Curso Técnico de Eletrotécnica - Semicondutores e Junções PN

* * * CURSO TÉCNICO DE ELETROTÉCNICA * * *
Esta apresentação foi elaborada com o

intuito de servir como uma referência rápida para
os alunos , assim sendo, o material básico
utilizado como fonte será a apostila de Eletrônica
Geral - Senai/ABRAMAN.
A motivação principal foi a de aumentar o
dinamismo das aulas. Portanto, deve ficar bem
claro que esta apresentação não pretende
substituir os livros textos ou outros livros de
referência. Muito pelo contrario, ela deve ser
utilizada apenas como ponto de partida para
estudos mais aprofundados, utilizando-se a
literatura existente.

SEMICONDUTORES - Junções P-N
Estrutura Cristalina dos Semicondutores
As substâncias cujos átomos se agrupam formando uma
estrutura ordenada são denominadas substâncias cristalinas e a
disposição de seus átomos formam a chamada estrutura
cristalina. O Germânio e o Silício possuem uma estrutura
cristalina cúbica, tendo seus átomos ocupando os vértices desse
cubo, conforme é mostrado nas figuras abaixo:
Elemento tetravalente:
É todo elemento que
possua em sua última camada
(camada de valência) um
total de 04 (quatro) elétrons.
Exemplo:
Silício, germânio, carbono,
estanho.

Estrutura Cristalina dos Semicondutores
O silício se cristaliza, como o

diamante, em uma estrutura cúbica de face
centrada, ilustrada pela Figura ao lado.
O silício é o semicondutor de maior aplicação
tecnológica deste século, sendo bastante conhecido. O
crescimento, processamento e dopagem de lâminas de Si,
bem como a microeletrônica atingiram alto grau de
desenvolvimento. Devido a isto, na pesquisa e
desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos a partir
de outros materiais, a possibilidade de integração com o
silício é sempre considerada e perseguida.
Semicondutores Intrínsecos
Este termo significa que as
características elétricas do cristal formação de pares elétron-lacuna
são devidas ao próprio material
semicondutor, e não às impurezas
presentes quando da fabricação do
cristal. Os cristais de Silício ou
germânio são formados a nível
atômico por uma estrutura cristalina
baseada em ligações covalentes que
se produzem graças aos 4 elétrons
de valência do átomo. Quando um
elétron abandona a camada de Em um material puro, a
valência de átomo e torna-se um
densidade de portadores (ni) é
elétron livre, neste átomo forma-se aproximadamente:
uma lacuna ou buraco, que são o
lugar deixado pelo elétron. ni = 1010/cm3

Há diversas maneiras de se provocar o
aparecimento de elétrons e lacunas no interior de
um cristal semicondutor. Uma é através da energia
térmica (ou calor), com a correspondente produção
de pares elétrons-lacuna como já vimos, e recebe o
nome de Geração Térmica de Portadores. Outra
maneira, consiste em fazer com que um feixe de luz
incida sobre o material semicondutor, baseando-se
este fenômeno no princípio de funcionamento dos
Dispositivos Fotossensíveis.
LDR - Light Dependent Resistor
O LDR é um componente eletrônico fotossensível, cuja
resistência elétrica é inversamente proporcional à quantidade de
luz incidente, isto é, diminui sua resistência quando sobre ele
incide energia luminosa. É composto de um material semi-
condutor, o sulfeto de cádmio (CdS), ou o sulfeto de chumbo (PbS).
Quando incide luz no LDR, um
número maior de elétrons na estrutura
cristalina, fracamente presos ao núcleo
na camada de valência, tem seu nível
de energia aumentado, devido à
aquisição da energia entregue pelos
fótons. O resultado é o aumento de
elétrons livres no material.
Contudo, para muitas aplicações, estes
métodos não são soluções prática e o que
necessitamos é de um cristal semicondutor em que
o número de elétrons livres seja bem superior ao
número de lacunas, isto em relação ao que se
apresenta num cristal semicondutor puro
(intrínseco), ou que o número de lacunas seja bem
maior que os de elétrons livres.
Semicondutores Extrínsecos
Isto é conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele, por
meio de técnicas especiais (difusão), uma determinada
quantidade de átomos de outros elementos na sua rede
cristalina, átomos estes aos quais chamamos de impurezas,
tornando-se um cristal semicondutor dopado (extrínseco).
Dopagem do semicondutor
Chama-se dopagem de um semicondutor, o processo
utilizado para construir elementos P e N, através da mistura
ao silício (Si) ou germânio (Ge) de quantidades reduzidas de
impurezas de elementos trivalentes ou pentavalentes.

Elemento pentavalente:
É todo elemento que possua em sua última camada
(camada de valência) um total de 05 (cinco) elétrons.
Exemplo:
Antimônio, nitrogênio, fósforo, arsênio.

Inserindo na rede cristalina do semicondutor impurezas
doadoras, átomos PENTAVALENTE de fósforo (P), o elétron do átomo de
fósforo que não participar das ligações covalente será um elétron livre na
estrutura do cristal, tornando o número de portadores de carga negativa
(portadores majoritários) maior que o número de portadores de carga
positiva (lacunas).
O processo para
inserirmos as impurezas na
rede cristalina chamamos de
DOPAGEM e o cristal
semicondutor extrínseco com
portadores majoritários de
cargas negativas, assim obtido,
chamamos de Cristal ou
Semicondutor Tipo N.
ni = 1019/cm3

Na estrutura cristalina do tipo N, onde uma impureza
doadora estiver presente, quando esta ceder o seu elétron teremos
o surgimento de um íon positivo fixo na estrutura e um portador
(majoritário) de carga negativa vagando entre os átomos do cristal.
Os portadores de carga no material tipo N, são os elétrons.

A movimentação do elétron excedente deixa o átomo
ionizado, o que o faz capturar outro elétron livre. Neste caso
os portadores majoritários são os elétrons, enquanto os
minoritários são as lacunas.
Ao ligarmos o interruptor,
em ambas polarização,
verificamos a passagem de uma
corrente de elétrons livres em
direção ao polo positivo da
bateria, formando a corrente de
portadores majoritários. E as
lacunas intrínsecas percorrerão o
sentido inverso, formando a
corrente de portadores
minoritários.

Elemento trivalente:
É todo elemento que possua em sua última camada
(camada de valência) um total de 03 (três) elétrons.
Exemplo:
Alumínio, índio, boro, gálio.

Inserindo na rede cristalina do semicondutor impurezas
aceitadoras, átomos TRIVALENTE de Boro (B), teremos os 3 elétrons da
camada de valência do átomo de Boro participando das ligações
covalente, faltando 1 que deixará uma lacuna na estrutura do cristal,
tornando o número de portadores de carga positiva (portadores
majoritários) neste cristal maior que o número de elétrons.
O processo para
inserirmos as impurezas na
rede cristalina chamamos de
DOPAGEM e o cristal
semicondutor extrínseco com
portadores majoritários de
cargas positivas, assim obtido,
chamamos de Cristal ou
Semicondutor Tipo P.
ni = 1019/cm3

Na estrutura cristalina do tipo P, onde uma impureza
aceitadora estiver presente, quando esta receber (houver uma
recombinação) um elétron livre da estrutura, teremos o surgimento
de um íon negativo fixo na estrutura e um portador (majoritário) de
carga positiva (lacuna) vagando pelos átomos do cristal.
Os portadores de carga no material tipo P, são as “lacunas”.

Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um
elétron livre, tem-se a movimentação da lacuna. Neste caso
diz-se que as lacunas são os portadores majoritários, sendo
os elétrons os portadores minoritários.
Ao ligarmos o
interruptor, em ambas
polarização, verificamos a
passagem de uma corrente de
lacunas em direção ao polo
negativo da bateria, formando a
corrente de portadores
majoritários. E os elétrons
intrínsecos percorrerão o sentido
inverso, formando a corrente de
portadores minoritários.

Portadores de cargas
A condutividade de um semicondutor depende do número
de portadores de carga, elétrons ou lacunas, dependendo da
dopagem. Outro fator que influi na condutividade é a temperatura.
Este fator contribui para o rompimento da ligação covalente, dando
origem a elétrons e lacunas à medida que a temperatura aumenta.
No material tipo N os elétrons da dopagem mais os
surgidos pelo rompimento das ligações são chamados de
portadores majoritários, pois existem em maior quantidade no
material. E as lacunas surgidas no material tipo N, devido ao
rompimento das ligações, chamadas de portadores minoritários.
No material tipo P os portadores majoritários são as
lacunas e os portadores minoritários são os elétrons.
Junção P-N
Uma junção P-N é a estrutura fundamental dos dispositivos
semicondutores, formada quando regiões de semicondutor do tipo
N e do tipo P são adjacentes dentro de um mesmo cristal.
Na dopagem tipo P, tem-

se maior número de portadores
com cargas positivas.
Na dopagem tipo N tem-
se maior número de portadores
com cargas negativas.
Na união dos cristais ocorre o deslocamento de elétrons do

cristal N para o cristal P. Cessado estas correntes (recombinações)
aparecem cargas fixas em uma zona de ambos os lados da junção, zona
que recebe diferentes denominações como zona de carga espacial, de
esgotamento ou depleção etc.
Junção P-N
Progredindo o processo de difusão, a zona de carga
espacial vai aumentando sua largura, aprofundando-se nos
cristais em ambos os lados da junção. O acumulo de íons
positivos na zona N e de íons negativos na zona P, cria um
campo elétrico que atuará sobre os elétrons livres da zona N
como uma determinada força de deslocamento, que se oporá
à corrente e terminará por detê-la. Como na região de
depleção não há cargas, é de se esperar que ela funcione
como um isolante. Para vencer a barreira de potencial é
necessário aplicar um campo elétrico numa direção
apropriada, de tal forma a colapsar a região de depleção
preenchendo-a com portadores de carga.
Junção P-N
Reforçando, após a formação da junção, alguns
elétrons do cristal tipo N migram para o anodo, nas
proximidades da junção. Ao encontrar as lacunas, ocorre a
recombinação do par elétron-lacuna e, consequentemente, o
aniquilamento dos portadores de carga majoritários na
junção. A região formada pela neutralização das cargas é
denominada região de depleção por não haver portadores de
carga. A região de depleção não irá crescer muito além da
junção por causa do campo elétrico formado. Na verdade, a
região de depleção funcionará como um capacitor e o campo
elétrico gerado impedirá a migração de novos elétrons livres
difundidos do semicondutor tipo N para se recombinar com
as lacunas do cristal do tipo P.
Junção P-N
Na polarização inversa, o pólo positivo da bateria
atrai os elétrons livres da zona N, os quais saem do cristal N e
se introduzem no condutor no qual se deslocam até chegar à
bateria. A medida que os elétrons livres abandonam a zona
N, os átomos pentavalentes que antes eram neutros,
ao verem-se despren-
didos de seu elétrons no
orbital de condução,
adquirem estabilidade e
uma carga elétrica
líquida de +1, o que os
faz converterem-se em
íons positivos.

Junção P-N
O negativo cede elétrons livres aos átomos trivalentes
da zona P, quando estes elétrons livres cedidos pela bateria
entram na zona P, caem dentro de lacunas as quais os átomos
trivalentes adquirem estabilidade e uma carga elétrica líquida
de -1, convertendo-se assim em íons negativos.
Em resumo, na
polarização inversa, a
região de depleção se
amplia até não haver mais
portadores majoritários.

Junção P-N
Por difusão ou efeito térmico, uma certa quantidade

de portadores minoritários penetra na região de transição.
São, então, acelerados pelo campo elétrico, indo até a outra
região neutra do dispositivo. Esta corrente reversa, dos
portadores minoritários, independe da tensão reversa
aplicada, variando, basicamente, com a temperatura.
Dessa forma, uma corrente de fuga se estabelece
quando o diodo está polarizado reversamente.

Junção P-N
Para polarizar um diodo de forma direta, tem que
conectar o pólo positivo da bateria ao anodo (P) e o pólo
negativo ao catodo (N). O pólo negativo fornece elétrons para o
cristal N, de maneira que estes elétrons se dirigem à junção P-N.
O pólo positivo
empurra as lacunas
para a junção P-N, ou
seja, atrai os elétrons
de valência do cristal P.

Junção P-N
Neste caso, diminui a barreira de potencial da zona de
carga espacial, permitindo a passagem da corrente de
elétrons através da junção, caso a tensão de polarização seja
maior que a tensão da barreira de potencial, isto é, a junção
P-N polarizada direta-
mente conduz a corrente
elétrica.

Junção P-N
Uma polarização
direta leva ao estreitamento
da região de transição e à
redução da barreira de
potencial. Quando a
tensão aplicada superar o
valor natural da barreira,
cerca de 0,7V para Junções
de Si, os portadores
negativos do lado N serão
atraídos pelo potencial
positivo do anodo e vice-
versa, levando o
componente à condução.
Junção P-N
Representamos uma Junção

P-N de várias formas, conforme as
necessidades didáticas ou técnicas,
de forma que seja mais conveniente
para o entendimento.
Uma Junção P-N é essencial-
mente um Diodo Semicondutor. É um
dispositivo de controle de corrente
unilateral de dois terminais.

Diodo Semicondutor
A função básica de um diodo semicondutor é
permitir a passagem da “corrente direta” (quando
polarizado diretamente), assim sendo o diodo está em
condução. E não permitir a passagem da “corrente
reversa” (quando o diodo está polarizado
inversamente), diodo em corte.

Diodo Semicondutor
Os diodos conduzem
numa direção mas não na outra.
Esta é a característica mais
importante do diodo e que o
torna importante na Eletrônica. A
curva corrente-tensão ou curva I-
V é a curva característica de um
dispositivo eletrônico, seja ele
um resistor, um capacitor ou um
diodo. Enquanto a curva I-V de
um resistor que obedece a lei de
Ohm (resistor ôhmico) é uma
reta, a curva característica de um
diodo apresenta uma forma não-
linear, como a mostrada na
figura.

Diodo Semicondutor
Quando uma tensão positiva é aplicada entre o anodo e o
catodo, uma corrente iD flui através do diodo, desde que essa
tensão seja superior a um valor VD determinado pelo tipo e pelo
material utilizado na fabricação do diodo. Para um diodo de
silício, esse valor de tensão é cerca de 0,6 V, enquanto que um
diodo de germânio, a tensão de polarização é cerca de 0,3 V.

Diodo Semicondutor
Se uma tensão reversa negativa VR é aplicada sobre
o diodo (do anodo para o catodo), o dispositivo exibe uma
grande resistência à passagem de corrente e esta corrente
denomina-se corrente de fuga reversa (iR). Se a intensidade
da tensão reversa exceder um valor crítico, ocorre uma
avalanche de corrente quando os portadores minoritários
adquirem energia suficiente para colidir com os elétrons de
valência e levá-los para a banda de energia de condução. A
tensão em que ocorre a avalanche de corrente é
denominada tensão de ruptura reversa (VBR).

Diodo Semicondutor
As principais características dos diodos, especificadas
nos datasheets, são:
* Tensão Inversa de Pico (PIV): É a tensão
inversa máxima que o diodo pode suportar;
* Corrente Máxima (Iomax): É a corrente que

pode passar pelo diodo normalmente, sem
danifica-lo;
* Queda Máxima de Tensão ou tensão de

barreira: Quando uma corrente passa por um
diodo, existe uma queda de tensão que que
não é proporcional a sua intensidade, sendo
bastante estável;
* Corrente Máxima de Fuga: É a corrente que

"escapa" quando o diodo esta polarizado
inversamente, influenciada quase linearmente
pela temperatura.

Tipos e especificação de diodos comerciais
De maneira simples, os diodos para aplicações
eletrônicas são divididos em famílias:
· 1N4148 (diodos de pequeno sinal);
· Família 1N5400 (diodos retificadores);
· Família BZX61 (diodos Zener).



Diodos Retificadores: São os diodos mais comuns, fabricados com
o objetivo primordial de permitirem a passagem da corrente
elétrica em um só sentido (polarização direta), cumprindo um
papel indispensável na transformação de corrente alternada em
corrente contínua. Possuem vários tamanhos e formatos, de
acordo com a sua potência nominal.
1N4007
6A40

Os principais diodos retificadores são divididos em três
grupos, de acordo com os materiais usados em sua construção:
germânio, silício e schottky.
O de germânio é usado
apenas onde se precisa de uma
queda de tensão muito pequena.
Os de silício são de uso
geral e os schottky são
construídos baseados em uma
junção metal-semicondutor (e
não semicondutor-semicondutor
como ou outros dois) e
apresentam uma baixa queda de
tensão (tensão de barreira) e
altas velocidades de trabalho.
Zener: São diodos fabricados para conduzir a corrente
elétrica em sentido inverso (polarização inversa). Este efeito
é chamado de "ruptura zener" e ocorre em um valor de
tensão bastante preciso, permitindo que esse diodo seja
utilizado com uma referência de tensão. São bastante
empregados em circuitos reguladores de tensão em fontes
de alimentação.

Varicaps: Todo diodo possui uma capacitância
interna formada por suas duas regiões
condutoras (tipo-p e tipo-n), as quais são
separadas por uma região livre de cargas
(região de depleção). A extensão dessa região
de depleção depende da polarização do diodo:
ela diminui quando o mesmo é polarizado
diretamente e vice-versa. Com a variação das
dimensões da região de depleção, varia-se a
capacitância interna do diodo. Os varicaps são
fabricados para aproveitarem essa
característica, funcionando como capacitores
variáveis, cuja capacitância é controlada pela
tensão aplicada sobre o diodo. Tais
componentes são bastante empregados em
circuitos de sintonia de aparelhos televisores e
de rádios, além de equipamentos
transmissores.

LEDs: São diodos semicondutores que, quando
energizados, emitem luz. A luz não é
monocromática (como em um laser), mas
consiste de uma banda espectral relativamente
estreita, sendo produzida pelas interações
energéticas dos elétrons. O processo de emissão
de luz pela aplicação de uma fonte de energia
elétrica é chamado eletroluminescência. No
silício e no germânio, que são os elementos
básicos dos diodos e transistores, a maior parte
da energia é liberada na forma de calor, sendo
insignificante a luz emitida. Já em outros
materiais, como o arseneto de gálio (GaAs) ou o
fosfeto de gálio (GaP), o número de fótons de
luz emitidos é suficiente para constituir fontes
de luz bastante eficientes.

LEDs
Os leds estão disponíveis nas cores,
Vermelho, Laranja, Amarelo, Verde, Azul e
Branco. As cores branca e azul são mais caras que
as restantes cores.

LEDs
Os valores Iled e Vled são normalmente
arbitrados ou retirados dos dados fabricantes.
Normalmente costuma-se adotar:

I/V em função Cor LED

Fotodiodos são dispositivos eletrônicos feitos de um material
semicondutor (normalmente de silício). Eles possuem uma junção
semicondutora, que tem a propriedade de variar a sua resistência
elétrica em função da intensidade da luz (fótons) nela incidente.
Reversamente polarizado , o fotodiodo não conduz a corrente

elétrica (resistência elétrica "infinita"). Se incidirmos luz na junção
semicondutora do fotodiodo, a sua resistência elétrica diminui muito pela
formação dos pares elétrons-lacunas, havendo condução intensa de corrente
elétrica.


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