Prof. José Daniel S.

Bernardo Eletrônica I

ELETRÔNICA I

1- Materiais Semicondutores e o Diodo Semicondutor

1.1- Condutores, Isolantes e Semicondutores

Já foram vistos anteriormente dois tipos de características elétricas de materiais: conduto-

res e isolantes.
Os condutores são os que permitem a passagem da corrente elétrica quando se aplica a
eles uma diferença de potencial; os isolantes não permitem a passagem de corrente na con-
dição exemplificada anteriormente. Na verdade, não existem nem condutores nem isolantes
perfeitos, mas sim materiais que possuem baixa resistência elétrica (condutores) ou alta resis-
tência elétrica (isolantes). Quando se estuda teoricamente os fenômenos elétricos, muitas
vezes as características dos dispositivos são simplificadas para melhor compreensão, criando
modelos ideais, ou seja, que não apresentam os inconvenientes dos modelos reais. Abaixo
são mostrados exemplos ideais de condutor e isolante.

A corrente elétrica será máxima A corrente elétrica será zero

Condutor ideal Isolante ideal

I Resistência elétrica nula Resistência elétrica infinita
(0 ohm) (∞ ohm)
V V

Corrente elétrica é o movimento ordenado de elétrons em um determinado material. Os

elétrons que se movimentam são os que se situam na última das camadas de partículas que
envolvem o núcleo, denominada camada de valência e se chamam elétrons livres. Essa mo-
vimentação – a corrente elétrica, só é possível quando os elétrons não estão rigidamente li-
gados ao átomo e podem se desprender dele, quando ele recebe algum tipo de energia ex-
terna. A nível de estrutura atômica, é a quantidade de elétrons da última camada de um áto-
mo que define em qual das categorias de condutibilidade ele se encaixa. Os materiais condu-
tores têm, geralmente, poucos elétrons na última camada: Cobre e Prata possuem um; o
Alumínio possui três. Os isolantes possuem na -
última camada um número de elétrons próximo
a oito e são, na quase totalidade, substâncias - Si -
compostas como borracha, vidro, teflon e mica, Ligações
e não elementos químicos puros. Os elétrons covalentes
-
desses materiais dificilmente podem ser deslo-
cados para constituir uma corrente elétrica, o - - -
que só é possível quando grandes diferenças de
potencial (tensões elevadas) são utilizadas. - Si - - Si - - Si -
Os materiais semicondutores apresentam
características que os posicionam entre os iso- - - -
lantes e os condutores, ou seja, possuem uma
-
resistência elétrica intermediária. Os dois semi-
condutores mais utilizados em eletrônica, o
- Si -
Germânio (Ge) e o Silício (Si) apresentam na
última camada eletrônica quatro elétrons.
-

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Quando átomos individuais se unem formam-se diversos tipos de ligações entre eles. No
caso de materiais semicondutores, essas ligações são as covalentes, onde os quatro elétrons
da última camada de um átomo se unem, cada um deles, a elétrons da última camada de ou-
tros quatro átomos. Cada átomo ficaria, portanto com oito elétrons na última camada (quatro
seus e quatro “emprestados” dos átomos vizinhos), o que representa estabilidade para o ma-
terial. Na página anterior é mostrado esse arranjo para átomos de Silício, que é chamado de
rede cristalina. A estabilidade gerada (oito elétrons na última camada) faz com que esses ma-
teriais se tornem maus condutores.
A rede cristalina, da forma apresentada não constitui, a princípio, um material semicondu-
tor que possa ser utilizado. Apenas se esse material estiver na temperatura ambiente (25ºC)
ou acima dela, alguns dos elétrons das ligações covalentes podem adquirir energia suficiente
para quebrar essas ligações e se tornarem elétrons livres, que poderiam conduzir a corrente
elétrica. Esse é o motivo pelo qual a maioria dos dispositivos semicondutores não suporta
temperaturas elevadas e apresenta características térmicas inversas às dos metais: em um
metal, a resistência elétrica aumenta com o au-
-
mento da temperatura; em um semicondutor,
ocorre o contrário. Os metais possuem coeficien-
te de temperatura positivo (aumento da resistên- - Si -

cia com o aumento da temperatura), enquanto Elétron livre Ligações

que nos semicondutores o coeficiente de tempe- - covalentes
ratura é negativo (diminuição da resistência com - - -
-
o aumento da temperatura).
A saída do elétron da ligação covalente, mos-
- Si - Si - - Si -
trada ao lado, cria um fenômeno novo: no lugar
do elétron passa a existir uma lacuna (ou buraco,
do inglês hole). Agora, temos nos semiconduto- - - -

res dois portadores de carga (elementos que po- Lacuna -

dem constituir a corrente elétrica): elétrons, de
carga negativa e lacunas, de carga positiva (au- - Si -
sência da carga negativa do elétron). O fluxo de
corrente em um semicondutor desse tipo pode CALOR
-
ser observado abaixo.

Corrente de elétrons
do negativo para o positivo
(é a corrente real)
Corrente de lacunas
do positivo para o negativo
(equivale ao sentido da corrente convencional)
- - - - - - - - - - - - - - - - - -

+ - + - + -

Podemos então notar que existirão dois fluxos opostos de portadores de carga dentro de
um semicondutor: o de elétrons, do negativo da fonte (onde há excesso de elétrons) para o
positivo (onde há falta de elétrons) e o de lacunas, do positivo para o negativo da fonte.

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1.2- Dopagem

Como já foi dito, os cristais semicondutores puros (conhecidos como intrínsecos) não têm
aplicação na confecção de dispositivos eletrônicos.
É necessário criar, de forma controlada, portadores de carga nesses cristais. A maneira de
se conseguir isso é inserindo impurezas no cristal de forma a gerar ou lacunas ou elétrons. A
esse processo dá-se o nome de dopagem (do inglês dopping) e os materiais semicondutores
dopados resultantes são também conhecidos como extrínsecos.
Os cristais semicondutores produzidos atualmente já apresentam impurezas, visto ser ain-
da impossível obter materiais intrinsecamente puros. Essas imperfeições são da ordem de um
átomo de impureza para 109 átomos do semicondutor. A dopagem faz com que essa relação
aumente para algo como um átomo de impureza para 106 átomos do semicondutor.
Existem duas formas de dopar um cristal semicondutor: com impurezas doadoras, que
possuem cinco elétrons na camada de valência ou impurezas receptoras (ou aceitadoras),
que possuem três elétrons na última camada.
Quando uma impureza receptora como o Índio, o Alumínio (Al), o Gálio (Ga) ou o Boro (B),
todos com três elétrons, é utilizada na dopagem, um elétron ficará faltando na ligação cova-
lente, criando um portador de carga positiva (uma lacuna). Isso gera um semicondutor do tipo
P (de positivo). As lacunas são os portadores majoritários no material tipo P, e os elétrons
que eventualmente estejam livres no material, os minoritários.
Quando uma impureza doadora como o Fósforo (P), o Antimônio (Sb) ou o Arsênio (As),
todos com cinco elétrons, é utilizada na dopagem, um elétron irá sobrar na ligação covalente,
criando um portador de carga negativa. Isso gera um semicondutor do tipo N (de negativo).
Os elétrons são os portadores majoritários no material tipo N, e as lacunas que eventual-
mente estejam livres no material, os minoritários.
- -

- Si - - Si -
Ligações Ligações
Elétron livre
covalentes covalentes
- -

- - - - - -
-

- Si - Ga - - Si - - Si - - P - - Si -

- - - - - -
Lacuna - -

- Si - - Si -

- -

Semicondutor tipo P dopado com Gálio Semicondutor tipo N dopado com Fósforo

A tendência dos elétrons livres é a de ficar se movimentando randomicamente pelo cristal;

a tendência das lacunas é a de serem completadas por um eventual elétron livre.
Semicondutores do tipo N têm, portanto, átomos com elétrons livres, enquanto que os do
tipo P têm átomos com falta de elétrons (lacunas).

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1.3- Junções PN
Lacuna Elétron livre
Ao lado são mostradas as represen-
tações adotadas para os semiconduto- + + + - - -
res tipo P e N, com seus respectivos - - - + + +
portadores de carga, lacunas e elétrons. + + + - - -
Apenas os átomos das impurezas são - - - + + +
mostrados. No material tipo P, átomos + + + - - -
de impurezas que são neutros, mas que - - - + + +
se tornarão negativos se receberem elé-
trons livres em suas lacunas; no material Átomo da impureza aceitadora Átomo da impureza doadora
tipo N, átomos de impurezas que são Semicondutor tipo P Semicondutor tipo N
neutros, mas que se tornarão positivos
se perderem os elétrons livres.
Quando as duas regiões, P e N, são criadas em um mesmo bloco de cristal intrínseco, te-
mos a chamada junção PN, que constitui o dispositivo semicondutor mais simples, o diodo.
Na região da junção, os elétrons livres do material tipo N são atraídos pelas lacunas do
material tipo P, num processo chamado difusão de cargas.
Junção PN

+ + + - - -
- - - + + +
+ + + - - -
- - - + + +
+ + + - - -
- - - + + +

P N

Forma-se então, ao redor da junção, uma região ionizada denominada região ou camada
de depleção ou também barreira de potencial, cuja polaridade é oposta à do material respecti-
vo (negativo no material tipo P, que recebeu elétrons em suas lacunas; positivo no material
tipo N, que perdeu elétrons).

Barreira de potencial
{

+ + - -
- - - + + +
+ + - -
- - - + + +
+ + - -
- - - + + +

P N
- +

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1.4- O Diodo Semicondutor

O diodo semicondutor nada mais é, como já foi visto, que a união de um material semi-
condutor do tipo P com outro do tipo N, formando uma junção PN. Esse dispositivo, o diodo,
pode ser polarizado de duas maneiras, direta e reversa, mostradas a seguir.

1.4.1- Polarizações direta e reversa

Na polarização direta, mostrada ao Polarização DIRETA

lado, o positivo da fonte é ligado ao Barreira de potencial DIMINUI

{
material tipo P e o negativo ao material
tipo N. As lacunas do lado P são repeli- + + - -
das pelo positivo da fonte, enquanto - - - + + +
que os elétrons do lado N são repelidos + + - -
pelo negativo. Isso empurra lacunas e - - - + + +
elétrons (portadores majoritários) em + + - -
direção à região da junção e, desde - - - + + +
que a tensão aplicada seja superior à
tensão de barreira de potencial (para
vencer essa barreira existente na jun- P N
ção), lacunas e elétrons se recombinam - +
na junção, formando uma corrente elé-
trica. Nessa situação, a barreira de po- ID ID
tencial diminui. Em outras palavras, um
diodo semicondutor polarizado direta- VD
mente permite a passagem da corrente
elétrica (VD significa tensão direta, e ID corrente direta; em inglês, são utilizadas as notações
VF e IF, sendo o F de forward que significa direto em inglês).

Na polarização reversa, o opos-

Polarização REVERSA to em relação ao caso anterior, e
Barreira de potencial AUMENTA que pode ser vista à esquerda, la-
{

cunas e elétrons são atraídos pela

+ - fonte externa, agora chamada de
- - - + + + VR. Isso faz com que a barreira de
+ - potencial aumente, limitando a
- - - + + + passagem da corrente. Existe uma
pequena corrente de fuga (formada
+ - pelos portadores minoritários),
- - - + + +
chamada de corrente reversa IR.
Essa corrente pode aumentar, em
P N função da geração de mais porta-
- + dores de carga livres, caso a tem-
peratura do semicondutor aumente.
IR IR Portanto, um diodo semicondu-
tor polarizado reversamente não
VR permite a passagem da corrente
elétrica (VR significa tensão rever-
sa, e IR corrente reversa).
A corrente reversa de um diodo também é chamada de corrente de fuga e é normalmente
muito menor do que a corrente direta.

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1.4.2- Símbolo e Polarização do Diodo Semicondutor

O símbolo do diodo semicondutor é mostrado ao Anodo Catodo

lado, com sua correspondência com os materiais P e (A) (K)
N da junção. P N
Os nomes dos terminais têm a ver com o tipo de
portador existente em cada material. Quando átomos
perdem ou recebem elétrons tornam-se íons, que A K
podem ser de dois tipos, ânions ou cátions. Anodo (A) vem de ânion, que é um átomo que
recebeu elétrons e se tornou negativo. É isso que acontece quando os átomos do material P
recebem elétrons para ocupar as lacunas existentes. Catodo (K) vem de cátion (ou kation),
que é um átomo que perdeu elétrons e ficou positivo. Como o material tipo N tem elétrons li-
vres e vai perdê-los para que uma corrente circule pelo semicondutor, os átomos desse mate-
rial ficarão positivos.
A partir de agora utilizaremos apenas o símbolo do diodo apresentado. A K
É conveniente notar que a seta do símbolo representa o sentido convenci-
onal de corrente elétrica (do positivo para o negativo) quando o dispositivo ID
é polarizado diretamente. Isso vale para todos os dispositivos semicondutores.
O comportamento dos diodos em um circuito elétrico, nas duas polarizações, pode ser
visto a seguir.
VD
Na polarização direta, o diodo permite a passagem
da corrente. A tensão sobre ele nessa situação (tensão
direta ou VD) é da ordem de 0,7V para diodos de Silício (os
mais comuns) e cerca de 0,2V para os de Germânio (pouco V ID V- VD
utilizados atualmente). A tensão sobre a carga (resistor)
será, portanto, a diferença entre a tensão de alimentação
Polarização direta
(V) e a tensão direta sobre o diodo (VD).
VR = V Na polarização reversa não existe corrente
apreciável através do diodo (apenas a corrente de
fuga, que é muito pequena). A tensão sobre o diodo
V IR = 0 (VR) será a tensão da fonte, e a tensão sobre a car-
V=0
ga será praticamente zero.
Polarização reversa
Utilizando uma fonte de 12V e uma lâmpada como carga, teremos a situação mostrada a
seguir. Como se pode ver, na polarização direta a lâmpada acenderá, mas haverá uma queda
de tensão sobre o diodo que resultará em uma diminuição na tensão entregue à lâmpada; na
polarização reversa a lâmpada permanecerá apagada, e toda a tensão da fonte estará sobre
o diodo.
0,7V 12V
Lâmpada Lâmpada
acesa apagada

12V ID 11,3V 12V IR = 0

V=0

Polarização direta Polarização reversa

O valor atribuído à tensão de barreira de potencial quando um diodo de Silício está polarizado
diretamente (VD=0,7V) é aproximado, mas pode ser utilizado na grande maioria dos projetos.
Quando se fala em diodos ideais, a tensão direta adotada será de 0V (VD=0V). Se a tensão da
fonte for muito maior que 0,7V, pode-se adotar esse critério. A forma mais exata de determinar a
tensão direta sobre um diodo é o traçado da reta de carga, que será visto adiante.
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1.4.3- Curva característica de um diodo

Um componente eletrônico linear, como um resistor, não necessita de uma curva caracte-
rística para representá-lo, já que a relação entre corrente e tensão nele será sempre constan-
te, ou seja, sua resistência possui um valor fixo. Já os semicondutores, por serem componen-
tes não lineares, apresentam variações em suas resistências internas em função da tensão
e/ou corrente de polarização, sendo necessário, para uma análise mais detalhada, que se
utilize uma curva que expresse suas características.
A curva característica básica para diodos semicondutores é apresentada abaixo. Na regi-
ão de polarização direta, o diodo começa a conduzir em valores próximos aos da ten-
são de barreira de potencial (para o Silício, cerca de 0,7V). Antes disso a corrente direta é
muito baixa.
Na polarização reversa, a corrente no diodo é extremamente baixa enquanto a tensão
sobre ele fica abaixo do limite de ruptura. Quando alcançamos essa tensão (de ruptura ou
breakdown) ocorre um fenômeno chamado avalanche (dos portadores de carga do se-
micondutor), a corrente aumenta bruscamente e a junção quase sempre é destruída
(existe uma tipo de diodo denominado Zener, que será estudado posteriormente, que trabalha
de forma controlada dentro da região de ruptura).

ID
Polarização
direta
Tensão de
ruptura
(breakdown)

VR Tensão de
VD
Polarização barreira de
reversa potencial

IR

A tensão de ruptura reversa (VR) também é grafada como VBR (tensão de

breakdown) em literatura técnica e exercícios.

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1.4.4- Características e limitações de diodos

As características básicas de um determinado diodo podem ser encontradas nas folhas

de informação (datasheets) fornecidas pelos fabricantes, e mostradas nas duas páginas se-
guintes. São apresentados dois tipos de diodos, para aplicações diferentes, as séries 1N400X
e 1N4148/1N4448/1N914/1N916. A primeira é de diodos de uso geral (General Purpose Rec-
tifiers) para trabalhos em baixa freqüência e a outra um modelo para frequências mais eleva-
das e baixa potência (Small Signal Diode).
Os dois principais limites operacionais de um diodo são a máxima corrente direta
que ele suporta (ID ou IF onde o F representa Forward, ou Direta) e a máxima tensão re-
versa (VR) que pode ser aplicada sobre ele.

A família 1N400X (que vai do 1N4001 até o 1N4007) apresenta para cada um dos dis-
positivos uma tensão reversa máxima diferente (VRRM de 50V até 1000V), mas uma mesma
corrente direta máxima para todos (IF(AV) de 1A). Esses dois parâmetros são geralmente as-
sociados a sinais alternados senoidais da rede elétrica (VRRM é o valor de pico reverso repeti-
tivo e IF(AV) o valor médio da corrente através do diodo.
Alguns dos outros parâmetros do componente são definidos em certas condições opera-
cionais. O componente pode dissipar no máximo 3W (PD) e a tensão direta (VF) sobre ele será
de 1,1V, quando a corrente direta (IF) for de 1A (Forward Voltage @ 1.0A). A corrente reversa
(IR), como já foi visto, dependerá da temperatura. Nas tensões limites de cada modelo (Re-
verse Current @ Rated VR): para 25ºC será de 5µA e para 100ºC será de 50µA, mostrando a
influência da temperatura nos semicondutores.
Temos também, a capacitância da junção (todos os dispositivos elétricos apresentam,
além da resistência, capacitâncias que podem afetar seu funcionamento, principalmente
quando trabalham com sinais de freqüências elevadas). Para uma tensão reversa de 4V e
uma freqüência de sinal de 1MHz, a capacitância da junção (CT) será de 15pF (15.10-12F).

A série 1N4148/1N4448/1N914/1N916 é de diodos conhecidos como de chaveamento,

termo que indica que podem ser utilizados com sinais elétricos que variam rapidamente, como
ondas quadradas e sinais de frequência elevada. Para poder trabalhar dessa forma, sua ca-
pacitância de junção (CT) deve ser baixa, o que se confirma com os valores de 2pF a 4pF
mostrados. Outra indicação da resposta rápida do diodo é o seu tempo de recuperação rever-
sa (trr), que indica quanto tempo o dispositivo demora em parar de conduzir quando a polari-
dade sobre ele se inverte da direta (aonde o diodo conduz) para a reversa (aonde ele deve se
comportar como um isolante). Esse tempo no 1N4148 é de 4ns (4.10-9 s). A folha de informa-
ções da família 1N400X mostrada não apresenta esse parâmetro (trr), que é, para esse mode-
lo, da ordem de 1µs a 30µs (1.10-6 s a 30.10-6s), dependendo do fabricante, ou seja, bem su-
perior ao desta série.
Outras características máximas como tensão reversa, corrente direta e potência dissipada
mostram que este dispositivo foi desenvolvido para trabalhar realmente com pequenos sinais
(baixa potência).

As folhas de informações mostradas estão incompletas, pois os gráficos que as acompa-

nham não foram mostrados. Eles podem ser obtidos nos sites dos fabricantes, lembrando que
existem várias outras empresas que produzem esses componentes, utilizando os mesmos
códigos.
Existem muitos outros parâmetros desses componentes. Apenas os principais e mais
usados foram comentados.

Obs. A Fairchild, fabricante cujas folhas de informação são mostradas, foi vendida, em
2016, para a ON Semiconductor. O material foi mantido por não existirem grandes diferenças
entre ele e o disponível atualmente no site do fabricante.
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1.4.5- Traçado da Reta de Carga

Quando um componente não apresenta uma característica linear, não é possível equaci-
oná-lo de uma forma simples como foi feito com os resistores. É necessário levar em conta
como ele varia para alterações de tensão, corrente, temperatura, etc. A curva do dispositivo
expressa essas variações (geralmente para a temperatura ambiente: 25º) e a forma de asso-
ciá-las ao circuito que se deseja projetar é através do traçado da reta de carga desse circuito.
Em seguida é apresentado um roteiro para o traçado e a utilização da reta de carga em
diodos.
Suponha a situação ao lado, onde é pedida a VD
tensão sobre o resistor do circuito (VRes). Como o dio-
do é um componente não linear, não sabemos qual o
valor de sua resistência interna. Apenas utilizando a 10V ID 50 VRes
curva característica do dispositivo, poderemos deter-
minar (com as aproximações criadas pelo traçado da
reta de carga no gráfico) os valores de VD e ID, para
em seguida obter o valor desejado (VRes).

Método para o traçado da reta de carga

1º passo- Considerar o diodo um curto (Vd = 0) e determinar a corrente no circuito; marcar

o valor encontrado no gráfico.
𝑉 10𝑉
𝐼𝑑 = = ⟹ 𝐼𝑑 = 0,2𝐴 ⟶ Id = 0,2A; Vd = 0
𝑅 50Ω
2º passo – Considerar o diodo um circuito aberto (Vd = Vcc =10V).e determinar a tensão
sobre ele; marcar o valor encontrado no gráfico.
𝑉𝑑 = 𝑉 = 10𝑉 ⟶ Id = 0; Vd = 10V
3º passo- Unir os dois pontos com uma reta, que será a reta de carga do circuito.
4º passo- O ponto onde a reta de carga intercepta a curva do diodo é denominado ponto
quiescente (ou de repouso), que é o ponto estável de operação ou de funcionamento do cir-
cuito. A partir desse ponto, desenhando uma linha vertical até o eixo das tensões, determina-
mos VdQ; desenhando outra linha, agora horizontal, até o eixo das correntes, determinamos
IdQ. Os valores encontrados, VdQ = 0,7V e IdQ = 0,18A são os valores quiescentes ou de fun-
cionamento do circuito.

Sabendo os valores de corrente e tensão no circuito, podemos determinar a tensão no re-

sistor de duas maneiras:
𝑉𝑅𝑒𝑠 = 𝑅. 𝐼𝑑𝑄 = 50Ω. 0,18𝐴 ⟹ 𝑉𝑅𝑒𝑠 = 9𝑉 ou 𝑉𝑅𝑒𝑠 = 𝑉 − 𝑉𝑑𝑄 = 10𝑉 − 0,7𝑉 ⟹ 𝑉𝑅𝑒𝑠 = 9,3𝑉

A diferença entre os dois resultados (cerca de 3%) deve-se às imperfeições do traçado da

reta no gráfico e às consequentes leituras dos valores obtidos.

Lembramos as três formas de determinar a tensão direta sobre um diodo:

 valor genérico, para o Silício Vd=0,7V e para o Germânio Vd=0,2V
 para qualquer diodo ideal: Vd=0V
 através da reta de carga (o mais exato, mas pouco usado para diodos)

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quiescente

VdQ=0,7V
Ponto

IdQ=0,18A

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Exercícios

1.1- Complete a tabela com informações das pág. 9 e 10.

IR@VR=VDIODO IR@VR=20V ENCAP-
IF VR VF@IF=1A VF@IF=100mA CT SULAM.
T=100ºC T=150ºC
1N4001
1N4007
1N4148
1N4448
A V V V A A pF

Para os exercícios 1.2 até 1.7 considere a tensão VD dos diodos igual a 0,75V

1.2- Determine as correntes I1, I2 e I3. Os resistores são todos de 100Ω.

D1 D2 D3

I1 I2 I3
6V

Resp.: 52,5mA, 45mA, 37,5mA

1.3- Determine as correntes I1, I2 e I3. Os resistores são todos de 100Ω.

D1 D2 D3

I1 I2 I3
6V

Resp.: 52,5mA, 45mA, 0mA

1.4- Determine as correntes I1, I2 e I3. Os resistores são todos de 100Ω.

D1 D2 D3

I1 I2 I3
9V

D6 D5 D4
Resp.: 75mA, 60mA, 45mA

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1.5- Determine as correntes I1, I2 e I3. Os resistores são todos de 100Ω.

D1 D2 D3

I1 I2 I3
9V

D6 D5 D4
Resp.: 75mA, 60mA, 0mA

1.6- Determine as correntes I1 e I2. O resistor é de 100Ω.

D1 D2 I1

I2

12V D3

Resp.: 0mA, 112,5mA

1.7- Dada a forma de onda VG do gerador, desenhe ao

lado as formas de onda entre os pontos BC e AB VBC (V)
do circuito. 10
A

D1 B 0 1 2
t (s)

D2 C 10

VG (V) VAB (V)

10 10

0 1 2 0 1 2
t (s) t (s)

10 10
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1.8- Qual a possível utilidade de um circuito como o da questão 1.7?

1.9- Circuitos de lógica TTL trabalham com tensões de alimentação de 5V, com tolerância de
±5%. Precisando com urgência montar uma fonte para alimentar um circuito desse tipo,
e não tendo no momento nada além de uma fonte de 9V e de alguns diodos, um enge-
nheiro precisou improvisar um circuito que atendesse sua necessidade temporariamen-
te. As características da carga e a curva dos diodos disponíveis são mostrados abaixo.
Complete o circuito com a possível solução pensada pelo engenheiro, e verifique se a
tensão na carga TTL está realmente dentro dos parâmetros desse tipo de circuito.

CARGA VL = 5V±5%
9V VX TTL PL = 2,5W@5V

Curva característica do diodo - Polarização direta

1,0
0,9
0,8
Corrente direta (A)

0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2
Tensão direta (V)

Resp.: Atende exatamente dentro do limite inferior

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1.10- Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos – Boylestad & Nashelsky, 8ª Edição pág.
89

Resp.: 9,55V, 7V
ATENÇÂO: as tensões são em relação ao terra comum das fontes

1.11- Obtido da Lista de Exercícios Resolvidos sobre Diodos, da Disciplina de Eletrônica Ge-
ral I, do Prof. César M. Vargas Benítez da Universidade Federal Tecnológica do Paraná

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1.12- Dada a forma de onda (f. o.) do gerador G abaixo, determine as f. o. sobre os diodos e
resistores dos circuitos. Considerar VD = 0,7V para todos os casos.

VG (V)
5

0 1 2
t (s)
5

vd (V)
5 vRes (V) 5

G A 0 1 2 0 1 2
t (s) t (s)
5 5

vd (V)
5 vRes (V) 5

G B 0 1 2 0 1 2
t (s) t (s)
5 5

vd (V)
5 vRes (V) 5

G C 0 1 2
t (s)
0 1 2
t (s)
5 5

17
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

vd (V)
5 vRes (V) 5

G D 0 1 2
t (s)
0 1 2
t (s)
5 5

vd (V)
5 vRes (V) 5

G E 0 1 2 0 1 2
t (s) t (s)
5 5

vd (V)
5 vRes (V) 5

G F 0 1 2 0 1 2
t (s) t (s)
5 5

vd (V)
5 vRes (V) 5

G G 0 1 2 0 1 2
t (s) t (s)
5 5

vd (V)
5 vRes (V) 5

G H 0 1 2 0 1 2
t (s) t (s)
5 5

18
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

Os dois próximos exercícios devem ser feitos através do traçado da reta de carga,
utilizando o gráfico da próxima página.

1.13- Determinar a potência dissipada no resistor.

Resp.: (0,465A, 0,85V) ~5,18W
12V 24

1.14- Dado o circuito, e sabendo que rid é a resistência interna do diodo, que é variável e
depende da polarização do componente no circuito (rid é o quociente de VdQ por
IdQ, encontrados no gráfico):
 complete a tabela (itens a até d) e analise os resultados obtidos;
 explique qual a relação entre a corrente Id e a resistência rid de um diodo;
 com base nas conclusões anteriores, adote valores para V e R no item e da tabela,
de forma a obter um valor de rid maior que os outros encontrados.

VRes
V R IdQ VdQ R.IdQ V-VdQ rid
Vd a 6 10
b 10 10
Id c 6 20
V R VRes
d 10 20
e
V  A V V V 

19
 Curva característica do diodo - Polarização direta
1,0
Prof. José Daniel S. Bernardo

0,9

0,8

0,7

0,6

0,5

0,4

Corrente direta (A)

0,3

0,2

0,1

0,0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9 9,5 10 10,5 11 11,5 12
Tensão direta (V)
Eletrônica I

20
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

1.15- Exercício obtido de uma apostila da Faculdade de Engenharia Electrotécnica da Univer-

sidade Nova de Lisboa.

Resp.: 9,53V, 953µA; 9,53V, 953µA

21
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1.16- Concurso Analista de Planej. e Desenv. Operac. Jr., Eng. Elétrica e Eletrônica, CPTM
2013

Resp.: A

1.17- Concurso Analista Judiciário, Eng. Eletrônica, TRF2, 2012

Resp.:
No gabarito, (C);
a resposta (A)
me parece mais
correta (ver cur-
va do diodo)

1.18- Concurso Analista Trainee, Eng. Eletro-Eletrônica, CPTM, 2012

Resp.: A
(mal formulada)
22
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

1.19- Concurso Técnico em Eletrônica, Eletrobrás, 2010

Resp.: (A)

1.20- Concurso Técnico em Eletrônica, Metro-DF, 2014

Resp.: (C)

1.21- Concurso Admissão ao Curso de Praças da Marinha, Eletrônica, Marinha do Brasil, 2014

Resp.: (D)

23
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

1.22- Concurso Admissão ao Curso de Praças da Marinha, Eletrônica, Marinha do Brasil, 2014

Resp.: (C)

1.23- ENADE, Provão 2000

Resp.: 20mA

24
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

1.24- Concurso Eng. Equip. Jr., Eletrônica, Petrobrás, 2012

Resp.: (D)

25
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

26
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

2- Retificação e Filtragem de Sinais Alternados

Praticamente todos os equipamentos eletrônicos funcionam alimentados com tensões con-

tínuas, que podem ser obtidas de baterias químicas ou de fontes de alimentação. Estas últimas,
geralmente transformam a tensão alternada da rede elétrica em tensão contínua. A distribuição
de energia elétrica é feita através de tensão alternada senoidal (ver revisão de sinais alternados
senoidais a seguir), por ser esta mais fácil de gerar, transmitir e transformar para valores mai-
ores ou menores de tensão. O processo de aumentar ou rebaixar tensões alternadas é feito
com dispositivos indutivos denominados transformadores (ver noções a seguir).
Existem basicamente dois tipos de fontes de alimentação: lineares e chaveadas. As chave-
adas são bem mais complexas e necessitam de conhecimentos adicionais para serem compre-
endidas. Vamos estudar, aqui e nos capítulos seguintes, os princípios básicos das fontes de
alimentação lineares, cujos módulos constituintes são: transformador, retificador, filtro e regu-
lador (ou estabilizador) de tensão.

2.1 – Revisão de Sinais Alternados Senoidais

As representações abaixo (valores de pico a pico, pico, eficaz e médio) servem tanto para
tensão quanto para corrente e potência elétricas. As fórmulas mostradas são APENAS para
sinais senoidais puros ou retificados.

SINAL SENOIDAL

+Vp 𝑉𝑝𝑝
𝑉𝑝 =
2p
Vef 2
Vpp
p
zero
0 𝑉𝑒𝑓 =
𝑉𝑝
-Vp
√2

𝑉𝑚 = 0

SINAL SENOIDAL RETIFICADO

EM ONDA COMPLETA

+Vp 𝑉𝑝
𝑉𝑒𝑓 =
Vef Vm √2
0 p 2p
zero
2𝑉𝑝
𝑉𝑚 =
π
SINAL SENOIDAL RETIFICADO
EM ½ ONDA

+Vp 𝑉𝑝
𝑉𝑒𝑓 =
Vef Vm 2
p 2p
zero
0 𝑉𝑝
𝑉𝑚 =
π

27
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

As representações mostradas na página anterior são diferentes na língua inglesa, como

mostra a tabela comparativa abaixo (outras formas podem também ser encontradas):
PORTUGUÊS INGLÊS
pico a pico VPP VPK-PK Peak to Peak
pico VP VMAX ou VM ou VPK Maximum ou Peak
eficaz Vef VRMS Root Mean Square*
médio Vm VAV ou VAVG Average
Deve-se ter cuidado para, em manuais e data sheets em inglês, não confundir VM que sig-
nifica tensão de pico com Vm que representa, para nós, a tensão média.
* RMS ou Root Mean Square indica o valor obtido a partir de um algoritmo que efetua a
raiz quadrada (ROOT) da média aritmética (MEAN) de uma série de valores previamente ele-
vados ao quadrado (SQUARE). A partir dele se obtêm o valor eficaz (ou RMS) de uma variável
elétrica (tensão, corrente ou potência).
Um valor eficaz de tensão, corrente ou potência equivale, em energia, a um valor contínuo:
10VCC aplicados a um resistor produzem, nesse resistor uma certa quantidade de calor
idêntica a 10Vef ou 10VRMS.
Um voltímetro na escala contínua, indicará o valor médio dos sinais da página anterior:
zero para o sinal alternado e diferente de zero para os retificados.
Um voltímetro na escala alternada indicará corretamente apenas o valor eficaz do sinal
senoidal, e apresentará erro na indicação do valor eficaz para os sinais retificados.

Exemplo: A tensão de 220V da rede elétrica representa o valor eficaz do sinal senoidal da
rede. Seu valor de pico será:

𝑉𝑝 = 𝑉𝑒𝑓 𝑥 √2 = 220𝑉𝑥 √2 ⟹ 𝑽𝒑 = 𝟑𝟏𝟏, 𝟏𝟑𝑽

E o valor de pico a pico, o dobro do valor de pico:

𝑉𝑝𝑝 = 𝑉𝑝 𝑥 2 = 311,13𝑉𝑥2 ⟹ 𝑽𝒑𝒑 = 𝟔𝟐𝟐, 𝟐𝟓𝑽

QUANDO UMA TENSÃO ALTERNADA APARECE EXPRESSA COMO 127V, ESTÁ SE

INDICANDO O VALOR EFICAZ DA TENSÃO. SÓ SERÁ UTILIZADO UM COMPLEMENTO
(VP, VPP, Vm) CASO SE DESEJE INDICAR UMA FORMA DE REPRESENTAÇÃO DIFERENTE
DA EFICAZ.

28
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

2.2- Conceitos Básicos de Transformadores Monofásicos

Um transformador é um dispositivo elétrico, para utilização exclusiva em corrente alternada,

que permite aumentar ou abaixar tensões elétricas. É constituído de indutores (bobinas) isola-
dos entre si. Seu princípio de funcionamento baseia-se na transferência de energia através do
campo eletromagnético (indução eletromagnética).
O transformador mais simples possui duas bobinas (ou enrolamentos), denominados pri-
mário e secundário. No enrolamento primário é aplicada uma tensão alternada que faz circular
nele uma corrente, a qual produz um campo magnético variável. Esse campo se expande, con-
traia, inverte de polaridade, e repete o ciclo de expansão e retração, acompanhando as varia-
ções do sinal alternado aplicado.
O campo produzido no primário, atua sobre o enrolamento secundário e o resultado é a
geração, por indução eletromagnética, de corrente e tensão nesse enrolamento. A tensão pro-
duzida no secundário pode ser maior (transformador elevador) ou menor (transformador abai-
xador) do que a aplicada ao primário, em função da quantidade de espiras das bobinas de cada
enrolamento.
A relação entre o número de espiras e a tensão pode ser vista nos diagramas abaixo:
TRANSFORMADOR ABAIXADOR

ENROLAMENTO
PRIMÁRIO COM CAMPO ELETROMAGNÉTICO
TENSÃO 6 ESPIRAS GERADO PELO PRIMÁRIO
Essa relação é representada por:
ALTERNADA 𝑉1 𝑁1
APLICADA AO
ENROLAMENTO =
PRIMÁRIO:
SECUNDÁRIO COM 𝑉2 𝑁2
3 ESPIRAS
12V onde:
V1 = tensão de entrada (primário)
V V2 = tensão de saída (secundário)
N1 = número de espiras do primário
TENSÃO ALTERNADA N2 = número de espiras do secundário
OBTIDA NO SECUNDÁRIO:
6V
TRANSFORMADOR ELEVADOR

ENROLAMENTO
A relação entre V2 e V1 (ou entre N2 SECUNDÁRIO COM
e N1) é denominada relação de trans- ENROLAMENTO 6 ESPIRAS
TENSÃO
formação (n). ALTERNADA PRIMÁRIO COM
3 ESPIRAS
É também representada pelas ex- APLICADA AO
PRIMÁRIO:
pressões N1:N2 (ou V1:V2). O transfor-
12V
mador acima, seria 6:3 (ou 12:6) ou
2:1. O ao lado, 3:6 (ou 12:24) ou 1:2.
V
A relação entre a tensão e o nú- TENSÃO ALTERNADA
mero de espiras de cada enrolamento OBTIDA NO SECUNDÁRIO:

é denominada relação Volt por espira CAMPO ELETROMAGNÉTICO 24V

GERADO PELO PRIMÁRIO
(V/esp).
O NÚMERO DE ESPIRAS DAS BOBINAS DE UM TRANSFORMADOR É, GERAL-
MENTE, DA ORDEM DE CENTENAS. OS VALORES USADOS AQUI SÃO APENAS EXEM-
PLOS.
A potência no primário (P1 = V1 x I1) será igual à do secundário (P2 = V2 x I2) para um
transformador ideal, ou seja, que não apresente perdas (P1 = P2). Na prática isso não existe e
a relação entre as potências do primário e do secundário será: P1 = P2 + perdas. As perdas
nesse tipo de dispositivo são geralmente entre 5% e 15%, ou de outra forma, possuem eficiên-
cia () de 95% a 85% (valores dados apenas como exemplos). I1 e I2 são, respectivamente, as
correntes de primário e de secundário.
29
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

Considerando P1 = P2 (transformador sem perdas), podemos escrever as relações entre

primário e secundário de um transformador como:
𝑉1 𝑁1 𝐼2
= =
𝑉2 𝑁2 𝐼1

ATENÇÃO: na fórmula acima a relação com as correntes I1 e I2 só é válida se existirem

apenas um primário e um secundário.

Para os diagramas da página anterior, caso os secundários sejam ligados a cargas de 1Ω,
teremos:
Para o secundário de 6V Para o secundário de 24V

𝑉2 6𝑉 𝑉2 24𝑉
𝐼2 = = ⇒ 𝑰𝟐 = 𝟔𝑨 𝐼2 = = ⇒ 𝑰𝟐 = 𝟐𝟒𝑨
𝑅 1Ω 𝑅 1Ω
𝑃2 = 𝑉2 𝑥 𝐼2 = 6𝑉 𝑥 6𝐴 ⇒ 𝑷𝟐 = 𝟑𝟔𝑾 𝑃2 = 𝑉2 𝑥 𝐼2 = 24𝑉 𝑥 24𝐴 ⇒ 𝑷𝟐 = 𝟓𝟕𝟔𝑾

𝑷𝟏 = 𝑷𝟐 = 𝟑𝟔𝑾 𝑷𝟏 = 𝑷𝟐 = 𝟓𝟕𝟔𝑾
𝑃1 36𝑊 𝑃1 576𝑊
𝐼1 = = ⇒ 𝑰𝟏 = 𝟑𝑨 𝐼1 = = ⇒ 𝑰𝟏 = 𝟒𝟖𝑨
𝑉1 12𝑉 𝑉1 12𝑉

CAMPO
As bobinas de um transformador são ge- ELETROMAGNÉTICO
GERADO PELO PRIMÁRIO

ralmente enroladas em um carretel que é de-

pois inserido em um núcleo laminado de
ferro, cuja função é concentrar o campo mag- NÚCLEO DE FERRO PARA
CONCENTRAR O CAMPO
ELETROMAGNÉTICO
nético gerado no primário, de forma a fazê-lo
incidir sobre o enrolamento secundário, como
mostrado à direita. Existem também transfor-
madores com núcleos de ar e de ferrite (ge- ENROLAMENTO
PRIMÁRIO
ENROLAMENTO
SECUNDÁRIO
ralmente utilizados em altas frequências),
materiais que possuem capacidades diferen-
tes de concentrar campo magnético.
Abaixo, o aspecto construtivo de um
transformador real.

Abaixo, são mostrados os símbolos

mais comuns para transformadores, o da
esquerda para circuitos eletrônicos e o da
direita para diagramas elétricos unifilares.

30
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

A seguir podem ser vistos diversos tipos de transformadores. À esquerda, modelos mono-
fásicos utilizados em circuitos eletrônicos e à direita um modelo trifásico utilizado para distribui-
ção elétrica.

Exemplos de cálculo com transformadores.

A partir do diagrama abaixo, de um transformador sem perdas, determinar:

a- a corrente e o número de espiras do primário;
b- as potências no primário e no secundário.

220V
12V
6W
100esp

𝑉2 12
𝐼2 = = ⇒ 𝐼2 = 2𝐴
𝑅 6
𝑉1 𝑁1 220 𝑁1
= ⇒ = ⇒ 𝑵𝟏 = 𝟏𝟖𝟑𝟑𝒆𝒔𝒑
𝑉2 𝑁2 12 100

𝑉1 𝐼2 220 2
= ⇒ = ⇒ 𝑰𝟏 = 𝟏𝟎𝟗, 𝟏𝒎𝑨
𝑉2 𝐼1 12 𝐼1

𝑃1 = 𝑉1 𝑥 𝐼1 = 220 𝑥 0,1091 ⇒ 𝑷𝟏 = 𝟐𝟒𝑾

31
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

2.3- Retificação de Meia Onda

Quando se deseja uma fonte de 12V, tensão contínua (Vdc ou Vcc), é necessário um transfor-
mador que abaixe a tensão da rede elétrica (geralmente 110V, 127V ou 220V) para um valor bem
menor, de forma a se obter a tensão (Vdc) desejada na saída da fonte.
Transformador
D Vsec
Idc

Id
Vpri Vsec RL Vdc 0 p 2p 3p 4p t

Primário Secundário Vdc

O diodo, como já foi visto, permite a passagem da cor-

rente em apenas um sentido. No exemplo mostrado, ape- 0 p 2 p 3 p 4p t
nas o semiciclo positivo do sinal senoidal será transferido
para a carga (resistor RL). O semiciclo negativo será bar-
rado pelo diodo. Ao lado podem ser vistas as formas de
onda antes do diodo (Vsec) e após este (Vdc). A tensão,
que era alternada, transformou-se em uma tensão contínua pulsante. Ainda não é a tensão que a
maioria dos equipamentos necessita para funcionar, pois falta, pelo menos, a etapa de filtragem
que será vista mais adiante. Se essa tensão for medida por um voltímetro para sinais contínuos,
será encontrado o valor médio do sinal pulsante, obtido a partir do valor de pico do sinal do secun-
dário, do qual é subtraída a queda de tensão sobre o diodo (Vd=0,7V para o Silício):
𝑉𝑝 − 𝑉𝑑
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑚 =
𝜋
As correntes na carga (Idc) e no diodo (Id) serão:
𝑉𝑑𝑐
𝐼𝑑𝑐 = 𝐼𝑚 = 𝐼𝑑 = 𝐼𝑑𝑐
𝑅𝐿
E a tensão reversa sobre o diodo, durante o semiciclo negativo, será:

𝑉𝑅 = 𝑉𝑝 (𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑑𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑑𝑜 𝑠𝑖𝑛𝑎𝑙 𝑑𝑜 𝑠𝑒𝑐𝑢𝑛𝑑á𝑟𝑖𝑜)

Esta forma de retificação (meia onda) não é muito usada por ser ineficiente, pois perde a energia
disponível em um dos semiciclos (no exemplo, o negativo),
que não é utilizado.
Invertendo o diodo, a tensão de saída da fonte (tensão Vsec
contínua retificada) será negativa, como mostrado ao
lado e abaixo.
0 p 2p 3 p 4p t
Transformador
D
Idc

Vdc
Id
Vpri Vsec RL Vdc

0 p 2p 3p 4p t

Primário Secundário

32
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

2.4- Retificação de Onda Completa

Existem duas formas de se obter uma retificação de onda completa, onde os dois semiciclos
do sinal alternado serão utilizados: com transformadores especiais, que possuem uma deriva-
ção do enrolamento denominada Center Tap (CT), ou com pontes de diodos.

2.4.1- Retificação de Onda Completa com Transformadores de CT

O transformador de CT (Center Tap ou derivação central) apresenta dois enrolamentos

secundários idênticos, que fornecem tensões iguais, mas com fases opostas (defasadas de
180º), que podem ser vistas nos gráficos (Vsec1 e Vsec2).
No intervalo de 0 a p o diodo D1 conduz o semiciclo
positivo (vermelho) de Vsec1, enquanto D2 está cortado Vsec1
(não conduz); no intervalo de p a 2p o diodo D2 conduz o
semiciclo positivo (azul) de Vsec2, enquanto D1 está cor-
tado. As correntes que passam por cada um dos diodos
retornam ao transformador pelo CT. Esta sequência pros- 0 p 2 p 3 p 4p t
segue nos ciclos seguintes. Agora, os dois semiciclos do
sinal alternado, um de cada secundário, aparecem na
carga e a retificação é de onda completa.
D1 Vsec2
Idc

Id1
Vsec1 RL Vdc 0 p 2p 3p 4p
t
Center Tap
Vpri CT

Vdc
Vsec2 Id
2

D2 0 p 2p 3p 4p
t
Se a tensão Vdc for medida por um voltímetro para si-
nais contínuos, será encontrado o valor médio do sinal pul-
sante:
2(𝑉𝑝 − 𝑉𝑑)
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑚 =
𝜋
As correntes na carga (Idc) e nos diodos (Id) serão:
𝑉𝑑𝑐 𝐼𝑑𝑐
𝐼𝑑𝑐 = 𝐼𝑚 = 𝐼𝑑 =
𝑅𝐿 2
A tensão reversa sobre o diodo será o dobro do valor de pico. Para entender por que, su-
ponhamos que o valor de pico das tensões do secundário seja de 10V. Quando D1 conduz, a
tensão de pico de Vsec1 (+10V) aparece no catodo de D2, que esta cortado (não conduzindo);
no anodo de D2 temos nesse instante o semiciclo negativo de Vsec2 (-10V). A tensão sobre D2
será a diferença de potencial entre seu anodo e catodo, ou seja: [(-10V) - (+10V)], que resulta
em -20V. Portanto:
𝑉𝑅 = 2𝑉𝑝

33
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

2.4.2- Retificação de Onda Completa com Ponte de Diodos (Retificação em Ponte)

Uma ponte de diodos é um arranjo que utiliza quatro destes dispositivos montados como
no diagrama abaixo. Para entender seu funcionamento é preciso lembrar que uma tensão (di-
ferença de potencial) é sempre medida em relação a um determinado ponto (referência).
Se a referência for o lado B (considerado como zero), durante o semiciclo vermelho o lado
A do enrolamento será positivo em relação ao lado B. Durante o semiciclo azul, o lado A será
negativo em relação ao lado B. Essa é a situação representada pela onda em traço contínuo
(lado A do transformador).
Mas, se a referência for o lado A (considerado como zero), para o semiciclo azul, o lado B
será positivo em relação ao lado A (situação representada na onda tracejada do lado B do
transformador). Isso não muda em nada a polaridade e a amplitude da onda, mas auxilia na
análise do circuito.

A Vsec

D2 D1 Idc
Vpri Vsec
D3 D4 0 p 2p 3p 4p
t
RL Vdc
B

As setas de corrente em vermelho são referentes ao Vdc

semiciclo positivo no lado A do transformador; as setas
em azul representam a corrente no momento em que o
semiciclo é negativo no lado A (ou positivo no B) do trans- p 2 p 3 p 4p t
0
formador. Podemos notar que as setas de corrente antes
da ponte se apresentam nos dois sentidos (sinal alter-
nado), enquanto que após a ponte o sentido é único (sinal
contínuo). A corrente do semiciclo vermelho passa pelos
diodos D1 e D3, enquanto que a do semiciclo azul passa
por D2 e D4.
Neste circuito, a corrente passa sempre por dois diodos em série (D1 e D3 ou D2 e D4),
portanto a queda de tensão sobre os diodos será o dobro das situações anteriores (2Vd=1,4V).
A tensão contínua na saída da ponte será então:

2(𝑉𝑝 − 2𝑉𝑑)
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑚 =
𝜋

As correntes na carga (Idc) e nos diodos (Id) serão:

𝑉𝑑𝑐 𝐼𝑑𝑐
𝐼𝑑𝑐 = 𝐼𝑚 = 𝐼𝑑 =
𝑅𝐿 2

Analise o circuito e conclua porquê a tensão reversa sobre os diodos será a tensão de pico
do secundário:
𝑉𝑅 = 𝑉𝑝

34
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

2.5- Filtragem do Sinal Retificado

Vdc
Como foi dito anteriormente, a maioria dos siste-
mas eletrônicos funciona com tensões contínuas. No
entanto, a rede de distribuição de energia é de tensão
alternada, que precisa ser convertida em contínua. Os 0 p 2p 3p 4p
t
retificadores vistos até agora fazem exatamente isso,
mas ainda não obtivemos uma tensão contínua pura, e
sim uma contínua pulsante. As duas formas podem ser
vistas nos gráficos ao lado. Tensão contínua pulsante
Para diminuir as ondulações do sinal retificado pul-
sante e tentar aproximá-lo de um sinal contínuo puro, Vdc
são utilizados filtros capacitivos, conectados em para-
lelo com a carga, como mostrado no circuito abaixo.
Como são necessárias capacitâncias elevadas, os ca-
pacitores utilizados são do tipo eletrolítico, com valores
0 p 2p 3p 4p
t
da ordem de centenas ou milhares de micro Farads (µF
ou 10-6F).

Tensão contínua pura

Nesse circuito,
Vpri Vsec D2 D1 o capacitor de filtro
D3 D4 se carrega com o
+ valor de pico do
RL C Vdc sinal pulsante e vai
se descarregando
lentamente no in-
tervalo entre dois
picos sequenciais de tensão, como pode ser visto nos gráficos abaixo. As oscilações do sinal
pulsante não são totalmente eliminadas, e a tensão de saída da fonte (linha preta sobre o sinal
pulsante) apresenta uma ondulação residual que é denominada ripple. Quanto menor for
o ripple, melhor será a filtragem do sinal e a qualidade da fonte.

Vdc Vdc

0 p 2p 3p 4p
t 0 p 2p 3p 4p
t

Ripple baixo: Ripple alto:

capacitância alta e/ou carga RL baixa capacitância baixa e/ou carga RL alta

Os valores do capacitor de filtro e do resistor de carga RL influem diretamente no ripple:

 Valores altos de capacitância, que conseguem armazenar grande quantidade de
carga elétrica, resultam em ripple menor, pois conseguem suprir a carga de corrente
elétrica nos intervalos entre os semiciclos da tensão retificada. Por outro lado,
valores baixos de capacitância resultam em ripple maior.

35
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

 Quanto menor for o consumo de corrente da carga (ou seja, uma carga baixa, que
consome pouca energia, onde o resistor de carga RL tem valor ohmico alto), mais
lentamente o capacitor será descarregado e menor será o ripple. Cargas altas (o
que significa que o resistor RL terá valor ohmico baixo), consumirão correntes
elevadas descarregando mais rapidamente o capacitor e causando maior ripple.

Portanto:
 Quanto maiores a capacitância e a resistência da carga R L, menor será o ripple.
 Quanto menores a capacitância e a a resistência da carga RL, maior será o ripple.

É importante notar que a frequência do ripple depende do tipo de retificação: em redes

de 60Hz, como no Brasil, para meia onda será de 60Hz, enquanto que para onda completa
será o dobro, ou 120Hz.

2.6- Projeto Básico de Uma Fonte Linear de Tensão Contínua

No gráfico ao lado podem ser vistos o valor de

pico da tensão retificada (Vp’), o valor de pico a Vp’
pico do ripple (Vr(pp)) e o valor contínuo (Vdc),
sobre a carga RL, com o capacitor de filtro C ins- Vdc Vr(pp)
talado.
O valor contínuo (Vdc) é o valor médio da
ondulação do ripple.
0 p 2p 3p 4p
t
AS FÓRMULAS A SEGUIR SÃO VÁLIDAS PARA
RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA COM FILTRO CAPACITIVO.

O valor da tensão de ripple ou de ondulação é expresso por:

𝐼𝑑𝑐 2,4𝐼𝑑𝑐 2,4. 103 𝑉𝑑𝑐
𝑉𝑟(𝑒𝑓) = = =
4. 10−3 √3𝑓𝐶 𝐶 𝑅𝐿 𝐶
onde:
 Vr é a tensão eficaz do ripple (em V eficazes)  C é o capacitor de filtro (em µF)
 Idc é a corrente contínua na carga (em mA)  Vdc é a tensão continua na carga (em V)
 f é a frequencia da rêde elétrica (60Hz)  RL é a resistência da carga (em Ω)
ATENÇÃO PARA OS SUBMÚLTIPLOS mA e µF DAS FÓRMULAS! *

O valor da tensão contínua na saída do filtro é dado por:

𝐼𝑑𝑐 4,17𝐼𝑑𝑐 𝑉𝑝′
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑝′ − = 𝑉𝑝′ − =
−3
4. 10 𝑓𝐶 𝐶 4,17. 103
1+ 𝑅 𝐶
𝐿
onde:
 Vp’ é a tensão de pico do sinal senoidal APÓS os retificadores* (em V)
 para retificação com transformador de CT, Vp’ = Vp – Vd
 para retificação em ponte, Vp’ = Vp – 2Vd
 Vp é a tensão de pico no secundário do transformador
 quando os diodos são considerados ideais (Vd = 0), Vp’ = Vp

* ver diagrama com detalhes sobre Vp’ na próxima página

36
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

Vp

Vpri Vsec D2 D1 Vp’

D3 D4
+
RL C

Vp D1 Vp’

+
Vsec1 RL C
Center Tap
Vpri CT

Vsec2

Vp D2

O fator de ripple será:

𝑉𝑟(𝑒𝑓) 2,4𝐼𝑑𝑐 2,4. 103

𝑟= . 100% = . 100% = . 100%
𝑉𝑑𝑐 𝐶𝑉𝑑𝑐 𝑅𝐿 𝐶
onde:
 r é o fator de ripple (em %)
A partir das equações acima e das mostradas nos itens anteriores, pode-se dimensionar
fontes lineares simples. Dois exemplos são mostrados a seguir.
*Obs.: No livro Dispositivos Eletrônicos (Boylestad), de onde foi extraído este método, os cálculos
são feitos com RL em Kilo Ohms. Nesta apostila utilizamos R L em Ohms. Os fatores 103 e 10-3 nas
fórmulas são para efetuar a conversão de Kilo Ohms para Ohms.

ATENÇÃO: As fórmula mostradas neste item são exclusivamente para quando existe
um capacitor de filtro no circuito (item 2.5). Quando esse capacitor não está presente,
as fórmulas para determinação da tensão de saída da fonte são as apresentadas nos
itens 2.3, para ½ onda, e 2.4 para onda completa.

37
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Exemplo 1:
D1

O transformador do circuito ao lado tem uma relação de

+
transformação de 11:4 para cada secundário, e é alimen- Vsec1 RL C
tado com 220V. O capacitor é de 2200µF e a carga é de
Vpri
120Ω. Determinar:
a- a tensão contínua na carga e o seu ripple %;
Vsec2
b- as características dos diodos (indicar o diodo mais
adequado) e a tensão de trabalho para o capacitor
(VC). D2

cálculo da tensão em cada secundário do transformador:

𝑉1 𝑁1 220V 11
= ⟹ = ⟹ 𝑽𝟐 = 𝑽𝒔𝒆𝒄𝟏 = 𝑽𝒔𝒆𝒄𝟐 = 𝟖𝟎𝑽
𝑉2 𝑁2 𝑉2 4
cálculo da tensão de pico na entrada do retificador:
𝑉𝑝 = 𝑉𝑒𝑓 √2 = 80√2 ⟹ 𝑽𝒑 = 𝟏𝟏𝟑, 𝟏𝟒𝑽

cálculo da tensão de pico retificada:

𝑉𝑝′ = 𝑉𝑝 − 𝑉𝑑 = 113,14 − 0,7 ⟹ 𝑽𝒑′ = 𝟏𝟏𝟐, 𝟒𝟒𝑽
cálculo da tensão contínua na carga:
𝑉𝑝′ 112,44
𝑉𝑑𝑐 = = ⟹ 𝑽𝒅𝒄 = 𝟏𝟏𝟎, 𝟕𝑽
4,17. 103 4,17. 103
1+ 𝑅 𝐶 1 + 120 . 2200
𝐿

cálculo da tensão de ripple:

2400𝑉𝑑𝑐 2400 . 110,7
𝑉𝑟(𝑒𝑓) = = ⟹ 𝑽𝒓(𝒆𝒇) = 𝟏, 𝟎𝑽
𝑅𝐿 𝐶 120 . 2200
cálculo do fator de ripple:
𝑉𝑟(𝑒𝑓) 1,0
𝑟= . 100% = . 100% ⟹ 𝒓 = 𝟎, 𝟗%
𝑉𝑑𝑐 110,7
dimensionamento dos diodos:
𝑉𝑑𝑐 110,7
𝐼𝑑𝑐 = = ⟹ 𝑰𝒅𝒄 = 𝟎, 𝟗𝟐𝑨 O Fator de Segurança (FS) de 50%
𝑅𝐿 120 aparece sob a forma da constante 1,5
nas fórmulas ao lado. Esse fator se
𝐼𝑑𝑐 0,92 aplica no dimensionamento de compo-
𝐼𝑑(𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜) ≥ . 𝟏, 𝟓 = . 𝟏, 𝟓 ⟹ 𝑰𝒅(𝒅𝒊𝒐𝒅𝒐) ≥ 𝟔𝟗𝟎𝒎𝑨 nentes, geralmente para tensão, cor-
2 2
rente e potência, e NUNCA para resis-
𝑉𝑅(𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜) ≥ 2 . 𝑉𝑝 . 𝟏, 𝟓 ≥ 2 . 113,14 . 𝟏, 𝟓 ⟹ 𝑽𝑹(𝒅𝒊𝒐𝒅𝒐) ≥ 𝟑𝟑𝟗, 𝟒𝑽 tência, capacitância e indutância. A fun-
ção do FS é escolher um componente
Pode ser utilizado o diodo 1N4004 cujas características que suporte pelo menos 50% a mais de
são: VRmáx = 400V e Idmáx = 1A tensão e/ou corrente e/ou potência do
que aparecerá sobre esse componente
dimensionamento da tensão do capacitor: no circuito em estudo. Outros FS, como
100% (2,0) ou 200% (3,0) podem ser
𝑉𝐶 ≥ 𝑉𝑑𝑐 . 𝟏, 𝟓 = 110,7 . 𝟏, 𝟓 ⟹ 𝑉𝐶 ≥ 166,1𝑉 necessários em outros tipos de projeto.

Pelo critério adotado (VC ≥ Vdc.1,5  Vdc ≥166,1V), o valor de tensão de trabalho deveria
ser de 250V (obtido da tabela de capacitores comerciais da pág. 40). Neste caso, como o
valor inferior de tensão na tabela (160V) é muito próximo do calculado (166,1V) um capacitor
com tensão de trabalho de 160V também poderia ser utilizado (quanto maior a tensão de
trabalho de um capacitor, maior é seu tamanho físico).
38
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

Exemplo 2:

Para o circuito ao lado, determine: 220V

 a tensão contínua na carga
+
 a tensão de ripple; RL
 o fator de ripple; 1,5A 1000mF
 as características dos diodos (VRmáx e
Idmáx), do capacitor (tensão) e do resistor
(resistência e potência).
Considerar o fator de segurança para dimensionamento dos componentes igual a 50%.
Considerar a queda de tensão sobre cada diodo, na polarização direta, igual a 0,7V.
Verificar quais os diodos mais adequados para serem utilizados nesta fonte.

cálculo da tensão de pico na entrada do retificador:

Neste caso, e também
𝑉𝑝 = 𝑉𝑒𝑓 √2 = 220√2 ⟹ 𝑉𝑝 = 311,13𝑉 no anterior (Exemplo
1), os diodos poderiam
cálculo da tensão de pico retificada: ser considerados ideais
𝑉𝑝′ = 𝑉𝑝 − 2𝑉𝑑 = 311,13 − 2.0,7 ⟹ 𝑉𝑝′ = 309,73𝑉 (Vd = 0), pois o valor de
Vp é muito superior ao
cálculo da tensão contínua na carga: de Vd (0,7V).
4,17𝐼𝑑𝑐 4,17.1500
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑝′ − = 309,73 − ⟹ 𝑽𝒅𝒄 = 𝟑𝟎𝟑, 𝟒𝟕𝑽
𝐶 1000
cálculo da tensão de ripple:
2,4𝐼𝑑𝑐 2,4.1500
𝑉𝑟(𝑒𝑓) = = ⟹ 𝑽𝒓(𝒆𝒇) = 𝟑, 𝟔𝑽
𝐶 1000
cálculo do fator de ripple:
𝑉𝑟(𝑒𝑓) 3,6
𝑟= . 100% = . 100% ⟹ 𝒓 = 𝟏, 𝟏𝟗%
𝑉𝑑𝑐 303,47
dimensionamento dos diodos:
𝐼𝑑𝑐 1,5
𝐼𝑑(𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜) ≥ . 1,5 = .1,5 ⟹ 𝑰𝒅(𝒅𝒊𝒐𝒅𝒐) ≥ 𝟏, 𝟏𝟑𝑨
2 2
𝑉𝑅(𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜) ≥ 𝑉𝑝 .1,5 = 311,13.1,5 ⟹ 𝑽𝑹(𝒅𝒊𝒐𝒅𝒐) ≥ 𝟒𝟔𝟔, 𝟕𝑽

Pode ser utilizado o diodo 1N5406 cujas características são: VRmáx = 600V e Idmáx = 3A
dimensionamento do capacitor:
𝑉𝐶 ≥ 𝑉𝑑𝑐 . 1,5 = 303,47.1,5 ⟹ 𝑽𝑪 ≥ 𝟒𝟓𝟓, 𝟐𝟏𝑽

Da tabela de capacitores da pág. 40, a maior tensão disponível é de 450V, que seria
aceitável para este projeto, por sem bem próxima do valor calculado (455V). Poderiam ser
ligados dois capacitores de 250V cada em série, para obter uma tensão de 500V no conjunto.
Neste caso, é preciso lembrar que a capacitância equivalente diminui em capacitores em
série: seriam necessários dois capacitores de 2200µF e 250V ligados em série para obter
um equivalente de 1100µF e 500V.
dimensionamento do resistor:
𝑉𝑑𝑐 303,47
𝑅= = ⟹ 𝑹 = 𝟐𝟎𝟐, 𝟑𝟏𝛀
𝐼𝑑𝑐 1,5

(𝑉𝑑𝑐 )2 (303,47)2
𝑃𝑅 ≥ 1,5 = 1,5. ⟹ 𝑷𝑹 ≥ 𝟒𝟓𝟓, 𝟐𝟏𝑾
𝑅 202,31
39
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ATENÇÃO: Capacitores eletrolíticos têm

VÁLVULA DE
polaridade definida. Caso seja aplicada ao SEGURANÇA
capacitor uma tensão com polaridade in- POLO
POSITIVO
vertida, ele será danificado!
Alguns, como o mostrado ao lado têm vál-
vula de segurança, que liberará o vapor
aquecido do eletrólito (isolante) a alta tem-
peratura. POLO
Outros (geralmente os menores) que não NEGATIVO
possuem essa válvula, EXPLODIRÃO!

DIODO 1N540X

Comparação física entre os diodos

utilizados neste capítulo e uma
ponte retificadora PONTE RETIFICADORA
2W10 (2A/1000V)
DIODO 1N400X

FORMULÁRIO E TABELAS
Valores comerciais típicos de capacitância (em mF) e tensão de capacitores eletrolíticos
1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 10 15 22 33 47 68
100 150 220 330 470 680 1000 1500 2200 3300 4700 6800 10000
10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V 160V 250V 350V 450V

Diodos
4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007
Id 1,0 A
VR 50 100 200 400 600 800 1000 V
1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408
Id 3,0 A
VR 50 100 200 400 600 800 1000 V

Retificação e filtragem Transformadores

½ onda 𝑉1 𝑁1 𝐼2
𝑛= = =
𝑉𝑝 − 𝑉𝑑 𝑉𝑑𝑐 𝑉2 𝑁2 𝐼1
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑚 = 𝐼𝑑𝑐 = 𝐼𝑚 = 𝐼𝑑 = 𝐼𝑑𝑐 𝑉𝑅 = 𝑉𝑝 𝑉𝑝′ = 𝑉𝑝 − 𝑉𝑑
𝜋 𝑅𝐿
P1 = P2
(sem perdas)
onda completa com CT
2(𝑉𝑝 − 𝑉𝑑) 𝑉𝑑𝑐 𝐼𝑑𝑐
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑚 = 𝐼𝑑𝑐 = 𝐼𝑚 = 𝐼𝑑 = 𝑉𝑅 = 2𝑉𝑝 𝑉𝑝′ = 𝑉𝑝 − 𝑉𝑑
𝜋 𝑅𝐿 2 𝑉𝑝
𝑉𝑒𝑓 =
√2
onda completa em ponte
2(𝑉𝑝 − 2𝑉𝑑) 𝑉𝑑𝑐 𝐼𝑑𝑐
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑚 = 𝐼𝑑𝑐 = 𝐼𝑚 = 𝐼𝑑 = 𝑉𝑅 = 𝑉𝑝 𝑉𝑝′ = 𝑉𝑝 − 2𝑉𝑑
𝜋 𝑅𝐿 2

filtragem
2,4𝐼𝑑𝑐 2,4. 103 𝑉𝑑𝑐 𝑉𝑟(𝑒𝑓) 2,4𝐼𝑑𝑐 2,4. 103
𝑉𝑟(𝑒𝑓) = = 𝑟= . 100% = . 100% = . 100%
𝐶 𝑅𝐿 𝐶 𝑉𝑑𝑐 𝐶𝑉𝑑𝑐 𝑅𝐿 𝐶

4,17𝐼𝑑𝑐 𝑉𝑝′
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑝′ − =
𝐶 4,17. 103
1+
𝑅𝐿 𝐶
(C em µF Idc em mA RL em Ω)
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Exercícios

2.1- Qual a tensão de saída de um transformador monofásico alimentado com 440V, sa-
bendo que o primário possui 150 espiras e o secundário 50?
Resp.: 146,7V

9V 1,8W
2.2- Dado o diagrama do transformador ao lado, determinar: 220V
a- a potência em cada enrolamento secundário; 611esp
b- a quantidade de espiras em cada enrolamento;
15V 7,5W
c- a corrente do primário caso o dispositivo seja ligado em 110V
110V (0-110) e também para a ligação em 220V (0-220).
15V 7,5W
Resp.: 45W, 30W, 30W; 611 esp, 50 esp, 83 esp, 83 esp; 0V
950mA, 477mA

2.3- Um transformador possui no primário uma bobina com 500 espiras e no secundário
duas bobinas, uma com 28 espiras e outra com 90 espiras. Sabendo que o transformador foi
alimentado com 220V, pede-se:
a- o diagrama do dispositivo;
b- as tensões das bobinas do secundário.
c- caso o transformador fosse alimentado com 110V, quais seriam as tensões do secundá-
rio.
Resp.: 12,3V, 39,6V; 6,15V, 19,8V

2.4- Na rede de distribuição elétrica residencial que podemos ver nas ruas de nossas cida-
des, os fios do alto do poste (alta tensão, 13,8KV em Santos) são finos e ligados ao primário do
transformador abaixador. No secundário desse transformador temos 110V, 127V ou 220V para
alimentação das residências. Os cabos do secundário são bem mais grossos do que os do
primário. Por quê?

41
Prof. José Daniel S. Bernardo Eletrônica I

2.5- Sabendo que:

- As lâmpadas acendem quando a tensão sobre elas excede 5Vef
- Os diodos são ideais
Determinar: L3 L5
a- Quais as formas de
onda sobre as lâmpa- 12V
das.
b- Quais as tensões (valor L1 L2 L4 L6
eficaz) sobre as lâmpa-
das.
c- Quais lâmpadas acendem.

Vi Vi

0 p 2p 3p 4p 0 p 2p 3p 4p
t t

VL1 VL4

0 p 2p 3p 4p 0 p 2p 3p 4p
t t

VL2 VL5

0 p 2p 3p 4p 0 p 2p 3p 4p
t t

VL3 VL6

0 p 2p 3p 4p 0 p 2p 3p 4p
t t

Resp.: 8,49V; 8,49V; 12V; 0V; 6V; 6V; todas menos L4

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2.6- Determine a tensão DC na carga e as características dos diodos, para retificação dire-
tamente da rede (sem transformador), de ½ onda e de onda completa, ambas sem filtro, para
as tensões de 110V, 220V e 440V. A carga para todas as fontes é de 100Ω. Considerar os
diodos ideais. Escolha os diodos mais adequados e desenhe o diagrama das fontes.

Resp.: (Vdc, Id(diodo), VR(diodo)) ½ onda; OC

110V 49,52V, 0,742A, 233,34V, 1N4004; 99V, 0,742A, 233,34V, 1N4004
220V 99V, 1,49A, 466,7V, 1N5406; 198,07V, 1,49A, 466,7V, 1N5406
440V 198,07V, 2,97A, 933,38V, 1N5408; 396,14V, 2,97A, 933,38V, 1N5408

2.7- A corrente média na carga de um circuito retificador é de 198mA. Sabe-se que a carga
é de 100Ω, que o transformador está ligado em 220V e sua relação de transformação é de 10:1.
Os diodos são ideais. Desenhe a forma de onda na carga.
Resp.: onda completa

2.8- Para o circuito abaixo, responda as questões, considerando Vd=0,7V:

a) Qual o tipo de retificação?
b) Determine as tensões de pico no secundário e na
carga. 35:1 D Idc
c) Desenhe as formas de onda no secundário do
transformador e na carga, respeitando a ampli- 1N4001
100Ω RL Vdc
tude dos sinais.
220V
d) Determine as tensões média e eficaz na carga. 60Hz
e) Determine as correntes média e eficaz na carga.
f) Determine a corrente de pico no diodo.
g) O retificador está corretamente dimensionado (FS=1,5)??
h) Qual a frequência do sinal na carga?

Vsec VL

0 p 2p 3p 4p 0 p 2p 3p 4p
t t

Resp.: ½ onda; 8,9Vp e 8,2Vp; 2,61Vm e 4,1V; 26,1mAm e 41mA; 82mAp, sim, 60Hz

2.9- Para o circuito abaixo, considerando Vd = 0,7V, calcule as correntes média e eficaz na
carga e desenhe a forma de onda sobre ela.

1:2 D Idc
VL

10Ω RL Vdc
20V
60Hz 0 p 2p 3p 4p
t

Resp.: 1,8Am e 2,79A

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2.10- Para o circuito abaixo, responda as questões, considerando os diodos ideais:

a) Qual o tipo de retificação?
b) Determine as tensões de pico nos secundários.
c) Desenhe as formas de onda nos secundários do 5:1
transformador e na carga. 100Ω RL
d) Determine as tensões média e eficaz na carga.
2x1N4002
e) Determine as correntes média e eficaz na carga.
f) Determine a corrente de pico nos diodos. 440V
60Hz
g) Os retificadores estão corretamente dimensiona-
dos (FS=1,5)? 5:1
h) Qual a frequência do sinal na carga?

Vsec1 Vsec2 VL

0 p 2p 3p 4p 0 p 2p 3p 4p 0 p 2p 3p 4p
t t t

Resp.: onda completa com transf. CT; 124,45Vp; 79,2Vm e 88V; 0,792Am e 0,88A;
1,24Ap; sim para corrente e não para tensão; 120Hz

2.11- Para o circuito ao lado, considerando o valor mais

adequado para Vd, determine o tipo de retificação e calcule as 40:1
correntes média e eficaz na carga.
10Ω

220V RL
60Hz

40:1

Resp.: onda completa com transf. CT; 451mAm e 500mAef

2.12- Para o circuito, considerando os diodos ideais, se o diodo D1 abrir, desenhe a forma
de onda e determine as tensões média e eficaz na carga.
D1

VL 20:1

RL

0 p 2p 3p 4p 127V
t 60Hz

20:1

Resp.: 2,86Vm e 4,49V D2

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2.13- Projete uma fonte com retificador em ponte, para alimentar uma carga de 5Ω com 6V.
O ripple deve ser de 1%.
Resp.: Vsec(ef) = 5,3V; Id(diodo) ≥ 0,9A; VR(diodo) ≥ 11,25V; C = 48000µF; VC ≥ 9V; 4 X 1N4001

2.14- Uma fonte de onda completa com transformador de CT tem uma tensão de 4,65V nos
secundários. A carga consome 0,5A de corrente e o capacitor de filtro é de 2400µF. Determine
as características funcionais da fonte.
Resp.: Vdc = 5V; r = 10%; Id(diodo) ≥ 0,38A; VR(diodo) ≥ 19,7V; VC ≥ 7,5V; 2 X 1N4001

2.15- Projete uma fonte para 12V, carga de 10Ω e ripple de 2%, utilizando transformador
de CT.
Resp.: Vsec(ef) = 9,27V; Id(diodo) ≥ 0,9A; VRmáx ≥ 39,3V; C = 12000µF; VC ≥ 18V; 2 X 1N4001

2.16- Para o circuito abaixo, onde o fator de ripple desejado da tensão na carga é de 5%,
determine:
a) a tensão eficaz no secundário do transformador;
b) as características dos diodos (VRmáx e Idmáx) e os diodos mais adequados;
c) o valor do capacitor de filtro e sua tensão.

Considerar o fator de segurança para dimensionamento dos componentes igual a 50%.

Considerar a queda de tensão sobre cada diodo, na polarização direta, igual a 0,7V.

Vpri Vsec D2 D1
D3 D4
+
12Ω C 12V

Resp.: 10,11V; 0,75A, 21,45V, 1N4001; 4700µF/25V (cálculo 4000 µF/18V)

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2.17- Analise o funcionamento do circuito abaixo. As tensões de

secundário são iguais a 12V e Vd é de 0,7V. Determinar: Vsec1
a- as formas de onda de tensão nos secundários e nas car-
gas;
0 p 2p 3p 4p
b- as tensões V1 e V2 nas cargas (valores de pico e médio) e t
respectivas polaridades em relação ao terra;
c- como seriam ligados ao circuito os capacitores eletrolíticos
de filtro (desenhe-os); Vsec2
d- qual o nome e aplicação deste tipo de retificador

0 p 2p 3p 4p
t

Vsec1
D2 D1
Vpri V1
D3 D4

V1 RL1
Vsec2 0 p 2p 3p 4p
t

V2 RL2
V2

Resp.: b- V1= 16,27Vp; V2= -16,27Vp; 0 p 2p 3p 4p

t
V1= 10,36Vdc; V2= -10,36Vdc

2.18- Para um retificador com transformador de CT, determinar:

a- a tensão nos secundários do transformador;
b- as características do capacitor (capacitância e tensão);
c- as características dos diodos (VR e Id) e o diodo mais adequado.

Dados:
- a tensão na carga deve ser de 24V com 2% de ripple na pior situação;
- a resistência da carga varia entre 12Ω e 100Ω.

Resp.: Vsec(ef) = 18V; C = 10000µF; VC ≥ 36V; Id(diodo) ≥ 1,5A; VRmáx ≥ 76,6V; 2 X 1N5401

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2.19- Concurso dos Correios, Eng. Eletrônica, 2011

Resp.: V, F, F

2.20- Concurso Técnico Eletrônica, Eletrosul, 2008

Resp.: d)

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2.21- Concurso Eng. Eletrônico, Automação Residencial e Industrial, Infraero, 2009

Resp.: (D)

2.22- Concurso Eng. Eletrônico, Automação Residencial e Industrial, Infraero, 2009

Resp.: (E)

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2.23- Concurso Técnico Eletrônica, Metro-DF, 2014

Resp.: (E)

Resp.: (A)
A resposta do ponto B
será vista mais adiante
Resp.: (B)

2.24- Concurso Técnico Eletrônica, Infraero, 2011

Resp.: (E)

49
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2.25- Concurso Técnico Eletrônica, Metro-DF, 2014

Resp.: (B)

2.26- Concurso Técnico Eletrônica, Infraero, 2011

Resp.: D

50
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2.27- Concurso Eng. Equip. Jr., Petrobrás, 2004

A resposta da questão 57
será vista mais adiante

Resp.: V, F, F, V, F, V

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2.28- Concurso Técnico Manut. Eletrônica, Petrobrás, 2005

Resp.: (E)
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2.29- Provão, Eng. Elétrica. 1999

Resp.: próx. página

53
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Respostas exerc. 2.29

2.30- Exame de Admissão, Estágio Oficiais Engenheiros Aeronáutica, Eng. Eletrônica, 2019

Resp.: d) (??)

2.31- Exame de Admissão, Estágio Oficiais Engenheiros Aeronáutica, Eng. Eletrônica, 2019

Resp.: c)

2.32- Exercício obtido de uma apostila da Faculdade de Engenharia Electrotécnica da

Universidade Nova de Lisboa.

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