Prof. Dr. Humberto X.

Araujo

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 Materiais que dependendo da sua formação química podem
se apresentar como condutor ou isolante;

 Amplamente utilizado na Engenharia e eletrônica;

 Valores intermediários de condutividade em comparação

com os metais;

  nn qn  n  n p q p  p

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 No silício elementar, a condução resulta da promoção
térmica de elétrons de uma banda de condução preenchida
para uma banda de valência vazia;

 A remoção dos elétrons da banda de valência produz

buracos (portadores de cargas positivas);

 A densidade de elétrons é igual à densidade de lacunas;

  nq   e   l 
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 Nos metais, a condutividade diminui com o aumento da
temperatura;

 A condutividade dos semicondutores aumenta com o

aumento da temperatura;

 O aumento da temperatura estende a função de Fermi,

aumentando a sobreposição, logo, tem-se mais portadores
de carga;

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 A dependência específica com a temperatura da
condutividade dos semicondutores segue um mecanismo de
ativação térmica;

 A densidade de portadores aumenta exponencialmente com

a temperatura:
Eg

n e 2 kT

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 Adição de impurezas (dopagem) no material puro;

 Tipo N = quando portadores de cargas negativas

predominam;

 Tipo P = quando portadores de cargas positivas

predominam;

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 Semicondutor intrínseco é dopado com elementos da
família 5A (Fósforo, p.e);

 Os elétrons de condução fornecidos pelos átomos da

família 5A são os portadores de carga mais numerosos,
logo:

  nq  e

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 Semicondutor intrínseco é dopado com elementos da
família 3A (Boro, p.e);

 Um elétron de valência do silício pode ser facilmente

promovido para o nível receptor gerando uma lacuna:

  nq  l

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 Elementos que geralmente se parecem com elementos do
grupo 4 A;

 Eletronicamente esses compostos se agrupam nas

características da família 4A;

 Os compostos III-V têm composições MX, com M sendo

um elemento de valência 3+ e X sendo um elemento de
valência 5+;

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 A média de 4+ se iguala à valência do grupo IV A;

 Compostos II-VI combinam um elemento de valência 2+

com um elemento de valência 6+;

 Alguns compostos IV-V (GeTe) formam semicondutor

composto;

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 Os semicondutores compostos puros são intrínsecos e
podem se tornar extrínsecos através de dopagem;

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 Semicondutores não cristalinos;

 Tecnologia em desvantagem em relação aos cristalinos;

 Bastante utilizado no mercado fotovoltaico (células

solares), relógios solares, telas de computadores portáteis;

 Processo de fabricação mais barato, eficiência mais baixa;

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• Se a região de base for
estreita o suficiente, um
grande número de buracos
passará pela junção 2;

• Uma vez no coletor, os

buracos se movem
livremente, como portadores
majoritários de cargas;

• Como resultado, a corrente

no coletor é uma função
exponencial de Ve:
Ve

Ic  I0e B

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 Definição da natureza do CI (analógico, mixed
signals, digital)

 Definição da Tecnologia

 Hand Calculation

 Montagem do circuito esquemático e simulações

 Montagem do Layout

 Verificação de erros de layout

 Envio de chips para foundry

 Testes de bancada
 Dimensionamento dos dipositivos do circuito

 Entendimento do funcionamento do sistema

 Projetista ≠ Desenhista

 Parâmetros de processo da foundry deve ser

considerado nos cálculos
 Softwares EDA (Electronic Desing Automation) –
Advanced Desing System (ADS), Cadence, Mentor...

 Verificar resposta do circuito

 Otimização do circuito

 Exportar para Layout

Ambiente Unix ou Windows

Montagem do esquemático bastante prática

Simulações excelente

Montagem do layout bastante complicada

 Ambiente Unix

 Montagem do esquemático bastante prática

 Simulações exige certos cuidados

 Montagem do layout excelente

 É possível importar esquemático gerado no ADS

 Ambiente Unix

 Montagem do esquemático exige certos cuidados

 Simulações exige certos cuidados

 Montagem do layout complicada

 Instalação e inicialização da biblioteca não são triviais

 Biblioteca Hitkit - AMS
 Pacote que deve ser instalado no software de projeto

 Normalmente possui versões para ADS, Cadence e Mentor

 Padrões e regras da foundry

 Deve ser inicializado junto com o software de projeto

 Define a quantidade de camadas (metal, poly...)

Envio para Foundry

Formato .gds

Importa formato XL do esquemático

Checagem de erro DRC (Design Rule Check)

 Identificar dreno e fonte dos transistores após o
circuito ser exportado

 Manter distância segura (~125 um) entre vias de mesma

natureza e entre transistores

 Ajustes no grid

 Utilizar técnica Centróide Comum nos pares diferenciais

 Evitar a utilização das vias em
Diagonal na chegada do dispositivo

 Utilizar ponte no cruzamento de

vias de mesmo nível

 A conexão entre os
Dispositivos e os pads
É feita com metal 2.
Pinagem livre

Pinagem definida
CVSL

Vdd – pino 6

Inputs

A - pino 5
B - pino 7
C - pino 9
Y - pino 2

Output

YN – pino 22
Vss – 20
 Fonte

 Analisador de Espectro

 Network Analyser

 Protoboard

 Jig de test
 Ring Oscilator

 Jig de teste medidas dc

 Conexão através de
wirebond
 Ring Oscilator

 Jig de teste medidas dc

LNA 2.4 GHz
WIDE-BAND LOW NOISE AMPLIFIER---------
14dB .5GHz a 3.4GHz
Dual Gate RF Mixer OPAMP - nMOS

Current Source Memory Cell

 Voltage multiplier
NOR Gate

Ring-Oscilador Var. Freq. Tri-State-Buffer

 Full-Adder w/ Buffer
Master-Slave JK Flip-Flop

Ring Oscilator 11stages XOR 2Input with Buffer