Eletrônica Fundamental

Apresentação da disciplina
Estudo dos Semicondutores

Estrutura atômica

Condutores, Isolantes e Semicondutores

Obtenção dos Materiais P e N

Diodo de Junção

Eletrônica Fundamental AULA 1 2

Introdução
Eletrônica é a ciência que estuda a forma de
controlar a energia elétrica por meios elétricos nos
quais os elétrons têm papel fundamental.
Divide-se em Analógica e Digital porque seus
parâmetros de trabalho podem assumir qualquer
valor e obedecer estas duas formas de
apresentação dos sinais elétricos a serem
tratados.
Numa definição mais abrangente, podemos dizer
que a Eletrônica é o ramo da ciência que estuda o
uso de circuitos formados por componentes
elétricos e eletrônicos, com o objetivo principal de
representar, armazenar, transmitir ou processar
informações além do controle de processos e
servo mecanismos.
 Estudo dos Semicondutores
Para entender como os diodos, transistores e
circuitos integrados funcionam é necessário
primeiro estudar os semicondutores.
Constituição do Átomo
O átomo é o elemento fundamental na constituição
da matéria. Ele é formado de um núcleo (prótons e
nêutrons) e camadas externas onde se encontram
os elétrons.
Elétrons de Valência

O núcleo e as camadas internas não são de muito

interesse no estudo da eletrônica. O interesse maior
está na camada mais externa, chamada de camada de
valência. É esta camada que vai controlar as
propriedades elétricas do átomo. Nesta camada
encontramos os elétrons de valência. Estes elétrons por
estarem afastados do núcleo são mais facilmente
deslocados do átomo. A principal ideia que se deve ter é
a seguinte: como o elétron de valência é levemente
atraído pelo núcleo, este elétron pode ser facilmente
deslocado por uma força externa.
Elétrons de Valência
Condutores, Isolantes e Semicondutores

Condutores
São materiais que não oferecem resistência à
passagem de corrente elétrica.
Quanto menor for a oposição à passagem de
corrente, melhor condutor é o material.
O que caracteriza o material bom condutor é o fato
de os elétrons de valência estarem fracamente
ligados ao átomo, encontrando grande facilidade
para abandonar seus átomos e se movimentarem
livremente no interior dos materiais.
O cobre, por exemplo, com somente um elétron na
camada de valência tem facilidade de cedê-lo para
ganhar estabilidade. O elétron cedido pode tornar-
se um elétron livre.
Isolantes
São materiais que possuem uma resistividade muito
alta, bloqueando a passagem da corrente elétrica.
Os elétrons de valência estão rigidamente ligados
aos seus átomos, sendo que poucos elétrons
conseguem desprender-se de seus átomos para se
transformarem em elétrons livres.
Consegue-se isolamento maior (resistividade) com
substâncias compostas (borracha, mica, baquelita,
etc).
Semicondutores
São os materiais que apresentam uma resistividade
elétrica intermediária. Como exemplo temos o
germânio e silício.
Semicondutor
Apresenta uma condutividade entre a alta
condutividade do condutor e a baixa condutividade
do isolante. Normalmente o semicondutor
apresenta quatro elétrons de valência. Como
exemplo podemos citar o silício, cuja constituição
eletrônica é a seguinte: K = 2, L = 8 e M = 4.
Obtenção dos Materiais P e N
Um semicondutor é um elemento de valência quatro,
ou seja, possui quatro elétrons na camada de
valência, entre eles, os mais comuns são o
Germânio(Ge) e o Silício(Si), sendo que o Silício é o
material mais utilizado na fabricação dos
componentes eletrônicos, por que a sua estabilidade
térmica ser muito maior do que a do Germânio.
Cristais de Silício
Quando os átomos de silício se combinam para
formar um sólido, eles são arranjados segundo um
padrão ordenado chamado cristal. A estrutura de
um cristal é mostrada na figura abaixo. Os átomos
se posicionam no espaço formando uma estrutura
ordenada.
Ligação Covalente
Um átomo está quimicamente
estável quando possui oito elétrons
na última camada. No cristal de
silício existem bilhões de átomos de
silício que possuem oito elétrons de
valência.
Por que isto ocorre?
O que acontece é que no cristal de
silício vai ocorrer o que chamamos
de ligação covalente, que é um
emparelhamento de elétrons.
Cada um dos quatro elétrons de valência
do átomo de silício vai se combinar com
um átomo vizinho. Nesta situação cada
átomo acaba ficando com oito elétrons
de valência. O que faz com que os
átomos fiquem unidos formando um
sólido é justamente esta ligação em que
os dois núcleos exercem forças iguais e
sentidos opostos. Devido à estabilidade
que o cristal de silício possui, ele é um
isolante quase perfeito na temperatura
ambiente (aproximadamente 25 ºC).
Semicondutores Intrínseco e Extrínseco
Quando o semicondutor possui somente átomos
tetravalentes, ele é chamado de Intrínseco.
Mas após ser submetido a um processo chamado de
Dopagem ele torna-se de grande importância na
fabricação dos componentes eletrônicos.
A dopagem é o processo de que consiste na adição
de impurezas (elementos químicos) ao
semicondutor puro. O semicondutor dopado é
chamado de Extrínseco. O processo de dopagem
altera as condições elétricas do cristal.
Impurezas Doadoras
São átomos pentavalentes, isto é, que possuem
cinco elétrons na camada de valência. As mais
comuns são o Arsênico, o Fósforo e o Antimônio.
Por exemplo, se ao Silício for adicionado átomos de
fósforo, a estrutura cristalina será rompida e outras
ligações covalentes serão efetuadas e ficará com
excesso de um elétron, pois somente quatro elétrons
do fósforo irão tomar parte nas ligações covalentes.
Cada elétron extra é chamado de elétron livre e
estará fracamente ligado ao núcleo, podendo ser
facilmente deslocado. Como o elétron possui carga
elétrica negativa, o material obtido é eletricamente
negativo, pó isso, chamado de MATERIAL DO TIPO N.
Impurezas Receptoras
São átomos trivalentes, isto é, que possuem três
elétrons na camada de valência. As mais comuns
são Boro, Gálio e Índio.
Por exemplo, se a uma rede cristalina pura de
Silício for adicionados átomos de Índio, as
ligações covalentes originais serão rompidas e
outras ligações serão estabelecidas. Pois o Índio
possui três elétrons na camada de valência.
Nas novas ligações haverá falta de elétrons. A falta
de um elétron dá origem a um Buraco ou Lacuna na
estrutura. Esta lacuna possibilita o átomo receber
elétrons. A ausência de pode torná-lo um íon
negativo. Elétrons torna o material obtido positivo.
Por isso, é chamado de material do tipo P.
As impurezas receptoras fazem com que apareçam
lacunas no semicondutor dopado. Estas lacunas
possuem carga positiva (falta de elétrons). Daí
chamarmos o semicondutor com este tipo de
impureza de semicondutor tipo P.

Obs.: Após a dopagem o material do tipo P torna-se condutor

Material do Tipo N
As impurezas doadoras fazem com que apareçam
elétrons livres no semicondutor dopado. Este
excesso de elétrons livres tornam o semicondutor
com carga negativa. Daí chamarmos o semicondutor
com este tipo de impureza de semicondutor tipo N.
Fluxo de Elétrons Livres e Lacunas
Se um elétron de valência adquire energia suficiente para
quebrar sua ligação covalente e preencher o vazio criado
por uma lacuna, então outra lacuna será criada na ligação
covalente que liberou o elétron. Existe, portanto, uma
transferência de lacunas para a esquerda, e de elétrons
para a direita, conforme mostrado na figura.
Diodo de Junção
Por si só, um material tipo P ou tipo N não tem muita
utilidade. Daí o surgimento do diodo de junção, junção PN
ou ainda cristal PN, que consiste de um material
semicondutor (no caso o silício) em que o fabricante
realiza dopagem para que metade dele seja do tipo P e a
outra metade do tipo N.
Polarização

A Polarização de um diodo consiste na influência de uma

fonte de tensão sobre o mesmo.
O Diodo Não-Polarizado
Nosso primeiro estudo sobre o diodo será em relação a ele
sem a influência de uma fonte de tensão. Quando temos um
diodo de junção ou junção PN, observamos que de um lado
tem-se uma grande quantidade de lacunas (material P) e do
outro uma grande quantidade de elétrons livres (material N).
Então, quando unimos estes dois materiais, o que seria
natural acontecer em decorrência desta união?
Poderíamos imaginar que todos os elétrons do material N
atravessariam a junção e se combinariam com todas as
lacunas do material P. Mas não é assim que acontece, na
verdade apenas alguns elétrons atravessam a junção.
Quando um elétron do átomo doador se movimenta no
sentido da lacuna do átomo receptor e se combina com
ela, o átomo doador se torna um íon positivo e o átomo
receptor se torna um íon negativo.
Isto vai se repetir por toda região da junção e vai provocar
um esvaziamento de portadores na mesma.
Esta região de esvaziamento de portadores é chamada de
camada de depleção. Então, qualquer elétron que tentar
atravessar a junção será repelido pelos íons negativos
agora presente no material P. Por esta razão não é
possível a ocorrência de outras recombinações de
elétrons e lacunas através da junção.
Estes átomos carregados (íon positivo e íon negativo) irão
dar origem a uma diferença de potencial e esta diferença de
potencial pode ser esquematizada por uma bateria com a
polaridade indicada na figura abaixo.
Esta diferença de potencial tende a se opor ao
deslocamento de novos portadores para a junção, daí esta
diferença de potencial ser chamada de barreira de
potencial (por tender a “barrar” o deslocamento dos
elétrons e lacunas).
À temperatura de 25 ºC, a barreira de potencial é
aproximadamente de 0,3 V para os diodos de Germânio e
0,7 V para os diodos de Silício. O valor da barreira de
potencial depende da temperatura na junção. Uma
temperatura alta gera mais elétrons livres e lacunas. Esses
elétrons extras e lacunas reduzem a largura da camada de
depleção, equivalente a dizer que diminui a barreira de
potencial. Regra prática : a barreira de potencial diminui
2 mV para cada grau Celsius de aumento na temperatura.
Polarização Inversa
Quando ligamos um diodo a uma bateria em que o
terminal negativo está ligado ao material P do diodo
e o positivo ao material N, dizemos que ele está
polarizado inversamente.
Então polarizando inversamente o diodo, as lacunas
no material P são atraídas pelo terminal negativo e
os elétrons no material N pelo terminal positivo.
Este processo faz com que a camada de depleção
aumente, consequentemente aumentando a barreira
de potencial até que sua tensão se torne igual à
tensão aplicada externamente. O fluxo de corrente é
pouco ou nenhum, porque as duas tensões se
opõem.
Corrente Inversa de Saturação ou de Portadores Minoritários

Teoricamente, com o diodo polarizado reversamente, não há

fluxo de corrente, mas na realidade ocorre um fluxo de
corrente muito pequeno (na ordem de μA), que é chamada
de corrente de portadores minoritários.
Tensão de Ruptura
Existe um valor limite de tensão inversa que um diodo pode
suportar antes de ser destruído. Esta tensão limite é
denominada tensão de ruptura. Uma vez atingida a tensão
de ruptura, um grande número de portadores minoritários
aparece repentinamente na camada de depleção e o diodo
conduz fortemente, é o chamado efeito avalanche.
Tensão Reversa Máxima - VBR
Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um
determinado valor máximo da tensão inversa.
A aplicação de um valor de tensão inversa superior àquele
especificado pelo fabricante, provoca um aumento
significativo da corrente de fuga suficiente para danificar o
componente. Na tabela a seguir estão listadas as
especificações de alguns diodos comerciais com os
respectivos valores do parâmetro VR.
Polarização Direta
Quando conectamos o terminal positivo no material P do
diodo e o terminal negativo no material N, obtemos a
polarização direta.
Nesta situação os elétrons livres do material N são
repelidos pelo terminal negativo da bateria e se deslocam
para a junção. A corrente circula facilmente em um diodo
polarizado diretamente. Enquanto a tensão aplicada for
maior que a barreira de potencial, haverá uma corrente
incessante no circuito.
Símbolo
Em circuitos eletrônicos usamos a seguinte simbologia
para o diodo de junção:
 Circuito Equivalente do Diodo

O diodo ideal é aquele em que não se considera a tensão

da barreira de potencial, ele funciona praticamente como
uma chave aberta ou fechada.
Para o diodo real o circuito equivalente pode ser
representado como se segue:
Onde: Rinv = é a resistência inversa que é alta
Rd = é a resistência direta que é baixa
Vj = é a tensão da barreira de potencial
Diodo Zener
O diodo zener é uma junção PN fortemente dopada,
fabricado especialmente para trabalhar na polarização
inversa. A partir de uma determinada tensão inversa,
chamada de tensão zener (Vz), o diodo passa a conduzir
dentro de uma região, chamada de região zener. Neste
ponto a corrente aumenta e a tensão se mantém quase
constante.
Curva Característica
Circuito equivalente

Onde: Vz = tensão zener

Vj = tensão da barreira de potencial
Rz = resistência zener
Rinv = resistência inversa
Rd = resistência direta
D1 e D2 = diodos ideais
Os diodos Zener são especificados pela tensão reversa que
causa a sua condução (Vz) e pela potência máxima que ele
é capaz de dissipar(Pz max). A corrente mínima é da ordem
de 10 ma e a corrente máxima é obtida pela razão entre a
Pz max e Vz.
Exemplo:

Um diodo Zener apresenta Pzmax = 1W e Vz

= 20 V. Determine a corrente máxima do
diodo.

Izmax =1000 mW/20 V = Iz max = 50 mA

 Estudamos nessa aula:
Os Semicondutores

Estrutura atômica

Condutores, Isolantes e Semicondutores

Obtenção dos Materiais P e N

Diodo de Junção

Eletrônica Fundamental AULA 1 52