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1. RESUMO...............................................................................................................................2
2. INTRODUO TERICA....................................................................................................2
3. OBJETIVOS...........................................................................................................................4
4. MATERIAS E MTODOS UTILIZADOS............................................................................5
4.1. Materiais Utilizados:........................................................................................................5
4.2. Mtodos Utilizados..........................................................................................................5
5. RESULTADOS E DISCURSSES........................................................................................7
7. CONCLUSO......................................................................................................................14
8. BIBLIOGRAFIA..................................................................................................................14
1. RESUMO
O experimento 7 Curva Caracterstica do Transistor Bipolar de Juno TBJ foi
realizado na disciplina de Eletrnica Analgica I.
Um TBJ um dispositivo com trs terminas, formado com dois tipos de materiais o do
tipo P e o do tipo N. Possuem duas junes (juno NP e juno PN) e formado por trs
regies: a regio de coletor, a regio de base e a regio de emissor. O transistor analisado e
estudado nesse relatrio o TBJ NPN BC548.
O relatrio aborda todos os pontos relacionados a um transistor. No qual, a introduo
explica de forma simples e intuitiva os conceitos, os tipos, as caractersticas, a anlise grfica,
a anlise de circuito, as aplicaes e as frmulas principais do dispositivo.
A primeira parte do experimento tinha por objetivo ensinar a mexer nos equipamentos
ajustveis para aprender a trabalhar com um TBJ. A plotagem e o esboo das curvas
caracterstica foram feitas, para diferentes valores de corrente de base, aps os ensaios no
laboratrio.
E por ltimo neste relatrio foi preciso explicar de forma simplria a plotagem e a anlise
das curvas caractersticas e a determinao do medido comparando-o com o calculado.
2. INTRODUO TERICA
O transistor bipolar de juno TBJ um dispositivo com trs regies semicondutoras
conectadas em trs terminais: o emissor(E), a base(B) e o coletor(B).
A partir destas frmulas e utilizando mtodos de resolues como anlise por malha,
anlise por n e leis de Kirchhoff possvel resover qualquer circuito relacionado a
transistores e seus valores associados.
As aplicaes de um transistor so extensamente variadas j que estes dispositivos podem
ser utilizados tanto para amplificares de tenso e potncia como para projetos de circuitos
lgicos digitais e de memria (utilizando-os como chaves).
3. OBJETIVOS
Propiciar o entendimento do funcionamento e das propriedades do transistor bipolar de
juno, alm da realizao do levantamento da curva caracterstica.
01 resistor de 10k;
01 resistor de 100 k;
01 diodo 1N4148;
01 transistor BC548;
01 multmetro digital;
01 fonte de tenso C.C. ajustvel;
01 gerador de funes;
01 osciloscpio;
01 protoboard;
Cabos para conexo;
Pontas de prova para os instrumentos de medio;
Software Multisim.
Em seguida regulamos o gerador de funes como uma onda senoidal com 100Hz e
10Vp e a fonte de alimentao DC ajustvel em 0.5V.
Com tudo pronto montamos o circuito referente a Figura 6 conectando o multmetro e
as pontas de provas do osciloscpio nos lugares adequados. Depois tivemos que regular o
osciloscpio: conferindo as escalas (nas pontas de prova e no osciloscpio), modificando o
acoplamento de ambos os canais para DC, invertendo o canal 2 e colocando o osciloscpio
em modo XY.
Estando o circuito e os aparelhos finalizados comeamos os testes e as coletas de
dados. Reajustando a fonte DC observando a corrente no multmetro (corrente da base) em
5A, 10A, 15A, 25A e 30A salvamos e esboamos as curvas caractersticas do TBJ.
Figura 6 Circuito I
5. RESULTADOS E DISCURSSES
5.1. Curva VdxId do diodo atravs do Osciloscpio
chave fechada, o qual a juno emissor-base e a juno coletor-base operam de forma direta.
O transistor funciona na regio de corte quando a juno emissor-base e a juno
coletor-base operam de forma reversa. O transistor nessa regio utilizado como uma chave
aberta.
A regio ativa, a rea til (Figura 17, na curva do transistor funciona quando a juno
emissor-base opera de forma direta e a juno coletor-base opera de forma reversa. Nessa
regio as aplicaes do transistor so para amplificar sinais. preciso observar que mesmo
quando a juno emissor-base est operando de forma direta e a juno coletor-base est
operando de forma reversa o transistor para de funcionar adequadamente quando ultrapassa a
curva de potncia mxima e passa para a regio de ruptura. Na regio de ruptura no existe
regras e padres de funcionamento do transistor.
As figuras 7, 8, 9, 10 e 11 so curvas caracterstica salvas na prtica, onde variando Ib
podemos obter curvas com inclinaes distintas. Indicando que ao aumentar a corrente de
coletor - Ib aumentamos a corrente de base Ic. Lembrando que Vce que separa a regio de
saturao e a regio ativa no se modifica.
A Figura 13 e a Figura 16 mostra a curva caracterstica plotada do transistor obtida
pelo software Multisim utilizando um osciloscpio e um analisador.
Na Figura 13 foi utilizado um osciloscpio para plotar a curva porm realizando as
simulaes observamos que a curva no se modifica, ou seja, no importava o valor configurado
no circuito para a corrente de base no multmetro o grfico da curva caracterstica sempre ser o
mesmo. Assim o grfico plotado na Figura 13 apenas um esboo da curva caracterstica.
Na Figura 16 utilizamos um analisador na opo transistor para gerar curvas caractersticas no
TBJ. O analisador foi programado para obter 6 curvas variando Ib de 5A a 30A e o Vce de 0V a
4 V, como demostrado na Figura 15. Esta simulao, da Figura 16, til para conseguir visualizar
todo o conceito grfico do TBJ, Figura 17, e observar semelhanas visuais entre a Figura 16, a Figura
17 e a Figura 18.
OBS.: O grfico de curvas caracterstica do esboo foi refeito com a escala de 5V. J que o
anterior no satisfazia o clculo do .
O Ganho de corrente do emissor comum do TBJ NPN BC548 medido:
= 308
Considerando Ic = 5A; Ib = 4mV como referncia para o clculo, temos:
= (Ic Ic) / (Ib Ib)
= (35mA 20mA) / (10A 5A)
Ib = 5A; Ic = 4mA e Ib = 10A; Ic = 7mA -> ~ 300
= (Ic Ic) / (Ib Ib)
= (50mA 20mA) / (15A 5A)
Ib = 5A; Ic = 4mA e Ib = 15A; Ic = 10mA -> ~ 300
= (Ic Ic) / (Ib Ib)
= (79mA 20mA) / (25A 5A)
Ib = 5A; Ic = 4mA e Ib = 25A; Ic = 15.8mA -> ~ 295
= (Ic Ic) / (Ib Ib)
7. CONCLUSO
O experimento realizado possibilitou a verificao, visualizao e o entendimento da
curva caracterstica de um transistor BC548, alm do clculo de seu ganho . O estudo
aprofundado e a verificao de curvas caractersticas, propriedades e equaes envolvidas no
funcionamento de componentes eletrnicos so de suma importncia na real compreenso de
suas funcionalidades e aplicaes em engenharia.
Com o experimento pde-se perceber que mesmo sendo formado por uma estrutura bem
semelhante a de diodos de juno PN, o transistor apresenta um comportamento bem
caracterstico e diferente do de um diodo de juno comum, possuindo dentre vrias
propriedades importantes o ganho , que relaciona a corrente de coletor e de base.
De modo geral, os resultados obtidos foram satisfatrios. As curvas esboadas e os
valores calculados com base nas medies se assemelham aos valores obtidos tanto por
simulao em software quanto pelo visto em teoria.
8. BIBLIOGRAFIA
MICROELETRNICA, ed. 5 - SEDRA E SMITH - Pearson, 2012.