DIG-FIS654 - PA3 - FISICA EXPERIMENTAL AII
Resistividade elétrica
Instituto de Fı́sica, Universidade Federal de Minas Gerais - UFMG
29 de novembro de 2022
I. Introdução
A resistividade elétrica diz respeito à propriedade dos
sólidos de se opor ao fluxo de cargas elétricas, onde,
para materiais uniformes e isotrópicos, possui a seguinte
relação com a resistência elétrica R:
L σ = σn = nn |e|µn
R=ρ (1)
A
em que ρ diz respeito à resistividade elétrica [Ω · cm], L é o
comprimento (m) e A é a seção reta (m) do material. Essa
propriedade é relativa às caracterı́sticas fı́sico-quı́micas do
sólido, entre elas as interações entre os átomos. Devido a
isso, classifica-se os materiais como condutores, semicon-
dutores e isolantes de acordo com a faixa de resistividade,
conforme na figura 1.
Figura 1: Resistividade em materiais condutores, semicondutores e
isolantes.
Neste experimento será enfatizado o comportamento
da resistividade em relação à temperatura para materiais
condutores, em que sua resistividade aumenta com o
aumento da temperatura, e semicondutores, onde sua
resistividade diminui com o aumento da temperatura.
Resistividade elétrica em metais
Em materiais condutores, a condutividade σ = 1/ρ
obedece a seguinte equação:
(2)
onde nn corresponde ao número de elétrons livres por
unidade de volume, e é a carga elétrica no valor de
e = −1.6 · 1019 C, e µn diz sobre a mobilidade dos elétrons
na banda de condução que, por sua vez, é diminuı́da
devido aos defeitos da rede, deformação plástica e fônons.
A resistividade total é dada pela Regra de Matthi-
enssen como ρtotal = ρt + ρi + ρd , em que ρt são
contribuições térmicas devido aos fônons, às impurezas e
às deformações. Em metais, tem-se a seguinte relação:
ρt = ρo (1 + αT ) (3)
tal que ρo e α são constantes especı́ficas de cada condutor.
Resistividade elétrica em semicondutores
Em um semicondutor puro, para que os portadores de
carga se tornem livres, as cargas devem ser ativadas para
a banda de condução. Assim, o semicondutor passa a con-
duzir a eletricidade, onde esta chamada ativação pode ser
efetuada por energia térmica, uma vez que os elétrons são
excitados por fônons da banda de valência para a banda de
condução. Os nı́veis desocupados na camada de valência
são definidos como buraco e a a energia necessária para a
formação dos pares elétron-buraco é Eg = Ec Ev .
De acordo com a lei de Arrhenius, a relação entre a
resistência de um semicondutor com a temperatura é dada
por:
R = Ro e EA /k B T (4)
1
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II. Objetivos

• Estudar o comportamento da resistividade de metais

e semicondutores em função da temperatura.

III. Material

• Forno com 2 entradas (furos = 0.5cm)

• Medidor de temperatura (termopar)

• Fio de platina
Figura 2: Relação da resistência do fio de platina com o aumento da
temperatura.
• Cristal de GaAs (com conexões elétricas)

Na segunda parte do experimento, substituiu-se o

fio de platina pelo cristal de arseneto de gálio (GaAs).
IV. Procedimento De forma semelhante ao que foi feito na primeira parte,
construiu-se o seguinte gráfico:
Dispôs-se de um forno para aquecer dois materiais:
um fio de platina e um cristal de arseneto de gálio (GaAs)
que, por sua vez, está revestido com uma fita de teflon no
intuito de proteger os contatos elétricos. O forno possui
duas entradas, onde uma delas inseriu-se o termômetro e,
na outra, o sólido a ser medido.
Inicialmente, mediu-se a resistência do fio de platina
em função da temperatura, onde a temperatura inicial do
forno foi cerca de 19.6ºC e a temperatura final de 200ºC.
Registrou-se a resistência do material a cada 5ºC.
Posteriormente, resfriou-se o sistema com um ventila-
dor até a temperatura do forno ser igual à cerca de 60ºC.
Em seguida, retirou-se o fio de platina da entrada do forno
para inserir cuidadosamente o próximo material a ser me-
dido: o cristal de arseneto de gálio. Assim, efetuou-se
exatamente o mesmo processo de medição de resistência, Figura 3: Relação da resistência do GaAs com o aumento da tempera-
feito no fio de platina, com o GaAs, até atingir 200ºC. tura.

Observou-se que o primeiro gráfico apresenta um com-

V. Resultados e discussão
Nesse primeiro momento, numa das entradas do forno
colocou-se o fio de platina e na outra o medidor de tem-
peratura. Em seguida, aqueceu-se o forno de 25 °C até
200 °C e mediu-se a resistência em função do aumento da
temperatura. Dessa forma, obteve-se o gráfico a seguir:
portamento linear crescente, enquanto no segundo gráfico
há um comportamento exponencial decrescente. Essa
diferença ocorre pois o fio de platina é um metal, logo é
esperado que sua resistividade aumente conforme o au-
mento da temperatura, como pode ser visto na equação 3.
No caso do GaAs, por ser um semicondutor, esperou-se
que sua resistividade diminuı́sse ao passo que a tempera-
tura aumentasse. Além disso, a forma da curva esperada

2
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é dada pela lei de Arrhenius, equação 4. Com o valor da Energia de ativação, foi possı́vel determi-
Em seguida, realizou-se uma linearização da equação nar o valor da Energia de gap Eg :
4:
Eg = 2E A = (1, 3 ± 0, 2)eV
EA
ln( R) = ln( R0 ) + (5) onde a incerteza foi obtida por meio da incerteza padrão
kB T
combinada uc , explicitada pela fórmula:
Com a equação 5 foi montado o gráfico abaixo:
v
uN
∂f 2 2
uc (y) = ±t ∑ (
u
) u ( xi ) (6)
i =1
∂x i

VI. Conclusão
Nesse experimento foi possı́vel verificar a resistividade
elétrica para o fio de platina e o cristal de GaAs, con-
forme a temperatura variava. No primeiro material foi
possı́vel verificar o comportamento linear para um me-
tal. No segundo material, verificou-se o comportamento
exponencial de semicondutor, dita pela lei de Arrhenius.
Também obteve-se o valor da Energia de gap, a saber:
Figura 4: Linearização da equação da lei de Arrhenius.
Eg = (1, 3 ± 0, 2)eV
Assim, conforme a equação 5, o coeficiente angular da O valor de Eg encontrado na literatura é 1,42 eV. Assim,
reta do gráfico acima é dado por: os resultados obtidos experimentalmente estão condizen-
tes com o esperado.
EA
=A
kB Referências
Portanto:
[1] Departamento de Fı́sica UFMG. Guia de Labo-
E A = (0, 63 ± 0, 04)eV ratório Fı́sica Experimental AIII.