Aula 4

Este capítulo analisa as propriedades dos materiais isolantes, condutores e semicondutores com o
objetivo de apresentar o processo de dopagem e a junção PN para a formação de um diodo.
Detalha também o comportamento do diodo, suas características, reta de carga e polarização,

além de apresentar um tipo especial de diodo: o LED (Light Emitting Diode), que em português significa
diodo emissor de luz.
4.1 Estrutura da matéria

A molécula é a menor porção em que um material pode ser dividido sem que venha a sofrer
alterações em suas propriedades. Se dividirmos a molécula, chegamos ao átomo que não mais con
serva as propriedades do material original
A Figura 4.1 apresenta, como exemplo, a molécula da água.
Figura 4.1 - H2O - Molécula dc água.
Editora Enca - Eletrônica AnaCçica ãasca - Eduardo Casar AJves Cruz a Salomão Oouon Júreor - 2* Edtç*>
4.1.1 Átomo
Átomo é o elemento químico que compõe a molécula, formado por partículas denominadas
elétrons, prótons e nêutrons.
Os prótons e nêutrons constituem o núcleo; os prótons têm carga elétrica positiva e os nêu
trons não têm carga elétrica.
Os elétrons têm carga elétrica negativa e giram ao redor do núcleo em órbitas concêntricas,
como mostra a Figura 4.2.
Nêutron
Elétron
Próton
Figura 4.2 - Estrutura do átomo.
As órbitas dos átomos correspondem a sete diferentes níveis de energia em torno do núcleo
com as denominações seguintes: K, L, M, N, O, P e Q, sendo K a órbita mais interna e Q a mais
externa, conforme a Figura 4.3.
Figura 4.3 - Total dc órbitas dc um átomo.
Eletrônica Analógica Básica
Editora Enca - Eletrônica AnaCgca Sasca - Eduardo Casar AJves Cruz a Salomão Oouon Júreor • 2* Edtç*>
Cada órbita pode conter um número máximo de elétrons, conforme a Tabela 4.1:
Tabela 4.1 - Distribuição eletrônica
Órbita Número máximo

de elétrons
Os elementos químicos se distinguem pelo número total de elétrons que possuem distribuídos
em suas órbitas.
A última órbita que contém elétrons é denominada órbita de valência, pois somente ela pode
ceder ou receber elétrons. Logo, os elétrons de valência sào os únicos em condição de participar
de fenômenos químicos e/ou elétricos.
4.1.2 Estabilidade dos átomos

A estabilidade da maioria dos átomos é obtida quando a sua última órbita contém oito elétrons.
Na natureza, apenas os gases nobres possuem essa característica isoladamente, como mostra a
Figura 4.4.
Observe que a última órbita do argônio é a M e a do Criptônio é a N, mas nos dois átomos essas
órbitas apresentam-se com oito elétrons, portanto esses átomos são estáveis.
A maioria dos átomos não atinge a estabilidade sozinha, pois a órbita de valência apresenta
menos de oito elétrons.
Semicondutores • Diodos
Editora Énca - Eletrônica Analógica Sasca - Eouarto Casar Cruz e Salomão Oouon Júreor • 2* Edçao
Logo, esses átomos precisam se unir com outros, cedendo, recebendo ou compartilhando elé
trons, a fim de atingir a estabilidade.
Essa união pode se dar por eletrovalência ou covalência.
4.1.3 Eletrovalência
Existe eletrovalência quando um dos átomos de uma molécula doa, definitivamente, elétrons
ao átomo vizinho, que o recebe definitivamente, visando à estabilidade.
A Figura 4.5 mostra a ligação eletrovalente entre os átomos de sódio (Na) e cloro (Cl), for
mando a molécula de NaCl (cloreto de sódio).
Figura 4.5 - Ligação eletrovalente na molécula de NaCl.
Nessa molécula, o sódio (Na), com M = 1, cede um elétron ao cloro (Cl), com M = 7, de
modo que ambos passam a ter oito elétrons na órbita de valência. Assim, os dois átomos tornam-
-se estáveis.
4.1.4 Covalência
Existe covalência quando os átomos compartilham elétrons para atingir a estabilidade.
A Figura 4.6 mostra a ligação covalente entre dois átomos de oxigênio (O) e um de carbono
(C), formando a molécula de CO2 (dióxido de carbono).
Figura 4.6 - Ligação covalente na molécula de CO2.
Nessa molécula, os átomos de oxigênio possuem seis elétrons na órbita de valência, enquanto
o carbono possui quatro. O compartilhamento de dois elétrons de cada átomo de oxigênio com os
quatro elétrons do átomo de carbono forma uma molécula estável, como se os três átomos tivessem
oito elétrons na órbita de valência.
4.2 Condutores e isolantes
4.2.1 Condutores
Os materiais condutores são formados por átomos cujos elétrons da órbita de valência estão
fracamente ligados ao núcleo, de modo que a temperatura ambiente tem energia suficiente para
arrancá-los da órbita, tornando-os livres.
Assim, sob a ação de uma diferença de potencial, os elétrons livres passam a se locomover
facilmente no interior do material condutor, conforme ilustra a Figura 4.7.
Figura 4.7 - Cóndutôr détricó.
Como exemplo de condutores, podemos citar o ouro, a prata, o cobre, o alumínio e outros
metais.
Quanto maior o número de elétrons livres, maior é a condutividade do material. Em relação
à ação da temperatura sobre a condutividade, é importante observar que o aumento da energia tér
mica provoca um movimento desordenado nos elétrons livres, causando choques entre eles, o que
dificulta a condução.
4.2.2 Isolantes
Os materiais isolantes são formados por átomos cujos elétrons da órbita de valência estão for
temente ligados ao núcleo, de modo que a temperatura ambiente não tem energia suficiente para
arrancá-los da órbita. Portanto, há pouquíssimos elétrons livres.
Assim, a ação de uma diferença de potencial não provoca fluxo de elétrons no interior do
material isolante, conforme ilustra a Figura 4.8.
Semicondutores • Oiodos
Editora Enca - Eletrônica Anafâgca àasca - Eduardo Casar AJves Ciuz e Salomão Ooum Júnwr - 2* Edição
Como exemplo de isolantes podemos citar a borracha, a mica e a porcelana.
4.3 Semicondutores
4.3.1 Estrutura atômica
Os materiais semicondutores mais comuns são o silício (Si) e o germânio (Ge), que em estado
puro apresentam-se na forma de um cristal, significando que seus átomos acham-se dispostos uni
formemente em uma configuração rígida.
Esses materiais são tetravalentes, ou seja, possuem quatro elétrons na órbita de valência, con
forme indica a Figura 4.9.
(a) Silício • 14 elétrons (b) Germânio • 32 elétrons
Figura 4.9 - Estruturas atômicas do silício c do germânio.
Como a estabilidade é atingida com oito elétrons na última órbita, cada átomo desses materiais
faz quatro ligações covalentes com quatro átomos vizinhos, tomando-se estáveis e dando origem à
estrutura cristalina, conforme a representação na Figura 4.10.
Editora Enca - Eletrônica AnaCçica ãasca - Eduardo Casar AJves Cruz a Salomão Oouon Júreor • 2* Edtç*>
Figura 4.10 - Estrutura cristalina do silício.
Da forma como se apresenta esse semicondutor em uma temperatura muito baixa, ao aplicar
mos uma tensão, não há corrente, pois os elétrons acham-se presos às ligações de valência, ou seja,
não há elétrons livres para a condução.
Para que haja corrente, é necessário romper as ligações covalentes mediante o fornecimento de
energia suficiente para isso, nas formas de luz, calor etc.
4.3.2 Geração de pares elétron-lacuna

Se houver o rompimento de uma ligação covalente, ocorre a liberação de um elétron e o surgi
mento de um espaço vazio onde ele se encontrava. A esse vazio damos o nome de lacuna. Portanto, o
rompimento de cada ligação covalente gera um par elétron-lacuna.
A lacuna comporta-se como uma carga positiva. Devido ao deslocamento de elétrons surgem
lacunas sempre no sentido contrário ao movimento dos elétrons, conforme indica a Figura 4.11.
elétrons
lacunas
Figura 4.11 - Condução dc eletricidade por elétrons c lacunas.
A figura mostra que quem realmente tem mobilidade são os elétrons livres. Ao se deslocarem
em direção ao potencial positivo da fonte, eles ocupam sucessivas lacunas. Assim, as lacunas vão
surgindo no sentido oposto ao deslocamento dos elétrons, ou seja, é como se elas se deslocassem em
sentido contrário, isto é, em direção ao potencial negativo da fonte.
Quando os elétrons se movimentam, há a possibilidade de o elétron e a lacuna se recombinarem,
eliminando, dessa maneira, um par elétron-lacuna. Desta forma, nem as lacunas nem os elétrons con
servam-se livres indefinidamente.
Como conclusão podemos afirmar que o material semicondutor possui dois tipos de cor
rentes ou portadores de cargas: as lacunas são os portadores positivos e os elétrons são os portado
res negativos.
Na realidade, a própria temperatura ambiente é responsável por fornecer energia suficiente
para a geração de alguns poucos pares elétron-lacuna, fazendo com que esse semicondutor puro
tenha uma pequena condutividade.
4.4 Processo de dopagem nos semicondutores

Dopagem é o nome do processo utilizado para constituir os semicondutores P e N por meio da
adição ao Si ou ao Ge de quantidades bem reduzidas de impurezas. Entende-se por impureza todo
átomo diferente do Si e do Ge.
4.4.1 Formação do semicondutor P

Para a formação do semicondutor P são adicionados ao silício ou germânio átomos trivalentes.
São trivalentes os átomos que possuem três elétrons em suas órbitas de valência, como, por exemplo,
o alumínio, o índio, o boro e ogálio.
Se introduzirmos no silício, que é tetravalente, uma pequena quantidade de material trivalente,

os elétrons dessa impureza farão ligações covalentes com os elétrons do silício. A Figura 4.12 repre
senta a dopagem do silício por átomos de alumínio.
No entanto, falta um elétron para completar a ligação em cada átomo trivalente, pois ele cola
borou apenas com três elétrons, enquanto o silício possui quatro elétrons. Essa falta de um elétron
comporta-se como uma carga positiva, ou seja, uma lacuna.
Lacuna
Átomo de
Alumínio
Figura 4.12 - Geração dc lacuna por dopagem trivalente.
Assim, de um modo artificial, consegue-se gerar lacunas sem gerar elétrons livres. Esse semi
condutor com excesso de lacunas é denominado P.
Na realidade, o semicondutor P também possui elétrons livres gerados à temperatura
ambiente, mas eles são em menor número.
Dizemos que no semicondutor P os portadores majoritários são as lacunas e os portadores
minoritários são os elétrons.
O mesmo processo ocorre com o germânio, que é tetravalente, quando nele são introduzidas
impurezas trivalentes.
4.4.2 Formação do semicondutor N
Para a formação do semicondutor N são adicionados ao silício ou germânio átomos pen
tavalentes. São pentavalentes os átomos que possuem cinco elétrons em suas órbitas de valência,
como, por exemplo, o antimônio, o fósforo e o arsênico.
Se introduzirmos no silício, que é tetravalente, uma pequena quantidade de material pentava-
lente, os elétrons dessa impureza farão ligações covalentes com os elétrons do silício. A Figura 4.13
representa a dopagem do silício por átomos de fósforo.
Elétron
Excedente
Átomo de
Fósforo
Figura 4.13 - Geração de elétron livre por dopagem pentavalcnte.
No entanto, há a sobra de um elétron livre do átomo pentavalente, pois ele não faz ligação
covalente com nenhum elétron dos átomos de silício.
De um modo artificial, consegue-se gerar elétrons livres sem gerar lacunas. Esse semicondutor
com excesso de elétrons livres é denominado N.
O semicondutor N também possui lacunas geradas à temperatura ambiente, mas elas são em
menor número.
Dizemos que no semicondutor N os portadores majoritários são os elétrons e os portadores

minoritários são as lacunas.
O mesmo processo ocorre com o germânio, que é tetravalente, quando nele são introduzidas
impurezas pentavalentes.
4.4.3 Influência da temperatura nos semicondutores

Nos condutores, o aumento da temperatura provoca um movimento desordenado de elé
trons, aumentando as colisões e, consequentemente, a resistência do material. Já nos semicondutores
ocorre totalmente o inverso: o aumento da temperatura diminui a sua resistência devido ao aumento
da geração de pares elétron-lacuna. No Tópico 4.9 retomaremos este assunto com mais detalhes.
4.5 Junção PN - diodo

A união de um semicondutor P com um N pode ser realizada de modo a constituir um cristal
único. Esse cristal é denominado junção PN ou diodo de junção ou ainda diodo.
Como já vimos anteriormente, no semicondutor N os elétrons são os portadores majoritários
de carga e as lacunas as portadoras minoritárias. No semicondutor P, as lacunas são as portadoras
majoritárias de carga e os elétrons os portadores minoritários.
No momento em que a junção desses semicondutores é feita, inicia-se um processo de difu
são de cargas, isto é, o deslocamento de cargas de regiões de elevada concentração para regiões de
baixa concentração. Vejamos como esse processo se desenvolve por meio da Figura 4.14, em que está
representada uma junção PN não polarizada.
Camada de
depleçào Em que
O Lacuna
• Elétron
íon positivo
íon negativo
Figura 4.14 - Junção PN c a barreira dc potencial.
O semicondutor N apresenta um grande número de elétrons e o semicondutor P, um grande

número de lacunas. Logo, ao formar a junção PN, ocorre a difusão dos elétrons livres do lado N para
o P. No lado N, a ausência dos elétrons cria uma região de ions positivos (cátions) próxima à junção.
No lado P, quando os elétrons ocupam as lacunas que também se encontram próximas da junção
(recombinação elétron-lacuna), eles criam ions negativos (ânions).
A região em tomo da junção passa a ter, assim, características muito especiais: por um lado,
ela fica livre de portadores de carga (elétrons e lacunas), por isso é denominada camada de depleçào-,
por outro lado, os ions positivos e negativos formam uma barreira de potencial.
Durante esse processo de difusão, conforme os ions vão sendo formados, a barreira de poten
cial cresce. Com isso, o fluxo de elétrons de N para P diminui, pois os elétrons provenientes do lado
N precisam ultrapassar a barreira negativa do lado P para continuar a recombinação. Obviamente, o
processo de difusão cessa quando ocorre um equilíbrio de cargas na junção.
A barreira de potencial produzida na junção no final do processo de difusão corresponde a
uma diferença de potencial (ddp) cujo valor depende do material semicondutor e da temperatu
ra ambiente.
À temperatura ambiente, a barreira de potencial vale aproximadamente 0,6 V para o semicon
dutor de silício e aproximadamente 0,3 V para o de germânio.
No diodo, o terminal do lado P onde se formam os ânions é denominado anodo (A) e o termi
nal do lado N onde se formam os cátions é denominado catodo (K).
A Figura 4.15 apresenta o símbolo do diodo semicondutor e a relação entre os seus terminais e
o tipo de material de cada lado.
Editora Enca - Eletrônica AnaCgca Sasca - Eduardo Casar AJves Cruz « Salomão Oouon Júreor • 2* Edtç*>
A - Anodo
K - Catodo
Figura 4.15 - Símbolo do diodo semicondutor.
Amplie seus conhecimentos
Você sabia que o transistor, que é um dispositivo semicondutor baseado na união de duas junções PN, é considerado uma
das maiores invenções do último milênio?
Fonte: http://www.newtoncbraga.com.br/index.phjVartigos/67-historia-da-eietronica/407-a-historia-do-transistor.html .
Acesso em: 20 dez. 2013.
4.6 Polarização do diodo

Para analisarmos o comportamento do diodo quando ele é polarizado por uma fonte de ten
são externa, tomemos como referência a estrutura da junção PN sem polarização apresentada na
Figura 4.16. Nela, no entorno da junção aparece em destaque a camada de depleção que produz a
barreira de potencial.
Camada de depleção
Figura 4.16 - Junção PN sem polarização externa.
4.6.1 Diodo reversamente polarizado

A polarização reversa do diodo consiste em ligar o polo positivo da fonte de tensão externa
no lado N (terminal catodo) e o polo negativo no lado P (terminal anodo), conforme mostra a
Figura 4.17.
Figura 4.17 - Junção PN com polarização reversa.
Fccora Énca - Eletrônica Analógica Sasca - Eouarto Cosar Cruz e Salomão Oouon Júreor • 2* Edtç*>
A aplicação da tensão reversa provoca um alargamento da camada de depleção e consequente
aumento da barreira de potencial. Quanto maior é a tensão externa, mais alarga a camada de deple
ção, portanto maior o valor da barreira de potencial. Obviamente, há um limite para a tensão reversa
externa para que não haja a ruptura da junção, conforme veremos no Tópico 4.7.
Fisicamente, ocorre que a tensão reversa externa atua de forma a impedir a circulação de porta
dores majoritários de carga através da junção. Surge uma pequena corrente de portadores minoritá
rios que vai do polo positivo ao negativo da fonte externa, como mostra a Figura 4.18.
Figura 4.18 - Corrente reversa no diodo.
Essa corrente é denominada corrente reversa. Seu valor aumenta com a ampliação da tensão
externa até um limite máximo, cujo nome é corrente de saturação reversa.
Mesmo esse valor máximo é muito baixo, da ordem de microampères, de modo que, na maio
ria das aplicações, a corrente reversa pode ser desprezada.
O diodo polarizado reversamente comporta-se como uma resistência muito elevada, da ordem
de centenas de megaohm, ou seja, é equivalente a um circuito aberto.
4.6.2 Diodo diretamente polarizado

A polarização direta do diodo consiste em ligar o polo positivo da fonte de tensão externa
no lado P (terminal anodo) e o polo negativo no lado N (terminal catodo), conforme indica a
Figura 4.19.
Figura 4.19 - Junção PN com polarização direta.
Nesse caso, a tensão externa ajuda os elétrons livres do lado N a vencer a barreira de potencial,
de modo que a resistência da junção cai para apenas alguns ohms.
Assim, há facilidade para a circulação de corrente formada pelos portadores majoritários e seu
valor pode ser mais ou menos intenso em função apenas da resistência limitadora R em série com o
diodo. Essa corrente é denominada corrente direta.
O diodo polarizado diretamente comporta-se como uma resistência muito baixa, ou seja, é
equivalente a um curto-circuito.
4.7 Curva característica do diodo

O Gráfico 4.1 representa a curva característica de um diodo de silício nas polarizações direta
e reversa.
Gráfico 4.1 - Curva característica dc um diodo dc silício
No primeiro quadrante, em que a corrente e a tensão são positivas, vemos a curva do diodo na
polarização direta.
Enquanto a tensão sobre o diodo é menor do que a barreira de potencial (0,6 V), a corrente é
praticamente nula. A partir de 0,6 V a corrente cresce muito, como se o diodo estivesse em curto.
A corrente direta máxima (do inglês forward current) dos diodos pode ser obtida nos
manuais de seus fabricantes (datasheet) ou via Internet.
Se o diodo fosse de germânio, o aspecto da curva característica seria o mesmo, com exceção da
barreira de potencial que seria de aproximadamente 0,3 V.
No terceiro quadrante, em que a corrente e a tensão são negativas, vemos a curva do diodo na
polarização reversa.
A corrente reversa IR (do inglês reverse current) é muito pequena e cresce muito pouco com o
aumento da tensão reversa. No entanto, há um valor de tensão denominado tensão de ruptura (break
down voltage) que faz com que o diodo inicie um processo de condução reversa, tendo como resul
tado a sua ruptura.
A tensão reversa de ruptura VRmáx (do inglês reverse voltage ou break down voltage) dos diodos
também pode ser obtida nos manuais de seus fabricantes (datasheet) ou via Internet.
A curva característica do diodo pode ser fornecida pelo fabricante ou esboçada a partir do
conhecimento da natureza do seu material (silício ou germânio) e das suas especificações Ilmáx
e Vfcmàx*
Os diodos de silício são utilizados na maioria das aplicações, ficando os diodos de germânio
praticamente restritos a alguns sistemas de modulação, na área de telecomunicações.
/Oi Exercício resolvido

1) Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas prin
cipais especificações, obtidas em um manual, são:
U'máx = 1 A
Vrhúx = 400 V
Solução
A tensão de condução vale aproximadamente 0,6 V, pois o diodo é de silício. A corrente IHmáx
corresponde à corrente direta máxima e vale 1 A e VRmáx é a tensão reversa máxima e vale
400 V. O esboço da curva característica desse diodo está no Gráfico 4.2.
Gráfico 4.2 • Esboço da curva característica do diodo 1N4004
4.8 Reta de carga do diodo

Para bem utilizarmos um diodo, é sempre importante levantarmos a sua reta de carga, com a
qual determinamos o seu ponto de operação.
Consideremos o circuito apresentado na Figura 4.20.
Figura 4.20 ■ Polarização direta de um diodo.
Nesse circuito, o diodo encontra-se polarizado diretamente, pois seu anodo acha-se ligado ao
polo positivo da batería, e seu catodo, por meio do resistor R, ao polo negativo da batería.
Sendo a tensão V da batería maior do que a barreira de potencial do diodo (V > 0,6 V para
diodo de silício), garante-se a sua condução, de modo que a corrente IF circula com o senti
do indicado.
Uma parte da tensão da batería fica sobre o diodo, cujo valor é VF = 0,6 V, e a outra parte sobre
o resistor R de polarização, e seu valor é:
vR=v-vF
A corrente que atravessa o diodo, que é a mesma que atravessa o resistor, pode ser determi
nada pela aplicação da lei de Ohm no resistor, ou seja:
Essas duas expressões permitem determinar analiticamente o ponto de operação do diodo.
É possível também determinarmos graficamente o ponto de operação do diodo por meio de

sua curva característica e da reta de carga do circuito.
Para traçarmos uma reta necessitamos de dois pontos. Por facilidade, escolhemos os pontos
sobre os eixos do gráfico em que sempre uma das grandezas é nula.
Do circuito da Figura 4.20 determinamos com facilidade o valor de I'F, que é o valor máximo
de corrente que circula pelo diodo quando a tensão sobre ele é nula, isto é, quando o diodo é consi
derado um curto e VR = V.
V
Portanto: I’F = — (diodo em curto)
Do mesmo circuito determinamos a tensão V*F, que é a tensão máxima sobre o diodo quando
a corrente que o atravessa é nula, isto é, quando o diodo é considerado um circuito aberto e VR = 0.
Portanto: V’F = V (diodo aberto)
De posse dos valores l’F e V'F, podemos traçar a reta de carga do circuito unindo esses dois
pontos, conforme mostra a Gráfico 4.3.
Gráfico 4.3 - Reta dc carga c ponto quicsccntc
O ponto Q de intersecção entre a reta de carga e a curva característica do diodo é o ponto de

operação ou ponto quiescente. As suas coordenadas correspondem à tensão VF e à corrente 1F de ope
ração do diodo no circuito.
Exercício resolvido
2) Considere o circuito da Figura 421 e a curva característica do diodo mostrada no Gráfico 4.4.
Gráfico 4.4 - Curva característica do diodo
Figura 4.21 - Circuito com diodo.
Editora Enca - Eletrônica AnaCgca Sasca - Eduardo Casar AJves Cruz « Salomão Oouon Júreor • 2* Edtç*>
Com base nas informações apresentadas, determine o ponto de operação do diodo de forma
analítica e de forma gráfica.
Solução
Determinação o ponto de operação do diodo de forma analítica.
a) A tensão de operação do diodo vale aproximadamente: VF = 0,6 V
A tensão no resistor de polarização vale: Vh 0.6V
A corrente de operação do diodo vale: Vk. V - VH - 5 0,6 => VK = 4.4 V

b) Determinação o ponto de operação do diodo de forma gráfica.
Primeiramente, calcule os dois pontos para traçar a reta de carga:
V 5
Corrente máxima no diodo: l'P = — =---- => I . = 15 mA
F R 130 h
Tensão máxima no diodo: V 'F = V V ’F = 5 V
De posse desses valores, trace a reta de carga do circuito sobre a curva característica do diodo,
obtendo o gráfico da Gráfico 4.5.
Gráfico 4.5 - Reta dc carga c ponto quicsccntc
Finalmente, obtenha o ponto de operação do diodo:

Corrente de operação do diodo: 1^—13 mA
Tensão de operação do diodo: V,. -0,7 V
Observe que os resultados obtidos nos itens a e b são muito próximos.
4.9 Efeito da temperatura no diodo
A junção PN, como já comentamos anteriormente, sofre influência da temperatura. A tempera
tura máxima do silício está por volta de 150 °C, enquanto a do germânio acha-se por volta de 100 °C.
Para cada aumento de 1 °C na temperatura, a tensão direta no diodo diminui cerca de 2,5 mV,
ou seja, a taxa de variação da tensão em função da temperatura é de aproximadamente -2,5 mV/°C.
O Gráfico 4.6 apresenta diversas curvas características de um diodo em polarização direta para
diferentes temperaturas.
Gráfico 4.6 - Efeito da temperatura no diodo
3) Um diodo de silício apresenta, à temperatura de 25 °C, uma queda de tensão no sentido
direto de VFj = 0,6 V com uma corrente de 12 mA. Se a corrente se mantiver constante,
qual será a tensão direta resultante na temperatura 115 °C?
Solução
A variação da temperatura do diodo é:
AT = T? Tj = 1 15 25 => AT = 90°C
Por meio da regra de três, calcule a variação na tensão do diodo:

1°C -> -2,5 mV
90 °C -> AV
AV = 90 x (-2,5 ■ 10-’) = -225 mV
Portanto, a tensão direta VF2 no diodo em 115 °C vale:
VF2 = VF1 + AV = 0,6 - 0,225 => VF? = 0,375 V
4.10 Diodo emissor de luz (LED)
LED é a sigla de Light Emitting Diode, que em português significa diodo emissor de luz. Trata-se
de um dispositivo optoeletrônico, pois ele emite luz quando é polarizado diretamente.
Originalmente, os LEDs foram desenvolvidos com a finalidade de sinalização, principalmente
em equipamentos eletrônicos.
Ele foi inventado na década de 1920 pelo russo Oleg Lasev, mas sem aplicação prática para essa
época, o dispositivo não se desenvolveu. Somente a partir de 1962 foi criado o primeiro LED de luz
vermelha, ainda com baixa intensidade luminosa, com a finalidade de ser usado em sinalização. Daí
em diante, surgiram os LEDs de cores amarela e verde. Na década de 1980, surgiram os LEDs com
intensidades maiores; na década de 1990, os LEDs de alto brilho, incluindo os de cores azul e ciano,
e, finalmente, surgiu o LED de luz branca.
O princípio de funcionamento baseia-se na irradiação de energia que há quando elétrons do
lado N cruzam a junção e se recombinam com lacunas do lado P.
Nos diodos comuns, a energia irradiada é térmica, produzindo calor. Nos LEDs, por utilizarem
elementos como o gálio (Ga), arsênico (As) e o fósforo (P) em sua fabricação, a energia irradiada é
eletromagnética, produzindo luz, conforme ilustra a Figura 4.22.
Símbolo
(A)
(a) Estrutura física (b) LED emitindo luz (c) Símbolo
Figura 4.22 LED - diodo emissor dc luz.
A curva característica do LED é muito semelhante à do diodo retificador, mas a ordem de

grandeza das tensões e correntes de operação é diferente.
A tensão de condução, que nos diodos retificadores de silício é da ordem de 0,6 V, nos LEDs
vale em torno de 2 V. A corrente direta máxima (1^^) é da ordem de dezenas de miliampères e a
tensão reversa máxima (VRmix) é da ordem de unidades a algumas dezenas de volts.
Além dessas especificações, é comum os manuais fornecerem uma condição de operação que
garanta ao LED a emissão dc luz com intensidade adequada. Essa condição é apresentada na forma
VF @ fjp,
Comercialmente, são encontrados LEDs de diversos aspectos e modelos internos.
Os LEDs mais comuns têm um aspecto similar ao apresentado na Figura 4.22(b) com diâme
tros de 3,5 e 10 mm, nas cores vermelha, verde e amarela.
Há também LEDs com esse mesmo aspecto, encapsulamento transparente, mas emitindo nas
cores vermelha, verde, azul e branca com alto brilho.
Semicondutores ■ Diodos
Editora Enca - Eletrônica Analógica Basica - Eduardo Casar Alves Cruz e Salomão Cnousn Júmor - 2* Edçao
Há ainda os LEDs infravermelhos, cujo comprimento de onda não é visível a olho nu, sendo
muito utilizados, por exemplo, como transmissores de sinais de dados em fibras ópticas e em barrei
ras ópticas.
Outro modelo de LED é o bicolor. Ele é fabricado com dois e três terminais, conforme mostra a
Figura 4.23.
(a) LED de dois terminais (b) LED de três terminais
Figura 4.23 LEDs bicolores.
A aplicação básica do LED é como dispositivo de sinalização. Nesse caso, ele deve ser ligado a
uma fonte de alimentação Vcc em série com um resistor limitador de corrente R, como mostra
a Figura 4.24.
Figura 4.24 - Polarização do LED.
O resistor limitador dc corrente R pode ser determinado a partir das especificações de opera
ção do LED e da fonte V^:
vrr---
„R = _GC -vF1
■f
4) Determine o resistor R para polarizar o LED, conforme o circuito em seguida.
Figura 4.25 Polarização do LED.
Editora Enca - Eletrônica Analógica Basica - Eduardo Casar Alves Cruz e Salomão Cnouen Júmor ■ 2* Edçao
Especificações do LED:
Cor: vermelha
Diâmetro: 5 mm
Operação: VF = 1,7 V @ IF = 10 mA
Ipmáx - 50 mA
VRroilf = 5V
Solução
R V(I VF R _ 17 17 R _ I030Q
IF 10-10-’
Valor comercial adotado: R = 1 kíl
4.10.1 Lâmpada a LED

Atualmente, são fabricados LEDs com intensidade luminosa superior a 120 lumens e potência
superior a 15 W em várias cores, viabilizando a produção de lâmpadas para iluminação, e não apenas
para sinalização, surgindo, assim, a lâmpada a LED ou também chamada de lâmpada eletrônica ou
lâmpada de estado sólido.
A tecnologia dos semicondutores desenvolveu um tipo de LED de baixa potência e alto brilho
cuja intensidade luminosa é bem próxima à da lâmpada convencional, com a vantagem de trabalhar
com potência bem menor e ter uma vida média muito maior, superior a 50.000 h.
Como o LED não tem filamento, ele opera com corrente muito menor que todos os outros
tipos de lâmpada, 1 a 10 mA. Ainda, como a sua tensão de operação também é extremamente baixa,
em tomo de 2 V, o consumo de potência é bem menor, 2 a 20 mW por LED. Mesmo considerando
um conjunto de LEDs, a potência total é muito menor que a das lâmpadas convencionais.
A Figura 4.26 mostra alguns tipos de lâmpadas a LED.
Figura 4.26 - Lâmpadas a LED.
Acreditamos ser uma questão de tempo para que as lâmpadas a LED substituam quase todos
os outros tipos de lâmpada.
É possível até que, futuramente, tenhamos outro padrão de fonte de luz. No lugar de lâmpadas
no teto, poderemos ter uma concentração muito grande de pontos de LEDs, de modo que o teto
como um todo se ilumine.
Com essa mudança de finalidade, isto é, com a possibilidade de utilização do LED para ilumi
nação, hoje são produzidos LEDs de potência com um número maior de elementos de emissão de
luz, proporcionando maior eficiência, IRC (índice de Reprodução de Cor) igual a 100 e temperatura
da cor entre 2.760 e 10.000 K.
Há ainda outras vantagens da lâmpada a LED, como alta resistência a impactos e vibrações,
baixa tensão de operação, alta eficiência, baixa manutenção, controle da cor e da intensidade, aciona
mento instantâneo, energia luminosa limpa (ecológica), não emissão de radiações ultravioleta e infra
vermelha, vida média muito elevada e possibilidade de variação de intensidade de 0 a 100% (dimme-
rizaçào) por meio da técnica PWM (Pulse-Widlh Modulation) ou modulação por largura de pulso.
A lâmpada a LED pode ter o seu alcance alterado usando lentes de colimação. Isso é muito útil,
por exemplo, na iluminação de áreas externas, como entradas e jardins de edifícios.
São fabricados atualmente, além dos LEDs tradicionais, vários outros tipos, como OLED
(Organic LED) ou LED orgânico, COLED (Cavity Organic LED) ou LED orgânico com cavidade
óptica e LED inorgânico ultrafino.
Vamos recapitular?
Sâo descritos no capítulo os processos de dopagem para formação dos materiais semicondutores
do tipo P e do tipo N, a formação de um diodo (junção PN) e sua polarização na forma gráfica e analítica.
O capítulo apresenta ainda o efeito da temperatura no diodo e ensina a polarizar o LED, diodo
emissor de luz.
Agora é com você!
1) Associe as informações das colunas I, II, III e IV referentes às características dos tipos
de semicondutor:
1 II III IV
Semicondutor Dopagem com Impureza Portadores Majoritários Portadores Minoritários
a) N a) triva lente a) elétrons a) elétrons
b)P b) pentavalente b) lacunas b) lacunas
Editora Enca - EletrOnca Analógica Basica - Eduardo Casar Alves Cruz e Salomão Cnouan Júmor - 2* Edçao
2) Associe as informações das colunas I e II referentes à junção PN:
1 II
Lado da Junção Nome do Terminal
a)N a) anodo
b)P b)catoco
3) Esboce a curva característica dos diodos 1N4002 e 1N4148 a partir das especifica
ções:
Silício Silício
1N4002 lFmâx=lA 1N4148 lFmix=75mA
vRmfa=ioov VRmix=100V
4) Considere o circuito da Figura 4.27 e a curva característica do diodo mostrada no

Gráfico 4.7:
---------- IX—
+
3V -T------------------------ :100n
Figura 4.27 - Circuito com diodo.
G ráfico 4.7 - Curva característica
Determine o ponto de operação do diodo pelas formas:

a) analítica;
b) gráfica.
5) Um diodo de silício apresenta, à temperatura de 20 °C, uma queda de tensão no sen
tido direto de VFI = 0,62 V com uma corrente de 25 mA. Se a corrente se mantiver
constante, qual será a tensão direta VF2 e VF3 resultante, respectivamente, nas tempe
raturas 0 °C e 100 °C?
6) Determine o resistor de polarização (valor comercial) de um LED de 3 mm, verde e
especificado para operar com VF = 1,9 V@IF = 2 mA usando uma fonte de alimen
tação de 5 V.
03/08/2011
DIODO SEMICONDUTOR
Prof. Marcelo Wendling

Ago/2011
Conceitos Básicos
O diodo semicondutor é um componente que

pode comportar-se como condutor ou isolante
elétrico, dependendo da forma como a tensão é
aplicada aos seus terminais. Essa característica
permite que o diodo semicondutor possa ser
utilizado em diversas aplicações, como, por
exemplo, na transformação de corrente alternada
em corrente contínua.
1
03/08/2011
Formação do Diodo: Junção PN
Um diodo semicondutor é formado a partir da

junção entre um semicondutor tipo p e um
semicondutor tipo n:
Logo após a formação da junção pn, alguns elétrons

livres se difundem do semicondutor tipo n para o
semicondutor tipo p. O mesmo processo ocorre com
algumas lacunas existentes no semicondutor tipo p que
difundem para o semicondutor tipo n.
2
03/08/2011
Conforme ilustrado abaixo, as cargas produzidas nas

proximidades da junção são cargas fixas à rede cristalina.
Essa região de cargas próxima à junção é denominada
região de cargas descobertas ou região de depleção.
Com o aparecimento da região de depleção, o

transporte de elétrons para o lado p é bloqueado, pois estes
são repelidos da região negativamente carregada do lado p.
O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte para
o lado n é repelido pelas cargas positivas existentes no lado
n da junção.
Portanto, imediatamente após a formação da junção,

uma diferença de potencial positiva é gerada entre os lados
n e p. Essa barreira de potencial previne a continuação do
transporte de portadores através da junção pn não
polarizada.
3
03/08/2011

A tensão Vγ proporcionada pela barreira de potencial
no interior do diodo, depende do material utilizado na
sua fabricação. Valores aproximados para os diodos de
germânio e silício são Vγ = 0,3 [V] e Vγ = 0,7 [V],
respectivamente.
Não é possível medir diretamente o valor de Vγ

aplicando um voltímetro conectado aos terminais do
diodo, porque essa tensão existe apenas em uma
pequena região próxima à junção. No todo, o
componente é eletricamente neutro, uma vez que não
foram acrescentados nem retirados portadores do cristal.
Aspecto e Representação do Diodo

O diodo semicondutor é representado em diagramas
de circuitos eletrônicos pelo símbolo ilustrado abaixo. O
terminal da seta representa o material p, denominado de
anodo do diodo, enquanto o terminal da barra
representa o material n, denominado de catodo do
diodo.
p n
4
03/08/2011
Aspecto e Representação do Diodo

A identificação dos terminais do componente real
pode aparecer na forma de um símbolo impresso sobre o
corpo do componente ou ainda o catodo do diodo pode
ser identificado através de um anel impresso na
superfície do componente:
Aplicação de tensão sobre o Diodo

A aplicação de tensão sobre o diodo
estabelece a forma como o componente se
comporta eletricamente. A tensão pode ser
aplicada ao diodo pela polarização direta ou pela
polarização inversa do componente
5
03/08/2011
Polarização Direta
Polarização direta é uma condição que ocorre quando
o lado p é submetido a um potencial positivo relativo ao
lado n do diodo.
Nessa situação, o polo positivo da fonte repele as
lacunas do material p em direção ao polo negativo,
enquanto os elétrons livres do lado n são repelidos do
polo negativo em direção ao polo positivo.
Na situação ilustrada ao
lado, o valor da tensão
aplicada ao diodo é inferior
ao valor Vγ da barreira de
potencial. Nessa condição,
a maior parte dos elétrons
e lacunas não têm energia
suficiente para atravessar a
junção.
Como resultado,
apenas alguns elétrons e
lacunas têm energia
suficiente para penetrar a
barreira de potencial,
produzindo uma pequena
corrente elétrica através do
diodo.
6
03/08/2011
Se a tensão aplicada aos
terminais do diodo excede
o valor da barreira de
potencial, lacunas do lado p
e elétrons do lado n
adquirem energia superior
àquela necessária para
superar a barreira de
potencial, produzindo como
resultado um grande
aumento da corrente
elétrica através do diodo.
Quando o diodo está
polarizado diretamente,
conduzindo corrente
elétrica sob a condição V >
Vγ, diz-se que o diodo está
em condução.
Polarização Inversa
A polarização inversa de um diodo ocorre quando o
lado n fica submetido a um potencial positivo relativo ao
lado p do componente.
Nessa situação, os polos da fonte externa atraem os
portadores livres majoritários em cada lado da junção; ou
seja, elétrons do lado n e lacunas do lado p são afastados
das proximidades da junção.
7
03/08/2011
Polarização Reversa
Com o afastamento dos
portadores majoritários,
aumenta não só a extensão
da região de cargas
descobertas, como também
o valor da barreira de
potencial através da junção.
Com o aumento da
barreira de potencial, torna-
se mais difícil o fluxo,
através da junção, de
elétrons injetados pela
fonte no lado p e de lacunas
no lado n. Como resultado,
a corrente através do diodo
tende praticamente a um Quando o diodo está sob polarização inversa, impedindo o
valor nulo. fluxo de corrente através de seus terminais, diz-se que o diodo está
em bloqueio ou na condição de corte.
Características Elétricas
É sempre conveniente modelar um determinado
componente eletrônico através de seu circuito
equivalente. O circuito equivalente é uma ferramenta
largamente utilizada em eletrônica para representar
um componente com características não comuns, por
um circuito consistindo de componentes mais
simples, tais como interruptores, resistores,
capacitores etc.
No caso do diodo semicondutor, em nível técnico,
utilizam-se duas modelagens: o diodo ideal e o diodo
semi-ideal.
8
03/08/2011
Modelo I: Diodo Ideal

Por diodo ideal entende-se um dispositivo que
apresenta características ideais de condução e bloqueio.
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve
conduzir corrente elétrica sem apresentar resistência,
comportando-se como um interruptor fechado. O
interruptor fechado é, portanto, o circuito equivalente
para o diodo ideal em condução.
Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal
deve comportar-se como um isolante perfeito, impedindo
completamente o fluxo de corrente. O interruptor aberto
é, portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal na
condição de corte.
Modelo I: Diodo Ideal
9
03/08/2011
Modelo II: Diodo Semi-Ideal

Com respeito às características de condução do diodo
semicondutor, deve-se levar em conta que o diodo entra
em condução efetiva apenas a partir do momento em que
a tensão da fonte externa atinge um valor ligeiramente
superior ao valor Vγ da barreira de potencial.
Deve-se também considerar a existência de uma
resistência elétrica através da junção quando o diodo está
sob polarização direta. Essa resistência existe em qualquer
semicondutor, devido a colisões dos portadores com a rede
cristalina do material. O valor da resistência interna dos
diodos em estado de condução é normalmente inferior a 1
[].

Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito
equivalente do diodo em condução pode ser obtido pela
associação série de um resistor RD, representativo da
resistência direta de condução, com uma fonte de tensão Vγ
correspondente ao valor da barreira de potencial na junção:
10
03/08/2011

Em situações em que o diodo é utilizado em série com
componentes que exibem resistências muito superiores à
sua resistência de condução, esta pode ser desprezada e o
diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra
em um erro significativo:

Polarização Reversa
Sempre existe uma corrente de fuga, quando o diodo é
inversamente polarizado, correspondendo à passagem de
portadores minoritários através da junção. Essa corrente de
fuga é geralmente da ordem de alguns [µA], o que indica
que a resistência da junção inversamente polarizada pode
chegar a vários [MΩ], podendo ser modelado como
apresentado abaixo:
11
03/08/2011

Resumindo:
Questionário
• O que é a dopagem de um semicondutor?
• O que são um semicondutores tipo n e tipo p?
• De que forma a temperatura altera a condutividade
elétrica de um semicondutor?
• O que ocorre imediatamente após a formação de uma
junção pn?
• Sob que condições um diodo entra em condução ou
em bloqueio?
• Qual o valor típico de tensão que deve ser aplicada a
um diodo de germânio para que ele conduza? E para o
diodo de silício?
12
03/08/2011
Curva Característica
O comportamento de qualquer componente
eletrônico pode ser expresso através de uma curva
característica ou curva VI que representa a relação entre
tensão e corrente através dos terminais do componente.
Dessa forma, para cada valor da tensão aplicada,

pode-se, a partir dos dados da curva característica, obter
o valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa. A
curva característica do diodo serve para determinar seu
comportamento real qualquer que seja o seu estado de
polarização, conforme examinado a seguir.
Região de Condução
Durante a condução, uma corrente Id flui através do
diodo, conforme ilustrado abaixo. A medida que aumenta a
corrente injetada Id, a queda de tensão Vd , observada
através dos terminais do diodo, aumenta muito pouco em
relação ao valor Vγ, como conseqüência do baixíssimo valor
da resistência de condução do diodo.
13
03/08/2011
Curva Característica - Condução
Id (mA)
Uma representação gráfica 200
dessa relação tensãocorrente 180
para o caso do diodo de silício 160
é mostrada ao lado. 140
Nessa representação, a 120
curva característica do diodo é 100
obtida simplesmente pela 80
união de todos os pontos 60
representativos dos pares de 40
valores possíveis de corrente Id 20
e tensão Vd, através do diodo 0
no regime de condução. 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Vd (V)

A obtenção do valor de I d
tensão V0 que corresponde 200 a
um dado valor de corrente I0, 180
é
feita traçando-se inicialmente160
uma linha horizontal a partir 140
do ponto sobre o eixo vertical120
correspondente ao valor I100 0.
Essa linha intercepta a curva80 P
no ponto P. Traçando-se a60 I0
partir de P uma linha vertical,40
obtém-se a interseção com o20
eixo horizontal no ponto V0 0
que é o valor desejado da V0 Vd
queda de tensão nos terminais 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
do diodo.
14
03/08/2011

Através da curva verifica-se também I (mA)
que, enquanto a tensão sobre o 200 d
diodo não ultrapassa um valor limite,
que corresponde ao potencial da 180
barreira VB, a corrente através do 160
diodo permanece muito pequena.
140
Essa condição é indicada para um
tipo de diodo de silício, onde Id < 6 120
[mA] para Vd < 0,7 [V]. A partir do 100
valor limite Vγ = 0,7 [V], a corrente
através do diodo pode aumentar 80
substancialmente sem que isso cause 60
um aumento significativo na queda 40
de tensão através do diodo. Verifica-
se, portanto, que na faixa de valores 20
Vd > 0,7 [V], o diodo comporta-se 6 0
praticamente como um resistor de 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
baixíssima resistência. Vd(V) 0,7
Região de Bloqueio I d (mA)
0,002
Existe uma corrente de
fuga quando o diodo é
inversamente polarizado, que 0,001
aumenta gradativamente com
o aumento da tensão inversa
nos terminais do diodo. Esse 0
comportamento pode ser
observado na região de
-0,001
tensões e correntes negativas
do gráfico, notando que, para
este tipo de diodo de silício, a -0,002
corrente de fuga satura no -1 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0 0,2
valor de 1 [µA] negativo. Vd (V)
15
03/08/2011
Curva Característica - Bloqueio

I d(mA)
Como em polarização 150
direta a corrente é
tipicamente mais de
1.000 vezes superior ao
100
valor da corrente de
polarização inversa, a
representação das duas
regiões de operação em 50
um mesmo gráfico é
geralmente feita
utilizando-se a escala de V d(V)
[mA] na região de 0
tensões positivas, e a -1 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
escala de [A] na região
de tensões negativas.
-50
Id(A)
-100
Limites de Operação
Os limites de operação do diodo em cc estabelecem os
valores máximos de tensão e corrente que podem ser
aplicados ao componente em circuitos de corrente
contínua, sem provocar danos a sua estrutura.
Analisando o comportamento do diodo no regime de
condução, verifica-se que a corrente de condução é o fator
diretamente influenciado pelo circuito de alimentação do
diodo. A queda de tensão nos terminais do diodo no
regime de condução é praticamente independente do
circuito, mantendo-se em um valor próximo ao valor do
potencial da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 [V] para o
silício e 0,3 [V] para o germânio.
16
03/08/2011
Limites de Operação
No regime de polarização inversa, a tensão através do
diodo é o parâmetro diretamente influenciado pelo circuito
de alimentação. A corrente de fuga não é muito
influenciada pelo circuito externo pois depende apenas das
propriedades materiais do diodo.
Dessa forma, os limites de operação do diodo são

definidos pela corrente de condução máxima e tensão
inversa, ou reversa, máxima descritas a seguir.
Corrente Direta Máxima - I DM

A corrente máxima de condução de um diodo é
fornecida pelo fabricante em um folheto de
especificações técnicas. Nesses folhetos, a corrente
máxima de condução aparece designada pela sigla IF, com
a abreviação F simbolizando a palavra inglesa forward
que significa para a frente, direto(a) etc. Na tabela abaixo
são especificados valores de IF para dois tipos comerciais
de diodos.
TIPO IF
SKE 1/12 1,0 A
1n4004 1,0 A
17
03/08/2011
Tensão Reversa Máxima - V BR

Sob polarização inversa, o diodo opera no regime de
bloqueio. Nessa condição, praticamente toda tensão
externamente aplicada atua diretamente entre os
terminais do diodo:

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar
um determinado valor máximo da tensão inversa. A
aplicação de um valor de tensão inversa superior àquele
especificado pelo fabricante, provoca um aumento
significativo da corrente de fuga suficiente para danificar
o componente.
Os fabricantes de diodos fornecem nos folhetos de
especificação o valor da tensão inversa máxima que o
diodo suporta sem sofrer ruptura. Esse valor é designado
por VR. Na tabela a seguir estão listadas as especificações
de alguns diodos comerciais com os respectivos valores
do parâmetro VR.
18
03/08/2011
TIPO VR
1N4001 50 V
BY127 800 V
BYX13 50 V
SKE1/12 1.200 V
Bibliografia
Retirado da apostila Série Eletrônica,

desenvolvido pelo Sistema SENAI.
19

Aula 4

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Aula 4

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Este capítulo analisa as propriedades dos materiais isolantes, condutores e semicondutores com o

objetivo de apresentar o processo de dopagem e a junção PN para a formação de um diodo.

Detalha também o comportamento do diodo, suas características, reta de carga e polarização,

4.1 Estrutura da matéria

A Figura 4.1 apresenta, como exemplo, a molécula da água.

Figura 4.1 - H2O - Molécula dc água.

Figura 4.2 - Estrutura do átomo.

Figura 4.3 - Total dc órbitas dc um átomo.

Eletrônica Analógica Básica

Tabela 4.1 - Distribuição eletrônica

Órbita Número máximo

4.1.2 Estabilidade dos átomos

Essa união pode se dar por eletrovalência ou covalência.

Figura 4.5 - Ligação eletrovalente na molécula de NaCl.

Figura 4.6 - Ligação covalente na molécula de CO2.

Eletrônica Analógica Básica

4.2 Condutores e isolantes

Figura 4.7 - Cóndutôr détricó.

(a) Silício • 14 elétrons (b) Germânio • 32 elétrons

Figura 4.9 - Estruturas atômicas do silício c do germânio.

Eletrônica Analógica Básica

4.3.2 Geração de pares elétron-lacuna

Figura 4.11 - Condução dc eletricidade por elétrons c lacunas.

4.4 Processo de dopagem nos semicondutores

4.4.1 Formação do semicondutor P

Se introduzirmos no silício, que é tetravalente, uma pequena quantidade de material trivalente,

Figura 4.12 - Geração dc lacuna por dopagem trivalente.

Eletrônica Analógica Básica

Figura 4.13 - Geração de elétron livre por dopagem pentavalcnte.

Dizemos que no semicondutor N os portadores majoritários são os elétrons e os portadores

4.4.3 Influência da temperatura nos semicondutores

4.5 Junção PN - diodo

Figura 4.14 - Junção PN c a barreira dc potencial.

O semicondutor N apresenta um grande número de elétrons e o semicondutor P, um grande

Eletrônica Analógica Básica

Figura 4.15 - Símbolo do diodo semicondutor.

Amplie seus conhecimentos

4.6 Polarização do diodo

Figura 4.16 - Junção PN sem polarização externa.

4.6.1 Diodo reversamente polarizado

Figura 4.17 - Junção PN com polarização reversa.

Figura 4.18 - Corrente reversa no diodo.

4.6.2 Diodo diretamente polarizado

Figura 4.19 - Junção PN com polarização direta.

Eletrônica Analógica Básica

4.7 Curva característica do diodo

Gráfico 4.1 - Curva característica dc um diodo dc silício

/Oi Exercício resolvido

Gráfico 4.2 • Esboço da curva característica do diodo 1N4004

4.8 Reta de carga do diodo

Eletrônica Analógica Básica

Essas duas expressões permitem determinar analiticamente o ponto de operação do diodo.

É possível também determinarmos graficamente o ponto de operação do diodo por meio de

Portanto: V’F = V (diodo aberto)

Gráfico 4.3 - Reta dc carga c ponto quicsccntc

O ponto Q de intersecção entre a reta de carga e a curva característica do diodo é o ponto de

Gráfico 4.4 - Curva característica do diodo

Figura 4.21 - Circuito com diodo.

Eletrônica Analógica Básica

A tensão no resistor de polarização vale: Vh 0.6V

A corrente de operação do diodo vale: Vk. V - VH - 5 0,6 => VK = 4.4 V

Tensão máxima no diodo: V 'F = V V ’F = 5 V

Finalmente, obtenha o ponto de operação do diodo:

Tensão de operação do diodo: V,. -0,7 V