Materiais

• Condutores

• Isolantes

• Semicondutores
Condutores
São materiais que apresentam grande número de
elétrons livres (poucos átomos na órbita de valência –
menos que quatro).

Nos melhores condutores, os átomos possuem

apenas um elétron de valência.

A alta condutividade é devida à fraca ligação entre

esse(s) elétron(s) e o núcleo do átomo, de forma que,
à temperatura ambiente, a energia térmica é suficiente
para arrancá-lo da órbita de valência e torná-lo um
elétron livre.

Os metais como o cobre, a prata, o alumínio e o ouro

são bons exemplos de condutores
Resumindo....

• 1 a 3 elétrons na ultima camada de valencia)

• Grande número de elétrons livres
• Fraca ligação entre elétrons e o núcleo

Resistividade a temperatura ambiente (20o C):

Na ordem de 10−5Ω
Isolantes

• São materiais que não apresentam elétrons

livres, ou seja, muitos elétrons na camada de
valência.

• Os melhores isolantes possuem átomos

estáveis, com forte ligação entre os elétrons de
valência e o núcleo, de forma que muito poucos
elétrons tornam-se livres à temperatura ambiente.

• Exemplos: mica, borracha, papel, plástico,

porcelana, etc.
Resumindo ...

• 5 a 7 elétrons na ultima camada de valencia)

• Grande número de elétrons na camada de valência
• Forte ligação entre elétrons e o núcleo
• Átomos estavéis.

Resistividade a temperatura ambiente (20o C) é

maior que 107Ω
Semicondutores

• Os semicondutores são materiais que não

apresentam comportamento nem de
isolantes nem de condutores.

• Dessa forma, o material básico utilizado

na construção de dispositivos
eletrônicos semicondutores, não é um
bom condutor, nem um bom isolante
Resumindo...

• Possui 4 elétrons na ultima camada de valencia

• Nem isolante, nem condutor

• Propriedades elétricas afetadas por variação de

temperatura, exposição a luz e acréscimos de impurezas
• Fotocondutividade

Resistividade a temperatura ambiente (25o C) é de 10−3Ω a

105 Ω
Observações:

1. Em comparação com os metais e os isolantes, as

propriedades elétricas dos semicondutores são
afetadas por variação de temperatura, exposição a
luz e acréscimos de impurezas.

2. Nos condutores, pelo fato de já existirem muitos

elétrons livres, um aumento da temperatura acarreta
uma diminuição da resistividade devido à agitação
térmica. Já nos semicondutores, observa-se um
fenômeno inverso, a resistividade diminui com o
aumento da temperatura pois, com o acréscimo da
energia térmica, mais elétrons livres são obtidos.
Portanto, a temperatura é um fator que sempre deve
ser considerado nos projetos eletrônicos que
envolvam semicondutores.
Materiais semicondutores: Ge, Si e GaAs

Os três semicondutores mais frequentemente

usados na construção de dispositivos
eletrônicos são:

• Germânio (Ge);
• Silício (Si) e;
• Arseneto de gálio (GaAs)
 Estrutura de um semicondutor
Modelo atômico de Bohr
Silício Z=14

Germânio Z=32

•Tetravalentes
•Os elétrons de valência podem ser afastados
do átomo com o acréscimo de energia
 Monocristal
Os quatro elétrons de valência participam da
ligação atômica com quatro elétrons dos átomos
vizinhos, formando ligações covalentes.
• Isolante perfeito à temperatura de zero absoluto
(-273 oC)
Elevação da temperatura: Quebra de ligações
covalentes, liberando um elétron.
• Uma mudança na temperatura de um material
semicondutor pode alterar consideravelmente o
número de portadores disponíveis.
 Níveis de energia
•Os elétrons da camada de valência, tem um
nível energético mais elevado que aumenta
quando se tornam livres

•Se dois átomos se aproximam em uma ligação

química, os níveis de energia dos elétrons
exteriores se alteram devido à interação entre os
campos
Para haver condução de eletricidade os
elétrons devem absorver energia do campo
elétrico aplicado e essa energia deve ser
suficiente para que eles sejam “promovidos”
para a banda de condução.
 CONDUTIBILIDADE INTRÍNSECA

O termo intrínseco aplica-se a qualquer

material semicondutor que tenha sido
cuidadosamente refinado para reduzir o
número de impurezas a um nível muito baixo
— essencialmente, com o grau máximo de
pureza disponibilizado pela tecnologia
moderna.

Obs.: Material intrínseco = material puro

 Condutibilidade intrínseca
•Cada elétron livre gerado faz aparecer uma
lacuna

Elétrons livres

Abrem lacunas Outros elétrons ocupam as

lacunas
 Materiais extrínsecos
•Adição de átomos de impurezas aos
átomos de Silício e/ou Germânio, alteram
as propriedades elétricas do material.

•Um material semicondutor que tenha sido

submetido ao processo de dopagem é
chamado de material extrínseco.

• Tipo N e tipo P
 Material tipo N
• Adição de um elemento pentavalente
• Eletricamente neutro
• Surge um elevado número de elétrons livres
• Conduz nos dois sentidos
 Material tipo P
• Adição de um elemento trivalente
• Eletricamente neutro
• Surge um elevado número de lacunas
• Conduz nos dois sentidos
Observações:

• Em um material do tipo n, o elétron é

chamado de portador majoritário e a lacuna
de portador minoritário.

• Em um material do tipo p, a lacuna é o

portador majoritário e o elétron é o portador
minoritário.
 O cristal tipo PN
Quando a união dos cristais tipo P e tipo N é
realizada, ocorre um processo chamado de difusão,
isto é, o excesso de elétrons presentes na borda do
lado N é atraído pelo excesso de lacunas presentes
na borda do lado, provocando diversas
recombinações de pares elétrons-lacunas.
 O cristal tipo PN
O aumento da ionização do cristal provoca a diminuição do
fluxo de elétrons do lado N para o lado P, até cessar o
processo de difusão. Isso ocorre porque os íons negativos
gerados no lado P passam a repelir os elétrons livres do lado
N.

Essa camada ionizada em torno da junção fica com

ausência de portadores por causa das recombinações e
recebe o nome de camada de deplexão.
O cristal tipo PN
Na camada de deplexão surge um campo elétrico no
sentido dos íons positivos para os íons negativos.
Como os elétrons se movimentam no sentido contrário
do campo elétrico, a camada de deplexão impede a
passagem de elétrons do material N para o material
P.

Esse impedimento, denominado barreira de potencial,

é chamado de V .

Para temperatura ambiente (25º C):

Silício: V  0,7V
Germânio: V  0,3V