Engenharia Elétrica e Engenharia da Computação

Tema 2 – Materiais semicondutores, condutores e isolantes

Prof. Solivan Valente

solivan@up.edu.br

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Materiais semicondutores: Ge, Si e GaAs
Os dispositivos eletrônicos podem ser discretos (individuais) ou arranjados
em um circuito integrado (CI).

Discreto Circuito integrado

Processador Intel Core

i7 Extreme Edition,
Diodo com 731 milhões de
modelo transistores.
1N4007
Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

Eles são chamados de dispositivos de estado sólido porque são construídos com
estruturas de cristal rígido, de materiais semicondutores de alta qualidade.

Semicondutores são uma classe especial de materiais, que têm condutividade

entre a de um bom condutor e a de um isolante.

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Materiais semicondutores: Ge, Si e GaAs

Os semicondutores podem ser constituídos por um cristal:

• Singular – um único elemento químico:
Ex.: germânio (Ge) ou silício (Si).
• Composto – mais de um elemento químico:
Ex.: arseneto de gálio (GaAs), sulfeto de cádmio (CdS),
nitreto de gálio (GaN), fosfeto de arseneto de gálio (GaAsP) etc.

Os 3 semicondutores mais frequentemente usados na construção de

dispositivos eletrônicos são Ge, Si e GaAs.

Cristal de Cristal de Cristal de

germânio (Ge) silício (Si) arseneto de gálio (GaAs)

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Materiais semicondutores: Ge, Si e GaAs
Características dos 3 principais semicondutores:

Vantagens Desvantagens
• Fácil de encontrar e • Frágil.
disponível em grandes • Baixa confiabilidade.
Ge
quantidades. • Grande sensibilidade a variações
• Refino fácil. de temperatura.
• Um dos materiais mais
abundantes da Terra.
• Frágil.
• Baixa sensibilidade à
Si • Necessita de camadas mais
variação de temperatura.
espessas do cristal.
• Processo de fabricação bem
desenvolvido.
• Alta velocidade
GaAs (até 5x a do Si). • Alto custo de produção.
• Alta estabilidade térmica.

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Ligações covalentes e materiais intrínsecos
Os modelos de Bohr ao lado
mostram as estruturas
atômicas dos elementos
químicos Si, Ge, Ga e As.
Elétrons em
Elemento Elétrons de valência
órbita (prótons e
Si 14 4 tetravalente nêutrons)

Ge 32 4 tetravalente

Ga 31 3 trivalente

As 33 5 pentavalente

O termo valência é usado para indicar que o potencial

de ionização (energia) necessário para remover
algum desses elétrons da estrutura atômica é muito
menor do que o necessário para os demais elétrons
do mesmo átomo. Ou seja, os elétrons de valência
estão fracamente ligados ao núcleo do átomo.
Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Ligações covalentes e materiais intrínsecos
Em um cristal puro de
silício (Si) ou de
germânio (Ge), cada
átomo está ligado a 4
átomos adjacentes por
meio de ligações
covalentes.
Cada elétron de
valência é
compartilhado por dois
átomos próximos.

Fonte: Ligações covalentes em um cristal puro de Si

BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Ligações covalentes e materiais intrínsecos
Como o arseneto de gálio
(GaAs) é um cristal
composto, os elétrons
compartilhados nas
ligações covalentes vêm de
átomos diferentes.
Os átomos de arsênio (As)
compartilham 5 elétrons
cada, e os átomos de gálio
(Ga) compartilham 3
elétrons cada.

Fonte: Ligações covalentes em um cristal composto de GaAs

BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Ligações covalentes e materiais intrínsecos
A ligação covalente resulta em uma ligação
mais forte entre os elétrons de valência e o
seu átomo de origem. Porém, é possível
que os elétrons de valência absorvam
energia cinética suficiente para quebrar a
ligação covalente e assumir o estado de
elétrons livres (carriers).

Essa energia é fornecida por

fontes externas, como energia
da luz na forma de fótons e
energia térmica (calor) do
meio.

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Ligações covalentes e materiais intrínsecos

Os elétrons livres se movem por todo o material, e são altamente

sensíveis a campos elétricos aplicados por fontes de tensão.

−
Fonte:
https://brasilescola.uol.com.br/fisica/cargas-eletricas-movimento.htm

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Ligações covalentes e materiais intrínsecos
Os elétrons livres devidos somente a causas externas são chamados de
portadores intrínsecos. Há 2 parâmetros importantes que mostram como
eles se comportam nos semicondutores:

Concentração 𝒏𝒊 Mobilidade relativa 𝝁𝒏

3
𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠Τ𝑐𝑚 𝑐𝑚2 Τ𝑉. 𝑠

Quantidade de portadores em Capacidade dos portadores de

um volume de 1 𝑐𝑚3 . se moverem pelo material.

Semicondutor 𝒏𝒊 Semicondutor 𝝁𝒏 Velocidade

Ge 2,5.1013 25 trilhões Ge 3.900 resposta rápida

Si 1,5.1010 15 bilhões Si 1.500 resposta lenta

GaAs 1,7.106 1,7 milhão GaAs 8.500 resposta muito rápida

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Níveis e bandas de energia
Na estrutura atômica de um átomo isolado, há níveis específicos de energia
associados a cada camada e elétron em órbita.

Os níveis de energia
de cada camada são
fixos e discretos.

As regiões entre os
níveis fixos são
chamadas de
"bandas proibidas"

Quanto maior a distância de um elétron em relação ao núcleo, maior o seu

estado de energia.
Qualquer elétron que tenha deixado seu átomo de origem (elétron livre), tem
um estado de energia mais alto do que qualquer outro elétron na estrutura
atômica.

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Níveis e bandas de energia
Porém, à medida que os átomos de um material são aproximados uns dos
outros na estrutura do cristal, a interação entre os átomos expande os níveis
de energia fixos dos elétrons de valência para bandas de energia.

(podem ter
diferentes níveis Os semicondutores apresentam
de energia, diferentes gaps de energia 𝐸𝑔 a
dentro da banda) ser absorvida pelos elétrons, para
sair da banda de valência, entrar na
O elétron-volt 𝑒𝑉 é uma banda de condução e se tornarem
unidade de energia: elétrons livres.
1 𝑒𝑉 = 1,6.10−19 𝐽

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Níveis e bandas de energia

A diferença nos gaps de energia 𝐸𝑔 revela a sensibilidade de

cada tipo de semicondutor às variações de temperatura e à
incidência de radiação luminosa.

Aumento nas quantidades de elétrons livres

ou
cristal de Ge cristal de Si cristal de GaAs

Aplicações:
• O Ge pode ser útil para construir fotodetectores ou sensores de calor, mas é inadequado
para dispositivos que precisam de grande estabilidade com a temperatura (CIs).
• LED: quanto maior o gap de energia 𝐸𝑔 , maior a possibilidade do
semicondutor emitir luz visível ou infravermelha. O nível de dopagem
e o material determinam a cor do LED.

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Níveis e bandas de energia

Observe que é o gap de energia 𝐸𝑔 que caracteriza a diferença entre um

material isolante (dielétrico), um semicondutor e um material condutor.

A energia necessária para As bandas de valência e de

gerar elétrons livres é muito condução são sobrepostas e
alta e, em condições há naturalmente muitos
normais, o material elétrons livres (ex. cobre).
praticamente não conduz A energia necessária para gerar elétrons livres Toda a energia externa
corrente elétrica. varia em função do material. Com o absorvida pelos elétrons é
fornecimento de energia, surgem rapidamente dissipada sob a forma de
elétrons livres e a corrente elétrica flui. A calor (Efeito Joule).
Fonte: energia absorvida pelos elétrons é dissipada sob
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos a forma de calor (Ge e Si) ou de luz (GaAs).
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Níveis e bandas de energia
Uma diferença importante
entre os materiais Variação da resistência elétrica 𝛀
do material
semicondutores e os
condutores é variação da 𝑅𝑞𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒

resistência 𝜴 em função 𝑅𝑓𝑟𝑖𝑜 𝑅𝑓𝑟𝑖𝑜

da variação da 𝑅𝑞𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒
temperatura.

Nos semicondutores, o
calor provoca redução da
resistência, aumentando a Condutores Semicondutores
corrente. Isso pode ser cobre, alumínio, ferro etc. Si, Ge, GaAs etc.
prejudicial ao dispositivo
A resistência aumenta com A resistência diminui com o
eletrônico ou ao
o aumento da temperatura aumento da temperatura
funcionamento do circuito!
Coeficiente de Coeficiente de
temperatura positivo (+) temperatura negativo (–)

Experimento prático:
http://matse1.matse.illinois.edu/sc/b.html

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Um dos mais importantes avanços tecnológicos das últimas décadas foi a
capacidade de produzir materiais semicondutores de alta pureza, ou seja,
com uma quantidade muito baixa de átomos estranhos no cristal.
Hoje a indústria eletrônica é capaz de atingir níveis de pureza de 1 parte em
10 bilhões ou ainda melhores.

Fonte:
https://www.waferworld.com/silicon-
manufacturing-computer-chips/
Fonte:
DORNBERGER, E. Prediction of OSF Ring Dynamics and
Grown-in Voids in Czochralski Silicon Crystals, 1997.
10.13140/RG.2.1.3112.9209.

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p

Mas, por que a pureza do semicondutor é tão importante?

A presença de impurezas pode alterar bastante o

comportamento do material, de um modo bom ou ruim.
Porém, se adicionarmos as "impurezas" adequadas, na
quantidade certa, podemos melhorar o comportamento do
semicondutor.
Por isso, os cristais de Ge, Si e GaAs são inicialmente
produzidos com alta pureza para, em seguida, serem
adicionadas pequenas quantidades de certos elementos
químicos desejados.
Esse processo de adição controlada de impurezas é
chamado de dopagem do semicondutor.

Exemplo:
Veja mais detalhes sobre o processo de purificação dos cristais de silício em:
https://www.mksinst.com/n/silicon-wafer-production

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Uma dopagem na proporção de apenas 1 parte em 10 milhões é capaz de
alterar as bandas de energia a ponto de modificar totalmente as
propriedades elétricas do material!

Os semicondutores sem a adição proposital de elementos de

dopagem são chamados de materiais intrínsecos.
O semicondutores dopados são chamados de materiais extrínsecos.

Há dois materiais extrínsecos de enorme importância para a fabricação de

dispositivos eletrônicos:
• Materiais do tipo n
• Materiais do tipo p

Por ser o semicondutor mais difundido, vamos analisar apenas os materiais

tipo n e tipo p para o silício (Si).

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Material do tipo n

O material do tipo n é criado pela introdução de

elementos de impureza com 5 elétrons de valência
(pentavalentes), como antimônio (Sb), arsênio (As)
e fósforo (P) em uma base de silício (Si).

Cristal de Átomos do mesmo grupo

antimônio (Sb) da tabela periódica, todos
com 5 elétrons de valência.

Fontes:
https://www.tabelaperiodica.org
http://images-of-elements.com/, CC BY 3.0, https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=9084452

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Usando o antimônio (Sb), obtemos:

As 4 ligações covalentes ainda estão

presentes, mas há um elétron
adicional devido ao átomo de
impureza.
Ele está dissociado de qualquer
ligação covalente e está fracamente
ligado ao átomo de Sb.
Por isso, as impurezas difundidas
com 5 elétrons de valência são
chamadas de átomos doadores.

Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Com a introdução dessas impurezas (átomos doadores), as bandas de energia
do material são alteradas:

gap de energia 𝐸𝑔
consideravelmente menor para os
elétrons do átomo doador (antimônio).

(do átomo de antimônio)

(base "pura"
de silício)

O resultado é que, à temperatura ambiente, há um grande número de

elétrons no nível de condução, e a condutividade do material tipo n é muito
maior que a da base original de silício.

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Material do tipo p

O material do tipo p é criado pela introdução de

elementos de impureza com 3 elétrons de valência
(trivalentes), como boro (B), gálio (Ga) e índio (In)
em uma base de silício (Si).

Cristais de Átomos do mesmo grupo

boro (B) da tabela periódica, todos
com 3 elétrons de valência.

Fontes:
https://www.tabelaperiodica.org
Por W. Oelen - http://woelen.homescience.net/science/index.html, CC BY-SA 3.0, https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=15553847

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Usando o boro (B), obtemos:

O número de elétrons é insuficiente

para completar as ligações
covalentes da estrutura.
O "espaço vazio" resultante é
chamado de lacuna.
(representado por um círculo  ou por um sinal +)

Por isso, as impurezas difundidas

com 3 elétrons de valência são
chamadas de átomos aceitadores.

Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Portadores majoritários e minoritários

No material intrínseco (sem dopagem):

• O número de elétrons livres é relativamente baixo, resultante apenas:
• Dos poucos elétrons na banda de valência que adquiriram energia suficiente
de fontes externas (luz ou calor) para quebrar a ligação covalente; ou
• Das impurezas que não puderam ser removidas.
• Os espaços vazios presentes na estrutura de ligações covalentes representa
uma quantidade muito pequena de lacunas.

Porém, após a dopagem, há portadores de carga em grande quantidade em

função da diferença de valência entre o Si/Ge (4) e as impurezas (5 no tipo n e 3
no tipo p).

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p

Material do tipo n Material do tipo p

O número de lacunas não se altera O número de elétrons livres não se
significativamente em relação ao altera significativamente em relação ao
material intrínseco (sem dopagem), material intrínseco (sem dopagem),
mas há muito mais elétrons livres. mas há muito mais lacunas.
No material do tipo n o elétron é No material do tipo p a lacuna é
chamado de portador majoritário e a chamada de portador majoritário e o
lacuna de portador minoritário. elétron de portador minoritário.

Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos Íons: são átomos que tiveram sua carga elétrica
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.
total alterada pela perda ou ganho de elétrons.

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Fluxo de elétrons e fluxo de lacunas

Se um elétron de valência se torna um elétron livre, ele pode ocupar o espaço

"vazio" de uma lacuna existente. Porém, ao deixar o seu átomo de origem, ele
deixou uma lacuna para trás. Por isso, sempre que houver movimento de
elétrons livres em um sentido no material, as lacunas se moverão no sentido
oposto.
O sentido do fluxo das lacunas é chamado de fluxo convencional da corrente, e
é o sentido adotado em todas as análises de circuitos (ou seja, os elétrons
sempre se movem no sentido oposto ao indicado por uma seta de corrente).

𝐼
Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Dopagem de semicondutores: materiais tipo n e tipo p
Os materiais dos tipo n e tipo p representam os blocos de construção básicos
dos dispositivos semicondutores.
Os diodos, transistores, tiristores etc. são obtidos pela "junção" de 2 ou mais
blocos desses materiais.

Exemplos:

Diodo

Transistor
bipolar de
junção (TBJ)
Transistor de
efeito de campo
de junção (JFET)
Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Material complementar sobre semicondutores

Semicondutores - Silício e Germânio - Funcionamento e História

https://www.youtube.com/watch?v=IyKTIXvxTZQ (10 min, vídeo em Português)

Conheça uma fábrica de semicondutores brasileira

https://www.youtube.com/watch?v=27bmni9K71k (6 min, vídeo em Português)

Inside The World's Largest Semiconductor Factory

https://www.youtube.com/watch?v=Hb1WDxSoSec (4 min, vídeo em Inglês)

The making of a chip – from sand to semiconductor

https://www.youtube.com/watch?v=bor0qLifjz4 (13 min, vídeo em Inglês)

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