Engenharia Elétrica e Engenharia da Computação

Tema 3 – Diodo semicondutor

Prof. Solivan Valente

solivan@up.edu.br

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Diodo semicondutor
O diodo semicondutor é criado pela simples junção de um material do tipo n
com um material do tipo p. No instante em que os materiais são unidos, os
elétrons e as lacunas da região da junção se combinam, resultando em uma
falta de portadores livres nesta região.
A região da junção
permanece com íons
positivos e negativos
descobertos (que não
puderam receber elétrons
ou lacunas livres).
Esse "esgotamento" dos
portadores livres dá origem
ao nome região de
depleção.
Terminais externos (= esgotamento, escassez,
metálicos para ligação desaparecimento)
do diodo ao circuito.

Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Diodo semicondutor
Símbolo, tensão e corrente do diodo: A tensão 𝑉𝐷 é positiva
quando tiver a polaridade
indicada, e negativa
quando invertida.
Material do Material do
A corrente 𝐼𝐷 é positiva
tipo p tipo n quando tiver o sentido
indicado, e negativa
quando invertida.

Ânodo Cátodo
A K

Indicação o terminal do cátodo:

Faixa, letra "K", ponto "•" etc.

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Diodo semicondutor
Há muitas formas
de encapsulamento
e muitos tipos
diferentes de
diodos, para
inúmeras
aplicações.

Fontes:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.
https://www.theengineeringknowledge.com/introduction-to-diode/

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Diodo semicondutor

Fonte:
https://www.diverseelectronics.com/blog/The-evolution-of-diodes-a20/

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Diodo semicondutor
Para cada tipo de diodo, há um símbolo
especial. Vamos estudar alguns deles
em nossa disciplina.

Veja as listas em:

https://www.electrical-symbols.com/electric-
electronic-symbols/diode-symbols.htm
https://www.rapidtables.com/electric/electrical_s
ymbols.html

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Diodo semicondutor
O diodo pode operar em 3 condições distintas:
• Sem polarização 𝑉𝐷 = 0
• Em polarização direta 𝑉𝐷 > 0
• Em polarização reversa 𝑉𝐷 < 0

Sem polarização 𝑉𝐷 = 0
Quando não há tensão aplicada, os
fluxos de portadores majoritários e
minoritários de um lado para o
outro (tipo n ⇆ tipo p) se
cancelam.
Por isso, não há corrente no diodo.

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Diodo semicondutor

Polarização reversa 𝑉𝐷 < 0 (Reverse bias)

Ocorre quando aplicamos uma tensão negativa sobre o diodo, ou seja, com o
polo positivo no material tipo n. Nessa situação, ocorre um alargamento da
região de depleção, e apenas uma corrente muito baixa circula pelo diodo.
Ela é chamada de corrente de saturação 𝑰𝑺 .

A corrente de saturação também é

chamada de corrente reversa ou
corrente de fuga (Reverse leakage
current).
Ela varia com a temperatura e é
normalmente da ordem de alguns nano
ampères (𝑛𝐴) ou pico ampères 𝑝𝐴 ,
exceto para diodos de alta potência.

Observe que, o positivo está do

Fonte: lado n, e o negativo do lado p
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos (polaridade oposta).
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Diodo semicondutor

Polarização direta 𝑉𝐷 > 0 (Forward bias)

Ocorre quando aplicamos uma tensão positiva sobre o diodo, ou seja, com o
polo positivo no material tipo p. Nessa situação, ocorre um estreitamento da
região de depleção.
À medida que a tensão
aplicada aumenta em
magnitude, a região de
depleção fica cada vez mais
estreita, até que uma
avalanche de elétrons a
atravessa, resultando em
um aumento exponencial
da corrente.

Observe que, o positivo está do

Fonte: lado p, e o negativo do lado n
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos (mesma polaridade).
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Diodo semicondutor

A corrente 𝐼𝐷 do diodo pode ser determinada pela equação a seguir,

que vale para as polarizações direta e reversa:

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷Τ𝑛.𝑉𝑇 − 1 Equação de Shockley

Em que: 𝐼𝑆 corrente de saturação reversa 𝐴

𝑉𝐷 tensão de polarização do diodo 𝑉
𝑛 fator de idealidade 1 ≤ 𝑛 ≤ 2
(depende das condições de operação, da construção e de outros fatores)
𝑉𝑇 tensão térmica 𝑉
A tensão térmica (thermal voltage) é a
tensão que surge no junção p-n em
𝑘. 𝑇𝐾 função da temperatura. À temperatura
Tensão térmica 𝑉𝑇 = = 8,625. 10−5 . 𝑇𝐾 ambiente ela é de aproximadamente
𝑞 26 𝑚𝑉.

Em que: 𝑘 constante de Boltzmann = 1,38.10−23 𝐽/𝐾

𝑇𝐾 temperatura absoluta em Kelvin = 273 + 𝑡𝑒𝑚𝑝 𝑜 𝐶
𝑞 carga de um elétron = 1,6.10−19 𝐶

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Diodo semicondutor

Exemplo 1: Determine a tensão térmica 𝑉𝑇 para a temperatura de 27𝑜 𝐶, que

é comum para os componentes em um sistema encapsulado.

A temperatura absoluta em Kelvin é: 𝑇𝐾 = 273 + 27 = 300 𝐾

Nesta temperatura, a tensão térmica é:

𝑘. 𝑇𝐾 1,38.10−23 . 300 −5 . 300 = 25,875 𝑚𝑉

𝑉𝑇 = = = 8,625.10
𝑞 1,6.10−19

𝑉𝑇 ≅ 26 𝑚𝑉

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Diodo semicondutor

Curva tensão  corrente

característica de um
diodo de silício Equação
de
Shockley
(teórica)
Para facilitar a
observação, as escalas
dos eixos são diferentes
em lados opostos da
origem, na horizontal e
na vertical.
Para as correntes:
1𝑚𝐴 = 10−3 𝐴
1𝑝𝐴 = 10−12 𝐴
(1 bilhão de vezes menor)

Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Diodo semicondutor
Em condições perfeitas, a
corrente do diodo deveria
seguir a linha tracejada
da equação de Shockley. Equação
de
Porém, na prática, a curva real Shockley
(teórica)
normalmente está deslocada.
Um dos motivos é a resistência
interna do "corpo" e a
resistência externa de "contato"
do diodo.
Cada uma contribui com uma
tensão adicional para o mesmo
nível de corrente
(lei do Ohm), deslocando
a curva da corrente para a
direita.
Além disso, na prática a
corrente reversa total
é maior do que a de
saturação 𝐼𝑆 , por diversos
fatores.

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Diodo semicondutor
Região de Ruptura ou Região Zener
Se a polarização reversa tiver uma tensão negativa suficientemente alta, um
efeito avalanche ocorre na junção p-n e a corrente reversa cresce rapidamente.
A tensão negativa em que esse fenômeno ocorre é chamada de potencial ou
tensão de ruptura 𝑽𝑩𝑽 .

𝑉𝐵𝑉 é a tensão reversa

máxima que pode ser aplicada
no diodo antes da entrada na
região de ruptura. Ela também
é chamada de:
Tensão de Pico Inversa (PIV)
Peak Inverse Voltage
Em geral, essa região de ou de
operação deve ser evitada.
Mas há diodos especiais que Tensão de Pico Reversa (PRV)
Região Zener ou Peak Reverse Voltage.
trabalham nessa região: Região de Ruptura
os diodos Zener.

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Diodo semicondutor
Diodos de Ge, Si e GaAs
A figura representa as
curvas reais de corrente de
diodos de Ge, Si e GaAs
comercialmente
disponíveis. As tensões de ruptura
(não são curvas da equação de Shockley) variam bastante para os
diodos de alta potência,
podendo ser de até 20 𝑘𝑉.
Note as diferenças nos
valores e nas escalas das 1 𝑝𝐴

tensões e das correntes,

para cada tipo de
semicondutor. Tensão de joelho
Semicondutor
𝑽𝑲 𝑽
A tensão 𝑉𝐾 é a tensão do Ge 𝟎, 𝟑
"joelho" da curva. A letra "K"
vem de knee (= joelho), em Si 𝟎, 𝟕
Inglês.
GaAs 𝟏, 𝟐

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Diodo semicondutor
Exemplo 2: Utilizando as curvas do slide anterior:
a) Determine a tensão em cada diodo para uma corrente de 1 𝑚𝐴.
b) Faça o mesmo para uma corrente de 4 𝑚𝐴.
c) Faça o mesmo para uma corrente de 30 𝑚𝐴.
d) Determine o valor médio das tensões nos casos anteriores.
e) Como esses valores médios se comparam com as tensões de joelho 𝑉𝐾 ?

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Diodo semicondutor
Observando as curvas, temos:
a) 𝐼𝐷 = 1 𝑚𝐴
Ge: 𝑉𝐷 = 0,2 𝑉
Si: 𝑉𝐷 = 0,6 𝑉
GaAs: 𝑉𝐷 = 1,1 𝑉
b) 𝐼𝐷 = 4 𝑚𝐴
Ge: 𝑉𝐷 = 0,3 𝑉
Si: 𝑉𝐷 = 0,7 𝑉
GaAs: 𝑉𝐷 = 1,2 𝑉
c) 𝐼𝐷 = 30 𝑚𝐴
Ge: 𝑉𝐷 = 0,42 𝑉
Si: 𝑉𝐷 = 0,82 𝑉
GaAs: 𝑉𝐷 = 1,33 𝑉
d) Valores médios das tensões:
Ge: 𝑉𝑚é𝑑 = 0,307 𝑉
Tensão de joelho
Si: 𝑉𝑚é𝑑 = 0,707 𝑉 Semicondutor
𝑽𝑲 𝑽
GaAs: 𝑉𝑚é𝑑 = 1,21 𝑉
Ge 𝟎, 𝟑
e) As tensões médias são muito
próximas das tensões de joelho de Si 𝟎, 𝟕
cada semicondutor.
GaAs 𝟏, 𝟐

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Diodo semicondutor
Efeitos da temperatura
As mudanças de temperatura influenciam bastante o funcionamento dos
semicondutores, apesar de essa influência ser diferente para cada material.

Para um diodo de silício, temos três fenômenos importantes:

Na região de polarização direta, a curva característica desvia-se para

a esquerda a uma taxa de 𝟐, 𝟓 𝒎𝑽 por aumento de grau centígrado
(ou seja, quanto mais quente, mais perto da origem).

Na região de polarização reversa, a corrente reversa dobra a cada

aumento de 𝟏𝟎𝒐 𝑪 na temperatura.

Na região de polarização reversa, a tensão de ruptura aumenta com

a elevação da temperatura (ou seja, quanto mais quente, mais longe
da origem).

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Diodo semicondutor

A curva azul é a Diodo de silício

referência para a
temperatura ambiente,
de 25𝑜 𝐶.
A curva pontilhada
representa uma
temperatura muito
baixa, de −75𝑜 𝐶.
A curva tracejada
representa uma
temperatura muito alta,
de 125𝑜 𝐶.

A sensibilidade em relação à
Observe a grande variação da
temperatura, em geral, é corrente reversa com o aumento da
maior nos diodos de Ge e temperatura.
menor nos diodos de GaAs, Para aplicações em alta temperatura,
em relação aos diodos de Si. devemos buscar diodos de Si com 𝑰𝑺
muito baixo à temperatura ambiente
(10 𝑝𝐴 ou menos).

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Diodo semicondutor

Diodo ideal  diodo real

Se observamos a curva do diodo fora da região de ruptura (normalmente
evitada), notamos que um diodo ideal se comporta como um curto-circuito ou
como um circuito aberto.

Diodo ideal
Tensão nula 𝑽𝑫 = 𝟎
para qualquer corrente:
Curto-circuito
𝑅 =0𝛺
Mas só permite corrente
em um único sentido!

Corrente nula 𝑰𝑫 = 𝟎
para qualquer tensão:
Circuito aberto
𝑅→∞ Diodo real

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Diodo semicondutor
Níveis de resistência de um diodo
Quando usamos um diodo em um circuito real, a sua tensão e a sua corrente
mudam ao longo da sua curva característica. Como a curva é não linear (ao
contrário de um resistor, que é linear), a resistência (tensão/corrente)
que o circuito "enxerga" do diodo varia bastante.
Curva não linear de um diodo: Curva linear de um resistor:
resistência variável resistência constante

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Diodo semicondutor

Como a relação 𝑅 = 𝑉Τ𝐼 é bastante variável em um diodo,

há 3 tipos importantes de resistências que devemos considerar na sua operação:
• Resistência CC (estática)
• Resistência CA (dinâmica)
• Resistência CA média

Fonte:
https://www.indiamart.com/proddetail/
diode-19278294162.html

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Diodo semicondutor
Resistência CC (estática) 𝑅𝐷

É definida quando aplicamos uma tensão contínua (CC) ao diodo e, por isso,
o seu ponto de operação na curva é sempre o mesmo.

𝑉𝐷
𝑅𝐷 = Ω
𝐼𝐷 Ponto
𝑄 quiescente

Quanto maior a corrente (ponto 𝑄 mais

acima), menor a resistência CC do diodo.
Para diodos comuns a resistência CC varia
entre 10 Ω e 80 Ω.

O ponto Q ou ponto quiescente

(= estacionário, invariável), é o ponto
estático de operação do diodo
quando aplicada uma tensão CC fixa.

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Diodo semicondutor
Exemplo 3: Determine os níveis de resistência CC do diodo de silício
representado pela curva abaixo:
a) Para 𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 (nível baixo de corrente).
b) Para 𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴 (nível alto de corrente).
c) Para 𝑉𝐷 = −10 𝑉 (polarização reversa).

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Diodo semicondutor
Calculando, temos:
a) Para 𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 a curva indica 𝑉𝐷 = 0,5 𝑉:
𝑉𝐷 0,5
𝑅𝐷 = = 𝑅𝐷 = 250 Ω
𝐼𝐷 0,002

b) Para 𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴 a curva indica 𝑉𝐷 = 0,8 𝑉:

𝑉𝐷 0,8
𝑅𝐷 = = 𝑅𝐷 = 40 Ω
𝐼𝐷 0,020

c) Para 𝑉𝐷 = −10 𝑉 a curva indica 𝐼𝐷 = −𝐼𝑠 = −1𝜇𝐴:

𝑉𝐷 −10
𝑅𝐷 = = 𝑅𝐷 = 10 𝑀Ω
𝐼𝐷 −1.10−6

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Diodo semicondutor
Resistência CA (dinâmica) 𝑟𝑑

Ao aplicarmos uma tensão variável em um diodo, o

seu ponto de operação na polarização direta oscila ao
longo de um trecho da sua curva característica.
Em geral, há um ponto fixo 𝑄 em torno do qual a
operação acontece, e definimos a resistência CA
(dinâmica) por dois pontos da reta tangente à curva
no ponto 𝑸:
𝐴

∆𝑉𝑑
𝑟𝑑 =
∆𝐼𝑑
Você conseguiu notar que 𝑟𝐷
é a derivada (taxa de variação) da
Note que os pontos 𝐴 e
tensão em relação à corrente?
𝐵 não estão na curva,
𝐵
Ela é a inclinação da reta tangente no
mas na reta tangente.
ponto 𝑸.

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Diodo semicondutor

Como 𝑟𝑑 é, por definição, a inclinação da reta tangente no ponto 𝑄, a

derivada da equação de Shockley, combinada com a definição da tensão
térmica 𝑉𝑇 nos dá uma expressão simples para determinar a resistência CA:

∆𝑉𝑑 𝑛. 26 𝑚𝑉 O fator de idealidade 𝑛 normalmente é considerado

𝑟𝑑 = ≅ Ω como 𝑛 = 1, exceto para valores de corrente muito
∆𝐼𝑑 𝐼𝐷 baixos, próximos do joelho da curva, onde 𝑛 = 2.

Quanto maior a corrente (ponto 𝑄 mais acima), menor a resistência CA do

diodo. Para diodos comuns a resistência CA varia entre 1 Ω e 100 Ω.

Em algumas situações, precisamos levar em conta a resistência do próprio material semicondutor

(resistência de corpo) e a resistência introduzida pela conexão entre o material semicondutor e o material
metálico externo (resistência de contato). Essas resistências adicionais podem ser combinadas em uma
resistência 𝑟𝐵 adicional:
A resistência adicional 𝑟𝐵 varia entre 0,1 Ω para diodos de alta potência e
𝑛. 26 𝑚𝑉 2 Ω para diodos de baixa de potência e de uso geral. Entretanto, como os
′
𝑟𝑑 ≅ + 𝑟𝐵 Ω resistores associados aos diodos nos circuitos têm normalmente valores
𝐼𝐷 elevados, e como 𝒓𝑩 tende a diminuir com o avanço tecnológico dos
diodos, ele normalmente pode ser desprezado 𝑟𝐵 ≅ 0 .

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Diodo semicondutor
Exemplo 4: Determine os níveis de resistência CA do diodo de silício
representado pela curva abaixo:
a) Para 𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 (nível baixo de corrente).
b) Para 𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴 (nível alto de corrente).

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Diodo semicondutor
Calculando, temos:
a) Para 𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 (nível baixo de corrente), usamos 𝑛 = 2:
𝑛. 26 𝑚𝑉 2.0,026
𝑟𝑑 ≅ = 𝑟𝑑 = 26 Ω
𝐼𝐷 0,002

b) Para 𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴 (nível alto de corrente), usamos 𝑛 = 1:

𝑛. 26 𝑚𝑉 1.0,026
𝑟𝑑 ≅ = 𝑟𝑑 = 1,3 Ω
𝐼𝐷 0,020

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Diodo semicondutor
Resistência CA média 𝑟𝑎𝑣 (average)

Quando aplicamos tensões que fazem

𝐴 Ponto de
o diodo trabalhar em uma ampla faixa tensão máxima
de corrente na região de polarização
direta, a resistência CA 𝑟𝑑 pode
variar bastante.
Por isso, é útil determinarmos um
valor médio para nos auxiliar na
construção do modelo do diodo.
Para isso, usamos os pontos máximo e 𝐵
Ponto de
tensão mínima
mínimo da tensão de entrada e
calculamos a resistência CA média por:

∆𝑉𝑑
𝑟𝑎𝑣 = ቤ Ω Assim como para a resistência CC (𝑅𝐷 ) e para a
∆𝐼𝑑 𝑝𝑡. 𝑎 𝑝𝑡. resistência CA 𝑟𝑑 , a resistência CA média
também diminui com o aumento da corrente.

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Diodo semicondutor
Exemplo 5: Determine a resistência CA média do diodo no trecho de
operação indicado abaixo.

Variação da corrente no trecho:

∆𝐼𝑑 = 17 − 2 = 15 𝑚𝐴 𝟏𝟕 𝒎𝑨

Variação da tensão no trecho:

∆𝑉𝑑 = 0,725 − 0,65 = 0,075 𝑉

Resistência CA média no trecho:

∆𝑉𝑑 0,075
𝑟𝑎𝑣 = =
∆𝐼𝑑 0,015
𝟐 𝒎𝑨
𝑟𝑎𝑣 = 5 Ω

𝟎, 𝟔𝟓 𝑽 𝟎, 𝟕𝟐𝟓 𝑽

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Diodo semicondutor
Resumo das 3 resistências de um diodo:

Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Diodo semicondutor
Circuitos equivalentes (Modelos) do diodo
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos adequadamente
escolhidos para representar as características reais de um dispositivo (ou
sistema) em uma determinada região de operação. Esse tipo de circuito
também é chamado de modelo.
Em um diagrama esquemático podemos substituir o dispositivo real pelo seu
modelo, e o resto do circuito não terá praticamente nenhuma mudança em
seu comportamento.
Há 3 modelos que podemos usar para um diodo, dependendo da precisão com
que desejamos representá-lo em um circuito real:
1. Circuito equivalente linear por partes.
2. Circuito equivalente simplificado.
3. Circuito equivalente ideal.

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Diodo semicondutor
1. Circuito equivalente linear por partes
Aproximamos a curva do diodo por segmentos de reta,
usando a resistência CA média 𝑟𝑎𝑣 como inclinação
na região de polarização direta. Apesar de não ser
uma aproximação muito boa na região do joelho, esse
modelo representa uma ótima representação do
comportamento real do diodo.

A fonte CC com tensão 𝑉𝐾 não é uma fonte independente (que fornece

energia ao circuito); ela representa apenas o fato de que precisamos
ter 𝑉𝐷 > 𝑉𝐾 para que o diodo ideal tenha polarização direta e passe a
conduzir. Nessa situação, ele se comportará como um resistor 𝒓𝒂𝒗 .
Os valores 0,7 𝑉 e 10 Ω variam para cada semicondutor.

Note que a polaridade de

𝑉𝐾 é a mesma de 𝑉𝐷 .

Circuito equivalente
linear por partes

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Diodo semicondutor
2. Circuito equivalente simplificado
A resistência CA média 𝑟𝑎𝑣 é, muitas vezes, bem menor que as outras resistências
do circuito e, por isso, ela pode ser desprezada em diversas análises.
Fazendo 𝒓𝒂𝒗 = 𝟎 obtemos o circuito equivalente simplificado, que é o mais
frequentemente usado na análise de circuitos eletrônicos de baixa potência.
Esse modelo considera que o diodo em polarização direta apresenta sempre uma
queda de tensão fixa (𝟎, 𝟕 𝑽 para Si) para qualquer corrente circulando por ele.

A fonte CC com tensão 𝑉𝐾 não é uma fonte independente (que fornece energia
ao circuito); ela representa apenas o fato de que precisamos ter 𝑉𝐷 > 𝑉𝐾 para
que o diodo ideal tenha polarização direta e passe a conduzir. Nessa situação,
ele se comportará como um curto-circuito (resistência nula).
O valor 0,7 𝑉 varia para cada semicondutor.

Note que a polaridade de

𝑉𝐾 é a mesma de 𝑉𝐷 .

Circuito equivalente
simplificado

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Diodo semicondutor
3. Circuito equivalente ideal
Além de desprezar a resistência CA média 𝑟𝑎𝑣 por ser muito pequena em certas
aplicações práticas, a tensão de joelho 𝑽𝑲 também é bem menor que a tensão
aplicada sobre o diodo em muitos casos. Por isso, ela pode ser desprezada em
diversas análises.
Fazendo 𝒓𝒂𝒗 = 𝟎 e 𝑽𝑲 = 𝟎, o circuito equivalente reduz-se a um diodo ideal.
Esse modelo é o mais frequentemente usado na análise de circuitos eletrônicos
de alta potência.

Nesse modelo, em polarização direta o diodo se comporta como um

curto-circuito (resistência nula) e não apresenta nenhuma queda de
tensão. Para conduzir, basta que a tensão 𝑉𝐷 seja levemente positiva.

Circuito equivalente ideal

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Diodo semicondutor
Resumo dos circuitos equivalentes (modelos) de um diodo:

Modelo mais exato, com

menor erro na representação
do diodo real.

Mais comum na análise

de sistemas eletrônicos
(baixa potência).

Mais comum na análise de

sistemas de alimentação
(alta potência).

Fonte:
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

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Diodo semicondutor
Capacitâncias de Transição e de Difusão
Todos os dispositivos elétricos e eletrônicos são sensíveis à frequência.
Um resistor simples pode ser considerado como uma resistência constante para
baixas e médias frequências mas, em altas frequências, surgem efeitos
parasitas indutivos e capacitivos que afetam a impedância total do elemento.
No caso dos diodos, são as capacitâncias parasitas que exercem maior efeito.
Em baixas frequências o seu efeito é pequeno, e elas podem ser desprezadas.
Porém, em altas frequências, elas podem alterar consideravelmente o
funcionamento do diodo no circuito.

Capacitor de placas
Essas capacitâncias surgem porque a região de
paralelas: efeito semelhante
depleção (sem cargas elétricas) funciona como um ao que acontece na junção
isolante entre dois materiais condutores (tipo n e tipo p-n de um diodo.
p). Como a largura 𝑑 da região de depleção varia com a
tensão aplicada (reversa ou direta), o efeito é de um
𝜖𝐴
𝐶= 𝐹
capacitor variável com a tensão. 𝑑

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Diodo semicondutor
Há duas capacitâncias parasitas significativas em um diodo. Ambas existem
nas regiões de polarização direta e reversa, mas cada uma delas é
predominante em uma dessas regiões:
É predominante na região de polarização reversa. Há diodos construídos
Capacitância de Transição 𝑪𝑻 para aproveitar esse fenômeno (diodo varactor ou varicap).

Capacitância de Difusão 𝑪𝑫 É predominante na região de polarização direta.

Os efeitos capacitivos são representados

por capacitores em paralelo com o diodo
ideal. Esses efeitos normalmente só
precisam ser levados em conta para
operações em altas frequências ou para
aplicações de eletrônica de potência.

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Diodo semicondutor
Tempo de recuperação reversa 𝑡𝑟𝑟

Quando um diodo está em polarização direta, conduzindo uma corrente 𝐼𝐷 , seria de se

esperar que, ao inverter a polarização, ele deixasse de conduzir instantaneamente.
Entretanto, devido à movimentação dos portadores minoritários nos materiais tipo p e
tipo n, o diodo necessita de um tempo para anular sua corrente direta após ser
polarizado reversamente.
Esse intervalo é chamado de tempo de recuperação reversa 𝒕𝒓𝒓 , e é um parâmetro
muito importante do diodo para aplicações de chaveamento de alta velocidade.

𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑡
𝑡𝑠 Tempo de armazenamento.
𝑡𝑡 Intervalo de transição.

Imediatamente após a inversão da polaridade, a corrente do diodo

é simplesmente invertida. Ele continua se comportando como um
curto-circuito e permanece com uma corrente reversa
(determinada pelos parâmetros do circuito) durante o intervalo 𝒕𝒔 .
Em seguida, a corrente diminui até atingir o nível de não condução
(corrente reversa), normalmente bem pequena.
𝑡𝑟𝑟 pode variar de alguns picossegundos 10−12 a alguns
microssegundos 10−6 .

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Diodo semicondutor
Folhas de dados do diodo
Os dados de cada modelo específico de diodo são fornecidos pelos fabricantes em
folhas de dados, com gráficos, tabelas e textos explicativos.
Os dados mais importantes são:
1. A tensão direta 𝑽𝑭 (em corrente e temperatura específicas).
2. A corrente direta máxima 𝑰𝑭 (a uma temperatura específica).
3. A corrente de saturação reversa 𝑰𝑹 (a uma tensão e temperatura específicas).
4. A tensão reversa nominal (PIV, PRV, BV, 𝑉𝐵𝑉 ou 𝑉𝐵𝑅 "breakdown", ruptura)
a uma temperatura específica.
5. O valor máximo de dissipação de potência a uma temperatura específica.
Lembre-se que: 𝑃𝐷 = 𝑉𝐷 . 𝐼𝐷 𝑊
6. Níveis de capacitância.
7. Tempo de recuperação reversa 𝒕𝒓𝒓.
8. Faixa de temperatura de operação.
Dados complementares também podem ser fornecidos, como frequência de operação,
níveis de ruído, níveis de resistência térmica etc., dependendo da aplicação do diodo.

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 Fonte:
Diodo semicondutor BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2013.

Exemplo 6:
BAY73 - Diodo de alta tensão e
baixa fuga
(High Voltage Low Leakage)

A Tensão de ruptura mínima de

125 V para a corrente indicada.

B Larga faixa de temperatura.

C Potência: 𝑃𝐷 = 𝑉𝐷 . 𝐼𝐷 𝑊
Fator linear: próximo slide (a).

D Próximo slide (b), escala log.

E Tabela da curva do diodo, com

os níveis de tensão p/ cada
corrente. Próximo slide (f), 𝑟𝑑 .

F Variação da corrente reversa com a

tensão reversa e temperatura.
Próximo slide (c) e (d).

G Próximo slide (e).

H 𝑡𝑟𝑟 relativamente alto

(diodo lento).

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Diodo semicondutor Atenção: observe que algumas curvas são mostradas em escala logarítmica.

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Diodo semicondutor
Teste de funcionamento do diodo em instrumentos
Há 3 modos de testar o funcionamento de um diodo. Um
deles utiliza um aparelho chamado traçador de curva,
dedicado para essa função, mas de custo elevado.

Para medidas mais rápidas e práticas, podemos usar um Traçador de curva do

fabricante Agilent.
multímetro digital, através da sua:
1. Função de teste de diodo; ou
2. Função ohmímetro (medida de resistência)

IMPORTANTE! O teste de funcionamento deve ser feito sempre

com o diodo fora do circuito, ou seja, com o
diodo isolado. Nunca teste um diodo que está
soldado ou conectado a um circuito.

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Diodo semicondutor
Função de teste do diodo
No multímetro, selecionamos a função teste do diodo
e conectamos o diodo às pontas de prova
da seguinte forma:

O instrumento possui uma fonte interna de corrente de 2 𝑚𝐴 que,

quando aplicada ao diodo, resulta em uma tensão de polarização
direta 𝑽𝑫 que é indicada no visor. Ex. 0,67 𝑉 para um diodo de Si.

Uma leitura "OL" no visor indica um

diodo aberto (defeituoso).
Se os terminais de conexão forem
invertidos, a leitura deve ser "OL" para
um diodo em bom estado.

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Diodo semicondutor
Função Ohmímetro
No multímetro, selecionamos a função de medida de
resistência (Ohmímetro).
A conexão do diodo às pontas de prova deve ser feita
nos 2 sentidos, para avaliar a sua resistência:

Polarização direta: o instrumento deve

mostrar no visor uma resistência muito
baixa (alguns ohms), que é a
Resistência CC 𝑅𝐷 . Use uma escala de
pouco ohms no multímetro.

Polarização reversa: o instrumento deve

mostrar no visor uma resistência muito
alta, pois o diodo não deve conduzir.
Use uma escala de resistência elevada
no multímetro.

Uma leitura muito alta em ambas as polaridades indica um diodo em circuito aberto (defeituoso).
Uma leitura muito baixa em ambas as polaridades indica um diodo em curto-circuito (defeituoso).

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Exercícios complementares

Exercícios relacionados a este tema:

1ª Lista de Exercícios (disponível no Portal AVA)

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