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O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de
transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome
porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa
(elétrons).
História
O transístor de junção bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido, e que valeu o
Prémio Nobel, aos seus inventores.
Até hoje, permanece como o único prémio Nobel a ser atribuído a um dispositivo de engenharia.
Os primeiros transístores foram produzidos com Germânio e passado algum tempo começou a ser
utilizado o Silício.
O objetivo dos inventores foi substituir as válvulas termoiónicas, que consumiam muita energia,
tinham muito baixo rendimento e funcionavam com tensões da ordem das centenas de volts.
Estrutura do TJB
O TJB é um dispositivo de três terminais, sendo os quais, a
Base, o Emissor (Emitter) e o Coletor (Collector). O
nome de "bipolar", vem de o transporte de carga se efetuar por
dois portadores, electrões e lacunas. O parâmetro mais
importante utilizado nos modelos do TJB é o ganho de
corrente entre coletor e base, denotado por . Este está
relacionado com o processo de fabrico, a tecnologia e as
dimensões do dispositivo.
Modos de Funcionamento[1]
As relações mais básicas das grandezas associadas ao dispositivo são:
https://pt.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_junção_bipolar 1/2
10/05/2023, 16:32 Transistor de junção bipolar – Wikipédia, a enciclopédia livre
CORTE
Se e
Corte transversal da estrutura de
Neste modo o transístor não tem corrente a percorrê-lo. um TJB
SATURAÇÃO
Se e
Se e
Referências
1. de Medeiros Silva, Manuel (2013). Circuitos com Transístores Bipolares e MOS. [S.l.: s.n.]
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