Aula 9 (Início da segunda prova)

Semicondutores
▪ Tudo que já foi explicado anteriormente é válido, um material semicondutor tem a capacidade de
emular o comportamento de um condutor e de um isolante, deve ter o mínimo de impureza possível,
não suporta variações bruscas de aquecimento.
▪ Digamos que uma energia é aplicada ao átomo, e com isso o elétron ganha energia, entra em
movimento e sai do átomo, gerando um espaço vazio no espaço que ele ocupava. Este espaço vazio
tem o comportamento de uma quasipartícula, sendo denominado de buraco eletrônico ou vacância.
Neste espaço é gerado uma carga positiva igual à carga do elétron (carga negativa) que estava lá
anteriormente, e quando essa carga entra em movimento, também gera corrente elétrica. No
momento em que o elétron se movimenta e deixa o buraco eletrônico, o elétron que ficou tende a
“tapar” o espaço deixado pelo primeiro, e assim sucessivamente. Ou seja, a corrente elétrica é a
contribuição do movimento dos elétrons e dos buracos eletrônicos, principalmente nos
semicondutores, porque nesses materiais a quantidade de elétrons é muito menor que nos
condutores.
▪ O GAP é neste material é < 2eV. Com isso os elétrons são capazes
de conduzir eletricidade com pequenas energias (como em
células fotovoltaicas de Si), fazendo com que o elétron saia do
seu átomo e vá para outro, gerando corrente elétrica.
▪ Os tipos de materiais semicondutores são muito variáveis, como
diodos, transistores, leds, diacs, triacs, etc. E todos eles são
baseados no Arsenieto de Gálio (AsGa), Silício (Si) e Germânio
(Ge). A grande variedade de dispositivos se deve ao
polimorfismo que estes elementos apresentam, sendo que para
gerar esses dispositivos alteramos a relação elétron-vacância,
pois naturalmente a quantidade deles são exatamente iguais para gerar estabilidade.
▪ A corrente elétrica pode ser de dois tipos: real ou convencional, no qual são opostos
matematicamente.
▪ Portador de carga – porta a capacidade de gerar corrente elétrica (elétrons e vacâncias). Os elétrons
que estão presentes na banda de condução também têm a capacidade de “tapar” os buracos
eletrônicos da banda de valência, gerando um processo dinâmico.
▪ Como vimos, a carga do buraco eletrônico é igual à carga do elétron que o deixou, só que no sentido
oposto, porém, o buraco eletrônico “não existe”, sendo apenas um espaço vazio com carga positiva.
Com isso, a relação carga-massa dos elétrons é diferente dos buracos eletrônicos. Assim temos que
entender como a rede funciona. Por exemplo, no momento que o elétron se desloca para fora do seu
átomo gera o buraco eletrônico carregado positivamente, sendo que o elétron é uma partícula e
apresenta massa e velocidade, ou seja, momento . Mas o que seria a massa do buraco eletrônico pois
este também apresenta momento? A massa do buraco eletrônico nada mais é que a massa da rede,
sendo o conjunto inteiro da célula unitária e dos agrupamentos da célula.
▪ Seguindo esse pensamento, o elétron apresenta uma massa muito menor que a dos buracos
eletrônicos, assim sua mobilidade é muito maior, fazendo com que tenha mais facilidade de se
movimentar e gerar corrente elétrica. É necessária uma pequena voltagem para fazer o elétron se
movimentar, enquanto no buraco eletrônico é necessária uma alta voltagem. Por isso, a corrente
gerada pelos elétrons é diferente da corrente gerada pelas vacâncias. ().
▪ A corrente elétrica medida é a contribuição das vacâncias e dos elétrons. E isso é muito importante
porque nos sistemas digitais temos processadores que são baseados nas correntes dos elétrons e
outros baseados na corrente dos buracos, tendo densidades de corrente e mobilidade diferentes,
gerando chaveamentos e processamentos diferentes.

Semicondutores na tabela periódica

▪ Quando combinados entre si os metais das colunas II, III, V e VI assumem propriedades
semicondutoras. Na coluna IV estão os semicondutores naturais que são o Si, o Ge e o Sn, sendo
que o estanho é muito ruim atuando como semicondutor. Por isso, podemos considerar apenas o Si e
Ge.
▪ Os semicondutores à temperatura criogênica que dão origem aos supercondutores.
▪ O Si e o Ge não foram usados para fazer ótica devido à transição indireta. (Aula 10)
▪ Os elementos destacados à esquerda da coluna IV (II e III) são metais (condutor), e à direita (V e VI)
são metaloides (isolante). Um exemplo da combinação desses materiais é o Arsenieto de Gálio
(AsGa; III e V), muito utilizado para fazer ótica (transição direta).
▪ Os elementos da coluna IV, apresentam naturalmente 4 elétrons na última camada, e para gerar
estabilidade basta unir outros átomos do mesmo elemento nas ligações.
▪ Semicondutores sintéticos – é a união de elementos dentro dos destacados que apresentam diferentes
quantidade de elétrons na última camada, tendo interações das colunas III e V ou das colunas II e
VI. Como exemplo temos o AsGa e o InSb, conhecidos como compostos III VI, e CdTe (II VI).
Classes de semicondutores
▪ Intrínsecos – são os
semicondutores que
apresentam quantidade de
elétrons iguais ao de
buracos eletrônicos. Eles são puros, feitos pela natureza, sendo
poucos. E eles apresentam um grande problema que é a
facilidade de o elétron da BV tem de passar à BC. O GAP do
intrínseco é menor que 2eV (muito pequeno) e são muito
sensíveis à elevação de temperatura, na faixa de . Por isso são
pouquíssimos utilizados na engenharia. Uma das poucas
aplicações dos semicondutores intrínsecos são nas células fotovoltaicas de Si e nos termistores
(utilizado para detectar variações de temperatura através da sua queda de resistência, sensor
térmico). A corrente é baseada nos elétrons e nas vacâncias, porque para cada deslocamento de
elétron é gerado um buraco, mantendo o sistema e igual. Essas correntes se somam, porque mesmo
sendo em sentidos contrários, elas apresentam cargas também opostas.
▪ GAP se modifica com a variação negativa da temperatura (próximo de 0K), porém para efeito prático
essa mudança pode ser desprezada e admitindo o GAP fixo. Para modificação desse GAP e criar
novas características são adicionados outros elementos com o objetivo de criar uma “escada” de
níveis de energia. Esse processo se chama de dopagem (colocar uma “impureza” ao elemento para
controlar o nível de energia entre as bandas). Essa dopagem é controlada, tendo proporção de
impureza na faixa de 1/1trilhão.
▪ Extrínsecos – são semicondutores com dopagem controlada e que não apresentam variações bruscas
de temperatura quando comparada aos intrínsecos. Eles que são utilizados na engenharia. São os
artificialmente impuros.
❖ Tipo N – A sua dopagem ocasiona excesso de elétrons no sistema (carga . Por exemplo, quando
realizamos a interação do Silício com o Fósforo (SiP), onde
 o Si apresenta 4 elétrons na última camada e o P 5 elétrons,
desta maneira ficamos com 1 elétron de excesso. Por causa
disso, a corrente nos dispositivos com esse tipo de material é
baseada nos elétrons e isso aumenta a condutividade desse
material. O GAP do material dopante faz com que a energia
necessária para o elétron ir à BC seja diminuída. Os
elementos doadores são o As, P, Sb (coluna V).

❖ Tipo P – A sua dopagem ocasiona excesso de buracos eletrônicos (carga ) e faz com que sejam
acrescentados próximos à BV. Isso faz com que as correntes nesses dispositivos sejam baseadas
nos buracos eletrônicos. Os elementos receptores são Al, Ga e In (coluna III). A aplicação mais
importante desses semicondutores (p e n) está na chamada junção pn.

▪ A magnitude da descontinuidade de energia

geralmente decresce quando nos deslocamos
das posições mais altas para as mais baixas na
tabela periódica.
▪ A mobilidade dos elétrons em um dado
semicondutor é muito maior que a mobilidade
de buracos, pois o elétron tem massa muito
menor. Isso será importante quando se
considera o uso de semicondutores tipo N em
contraste com os do tipo P.
Aula 10 (continuação-semicondutores)
▪ Quando você tem uma dopagem do tipo P (positivo), você está colocando muitos buracos eletrônicos
dentro do semicondutor, a energia dos buracos (orbitais vazios) está próxima da banda de valência. No
caso do tipo N (negativo), a energia dos elétrons em excesso vai está próximo da banda de condução.
▪ Todo semicondutor age da mesma forma? Não, quando você doa buracos ou elétrons para um
semicondutor seja natural ou artificial (AsGa-principal), o que você vai fazer é com que esses elétrons
e buracos ajam de forma diferente da convencional, já que eles naturalmente são diferentes, o elétron é
partícula pontual carregada e o buraco é uma quasipartícula.
▪ A rede cristalina dos semicondutores é uma estrutura anisotrópica, ou seja, dependendo do lado do cristal
que você observa você vai ter um comportamento
diferente do obtido no outro lado, o cristal não apresenta
uma simetria. Isso é importantíssimo nos semicondutores,
por que é por causa dessa propriedade que você obter
semicondutores com comportamentos diferentes e,
portanto, aplicações diferentes. Isto explica por que
existem os semicondutores não-óticos (analógicos) e os
óticos (digitais).
▪ O semicondutor quando num dispositivo ele é isolante
(NÃO TEM TENSÃO APLICADA) quando você coloca
tensão sobre ele começa a ser um condutor ou um isolante, depende da tensão aplicada, ou seja, a ddp a
qual ele é submetido vai fazer com que ele sai do isolamento, natural dele, e se torne um condutor ou
continue emulando um isolante. Além disso, essa ddp é baixíssima, já que o gap é .
▪ Por que um semicondutor (dispositivo) é naturalmente isolante? Pois desta forma é mais fácil
controlar seu comportamento, é mais simples fazer com que ele sai do comportamento isolante e passe
para um comportamento condutor, emule o condutor.
Transição direta e indireta
▪ A luz nada mais é do que um processo foto eletrônico, que você deu energia para o elétron e ele sai da
banda de valência vai para a banda de condução, ao chegar nesta banda ele decai eletronicamente,
decai em energia, por algum processo, liberando essa energia que ele ganhou na forma de luz. Não é
todo semicondutor capaz de gerar luz, dessa forma existem os semicondutores óticos e não-óticos
(analógicos).
▪ O Silício e o Germânio geram dispositivos baseados na transição indireta, quando você dá energia aos
elétrons desses elementos e eles conseguem ir à banda de condução, mas conseguem produzir uma
corrente elétrica efetiva, isto significa que energia não foi suficiente para ele começar a conduzir de
verdade, o elétron tende a voltar à banda de valência, nesse momento o elétron começa a devolver o
excesso de energia que ele havia ganhado, começa a desperdiçar uma boa quantidade dessa energia,
isso faz com que vá para o gap, como é uma região proibida, o elétron devolve o restante de energia em
excesso e retorna à banda de valência. Da banda de condução até o gap, a energia devolvida é
convertida em fónons e calor. Do gap para a banda de valência, a energia devolvida é convertida em
luz.
▪ No caso do GaAs (Arseneto de gálio), o elétron ganha energia, vai para à banda de condução, não
consegue se manter lá, decai em energia e retorna diretamente para à banda de valência, por isso é
chamado de transição direta. Nesse processo, toda energia devolvida é na forma de luz. Nos
dispositivos formados a partir do Arseneto de Gálio, eles geram luz de forma direta, já nos dispositivos
baseados em silício e/ou germânio de forma indireta.
▪ Arseneto de Gálio é bom para a fotoeletrônica. Fotodetectores, foto emissores, fotorreceptores,
fotodiodos, controladores de alto frequência são feitos de GaAs, nesses casos a luz é o produto.
Quando você não quer que seja gerada luz, saindo do digital e indo para o analógico, você vai utilizar o
silício e o germânio.
 ▪ As

bandas de energia não têm uma forma

linear, e sim uma forma gaussiana. Isso se dá por um motivo simples, em um átomo os elétrons mais
afastados do núcleo têm mais energia, portanto na rede cristalina há átomos com mais energia e átomos
com menos energia. Isso é importante, pois o que vai interessar é topo da banda de valência e o vale da
banda de condução, pois é esta distância (energia) que o elétron precisa atravessar para chegar à banda
de condução, se estiverem alinhadas.
▪ A transição indireta ocorre quando num cristal o máximo da banda de valência e o mínimo da banda de
condução estão em lados diferentes do cristal, como no caso do silício e do germânio. A transição
direta ocorre quando o máximo da banda de valência e o mínimo da banda de condução estão no
mesmo lado do cristal, estão alinhados, como ocorre no GaAs.
Mobilidade eletrônica - É a capacidade do elétron de se movimentar dentro da rede, que depende da sua
ligação ou da própria rede. O que faz com que a mobilidade dos elétrons mude é:
▪ Potencial oscilante da rede – depende da rede que o elétron está, se a rede é positiva ou negativa, do
ponto de vista e cargas, o elétron vai andar mais ou menos.
▪ Presença de impureza – colocando-se um dopante, ele vai tapar o caminho pelo qual o elétron iria
passar.
▪ Defeitos cristalinos – deformação da rede, erro de rede.
Tipos de corrente
▪ Deriva: Obriga o elétron a andar por meio de uma ddp, obriga a corrente elétrica a acontecer.
▪ Difusão: Depende da composição química, natural.
Variação da concentração de corrente e condutividade com a temperatura
▪ O semicondutor aumentou a temperatura ele sente muito. Não suporta aquecimento. O aumento da
temperatura causa um aumento significativo da condutividade do semicondutor.
Junção PN
▪ A única forma de gerar um dispositivo a partir de um semicondutor é através da junção PN. Quando um
semicondutor do tipo p (falta de elétrons, excesso de vacâncias) é adicionado a um do tipo n (excesso
de elétrons), de modo que a interseção entre eles forme uma junção de mudança gradativa de
característica de condução. Pode ser vista como uma propriedade natural dos dispositivos
semicondutores.
▪ Nos semicondutores do tipo p, as impurezas introduzidas
criam do ponto de vista energético níveis de energia
ligeiramente acima do topo da banda de valência, nível de
Fermi próximo da banda de valência. Já no tipo n, as
impurezas introduzidas criam do ponto de vista energético
níveis de energia ligeiramente abaixo da banda de condução,
nível de Fermi próximo a banda de condução. Graças à
junção PN temos tudo hoje de eletrônica digital.
▪ Logo após a formação da junção PN, alguns elétrons livres se difundem (corrente de difusão) do
semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p. O mesmo processo ocorre com algumas lacunas
existentes no semicondutor tipo p que difundem para o semicondutor tipo n. Isso acontece porque o
 elétron quer preencher o orbital vazio. Assim, ocorre simultaneamente a formação de duas correntes
elétricas que se somam a do elétron e a do buraco. A formação da depleção ocorre naturalmente.
▪ Como a corrente é de difusão em certo momento o movimento
dos buracos e dos elétrons cessa, fazendo com que uma
quantidade de elétrons do lado n para o lado p e uma
quantidade de buracos passe para o lado n, mas esses
portadores de carga ficam próximos à região de interseção dos
semicondutores, eles não conseguem penetrar totalmente os
semicondutores, formando uma região chamada de depleção.
▪ Com o aparecimento da região de depleção, o transporte de
elétrons para o lado p é bloqueado, pois estes são repelidos da região negativamente carregada do lado
p. O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte para o lado n é repelido pelas cargas positivas
existentes no lado n da junção. Portanto, imediatamente após a formação da junção, uma diferença de
potencial positiva é gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial previne a continuação do
transporte de portadores através da junção PN não polarizada. Quando a barreira se formar,
naturalmente, o dispositivo semicondutor se transformar num
dispositivo isolante. Dependendo da forma (polarização) que
o campo elétrico é aplicado sob a junção ela passa a conduzir
ou não. Com a junção formada o novo gap do material é o
próprio gap da barreira, isto é, a altura da colina de potencial
na figura abaixo, o .
▪ Aplicando-se uma
tensão nas
extremidades
deste
dispositivo,
com o lado
negativo na
região p e o
lado positivo na
região n, o
seguinte
fenômeno se
processa. A
energia de
todos os elétrons da região p irá aumentar e a energia dos elétrons da região n irá diminuir aumentando
assim a barreira de potencial entre as duas regiões. Elétrons na banda de condução da região n, para ir
à banda de condução da região p, têm de subir toda a "colina" de energia que as separam, na junção,
além de sofrer a repulsão do campo elétrico negativo do outro lado. Isso resulta numa resistência muito
alta na junção e a condução de corrente é mínima, pois a junção está sob polarização reversa.
▪ Se agora conectamos a fonte de tensão com o negativo na extremidade n e o positivo na extremidade p, a
chamada polarização direta, a barreira de potencial diminuirá, ou seja, a altura da "colina" de potencial
na junção diminuirá. Muitos elétrons na região n terão já energia suficiente para subir essa colina e
atravessar a junção, em direção à banda de condução da região p. Ou seja, a resistência da junção cai
repentinamente, permitindo alta condução elétrica. Em adição, os elétrons da região n sofrem atração
pelo campo elétrico positivo agora presente na região p. Logicamente, falamos dos elétrons que já
estão presentes nas bandas de condução de cada semicondutor.
▪ Observação: região de esgotamento – região de vazamento. Vazam buracos do p para assim como vazam
elétrons do n para o p.

Aula 11
Diodos
▪ Será o primeiro dispositivo elétrico a ser estudado e é a base de formação de todos os outros
dispositivos semicondutores utilizados na engenharia elétrica, como os diacs, triacs, transistores, etc.
A combinação dos diodos P/N irá formar essa variedade de dispositivos. Todo mundo sabe o
 símbolo de um diodo. O diodo é um dispositivo passivo e assimétrico (anisotropia).
▪ O diodo é um componente que pode se comportar como um isolante e um condutor, dependendo da
forma como a tensão é aplicada em seus terminais. Esse semicondutor apresenta simultaneamente
um lado com a barreira N e outro com a barreira P (junção PN). A corrente de difusão presente no
interior da região de depleção é responsável pela queda de tensão no diodo e nos outros dispositivos.
Semicondutores em geral não suportam tensão alternada.
Funcionamento do diodo
▪ Devido à junção PN, existe a presença natural da barreira de proteção (contenção), formando um
campo elétrico que faz com que os elétrons e as vacâncias não passem para o lado oposto, como já
foi explicado na aula 10.
▪ Quando que o diodo passa a conduzir? Ele irá conduzir ao ser aplicado um nível de tensão acima da
energia potencial do sistema, que nada mais é que a diferença entre as bandas de condução do lado
N e do lado P. Assim a corrente de deriva aplicada pelo nível de tensão irá superar a corrente de
difusão da região de depleção fazendo com que os elétrons passem para o lado P e os buracos para o
lado N.

▪ A corrente de difusão é gerada pelos portadores minoritários do sistema, que são formados pelos
dopantes do semicondutor extrínseco.
▪ A energia potencial do sistema depende inteiramente do elemento que compõe o dispositivo. Para o
Ge é de , para o Si de e para o AsGa de .
Polarização - Dependendo da forma como a polarização de tensão é aplicada no diodo ele modifica
seu funcionamento.
▪ Sem tensão () – O diodo se comporta como um isolante, já que a região de depleção não se modifica.
▪ Polarização direta () – Temos dois casos nessa parte. Caso a ddp
aplicada for menor que a energia potencial do sistema (), a maior
parte dos elétrons e vacâncias (lacunas) não terão capacidade de
atravessar a junção PN, com isso será gerado apenas uma pequena
condução no diodo, quase desprezível. Quando a ddp é maior que a
energia da barreira (), será exercida uma pressão sobre a região de
depleção, fazendo com que ela se compacte e facilite a travessia dos
elétrons e das vacâncias. Isso acontece por causa da repulsão
eletrônica que acontece quando a ddp é aplicada, como vemos na
imagem anterior. A carga positiva aplicada pela ddp faz com que as vacâncias do lado P se
repulsam, sendo forçadas a se aproximar da região de depleção, o mesmo comportamento acontece
do lado N, só que com s elétrons .
▪ Polarização inversa ( – Situação de fácil entendimento. Como a ddp
está com polaridade diferente do natural do diodo, as cargas serão
atraídas pelo polo negativo da ddp, se afastando da barreira e as
cargas serão atraídas pelo polo positivo da ddp, também se afastando
da barreira. Com isso, a pressão sobre a região de depleção diminui,
fazendo que com que aumente seu tamanho, dificultando mais ainda a
travessia de elétrons e buracos. Ou seja, o diodo terá mais dificuldade
ainda de conduzir nessa situação. Dizemos que o diodo está em
bloqueio.
Características da barreira eletrônica
▪ Na imagem temos que o nível de Fermi é constante e a junção PN está em equilíbrio. Mas porque
este nível é constante? Antes do contato das regiões p e n da junção, portanto antes de alcançar o
equilíbrio, realmente os níveis de Fermi nas
regiões p e n não são iguais. A desigualdade
destes níveis faz com que, ao se efetuar o contato,
elétrons da região n migram para o lado p e
lacunas da região p migram para o lado n. Isto
porque os elétrons no lado n tinham inicialmente
 maior energia no lado n que no lado p e
analogamente para as lacunas, estas tinham
inicialmente maior energia no lado p que no lado
n (portadores de carga majoritários, por isso a
barreira é assimétrica). Como a natureza procura
o equilíbrio com o sistema com a mínima
energia, temos este fluxo inicial de portadores.
Em equilíbrio, a probabilidade de ocupação de todos os estados em certo nível de energia, ao longo
de todo a material, deve ser a mesma. Situação análoga é observada ao conectar-se, por meio de um
cano, dois tanques de água, inicialmente com níveis diferentes de água. A situação de equilíbrio é
alcançada com os níveis de água nos dois tanques se igualando.
▪ O elétron é uma partícula carregada leve, já a vacância é uma partícula pesada. Quando aplicamos um
nível de tensão no sistema, temos que a pressão aplicada pela ddp será a mesma no lado P e no lado
N, certo? Desse modo, se uma mesma pressão é aplicada em partículas de diferentes massas, qual
irá se movimentar mais facilmente? Obviamente o que tiver menos massa, no caso o .
▪ As partículas são mais pesadas que os . Isso significa que teremos um acumulo de cargas do lado P
mais compacta que do lado N, ou seja, do ponto de vista operacional teremos no lado P uma
grande quantidade de carga num espaço menor, já que o elétron de pequena massa não consegue
empurrar a vacância pesada.
▪ Isso muda no lado N, pois como o é mais pesado, ele é mais ignorante e não consegue frear. Assim, a
barreira do lado N formado pelos portadores de carga é maior que do lado P. Por isso a barreira
é assimétrica.
Curva característica
▪ A curva característica dos dispositivos explica seu modo de
operação. É um gráfico que relaciona tensão aplicada x
corrente de condução. O diodo é um material não ôhmico
(não linear). Ao lado temos a curva característica de um
elemento de Si e de Ge. Para o Ge, temos que ele entra no
regime de condução apenas a partir de e no Si a partir de .
▪ Através da curva também verificamos que enquanto a tensão
sobre o diodo não ultrapassa um valor limite, que corresponde
ao potencial da barreira , a corrente através do diodo
permanece muito pequena. A partir desse valor, a corrente no
diodo pode aumentar substancialmente sem que cause
aumento significativo na queda de tensão no diodo.
▪ Quando o diodo é reversamente polarizado, existe uma
corrente de fuga que aumenta gradativamente com o aumento
da tensão inversa nos terminais do diodo. No caso do Si
observamos esse comportamento quando a corrente de fuga
satura no valor de negativo.
Tempo de relaxação (Tempo de recuperação reverso)
▪ É o tempo que o dispositivo demora para alargar e comprimir a região de depleção, ou seja, é o tempo
gasto na transição entre isolamento/condução.
▪ Esse valor é muito importante pois irá indicar a frequência de operação do dispositivo.
▪ Dispositivos com alto tempo de relaxação são lentos e não são utilizados para chaveamentos ou em
sistemas de alta frequência, como os leds. Já os com baixo tempo de relaxação fazem a transição
isolamento/condução muito rapidamente, sendo ideais em sistemas de chaveamento rápido, como
em processadores, amplificadores, telecomunicações, etc.
▪ Nos diodos de junção PN (lenta recuperação), esse tempo é na faixa de microssegundos, enquanto nos
diodos Schottky é na faixa de nanossegundos (rápida recuperação).
▪ A figura abaixo mostra um caso onde o diodo conduzia diretamente () e que, depois de desligado,
existe um tempo em que a corrente flui no sentido inverso ().
Aula 12
Retificadores
▪ Uma das funções do diodo de junção PN é a retificação de onda alternada. O diodo retificador converte
níveis de tensão alternada para níveis de tensão contínua, realizam a conversão CA-CC. Existem duas
maneiras de conversão CA-CC, para alta potência e para baixas potências.
Conversão em alta potência
▪ Utiliza um grupo motor-gerador. O motor é alimentado pela tensão alternada da rede, gerando um torque
que é transferido para o gerador, e o gerador vai converter esse
movimento mecânico em uma corrente contínua. O grande problema
desse tipo de conversão é grande perda de potência. Por isso, é utilizado
apenas para altas potências.
Conversão em baixa potência
▪ É feita por diodos de junção PN. O diodo é capaz de gerar conversões
entre AC-DC, mudando a forma da onda, transformando uma onda
alternada em uma onda pulsada, mas completamente positiva. Os
retificadores podem ser classificados de três formas:
 ❖ Segundo a sua capacidade de ajustar o valor da tensão de saída (controlados x não controlados). Os
retificadores não-controlados são aqueles que utilizam diodos como elementos de retificação,
enquanto os controlados utilizam tiristores ou transistores. Os não-controlados apresentam na sua
saída uma tensão que ainda não é contínua, existe uma ondulação. Os controlados já apresentam a
retificação com um valor contínuo, sem ondulações.
❖ De acordo com o número de fases da tensão alternada de entrada (monofásico, trifásico, hexafásico,
etc.).
❖ Em função do tipo de conexão dos elementos retificadores (meia ponte x ponte completa).
Tipo de conexão dos elementos retificadores (não-controlados)
Retificador de meia onda
▪ Usualmente topologias em meia ponte não são aplicadas. A principal razão é que esta conexão gera
problemas quando a carga do sistema é indutiva ou capacitiva. A meia onda gera problemas de
aquecimento nesta situação e, portanto, perdas de potência.
▪ O diodo ideal com polarização direta comporta como uma chave fechada e com polarização reversa
comporta como uma chave aberta.

▪ Funcionamento do circuito: Para o ponto A positivo em relação

a B, o diodo está polarizado diretamente e conduz. A corrente
circula de A até B passando pelo diodo e RL. Para o ponto A
negativo em relação a B, o diodo está polarizado inversamente e
não conduz. Tem-se corrente em RL somente nos semiciclos
positivos de entrada. Os semiciclos positivos passam para a
saída e os semiciclos negativos ficam no diodo. A frequência de
ondulação na saída é igual à frequência de entrada.
▪ Quando o diodo está
inversamente
polarizado ele não
conduz, portanto,
teoricamente, a tensão
na carga é zero.
Entretanto, isso não
acontece. O que se
observa é um pequeno
valor de tensão negativa que corresponde ao gap do semicondutor em questão, no caso do silício é
0,7v e do germânio é 0,3v.
▪ Uma das poucas aplicações é na rádio frequência.

Retificador de onda completa utilizando transformador com derivação central ou com partição
▪ Há uma defasagem de 180º entre as tensões de saída do transformador, VA e VB. Quando A é positivo,
B é negativo, a corrente sai de A passa por D1 e RL e chega
ao ponto C, não há condução por D2 (polarização reversa).
Quando A é negativo, B é positivo, a corrente sai de B
passa por D2 e RL e chega ao ponto C, não há condução
por D1. Para qualquer polaridade de A ou de B a corrente
IL circula num único sentido em RL e por isto, a corrente
em RL é contínua. Temos somente os semiciclos positivos
na saída. A frequência de ondulação na saída é o dobro da
frequência de entrada.
▪ A função da partição
é fazer com os
 diodos não fiquem
em série, fazendo
com que os diodos
trabalhem um
alternando ao
outro, é um
aterramento para
gerar dois
caminhos. A bobina do secundário do transformador é dividida em duas, o que aumenta o volume
transformador. Essa retificação é utilizada para dispositivos grandes, como por exemplo, gerador,
motor. Retificações para dispositivos menores usa-se a configuração em ponte.
Retificador de onda completa em ponte
▪ O retificador em ponte dispensa o uso do transformador com partição. Quando A é positivo em relação
a B, a corrente sai de A passa por D1, RL, D3 e chega ao ponto B, D2 e D4 estão em aberto e não
conduzem. Quando A é negativo em relação a B, a corrente sai de B passa por D2, RL, D4 e chega ao
ponto A, D1 e D3 estão em aberto. Conduzem somente dois diodos de cada vez. Quando o ponto A é
positivo D1 e D3 conduzem. Quando o ponto A é negativo D2 e D4 conduzem. Para qualquer
polaridade de A ou de B a corrente IL circula num único
sentido em RL e por isto, a corrente em RL é contínua.
Temos somente os semiciclos positivos na saída. A
frequência de ondulação na saída é o dobro da frequência
de entrada. A frequência é o dobro, pois temos o dobro de
pulsação pelo mesmo período.
▪ Essa configuração é própria para dispositivos pequenos,
como carregador de celular.

Aplicação dos retificadores em ponte - fonte de alimentação

 1. Transformador: Diminui a amplitude da onda sem modificar sua forma. Diminui a tensão para
um valor próximo ao desejado.
2. Retificador: Composto por diodos, no caso dos não-controlados, tem a função de alterar a forma
de onda, tornando uma onda alternada em pulsativa, porém totalmente positivo.
3. Filtro: A ondulação na saída do circuito retificador é muito grande o que torna a tensão de saída
inadequada para alimentar a maioria dos circuitos eletrônicos. A filtragem é realizada por um
capacitor. A filtragem nivela a forma de onda na saída do retificador tornando-a próxima de uma
tensão contínua. A função do capacitor é reduzir a ondulação (o ripple) na saída do retificador e
quanto maior for o valor deste capacitor menor será a ondulação na saída da fonte. O problema de
capacitores com valores de capacitância muito grande é o seu elevado tempo de carregamento,
diminuindo, o que diminui a frequência de operação. Além disso, capacitores com alta
capacitância são bem grandes. Dessa forma apenas o filtro não suficiente para tornar a onda linear,
contínua.
4. Regulador: Para tornar a forma de onda linear (ou contínua) é utilizado um diodo zenner ou CI.
Ele elimina o ripple da onda.

Aula 13 – Fabricação, Aplicações e diodos Schottky

Processo de fabricação de diodos
▪ Nesse processo de fabricação são empregados etapas de deposição de polímeros, reação química no
estado gasoso e sólido e crescimento de cristal. A imagem abaixo mostra o fluxograma do processo
de fabricação do diodo.
❖ Temos inicialmente o Si puro.
❖ Agora o Si foi dopado com um excesso de elétrons ao ser ligado ao fio metálico, cujo tem o
objetivo de melhorar o contato ôhmico. Agora o Si é extrínseco. O significa que o Si tem muito
elétrons no sistema. A função desse excesso de elétrons é reduzir as perdas de potência.
❖ Crescimento do cristal – aumentar o tamanho físico do chip de Si. A camada é bem menor que a
camada (diferente da imagem).
❖ Processo de oxidação – o chip Si é aquecido, ocasionando uma reação química com o oxigênio e
formando o , que é uma camada isolante na superfície do material.
❖ Fotoligrafia – é o processo de pintura do material envolvendo luz. Tem o objetivo de formar uma
máscara para o
proteger
determinadas
áreas do chip. A
máscara pode
ter várias
formas. É
 inserido uma
camada de
resina
fotossensível
(esmalte), que
tem a
capacidade de se
solidificar
quando recebe
luz UV, se
tornando
insolúvel em
solvente. Entretanto, as partes que não estão sob o efeito da luz UV não se tornam insolúveis em
solvente, e é justamente a máscara superior à essa resina que protege certas áreas da ação da luz. A
máscara irá moldar a forma do chip. A luz UV tem o objetivo de queimar o que não desejamos que
apareça na máscara, e após a queima será gerado o negativo.
❖ Teremos a camada de Si e a camada de resina com um buraco devido a não solidificação da área
protegida pela máscara, fazendo com que essa área ainda fosse solúvel ao solvente que foi
aplicado, criando um canal até o que será utilizado para dopagem de impurezas do tipo P, porém,
esse canal ainda não está aberto devido a presença da camada de . Para retirada dessa camada
isolante, o chip será submetido à ação de um ácido, já que tem a capacidade de retirar a base .
❖ Dopagem – após a abertura do canal, o chip pode ser dopado com as impurezas tipo P. Para isso,
sofrerá a ação do gás (Arseneto de Hidrogênio) com aquecimento na faixa de , que irá penetrar na
abertura criada gerando a dopagem P. Desse modo, nós criamos a barreira PN. Esse processo tem o
nome de implantação iônica e é feito por laser.
❖ Agora para finalizar temos a inserção dos contatos metálicos por metalização.
▪ De acordo com os 8 processos acima que são criados os dispositivos semicondutores (mosfets, leds,
transistores, CIs, chip de computadores,
etc.). Ao lado temos um esquema real de
um diodo de junção PN.
Circuitos de aplicações dos diodos PN
▪ Além dos retificadores vistos na aula 12
temos ainda outros circuitos de
aplicações envolvendo diodos PN.
Circuito ceifador (limitador positivo)
▪ O circuito ao lado planifica a parte positiva da onda senoidal de
tensão alternada aplicada (climpar). Nessa configuração, a tensão
de pico terá uma queda de tensão equivalente à queda de tensão do
diodo (0,7V para o Si).
▪ Funcionamento do circuito – quando a tensão está positiva e ligada
ao lado P do diodo, ele está em condução, e com queda de tensão
de 0,7V no caso do Si, e esse nível de tensão permanece constante
no nível da queda de tensão do diodo (0,7V) até que a polaridade
da onda não se modifique, onde o diodo pare de conduzir.
▪ Se for colocado outro “climplamento” (diodo em paralelo
reversamente polarizado com o primeiro), a planificação
será feita na parte positiva e na parte negativa da onda
senoidal, com funcionamento análogo ao limitador
positivo. E se a frequência do sistema for elevada, será
imperceptível a transição no tempo da forma planificada
da onda na parte positiva e na parte negativa, fazendo um gerador de pulsos. Mas lembrando que o
diodo PN tem alto tempo de relaxação e não são utilizados em alta frequência.
Circuito limitador polarizado
 ▪ O circuito mostrado ao lado tem a capacidade
de planificar uma onda senoidal nos polos
positivos e negativos, e com a capacidade de
controlar a queda de tensão de pico da fonte
alternada. A queda de tensão no diodo
continua em 0,7V (Si), mas as fontes V1 e
V2 fazem com que o nível da planificação da
onda seja controlado.
▪ Funcionamento do circuito – o funcionamento
é o mesmo de um circuito ceifador, se diferenciando na aplicação das fontes V1 e V2, que ao serem
utilizadas, se complementam à queda de tensão de 0,7Vdo diodo e alteram a amplitude da
planificação.
Circuito Grampeador (clamper)
▪ Ao contrario que o nome do circuito indica, ele não
tem a capacidade de cortar a onda. Sua função é de
“deslocar” a onda, com o mesmo formato de sinal,
que contém valores positivos e negativos, para apenas
valores positivos. Isso faz com que dispositivos que
não podem receber tensões negativas possam receber
a forma do sinal vinda da fonte alternada.
▪ Funcionamento do circuito
– um capacitor é
colocado alinhado à fonte
e em paralelo ao diodo.
Durante a polarização
negativa da fonte de
tensão, o capacitor será

carregado, e no momento que a polaridade for invertida, o ramal do diodo fica em aberto e a energia
armazenada no capacitor será descarregada sobre à carga, fazendo com que sempre receba valores
positivos de tensão.
Telecomunicações
▪ A área de Telecom trabalha essencialmente com transmissões de sinais, e para sua propagação ser
feita com eficiência deve ser em altas frequências, e para isso utilizamos um decodificador.
▪ Temos um exemplo de transmissão de onda sonora. A nossa voz é de baixa frequência, e para ser
transportada, a forma de onda da voz será sobreposta em uma onda de alta frequência. Essa onda de
alta frequência não contém informação, servindo apenas para o transporte. A informação está apenas
na parte superior da onda.
▪ A sobreposição dessas ondas é feita por um injetor de propagação de sinal.
▪ Quando a onda é receptada pela antena, teremos que ter um circuito retificador para transformar a
onda alternada em onda continua. A onda retificada passará a um decodificador (), e devido ao diodo
PN a onda de alta frequência não será sentida pelo sistema, apenas a parte superior da onda será
detectada, justamente a onda que contém a informação da nossa fala, assim, a onda que sairá do
decodificador será exatamente a forma de onda da voz, pois para ele a onda de alta frequência nem
existe.
Tipos de diodos
Diodo de barreira schottky
▪ O diodo schottky não é um diodo com um lado P e outro
lado N. Ele é feito com uma heterojunção (os diodos PN
são feitos com uma homojunção). Na heterojunção desse
diodo teremos um semicondutor ligado à uma barreira
metálica, como podemos ver na imagem ao lado.
▪ Processo de formação da barreira schottky – No caso dos diodos PN tínhamos a transição de energia
dos portadores entre as BC do lado N e do lado P. Nos schottky temos a presença da camada
metálica, cujos níveis de energia BC e BV estão praticamente sobrepostos, e também a parte
semicondutora que têm a BC longe da BV. Obviamente verificamos que as bandas do semicondutor
e do metal não são iguais. E ao ser fornecido tensão nesse sistema (dependo do nível), em vez de ser
criado uma corrente será destinado energia para a ionização.
▪ Energia de ionização – é o efeito quando o elétron do metal passa da BV para a BC ganhando muita
energia, ele é capaz de se soltar do átomo, e se transferir por decaimento energético para a BC do
semicondutor. A energia mínima para isso tem o nome de energia de ionização. Esse efeito é o
grande responsável pela transferência de elétrons entre metal semicondutor. Os elétrons do metal
têm trabalho maior para chegar à energia de ionização que os semicondutores devido às diferentes
configurações entre as BC e BV de cada um.
▪ Através da ligação metal semicondutor forma-se uma barreira potencial de trabalho. Essa barreira é
formada porque os elétrons têm de se transferir para um material diferente do qual ele estava
originalmente. Isso significa que nem todas as vezes que for aplicada tensão sobre esse material ele
irá conduzir, o que é um funcionamento básico dos diodos. Como os níveis de energia de ionização
são diferentes entre o semicondutor e o metal, o material é isolante sem ddp sobre ele. Quando for
aplicado uma tensão diretamente polarizada no diodo , os níveis de energia de ionização se alinham,
gerando a transferência instantânea de elétrons, e quando a tensão for reversamente polarizada, os
níveis se distanciam mais ainda, gerando o isolamento.
▪ Devido à rápida transferência de elétrons nesse diodo, ele é capaz de operar em altas frequências.
▪ O diodo schottky pode ser do tipo P e do tipo N.
❖ Schottky tipo P – nesse caso, o Si está com excesso de vacâncias, assim na condução os elétrons
passam do metal para o semicondutor Si.
❖ Schottky tipo N – os elétrons do Si se deslocam para o metal. (1h23min e 1h25min)
▪ Nesse diodo a corrente gerada será majoritariamente dos elétrons, devido a impossibilidade de haver a
transferência de buracos eletrônicos do metal para o semicondutor. E como temos menos portadores,
a corrente no schottky é mais baixa. O nível de tensão que esse diodo suporta também é menor, pois
se fosse aplicada uma ddp muito elevada as cargas iriam se acumular na solda, gerando
aquecimento, perdas e queimando o diodo.
▪ Frequência máxima de 5GHz e tensão máxima de 5V.
Curva característica
▪ O valor de chaveamento do Schottky é menor que do diodo PN, mesmo sendo feito do mesmo
material (Si). A tensão de chaveamento é de 0,3V.
Aula 14
Tipos de diodos (continuação)
Diodo Zener
▪ Utilizado como regulador de tensão, isto é, ele mantém
a tensão sobre uma carga constante e de valor Vz
(tensão de Zener). É feito da mesma forma que o
diodo de junção PN, a única diferença é que o zener
19 20 -3
possui uma dopagem maior (10 --10 cm ). Essa
dopagem em excesso é responsável por dar
características especiais a ele. Ele opera em
polarização reversa. Ele se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente.

▪ Ele suporta tensões reversas próximas à tensão de ruptura e consegue manter a tensão de saída
estável. O diodo zener, ao contrário do que ocorre com o diodo comum, é fabricado para justamente
trabalhar com polarização reversa, desse modo, quando a tensão de ruptura do diodo zener é
atingida a mesma torna-se praticamente constante independentemente do valor da corrente que passa
pelo mesmo. Por possuir essa característica, o diodo zener é normalmente utilizado como regulador
de tensão. Se a tensão passar muito desse valor o diodo irá queimar, a região de depleção vai esticar
tanto que vai romper. Tensão de ruptura é um valor de tensão reversa a partir do qual a corrente
aumenta sensivelmente, abruptamente.
▪ Tensão zener (Vz)
❖ É o valor de tensão no qual o diodo zener entra em condução, quando polarizado reversamente.
Os valores de tensão são padronizados pelos fabricantes.
▪ Efeito zener
❖ Ele acontece com baixa tensão e alta concentração de dopantes. Como os lados da junção são
muito dopados, a região de depleção será menor, pois a pressão é maior. Assim, a barreira de
potencial é menor. Ao ser aplicada uma ddp reversa, os elétrons do lado p ganham energia
suficiente para vencer a barreira e retornam para o lado n, gerando uma corrente reversa, uma
corrente de fuga.
▪ Efeito avalanche
❖ Ocorre em altas tensões e baixas concentrações de dopantes. A partir de um certo valor de tensão
 aplicada ao diodo, o elétron do lado p é fortemente arremessado para lado n devido à alta tensão,
haverá choques dos elétrons livres com a rede cristalina, retirando os elétrons da rede e formando
buracos eletrônicos. Ocorrerá um efeito multiplicativo, aumentando consideravelmente o número
de portadores de carga disponíveis para condução de corrente. Esse efeito faz com que a corrente
aumente rapidamente devido ao movimento simultâneo das duas cargas (e ).
▪ Esses dois efeitos (zener e avalanche) ocorrem simultaneamente no diodo zener, porém para
determinadas condições de dopagem e tensão você vai ver um efeito se sobrepor ao outro. São esses
efeitos que fazem o zener ser utilizado como regulador de tensão.
Diodo de Tunelamento ou Túnel
▪ Tunelamento quântico (ou efeito túnel) é um fenômeno da mecânica quântica no qual uma partícula
pode escapar de regiões cercadas por barreiras potenciais mesmo se sua energia cinética for menor
que a energia potencial da barreira, isso significa que um elétron pode sozinho (no sentido de sem
ajuda) gerar corrente elétrica. O diodo túnel possui tal denominação em virtude de seu princípio
operacional vincular-se ao conceito da mecânica quântica que afirma existir uma probabilidade
finita de um elétron afunilar-se através de uma barreira de energia, a qual não pode superar.
▪ Trata-se de uma junção PN feita com semicondutores com altas concentrações de impurezas, maior
do que no diodo zener. Ele opera em polarização direta, não suporta polarização reversa. Ele se
difere dos demais diodos, pois ele é capaz de gerar tensão quando submetido a uma faixa bem
específica de tensão.
▪ A elevada dopagem neste diodo produz uma região de depleção muito estreita, pois há uma elevada
pressão. É nessa fina região de depleção que muitos portadores podem atravessar com em um túnel.
Nesse dispositivo a energia de Fermi sobe para dentro da banda de condução, no lado n, e desce
para dentro da banda de valência, no lado p. Essa região de depleção reduzida produz portadores em
velocidades que superam as dos diodos convencionais. O diodo túnel pode ser, portanto, utilizado
em aplicações de alta velocidade, como em computadores e osciladores, nos quais são necessários
tempos de chaveamento da ordem de nanossegundos ou picossegundos.
▪ Sem tensão aplicada , a corrente é nula, não condução, não há tunelamento de elétrons. Ao ser
aplicado uma pequena tensão externa com polarização direta, o tunelamento de elétrons do lado n
para o lado p vai aumentar, enquanto que no sentido oposto vai diminuir, visto que a banda de
condução do lado n sobe. É nesta situação também, numa faixa bem específica de tensão, que o
diodo gera tensão. Portanto, existem faixas para em que o diodo consome energia e uma faixa que
ele gera. A partir de um certo valor de tensão , o tunelamento deixa de existir. O que vai acontecer é
que os elétrons atravessam a junção sem tunelar.

▪ Quando
o
diodo
está

reversamente polarizado o que acontece é o

tunelamento do lado p para lado N vai aumentar, enquanto que no sentido oposto vai diminuir, visto
que a banda de valência do lado P sobe. É uma corrente reversa. Se essa tensão for razoavelmente
alta, o diodo será destruído.
▪ Uma característica importante da
curva do diodo túnel é que em certa
faixa de tensão onde , que
corresponde a descida no gráfico
ao lado. Isto corresponde a uma resistência diferencial
negativa para sinais ac e nesta região, o diodo túnel
fornece potência ac ao circuito, ao contrário de uma
resistência normal que sempre absorve energia. Ele é
 utilizado necessariamente nesta faixa.
Diodo Varicap ou Varactor
▪ É um tipo de diodo que possui uma capacitância
variável que é função da tensão à qual ele é submetido. Trabalha em polarização direta. É uma
junção PN, com dopagem mediana. Ao variarmos a tensão nos terminais desse diodo, que não é uma
tensão elevada, variamos o tamanho da depleção, o que equivale a aumentar o meio dielétrico entre
as placas energizadas de um capacitor. Em diodos semicondutores comuns, esse efeito não é muito
expressivo. Ele é utilizado como sintonizador de frequências em rádios e televisão.

Aula 15 – Ótica Eletrônica

▪ É a uma área da Engenharia Elétrica responsável pela
transferência de informações através de sinais, e também de mostrar essas informações para o
usuário.
Diodos Fotosensores e Fotoemissores
Fotoemissores
▪ São idênticos aos diodos já estudados de junção PN
(inclusive em estrutura e no funcionamento molecular),
porém tem a característica de gerar luz no momento da
condução, devido a ser fabricado por Arseneto de Gálio
(GaAs), por causa da transição direta desse material. No
momento que a junção PN é diretamente polarizada, os
do tipo P e os do tipo N movem-se em sentidos opostos
em relação à camada de depleção, ocorrendo a
recombinação eletrônica. Isso faz com que haja um
decaimento de energia, como mostra a imagem ao
lado, fazendo que a barreira gere luz. Como o material é
de transição direta, esse processo é extremamente
eficiente. Além disso, esse processo não é destrutivo, fazendo com que esses dispositivos tenham
alta durabilidade.

▪ O LED (Diodo Emissor de Luz) é um fotoemissor, que tem queda de tensão igual à do diodo. Os
LEDs têm uma corrente de operação máxima, assim como os diodos.

Fotosensores
▪ Os Fotosensores têm a função de modificarem a corrente que transpassa sobre ele quando recebem
luz na barreira de depleção. Eles também são idênticos aos diodos de junção PN, modificando
apenas que o GaAs é o material utilizado. A diferença entre o fotosensor e o fotoemissor é apenas no
modo de operação.
▪ Quando a luz bate num fotosensor, essa energia movimenta os e as da região de depleção, e começam
a sair da barreira para o lugar onde estão mais próximo. Como nesse processo os começam a se
movimentar, significa que temos a geração de corrente elétrica. E como sabemos, essa corrente
elétrica é pequena (mA), servindo apenas para detectores.

Diferença fotosensor x fotoemissor

▪ O nível de dopagem e a composição química diferencia os fotosensores dos fotoemissores, mas
sempre tendo como base o GaAs e a junção PN.
Detalhamento dos LEDs
 ▪ Como vemos na imagem ao lado, os LEDs apresentam
duas “pernas”, cuja a menor é o polo negativo (cátodo)
e a maior é o polo positivo (ânodo). O semicondutor em
si que compõe o LED é microscópico. A maior parte do
dispositivo é composto pelas outras partes, que são
responsáveis pelos contatos ôhmicos do semicondutor
com a fonte, pela propagação e dispersão de luz e para
evitar a oxidação do semicondutor.

▪ Como sabemos, apenas a barreira de junção PN do

fotoemissor LED gera luz, fazendo com que a maior parte
do semicondutor não gere luz. Por isso, a luz gerada é
direcional, e dependendo do ângulo com que o observador
está em relação a fonte de luz, ela pode ser vista ou não. A
0° a intensidade da luz é máxima. Por causa disso elas são
utilizadas como os faróis de automóveis com o objetivo
de sinalização, para apenas os motoristas serem capazes
de observar a luz.
▪ Nos LEDs, as cores são modificadas por composição da corrente ou pela
cor da capa protetora. O sistema que dita a intensidade de cor e de luz
emitida é o RGB (Red – Green – Blue). Com essas cores é possível fazer
todas as cores do espectro visível. Cada ponto de luz/cor será chamado de
pixel. A diferença de cores é dada pela iluminação que está incidindo
sobre o ponto. O conjunto desses pixels com diferentes cores que forma a
imagem que vemos numa tela. Dependendo da quantidade de pixels
numa tela (resolução), a imagem será mais detalhada.
▪ O objetivo da tecnologia é aumentar o “triângulo de visão” dos
dispositivos, para poder retratar as cores com mais perfeição e formar
imagens mais reais.
▪ Funcionamento real – Temos a camada N totalmente revestida por um contato metálico e a camada P,
que é por onde sai a luz, revestida por um pequeno contato, justamente
com o objetivo de não atrapalhar a emissão.
Dispositivos de Imagem
LCD (Liquid Crystal Displays – Display de Cristal Líquido)
▪ Uma enorme evolução em relação ao CRT.
A utilização do cristal líquido melhorou
a imagem e reduziu o consumo de
energia.
▪ Essas telas tinham uma luz de fundo
(blacklight) que incidia continuamente
sobre um filtro colorido, feito de cristal
líquido, e esse cristal pode ou não deixar passar luz, dependendo da forma como for polarizado.
Dessa forma, ele se comporta como uma “janela eletrônica”. A malha eletrônica era responsável por
acionar cada pixel, controlando a passagem de luz e a tonalidade de cor.
▪ O cristal líquido é um sólido amorfo, porém com propriedades elétricas, resistivas, magnéticas e
principalmente óticas de um líquido, com viscosidade no limite de um sólido, ele tem a capacidade
de ser polarizado quando colocado uma radiação visível sobre ele, muito utilizado no processamento
de imagem (televisão LCD).
DLP (Digital Light Processing – Processador Digital de Imagem)
▪ São os projetores, tanto os portáteis quanto os de cinema.
▪ Se baseia no mesmo princípio do LCD. Temos a fonte de luz
passando por um filtro colimador para formar o feixe, que
posteriormente passa por um filtro de cor. Após isso, a luz é
incidida no DMD (Digital Micro Mirror), que é um espelho,
que pode ser controlado para deixar ou não passar luz,
funcionando de forma semelhante à “janela eletrônica” visto
anteriormente. Essa imagem refletida pelo DMD é
direcionada para uma lente que aumenta a imagem original.

Gás Plasma
▪ Consiste numa lâmpada incidindo radiação numa substância
fotoluminescente. Existe uma tela muito fina num formato
semelhante de uma forma de gelo, onde cada lacuna é
preenchida por uma camada de Fósforo RGB (mesmo da
lâmpada fluorescente). Cada agrupamento de três
“quadradinhos” composto por um de cada cor forma um
pixel. Assim cada pixel pode ter qualquer cor visível.
▪ A malha condutora controla a corrente que cada caixinha
recebe, podendo controlar a cor que o pixel emite. Essa caixa
será por um vidro polarizado e preenchida por gás Xenônio ou Argônio (gases inertes, isolantes). E
quando esses gases começam a conduzir, geram luz ultravioleta que quando bate no Fósforo gera
luz. Mesmo processo da lâmpada fluorescente.
▪ Essas telas geram um preto perfeito, por não haver a luz de fundo. E também as cores ficam mais
vivas. Mas esses dispositivos consomem mais energia, por isso a durabilidade é baixa (2 anos), e
também não são recomendáveis para tamanho acima de 40”, por ter alta densidade de corrente no
sistema.
LED (Light Emitting Diode – Diodo Emissor de Luz)
▪ A placa inteira desse televisor é feita de LED. Ele mesmo gera sua luz, o que a faz gerar imagens
mais brilhosas e coloridas, mas com menos detalhes, e evita a utilização da luz de fundo. Os leds
podem ser divididos em duas arquiteturas:
❖ Edge-lit – é uma tela no qual a cor é projetada de fora para dentro. Existem LEDs de alta
intensidade nas bordas e LEDs de baixa intensidade no meio. Com isso a imagem tende a
escurecer, com redução de brilho e contraste. Essa tecnologia produz telas mais finas que a local
dimming.
❖ Local dimming – todos os LEDs vão produzir a mesma intensidade de cor, gerando imagens com
alto desempenho de brilho e contraste. Tem economia de energia.
Apenas informação: a frequência de atuação dos televisores é muito importante no desempenho,
pois quanto maior evita distorções na imagem (vultos). Uma frequência de 60Hz é considerada baixa,
enquanto uma de 120Hz já pode ser considerada de boa qualidade, mas quanto maior melhor.
OLED (Diodo Orgânico Emissor de Luz)
▪ É uma tecnologia feita a partir de moléculas orgânicas
fotoluminescentes capazes de gerar luz. Esse sistema não é
baseado em semicondutores. A arquitetura das células de luz do
OLED é a mesma do LED. Para gerar luz, a energia que a
molécula ganha é utilizada para crescimento do nível eletrônico e
que leva ao decaimento eletrônico gerando luz. Como vemos ao
lado, a estrutura dessa célula é semelhante ao LED.
▪ Os OLEDs têm maior capacidade de precisão de imagem que o LED.
▪ O controle dos pixels é feito por uma malha eletrônica, onde cada fita controla a ativação e a
intensidade de cada célula.
▪ A cor de cada célula depende do material utilizado em sua composição, com os materiais sendo
baseados na anilina. E como essas moléculas são orgânicas, elas são menos poluidoras ao meio
ambiente que as células de LED.
AMOLED (Matriz Ativa de Diodo Orgânico Emissor de Luz)
▪ A diferença dessa tecnologia para o OLED está na malha condutora responsável por ativar cada pixel.
Ao contrário do OLED, ela utiliza uma placa condutora inteira para acionar cada célula. O controle
sobre cada pixel se torna mais difícil, porém a fabricação se torna muito mais fácil, fazendo com que
seu preço barateie.

FOLED (Flexible Organic Light Emitting Display – Display Orgânico Flexível Emissor de Luz)
▪ Temos a mesma coisa do OLED, com a única diferença que as
camadas do sistema devem ser flexíveis, ou seja, os vidros antes
utilizados devem ser trocados por polímeros polissensíveis.
▪ Ainda temos a tecnologia de OLED transparente, que modifica
também apenas as camadas que devem ser transparentes.
Aula 16 e 17
Transistores
▪ Transistor – significa transcondutância, utiliza os diodos em sua
constituição. É um dispositivo ativo, controlado por corrente ou
por tensão. Onde:
❖ Emissor – seria a entrada, que emite os elétrons ou vacâncias,
região rica em portadores.
❖ Base – controle;
❖ Coletor – a saída; coleta os portadores de carga que vem do
emissor, que passam pela base.
▪ ; corrente do emissor = corrente da base corrente do coletor.
▪ O transistor, basicamente, desempenha duas funções: amplificação e chaveamento. No caso da
amplificação, podemos fazer uma analogia com uma torneira: girando a torneira, podemos controlar
o fluxo de água, tornando-o mais forte ou mais fraco. No caso do chaveamento, podemos imaginar o
transistor como um interruptor de luz: ligando o interruptor, a luz se acende; desligando o
interruptor, a luz se apaga. Nos dois casos, estamos controlando a corrente no transistor.
▪ Amplificar é aumentar a amplitude sem haver deformação na forma da onda.
Classificação dos transistores
 ▪ Os transistores são classificados de acordo com o tipo de portador de carga utilizado para transporte
de corrente. Sob esse ponto de vista, existem dois tipos de transistores: os bipolares e os unipolares.
Enquanto os bipolares utilizam-se de elétrons livre E lacunas como portadores de carga, os
transistores unipolares utilizam-se de elétrons livres OU lacunas como portadores de carga.
Transistor Bipolar - BJT
▪ Corrente gerada pelos dois portadores.
▪ Ele é caracterizado por duas junções PN. O controle de portadores é feito pelas duas regiões de
depleção. Nesses dispositivos o controle da corrente que flui pelo transistor é feito por corrente
injetada no terminal da base, essa corrente controla as barreiras. A corrente de operação flui no pelo
meio do transistor, perpendicularmente as barreiras. São mais utilizados na eletrônica de potência.
Os bipolares são designados pela sigla BJT (Transistor de Barreira de Junção).
Tipo PNP
▪ Obs.: a seta do emissor sempre aponta para o lado N.

▪ No BJT
existem
modos de
operação
que são determinados de acordo com a polarização das duas junções, JEB (junção emissor-base) e
JCB (junção coletor-base). São eles:
▪ O modo ativo é o mais interessante, pois é responsável pela amplificação. O modo corte e saturação
vai servir para o chaveamento.
▪ Modo ativo: A polarização na JEB fará com que a barreira dessa junção se afine, fazendo com que os
portadores majoritários (lacunas h+) do emissor passem por ela sem muita dificuldade por causa da
repulsão, formando uma corrente de deriva. Ao chegar do lado n, esses portadores se tornam
minoritários já que no lado n os portadores majoritários são os elétrons. Os buracos chegam até a
segunda barreira por meio de difusão, por que o lado n é muito estreito. Como a JCB está
reversamente polarizada a barreira dessa junção é grossa, contudo ela seletiva, isto significa que ela
não deixa passar os portadores majoritários. Assim, como os buracos tornaram-se minoritários eles
conseguem atravessar a segunda barreira porque ela nem vê esses portadores. No caminho, alguns
buracos que estão se difundindo através da região da base se recombinam com os elétrons
(portadores majoritários na base), mas como ela é muito estreita e fracamente dopada, a
porcentagem de buracos perdidos por recombinação é muito pequena. Ao chegar no lado p, que é o
coletor, esses buracos são atraídos pelo polo negativo da ddp, formando uma nova corrente de
deriva.
▪ Obs: A base é estreita e fracamente dopada para que não haja uma elevada recombinação eletrônica,
 essa recombinação é a corrente de fuga vista na figura acima.
Tipo NPN
▪ O transistor bipolar NPN opera de maneira análoga ao transistor PNP, porém com fluxo de portadores
majoritários de cargas sendo os elétrons. Observe o sentido convencional da corrente.

Curva de entrada e saída do BJT

▪ A curva de entrada é semelhante à do diodo de
junção PN neste caso. Região de saturação:
corrente máxima, nível lógico 1.
▪ Região de corte: não tem corrente passando
(teoricamente), corresponde ao nível lógico 0.
Nessas regiões o transistor é utilizado como
chave.
▪ Região ativa: uma região intermediária em relação a saturação e corte, esta região serve para
amplificação de onda.
▪ Base comum: gera um amplificador linear, imagem destacada acima; Emissor e coletor: gera um
amplificador não linear.
Configurações do transistor BJT
▪ Base comum:
❖ Ganho de tensão elevado
❖ Sem ganho de corrente (ou ganho pequeno)
❖ Ganho de potência baixo
❖ Impedância de entrada baixa
❖ Impedância de saída alta
▪ Emissor comum:
 ❖ Ganho de tensão elevado
❖ Ganho de corrente elevado
❖ Ganho de potência elevado
❖ Impedância de entrada baixa
❖ Impedância de saída alta
❖ Ocorre inversão de fase
▪ Coletor comum:
❖ Ganho de corrente elevado
❖ Sem ganho de tensão
❖ Ganho de potência intermediário
❖ Impedância de entrada alta
❖ Impedância de saída baixa
▪ O processo de fabricação do PNP é mais simples do que
o do NPN.

Aula 16, 17, 18 e 19 (falta aula 18)

Transistor Unipolar – FET
▪ Corrente gerada por apenas por portadores majoritários.
▪ São baseados no diodo de Schottky, ou seja, um metal ligado a um
semicondutor. São os transistores de efeito de campo FET (Field Effect
Transistor). O controle da corrente de operação é feito por tensão aplicada ao
terminal base, diferentemente dos bipolares que são controlados por corrente.
O controle por tensão é mais fácil, pois por corrente necessita de um limitador
de corrente, um dissipador. A corrente de operação nesses dispositivos passa
em volta da barreira, nesse caso o campo aumentará ou diminuirá a barreira,
aumentando ou diminuindo a condução. São mais utilizados na eletrônica
digital devido sua utilização em altas frequências.
▪ As linhas de campo da imagem ao lado são representadas pelas linhas.
▪ Os FETs possuem algumas vantagens em relação ao BJT:
❖ Operação dependente apenas dos portadores majoritários.
 ❖ Controlados por tensão, fazendo sua operação ser mais fácil.
❖ Imunes à radiação.
❖ Menor ruído e estabilidade térmica.
❖ Apresentam alta impedância de entrada em relação à saída, a resistência de entrada elevada.
▪ E algumas desvantagens:
❖ Suportam baixas tensões.
❖ Pequeno produto ganho x faixa de passagem.
Transistores J-FET

▪ É um transistor efeito de campo composto de uma barreira PN.

▪ Esses transistores se assemelham em termos de conexões ao BJT, tendo Gate (G),
Dreno (D) e Source (S), no lugar respectivamente do Coletor (C), Base (B) e Emissor
(E). A mudança da nomenclatura serve apenas para diferenciar os BJT dos FET. A
diferença se dá na presença de um canal. O canal é uma característica importante dos
J-FETs. As imagens ao lado são a respeito de um n-J-FET.
▪ Os transistores BJT são aplicados em sistemas que necessita maior sensibilidade, por ser mais
sensíveis a variações de corrente. Os transistores FETs não são muito sensíveis a variações de VGS
(tensão Gate – Source), sendo mais estáveis como já foi dito.
▪ Os J-FETs são fisicamente menores que os BJTs, o que possibilita fazer dispositivos integrados
menores.
▪ O canal nos transistores J-FET mostra qual é o principal semicondutor do sistema, explica que tipo de
cargas estão gerando a corrente no momento da condução, sendo de canal n (se movimentam) e
canal p (se movimentam). Ao lado temos a ilustração do n-J-FET.
▪ Funcionamento n-J-FET Nesse transistor é gerado uma junção PN natural, devido à aproximação
das laterais do tipo P com o canal N. Em um momento inicial essa barreira é pequena, não evitando

a passagem de corrente (corrente Dreno – Source). Dependendo da

forma que o Gate for polarizado, essa barreira irá aumentar ou diminuir,
podendo bloquear o fluxo de .
❖ VDS (tensão Dreno – Source) Deve ser diretamente polarizado
(VDS > 0). Temos que o Dreno estará carregado com cargas e o
Source com cargas . Quer dizer que os portadores majoritários do
canal n, os , serão atraídos pelo Dreno e repulsados pelo Source, com
isso naturalmente os se movimentam S D, gerando a condução da
corrente . Normalmente VDS está entre 1V e 5V.
❖ VGS (tensão Gate – Source) Quando maior ou igual à 0V nada irá
acontecer, pois a barreira de depleção será tão fina que não haverá o
impedimento de passagem dos . Nesse momento é máximo, temos o
nível logico “1”. Para a controle do chaveamento nesse transistor, a
tensão aplicada no Gate deve ser na mesma polaridade do canal. Para o canal N VGS < 0, e
para o canal P VGS > 0V. Em ambos os casos citados anteriormente a barreira de junção fica mais
grossa, sendo a forma de aplicar a tensão de estrangulamento no sistema (Vp = pinch off), que
impede o fluxo de corrente , nível logico “0”.
❖ A depleção gerada nesse transistor é não – simétrica, como podemos ver na imagem abaixo.
Quanto mais próximo ao dreno, maior será a repulsão da barreira, deixando-a mais larga.
▪ Nunca será possível fazer com que toda a corrente seja bloqueada, sempre haverá um vazamento de
corrente passando pelo campo elétrico.
 Essa corrente () é a corrente de
saturação do transistor. Como essa
corrente de saturação é constante, pode
se assemelhar a um gerador de
corrente.

▪ Curva Característica – Apresentam duas

curvas, a entrada e de saída. Na imagem
ao lado vemos a curva de um n-J-FET.
❖ A curva de entrada é a mesma do
diodo, onde precisamos de 0,7V para
condução, e tendo a área de
amplificação, conhecida como a região
ôhmica.
❖ A curva de saída é a mesma do BJT,
existindo a linearidade da condução, a
curva de saturação linear.
▪ Os transistores J-FET tem pequeno uso
atualmente por causa das melhores características do MOSFET. Eles são restritos à utilização em
circuitos discretos, utilizado tanto como amplificador quanto chave.
Transistores MESFET
▪ É um transistor baseado no diodo schottky, junção semicondutor –
metal. Por isso, são utilizados em altas frequências e baixas tensões.
Esse transistor tem uma impedância de entrada ainda maior que os
anteriores.
▪ Os contatos metálicos desse transistor são restringidos. Para o dreno e a
fonte, os contatos são feitos de Ag, Ge ou Au. Para a porta é feito de
Al, W, Ti. O contato da porta é chamado de contato schottky, pois ele
irá fazer a tensão de estrangulamento do circuito (pinch off Vp).
▪ Funcionamento MESFET Os terminais da fonte e o dreno são dopados com excesso de elétrons ().
❖ VDS Deve ser diretamente polarizado, para que o polo da fonte esteja carregado negativamente
e repulse os elétrons de , e que esses mesmos elétrons sejam atraídos pelo positivo do dreno,
gerando a corrente .
❖ VGS Novamente a tensão aqui deve ser na mesma polaridade do canal do transistor. Para
situação de exemplo, vamos considerar o n-MESFET. Se VGS = 0V, é máximo por não haver
qualquer obstáculo na condução, nível lógico “1”. Se VGS > 0V, os elétrons serão atraídos pelo
positivo da porta, reduzindo a passagem de corrente , porém uma grande parte dessa corrente ainda
flui, tendo um estado que nem é “1” e nem “0”, por isso não serve para se utilizar. Quando VGS <
0V, os elétrons do canal n serão repelidos pelo negativo da porta, formando um campo elétrico
assimétrico (semelhante ao J-FET), que impede o fluxo de corrente, nível logico “0”. Da mesma
forma do J-FET, há a corrente de vazamento, a corrente de saturação.