Unidade 17

Propriedades Elétricas
dos Materiais

In memoriam
Profa. Dra. Ivette Frida Cymbaum Oppenheim

PMT 3100 - Fundamentos de Ciência e Engenharia dos Materiais

1º semestre de 2020
• Nesta aula trataremos somente de aspectos
relacionados com a CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
dos materiais...

Introdução:
Conceitos Básicos
 3
FUNDAMENTOS
• O comportamento dos materiais, em resposta à aplicação de um CAMPO
ELÉTRICO externo (E), caracteriza suas PROPRIEDADES ELÉTRICAS.

- CAMPO ELÉTRICO (Força por Unidade de Carga) = TENSÃO ELÉTRICA por

unidade de comprimento = DIFERENÇA DE POTENCIAL (ddp) por unidade de
comprimento = GRADIENTE DE POTENCIAL = “VOLTAGEM” por unidade de
comprimento.

- Unidades SI para o CAMPO ELÉTRICO:

[Newton].[Coulomb]-1 =

[Joule].[Coulomb]-1.[Metro]-1

= [Volt].[Metro]-1

• As propriedades elétricas são função de diversas características dos materiais,

dentre as quais mencionamos: a configuração eletrônica, o tipo de ligação
química e os tipos de macroestrutura, microestrutura e nanoestrutura que
compõem o material.
 Conceito de Campo Elétrico

Fonte: The Feynman Lectures on Physics, vol. I, cap. 12-4 Fundamental Forces. Fields.
https://www.feynmanlectures.caltech.edu/I_12.html
 5
FUNDAMENTOS
• Uma manifestação elétrica fundamental dos materiais, de grande interesse
tecnológico, é avaliada a partir da denominada DENSIDADE DE CORRENTE
ELÉTRICA (J).
• A densidade de corrente elétrica J resulta de um processo de movimentação
de portadores de carga elétrica (condução elétrica) que ocorre no interior de
certos materiais, quando sob a ação de um campo elétrico externo E.
• A função J = f(E) é característica do material, sendo sua magnitude
equivalente à quantidade de carga que atravessa uma unidade de área do
material por unidade de tempo (FLUXO DE CARGA).

- Unidades SI para a DENSIDADE DE CORRENTE ELÉTRICA:

- [Coulomb].[Segundo]-1.[Metro]-2 = [Ampere].[Metro]-2

• Podem ser portadores de carga: elétrons, buracos eletrônicos, cátions e

ânions.
 FUNDAMENTOS 6

• Para um dado material, a magnitude de J em função de E depende de uma

grandeza denominada CONDUTIVIDADE ELÉTRICA (s).
• A condutividade elétrica s caracteriza a eficácia do processo de condução, ou
seja, a quantidade e a facilidade com que os portadores de carga se
movimentam no interior do material considerado.
• A magnitude de s corresponde à quantidade de carga que atravessa uma
área unitária do material por unidade de tempo e por unidade de campo
elétrico.
- Unidades SI para a CONDUTIVIDADE ELÉTRICA:
[Coulomb].[Segundo]-1.[Volt]-1.[Metro]-1 = [Ampere].[Volt]-1.[Metro]-1 = [Ohm]-1.[Metro]-1

• A eficácia do processo de condução também é frequentemente avaliada por

meio da grandeza denominada RESISTIVIDADE ELÉTRICA (r).
• A resistividade r avalia a dificuldade com que os portadores de carga se
movimentam no interior do material considerado. Para materiais isotrópicos,
s=1/r.
- Unidades SI para a RESISTIVIDADE ELÉTRICA: [Ohm].[Metro]
 7

FUNDAMENTOS

• Pode-se correlacionar as grandezas J, s e E para uma gama bastante

abrangente de materiais sólidos, por meio da regra empírica denominada LEI
DE OHM.

• Para o caso de materiais isotrópicos sujeitos a campos elétricos constantes,

não é necessário considerar o caráter vetorial dessa lei, e para cada ponto do
material vale a relação :

J=s.E

A expressão acima representa a chamada versão microscópica da Lei de

Ohm.

Vídeo interessante sobre o conceito

de resistência elétrica
 8
• A versão macroscópica da LEI DE OHM é representada pela equação
V=R.I
onde I corresponde à CORRENTE ELÉTRICA que atravessa um dado corpo de
RESISTÊNCIA R, quando sob a ação de uma tensão elétrica V.

- Unidades SI:
corrente elétrica:[Coulomb].[Segundo]-1 = [Ampere]
resistência: [Volt].[Ampere]-1 = [Ohm]
tensão elétrica: [Joule].[Coulomb]-1 = [Volt]

Lei de Ohm (Khan Academy)

 9
• Para um corpo cilíndrico homogêneo com seção transversal de área A e comprimento L, a
RESISTÊNCIA ( R ) do corpo se correlaciona com a RESISTIVIDADE ELÉTRICA ( r ) do material
por meio da relação :

𝐿
𝑅=𝜌
𝐴

• +info*: EXERCÍCIO (TENTE ...A RESOLUÇÃO ESTÁ NA LISTA DE EXERCÍCIOS NO E-DISCIPLINAS USP...)
Uma tensão elétrica constante V é aplicada sobre um corpo cilíndrico homogêneo com seção
transversal de área A, comprimento L e resistência R. Supondo que o corpo obedece à Lei de Ohm,
mostre que as versões macroscópica e microscópica dessa lei são equivalentes.
• Tópicos precedidos pelo logo “+info” são complementares e não serão cobrados em testes ou provas...

✓ A simulação gráfica interativa “Circuito Bateria-Resistor” que pode ser acessada em

<https://phet.colorado.edu/en/simulation/battery-resistor-circuit>, permite estudar o comportamento de um circuito formado por um
resistor e uma bateria. Pode-se variar a resistência do resistor e a tensão elétrica gerada pela bateria e observar a corrente que flui
no circuito e a temperatura do resistor.
Condutividade e Resistividade
(Aula Khan Academy)
 10
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
Os materiais sólidos podem ser classificados de acordo com a magnitude de sua
condutividade elétrica, em três grupos principais: CONDUTORES, SEMICONDUTORES
e ISOLANTES.

Condutividade elétrica s de diversos materiais, à temperatura

ambiente, expressa em (W.m)-1.

poliestireno concreto grafite

polietileno (seco)
SiO2 Fe
NaCl mica Mn
porcelana
Si dopado
madeira Ag
seca borracha vidro Ge Cu
quartzo GaAs Si

10-18 10-16 10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102 104 106 108
ISOLANTES SEMICONDUTORES CONDUTORES
 11
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
• +info O MODELO DOS ELÉTRONS LIVRES dos metais supõe que o
material é composto por uma espécie de gás de elétrons que se
movimentam num retículo cristalino formado por íons pesados.
• Esse modelo prevê corretamente a forma funcional da lei de Ohm, no
entanto, ele prevê incorretamente a magnitude da condutividade elétrica
dos metais.

Por exemplo, para o cobre temos:

s calculado = 5,3 x 106 (W.m)-1 e s experimental = 59 x 106 (W.m)-1.

• +info Para uma compreensão aprofundada das propriedades elétricas

dos materiais necessitamos considerar o caráter ondulatório dos elétrons e
fazer uso de conceitos da mecânica quântica, mas isto está além do
escopo desta disciplina.

• Nesta Unidade estudaremos a condutividade elétrica dos materiais,

utilizando de forma simplificada alguns conceitos provindos da mecânica
quântica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE
ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS.
 Bandas de Energia
Eletrônica nos Sólidos
 13

...buscando na memória... ESTADOS DE ENERGIA ELETRÔNICOS

(...o conteúdo desses slides com fundo azul não será “cobrado” em testes ou provas, mas é importante
para o entendimento do conceito de bandas de energia...)

Números Quânticos
 14
Números Quânticos
 15

Números Quânticos

Referência: W.D. Callister e D.G. Rethwisch em “Materials Science and Engineering: An Introduction”, Wiley 8th ed, 2010, capítulo 2.
Confronto entre os níveis de energia de elétrons segundo os modelos de Bohr e o 16

mecânico-ondulatório (“wave-mechanical”)

Modelo
Modelo Mecânico-
de Bohr Ondulatório
 17

Números
Quânticos
e
Níveis
de
Energia
 18
Configuração Eletrônica
 19

Configuração
Eletrônica

Configuração eletrônica
1s22s22p63s1
 20

Representação dos estados de energia ocupados e não

ocupados para um átomo de sódio ( 23
11𝑁𝑎).

K (n=1)

Energia crescente
L (n=2)

M (n=3)

elétron n l m ms
3s1 11 3 0 0 +1/2 ou -1/2
10 2 1 +1 -1/2
2p6 9 2 1 +1 +1/2

Elétron de valência 8 2 1 0 -1/2

7 2 1 0 +1/2
6 2 1 -1 -1/2
Configuração
5 2 1 -1 +1/2 Eletrônica
2s2 4 2 0 0 -1/2
3 2 0 0 +1/2
1s2 2 1 0 0 -1/2
1 1 0 0 +1/2
 21

BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS

• Uma abordagem aprofundada desse tópico envolve conceitos de mecânica quântica que estão
além do escopo deste curso – o desenvolvimento apresentado trata o tema de forma
simplificada...

• Considere um conjunto de N átomos.

• A distâncias de separação relativamente grandes, cada átomo é independente
de todos os demais, e tem os níveis de energia atômica e a configuração
eletrônica de um átomo isolado.
• Contudo, à medida que os átomos se aproximam uns dos outros, os elétrons
"sentem" a ação dos elétrons e dos núcleos dos átomos adjacentes.
• Como consequência, estados eletrônicos equivalentes nos átomos isolados
dão origem a um grupo de estados eletrônicos com energias distribuídas em
torno do valor da energia correspondente à do estado do átomo isolado. A
esse grupo de estados denominamos BANDA DE ENERGIA ELETRÔNICA.

Bandas de energia em sólidos

Khan Academy India
 22
BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS
• Dentro de cada banda, os estados de energia são discretos, embora a diferença
de energia entre estados adjacentes seja muito pequena.

• Com a diminuição da distância entre os átomos, a formação das bandas se inicia

pelas camadas eletrônicas mais externas, uma vez que elas são as primeiras a
serem perturbadas no processo de coalescência dos átomos.
• A diferença em energia entre estados eletrônicos adjacentes em uma dada banda
depende da separação interatômica no sólido.
Fonte da imagem: https://en.wikipedia.org/wiki/Electronic_band_structure
 23
BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS
Gráfico esquemático da energia eletrônica em função da separação interatômica para um agregado de 12
átomos (N = 12). Com a aproximação dos átomos, cada um dos estados eletrônicos 2s e 1s varia
ligeiramente sua energia para assim formar as bandas de energia eletrônica 2s e 1s, respectivamente. Cada
banda consiste de 12 estados e cada estado é capaz de acomodar dois elétrons que devem possuir spins com
sentidos opostos.

Banda de energia Estado eletrônico 2s

eletrônica 2s
(12 estados)
Energia

Estados energéticos individuais permitidos

Estado eletrônico 1s
Banda de energia
eletrônica 1s
(12 estados)

Separação interatômica

Referência: W.D. Callister e D.G. Rethwisch em “Materials Science and Engineering: An Introduction”, Wiley 8th ed, 2010, pág. 723.
 24
BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS
Bandas de energia eletrônica para um material sólido formado por N átomos

Energia eletrônica em função da separação interatômica

para um conjunto de N átomos, ilustrando como a
Representação convencional da estrutura estrutura da banda de energia eletrônica na separação
da banda de energia eletrônica para um interatômica de equilíbrio é gerada.
material sólido na separação interatômica
de equilíbrio. 2p (3N estados)
✓ Representação convencional
da estrutura da banda de
Banda de energia
energia eletrônica para um
material sólido na separação
Gap de energia
Energia

Banda de energia
interatômica de equilíbrio.

Energia
2s (N estados)

1s (N estados)

Separação
Separação interatômica
Interatômica
de equilíbrio

Referência: W.D. Callister e D.G. Rethwisch em “Materials Science and Engineering: An Introduction”, Wiley 8th ed, 2010, pág. 724.
 BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS 25

Estruturas de bandas de energia possíveis para sólidos a 0 K.

(a) (b) (c) Banda de
Banda condução (d)
vazia Banda vazia Banda de
vazia condução
vazia
Ef Gap de energia
Gap de energia
Gap de energia
Estados vazios
Banda Banda de
Ef preenchida
Estados valência Banda de
preenchidos preenchida valência
preenchida

(a) Bandas de energia de METAIS, tais como o cobre (Z = 29, … 3d10 4s1), onde se encontram
disponíveis, na mesma banda de energia, estados eletrônicos não preenchidos acima e
adjacentes aos estados eletrônicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS, tais como o magnésio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2), onde ocorre a
superposição das bandas de energia mais externas, a preenchida e a não-preenchida.
(c) Bandas de energia de ISOLANTES: a BANDA DE VALÊNCIA (banda de energia preenchida) é
separada da BANDA DE CONDUÇÃO (banda de energia não-preenchida) por uma barreira de
energia denominada GAP DE ENERGIA (ou BANDA DE ENERGIA PROIBIDA, ou POÇO DE
POTENCIAL ou BARREIRA DE POTENCIAL) de largura relativamente grande (> 2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia é semelhante à dos
isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
 BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS 26

Estruturas de bandas de energia possíveis para sólidos a 0 K.

(a) (b) (c) Banda de
Banda condução (d)
vazia Banda vazia Banda de
vazia condução
vazia
Ef Gap de energia
Gap de energia
Gap de energia
Estados vazios
Banda Banda de
Ef preenchida
Estados valência Banda de
preenchidos preenchida valência
preenchida

(a) Bandas de energia de METAIS, tais como o cobre (Z = 29, … 3d10 4s1), onde se encontram
disponíveis, na mesma banda de energia, estados eletrônicos não preenchidos acima e
adjacentes aos estados eletrônicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS, tais como o magnésio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2), onde ocorre a
superposição das bandas de energia mais externas, a preenchida e a não-preenchida.
(c) Bandas de energia de ISOLANTES: a BANDA DE VALÊNCIA (banda de energia preenchida) é
separada da BANDA DE CONDUÇÃO (banda de energia não-preenchida) por uma barreira de
energia denominada GAP DE ENERGIA (ou BANDA DE ENERGIA PROIBIDA, ou POÇO DE
POTENCIAL ou BARREIRA DE POTENCIAL) de largura relativamente grande (> 2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia é semelhante à dos
isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
 BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS 27

Estruturas de bandas de energia possíveis para sólidos a 0 K.

(a) (b) (c) Banda de
Banda condução (d)
vazia Banda vazia Banda de
vazia condução
vazia
Ef Gap de energia
Gap de energia
Gap de energia
Estados vazios
Banda Banda de
Ef preenchida
Estados valência Banda de
preenchidos preenchida valência
preenchida

(a) Bandas de energia de METAIS, tais como o cobre (Z = 29, … 3d10 4s1), onde se encontram
disponíveis, na mesma banda de energia, estados eletrônicos não preenchidos acima e
adjacentes aos estados eletrônicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS, tais como o magnésio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2), onde ocorre a
superposição das bandas de energia mais externas, a preenchida e a não-preenchida.
(c) Bandas de energia de ISOLANTES: a BANDA DE VALÊNCIA (banda de energia preenchida) é
separada da BANDA DE CONDUÇÃO (banda de energia não-preenchida) por uma barreira de
energia denominada GAP DE ENERGIA (ou BANDA DE ENERGIA PROIBIDA, ou POÇO DE
POTENCIAL ou BARREIRA DE POTENCIAL) de largura relativamente grande (> 2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia é semelhante à dos
isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
 BANDAS DE ENERGIA ELETRÔNICA NOS SÓLIDOS 28

Estruturas de bandas de energia possíveis para sólidos a 0 K.

(a) (b) (c) Banda de
Banda condução (d)
vazia Banda vazia Banda de
vazia condução
vazia
Ef Gap de energia
Gap de energia
Gap de energia
Estados vazios
Banda Banda de
Ef preenchida
Estados valência Banda de
preenchidos preenchida valência
preenchida

(a) Bandas de energia de METAIS, tais como o cobre (Z = 29, … 3d10 4s1), onde se encontram
disponíveis, na mesma banda de energia, estados eletrônicos não preenchidos acima e
adjacentes aos estados eletrônicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS, tais como o magnésio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2), onde ocorre a
superposição das bandas de energia mais externas, a preenchida e a não-preenchida.
(c) Bandas de energia de ISOLANTES: a BANDA DE VALÊNCIA (banda de energia preenchida) é
separada da BANDA DE CONDUÇÃO (banda de energia não-preenchida) por uma barreira de
energia denominada GAP DE ENERGIA (ou BANDA DE ENERGIA PROIBIDA, ou POÇO DE
POTENCIAL ou BARREIRA DE POTENCIAL) de largura relativamente grande (> 2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia é semelhante à dos
isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
Condutividade Elétrica
Metais
 30
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
• A ENERGIA DE FERMI (Ef) é uma consequência do caráter estatístico do
comportamento dos elétrons e do Princípio de Exclusão de Pauli.

• Para metais a T = 0 K, Ef corresponde à energia máxima dos estados eletrônicos

ocupados. Para semicondutores e isolantes Ef tem um valor situado na faixa de
energias correspondente ao gap de energia.

• Num metal sujeito à ação de um campo elétrico, somente elétrons com

energias maiores que Ef podem participar do processo de condução →
esses elétrons são chamados de ELÉTRONS LIVRES.

• Em semicondutores e isolantes, a energia de Fermi se localiza

aproximadamente no meio do “gap” de energia. Os BURACOS
ELETRÔNICOS têm energia menor que Ef, mas podem participar do
processo de condução quando os materiais estão sob a ação de campos
elétricos externos.

• O processo de condução elétrica se origina fisicamente na mobilidade

dos PORTADORES DE CARGA através do material.
 MOBILIDADE DOS PORTADORES DE CARGA
• Em metais, quando um campo elétrico é aplicado, uma força atua sobre os elétrons livres → todos
eles experimentam uma aceleração em uma direção oposta à do campo elétrico, por causa de sua carga
negativa → uma corrente elétrica que aumentaria continuamente ao longo do tempo deveria ser criada.

• No entanto, o que é observado? → A CORRENTE ELÉTRICA ATINGE UM VALOR CONSTANTE → algo

se contrapõe à aceleração do campo elétrico (algum tipo de “forças de atrito”...)

• Essas “forças de atrito” resultam do ESPALHAMENTO DOS ELÉTRONS PELAS IMPERFEIÇÕES DO

RETICULADOS CRISTALINO:
– Defeitos Pontuais (lacunas; impurezas substitucionais e intersticiais);
– Discordâncias;
– Contornos de grão; ....

• ...e mesmo de VIBRAÇÕES TÉRMICAS DO RETICULADO CRISTALINO.

• Cada evento de espalhamento faz com que o elétron perca energia cinética e mude de direção de
seu movimento.

• Diversos parâmetros são usados para descrever a extensão desse espalhamento:

– Velocidade de arraste (Va)
– Mobilidade do elétron (me)
 MOBILIDADE DOS PORTADORES DE CARGA
• A constante de proporcionalidade me é chamada de mobilidade eletrônica ,
onde e é o campo elétrico aplicado.

velocidade de arraste

mobilidade
eletrônica campo
elétrico

𝑉𝑎 = 𝜇𝑒 ∙ 𝜀
unidade de me → [m2/V.s]
 33
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA - METAIS
• Em metais, um elétron torna-se livre quando passa a ocupar um estado de energia disponível
acima de Ef; nota-se que é pequena a energia necessária para tal mudança.
• A condutividade elétrica dos metais pode ser representada pela equação,

OCUPAÇÃO DOS ESTADOS ELETRÔNICOS s = n |e| me

Antes da Após a
excitação eletrônica excitação eletrônica n = número de
portadores de
carga (elétrons)
por unidade de
Estados
vazios volume

Energia
|e| = magnitude da
Ef Ef carga dos
portadores
Estados (1,602x10-19 C)
Excitação
preenchidos do elétron
me = mobilidade
dos portadores de
carga

✓ “Technische Fakultät der Christian-Albrechts-Universität zu Kiel” - aborda diversos tópicos relacionados às propriedades de
materiais condutores. Veja em particular o item 2.1.1 que explica o conceito de condutividade elétrica.
<http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_2/backbone/r2.html>
 34
CONDUTIVIDADE e RESISTIVIDADE – Efeito da Temperatura
A condutividade elétrica s dos metais condutores diminui à medida que a sua temperatura
aumenta. Lembre que s = 1 / r → resistividade r aumenta com aumento da temperatura !
• Porque a condutividade cai com a
temperatura?

• Com o aumento da temperatura, o

número de portadores n aumenta, mas
a mobilidade me diminui
proporcionalmente mais.

• Assim:
T↗ → r↗ e s↘

Ref.: Callister, W.D.; Rethwisch, D.G. Materials Science and Engineering: An Introduction. Wiley 8th ed. 2010. págs. 728 e 729.
 35
CONDUTIVIDADE e RESISTIVIDADE
Efeito de Impurezas e Defeitos

REGRA DE MATTHIESSEN
rtotal = rt + ri + rd
rt … contribuição térmica
ri … contribuição de impurezas
rd … contribuição de deformações

Ref.: Callister, W.D.; Rethwisch, D.G. Materials Science and Engineering: An Introduction. Wiley 8th ed. 2010. págs. 728 e 729.
 36
RESISTIVIDADE
Efeito do Tipo de Impureza

Ref.: Shackelford, J.F. Introduction to Materials Science for Engineers. Pearson 8th ed. 2015. pág. 443.
 Condutividade Elétrica
Isolantes e Semicondutores
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES
• No caso de isolantes e semicondutores, um elétron torna-se livre quando salta da
banda de valência para a banda de condução, atravessando o gap de energia. A
energia de excitação necessária para tal mudança é aproximadamente igual à da
largura do gap de energia.

• A diferença entre
semicondutores e OCUPAÇÃO DOS ESTADOS ELETRÔNICOS
isolantes está na Antes da Após a
largura do gap de excitação eletrônica excitação eletrônica
energia. Comparada

condução
Banda de
com a largura da Elétron
dos isolantes, a dos livre
semicondutores é
bastante pequena.

energia
Gap de
• Quando o elétron EG Excitação
Energia

do elétron
salta da banda de
valência para a

Banda de
banda de condução,

valência
são gerados tanto Buraco na
banda de
um elétron livre valência
quanto um buraco
eletrônico. 38
 39
Buracos Eletrônicos (“HOLES”)

• Quando um campo elétrico é aplicado a um metal, elétrons (portadores carregados

negativamente) são acelerados, e uma corrente elétrica resulta do movimento eletrônico.
• Num semicondutor, a carga não é transmitida apenas por elétrons → buracos eletrônicos
(“holes”) carregados positivamente também são portadores de carga.
• Buracos eletrônicos podem ser vistos como “lacunas” em bandas eletrônicas que estariam
preenchidas (e essas “lacunas” seriam criadas por movimentação de elétrons a outros níveis
de energia), ou então como “partículas com carga positiva”.
• É importante ressaltar que a analogia de buracos eletrônicos com lacunas é apenas isso, uma
analogia → os buracos eletrônicos efetivamente não são vazios não ocupados localizados no
espaço, e sim níveis de energia disponíveis.
 Semicondutores
Intrínsecos e Extrínsecos
 41

MATERIAIS SEMICONDUTORES
•SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS são aqueles cujo
comportamento elétrico depende basicamente da estrutura
eletrônica de bandas do material puro.

• Sua condutividade elétrica geralmente é pequena e varia muito com a

temperatura.

•SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS são aqueles cujo

comportamento elétrico depende fortemente do tipo e da
concentração de átomos de impurezas presentes no
semicondutor hospedeiro.

• A adição de impurezas para a moldagem do comportamento elétrico dos

semicondutores é chamada de DOPAGEM.
 SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS 42

Modelo de ligação eletrônica para a condução elétrica no Silício intrínseco

Campo E
(a) (b)
Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si Si

(a) Antes da excitaçãoelétron

eletrônica.
de valência Campo elétrico
Campo E
externo E = 0. elétron livre (c)
buraco
(b) A aplicação de um campo elétrico fornece a Si Si Si Si
energia necessária para a promoção de um elétron
da banda de valência para a banda de condução.
Como consequência, um buraco eletrônico é gerado Si Si Si Si
na banda de valência.
(c) O elétron promovido para a banda de condução e
Si Si Si Si
o buraco gerado na banda de valência movimentam-
se em sentidos opostos, ambos contribuindo para a
condutividade do material.
 43
SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS
• A condutividade elétrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela
equação

s = n |e| me + p |e| mb

onde: n = número de elétrons livres por unidade de volume;

p = número de buracos eletrônicos por unidade de volume;
|e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10-19 C);
me = mobilidade dos elétrons livres;
mb = mobilidade dos buracos eletrônicos.

• Para semicondutores intrínsecos, n = p. Portanto,

s = n |e| (me + mb)

• Note que, para um dado material, sob condições físicas específicas: me > mb.

• A condutividade elétrica dos semicondutores intrínsecos aumenta à medida que a

temperatura aumenta.
 44
SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS
• A maioria dos semicondutores comerciais elementais são extrínsecos → o
exemplo mais importante é o do Si, mas também estão nesta categoria o Ge e o
Sn.

• É a possibilidade de adicionar, nas quantidades desejadas, impurezas diversas ao

material hospedeiro (“dopantes”), que permite a fabricação de uma variedade de
dispositivos eletrônicos a partir do mesmo material semicondutor hospedeiro.

• Os semicondutores extrínsecos têm condutividade que varia pouco com a

temperatura e cujo valor é, principalmente, controlado pela concentração e pelo
tipo de impurezas (na faixa de temperaturas onde o comportamento extrínseco é
predominante) .

• As concentrações tipicamente utilizadas variam de 1014 átomos / cm3 (1 parte em

108, considerando 1022 átomos por cm3) a 1020 átomos / cm3 (1 parte em 102, que
é bastante alta).

• Semicondutores intrínsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vêm adquirindo

crescente importância para a indústria eletrônica nos últimos anos.
 SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO n 45

• Modelo de ligação eletrônica para a semicondução extrínseca do tipo n.

Exemplo: a dopagem do Si (valência 4) com P (valência 5) gera elétrons livres; uma impureza
desse tipo é chamada de DOADORA .
Campo E Campo E
(a) (b) (c)
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si

Si P Si Si Si P Si Si Si P Si Si

Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si

(a) O átomo da impureza P substitui um átomo hospedeiro de Si na rede cristalina, resultando na

geração de um elétron extra ligado ao átomo de impureza.
(b) Promoção do elétron extra para a banda de valência como conseqüência da aplicação de um
campo elétrico externo, originando, assim, um elétron livre.
(c) Movimento do elétron livre em resposta ao campo elétrico externo.
• Para semicondutores do tipo n, os elétrons livres são os principais portadores de corrente, porque
n >> p e, portanto,

𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇 𝑒 + 𝑝 𝑒 𝜇𝑏 → 𝜎 ≈ 𝑛 𝑒 𝜇 𝑒
 46
SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO n

• Esquema da banda de energia • Excitação do eletron do estado

eletrônica com um NÍVEL DE IMPURE- doador para a banda de condução,
ZA DOADORA localizado dentro do transformando-o num elétron livre.
gap de energia, imediatamente
abaixo da parte inferior da banda
de condução.

condução
Banda de
condução
Banda de

Elétron livre
na banda de
Estado condução
doador

energia
Gap de
energia
Gap de

Energia
Energia

Banda de
Banda de

valência
valência
 47
SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO p
• Modelo de ligação eletrônica para a semicondução extrínseca do tipo p.
Exemplo: a dopagem do Si (valência 4) com B (valência 3) gera buracos eletrônicos; uma
impureza desse tipo é chamada de RECEPTORA .
Campo E
(b)
(a)
Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si B Si Si Si B Si

Si Si Si Si Si Si Si Si

(a) O átomo da impureza B substitui um átomo hospedeiro de Si na rede cristalina, causando a

deficiência de um elétron de valência ou, equivalentemente, gerando um buraco eletrônico na banda
de valência.
(b) Movimento do buraco eletrônico em resposta a um campo elétrico externo.
• Para semicondutores tipo p, os buracos eletrônicos são os principais portadores de corrente, porque
p >> n e, portanto,

𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇𝑒 + 𝑝 𝑒 𝜇𝑏 → 𝜎 ≈ 𝑝 𝑒 𝜇𝑏
 48
SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS DO TIPO p

• Esquema da banda de energia • Excitação de um elétron da banda

eletrônica com um NÍVEL DE
IMPUREZA RECEPTORA localizado
dentro do gap de energia,
imediatamente acima da parte
superior da banda de valência.
de valência para o nível receptor,
deixando para trás um buraco na
banda de valência que contribui
para a condução elétrica.

condução
Banda de
condução
Banda de

energia
Gap de
energia
Gap de

Energia
Energia

Estado
receptor Buraco na
banda de

Banda de
valência
Banda de

valência
valência
 Semicondutores tipo n
Efeito da Temperatura

Ref.: Shackelford, J.F. Introduction to Materials Science for Engineers. Pearson 8th ed. 2015. págs. 467 e 469.
 Semicondutores tipo p
Efeito da Temperatura

Ref.: Shackelford, J.F. Introduction to Materials Science for Engineers. Pearson 8th ed. 2015. págs. 470-471.
 DIODO
Junção p-n
 DIODO
Junção p-n

Como funcionam transistores e diodos

Ref.: Callister, W.D.; Rethwisch, D.G. Materials Science and Engineering: An Introduction. Wiley 8th ed. 2010. págs. 728 e 729.
 DIODO – Junção p-n

https://www.youtube.com/watch?v=7ukDKVHnac4
 54

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
(ou DISPOSITIVOS DE ESTADO SÓLIDO)

•MATERIAIS SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS são fundamentais para a operação de

dispositivos eletrônicos de estado sólido, que são de grande importância para a tecnologia já
há várias décadas. Os microprocessadores modernos, por exemplo, não poderiam existir
sem os materiais semicondutores extrínsecos.

• Exemplos de alguns dispositivos básicos:

- Diodo de junção bipolar (p-n) → veja uma breve explicação do funcionamento da junção p-n em
<https://www.youtube.com/watch?v=bYJTsx0zXY8>. (3:56 min)

- Transistor de junção bipolar (n-p-n ou p-n-p) → no link a seguir

<https://www.youtube.com/watch?v=jKVPEIMybUg> você encontrará uma boa explicação para a
junção p-n e para o transistor n-p-n. (9:03 min)

- Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) → um dos pilares
da tecnologia moderna de estado sólido. Entenda com a rápida explicação em
<https://www.youtube.com/watch?v=tz62t-q_KEc> como um transistor MOSFET funciona. (3:41 min)
 55

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
(ou DISPOSITIVOS DE ESTADO SÓLIDO)

• Referências para um estudo introdutório sobre dispositivos semicondutores:

- Callister, W.D. Materials Science and Engineering: An Introduction. 7th Ed. Wiley. 2007.
Cap. 18, seção 15.

- Introduction to Semiconductors, DoITPoMS - Teaching & Learning Packages - University of

Cambridge, 2004-2015. <https://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/semiconductors/index.php>

• Para um estudo mais avançado sobre dispositivos semicondutores veja:

- Brennan, K.F. Introduction to Semiconductor Devices For Computing and

Telecommunications Applications. Cambridge University Press. 2005.
 Materiais
Supercondutores
 SUPERCONDUTIVIDADE
• Supercondutividade é um conjunto de propriedades físicas
observadas em certos materiais, nos quais a resistência
elétrica desaparece e dos quais o campo magnético é
“expulso”.
• Qualquer material que exiba essas propriedades é um
supercondutor.
• Ao contrário de um condutor metálico comum, cuja
resistência diminui gradualmente à medida que sua
temperatura é reduzida até quase zero absoluto, um
supercondutor tem uma temperatura crítica característica
abaixo da qual a resistência cai abruptamente para zero.
 Supercondutores
• O fenômeno da supercondutividade foi observado na
primeira vez por Heike K. Onnes em 1911 → Hg torna-
se supercondutor abaixo de 4K (temperatura do hélio
líquido).
• Em termos de composição, as classes de materiais
supercondutores incluem:
– elementos químicos (por exemplo, mercúrio ou
chumbo);
– ligas (como nióbio-titânio, germânio-nióbio e
nitreto de nióbio);
– cerâmicas (YBCO e diboreto de magnésio);
– compostos de ferro (como, por exemplo,
pnictetos LaOFeAs dopados com flúor), ;
– supercondutores orgânicos (fulerenos e nanotubos
Heike K. Onnes e
de carbono; embora talvez esses exemplos devam Johannes D. van der Waals
ser incluídos entre os elementos químicos, pois são
compostos inteiramente de carbono).
 Supercondutores – “Timeline”

Fonte: https://en.wikipedia.org/wiki/Superconductivity#/media/File:Timeline_of_Superconductivity_from_1900_to_2015.svg
 EFEITO MEISSNER
• O efeito Meissner (também chamado de efeito Meissner-Ochsenfeld)
foi observado pela primeira vez em 1933.
• Materiais supercondutores, quando resfriados abaixo da sua
temperatura crítica, quando submetidos a campo magnético externo,
praticamente “expulsam” as linhas de campo magnético de seu
interior.

Fritz W. Meissner

https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/transcoded/b/ba/Meissner_effect.ogv/Meissner_effect.ogv.480p.vp9.webm
 Supercondutor
YBa2Cu3O7-x

Ref.: Shackelford, J.F. Introduction to Materials Science for Engineers. Pearson 8th ed. 2015.
págs. 448.
 62

SUPERCONDUTORES
• ...para saber mais:

- Um artigo: Costa, M.;B.S.; Pavão, A.C. Supercondutividade: um século de desafios e superação. Revista
Brasileira de Ensino de Física v.34 (2), 2602-2615 (2012).

- O verbete “Superconductivity” da Wikipedia → https://en.wikipedia.org/wiki/Superconductivity

- Um livro: Kleiner, R.; Buckel, W. Superconductivity: An Introduction. Wiley-VCH. 2016.

• Alguns vídeos muito bons sobre “levitação magnética” (uma consequência do efeito Meissner) :

- Um bom vídeo sobre efeito Meissner: https://www.youtube.com/watch?v=VyOtIsnG71U

- Uma boa descrição do fenômeno, e também mostra a construção de um circuito de Möbius de ímãs para
“brincar” com uma cerâmica supercondutora → <https://www.youtube.com/watch?v=zPqEEZa2Gis>

- Outra descrição do fenômeno, mas com foco em como construir um circuito de Möbius →
<https://www.youtube.com/watch?v=Vxror-fnOL4>
 … finalizando: Propriedades Elétricas dos Materiais 63

• Ao final do estudo dos conteúdos desta Unidade você deve ser capaz de:
- entender a diferença entre: (i) densidade de corrente (J) e corrente (I); (ii) condutividade (s),
resistividade (r) e resistência (R), e ser capaz de correlacionar essas grandezas;
- explicar a diferença entre estados eletrônicos em átomos e bandas de energia eletrônica em
sólidos;
- descrever os quatro tipos de estruturas de bandas existentes para materiais sólidos puros;
- descrever nos processos de condução elétrica, as condições que os elétrons livres e os buracos
eletrônicos devem satisfazer para que dele possam participar;
- calcular a condutividade elétrica de metais e semicondutores (intrínsecos e extrínsecos) em
termos das densidades de portadores (número de portadores por unidade de volume) e de
suas mobilidades;
- justificar a importância do processo de dopagem em semicondutores; entender as diferenças
entre a semicondutividade intrínseca e as semicondutividades extrínsecas dos tipos n e p;
- descrever a estrutura de bandas de semicondutores extrínsecos em termos de níveis de
energia de impurezas doadoras e receptoras;
- descrever, de forma simplificada, o efeito na temperatura na condutividade em materiais
condutores e semicondutores.
 Referências – Unidade 17

• Callister, W.D. ; Rethwisch, D.G. Ciência e Engenharia de Materiais – Uma

Introdução. Tradução da 9ª Ed. Americana. LCT. 2016. Cap.18, Seções 18-1 a
18-7 e 18-9 a 18-11.
– Obs.: outras edições do livro do Callister existentes nas bibliotecas da EP, em inglês ou português, também cobrem o
conteúdo apresentado nesta Unidade.

• Shackelford, J.F. Introduction to Materials Science for Engineers. 8th Ed.,

Prentice-Hall, 2015. Cap. 13.

REFERÊNCIAS SUPLEMENTARES
• ...sobre o conceito de “campo”: Capítulo 12, Volume I, das “The Feyman Lectures on Physics”, que podem ser
consultadas no site mantido pelo CalTech: <https://www.feynmanlectures.caltech.edu/>

• Introduction to thermal and electrical conductivity. DoITPoMS – Teaching & Learning Packages. University of
Cambridge, 2007. <https://doitpoms.admin.cam.ac.uk/tlplib/thermal_electrical/index.php>

•    Introduction to semiconductors . DoITPoMS – Teaching & Learning Packages. University of Cambridge,

2007. <https://doitpoms.admin.cam.ac.uk/tlplib/semiconductors/index.php>