Disciplina: Materiais Eltricos e

Magnticos.

Prof. Sandro R. Zang Sala 116-2

Departamento das Engenharias de Telecomunicaes e Mecatrnica (DETEM)
Universidade Federal de So Joo del-Rei (UFSJ)
Campus Alto Paraopeba - Ouro Branco/MG
Comportamento Eltrico

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 Introduo

Conduo Eltrica: Resultado do movimento de

portadores de carga (eltrons) dentro do material;
Conceito: o tipo de estrutura define as
propriedades do material (mecnicas, eltricas,
ticas, etc);
A facilidade ou dificuldade de conduo eltrica de
um material est associada ao conceito de nveis de
energia.
Nos materiais slidos, nveis de energia discretos
do origem as bandas de energia.

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 Introduo
Nos materiais slidos, nveis de energia discretos
do origem as bandas de energia.
o espaamento relativo dessas bandas (em uma
escala energtica) que determina a magnitude da
condutividade.
Condutores: metais que possuem grande valor de
condutividade.
Isolantes: Cermicas, vidros e polmeros, possuem
pequenos valores de condutividade.
Semicondutores: possuem valores intermedirios
de condutividade.
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Comportamento Eltrico

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 Portadores de carga e Conduo

A Conduo Eltrica nos materiais ocorre por

meio de espcies individuais (em escala atmica)
chamada de portadores de carga.
Eltron Exemplo mais simples, partcula de 1,6
x 10 -19 C de carga negativa;
Lacuna Eletrnica: conceito mais abstrato,
ausncia de um eltron (buraco), 1,6 x 10 -19 C de
carga positiva.
As lacunas tem um papel fundamental no
comportamento eltrico dos semicondutores.

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 Portadores de carga e Conduo

Nos materiais inicos (gerados por ligaes inicas

troca de eltrons):
nions: servem como portadores de carga
negativa.
Ctions: so os portadores de carga positiva.
Como vimos, a valncia de cada on indica carga
positiva ou negativa em mltiplos de 1,6 x 10 -19 C,
dependendo de quantos eltrons de valncia so
compartilhados.

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Comportamento Eltrico

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 Determinao da Condutividade Eltrica
Mtodo mais Simples: A
magnitude do fluxo de corrente
(I), atravs de um circuito com
resistncia (R), e a diferena de
potencial (V), so relacionados
atravs da Lei de Ohm.
V RI
O valor de R depende da
geometria da amostra:
R aumenta com o comprimento
(l) e diminui com a rea de seo
transversal (A).
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 Determinao da Condutividade Eltrica
Resistividade () : independente
da geometria.
a propriedade que mais
caracteriza os material.
RA
(.m)
l
Condutividade (): O inverso
da resistividade:
1
(-1.m -1)

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 Determinao da Condutividade Eltrica
Condutividade (): o parmetro mais
conveniente para estabelecer um sistema de
classificao eltrica para os materiais.
A Condutividade o produto da densidade de
portadores de carga (n) com a carga transportada
por portador (q) e com a mobilidade de cada um
():
nq (-1.m -1)

Mobilidade: velocidade mdia do portador ( )
dividido pela intensidade de campo eltrico (E):

E [m2/(V.s)]
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 Determinao da Condutividade Eltrica
Quando os portadores de carga positivos e
negativos contribuem para a conduo, ambos
devem ser levados em conta na equao do calculo
da condutividade:
Onde:
nn qn n np q p p n negativo
p positivo
Para eltrons, lacunas e ons monovalente (troca de
apenas 1 eltron) a magnitude da carga (q) 1,6 x
10 -19 C.
Para ons multivalentes: q = Z i x 1,6 x 10 -19 (C)
Z i nmero de valncia (Ex., 2 para O-2)

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Determinao da Condutividade Eltrica

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 Determinao da Condutividade Eltrica
Exemplo 1: Calcule o valor da condutividade de uma
liga na qual apresenta queda de tenso de 432 mV quando
uma corrente de 10 A aplicada. A amostra utilizada
possui comprimento de 1m e dimetro de 1 mm.

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 Determinao da Condutividade Eltrica
Exemplo 1: Calcule o valor da condutividade de uma
liga na qual apresenta queda de tenso de 432 mV quando
uma corrente de 10 A aplicada. A amostra utilizada
possui comprimento de 1m e dimetro de 1 mm.
3
R V 432 10
I 10
R 43, 2 103
43, 2 10 0,5 10
3 3 2

RA l
1
33,9 109 m
1 29,5 106 1m 1
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 Determinao da Condutividade Eltrica
Exemplo 2: Supondo que a condutividade do cobre da
tabela anterior seja inteiramente devido aos eltrons
livre [com uma mobilidade de 3,5 x 10-3 m2 /(Vs)].
Calcule a densidade de eltrons livres no cobre em
temperatura ambiente.

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 Determinao da Condutividade Eltrica
Exemplo 2: Supondo que a condutividade do cobre da
tabela anterior seja inteiramente devido aos eltrons
livre [com uma mobilidade de 3,5 x 10-3 m2 /(Vs)].
Calcule a densidade de eltrons livres no cobre em
temperatura ambiente.

58 10 6
n
q 1, 6 1019 3,5 103
n 104 10 27
m3

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 Determinao da Condutividade Eltrica
Exemplo 3: Calcule a velocidade de arraste dos
eltrons livres no cobre (exemplo anterior) para uma
intensidade de campo eltrico de 0,5 V/m.

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 Determinao da Condutividade Eltrica
Exemplo 3: Calcule a velocidade de arraste dos
eltrons livres no cobre (exemplo anterior) para uma
intensidade de campo eltrico de 0,5 V/m.

E

3,5 10 3
0,5
m
1, 75 10 3
s

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Comportamento Eltrico

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 Nveis de Energia
Como vimos, os orbitais eletrnicos em um tomo
isolado esto associados a nveis de energia
discretos; Exemplo: Sdio (Na).
1s
2s 2p
Nmero atmico: 11 orbitais 3s 3p 3d
4s 4p 4d 4f
1s2 5s 5p 5d 5f
2s2 2p6 6s 6p 6d
3s1 7s

Esta distribuio de eltrons entre os orbitais

descrita pelo Princpio de Excluso de Pauli.

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 Nveis de Energia
Princpio de Excluso de Pauli: Dois eltrons no
podem ocupar exatamente o mesmo estado
quntico; ou seja, no tomo de Na cada orbital
pode ser ocupado por dois eltrons porque eles
esto em estados diferentes (spins opostos
orientao magntica de rotao do eltron em
torno do seu prprio eixo momento angular).
O princpio de excluso de Pauli a razo
fundamental para muitas das propriedades
caractersticas da matria, desde sua estabilidade
at a existncia das regularidades expressas
pela tabela peridica dos elementos.

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido

Os eltrons de cada tomo em um slido esto

sujeitos interao com os tomos vizinhos;
Ao aproximarmos um tomo isolado a outros, os
nveis de energia de cada um so perturbados
levemente pela presena do vizinho pois
o Princpio de Excluso de Pauli no permite que
ocupem nveis de energia iguais;

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido

Se aproximarmos um grande nmero de

tomos, teremos um grande nmero de nveis
de energia prximos uns dos outros,
formando uma "banda de energia" quase
contnua no lugar dos discretos nveis de
energia que os tomos teriam
individualmente;

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido

A Banda de valncia ou Banda de

Energia formada por nveis de energia,
ocupada por eltrons semilivres, que esto um
pouco mais separados do ncleo que os
demais;
nesta banda de energia que se acumulam
as lacunas eletrnicas ou buracos eletrnicos;

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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido
Os nveis de energia
esto preenchidos
at um ponto
intermedirio da
banda de valncia, e
completamente
vazios acima dele;

Conceito verdadeiro
na temperatura do
zero absoluto

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido

A energia do estado mais alto preenchido na

banda de energia a 0 K conhecido como
nvel de Fermi - EF;
O grau de preenchimento de determinado
nvel de energia indicado pela funo de
Fermi, f (E);

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido
A funo de Fermi, indica a probabilidade de
um nvel de energia E, ser ocupado por um
eltron e pode ter valores entre 0 e 1;

A temperatura de 0 K:

f (E) = 1 at EF;
Acima de EF igual a 0;

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido

Na medida em que a temperatura aumenta, a

relao entre a funo de Fermi, f(E) e a
temperatura absoluta, T, :.

1
f E E EF / kT
e 1
Sendo k a constante de Boltzmann (86,2 x 10-6 eV/K).

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido
1
f E
e
E EF / kT
1
Abaixo de EF, f(E)
basicamente igual a 1;
e exencialmente igual a 0
acima de EF.
Prximo de EF varia de
forma suava entre os
extremos (1 e 0)
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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido
1
f E
e
E EF / kT
1
medida que a
temperatura aumetne, o
intervalo acima do qual
f(E) cai de 1 a 0 aumente
e da ordem de grandeza
de kT.

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 Nveis de Energia

Agrupamento de tomos na Formao de um

Slido
Os metais so bons condutores eltricos
porque a energia trmica suficiente para
promover eltrons acima do nvel de Fermi;
Nesses nveis, E > EF, a disponibilidade de
nveis desocupados em tomos adjacentes
gera uma alta mobilidade dos eltrons de
conduo, conhecidos como eltrons livres,
atravs do slido.
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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido
Para um slido, a promoo de um eltron da
banda de valncia para a banda de conduo
s ocorre quando o espaamento entre as
bandas de energia Eg vencido; (T = 298K)

Eg 2 E EF

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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido
A probabilidade prevista por F(E) s pode ser
estimada nas bandas de valncia e conduo;
Os eltrons no podem ter nveis de energia
entre as bandas.

Eg 2 E EF

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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido
Para o diamante (C), a energia trmica no
consegue promover um nmero significativo
de eltrons para a banda de conduo (ligao
covalente entre os tomos de carbono, com
banda de valncia completa). Logo Isolante!

Eg 2 E EF

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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido
Semicondutor Silcio (Si):
forma um slido com
ligaes covalentes e com
estrutura cbica semelhante
ao do carbono (do mesmo
grupo da tabela peridica).
A diferena que o Si possui
espaamento entre as
bandas menor (Eg=1,107 eV,
em comparao com ~ 6 eV
do carbono!
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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido
Semicondutor Silcio (Si):
O resultado que, na temp.
ambiente (298K) a energia
trmica promove um nmero
significante de eltrons da
banda de valncia para a
banda de conduo.
Cada promoo de eltron
cria um par de portadores de
carga (par eltron-buraco)

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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido
Semicondutor Silcio (Si):

Consequentemente, buracos
so produzidos na banda de
valncia em igual nmero de
eltrons na banda de
conduo.

Esses buracos so portadores

de carga positiva!

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 Nveis de Energia
Agrupamento de tomos na Formao de um
Slido

Semicondutor Silcio (Si):

Com nmero moderado de

portadores de carga positiva
e negativa o Si apresenta
uma condutividade eltrica
moderada, intermedirio
entre os metais e os
isolantes.

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 Nveis de Energia

Exemplo 4: Qual a probabilidade de um eltron ser

promovido termicamente para a banda de conduo no
diamante (Eg = 5,6 eV) na temperatura ambiente (25
C).

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 Nveis de Energia

Exemplo 4: Qual a probabilidade de um eltron ser

promovido termicamente para a banda de conduo no
diamante (Eg = 5,6 eV) na temperatura ambiente (25
C).
Eg 5, 6 eV
E EF 2,8 eV
2 2
1 1
f E E E / kT 2,8/(86,2106 298)
e F 1 e 1
f E 4,58 10 48

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 Nveis de Energia

Exemplo 5: Qual a probabilidade de um eltron ser

promovido termicamente para a banda de conduo no
silcio (Eg = 1,07 eV) na temperatura ambiente (25
C).

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 Nveis de Energia

Exemplo 5: Qual a probabilidade de um eltron ser

promovido termicamente para a banda de conduo no
silcio (Eg = 1,07 eV) na temperatura ambiente (25
C). Eg 1,107 eV
E EF 0,5535 eV
2 2
1 1
f E E E / kT 0,5535/(86,2106 298)
e F 1 e 1
f E 4,39 10 10

Embora esse nmero seja pequeno, ~ 38 vezes maior que

o do diamante. o suficiente para criar portadores de carga
suficientes para classificar o Si como semicondutor.
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