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SEMICONDUTORES

148

1.5.5 – Materiais semicondutores

Liga PbSnTe

Si, Ge, GaAs

Base da indústria eletrônica
Todos os componentes eletrônico do computador
Condutividade finamente controlada pela presença de impurezas
(dopantes)
Podem ser combinados entre si para gerar propriedades
eletrônicas e óticas sob medida
São a base da tecnologia de opto-eletronicos-lasers, detetores,
circuitos integrados óticos e células solares.
Ex: Silício , germânio, boro, carbono, etc 149

Título aqui 1
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6.1 – Definição
Os semicondutores são os responsáveis por toda a moderna tecnologia
eletrônica.

Definição: São sólidos cristalinos de condutividade elétrica intermediária

entre condutores e isolantes.
Os elementos semicondutores podem ser tratados quimicamente para
transmitir e controlar uma corrente elétrica.
Seu emprego é importante na fabricação de componentes eletrônicos tais
como diodos, transistores e outros de diversos graus de complexidade
tecnológica, microprocessadores, e nano circuitos usados em nanotecnologia.
Portanto atualmente o elemento semicondutor é primordial na indústria
eletrônica e confecção de seus componentes.

150

6.2 – Condutividade e resistividade dos semicondutores

A condutividade elétrica nos materiais

Metais   ≈107 (Ω.m)-1

Semicondutores 10-6 ≤  ≤ 104 (Ω.m)-1
Isolantes  10-10 ≤  ≤ 10-20 (Ω.m)-1

A resistividade elétrica nos materiais

Metais   ≈10-2 a 10 (Ω.m)

Semicondutores 10 ≤  ≤ 1012 (Ω.m)
Isolantes  1012 ≤  ≤ 1024 (Ω.m)

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6.3 – Comportamento dos semicondutores

O valor numérico da condutividade é uma característica definida e
intermediaria entre condutores e isolantes, e também define o
comportamento funcional dos materiais.
A condutividade elétrica de um semicondutor é sensivelmente influenciada
também por eventuais perturbações da estrutura cristalina, o que, por sua
vez, tem fundamental importância nos próprios processos de fabricação dos
semicondutores.
Tais perturbações podem ser provocadas tanto por irregularidades na
estrutura cristalina, pela presença proposital ou acidental de impurezas
(intrínseco e extrínsecos).
Esse grau de pureza deve atingir a níveis superiores a 10-4 impurezas por
átomo de metal de base, o que bem demonstra a elevada tecnologia
necessária na fabricação destes componentes.

152

6.4 – Estrutura dos semicondutores

O Na tabela periódica, os principais elementos estão situados na família
4A Carbono (C), germânio (Ge) e, sendo o mais utilizado, o silício (Si).

Os outros elementos podem ser utilizados como semicondutores se

encontram nas colunas 3A, 5A e 6A da Tabela Periódica

153

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6.4 – Estrutura dos semicondutores

Exemplos: Silício (Si), silício-germânio (SiGe), arseneto de gálio (GaAs),

sulfeto de cádmio (CdS) (liga binária).
Podem ser formados até por ligas ternárias ou quaternárias: AlGaAs,
InGaAsP.

154

6.4 – Estrutura dos semicondutores

155

Título aqui 4
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6.4 – Estrutura dos semicondutores

A maioria dos semicondutores são:
Cristalinos,
mas existem entretanto alguns sólidos amorfos com comportamentos
semicondutor.
Maioria possui estrutura igual à do diamante.
Ligações covalentes e iônicas.

156

6.5 – Níveis de energia

A maneira com que os elétrons se distribuem nas órbitas em torno do
núcleo do átomo não é aleatória. Segue regras bem definidas, que são as
mesmas para todos os elementos.
Conforme a Teoria Quântica os estados da matéria não variam
continuamente, mas sim em pequenos intervalos discretos, chamados quanta.
Um elétron em órbita tem uma energia potencial que depende da sua
distância até o núcleo e uma energia cinética que depende da sua
velocidade. A soma de ambas é a energia total do elétron.
Assim, a energia total dos elétron ocupa determinadas órbitas ou níveis
de energia determinada por 4 números quânticos.

157

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6.6. Números quânticos

Números quânticos: é o conjunto de 4 números que identificam um elétron de
um átomo. Os números quânticos indicam a energia do elétron no átomo e
a região de máxima probabilidade de se encontrar o elétron.
1. Número quântico principal (n): Identifica o nível de energia do elétron;
• A eletrosfera é dividida em 7 partes chamada camadas eletrônicas ou
níveis de energia ;
• Do núcleo para fora estas camadas são representadas pelas letras K, L,
M, N, O, P e Q.

•Os elétrons de um átomo

são colocados, inicialmente,
nas camadas mais próximas
do núcleo

158

6.6. Números quânticos

Período ou series: O número do período corresponde à quantidade de
níveis (7 camadas) que os elementos químicos apresentam.

159

Título aqui 6
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6.6. Números quânticos

•Atualmente, esses níveis são identificados pelo chamado número quântico
principal (n) que é um numero inteiro (varia de 1 a 7).

2. Número quântico secundário (l): Identifica o subnível de energia do

elétron.
• Os subníveis são preenchidos sucessivamente, na ordem crescente de energia, com o
número máximo de elétrons possível em cada subnível;

• Esses subníveis são identificados pelo chamado numero quântico secundário ou

azimutal (l) que assume valores de 0,1,2,3 que são designados pelas letras s, p, d, e
f respectivamente.

160

6.6. Números quânticos

3. Número quântico magnético (m): Identifica o orbital (orientação no
espaço) do elétron.
• É a região do espaço onde é máxima a probabilidade de se encontrar um
determinado elétron. Nesse diagrama, cada orbital e representado simbolicamente
por um quadradinho. Através que os subníveis s,p,d,f contêm sucessivamente
1,3,5,7 orbitais;
• Essas orbitais nessas condições são identificados pelo chamado número quântico
magnético (m) e são exemplificados como:

161

Título aqui 7
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6.6. Números quânticos

3.1 Princípio de exclusão de Pauli:
• Em um mesmo orbital encontraremos, no máximo, 2 elétrons com spins opostos;
• Em um mesmo átomo, não existem dois elétrons com quatro números quânticos
iguais;

Em um mesmo orbital os elétrons possuem SPINS opostos

3.2 Regra de Hund:

• Coloca-se um elétron em cada orbital, da esquerda para a direita e, quando todos

os orbitais tiverem recebido o primeiro elétron é que colocamos o segundo elétron,
com sentido oposto

162

6.6. Números quânticos

4. Número quântico de spin (s): Identifica o spin (rotação do elétron)
• Cálculos matemáticos provaram que um orbital comporta, no máximo,
dois elétrons;
• Os elétrons podem girar no mesmo sentido ou em sentidos opostos
criando campos magnéticos que repelem ou atraem.
• Essa rotação é chamada de número quântico spin (s) cujos valores são:

163

Título aqui 8
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6.6. Números quânticos

Estudos sobre as energias dos subníveis, mostram que:

• O cientista LINUS PAULING criou uma representação gráfica para

mostrar a ordem CRESCENTE de energia dos subníveis;
• Esta representação ficou conhecida como DIAGRAMA DE LINUS
PAULING

164

6.6. Números quânticos

Diagrama de Linus Pauling

165

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6.9 – Tipos de semicondutores

Os semicondutores são divididos de acordo com sua pureza e estrutura em:
SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS: são aqueles cujo comportamento
elétrico depende basicamente da estrutura eletrônica do material puro. Sua
condutividade elétrica geralmente é pequena e varia muito com a
temperatura.
SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS: são aqueles cujo comportamento
elétrico depende fortemente do tipo e da concentração dos átomos de
impurezas. A adição de impurezas para a moldagem do comportamento
elétrico dos semicondutores é chamada de DOPAGEM.
A maioria dos semicondutores comerciais elementares são extrínsecos; o
mais importante exemplo é o Si, mas também estão nesta categoria o Ge e
o Sn.
É a possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que
permite a fabricação de uma variedade de dispositivos eletrônicos a partir
do mesmo material semicondutor.
166

6.9 – Tipos de semicondutores

SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS: Um semicondutor intrínseco é um
semicondutor no estado puro.
À temperatura de zero graus absolutos (-273ºC) comporta-se como um
isolante, mas à temperatura ambiente (20ºC) já se torna um condutor
porque o calor fornece a energia térmica necessária para que alguns dos
elétrons de valência deixem a ligação covalente (deixando no seu lugar uma
lacuna) passando a existir alguns elétrons livres no semicondutor.

167

Título aqui 10
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6.9 – Tipos de semicondutores

SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS: Um semicondutor se torna extrínseco
quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco).
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrínseco podem ser
de dois tipos: impurezas de átomos doadores e impurezas de átomos
receptores.
Se o semicondutor for adicionado por impurezas doadores é chamado de
semicondutor tipo N e se for adicionado por impurezas receptoras é
chamado de semicondutor tipo P
Átomos doadores têm cinco elétrons de valência (são penta valentes):
Arsênio (AS), Fósforo (P) ou Antimônio (Sb).

Átomos receptores têm três elétrons de valência (são trivalentes): Índio

(In), Gálio (Ga), Boro (B) ou Alumínio (Al).

168

6.9 – Tipos de semicondutores

SEMICONDUTORES TIPO N: A introdução de átomos penta valentes (como
o Arsênio) num semicondutor puro (intrínseco) faz com que apareçam
elétrons livres no seu interior.
Como esses átomos fornecem (doam) elétrons ao cristal semicondutor eles
recebem o nome de impurezas doadoras ou átomos doadores.
Todo o cristal de Silício ou Germânio, dopado com impurezas doadoras é
designado por semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo-se à carga
do elétrons).

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Título aqui 11
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6.9 – Tipos de semicondutores

SEMICONDUTORES TIPO P: A introdução de átomos trivalentes (como o
Índio) num semicondutor puro (intrínseco) faz com que apareçam lacunas
livres no seu interior.

Como esses átomos recebem (ou aceitam) elétrons eles são denominados
impurezas aceitadoras ou átomos aceitadores.

Todo o cristal puro de Silício ou Germânio, dopado com impurezas

aceitadoras é designado por semicondutor do tipo P (P de positivo,
referindo-se à falta da carga negativa do eletros).

170

6.9 – Tipos de semicondutores

171

Título aqui 12
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6.9 – Tipos de semicondutores

172

6.9 – Tipos de semicondutores

A condutividade elétrica dos materiais semicondutores pode ser

representada pela equação:

A condutividade elétrica dos semicondutores intrínsecos aumenta à medida

que a temperatura aumenta.

173

Título aqui 13
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6.9 – Tipos de semicondutores

174

7.0 – Técnicas de dopagem

A dopagem pode ser feita em quatro situações, conforme discriminamos a
seguir:
Durante o crescimento do cristal:

o material de base sofre um aquecimento até se transformar em massa

cristalina fundente, estado em que se efetua o acréscimo do material de
dopagem, durante esse processo térmico,
o cristal vai "crescendo“ posicionando-se os átomos da dopagem na própria
cadeia cristalina que se forma.
Por liga:
o material de base é levado a fusão conjuntamente com o de acréscimo,
formando-se assim uma liga.

apos essa formação e esfriamento, os dois materiais estão agregados

entre si.
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Título aqui 14
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7.0 – Técnicas de dopagem

Por implantação iônica:
átomos eletricamente carregados (com íons) de material dopante em
estado gasoso são acelerados por um campo elétrico
I njetados na cadeia cristalina do semicondutor.
método da implantação iônica é o mais preciso e o mais sofisticado entre
os mencionados, permitindo um ótimo controle tanto de posicionamento
quanto de concentração da dopagem feita.
Por difusão:
nesse processo, vários discos de metal tetravalente básico são elevados a
temperaturas da ordem de 1000°C e, nessas condições, colocados na
presença de metais em estado gasoso (por exemplo, boro).
os átomos de metal em estado gasoso se difundem no cristal sólido. Sendo
o material sólido do tipo N, cria-se, assim, uma zona P.
176

7.1 – Método de purificação

Destilação e Sublimação: a acentuada influencia das impurezas sobre as
características elétricas do semicondutor, leva em muitos casos a exigência
de se repetir o processo de purificação sobre a matéria prima fornecida
pela industria química, antes de manufaturá-la.

A diferença entre destilação e sublimação, é que na sublimação as

modificações do estado físico eliminam o estado liquido, o que traz
dificuldades de fracionamento dos materiais envolvidos, precipitando-se
freqüentemente muito próximos entre si os elementos, facilmente e
dificilmente sublimáveis.

A vantagem da sublimação esta na facilidade dos meios necessários a sua

obtenção.

177

Título aqui 15
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7.1 – Método de purificação

Eletrolise: a purificação eletrolítica das matérias primas básicas pode levar
a graus de pureza bastante elevados, se esta for realizada com cuidados
especiais e eventualmente repetida dado numero de vezes.

Através da eletrolise, um metal pode ser separado de outros metais menos

nobres e de partículas insolúveis no eletrólito, a eficiência da separação ou
eliminação simultânea de diversos metais, depende da relação dos potenciais
destes metais em relação à solução (eletrólito) utilizada, e menos da
grandeza da corrente.

178

7.1 – Método de purificação

Fusão Zonal: o necessário e elevado grau de purificação faz com que, para
os semicondutores, os métodos anteriores, via de regra, não tragam o
resultado final desejado.

A fusão zonal utiliza-se do fato de que, num sistema de dois elementos

em condição de equilíbrio entre a fase sólida e liquida, a composição de
ambas a fase é geralmente diferente e que, no limite do diagrama de
estado, as curvas liquida e sólida encontram-se segundo um ângulo definido,
isto significa que mesmo no caso de uma concentração mínima de um
elemento no outro, apresenta-se uma diferença de concentrações na
passagem do estado liquido para o sólido.

179

Título aqui 16
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7.2 – Elementos
Nem todos os elementos classificados como semicondutores pela Tabela
Periódica dos Elementos, permitem uma fácil e precisa verificação dessa
propriedade; em algum desses elementos a semi-condutância ainda não pode
ser determinada com segurança ou, então, a característica não se apresenta
estável a temperatura ambiente.

Conseqüentemente existe uma família de materiais semicondutores de uso

industrial, a família central dos materiais semicondutores é encontrada nos
materiais de Valencia IV, o primeiro elemento é:

Carbono: apesar de apresentar características semicondutoras, o carbono é

antes utilizado como condutor em alguns casos, em outros casos, como
material resistivo ou como componente capaz de suportar determinadas
condições térmicas ou químicas.

180

7.2 – Elementos
Germânio: é um dos materiais semicondutores mais antigos; é encontrado em
pequenas quantidades em minérios de zinco, pó de carvão e mesmo nas águas
do mar, em face disso, a extração do germânio é extremamente difícil e
onerosa, é uma substancia dura porem quebradiça não suportando qualquer
tipo de esforço mecânico, oxida-se na presença do ar, formando uma
finíssima película de oxido, é usado para a fabricação de componentes
semicondutores.

Silício: é termicamente mais estável do que o germânio, podendo por isso

ser usado a temperaturas ambientes de até 150°C, permite reduzir a
corrente inversa, o que reduz as perdas, fato esse que eleva o rendimento e
simplifica os métodos de refrigeração.

O silício é o elemento mais freqüentemente encontrado na natureza, após

o hidrogênio, na forma natural, é encontrado nas rochas e em minérios.

181

Título aqui 17
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7.3 – Aplicações dos Materiais Semicondutores

O semicondutor é um material-chave na indústria eletrônica. Os
dispositivos que utilizam o semicondutor são hoje utilizados em todo tipo de
circuitos.
Os dispositivos semicondutores mais comuns são o diodo, o transistor e os
dispositivos fotossensíveis, conforme discriminamos abaixo:
Diodo semicondutor: é formado pela junção p e n e tem como utilidade
básica permitir o fluxo de corrente elétrica apenas em um sentido (o sentido
de polarização direta)
Transistor: é formado pela inserção de um semicondutor tipo p entre dois
semicondutores tipo n ou vice-versa. O material do meio é chamado base e
os outros, emissor e coletor. O transistor funciona basicamente como um
amplificador de corrente se esta for alta (ligeiramente alta) ou como um
interruptor de corrente se esta for próxima de zero.
Dispositivos fotossensíveis: dividem-se em Células fotocondutivas:
fotoresistores, fotodiodos e fototransistores; e Células fotovoltaicas.
182

7.3 – Aplicações dos Materiais Semicondutores

As Células fotocondutivas funcionam da seguinte forma: Quando um fluxo luminoso
incide sobre o material semicondutor, os fótons podem fornecer aos elétrons energia
suficiente para produzir a ruptura de ligações covalentes. A ação dos fótons ocasiona
a produção de par elétron-lacuna, o que provoca um aumento da condutividade do
semicondutor. Esse fenômeno é conhecido como fotocondutividade.
Quanto às Células fotovoltaicas, conforme o nome indica, tais células produzem uma
tensão elétrica quando submetidas à ação de um fluxo luminoso. Sua utilidade se
estende na busca por energia alternativa.
Microeletrônica: O advento da Microeletrônica foi um dos mais notáveis avanços
tecnológicos no campo da eletrônica, sendo fundamentalmente oriundo das
necessidades inerentes ao programa espacial americano com relação a peso,
dimensões, potência consumida e confiabilidade. As restrições impostas nestes casos
eram impossíveis de serem satisfeitas com os circuitos convencionais, usando
componentes discretos.
Um dos setores da Microeletrônica é responsável pelos Circuitos Integrados (CIs).
Os circuitos integrados ou chips são uma fina pastilha de silício, onde estão agrupados
circuitos microscópicos que podem conter milhões de componentes eletrônicos como
resistores, capacitores, transistores, etc. 183

Título aqui 18
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Lista 2
1) Responda:

a) O que é um material isolante ou dielétrico?

b) Explique o processo de polarização em materiais dielétricos e mostre quais são os dois tipos de
polarização
c) O que é capacitância ?
d) O que é Constante dielétrica?
e) O que é Rigidez dielétrica ?

2) Um capacitor cerâmico convencional consegue armazenar 2,1.10-10C de carga elétrica, possui

uma constante dielétrica relativa de 6,0 e está posicionado dentro da região entre placas a
uma tensão de 30V. Calcule a capacitância e a permissibilidade (constante dielétrica) do
meio dielétrico.
: 0 = 8,85.10-12 F/m.

184

Lista 2
3) Considere um capacitor de placas paralelas que possui uma área de 6,45.10-4m2 e que
apresenta uma separação entre placas de 2.10-3m, através da qual um potencial de 10V é
aplicado. Se o material que possui uma constante dielétrica relativa de 6,0 for posicionado
dentro da região entre placas, calcule a capacitância.
: 0 = 8,85.10-12 F/m.

4) Pretende-se construir um capacitor simples de placas paralelas para armazenar 5,0.10-6C a um

potencial de 8kV. A distancia de separação entre as placas é de 0,30mm. Calcule a área em
m2 que as placas devem ter, se o dielétrico entre elas for a) vácuo (  = 1)
b) alumina ( = 9)

185

Título aqui 19
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Lista 2
5) Qual a definição de um semicondutor, e seu emprego é muito utilizada em qual ramo da
indústria eletrônica.

6) Que tipos de perturbações um semicondutor pode receber para ter uma influencia na
condutividade elétrica?

7) Demonstre através da distribuição eletrônica de Linnus Pauling o 4 números quânticos (nível,

subnível, orbital e rotação dos elétrons) e mostre também a representação da banda de
Valencia em termo de orbitais dos seguintes elementos semicondutores:
Si (Z = 14)
Ge ( Z= 32):

8) Como que funciona a teoria de bandas de energia de um condutor, isolante e um semicondutor?

9) Explique o que é um semicondutor intrínseco, extrínseco tipo P e extrínseco tipo N?

10) Para o silício intrínseco, a condutividade elétrica à temperatura ambiente é de 4.10-4 (.m)-1
; as mobilidades de elétrons e buracos são respectivamente, de 0,14 e 0,048 m2/V.s.
Calcule as concentrações de elétrons livres à temperatura ambiente.
: e = carga do elétron = 1,6.10-19C

186

Título aqui 20