Aula 20

Semicondutores, Fotodiodos e
LEDs

Prof. Daniel Papoti

daniel.Papoti@ufabc.edu.br
Universidade Federal do ABC
BC 1519 - Circuitos elétricos e fotônica

1o Quadrimestre Suplementar - 2021

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Conteúdo da aula

➢ Semicondutores

➢ Fotodiodos

➢ LEDs
Classificação dos Materiais
➢ Os materiais podem ser classificados de acordo com sua
condutividade elétrica:

– Metal
• Excelente condutor:  >  105 S/m (= 103 S/cm)

– Isolante
• Péssimo condutor:  <  10−6 S/m (= 10−8 S/cm)

– Semicondutor
• Condutividade intermediária: 10−6 S/m <  <  105 S/m

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Condutividade e resistividade elétrica
➢ CONDUTIVIDADE (): Capacidade de conduzir eletricidade

  Razão entre a densidade de corrente 𝐽Ԧ e o campo elétrico 𝐸

efeito
J
 [ S/m]
E
causa

➢ RESISTIVIDADE (): Inverso da condutividade

 =  [ .m]

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Resistividade e Condutividade

5
Matéria e Energia
➢ Átomos, moléculas e sólidos possuem níveis de energia específicos, determinados
pelas leis da mecânica quântica.

Vácuo
Energia

Átomo Metal Semicondutor Isolante

Isolado

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Matéria e Energia
➢O que define um material quanto à condutividade é a estrutura de bandas de energia
✓ Átomos isolados: Níveis discretos de energia
✓ Sólido (Átomos agrupados): Bandas de energia

➢ A interação dos átomos em um sólido produz o alargamento dos níveis de energia,

formando bandas de energia.
➢ Cada banda é formada por um grande número de níveis discretos compactados.

Banda 3p

BANDAS DE
ENERGIA

Banda 3s
átomo isolado 5 átomos muitos átomos
próximos próximos

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Bandas de Valência e Bandas de Condução em Cristais
➢BV = Banda ocupada pelos elétrons de maior energia que estão ligados ao núcleo
(T = 0 K).
• Os elétrons de valência estão ligados aos átomos.
➢BC = Banda de energia acima da banda de valência.
oOs elétrons na banda de condução são cargas elétricas móveis.

Níveis de energia dos elétrons banda de condução

mais afastados (e compartilhados
por vários átomos do cristal) banda proibida ou gap de
transformam-se em bandas de energia (EG)
energia.
banda de valência

2p Níveis de energia dos elétrons

mais próximos ao núcleo não
1s, 2s são afetados

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Tipos de Materiais
Isolante Condutor Semicondutor

Banda de
Condução elétrons
livres
Banda
Proibida

Banda de
Valência

• Bandas de valência e de • Para T=0K, a banda de

• Elétrons dificilmente
passam da banda de condução se superpõem.
Sob influência de campo
valência para a de
condução. elétrico, elétrons na banda
de condução geram
• Ex: diamante (C)
EG > 3eV corrente elétrica.
• Ex: metais: Cu (cobre)
n ≈ 107 elétrons/m3
n ≈ 1028 elétrons/m3
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valência está cheia de
elétrons e a de condução
vazia. (isolante)
• Aumentando T→ elétrons
livres na banda de condução
e lacunas na banda de
valência.
• Ex: Si (EG=1,21eV)
Ge (EG= 0,785 eV)
Semicondutor Intrínseco – T=0k
➢ Materiais sem dopagem, apenas com átomos do semicondutor-base.
Exemplo: Silício (Si) puro
Célula unitária do cristal: Tetraedro com
1 átomo em cada vértice.
elétrons de ligação Íons de
valência covalente Si

+4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4

T = 0 K (Isolante)

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Semicondutor Intrínseco – T > 0k
T = 300 K→ Elétrons adquirem energia térmica → Lacunas na BV e elétrons na BC

Ligação covalente elétron

quebrada livre

+4 +4 +4 +4 elétrons
livres
lacuna
 1,1 eV = 1,610−19 J
+4 +4 +4 +4

lacunas

+4 +4 +4 +4

T > 0 K (Semicondutor)
Energia necessária para quebrar a ligação covalente a T = 300 K: (Si) EG  1,1 eV
Condutividade do material é baixa e depende muito da temperatura
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Semicondutor Extrínseco – Tipo N
Semicondutor tipo N:
• adição de impurezas doadoras de elétrons
• Exemplos: Fósforo (P), Arsênio (As), Antimônio (Sb) - 5 elétrons na
Camada de Valência
ND = Densidade de centros doadores

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Semicondutor Extrínseco – Tipo N
Muitos elétrons livres
PORTADORES
BC MAJORITÁRIOS
Nível de energia
do doador

Poucas lacunas
BV
PORTADORES
MINORITÁRIOS

➢ O semicondutor é eletricamente neutro →

Para cada e- livre adicionado na BC existe um átomo doador ionizado +1

➢ O elétron extra pode facilmente migrar para a banda de condução (pois o

nível de energia do doador é próximo a esta banda)

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Semicondutor Extrínseco – Tipo P
Semicondutor tipo P:
• adição de impurezas aceitadoras de elétrons
• Exemplos: Boro (B), Alumínio (Al), Gálio (Ga) - 3 elétrons na Camada
de Valência
NA = Densidade de centros aceitadores

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Semicondutor Extrínseco – Tipo P
Poucos elétrons livres

BC PORTADORES
MINORITÁRIOS
Nível de energia
do aceitador

Muitas lacunas
BV
PORTADORES
MAJORITÁRIOS

➢ O semicondutor é eletricamente neutro

Para cada h+ livre adicionada na BV existe um átomo aceitador ionizado −1

➢ Elétrons da banda de valência são capturados para completar as ligações covalentes (nível
de energia do aceitador é próximo a esta banda) deixando lacunas na banda de valência.

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Semicondutor Extrínseco
➢ Condutividade aumenta (resistividade diminui) de forma linear com a
concentração de impurezas → controle das propriedade do material através da
dopagem.
Resistividade (Ω.cm)

Concentração de
impurezas (cm-3)

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Analogia de correntes de lacunas

17 http://www.radartutorial.eu/21.semiconductors/hl06.en.html
Junção PN - Diodo
➢ Diodo: elemento semicondutor de circuito não-linear
mais simples e fundamental

Si Si
tipo p tipo n
anodo catodo

Símbolo Elétrico

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Junção PN - Diodo
Junção de material do tipo P e tipo N

• Lado N: Doadores ionizados (+) imóveis e elétrons livres e-

(Difusão para o lado P)
• Lado P: Aceitadores ionizados (−) imóveis e lacunas h+
(Difusão para o lado N)
• Elétrons e lacunas difundem e se recombinam na região da
junção

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Junção PN – Equação corrente - Tensão
•Polarização direta (V > 0):
Corrente I cresce
exponencialmente

•Polarização reversa (V < 0):

Corrente i = -IS ≈ constante
(valor típico < 1nA)

•Na tensão de ruptura, a corrente

inversa aumenta bruscamente
(efeito de avalanche), queimando
o dispositivo por efeito Joule

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Junção PN – Equação corrente - Tensão

  V   Se V  VT  I = I s exp(V VT )
I = I S exp   − 1 Se V = 0  I= 0
   VT  
Se V < 0  I → −IS

V = Tensão externa aplicada

I S = Corrente de saturação reversa (depende dos portadores minoritários)

▪Constante para um dado diodo a uma dada temperatura
▪Diretamente proporcional à área da secção transversal da junção
▪Aumenta com a Temperatura

 : fator de idealidade (Diodo ideal:  = 1) Na prática:   

kB = 1,3810−23 J/K (constante de Boltzmann)

VT = k BT q T (Temperatura absoluta em K)
T=300K → VT= 26mV q = 1,610−19 C (carga elementar)

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Junções PN - Aplicações

Diodos
Diodos Laser

Fotodiodos

“Light Emitting Diodes”

Células solares
(LED’s)

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Junção PN - Fotodiodo

➢Dispositivos para conversão de luz em

eletricidade

➢Junção pn polarizada de forma

reversa

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Junção PN - Fotodiodo
• Geração de uma corrente reversa devido à geração de pares
elétrons-lacunas na região de depleção (ou próximo dela),
sob efeito de iluminação.

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Junção PN - Fotodiodo
Foto-corrente:
A foto-corrente é proporcional à
  VP   potência óptica coletada
I = I s exp   − 1 − I P
  VT  

IP = Rλ . P
Curva i  V no escuro
Rλ : Resposta espectral
(sensitividade ou (ip = 0)
responsividade) [A / W]
P=0
(depende de )
P: Potência ótica coletada pelo P1
fotodiodo [W]
P = IA P2

onde A é a área iluminada [m2] e I é a irradiância [W/m2]

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Resposta espectral típica para um fotodiodo de Si.
➢ Gráfico que relaciona a responsividade R do fotodiodo com o comprimento de
onda  da radiação

IP
R =
P
Resposta relativa do fotodiodo

IP : foto-corrente
[A]

P : Potência ótica
coletada pelo
fotodiodo [W]

Comprimento de onda  [nm]

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Células Solares
➢ Absorção de fótons gera pares elétron-lacunas → conversão de energia luminosa
em energia elétrica

27
http://micro.magnet.fsu.edu/primer/java/solarcell/index.html
Diodos emissores de Luz
LIGHT-EMITTING DIODES = LED’s

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Diodos emissores de Luz (LEDs)
➢Emissão ocorre quando diodo é polarizado diretamente,
devido à recombinação de pares elétron-lacuna.
➢ Luz é incoerente
➢ Largura espectral grande (borda chanfrada)

➢ Grande espalhamento angular

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Diodos emissores de Luz (LEDs)
Símbolo

anodo catodo

➢Princípio de operação: Eletroluminescência

Fenômeno pelo qual um material emite luz em resposta à circulação

de uma corrente elétrica
• Geração espontânea de fótons por recombinação e− - h+

• Comprimento de onda da luz emitida: depende da energia EG

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Emissão espontânea de radiação

fóton hf

31
Diodos Emissores de Luz (LEDs)
• Cerca de 20% da eletricidade produzida no mundo é utilizada
para iluminação. Os LED’s são cerca de 20 vezes mais eficientes
que lâmpadas incandescentes e 5 vezes mais eficientes que
lâmpadas fluorescentes convencionais.
• A cor da luz emitida não é determinada pelo encapsulamento,
mas pelo BANDGAP.
• A forma (hemisférica, cilíndrica, retangular, etc.) está ligada em
geral à aplicação e local de instalação.

32
LEDs – Curva característica

33
LEDs: Espectro de Emissão Típico

34
LED’s “Brancos”(LED Azul + Material fosforescente)

1.0
it29 branco (pico 450nm)
0.9

0.8
Relative spectral irradiance

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
350 400 450 500 550 600 650 700 750
Wavelength (nm)
35
LED’s “Brancos”(vários LEDs em um encapsulamento)

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Emissão Estimulada de radiação
➢ Conceito introduzido por A. Einstein em 1917
➢ O Fóton “estimulado” possui as mesmas características do fóton
incidente (polarização, fase e direção) = “clone do fóton incidente”

37
Laser
“Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation"

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Comparação Qualitativa: Laser vs LED
➢ Comparação da distribuição espectral e espacial
entre Lasers e LEDs

Comprimento de onda Distância

39
https://www.kingfisherfiber.com/Application-Notes/08-Optical-Light-Sources.aspx
Exemplos
2- Calcule a fotocorrente produzida por um fotodiodo cuja responsividade é igual a
0,5A/W, sabendo-se que o nível de potência luminosa incidente é igual a -43dBm.
Nota: dBm = 10log (P/1mW). Resp.:25nA

𝐼𝑃 = 𝑅𝜆 ∙ 𝑃

𝑅𝜆 =0,5 A/W 𝐼𝑃 = 0,5 ∙ 5 × 10−8

𝑃
𝑃 = −43𝑑𝐵𝑚 = 10𝑙𝑜𝑔 𝐼𝑃 = 25 × 10−9 𝐴
10−3
𝑃
𝑙𝑜𝑔 =-4,3 𝐼𝑃 = 25𝑛𝐴
10−3
𝑃
−3 = 10−4,3 ⇒ 𝑃 = 10−7,3 = 5 × 10−8 𝑊
10

40
Exemplos
3- Um diodo emissor de luz é polarizado diretamente com uma tensão de 1,5 V e a
corrente circulante é de 60 mA. Esse componente possui uma eficiência externa total
igual a 1,8%. Determinar a) a potência ótica emitida; b) o valor da resistência em série
com este LED, considerando uma fonte de alimentação de 12 V. Resp.:1,62mW; 175

+ -
V
(a) (b)

𝑃 = 𝑉 ∙ 𝑖 = 60 × 10−3 ∙ 1,5 = 0,09𝑊 𝑉 − 1,5 12 − 1,5

𝑅= =
𝑖 60 × 10−3
𝑃𝑙𝑢𝑚𝑖𝑛𝑜𝑠𝑎 = 1,8% ∙ 𝑃 = 1,62 × 10−3W
𝑅 = 175Ω
𝑃𝑙𝑢𝑚𝑖𝑛𝑜𝑠𝑎 1,62𝑚𝑊

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Exemplos
4- A energia da banda proibida do material Alx Ga1-x As pode ser expressa como: EG =
1,43 +0,7x [eV] . Determine o valor de x para que uma fonte de luz construída com
este material emita em um comprimento de onda central = 840nm. Resp.:0,07

𝑐
𝐸𝐺 = ℎ ∙ 𝜈 = ℎ ℎ = 4,13 × 10−15 𝑒𝑉 ∙ 𝑠
𝜆

3 × 108
1,43 + 0,7 ∙ 𝑥 = 4,136 × 10−15
840 × 10−9

1,43 + 0,7 ∙ 𝑥 = 1,477

1,477 − 1,43
𝑥= = 0,07
0,7

42
Obrigado Pela
Atenção

43