UNIVERSIDADE FEDERAL DA INTEGRAÇÃO

LATINO-AMERICANA
Engenharia Química
Laboratório de Física Geral III

Experimento 6 – Determinação da Constante de Planck com LED’s

(Laura Ivonne Nuñez Marecos, Elian Mateus Alves de Andrade, Carmelo Rafael Armando García, Carlos
Eduardo Rodriguez Marquina

Resumo
RESUMO - A constante de Planck, representada por "h", é uma constante física fundamental que é utilizada para
quantificar a relação entre a energia e a frequência da luz e outras partículas subatômicas. O conhecimento deste
parâmetro é muito fundamental na física quântica e tem implicações em campos como óptica, mecânica quântica e
física de materiais.
Uma forma de medir a constante de Planck é através do uso de LED (diodos emissores de luz), como demonstrado
nesta pratica experimental. Os LEDs são dispositivos emissores de luz quando uma corrente elétrica é aplicada. A
emissão de luz está relacionada com a energia dos elétrons no material do LED, sendo os semicondutores. Na época
determinação constante de Planck utilizando LED não tinha se baseado por meio do efeito fotoelétrico, até seu
descobrimento em 1905 por Albert Einstein. O efeito fotoelétrico era um fenômeno que não qualificava os elétrons
e liberava um material quando exposto à luz. A energia dos elétrons liberados depende da frequência da luz
incidente e pode ser medida por meio de um aparelho chamado fotômetro.
Para a determinação da constante de Planck empregando os dispositivos LEDs, precisa-se de um circuito que
forneça uma corrente constante ao LED e um fotômetro para medir a energia dos elétrons liberados pelo LED, este
deve ser capaz de medir a corrente e a tensão aplicada ao LED.

Palavras-chave: Constante de Planck, Frequência da luz, diodos emissores de luz, efeito fotoelétrico.
 1. Introdução
Com dificuldades encontradas para esclarecer a distribuição da quantidade de energia (luz)
irradiada por um elemento ideal, foram necessários estudos e experimentos detalhados que mudaram
pontos de vista presentes na física clássica. Pelas teorias quântica e da relatividade houve um impulso no
surgimento da Física moderna atual.
O diodo é um componente eletrônico semicondutor, que permite a condução da corrente elétrica
somente em um único sentido. Através da simbologia do diodo é possível identificar a sua polaridade e o
sentido da corrente elétrica., como mostra-se na Figura 1

Figura 1: Simbologia diodo (p-n). Sentidos da tensão e corrente. Fonte:

https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema2-teoria.pdf

Os metais são, em sua maioria, extremamente bons condutores de eletricidade; apresentando

consideráveis valores de condutividades à temperatura ambiente para vários destes.
Os metais têm altas condutividades em razão do grande número de elétrons livres que foram
excitados para os estados vazios acima da energia de Fermi. (Callister, Rethwisch, 2016).
Uma vez que os defeitos cristalinos servem como centros de espalhamento para os elétrons de
condução nos metais, o aumento de seu número aumenta a resistividade (ou diminui a condutividade). A
concentração dessas imperfeições depende da temperatura, da composição e do grau de trabalho a frio da
amostra do metal. De fato, observa-se experimentalmente que a resistividade total de um metal é a soma
das contribuições das vibrações térmicas, das impurezas e da deformação plástica; ou seja, os mecanismos
de espalhamento atuam de maneira independente uns dos outros.
A condutividade elétrica dos materiais semicondutores não é tão elevada quanto a dos metais;
entretanto, eles apresentam algumas características elétricas especiais que os tornam especialmente úteis.

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 2

 As propriedades elétricas desses materiais são extremamente sensíveis à presença de impurezas,
mesmo que em concentrações muito pequenas. Os semicondutores intrínsecos são aqueles nos quais o
comportamento elétrico tem por base a estrutura eletrônica inerente ao metal puro. Quando as
características elétricas são ditadas pelos átomos de impurezas, o semicondutor é dito ser extrínseco.
(Callister, Rethwisch, 2016).
Nos semicondutores intrínsecos, cada elétron excitado para a banda de condução resulta na falta
de um elétron em uma das ligações covalentes, ou, no esquema de bandas, há um estado eletrônico vazio
na banda de valência, como mostrado na Figura 2.

Figura 2: Ocupação dos estados eletrônicos (a) antes e b) depois de uma excitação dos elétrons da banda de valência para
dentro da banda de condução para um isolante ou semicondutor, no qual tanto um elétron livre quanto um buraco são
gerados. Fonte: (Callister., Rethwisch,2016)

Sob a influência de um campo elétrico, a posição desse elétron ausente na rede cristalina pode ser
considerada como estivesse se movendo por causa do movimento de outros elétrons de valência que
preenchem repetidamente a ligação incompleta (Figura 3). Esse processo pode ser compreendido mais
simplesmente se o elétron ausente na banda de valência for tratado como uma partícula carregada
positivamente, chamada de buraco. Considera-se que um buraco tem uma carga com a mesma magnitude
daquela de um elétron, porém com o sinal oposto (+1,6 × 10–19 C). Dessa forma, na presença de um
campo elétrico, os elétrons excitados e os buracos movem-se em direções opostas. Além disso, nos
semicondutores, tanto os elétrons quanto os buracos são espalhados pelas imperfeições na rede.

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Figura 3: Modelo de ligação eletrônica para a condução elétrica no silício intrínseco: (a) antes da excitação; (b) e (c) depois da excitação (os
movimentos subsequentes do elétron livre e do buraco em resposta a um campo elétrico externo). Fonte: (Callister., Rethwisch,2016)

Uma vez que existem dois tipos de portadores de carga (os elétrons livres e os buracos) em um
semicondutor intrínseco, a expressão para a condução elétrica, Equação 1:

𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇𝑒 (1)

Esta se modifica de maneira a incluir um termo para considerar a contribuição da corrente, causada
pelos buracos. Portanto, escreve-se

𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇𝑒 + 𝑝|𝑒|𝜇𝑏 (2)

em que p é o número de buracos por metro cúbico e 𝜇𝑏 é a mobilidade dos buracos. A magnitude de 𝜇𝑏 é
sempre menor que a de 𝜇𝑒 para os semicondutores. Para os semicondutores intrínsecos, cada elétron
promovido através do espaçamento entre bandas deixa para trás um buraco na banda de valência; dessa
forma

𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 (3)

em que n é conhecido como a concentração de portadores intrínsecos. Além disso,

𝜎= 𝑛|𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 ) = 𝑝|𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏) = 𝑛𝑖 |𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 ) (4)

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 A condutividade elétrica para um semicondutor intrínseco depende em relação às concentrações
de elétrons/buracos e às mobilidades dos elétrons/buracos (CALLISTER., RETHWISCH ,2016).

Os semicondutores comerciais são extrínsecos; ou seja, o comportamento elétrico é determinado

pelas impurezas, as quais, quando presentes mesmo em concentrações mínimas, introduzem um excesso
de elétrons ou de buracos. Por exemplo, uma concentração de impurezas de um átomo em cada 10x12
átomos é suficiente para tornar o silício extrínseco à temperatura ambiente. A Figura 4 representa o
modelo de semicondutores extrínsecos

Figura 4: Modelo de semi-condução extrínseca do tipo n (ligação eletrônica). (a) Um átomo de impureza tal como o fósforo, que
possui cinco elétrons de valência, pode substituir um átomo de silício. Isso resulta em um elétron de ligação extra, que está ligado e
orbita o átomo de impureza. (b) Excitação para formar um elétron livre. (c) O movimento desse elétron livre em resposta a um
campo elétrico. Fonte: (CALLISTER, RETHWISCH ,2016)

A Semi-condução Extrínseca do Tipo n, podem ser vistos a partir da perspectiva do esquema do

modelo de bandas eletrônicas. Para cada um dos elétrons fracamente ligados existe um único nível de
energia, ou estado de energia, que está localizado dentro do espaçamento proibido entre bandas,
imediatamente abaixo da parte inferior da banda de condução. Segundo Callister, Rethwisch, (2016) a
energia de ligação do elétron corresponde à energia necessária para excitar o elétron desde um desses
estados da impureza até um estado dentro da banda de condução. Cada evento de excitação fornece ou
doa um único elétron para a banda de condução; uma impureza desse tipo é chamada apropriadamente de
doadora. Uma vez que cada elétron doado é excitado a partir de um nível da impureza, nenhum buraco
correspondente é criado na banda de valência. A temperatura ambiente, a energia térmica disponível é
suficiente para excitar um grande número de elétrons a partir dos estados doadores; além disso, ocorrem
algumas transições intrínsecas da banda de valência para a de condução.

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 Figura 5: a) Esquema da banda de energia eletrônica para um nível de impureza doadora localizado dentro do
espaçamento entre bandas e imediatamente abaixo do nível inferior da banda de condução. (b) Excitação a partir de
um estado doador no qual um elétron livre é gerado na banda de condução. Fonte: (CALLISTER, RETHWISCH
,2016)

Em um semicondutor extrínseco do tipo n, os elétrons são os portadores majoritários em virtude

de sua densidade ou concentração; os buracos, por outro lado, são os portadores de carga minoritários.
Nos semicondutores do tipo n, o nível de Fermi é deslocado para cima no espaçamento entre bandas, até
a vizinhança do estado doador; sua posição exata é uma função tanto da temperatura quanto da
concentração de doadores.
Semi-condução Extrínseca do Tipo p, as excitações extrínsecas, nas quais são gerados os
buracos, também podem ser representadas usando o modelo de bandas. Cada átomo de impureza desse
tipo introduz um nível de energia dentro do espaçamento entre bandas, localizado acima, porém muito
próximo, da parte superior da banda de valência, como é mostrado na Figura 6:

Figura 6: (a) Esquema da banda de energia para um nível de impureza receptor localizado dentro do espaçamento entre bandas
e imediatamente acima do topo da banda de valência. (b) Excitação de um elétron para dentro do nível receptor, deixando para
trás um buraco na banda de valência. Fonte: (CALLISTER, RETHWISCH ,2016)

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 Em uma transição desse tipo, apenas um portador é produzido um buraco na banda de valência;
um elétron livre não é criado nem no nível da impureza nem na banda de condução. Uma impureza desse
tipo é chamada de receptora, pois é capaz de aceitar um elétron da banda de valência, deixando para trás
um buraco.
Os semicondutores extrínsecos (tanto do tipo n quanto do tipo p) são produzidos a partir de
materiais que, inicialmente, apresentam purezas extremamente elevadas, contendo geralmente teores
totais de impurezas da ordem de 10–7 %a. Concentrações controladas de doadores ou receptores
específicos são então adicionadas intencionalmente, usando diferentes técnicas. Tal processo de formação
de ligas em materiais semicondutores é denominado dopagem (CALLISTER, RETHWISCH ,2016).

Um retificador, ou diodo, é um dispositivo eletrônico que permite que a corrente passe em apenas
uma direção; por exemplo, um retificador transforma uma corrente alternada em uma corrente contínua.
Antes do advento do retificador semicondutor de junção p-n, essa operação era realizada com o uso de
um diodo de válvula a vácuo. A junção retificadora p-n é construída a partir de uma única peça de
semicondutor, que é dopada de modo a ser do tipo “n” em um dos lados e do tipo p no outro lado (Figura
7a). Se peças de materiais do tipo “n” e do tipo p forem unidas umas às outras, temos como resultado um
retificador ruim, já que a presença de uma superfície entre as duas seções torna o dispositivo muito
ineficiente.
Além disso, devem ser utilizados monocristais de materiais semicondutores em todos os
dispositivos, pois nos contornos dos grãos ocorrem fenômenos eletrônicos que são prejudiciais à operação.
Antes da aplicação de qualquer potencial por meio da amostra p-n, os buracos serão os portadores
dominantes no lado p, e os elétrons predominarão na região n, como está ilustrado na Figura 7a. Um
potencial elétrico externo pode ser estabelecido por meio de uma junção p-n com duas polaridades
diferentes. Quando uma bateria é usada, o terminal positivo pode ser conectado ao lado p, e o terminal
negativo ao lado n; isso é denominado polarização direta. A polaridade oposta (negativo em p e positivo
em n) é denominada polarização inversa. A resposta dos portadores de carga à aplicação de um potencial
de polarização direta está demonstrada na Figura 7b.

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Figura 7: Representações das distribuições dos elétrons e dos buracos em uma junção retificadora p-n para (a) nenhum potencial elétrico,
(b) polarização direta e (c) polarização inversa. Fonte: (CALLISTER, RETHWISCH ,2016)

Os buracos no lado p e os elétrons no lado n são atraídos para a junção. Conforme os elétrons e os
buracos se encontram uns com os outros próximo à junção, eles continuamente se recombinam,
aniquilando-se mutuamente, de acordo com a equação 5

Elétron + buraco→ 𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑎 (5)

A Figura 8 apresenta o grande número de portadores de carga flui através do semicondutor em

direção à junção, como fica evidenciado por uma corrente considerável e uma baixa resistividade. As
características corrente-voltagem para a polarização direta se mostram no primeiro quadrante do gráfico.

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 8

 Figura 8: Características corrente-voltagem de uma junção p-n para a polarização direta e
inversa. Fonte: (CALLISTER, RETHWISCH ,2016)

O processo de retificação em termos da voltagem de alimentação e da corrente de saída está

demonstrado na Figura 8. Enquanto a voltagem varia de forma senoidal ao longo do tempo (Figura 9a), a
corrente máxima para a voltagem em polarização inversa IR é extremamente pequena em comparação à
da polarização direta, IF (Figura 9b).

Figura 9: (a) Voltagem em função do tempo para a alimentação a uma junção retificadora p-n. (b) Corrente
em função do tempo, mostrando a retificação da voltagem em (a) por uma junção retificadora p-n que
possui as características voltagem-corrente. Fonte: (CALLISTER, RETHWISCH ,2016)
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 Os diodos emissores de luz (LED, pelas suas siglas em inglês Light Emitting Diode) são
dispositivos semicondutores que convertem energia elétrica diretamente em luz visível ou infravermelha
próxima. Eles são compostos por uma junção p-n, onde os elétrons e lacunas se recombinam, emitindo
fótons de energia na forma de luz. Os dispositivos LED possuem muitas vantagens tais como; alta
eficiência energética, vida útil maior, menor geração de calor, em comparação a outros tipos de fonte de
luz convencionais, como são as lâmpadas incandescentes e fluorescentes.
Os LEDs têm uma queda de tensão típica de 1,5 V (infravermelhos) a 2,5 V (azuis) para correntes
entre 10 e 50 mA. A queda de tensão exata depende da corrente, da cor e da tolerância do elemento LED.
A menos que seja feita alguma recomendação em contrário, emprega-se uma queda nominal de 2 V
quando são verificados e analisados os defeitos dos circuitos com LEDs de modo geral. Se você tiver que
fazer algum projeto, é necessário consultar as folhas de dados, porque as tensões do LED têm uma grande
tolerância. (INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE
SANTA CATARINA, 2009)

Figura 10: Espectro estreito de uma junção PN. Fonte:

https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/733-como-funcionam-os-leds-art096

Na figura 11 apresenta-se um elemento LED comum com sua estrutura interna detalhada.

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 10

 Figura 11: Estrutura interna de um LED. Fonte: https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-
funciona/733-como-funcionam-os-leds-art096

Dentro dos LED a cor da luz provem da pastilha do material semicondutor utilizado e não do
plástico como aparenta na Figura 11. Somente empregam-se plástico de cor, se o mesmo apresenta a
mesma cor da luz emitida pelo aparelho respectivamente. Assim, frequentemente são empregados
plásticos transparentes devido que os dispositivos LED são capazes de emitir luz em diversas frequências
e comprimentos de onda.
Com os desenvolvimentos destes aparelhos estes começaram a possuir diversos comprimentos de onda
cada vez menor como mostrado na figura 12.

Figura 12: Os LEDs evoluem rumo a comprimentos de onda cada vez menores.

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 Figura 13: Espectro eletromagnético. Frequências e comprimentos em escala logarítmica mostrando as bandas mais
importantes. Fonte: (YOUNG; FREEDMAN; A LEWIS FORD, 2020).

Ao empregar um LED não basta levar em conta a tensão que ele precisa para acender. Existem
outros fatores a serem considerados.
A grande característica do LED é o seu comportamento como um diodo. Quando o LED começa
a conduzir corrente, sua resistência cai de tal forma que, se não houver um resistor para limitar a corrente,
ela aumenta a ponto de aumentar a temperatura no aparelho finalmente queimando este. Devido a isso
estes elementos devem ser utilizados com resistores que possam limitar a corrente, a resistência do resistor
vai depender da quantidade de corrente que se deseja fornecer e a tensão disponível para o LED. Para
determinação desse parâmetro emprega-se a equação 6:

(𝑉 − 𝑉𝑑 )
𝑅= (6)
𝐼

Onde:
• R e a resistência que deve ser ligada em série com o LED (ohms)
• V é a tensão contínua de alimentação
• 𝑉𝑑 é a queda de tensão no LED dada pela tabela abaixo
• I é a corrente no LED

A constante de Planck relaciona a energia dos fótons provenientes da luz com a sua frequência.
Assim a energia da luz possui uma relação diretamente proporcional a sua frequência, a equação 7
expressa tal relação da seguinte forma;

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 𝐸𝑙𝑢𝑧 = ℎ ∙ 𝑓𝑙𝑢𝑧 (7)
Na equação 7 tem-se que:
• 𝐸𝑙𝑢𝑧 é a energia de um fóton
• ℎ trata-se da própria constante de Planck
• 𝑓𝑙𝑢𝑧 é a frequência da luz emitida

Uma forma de determinar a constante de Planck é empregando a curva característica dos LED
analisando a corrente com a variação da tensão aplicada a este aparelho. A Figura 14 representa tal
comportamento discutido. No gráfico apresentado na Figura 14 o diodo começa a conduzir corrente ao
atingir um valor especifico na sua tensão, a qual se denomina de tensão limiar 𝑉0.

Figura 14: Curva característica de um dispositivo LED. Fonte:

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 13

 Pela equação 8 sabe-se que a frequência da luz se relaciona com o se comprimento de onda 𝜆𝑙𝑢𝑧 ;

𝑐
𝑓𝑙𝑢𝑧 = (8)
𝜆𝑙𝑢𝑧

Na equação 8 o parâmetro c trata-se da velocidade da luz sendo 3,0 × 108 𝑚/𝑠. Sabendo isso a
energia do fóton pode-se expressar da seguinte forma por meio da equação 9;

𝑐
𝐸𝑙𝑢𝑧 = ℎ ∙ (9)
𝜆𝑙𝑢𝑧

Como discutido em uma determinada tensão (𝑉0 ) ocorre a condução de corrente no aparelho LED,
finalmente ocorre a emissão de luz. Essa tensão se relaciona com o gap de energia (𝐸𝑔𝑎𝑝 ), a equação 10
fornece tal relação da seguinte forma;

𝐸𝑔𝑎𝑝 = 𝑒 ∙ 𝑉0 (10)

Para a equação 10 a e representa a constante da carga dos elétrons, logo a frequência da luz emitida
pelo elemento LED se relaciona com a sua tensão limiar por meio da equação 11, sendo a representação
da conservação de energia.

𝑒 ∙ 𝑉0 = ℎ ∙ 𝑓𝑙𝑢𝑧 (11)

Rearranjando para a constante de Planck e rescrevendo a frequência da luz, obtém-se a equação

12;

𝑒 ∙ 𝑉0 ∙ 𝜆𝑙𝑢𝑧
ℎ= (12)
𝑐

Para a seguinte pratica visa-se determinar a constante de Planck por meio dispositivo LED por
meio da sua curva característica, que relaciona a corrente elétrica circulando no aparelho e a tensão
aplicada nele. A partir dessa medida vai ser possível a determinação da energia dos fótons emitidos pelo

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elemento, baseado nas relações discutidas anteriormente. Este experimento trata-se de uma forma pratica
e accessível de ilustrar e demonstrar a aplicação dos conhecimentos da física quântica na vida cotidiana e
o desenvolvimento das tecnologias baseadas nestes conceitos e dos semicondutores, como é o caso dos
dispositivos LED e outra variedade de eletrônicos. Segundo Amorim, André e André (2014) a carga
constante dos elétrons equivale a 1,6022 × 10−19 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠 e o valor aceito da constante de Planck
de 6,62606957 × 10−34 𝐽. 𝑠(𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒𝑠. 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛𝑑𝑜)

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 2. Metodologia
Para esta pratica foram necessários os seguintes materiais
• Fonte de Tensão
• Multímetro (2)
• LED cor azul
• LED cor verde
• LED cor vermelho
• Resistor
• Fios para conexão

2.1 Procedimentos
a) Antes de realizar a montagem do circuito determinou-se a resistência pelo fabricante
do resistor de proteção fazendo a leitura das faixas de cores do elemento, tal parâmetro
foi igual a 100 Ω. Medindo a resistência com o multímetro, determinou-se 97 Ω.
b) Montou-se o circuito em serie com a fonte de tensão (Figura 15), amperímetro, resistor
de proteção e LED.
c) Posicionou-se o voltímetro de forma paralela para poder realizar a leitura da tensão
nos terminais do LED (𝑉𝐿 ), mantendo a fonte de tensão desligada.
d) Ligada a fonte de tensão se mexeu com a tensão aplicada ao circuito até chegar em
aproximadamente 2,5 V para que o LED emitisse a luz e determinou-se ascende a cor
do elemento para proceder ao analise do comportamento da corrente no circuito em
função da tensão no LED. Pode-se observar a pisca de luz na Figura 16.
e) Se mexeu a tensão da fonte (𝑉𝐹 ) tentando de modo que fosse aumentando em 0,5 V,
ate observar um salto na leitura da corrente e se procedeu a coletar as leituras da
corrente e tensão no LED.
f) Após observado um salto no valor da corrente, se procedeu a diminuição da tensão da
fonte em 0,5 V até zerar coletando as leituras de tensão e corrente no LED.
g) Desligou-se a tensão da fonte, trocou-se o LED para realizar o analise nos outros dos
elementos dos respectivos cores repetindo os procedimentos nos itens “b” ate “f”.

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 Figura 15: Circuito com LED e resistor em serie. Fonte: Os Autores, (2023)

Figura 16: Elemento LED de cor verde submetido a tensão da fonte. Fonte: Os Autores, (2023)

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 3. Resultados e Discussões
O LED de cor verde foi a primeiro a ser analisado, pois quando aplicada a fonte de tensão até 2,6
V essa foi o espectro emitido, na Tabela 1 apresentam-se as leituras da tensão e corrente coletadas durante
a variação da tensão proveniente da fonte. O LED de cor vermelho foi analisado de segundo e por ultimo
o de cor azul, as Tabela 2 e Tabela 3 apresentam os dados para estes elementos respectivamente.

Tabela 1: Leituras da Tensão e Corrente no LED verde

LED VERDE
N 𝑉𝐹 𝑉𝐿 Corrente
(V) (V) (mA)
1 0.50 0.47 0.000
2 1.10 1.08 0.000
3 1.60 1.60 0.000
4 2.10 2.11 0.020
5 2.60 2.43 1.180
6 3.30 2.71 3.910
7 4.00 2.85 7.460
8 4.80 2.96 11.64
9 5.40 3.03 15.28
10 6.00 3.10 18.90
11 6.70 3.20 36.60
Fonte: Os Autores, (2023)

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Tabela 2: Leituras de Tensão e Corrente no LED vermelho

LED VERMELHO
N 𝑉𝐹 𝑉𝐿 Corrente
(V) (V) (mA)
1 1.00 1.111 0.000
2 1.60 1.617 0.031
3 20.0 1.804 2.390
4 2.50 1.857 5.160
5 3.00 1.880 8.180
6 3.50 1.910 11.77
7 4.00 1.930 15.18
8 4.50 1.960 19.21
9 5.10 1.980 39.10
Fonte: Os Autores. (2023)

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Tabela 3: Leituras de Tensão e Corrente no LED Azul

LED AZUL
N 𝑉𝐹 𝑉𝐿 Corrente
(V) (V) (mA)
1 1.0 1.070 0.000
2 1.5 1.700 0.000
3 2.0 2.070 0.000
4 2.5 2.500 0.015
5 3.0 2.790 1.330
6 3.5 2.880 4.000
7 4.0 2.940 6.330
8 4.5 3.000 9.100
9 5.0 3.050 11.79
10 5.5 3.090 14.00
11 6.0 3.130 16.76
12 6.5 3.170 19.44
13 7.0 3.220 36.90
Fonte: Os Autores, (2023)

Observa-se nas Tabelas anteriores, para cada elemento LED respectivamente surgiram de
diferentes valores para suas tensões de barreia. Como se sabe os LED’s possuem quedas de tensão ao
redor de 1,5 V (infravermelhos) e 2,5 V (azuis) para correntes entre 10 e 50 mA (INSTITUTO FEDERAL
DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SANTA CATARINA, 2009). A corrente do LED se
encontra nessa faixa devido que é o suficiente para se gerar energia na forma de luz. Outro analise
realizado é que foi observado que à medida que se aumentava a tensão da fonte, a variação da tensão do
led (𝑉𝐿 ) era menos notória e chegou-se num ponto que a corrente sofreu um salto atingindo um valor
máximo. Utilizando os dados fornecidos nas Tabelas anteriores foram construídas as curvas características
para cada cor de LED respectivamente. A seguir as seguintes figuras representam as tensões dos
respectivos elementos em função da passagem de corrente.

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 20

 Figura 17: Curva Característica do LED Verde com a tensão aplicada. Fonte: Os Autores, (2023)

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 21

 Figura 18: Curva Característica do LED Vermelho com a tensão aplicada. Fonte: Os Autores, (2023)

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 Figura 19: Curva Característica do LED Azul com a tensão aplicada. Fonte: Os Autores, (2023)

Pode-se observar que às primeiras leituras de dados não apresentam comportamento linear, após
uns instantes, o comportamento da corrente em função da tensão começa se comportar de maneira
constante. Assim determina-se uma reta que melhor que proporcione o melhor ajuste para poder juntar
esse conjunto de dados que vão proporcionar inclinação para cima do eixo x.

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 23

 Figura 20: Região de comportamento lineal LED Verde. Fonte: Os Autores, (2023)

Figura 21: Região de comportamento linear LED Vermelho. Fonte: Os Autores, (2023)

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 24

 Figura 22: Região de comportamento linear LED Vermelho. Fonte: Os Autores, (2023)

Figura 23: Região de comportamento linear LED Azul. Fonte: Os Autores, (2023)

Determinadas as retas observam-se os pontos nas Figuras anteriores perto da reta determinada,
demonstrando a relação linear entre a corrente e a tensão durantes esses instantes. Logo se procedeu a
determinar a tensão limiar para cada elemento LED com esse conjunto de dados respectivamente, este
parâmetro é o intercepto que a reta realiza no eixo x dos gráficos apresentados para cada cor de luz emitida
respectivamente.

Laboratório de Física Geral III – Período Letivo Regular 2022.2 25

Tabela 4: Tensão Limiar para cada dispositivo LED empregado na pratica.

LED 𝑉0
(cor) (V)
Verde 2,500
Vermelho 1,775
Azul 2,700
Fonte: Os Autores, (2023)

Logo com os dados da Tabela 4 construiu-se a curva para relacionar a tensão limiar destes
aparelhos com o seu respectivo comprimento de onda. A seguir a Tabela 5 mostra os comprimentos de
onda para luz visível.

Tabela 5: Comprimentos de onda da luz visível

LED 𝜆𝑙𝑢𝑧
Cor (nm)
Violeta 380-450
Azul 450-495
Verde 495-570
Amarelo 570-590
Alaranjado 590-620
Vermelho 620-750
Fonte: (YOUNG; FREEDMAN; A LEWIS FORD, 2020)

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 A Tabela 6 apresenta a média dos comprimentos de onda para as cores de luz emitidos no nosso
experimento.

Tabela 6: Típicos comprimentos de onda para os respectivos cores de LED.

LED 𝜆𝑙𝑢𝑧
Cor (nm)
Vermelho 685,0
Azul 472,5
Verde 532,5
Alaranjado 605,0
Fonte: Os Autores, (2023)

Por meio da equação 12 a tensão limiar pode-se relacionar com a constante de Planck rearranjando
a expressão, dessa forma por meio da equação 13 a relação entre a tensão limiar e a constante de Planck
por meio do comprimento de onda se expressa;

𝑐∙ℎ 1
𝑉0 = ∙ (13)
𝑒 𝜆𝑙𝑢𝑧

Sendo assim se converteram em unidades do sistema internacional os respectivos comprimentos

de ondas e foram juntadas as tensões limiares dos respectivos LED e os seus comprimentos de onda na
Tabela 7.

Tabela 7: Valores de tensão limiar e valores de comprimento de onda para cada cor respectivamente.

LED 𝑉0 𝜆𝑙𝑢𝑧 1/𝜆𝑙𝑢𝑧

Cor (V) (m) (𝑚−1 )
Vermelho 1,775 6.85× 10−7 1459854,015
Verde 2,500 5.33× 10−7 1877934,272
Azul 2,700 4.73× 10−7 2116402,116
Fonte: Os Autores, (2023)

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 Como discutido pela relação da tensão limiar com o comprimento de onda da luz emitida, assim,
realizou-se a plotagem da curva da tensão limiar em função do reciproco do comprimento de onda. A
Figura 23 apresenta tal comportamento destes parâmetros. Para essa curva aplicou-se uma regressão linear
aos dados com a finalidade de obter uma reta que se encaixe de forma mais adequada a eles, isto se observa
na mesma Figura 23 apresentada.

Tensão Limiar dos LED em função do inverso do comprimento de

onda
3.000
2.700
2.500
2.500

2.000 1.775
Tensão (V0)

1.500
y = 1445736E-06x - 0.3034
1.000 R² = 0.9746

0.500

0.000
0 500000 1000000 1500000 2000000 2500000
1/λ (mˉ¹)

Figura 24: Tensão limiar em função do reciproco do comprimento de onda do LED. Fonte: Os Autores, (2023)

Por meio da relação estabelecida na equação 13, a curva da tensão limiar em função de 1/𝜆𝑙𝑢𝑧 que
se reproduza possui inclinação de hc/e. Assim com a inclinação da reta determinada na figura 23 se
procedeu a determinação para a constante de Planck.

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 Na equação de reta apresentada na Figura 23 tem-se para inclinação o seguinte

𝑐∙ℎ
𝑚= (14)
𝑒

Finalmente resolvendo para a constante de Planck

𝑚∙𝑒
ℎ= (15)
𝑐

(1,445736 × 10−6 ) ∙ (1,6022 × 10−19 )

ℎ=
2,9979 × 108

ℎ = 7,7266 × 10−34 𝐽. 𝑠

Comparando com o valor teórico, segundo Young; Freedman; A Lewis Ford, (2020), de
6.62607015 × 10−34 𝐽. 𝑠, um erro relativo percentual de 16,61%.

7,7266 × 10−34 𝐽. 𝑠 − 6,62607015 × 10−34 𝐽. 𝑠

𝐸𝑟𝑟𝑜 𝑅𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ∙ 100% = 16,609 %
6,62607015 × 10−34 𝐽. 𝑠

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 4. Conclusões
Em conclusão, o experimento realizado permitiu determinar a constante de Planck usando
a técnica de emissão de luz de LED. Conforme o proposto no trabalho, a medição do valor da
constante foi determinada, resultando em ℎ  =  7,7266𝑥10−34  𝐽. 𝑠, não havendo um distanciamento
significativo entre o valor calculado e o observado na literatura existente, que é de ℎ  =
 6,626𝑥10−34  𝐽. 𝑠, com um erro de aproximadamente 16,61%. Dessa forma, destaca-se que a
metodologia adotada foi satisfatória para a medição desses dados, e denota quão complexo pode
ser determinar a constante por diferentes cores. Já que, cada cor tem seu comprimento de onda,
com os valores iniciais de tensão e corrente para cada LED e sua devida importância, pois as
mesmas definem a partir de quais pontos os fótons são liberados em suas respectivas cores
Para um melhor acerto dos resultados, se sugere utilizar equipamentos com uma qualidade
mais elevada de precisão nas medições dos dados, e um maior número de LED's, para que possam
ser coletados mais dados para o potencial de corte para os respectivos comprimentos de onda,
sendo assim poderão ser obtidos valores ainda mais precisos.
Além disso, o experimento permitiu a análise das características elétricas dos LEDs,
incluindo a tensão de polarização direta. Enquanto ao processo de fabricação de um LED, ele
envolve o uso de materiais semicondutores, como o arseneto de gálio e o fosfeto de gálio, que
possuem bandas de energia proibidas entre as bandas de valência e condução. Pelo que, quando
uma tensão é aplicada, elétrons são injetados na banda de condução, onde se recombinam com
lacunas, emitindo fótons de luz. Nesse sentido, a relação entre a energia do fóton e a frequência
da luz é dada pela constante de Planck, e essa relação foi utilizada para determinar o valor da
constante. No contexto da física dos semicondutores, a constante de Planck é fundamental para
descrever o comportamento dos elétrons e lacunas nos materiais. A determinação precisa da
constante é importante para a caracterização e para o desenvolvimento de tecnologias eletrônicas
baseadas nos mesmos.
Por fim, em um ponto de vista didático a experiência foi bem-sucedida, devido que a
através da prática se demonstrou uma das formas utilizadas para chegar a tal famosa constante, e
assim, colocando em prática o conhecimento necessário para montar um circuito simples
empregando LED’s, permitiu determinar algo tão fundamental e extraordinário como a constante
de Planck.

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 5. Referencias

• AMORIM, Maria Rute de; ANDRÉ, Sá Ferreira; ANDRÉ, Paulo Sérgio de Brito. Classroom
fundamentals: measuring the planck constant. Science In School: The European journal for science
teachers. [S.I.], p. 28-33. 20 fev. 2014. Disponível em: https://www.scienceinschool.org/wp-
content/uploads/2014/11/issue28_planck.pdf. Acesso em: 01 maio 2023.
• KANSAS STATE UNIVERSITY PHYSICS EDUCATION RESEARCH GROUP (Kansas).
Kansas State University. Using LEDs to Measure Planck’s Constant. [2001]. Disponível em:
https://web.phys.ksu.edu/vqm/instruct/S&L/12Meas_Plancks_Constant.pdf. Acesso em: 1 maio
2023
• INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SANTA
CATARINA (Santa Catarina). Secretaria de Educação Profissional e Tecnológica (org.). Diodos.
Disponível em:
https://wiki.sj.ifsc.edu.br/images/2/21/Introdu%C3%A7%C3%A3o_Diodos_2009_1_modificada
2.pdf. Acesso em: 1 maio 2023
• D, W.; RETHWISCH, D. G. Materials science and engineering: an introduction. Brantford, Ont.:
W. Ross Macdonald School Resource Services Library, 2016
• YOUNG, H. D.; FREEDMAN, R. A.; A LEWIS FORD. Sears and Zemansky’s University
Physics: With Modern Physics. Harlow, United Kingdom: Pearson Education Limited, 2020.

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