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1. Objetivos:
2. Introdução ao Experimento:
Figura 2.1.1 – (a) Circuito simples com uma lâmpada ligada a uma fonte, que mostra o sentido convencional da
corrente, que vai do polo positivo da bateria para o polo negativo. (b) Representação do campo elétrico 𝐸⃗⃗ e da densidade
de corrente 𝐽⃗ em um condutor com seção reta uniforme. Figuras retiradas da Ref. [1].
De maneira errônea, usa-se definir a Lei de Ohm como sendo 𝑉 = 𝑅𝐼. Entretanto,
essa “lei” não é seguida por todos os materiais. Na verdade, ela é um caso especial da Lei de
Ohm, que é definida à partir da relação entre 𝐽⃗ e 𝐸⃗⃗ . Em outras palavras, a densidade de
corrente em um condutor isotrópico depende do campo elétrico e das propriedades do
material. Matematicamente, portanto, a lei de Ohm é escrita como:
𝐽⃗ = 𝜎(𝐸)𝐸⃗⃗ , Eq. 5
onde 𝜎 é a condutividade, que depende do material e é medida no SI como (Ω. 𝑚)−1 . Se
𝜎(𝐸) = 𝜎, isto é, a condutividade possui um valor constante e independe de 𝐸⃗⃗ , resultando
em 𝐽 linearmente proporcional a 𝐸, o material é dito ôhmico e segue a equação definida na
primeira linha dessa seção. Assim, a resistividade 𝜌 pode ser definida pela lei de Ohm
simplificada pela equação:
𝐸
𝜌 = 𝐽, Eq. 6
na qual 𝜌 = 1/𝜎 depende do material e independe de 𝐸⃗⃗ . Do ponto de vista das unidades,
𝑉 𝐴 𝑉
temos que [𝐸] = 𝑉/𝐿 e [𝐽] = 𝐴/𝐿2, assim a resistividade [𝜌] = 𝐿 / 𝐿2 = 𝐴 . 𝐿, que no SI é
dado por Ω. 𝑚.
Como é mais fácil medir a tensão e a corrente em um circuito, define-se a razão entre
essas grandezas como a resistência elétrica 𝑅:
𝑉
𝑅= Eq. 7
𝐼
cuja relação com a Eq. 6 para um condutor com seção reta uniforme, como o mostrado na
Figura 2.1.1(b) com 𝐸 = 𝑉𝐿 e 𝐽 = 𝐼/𝐴, é igual a:
𝐿
𝑅=𝜌 Eq. 8
𝐴
com 𝐿 e 𝐴 sendo o comprimento e a área do condutor.
Microscopicamente, a fonte da resistividade dos metais advém da existência dos
chamados centros espalhadores dos elétrons de condução, isto é, de defeitos inerentes à
estrutura cristalina dos metais. Ou seja, o aumento do número de centros espalhadores
aumenta a sua resistividade e, portanto, diminui a sua condutividade. Experimentalmente,
observou-se que a resistividade total 𝜌𝑇 de um metal é a soma de diferentes contribuições,
tais como das vibrações térmicas (𝜌𝑡 ), das impurezas (𝜌𝑖 ), deformação plástica (𝜌𝑑 ), etc.
Numericamente, essa soma das resistividades é também chamada de Regra de Matthiessen,
sendo igual a:
𝜌𝑇 = 𝜌𝑡 + 𝜌𝑖 + 𝜌𝑑 + ⋯ Eq. 9
A primeira contribuição diz respeito à variação da temperatura em um condutor. À
medida que a temperatura aumenta, aumenta-se a probabilidade de colisões dos elétrons
com os íons do material, que vibram com uma amplitude mais elevada. Para intervalos de
aproximadamente 100oC em torno da temperatura ambiente, a resistividade de um metal
pode ser aproximada pela equação
𝜌(𝑇) = 𝜌0 [1 + 𝛼(𝑇 − 𝑇0 )] Eq. 10
em que 𝜌0 é a resistividade para uma temperatura de referência 𝑇0 e 𝛼 denomina-se o
coeficiente de temperatura da resistividade.
Como última observação, se o condutor tiver um perfil não-uniforme, isto é, uma
seção transversal que varia no espaço, como em uma cunha, a sua resistência deve ser
calculada levando em conta que a sua área varia com a posição. Em outras palavras, uma
integração da Eq. 8 deve ser realizada.
Figura 2.4.1 – Exemplos de curvas características IV de diferentes dispositivos para resistores com (a) baixa resistência
e (b) alta resistência, (c) diodo semicondutor e (d) bateria real.
Neste experimento, esse tipo de curva será usado para discutir o comportamento de
diferentes componentes elétricos e também de diferentes fios metálicos a serem estudados.
Figura 2.5.1 – Representação esquemática do método de duas e quatro pontas para medidas da resistência e
determinação da resistividade elétrica.
Figura 3.1.1: (a) Caixa de montagem ou protoboard utilizada nesta disciplina. (b) Exemplo de protoboard comercial.
Todo elemento a ser adicionado a um circuito deve ficar entre dois desses quadrados
como esquematizado na Figura 3.1.2. As cinco conexões em curto (contatos ou bornes)
contornados pelo quadrado em vermelho podem ser entendidas como nós naquele ponto em
particular. A fonte de tensão ou o gerador de funções é externa à caixa e alimentará o circuito
através da conexão entre os fios vermelho (polo positivo) e preto (polo negativo ou terra
quando for o caso).
Figura 3.1.2 - Esquema de um circuito com fonte de tensão e três resistores em série e circuito real montado na
protoboard, com um aumento do primeiro resistor.
Figura 3.3 – Multímetro devidamente configurado para a medição de corrente DC na faixa de mA ou A.
4. Roteiro:
[1] Sears, F. W., Zemansky; M. W.; Young, H. D.; Freedman, R. A. Física III: Eletromagnetismo,
12a. ed., São Paulo: Addison Wesley, 2009, 425 p.
[2] Nussenzveig, H. M. Curso de Física Básica, vol. 3, São Paulo: Edgard Blucher, 2002, 328 p.
[3] R. A. Serway e J. W. Jewett Jr. Física: para cientistas e engenheiros, 3ª ed., São Paulo:
Cengage Learning, 2008. v. 3.
[5] Dieter K. Schroder. Semiconductor material and device characterization. Wiley: Nova
Jersey, 3a ed., 2006, 779 p. Capítulo de interesse: Capítulo 1 - Resistivity.