Equipe: Rahysa Gomes Rudio

Wendy Peixoto Martins

Conceitos

Alguns materiais apresentam
propriedades de conduo eltrica
intermedirias entre aquelas inerentes
aos isolantes e aos condutores. Tais
materiais so denominados de
semicondutores.
Conceitos

Os materiais semicondutores mais
simples so constitudos de tomos de
um nico elemento qumico com quatro
eltrons na camada de valncia, ou seja
tomos tetravalentes.
Exemplo
Dois tomos, tetravalentes, bastante
utilizados em materiais semicondutores
so o germnio (Ge) e silcio (Si).
Exemplo
Rede Cristalina
Os tomos que tm quatro eltrons na
camada de valncia tendem a se
arranjar formando uma estrutura ou
rede cristalina com tomos vizinhos
compartilhando seus eltrons de
valncia.
Rede Cristalina
Dopagem
A dopagem um processo qumico no
qual tomos estranhos so introduzidos
na estrutura cristalina de uma
substncia.
Em um cristal semicondutor a dopagem
geralmente realizada para alterar
suas propriedades eltricas.
Existem dois tipos de materiais
semicondutores, tipo N e tipo P, que
dependem do tipo de impureza
introduzida na rede.

Tipo N
Insere-se na estrutura cristalina, tomos
contendo excesso de um eltron de
valncia em relao aos tomos da
rede.

Tipo N
Inserindo vrios tomos de impurezas:
Tipo N
Com a insero de vrios tomos de
impurezas, os eltrons livres passam a
transitar livremente pelo material,
tornando um material isolante (rede
cristalina) em material com certo nvel
de condutividade.
Tipo P
Insere-se na estrutura cristalina, tomos
com a deficincia de um eltron em
relao aos tomos da rede.
Tipo P

Verifica-se a ausncia do segundo eltron
que comporia o par necessrio formao
de uma das ligaes com o tomo de ndio.
Essa ausncia de eltron de ligao
denominada de lacuna.

Tipo P
A existncia de lacunas permite que
haja um mecanismo de conduo
distinto do tipo N. Quando a dopagem
produz lacunas no semicondutor, um
eltron proveniente de uma ligao
covalente s poder transitar para um
ponto do cristal onde haja uma lacuna
disponvel.

Tipo P
O movimento de
eltrons de valncia
ocorre do polo negativo
para o polo positivo.
As lacunas em um
semicondutor dopado
se comportam como
cargas positivas que
podem transitar em um
cristal submetido a uma
tenso externa
aplicada.
Influncia Trmica
Quando a temperatura de um material
semicondutor aumenta, sua
condutividade tambm aumenta, devido
a liberao de eltrons nas camadas de
valncia, que formam um par
eltron/lacuna.
Consideraes Finais

Analisando as propriedades de
materiais semicondutores, nota-se que
o nmero de eltrons ou lacunas em um
semicondutor, cresce com o aumento do
nmero de tomos de impurezas
introduzidas no cristal.
Consideraes Finais
Com o aumento do nmero de
portadores de carga, aumenta-se a
condutividade eltrica do material.
Dessa forma, torna-se possvel alterar
de forma controlada a condutividade
eltrica de um semicondutor, efetuando-
se a dosagem adequada da quantidade
de dopagem do cristal durante a etapa
de fabricao.

Diodo
Componente eletrnico composto
de cristal semicondutor de silcio ou ger
mnio numa pelcula cristalina cujas
faces opostas so dopadas por
diferentes materiais durante sua
formao, que causa a polarizao de
cada uma das extremidades.
Diodo
Diodo
O fenmeno da condutividade em um s
sentido aproveitado como um
chaveamento da corrente eltrica para a
retificao de sinais senoidais , portanto,
este o efeito diodo semicondutor to
usado na eletrnica, pois permite que a
corrente flua entre seus terminais apenas
numa direo. Esta propriedade utilizada
em grande nmero de circuitos eletrnicos
e nos retificadores
Obrigada, boa
noite!