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DELEGAO DA BEIRA

Licenciatura em Ensino de Fsica com habilitaes a Energias Renovveis

Ficha de exerccios de Fsica dos Semicondutores

Ficha Nmero 1

I parte

Exerccios Distribuio eletrnica (Princpio de Pauling)

1.Enuncie o Princpio da Excluso de Pauli.

1.1.Faa a distribuio eletrnica para os elementos:

a) 12Mg
b) 20Ca
c) 26 Fe
d) 35 Br
e) 56 Ba
f) 86 Rn
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2. Nmeros qunticos

a) Quando n=4, quais so os valores possveis de l? (Resp.: l= 0,1,2,3)

b) Quando l 2, quais so os valores possveis de ml? (Resp.: ml=-2,-1,0,1,2)
c) Para um orbital 4s, quais so os valores possveis de n, l e ml? (Resp.: n=4, l=0 e ml=0)
d) Para um orbital 4f, quais os valores possveis de n, l e ml? (Resp.: n=4, l=3 e m=-3,-2,-
1,0,1,2,3).

2. Use a tabela peridica para chegar a estrutura eletrnica das camadas mais externas dos
tomos: Si, Se, Sr, Cl, O, S, As, Ga.

3. Quantas subcamadas ocorrem na camada eletrnica com o nmero quntico principal n=4?
(Resp.: 3).

4. Dentre os nmeros atmicos 23,31,34,38, 54.

a) Quais so os elementos qumicos que apresentam dois eltrons de valncia?

5. Dentre os nmeros 18, 20, 25, 40, 50.

a) Qual desses nmeros atmicos representa elemento qumico com 10 eltrons no

penltimo nvel energtico?

6.Para os tomos 27Co e 34Se, indique:

a) A distribuio eletrnica na ordem crescente de energia segundo os subnveis.

b. O conjunto de nmeros qunticos para cada eltron mais energtico e mais afastados
do ncleo de cada tomo.

II parte
Condutividade eltrica dos Semicondutores

1.O que Dopagem?

2.O que lacuna no processo de dopagem?

3.O que so impurezas?

4.O que significa trivalentes?

5.O que significa penta valentes?

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6.O que e que acontece quando dopamos o silcio ou germnio com impurezas trivalentes
(doadora)?

7.O que acontece quando dopamos o silcio ou germnio com impurezas penta valentes
(Aceitadora)?

8.Porque e que se diz que o semicondutor tipo P dopado Positivamente?

9.Porque e que se diz que o semicondutor tipo N dopado Negativamente?

10.Calcule o campo eltrico necessrio para gerar uma corrente de 40A em um fio de cobre de
rea de seo reta igual a 6,0m2 , e =1,69 x 108 W.m (Resp.: 0,11 v/m).

11.Calcule a densidade de corrente atravs da camada do plstico que recobre um fio eltrico,
sabendo-se que sua espessura 0,5mm e a diferena de potencial entre seu exterior e seu interior
220V.A resistividade do plstico 5,0 x 1016 Wm = 5,0 x 1016 (V/A)m. ( Resp.: 9

1012 2 ).

12.Quantos eltrons por unidade de volume ocupam estados de energia abaixo de 0,5 eV de
energia de Fermi no sdio metlico a 0 K? Admitir que cada tomo fornece um eltron livre.
(Resp.: E=2,74eV).

13.Qual a probabilidade de um eltron de conduo da prata ter energia cintica de 4,9 eV na

temperatura de 300 K? Dados da prata: 1 eltrons para conduo; M = 107,87 g/mol; = 10,49
g/cm. (Resp.: () = 1).

14.Calcular a intensidade da velocidade mdia dos eltrons na seco circular de um condutor

circular de cobre de 1,5 m2 , percorrido por uma corrente contnua de intensidade 15 A, numa
temperatura ambiente de 20 C.
S
Dados: = 5,8x107 m , = 0.0032 2 /Vs. ( Resp.: Vd=0,00055m/s)

2
15.Qual a densidade de eltrons livres em um metal para uma mobilidade de 0,0046 m /(Vs)
-19
e uma condutividade de 29,1 MS/m? Carga de um eltron e = 1,6 x 10 C.
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16.Qual a densidade de corrente e a intensidade de campo eltrico que correspondem a uma

-4 7
velocidade de araste de 5,3 x 10 m/s no alumnio, com condutividade 3,82 x 10 S/m e
2
mobilidade 0,0014 m /(Vs)?

17.Determine a condutividade do semicondutor intrnseco de germnio na temperatura

19
ambiente de 300 K, sabendo-se que existem 2,5 x 10 pares eltron-lacuna por metro cbico,
2 2
que a mobilidade dos eltrons e = 0,38 m /(Vs) e a mobilidade das lacunas h = 0,18 m /(Vs).

18.Calcule a condutividade do germnio extrnseco tipo n, na temperatura ambiente, supondo

8 3 3
um tomo doador a cada 10 tomos. A densidade do germnio 5,32 x 10 kg/m e seu peso
atmico 72,6. Compare o resultado com o problema anterior.

19.Suponha que o volume total de uma amostra metlica seja a soma do volume ocupado pelos
ons do metal que formam a rede cristalina com o volume ocupado pelos eltrons de conduo.
A densidade e a massa molar do sdio (um metal) so 971 kg/m3 e 23,0 g/mol, respectivamente;
o raio do on Na+ e 98 pm. (a) Que porcentagem do volume de uma amostra de sdio ocupada
pelos eltrons de conduo? (b) Repita o clculo para o cobre, que possui uma densidade, massa
molar e raio inico de 8960 kg/m3, 63,5 g/mol e 135 pm, respectivamente. (c) Em qual dos dois
metais o comportamento dos eltrons de conduo mais parecido com o das molculas de um
gs?

20.A funo probabilidade de ocupao pode ser aplicada tanto a metais como a
semicondutores. Nos semicondutores, a energia de Fermi est praticamente a meio caminho
entre a banda de valncia e a banda de conduo. No caso do germnio, a distncia entre a
banda de conduo e a banda de valncia 0,67 eV. Determine a probabilidade (a) de que um
estado na extremidade inferior da banda de conduo esteja ocupado e (b) de que um estado na
extremidade superior da banda de valncia esteja ocupado. Suponha que T = 290 K.

21.Em um certo cristal, a ltima banda ocupada est completo. O cristal transparente a todos
os comprimentos de onda maiores que 295 nm, mas opaco a comprimentos de onda menores.
Calcule a distncia, em eltrons-volts, entre a ltima banda ocupada e a primeira banda vazia
neste material.
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Resoluo do nmero 19
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Resoluo do numero 20

k = 1,3807 x 10-23 J/K = 0,8617 x 10-4 eV/K

Resolucao de numero 21.

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Formulas para Resoluo de exerccios

Velocidade mdia ou de deriva ou de deslocamento - = (m/s)

Densidade especifica - = (A/2 )

Intensidade - = (A)
2
2
2 32 3 2
Energia de Fermi: = ( ) = (3 2 )3 . onde ne a densidade de
2 2
eltrons livres (eltrons/cm3). A energia de Fermi a T=0 em trs dimenses.

A energia cintica total de todos os eltrons livres no metal pode ser expressa em termos de EF:

3
= 5 .

No modelo do eltron livre, a energia cintica total a energia total dos eltrons. A energia
cintica mdia por eltron ser:

3
= 5 .

Nmeros de eltrons

= ( g/3 ).

Funo probabilidade de Fermi-Dirac:

1
f(E)=
( )+1