Unidade 1

Seção 3

Medidas e Materiais
Elétricos
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 Webaula 3
Dispositivos semicondutores
Experimente

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Dispositivos semicondutores
Até o momento, nós já estudamos as
propriedades dos materiais condutores e
semicondutores. Nesta seção, trataremos de
algumas das aplicações mais importantes de
semicondutores: os dispositivos
semicondutores, como diodos e transistores.

2 Fonte: Istockphoto (2016)

Bobinadeira de cabos
Lembre-se, você trabalha no departamento de
desenvolvimento de uma multinacional que
fornece insumos para produção de cabos para
instalações elétricas industriais.
Já discutimos anteriormente quais serão os
materiais condutores fornecidos para o cliente
e, também, como podemos utilizar um sensor
de efeito Hall para controlar o número de
rotações de uma máquina bobinadeira.
Vamos mostrar agora como um transistor
pode ser usado para auxiliar a contagem de
rotações completas de uma máquina
bobinadeira.

3 Fonte: Istockphoto (2016)

 Bobinadeira de cabos
Para resolver esse problema, precisaremos conhecer sensores de efeito Hall e o
funcionamento dos transistores.

Fonte: o autor.

Fonte: http://bit.ly/2iFXuA9 | Acesso em: 25 de ago. 2016

Saiba Mais

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 Webaula 3
Dispositivos semicondutores
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 Diodos de junção p­n
Os diodos são dispositivos semicondutores Observe a representação dos
criados a partir de uma junção p-n, isto é, diodos de junção p-n:
uma combinação entre materiais
semicondutores extrínsecos tipo p e tipo n.
Quando juntamos os dois materiais, ocorre
uma recombinação de cargas na junção,
isto é, parte dos elétrons livres flui para o
lado tipo p e preenche alguns buracos,
criando uma região neutra, chamada
camada de depleção (ou zona de
recombinação).

Fonte: http://bit.ly/2hVQ4Vg | Acesso em: 21 de ago. 2016

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 Polarização de diodos
Devemos ligar uma fonte de corrente
contínua (CC) nos seus terminais, existindo
aqui duas possibilidades:
Diodo diretamente polarizado: os
terminais positivo e negativo da bateria
estão conectados ao lado p e n (ânodo e
cátodo), respectivamente, de forma que
os elétrons são repelidos do lado n e os
buracos são repelidos do lado p em Fonte: Adaptado de Callister (2007).
direção à junção e podem se
recombinar. Com isso, a barreira de
potencial é reduzida de forma que
teremos fluxo de elétrons pelo diodo
(corrente elétrica).

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 Polarização de diodos
Diodo inversamente polarizado: os
terminais positivo e negativo da bateria
estão conectados ao lado n e p,
respectivamente, de forma que os elétrons
são atraídos do lado n e buracos do lado p
em direção aos terminais da bateria. Dessa
forma, a barreira de potencial aumentará e
não haverá fluxo de elétrons.

Fonte: Adaptado de Callister (2007).

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 Transistor bipolar de junção (TBJ ou BJT)
Os transistores são dispositivos que têm duas aplicações básicas:
Transistor bipolar de junção

Por não ter contatos móveis, pode ocorrer a velocidades muito altas

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 Transistor bipolar de junção (TBJ ou BJT)
O primeiro transistor que estudaremos é o
transistor bipolar de junção, que possui
duas junções p-n, configuráveis em p-n-p
ou n-p-n, além de três regiões distintas,
conhecidas como emissor, base e coletor.

Fonte: http://bit.ly/2hXCAgu | Acesso em: 23 de ago. 2016

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 Transistor bipolar de junção NPN
A junção emissor-base é diretamente
polarizada enquanto que a junção coletor-
base é inversamente polarizada. Dessa
forma, o emissor (do tipo n) injetará uma
grande quantidade de elétrons na base (do
tipo p). Apesar de ocorrer recombinação
com os buracos, a maioria dos elétrons
atravessará a base em direção ao coletor (do
tipo n), onde serão atraídos pelo terminal
positivo da fonte. Como resultado, temos Fonte: http://bit.ly/2jbj8ZU | Acesso em: 23 de ago. 2016

fluxo de elétrons vindos tanto do emissor

quanto do coletor, o que representa um
aumento na quantidade de portadores de
carga e, portanto, na corrente elétrica
(amplificação).

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 Transistor bipolar de junção NPN
De maneira análoga ao caso anterior, o
emissor (do tipo p) injetará uma grande
quantidade de buracos na base (do tipo n).
Apesar de ocorrer recombinação com os
elétrons, a maioria dos buracos atravessará
a base em direção ao coletor (do tipo p),
onde serão atraídos pelo terminal negativo
da fonte. Como resultado, temos fluxo de
buracos vindos tanto do emissor quanto do
coletor, o que representa um aumento na Fonte: http://bit.ly/2i02e2P | Acesso em: 23 de ago. 2016

quantidade de portadores de carga e,

portanto, na corrente elétrica
(amplificação).

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 Transistor de efeito de campo (FET – field­effect transistor)
Em transistores de efeito de campo, a
passagem de portadores de carga está
condicionada à presença de um campo
elétrico produzido por uma tensão.
Vamos estudar agora o funcionamento
do FET de semicondutor de óxido
metálico (MOSFET: metal-oxide
semiconductor field-effect transistor).
Duas regiões de silício extrínseco do
tipo n são depositadas em um substrato Fonte: Adaptado de Smith e Hashemi (2013).

de silício tipo p, criando o dispositivo

NMOS.

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 NMOS e PMOS

Saiba mais sobre os Saiba mais sobre os

dispositivos NMOS dispositivos PMOS

14 Fonte: Adaptado de Smith e Hashemi (2013).

 Link / Saiba mais
A lei de Moore diz que o número de
transistores em um chip dobra a cada
18 meses e prevê o crescimento da
indústria eletrônica. Leia mais sobre o
assunto no link:

O QUE É a Lei de Moore? Disponível em: http://bit.ly/28JCfbi

| Acesso em: 25 ago. 2016.

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 Assista a um vídeo sobre a lei de Moore:
Google quer deixar a Lei de Moore para Trás.
Google quer deixar Lei de Moore para trás [Inovação ²]

Disponível em: http://bit.ly/2iQb8RG | Acesso em: 25 ago. 2016.

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 Agora você deve ler a Seção 1.3 do livro
didático.
É importante que você realize uma leitura
aprofundada da seção e faça as atividades:
As questões diagnósticas, disponíveis em
seu ambiente virtual, devem ser realizadas
para que você teste seus conhecimentos
antes da aula.
O Avançando na Prática traz novas
situações da realidade que ajudarão você a
compreender a seção.

17 Fonte: Istockphoto (2016)

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 Gostou do Tema
KÍTOR, G. L. Condutividade elétrica. Disponível em: http://bit.ly/2iJSri6 | Acesso em: 24
ago. 2016

SEMICONDUTORES. Produzido por Centro Paula Souza. Canal GEEaD CPS-CETEC.

Disponível em: http://bit.ly/2hYKFwF | Acesso em: 15 ago. 2016.

OS AUTÊNTICOS revolucionários. Produzido por Diamond Docs. Disponível em:

http://bit.ly/2ik5S5h | Acesso em: 16 ago. 2016.

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 Bons estudos!
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