DESENVOLVIMENTO DE UM TRAADOR DE

CURVASPARA TRANSISTORES EM UMA FERRAMENTA

EDA DE SIMULAO VISANDO FACILITAR O
APRENDIZADO DE ELETRNICA BSICA
Nestor Dias de Oliveira Volpini1, Hilton de Oliveira Mota2, Gustavo Fernandes Rodrigues3.
1, 2, 3
Centro Universitrio de Belo Horizonte UNIBH DCET (Departamento de Cincias Exatas).
e-mails:1volpini@acad.unibh.br,2hmota@acad.unibh.br , 3gfernandes@acad.unibh.br

Resumo Neste artigo est apresentado o Com a disponibilidade de simuladores de

desenvolvimento de um recurso facilitador de circuitos eletrnicos nos dias atuais, a prtica de
aprendizado em eletrnica, o traador de curvas para
transistores, implementado em um simulador eletrnico.
eletrnica tem sido muito facilitada, j que
Simuladores de circuitos eletrnicos so poderosas atualmente se conta com a ampla popularizao
ferramentas EDA (Eletronics Design Automation) que dos computadores pessoais. Muitos dos
tem sido cada vez mais utilizadas. Considerando a simuladores que se estabeleceram de forma
necessidade de viabilizar recursos de custo elevado, tmida, passaram a se tornar ferramentas
demonstra-se aqui uma forma de utilizar um simulador e
tambm se apresenta o desenvolvimento do circuito que
imprescindveis na rea de projetos de circuitos
substitui parcialmente o traador em questo. No eletrnicos, sendo tambm incorporados ao
trabalho tambm se demonstra e discute as limitaes dos ambiente educacional. Os modelamentos
simuladores. utilizados nestes simuladores se tornaram cada
palavras-chave traador de curvas, transistor, vez mais confiveis, contando inclusive com a
simuladores, ensino de eletrnica.
maior disponibilidade de poder computacional
Abstract This paper presents the development of a tool crescente ao longo dos anos [2].
that makes the learning of basics in electronics easier: a Sabendo que um dos pontos cruciais na
Transistor Curve Tracer, implemented in an electronics compreenso de eletrnica o estudo dos
simulator. Circuit simulators are EDA (Electronics transistores, foi desenvolvido em um simulador,
Design Automation) tools and its use has increased
considerably. Considering that available resources um circuito capaz de apresentar em um
usually present high costs, it is shown a way to use a osciloscpio virtual as curvas caractersticas de
simulator to construct a Tracer, and how the circuit was um transistor bipolar de juno (TBJ ou TJB),
developed. The limitations of circuit simulators are also que foi montado em sua configurao de
discussed in this work. polarizao de base. O circuito capaz de
keywords transistor curve tracer, simulators,
electronics teaching.
apresentar uma famlia de curvas do transistor
obtida com medies de relativa simplicidade.
I. INTRODUO
II. O TRANSISTOR BIPOLAR
Sabe-se da notria dificuldade de alunos em
aprender os fundamentos das disciplinas que O transistor bipolar de silcio foi desenvolvido
tratam da formao em eletrnica bsica, esteja em 1947 por William Schokley, no centro de
ela presente em cursos tcnicos, tecnolgicos e pesquisas de Bell Labs [3]. Foi uma descoberta
de graduao. Tambm j foi visto que a parte revolucionria, pois o mesmo apresentava como
prtica neste tipo de aprendizado fator vantagens o menor tamanho, maior eficincia
determinante para que se alcance os objetivos energtica, exigia menores tenses de
esperados na construo do conhecimento, haja polarizao e oferecia razovel linearidade em
vista a citao de Arlindo Tribess: ...pode-se relao s vlvulas. As vlvulas atualmente se
concluir que as atividades de aprendizagem mais encontram em algumas poucas aplicaes e j
concretas, ou seja mais reais, so mais so referenciadas apenas eventualmente, ou por
eficazes... em [1]. razes histricas nos estudos em eletrnica, ao
passo que os transistores bipolares ainda so
largamente empregados e ainda sero referncia
no estudo de eletrnica por muitos anos [4].
Os transistores bipolares so construdos a
partir de um cristal de silcio, que aps ter suas
impurezas removidas recebe dopagens de
elementos dopantes, de forma a construir no
material trs regies distintas. Estas regies se
alternam entre materiais do tipo N (que possuem
eltrons livres) e materiais do tipo P (que usam
lacunas como portadores de carga). Isso d
origem a transistores dos tipos NPN ou PNP,
ambos os modelos fabricados visando atender as
demandas do mercado de eletrnica. Aps as
dopagens, o transistor ir estabelecer duas
regies, com caractersticas especficas em que
predomina a ausncia de cargas, visto que no
encontro de dopantes N e P haver uma intensa
recombinao. Estas regies so as junes do
transistor. Um diagrama esquemtico dos dois
modelos de transistores bipolares est
apresentado na Fig. 1, com seus respectivos
smbolos e a identificao de seus terminais [4].
Figura 1: a)Transistor Bipolar de Juno NPN, seu smbolo e
seus terminais. b)Transistor Bipolar de Juno PNP, seu smbolo
e seus terminais [4].
III. POLARIZAO DE BASE
A maneira considerada mais adequada para se
polarizar um transistor, comea pela polarizao
de sua base, o que feito assim que se consegue
vencer a barreira de potencial da juno base-
emissor. Aps polariz-la, possvel estabelecer
uma corrente de maior intensidade entre o
coletor e o emissor, sendo que este ltimo
acumular as correntes de base e coletor.
Assim que se polariza o transistor, devido a
caractersticas construtivas, surgir uma corrente
de coletor que proporcional da base, s que
em maior intensidade. O fator de
proporcionalidade prprio para cada transistor,
e normalmente conhecido como , sendo
tambm chamado de HFE quando se considera o
modelo de anlise deste tipo de circuito feito
pela teoria dos quadriplos. Um circuito com um
transistor NPN em Polarizao de Base est
apresentado na Fig. 2.
Figura 2. Transistor NPN em Polarizao de Base com suas
respectivas correntes IB, IC e IE [4].
O fator de um transistor ir caracterizar a
relao entre as correntes de base e de coletor
conforme apresenta a Eq.(1):
IC = . IB (1)
contanto que seja garantido ao circuito que o
transistor no esteja saturado. O ponto de
saturao de um circuito ir acontecer
justamente quando o transistor estiver
conduzindo sua mxima capacidade, ou seja, em
relao Fig. 2 quando se observar que na
malha do coletor o valor de tenso entre o
coletor e o emissor (VCE) for prximo ou igual
zero. Neste caso, a mxima corrente neste
circuito ser dada pela Eq.(2):
 ICSat = VCC / RC Eq.
Enquanto no houver corrente de base capaz
de polarizar o transistor, costuma-se afirmar que
este se encontra em corte. Aps ser estabelecida
uma corrente de base no transistor bipolar, ser
possvel perceber que a variao da fonte de
tenso ligada na malha de coletor, enquanto o
transistor estiver trabalhando na regio
considerada ativa, ir causar uma variao da
tenso VCE, que o far justamente para garantir
a relao entre as correntes de base e emissor.
Figura 3. Curva caracterstica do comportamento de um
transistor bipolar em configurao de base onde IB foi fixada em
um valor e VCC foi variada. O resultado obtido representa os
valores de IC em funo do VCE [5].
Este comportamento no circuito pode ser
melhor compreendido pela curva apresentada na
Fig. 3, onde esto plotados a corrente de coletor
IC em funo da tenso entre o coletor e o
emissor VCE.
Como um transistor bipolar pode ter sua
corrente de base variada, assim que esta corrente
de base for modificada bastar repetir a variao
de VCC que ser possvel perceber uma nova
curva, semelhante anterior, porm em outra
regio do grfico. Portanto, haver infinitas
curvas neste grfico, j que h uma infinidade de
possveis valores de correntes de base, mas para
melhor caracterizar esta famlia de curvas, sero
representados apenas alguns valores de IB e isso
ser bem representado pelo grfico da Fig. 4 [6].
(2)
Fig. 4. Grfico de uma famlia de curvas de um transistor Bipolar
PNP em Polarizao de Base, com = 100 e correntes de base
variando em intervalos de 20A, com VCC variando
linearmente entre 0 e 12V[6].
IV. TRAADORES DE CURVAS
Um traador de curvas um equipamento
especfico de laboratrios de eletrnica, onde se
pode fazer o levantamento da curva
caracterstica de componentes eletrnicos
analgicos que se apresentem em dois, trs e em
alguns casos at mais terminais. Com o traador
possvel variar tenses e correntes aplicadas a
um componente e, em uma tela possvel ver o
grfico resultante do comportamento I por V [7].
Nem sempre possvel encontrar disponvel
um equipamento destes, j que seu custo
relativamente elevado e sua manuteno
complexa.
V. SIMULADORES DE CIRCUITOS
Assim que o poder de processamento dos
computadores foi aumentado a ponto de oferecer
recursos grficos com custo reduzido, foi
possvel encontrar programas simuladores das
mais diversas reas da engenharia. Por
intermdio de simulaes fica mais fcil
estabelecer uma estimativa de resultados bem
prxima da realidade que com freqncia
menos custosa, mais fcil e rpida de se
estabelecer [2]. A ttulo de exemplo, em
eletrnica muito mais tranqilo simular um
circuito em um computador, que projet-lo,
comprar os componentes, montar o prottipo,
adquirir novos componentes para modificaes,
executar alteraes e estabelecer um ponto
timo de funcionamento. Virtualmente tudo isso
possvel em um computador e, atualmente as
novas verses de simuladores possuem modelos
dos componentes parametrizados a ponto de
simular condies que extrapolam a realidade de
onde o circuito ir operar.
Simuladores de circuitos eletrnicos so parte
das ferramentas conhecidas como EDA
(Electronics Design Automation), que mais tem
sido utilizadas. Atualmente, muitos projetistas
esto utilizando este tipo de ferramentas para
tirar proveito de suas bibliotecas. Estas
bibliotecas possuem muitos modelos de
componentes e de instrumentos virtuais, com
elevada preciso, e isso minimiza custos j que
desobriga projetistas do nus de manter um
laboratrio completo. Obviamente, no se
dispensa o uso de equipamentos em prottipos
reais, mas isso tem sido feito em um momento
final do desenvolvimento, na validao final de
um produto. Como conseqncia, a escola est
importando o que acontece no mercado, j que o
discente necessita ser preparado o mais prximo
da realidade que seja possvel. Alm disso, o uso
de simuladores facilita por meio de recursos
grficos, a compreenso do que se tem tratado.
Portanto esperada uma crescente utilizao de
simuladores de eletrnica no ambiente
educacional, seja para uso em demonstraes ou
para o desenvolvimento de trabalhos por parte
dos discentes.
VI. DESENVOLVIMENTO
Visando estabelecer um circuito que fosse
capaz de substituir o equipamento traador de
curvas, foi elaborado um circuito em um
simulador de bom conceito no mercado, o NI
Multisim. Este simulador oferece a vantagem de
ser simples em termos de operao e mesmo
assim contar com um modelamento matemtico
de componentes e instrumentos virtuais muito
prximo da realidade. Esta ferramenta EDA
ainda oferece uma verso de estudante que
permite sua utilizao, com algumas limitaes,
de baixo custo para fins educacionais. Sua
biblioteca extensa e bem prxima da
disponibilidade de componentes reais de
mercado [8].
Para gerar a as curvas de transistores, foi
montado no simulador um circuito de
Polarizao da Base modificado, para ser capaz
de apresentar o diagrama esperado em um
osciloscpio, adotando-se a opo de medir
tenses em dois canais, sem utilizar a base de
tempo. A figura a ser desenhada no instrumento
virtual faz uso de cada eixo para representar a
leitura de cada canal. Para polarizar a malha da
base do transistor foi utilizada a sada de um
conversor digital/analgico que recebeu em suas
trs entradas mais significativas uma seqncia
de contagem digital, para ser capaz de gerar as
correntes de base que caracterizam cada curva
da famlia. Para fazer variar a tenso de VCC foi
usado um gerador de sinais triangulares,
retificado para aplicar apenas meio ciclo
positivo sobre o transistor. Para o teste foi
escolhido o transistor BC 337 que possivelmente
um dos mais comuns, baratos e disponveis do
mercado. O diagrama simplificado do circuito
est apresentado na Fig. 5.
Figura 5: diagrama simplificado do traador que foi montado no
Multisim.
Aps os devidos ajustes de tenses e
freqncias das fontes, obteve-se como
resultado, a famlia de curvas do transistor BC
337, que est apresentado na Fig. 6.
Como objetivo de se comprovar a habilidade do
simulador de representar os componentes reais,
valores de elevada tenso foram aplicadas sobre
o transistor por meio da fonte do coletor.

Figura 6: curvas do BC 337 geradas no circuito simulado.
O resultado demonstrou que neste momento o
transistor em questo que no deveria suportar
valores elevados de VCE teria que entrar em
ruptura por efeito avalanche, o que no
aconteceu.
Portanto o modelo foi bem comportado para o
que se esperava em condies normais de
operao, mas falhou ao representar os
resultados quando submetido a valores
superiores aos nominais do componente.
VI I. CONCLUSES E TRABALHOS FUTUROS.
Com este trabalho foi possvel viabilizar
recursos que facilitem o aprendizado de
eletrnica pela utilizao de simuladores de
circuitos eletrnicos. Neste caso em particular, o
resultado obtido foi capaz de substituir um
equipamento de custo elevado pela utilizao de
um programa de baixo custo, que ainda pode ser
aplicado em outras simulaes.
Tambm pode se concluir que os simuladores
por melhores que estejam, so at capazes de
reproduzir com fidelidade a comportamento real
de um circuito em um determinado intervalo de
condies. Porm, ainda no conseguem ser
completos e devem ser utilizados com cautela na
simulao em projetos reais, ou mesmo na
utilizao como ferramenta didtica, onde se
deve ressaltar sua aplicabilidade e tambm suas
limitaes.
Uma boa seqncia deste trabalho pode ser o
desenvolvimento de um prottipo real, que
utilizasse um osciloscpio real e que
implementasse o circuito na prtica, para efeito
de comparao com a simulao.
AGRADECIMENTOS
Os autores gostariam de agradecer ao Centro
Universitrio de Belo Horizonte - UNI-BH por
criar a oportunidade de publicao dentro do
ambiente universitrio e ao Editor Geral Prof.
Cayley Guimares.
REFERNCIAS
[1] A. Tribess, H. A. Souza, E. F. Rodrigues, O
papel do professor na motivao aprendizagem
dos alunos de engenharia. COBENGE 2001.
[2] J. J. Gonzlez, Toward an Optimized
Computer Assisted Electronics Laboratory.
mse,pp.0055, 1997 International Conference on
Microelectronics Systems Education (MSE '97),
1997.
[3] The Time 100 Scientists and Thinkers.
Disponvel em
http://www.time.com/time/time100/scientist/pro
file/shockley.html, visitado em 07/10/2008.
[4] A.P. Malvino, Eletronic Principles Third
edition. McGraw Hill, 1984.
[5] T. F. Bogart Jr, Dispositivos e Circuitos
Eletrnicos ,Volume I Makron Books 2001.
[6] M. N. Horestein, Microeletrnica Circuitos
e Dispositivos, Prentice Hall do Brasil, 1996.
[7] Curve Tracers. Disponvel em
http://www2.tek.com/cmswpt/psdetails.lotr?
ct=PS&ci=13558&cs=psu&lc=EN, visitado em
08/10/2008.
[8] NI Mutisim. Disponvel em
http://www.aliatron.pt/ewb/academic/index.html
, acessado em 03/08/2008.