Semicondutores

Estrutura cristalina dos

semicondutores
Quando os átomos se unem para formarem as moléculas
de uma substância, a distribuição e disposição desses
átomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por
estrutura cristalina.
O Germânio e o Silício possuem uma estrutura cristalina
cúbica como é mostrado na seguinte figura.

Átomo de silício

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 Ligação covalente
Nessa estrutura cristalina, cada
átomo (representado por Si)
une-se a outros quatro átomos
vizinhos, por meio de ligações
covalentes, e cada um dos
quatro electrões de valência de
um átomo é compartilhado com
um electrão do átomo vizinho,
de modo que dois átomos
adjacentes compartilham os dois
electrões.

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 Estrutura cristalina dos
semicondutores
Na prática, a estrutura cristalina da
figura só é conseguida quando o
cristal de silício é submetido à
temperatura de zero graus
absolutos (ou -273ºC). Nessa
temperatura, todas as ligações
covalentes estão completas os
átomos têm oito electrões de
valência o que faz com que o átomo
tenha estabilidade química e
molecular, logo não há electrões
livres e, consequentemente o
material comporta-se como um
isolante.
 Semicondutor intrínseco
Um semicondutor intrínseco é um
semicondutor no estado puro. À
temperatura de zero graus absolutos
(-273ºC) comporta-se como um
isolante, mas à temperatura ambiente
(20ºC) já se torna um condutor
porque o calor fornece a energia
térmica necessária para que alguns
dos electrões de valência deixem a
ligação covalente (deixando no seu
lugar uma lacuna) passando a existir
alguns electrões livres no
semicondutor.
 Semicondutor extrínseco
Há diversas formas de se provocar o aparecimento
de pares electrão-lacuna livres no interior de um
cristal semicondutor. Um deles é através da energia
térmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer
com que um feixe de luz incida sobre o material
semicondutor.

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 Semicondutor extrínseco
Na prática, contudo, necessitamos de um cristal
semicondutor em que o número de electrões livres seja
bem superior ao número de lacunas, ou de um cristal onde
o número de lacunas seja bem superior ao número de
electrões livres. Isto é conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele
(dopagem), por meio de técnicas especiais, uma
determinada quantidade de outros tipos de átomos, aos
quais chamamos de impurezas.
Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor
puro (intrínseco) este passa a denominar-se por
semicondutor extrínseco.
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 Semicondutor extrínseco
Há diversas formas de se provocar o aparecimento
de pares electrão-lacuna livres no interior de um
cristal semicondutor. Um deles é através da energia
térmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer
com que um feixe de luz incida sobre o material
semicondutor.

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 Semicondutor extrínseco
Na prática, contudo, necessitamos de um cristal
semicondutor em que o número de electrões livres seja
bem superior ao número de lacunas, ou de um cristal onde
o número de lacunas seja bem superior ao número de
electrões livres. Isto é conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele
(dopagem), por meio de técnicas especiais, uma
determinada quantidade de outros tipos de átomos, aos
quais chamamos de impurezas.
Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor
puro (intrínseco) este passa a denominar-se por
semicondutor extrínseco.
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 Processo de dopagem
Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro
(intrínseco), este passa a ser um semicondutor extrínseco.

As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor

intrínseco podem ser de dois tipos: impurezas ou átomos
dadores e impurezas ou átomos aceitadores.

As – Arsénio In - Índio
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 Processo de dopagem
Átomos dadores têm cinco electrões de
valência (são pentavalentes): Arsénio (AS),
Fósforo (P) ou Antimónio (Sb).

Átomos aceitadores têm três electrões de

valência (são trivalentes): Índio (In), Gálio
(Ga), Boro (B) ou Alumínio (Al).

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 Semicondutor do tipo N
A introdução de átomos
pentavalentes (como o Arsénio) num
semicondutor puro (intrínseco) faz
Electrão
com que apareçam electrões livres no livre do
seu interior. Como esses átomos Arsénio
fornecem (doam) electrões ao cristal
semicondutor eles recebem o nome
de impurezas dadoras ou átomos
dadores.

Todo o cristal de Silício ou Germânio, dopado com

impurezas dadoras é designado por semicondutor do tipo
N (N de negativo, referindo-se à carga do electrão).
 Semicondutor do tipo P
A introdução de átomos trivalentes
(como o Índio) num semicondutor puro
(intrínseco) faz com que apareçam
lacunas livres no seu interior. Como
esses átomos recebem (ou aceitam)
electrões eles são denominados
impurezas aceitadoras ou átomos
aceitadores.

Todo o cristal puro de Silício ou Germânio, dopado com

impurezas aceitadoras é designado por semicondutor do
tipo P (P de positivo, referindo-se à falta da carga negativa
do electrão).
 Portadores maioritários e
minoritários
Num semicondutor extrínseco do tipo N os electrões
estão em maioria designando-se por portadores maioritários
da corrente eléctrica. As lacunas (que são a ausência de um
electrão), por sua vez, estão em minoria e designam-se por
portadores maioritários da corrente eléctrica.

Num semicondutor extrínseco do tipo P as lacunas estão

em maioria designando-se por portadores maioritários da
corrente eléctrica. Os electrões, por sua vez, estão em
minoria e designam-se por portadores minoritários da
corrente eléctrica.
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Movimento dos electrões e das lacunas
nos semicondutores do tipo N

Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de

electrões será muito mais intenso (seta larga) que
o fluxo de lacunas (seta estreita) porque o número
de electrões livres (portadores maioritários) é
muito maior que o número de lacunas (portadores
minoritários).

Electrões Electrões

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 Movimento dos electrões e das lacunas
nos semicondutores do tipo N

Electrões Electrões

 A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula

semelhante ao electrão, porém com carga eléctrica
positiva. Isto significa que, quando o semicondutor é
submetido a uma diferença de potencial, a lacuna pode
mover-se do mesmo modo que o electrão, mas em sentido
contrário, uma vez que possui carga eléctrica contrária.
Enquanto os electrões livres se deslocam em direcção ao
pólo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em
direcção ao pólo negativo.
Movimento dos electrões e das lacunas
nos semicondutores do tipo P
Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de
lacunas será muito mais intenso (seta larga) que o
fluxo de electrões (seta estreita) porque o número
de lacunas livres (portadores maioritários) é muito
maior que o número de electrões livres
(portadores minoritários).

Electrões Electrões

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 Movimento dos electrões e das lacunas
nos semicondutores do tipo P
Electrões Electrões

 A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula

semelhante ao electrão, porém com carga eléctrica
positiva. Isto significa que, quando o semicondutor é
submetido a uma diferença de potencial, a lacuna pode
mover-se do mesmo modo que o electrão, mas em sentido
contrário, uma vez que possui carga eléctrica contrária.
Enquanto os electrões livres se deslocam em direcção ao
pólo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em
direcção ao pólo negativo.