Constituição atómica

dos materiais
utilizados na indústria
elétrica e eletrónica

Lucínio Preza de Araújo

Constituição atómica da matéria.
A matéria que se pode encontrar no estado sólido, líquido ou gasoso é constituída por
moléculas e estas podem ainda ser subdivididas em partículas menores que são os
átomos. Exemplo:

1 molécula 2 átomos de 1 átomo de

de água hidrogénio oxigénio

H2O  H2 + O
Estrutura do átomo

Órbita

O átomo é basicamente formado por três tipos de partículas elementares: electrões,

protões e neutrões.
Os protões e os neutrões estão no núcleo do átomo e os electrões giram em órbitas
electrónicas à volta do núcleo do átomo.

Carga eléctrica das partículas

A carga eléctrica do electrão é igual à

carga do protão, porém de sinal contrário:
o electrão possui carga negativa (-) e o
protão carga eléctrica positiva (+). O
neutrão não possui carga eléctrica, isto é,
a sua carga é nula.

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Órbitas electrónicas

Num átomo, os electrões que giram em volta do núcleo distribuem-se em várias órbitas
ou camadas electrónicas num total máximo de sete (K, L, M, N, O, P, Q).

Carga eléctrica do átomo

Em qualquer átomo, o número de protões

contidos no seu núcleo é igual ao número
de electrões que giram à volta dele, ou
seja, a carga eléctrica do átomo é nula,
pois a carga positiva dos protões é
anulada pela carga negativa dos
electrões.
Um átomo nesse estado está
electricamente neutro.

Iões positivos e iões negativos

Um átomo quando electricamente neutro poderá ganhar (receber) ou perder (ceder)

electrões.
Quando ele ganha um ou mais electrões, dizemos que se transforma num ião
negativo.
Quando um átomo perde um ou mais electrões, dizemos que ele se transforma num
ião positivo.
Exemplo: Se o átomo de sódio (Na) ceder um electrão ao átomo de cloro (Cl)
passamos a ter um ião positivo de sódio e um ião negativo de cloro.

Ião negativo Ião positivo

Cl -
de cloro de sódio
N+
a

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Electrões de valência

Electrão de valência

A órbita electrónica ou camada mais afastada do núcleo é a camada de valência e os

electrões dessa camada são chamados de electrões de valência.
Num átomo, o número máximo de electrões de valência é de oito. Quando um
átomo tem oito electrões de valência diz-se que o átomo tem estabilidade química ou
molecular.

Materiais utilizados na Indústria Eléctrica e Electrónica

Resistentes Supercondutores

Condutores

Isolantes Materiais Semicondutores

Magnéticos

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Condutores

Os átomos com 1, 2 ou 3 electrões de valência têm uma certa facilidade em cedê-los já

que a sua camada de valência está muito incompleta (para estar completa deveria ter 8
electrões de valência).

Por exemplo, um átomo de cobre tem um electrão de valência o que faz com que ele
ceda com muita facilidade esse electrão (electrão livre).

Número atómico do cobre = 29 (número total de electrões no átomo)

K=2 2n2 = 2x12 = 2

L=8 2n2 = 2x22 = 8
M=18 2n2 = 2x32 = 18 29P K L M N

N=1

Os materiais condutores são aqueles que melhor conduzem a corrente eléctrica porque
têm muitos electrões livres.

O metal condutor com maior utilização na indústria eléctrica é o cobre.

A resistividade (ρ) do cobre à temperatura de 20ºC é de 0,0172 Ωmm2/m.

O alumínio, a prata, o ouro, o ferro, o níquel, o cádmio, o estanho, o latão são

exemplos de alguns materiais condutores.

Materiais condutores resistentes

Os materiais resistentes são aqueles que, sendo condutores, apresentam

intencionalmente uma resistividade eléctrica maior com o objectivo de dificultar mais a
passagem da corrente eléctrica e produzir calor.

Estes materiais têm aplicação no fabrico de resistências de aquecimento.

Ligas resistentes: níquel-crómio, grafite, manganina, mailhechort, constantan

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Materiais supercondutores

Supercondutividade é um fenómeno observado em

diversos metais e materiais cerâmicos.
Quando esses materiais são arrefecidos a
temperaturas que vão do zero absoluto (0 graus
Kelvin, -273°C) à temperatura do nitrogénio líquido (77
K, -196°C), não apresentam resistência elétrica.
A temperatura na qual a resistência elétrica é igual a
zero é chamada de temperatura crítica (Tc) e varia de
acordo com o material. As temperaturas críticas são
atingidas por meio do arrefecimento do material com
hélio ou nitrogénio líquidos. A tabela ao lado mostra as
temperaturas críticas de diversos supercondutores.

Como esses materiais não possuem resistência elétrica, o que significa que os
electrões podem-se deslocar livremente através deles, eles podem transmitir grandes
quantidades de corrente elétrica por longos períodos sem perder energia na forma de
calor.

Num supercondutor, os electrões deslocam-se aos pares e movem-se rapidamente

entre os átomos, com uma menor perda de energia. Esse segundo electrão encontra
menos resistência, quase como um automóvel que segue um camião na estrada
encontra menos resistência do ar. A baixa temperatura facilita o emparelhamento dos
electrões.

O futuro da pesquisa da supercondutividade está em encontrar materiais que possam

tornar-se supercondutores à temperatura ambiente. Assim que isso acontecer, todo o
mundo da eletrónica, da energia elétrica e dos transportes passará por uma revolução.

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Isoladores

Os átomos que têm entre 5 e 8 electrões de valência não cedem facilmente electrões já
que a sua camada de valência está quase completa (para estar completa deveria ter 8
electrões de valência).

O vidro, a mica, a borracha estão neste caso.

Estes materiais não são condutores da corrente eléctrica porque não têm electrões
livres sendo necessário aplicar-lhes uma grande energia para passar os electrões de
banda de valência para a banda de condução.

Os materiais isolantes são aqueles que se opõem à passagem da corrente eléctrica

porque não têm electrões livres.
Não há materiais 100% isolantes, por isso, há sempre pequenas correntes de fuga.
Alguns dos materiais isolantes: Policloreto de vinilo (PVC), porcelana, vidro, mica,
plásticos, borracha, verniz, papel.

Semicondutores

Número atómico do
Germânio: 32
Número atómico do
Silício: 14

Os átomos com 4 electrões de valência geralmente não ganham nem perdem

electrões, é o que acontece com os materiais semicondutores, Germânio (Ge) e Silício
(Si).

Estrutura cristalina dos semicondutores

Quando os átomos se unem para formarem as moléculas de uma substância, a

distribuição e disposição desses átomos pode ser ordenada e organizada e designa-se
por estrutura cristalina.
O Germânio e o Silício possuem uma estrutura cristalina cúbica como é mostrado na
seguinte figura.
Átomo de silício

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Ligação covalente

Nessa estrutura cristalina, cada átomo

(representado por Si) une-se a outros quatro
átomos vizinhos, por meio de ligações
covalentes, e cada um dos quatro electrões
de valência de um átomo é compartilhado
com um electrão do átomo vizinho, de modo
que dois átomos adjacentes compartilham os
dois electrões.

Estrutura cristalina dos semicondutores

Na prática, a estrutura cristalina ilustrada na

figura só é conseguida quando o cristal de
silício é submetido à temperatura de zero
graus absolutos (ou -273ºC). Nessa
temperatura, todas as ligações covalentes
estão completas os átomos têm oito
electrões de valência o que faz com que o
átomo tenha estabilidade química e
molecular, logo não há electrões livres e,
consequentemente o material comporta-se
como um isolante.

Semicondutor intrínseco

Um semicondutor intrínseco é um
semicondutor no estado puro. À
temperatura de zero graus absolutos
(-273ºC) comporta-se como um
isolante, mas à temperatura ambiente
(20ºC) já se torna um condutor porque
o calor fornece a energia térmica
necessária para que alguns dos
electrões de valência deixem a ligação
covalente (deixando no seu lugar uma
lacuna) passando a existir alguns
electrões livres no semicondutor.

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Semicondutor extrínseco

Há diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electrão-lacuna livres no

interior de um cristal semicondutor. Um deles é através da energia térmica (ou calor).
Outra maneira consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material
semicondutor.
Na prática, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o número de
electrões livres seja bem superior ao número de lacunas, ou de um cristal onde o
número de lacunas seja bem superior ao número de electrões livres. Isto é conseguido
tomando-se um cristal semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele
(dopagem), por meio de técnicas especiais, uma determinada quantidade de outros
tipos de átomos, aos quais chamamos de impurezas.
Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco) este passa a
denominar-se por semicondutor extrínseco.

Processo de dopagem

Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco), este passa a

ser um semicondutor extrínseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrínseco podem ser de dois
tipos: impurezas ou átomos dadores e impurezas ou átomos
aceitadores.

Átomos dadores têm cinco electrões de valência (são

pentavalentes): Arsénio (AS), Fósforo (P) ou Antimónio (Sb).

Átomos aceitadores têm três electrões de valência (são trivalentes):

Índio (In), Gálio (Ga), Boro (B) ou Alumínio (Al).

Semicondutor do tipo N

A introdução de átomos
pentavalentes (como o Arsénio)
num semicondutor puro
Electrão (intrínseco) faz com que
livre do apareçam electrões livres no seu
Arsénio interior. Como esses átomos
fornecem (doam) electrões ao
cristal semicondutor eles
recebem o nome de impurezas
dadoras ou átomos dadores.
Todo o cristal de Silício ou
Germânio, dopado com
impurezas dadoras é designado
por semicondutor do tipo N (N
de negativo, referindo-se à
carga do electrão).

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Semicondutor do tipo P

A introdução de átomos
trivalentes (como o Índio) num
semicondutor puro (intrínseco)
faz com que apareçam lacunas
livres no seu interior. Como
esses átomos recebem (ou
aceitam) electrões eles são
denominados impurezas
aceitadoras ou átomos
aceitadores. Todo o cristal
puro de Silício ou Germânio,
dopado com impurezas
aceitadoras é designado por
semicondutor do tipo P (P de
positivo, referindo-se à falta da
carga negativa do electrão).

Portadores maioritários e minoritários

Num semicondutor extrínseco do tipo N os electrões estão em maioria designando-

se por portadores maioritários da corrente eléctrica. As lacunas (que são a ausência de
um electrão), por sua vez, estão em minoria e designam-se por portadores minoritários
da corrente eléctrica.

Num semicondutor extrínseco do tipo P as lacunas estão em maioria designando-se

por portadores maioritários da corrente eléctrica. Os electrões, por sua vez, estão em
minoria e designam-se por portadores minoritários da corrente eléctrica.

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Movimento dos electrões e das lacunas nos semicondutores do tipo N

Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electrões será muito mais intenso (sete
larga) que o fluxo de lacunas (sete estreita) porque o número de electrões livres
(portadores maioritários) é muito maior que o número de lacunas (portadores
minoritários).

Electrões Electrões

A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula semelhante ao electrão, porém

com carga eléctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor é submetido a
uma diferença de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electrão,
mas em sentido contrário, uma vez que possui carga eléctrica contrária. Enquanto os
electrões livres se deslocam em direcção ao pólo positivo do gerador, as lacunas
deslocam-se em direcção ao pólo negativo.

Movimento dos electrões e das lacunas nos semicondutores do tipo P

Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas será muito mais intenso (sete
larga) que o fluxo de electrões (sete estreita) porque o número de lacunas livres
(portadores maioritários) é muito maior que o número de electrões livres (portadores
minoritários).

Electrões Electrões

A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula semelhante ao electrão, porém

com carga eléctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor é submetido a
uma diferença de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electrão,
mas em sentido contrário, uma vez que possui carga eléctrica contrária. Enquanto os
electrões livres se deslocam em direcção ao pólo positivo do gerador, as lacunas
deslocam-se em direcção ao pólo negativo.
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Os materiais semicondutores, em termos de resistividade eléctrica, encontram-se entre
os materiais condutores e isoladores.
Actualmente, os semicondutores mais utilizados são o germânio (Ge) e o Silício (Si).
A sua principal aplicação é no fabrico de componentes para a electrónica

Bandas de energia

Energia

Num material isolante é necessário aplicar muita energia (por exemplo, muita tensão
eléctrica) para passar os electrões da banda de valência para a banda de condução já
que a banda proibida é muito larga. Pelo contrário, num material condutor a passagem
dos electrões da banda de valência para a banda de condução faz-se facilmente já que
não existe banda proibida. Os materiais semicondutores estão numa situação
intermédia entre os materiais isoladores e condutores.

Materiais magnéticos

Os diferentes meios podem ser caracterizados, do ponto de vista magnético, pela sua
permeabilidade magnética (µ), isto é, pela maior ou menor facilidade que os materiais
têm em se deixarem atravessar pelas linhas de força de um campo magnético.
Alguns exemplos de materiais ferromagnéticos: aço duro, ferro fundido, cobalto, níquel.

Origem física do magnetismo: Devido à constituição da matéria em átomos e da própria

organização destes num núcleo atómico e nuvem electrónica (electrões a girarem à
volta do núcleo atómico), os eletrões em movimento ou a sua oscilação (spin)
produzem desse modo um efeito magnético.

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