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Capítulo 3 -
Estrutura Cristalina
1. INTRODUÇÃO AOS MATERIAIS
2. ESTRUTURA ATÔMICA
3. ESTRUTURA CRISTALINA NÍVEIS DA ESTRUTURA DE UM MATERIAL
4. MICROESTRUTURA
5. PROPRIEDADES VS. ESTRUTURA
6. DEGRADAÇÃO DOS MATERIAIS
Prof. C.P. Bergmann – PPGE3M - EE – UFRGS

Capítulo 3 -
Estrutura Cristalina
Prof. C.P. Bergmann – PPGE3M - EE – UFRGS

Ciência dos Materiais -PPGE3M-EE- UFRGS
3. ESTRUTURA CRISTALINA
3-1 INTRODUÇÃO
3-2 ORDENAÇÃO DOS ÁTOMOS
3-3 CÉLULAS UNITÁRIAS
3-4 DIREÇÕES E PLANOS NO CRISTAL
3-5 METAIS
3-6 CRISTAIS IÔNICOS
3-7 CRISTAIS COVALENTES
3-8 POLÍMEROS
3-9 IMPERFEIÇÕES NO ARRANJO CRISTALINO
3-1 INTRODUÇÃO
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CIÊNCIA DOS MATERIAIS
ESTRUTURA ATÔMICA
ESTRUTURA CRISTALINA
MICROESTRUTURA
antes de entender fenômenos que determinam propriedades nos materiais a partir da MICROESTRUTURA deve-se
primeiramente entender a (ESTRUTURA ATÔMICA) e ESTRUTURA CRISTALINA dos materiais porque estas definem
algumas de suas propriedades mais importantes de interesse tecnológico.
Ciência dos Materiais-PPGE3M-EE-UFRGS
3-1 INTRODUÇÃO
– DIVISÃO DA ESTRUTURA NOS MATERIAIS

Ciência dos Materiais-PPGE3M-EE-UFRGS
3-1 INTRODUÇÃO
• As propriedades de materiais estão diretamente associadas à sua estrutura cristalina. Metais apresentam diferentes
características mecânicas. Exemplos:
-alguns são mais dúcteis que outros;
-magnésio e berílio que têm a mesma estrutura (HC) se deformam muito menos
que ouro e prata (CFC) que têm outra estrutura cristalina.
O que se pode fazer para

modificar a resistência
mecânica de um material ?
• Diferença significativa nas propriedades de materiais cristalinos e não cristalinos de mesma composição. Exemplos:
Diamante e carbono, BN-a e BN-b, Fe-a e Fe-g e outros. Fe-g
Fe-a
• Cerâmicos e polímeros não-cristalinos tendem a ser opticamente transparentes enquanto cristalinos não. Por quê?
• As propriedades dos materiais sólidos cristalinos depende da estrutura cristalina, ou seja, da maneira na qual os
átomos, moléculas ou íons estão espacialmente dispostos.
Grande parte da diferença das propriedades dos materiais é de interesse tecnológico,

Importância da estrutura cristalina
assim as diferenças na estrutura cristalina é de grande importância na Engenharia.
3-2 ORDENAÇÃO DE ÁTOMOS

Os materiais sólidos podem ser classificados de acordo com a regularidade na qual os átomos ou íons se dispõem em relação
à seus vizinhos, considerando ângulos, distâncias e simetria da ordenação.
Ordem a longo alcance Ordem a curto alcance Sem ordenamento

Vidro Polímero Gás
Cristal
Metais, muitas cerâmicos e alguns polímeros.  Alotropia ou transformações polimórficas

-Alguns materiais podem ter mais de uma estrutura cristalina dependendo da
Mais baixa energia livre
temperatura e pressão. São denominados de alotrópicos (elementos químicos) ou
Maior empacotamento polimórficos (compostos em geral).
Fe-g
Fe-a
-Geralmente as transformações polimórficas são acompanhadas de

Por solidificação ou por saturação/ cristalização mudanças na densidade e mudanças de outras propriedades físicas.
em soluções aquosas.
3-2 ORDENAÇÃO DE ÁTOMOS

3.2.3 Ordem a longo alcance
A rede é formada por átomos se repete regularmente: conjunto de pontos espaciais que possuem vizinhança idêntica.
- simetria com os vizinhos;
- distâncias parâmetros de rede (a, b, c); CRITÉRIOS PELOS QUAIS SE DEFINE UM CRISTAL
- ângulos entre arestas (a, b, g )
Ideais (teóricas): puras, temperatura 0 K, 1 atm pressão: baixa energia e maior empacotamento.
Exemplo esquemático de rede
Reais: compreendem os defeitos (imperfeições) possíveis nas ideais.
A célula unitária é menor porção da rede cristalina que retém as características de toda a rede.
TIPOS DE SIMETRIA
Até agora, eram conhecidos 5 tipos de simetria para descrever a estrutura cristalina: rotação, inversão, rotação-inversão, translação e reversão temporal. Um sexto tipo de simetria,
a rotação reversa foi proposta recentemente (2010), fazendo com que os materiais cristalinos possam se organizar em 17.800 estruturas diferentes (antes era 1.651 !).
14 REDES DE BRAVAIS (7 SISTEMAS CRISTALINOS)
3-3 CÉLULA UNITÁRIA

3.3.1 Número de átomos por célula unitária
O número de átomos por célula unitária é o número específico de pontos da rede que define cada célula unitária.
 Um ponto no vértice da célula unitária cúbica é partilhado por oito células unitárias do arredor; assim, somente 1/8 de cada vértice pertence a uma
célula particular. No centro da face é compartilhado por 2 células unitárias.
Número de átomos por célula unitária no sistema cristalino cúbico.
CS
n° pontos da rede = 8*(vértices) * 1 = 1 átomo
célula unitária 8
CCC
n° pontos da rede = 8*(vértices) * 1 + 1 centro = 2 átomos

célula unitária 8
CFC
n° pontos da rede = 8*(vértices) * 1 + 6 * 1 centro face = 4 átomos

célula unitária 8 2
HC
n° pontos da rede = 12*(vértices) * 1 + 2 * 1 centro face + 3 no centro = 6 átomos
célula unitária 6 2

3.3.2 Relação entre raio atômico e parâmetro de rede
A relação entre o raio atômico (r) e o parâmetro (ao) é determinada geometricamente a partir da direção em que os
átomos estão em contato (direção de empacotamento fechado, ou de maior empacotamento).
Relação entre o raio atômico e o parâmetro para as células unitárias do sistema cristalino cúbico
CS CCC CFC HC
ao = r + r (diagonal cubo)2 = (4 r)2 = ao2 + ao2 + ao2

(diagonal face)2 = (4 r)2 = ao2 + ao2
Diagonal face
ao = 4r ao = 4r ao = 2r co = 1,633 ao
ao = 2r
31/2 21/2
Exemplo: O raio atômico do Fe é 1,24 A. Calcule o parâmetro de rede do FeCCC e do FeCFC. Hexagonal Hexagonal Compacto
FeCCC
FeCFC
ao = 4 x 1,24 A = 2,86 A ao = 4 x 1,24 A = 3,51 A

31/2 21/2

3.3.3 Número de coordenação
O número de coordenação é o número de vizinhos mais próximos.
 Depende: (i) da covalência: o número de ligações covalentes que um átomo pode compartilhar; (ii) do fator de em pacotamento cristalino.
Relação entre o raio atômico e o parâmetro para as células unitárias do sistema cristalino cúbico
CS CCC CFC HC
NC= 6
NC= 8
NC= 12 NC= 12

3.3.4 Fator de empacotamento
O fator de empacotamento (FE) é a fração de volume da célula unitária efetivamente ocupada por átomos, assumindo que os
átomos são esferas rígidas. FE = (n° átomos / célula) * volume cada átomo
volume da célula unitária
CS
FECS = (n° átomos / célula) * volume cada átomo = (1 átomo / célula) * 4/3pr3 = 1 * 4/3pr3 = 4/3pr3 = 0,52 ou 52%
volume da célula unitária ao3 (2r)3 8.r3
CCC
FECCC = (n° átomos / célula) * volume cada átomo = (2 átomos / célula) * 4/3pr3 = 2 * 4/3pr3 = 2 . 4/3pr3 = 0,68 ou 68%
volume da célula unitária a o3 (4r/31/2)3 64.r3/(31/2)3
CFC
FECFC = (n° átomos / célula) * volume cada átomo = (4 átomos / célula) * 4/3pr3 = 4 * 4/3pr3 = 4 . 4/3pr3 = 0,74 ou 74%
volume da célula unitária a o3 (4r/21/2)3 64.r3/(21/2)3
HC
FEHC = (n° átomos / célula) * volume cada átomo = (6 átomos / célula) * 4/3pr3 = 6 * 4/3pr3 = 25,12r3 = 0,74 ou 74%
volume da célula unitária a o3 3.(2r)3.1,633.cos30° 33,94r3

3.3.5 Densidade
A densidade teórica de um cristal é igual a massa da célula unitária dividida pelo seu volume.
 = massa da célula unitária = (n° átomos / célula)*(massa atômica de cada átomo)

volume da célula unitária (volume da célula unitária) * (n° de Avogadro)
Exemplo: Determine a densidade do FeCCC, que tem um a0 de 2,866A e massa atômica de 55,85 g/g.mol.
FeCCC
Massa da célula unitária = n° átomos / célula * massa atômica = 2 átomos * 55,85 g/g.mol
número de Avogadro 6,02 .1023 átomos/g.mol
Volume da célula unitária = a03 = (2,866 A)3 = 23,54.10-30 m3/célula
 = massa célula unitária = (2 átomos) * 55,85 g/g.mol = 0,7879.10-7g/m3 = 7,879.10-6 g/m3 = 7,879 Mg/m3 ou g/cm3
volume célula unitária (23,54.10-30 m3) * 6,02 .1023 átomos/g.mol Mgm3 = g/cm3
A densidade medida é 7,870 Mg/m3. Por que a diferença da densidade teórica e a medida?
Exemplo: Calcule a mudança de densidade e de volume que ocorre quando o FeCCC é aquecido e transforma-se em FeCFC. Na transformação de fase, o
parâmetro de rede muda de aoCCC = 2,863A para aoCFC = 3,591A.
CCC CFC FeCCC = massa célula unitária = (2 átomos) * 55,85 g/g.mol = 7,883 Mg/m3
volume célula unitária (23,54.10 m ) * 6,02 .10 átomos/g.mol
-30 3 23
FeCFC = massa célula unitária = (4 átomos) * 55,85 g/g.mol = 8,013 Mg/m3

volume célula unitária (46,31.10 m ) * 6,02 .10 átomos/g.mol
-30 3 23
Mudança de volume = Vf - Vi * 100 = 46,31 - 47,08 * 100 = -1,64%

2 átomos 4 átomos Vi 47,08
Volume da célula FeCCC Volume da célula FeCFC
= (aFeCCC )3 = 23,54A3 = (aFeCFC)3 = 46,31A3 Mudança de densidade = FeCFC - FeCCC * 100 = 8,013 - 7,883 * 100 = +1,64%
Volume de 4 átomos FeCCC 7,883
= 2 * (aFeCCC)3 = 47,08A3

 É necessário identificar pontos, direções e planos em um cristal. Para isso utiliza-se um sistema conhecido como índices de
Miller., baseado em um sistema de eixos coordenados. sistema de eixos coordenados
3.4.1 Direções
 Algumas direções da célula unitária são de particular importância, por exemplo os metais se
deformam ao longo da direção de maior empacotamento. Muitas propriedades dos materiais
dependem da direção do cristal em que se encontram e são medidas.
0, 0, 1 e ½, 1, 0
ÍNDICES DE MILLER PARA DIREÇÕES:
1. Definir dois pontos por onde passa a direção ½, 1, 0 - 0, 0, 1 = ½ , 1 , -1
2. Definir o ponto alvo e origem, fazendo-se: ALVO-ORIGEM 2x ½ , 1 , 1 = 1, 2, -2

3. Eliminar as frações e reduzir ao m.m.c.
Direção [1 2 2]
4. Escrever entre colchetes, e se houver n° negativo o sinal
é colocado sobre o n°: x y z
[h k l]
 Algumas observações:
- direção e suas múltiplas são idênticas: [111]  [222];
- índices de Miller simétricos não são da mesma direção (direções e suas
negativas não são idênticas): [111]  [111];
FAMÍLIA DE DIREÇÕES: índices de Miller de direções similares: Ex.
3.4.2 Direções da célula unitária
Exemplo: Determine os Índices de Miller das direções A, B e C, da figura abaixo.
Direção A:
1. alvo= 1, 0, 0; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 0, 0
3. sem frações
4. [1 0 0] Direção B:
1. alvo= 1,1,1; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 1, 1
3. sem frações
4. [1 1 1]
Direção C:
1. alvo= 0, 0, 1; origem= 1/2, 1, 0
2. alvo - origem = -1/2, -1, 1
3. 2 (-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [1 2 2]

3.4.2 Direções da célula unitária
 Caracterização de direções em um cristal: densidade linear, distância de repetição e fator de empacotamento.
DENSIDADE LINEAR: Número de átomos por unidades de comprimento: L = número de átomos
Exemplo: Calcule a densidade linear para a direção [1 1 1] do Cu CFC. unidade de comprimento
Dado: ao= 0,362 nm
Dr = a0 31/2 L = ½ + ½ = 1,60 átomo/nm
Dr = 0,362 x 31/2 0,626 nm
Dr = 0,627 nm
DISTÂNCIA DE REPETIÇÃO: De quanto em quanto se repete o centro de um átomo. É o inverso da densidade linear.
Exemplo: Calcule a distância de repetição para a direção [1 1 1] do Cu CFC.
Dado: ao= 0,362 nm
o centro do átomo se repete a cada
diagonal do cubo (Dr)
Dr = a0 31/2
Dr = 0,362 x 31/2
Dr = 0,627 nm (inverso da L)
FATOR DE EMPACOTAMENTO LINEAR: É quanto da direção está definitivamente coberta por átomos.
Exemplo: Calcule o fator de empacotamento para a direção [1 1 1] do Cu CFC.
Dado: ao= 0,362 nm
r = a0 21/2/4
r = 0,362 x 21/2 /4 FEL = 2r/ Dr = 0,408 ou 40,8%
r = 0,128 nm

3.4.3 Planos
 Um cristal possui planos de átomos que influenciam as
propriedades e o comportamento de um material.
ÍNDICES DE MILLER PARA PLANOS: 1 1 1
1. Definir três pontos onde o plano corta x, y e z. 1/1 1/1 1/1
2. Calcular os recíprocos dos valores obtidos. Não tem frações
3. Eliminar as frações sem reduzir ao m.m.c. (1 1 1)
4. Escrever entre parênteses, e se houver n° negativo o sinal
x y z
é colocado sobre este n°: (h k l)
OBS.: Se o plano passar pela origem, desloque-a.
Observações importantes:
- Iguais Índices de Miller para direção e plano, significa que estes apresentam perpendicularidade.
- Índices de Miller simétricos são o mesmo plano, depende apenas do referencial (planos e seus
negativos são idênticos).
- Planos e seus múltiplos não são idênticos (densidade planar diferente).

FAMÍLIA DE PLANOS: em cada célula unitária os planos formam um grupo equivalente
que tem índices particulares devido a orientação de suas coordenadas.

3.4.3 Planos
Exemplo: Determine os Índices de Miller para os planos A, B e C da figura abaixo.
Plano A:
1. 1 1 1 Plano B:
2. 1/1 1/1 1/1 1. 1 2 
3. Não tem frações 2. 1/1 1/2 1/
4. (1 1 1) 3. 2 1 0
4. (2 1 0)
Plano C: passa
pela origem
(x’, y’, z’)
1.  -1 
2. 1/  1/-1 1/
3. 0 -1 0
4. (0 1 0)

3.4.3 Planos
 Caracterização de planos em um cristal: densidade planar, fator de empacotamento e distância entre planos.
DENSIDADE PLANAR: Número de átomos por unidades de área: P = número de átomos no plano
Exemplo: Calcule a densidade planar para os planos (1 1 0) do Cu CFC. área do plano
Dado: ao= 0,362 nm
P = 2 x (¼ + ½ + ¼ ) = 10,8 átomos/nm2
ao x ao 2½
FATOR DE EMPACOTAMENTO PLANAR: É quanto da área está efetivamente coberta por átomos: FEP = área dos átomos
Exemplo: Calcule a densidade planar para os planos (1 1 0) do Cu CFC. área do plano
Dado: ao= 0,362 nm
FEP = 2 x p r2 = 0,56 ou 56%.
r = a0 2 /4
1/2
ao x ao 2½
r = 0,362 x 2 /4
1/2
r = 0,128 nm
DISTÂNCIA INTERPLANAR: Distância de 2 planos com mesmos índices de Miller. Para o sistema cúbico: D(hkl) = ao/(h2+k2+l2)1/2
Exemplo: Calcule a distância interplanar entre dois planos adjacentes (1 1 0 ) para o Au CFC.
Dado: ao= 0,408 nm.
d (1, 1, 0) = 0,408 nm / (12 + 12 + 02)1/2 = 0,288 nm

Para o sistema hexagonal:
D(hkl)= ao/[4/3(h2+hk+k2)+l2(ao2/co2)]0,5

3.4.4 Índices de Miller para a Célula Hexagonal
 Chamados índices de Miller Bravais, devido a modificação em relação ao sistema
cristalino. Estabelece-se 4 eixos (a1 a2 a3 c), 3 coplanares. Tem-se 4 interseções e 4
índices de Miller: h k i l onde
para planos i =-(h + k)
para direções [u’v’w’]=[u v t w] onde u= n (2u’-v’)/3 v= n (2v’-u’)/3 t= -(u + v) w= nw’
 Pode-se similarmente aos índices de Miller para plano da estrutura cristalina
cúbica, considerando apenas 3 eixos.
Exemplo: Determine os índices de Miller para os planos A e B e para as direções C e D.
Direção C:
Plano A: 1. alvo= 0, 0, 0, 1; origem= 1, 0, 0, 0
1. 1
2. alvo - origem = -1, 0, 0, 1
2. 1/  1/  1/  1/1
3. 0 0 01 3. sem frações
4. (0 0 0 1) ou (0 0 1) 4. [1 0 01]
Plano B: Direção D:
1. 1 1 -1/2 1 1. alvo= 0, 1, 0, 0; origem= 1, 0, 0, 0
2. 1/1 1/1 -2/1 1/1 2. alvo - origem = -1, 1, 0, 0
3. 1 1 -2 1 3. sem frações
4. (1 1 -2 1) ou (1 1 1) 4. [1 1 0 0]
3-5 METAIS
Os metais cristalizam preferencialmente em sistemas cúbico (CCC, CFC) ou hexagonal (HC). Metais não cristalizam no
sistema hexagonal simples, pois o fator de empacotamento é muito baixo.
Sistema cúbico Sistema hexagonal compacto
O sistema Hexagonal Compacto (HC) é mais comum nos metais (ex: Mg, Zn).
3-5 METAIS
Os metais cristalizam preferencialmente em sistemas cúbico (CCC, CFC) ou hexagonal (HC). Metais não cristalizam no
sistema hexagonal simples, pois o fator de empacotamento é muito baixo.
Sistema cúbico Sistema hexagonal compacto
O sistema Hexagonal Compacto (HC) é mais comum nos metais (ex: Mg, Zn).

3.6.1 Introdução
Na ionização de um átomo, o ânion aumenta
consideravelmente de tamanho em relação ao átomo
neutro. O contrário ocorre com a formação do cátion.
A relação de raios entre o ânion (geralmente maior) e o cátion vai determinar o tipo de arranjo cristalino de um composto iônico. O cátion
(geralmente menor) preencherá os vazios intersticiais da rede, procurando maximizar a ocupação do sítio, respeitando a neutralidade de cargas
na rede.

3.6.3.1 Teoria da rede cristalina para cristais iônicos
Modelo matemático da estrutura cristalina de cristais iônicos: cálculo de propriedades do cristal: energia de ligação e
espaçamento de equilíbrio dos íons no cristal. Considera-se que: que a rede é construída por arranjo periódico de esferas
rígidas (com raios fixos) que tocam-se em uma direção e são eletricamente carregadas com cargas elementares. Ex: NaCl
Energia de ligação entre duas esferas vizinhas: E 1 , 2  1 z1 z 2 e 2 z1   z 2  1 1 e2
 E 1,2   
4 p 0 r1 , 2 4 p 0 r1 , 2
CADEIA LINEAR: as outras esferas também devem ser consideradas

ECL  E12  E13  E14  ...  E12 ' '  E13'  E14 '   2 ECL
k 2
2
1 e
Como: E CL   (  1 ) k   e r12  d 0 r13  2d 0 r14  3d 0
4 p 0 rCL
Então: E CL  2   e2 
1 
1

1

1

1 
 ...   e2
 4 p 0 d 0  2 3 4 5  E CL   ACL ACL = 2 ln2 = 1,386
4 p 0 d 0
ln 2 e2
A energia de ligação de um simples íon em uma molécula de dois íons, separado por uma distância d0, é: E Mol   4p d
E CL 0 0
A
Logo, ACL é a razão da energia de ligação de um íon na cadeia linear em relação a um íon na molécula: CL 
E Mol
IMPORTANTE: ACL > 1 significa que a situação de um íon na cadeia linear é energeticamente mais estável
que em uma molécula de dois íons, embora na cadeia linear, haja repulsão entre cargas.
REDE TRIDIMENSIONAL: Energia de ligação de um íon na rede, EG é: E G   E ik com i, k = 1...N

2 i k
Pode-se escrever que: E G   1  e  1 1
com   A e A = constante de Madelung
4 p 0 d 0 n ik n ik
2 2
Significado de A: razão entre a energia
e z1 z2 e de ligação do íon na rede cristalina e a
Então, EG é: E  A ou, genericamente: E   A N
4p d 4p d
G G
energia de ligação do íon na molécula
0 0 0 0

3.6.3.1 Teoria da rede cristalina para cristais iônicos
ENERGIA DE LIGAÇÃO EM UMA REDE TRIDIMENSIONAL
Constante de Madelung de vários cerâmicos: • Os valores de A para a estrutura AX
não são muito maiores que 1;
Tipo Estrutura Nome Valor de A
• Diferença no tipo de estrutura AX
AX NaCl Cloreto de sódio 1,748 difere muito pouco os valores de A;
CsCl Cloreto de césio 1,763 • A ligação mais forte é da estrutura
ZnS Blenda de zinco 1,638 do corindum
ZnS Wurtzita 1,641

AX2 CaF2 Fluorita 5,03
A2X3 Al2O3 Óxido de alumínio 25,0
Verificação experimental da energia de ligação calculada

• Os valores medidos são
menores que os valores teóricos
Material Eteorica (kJ/mol) Eexperimental (kJ/mol) E/ Eteorica
• A diferença pode ser explicada NaCl 858 766 - 0,11
pelo potencial de repulsão
CsCl 687 649 - 0,05

3.6.2 Sítios intersticiais
Localização dos sítios
intersticiais nas células unitárias
cúbicas e hexagonal compacta.
Um átomo em um sítio intersticial
toca dois ou mais átomos da célula
unitária. O tamanho de cada sítio
intersticial pode ser calculado em
termos do tamanho dos átomos da
posição regular da rede.
Cálculo do tamanho de um sítio intersticial: (a) cúbico (cúbico simples); (b) octaédrico e (c) tetraédrico do CFC.
tetraédrico
CS cúbico CFC octaédrico
2R + 2r = D = ao 3½ ao = 2R
D/4 = R+ r
2R + 2r = 2R 3½ 2R + 2r = ao = 4R/ 2½
ao 3½/4 = R + r
r = 3½ R - R 2r = (4R/ 2½) - 2R
(4R /2½).3½/4 = R + r
r = (3½ - 1) R 2r = 0,828 R
(R.3½)/2½ - R = r
r /R= 0,414
r /R= 0,732 r /R= 0,225

3.6.3 Tipos de estruturas
Interstícios cúbico, octaedral e tetraedral

 Os compostos iônicos mais simples possuem igual número de cátions e ânions, como o MgO (Mg+2, O-2).
NC
Três formas principais: CsCl 8
NaCl 6
ZnS 4
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3.6.3.2 Estruturas do tipo AX
CS tipo CsCl CFC tipo NaCl CFC tipo ZnS
 Cada Cs+ tem 8 Cl- vizinhos NC=8  Cada Na+ tem 6 Cl- vizinhos (NC=6)  Cada S-2 tem 4 Zn-2 vizinhos (NC=4)
nos interstícios cúbicos nos interstícios octaedrais nos interstícios tetraedrais
rCs+ = 1,69Å RCl- = 1,81Å r/R=0,92 rNa+ = 1,02Å RCl = 1,81Å
- r/R=0,56 rZn+2 = 0,74Å RS-2 = 1,84Å r/R=0,40
Os íons se tocam pela diagonal do cubo: Os íons se tocam na aresta do cubo: Os íons se tocam pela diagonal do cubo
Dc = 2 (R+r) ao= 2(r+R)/31/2 ao = 2 (R+r) ao= 4(r+R)/31/2

Estruturas do tipo AX
Estrutura hexagonal com

seis interstícios com Ni+2
CsCl NaCl ZnS NiAs

Estruturas do tipo AX2
 Relação de 1 cátion para 2 ânion
 Estrutura cúbica simples alternada para a relação 2 para 1
 Exemplos: UO2, PuO2, ThO2
CaF2
Estruturas do tipo AnXm
 Relação de 2 cátion para 3 ânion Uso: materiais magnéticos não
metálicos em aplicações eletrônicas
 Estrutura hexagonal com ocupação dos interstícios tetraedrais
 Exemplos: sesquióxidos Fe2O3, Cr2O3
Al2O3
Estruturas do tipo AnBmXP  Óxido duplo com dois cátions
 Estrutura mais complexa devido a presença de mais um

tipo de cátion
 Exemplos: CaTiO3, SrZnO3, SrSnO3, Ferritas e Espinélios
BaTiO3
Estrutura da Perovskita

3.6.3 Tipos de estruturas
Exemplo: Determine a estrutura cristalina e calcule a densidade e o fator de empacotamento do MgO.
Dados: rMg+2= 0,066 nm RO-2 = 0,132 nm MMg = 24,31 g/mol MO = 15,99 g/mol
Solução:
= m/V
rMg+2/ RO-2 = 0,5  NC=6 CFC tipo NaCl
ao=(2 RO-2 + 2 rMg+2 ) = 0,396 nm
Massa cél. unit.= 4Mg+2 + 4O-2  (4.MMg+ 4. MO)/6,02.1023 íons= 26,78 . 10-23 g
Volume da célula unitária = a03 = 0,0621 . 10-27m3
= 26,78 . 10-23 g/ 0,0621 . 10-27 m3 = 4,31 . 106 g/m3 ou 4,31 g/cm3
FE = Víons/Vcél. Unit.
Vol íons cél. unit.= 4VMg+2 + 4VO-2  (4. 4/3p r3 + 4. 4/3p R3 )= 0,0433 . 10-29 m3
Volume da célula unitária = a03 = 0,0621 . 10-27 m3
FE = 0,0433 . 10-29 m3 / 0,0621 . 10-27 m3 = 69,8%
3-7 CRISTAIS COVALENTES

3.7.1 Estruturas do Diamante
C  Ocupação dos interstícios ~ ZnS  Totalmente covalente Exemplos: Ge, Si, Pb
Os átomos se tocam pela

diagonal do cubo Dc = 8r
ao= 8r / 31/2
Exemplo: Calcule a densidade do Diamante.

Dados: rC= 0,077 nm MC = 12 g/mol
Solução:
= m/V
Massa da célula unit.= 8 C  8 x 12/6,02.1023 = 15,95 . 10-23 g
Volume da célula unitária: ao3 ao= 8 r / 3 0,5 r = 0,077 nm
ao= 8 . 0,077 nm / 3 0,5 = 0,356 nm
a03 = 0,0451 . 10-27m3
= 15,95 . 10-23 g / 0,0451 . 10-27 m3 = 3,54 . 106 g/m3 ou 3,54 g/cm3
3-8 POLÍMEROS
 Tipicamente: amorfos (ordem a curto alcance)
 Sob condições especiais: estrutura cristalina.

Ex.: polietileno  estrutura ortorrômbica
3-9 DIFRAÇÃO DE RAIOS X

Difração de raios-X diferentes comprimentos de onda
A luz visível tem comprimento de onda da ordem de 1000 nm, da mesma ordem de
Espectro de radiação eletromagnética, salientando o comprimento de onda grandeza das ranhuras do vidro ao lado. Na estrutura cristalina: Interação do fóton
para a radiação X. com o orbital de elétrons. O empilhamento de átomos é análogo às ranhuras da
figura ao lado.
FENÔMENO DA DIFRAÇÃO: Quando um feixe de raios x é dirigido à
um material cristalino, esses raios são difratados pelos planos dos
átomos ou íons dentro do cristal
DIFRATÔMETRO:
ABC = n
AB = BC = d sen • Na interferência construtiva, com feixes em fase, a
Então: diferença no comprimento da trajetória dos feixes de
raio-x adjacentes é um número inteiro de .
Lei de Bragg:
n = 2d sen  Distância interplanar (exemplos):
Cúbico
d é a distância interplanar Dhkl= ao/(h2+k2+l2)0,5
 é o ângulo de difração com a
superfície (2 = ângulo de
difração - medido Hexagonal
Difratograma pó de alumínio. experimentalmente) Dhkl= ao/[4/3(h2+hk+k2)+l2(ao2/co2)]0,5
A lei de Bragg é necessária, mas não suficiente. As células unitárias não primitivas
provocam difração não prevista pela lei de Bragg para certos ângulos.
Estrutura cristalina Difração não ocorre Difração ocorre
CCC h+k+l=número par h+k+l=número ímpar
CFC h, k, l (par e ímpar) h, k, l (ou par ou ímpar)
HC h+2k=3n, l par (n é inteiro) todos outros casos
3-9 DIFRAÇÃO DE RAIOS X

Exemplo: Uma amostra de ferro CCC foi colocada num difractômetro de raio-x incidentes com = 0,1541nm. A difração pelos planos
{110} ocorreu para 2= 44,704o. Calcule o valor do parâmetro de rede do ferro CCC (considere a difração de 1a ordem, com n=1).
Solução:
d[110]
2= 44,704o = 22,352o
= 2.d[hkl] sen 
d[110]=  / 2 sen  = 0,1541nm / 2(sen 22,35o) = 0,2026 nm
ao(Fe)
d[110]= ao / (h2+k2+l2)0,5
ao(Fe)= d[110]= ao / (h2+k2+l2)0,5 = 0,2026nm (1,414) = 0,287 nm

IMPORTÂNCIA: Controlar as imperfeições possibilita obter materiais com diferentes propriedades para aplicações industriais.

ESTRUTURA CRISTALINA IDEAL: Rede sem defeitos, T= 0K, 1 atm pressão. Propriedades: EL, E, diagrama de
fases, equilíbrio termodinâmico.
ESTRUTURA CRISTALINA REAL: Todos os materiais apresentam imperfeições (defeitos) na
T=0K . da rede, quantizadas por fônons. Propriedades: k, a, C.
estrutura cristalina. Para T>0K, há vibrações
Classificação dos defeitos pelo alcance dimensional na estrutura cristalina: T>0K
i) defeitos pontuais: vacâncias, átomos intersticiais, átomos substitucionais, defeito Frenkel e Schottky. Propriedades:
difusão, processos de transporte condução iônica, reações de estado sólido, transformações de fase, evolução da microestrutura,
deformação em Televadas.
ii) defeitos lineares: discordâncias. Propriedades: mecânicas (deformação plástica), fragilidade, dureza.
iii) defeitos planares: superfícies interna e externa, interfaces (falhas de empilhamento, contorno de fases). Propriedades:
magnéticas e dielétricas.
iv) defeitos volumétricos: estruturas amorfas ou não-cristalinas.


Comparação dos defeitos pelo alcance dimensional na estrutura cristalina:

3.10.2 Defeitos pontuais
Podem ser classificados segundo:
- vacância
 FORMA - átomo intruso
- schottky
- frenkel
 ORIGEM DO DEFEITO - intrínseco

- extrínseco
- sub rede de cátions

 ESTEQUIOMETRIA não
estequiométrico
- sub rede de ânions

3.10.2.1 Quanto à forma
VACÂNCIAS (ou lacunas): é a falta de um átomo na rede cristalina. Pode resultar do empacotamento
imperfeito na solidificação inicial, ou devido a vibrações térmicas dos átomos em função da temperaturas.
nv: n° de vacâncias/cm3
Em função da temperatura: nv = n exp (-Q/RT) n: n° átomos por /cm3
Q: energia necessária para produzir a vacância (J/mol)
R: cte dos gases (8,31 J/molK)
T: temperatura em K
Exemplo: Calcule o n° de vacâncias por centímetro cúbico e o n° de vacâncias por átomo de cobre, quando o cobre está (a) à temperatura ambiente,
(b) a 1084°C. Aproximadamente 83600 J/mol são requeridos para produzir uma vacância no cobre. Dados: a0 = 3,6151 x 10-8 cm; Q = 83600 J/mol; R =
8,31J/mol K.
Cálculo de n (número de átomos de cobre por cm3): n = n° átomos/célula = 4 átomos/célula = 8,47 x 1022 átomos Cu/cm3
volume da célula (3,6151x10-8 cm)3
nv a 25°C: nv = n exp(-Q/RT) = 8,47x1022 átomos/cm3. exp[-83600J/mol / (8,31J/mol.K.(273+25) K)] = 1,847x108 vacâncias/cm3
nv/n a 25°C: nv/n = 1,847 x 108 vacâncias/cm3 / 8,47 x 1022 átomos de Cu/cm3 = nv/n = 2,18x10-15 vacâncias/átomo de Cu
nv a 1084°C: nv = n exp(-Q/RT) = 8,47x1022 átomos/cm3. exp[-83600J/mol / (8,31J/mol.K.(273+1084) K)] = 5,11x1019 vacâncias/cm3

nv/n a 1084°C: nv/n = 5,11 x 1019 vacâncias/cm3 / 8,47 x 1022 átomos de Cu/cm3 = nv/n = 6,03x10-4 vacâncias/átomo de Cu
Influência na densidade:
Exemplo: O ferro tem a densidade medida de 7,87 Mg/m3. O parâmetro de rede do FeCCC é 2,866 A. Calcule a percentagem de vacâncias no ferro puro.
Dados: a0 = 2,866 A; MFe = 55,85g/gmol.
Deveriam ser 2
 = n° átomos/célula x massa de cada átomo 7,87 Mg/m3 = n° átomos/célula x 55,85 g/gmol n° átomos/célula = 1,998 átomos no
volume da célula unitária x n° Avogadro (2,866 x 10-8 cm)3 x 6,02 x 1023 FeCCC!
% Vacâncias = (2 - 1,998) x 100 / 2 = 0,1%

DEFEITO INTERSTICIAL: Quando um átomo é abrigado por uma estrutura cristalina,
principalmente se esta tiver um baixo fator de empacotamento, distorcendo a rede.
DEFEITO SUBSTITUCIONAL: Quando um átomo é deslocado de sua posição original
(a) (b)
por outro, e conforme o tamanho, pode: (a) aproximar os átomos da rede; (b) separar
os átomos da rede. Consequência: distorção da rede.
Em compostos iônicos:
DEFEITO FRENKEL: um íon desloca-se de sua posição na rede (formando uma lacuna) para
uma posição intersticial.
DEFEITO SCHOTTKY: lacuna de um par de íons, mantendo o equilíbrio de cargas. FRENKEL SCHOTTKY
CARGA NA REDE
Notação Kröger-Vink para defeitos em cristais iônicos: M
i POSIÇÃO NA REDE
TIPO
1. A letra maiúscula indica o tipo de defeito pontual, isto é, um dos íons, dos quais a rede cristalina é formada, ou se é vacância ou impureza;
2. O subscrito indica a posição que o íon ou vacância ocupa na rede: 3 possibilidades: posição do cátion, do ânion ou intersticial;
3. O superescrito indica o excesso de carga: se positiva: pontos; se negativa: traços; se não há excesso de carga, pode-se indicá-lo por X.
Exemplos:
Exemplo: Supondo ao= 0,40185 do CsCl e a densidade medida de 4,285 Mg/m3, calcular o número de defeitos Schottky por célula
unitária. Dados: rCs+= 0,167 nm; MCs+=132,91 RCl- = 0,181 nm; MCl-= 35,45.
Solução: =m/V 4,285= m/V ao= 0,40185 nm

rCs+= 0,167 nm RCl- = 0,181 nm
rCs+/ RCl- = 0,92  NC=8 CS tipo CsCl
Massa cél. unit.= Cs+ + Cl-  X.(MCs+ MCl)/6,02.1023 íons

Volume da célula unitária = a03 = 0,0649 . 10-27m3
4,285 Mg/m3= X.27,97. 10-23 g/ 0,0649 . 10-27 m3
X= 0,9943 íons
no defeitos= (1-0,9943)/1 * 100 = 0,568%

3.10.2.2 Quanto à origem do defeito
INTRÍNSECO: Surge no material apenas pelo efeito da TEMPERATURA. Vacâncias, defeitos tipo
Schottky e tipo Frenkel Termodinamicamente  defeitos devem estar presentes em uma estrutura
cristalina  energia de formação G=H - TS (aumento do termo TS na energia livre). Balanço
entre variação de entalpia  aumenta com a criação do defeito e variação da entropia. Isso acarreta
na diminuição da energia livre na formação inicial do defeito. Normalmente, existem mais defeitos
presentes nos cristais do que corresponde à concentração de equilíbrio termodinâmico, porque
muitos cristais são preparados a altas temperaturas.
FRENKEL: consiste em um par de defeitos: uma vacância e um íon intersticial FORMAÇÃO DO DEFEITO FRENKEL
Defeito na rede do cátion: MM↔VM + Mi [Mi]= xi [VM]=xv xi.xv=xf =exp(-gf /kT)
2
Defeito na rede do ânion: OO↔VO + Oi x : concentração de defeitos Frenkel

F
Cálculo da concentração de defeito em função da T: gF: energia livre de formação defeito Frenkel
k: constante de Boltzmann
xf=exp(-gf /2kT)
T: temperatura
IMPORTANTE: com 1gF, 2 defeitos são formados
SCHOTTKY: consiste em vacâncias de ânions e cátions, em relação estequiométrica
Defeito na rede : nulo ↔ VM + VX FORMAÇÃO DO DEFEITO SCHOTTKY
Ex. para Al2O3: nulo ↔ 2VAl + 3VO
Cálculo da concentração de defeitos em Al2O3 em função da T.
Aplicando a lei de conservação de massa:
[VAl]2. [VO]3 = K(T) = exp (-gS/kT) xV,Al: concentração de defeitos Schottky
[VAl] = xV,Al [VO] = xV,O gS: energia livre de formação para defeito Schottky
xV,O = 3/2 xV,Al K’: constante de equilíbrio da reação, f(T) K’ = (8/27)1/5
x2V,Al . 27/8 x3V,Al = K(T) xV,Al = K’ exp (-gs/5kT) IMPORTANTE: com 1gS, 5 defeitos são formados. Para muitos cristais: gS < gF
CONSIDERAÇÕES:
- Íons deslocados das posições normais da rede são adicionados na superfície, nos contornos internos, ou nas discordâncias.
- Defeito Schottky causa aumento no volume do cristal.
- Contribuição anômala em a a Televadas devido à diminuição da densidade pelo defeito Schottky
EXTRÍNSECO: Defeitos que vêm de fora do cristal  não são gerados pela temperatura: (i) presença de impurezas; (ii) adições
intencionais (dopantes) com íons de carga igual (ISOVALENTE) ou desigual (ALIOVALENTE); (iii) mudança de valência e (iv)
mudança na pressão de oxigênio externa (não-estequiometria). A desordem extrínseca será compensada por mudanças na rede:
i) no número de lacunas ou de defeitos intersticiais intrínsecos e ii) na valência dos íons da matriz da rede.
Defeitos extrínsecos na estrutura devido à incorporação de íons: formação de soluções sólidas do tipo intersticial ou do tipo
substitucional.
Quando ISOVALENTE: são incorporados de forma simples, distorções elásticas devido à diferença
nos raios iônicos e aplica-se a regra de Hume-Rothery (tamanho dos íons, valência,
eletronegatividade e estrutura cristalina) para saber se a solução sólida é ilimitada (Ex.: MgO-NiO)
Quando ALIOVALENTE: Excesso de cargas introduzidas deve ser compensada por defeitos hospedeiros: VM, VX, Mi e Xi.
Causa grande concentração de defeitos na rede. O tipo de defeito induzido hospedeiro pode não ser predito, depende da
energia de formação. Lei de conservação de massa: defeito hospedeiro dominante. Exemplos:
OBSERVAÇÕES SOBRE A ORIGEM DE DEFEITOS INTRÍNSECOS E DEFEITOS EXTRÍNSECO:

1. A concentração de defeitos intrínsecos aumenta exponencialmente com a temperatura.
2. O cálculo da energia absoluta de formação e da concentração de defeitos pode não ser possível, pois o valor do
termo S é incerto.
3. A energia de formação dos tipos possíveis de defeitos intrínsecos pode ser diferente dependendo do tipo de
estrutura cristalina, raio iônico, polaribilidade; logo deve ser determinada experimentalmente.
4. Em halogênios alcalinos, hF é muito grande, e observa-se predominantemente defeitos Schottky.
5. Na estrutura tipo fluorita, hF é pequeno, logo observa-se frequentemente defeitos Frenkel.
6. Em óxidos, hSch é cerca de 2 a 3 vezes maior que em halogênios alcalinos, a concentração de defeitos é muito
pequena e só apresenta importância em altas temperaturas. Defeitos intrínsecos em óxidos são frequentemente
mascarados por defeitos extrínsecos. Ex: xSch,(Al2O3, PF) ≈ 10-7 = 0,1ppm
3.10.2.2 Quanto à estequiometria

3.10.3 Defeitos lineares
DISCORDÂNCIAS: associadas a cristalização e a deformação. A origem pode ser térmica, mecânica e supersaturação de
defeitos pontuais. Quantidade e movimento das discordâncias podem ser controlados pelo grau de deformação
(conformação mecânica) e/ou por tratamentos térmicos. As discordâncias podem ser: tipo CUNHA; HÉLICE (ou espiral) e
MISTA. As discordâncias geram um vetor de Burgers que fornece a magnitude e a direção de distorção da rede. Corresponde
à distância de deslocamento dos átomos ao redor da discordância.
O vetor de Burgers é perpendicular O vetor de Burgers é paralelo à direção

à discordância em cunha da linha de discordância
Exemplo: Supondo a estrutura CCC com ao= 0,4 nm, com uma discordância como na figura ao lado,
determine o comprimento e a direção do vetor de Burgers.
Comprimento: D(hkl)= ao/(h2+k2+l2)0,5 D(222)= 0,4/(22+22+22)0,5 = 0,115 nm
Direção:
3.10.4 Defeitos planares
SUPERFÍCIE EXTERNA: Mais evidente dos defeitos de superfície
devido a descontinuidade.  Coordenação atômica na superfície
não é comparável a dos átomos no interior do cristal.  Átomos
superficiais tem seus vizinhos em apenas um lado, logo possuem
mais energia e estão menos firmemente ligados aos átomos
externos.
CONTORNO DE GRÃO:  Microestrutura de metais e outros materiais sólidos consistem de muitos grãos.  Grão: porção de
material onde o arranjo cristalino é idêntico, variando sua orientação.  Contorno de grão: fronteira entre os grãos.
3.10.5 Defeitos volumétricos
 Algumas estruturas sem ordenamento a longo alcance são consideradas como defeitos volumétricos, como é o caso
do vidro e dos polímeros
Vidros
Polímeros
3-11 EXERCÍCIOS
1 Quais são os níveis de ordenação dos átomos em um sólido e como diferem entre si?
2 O que se entende por estrutura cristalina de um material?
3 O que é a célula unitária de uma rede cristalina.
4 Quantos e quais são os sistemas cristalinos? Como diferem entre si? Quais são suas características?
5 O que é parâmetro de rede da célula unitária?
6 Faça uma lista de metais com estrutura cristalina hexagonal, outra com metais CFC e CCC.
7 Quantos tipos de células unitárias são conhecidas. Que são redes de Bravais?
8 Qual o número de átomos (ou número de pontos de rede) das células unitárias do sistema cúbico para metais?
9 Determine as relações entre o raio atômico e o parâmetro de rede para o sistema cúbico em metais.
10 Número de coordenação: o que é e do que depende? Quais são os números de coordenação nas células
unitárias dos metais?
11 O que é fator de empacotamento em uma célula unitária? Calcule o fator de empacotamento para as células
cúbicas para metais.
12 Calcule a densidade do FeCFC e FeCCC.
13 Quantas células unitárias estão presentes em um centímetro cúbico do NiCFC?
14 O que é alotropia? O que é anisotropia?
15 O que é distância interplanar.
3-11 EXERCÍCIOS
16 Determine os índices de Miller para as direções das Figuras 1e 2. b) Determine os índices de Miller para os planos
das Figuras 3 e 4.
Figura 1 Figura 2 Figura 3 Figura 4
17 O lantânio tem uma estrutura CFC abaixo de 865°C com a=5,337 A, mas tem uma estrutura CCC com a=4,26 A
acima de 865°C. Calcule a troca de volume quando La passa por 865°C. La expande ou contrai se lhe fornece
energia a essa temperatura?
18 Calcule a densidade linear e o fator de empacotamento linear nos sistemas: a) CS para a direção [011] e b) CCC
para a direção [111], supondo ligações metálicas entre os átomos e que o parâmetro de rede seja 4 Å.
19 Para um metal hipotético com parâmetro de rede de 0,4 nm, calcule a densidade planar: A) de um plano (101) para
a célula CCC. B) do plano (020) de uma célula CFC.
3-11 EXERCÍCIOS
20 Para o cobre: qual é o espaçamento de repetição (vetor de Burgers) dos átomos na direção [211]?
21 Como podem apresentar-se os compostos cerâmicos de estrutura AX? Descreva-os.
22 Como podem apresentar-se os compostos cerâmicos de estrutura AmXp? Descreva-os.
23 Como podem apresentar-se os compostos cerâmicos de estrutura AmBnXp? Descreva-os.
24 Defina a constante de Madelung. Qual é seu significado físico?
25 Baseado na razão entre os raios e a necessidade de balanço de cargas da estrutura cúbica, qual o arranjo
atômico do CoO?
26 Baseado no raio iônico, determine o número de coordenação esperado para os seguintes compostos:
a)FeO b)CaO c)SiC d)PbS e)B2O3
27 Calcule a densidade do composto CdS.
28 Descreva a estrutura cristalina do Al2O3.
29 Descreva a estrutura cristalina tipo perovskita. Cite um exemplo.
30 Descreva a estrutura cristalina tipo espinélio. Cite um exemplo.
31 Descreva a estrutura cristalina “cúbica tipo diamante”. Cite exemplos de materiais que cristalizam nessa
estrutura.
32 Comente a cristalinidade de materiais poliméricos.
33 Descreva a estrutura não-cristalina dos vidros. O que são pontes-de-oxigênio e modificadores de redes?
34 Como pode-se obter informações sobre estrutura cristalina de materiais a partir da difração de raio-X?
35 Nos exercícios em que você calculou a densidade teórica de metais ou compostos, esta difere dos valores
que você obtém na prática analisando sólidos mesmo com porosidade nula. A que se deve a diferença? E qual
sua conseqüência?
3-11 EXERCÍCIOS
36 Que tipo de defeitos podem ocorrer num cristal. Quais são os defeitos pontuais? Descreva-os.
37°Classifique os defeitos pontuais quanto à forma, origem e estequiometria.
38 O que são defeitos: a) não-estequiométricos?
39 O que são defeitos extrínsecos e intrínsecos?
40 O que é íon aliovalente e íon isovaente?
41 Calcule o número de vacâncias por cm3 e o número de vacâncias por átomo de cobre (a) a temperatura
ambiente e (b) a 1084°C (justo acima do ponto de fusão. 83,6 kJ são necessários para produzir uma vacância
no cobre.)
42 Quais as consequências de um defeito tipo Frenkel na rede, por exemplo, do MgO?
43 Supondo o parâmetro de rede do CsCl de 4,0185 A e a densidade de 4,285 Mg/m3, calcular o número de
defeitos Schottky por célula unitária.
44 O que é a notação de Kröger-Vink. Utilize esta notação para representar: a) vacância de um cátion Mg+2 em
MgO; b) vacância de um cátion Cs+ em NaCl; c) vacância de um ânion O-2 em NiO; d) Al substituindo íon Ni
em NiO; e) Mg substituindo Ni em NiO; f) Mg+2 substituindo Na em NaCl; g) Mg intersticial em MgO e O em um
interstício de Al2O3.
45 O que são discordâncias e como podem ocorrer?
46 Qual o significado do vetor de Burgers? Qual a relação entre a discordância e a direção do vetor de
Burgers para cada tipo de discordância?
47 Defina grão. O que é contorno de grão. Que tipo defeito é considerado um contorno de grão?
48°Como pode a superfície de um cristal ser considerado um defeito da estrutura cristalina?
49 O que são defeitos volumétricos?
50 Cite algumas propriedades influenciadas diretamente pela presença de defeitos.

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Capítulo 3 -

Prof. C.P. Bergmann – PPGE3M - EE – UFRGS

Prof. C.P. Bergmann – PPGE3M - EE – UFRGS

– DIVISÃO DA ESTRUTURA NOS MATERIAIS

O que se pode fazer para

Grande parte da diferença das propriedades dos materiais é de interesse tecnológico,

3-2 ORDENAÇÃO DE ÁTOMOS

Ordem a longo alcance Ordem a curto alcance Sem ordenamento

Metais, muitas cerâmicos e alguns polímeros.  Alotropia ou transformações polimórficas

-Geralmente as transformações polimórficas são acompanhadas de

3-2 ORDENAÇÃO DE ÁTOMOS

3-3 CÉLULA UNITÁRIA

n° pontos da rede = 8*(vértices) * 1 + 1 centro = 2 átomos

n° pontos da rede = 8*(vértices) * 1 + 6 * 1 centro face = 4 átomos

3-3 CÉLULA UNITÁRIA

ao = r + r (diagonal cubo)2 = (4 r)2 = ao2 + ao2 + ao2

ao = 4 x 1,24 A = 2,86 A ao = 4 x 1,24 A = 3,51 A

3-3 CÉLULA UNITÁRIA

3-3 CÉLULA UNITÁRIA

3-3 CÉLULA UNITÁRIA

 = massa da célula unitária = (n° átomos / célula)*(massa atômica de cada átomo)

FeCFC = massa célula unitária = (4 átomos) * 55,85 g/g.mol = 8,013 Mg/m3

Mudança de volume = Vf - Vi * 100 = 46,31 - 47,08 * 100 = -1,64%

3-4 DIREÇÕES E PLANOS NO CRISTAL

2. Definir o ponto alvo e origem, fazendo-se: ALVO-ORIGEM 2x ½ , 1 , 1 = 1, 2, -2

3-4 DIREÇÕES E PLANOS NO CRISTAL

3-4 DIREÇÕES E PLANOS NO CRISTAL

- Planos e seus múltiplos não são idênticos (densidade planar diferente).

3-4 DIREÇÕES E PLANOS NO CRISTAL

3-4 DIREÇÕES E PLANOS NO CRISTAL

d (1, 1, 0) = 0,408 nm / (12 + 12 + 02)1/2 = 0,288 nm

3-4 DIREÇÕES E PLANOS NO CRISTAL

Exemplo: Determine os índices de Miller para os planos A e B e para as direções C e D.

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

REDE TRIDIMENSIONAL: Energia de ligação de um íon na rede, EG é: E G   E ik com i, k = 1...N

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

ZnS Wurtzita 1,641

Verificação experimental da energia de ligação calculada

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

Interstícios cúbico, octaedral e tetraedral

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

Estrutura hexagonal com

CsCl NaCl ZnS NiAs

Estruturas do tipo AnBmXP  Óxido duplo com dois cátions

 Estrutura mais complexa devido a presença de mais um

3-6 CRISTAIS IÔNICOS

3-7 CRISTAIS COVALENTES

Os átomos se tocam pela

Exemplo: Calcule a densidade do Diamante.

 Sob condições especiais: estrutura cristalina.

3-9 DIFRAÇÃO DE RAIOS X

3-9 DIFRAÇÃO DE RAIOS X

3-10 IMPERFEIÇÕES NO ARRANJO CRISTALINO

3-10 IMPERFEIÇÕES NO ARRANJO CRISTALINO

iv) defeitos volumétricos: estruturas amorfas ou não-cristalinas.

3-10 IMPERFEIÇÕES NO ARRANJO CRISTALINO

3-10 IMPERFEIÇÕES NO ARRANJO CRISTALINO

 ORIGEM DO DEFEITO - intrínseco

- sub rede de cátions

3-10 IMPERFEIÇÕES NO ARRANJO CRISTALINO

n° pontos da rede = 8(vértices) 1 + 1 centro = 2 átomos

n° pontos da rede = 8(vértices) 1 + 6 * 1 centro face = 4 átomos