretadas como bits sendo transmitidos. O espectro de potência destas
variações pode ser medido quando se detecta o sinal de saída do laser utilizando-se um
fotodetector de banda larga e um analisador de espectro. Esta medida fornece o espectro de
ruído associado com a potência total emitida. Normalmente, o ruído de intensidade é
caracterizado pelo ruído de intensidade relativa (relative intensity noise – RIN), definido
como:

RIN =
af
SNph ω
2
N pho (94)

onde a densidade espectral é dada por (lembrando que, para variáveis aleatórias, a
densidade espectral é a transformada de Fourier da autocorrelação):

af
SNph ω = z −∞
+∞
a f af
δN ph t + τ δN ph t e − jωτ dτ
(95)

Se o processo é assumido como sendo ergódigo, pode-se substituir a média

estatística por uma média temporal num intervalo T de tal forma que:

af
SNph ω = lim
1 ~
T →∞ T
δN ph ω af 2
= lim
1 ~
T →∞ T
~*
δN ph ω δN ph ω af af (96)

29
 As únicas variáveis da Eq. (91) são aquelas que representam as fontes de ruído. Se a
Eq. (91) é substituída na Eq. (96) e, utilizando a Eq. (84) (lembrar que o processo é
estocástico), pode-se escrever que:

lim
1 ~
T →∞ T
af af
~
Fj ω Fi * ω = 2 Dij
(97)

o que implica que as fontes de ruído apresentam um espectro branco (fontes de ruído
branco). Utilizando-se as Eq. (97), (85) e (86), o ruído relativo de intensidade pode ser
expresso como:

LMc h F No I OP
2 Rsp ΓN2 + ω 2 + GN2 N pho
MN
2
1+ GH JK
τ e Rsp N pho
− 2ΓN GN N pho
PQ
RIN =
N pho bΩ R −ω g 2
+ ΓR2 bΩ + ω g + Γ
R
2 2
R
(98)

A Fig. 14 mostra o comportamento do RIN como uma função da freqüência para

vários valores de potência óptica de saída. Para um dado valor de potência, o ruído é
relativamente baixo quando ω << ΩR e possui um valor bem considerável quando ω = ΩR.
Para uma dada freqüência, o RIN aumenta com a diminuição da potência óptica de saída.

Fig. 14 – Espectro do RIN para diferentes valores de potência óptica de saída,

evidenciando o efeito das oscilações de relaxação.

Uma outra medida do ruído de intensidade pode ser fornecida através da função
auto-correlação Cpp(τ), definida como:

af
C pp τ =
af a f
δN ph t δN ph t + τ
2
N pho (99)

30
 Das Eq. (94) e (95), pode-se relacionar a autocorrelação com o RIN através de:

af
C pp τ =
1
2π z −∞
+∞
af
RIN ω e jωτ dω
(100)

Apesar de trabalhosa, esta integração pode ser executada utilizando-se o método de

integração de contorno, cujos passos são descritos em [4]. O resultado é:

af
C pp τ =
Rsp e − ΓRτ L Γ + b Ω + jΓ g
Re M e
2
R R
2

e − j Γ Rτ
OP
2ΓR N pho MN Ω bΩ + jΓ g
R R R PQ (101)

onde

F No I
Γe2 = ΓN2 + GN2 N pho
2
1+ GH τ e Rsp N pho JK
− 2ΓN GN N pho
(102)

Pode-se notar que a função de auto-correlação oscila com τ (como uma

conseqüência das oscilações de relaxação e é amortecida a partir do momento que τ se torna
comparável ao inverso de ΓR. A quantidade de interesse prático é Cpp(0), que expressa a
variância das flutuações em intensidade. A relação sinal ruído da luz do laser é definida
como:

SNRlaser =
1
=
2ΓR N pho FG1 + Γ IJ 2
e
−1 / 2

=
2ΓR N pho
Cpp 0 af Rsp H Ω +Γ K2
R
2
R Rsp
Γe2 << Ω 2R + ΓR2 (103)

Pode-se observar que o SNRlaser é inversamente proporcional a raiz quadrada da taxa

de emissões espontâneas, porém aumenta se a taxa de amortecimento for maior. Isto quer
dizer, como esperado, que se a taxa de emissões espontâneas for maior, a quantidade de
fótons emitidos pode variar mais dinamicamente no interior da cavidade e aumentar a
contribuição ao ruído de intensidade. Se o amortecimento das oscilações de relaxação é
maior, a influencia das oscilações tende a ser menor, melhorando a característica de ruído
do laser.

Ruído de Fase
A natureza quântica associada ao processo de emissão do laser afeta tanto a
intensidade de saída do laser quanto a fase do campo elétrico no seu interior. A mudança de
fase causa a variação da freqüência de operação, lembrando que a derivada da fase é igual a
freqüência. O ruído de fase é importante na hora de se classificar o desempenho de sistemas
que trabalham com modulação ou chaveamento de fase ou freqüência de lasers. O resultado
mais marcante devido a presença de flutuações de fase no interior do dispositivo é a
considerável largura de linha que os lasers apresentam. Isto pode limitar tanto o

31
funcionamento de sistemas coerentes quanto o número de canais possíveis em sistemas
WDM densos.

Dois são os mecanismos que contribuem para a existência do ruído de fase. O

primeiro deles é a emissão espontânea (Fγ). Ao contrário da emissão estimulada, onde os
fótons gerados conservam a freqüência, fase e momento dos fótons que estimularam sua
emissão, a emissão espontânea produz fótons que não possuem nenhuma informação sobre
os demais fótons da cavidade. Portanto, tanto a freqüência como a fase destes fótons são
arbitrárias, fruto de um processo aleatório. O segundo termo da Eq. (93) mostra que a
flutuação no número de portadores também leva a oscilação da fase. Fisicamente, isto
ocorre pois, além do ganho do dispositivo ser afetado, o índice de refração do material
varia. O fator αlin é o responsável pela proporcionalidade entre o ganho e o índice de
refração.

A densidade espectral do ruído de freqüência é definida como:

af
Sγ& ω = ωδγ~ ω af 2

(104)

Infelizmente, a expressão geral para a densidade espectral do ruído de freqüência é

de certo modo complicada. Ela pode ser consideravelmente simplificada notando-se que,
pela Eq. (92), a contribuição principal para a perturbação no número de portadores vem do
termo que é proporcional a fonte de ruído de fótons. Assim, utilizando-se as Eq. (85) e (97),
uma expressão aproximada para o ruído de freqüência pode ser obtida:

R| α lin
U|
af Rsp Ω 4R
2
Sγ& ω ≅
2 N pho
S|1 + cΩ − ω h + b2ωΓ g |
2 2
V 2

T W
2
R R
(105)

onde se assumiu que o termo GGNNph domina qualquer outro em magnitude.

A Eq. (105) mostra que o espectro de ruído é relativamente plano quando ω << ΩR e
tende a um pico na freqüência das oscilações de relaxação. Embora as fontes de ruído sejam
brancas, o ruído nas vizinhanças da freqüência das oscilações de relaxação é amplificado
pela ressonância intrínseca manifestada pelo laser semicondutor.

A largura de linha do modo propagando no laser pode ser obtida a partir do espectro
de potência da luz, calculado aplicando-se a transformada de Fourier à auto-correlação do
campo (a fase deste campo é aleatória e varia como tempo):

af
SE ω = z−∞
+∞
a f af
E * t + τ E t e − jωτ dτ
(106)

onde E(t) é o campo elétrico do sinal óptico dado por:

32
 af c
E t = N pho + δN ph h1/ 2
e b o o g
− j ω t +γ +δγ
(107)

onde o sub-índice “o” representa os valores estacionários e ωo é a freqüência angular do

modo. Para simplificar a análise, assume-se que as flutuações no número de fótons são
desprezíveis na Eq. (107). Utilizando-se as Eq. (106) e (107), tem-se que:

af
SE ω = N pho z−∞
+∞
e j∆τ γ e b o g dτ
− j ω −ω τ

(108)

onde

a f af
∆ τ γ = δγ t + τ − δγ t (109)

é a diferença das flutuações de fase e dois intervalos de tempo distintos. Assumindo que
este termo tenha uma distribuição Gaussiana, a média da Eq. (108) pode ser calculada:

−
1
b g
∆τ γ
2

e j∆τ γ = e 2
(110)

onde a variância associada com o processo ∆τγ é representada pelo termo na exponencial a
menos do ½. A variância do processo é dada por [4-9]:

b∆ γ g 2
=
Rsp RSc1 + α bhτ + α b cosa3δ f − e
2
2
lin − Γ Rτ
b
cos Ω Rτ − 3δ g UVW
τ
2 N pho T 2Γ cos δ
lin
R (111)

onde

ΩR
b=
Ω 2R + ΓR2

δ = arctan
FG Γ IJR

HΩ K R (112)

Substituindo as Eq. (111) e (110) na Eq. (108), o espectro pode ser obtido
numericamente. A Fig. 15 mostra o resultado para metade do espectro. Ele consiste de um
pico dominante localizado na freqüência central e picos satélites localizados em , onde m é
um inteiro. Na prática, somente o primeiro pico é observado experimentalmente. Conforme
a potência óptica do laser aumenta, a amplitude dos picos laterais diminui. A origem destes
picos laterais é relacionada com as oscilações de relaxação (termo b). Quando o laser opera
acima de poucos miliwatts, somente o pico principal é observado experimentalmente.

De maneira a se chegar a uma expressão aproximada para o espectro de potência,

volta-se a Eq. (109) e representa-se ∆τγ através da definição de transformada inversa de
Fourier:

33
 a f af
∆ τ γ = δγ t + τ − δγ t =
1
2π z
−∞
+∞
a fc h
δγ~ ω e jωτ − 1 e jωt dω
(113)

onde

a fc
F ∆ τ γ = δγ~ ω e jωτ − 1 h (114)

é a transformada de Fourier de ∆τγ. Se, agora, a auto-correlação de ∆τγ é calculada, tem-se

que:

af af a f
R∆ u = ∆ τ γ ∗ t ∆ τ γ t + u =
1
2π z
−∞
+∞
F ∆τ γ
2
e juω dω
(115)

Fig. 15 – Forma espectral de um laser semicondutor monomodal.

Assim, a variância do processo pode ser determinada calculando-se a autocorrelação

no ponto zero. Portanto:

b∆ γ g
τ
2
= R∆ 0 = af z
1 +∞
2π −∞
F ∆τ γ
2
dω =

=
1
2π z−∞
+∞
a fc h dω
δγ~ ω e jωτ − 1
2

=
1
π z−∞
+∞
δγ~aω f 1 − cosaωτ f dω
2

(116)

Desta forma, substituindo-se a Eq. (104) na Eq. (116), tem-se que:

34
 b∆ γ g
τ
2
=
1
π z +∞

−∞
Sγ& ω a f 1 − cosω aωτ f dω 2
(117)

Pode-se, desta forma, obter o espectro de potência da luz, primeiro, substituindo-se

a Eq. (105) na Eq. (117) para se a expressão da variância, e, depois, este resultado de volta
nas Eq. (110) e (108). Assim:

R| 1
R
z |S| 2 NR
R|
S|1+ L
2
α lin Ω 4R
U| U| 1− cosaωτ f
VV
U|
|Se |Ve
+∞ sp

z
− dω
2π −∞

T NMd Ω
2 2
i b 2ωΓ g OQP |W ||W ω 2

af
2
|T
2
R −ω
SE ω = N pho
+∞ pho + R
b g dτ
− j ω −ω o τ
−∞
|| ||
T W (118)

Para se obter uma expressão simplificada do espectro de potência, assume-se que

densidade espectral do ruído de freqüência é constante, ou seja, que, para o termo entre
chaves da exponencial a esquerda do integrando da Eq. (118), ω = 0. Assim:

af R| z LMM 2 NR d1+α U|
i OPP 1− cosω aωτ f dω − j bω −ω gτ
z
1 +∞ sp
SE ω
2
−
+∞
S|e N Q V|
−∞ lin
2π 2

= pho
e dτ o

N pho
T W
−∞

z
Rsp
− d1+α iτ 2

e b o g dτ
+∞ 4 N pho
lin
− j ω −ω τ
= e
−∞

= z+∞

−∞
e − π∆flinτ e b o g dτ
− j ω −ω τ

(119)

onde

Rsp
∆flin =
4πN pho
c1 + α h = ∆f c1 + α h
2
lin o
2
lin
(120)

A integral da Eq. (119) é tabelada, cujo resultado é dado por:

af
SE f =
SE 0
L 2b f − f g OP 2

1+ M o

N ∆f Q lin (121)

onde
2
8 N pho
SE 0 =
c
Rsp 1 + α lin
2
h (122)

35
 O gráfico da Eq. (121) é mostrado na Fig. 16, onde foi assumido que fo = 0 Hz.
Pode-se observar que a curva é uma Lorentziana centrada em fo. O espectro de potência cai
para metade de seu valor quando, no denominador, 2(f-fo) = ∆flin → portanto, define-se a
largura de linha do laser FWHM ∆flin como sendo o intervalo de freqüência 2(f-fo) cujas
extremidades correspondem a valores de freqüência onde o espectro de potência cai para a
metade.

1
Espectro de Potência Normalizado

∆flin
0.5

0
20 10 0 10 20
Freqüência (MHz)

Fig. 16 – Espectro de potência simplificado para o laser semicondutor.

Pode-se observar que, como esperado, a largura de linha do laser depende da taxa de
emissões espontâneas, que leva a fonte de ruído de fase. Porém, o valor de largura de linha
é “amplificado” pelo fator de melhoramento de largura de linha. Os fótons emitidos
espontaneamente e com fase aleatória alteram a potência óptica na cavidade do laser, o que
induz uma variação do ganho óptico, levando a uma diferente a densidade de portadores. A
variação do número de portadores leva a mudanças no índice de refração, que por sua vez,
altera a fase aleatoriamente. No princípio, acreditava-se que a largura de linha para lasers
semicondutores era da ordem do termo ∆fo na Eq. (120), já que αlin é praticamente zero para
outros lasers. Porém, resultados experimentais divergiam desta teoria e foi apenas com a
modelagem mais correta do laser que se pode explicar o fato. Também, observa-se que a
largura de linha depende do número de fótons na cavidade. Isto pode ser comprovado
experimentalmente, utilizando métodos interferométricos para a medida da largura de linha.

36
4. Lasers Semicondutores – resposta a modulação

Uma das grandes vantagens do laser semicondutor em relação a outros tipos de

lasers é a de que ele pode ser modulado diretamente através de sua corrente de polarização.
Com isto, pode-se obter modulação de intensidade, fase e/ou freqüência para a aplicação
em comunicações ópticas. Experimentalmente, foi verificado que a resposta do laser a
modulação de sua corrente apresenta um pico em torno da freqüência das oscilações de
relaxação e cai rapidamente para freqüências de modulação maiores que este valor. As
equações de taxa e a aproximação de pequenos sinais podem ser utilizadas para se obter
uma estimativa do comportamento do laser sob modulação.
Embora a modulação direta da corrente do laser seja geralmente associada a
modulação de amplitude ou intensidade (AM), como descrito acima, ela causa uma
modulação simultânea da fase ou freqüência (FM) do laser. Esta dependência entre AM e
FM sob modulação direta da corrente do laser é representada pelo fator de alargamento de
linha αlin. Este termo tem sua origem na variação do índice de refração que ocorre quando o
ganho óptico do laser muda em resposta a oscilações na população de portadores. Além da
ocorrência simultânea de AM e FM, a freqüência de operação do laser oscila
periodicamente durante cada ciclo de modulação. Este fenômeno, conhecido como
“chiping”, deve ser observado durante o projeto de sistemas de comunicação óptica, pois,
dependendo do tipo de laser semicondutor empregado, pode limitar o desempenho do
sistema. Porém, é este fenômeno que permite a modulação em freqüência ou fase do laser
através de técnicas coerentes.

Análise de pequenos sinais

Um entendimento básico das características de modulação de um laser
semicondutor pode ser obtido através das equações de taxa, Eq. (55) (60) e (62), e da
análise de pequenos sinais:

dN ph LM
= G−
1 OP N + Rsp
dt MN τp PQ ph
(55)

dγ
b 1
g 1 F I
dt
= − ω − ω th + α lin G −
2 τp GH JK (60)

dN I N
= − − GN ph
dt q τ e (62)

Sob modulação direta da corrente, a corrente I da Eq. (62) passa a ser variante com
o tempo e é composta duas partes:

af af
I t = Ib + I m t (123)

onde Ib corresponde ao nível de polarização do laser. Como feito anteriormente, os valores

estacionários para o número de fótons Npho, para o número de portadores No e para a fase γo,

37
são obtidos das Eq. (55), (60) e (62) fazendo as derivadas iguais a zero. O efeito da corrente
de modulação Im(t) é o de provocar as perturbações δNph, δN e δγ em torno dos valores
estacionários que variam periodicamente com a freqüência angular de modulação ωm. Para
a análise de pequenos sinais, assume-se que Im(t) é pequeno o suficiente para que as
amplitudes das perturbações resultantes sejam bem menores que os respectivos valores
estacionários em qualquer instante. A profundidade de modulação é um parâmetro que
indica o grau de validade desta última suposição e é definida como:

(δN )
ph max [I m (t )]max
m= = (124)
N pho I b − I th

A análise de pequenos sinais é valida somente quando m << 1. Assumindo que isto
acontece, as equações de taxa para as perturbações podem ser obtidas de maneira similar ao
que foi apresentado na seção 2, resultando nas Eq. (87), (88) e (89) sem as fontes de ruído:

dδN ph
= − ΓNphδN ph + GN N phoδN
dt (125)

dδN
dt
c I
= − ΓN δN − G + GNph N pho δN ph + m
q
h (126)

dδγ 1
= α lin GN δN
dt 2 (127)

onde, na Eq. (126) aparece o termo Im/q que representa a fonte das perturbações (aparece
naturalmente, durante os passos matemáticos). As Eq. (125) a (127) são facilmente
solucionadas no domínio da freqüência, após a transformada de Fourier:

GN N pho
~
af
Im ω
~
a f bΩ
δN ph ω =
+ ω − jΓR gb
q
Ω R − ω + jΓR g
R (128)

h af
~
Im ω
c ΓNph + jω
~
a f bΩ
δN ω =
+ ω − jΓR gb
q
Ω R − ω + jΓR g
R (129)

af
δγ~ ω =
1
2 jω
~
α lin GN δN ω af
(130)

onde

38
~
af
Im ω = z
−∞
+∞
af
Im t e − jωt dt
(131)

é a transformada de Fourier da corrente de modulação. Pode-se observar das Eq. (128) a

(130) que a corrente de modulação varia as populações de fótons e portadores dentro da
região ativa, afetando, desta forma, a fase óptica. Contudo, devido à característica de
ressonância intrínseca do laser, a resposta da modulação é dependente da freqüência.

Modulação de intensidade
A análise anterior pode ser utilizada para observar a resposta em freqüência da
modulação de intensidade do laser. Por simplicidade, assume-se o caso de uma modulação
senoidal:

af
Im t = I p sin(ω m t )
(132)

onde Ip é o valor de pico da corrente de modulação e fm = ωm/2π é a freqüência de

modulação. Portanto, da Eq. (131):

~
af
Im ω = z
−∞
+∞
b g b
I p sin ω m t e − jωt dt = − jπI p δ ω − ω m − δ ω + ω m g b g (133)

Se a Eq. (133) é substituída na Eq. (128), após algumas passagens, é possível aplicar
a transformada inversa de Fourier para produzir:

af
δN ph t = δN pho sin ω m t + Θ pc h (134)

onde

Ip
GN N pho
q
δN pho =
cω h 2 1/ 2
2
m − Ω 2R − ΓR2 + 4ω 2m ΓR2
(135)

Θ p = arctan
FG 2ω m ΓR IJ
Hω 2
m − Ω 2R − ΓR2 K (136)

Pode-se observar que a população de fótons e, portanto, a potência óptica de saída

do laser, possui uma amplitude que varia senoidalmente com a freqüência de modulação,
porém defasada em relação ao sinal de corrente aplicado. Se a freqüência de modulação
muda, têm-se diferentes valores para a amplitude e a fase de resposta da população de
fótons. A Fig. 17 mostra a resposta da amplitude com relação à freqüência de modulação,
para vários valores de ΓR e ΩR. Observa-se que a resposta é relativamente plana para

39
valores de freqüência de modulação < ΩR, porém tende a apresentar um pico a medida que
esta freqüência se aproxima da freqüência das oscilações de relaxação. Acima de ΩR, a
resposta cai rapidamente indicando que o laser não consegue mais responder as altas
velocidades de modulação. Como esperado, o aumento no amortecimento das oscilações de
relaxação tende a diminuir o pico em torno de ΩR.

Fig. 17 – Resposta da amplitude do número de fótons com relação a freqüência de

modulação, para vários valores de ΓR e ΩR.

Porém, devido às altas freqüências de modulação envolvidas, os efeitos parasitas

dos terminais de polarização do laser começam a influenciar a resposta e devem também
ser modelados. A Fig. 18 mostra o comportamento teórico e experimental da resposta de
um laser de heteroestrutura para diferentes correntes de polarização, levando em conta os
efeitos parasitas. O comportamento da resposta sugere que o efeito parasita tende a
aumentar o amortecimento das oscilações de relaxação e que este comportamento é mais
acentuado se a potência DC de saída do laser for maior.

Fig. 18 – Resposta à modulação medida para um laser de heteroestrutura para três níveis
diferentes de polarização e levando em conta os efeitos parasitas.

40
 Modulação em freqüência e chirping
Devido a mudança do ganho e do índice de refração do laser com a variação da
população de portadores no interior da região ativa, chega-se a conclusão que a modulação
da corrente do laser leva a modulação simultânea da intensidade e da freqüência do laser.
Na seção anterior, foi visto que a faixa de freqüências de modulação em intensidade é
limitada pela freqüência das oscilações de relaxação. Cabe-se, agora, analisar como se
comporta a resposta da freqüência do laser em relação à modulação direta da corrente. Se a
freqüência estacionária de operação do laser é fo = ωo/2π, a variação de freqüência com a
modulação pode ser obtida através de:

af
δf t =
1 dδγ t af
2π dt (137)

Este fenômeno de variação dinâmica da freqüência é conhecido como chirping. A derivada

da Eq. (137) pode ser escrita como:

dδγ taf
=
1
z +∞
af
jωδγ~ ω e jωt dω
dt 2π −∞
(138)

Substituindo-se as Eq. (130) e (138) na Eq. (137), o chirping devido a modulação da

corrente do laser é dado por:

cΓ ~
h af
afα G
δf t = lin 2 N
8π q zb
+∞

−∞
Nph + jω Im ω
gb
Ω R + ω − jΓR Ω R − ω + jΓR g e jωt dω
(139)

Portanto, o chirping é diretamente proporcional ao fator de melhoramento de linha,

o qual tem sua origem na variação do índice de refração induzida pela oscilação de
portadores na região ativa. No caso da corrente de modulação ser senoidal, dada pela Eq.
(132), o chirping pode ser escrito como:

δf (t ) = δf o sin (ω m t + Θ c ) (140)

onde

α G I LM ω 2m + ΓNph
2 OP 1/ 2

δfo = lin N p
4πq MN cω 2
m − Ω 2R − ΓR2 h + 4ω
2 2
m Γ PQ
2
R
(141)

F ω I + arctanF 2ω m ΓR IJ
Θ c = arctan GH Γ JKm
GH ω 2
− Ω 2R − ΓR2 K
Nph m
(142)

41
 A Eq. (140) mostra que a freqüência do laser varia periodicamente em resposta a
modulação da corrente e que δfo é o valor máximo que a mudança de freqüência pode
sofrer. Na Fig. 19, similarmente à resposta da modulação em intensidade, δfo sobe
rapidamente quando a freqüência de modulação se aproxima de ΩR. Pode-se observar que o
chiping tende a ser maior por volta de 2 GHz quando fm = fR/2 e que, conforme a potência
óptica média de saída aumenta (o que é aproximadamente igual a potência óptica devido a
polarização DC do laser), o efeito do chirping é menor.

10
1 10
Chirping (Hz)

9
1 10

8
1 10
8 9 10
1 10 1 10 1 10
Freqüência de Modulação (Hz)
1 mW
2 mW
3 mW

Fig. 19 – Chirping como uma função da freqüência de modulação, quando Ip = 1,5 mA e a

potência de saída varia entre 1 e 3 mW.

Foi observado experimentalmente que o fenômeno do chirping é responsável por

um alargamento da largura de linha do laser medida sob condições estacionárias. A Fig. 20
mostra o espectro observado para um laser modulado em 100 MHz, quando Ip é variado. Na
ausência de modulação, o espectro é aquele que se assemelha a uma forma de linha
lorentziana. Quando a modulação é somada à corrente de polarização, o espectro
desenvolve uma forma assimétrica com dois picos. As freqüências de ocorrência destes
picos se deslocam em relação a posição do pico sem modulação com o aumento de Ip. Para
se obter teoricamente este comportamento, basta utilizar a análise de ruído de freqüência
(ou fase) feita anteriormente e adaptar a situação para uma corrente com modulação,
utilizando sempre a análise de pequenos sinais. Neste caso, tanto o espalhamento em fase
devido às emissões espontâneas quanto o chirping estão presentes no espectro calculado. A
Fig. 21 mostra o cálculo do espectro para quatro valores diferentes de corrente de
modulação e uma freqüência de modulação de 1 GHz, antes que o espectro se degenerar e
se parecer com o da Fig. 20. O efeito da modulação é o de gerar bandas laterais em
múltiplos da freqüência de modulação em ambas as laterais da linha óptica. Estas linhas
laterais são conhecidas como as bandas laterais de FM. Observa-se que os picos laterais
possuem níveis assimétricos e aparecem aos pares (±m fm, m = 1, 2,...), concordando com
resultados experimentais. Tanto a ocorrência das bandas laterais como a assimetria são

42
decorrentes da existência simultânea de AM e FM com a modulação de corrente, ou seja,
com a oscilação do número de portadores no interior de sua cavidade.

Fig. 20 – Espectro de potência experimental para um laser sob modulação senoidal em 100
MHz, onde a amplitude da corrente de modulação aumenta gradativamente.

Fig. 21 – Espectro de potência calculado para um laser sob modulação senoidal em 1GHz,
mostrando a geração de bandas laterais de FM.

43