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1.1 Conceitos
q
i
t
dq
i= , onde q a carga (Coulomb C) e i corrente (Ampres A)
dt
Na equao acima, a carga pode ser obtida pela operao inversa da derivada, a
dq= idt
q= idt
Graficamente a operao de integral corresponde ao clculo da rea abaixo de uma
curva.
w
v
q
dw
v= , onde w energia, (Joule J) e v tenso (Volts V)
dq
dw
p= , onde p potncia (Watts W).
dt
dw dw dq
p= = =vi
dt dq dt
1.1.5 Modelos
Leis que relacionam correntes e tenses em circuitos concentrados (um caso particular
das equaes de Maxwell).
A Lei das Correntes de Kirchhoff (LCK) diz que para qualquer circuito de elementos
concentrados, para qualquer dos seus ns e para qualquer instante de tempo, a soma algbrica
de todas as correntes de brao saindo de um n zero. Adotaremos como conveno que
correntes saindo do n so positivas e correntes chegando ao n so negativas.
A Lei das Tenses de Kirchhoff (LTK) diz que para qualquer circuito eltrico
concentrado, para qualquer de seus percursos fechados e para qualquer instante de tempo a
soma algbrica das tenses de brao ao redor de qualquer percurso fechado zero.
Adotaremos como conveno que os braos cujos sentidos de referncia concordam com o
sentido em que percorremos um caminho fechado so positivos e os que no concordam so
negativos.
Supondo que exista uma corrente circulando pelo circuito da figura abaixo de se
esperar que a corrente por cada elemento de circuito seja igual em mdulo (LCK). Desta
forma no haver acumulo de cargas nos ns A e B.
Tambm de se esperar que a diferena de tenso sobre cada elemento do circuito seja
a mesma, assim, o somatrio das tenses no caminho formado nulo (LTK).
Esta situao est bem representada na figura. Observe que, desta forma, um elemento
de circuito apresenta os sentidos de referncia adotados e o outro elemento no. O elemento
que apresenta os sentidos de referncia estabelecidos tem corrente e tenso positivas,
resultando em potncia positiva (p>0). Isto significa que este elemento est absorvendo
(dissipando ou armazenando) energia.
Este exemplo pode ser generalizado: Toda vez que um elemento de circuito apresentar
potncia positiva ele est absorvendo energia e toda vez que um elemento de circuito
apresentar potncia negativa ele est fornecendo energia.
1.6 Exerccios
1) Uma antena de rdio, com 3 m de comprimento est sendo irradiada por uma onda
eletromagntica com frequncia de 100 MHz. Podemos estudar esta antena utilizando as leis
de Kirchhoff?
15
10
5
potncia (W)
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
-5
-10
-15
tempo (s)
4,5
4
3,5
3
tenso (V)
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
tempo (s)
1.7 Solues
1) Uma antena de rdio, com 3 m de comprimento est sendo irradiada por uma onda
eletromagntica com frequncia de 100 MHz. Podemos estudar esta antena utilizando as leis
de Kirchhoff?
v 3108
= = =3m .
f 100106
Como o comprimento da antena de 3 m este circuito no pode ser analisado pelas leis
de Kirchhoff. Observe que para um mesmo instante de tempo mas em dois pontos da antena,
distantes 2 m um do outro, temos tenses diferentes para cada ponto. Isto leva a uma
circulao de corrente pela antena que no pode ser explicada pelas leis de Kirchhoff.
8
v A=v0sen 210 t
v B=v0sen 2108t
4
3 .
N 1: I1-I4+IX=0
N 2: -I1-I2+I3=0
N 3: -I3+I4+I5=0
No4: I2-I5+IY=0
Malha 2: -V6+V4+V3=0
Malha 3: -V3-V5+V2=0;
Para as tenses
Para as correntes
p1=V1I1=11m=1mW
p2=V2I2=2-2m= -4mW
p3=V3I3=31m= 3mW
p4=V4I4=V4(-I1)= -1(-1m)=1mW
10
potncia (W)
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
-5
-10
-15
tempo (s)
[0;1]: w=5t 2
[1;2]: w=510t 1
[2;3]: w=1510t2
[3;): w=5
4,5
4
3,5
3
tenso (V)
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
tempo (s)
[0;1]: i=5t
(2;3): i=5
(3;): i=indeterminado
1
R=G
f x =f x
f x 1x 2 = f x 1 f x 2
R=0 . Isto significa que a diferena de tenso entre dois terminais de um curto
circuito zero, independente da corrente que circula por este elemento. Idealmente o curto
circuito representado por um fio. Num grfico v x i o curto circuito se caracteriza por ser
uma reta paralela ao eixo da corrente e que passa pela origem.
Aquele que apresenta uma relao linear entre tenso e corrente porm com
dependncia temporal para o valor do resistor.
Observe que para cada instante de tempo a resistncia um valor constante, logo a
resistncia linear, porm este valor varia com o tempo.
Aqueles que apresentam uma relao no linear entre tenso e corrente porm so
invariantes com o tempo (no so funes do tempo).
2.3.1 Interruptor
Uma chave ideal pode ser modelada por por um curto circuito ou por circuito aberto
dependendo de estar fechada ou aberta respectivamente. Um modelo mais realstico pode
representar as resistncia de contatos eltricos (R1) quando a chave est fechada e uma
resistncia de isolao (R2) de quando a chave esta aberta. Outros modelos para a chave
podem ser utilizados, como na figura abaixo.
2.3.2 Diodo
it =I e
qv t
KT
S 1
KT
onde 26mV para a temperatura ambiente.
q
Tanto o diodo comum como o diodo tnel apresentam curvas no simtricas com
relao a origem o que significa que estes elementos tem polaridade.
v =v R1v R2
v =IR 1IR2
v= I R1R2
v =IR EQ
R EQ=R 1R2
i TOTAL=i R1i R2
i TOTAL=vG 1vG 2
i TOTAL=vG1G2
i TOTAL=vG EQ
G EQ=G 1G2
Observe na figura abaixo que a curva v x i da fonte de tenso uma reta paralela ao
eixo da corrente, como se fosse um curto circuito (a resistncia de uma fonte de tenso ideal
zero) porm esta curva no passa pela origem, ou seja no tem um comportamento linear.
Correntes positivas esto associadas ao sentido de referncia mostrado na figura acima e nesta
regio a fonte absorve energia (p>0) ou seja, esta sendo carregada. Quando a corrente
negativa (sentido contrario ao de referncia) a fonte fornece energia (p<0).
v vo
v i=Rsivo ou i v=
Rs Rs
Fontes de corrente reais apresentam uma diminuio da corrente de sada a medida que
a tenso nos terminais da fonte aumenta. A figura abaixo apresenta um modelo de uma fonte
de corrente real, representada por uma fonte de corrente ideal io e uma resistncia RS. Esta
fonte est sendo utilizada para alimentar a carga RL. Desenhe o grfico de v com relao a i.
obtida para o exemplo de fonte de tenso real com vo=10V e RS =10 . Se estes dois
circuitos apresentam a mesma caracterstica v x i ento os dois circuitos so equivalentes do
ponto de vista dos seus terminais.
Para substituir um equivalente Thvenin por um Norton e vice versa basta comparara
as equao de cada equivalente. Comparando as equaes de tenso
v i=RsiRsio , v i=Rsivo
v v vo
i v= io , i v=
Rs Rs Rs
vo 1
observa-se que io= , a inclinao do grfico i(v) e seu intersepto io .
Rs Rs
vs
i TOT =
R1R 2R3
v=i TOTR2
vs
v= R
R1 R2R3 2
vs
Genericamente v i = R
Rn i
Outro problema muito comum o clculo de uma determinada corrente num circuito
paralelo entre uma fonte de corrente e resistores, como ilustrado na figura abaixo.
is
v TOT =
G 1G 2G 3
i 1=v TOTG 1
is
i 1= G
G 1G 2G 3 1
2.10 Exerccios
10) Abaixo so apresentadas duas redes resistivas: uma rede chamada T ou Y e outra
rede chamada ou . Dependendo dos valores dos resistores estas redes podem ser
equivalentes do ponto de vista dos terminais A, B e C. a) Determine os valores de RA, RB e
RC para que a rede Y seja equivalente a uma dada rede . b) Determine os valores de R1, R2
e R3 para que a rede seja equivalente a uma dada rede Y.
2.11 Soluo
dv
=R=50+1,5i 2
di
2
R(10mA)=50+1,5i =50,00001 , v= Ri=0,500001V
**Isto faz sentido? Como explicar estes nmeros? Usando a expresso da resistncia o
erro no deveria estar prximo de 0%? Como escolher o melhor valor de resistncia para
linearizar este resistor?
R2R3
Circuito da esquerda: Req=R1
R2R3
R4 R2R3
Circuito da direita: Req=R1
R4R2R3
v 2 =25 V , v 1=1V
Circuito da esquerda igual a uma fonte de tenso de valor V1. Circuito da direita igual
a uma fonte de corrente de valor I1.
10) Abaixo so apresentadas duas redes resistivas: uma rede chamada T ou Y e outra
rede chamada ou . Dependendo dos valores dos resistores estas redes podem ser
equivalentes do ponto de vista dos terminais A, B e C. a) Determine os valores de RA, RB e
RC para que a rede Y seja equivalente a uma dada rede . b) Determine os valores de R1, R2
e R3 para que a rede seja equivalente a uma dada rede Y.
R1 R2R3 R1R2R1R3
R AC = R1 // R2R3= =
R1R2R3 R1R2R3
R2 R1R3 R1R2R2R3
R AB= R2 // R1R3= =
R1R2R3 R1R2 R3
R3 R1R2 R1R3R2R3
R BC =R3 // R1R2= =
R1R2 R3 R1R2R3
R1R2 R1R3
RARC= (1)
R1R2R3
R1R2R2R3
RARB= (2)
R1R2R3
2 2 3
R1R2 R3 R1 R2R3 R1R2R3
RARB= , RARC= 2 , RBRC =
RT 2
RT RT 2
2 2 2
R1R2 R3R1 R2R3R1R2R3
RARBRARC RBRC=
RT 2
2 2 2
1 1 R1R2 R3R1 R2R3R1R2R3
RARBRARC RBRC=
RA RA RT 2
1 RT R1R22R3R12R2R3R1R2R32
RARBRARC RBRC=
RA R1R2 RT 2
RARBRARCRBRC R2R3R1R3R3 2
=
RA RT
RARBRARCRBRC R3 R2R1 R3
=
RA R1R2R3
RARBRARC RBRC
R3= ,
RA
RARBRARCRBRC
R1=
RB
V 12=V 1V 2=104=6V
Req =
1
1
1
R1 R3R5 R2 =1,14 , e I eq=I 12I 1=310=13 A .
v sR1
v RL= RLgmv1 e v 1=
R1R 2
v sR1
v RL= RLgm com polaridade positiva para baixo.
R1R 2
Soluo:
v2 v1
vL = RL = RL
R2 + RL R2 + RL
vS
v 1= R
RS R1 1
v SR1R L
v L=
R L R2 R SR1
14) Para o circuito abaixo calcular a impedncia vista pela fonte de corrente
Soluo:
V L 1aI 1RL
RE= = =1aR L
IS IS
v iv o
i 1=
R1R2
v iv o
v _=i 1R 2v o= R v
R1R 2 2 o
v iR 2v oR1
v _=
R1 R2
v o= A v + v _
como v + =0 , v o =Av _
R2
v o = v
R1R 2 i
R1
A
R2
se lim v o= v
A R1 i
Observe que se A tende a infinito e a sada v o finita ento a diferena de tenso entre
as duas entradas do amplificador operacional obrigatoriamente deve ser ser nula.
Considerando antecipadamente as duas entradas do operacional com o mesmo potencial
podemos resolver o problema da seguinte forma:
v + =v _ =0 logo
vi v
i 1= = o , ento
R1 R2
R2
v o = v .
R1 i
v + =v _ =0
v i0 0v o
i 1= =
R1 R2
R2
v o = v
R1 i
v 0v i v i
i R1=i R2= =
R2 R1
v o=
R2
R1
1 v i
Apesar das leis de Kirchhoff se aplicarem a todas as classes de problemas que sero
estudados neste disciplina nem sempre seu uso direto. Algumas vezes necessrio montar
sistemas de equaes para solucionar um determinado problema. Computacionalmente
falando isto no representa um problema porm para anlise manual de circuitos a soluo de
sistemas de equaes com ordem superior a trs pode se tornar bastante trabalhosa.
Adicionalmente, durante o projeto de circuitos estas tcnicas podem no ser de muita
utilidade.
Para nossa sorte, muitas vezes possvel calcular uma determinada varivel de rede
simplificando a rede original. Isto pode ser realizado utilizando-se alguns teoremas,
associaes e transformaes de elementos. Estas simplificaes podem ser aplicadas sem
medo desde que a resposta desejada no se encontre junto aos elementos simplificados.
Quando as simplificaes forem realizadas eliminando ou modificando a resposta desejada
deve se ter o cuidado de retornar ao problema original para desfazer as simplificaes iniciais.
Seja uma rede linear, que apresente apenas uma resposta para o conjunto de excitao
(conjunto de fontes independentes que excita o circuito), independente dos elementos serem
variveis ou no com o tempo, ento a resposta da rede causada por vrias fontes
independentes a soma das respostas devidas a cada fonte independente agindo sozinha.
Exemplo: Calcular V 1 e V 2 .
2
logo 3i2=4i1 , de onde se obtm i= A
3
2 14
Ento: v 1= V e v 2 =23i= V
3 3
ento v 2 =
[ vs
R1R2 ] 4 2 14
R2 [ i sR EQ ] = 23 = V e
3 3 3
v 1=
[ vs
R 1 R2 ] 4 2 2
R1 [ i sR EQ ] = 1 3 =
3 3 3
V
Seja uma rede linear ligada a uma carga por dois de seus terminais de forma que a
nica interao entre rede e carga se d atravs destes terminais, ento o teorema de Thvenin-
Norton afirma que as formas de onda de tenso e corrente nestes terminais no se afetam se a
rede for substituda por uma rede Thvenin equivalente ou Norton equivalente.
Para se obter esta rede equivalente basta determinar a relao v x i nos terminais da
rede. Isto pode ser realizado de forma genrica aplicando-se uma fonte de corrente de valor I
nos terminais da rede e determinando a equao da tenso sobre esta fonte.
V AB =ixR4 =ix3
15 15
ix= =
1023 11
15 45
V AB = 3= V
11 11
1 3
ento ix= i T e I R5= i T (divisor de corrente)
4 4
1
v sR3i T 2 i T R EQi T =0
4
15 60
iT = =
2 3 41
10
4 4
3 60 45
I R5= = A
4 41 41
Com dois pontos da curva v x i podemos calcular facilmente a resistncia para os dois
modelos. Para evitar problemas vale a pena redesenhar os modelos e identificar os elementos
de cada um.
V AB 45 /11 41
Rs= = =
I 45 /41 11
Uma fonte de tenso independente que tenha um de seus terminais ligados a mais de
um elemento de circuito pode ser desmembrada, removendo este n desde que cada elemento
permanea interligado em srie com uma fonte de tenso de mesmo valor e polaridade. A
figura abaixo ilustra o fato. Uma fonte v se conecta aos resistores R1 e R2 . Ela pode ser
desmembrada em duas fontes em paralelo de mesmo valor e polaridade e, finalmente,
separadas de forma que cada uma fique em srie com um dos resistores R1 ou R2 . Do ponto
de vista de circuito as formas de onda de tenso e corrente nos terminais A, B e C
permanecem inalteradas.
Exemplo: No circuito abaixo deseja-se calcular o valor da corrente I mas sem montar
um sistema de equaes pela LCK nem LTK. Mostre uma forma de fazer.
3.3.1 Anlise de ns
para o n A
i 1i 2=is1
v A0 v A v B
=is1
R1 R2
para o n B
i 3i 4i 5=0
v B v A v Bvs 1 v B 0
=0
R2 R4 R5
v A
1
R2
1
v B
1
R3 R4
=vs 1
1
R4
Desta forma obtemos um sistema de equaes com duas incgnitas e duas equaes
que pode ser resolvido sem maiores problemas. Como soluo para o problema obteremos as
tenses em cada n. As correntes de cada ramo ficam definidas pela tenso e pelo valor da
resistncia, ou pelo valor da fonte de corrente.
Observe que h uma lei de formao para o sistema de equaes obtido, de forma que
ele poderia ter sido obtido por inspeo da rede. Para um determinado n N a equao obtida
da seguinte forma: A tenso do n N multiplicada pelo somatrio das condutncias que vo do
n N aos nos J. Esta parcela subtrada das tenses nos ns J multiplicadas pelas
condutncias que interligam os ns J ao n N. O resultado igual a soma das fontes de
correntes que saem do n N multiplicadas por 1.
v N G NJ v JG JN = i N
Um outro mtodo de analisar uma rede genrica o mtodo das malhas. Para ilustrar
sua aplicao considere a figura a seguir.
para a malha 1
para a malha 2
para a malha 3
v R7 v3v R4 v R2=0
Que resulta num sistema com trs equaes e trs incgnitas que pode ser resolvido de
forma simples. As correntes de ramo podem ser determinadas por uma simples relao
algbrica entre correntes de malha.
i1=IM1
i2=IM2
i3=IM3
i4=IM1 IM2
i5=IM2IM3
As tenses de ramo podem ser obtidas a partir dos valores das fontes de tenso e das
quedas de tenso sobre os resistores. A tenso sobre as fontes de corrente deve ser
determinada pela lei das tenses de Kirchhoff.
Observe que h uma lei de formao para o sistema de equaes que determinam as
correntes de malha de modo que ele poderia ter sido obtido por simples inspeo da rede. Para
uma determinada malha M a equao obtida da seguinte maneira: A corrente da malha M
multiplica o somatrio de todas as resistncia que compe a malha. Esta parcela deve ser
subtrada das demais correntes de malha multiplicas pelas resistncia em comum com a malha
M. O resultado igual ao somatrio das fontes de tenso da malha multiplicadas por 1.
i M RMJ i JR JM = v M
Toda a anlise de ns e malhas pode ser sistematizada ainda mais se for utilizada a
teoria e grafos e notao matricial. As prximas seces apresentam esta abordagem como um
exemplo de como esta sistematizao pode simplificar e muito a anlise de redes. Como ser
visto todos as redes podem ser resolvidas a partir de uma s equao entretanto todo o
trabalho de anlise passa a ser um problema matemtico. Esta abordagem, portanto, se aplica
muito bem a simulao e anlise computacional de redes.
3
2 5
5 4
Os grafos tambm podem ser ligados se existir ao menos um brao entre quaisquer
dois ns. Um grafo ligado chamado de uma parte separada, assim os grafos no ligados
possuem ao menos duas partes separadas. Um corte um conjunto de braos que quando
removidos do grafo original resultam em um grafo com uma parte separada a mais porm, se
um dos braos do conjunto for mantido o grafo resultante continua com o mesmo nmero de
partes separadas do grafo original.
Usando a nomenclatura de grafos a lei das correntes de Kirchhoff pode ser enunciada
como Para qualquer rede de parmetros concentrados, para qualquer de seus cortes, e a
qualquer instante, a soma algbrica de todas as correntes atravs dos braos do corte
zero.
A figura abaixo mostra um grafo ligado onde uma superfcie S corta o grafo em duas
partes separadas. Os braos 1, 2 e 3 formam este corte. Se ao menos um destes trs braos no
forem removidos ento o grafo continua ligado.
8 7
1 2 3
5 8
1 2 3
i 1 t i 2 t i 3 t =0
N 1: i 1 i 5 i 6 =0
N 2: i 2 i 5i 7i 8=0
N 3: i 3 i 8 =0
N 4: i 6 i 7 =0
i 1 i 2 i 3 =0
Da mesma forma podemos definir lei das tenses de Kirchhoff usando a nomenclatura
de grafos: Para qualquer rede de parmetros concentrados, para qualquer de seus
Para uma rede de parmetros concentrados cujo grafo tenha b braos e n ns.
Arbitremos para cada brao do grafo uma tenso de brao vK e uma corrente de brao iK e
suponhamos que vK e iK sejam medidos a partir de um sentido de referncia associado. Se as
tenses e as correntes de brao satisfazes a LTK e a LCK respectivamente ento:
b
v Ki K =0
K=1
ou seja, toda a potncia fornecida pela rede consumida na prpria rede. Em outras
palavras as leis de Kirchhoff implicam em conservao de energia.
1 2 3
1 4
3
2 5
5 4
A j=0
e pela LTK a tenso v em cada brao da rede pode ser obtida matricialmente como
v= ATe
Para concluir o equacionamento das tenses dos ns de uma rede ser definido um
brao genrico contendo uma resistncia, um modelo Thvenin ou Norton conforme
apresentado na figura abaixo. Para a continuidade da anlise imprescindvel que haja ao
menos uma resistncia no ramo mas caso isto no ocorra, deve-se utilizar tcnicas de exploso
de fontes para que a condio seja satisfeita.
A corrente no ramo genrico que est sendo definido nesta seco pode ser
equacionado como
A mesma equao pode ser reescrita matricialmente para todos os ramos, assim a
equao acima pode ser reescrita como
j=Gv j s Gv s
A j=AGv Aj s AGv s
0=AGv Aj s AGv s
T
0=AGA e A j s AGv s , ou
AGATe= AGv s A j s
[
1 1 0 0 0 j2 0
A j= 0 1 1 1 0 j 3 = 0
0 0 0 1 1 j 4
j5
0 ] []
e a LTK como
[ ][ ]
1 0 0
1 1 0 e1
T
v= A e= 0 1 0 e2
0 1 1 e 3
0 0 1
j=Gv j sGv s
[ ] [ ][ ] [ ] [ ] [ ]
j1 2 0 0 0 0 v1 2 2 0 0 0 0 0
j2 0 1 0 0 0 v2 0 0 1 0 0 0 0
j3 = 0 0 3 0 0 v3 0 0 0 3 0 0 0
j4 0 0 0 1 0 v4 0 0 0 0 1 0 0
j5 0 0 0 0 1 v5 0 0 0 0 0 1 1
AGATe= AGv s A j s
Y ne=i s
T
onde Y n= AGA e i s=AGv s A j s .
Assim
[ ]
1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0
Y n= 0 1 1 1 0 0 0 3 0 0 0 1 0
0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1
0 0 0 0 1 0 0 1
[ ]
3 1 0
Y n= 1 5 1 e
0 1 2
[]
2
i s= 0
1
Logo, as equaes de n, que podem ser obtidas diretamente pelas tcnicas descritas
no captulo anterior, so
[ ][ ] [ ]
3 1 0 e 1 2
1 5 1 e 2 = 0 .
0 1 2 e 3 1
Portanto
e=
25 [ ]
1 17
1
12
[]
17
16
T 1
v= A e= 1
25
13
12
j=Gv j sGv s
[ ]
1 1 1 0 0 0
M = 0 0 1 1 1 1
1 1 0 1 1 1
Mv =0
e pela LCK as correntes de ramo podem ser obtidas pelas correntes de malha como
j=M Ti
Mais uma vez a abordagem que est sendo apresentada requer a definio de um ramo
padro de circuito como apresentado na figura abaixo.
v k =v sk Rk j sk R k j k
Esta equao pode ser reescrita para todos os ramos na forma matricial como
v= Rbj Rb j sv s .
Mv =MRb j M Rb j sM v s
0=M Rb j M Rb j sMv s
MRbM Ti=MRb j s v s
3.7 Exerccios
7) No circuito abaixo determine a potncia dissipada pelo resistor R6. Para tanto,
simplifique o circuito at obter apenas duas malhas. Aps, resolva o problema utilizando o
mtodo das correntes de malha.
G G3G4
I 1 2
I 1G EQ 1 G 2G3G 4 1
Para I1: V I1= =
G1G EQ G3G4 G G3G4 G3G4
G 1 2
G2 G3G 4
V =V I1V V1
V 1 R2i 2
De 1: i= (3)
R1R2
Substituindo 3 em 2:
R2 i
V 1R2i 2
R1R2
V 2 R3iV =0
R2 R2V 1
RTH =R2 R3 , V TH = V 2
R1R2 R1R2
V TH iRTH 2600100i 2 =0 .
e V =2600100i 2
V 2 V DOWN V 2V 1
=0
R3 R
V 1V 2 V 1V UP
=0
R R3
V X V UP V X V O
=0
R1 R2
es
I ES = em paralelo com o resistor R1. O sentido da corrente I ES para baixo.
R1
a) i S =4A para cima e I ES =5A para baixo. O diodo estar cortado pois as correntes
por R1 e R2 s poderiam circular de baixo para cima. Logo, o diodo uma chave aberta e
V =0V . No possvel resolver por superposio, pois neste caso o diodo conduziria para i S
.
b) i S =10A para cima e I ES =5A para cima. O diodo estar conduzindo pois as
correntes por R1 e R2 circulam de cima para baixo. Logo, o diodo uma chave fechada e a
corrente se divide entre as resistncias.
Simplificando o circuito:
a) R4 pode ser retirado pois est em paralelo com V1; b) R1 e R2 esto em paralelo;
c)R5 pode ser retirado pois est em srie com I2; d) I2 e I3 ficam em paralelo e podem ser
associados; e) I4 est em curto e pode ser retirado.
I
VA
R8 V V 3
I 23 I 5 A
R12
=0
V A=
R8R12
R8R12
i
R8R12
V3
R8R12 R12
I 23I 5 =RTHiV TH
RTH =
R8R12
R8R12
, V TH =
R8R12 V
3 I 23I 5
R8 R12 R12
6) No circuito abaixo, calcular as potncias das fontes de corrente. O brao X
apresenta uma caracterstica v x =10i x 5 .
V R2 V R2 V B1V 2
N R2x: I X =0
R2x R34
V B1V 2 V R2
Sabendo que I B1=0,5V R2 , I B2=3I R3 e I R3=
R34
7) No circuito abaixo determine a potncia dissipada pelo resistor R6. Para tanto,
simplifique o circuito at obter apenas duas malhas. Aps, resolva o problema utilizando o
mtodo das correntes de malha.
A fonte B1 pode ser explodida sobre V1, R2, R3 e R5 (exploses menores sobre R6 ou
R4 podem ser realizadas mas necessrio mais ateno para no errar as reais correntes sobre
estes resistores). Aps a exploso possvel converter todos os modelos Norton em Thvenin.
Assim, a fonte B1 e a resistncia R1 em paralelo com V1 so simplificadas. B1 em paralelo
com I1 podem ser somadas. O circuito final pode ser visto abaixo.
P R6 =R6i22
8) Para o circuito abaixo aplique uma fonte de tenso de V Volts entre os terminais A e
B. Equacione o problema utilizando malhas e isole a tenso V em funo da corrente pela
fonte. Compare com o resultado obtido no exemplo de Thvenin-Norton. Repita o processo
com uma fonte de corrente de I Amperes.
Aplicando uma fonte de tenso entre A e B. Positivo para cima. Correntes de malha
em sentido anti-horrio.
V R4 V R4 V H1V S
i 2 =0
R4 R3
V R4
e V H1=2i X =2
R4
V 1=R5i 2 V R4=RTHi 2V TH
4.1 Constante
f t=cte
4.2 Senoide
f t= Asen t
0
Acost90 = Asen t
Acost90 0= Asen t
4.3 Exponencial
t
f t= Ae
{
u t= 0 p/ t0 ou,
1 p/ t0
{
0 p/ t0
u t= 1/ 2 p/ t=0 , para uso com a transformada de Fourier.
1 p/ t0
r t =tu t , logo
r t= u t e
dr t
u t=
dt
{
0 p/ t0
p t = 1/ p / 0t
0 p / t
Observe que a funo pulso retangular apresenta rea unitria e pode ser formada pela
soma de dois degraus unitrios deslocados no tempo tal que
u tu t
p t =
{
t = 0 p/ t0
p/ t=0
Observe que
t dt=1 , assim esta funo pode ser obtida pelo limite lim p t .
0
-
d ut
t = .
dt
4.8 Dubl
Dubl= ' t
4.9 Exerccios
3) Desenhar os grficos das funes f(t), listadas abaixo, suas derivadas e suas
integrais:
f t=5ut110ut36 t4
5.1 Capacitores
q t
C= , onde C a capacitncia (Farad F)
v t
q t=cv t
dq t dv t
=C
dt dt
dv
i=C , (uma relao linear)
dt
ou
t
1
v= it ' dt ' v 0 , (uma relao linear apenas se v 0=0 )
C 0
Alm disto para que os circuitos envolvendo capacitores sejam lineares necessrio
que v 0 seja nulo ou seja as condies iniciais sejam nulas. Esta situao chamada de
estado zero. Se v 0 no for nulo podemos representar o capacitor no linear por um modelo
que emprega um capacitor descarregado em srie com uma fonte de tenso conforme indicado
na figura abaixo. Observe que esta associao (capacitor-fonte) um equivalente ao capacitor
carregado.
Exemplo: No circuito abaixo a chave ch1 fecha em t=0. Calcular a corrente e a tenso
no capacitor para t=0 + e t= .
v C1 =0V
v1
i C1 = =10A
R1
i C1 =0A
v1
v C1 = R2=7,5V
R1R2
d vvs dv dvs
i=C =C C
dt dt dt
1 1 1
v= i isdt= idt isdt
C C C
dv
i=C is
dt
Desta forma, para que as equaes de v e i sejam iguais nos dois modelos temos que
t
1
vs t = ist ' dt e
C 0
dvs
ist =C
dt
Desta forma, caso estejamos fazendo a transformao de uma fonte que representa a
condio inicial do capacitor, vs deve ser representado como uma funo degrau (caso
contrrio is seria zero) e is por uma funo impulso. Por outro lado, importante notar que na
maioria das vezes que estivermos resolvendo circuitos com capacitores esta transformao e
estes equivalentes ficaro apenas na nossa mente. Circuitos com capacitores resultam em
equaes diferenciais cuja soluo naturalmente depende das condies inicias do problema.
A condio inicial do capacitor (vs ou is), ento, pode ser calculada separadamente e usada
apenas cara a determinao da soluo do problema e no para o seu completo
equacionamento.
q t=C tv t
dq
it = .
dt
Esta derivada deve ser realizada pela regra do produto tal que
dv dC
i t =C t v t
dt dt
dv dC
i t =C t v t
dt dt
Capacitores no lineares tm sua carga como uma funo no linear da tenso. Alguns
exemplos prticos de capacitores no lineares encontram-se nas junes semicondutoras de
diodos e transistores. Nestes elementos dois semicondutores so unidos formando uma
barreira de potencial e uma capacitncia parasita (no desejada) Cj. Algumas componentes,
entretanto, tentam aumentar esta capacitncia, como o caso do diodo de sintonia ou varactor.
Este diodo apresenta capacitncia de juno, polarizada reversamente como sendo
aproximadamente
Ento
qq1
dq v
dv v1 2
v
dq
i t =
dt
dqv dv 2
it =
dv v1 dt
ou seja o capacitor pode ser considerado linear para pequenos sinais. O procedimento
apresentado aqui pode ser utilizado para qualquer outro elemento no linear.
A energia pode ser obtida pela integral da potncia ao longo do tempo. Num capacitor
a energia no dissipada mas sim armazenada na forma de campo eltrico. Assim sendo a
energia armazenada em um capacitor igual a energia fornecida a ele por uma fonte.
t
w t 0, t= v t ' i t ' dt '
t0
q t
w t 0, t= v q 1dq 1 (rea entre o eixo q e a curva)
q t 0
q t
w t= v q1dq1 .
0
2
1 q t
w t=
2 C
1 2
w t = Cv
2
v=v C1vC2
1 1
v= itdt i tdt
C1 C2
1
v= it dt
C EQ
onde
1
C EQ
=
1
1
C1 C2
.
Genericamente
1
C EQ
=
1
Cn
i=i C1 i C2
dv dv
i=C 1 C 2
dt dt
dv
i=C 1C 2
dt
dv
i=C EQ
dt
onde C EQ=C 1C 2
Genericamente C EQ= C n
Q TOT =Q 1Q 2
QTOT =C 1V 1C 2V 2
C 1V 1C 2V 2
V FINAL=
C 1C 2
Calcule a carga total armazenada no problema acima. Confira se as tenses nos dois
capacitores ficou igual aps a redistribuio de cargas. Calcule a energia total antes e depois
da redistribuio. Para onde foi o resto da energia?
Uma outra abordagem emprega apenas o equacionamento das correntes e das tenses
em cada capacitor. Esta abordagem pode ser utilizada sempre a que a malha apresenta mais do
que dois capacitores ou apresenta fontes de tenso. Considera-se que uma corrente impulsiva
vai fluir pelos dois capacitores logo eles se estaro em srie. Sendo assim
dv d [v C1vC2 ut ]
i=C EQ =C EQ =C EQv C1vC2 t (fluindo de C1 para C2)
dt dt
1 C2
v C1 0 + = idtv C1 0 = v C1 v C2 u t v C1 0 e
C1 C 1C 2
1 C1
v C2 0+ = idtv C2 0 = v v u tvC2 0 .
C2 C 1C 2 C1 C2
5.7 Indutores
t
L=
i t
t=Li t .
d
v t = .
dt
Utilizando as duas relaes acima possvel determinar uma forma mais til para
caracterizar o indutor em termos de tenso e corrente em seus terminais.
di t
v t =L (uma relao linear)
dt
ou
t
1
it = v t ' dt ' i 0 (uma relao linear apenas se i 0=0 )
L 0
Assim como ocorre com o capacitor o indutor tambm s pode ser perfeitamente
caracterizado se conhecermos sua indutncia L e a condio inicial i 0 , ou seja, a corrente
que circulava por ele antes da anlise comear. O indutor tambm s pode ser considerado
linear se a sua condio inicial for nula e caso no seja, pode ser modelado por um indutor
descarregado em paralelo com uma fonte de corrente, como mostrado na figura abaixo.
Observa-se que a corrente no indutor obtida por uma integral e que a tenso obtida
por uma derivada. Isto significa que a tenso no indutor pode mudar instantaneamente ao
passo que a corrente s pode mudar instantaneamente se a tenso sobre o indutor assumir
valores infinitos (funo impulso). Alguns autores denominam este efeito de inrcia de
corrente. Tambm resulta, desta observao, que em circuitos de corrente contnua ou
Para t=0 +
v L1=v1=10V
i L1=0A
Para t=
v L1=0V
v1
i L1= =10A
R1
dist
vst =L e
dt
t
1
ist = vs t ' dt '
L 0
O indutor linear variante com o tempo tem como caracterstica uma reta passando pela
origem mas sua inclinao muda a cada instante de tempo. O fluxo expresso em funo da
corrente
t=Lit
e como
d
v t =
dt
di dL
v t =Lt it
dt dt
corrente diminui o fluxo diminui por uma curva 2 diferente da primeira. Este
comportamento ilustrado na figura abaixo.
Para o caso tpico do indutor com fluxo =tanh i excitado por uma corrente
it = Acos t a tenso sobre o indutor pode ser obtido como segue. Como
t=tanh [ Acos t ]
d
v t =
dt
ento
d di
v t =
di dt
assim
d [tanh i] d [ Acos t]
v t =
dt dt
1
v t = 2
[Asen t ]
cosh [ Acos t ]
Indutores costumam ser construdos com ncleos ferromagnticos que saturam. Nestes
casos comum o aparecimento de uma caracterstica chamada de histerese apresentada no
grfico da figura abaixo. Quando a corrente aumenta o fluxo aumenta por uma curva 1
porm quando a corrente diminui o fluxo diminui por uma curva 2 diferente da primeira.
Este comportamento ilustrado na figura abaixo.
A energia pode ser obtida pela integral da potncia ao longo do tempo. O indutor, da
mesma forma que o capacitor capaz de armazenar energia ao invs de dissip-la. Esta
energia fica armazenada no campo magntico criado entorno do indutor. Assim sendo a
energia armazenada em um indutor igual a energia fornecida a ele por uma fonte.
t
w t 0, t= v t ' it ' dt '
t0
w t= i 1 d 1
0
t
1
w t= d 1
0 L
2
1 t
w t=
2 L
1
w t = Li 2 t
2
Um indutor passivo aquele que apresenta energia armazenada maior ou igual a zero.
Assim um indutor linear invariante passivo se sua indutncia no negativa e ativo se sua
indutncia negativa.
v=v L1 v L2
di
v= L1 L2
dt
di
v= LEQ
dt
onde
L EQ =L1L 2 .
Genericamente L EQ = Ln
i=i L1 i L2
1 1
i= v t dt v tdt
L1 L2
i=
1 1
v t dt
L1 L 2
1
i= v t dt
L EQ
onde
Genericamente
1
L EQ
=
1
Ln
TOT = 1 2
L EQ =L1L 2
L1I 1L 2I 2
I FINAL=
L1L 2
Para finalizar vale a pena salientar que na prtica os valores de resistores variam desde
alguns Ohms at alguns mega Ohms, sendo os mais comuns aqueles no centro desta faixa
(centenas at dezenas de kilo Ohms). A faixa de valores para capacitores variam de alguns
pico Farads at alguns milhares de micro Farads sendo os valores mais comuns os de alguns
nano Farads. Para indutor comum encontrar valores na faixa de alguns micro Henrys at
alguns Henrys sendo que os valores mais comuns situam-se na faixa de alguns mili Henrys.
dv A v A 1 t '
C v v dtI 0= I1
dt R1 L 0 A B
t'
1 v
v Bv A dtI 0 B =0
L 0 R2
v A 0=V 0
dv v vB
C A A =I1
dt R1 R2
1 1 1 dv
v B v A B =0
L L R2 dt
assim
L dv B
v A=v B
R2 dt
2
dv A dv B L d v B
=
dt dt R2 dt 2
substituindo vA temos
d2v
LC 2B R 2C
dt
L dv B
R
1 2 v B =R2I1
R1 dt R1
v A 0=V 0 =R2I 0
dv B 0 R2 R
= [ v A 0v B 0 ]= 2[ V 0R2I 0 ]
dt L L
O mtodo de anlise de malhas tambm pode ser utilizado. Neste caso a fonte de
corrente em paralela com um resistor pode ser substituda pelo seu equivalente Thevenin.
t
1
R1i 1V 0 i 1i 2 dt ' =V1
C 0
t
di L2 1
L R2i 2 V 0 i 2i 1dt '=0
dt C 0
i 2 0=I 0
L di 2 R 2 V1
i 1= i 2
R1 dt R1 R1
d 2i 2 di i i
L R2 2 2 1 =0
2
dt dt C C
e substituindo i1
d 2 i2
LC 2 R 2C
dt L di2 R
1 2 i 2=
R1 dt R1
V1
R1
i 2 0=I 0
di 2 0 1
= V 0R2I 0
dt L
d2v
LC 2 2 R2C
dt
L dv 2 R
1 2 v 2= R2I1
R1 dt R1
v 2 0=R 2I 0
dv 2 0 R 2
= V 0 R2I 0
dt L
5.16 Exerccios
f) V1t=ut
2) Determine iL1(), iL1(0+), vC(), vC(0+). Escreva as equaes diferenciais para iL1(t) e
vC(t).
- - dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =0A , =
dt C1
+ - + Is1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =v C1 0 , i C1 0 = G 1 , =
G1G 1 dt C1
v C1 =Is1R1 , i C1 =0A
I1 di 0 - v L1 0-
i L1 0- = G 2 , v L1 0 -=0V , L1 =
G1G 2 dt L1
di 0 + v L1 0
+
I1
i L1 0 + = G 2 , v L1 0 + = I1R1 , L1 =
G 1G 2 dt L1
i L1 =I1 , v L1 =0V .
- V1 - di 0 - v L1 0-
i L1 0 = , v L1 0 =0V , L1 =
R1 dt L1
di 0 + v L1 0
+
V1
i L1 0 + = , v L1 0 + =V1 , L1 =
R1 dt L1
V1
i L1 = , v L1 =0V .
R1
+ V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =
+
, =
R1 dt C1
v C1 =V1 , i C1 =0A .
di L1 0 - v L1 0
-
V1
i L1 0- = -
, v L1 0 =0V , =
R1 dt L1
V1 di L1 0 + v L1 0+
i L1 0 + = +
, v L1 0 =0V , =
R1 dt L1
V1
i L1 = , v L1 =0V .
R1
+ +
- - dv C1 0 i C1 0
v C1 0 =V1 , i C1 0 =0A , =
dt C1
+ + V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =V1 , i C1 0 = , =
R2 dt C1
v C1 =0V , i C1 =0A .
V12v 2 R3V1
Em circuito aberto: v CA =v 2=R3i 1 =R3 , logo v CA =
R1 R12R3
V12v 2 V1
Em curto circuito: i CC =I =i 1= = .
R1 R1
v CA
V TH =v CA , RTH =
I CC
dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0- =V TH , i C1 0 =0A ,
-
=
dt C1
+ + V TH dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =V TH , i C1 0 = , =
R2 dt C1
V TH
v C1 = R , i =0A .
RTH R2 2 C1
f) V1t=ut
- - dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =0A , =
dt C1
+ + V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =i R2= , =
R2 dt C1
V1
v C1 = R , i =0A .
R 2 1 C1
g) V1t=ut
- - dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =0A , =
dt C1
+ + V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 = , =
R1 dt C1
v C1 =V1 , i C1 =0A .
V C1 0 =V 1
V1
V C2 0 = R
R 3R1 3
V1
I L 0 =
R 3R1
+
V C1 ( 0 )V C1 (0 ) pois
V 1 0 + =V C1 0+ V C2 0+ (1)
H uma redistribuio de carga nos capacitores. Isso ocorre com a circulao de uma
corrente impulsiva pela malha da equao (1). A corrente da malha IC, tal que
d [V C1 0 V C1 0 + ]u t d [V C2 0 V C2 0+ ]u t
I C =C 1 =C 2
dt dt
V 1 0 + =V C1 0+ V C2 0+
V C2 0+ =V 1 0+ V C1 0 +
+ +
C 1[V C1 0 V C1 0 ]=C 2[V C2 0 V 1V C1 0 ]
(C 1+ C 2)V C1 (0 + )=C 2V C2 (0 )C 1V C1 (0 )C 2V 1
+ C 2V C2 0 C 1V C1 0 C 2V 1
V C1 0 =
C 1C 2
Substituindo os valores de V C2 e V C1 em 0
C 2V 1R3
C 1V 1C 2V 1
+ R3R1
V C1 0 =
C 1C 2
C 1 R3 R1V 1C 2R1V 1
V C1 0+ =
R3R1 C 1C 2
V L 0 + =V C1 0 + V R1 0+
C 1R3V 1
V L 0+ =
R3R1 C 1C 2
2) Determine iL1(), iL1(0+), vC(), vC(0+). Escreva as equaes diferenciais para iL1(t) e
vC(t).
I1 I2
V TH t= G R
G1G SERIE SERIE 3
G 2G3
onde G SERIE=
G 2G3
- - -
v C 0 =V TH 0 , i C 0 =0A
+ - V TH 0 + V TH 0 -
v C 0 =V TH 0 , i C 0+ =
RTH
v C =V TH 0 + , i C =0A .
v L2= L2 t
v i1 v 1v L2 v R2=0
v i1 =u t L2 t i1R2
i v i1 i L1i C1 =0
1
i v =i1 u t dtC t
L
dv t v t V1 R
C 1 2 2 = 2 1
dt R1 R1 R3
7) Na figura abaixo o circuito se apresenta em regime permanente (todas as tenses e
correntes so constantes) quando, em t=0 a chave S1 troca de posio. Calcule iL1(0), iL1(0+),
iC1(0), iC1(0+), iL1(), iC1(), vC1(0), vC1(0+), vC1(), vL1(0), vL1(0+), vL1(), diL1(0)/dt,
diL1(0+)/dt, dvC1(0)/dt, dvC1(0+)/dt. Determine a equao diferencial para obteno de vc(t).
V2 di 0 - v L1 0-
i L1 0- = , v L1 0 - =0V , L1 =
R1R 2 dt L1
+ +
V2 di 0 v L1 0
i L1 0 + = , v L1 0 + =0V , L1 =
R1R 2 dt L1
dv C1 0 + i C1 0
+
V2
v C1 0- = R2 , i C1 0 - =0A , =
R1R2 dt C1
V2 V1vC1 0+ dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0+ = R2 , i C1 0+ = +
i L1 0 , =
R1 R2 R1 dt C1
V1
v C1 = R , i =0A .
R1R 2 2 C1
Fonte V1
V1 2
i L 0 = = =4A
R2 0,5
v C1 0 =v C2 0 =V 1 =2V
i*(t)
R2
V2 1/2ohm
V3
5delta
10delta
V 3 10t
i R2 0= = =20t
R2 0,5
1 1 1
v CEQ 0= i R2 t dt= 20tdt= 20u t=4ut V
C EQ C 1C 2 5
dv
i C1 0=C 1 C =34t =12t
dt
dv
i C2 0=C 2 C =24t =8t
dt
v L 0=V 2=5 t
1 1
i L 0= v L tdt= 5ut =1u t A
L 5
As condies iniciais totais podem ser obtidas pela soma das condies iniciais
parciais.
+
i L 0 =i 0 i0=41=5u t A
v C1 0+ =v C1 0 vC1 0=24=6ut V
+
v C2 0 =v C2 0 v C2 0=24=6u t V
C 1C2 6
C EQ= = F
C 1C 2 5
dv d [V 4V 5v C2 v C1 u t] 6
i=C EQ =C EQ = 10t=12 t
dt dt 5
1 1
v C1 0= idtvC1 0 = 12ut 6u t =10u t
C1 3
1 1
v C2 0= idt v C2 0 = 12u t6u t=0ut
C2 2
{
dv v
=0
dt
v 0=v 0
dv 1
v
= dt
t
ln v= D
t
v=v 0e
{
dv v
=k
dt
v 0=v 0
dv kv
=
dt
dv 1
vk = dtD
t
ln vk= D
t
v=v [v v 0]e
{
dv t v t
= y t
dt
v 0=v 0
t t
dv v
e = ye
dt
como
t
t
e =
dt dt
dv v d ve
ento
t
t
d ve
= ye
dt
t t
ve = ye dtD
t t t
v=e ye dtDe
O circuito abaixo mostra um capacitor sendo carregado por uma fonte de tenso
constante. Em t=0 a chave S1 abre e a chave S2 fecha.
Para t0 ,
i C t i R t=0
dv v
C C = R e v C 0=v 0
dt R
Como
v C =v R=v
{
dv v
C =0
dt R
v 0=v 0
{
dv 1
= v
dt RC
v 0=v 0
Esta uma equao diferencial ordinria de primeira ordem, linear, homognea com
coeficientes constantes cuja soluo geral
t
v t =ke u t
1
dv v 0 RC t
i C t=C = e u t
dt R
O circuito abaixo mostra um indutor sendo carregado por uma fonte de corrente
constante. Em t=0 a chave S1 troca de posio e a chave S2 fecha.
Para t0
v L v R=0
di L
L Ri L =0 e i L 0=I 0
dt
{
di R
= i
dt L
i L 0= I 0
R
t
L
i L t =I 0e u t
L
=
R
Para t0
i C i R =i S
dv v
C =i S t e v 0=0
dt R
A equao diferencial em questo deve satisfazer outras duas condies impostas pelo
circuito:
para t=0 +
dv i S
= (condio imposta pela topologia do circuito)
dt C
para t=
A soluo para a equao diferencial linear no homognea pode ser obtida pela soma
da soluo homognea e de uma soluo particular que apresenta o mesmo formato da
excitao, assim v completa =v hv p . A soluo homognea depende das condies iniciais do
problema e da sua topologia e a soluo particular depende da excitao. Algumas vezes a
resposta particular chamada de resposta forada pois imposta pela excitao.
1
t
v t =K 1e RC
Ri S t , para t0 .
K 1=Ri S t ,
logo
v t =Ri t 1 e 1
t
RC
S
dv v
C =A1cos t1
dt R
1
t
v t =K 1e RC
A2cos t 2 , para t0
v 0= K 1 A2cos 2 =0
K 1=A2cos 2
Cdv p v p
=A1cos t 1
dt R
como v p t= A2cos t 2
A2
CA2sen t2 cost 2= A1cos t 1 onde
R
A1
A2 =
2
1 2
C
R
2=1arctanRC
0
A figura abaixo foi produzida com R=1 , C=1F , A1=0 e 1=90 . A resposta
completa a soma da exponencial com o cosseno defasado. A influncia da exponencial
desaparece depois de 5 constantes de tempo por isso chamada de resposta transitria ao
passo que a resposta sem exponencial decrescente chamada de resposta em regime
permanente. Este transitrio pode ser nulo se v 0= A2cos 2 , isto ocorre porque neste
caso a corrente e a tenso j esto com a mesma defasagem e amplitude de regime permanente
ento no necessrio nenhum perodo transitrio para ajustar estes dois parmetros.
dv v
C =A ' 1cos tA ' ' 1sen t
dt R
1
t
v t =K 1e RC
A' 2cos t A' ' 2sen t , para t0
K 1=A' 2
dv v
C p p =A ' 1cos tA ' ' 1sen t
dt R
ento
A' ' 2
para senos: CA' 2 = A' ' 1
R
A '2
para cossenos: CA' ' 2 =A ' 1
R
uma propriedade de qualquer circuito linear que a resposta ao estado zero uma
funo linear da excitao, isto , a dependncia da resposta ao estado zero com a forma de
onda da excitao expressa por uma funo linear. Se o smbolo Z t0 for utilizado para
Z t0 i 1i 2 =Z t0 i 1 Z t0 i 2
Z t0 ki 1=kZ t0 i 1
Para uma determinada rede, v 1 a resposta a excitao com uma fonte i 1 t tal que
dv v
C 1 1 =i 1 t com v 1 0=0
dt R
dv 2 v 2
C =i 2 t com v 2 0=0 .
dt R
dv dv 2 v 1 v 2
C 1 C =i 1 ti 2 t
dt dt R R
ou seja
d v 1v 2 1
C v 1v 2 =i 1 t i 2 t com v 1 0v 2 0=0
dt R
d kv 1 kv 1
C =ki 1 t com kv1 0=0
dt R
Seja uma rede linear invariante excitada por uma corrente i 1 e cuja resposta ao estado
zero seja v 1 tal que
dv 1 v1
=i .
dt 1
Agora, supondo que a excitao mude para i 1 tT1 , ento a resposta ao problema
v 1 tT1 tal que
dv 1 tT1 v 1 tT1
=i 1 tT1
dt
dy y
=x onde
dt
Isto significa que em uma rede invariante a resposta ao estado zero deslocada T1
segundos se a entrada estiver deslocada T1 segundos.
Para os casos onde haja condio inicial no nula e excitao diferente de zero a
resposta da equao diferencial corresponde a soma da resposta a excitao zero mais a
resposta ao estado zero. Isto pode ser demonstrado se as equaes para o caso de excitao
zero e estado zero forem analisadas separadamente e em conjunto. Separadamente estas
equaes so
dv I v I
C =0 (equao para o circuito RC com excitao zero)
dt R
dv v dv v
C I I C O O =i S t
dt R dt R
d v I v O v I v O
C =i S t .
dt R
Por esta razo a soma das respostas separadas corresponde a soluo para o problema
completo.
v C t =v I tv O t , para t0 .
Ri 1 e .
1 1
t t
RC RC
v C t =v Oe S
Esta resposta completa tambm pode ser obtida pela soma da resposta transitria e da
resposta em regime permanente.
1
t
v C t =v O Ri S e RC
Ri S t , para t0 .
t
sol t=sol [sol sol 0]e
para t0
v C =0
para 0tR1C
v C 0=0
v C =R1I
v C =R1I 1 e R1C
t
para t=R1C=T1
v C T1=R1I1 1
1
e
v C = I R1R2
R1 R2
2 =C
R1R2
R1 R2
v 1 e =v excitao zerov estado
t T1 t T1
2 2
v C t=v C T1e C zero
t T1
2
v C t =v C [v C v C T1]e =v permanente v transitria
1 1
v= t dt=
C C
Para t>0 este problema apresenta a mesma soluo do problema de excitao zero.
t
v t =ke u t
1
onde =RC e k =v0 = .
C
dv v
C =u t ,
dt R
v 0=0 e
v =Ri=Rut
v t =u tR 1e RC
1
t
para t>0.
Como
dv t
h t=
dt
ento
t 1
1
h t=t R 1e RC u te RC
C
t
1
1
t
RC
a primeira parcela zero pois para t0, (t)=0 e para t=0, 1e =0 .
1
1 t
h t = u t e RC para todo t>0.
C
Mostre que a mesma resposta poderia ser obtida calculando a resposta funo pulso
(soma de dois degraus) com 0 .
dv v
C =i
dt R
tem resposta ao degrau: v C t =R 1e
RC
1
t
u t
1
1 t
e resposta ao impulso: v C t = e RC u t
C
di
L Ri =v t
dt
tem resposta ao degrau: i L t = 1 1e
R
R
t
L
u t
R
1 t
e resposta ao impulso: i L t = e L u t
L
R
t
L
tem resposta ao degrau: v L t =Re u t
2 R
e resposta ao impulso: v t =Rt R e Ltut
L
L
dq q
R =v t
dt C
1
1 t
tem resposta ao degrau: i C t = e RC u t
R
1
1 1 t
e resposta ao impulso: i C t = t 2 e RC u t
R R C
di t
L Ri t=v t
dt
1
tem resposta ao degrau: i t =Ct u t
R
1
e resposta ao impulso: it =C ' t t
R
t
1
Ri t i t ' dt ' =v t
C 0
1
tem resposta ao degrau: v t =Ru t r t
C
1
e resposta ao impulso: v t =Rt ut
C
t
1 1
v t v t ' dt ' =i t
R L 0
1 1
e resposta ao impulso: i t = t u t
R L
Exemplo: Para um circuito RC paralelo, sem excitao, com condio inicial v(0)=1V
e C=1F determinar a resposta a excitao zero para os seguintes casos:
v t =u tet
dv
[10,5cos t]v=0 , para t 0
dt
dv
=[10,5cos t]dt
v
t t
ln [v t]=[t0,5sen t]
v t =u tet 0,5sen t
dv 2
v =0 , para t 0
dt
v 0=1
v t t
d v
= dt '
v 2 0
v 0
1
v t
1 =t
1
v t =u t
t 1
Exemplo: Para um circuito RC paralelo, sem excitao, com condio inicial v(0)=0V
e C=1F determinar a resposta ao degrau unitrio de corrente.
v t =u t 1e t
v 0=0
t
t0,5sen t
e
t 0,5sen t t 0,5sen t
v t =v 0e e dt
0
dv 2
v =u t , para t 0
dt
v 0=0
v t t
d v
= dt '
1 v 2 0
v 0
v t =u t tanh t
observe que se a entrada fosse ku(t) a resposta no seria multiplicada por k e sim
v t = ku ttanh kt
Aproximar o diodo por dois circuitos formados por um resistor em srie com um diodo
ideal. Cada circuito representa a resistncia linearizada do diodo para as situaes de
polarizao direta e reversa.
v t=V V V 1e
t
1
1 1 0 1
e a descarga como
t T
v 2 t =V 2e 2 .
.
T
1
v 1 T =V 2=V 1V 0V 1 1e
T
v 2 2T =V 1=V 2e 2 .
T
1
V 0 1e
V 2= T T
1 2
1e e
e
T T
1 2
V 0 1e
V 1= T T
1 2
1e e
6.10 Exerccios
Para todos os exerccios deste mdulo faa o grfico da resposta e compare com a
simulao do circuito. Para os problemas literais atribua valores aos componentes antes das
simulaes.
circuito chamado de passa baixas e quando a sada v R o circuito chamado passa altas.
Qual seria a razo para estes nomes?
1) Um circuito RC srie no qual entra uma onda quadrada est representado na figura a
seguir. A entrada formada por um trem peridico de pulsos com uma amplitude de 10V e
uma largura de 1ms, sendo cada pulso gerado a cada 2ms. A constante de tempo do circuito
de 0,1ms. Calcule a tenso sobre o capacitor v C e o resistor v R . Quando a fonte V
considerada entrada e a sada corresponde a v C o circuito chamado de passa baixas e
quando a sada v R o circuito chamado passa altas. Qual seria a razo para estes nomes?
v vC dv C
C
R R dt
dv C vC v
=
dt RC RC
1
t
v C =k 1e
k 2
v C =10V
1
t
v C t=[ vC 010]e
10
v C =0V
1
t
v C t=10e
1
t
v C t=10e
10 (considerando que t=0 quando a fonte muda para 10V)
1
t
v C t=10e (considerando que t=0 quando a fonte muda para 0V)
Fazendo o grfico destas funes observa-se que o desenho se parece com a onda
quadrada da entrada porm apresenta as bordas arredondadas. As bordas so mudanas
rpidas associadas a altas frequncias. Os patamares, que no mudam, esto associados as
baixas frequncias. Por esta razo este circuito chamado de passa baixas (passa baixas
frequncias).
v R t =vvC t
1
t
v R t =10e (considerando que t=0 quando a fonte muda para 10V)
1
t
v R t =1010e (considerando que t=0 quando a fonte muda para 0V)
Fazendo o grfico destas funes percebe-se que o desenho mantm as bordas da onda
quadrada mas zera as partes constantes. Por esta razo este circuito chamado de passa
altas (passa altas frequncias).
1
t
v t =K 1e RC A' 2cos t A' ' 2sen t , para t0
dv v p [ A ' 1cos t ]
C p =
dt R R
ento
A' ' 2
para senos: CA' 2 =0
R
A '2
para cossenos: CA' ' 2 =30
R
di L 1 1
i = 10=2,5
dt 4 L 4
i L 0=0A , i L =10A
t
i L t =10 10e 4 para t>0
1
i L 4=10 10e =6,32 A
1 1
w L 4= Li 2L 4= 86,322=159,8 J
2 2
b)
L 8
i L 4=6,32 A e i L =0 e = = =2
R 4
t 4
i L t =6,32e 2 para t>4
c)
w R = RI 2 t dt
0
2 t4
w R =4 6,32 e 2 2
dt=46,3221et 44 =159,8 J
4
1
R1i R1 i C t dtR1i C =0 considerando v C 0=0
C
diC 1 diC
R1 i C R 1 =0
dt C dt
di C 1
i =0
dt C R1R1 C
t
C R1 R1
i C t =ke
R1I S1
i C 0+ = =k
R1R1
t
R1I S1 C R R
it = e para t>0
1 1
R 1 R 1
I1
i L1 0- =i L1 0+ = G
G1 G2 2
i L1 =I1
di L1
I1R1=L R1I1
dt
L1
=
R1
1
t
i L1 t =k 1e
k 2 , para t>0.
I1
i L1 =k 2= I1 , i L1 0=k 1k 2= G
G1G2 2
I1G1
k 2= I1 , k 1=
G 1G 2
di t
v L1 t =L L1 , para t>0.
dt
40 20
V TH = V , RTH =R N = , I N =2A
9 9
+
V TH
v C1 0 =V TH , v C1 = R =3,48V
RTH R2 2
dvC1 v C1
I N =C
dt R EQ
=REQC 1
1
t
v C1 t=k 1e
k 2 , para t>0.
v C1 =k 2=3,48
v C1 0=k 1k 2=4,44
k 1=7,92
Observe que neste circuito R1 esta em paralelo com L1. Este conjunto est em srie
com o paralelo de C2 com R2. Desta forma este circuito equivalente a dois circuitos paralelo
independentes: a) I1, R1 e L1 ; b) I1, R2 e C2.
R1
t
L1
i L1 t =k 1e k 2
1
t
R2C 2
v C2 t=k 3e k 4
i EQ=[10u t 4]mA
16V
i C 0+ =6mA =7,77 mA
9k
i C =0
dv C v i
C = EQ
dt REQC C
t
+ CR EQ
i C t =i C 0 e u t mA
v C1 =v R1=Vo
Para 0<t<0,5
V1
v C1 0+ =0V , v C1 = R
R2 1
=R1C 1
1
t
v C1 t=k 1e
k 2
v C1 =k 2=5
v C1 0=k 1k 2=0
k 1=5
Para t>0,5
1
0,5
v C1 0,5=5e 0,1
54,9V , v C1 =0V
1
t0,5
v C1 t=k 3e
k 4
v C1 0,5=k 3 =4,9
V1 dv v
=C C1 C1
R1 dt R1
Para 0t6R1C 1
v C1 0+ =0V , v C1 =V1
=R1C 1
1
t
v C1 t=k 1e
k 2
1
t
v C1 t=V1e
V1
Para t6R1C 1
1
6R1C 1
v C1 6R1C 1 =V1e R1C 1
V1V1 , v C1 =0V
1
t6R1C 1
v C1 t=V1e
Soluo:
V1 V1
i L 0 = , i L = , i L 0+ =i L 0-
R1 R1
v C 0 =V 1 , v C 0 =V 1 , v C =0V
+
dv vC
C C =0
dt R
t
v C t =6e RC
V para t>0.
v 2R6
V TH =
R6R 7
v2
i MAX = =180mA
RTH R9
R6
=0,18
804R6
R6=51,4
t R EQ
t
L3
I t=I 0e =0,18e
onde
R EQ=R 9R8
v T
1 B 1
R1 R1 R2
v 1
B 1
R1 R1
=i T
como
V TH
iT = IN
RTH
ento
1 1 3B
= =
RTH R N 10k
10k
RTH =
3B
a) RTH 3
3 6
= RTHC 1 =2010 =RTH210
20103
RTH = 6
=10k
210
10k
RTH = =10k
3B
b) B=2
v C1 dv C1
i2i C 1 =0
R2 dt
v C1 =v 1 iR1
di i 1 dv 1 v1
=
dt R1 dt R1R 2C 1
v 1 0
i0= =1mA
R1
it =k 1e50t k 2e100t
Em regime permanente
dv 1 di 100t
=1000e100t , =100k 2e
dt dt
k 2 1000 10
100k 2 =
10k 100
k 2=0
Para t=0
k 1=1
5.1. Histrico
o.i
= N.
2. r
fmm = N.I
F = B.q.v
Dedos no sentido do campo magntico
B, polegar no sentido do movimento da carga 5.5.2. Fora Magntica num Condutor
(vetor velocidade v). Se a carga for positiva, a Percorrido por Corrente
fora F sai da palma da mo; se negativa a
fora F sai do dorso da mo. Sabemos que a corrente eltrica i
Matematicamente, a fora magntica constituda por um movimento ordenado de
dada por: cargas eltricas q. Cargas eltricas imersas em
um campo magntico sofrem a ao de uma
F = . q. v. sen fora magntica F. Assim podemos dizer que:
Em todo condutor percorrido por corrente e
Onde: imerso num campo magntico de tal forma a
B: vetor induo magntica (Tesla); cortar suas linhas de fluxo magntico, surge
q: carga eltrica (Coulomb); uma fora magntica.
v: velocidade (m/s);
: ngulo entre o campo e o vetor velocidade. O sentido dessa fora dado pela regra
da mo direita conforme figura abaixo e o
Verificam-se experimentalmente os valor da fora dada por:
seguintes casos:
1) Se a carga se deslocar na direo paralela a
B, ela no ficar sujeita ao de nenhuma
fora, pois o ngulo entre B e v 0, sendo
seno de 0 igual a zero.
F = .i. l. sen
F=0
F = .i1. l. sen90
1, 2 2
o.i 2
=
2. . d
2
i
femai = N . = L. Estas foras eletromotrizes de auto-
t t induo se comportam como uma fora contra-
eletromotriz, pois, opondo-se sempre causa,
estas produzem correntes que tendem sempre a
5.10. Fechamento e Abertura de manter as condies iniciais do circuito, isto ,
Circuitos Indutivos opondo-se ao aumento ou reduo da corrente
na bobina.
No momento do fechamento do circuito,
a femai ope-se ao crescimento da corrente,
fazendo com que a mesma demore para atingir
seu valor mximo, limitado pela resistncia R.
Quando a corrente atinge um valor constante,
no h variao de fluxo magntico e,
portanto, no h femai (regime permanente). J
no momento da abertura do circuito, a femai
ope-se ao decrscimo da corrente, fazendo
Considerando o circuito acima, quando com que esta demore para atingir o valor zero,
fecharmos o circuito, a corrente varia de zero produzindo um faiscamento nos contatos da
at i em um determinado tempo. Esta variao chave, devido circulao de corrente por um
de corrente d origem a uma variao de fluxo pequeno intervalo de tempo, mesmo aps sua
no indutor L que, durante o tempo da variao abertura. Este faiscamento recebe o nome de
de corrente, produz uma femai. A polaridade arco voltaico. Desta forma, mesmo sem a fonte
desta femai obedece a Lei de Lenz, sendo de alimentao, a corrente demora para ser
oposta causa que a originou, isto , a eliminada. Isto se deve descarga da energia
variao crescente da corrente. A figura abaixo armazenada no indutor, sob forma de campo
mostra o comportamento da corrente em magntico. A figura abaixo mostra a variao
funo do tempo durante o fechamento da da corrente do circuito nos momentos de
chave (0-t1). fechamento (0-t1), regime permanente (t1-t2) e
abertura (t2- t3) da chave.
Ip Vs
=
Smbolo: Is Vp
Finalmente, relacionando tenso, corrente
e nmero de espiras em uma mesma equao,
obtemos:
Vp Np Is
= =
Vs Ns Ip
Neste material ser realizada uma pequena introduo a respeito deste ramo da
Engenharia Eltrica. A partir do estudo de um pouco da teoria sobre os dispositivos
mais utilizados nos circuitos eletrnicos, ser evidenciado as caractersticas que os
fazem ser de suma importncia em tantas aplicaes. Mas ser que o conhecimento
adquirido neste minicurso ser suficiente para implementar alguma coisa til? A
resposta SIM. Poderemos, ao final do curso, implementar alguns circuitos de lgica
muito utilizados no sensoriamento dentro do controle de casas, de nveis de tanques,
dentre outros. Implementaremos tambm circuitos retificadores, os quais so de suma
importncia para transmisso de energia, e construiremos circuitos com leds como
sinalizadores (similar aos leds utilizados atualmente nos sinais de trnsito). Veremos
tudo isso ao longo do curso. Ento BOA SORTE e aproveitem!
- EQUIPAMENTOS -
ALGUNS COMPONENTES ELETRNICOS
Resistor
O resistor considerado o mais bsico dos componentes. muito comum o erro
de cham-lo de resistncia, por exemplo, quando ouvimos algum dizer a resistncia
do chuveiro queimou ou at a resistncia do ferro de passar est queimada. Neste
caso, a resistncia a sua caracterstica eltrica, e o seu nome correto resistor. A
unidade utilizada pelo SI para medir resistncia o ohm, cujo smbolo .
Os resistores so constitudos por fios metlicos com baixa resistncia que, ao se
aplicar uma tenso sobre seus terminais, acabam por ser atravessados por uma corrente
eltrica. Neste caso, verifica-se a ocorrncia do efeito Joule, que consiste na
transformao de energia eltrica em calor. por este motivo que o resistor bastante
utilizado em aplicaes em que se deseja realizar o aquecimento de algo (por exemplo:
o aquecimento da gua no chuveiro eltrico).
Em circuitos eletrnicos o resistor tem outras finalidades e assim, devem
funcionar com a menor gerao de calor possvel. Mais abaixo, na figura 1.1, a foto de
resistores com o seu respectivo smbolo.
O primeiro anel sempre um dos que estiver mais prximo dos terminais e mais
prximo dos demais. O quarto anel a faixa mais isolada. Para facilitar o entendimento,
a figura 1.2 esquematiza o cdigo de cores em um resistor.
5
Exemplo: Qual a resistncia nominal de um resistor com os anis de cores Marrom,
Preto, Vermelho e Ouro, nesta ordem?
Resposta
Atravs do uso do cdigo de cores ns identificamos que: o primeiro dgito o 1,
o segundo o 0, o fator de multiplicao 2 e a tolerncia de 5%. Assim, a resistncia
deste resistor : 1K5%.
LEI DE OHM
Uma das Leis mostradas durante o curso de Eletricidade Bsica do Ensino Mdio
a LEI DE OHM. Atravs desta lei possvel obter uma relao direta entre a tenso
aplicada sobre um resistor, a corrente que o atravessa e o valor da sua resistncia. Sendo
assim, se aplicarmos diferentes tenses sobre uma mesma resistncia, obteramos a
seguinte curva:
V
i=
R
V = R i
Exemplo: Na figura 1.3 temos um resistor de 6 em srie com uma bateria de 12V.
possvel determinar a corrente que atravessa o resistor? Se possvel, qual o valor da
corrente?
Resposta
Atravs da LEI DE OHM possvel determinarmos o valor da corrente que
atravessa o resistor. Muitas vezes os dispositivos eletrnicos no suportam correntes
6
elevadas e torna-se necessrio um clculo prvio para evitar danos ao equipamento. A
resposta obtida da seguinte forma:
V 12V
i= o = = 2A
R 6
ASSOCIAO DE RESISTORES
- Em paralelo: O inverso da resistncia equivalente dada pela soma dos inversos das
resistncias individuais:
1 1 1 1 1
= + + +L+
REQ R1 R2 R3 RN
R EQ = R1 + R2 + R3 + L + R N
POTNCIA
7
W. Potncia a energia fornecida, recebida ou gasta por unidade de tempo. Como j foi
mencionado, quando uma corrente eltrica atravessa um resistor, ocorre um
aquecimento do mesmo, ou seja, existe uma dissipao de energia na forma de calor.
Em outras palavras, o resistor est consumindo energia eltrica.
Se existe uma tenso V sobre um resistor R pelo qual percorre uma corrente i,
podemos obter as seguintes expresses para a Potncia:
(1) P = V i
Sendo : V = R i
( 2) P = R i 2
Sendo : i = V
R
2
(3) P = V
R
Exemplo: Considerando o mesmo circuito da figura 1.3, qual a potncia dissipada pelo
resistor de 6?
Resposta
Ser dissipada uma potncia de: P = 122 / 6 = 144/6 = 24 watts
DIVISOR DE TENSO
(1.2)
8
Sendo assim, substituindo a equao (1.1) na equao (1.2), obtm-se a seguinte
expresso:
(1.3)
DIVISOR DE CORRENTE
(1.5)
9
Portanto, substituindo (1.4) em (1.5), obtm-se a expresso da corrente em cada
um dos componentes. Veja:
(1.6)
Sensor
Um sensor definido como um dispositivo tecnolgico capaz de detectar, medir
ou gravar fenmenos fsicos, e de transmitir esta informao. Um transdutor por sua vez
um dispositivo que transforma uma forma de energia em outra.
Um sensor eltrico pode ser apenas um transdutor, que transforma diretamente
uma outra forma de energia em um sinal eltrico, ou ento um transdutor mais uma
parte que converta a energia resultante em sinla eltrico.
O uso de sensores fundamental quando se deseja medir e processar uma
informao (uma grandeza). Alm de outras aplicaes, estes dispositivos so
vastamente aplicados na rea de Controle e Automao, como por exemplo: na robtica;
na automao residencial; entre outros.
A modelagem de alguns sensores pode ser feita com o uso de resistores variveis
para quantificarmos a energia convertida em energia eltrica, ou para obtermos
respostas em circuitos auxiliares. Esta modelagem depender da caracterstica que os
sensores possuem e de qual tipo de energia convertida.
O circuito usado para analisar estes sensores o circuito divisor de tenso pois,
dependendo da intensidade da grandeza associada ao transdutor, a resistncia nos
10
terminais do sensor (RS) torna-se baixa ou alta. Desta forma, de acordo com a regra do
divisor de tenso, a tenso sobre o terminal do resistor R, ligado fonte de tenso, ser
prxima ao valor nominal da fonte (V) ou inferior a este valor, respectivamente. A
figura 1.7 mostra o circuito que modela estes sensores:
SENSOR DE TOQUE
FOTOSENSOR
O LDR (do ingls Light Dependent Resistor) , como o nome j diz, um resistor
que varia o valor de sua resistncia de acordo com a luz incidente sobre ele. A relao
intensidade luminosa e a corrente que passa por este resistor caracterizada segundo o
seguinte grfico:
11
Pelo grfico, ns podemos perceber que quando a intensidade luminosa aumenta
sobre o LDR, a corrente sobre ele tambm aumenta. Isto indica, pela Lei de Ohm, que a
resistncia do LDR diminuiu.
Ns podemos perceber tambm que existe um valor limite mnimo para a
resistncia do LDR. Este o ponto de saturao, ou seja, mesmo que a intensidade
luminosa aumente, o valor da resistncia do LDR ter esse valor.
Para verificar o funcionamento de um LDR, usa-se o circuito divisor de tenso
mostrado no inicio da seo. Essa anlise nos permite concluir que este sensor pode ser
utilizado em vrias aplicaes reais. Uma destas aplicaes a da iluminao pblica.
Usa-se fotosensores para saber se a luminosidade no ambiente ainda o suficiente, caso
contrrio, um circuito acionador liga as lmpadas dos postes, garantindo que a cidade
no fique s escuras.
Capacitor
Formado por duas placas paralelas e separadas por um material isolante,
conhecido como dieltrico, o capacitor um componente eletrnico capaz de armazenar
e fornecer cargas eltricas. A teoria que envolve o carregamento do capacitor um
pouco extensa, sendo mais detalhadamente tratada na disciplina Materiais Eltricos.
Neste minicurso, nos limitaremos a saber que quando ligada uma fonte de
tenso constante aos terminais do capacitor verificada a passagem de uma pequena
corrente pelo componente, de forma que esta circula at que o capacitor se carregue
completamente. Em um circuito simples com uma bateria e um capacitor, o componente
carregado com o mesmo valor da fonte.
Se fizermos a anlise da malha, verificaremos que ao atingir este valor de tenso
armazenada, a corrente ser nula. Neste momento, uma das placas fica com cargas
negativas (eltrons) e a outra com cargas positivas (lacunas=falta de eltrons).
Mais abaixo, na figura 1.9, so mostrados alguns tipos de capacitores.
12
dizemos que o componente sofreu ruptura do dieltrico. Neste caso, o material isolante
entre as placas passa a conduzir devido alta polarizao causada pela elevada tenso e
ento, em outras palavras, o capacitor explode!
Assim como com os resistores, muitas vezes as pessoas confundem os termos
capacitor e capacitncia. O valor de um capacitor chamado de capacitncia sendo esta
medida em faraday cujo smbolo F. Na prtica, encontramos valores baixos de
capacitncia, pois um capacitor de 1F seria enorme. Sendo assim, muito comum a
utilizao capacitncias da ordem de milsimos ou milionsimos do faraday.
Dentre as vrias aplicaes dos capacitores nos circuitos eletrnicos, podemos
destacar uma das principais, a filtragem. Sabe-se que o capacitor permite a passagem de
corrente alternada. Assim, o capacitor ora se carrega positivamente ora negativamente.
Neste mesmo raciocnio, quanto maior a freqncia da corrente alternada, maior a
facilidade com que ela circula pelo capacitor, de forma que este barra as componentes
de baixas freqncias de um sinal e permite a passagem das de freqncias altas, ou
seja, funciona como um filtro.
Outra aplicao se baseia no fato de que estes componentes podem armazenar
uma boa quantidade de cargas quando submetidos a uma tenso. Por exemplo, em um
circuito ao retirarmos a fonte de alimentao o capacitor continuar fornecendo ao
restante do circuito a tenso armazenada, apenas durante um pequeno intervalo de
tempo. Desta forma, os capacitores podem funcionar como uma bateria temporria.
Em geral, quando so necessrias capacitncias elevadas, so utilizados
capacitores eletrolticos de alumnio ou tntalo. Os capacitores eletrolticos de alumnio
so muito usados em fontes de alimentao, em circuitos de som, rdio e TV, e at em
placas de computador. Entretanto, para as placas de computador mais recomendvel o
uso dos capacitores de tntalo. Eles so mais caros, porm so mais durveis e de menor
tamanho.
Indutor
O indutor um componente eltrico constitudo por um fio enrolado em vrias
voltas. O valor do indutor conhecido como indutncia e tem como unidade de medida
o henry, cujo smbolo H. Assim como os capacitores, na prtica mais comum
encontrar indutncias de valores baixos, sendo mais utilizados o milihenry (mH) e o
microhenry (H). Na figura 1.10 mostrada uma foto de indutores com o seu respectivo
smbolo.
13
Ao contrrio do capacitor, considerando uma corrente alternada atravessando o
indutor, verificamos que quanto maior a freqncia, maior a dificuldade da passagem
da corrente. Sendo assim, o indutor atravessado facilmente pela corrente contnua e
correntes de baixa freqncia.
Por conta destas caractersticas do capacitor e do indutor, estes componentes so
bastante utilizados na implementao de filtros, como por exemplo, os sintonizadores.
Quando giramos o boto sintonizador de estaes de um rdio (DIAL) estamos na
verdade atuando sobre um capacitor varivel, associado a uma bobina, e assim,
selecionando a freqncia desejada.
14
Figura 1.12 - Esquema eltrico de uma lanterna. A letra i usada para designar a
corrente eltrica.
15
- EQUIPAMENTOS -
ALGUNS INSTRUMENTOS: DE MEDIO E DE MONTAGEM
Protoboard
Protoboard um termo vindo do ingls muito utilizado na nomeao de uma
Matriz de Contatos, o que nada mais do que uma placa com milhares de furos e
conexes condutoras para montagem de circuitos eltricos experimentais. Nestes furos
so encaixados os componentes de forma que, torna-se possvel montar o circuito
desejado, pois as conexes internas do protoboard realiza a interligao eltrica dos
componentes inseridos na placa.
Uma das principais vantagens do protoboard durante a montagem de circuitos
eletrnicos a facilidade de introduo de componentes, sem que haja a necessidade de
soldagem.
O tamanho das placas variam de 1600 furos at 6000 furos, as conexes so
verticais e horizontais. Na figura 1.14 segue o formato do protoboard que usaremos
durante o mini-curso.
16
Figura 1.15 Exemplos de montagens de circuitos em um protoboard ( esquerda); Foto de um
protoboard ( direita).
Multmetro digital
A realizao de medies de correntes, tenses ou resistncias, de suma
importncia em atividades realizadas em laboratrio ou em atividades envolvendo
hardware, quando se deseja medir a variao de alguma corrente, tenso ou resistncia.
Geralmente, para possibilitar essas medies atravs de apenas um aparelho, recorre-se
utilizao do multmetro digital.
O uso deste aparelho nos permite: checar tenses das fontes de alimentao e da
rede eltrica; verificar se as correntes que circulam pelo circuito estudado esto de
acordo com o esperado; realizar medio de resistncias; entre outros.
O multmetro digital, mesmo com tantos recursos a oferecer, de fcil acesso, de
tal forma que possvel realizar a compra de um modelo simples com aproximadamente
25 reais. A partir de 100 reais j possvel obter um multmetro mais sofisticado. Mais
abaixo, segue a foto de um multmetro digital bastante conhecido e que possivelmente
ns utilizaremos durante alguma das montagens.
17
poder ser conectada em outras entradas, na maioria das medidas realizadas a ponta
vermelha conectada no ponto indicado por V--mA. J a ponta de prova preta serve
como terra e deve ser posta no local de referncia desejado do circuito em estudo.
Sendo assim, a ponta preta conectada no multmetro no ponto onde se encontra a
especificao GND ou COM.
V para voltagem:
AC(corrente alternada);
DC(corrente contnua).
para resistncia;
mA para corrente.
Para tenses:
200 mV;
2 V;
20 V;
200 V;
2000 V.
18
Figura 1.17 - Medio de tenso.
Portanto, para medir tenso entre dois pontos, deve-se selecionar a escala
apropriada e em seguida encostar as pontas de provas nos terminais nos quais a tenso
ser medida. Caso se deseje medir a tenso em relao ao terra, basta fixar a ponta de
prova preta em algum n que esteja conectado ao terra, usando a ponta de prova
vermelha para medir a tenso no ponto desejado.
19
Figura 1.18 - Medindo o valor de um resistor.
Figura 1.19 - Os multmetros possuem entradas adicionais para medir altas tenses e altas
correntes.
A figura 1.19 ilustra um multmetro que possui uma entrada para medir volts,
ohms e Hertz (este mede tambm freqncia), uma outra entrada para medir
miliampres e outra para correntes de at 10 ampres. Alguns multmetros podem ainda
medir transistores para verificar se esto bons ou queimados.
sempre importante que se tome cuidado em relao ponta de prova vermelha,
pois pode ser necessrio que esta seja conectada em outras entradas, dependendo da
grandeza a ser medida. Em geral os multmetros possuem entradas adicionais para medir
altas voltagens e altas correntes.
20
- MONTAGENS -
10.00k
OHMS 2.000k
OHMS
R1 R2 R3 R4 R5 R6
10k 10k 10k 10k 10k 10k
9.983k
OHMS
R1 R2 R3
1k 3k 6k
- DIVISOR DE TENSO
R1 R5
4k R4
1k 4k
A
+ V1 + V3 + V2
10V R2 10V R6
1k 10V R3
9k 4k
- DIVISOR DE CORRENTE
999.0uA
900.0mA
500.0mA
999.0mA
500.0mA
DC A
DC A
DC A
DC A
DC A
DC A
21
- CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES -
A ESTRUTURA DA MARRIA
OBS: Diante das grandezas eltricas, preciso saber diferenciar de forma clara corrente
de tenso. Muitos pensam que, por exemplo, um choque de altas tenses mortal,
porm, ele no seria se no existisse a corrente eltrica. A corrente como se fosse a
medida da quantidade de eltrons passando. Grotescamente, ns poderamos afirmar que
tenso a presso que esses eltrons fazem. Voc leva choques de altas tenses toda vez
que tira o casaco de l num dia frio, porm a corrente existente nesse caso fraqussima.
22
J alguns outros materiais, nem so bons condutores e nem so bons isolantes
sendo ento denominados de semicondutores. Estes sim, podem tanto conduzir quanto
isolar, dependendo do jeito que so tratados. Na tabela abaixo seguem as resistividades
de alguns materiais:
SEMICONDUTORES
23
Esse eltron que se soltou deixa ento um espao vazio com carga positiva, chamado de
LACUNA. Essa lacuna pode se deslocar tanto quanto o eltron sobre o material. Veja:
IMPUREZAS
Para que o nosso dispositivo semicondutor seja til precisamos que ele no seja
puro. Desta forma, precisamos trat-lo conforme nossa necessidade. Tal tcnica de
adicionar impurezas se chama Doping.
Se adicionarmos impurezas com um eltron a mais na camada de valncia
(fsforo, antimnio, arsnico) teremos uma substncia com eltrons extras. Porm se
adicionarmos ao silcio elementos com um eltron a menos na camada de valncia
(alumnio, boro) temos uma substncia com lacunas extras.
- DISPOSITIVOS ELETRNICOS -
Diodo
Dentre os componentes semicondutores mais conhecidos podemos citar o diodo.
Em geral, o diodo feito do mesmo material que os transistores e chips, a partir do
silcio (tambm podendo ser encontrado a partir do germnio). Existe um processo em
que so adicionadas impurezas ao silcio no intuito de se formar trechos do tipo N
(eltrons em excesso) e do tipo P (lacunas em excesso). O intuito deste mini-curso
clarear a idia de que: quando formada uma juno PN a corrente trafega com
24
facilidade do trecho P para o trecho N, mas no consegue no sentido contrrio. A figura
2.5 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.
25
Figura 2.6 Conduo de corrente no diodo.
Mais abaixo, temos a figura ilustrativa dos diodos junto ao seu smbolo.
26
LED
Existem LEDs que emitem luz vermelha, verde, amarela e azul. Existem LEDs
que emitem luz infravermelha, muito usados em sistemas de alarmes. Existem ainda os
que emitem luz vermelha ou verde, dependendo do sentido da corrente. Estes so na
verdade dois LEDs, um vermelho e um verde, ambos montados sobre a mesma base, e
ligados em paralelo, um no sentido direto e outro no inverso. Este tipo de LED usado,
por exemplo, em gravadores de CD-ROM. Quando esto lendo, emitem luz verde ou
amarela, e quando esto gravando, emitem luz vermelha.
Neste laboratrio, utilizaremos LEDs como o modelo mostrado a seguir. Como
podemos observar, o terminal de maior tamanho o anodo e o de menor tamanho
catodo. Veja na figura abaixo:
27
Sensores Infravermelho
Depois de estudarmos os diodos e os LEDs, vamos agora saber um pouco mais
sobre os semicondutores. Assim como os LEDs, os sensores infravermelho tm
funcionamento semelhante ao de um diodo. Um sensor infravermelho composto por
um emissor e um receptor. O seguinte circuito pode ser montado para a anlise desses
sensores:
Figura 2.11 Circuito utilizado para fazer a anlise dos sensores infravermelho.
Transistores
Aps o estudo sobre o diodo, que o principal dispositivo semicondutor de dois
terminas, iniciaremos agora o estudo sobre os dispositivos semicondutores de trs
terminais. Estes dispositivos so muito mais usados do que os de dois terminais devido
a sua vasta aplicao, que parte desde a amplificao de sinais at o projeto de circuitos
digitais e de memria.
O principal dispositivo semicondutor de trs terminais o transistor. Inventado
em 1947 nos Laboratrios da Bell Telephone, este dispositivo um substituto das
vlvulas eletrnicas com grandes vantagens: tamanho minsculo, menor custo e
pequeno consumo de energia.
O termo transistor vem de transfer resistor (resistor de transferncia), como era
conhecido pelos seus inventores. Em circuitos analgicos, o processo de transferncia
de resistncia significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima
ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. A partir desta caracterstica, ns
podemos definir o seu princpio bsico de operao: uso de uma tenso entre dois
terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal.
28
Desse modo, um transistor pode ser utilizado como uma fonte controlada, a qual
a base para o projeto de amplificadores. No caso extremo, a tenso de controle pode
ser usada para fazer com que a corrente no terceiro terminal varie de zero at um valor
significativo, fazendo com que este dispositvo implemente uma chave analgica, que
o elemento bsico dos circuitos digitais.
Por estas aplicaes ns podemos concluir que o transistor o mais importante
componente eletrnico j criado, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores
e equipamentos eletrnicos.
29
Para o TBJ ser utilizado como amplificador preciso que ele opere no modo
ativo. J para utiliz-lo como chave, preciso que ele opere nos modos corte e
saturao.
No transistor npn a base do tipo p e as outras regies so do tipo n. De formar
anloga, no transistor pnp a base do tipo n e as outras regies do tipo p. A estrutura
simplificada dos transistores npn e pnp so mostradas nas figuras 2.13 e 2.14,
respectivamente.
Embora o conceito bsico do FET tenha sido conhecido desde 1930, antes
mesmo da inveo do TBJ, o dispositivo apenas se tornou uma realidade prtica na
dcada de 60.
O nome de transistor de efeito de campo origina-se de seu princpio fsico de
operao, pois o mecanismo de controle baseado no estabelecimento de um campo
eltrico pela tenso aplicada no terminal de controle. Outra caracterstica interessante
que o FET unipolar, ou seja, a conduo de corrente acontece apenas por um tipo de
portador (eltrons ou lacunas), de acordo com o tipo de FET (canal n ou canal p).
Basicamente, existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de juno
(JFET Junction Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de campo de porta
isolada (MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Os transistores de efeito de campo operam em trs regies: de corte; de triodo; e
de saturao. A regio de saturao usada se o FET for operar como amplificador.
Para operar como chave, so usadas as regies de corte e de triodo.
As regies de operao so determinadas pelas tenses porta-fonte e dreno-
fonte.
30
JFET
MOSFET
31
A diferena bsica entre os MOSFETs tipo acumulao e depleo est no canal,
pois no modo depleo o canal j est fisicamente implementado, e a tenso porta-fonte
apenas controla a largura do mesmo.
Entre o MOSFET e o JFET a diferena a porta isolada eletricamente do canal.
E por este fato que a corrente da porta do MOSFET extremamente pequena,
independendo da tenso na porta (positiva ou negativa).
- MONTAGENS
R2 -4.588pA
DC A R2 229.5nA
1k DC A
Q1 1k
NPN Q1
+ V2 NPN
+ V2
0.3V
0.7V
16.01pA
23.18uA
DC A
DC A
R1 R1
1k 1k
V1
5V V1
+V 5V
+V
R2 11.97uA
DC A R2 41.07uA
1k DC A
A Q1 1k
NPN A Q1
NPN
+ V2
+ V2
2V
5V
1.209mA
4.148mA
DC A
DC A
1
R1
1k R1
1k
V1
5V
+V
R2 4.189mA
1k DC A
A Q1
NPN
+ V2
10V
4.980mA
DC A
R1
1k
32
- MONTAGENS
AULA PRTICA E SIMULAES
b a
A 1.2 c
B
800m
400m
-400m
-800m
-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage
b a
A 1.2 c
B
800m
400m
-400m
-800m
-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage
33
- RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA SEM CAPACITOR
V1
-1/1V D1
DIODE
C A
1kHz R1
1k
V2
-1/1V
D2
DIODE
B
1kHz
b a
A 1.2 c
B
C 800m
400m
-400m
-800m
-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage
V2
-1/1V
D2
DIODE
B
1kHz
b a
A 1.2 c
B
C 800m
400m
-400m
-800m
-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage
34
- INTRODUO AOS CIRCUITOS LGICOS -
Operadores Lgicos
possvel desenvolver a eletrnica digital a partir da elaborao e da
implementao de circuitos capazes de executar operaes lgicas, tambm conhecidas
como operaes booleanas (por conta da lgebra de Boole). Neste mini-curso sero
verificadas trs principais operaes que so o E (AND), o Ou (OR) e o No
(NOT). Partindo desses trs operadores possvel realizar a construo de circuitos
mais complexos como:
Somadores e Subtratores;
Multiplicadores e divisores;
Clulas de memria;
Registradores, multiplexadores, decodificadores;
Entre outros.
Processadores;
Memrias;
Chips grficos;
Chipsets;
Microcontroladores;
Entre outros.
OPERADOR NOT
A NOT A
0 1
1 0
35
OPERADOR AND
O operador AND possui duas entradas e uma sada. Ser produzida na sada o bit 1
no caso em que as duas entradas so 1 simultaneamente, ou seja, em qualquer caso em
que uma das entradas for 0, ser produzida uma sada com bit 0. Na seqncia, a tabela
da verdade do operador AND.
A B A AND B
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
OPERADOR OR
A B A OR B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
1 0 0 1 0 0 1 1
1 0 0 1 0 1
1 1 1 1 1 1
36
Circuitos Lgicos
Como mencionado anteriormente, iremos nos deter no estudo dos circuitos
bsicos, os quais so a base para implementao de circuitos mais complexos. Desta
forma, mostraremos os circuitos referentes s operaes NAND, NOR e NOT. Vale
lembrar que, considerando o funcionamento do MOSFET como chave analgica,
importante saber que os NMOS iro conduzir do dreno D para a fonte S se possuir 1
lgico no gate G. Ao contrrio, o PMOS conduzir se o gate G estiver com o 0 lgico.
NOT
NAND
37
NOR
- MONTAGENS
- INVERSOR
V1
5V
+V
Q2
V2 PNP
0/5V
A B
1MHz
Q1
NPN
38
Entrada V2(A)
Sada(B)
- PORTA NAND
V1
5V
+V
Q4 Q3
PNP PNP
V2
0/5V C
A
1MHz
V3
0/5V Q2
NPN
B
1MHz
Q1
NPN
Entrada V2(A)
39
Entrada V3(B)
Sada (C)
- PORTA NOR
V1
5V
+V
Q4
V2 PNP
0/5V
A
1MHz Q3
PNP
V3
0/5V
C
B
1MHz
Q2 Q1
NPN NPN
40
Entrada V2(A)
Entrada V3(B)
Sada (C)
41
- SIMULAO DIGIAL -
Motivao
A simulao digital na Engenharia Eltrica de suma importncia, pois ela nos
permite verificar a validade do circuito que projetamos sem que corramos o risco de
danificarmos os componentes e aparelhos utilizados.
Os circuitos estudados podem ser simulados para a verificao e fixao dos
conceitos abordados, bem como para conhecermos mais uma ferramenta no estudo dos
circuitos eletrnicos.
INSERINDO COMPONENTES
A janela Device Selection vai aparecer, figura 4.2. Nela voc encontrar uma
lista de componentes que podem ser simulados neste software. Para acrescentar um
componente na rea de trabalho basta escolhermos, em Major Device Class, a classe,
em Minor Device Class, a sub-classe e, em Device Symbol, o smbolo do componente
em questo.
42
Figura 4.2 Janela Device Selection.
LIGANDO OS COMPONENTES
Device -> Browse -> Transistors -> BJTs -> NPN Trans:C -> Place.
Device -> Browse -> Sources -> Linear -> +V -> Place.
Device -> Browse -> Sources -> Linear -> Battery -> Place.
43
Device -> Browse -> Sources -> Linear -> +V -> Ground.
Device -> Browse -> Resistors -> Resistors ->Resistor -> Place.
Device -> Browse -> Instruments -> Analog ->Multimeter -> Current ->
Place
SIMULAO
44
Figura 4.6 Montagem do circuito para a simulao.
Agora voc j est pronto para simular alguns circuitos! A partir dos primeiros
passos ensinados nesta apostila, com a curiosidade e com a experincia adquirida com o
tempo, voc poder simular circuitos maiores e mais complexos.
45
Conversores CC-CA
A tenso de sada tem uma forma de onda peridica que, embora no-
senoidal, pode, com uma boa aproximao, chegar a ser considerada como tal. H
muitos tipos de inversores, classificados de acordo com o nmero de fases, com a
utilizao de dispositivos semicondutores de potncia, com os princpios de
comutao e com as formas de onda de sada.
1. Conversor monofsico
Vs/2
Carga
Vs/2
S
2
Figura 2.1
Uma vez que cada chave tem terminais positivo e negativo, a combinao da
duas chaves fornece os quatro estados mostrados na tabela 2.1.
io
t
D1 S1 D2 S2 chaves em conduo Figura 2.1.b.
A frequncia de teso que se alterna determinada pela taxa de variao do
chaveamento. Se o perodo de chaveamento for de T segundos, a frequncia f ser:
1
f = [Hz]
T
Dois mtodos podem ser usados para tornar a sada o mais prximo possvel
de uma senide. Um deles consiste em empregar um circuito filtro no lado da sada
do inversor. Esse filtro deve ser capaz de deixar pasar a grande potncia de sada
do dispositivo, o que significa ter um tamanho adequado. Isso aumenta o custo e o
peso do inversor. Mas ainda, a eficincia ficar reduzida por causa das perdas
adicionais de potncia no filtro.
Figura 2.1.2.a.
Um VSI em ponte completa pode ser montado com dois VSIs em meia ponte.
Podemos ver na figura 2.1.3.a. o circuito bsico para um inversor monofsico de
fonte de tenso em ponte completa. So necessrias quatro chaves e quatro diodos
de retorno. A amplitude da tenso de sada, e portanto, a potncia de sada o
dobro do modelo meia-ponte. As chaves so passadas para os estados ligados e
desligados por pares em diagonal. Assim, ou as chaves S1 e S4 ou as S2 e S3 vo
para o estado ligado em um semiciclo (T/2). Portanto, a fonte CC fica ligada de
maneira alternada carga, em direes opostas. A frequncia de sada controlada
pela taxa de velocidade, segundo a qual as chaves se e se fecham. Se os pares de
chaves passarem para o estado ligado em intervalos iguai, a forma de onda da
tenso de sada ser uma onda quadrada com um pico de amplitude E.
Figura 2.1.3.a.
S2 on
-Vs/2 t
VBo T/2 T
Vs/2
S3 on
S4 on S4 on
-Vs/2 t
vAB T/2 T
v
s
-v t
s
i AB
o
t
is
o
D1 S1 D2 S2
t
D4 S4 D3 S3 Figura 2.1.3.b.
is
S1 D1 D3 S3
A L R B
V
s
S2
D2 D4
S4
Figura 2.1.3.c.
A funo dos diodos de retorno fornecer um caminho de volta para a
corrente de carga, quando as chaves estiverem desligadas. Logo aps S2 e S3
passarem para o estado desligado em t = 0, por exemplo, os diodos D1 e D4 iro
ligar.
A corrente de carga comear em um valor negativo e crescer
exponencialmente a uma taxa dada pela constante de tempo da carga ( = L/R). A
fonte de corrente CC, nesse perodo, invertida e flui de fato para a fonte CC.
Quando a corrente na sada chega a zero, D1 e D4 passam para o estado desligado
e S1 e S4, para o ligado. A tenso e a corrente na sada so positivas e produzem
uma potncia positiva. A corrente continua a crescer e alcana o valor mximo em
t= T/2, quando S1 e S4 passam para o estado desligado. A tenso de sada se
inverte, mas a corrente na sada continua a fluir na mesma direo. A corrente na
sada somente pode fluir atravs dos diodos D2 e D3, que ligam a fonte CC carga,
o que gera tenso inversa. A energia armazenada no indutor retorna fonte CC e a
corrente alcana seu valor mximo negativo em t = T e o ciclo se repete.
3. PWM
A estrutura do inversor trifsico pode ser obtida pela insero de mais uma
perna ao bloco do inversor monofsico em ponte, e os sinais para acionamento das
chaves superiores devem estar defasados de 120 um do outro e as chaves na
mesma perna devem estar alternadamente ligadas por 180 uma da outra, abaixo
na figura 5.a. podemos ver o esquemtico de inversor trifsico.
Figura 5.a.
Figura 5.b.
wt
v
BC
wt
v
CA
wt
v
AN (b)
wt
v
BN
Figura 5.b.
wt
(c)
Componentes Funcionais do Computador
Processamento de dados
- -
Entrada Processamento Sada
> >
Processamento pode ser definido como sendo a maneira pela qual os dados de entrada
sero organizados, modificados, transformados ou agrupados de alguma forma,
gerando-se assim uma informao de sada.
Para facilitar o entendimento, podemos dizer que um toca discos est para o hardware,
assim como a msica est para o software, ou seja, o seu equipamento (hardware) s
tem utilidade com o auxlio de programas (software).
2 Memria
1. Memria Principal
H alguns conceitos que devem ser conhecidos para que se possa melhor
compreender a memria principal nos computadores atuais:
2. Memria Secundria
8.1 Matricial
8.3 Laser
1. Placa Me
2. Monitores e Vdeos
Quando pensamos em sistemas multiusurio, onde vrios usurios podem estar compartilhando
os mesmos recursos, como, por exemplo, memria e discos, necessrio que todos tenham oportunidade
de ter acesso a esses recursos, de forma que um usurio no interfira no trabalho do outro.
Se imaginarmos, por exemplo, que uma impressora possa ser utilizada por vrios usurios do
sistema, dever existir algum controle para impedir que a impresso de um usurio interrompa a
impresso de outro. Novamente, o sistema operacional responsvel por permitir o acesso concorrente a
esse e a outros recursos, de forma organizada e protegida, dando ao usurio a impresso de ser o nico a
utiliz-los.
O compartilhamento de recursos permite, tambm, a diminuio de custos, na medida em que
mais de um usurio possa utilizar as mesmas facilidades concorrentemente, como discos, impressoras,
linhas de comunicao etc.
No apenas em sistemas multiusurio que o sistema operacional imporntate. Se pensarmos
que um computador pessoal nos permite executar vrias tarefas, como imprimir um documento, copiar um
arquivo pela internet ou processar uma planilha, o sistema operacional deve ser capaz de controlar a
execuo concorrentes de todas essas tarefas.
Figura 1 - Viso do sistema operacional como interface entre os usurios e os recursos do sistema.
Hardware
Partindo desse princpio, podemos considerar o computador como uma mquina de nveis ou
camadas, onde inicialmente existem dois nveis: o nvel 0 (hardware) e o nvel 1 (sistema operacional).
Desta forma, o usurio pode enxergar a mquina como sendo apenas o sistema operacional, ou seja, como
se o hardware no existisse. Esta viso modular e abstrata chamada mquina virtual.
Na realidade, um computador no possui apenas dois nveis, e sim tantos nveis quanto forem
necessrios para adequar o usurio s suas diversas aplicaes. Quando o usurio est trabalhando em um
desse nveis, no necessita da existncia das outras camadas, acima ou abaixo de sua mquina virtual.
Atualmente, a maioria dos computadores possui a estrutura mostrada na Figura, podendo conter
mais ou menos camadas. A linguagem utilizada em cada um desses nveis diferente, variando da mais
elementar (baixo nvel) mais sofisticada (alto nvel).
Aplicativos
Utilitrios
Sistema Operacional
Linguagem de Mquina
Microprogramao Hadware
Dispositivos Fsicos
1.3 Histrico
A evoluo dos sistemas operacionais est, em grande parte, relacionada ao desenvolvimento de
equipamentos cada vez mais velozes, compactos e de custos baixos, e necessidade de aproveitamento e
controle desses recursos.
Neste histrico dividimos essa evoluo em fases, once destacamos, em cada uma, sues
principals caractersticas de hardware, software, interao com o sistema e aspectos de conectividade.
1.3.1 Primeira Fase (1945-1955)
No incio da Segunda Guerra Mundial, surgiram os primeiros computadores digitais, formados
por milhares de vlvulas, que ocupavam areas enormes, sendo de funcionamento lento e duvidoso.
O ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer) foi o primeiro computador digital de
propsito geral. Criado pare a realizao de clculos balsticos, sue estrutura possua 18 mil vlvulas, 10
mil capacitores, 70 mil resistores e pesava 30 toneladas. Quando em operao, consumia cerca de 140
quilowatts e era capaz de realizar 5 mil adies por segundo.
Para trabalhar nessas mquinas, era necessrio conhecer profundamente o funcionamento do
hardware, pods a programao era feita em painis, atravs de fios, utilizando linguagem de mquina.
Nessa fase, ainda no existia o conceito de sistema operacional.
Outros computadores foram construdos nessa mesma poca, como o EDVAC (Electronic
Discrete Variable Automatic Computer) e o IAS (Princeton Institute for Advanced Studies), mas eram
utilizados, praticamente, apenas nas universidades e nos rgos militares.
Com o desenvolvimento da indstria de computadores, muitas empresas foram fundadas ou
investiram no setor, como a Sperry e a IBM, o que levou a criao dos primeiros computadores pare
aplicaes comerciais. A primeira mquina fabricada com esse propsito e bem-sucedida foi o UNIVAC I
(Universal Automatic Computer), criado especialmente pare o censo americano de 1950.
Fase Primeira (1945- Segunda (1956- Terceira (1966- Quarta (1981- Quinta (1991-
1955) 1965) 1980) 1990) )
Computad ENIAC NCR IBM 360, 370 Cray XMP IBM 3090
EDVAC IMB 7094 PDP-11 IBM 308 Alpha AXP
ores
UNIVAK CDC-6600 Cray 1 VAX-11 Pentium
Cyber-205 IBM-PC Sun SPARC
Telecomu Telefone Transmisso Digital Comunicao via Redes Locais (LAN) Redes Locais
Teletipo satlite Internet estendidas(ELAN)
nicaes
Microondas Redes sem fio
Redes Modelo cliente-
distribudas(WAN) servidor
Fibra ptica
2.1 Hardware
Um computador digital constitudo por um conjunto de componentes interligados, composto
por processadores, memria principal e dispositivos fsicos (hardware). Esses dispositivos manipulam
dados na forma digital, o que proporciona uma maneira confivel de representao.
Todos os componentes de um computador so agrupados em trs subsistemas bsicos: unidade
central de processamento (UCP), memria principal, e dispositivos de entrada e sada (Figura 5. Estes
subsistemas, tambm chamados de unidades funcionais, esto presentes em todo computador digital,
apesar de suas implementaes variarem nas diferentes arquiteturas existentes e comercializadas pelos
diversos fabricantes de computadores. Neste item descrevemos os conceitos bsicos dos principais
componentes desses sistema.
Registradores
Dispositivos de
Entrada e Sada
A UCP composta por dois componentes bsicos: unidade de controle e unidade lgica
aritmtica. A Unidade de controle (UC) responsvel por controlar as atividades de todos os
componentes do computador, mediante a emisso de pulsos eltricos (sinais de controle) gerados por um
dispositivo denominado clock. Este controle pode ser a gravao de um dado no disco ou a busca de uma
instruo da memria. A unidade lgica e aritmtica (ULA), como o nome indica, responsvel pela
realizao de operaes lgicas (testes e comparaes) e aritmticas (somas e subtraes).
A especificao da velocidade de processamento de uma UCP determinada pelo nmero de
instrues que o processador executa por unidade de tempo, normalmente segundo. Alguns fabricantes
utilizam unidade processamento prprias, j que no existe uma padronizao, sendo as mais comuns o
MIPS (milhes de instrues por segundo) e o MFLOPS/GFLOPS (milhes/bilhes de instrues de
ponto flutuante por segundo). A mostra alguns processadores e suas respectivas velocidades de
processamento.
2.1.2 Clock
O clock e um dispositivo, localizado na UCP, que gera pulsos eltricos sncronos em um
determinado intervalo de tempo (sinal de clock). A quantidade de vezes que este pulso se repete em um
segundo define a freqncia do clock. O sinal de clock e utilizado pela unidade de controle pare a
execuo, das instrues.
A freqncia do clock de um processador e medida em Hertz (Hz), que significa o nmero de
pulsos eltricos gerados em um segundo de tempo. A freqncia tambm pode ser utilizada como unidade
de desempenho entre diferentes processadores, pods quanto major a freqncia, mais instrues podem
ser executadas pela UCP em um mesmo intervalo de tempo.
2.1.3 Registradores
Os registradores so dispositivos de alta velocidade, localizados fisicamente na UCP, pare
armazenamento temporrio de dados. O nmero de registradores varia em funo da arquitetura de cada
processador. Alguns registradores so de uso especfico e tm propsitos especiais, enquanto outros so
ditos de uso geral.
Entre os registradores de uso especfico, merecem destaque:
contador de instrues (CI) ou program counter (PC) e o registrador responsvel pelo armazenamento
do endereo da prxima instruo que a UCP dever executar. Toda vez que a UCP execute uma
instruo, o PC e atualizado com um novo endereo;
o apontador da pilha (AP) ou stack pointer (SP) e o registrador que contmemriam o endereo de
memria do topo da pilha, que e a estrutura de dados onde o sistema mantm informaes sobre
tarefas que estavam sendo processadas e tiveram que ser interrompidas por algum motivo;
o registrador de estado, tambm chamado em alguns equipamentos de program status word (PSW), e
o registrador responsvel por armazenar informaes sobre a execuo do programa, como a
ocorrncia de carry e overflow. A cada instruo executada, o registrador de estado e alterado
conforme o resultado gerado pela instruo.
Endereos
M-1
Clula = n bits
Registradores
Memria Secundria
2.1.8 Barramento
A UCP, a memria principal e os dispositivos de E/S so interligados atravs de linhas de
comunicao denominadas barramentos, barras ou vias. Um barramento (bus) e um conjunto de fios
paralelos (linhas de transmisso), onde trafegam informaes, como dados, endereos ou Sinais de
controle. Ele pode ser classificado como unidirecional (transmisso em um s sentido) ou bidirecional
(transmisso em ambos os sentidos).
Na ligao entre UCP e memria principal, podemos observar que trs barramentos so
necessrios pare que a comunicao seja realizada. O barramento de dados transmite informaes entre a
memria principal e a UCP. O barramento de endereos e utilizado pela UCP pare especificar o endereo,
o da clula de memria que ser acessada. Finalmente , o barramento de controle e por onde a UCP envia
os pulsos de controle relativos as operaes de leitura e gravao.
Na Fig. 2.5, podemos observar dois tipos de configuraces, onde UCP, memria principal e
dispositivos de E/S so interligados de maneira diferente.
2.1.9 Pipelining
O conceito de processamento pipeline se assemelha muito a uma linha de montagem, onde uma
tarefa e dividida em uma seqncia de subtarefas, executadas em diferentes estgios, dentro da linha de
produo.
Dispositivos Memria
UCP de E/S Principal
UCP
Memria
Principal
Dispositivos
de E/S
Disco Memria
Principal
Boot
Sistema
Operacional
2.2 Software
O Hardware por si s no tem a menor utilidade. Para torn-lo til existe um conjunto de
programas, utilizado como interface entre as necessidades do usurio e as capacidades do hardware. A
utilizao de softwares adequados s diversas tarefas e aplicaes (conceitos de camadas) torna o trabalho
do usurios muito mais simples e eficiente.
2.2.1 Tradutor
Nos sistemas operacionais antigos, o ato de programar era bastante complicado, j que o
programador deveria possuir conhecimento do hardware e programar em painis atravs de fios. Esses
programas eram desenvolvidos em linguagem de mquina e carregados diretamente na memria principal
para execuo.
Com o surgimento das primeiras linguagens de montagem (assembly languages) e das linguagens
de alto nvel, o programador deixou de se preocupar com muitos aspectos pertinentes ao hardware, como
em qual regio da memria o programa deveria ser carregado ou quais endereos de memria seriam
reservados para as variveis. A utilizao dessas linguagens facilitou a construo de programas em
muitos aspectos. Desse modo, um programa poderia ser escrito de uma forma bem documentada e com
facilidades para realizar alteraes.
O tradutor, pelo tipo de linguagem de programao utilizada, pode ser chamado de montador ou
compilador (Figura 11).
Linguagem de
Montagem Montador Mdulo-Objeto
Linguagem de
Alto Nvel Mdulo-Objeto
Compilador
Figura 11 - Tradutor
2.2.2 Compilador
o utilitrio responsvel por gerar, a partir de um programa escrito em uma linguagem de alto
nvel, um programa em linguagem de mquina no executvel.
As linguagens de alto nvel, como pascal, fortran, cobol no tem nenhuma relao direta com a
mquina, ficando essa preocupao exclusivamente com o compilador.
2.2.3 Interpretador
O interpretador considerado um tradutor que no gera cdigo-objeto. A partir de um programa
fonte, escrito em linguagem de alto nvel, o interpretador, no momento da execuo do programa, traduz
cada instruo e a executa em seguida.
2.2.4 Linker
O linker (ligador), tambm chamado de linkagem, o utilitrio responsvel por gerar, a partir de
um ou mais mdulos-objetos, um nico programa executvel.
Mdulo Mdulo
Fonte Compilador Objeto
Mdulo Mdulo
Fonte Compilador Objeto
Figura 12 - Linker.
2.2.5 Loader
Tambm chamado carregador o utilitrio responsvel por colocar fisicamente na memria um
programa para execuo. O procedimento de carga varia com o cdigo gerado pelo linker e, em funo
deste, o loader classificado como sendo do tipo absoluto ou relocvel.
Tipo absoluto - o loader s necessita conhecer o endereo de memria inicial e o tamanho do
mdulo para realizar o carregamento. Ento, ele transfere o programa da memria secundria para a
memria principal e inicia sua execuo.
No caso de cdigo relocvel, o programa pode ser carregado em qualquer posio de memria, e
o loader responsvel pela relocao no momento do carregamento.
2.2.6 Depurador
O desenvolvimento de programas est sujeito a erros de lgica, independentemente de
metodologias utilizadas pelo programador. A depurao um dos estgios desse desenvolvimento, e a
utilizao de ferramentas adequadas essencial para acelerar o processo de correo de programas.
O depurador (debbuger) o utilitrio que permite ao usurio controlar a execuo de um
programa a fim de detectar erros na sua estrutura. Este utilitrio oferece ao usurio recursos como:
Acompanhar a execuo de um programa instruo por instruo;
Possibilitar a alterao e visualizao do contedo de variveis;
Implementar pontos de parada dentro do programa (break-point), de forma que, durante a execuo, o
programa pare nesses pontos;
Especificar que, toda vez que o contedo de uma varivel for modificado, o programa envie uma
mensagem (watchpoint).
2.2.10 Microprogramao
Um programa em linguagem de mquina executado diretamente pelo hardware em
processadores de arquitetura RISC, porm em mquinas CISC isto no acontece. Neste caso, como
podemos observar na Figura 3, entre os nveis de linguagem de mquina e do hardware, existem ainda o
da microprogramao.
Os microprogramas definem a linguagem de mquina de cada computador. Apesar de cada
computador possui nveis de microprogramao diferentes, existem muitas semelhanas nessa camada se
compararmos os diversos equipamentos. Uma mquina possui, aproximadamente 25 microintrues
bsicas, que so interpretadas pelos circuitos eletrnicos.
2.2.11 Processos
Um conceito chave da teoria dos sistemas operacionais o conceito de processo. Um processo
basicamente um programa em execuo, sendo constitudo do cdigo executvel, dos dados referentes ao
cdigo.
2.2.13 Arquivos
Arquivos so mecanismos de abstrao que fornece uma forma de armazenar recuperar
informaes em disco. Isto deve ser feito de uma forma que mantenha o usurio isolado dos detalhes a
respeito de como as informaes so armazenadas, e de como os discos efetivamente trabalha.
3. Tipos de Sistemas Operacionais
3.1 Introduo
Tipos de sistemas operacionais e sua evoluo esto intimamente relacionados com a evoluo
do hardware e das aplicaes por ele suportadas.
Muitos termos inicialmente introduzidos para definir conceitos e tcnicas forma substitudos por
outros, na tentativa de refletir uma nova maneira de intera ou ou processamento. Isto fica muito claro
quanto tratamos da unidade de execuo do processador. Inicialmente, os termos programa ou job eram os
mais utilizados, depois surgiu o conceito de processo e subprocesso e, mais recentemente, os conceitos de
tarefa e de thread.
A evoluo dos sistemas operacionais para computadores pessoais e estaes de trabalho
popularizou vrios conceitos e tcnicas, antes s conhecidos em ambientes de grande porte. A
nomenclatura, no entanto, no se manteve a mesma. Surgiram novos termos para conceitos j conhecidos,
que foram apenas adaptados para uma nova realidade.
Tipos de Sistemas
Operacionais
Programa/
UCP Tarefa
Memria
Dispositivos
de E/S
Os sistemas multiprogramveis/multitarefa podem ser classificados pela forma com que suas
aplicaes so gerenciadas, podendo ser divididos em sistemas batch, de tempo compartilhado ou de
tempo real. Um sistema operacional pode suportar um ou mais desses tipos de processamento.
Sistemas
Multiprogramveis/Multirefa
Memria
UCP UCP
Dispositivos Dispositivos
de E/S de E/S
UCP UCP
Se o processador falhar, todo o sistema ficar incapaz de continuar o processamento. Neste caso,
o sistema deve ser reconfigurado, fazendo um dos processadores escravos assumir o papel do mestre.
Mesmo sendo uma organizao simples de implementar e quase um extenso dos sistemas
multiprogramveis, esse tipo de sistema no utiliza eficientemente o hardware, devido assimetria dos
processadores, que no realizam as mesmas funes.
Dispositivos Usurios
de E/S S.O
3.5.3 Multiprocessamento
Desde sua criao, os computadores tm sido vistos como mquinas seqncias, onde a UCP
executa a instrues de um programa, uma de cada vez. Na realidade, essa viso no totalmente
verdadeira, pois, em nvel de hardware, mltiplos sinais esto ativos simultaneamente, o que pode ser
entendido como uma forma de paralelismo.
Com a implementao de sistemas com mltiplos processadores, o conceito de simultaneidade ou
paralelismo pode ser expandido a um nvel mais amplo, denominado multiprocessamento, onde uma
tarefa pode ser dividida e executada, ao mesmo tempo, por mais de um processador.
Rede
N N
Usurio
COMP 1 COMP 2
Figura 24 - Cluster.
Suponha, por exemplo, uma configurao de dois computadores (COMP 1 e COMP 2),
formando um cluster. Qualquer usurio conectado ao cluster poder ter acesso aos dispositivos
compartilhados, que permitem a ele imprimir uma listagem ou copiar um arquivo. Nesse tipo de
configurao, se um dos sistemas falhar, o acesso aos dispositivos no ser interrompido.
Os sistemas distribudos podem ser considerados como uma evoluo dos sistemas fortemente
acoplados, onde uma aplicao pode ser executada por qualquer processador. Os sistemas distribudos
permitem que uma aplicao seja dividida em diferentes partes (aplicaes distribudas), que se
comunicam atravs de linhas de comunicao, podendo cada parte ser processada em um sistema
independente.
3.6.3 Organizao Funcional
A organizao funcional dos sistemas fracamente acoplados ou topologia define como so
interligados fisicamente os diversos sistemas da rede.
3.6.3.1 Barramento
Na organizao de barramento, os sistemas so conectados a uma nica linha de comunicao e
todos compartilham o mesmo meio, tanto para receber como para enviar mensagens. Esse tipo de
organizao utilizada geralmente em redes locais (Figura 25).
Neste tipo de topologia, caso haja algum problema com o meio de transmisso, todos os ns da
rede ficaro incomunicveis.
tempo tempo
Sistema Nomoprogramvel (a) Sistema Multiprogramvel (b)
Monoprogramao Multiprogramao
Utilizao da UCP 17 % 33%
Utilizao da memria 30 % 67%
Utilizao do disco 33 % 67%
Utilizao da impressora 33 % 67 %
Tempo total para execuo dos programas 30 min. 15 min.
Taxa de execuo de programas 6 prog./hora 12 prog./hora
Tabela 7 - Comparao entre monoprogramao x multiprogramao
Programa
Salva os
. registradores
.
Identifica a origem
.
da interrupo
. Rotina de
. Obtm o endereo da Tratamento
Interrupo . rotina de tratamento
. :
. :
. :
.
Restaura
. os registradores
.
Memria
UCP Controlador
Principal
:
:
:
:
Figura 29 - Controlador.
Memria
UCP Principal
Cana de
E/S
Controlador Controlador
..... .....
4.3 Buffering
A tcnica de buffering consiste na utilizao de uma rea de memria para a transferncia de
dados entre os perifricos e a memria principal denominada buffer. O buffering veio permitir que,
quando um dado fosse transferido para o buffer aps uma operao de leitura, o dispositivo de entrada
pudesse iniciar uma nova leitura. Neste caso, enquanto a UCP manipula o dado localizado no buffer, o
dispositivo de entrada pudesse iniciar uma nova leitura. Neste caso, enquanto a UCP manipula o dado
localizado no buffer, o dispositivo realiza outra operao de leitura no mesmo instante. O mesmo
raciocnio pode ser aplicado para operaes de gravao, onde a UCP coloca o dado no buffer para um
dispositivo de sada manipular.
Memria Principal
Controlador
UCP Gravao Buffer Gravao
de E/S
Leitura Leitura
4.4 Spooling
A tcnica de spooling (simultaneous peripheral operation on-line) foi introduzida no final dos
anos 50 para aumentar a produtividade e a eficincia dos sistemas operacionais.
Naquela poca, os programas dos usurios eram submetidos um a um para processamento pelo
operador. Como a velocidade de operao dos dispositivos de entrada/sada muito lenta se comparada
do processador, era comum que a UCP ficasse ociosa espera de programas e dados de entrada ou pelo
trmino de uma impresso.
A soluo foi armazenar os vrios programas e seus dados, tambm chamados de jobs, em uma
fita magntica e, em seguida, submet-los a processamento. Desta forma, a UCP poderia processar
seqencialmente cada job, diminuindo o tempo de execuo dos jobs e o tempo de transio entre eles. Da
mesma forma, em vez de um job gravar suas sadas diretamente na impressora, poderia direcion-las para
uma outra fita, que depois seria impressa integralmente. Esta forma de processamento chamada de
spooling e foi a base dos sistemas batch.
A utilizao de fitas magnticas obrigava o processamento a ser estritamente seqncia, ou seja,
o primeiro job a ser gravado era o primeiro a ser processado. Assim, se um job que levasse vrias horas
antecedesse pequenos jobs, seus tempos de resposta ficariam seriamente comprometidos. Com o
surgimento de dispositivos de acesso direto, como discos, foi possvel tornar o spooling muito mais
eficiente, e principalmente, permitir a eliminao do processamento estritamente seqencial, com a
atribuio de prioridade aos jobs.
A tcnica de buffering, como j apresentamos, permite que um job utilize um buffer
concorrentemente com um dispositivo de E/S. O spooling, basicamente, utiliza o disco como um grande
buffer, permitindo que dados sejam lidos e gravados em disco, enquanto outros jobs so processados.
Um exemplo dessa tcnica est presente quanto impressora so utilizadas. No momento em que
um comando de impresso executado por um programa, as informaes que sero impressas so
gravadas em um arquivo em disco (arquivo de spool), para ser impresso posteriormente pelo sistema
Figura 32. Dessa forma, situaes como a de um programa reservar a impressora, imprimir uma linha e
ficar horas para continuar a impresso no acontecero. Essa implementao permite maior grau de
conpartilhamento na utilizao de impressoras.
Sistema
Programa Operacional
Arquivo de Spool
Impresso
4.5 Reentrncia
comum, em sistemas multiprogramveis, vrios usurios executarem os mesmos utilitrios do
sistema operacional simultaneamente, como, por exemplo, um editor de textos. Se cada usurio que
utilizasse o editor trouxesse o cdigo do utilitrio para a memria, haveria diversas cpias de um mesmo
programa na memria principal, o que ocasionaria um desperdcio de espao.
Reentrncia a capacidade de um cdigo de programa (cdigo reentrante) poder ser
compartilhado por diversos usurios, exigindo que apenas uma cpia do programa esteja na memria.
Uma caracterstica da reentrncia que o cdigo no pode ser modificado por nenhum usurio no
momento em que est sendo executado.
A reentrncia permite que cada usurio possa estar em um ponto diferente do cdigo reentrante,
manipulando dados prprios, exclusivos de cada usurios.
System
Aplicao Ncleo Hardware
Call
* Gerncia de processos
Criao e eliminao de processos
Alterao das caractersticas do processo
Sincronizao e comunicao entre processos
* Gerncia de memria
Alocao e desalocao de memria
*Gerncia de entrada/sada
Operaes de entrada/sada
Manipulao de arquivos e diretrios
5 Operador
4 Programas de Usurio
3 Entrada/Sada
2 Comunicao
1 Gerncia de memria
0 Multiprogramao
Executivo
Kernel
Servidor Servidor
de arquivo de processo
Modo usurio
Modo kernel
Ncleo
Hardware
A utilizao deste modelo permite que os servidores executem em modo usurio, ou seja, no
tenham acesso direto a certos componentes do sistema. Apenas o ncleo do sistema, responsvel pela
comunicao entre clientes e servidores, executa no modo kernel. Como conseqncia, se um erro ocorrer
em um servidor, este servidor pode parar, mas o sistema no ficar inteiramente comprometido. Alm
disso, a implementao de sistemas cliente-servidor permite isolar as funes do sistema operacional por
diversos processos (servidores) pequenos e dedicados a servios especficos. Como conseqncia, os
sistema operacional passa a ser de mais fcil manuteno.
Como os servidores se comunicam atravs de trocas de mensagens, no importa se os clientes e
servidores esto sendo processados em um sistema com um nico processador, com mltiplos
processadores (fortemente acoplado) ou ainda em um ambiente de sistema distribudo (fracamente
acoplado). A implementao de sistemas cliente-servidor em um ambiente distribudo permite que um
cliente solicite um servio e a resposta seja processada remotamente.
Apesar de todas as vantagens deste modelo, sua implementao, na prtica, muito difcil devido
a certas funes do sistema operacional exigirem acesso direto ao hardware, como operaes de entrada e
sada. Na realidade, o que implementado mais usualmente uma combinao do modelo de camadas
com o modelo cliente-servidor. O ncleo do sistema, alm de ser responsvel pela comunicao entre
cliente e servidor, passa a incorporar outras funes crticas do sistema, como escalonamento e gerncia
de memria, alm das funes dos device drivers.
Teoria de Controle
Sistemas Lineares
1.1 Introdu
c
ao
Sistemas Lineares s
ao aqueles que tem a forma:
0
x1 = a11 (t)x1 + . . . + a1n (t)xn + b1 (t)
x02 = a21 (t)x1 + . . . + a2n (t)xn + b2 (t)
.. (1.1)
.
0
xn = an1 (t)x1 + . . . + ann (t)xn + bn (t)
onde os aij , bi s
ao funco
es contnuas em um intervalo I, aberto com i,j=1,2,. . . ,n.
Equivalentemente podemos escrever
n
X
x0i = [aij (t)xj (t) + bi (t)], i = 1, 2, ..., n.
j=1
X n
d
i (t) = [aij (t)j (t) + bi (t)], i = 1, 2, ..., n.
dt j=1
0 = A(t)(t) + b(t), t I0 .
1
Antes de prosseguirmos, vamos apresentar algumas noco
es de espaco
es metricos necess
arios ao
desenvolvimento deste captulo.
Defini
c
ao 1.1.1 Um espaco metrico e um par (X,d) onde X e um conjunto e d e uma funca
o,
d : X X R
(x, y) d(x, y),
chamada dist
ancia de x a y, que satisfaz:
(a) d(x,x) = 0
Defini c
ao 1.1.2 Seja X um espaco metrico com a metrica d. Dizemos que uma aplicacao T : X
X e uma contraca o se existe c R, 0 c < 1 tal que x1 , x2 X temos que d(T (x1 ), T (x2 ))
cd(x1 , x2 ), onde c e a chamada de constante de contraca
o de T.
Demonstra
c
ao: Exerccio.
Defini ao 1.1.4 Dada uma sequencia (xn ) em (X, d) e um ponto x X, dizemos que (xn ) converge
c
a x se a sequencia de n
umeros reais d(xn , x) converge a zero.
Defini
c
ao 1.1.5 Uma sequencia (xn ) de X e chamada de sequencia de Cauchy se dado > 0, existe
n0 N tal que
d(xn , xm ) < para todo n, m > n0 .
Dizemos que um espaco metrico e completo se toda sequencia de Cauchy neste espaco for con-
vergente.
(i) ! x : T (x) = x;
cn1
(iii) n temos d(xn , x) d(xn , x).
1c
2
Demonstra ao: (i) Mostremos primeiramente a existencia. Seja x1 X qualquer e xn+1 = T (xn ),
c
n = 1, 2, ...
Vamos demonstrar que (xn )nN e uma sequencia de Cauchy.
Para n > 1, temos
d(xn , xn+1 ) = d(T xn1 , T xn ) cd(xn1 , xn )
e, por induca
o sobre n, vem que
e, como cn 0, segue que (xn ) e uma sequencia de Cauchy. Como X e um espaco metrico completo,
X tal que xn x
temos que existe x .
Mostremos agora que T x=x . Assim sendo
d(T x , T xn ) cd(
, xn+1 ) = d(T x x , xn )
x, xn ) 0, segue que xn T x
e, como d( . Pelo teorema de unicidade do limite, temos ent
ao que
Tx=x .
, y X, x
Mostremos agora a unicidade. Sejam x 6= y, com T x
=x
, T y = y. Ent
ao
0 < d( , T y) cd(
x, y) = d(T x x, y)
(ii) Observe que a sequencia definida em i) tambem pode ser escrita da seguinte forma
xn+1 = Txn1
Sabemos que esta sequencia converge a um ponto fixo, mas pela unicidade do ponto fixo temos que
ela converge a x.
cn1
) d(xn , xm ) + d(xm , x
d(xn , x ) d(x1 , x2 ) + d(xm , x)
1c
) 0, segue a afirmaca
Como d(xm , x o (iii).
Corolario 1.1.7 Seja T : X X tal que, para algum m, T m e uma contraca o. Ent ao T tem
uencia (T n x1 )nN converge ao
um e somente um ponto fixo e, para qualquer que seja x1 X, a seq
ponto fixo.
3
Demonstraao: Como T m e uma contraca
c nico ponto fixo, ou seja T m x = x. Ent
o, seja x seu u ao:
T m (T x) = T (T mx) = T x
Logo T x e ponto fixo de T m . Mas como x e o u nico ponto fixo de T m , temos que x = T x
(existencia), ou seja x e ponto fixo de T .
Para provar que x e u nico, tomemos x e como um outro ponto fixo de T. Assim,
T m (e
x) = T m1 (T x
e) = T m1 (e
x) = T m2 (T x
e) = ... = T x
e=x
e
Logo xe e ponto fixo de T m , e portanto x = x e.
Provemos ent ao a segunda parte do corol ario.
Seja x1 X. Tome yk = (T m )k y1 , onde y1 = T r x1 , com r N fixo e k N. Pelo Teorema do
ponto fixo de Banach para contraco es, yk x. Entao, para n > m, temos que r N , 1 r < m,
tal que n = km + r. Assim,
T n x1 = T mk+r x1 = T mk (T r x1 ) = (T m )k y1 = yk
Como yk x, temos que T n x1 x.
Consideraremos C(I0 , E) := {x : I0 E} o espaco das funco
es contnuas com a metrica
d(x, y) = max |x(t) y(t)| =k x y k .
t I0
Rt
Demonstra ao: Seja T : C C definida por T (t) := x0 + t0 [A(s)(s) + b(s)]ds. Assim T
c
est
a bem definida. Provemos que T possui um u
nico ponto fixo em C, o que implica no resultado
desejado. Dados u, v C, temos
Z t Z t
|T u(t) T v(t)| = | [A(s)(u(s) v(s))]ds| k A(s) kk u v k ds
t0 t0
K k u v k |t t0 |,
onde K := supsI0 k A(s) k . Tambem temos:
Z t
|T 2 u(t) T 2 v(t)| = |T (T u)(t) T (T v)(t)| k A(s)(T u(s) T v(s)) k ds
t0
Z t
K |T u(s) T v(s)|ds
t0
Z t
2 (t t0 )2
K k u v k |s t0 |ds = K 2 k u v k
t0 2!
4
Por induca
o, provamos que
Kn
|T n u(t) T n v(t)| k u v k |t t0 |n
n!
Suponhamos que a desigualdade acima seja verdadeira para n N. Ent
ao
Z t
n+1 n+1 n n
|T u(t) T v(t)| = |T (T u)(t) T (T v)(t)| = | A(s)(T n u(s) T n v(s))ds|
t0
Z t
Kn K n+1
K k u v k |s t0 |n ds k u v k |t t0 |n+1 .
t0 n! (n + 1)!
K n (b a)n
|T n u(t) T n v(t)| k u v k , n N.
n!
Logo, para algum m N suficientemente grande, podemos afirmar que T m e uma contraca
o. Do
Corol nico ponto fixo C, tal que
ario (1.1.7) segue que T possui um u
T = ,
isto e,
Z t
(t) = x0 + [A(s)(s) + b(s)]ds (1.3)
t0
Consideremos a equaca
o diferencial
z1 = x
z10 = x0 = z2
0 00
z20 = x000 = z3
z3 = x = z 4 (1.5)
..
.
z0 = x(n1) = zn
n10
zn = x(n) = p1 (t)x(n1) + . . . + pn (t)x + g(t) = p1 (t)zn + . . . + pn (t)z1 + g(t)
z 0 = A(t)z + b(t),
5
onde
z1 0 1 0 0 0
z2 0 0 1 0 0
.. .. .. .. .. .. ..
z= . , A(t) = . . . . . e b(t) = . .
zn1 0 0 0 1 0
zn pn (t) pn1 (t) pn2 (t) p1 (t) g(t)
ax00 + bx + c = 0
onde a, b e c s
ao constantes, num sistema de equaco
es lineares.
b c
Solu c
ao: O sistema dado e equivalente a ` x00 + x0 + ao x01 = x0 .
= 0. Facamos x1 = x; ent
a a
b c b c
ao x02 = x00 = x0 = x1 .
Facamos agora, x2 = x0 ; ent
a a a a
Assim, obtemos o sistema ( 0
x1 = x 2
b c
x02 = x1
a a
que e equivalente a 0
x1 0 1 x1 0
= b + c .
x02 a 0 x2 a
x0 = A(t)x + b(t),
1.2 Sistemas N
ao-Aut
onomos
Estudaremos equaco
es da forma
x0 = A(t)x + b(t), (1.6)
onde todos os elementos da matriz A(t) e do vetor b(t) s
ao funco
es contnuas num intervalo I. Como
j
a visto, a equaca
o (1.6) possui u
nica soluca
o.
Corol
ario 1.2.1 Sejam , soluco
es da equaca
o homogenea
x0 = A(t)x. (1.7)
(a) Se a e b s
ao constantes arbitr
arias, ent
ao = a + b e soluca
o da equaca
o (1.7);
6
(b) Se (s) = 0 para algum s I ent
ao (t) = 0, t I.
Demonstra
c
ao: (a) Se e s
ao soluco
es da equaca
o (1.7), ent
ao satisfazem
0 = A(t) e 0 = A(t).
Logo,
Demonstra c
ao: A primeira parte e consequencia imediata do Corol
ario 1.2.1,Provemos a segunda
o de A em E, dada por
parte. Representemos por s a aplicaca
s () = (s), s I.
onde 1 e 2 sao soluco o (1.7). Pelo Teorema 1.1.8, temos que para x 0 E, i A
es da equaca
tal que s () = (s) = x0 , ou seja, s e sobrejetora. Agora
ker s = { A : s () = 0}.
Mas pela parte (b) do Corol ario 1.2.1, a u
nica soluca
o que satisfaz (s) = 0 e a soluca
o nula. Logo
ker s = {0}, ou seja, s e injetora. Portanto s e bijetora, e existe 1
s (tamb em bijetora),
1
s (x0 ) = (t), com (s) = x0 .
7
Consideremos agora as equaco
es matriciais lineares
X 0 = A(t)X, (1.8)
onde X e uma matriz quadrada de ordem n. (t) e soluca o da equacao (1.8) se, e somente se, para
todo 1 j n, a j-esima coluna j (t) de (t) e soluca
o da equacao homogenea x0 = A(t)x.
Definimos a matriz fundamental da equaca o (1.7) como sendo uma matriz quadrada (t) de
ordem n cujas colunas formam uma base do espaco de soluco es de (1.7).
Como as colunas de uma matriz fundamental formam uma base do espaco A de soluco es de
(1.7), estas s
ao linearmente independentes. Temos que a dimens ao de A e n; logo temos n colunas
linearmente independentes, e assim a matriz fundamental e n ao-singular1.
Pelo Teorema 1.1.8, dado t0 I, e M0 uma matriz n ao-singular, existe uma u nica matriz funda-
mental tal que (t0 ) = M0 .
Seja C uma matriz constante, n n. Ent ao se (t) e uma soluca o da equaca
o (1.8), (t) = (t)C
e tambem solucao de (1.8), pois
0 (t) = 0 (t)C = A(t)(t)C = A(t)(t).
Proposi
c
ao 1.2.3 Sejam (t) e (t) soluco
es da equaca
o
X 0 = A(t)X,
sendo fundamental. Ent nica matriz C, n n, tal que
ao existe uma u
(t) = (t)C, t I.
C e n
ao singular se e somente se (t) e fundamental.
Demonstra
c ao singular para todo t I. Ent
ao: Como e fundamental, e n ao temos
[1 (t)(t)]0 = [1 (t)]0 (t) + 1 (t) 0 (t). (1.9)
Mas 1 (t) = 1 (t)(t)1 (t). Logo
[1 (t)]0 = [1 (t)(t)1 (t)]0
= [1 (t)]0 (t)1 (t) + 1 (t)0 (t)1 (t) + 1 (t)(t)[1 (t)]0
= [1 (t)]0 + 1 (t)0 (t)1 (t) + [1 (t)]0 .
Assim obtemos [1 (t)]0 = 2[1 (t)]0 + 1 (t)0 (t)1 (t), ou seja,
[1 (t)]0 = 1 (t)0 (t)1 (t)
= 1 (t)A(t)(t)1 (t)
= 1 (t)A(t), (1.10)
e substituindo em (1.9), obtemos
[1 (t)(t)]0 = 1 (t)A(t)(t) + 1 (t)A(t)(t) = 0.
Portanto
1 (t)(t) = C = (t) = (t)C.
Desta forma, temos que
det 1 (t) det (t) = det[1 (t)(t)] = det C.
Assim, det C 6= 0, isto e, C e n
ao singular se e somente se det (t) 6= 0, ou seja, se e somente se (t)
e fundamental.
1 det[(t)] 6= 0, ou seja, e inversvel.
8
Teorema 1.2.4 Se (t) e uma matriz fundamental da equaca
o
x0 = A(t)x,
ent
ao a soluca
o (t), com (t0 ) = x0 , da equaca
o
x0 = A(t)x + b(t),
e dada por
Z t
1 1
(t) = (t) (t0 )x0 + (s)b(s)ds . (1.11)
t0
Demonstra c
ao: Por causa do Teorema 1.1.8 basta verificar que (t) dada em (1.11) satisfaz a
condica
o inicial (t0 ) = x0 (o que pode ser feito por inspeca
o) e a equaca
o (1.6). Verifiquemos que
(t) satisfaz (1.6). De fato
Z t Z t
0 (t) = 0 (t)[1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds] + (t)[1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds]0 =
t0 t0
Z t
A(t)(t)[1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds] + (t)1 (t)b(t) = A(t) + b(t).
t0
A ttulo de ilustraca
o vamos mostrar como deduzir a carade usando o metodo de variaca
o
de par
ametros. Seja C(t) tal que
A(t)(t) + b(t) = A(t)(t) + (t)C 0 (t) b(t) = (t)C 0 (t) C 0 (t) = 1 (t)b(t).
Assim Z t
C(t) = 1 (s)b(s)ds + k,
t0
9
onde k e um vetor constante arbitr
ario. Podemos determin a-lo utilizando a condica
o inicial C(t 0 ) =
1 (t0 )x0 . Deste modo
Z t
C(t) = 1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds,
t0
e portanto
Z t
(t) = (t)C(t) = (t) 1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds .
t0
x0 = A(t)x,
a soluca
o e dada por
(t) = (t)1 (t0 )x0 .
x0 = A(t)x,
com
x1 0 1
x= e A= .
x2 k 2 0
Solu
cao: Uma matriz fundamental para esta equaca
o e dada por (na pr
oxima seca
o veremos como
encontr
a-la):
sen kt cos kt
(t) = .
k cos kt k sen kt
alculos, temos que 1 (t) e dada por
Efetuando os c
1
sen kt cos kt
1 (t) = k
1 .
cos kt k sen kt
Um problema importante e o caso associado com o sistema adjunto ao sistema (1.7). Definimos
o sistema adjunto como sendo o sistema
y 0 = [A(t)]t y.
10
1.3 Sistemas Aut
onomos
Estudaremos equaco
es da forma
x0 = Ax + b(t), (1.15)
onde A e uma matriz n n constante.
Consideremos primeiro o caso homogeneo
x0 = Ax. (1.16)
X 0 = AX, (1.18)
e as matrizes
(t) = (t + s), (t) = (t)(s).
Para a primeira matriz, temos
Logo (t) tambem e soluca o da equacao (1.18), com X(0) = (s). Porem, pelo Teorema 1.1.8 a
soluca
o e u
nica. Da (t) = (t), ou seja,
(t + s) = (t)(s).
(t + s) = (t)(s) t, s R.
Pondo s = t, temos
11
(d) Consideremos a sequencia de aplicacoes k dadas por
0 (t) = Id
Rt
k+1 (t) = Id + 0 Ak (s)ds.
Temos que
Z t Z t
1 (t) = Id + A0 (s)ds = Id + Ads = Id + tA,
0 0
Z t Z t
t2 2
2 (t) = Id + A1 (s)ds = Id + A(Id + sA)ds = Id + tA + A ,
0 0 2!
Z t Z t
s2 2
3 (t) = Id + A2 (s)ds = Id + A(Id + sA + A )ds
0 0 2!
t2 t3
= Id + tA + A2 + A3 .
2! 3!
Tomemos por hip
otese de induca
o que
Z t k2
X j X sj Aj
j k1
s A
k1 (t) = Id + A ds = .
0 j=0
j! j=0
j!
Logo
Z t Z t k1
X sj Aj
k (t) = Id + Ak1 ds = Id + A ds
0 0 j=0
j!
Z t 2 2
s A sk1 Ak1
= Id + A Id + sA + +... + ds
0 2! (k 1)!
X tj A j k
t2 2 tk
= Id + tA + A + . . . + Ak = .
2! k! j=0
j!
12
d tA
Proposi
c
ao 1.3.2 (a) (e ) = AetA e e0A = Id ;
dt
(b) e(t+s)A = etA esA ;
(c) (etA )1 = etA ;
P
tk A k
(d) etA = k! , sendo a convergencia da serie uniforme em cada intervalo compacto.
k=0
Consequentemente a soluca
o da equaca
o (1.16) e dada por
E voltando ao caso n
ao-homogeneo, com base no Teorema 1.2.4, a solucao da equaca
o (1.15) e
dada por Z t
tA t0 A sA
(t) = e e x0 + e b(s)ds .
t0
Na pr
oxima seca
o trabalharemos com a condica
o inicial x(0) = x 0 . Neste caso as soluco
es acima
tornam-se
(t) = etA para o caso homogeneo,
h Rt i
(t) = etA x0 + 0 esA b(s)ds , para o caso n
ao-homogeneo.
13
Lema 1.3.4 Seja A uma matriz n n constante. Se e um auto-valor de A e v e um auto-vetor
ao (t) = et v e uma soluca
correspondente, ent o da equaca
o
x0 = Ax.
Demonstra
c
ao: Temos Av = v. Logo
x0 = Ax.
14
e
(t) = e(i)t v = et (cos t i sen t)(v1 iv2 ).
Logo
1 1
1 (t) = [(t) + (t)] = [et (2v1 cos t 2v2 sen t)].
2 2
= et [(v1 cos t v2 sen t)],
1 1
2 (t) = [(t) (t)] = [et (2iv1 sen t + 2iv2 cos t)]
2i 2i
= et [(v1 sen t + v2 cos t)].
x0 = Ax,
com
x1 0 1
x= e A= .
x2 k 2 0
Soluao: Temos que ik e ik s
c ao auto-valores de A e
i 0 1
v= = +i = v1 + iv2
k k 0
15
16
Captulo 2
Controlabilidade
x0 = Ax + Bu, (2.1)
Definimos o conjunto control avel no tempo t1 como sendo o conjunto de estados iniciais x0
que podem ser levados a ` origem no tempo t1 usando um controle admissvel, isto e, um controle
pertencente ao conjunto de controle escolhido. Denotaremos o conjunto definido acima por C(t 1 ),
mas, podemos ser ainda mais exatos, denotando tal conjunto por C(t1 , u, 0), onde t1 e o tempo e
u U e o controle usado, e 0 (zero) e o alvo.
17
origem em qualquer tempo finito, ou seja,
[
C= C(t1 ).
t1 0
Demonstra c
ao: Suponhamos que x(t) seja a trajet
oria, com controle u(t). Por hipotese x 0 C,
assim x(t1 ) = 0, para algum t1 0. Tambem por hip
otese, y e um ponto na trajet
oria de x0 a` 0,
ent
ao para algum tempo , x( ) = y.
Tomemos o controle v(t) = u(t + ) (para comecarmos a partir de y, ou seja, mudamos a origem).
Entao com x(0) = y, seguimos a mesma trajetoria de x0 e alcancamos a origem no tempo t1 .
Deste modo y C(t1 ) e portanto y C.
C
X0
18
Demonstra ao: Sejam x0 , y0 C. Pela Proposica
c o 2.1.1, existe um caminho de cada ponto a`
origem que fica totalmente em C. Assim existe um caminho em C conectando x0 e y0 . De maneira
analoga se mostra que C(t1 ) e conexo por caminhos. Portanto podemos observar que C n
ao e com-
posto de um n umero de partes disjuntas.
C
X0
Proposi
c ao C(t1 ) C(t2 ).
ao 2.1.5 Se t1 < t2 , ent
Demonstra ao: Seja x0 um ponto qualquer de C(t1 ), com controle u(t). Consideremos o controle
c
v definido por
u(t) para 0 t t1 ,
v(t) =
0 para t1 < t t2 .
Apliquemos este controle em x0 . Ent
ao
x(t1 ) = 0 pois x0 C(t1 ),
x0 = Ax para t1 < t t2 .
Demonstra cao:[] Vimos que 0 C. Mas quando C e aberto, temos que C = int C. Logo 0 int
C.
[] Se 0 int C, ent
ao existe uma bola B(0, r) C. Seja u o controle que leva um ponto arbitr ario
x0 a o com y(0) = y0 , onde y0 B(x0 , r0 ). Pela continuidade da
` 0 no tempo t1 . Seja y(t) a soluca
1 int C denota o interior de C
19
o do PVI, y(t1 ) = y1 B(0, r) para r0 suficientemente pequeno. Como B(0, r) C, podemos
soluca
encontrar um controle u que leva y1 a` 0 no tempo t2 . Tomemos o controle v definido por
u(t) para 0 t t1 ,
v(t) =
u(t t1 ) para t1 < t t2 .
Logo usando este controle, e possvel levar y0 a` 0 no tempo t1 + t2 . Deste modo y0 C(t1 + t2 ) e
B(x0 , r0 ) C, x0 C. Portanto C e aberto se 0 int C.
C
( t1 )
r0
X0
( t1 ) r
Y0
0
( t2 )
Y
1
As equaco
es estado para o sistema linear aut onomo s a vimos por x 0 =
ao dadas conforme j
Ax + Bu, da seca
o anterior temos que a soluca
o e dada por
Z t
tA sA
x(t) = e x0 + e Bu(s)ds . (2.3)
0
Temos que x0 C(t1 ) se e somente se existe um controle u U, tal que x(t1 ) = 0, ou seja,
Z t1
t1 A sA
0=e x0 + e Bu(s)ds ,
0
e como a funca
o exponencial nunca se anula,
Z t1
x0 = esA Bu(s)ds. (2.4)
0
Precisamos agora saber sob que condicoes o sistema e completamente controlavel, isto e, C R n .
Os conjuntos de controle que usaremos s aveis, com ou sem limite, ou seja, U pode ser U u
ao integr
ou Ub . Provaremos agora alguns resultados sobre o conjunto control
avel. Adimitimos que o conjunto
de controles admissveis U e convexo
20
Demonstra cao: Primeiro provemos que C(t1 ) e simetrico. Seja x0 C(t1 ) com controle u(t). Da
o (2.4), segue que x0 C(t1 ) com controle u(t), e assim C(t1 ) e simetrico.
equaca
Agora provemos a convexidade. Temos que o conjunto U e convexo:
Temos que
Z t1 Z t1
cx1 + (1 c)x2 = c esA Bu1 (s)ds (1 c) esA Bu2 (s)ds
0 0
Z t1
= esA B[cu1 (s) + (1 c)u2 ]ds, para 0 c 1.
0
Exemplo 2.1.9 Consideremos um sistema inst avel com dois componentes, isto e, qualquer desvio
da origem, se o sistema for incontrol avel, levara a um estado de desequilbrio. Para um sistema
control
avel com estas caractersticas, podemos considerar as equacoes estado
0
x1 = x 1 + u 1
x02 = x2 + u1
x0 = Ax + Bu,
x1 1 0 1
com x = ,A= eB= . De (2.4) segue que x C(t1 ) se
x2 0 1 1
Z t1
(x1 , x2 )t = eId s Bu1 ds.
0
Mas
X
X
(s)k (Id )k (s)k
eId s = = Id = Id es .
k! k!
k=0 k=0
21
Logo
Z t1
x1 = x 2 = es u1 ds.
0
Assim
C(t1 ) = {x1 = x2 : |x1 | 1 et1 },
e
C = {x1 = x2 : |x1 | < 1}.
Observemos que, como parte do R2 , int C=. Da segue que C n ao e aberto (Proposica
o 2.1.6).
Com C = {x1 = x2 : |x1 | < 1} podemos concluir que para qualquer estado inicial fora do intervalo
1 < x1 < 1, o sistema e incontrol avel. Porem a origem pertence a este intervalo e o sistema e
controlavel a. O sistema continua control avel para qualquer desvio da origem menor que 1. Mas,
em geral, n ao e possvel controlar os dois componentes simultaneamente com o mesmo controle. Isto
s
o e possvel se os desvios iniciais dos dois componentes forem iguais.
Geralmente s ao necess arias duas condicoes para o sistema ser completamente control avel. O
conjunto control avel deve ser n-dimensional e ilimitado, mesmo quando os controles pertencem a U b .
C(t )1 C
-(1-et 1) -1
1-e t1 1
22
2.2 A Matriz de Controlabilidade
Definimos a matriz de controlabilidade M, como sendo a matriz formada pela matriz B, n m,
e o seu produto com potencias da matriz A, n n, ou seja, a matriz
M = [B AB A2 B An1 B],
Exemplo 2.2.1 Ache a matriz de controlabilidade para o sistema do exemplo anterior, onde
1 0 1
A= e B= .
0 1 1
Solu
c
ao: Temos que
1
AB =
1
Logo
1 1
M = [B AB] = .
1 1
Provaremos agora, alguns resultados sobre a controlabilidade completa que dependem do posto
de M e dos auto-valores de A. Observemos por exemplo, que o posto da matriz de controlabilidade
no exemplo anterior e 1, e pelo Exemplo 2.1.9 existem pontos pr oximos a` origem que n
ao sao
control
aveis.
y t B = y t Ak B = 0, k = 1, 2, ..., n 1.
y t Ak B = 0, k N. (2.5)
Da seca
o anterior sabemos que
X Ak (s)k
esA = , (2.6)
k!
k=0
y t esA B = 0.
23
ao, para todo x0 C(t1 )
Ent
Z t1
y t x0 = y t esA Bu(s)ds = 0.
0
Consequentemente C(t1 ) fica num hiperplano com normal y, para todo t1 > 0. E o conjunto con-
trol
avel fica no mesmo hiperplano, e ent ao qualquer bola B(0, r) 6 C, r. Portanto
0 6 int C, o que contradiz a hip
otese. Logo posto(M ) = n.
[] Suponhamos que 0 6 int C. Como C(t1 ) C, t1 , temos que 0 6 int C(t1 ), o que implica que
0 fr2 C(t1 ). Como ja vimos, C(t1 ) e convexo. Deste modo existe um hiperplano suporte a ` C(t1 )
ao bt x0 0, x0 C(t1 ).
passando por 0, para todo t1 . Seja b(t1 ) o normal a este hiperplano. Ent
De (2.4), temos que x0 C(t1 ) se
Z t1
x0 = esA Bu(s)ds.
0
Assim,
Z t1
bt esA Bu(s)ds = bt x0 , x0 C(t1 ). (2.7)
0
Mas u U u U. Portanto
Z t1
bt esA Bu(s)ds = bt x0 0, x0 C(t1 ). (2.8)
0
bt B = 0.
bt Ak B = 0.
Com este resultado temos uma relacao entre o posto da matriz de controlabilidade com a origem,
e consequentemente (de acordo com a Proposica o 2.1.6) com o conjunto ser aberto ou n ao. Se o
posto de M e menor que n, o sistema n ao e completamente control avel. Porem, se o posto de M e
igual a n, o sistema pode ou n
ao ser completamente control avel, dependendo agora do conjunto de
controle.
Proposi
c ao C = Rn .
ao 2.2.3 Se posto(M ) = n, e u Uu , ent
2 fronteira de C(t1 )
24
Demonstra c
ao: Por hip o anterior, 0 int C. Ent
otese posto(M ) = n. Logo, pela proposica ao
existe uma bola B(0, r) C, para algum r > 0. Seja x0 Rn um ponto arbitr ario. Consideremos
y0 = cx0 , com c = 12 r kx10 k . Temos que k y0 k=k cx0 k= c k x0 k= 21 r. Logo y0 B(0, r), e assim e
avel com um controle v pertencente a Uu . Portanto
control
Z t1
y0 = esA Bv(s)ds.
0
Ent
ao
Z t1 Z t1 Z t1
v(s)
cx0 = esA Bv(s)ds x0 = esA B ds = esA Bu(s)ds,
0 0 c 0
onde
v(s)
Uu .
u(s) =
c
avel, e como x0 foi tomado arbitrariamente temos que C = Rn . De maneira
Deste modo x0 e control
aloga podemos mostrar que C(t1 ) = Rn , t1 > 0.
an
Proposi
c ao C = Rn .
ao 2.2.4 Se posto(M ) = n, e Re(i ) < 03 para cada auto valor i de A, ent
Demonstra c avel. Seja x0 Rn um ponto arbitr
ao: Suponhamos a princpio que A e diagonaliz ario.
Consideremos a equaca
o
x0 = Ax, (2.10)
e facamos a transformaca
o x = P y, onde P e a matriz formada pelos auto-vetores linearmente
independentes correspondentes aos auto-valores i de A. De x = P y, temos
x0 = P y 0 (2.11)
P y 0 = Ax = AP y y 0 = P 1 AP y = Dy,
onde D e a matriz
1 0 ... 0
0 2 ... 0
D= .. .. .. .. .
. . . .
0 0 . . . n
A soluca
o da equaca
o diferencial acima e dada por
y(t) = eDt y0 ,
25
logo,
P
k
1t
k
k! 0 ... 0
k=0
P
k
2t
k
X D k tk 0 ... 0
k!
eDt = = k=0
k! .. .. .. ..
k=0 . . . .
P
k
nt
k
0 0 ... k!
k=0
e 1 t 0 ... 0
0 e 2 t ... 0
= .. .. .. .. . (2.12)
. . . .
0 0 . . . e n t
Desde que Re(i ) < 0, temos que ei t 0 e assim k y(t) k 0 quando t . De x = P y segue
que k x(t) k=k P y(t) kk P kk y(t) k 0, ou seja, k x(t1 ) k< para algum t1 > 0 e > 0 e tomado
arbitrariamente pequeno. Por hipotese posto(M ) = n, ent o 2.2.2 0 int C. Assim
ao pela Proposica
existe uma bola B(0, ) C. Como k x(t1 ) k< , x(t1 ) pode ser levado a` 0 em algum tempo t2 por
um controle u, digamos, pertencente a Ub . Consideremos o controle v definido por
0 para 0 t t1 ,
v(t) =
para t1 < t t2 .
u
Proposi
c ao C = Rn .
ao 2.2.5 Se posto(M ) = n, e Re(i ) 0 para cada auto-valor i de A, ent
Demonstra ao: Suponha por absurdo que C 6= Rn e que y 6 C. Deste modo existe um hiperplano
c
com normal b separando y e C, tal que
bt x0 p, x0 C e bt y > p.
Se mostramos que Z t1
b t x0 = bt esA Bu(s)ds > p
0
para t1 suficientemente grande e para algum controle u Ub , teremos uma contradica o. A igualdade
acima segue diretamente de (2.4). Ent ao vamos definir z t (s) = bt esA B, assim z(t) 6= 0 para
0 t t1 . Escolhendo ui (t) = sgn zi (t) temos
Z t1
b t x0 = |z(t)|dt.
0
26
Consideremos, a princpio, os auto-valores com parte real negativa. Assim q(t)e i t quando
t . Os termos correspondentes aos auto-valores com parte real nula s ao polinomios em t ou s
ao
termos periodicos em t. Tanto os termos polinomiais como os termos perio
Rt dicos d
a o uma contribui
cao
positiva a
` integral acima num intervalo n ao nulo. Portanto bt x0 = 0 1 |z(t)|dt e arbitrariamente
grande para t1 suficientemente grande. Logo obtemos a contradica o requerida e C = R n .
Como j
a vimos, se posto(M ) < n o sistema n avel, ou seja, C 6= R n . Mas
ao e totalmente control
mesmo com posto(M ) = n o sistema ainda pode n ao ser totalmente control
avel.
Proposi
c ao C 6= R n .
ao 2.2.6 Se posto(M ) = n, e A tem um auto-valor com parte real positiva, ent
Demonstra c
ao: Sejam um auto-valor de A com Re() > 0 e y um auto-vetor a
` esquerda
correspondente.
Entao temos
y t A = y t .
Observemos que
y t AA = y t A y t A2 = y t y t A2 = 2 y t .
Suponhamos por induca
o que
y t Ak1 = k1 y t .
Mas
y t Ak1 A = k1 y t A y t Ak = k1 y t y t Ak = k y t .
Logo provamos que
y t Ak = k y t . (2.13)
Das equaco
es (2.6) e (2.13) segue que
!
X Ak (s)k
y t esA = yt
k!
k=0
t A2 s2 A3 s3
= y Id As + + ...
2! 3!
y t A2 s2 y t A3 s3
= y t Id y t As + + ...
2! 3!
2 y t s 2 3 y t s 3
= y t y t s + + ...
2! 3!
2 s 2 3 s 3
= 1 s + + ... y t
2! 3!
!
X k (s)k
= yt
k!
k=0
s t
= e y.
Deste modo
y t esA = es y t . (2.14)
Seja x0 C. Logo x0 C(t1 ), para algum t1 > 0. Assim
Z t1
x0 = esA Bu(s)ds,
0
27
e da equaca
o (2.14) segue que
Z t1 Z t1
t sA
t
y x0 = ye Bu(s)ds = es y t Bu(s)ds. (2.15)
0 0
1 1 0 1 1 1 1 1 0 0
M = [B AB] = = .
0 0 0 1 0 0 0 0 0 0
1 1 0 0 1 1 1 1 0 0
M = [B AB] = = .
0 0 1 1 0 0 0 0 1 1
q p 1 0 q p 1 0 p 1 0 q
r 0 p 1
M = [B AB AB 2 ] = r 0 p 1 r
0 p 1
s 0 0 p s 0 0 p 0 0 p s
28
q pq + r p2 q + 2pr + s
= r pr + s p2 r + 2ps .
s ps p2 s
Logo,
Z t1
t1 A
x0 = e x1 esA Bu(s)ds. (2.16)
0
O resultado acima segue diretamente de (2.3). Muitos resultados que provamos anteriormente
para C(t1 ) tambem s alidos para C(t1 , x1 ), por exemplo a convexidade. Por outro lado alguns
ao v
resultados nao s
ao validos, por exemplo se n ao existe controle u tal que Ax 1 + Bu = 0 n
ao podemos
afirmar que C(t1 , x1 ) C(t2 , x1 ) para t2 > t1 .
Agora vamos definir o conjunto dos estados atingveis. Definimos R(t1 , x0 ) como sendo o
conjunto dos pontos que s ao atingveis a partir de um ponto inicial x0 no tempo t1 . De (2.3) segue
que x1 R(t1 , x0 ) se
Z t1
x1 = e t1 A x0 + esA Bu(s)ds , (2.17)
0
para algum u U.
Podemos observar claramente uma reciprocidade entre os dois conjuntos: x1 R(t1 , x0 ), ent
ao
x0 C(t1 , x1 ). Tambem, podemos definir o sistema tempo-inverso. Definimos este sistema como
sendo o sistema com a seguinte equacao estado
x0 = Ax Bu. (2.18)
Agora determinemos quando x0 pertence aos conjuntos C(t1 , x0 ) e R(t1 , x0 ) para o sistema tempo-
inverso. Da seca
o anterior, temos que a soluca
o de (2.18) e dada por
Z t
tA sA
x(t) = e x0 e Bu(s)ds .
0
Logo, x0 C(t1 , x1 ) se
Z t1
x0 = e t1 A x1 + esA Bu(s)ds, (2.19)
0
e x1 R(t1 , x0 ) se
Z t1
t1 A sA
x1 = e x0 e Bu(s)ds . (2.20)
0
29
Existe uma relaca
o entre o sistema tempo-inverso (2.18)
( e o original (2.1). Se fizermos a mudanca
= t1 se s = 0
avel s = t1 em (2.19), teremos ds = d e
de vari . Assim,
= 0 se s = t1
Z 0
x0 = e t1 A x1 + et1 A e A Bu(t1 )(d )
t1
Z t1
= e t1 A
x1 + e t1 A
e A Bu(t1 )d
0
Z t1
t1 A A
= e x1 + e Bu
( )d , (2.21)
0
onde pomos u ( ) = u(t1 ). Portanto comparando (2.17) e (2.21) podemos concluir que o conjunto
control
avel para o sistema tempo-inverso e igual ao conjunto dos estados atingveis para o sistema
original. Conseq uentemente as propriedades gerais do conjunto control avel tambem serao validas
para o conjunto dos estados atingveis.
Portanto
1 t1
1 e t1 x 1 e et1 1,
2
e assim,
1 1 t1 3 t1
R(t1 , ) = 1 e , e 1 .
2 2 2
De (2.20) temos que os pontos pertencentes ao conjunto dos estados atingveis para o sistema
tempo-inverso s
ao dados por
Z t1
t1 1 s
x1 = e e u(s)ds
2 0
Z t1
1 t1
= e et1 es u(s)ds.
2 0
30
Considerando que |u| 1, temos
Z t1
x1 1 et1 et1 es ds
2
0
= et1 (et1 1) = 1 et1 .
Assim,
1 t1
et1 1 x1 e 1 et1 ,
2
e o conjunto procurado e o intervalo fechado
3 t1 1 t1
e 1, 1 e ,
2 2
1
que pelo que vimos anteriormente e o conjunto control avel ao ponto para o sistema em questao.
2
1
Notemos que todos os pontos em R s ao atingveis por num tempo finito, mas somente os pontos no
2
1
intervalo (1, 1) s
ao control
aveis a (isto pode se facilmente observado tomando t1 arbitrariamente
2
grande).
10
t
0.5 1 1.5 2
-2
Proposi
c
ao 2.3.2 Os conjuntos dos estados atingveis e control
avel s
ao contnuos em t 1 .
Demonstra c
ao: Para mostrar que isto e uma propriedade geral, vamos considerar, por simplicidade,
que o conjunto dos estados atingveis pela origem com controles limitados, o qual denotaremos por
R(t). Logo de (2.19) segue que x R(t) quando
Z t
x= esA Bu(s)ds.
0
Mostremos que R(t1 ) e contnua, ou seja, se dado > 0, () > 0 tal que |t2 t1 | < (),
ao dH (R(t2 ), R(t1 )) < , que e equivalente a
ent ` max(H12 , H21 ) < para t2 (t1 , t1 + ), onde
H12 = sup {d(y, R(t1 ))}yR(t2 ) e H21 = sup {d(x, R(t2 ))}xR(t1 ) .
31
0.75
0.5
0.25
t
0.5 1 1.5 2
-0.25
-0.5
-0.75
Ub .
onde u
Se Z t2
y = esA Bv(s)ds, (2.23)
0
ao y R(t2 ).
ent
Suponhamos t3 = t1 e de (2.22) e (2.23) temos
Z t2 Z t1
d(
y k =
x, y) =k x sA
e Bv(s)ds e Bu(s)ds
sA
0 0
Z t1 Z t2 Z t1
= esA Bv(s)ds + esA Bv(s)ds e sA
Bu(s)ds
0 t1 0
Da,
Z t2 Z t2
kx
y k = esA Bv(s)ds k esA Bv(s)ds k
t3 t3
M |t2 t3 |.
Assim, se < temos
M
kx
y k< M |t2 t3 | < M= .
M
O caso t3 = t2 tambem se verifica analogamente. Logo, k x
y k< ,
x R(t1 ). Portanto,
x, R(t2 )) < e assim H21 < .
d(
Da mesma forma, mostra-se que H12 < . Portanto, max{H12 , H21 } < .
32
Para a pr oxima proposica
o precisamos das seguintes notaco
es e conceitos. Considere o espaco
vetorial de funco
es reais
Proposi
c
ao 2.3.3 O conjunto dos estados atingveis e compacto.
Demonstraao: De (2.17) temos que x1 R(t1 , x0 ) quando
c
Z t1
x1 = e t1 A x0 + esA Bu(s)ds . (2.24)
0
Assim, se considerarmos u Ub , claramente R(t1 , x0 ) e limitado. Agora temos que provar que
R(t1 , x0 ) e fechado. Para isto, devemos mostrar que toda sequencia convergente de pontos em
R(t1 , x0 ) possui limite em R(t1 , x0 ).
Seja Z t1
(k)
x1 = e t1 A x0 + esA Bu(k) (s)ds
0
onde
(k)
u1 (s)
..
u(k) (s) =
.
.
(k)
um (s)
(k)
Suponhamos que x1 x 1 , quando k , para algum x 1 R. Mostremos que x 1 R(t1 , x0 ),
isto e, x
1 e da forma (2.24), para algum u Ub . A demonstraca o deste fato estara concluida, uma
vez que mostrarmos que u Ub tal que
Z t1 Z t1
(k )
i (s)ui j (s)ds i (s)
ui (s)ds, i = 1, 2, . . . , m,
0 0
(kj ) (k)
para alguma subsequencia ui de ui , devido a (2.25) e a
` unicidade do limite de sequencias em
Rn .
33
Estamos considerando u(k) Ub . Logo
Z t1 1/2 Z t1 1/2
(k) (k) 2
k ui (t) k2 = ui (s) ds ds = (t1 )1/2 . (2.26)
0 0
(k) (k )
De (2.26) vemos que a sequencia ui e limitada em L2 [0, t1 ]. Portanto possui subsequencia ui j
i L2 [0, t1 ], isto e,
fracamente convergente para algum u
Z t1 Z t1
(k )
f (s)ui j (s)ds f (s)
ui (s)ds, f L2 [0, t1 ]. (2.27)
0 0
Ent
ao Z Z
t1
f (s)
ui (s)ds = u
i ds > h.
0 H
Mas,
Z t1 Z
(kj ) (kj )
f (s)ui (s)ds = ui ds h.
0 H
Portanto temos uma contradica o. Se tomarmos ui < 1, analogamente teremos outra contradica o.
Deste modo, 1 ui 1, ou seja, |ui | 1. Desde que os pontos no conjunto dos estados atingveis
s
ao definidos em termos de integrais da forma (2.26) para funcoes especficas f (t), o conjunto dos
estados atingveis e fechado e consequentemente e compacto.
u = Pu
e
BP = B, (2.28)
n m, e a matriz formada pelas m
onde B, colunas linearmente independentes de B, e as m
m
colunas restantes s
ao nulas. Sempre podemos colocar as m colunas linearmente independentes
ocupando as m
primeiras posico
es. De (2.28) temos que
Bu = BP u u
=B
34
Vamos definir a matriz C, n m,
como sendo a matriz formada pelas colunas n
ao nulas de B; e
o vetor v, m-dimensional, como sendo o vetor formado pelos primeiros m
componentes de u
. Deste
modo
Cv = B u
= Bu
e obtemos um sistema com m
controles independentes.
x0 = Ax + Bu
1 2 3
com B = e u t = [ u1 u2 u3 ].
1 2 3
Solu
c
ao: Neste caso temos m = 3 e n = 2. Consideremos a matriz elementar P
1 2 3
0 1 0 .
0 0 1
Ent
ao
1 2 3
1 2 3 0 1 1 0 0
BP = 0 = = B,
1 2 3 1 0 0
0 0 1
u1
1 2 3 u2 = u1 + 2u2 + 3u3 = B u
Bu = .
1 2 3 u1 + 2u2 + 3u3
u3
Logo,
1
C= e v = u1 + 2u2 + 3u3 .
1
Qualquer escolha dos controles originais tal que u1 + 2u2 + u3 = v n
ao afeta a trajet
oria. Assim
o sistema original possui uma dupla redund ancia.
2.5 Considera
co
es Finais
Neste captulo de Controlabilidade provamos v arios resultados sobre o conjunto control avel e para
facilitar o entendimento procuramos fazer diversas ilustracoes e exemplos. Foram discutidas tambem
as condicoes sobre a total controlabilidade do sistema; vimos que tais condicoes est
ao associadas ao
posto da matriz de controlabilidade M e dos auto-vetores de A.
Fizemos um breve estudo tambem sobre o conjunto dos estados atingveis onde vimos que de
maneira semelhante ao que fizemos em controlabilidade a ` origem, o alvo pode ser um ponto qualquer.
E por u ltimo em controles reduntantes vimos que quando a matriz B, n m, tem m colunas
linearmente independentes, diferentes controles levam a ` diferentes trajet
orias, mas quando isto nao
ocorre podemos reduzir o n umero de controles independentes.
35
36
Captulo 3
Estabilidade
Estudamos neste captulo o comportamento em perodos longos de tempo das soluco es de sistemas
autonomos de equaco es diferenciais ordinarias (EDOs). O principal interesse esta em determinar
se uma soluca o (trajet oria) permanece ou n ao limitada e, em caso afirmativo, se esta converge
assintoticamente para algum ponto de equilbrio.
Na Seccao 3.1 e definido o conceito de estabilidade de um ponto de equilbrio. Na Secca
o 3.2 s
ao
discutidas condicoes necess arias e suficientes para estabilidade de sistemas lineares autonomos. A
Secca
o 3.3 se destina a analisar um criterio algebrico (teorema de Hurwitz) para garantir estabilidade
de matrizes. Na Secca o 3.4 consideramos sistemas obtidos por perturbaco es de sistemas lineares
est
aveis. As Secco es 3.5 e 3.6 tratam do criterio de estabilidade formulado por Lyapunov. Na
Secca
o 3.7 aplicamos o criterio de Lyapunov a sistemas lineares discretos.
z 0 = f (z), (3.1)
Essa soluca
o pode ser prolongada a um intervalo m
aximo de existencia, o qual e aqui representado
por1
J(z0 ) = [0, (z0 )).
1 Estamos interessados apenas no futuro.
37
Nesse intervalo a soluca
o e unicamente determinada. Este resultado e conseq uencia do teorema de
PicardLindeloff.2 A chave para esse resultado e considerar a equaca o integral associada ao PVI
(3.5)
Z t
z(t) = z0 + f (z(s)) ds, t [0, ],
0
n
no espaco C([0, ]; IR ), onde > 0 e escolhido de forma adequada. Representamos esta soluca o
maximal por z(, z0 ).
A condicao (3.3) garante que e um ponto de equilbrio do sistema, pois o PVI com condica o
inicial z0 = possui apenas a solucao z(, z0 ) (repouso). Note que a escolha de como ponto de
equilbrio n
ao e restritiva, uma vez que e sempre possvel (atraves de translaco
es) alterar um campo
vetorial de forma a atingir esta configuraca o, desde que o campo possua apenas um zero. 3
Defini
c
ao 3.1.1 O ponto de equilbrio z = do sistema (3.1) e denominado est
avel quando:
> 0 > 0 tq z0 B (
z ) = J(z0 ) = [0, ) e z(t, z0 ) B t 0 ;
> 0 tq z0 B (
z ) = J(z0 ) = [0, ) e lim z(t, z0 ) = ;
t
x
+ sin x = 0.
O sistema correspondente e:
z2
z 0 = f (z) com f (z) := ,
sin z1
serem pontos de equilbrio do sistema. Atraves de uma translacao, o ponto de equilbrio (, 0) pode
ser levado na origem e ent ao analisado no sentido da Definica intuitivamente claro que os
o 3.1.1. E
pontos de equilbrio (0, 0) e (, 0) s
ao de natureza diferente. Sem entrar em detalhes, comentamos
por hora que (0, 0) e um ponto de equilbrio est
avel, enquanto que (, 0) nao o e. 2 2 2
38
4
y
2
-10 -5 0 0 5 10
x
-2
-4
onde s, r e b s
ao constantes positivas. Este sistema foi utilizado por Lorenz como modelo de dimens ao
finita para um fen omeno fsico (a convecca
o de RayleighBenard).
Em particular, a escolha dos par ametros s = 10, r = 28 e b = 8/3 gera um atrator es-
tranho, que foi observado numericamente e tem sido objeto intensivo de estudo de v arios grupos
de pesquisadores.4 Para r > 1, o sistema possui tres pontos de equilbrio:
p p
0 pb(r 1) pb(r 1)
z = 0 , z = b(r 1) e z = b(r 1) .
0 r1 r1
A estabilidade destes 3 pontos de equilbrio pode ser analisada quando conhecemos um pouco melhor
a aproximaca
o linear do campo vetorial. E possvel assim, verificar de forma clara a natureza inst
avel
do sistema. 2 2 2
39
1.5
0.5
-1 -0.5 0 0.5 1
x
-0.5
-1
-1.5
40
f (z) = Az, onde A corresponde a
` matriz de rotaca
o pelo a
ngulo de /2. 2 2 2
uma soluca
o que claramente n
ao satisfaz lim z(t) = .
t
c) = a) Temos que
keAt k cet , t 0,
o do sistema e z(t, z 0 ) = eAt z0 , conclumos
com constantes c 0 e > 0. Observando que a soluca
que z = e assintoticamente est
avel.
Observa c
ao 3.2.2 Se o ponto de equilbrio z = e assintoticamente est
avel, podemos concluir do
es de (3.7) convergem exponencialmente para quando t .
Teorema 3.2.1 que todas as soluco
Esta propriedade e denominada estabilidade exponencial. Fica claro, portanto, que os conceitos de
estabilidade assint
otica e exponencial s
ao equivalentes no caso dos sistemas lineares aut onomos.
2 2 2
Observa cao 3.2.3 Caso o ponto de equilbrio z = do sistema (3.7) seja assintoticamente est
avel,
ent
ao o sistema
z 0 = A z + b(t), t 0, (3.8)
e BIBOest avel (Bounded-Input Bounded-Output). Isto e, se b L ([0, ); IRn ), ent
ao toda soluca
o
de (3.8) est a tambem em L ([0, ); IRn ). Este fato segue imediatamente da representaca o da so-
luca
o para o problema n ao homogeneo. Tal propriedade e entretanto perdida quando o ponto de
equilbrio z = e somente est
avel (veja o pr
oximo exemplo). 2 2 2
x + a2 x = b(t)
e o respectivo sistema
z10 0 1 z1 0
= + .
z20 a2 0 z2 b(t)
41
Note que z = e um ponto de equilbrio do sistema
0
z1 0 1 z1
= .
z20 a2 0 z2
A interpretaca
o da soluca
o obtida e a seguinte:
Para 6= a, a soluca
o e formada pela composicao de duas vibraco
es com frequencias respectiva-
mente a/2 (frequencia da energia do sistema) e /2 (frequencia da forca externa).
No caso a = , observamos o fen omeno de resson
ancia: com o tempo o sistema ganha cada vez
mais energia e a soluca
o se torna ilimitada. Na pratica, o sistema acaba sendo destrudo, devido a`
sobrecarga de energia acumulada. 2 2 2
Observa c
ao 3.2.5 Suponha que no sistema (3.7) tenhamos max{ Re()| e autovalor de A} = 0.
Nesse caso o ponto z = ser
a est
avel exatamente quando todos os blocos de Jordan relativos aos
autovalores com Re() = 0 tiverem forma diagonal (por que?). 2 2 2
3.3 Crit
erio de RouthHurwitz
Como sabemos, os autovalores da matriz A IRn,n do sistema (3.7) s ao as razes do polin
omio
caracterstico de A (aqui denominado pA ). Suponha que pA e da forma
n
X
pA (r) = rn + ai rni .
i=1
Pela Definica
o 3.2.6 a matriz A e est
avel quando todas as razes de p a estiverem no semi-plano
esquerdo do plano complexo. Discutimos nesta seccao uma condicao necessaria (criterio de Routh
Hurwitz) para a estabilidade de uma matriz.
42
A hip
otese da estabilidade de A implica em
O polin
omio caracterstico do sistema correspondente e
p(r) = r3 + r2 + r + 1
Observa c
ao 3.3.3 No caso dos polin omios de grau menor ou igual a 4, e possvel encontrar condico
es
suficientes para garantir a estabilidade da matriz A a partir da aplicaca o do teorema fundamental
da algebra (veja [Gon]). De fato, os polin
omios
i) r+a
ii) r2 + ar + b
iii) r3 + ar2 + br + c
iv) r4 + ar3 + br2 + cr + d
com coeficientes reais possuem apenas razes com parte real negativa se e somente se as seguintes
condico
es s
ao respectivamente satisfeitas:
i ) a>0
ii ) a > 0, b > 0
iii ) a > 0, b > 0, c > 0 e ab > c
iv ) a > 0, b > 0, c > 0, d > 0 e abc > c2 + a2 d.
2 2 2
Exemplo 3.3.4 Considere um circuito com um resistor (de resistencia R), dois indutores (cada um
com indut
ancia L) e um capacitor (de capacitancia C), onde as constantes R, L e C s
ao positivas.
O problema e modelado pela equaca
o diferencial escalar
43
um polinomio com coeficientes reais positivos. Defina os polin
omios U e V (com coeficientes tambem
reais positivos) de modo que
U (r) + iV (r) = p(ir), r IR.
Temos ent
ao:
Grau de U = n e grau de V = n 1, se n for par;
Grau de U = n 1 e grau de V = n, se n for mpar.
Definimos a partir de U e V os seguintes polin
omios:
q1 := U, q2 := V, se n e par;
q1 := V, q2 := U, se n e mpar.
q3 , . . . , qm s
ao obtidos a partir do algoritmo de divis
ao de Euclides aplicado ao par q 1 , q2 .
Temos assim:5
Ap
os esta construca
o estamos prontos para enunciar o teorema de Routh.
A demonstraca
o deste resultado foge aos nossos objetivos e n
ao e apresentada. O leitor interes-
sado pode encontrar em [Gan] uma demonstraca o baseada em um teorema de resduos da an alise
complexa.
3.4 Perturba
c
ao de Sistemas Lineares
Consideramos nesta secca
o sistemas da forma
z 0 = A z + g(z), (3.9)
44
Seja z : [0, T ) IRn uma soluca
o local do sistema
z 0 = A z + g(z).
de onde segue
z(t) c |z(0)| et , t [0, T ). (3.10)
Podemos ent o local z pode ser prolongada ao intervalo [0, ). Logo, a
ao concluir que a soluca
estimativa (3.10) vale para T = e o teorema fica provado.
Observa cao 3.4.2 A import ancia do Teorema 3.4.1 e a forma pela qual ele pode ser aplicado na
an
alise da estabilidade dos pontos de equilbrio dos sistemas de controle em (3.9):
Expanda o campo vetorial f no ponto de equilbrio z = . O sistema resultante e da forma
otese de g estar definida em todo IR n n
(3.9), onde A = df () e g(z) = f (z) df ()g. (A hip ao
e restritiva, pois na demonstraca
o necessitamos de g somente em uma vizinhanca de z = .)
Verifique se A = df () e uma matriz est
avel.
A hipotese lim|z|0 |g(z)|/|z| = 0 e trivialmente satisfeita, pois f e suposta continuamente
diferenci
avel.
Note, entretanto, que este metodo de linearizaca
o fornece apenas uma condica o suficiente para a
estabilidade. Tal condica
o e por demasiado restritiva e est
a longe de ser necess
aria (veja o Exem-
plo 3.5.1). 2 2 2
x
+ 2a x + sin x = 0.
O sistema correspondente e:
0 z2
z = f (z) com f (z1 , z2 ) = (3.11)
2az2 sin z1
45
e a linearizaca
o do sistema no ponto de equilbrio z = nos fornece a matriz
0 1
A = df () = .
1 2a
f
E acil verificar que os autovalores da matriz A s
ao:
p
= a a2 1.
Exemplo 3.4.4 Consideremos novamente o sistema de Lorenz (veja Exemplo 3.1.3), descrito pela
equaca
o diferencial
s(z2 z1 )
z 0 = f (z) com f (z) = rz1 z2 z1 z3 , (3.12)
z1 z2 bz3
onde s, r e b s f
ao constantes positivas. E acil verificar que, para r > 1, existem tres pontos de
equilbrio:
p p
0 pb(r 1) pb(r 1)
z = 0 , z = b(r 1) e z = b(r 1) .
0 r1 r1
Linearizando o sistema nestes pontos, obtemos respectivamente as matrizes:
s s 0
A = df (
z ) = r 1 0 ,
0 0 b
s s p 0
A = df (
z) = p 1 p 1 b(r 1) ,
b(r 1) b(r 1) b
e
s s p 0
A = df (
z) = p 1 p 1 b(r 1) .
b(r 1) b(r 1) b
Para o ponto de equilbrio z obtemos o polin
omio caracterstico
o qual possui duas razes negativas e uma positiva. Portanto, a estabilidade numa vizinhanca de z
e improv
avel.
46
0.3
0.2
0.1
-1 -0.5 0 0.5 1
x
-0.1
-0.2
-0.3
Figura 3.3: Campo vetorial de x00 + 2ax0 + sin x = 0 (para a = 1) em uma vizinhanca do ponto
z = .
47
0.3
0.2
0.1
0 2 2.5 3 3.5 4
x
-0.1
-0.2
-0.3
Figura 3.4: Campo vetorial de x00 + 2ax0 + sin x = 0 (para a = 1) em uma vizinhanca do ponto
z = (, 0).
48
40
30
20
10
-15
-10 20
-5 0 10
00
-10 5
-20 10
15
20
Figura 3.5: Orbita do atrator de Lorenz (3.12) para os par
ametros s = 10, r = 28 e b = 8/3; condica
o
inicial: z(0) = (0.1, 0.1, 0.1).
avel quando6
O criterio de RouthHurwitz e aplic
Este e o caso se
s+3+b
s > b + 1 , r < rc := s ,
sb1
quando ent ao podemos concluir que os pontos de equilbrio z e z s
ao assintoticamente est
aveis. Para
os valores especiais s = 10, r = 28 e b = 8/3, temos r > rc 24.74 e os tres pontos de equilbrio
n
ao mais sao est
aveis. Entretanto, os polin
omios caractersticos de z e z ainda possuem uma raiz
negativa, fato que contribui para o comportamento mpar das o rbitas do sistema (veja Figura 3.5).
2 2 2
3.5 M
etodo de Lyapunov
Um metodo eficiente de se verificar a estabilidade e o desenvolvido por A.M. Lyapunov (1893). O
metodo trata de sistemas n
ao lineares da forma (3.1) e se baseia na an
alise de autovalores. Analisamos
a seguir um exemplo que serve de motivaca o para o metodo apresentado nesta secca o.
6 Veja Observaca
o 3.3.3.
49
Exemplo 3.5.1 Considere o sistema
3z2 z15
z 0 = f (z) com f (z1 , z2 ) = . (3.13)
2z2 + z15
A estabilidade do ponto de equilbrio e agora uma conseq uencia direta desta desigualdade. Alem
disto, temos ainda que limt z(t) = . De fato, como a funca o t 7 V (z1 (t), z2 (t)) e mon
otona n
ao
crescente, existe o limite a := limt V (z1 (t), z2 (t)).
Como V (z1 , z2 ) = 0 se e somente se (z1 , z2 ) = , basta verificar que a = 0. Suponha por contradica o
que a > 0. Temos ent ao que
Defina m := inf{6z110 + 36z22 | (z1 , z2 ) IR2 ; a V (z1 , z2 ) V (z1 (0), z2 (0))}. Como V e contnua,
temos que m > 0. Para t 0 temos agora
Z t
0 V (z1 (t), z2 (t)) V (z1 (0), z2 (0)) m dt = V (z1 (0), z2 (0)) mt.
0
Defini
c
ao 3.5.2 Uma funcao V : U IR, onde U e uma vizinhanca qualquer de z = , e denomi-
o de Lyapunov para o sistema z 0 = f (z) quando satisfaz:
nada funca
i) V e contnua em U e continuamente diferenciavel em U \{};
ii) V () = 0, V (x) > 0 para todo x U, x 6= ;
iii) hV (x), f (x)i 0 para todo x U \{}.
V e denominada funca
o de Lyapunov estrita quando, ao inves da condica
o iii), satisfizer:
iii ) hV (x), f (x)i < 0 para todo x U \{}.
2 2 2
50
min{V (x) | |x| = r} e U := {x U | V (x) < } B r Br . Entao > 0 e a continuidade
de V implica que U 6= e que U e uma vizinhanca de . Seja z uma soluca
o de
z 0 = f (z), z(0) = z0 U .
Temos ent
ao V (z(0)) < e
d
V (z(t)) = hV (z(t)), z 0 (t)i = hV (z(t)), f (z)i 0, t [0, (z0 )), (3.14)
dt
onde (z0 ) e o maior real que satisfaz z(t) B r , t [0, (z0 )]. Se existisse t1 (0, (z0 )] tal que
|z(t1 )| = r, teramos
V (z(0)) < V (z(t1 ))
pela definica
o de e
V (z(t1 )) V (z(0))
como conseq uencia de (3.14), nos levando a uma contradica o. Portanto, temos necessariamente
z(t) Br , para todo t [0, (z0 )]. Isto porem contradiz a maximalidade do intervalo [0, (z0 )],
provando assim que (z0 ) = e z(t) Br para todo t [0, ). Fica assim provado que z = e
um ponto de equilbrio est avel.
Provamos agora b). Defina inicialmente W := U .
(=) Como z e atrativo, existe > 0 tal que, para todo z0 B , a soluca o correspondente z(, z0 )
converge para z quando t . Caso W 6 B , redefina W := U B . Seja z : [0, ) U uma
d
o de z 0 = f (z); z(0) = z0 W satisfazendo dt
soluca V (z(t)) = 0, t [0, ). Temos ent
ao
V (z(0)) = lim V (z(t)) = V ( lim z(t)) = V () = 0.
t t
Isto porem e um absurdo, pois sendo V (z(t)) mon otona nao crescente, e possvel encontrar, para
todo n IN, um m IN tal que V (z(tn + )) V (z(tm )) V (
z ) = limn V (z(tn )).
51
Corol ario 3.5.4 (Lyapunov) Seja V uma funca o de Lyapunov estrita em U , uma vizinhanca de
, para o sistema z 0 = f (z). Ent
ao, o ponto de equilbrio z = e assintoticamente est
avel.
Demonstraca o: O Teorema 3.5.3 a) garante estabilidade de z em alguma vizinhanca B r U .
Note agora que, para toda soluca o de z 0 = f (z) que permanece em Br para t 0, a aplicaca o
t 7 V (z(t)) e mon otona estritamente decrescente. Portanto, a u nica dentre essas soluco
es que
d
satisfaz dt V (z(t)) = 0, t 0 e a soluca aria z(t) . Do Teorema 3.5.3 b) segue que z e
o estacion
atrativo.
CL
x + RC x + x = 0,
onde R, L e C s
ao constantes positivas. Uma funca
o de Lyapunov para este sistema e
de onde calculamos
hV (z1 , z2 ), f (z1 , z2 )i = 2Rz22 , (z1 , z2 ) IR2 .
o de Lyapunov e dada por V (z1 , z2 ) = z12 + z22 . O Teorema 3.5.3 garante que z = e
Uma funca
um ponto de equilbrio est
avel mas n
ao atrativo (verifique!). 2 2 2
52
3.6 Equa
c
ao Matricial de Lyapunov
Iniciamos esta secca
o recordando alguns importantes conceitos da a
lgebra linear, relacionados com
os autovalores de uma matriz.
53
No teorema a seguir e apresentada uma equaca
o matricial, que fornece uma forma equivalente
de definir a estabilidade de uma matriz.
A P + P A = I. (3.15)
54
Como W C C e positiva semi-definida, ent
ao W tambem o e. Logo, V e uma funca
o de Lyapunov,
pois hV (z(t)), Az(t)i = hz, W zi (veja Observaca
o 3.6.4). Seja agora z uma solucao de z 0 = Az
d
com dt V (z(t)) = 0, t 0. Temos ent
ao
d
0 = V (z(t)) = hz(t), W z(t)i.
dt
Logo,
0 hz(t), (W C C)z(t)i = hCz(t), Cz(t)i, t 0.
Portanto, Cz(t) = , t 0, e da observabilidade de (A, , C) temos z(0) = . O Teorema 3.5.3 b)
garante que o ponto de equilbrio z = e assintoticamente est
avel e do Teorema 3.2.1 segue a
estabilidade da matriz A.
A equacao matricial (3.15) e denominada equaca
o matricial de Lyapunov. Igualmente interessante
na an alise da estabilidade de sistemas n ao lineares e o criterio de Popow, que fornece condico
es
suficientes para garantir a estabilidade absoluta de sistemas de loop fechado. Para detalhes sobre o
conceito de estabilidade absoluta e sobre o criterio de Popow veja [F o3].
Defini
c
ao 3.7.1 O ponto de equilbrio x
= do sistema (3.16) e denominado:
avel quando: dado > 0, para todo x0 B , temos xk B , k = 1, 2, . . .
est
atrativo quando: para todo x0 IRn , temos lim xk = . 2 2 2
k
55
No que se refere a` verificaca
o da estabilidade do ponto de equilbrio de (3.16) temos o lema a
seguir, que por sua semelhanca com o Lema 3.7.2 e deixado para o leitor como exerccio.
kAxk
kAk := sup 1.
xIRn \{} kxk
Lema 3.7.6 O ponto de equilbrio x = do sistema xk+1 = Axk e atrativo se e somente se existe
matriz definida positiva P tal que A P A P e negativa definida.
Demonstracao: (=) Como kAk < 1, e f acil verificar que P = I (a matriz identidade) e tal que
A P A P e negativa definida. (Na verdade para qualquer matriz positiva definida P a express ao
acima e negativa definida.)
(=) Basta observar que V (x) := hx, P xi define uma funca o de Lyapunov quadr atica para o
sistema.
o A P A P = I e denominada equaca
A equaca o matricial discreta de Lyapunov.
Corol
ario 3.7.7 Se o ponto de equilbrio x = do sistema xk+1 = Axk e atrativo, ent
ao existe
uma funca
o de Lyapunov quadr
atica para o sistema.
Demonstraca
o: Segue imediatamente do Lema 3.7.6.
Exerccios
3.1 Verifique que o ponto de equilbrio do sistema no Exemplo 3.5.7 e est
avel mas n
ao atrativo.
56
3.2 Considere o sistema do oscilador n
ao linear amortecido (veja Exemplo 3.4.3)
x 1 = x2 , x 2 = x2 sin(x1 ),
x1 = x2 , x2 = x1 + 2x31 x2
uma funca
o de Lyapunov da forma
x1 = x1 + 2x1 x2 , x2 = x2 + x3 , x3 = x2 4x3
uma funca
o de Lyapunov da forma
V (x1 , x2 , x3 ) = a11 x21 + a22 x22 + a33 x23 + 2a12 x1 x2 + 2a23 x2 x3 + 2a13 x1 x3 .
57
3.9 Considere o sistema ( > 0, b > 0)
b, t > 0
x
= U (t), com U (t) :=
b, t < 0
omio p(t) = t3 + 6r2 + 12r + 9 possui somente raizes com parte real negativa.
3.12 Prove que o polin
A W + XA + 2X = W
possui uma u
nica soluca
o positiva definida X.
58
Captulo 4
Estabilizac
ao
BIBOestabilidade; (qualitativo)
Estabilidade assint
otica; (qualitativo)
Aceleraca
o do retorno ao ponto de equilbrio. (quantitativo)
59
Supondo que o controle u e obtido a partir do estado z por uma lei linear, escrevemos
u = F z,
z 0 = (A + B F ) z. (4.2)
(A, , C) = ((A + BF ) , , B ) e X = WT .
(A + BF )WT + WT (A + BF ) = AWT BB + WT A BB
Z T
d tA
= (e BB etA ) dt 2BB
0 dt
= eT A BB eT A + BB 2BB
= eT A BB eT A BB .
Chegamos assim a
` identidade
W = eT A BB eT A + BB ,
a qual nos permite concluir que W BB e positiva semi-definida.
60
Observa c
ao 4.1.3 O Teorema 4.1.2 garante que sistemas aut onomos controlaveis s
ao estabiliz
aveis
por realimentaca
o de estado. A recproca entretanto n
ao e verdadeira, conforme podemos verificar
no seguinte exemplo trivial:
A matriz est
avel, B =
z 0 = Az + Bu
2 2 2
A fim de esclarecer a questao levantada na Observacao 4.1.3, investigamos condicoes suficientes
para garantir a controlabilidade de sistemas estabiliz
aveis. Este e o objetivo do teorema
61
4.2 Coloca
c
ao de P
olos
Uma vez esclarecida a quest ao de que todo sistema control avel pode ser estabilizado por uma es-
trategia de controle de realimentaca
o do tipo u = F z, concentra-mo-nos no problema de escolher a
posica
o no plano complexo dos autovalores da matriz do sistema
z 0 = (A + BF )z.
Esta tarefa e equivalente a
` de escolher os p
olos de uma funca
o racional colocaca
o de p
olos. Tratamos
nesta secca
o apenas de sistemas com controle escalar (m = 1), isto e, da forma
z 0 = Az + bu com A IRn,n , b IRn .
Investigamos a princpio um resultado do tipo formanormal.
62
b) = a) Seja agora o sistema (A, b) satisfazendo as hipoteses do item b). O criterio do posto nos
garante que esse sistema e control
avel. Logo, (A, b) e tambem controlavel.
O teorema a seguir esclarece o resultado principal sobre a colocaca
o de razes dos polin
omios
caractersticos de sistemas de controle.
Teorema 4.2.2 Seja (A, b) um sistema control avel e 1 , . . ., r IR, r+1 , r+1 , . . ., s ,
s
n
C\IR numeros complexos dados, com r + 2(s r) = n. Ent ao existe f IR tal que o polin omio
r+1 , . . ., s ,
caracterstico de A + bf possui como razes 1 , . . ., r , r+1 , s .
Demonstraca
o: Seja f um vetor com componentes f0 , . . . , fn1 . O Lema 4.2.1 nos permite escrever
o sistema A + bf (a menos de uma mudanca de vari
aveis) na forma
0 1 0 0 0
0 0 1 0 0
.. .. .. .. .
.. .
..
. . . .
A + bf = ,
0 0 0 1 0
0 0 0 0 1
f0 a0 f1 a1 f2 a2 fn2 an2 fn1 an1
onde a0 , . . . , an1 , 1 s
ao os coeficientes do polin
omio caracterstico de A. Logo, o polin
omio carac-
terstico p de A + bf satisfaz
n1
X
p(r) = rn + (fi ai )ri .
i=0
Como os coeficientes fi ai , i = 0, . . . , n 1 s
ao determinados pelas razes do polin
omio, podemos
determinar f0 , . . . , fn1 (observe que e preciso resolver um sistema nao linear com n vari aveis e n
equaco
es).
Observa c
ao 4.2.4 E possvel obter um resultado semelhante ao apresentado no Teorema 4.2.2 para
sistemas genericos (A, B) com m 1. Neste caso, a demonstraca o baseia-se na forma normal.
Discutimos aqui o caso geral na forma de algoritmo.
Seja o sistema de controle
z 0 = Az + Bu, com A IRn,n , B IRn,m .
Procuramos uma matriz F IRm,n tal que os autovalores de A+BF sejam os n
umeros 1 , . . . , n C
dados (note que os autovalores complexos aparecem com seus conjulgados).
Os autovetores de A + BF devem ser encontrados satisfazendo:
(A + BF ) v i = i v i , 1 i n.
63
Definindo q i := F v i , 1 i n, obtemos
(A i I)v i + Bq i = , 1 i n.
Portanto,
vi
Ke(A i I|B), 1 i n, F = (q 1 | |q n )(v 1 | |v n )1 ,
qi
64
4.3 Observador Din
amico
Dadas A IRn,n , B IRn,m , C IRl,n considere o sistema de controle (A, B, C). Na Secca o 4.1,
vimos que para estabilizar um sistema utilizando uma estrategia de realimentaca o de estado da
forma u = F z temos que encontrar F de modo a tornar a matriz (A + BF ) est avel.
Fazemos agora o desenvolvimento equivalente para o problema de realimentacao de sada, quando
procuramos controladores da forma u = F y. Note que
u = F y = F Cz, F IRm,l .
n
ao s
ao suficientes para garantir a estabilidade da matriz (A + BF C). Tal fato pode ser comprovado
no simples exemplo a seguir.
x
+ x = u, y = x.
f
E acil verificar que os sistemas (A, B) e (A, , C) s
ao respectivamente control avel e observ
avel. Es-
colhendo agora uma estrategia de controle linear de realimentacao de sada, temos
u := f y, com f IR1,1 .
Obviamente e impossvel encontrar f IR que satisfaca Re(+ ) < 0 e Re( ) < 0 ao mesmo tempo.
Portanto, o sistema n
ao e estabiliz
avel. 2 2 2
Na Secca
o 4.4 e analisada uma alternativa para a estabilizaca
o por realimentacao de sada, que
consiste de duas etapas: inicialmente o estado e recontrudo a partir da sada; em um segundo passo
utiliza-se a aproximaca o do estado na realimentaca
o.
A fim de reconstruir dinamicamente o estado z a partir da observaca o y, utilizamos a seguinte
ideia:
65
O sistema (A, B, C) e simulado por outro com a mesma estrutura;
Seja x o estado desse sistema paralelo e w = Cx sua sada;
O controle do sistema paralelo e constitudo pelo controle do sistema usual adicionado de
uma componente da forma L(w y), com L IRn,l ;
Obtemos assim o sistema
amico;1
que e denominado observador din
A diferenca entre os estados do observador e do sistema original e definida por := z x
e satisfaz
0 = A L(Cx Cz) = (A + LC) ;
Note que, se Cv = , ent ao v pertence ao subespaco n ao observavel de (A, , C). Neste caso,
limt zr (t) 6= , contradizendo a detectabilidade de (A, , C).
b) = c) Note que e possvel escrever o sistema (A , C ) na forma normal
AI CI
A = , C = ,
AII
A v = v, Cv
= .
otese em b) segue que Re() < 0, provando assim que AII (e conseq
Da hip uentemente AII ) e uma
matriz est
avel. Da controlabilidade de (AI , CI ) segue sua estabilizabilidade, i.e. existe FI tal que
1A escolha da letra L para o observador se deve a D.G. Luenberger, que introduziu esta ideia.
66
(AI + CI FI ) e est
avel. Temos ent
ao que a matriz
A I + C I FI
A + C (FI | ) =
AII
67
E possvel utilizar sistemas auxiliares observadores tambem para sistemas de controle n
ao lineares.
Para maiores detelhes, consulte [KIF], [Is]. Ainda no contexto de sistems aut onomos, o leitor pode
encontrar em [KnKw] detalhes sobre o observador reduzido (semelhante ao observador discutido
nesta secca
o).
4.4 Estabiliza
c
ao por Realimenta
c
ao de Sada
O Exemplo 4.3.1 nos mostra que a forma cl assica da estabilizaca
o por realimentaca
o de sada u =
F y = F Cx nem sempre e possvel. Uma alternativa e utilizar o observador din
amico para encontrar
uma aproximacao para o estado, e, a partir desta aproximacao, escolher o controle.
O observador din
amico e definido pelo sistema (veja Seccao 4.3)
0
x = Ax + Bu + L(w y)
(4.5)
w = Cx
que est
a associado a
` matriz
A BF
A = .
LC A + BF + LC
Se a matriz A for est
avel, conseguimos atingir o nosso objetivo inicial de estabilizar (A, B, C) atraves
do sistema acoplado (4.6) constitudo de processo mais observador. Note que esta abordagem nos
permite, alem de estabilizar o processo, reconstruir seu estado.
Defina agora w := z x. O sistema (4.6) se escreve nas novas vari aveis (z, w) como
0
z = (A + BF )z + BF w
(4.7)
w0 = (A + LC)w
68
Exemplo 4.4.1 Considere o sistema (A, B, C) do Exemplo 4.3.3 com matrizes:
1 3 1
A = , B = , C = 1 0 .
0 2 1
det(I (A + BF )) = 2 + (3 f1 f2 ) + (2 5f1 f2 ).
z 0 = Az + B(
u + v). (4.8)
O ponto de operaca
o zo do sistema (4.8) corresponde ao ponto de equilbrio do sistema livre (i.e.
v 0). Temos assim
zo = A1 B u
.
O problema abordado nesta secca o e o de encontrar uma estrategia de controle v que torne o ponto
de operacao assintoticamente estavel e que, se possvel, nos permita identific
a-lo.
Note que se u e conhecido, recamos no problema de estabilizaca o do sistema (A, B). De fato,
uma vez calculado zo , basta fazer a mudanca de vari avel x = z zo para que o estado x satisfaca a
amica x0 = Ax + Bv.
din
Utilizando uma abordagem semelhante a ` do observador din amico, e possvel n
ao somente es-
tabilizar o ponto de operaca o, como tambem determin a-lo. Vamos aproximar o estado z por x
satisfazendo a dinamica:
x0 = L(z x),
onde L IRn,n e n
ao singular. Escolhemos agora para (4.8) um controle da forma
v = F (z x).
69
aveis z = z zo , x = x zo , obtemos
Fazendo a mudanca de vari
0 = L(z x) = L(
x zx
)
e ainda
z0 = z 0 = Az + B u
+ BF (z x) = A
z + BF z BF x
.
Temos ent
ao, para o par (
z x), o sistema
0
z A + BF BF z
= . (4.9)
x0 L L x
Portanto, basta encontrar matrizes F e L, tais que a matriz do sistema (4.9) seja est
avel. Note que,
avel, uma escolha possvel e F = , L = I.
se A e est
70
Exerccios
4.1 Considere o sistema SISO (A, b) com
1 6 1 1
A = 1 1 1 , b = 1 .
2 2 0 1
71
72
Captulo 5
Princpio do M
aximo
1 Tamb
em conhecido como princpio do mnimo, ou princpio de Pontryagin.
2 Hestenes, M.R., Variational theory and optimal control theory, 1 22
73
onde
L : [t0 , ) IRn IRm IR, L1 : [t0 , ) IRn IR,
f : [t0 , ) IRn IRm IRn , : [t0 , ) IRn IRp
e IRm . O tempo inicial t0 e a condica o inicial z0 s
ao fornecidos, enquanto que o tempo final t1
e a condica
o final s
ao, a princpio, desconhecidos.
Note que o fato da din amica do sistema ser descrita por uma equaca o integral ao inves de
diferencial, permite-nos considerar traje orias admissveis menos regulares. O conjunto das estrategias
de controle admissveis e
Uad := L1loc ([0, ); IRm ).
Desta forma, as trajet
orias correspondentes s
ao funco
es absolutamente contnuas em [t 0 , t1 ].
Defini
c
ao 5.1.1 Sejam f , L as funco
es definidas acima. A aplicaca
o
e denominada funca
o de Hamilton (note que a origem da constante precisa ainda ser esclarecida).
2 2 2
No teorema a seguir apresentamos o princpio do maximo. Por ser longa e tecnica, a demonstraca
o
n
ao e apresentada nestas notas. A argumentacao utilizada na demontraca
o segue a linha das notas
de aula de M. Brokate (veja [Br]).
Como referencias auxiliares o leitor pode consultar [PBG], [Hes], [Ber], [Know], [MaSt], [Za],
entre outros. A obtencao do princpio do maximo para problemas com tempo final fixo (t 1 = T
conhecido) e mais simples, podendo ser encontrada em [FlRi, Captulo 2], [Ho, Captulo 9] ou [Tr,
Teorema 11.8].
ii) Equaca
o adjunta
Z t1
(t) = 1 + H
(s, z(s), (s), u(s)) ds, t [t0 , t1 ],
t z
1 := L1 (t1 , z(t1 )) (t , z(t1 )) ;
z z 1
iii) Equaca
o de evoluca
o da funcao de Hamilton
Z t1
H
H(t, z(t), (t), u
(t)) = H1 (s)) ds, t [t0 , t1 ],
(s, z(s), (s), u
t t
D E
H1 := L1 (t1 , z(t1 )) + (t1 , z(t1 )), ;
t t
74
iv) Condica
o de otimalidade
H(t, z(t), (t), u(t)) = min H(t, z(t), (t), u), q.s. em [t0 , t1 ] ;
u
v) Condica ao acoplamento + || 6= 0.
o de n
Observa c
ao 5.1.4 Analogamente aos problemas variacionais, os problemas de controle o timo tambem
podem ser formulados com diferentes tipos de condico es de contorno. A cada um destes tipos corre-
sponde uma variante do Teorema 5.1.2, que se diferencia deste apenas pelas condico es de contorno
da vari avel adjunta e da funca o de Hamilton. Enunciamos a seguir algumas variantes do problema
P (t0 , z0 ) que surgem com maior freq uencia nas aplicaco es. Apresentamos tambem as condico es
necess arias correspondentes para cada problema.
Considere o problema P (t0 , z0 ) com t1 fixo (t1 > t0 ) e L1 .
Se a condica o final e fixada (z(t1 ) = z1 ), n ao h a nenhuma condica o para (t1 ) (corresponde a `
escolha (t, z) := (t t1 , z z1 ) IR2 ).
Se a condica o final e livre (z(t1 ) qualquer), a vari avel adjunta satisfaz (t1 ) = (corresponde a `
escolha (t, z) := t t1 IR).
Se a condica o final e da forma: z(t1 ) z1 (no caso escalar), a vari avel adjunta satisfaz (t1 ) 0,
ocorrendo a igualdade quando z(t1 ) > z1 .
Considere o problema P (t0 , z0 ) com L1 . Neste caso, as condico es para (t1 ) discutidas acima
n
ao se alteram e, alem disso,
H(t1 , z(t1 ), (t1 ), u(t1 )) = 0 .
Esta equaca
o extra corresponde a
` vari
avel adicional do problema, representada pelo tempo final
desconhecido t1 . 2 2 2
O princpio do m
aximo pode, em alguns casos, ser utilizado para efetivamente determinar uma
soluca
o do problema P (t0 , z0 ). Para tanto, aplica-se a seguinte estrategia: Inicialmente explicitamos
o controle u em funca
o das vari aveis z e , obtendo assim
75
1. Estime 0 := (t0 ) e ;
2. Resolva o problema de valor inicial
z 0 = + H (t, z, , 1, U (t, z, )), z(t0 ) = z0 ,
0 = H (t, z, , 1, U (t, z, )), (t0 ) = 0 ;
z
L1
(t1 , z(t1 )) = 0, (t1 ) = (t1 , z(t1 )) (t1 , z(t1 )) ;
z z
4. Retorne ao passo 2.
Observa c
ao 5.1.5 O problema de valor de contorno (5.1), (5.2), (5.3) possui, tomando o controle u
fixo, 2n+1 variaveis (z, , H) e p+1 par
ametros (, ). Temos assim 2n+p+2 graus de liberdade, os
quais est
ao sujeitos a 2n+p+1 equaco es. Aparentemente, temos um grau de liberdade a mais. Note,
porem, que a condica
o de nao acoplamento v) garante que e n ao s
ao ambos nulos, sendo portanto
sempre possvel simplificar o sistema (5.1), (5.2), (5.3) em relaca
o a ou a uma das componentes
de . Sendo assim, o Teorema 5.1.2 pode ser formulado alternativamente como:
2 2 2
Observa c
ao 5.1.6 E simples verificar que a equaca
o de EulerLagrange do calculo variacional
pode ser obtida do princpio do m
aximo. De fato, o problema de minimizaca
o cl
assico do c
alculo
76
variacional pode ser interpretado como
Z b
Minimizar J(z, u) := L(t, z(t), u(t)) dt
a
0
sujeito a z = u(t) .
Logo, a condica
o de m
aximo iv) do Teorema 5.1.2 implica em
H u + L (t, z, u
0 = (t, z, , ) = i + L(t, z, u
[h, u )] = )
u u u
e, portanto,
= L (t, z, u
) . (5.4)
u
O sistema hamiltoniano para as vari
aveis de estado e adjunta se escreve
d z = + H = u
dt (5.5)
d = H = L (t, z, u )
dt z z
De (5.4) e (5.5), temos
L d L
(t, z, u
) = (t, z, u
)
z dt u
ou
L 0 d L 0
z) )
(t, z, ( (t, z, (
z) ) = 0 .
z dt z 0
2 2 2
77
Suponha que no problema P (t0 , z0 ) o tempo final t1 = T e o estado final z1 = zT s
ao dados.
Temos assim o seguinte problema de controle o timo:
Z T
Minimizar J(z, u) := L(t, z(t), u(t)) dt
0
sujeito a
PT (z0 ) Z t
z(t) = z0 + f (s, z(s), u(s)) ds, t [0, T ], z(T ) = zT ;
0
u L ([0, T ]; IRm ), u(t) q.s. em [0, T ] ;
1
i) Equaca
o de estado
Z t
z(t) = z0 + (s)) ds, t [0, ) ;
f (s, z(s), u
0
ii) Equaca
o adjunta
Z t
H
(t) = 0 + (s)) ds, t [0, ) ;
(s, z(s), (s), u
0 z
78
iii) Condica
o de otimalidade
Demonstraca o: Seja ( z, u
) um processo o timo para P (z0 ). Dado T > 0, as funco es et L :
n m n m
[0, T ] IR IR e f : [0, T ] IR IR satisfazem as condico es do Corol ario 5.2.1. Logo, este
corol ario nos fornece condico es necess arias para otimalidade de cada problema
Z Tk
Minimizar J(z, u) :=
et L(t, z(t), u(t)) dt
0
sujeito a
PTk (z0 ) Z t
z(t) = z0 +
f (s, z(s), u(s)) ds, t [0, Tk ], z(Tk ) = zk := z(Tk ) ;
0
u L ([0, Tk ]; IRm ), u(t) q.s. em [0, Tk ] ;
1
kk k + k > 0 ;
( o do sistema Hamiltoniano3
z , k ) e soluca
d
z (t) = (t)) dt, t [0, Tk ]
H (t, z(t), k (t), u
dk (t) = Hx (t, z(t), k (t), u
(t)) dt, t [0, Tk ]
z(0) = z0 , z(Tk ) = zk ;
Seja agora T > 0 fixo. Logo Tk > T , para k > k0 e como o sistema Hamiltoniano desfruta da
es iniciais, podemos garantir que existe : [0, T ]
propriedade de dependencia contnua das condico
IRn , tal que k converge uniformemente para em [0, T ]. Essa convergencia implica nas desejadas
condicoes de otimalidade para o problema P (x0 ), uma vez que T > 0 e arbitrario.
Observa c
ao 5.2.3 Duas diferencas b
asicas devem ser observadas na formulaca
o do Teorema 5.2.2
em relaca
o ao Teorema 5.1.2:
Falta uma condicao de contorno final para a vari
avel adjunta (eventualmente uma condica
o de
decaimento do tipo lim (t) = );
t
Falta a condica ao acoplamento (neste caso + |0 | 6= 0).
o de n 2 2 2
Uma analise para problemas do tipo linear-quadr atico com horizonte infinito e tambem possvel
via programacao dinamica. Atraves de um processo de limite, e possvel obter a funca o valor
resolvendo-se a equaca
o algebrica de Riccati (veja [So, Captulo 7]).
3 Note que H(t, z, k , u) = hk , F (t, z, u)i + k L(t, z, u).
79
5.3 Aplica
co
es do Princpio do M
aximo
Nesta seccao analisamos, a ` luz do princpio do maximo, alguns problemas de controle o timo. Na
Aplicacao 5.3.1 e discutido formalmente um problema de tempo mnimo. A Aplicaca o 5.3.2 e uma ex-
tens ao da primeira. Nela e analisada uma famlia maior de problemas, composta pelos denominados
problemas de tempo mnimo ate a origem.
Na Aplicacao 5.3.3 o princpio do m aximo e utilizado para verificar que uma estrategia do tipo
bang-bang e a unica estrategia otima existente para um problema de alunissagem. Na Aplicaca o 5.3.4
consideramos um problema com controle singular.
Na Aplicacao 5.3.5 consideramos um modelo econ omico classico, que foi formulado por F. Ram-
sey em 1928 (veja [Ra]). Utilizando a equaca o de EulerLagrange, obtemos a poltica o tima para
um problema de consumo investimento com horizonte infinito.
Em [BMS] podem ser encontradas diversas aplicaco es do princpio do m
aximo a problemas aeroes-
paciais, dentre as quais citamos: Desenho o timo de uma miss ao a Netuno; Ascenss ao o
tima de um
veculo espacial hipers onico; Alcance m aximo de v oo para uma asa delta atravessando uma termica.
Em [Ho] s ao discutidas (entre outras) as seguintes aplicaco es: Oscilador harm onico com custo de
combustvel; controle de epidemias; Pescaria o tima; Contracao do ventrculo esquerdo do coraca o;
Compra e venda de aco es.
Aplica c
ao 5.3.1 (Tempo mnimo I) Considere a tarefa de encontrar uma estrategia u (acel-
eraca
o e frenagem) que permita levar, no menor tempo possvel, um carro que se encontra na
origem e em repouso, ate uma parede distante de uma unidade. Ao chegar na parede o carro deve
ter novamente velocidade nula.
Supondo que o carro de massa unit
aria e desprezando os atritos, temos o modelo:
80
A condica
o de optimalidade nos permite encontrar
sign 2 , 2 6= 0
U (z, ) = (5.7)
? , 2 = 0
Aplicacao 5.3.2 (Tempo mnimo II) Consideramos agora uma variante da aplicaca o anterior.
Suponha que no tempo t = 0 nosso carro se encontra na posica o a IR com velocidade b IR. Nosso
objetivo e lev
a-lo ate a origem no menor tempo possvel, de forma que ao chegar ao destino, o carro
tenha velocidade nula.
Temos agora o seguinte problema de controle
RT
Minimizar 0 1 dt
sujeito a
z 0 = 00 10 z + 01 u, z(0) = (ab ) ;
(T, z(T )) := z(T ) =
4 Note que e calculado para tr
as no tempo.
81
z2
C
u1 b
a z1
u1
82
que e admissvel para a condica o inicial (a, b). Tal trajet
oria e composta por dois arcos: um da
curva E limitado por (a, b) e pelo ponto P e outro da curva C limitado por P e pela origem.
Para calcular (instante em que trocamos o controle de 1 para 1) n ao e necess
ario calcular as
constantes 1 , 2 na equaca o (5.9). No caso a > 0, b > 0, basta descobrir para qual > 0 a curva
(z1 (t), z2 (t)) = (a + bt t2 /2, b t) satisfaz a condica
o
z2 ( ) < 0, z2 ( )2 = 2z1 ( ) .
p
alculo simples mostra que e dado por uma das razes b
Um c b2 /2 a. 2 2 2
Aplicac
ao 5.3.3 (Alunissagem) Considere o problema de controlar a descida de uma espaconave
na Lua, utilizando para isso a menor quantidade possvel de combustvel. Em um modelo simplifi-
cado, temos5
t : tempo;
h(t) : altura da espaconave;
v(t) : velocidade da espaconave;
m(t) : massa da espaconave + combustvel;
u(t) : empuxo dos motores da espaconave.
Seja M a massa da espaconave sem combustvel, F a quantidade inicial de combustvel, h 0 a altura
inicial, v0 a velocidade inicial, umax o empuxo m aximo dos motores da nave (0 u(t) umax ,
t 0), g a constante gravitacional da Lua (considerada constante) e k a constante de proporcionali-
dade entre o empuxo e a taxa de queima do combustvel. As variaveis de estado (h, v, m) satisfazem
a seguinte dinamica: 0
h = v(t)
v 0 = g + u(t)/m(t)
0
m = ku(t)
Definindo z(t) = (h(t), v(t), m(t)), temos o sistema n ao linear
z2
z 0 = g + u/z3 =: f (t, z, u)
ku (5.10)
z(0) = (h0 , v0 , M + F ), z(T ) = (0, 0, ?) .
A condica
o final segue da hip
otese que um pouso suave ocorre quando h(T ) = 0 e v(T ) = 0, sendo
para m somente relevante que m(T ) M . Como o custo a ser minimizado corresponde ao gasto de
5 Este modelo e tambem discutido em [FlRi], [Ho] e [Know].
z2 z2
z1 z1
83
z2
C E
b
u1
a z1
u1
84
z1 = h
z2 = v
= T F/k
z1 = h
(v0 ,h0 )
u
=0
u
=1 z2 = v
Tracando o grafico de z1 () por z2 (), obtemos a curva da Figura 5.5, que e formada pelos estados
da forma z() = (h(), v(), M + F ) que s (t) = 1, t [, T ] no estado
ao levados pelo controle u
final z(T ) = (0, 0, m(T )) com m(T ) M . Note que o comprimento dessa curva e limitado pois,
como u 1, temos m0 = k e o combustvel se esgotar a ap
os F/k unidades de tempo. Temos assim
o T F/k (alem de T 0, obviamente).
a limitaca
Como inicialmente u 0, a nave se encontra em queda livre durante o intervalo de tempo [0, ].
A trajetoria correspondente e
1 2
z1 (t) = 2 gt + v0 t + h0
z2 (t) = gt + v0 t [0, ] .
z3 (t) = M + F
Explicitando z1 (= h) em funca
o de z2 (= v), obtemos:
1 2
h(t) = h0 [v (t) v02 ], t [0, ] .
2g
A curva (v(t), h(t)) e uma par abola no plano de fase v h. Unindo os dois trechos da trajet oria
correspondente a u , obtemos a curva mostrada na Figura 5.6. Segundo essa trajet oria, a nave cai
em queda livre ate que o estado (v, h) alcance a curva da Figura 5.5. Nesse momento os motores s ao
acionados na potencia m axima ate um estado final admissvel ser atingido ((T, z(T )) = ).
Observe que se a intersecca
o das duas curvas na Figura 5.6 ocorre em um ponto (v(), h()) com
< T F/k, a quantidade de combustivel n ao e suficiente para realizar um pouso suave. Enquanto
85
que se a condica
o inicial (v0 , h0 ) se encontra abaixo da curva na Figura 5.5, mesmo empregando
empuxo m aximo u(t) = 1, t [0, T ], o solo lunar e atingido com v(T ) < 0.
Atraves do princpio do maximo verificamos agora que a estrategia de controle definida em (5.12)
e um candidato a controle o timo. Suponha (0) = (l1 l2 l3 ). Substituindo na equaca o adjunta
0
1 = 0
0 = 1
02
3 = 2 u/z32
temos:
Defina agora r(t) := + 2 (t)/z3 (t) k3 (t), t [0, T ]. De (5.11) sabemos que a escolha do controle
u
no tempo t depende de sign(r(t)). Portanto, como a estrategia de controle u salta de 0 para 1 em
t = , temos obrigatoriamente
2 ()
r() = + k3 () = 0 .
z3 ()
l2 l 1
1 + k l3 = 0 .
M +F
A escolha de u em (5.12) implica em r(t) > 0, t [0, ). Portanto, l1 > 0, necessariamente.
O princpio do m
aximo fornece-nos ainda uma condica o inicial para a equaca
o adjunta:
1
1 0 0 1
(T ) = (T, z(T )) = = 2 ,
z 0 1 0 2
0
86
Note que para t [, T ), temos
r(t) = 1 + (l2 l1 t)/z3 (t) k3 (t)
< 1 + l2 /M k l3 + (P /(M + F ))l1 . (5.14)
Substituindo em (5.14) as express oes encontradas em (5.13) para l1 e l3 , obtemos uma restrica o
linear para escolha de l2 . Outra restrica o (tambem linear) para l2 e dada por l1 > 0 e (5.13). Como
o problema assim colocado possui soluca o n ao u
nica, e possvel encontrar uma condica
o inicial
(l1 , l2 , l3 ), de forma que a funca
o r satisfaca
r(t) > 0, t [0, )
r(t) < 0, t (, T ]
provando que u satisfaz as condico
es do princpio do m
aximo.
Verificamos agora que u e o u
nico candidato fornecido pelo princpio de Pontryagin. A funca
o
r(t) obtida de (5.11) determina quando ocorrem saltos na estrategia de controle. Note ainda que,
ao 02 l1 e temos
como 1 l1 , ent
r0 (t) = (02 z3 2 z30 )z32 k03
= 02 /z3 2 (ku)z32 k2 uz32
= l1 /z3 (t), t [0, T ] .
Analisamos separadamente as situaco
es possveis:
l1 6= 0: Como z3 (t) = m(t) > 0, ent ao r e monotona. Se l1 > 0, obtemos um controle do tipo
u
. Se l1 < 0, obtemos uma estrategia oposta, i.e. inicialmente u = 1 e depois u = 0. Com essa
estrategia n
ao e possvel obter um pouso suave. De fato, ou (v0 , h0 ) se situa abaixo ou acima
do gr
afico na Figura 5.5. No primeiro caso, j a vimos que v(T ) < 0. No segundo caso, como u
e da forma
1 , t [0, )
u(t) =
0 , t [, T ]
obtemos do sistema adjunto
Z T Z T
0
v(T ) v( ) = v (t) dt = g dt = g(T ) .
87
es {1, z31 , 3 } s
isto e, as funco ao linearmente dependentes. Mas isto e uma contradica
o pois
Z t Z t
z3 (t) = M + F k u(s) ds, 3 (t) = l2 u(s)z3 (s)2 ds .
0 T
Portanto, o u
nico controle admissvel que satisfaz as condico
es do princpio do m
aximo e u
definido
em (5.12). 2 2 2
Aplica
c
ao 5.3.4 (Controle singular) Considere o problema escalar de controle
Z 3
Minimizar 2 1
z(t)2 dt
0
sujeito a
u L1 [0, 3], u(t) := [1, 1] q.s. em [0, 3],
0
z = u, z(0) = z(3) = 1.
O tempo final T = 3 e a condica
o final para a trajet
oria z(T ) = 1 s
ao fixados atraves da condica
o:
1z
(T, z(T )) = = IR2 .
T 3
Do princpio do m
aximo, obtemos as condico
es necess
arias:
z 0 = u, z(0) = z(3) = 1 ;
0 = z, 1 = 1 ;
1 2
H(t, z, , u) = u + 2 z , H1 = 2 ;
+ |1 | + |2 | 6= 0 .
A condica
o de maximo implica em U (z, ) = sign . Note que = 0 n ao pode ocorrer, pois
implica em 0 = 0. Logo, u 1 ou u 1, mas ambas as estrategias n
ao s
ao admissveis. Suponha
ao = 1. Logo 0 (0) = 1. Supondo (0) 0, temos:
ent
Se (0) 0 e (t) < 0, t [0, 3], ent
ao u 1, o que implica em z(3) = 4 (contradizendo a
condica
o de contorno final).
ao 0 (t1 ) 0. Mas
Se (0) 0, (t1 ) = 0 para algum t1 > 0 e (t) < 0, t (0, t1 ), ent
u(t) 1, t (0, t1 ) z(t) > 0, t (0, t1 ] 0 (t) < 0, t (0, t1 ],
ao 0 (t1 ) 0.
contradizendo a conclus
Conclumos assim que (0) > 0. De forma an aloga prova-se que (3) < 0. Portanto, a funca o
possui pelo menos um zero em (0, 3). Seja t1 o menor e t2 o maior zero de em (0, 3). Provamos
agora que t1 = 1 e t2 = 2:
n
1t, t[0,3/2]
Note que t1 6= t2 , pois se possui apenas um zero, ent
ao z(t) = t2, t[3/2,3] , que obviamente
nao e uma trajetoria o
tima;
Em [0, t1 ) temos: u(t) = 1, z(t) = 1 t, (t) = (0) t + 12 t2 .
p
Como (t1 ) = 0, entao t1 = 1 1 2(0). Se t1 assume
n o valor da maior raiz, temos t1 > 1
z(t), z(t)0
e a trajet
oria associada a n
ao e o
tima, pois z(t) := 0 , z(t)<0 satisfaz
Z 3 Z 3
z(t)2 dt < z(t)2 dt .
0 0
p
Logo, t1 = 1 1 2(0) 1.
88
ao 0 (t1 ) = z(t1 ) < 0. Seja t > 1, tal que (t) < 0, t (t1 , t) e (t) = 0. Logo,
Se t1 < 1, ent
0 (t) 0.
De (t) < 0, segue u(t) 1, t (t1 , t). Como z(t1 ) > 0 e z 0 (t) = u(t) = 1, t (t1 , t), temos
z(t) 1 t1 > 0, t [0, t]. Ent
ao 0 (t) = z(t) < 0 (contradica
o).
Conclumos assim que t1 = 1. De modo an alogo, prova-se que t2 = 2. Provamos agora que (t) =
0, t (t1 , t2 ). De fato, se (t) > 0 (o caso < 0 e an alogo) para algum t (t1 , t2 ), ent
ao existem
t1 , t2 [t1 , t2 ] tais que (t) > 0, t (t1 , t2 ) e (t1 ) = (t2 ) = 0. Logo, u(t) = 1, t (t1 , t2 ) e
portanto 00 (t) = (z(t))0 = u(t) = 1, t (t1 , t2 ), o que e claramente uma contradica o. Portanto,
a estrategia o tima de controle tem de ser
1 , t [0, 1]
u
(t) = 0 , t (1, 2) .
+1 , t [2, 3]
Este problema foi originalmente formulado e resolvido por Ramsey em 1928 (veja [Ra]). A hip otese
C = g(K)K 0 permite-nos analisar este problema utilizando c
alculo variacional. Note que a equaca
o
de EulerLagrange e dada por
U 0 (g(K) K 0 )
K 00 g 0 (K)K 0 + ( g 0 (K)) = 0 .
U 00 (g(K) K 0 )
89
No caso geral esta equaca
o n
ao pode ser resolvida analiticamente. Fazemos aqui a hip
otese simpli-
ficadora:
1 1q
U (r) = r , g(r) = br,
1q
onde b > 0, q (0, 1). Neste caso particular a equaca
o de EulerLagrange fica simplificada, na forma
de uma equacao que sabemos resolver:
qK 00 + ( b qb)bK 0 + b(b )K = 0.
ametro livre. Suponha agora que b > a, i.e. > (1 q)b. Neste caso, as hip
onde A e um par oteses
do modelo:
C(t) = g(K(t)) K 0 (t) > 0, t 0 e lim K(t) 0
t
f
(note que = b qa). E acil verificar que V (x) := (1 q)/(b a)q x1q , x 0 e soluca
o da equaca
o
acima. Note ainda que se A = 0 a condica o
lim inf et V (K(t)) =0
t
2 2 2
Exerccios
5.1 Considere o problema de Bolza
Z
1 1
Minimizar u(t)2 dt + z1 (1)2 + z2 (1)2
2 0
sujeito a
u L1 [0, 1], z 0 = z , z 0 = u, z (0) = z (0) = 0.
1 2 2 1 2
a) Formule o princpio do m
aximo para o problema acima.
b) Obtenha o processo o
timo.
90
5.2 Considere o problema de controle o
timo
Z T
Minimizar z1 (t)2 + u(t)2 dt
0
sujeito a
u L1 [0, T ], z10 = z2 , z20 = z2 + u, z1 (0) = 1, z2 (0) = 0.
a) Formule o princpio do m
aximo para o problema acima.
b) Obtenha o processo o
timo.
a) Formule o princpio do m
aximo para o problema acima.
b) Obtenha o processo o
timo.
5.4 (Problema de Investimento) Suponha que um determinado produto e fabricado com a taxa
z(t). No tempo t > 0 uma fracao u(t) da producao e reinvestida para aumentar a produca
o, sendo o
restante vendido para geraca
o de lucro. O objetivo e determinar uma poltica de investimento o
tima,
de forma a maximizar o lucro total no horizonte fixo de tempo [0, T ]. Temos assim o problema
Z T
Maximizar
(1 u(t))z(t)dt
0
sujeito a
0 T]
z = uz, z(0) = z0 > 0, z(t) 0, u C[0,
es lagrangeanas: y 0 (t) 0,
a) Reescreva o problema como um problema variacional com restrico
0
y (t) y(t).
b) Obtenha condico
es necess
arias para o novo problema.
c) Encontre a taxa o
tima de produca
o y.
z 0 = z 25u uz/4.
As condico
es de contorno s
ao z(0) = 100, z(T ) = 0.
a) Obtenha condico es necess
arias para o problema de tempo o timo sujeito a es 0 u(t) 1,
`s restrico
RT
t [0, T ], 0 u(t)dt = 1, impostas ao fluxo externo de lquido u.
b) Use o fato z 0 < 0 para obter um problema equivalente com intervalo de tempo fixo. O que se
pode afirmar sobre a unicidade da solucao obtida no item a).
(Sugest
ao: A nova vari
avel livre e s = z.)
91
Princpios de cincias dos materiais
MATERIAIS ISOLANTES
Quando se trata de campos eletrostticos, o meio no qual os mesmos existem dever ter
resistividade muito alta, ou seja, dever opor-se tanto quanto possvel, passagem de corrente
eltrica de conduo, motivo pelo qual recebe o nome de dieltrico. O material que o constitui
designado por isolante.
O papel dos dieltricos na eletrotecnia muito importante e tem dois aspectos:
realizam o isolamento entre os condutores, entre estes e a massa ou a terra, ou, ainda, entre
eles e qualquer outra massa metlica existente na sua vizinhana;
modificam, em propores importantes, o valor do campo eltrico existente em determinado
local.
O processo principal, caracterstico para qualquer dieltrico, que se produz quando sobre
ele atua uma tenso eltrica, a polarizao, ou seja, o deslocamento limitado de cargas ou a
orientao das molculas dipolares.
Os fennemos devidos a polarizao de um dieltrico podem ser julgados atravs do
valor da constante dieltrica e pelos ngulo de perdas dieltricas, se a polarizao vem
acompanhada de dissipao de energia que provoca o aquecimento do dieltrico. Neste
aquecimento tomam parte as poucas cargas livres que existem no material, as quais determinam o
aparecimento de uma corrente de fuga, que passa atravs do dieltrico e sua superficie.
A maioria dos dieltricos se caracteriza por um deslocamento eltrico das cargas como
uma funo linear do campo eltrico que se cria no dieltrico.
Todo dieltrico inserido em um circuito eltrico pode ser considerado como um
capacitor de capacidade determinada (Fig. 4.1). Como sabemos, a carga em um capacitor
qualquer dada por:
Q = C. U (4.1)
------------
+++++++++
U (Fonte de Tenso)
------------
+++++++++
Fig. 4.2 - Lei de variao da corrente com a tenso nos dieltricos slidos
Esta ltima parte da curva corresponde perfurao do isolamento ou, pelo menos,
antecede-a de um pequeno intervalo de tempo, pois a libertao de calor engrandecida pelo
aumento da corrente vai rapidamente provocar a perfurao.
Resistncia Superficial - No caso dos isolantes slidos de muito grande resistividade, a
resistncia atravs da sua massa tambm elevada, sendo muito pequena a corrente que os
atravessa. Ora acontece que, pela acumulao de poeira e umidade na superfcie das peas
isoladoras, se forma um novo caminho para a passagem da corrente eltrica, o qual se diz ser
superficial.
Isto acontece especialmente nas peas isoladoras expostas ao tempo, como por exemplo,
os isoladores de linhas de tranmisso areas. resistncia do novo circuito dado o nome de
resistncia superficial e, neste caso, a resistncia de isolamento dos dois circuitos em paralelo,
superficial e de massa. (Ver Fig. 4.3)
O aumento da temperatura faz atenuar a importncia da resistncia superficial, pois a de
massa decresce em relao quela.
Rigidez Dieltrica - Para poder exprimir numericamente a capacidade de um
determinado material isolante suportar tenses elevadas, define-se uma grandeza a que se d o
nome de rigidez dieltrica e que definida como sendo o valor do campo eltrico para o qual se
d a ruptura do isolante.
C R1
A B
R2
Fig. 4.3 - Circuito Equivalente de um dieltrico com perdas de energia e correntes de fuga.
Esta grandeza est longe de ser constante para cada material, pois depende de muitos
fatores, tais como a espessura do isolante, as dimenses e forma dos eletrodos utilizados para a
aplicao da tenso, a freqncia da tenso aplicada, o nmero de aplicaes de tenso na
unidade do tempo (fadiga do material), a temperatura, grau de umidade, etc.
Como difcil conhecer o valor do campo no momento da ruptura, visto ele no ser
normalmente uniforme, costume definir-se a rigidez dieltrica (RD) simplesmente pelo
quociente da tenso aplicada no momento da ruptura pela espessura do isolamento e como a R.D.
Materiais Eltricos 75
varia com a espessura do isolante costume indicar esta ao referir aquela. Por exemplo para a
mica a RD varia de 600 a 750 kV/cm, medida para espessura de 1mm.
Rigidez dieltrica superficial - No caso dos isolantes slidos, pode acontecer que o arco
disruptivo, em vez de atravessar a sua massa, salte pela sua superfcie.
Ao quociente da tenso pela distncia entre os condutores dado o nome de rigidez
dieltrica superficial. Esta depende, evidentemente, da forma do isolante e do estado da sua
superfcie.
Perdas nos dieltricos - Nos dieltricos sujeitos a uma tenso contnua verifica-se uma
perda por efeito Joule tal como nos condutores. A corrente de perdas, se bem que muito limitada,
d lugar a um certo aquecimento. Estas perdas no tm importncia a no ser quando do lugar a
um aquecimento permitindo, por conseqncia, maior corrente e maiores perdas.
Nos dieltricos sujeitos a uma tenso alternada d-se, da mesma forma, a perda por
efeito Joule, mas surge um outro fenmeno que origina perdas e que tem o nome de histerese
dieltrica. A energia perdida tambm transformada em calor. O nome deste fenmeno dado
pela analogia existente com a histerese magntica. A explicao fsica das perdas por histerese
dieltrica dada por considerao da falta de homogeneidade do dieltrico.
ngulo e Fator de Perdas - Quando um dieltrico est sujeito a um campo eltrico
alternado, a corrente que o atravessa deveria estar avanada de /2 em relao tenso, mas pelo
fato de existir uma queda hmica atravs da massa do isolante, haver uma componente da
corrente que fica em fase com a tenso e o ngulo de diferena de fase ser (/2 - ), sendo
chamado ngulo de perdas. Este valor pode ir de poucos minutos, se o dieltrico for bom, at a
alguns graus, se for de m qualidade.
tg, que pode tomar igual ao ngulo expresso em radianos (por se tratar de ngulos
muito pequenos) dado o nome de fator de perdas. A potncia perdida no dieltrico ser dada
por:
P = U.I.cos(/2 - ) = U.I.sen U.I. (4.4)
Cada material caracterizado por um certo fator de perdas, o qual, contudo, depende
das condies fsicas a que o mesmo se encontra submetido, principalmente a temperatura.
Ruptura dos Dieltricos - Quando o campo eltrico a que um dado dieltrico est sujeito
ultrapassa um determinado valor se d a ruptura do dieltrico. A maneira como esta se produz e
as suas conseqncias so porm, diferentes conforme o tipo de dieltrico.
Assim, compreensvel que, se a ruptura se produzir num dieltrico fluido, a matria
atingida pela descarga logo substituda por outra e, se o fenmeno no repetir, a sua nica
conseqncia o aparecimento de partculas carbonizadas no seio do fluido.
No caso dos dieltricos slidos j assim no acontece, pois a descarga implica a sua
destruio no ponto em que a ruptura se verifica.
Efeito Corona - Se, entre dois condutores, existir uma grande diferena de potencial,
junto s suas superfcies poder surgir um campo eltrico de valor tal que o gs ou o ar, no meio
do qual se encontram seja ionizado.
Se isto acontecer, o efeito obtido equivalente ao aumento das dimenses dos
condutores, visto o gs ou o ar ionizado se tornar condutor tambm. Nessas condies, d-se
como que uma aproximao dos condutores e um aumento da sua superfcie. Estes dois fatores
que se verificam tendem a modificar o campo nos dois sentidos, prevalecendo um ou outro
conforme as circunstncias.
De uma maneira geral, podemos dizer que, se os condutores forem de pequena seo e
estiverem bastante afastados, o efeito da ionizao traduz-se por uma diminuio do campo na
zona circunvizinha. Desta forma, ionizada a primeira camada que envolve os condutores, a
ionizao no prossegue nas camadas seguintes e o fenmeno no progride.
A ionizao limita-se como que a uma bainha volta dos condutores, visvel sob o
aspecto de uma luz azulada e sensvel pelo cheiro a oznio. Esta situao aquilo a que
chamamos de efeito coroa ou corona.
Se a forma e a distncia dos condutores forem outras, pode dar-se o contrrio, isto , o
campo ir mantendo nas camadas sucessivas valores suficientemente altos para provocarem a
ionizao at o ponto de se estabelecer um caminho de gs ou ar ionizado entre os condutores.
As cargas eltricas deixam de encontrar resistncia e passam em grande quantidade de
um condutor para o outro, sob a forma de um arco. a descarga eltrica.
I - Gases: Ar, anidrido carbnico, azoto, hidrognio, gases raros, hexafluoreto de enxofre.
II - Lqudos:
A - leos minerais: leos para transformadores, interruptores e cabos.
B - Dieltricos lquidos prova de fogo: Askarel.
C - leos vegetais: Tung, linhaa.
D - Solventes: (empregados nos vernizes e compostos isolantes) lcool, tolueno, benzeno,
benzina, terebentina, petrleo, nafta, acetatos amlicos e butlicos, tetracloreto de carbono,
acetona.
Materiais Eltricos 77
Alm desta classificao cujo critrio a natureza dos materiais isolantes, estes podem
ser classificados visando a sua aplicao, especialmente na construo de mquinas e aparelhos
eltricos, cuja temperatura limitada no pelos materiais condutores ou magnticos (que so
metlicos) e sim pelos isolantes. A durabilidade destes depende de fatores diversos, entre os quais
predomina a temperatura, como mostrado na tabela a seguir.
A durao dos materiais utilizados para isolamento de mquinas e aparelhos eltricos
depende de vrios fatores, tais como a temperatura, os esforos eltricos e mecnicos, as
vibraes, a exposio a produtos qumicos, umidade e a sujeira de qualquer espcie.
Tabela 4.1 - Classificao dos materiais isolantes em relao sua estabilidade trmica em servio
(NBR 7034)
Classe Temperatura mxima admissvel em servio
Y (O) 90OC (algodo, seda e papel sem impregnao)
A 105OC (idem impregnados)
E 120OC ( alguns vernizes, esmaltes e fibras)
B 130OC (mica, asbesto com aglutinante, EPR)
F 155O C (mica, fibra de vidro com algutinante)
H 180O C (elastmeros de silicato)
C > 180OC (porcelana, vidro, quartzo, cermicas)
todavia so tais que permitiro uma durao adequada do material se forem mantidas durante
longos perodos de tempo com temperatura mais baixa.
As normas de equipamento eltrico especificam geralmente a elevao de temperatura
permissvel acima do ar ambiente ou de outro meio refrigerante.
tenso superficial do lquido tambm deve ser suficientemente baixa, tenso essa cujo valor
depende do grau de purificao. Quanto maior o grau de purificao, maior a tenso superficial.
A viscosidade recomendada em cada aplicao consta de normas tcnicas, devidamente
relacionada com a temperatura, sobretudo a temperatura mxima admissvel. Assim, o ponto de
chama varia de 130 a 145oC.
No caso de leo para cabos, distinguem-se os papis impregnados com leo (leos
grossos) e os cabos em leo fluido (O.F.) (leos finos). A Tab. (4.2) apresenta alguns valores
caractersticos desses leos.
O fator de perdas de bons leos isolantes, a 20oC, de aproximadamente 0,001,
dependendo porm acentuadamente da temperatura. Para os cabos, o tg deve ser baixo, para
no provocar aquecimento excessivo da isolao do cabo. O mesmo vale para capacitores.
Tabela 4.2 - Caractersticas de leo para papis de cabos
Caractersticas leo fino leo grosso
o 3
Peso especfico a 20 C (g/cm ) 0,86 a 0,88 0,92 a 0,94
o
Ponto de solidificao ( C) - 30 -5
o
Ponto de inflamao ( C) 150 - 170 250 a 270
Resistividade (x cm)
leo novo a 100oC, > 25 x 1012 > 0,5 x 1012
aps 40 horas a 120oC > 2,5 x 1012 > 1,7 x 1012
Fator de perdas
leo novo a 100oC, 5 x 10-3 40 x 10-3
aps 40 horas a 120oC 30 x 10-3 70 x 10-3
e a verificao de suas caractersticas isolantes. Nota-se perfeitamente aps um perodo por vezes
relativamente curto (2 a 3 anos) que o leo perdeu sensivelmente suas propriedades isolantes,
reduzindo, por exemplo, em algumas vezes sua rigidez dieltrica. Dependendo do valor obtido,
necessrio aplicar processos de purificao ou filtragem ou, em caso extremo, fazer a substituio
do leo envelhecido por outro novo.
A oxidao do leo um dos fatores que sempre esto presentes, e que se fazem sentir
devido presena do oxignio do ar e da elevao de temperatura.
Em grau menor, a luz do dia pode atuar no mesmo sentido, razo pela qual o leo deve
ficar protegido de seus raios de luz. O tipo de cadeia de carbono que est presente tambm tem
sua influncia: certas ligaes de cadeias de carbono se oxidam com maior facilidade. Como
resultado, aparecem diversos cidos orgnicos, alm de gua e materiais volteis. Sob a ao do
campo eltrico ou perante descargas internas, podero acontecer decomposies moleculares, de
modo que os produtos cidos da oxidao se transformam em matrias com cadeia molecular
extensa, devido polimerizao ou policondensao progressiva.
O incio do envelhecimento do leo sempre caracterizado pelo aumento do coeficiente
de acidez, apesar de que o grau de envelhecimento no pode ser avaliado com segurana pelo
valor numrico desse coeficiente pois, os produtos cidos que se formam, sofrem novas
transformaes, deixando de apresentar, assim, um comportamento cido.
Alm da prpria contaminao do leo e da perda parcial de suas propriedades,
importante analisar tambm as conseqncias da acidez do leo sobre os demais materiais usados
no equipamento. A celulose do papel, por exemplo, tem a tendncia de absorver certos tipos de
molculas remanentes nas impurezas do leo, deslocando este de sua impregnao no papel, ou
seno de ser atacado por certas formaes moleculares especficas.
Alis, esse mesmo problema ocorre ao incidir gua sobre um papel impregnado com
leo: gua desloca o leo e, sendo o primeiro um mau isolante, cria locais de isolao deficiente.
Alm da rigidez dieltrica, outro fator que pode caracterizar o envelhecimento a
variao do fator de perdas (tg ) perante diferente freqncias. A Fig. (4.4) demonstra tal
situao, no caso perante uma freqncia industrial de 60 Hz. Nota-se que, ao longo do tempo
(no caso, praticamente trs anos), o leo corretamente purificado no alterou seu tg , o mesmo
j no acontecendo com os outros dois. Pela configurao das curvas, possvel concluir ainda
sobre os tipos de produtos de oxidao que se apresentaram, e da escolher a melhor maneira de
elimin-los.
Fig. 4.4 - Variao das perdas dieltricas de leos minerais em funo do grau de pureza e do
envelhecimento
Os produtos de oxidao que se formam em uso, geralmente influem menos sobre o
valor da rigidez dieltrica do que a presena de certos gases ou gua no leo.
O askarel
No desenvolvimento de lquidos que possam ser substitutos do leo mineral,
encontramos o askarel, quimicamente se compe de um pentaclorodifenil (C6 H2 Cl3 C6 H2 Cl3)
que se destaca sobretudo pelo fato de no ser inflamvel, apresentando porm uma srie de
outros problemas e cuidados, que fazem com que hoje j se esteja a substitu-lo, provavelmente
por um leo base de silicone. O askarel tambm no pode ser usado em aplicaes onde se
apresentam arcos voltaicos expostos, pois, nessas condies de temperatura, haver rompimento
da cadeia de HCl e desprendimento do cloro. Seu emprego, entretanto, j mais recomendado em
cabos e capacitores com isolamento em papel ( = 5 a 6) pois o askarel ( = 5), ao impregnar o
papel confere-lhe uma caracterstica mais homognea e, conseqentemente, uma distribuio de
campo eltrico mais uniforme, do que se o impregnante fosse o leo mineral ( = 2). Com isto,, a
capacitncia dos capacitores pode ser elevada em at 40%.
Os askaris se caracterizam ainda pela ausncia de envelhecimento e da formao de
subprodutos durante o seu uso. Com isso, varia pouco o valor da rigidez dieltrica de askaris
Materiais Eltricos 83
novos e em uso, no havendo necessidade de sistemas de purificao. Alm disso, esse valor de
rigidez dieltrica costuma ser mais elevado que o dos leos isolantes. Sua temperatura de servio
um pouco superior do leo, se localizando a 110oC.
Os askaris se distinguem ainda dos leos minerais, no seu manuseio. Enquanto os leos
so neutros, pouco ou nada reagindo com os materiais eltricos convencionais, os askaris,
devido presena do cloro, so quimicamente ativos, atacando o sistema respiratrio e visual dos
que o manuseiam, ataque que se estende a alguns produtos dos componentes. Dessa forma, alm
de certas medidas de preveno contra intoxicao orgnica, o uso dos askaris exige uma
verificao de seu comportamento com os materiais com os quais ficar em contato.
Alguns nomes comerciais do askarel so Clophen, Inerteen, Aroclor. O preo do askarel,
geralmente dez vezes superior ao do leo mineral, o que tambm limita seu uso.
leos de silicone
Os leos de silicone (cadeias Si - O - Si associado a grupos metlicos e fenlicos) so
lquidos incolores e transparentes com uma gama bastante ampla de viscosidades e pontos de
ebulio, caracterizando-se por um ponto de chama bastante elevado (300oC e acima) e baixo
ponto de solidificao (- 100oC); como conseqncia, sua faixa de emprego se situa entre 200oC
e - 60oC, faixa essa que ainda pode ser ampliada, sob certas condies. Mesmo variando a
temperatura, a viscosidade no se modifica na mesma proporo, dentro de valores bem menores
que os leos minerais. So recomendados como lubrificantes em mquinas que trabalham a
temperaturas muito altas ou baixas.
Utilizando-se das caractersticas bsicas do silcio, os silicones permanecem neutros
perante a grande maioria dos elementos, o que lhes confere uma elevada estabilidade qumica e
conseqente ausncia de envelhecimento. Ainda, se apresentam repelentes gua, evitando assim
perda de caractersticas isolantes, e servio. Consulte os valores numricos das caractersticas
eltricas, trmicas e qumicas na Tab. 4.4.
Em reas paralelas, graxas e leos de silicone so preferidos como elemento de
separao entre a massa de um molde e o molde propriamente dito, nas aplicaes de injeo em
plstico.
Silicones lquidos encontram ainda extensa aplicao em numerosos processos e
produtos industriais tais como acrscimos de tintas e vernizes, lubrificantes e outros. So solveis
em benzol, toluol, ter e lcoois de grau superior, sendo insolveis em leos minerais e lcoois de
grau inferior. O preo do leo de silicone , comparativamente muito alto em relao ao leo
mineral.
Parafina
o material pastoso no-polar mais usado e mais barato. obtido de uma das fases de
decomposio do petrleo, com elevado teor de metana, atravs de uma destilao adequada.
Aps o esfriamento desse destilado, a pasta de parafina se separa do volume restante de material;
a parafina assim obtida passa por processo de purificao subseqente, para eliminar restos de
leo e de materiais residuais de fcil oxidao. Uma parafina de boa qualidade se apresenta com
os valores numricos da Tab.(4.4) com aparncia branca, livre de cidos, de bolhas impurezas. A
constante dieltrica () se reduz com elevao de temperatura, mudando bruscamente seu valor
quando passa do estado slido ao lquido. altamente anti-higroscpio ou repelente gua, o que
mantm elevada sua rigidez dieltrica e a resistividade superficial e transversal, e o recomenda
como material de recobrimento de outros isolantes.
A baixa estabilidade trmica - veja seu ponto de fuso na tabela - representa vantagem e
desvantagem. Se um lado, esse valor demonstrar a desnecessidade de calorias elevadas para
liqefazer a parafina durante um processo de impregnao ou recobrimento, facilitando assim o
seu emprego, essa mesma propriedade limita seu uso para os casos em que o nvel de
aquecimento do componente se mantm baixo. Esse ltimo caso praticamente s ocorre na rea
das baixas perdas Joule s baixas correntes circulantes, situao encontrada particularmente nos
componentes eletrnicos. Assim, a importante caracterstica de repelncia gua, muito
procurada para componentes eletrotcnicos usados ao ar livre, no pode ser satisfatoriamente
resolvida com a parafina.
Pasta de silicone
Com uma estrutura molecular semelhante dos leos de silicone, e guardando tambm
basicamente as mesmas propriedades, as pastas de silicone so usadas mais com finalidades
lubrificantes do que eltricas, quando freqentemente recebem o acrscimo de p de grafita para
melhorar suas caractersticas antifrico. So usadas, eletricamente, para proteo de partes onde
se deve reduzir a oxidao, tal como peas de contato, em articulaes condutoras e outras, e
tambm so usadas como pastas de recobrimento de partes isolantes expostas que devem manter
elevada resistividade superficial. Neste ltimo caso, prevalece a caracterstica da pasta de silicone
de ser repelente gua.
Resinas
Um verniz aplicado na forma lquida, e solidifica durante a sua aplicao, passando ao
estado slido em sua fase final. Assim, o verniz no propriamente um isolante lquido, apesar de
ser adquirido nesse estado fsico. Um verniz constitudo de um solvente e uma matria-prima
capaz de formar uma pelcula, um filme geralmente representado por uma resina.
Define-se resina como uma famlia bastante grande, freqentemente ampliada, de
matrias-primas que, apesar de origens e caractersticas diferentes possuem composio qumica
ou propriedades fsicas semelhantes. So misturas estruturalmente complexas, de elevado nmero
molecular e elevado grau de polimerizao, Perante baixas temperaturas, as resinas so massas
vitrificadas, amorfas. A maioria das resinas se apresenta quebradia temperatura ambiente,
dependendo da maior espessura da camada em que se encontram. Em camadas finas se tornam
flexveis. Quando aquecidas, podem amolecer dentro de certos intervalos de temperatura, se
tornam plsticas e podem chegar ao estado lquido. Geralmente as resinas no se caracterizam por
um certo ponto de fuso.
As resinas podem ser classificadas em naturais e sintticas. Resinas naturais so de
origem animal (como a goma-laca) ou vegetal (Kopal). So obtidas na forma final, bastando-lhes
aplicar um processo relativamente simples de purificao.
J as resinas sintticas, em nmero maior e sempre crescente, so obtidas por complexos
processos qumicos, reunindo diversas matrias-primas. Dentro desse grupo se destacam
geralmente, as resinas polimerizadas, as condensadas e as base de celulose.
Materiais Eltricos 85
Vernizes de recobrimento
Se destinam a formar sobre o material slido de base, uma camada de elevada resistncia
mecnica, lisa, e prova de umidade e com aparncia brilhante. Sua aplicao, assim
especialmente necessria em corpos isolantes porosos e fibrosos, bem como na cobertura de
matais (fios esmaltados). No caso particular de seu uso com isolantes porosos e fibrosos a sua
ao se faz sentir por uma elevao da resistncia superficial de descarga e conseqente tenso de
descarga externa.
Eleva-se a resistncia penetrao de umidade, apesar de que, para proteger neste
sentido, o isolamento tambm deveria ser impregnado, pois qualquer fissura ou remoo da
camada de verniz de cobertura pode colocar o isolamento em perigo. Sendo a superfcie lisa,
torna-se mais difcil a deposio de poeiras e outros detritos, alm de facilitar a limpeza.
Vernizes de colagem
Diversos isolantes quando purificados, perdem consistncia devido eliminao de
materiais de colagem entre suas diversas pores. Em outros casos, o prprio isolamento, em
geral sinttico, no apresenta a necessria consistncia ou coeficiente de atrito, para permitir seu
uso em eletricidade. Como exemplo do primeiro caso, podemos citar a mica, que ao ser
purificada, se desmancha grande nmero de pequenas lminas, sem possibilidade de se formar um
slido de dimenses definidas e fixas. Outro caso, como exemplo da segunda hiptese, o da
fibra de vidro. As fibras em si so lisas, no se estabelecendo entre elas, mesmo formando um
tecido, a necessria consistncia para que o tecido de fibra de vidro possa ser usado tecnicamente
na rea eltrica.
Note-se que, em ambos os casos, no se trata da necessidade de um verniz que se
impregne no slido, pois os slidos em si so bastante compactos; por outro lado, tambm no
o caso de um recobrimento. Portanto, nessas condies, o necessrio um verniz que cole entre
si as diversas partes do isolamento: o verniz de colagem.
Uma outra aplicao desse tipo de verniz tambm a colagem de isolantes sobre metais.
Distinguem-se tais vernizes por baixa higroscopia e boas caractersticas isolantes.
Na prtica, uma verniz no apresenta unicamente uma dessas propriedades. Todos eles
possuem uma certa predominncia de alguma das trs propriedades indicadas, vindo porm
acompanhadas de mais ou duas outras propriedades.
O papel
A matria-prima bsica do papel a celulose. Uma celulose praticamente pura obtida a
partir do algodo, sobretudo usando aquelas fibras que no so usadas para finalidades txteis.
Entretanto, a maior parte da celulose provm de rvores, de mais diferentes tipos.
muito freqente at os dias atuais o uso de papel para finalidades eltricas, sobretudo
devido grande flexibilidade, capacidade de obteno em espessuras pequenas, preo geralmente
razovel e estabilidade trmica em torno de 100oC, o que tambm razovel. O maior problema
Materiais Eltricos 87
do papel est em sua elevada higroscopia, o que condiciona seu uso na eletrotcnica e uma
impregnao adequada com leos ou resinas.
Essa elevada higroscopia conseqncia da disposio irregular e cruzada das fibras,
deixando grande nmero de aberturas ou interstcios no seu interior, que na impregnao, so
ocupados por isolante adequado. Geralmente apenas 40% do volume do papel de fibras, o
restante so espaos livres.
Alm das favorveis propriedades eltricas do papel, ele se destaca por uma elevada
resistncia mecnica, tanto ao longo da fibra quando transversalmente. Esse comportamento
importante, por exemplo, no uso do papel como isolante de cabos, onde, tanto na fabricao
quanto no uso, os papis ficam sujeitos a acentuados esforos de trao e de compresso, quando
o cabo tracionado e dobrado. A trao mais acentuada durante a prpria aplicao do papel
como camada isolante sobre o material condutor. Nesse processo, aplica-se uma acentuada fora
de trao, para se evitar ao mximo a existncia de bolhas de ar entre o condutor e o papel e entre
as camadas de papel entre si.
O papel tambm permite um dobramento acentuado sem quebrar suas fibras,
caracterstica importante quando o dimetro da pea a ser isolada pequeno ou quando existem
ngulos de pequeno valor.
O comportamento trmico do papel outro aspecto. Nesse sentido, a propriedade de
suportar ou no certos nveis de temperatura depende acentuadamente da natureza da fibra.
Celulose sulfitada no pode ser solicitada, por exemplo, a 100oC por um tempo razoavelmente
longo, ao contrrio de celulose sulfatada, que no apresenta maior modificao de propriedades
quando exposta a 100oC, durante uma semana. O envelhecimento da fibra desse papel de celulose
ainda mnimo a 120oC se forem aplicados durante 48 horas, ou 135oC durante algumas horas.
Acima desses valores, procede-se uma modificao molecular da celulose devido ao do vapor
de gua e de outros gases prejudiciais.
Pelas razes expostas, um papel ao ser utilizado eletricamente, deve ser seco a vcuo,
quando ento fica livre da umidade que penetra no material durante o seu prprio manuseio na
fabricao das camadas isolantes.
Papis so utilizados ainda hoje em grande nmero de casos, apesar de ser um produto
em uso desde longa data e dos problemas e cuidados que devem ser tomados. Observa-se porm,
que a tendncia substitu-lo por materiais fibrosos sintticos, que permanentemente esto sendo
desenvolvidos e produzidos.
O papel na forma mais simples isola espiras de fios, caso em que vem impregnado com
leo ou vernizes. Este basicamente o caso de capacitores, onde o papel isola entre si as placas
condutoras.
Em outra forma, o papel que flexvel por natureza, impregnado com verniz que ao
secar, se torna rgido; o caso de placas usadas como base de suporte de outros componentes ou
mesmo como separadores dieltricos, no caso de barramentos ou de base de suporte de ncleos
de transformadores ou dos enrolamentos de motor, dentro da ranhura.
Fibras Sintticas
Grande parte dos produtos fibrosos naturais, como o algodo e a seda natural, esto
sendo sistematicamente substitudos por fibras sintticas, de variedade cada vez maior, sempre
que o preo e suas propriedades justificarem essa substituio. Em uma primeira fase, a seda
artificial encontrou aplicao; hoje porm, j substituda por fibra de vidro ou fibras de poliamida
ou outros sintticos. Esses materiais, em geral, melhoraram as caractersticas eltricas, mecnicas
e qumicas (envelhecimento) dos produtos em que so usados, sempre que uma produo em
grande escala se justificar, para poder economicamente competir com as fibras existentes.
Diversos poderiam ser os produtos aqui mencionados. Vamos, porm, nos limitar aos
dois exemplos dados a seguir.
Fibras de poliamida
So fibras usadas freqentemente como reforos mecnicos de cabos de utilizao
especial, sempre que as condies de uso exigem um material resistente ao do fogo, elevada
flexibilidade e capaz de suportar elevados esforos de trao.
Sendo fibras sintticas, por natureza de massa compacta e no porosa como as fibras de
celulose e, alm disso, tendo em geral uma superfcie externa lisa, com baixo coeficiente de atrito,
torna-se imprescindvel a aplicao de um verniz de colagem, capaz de conferir ao tecido assim
fabricado, a necessria consistncia mecnica, o que, por sua vez, garante manter a continuidade
de uma camada eltrica isolante.
Essas fibras so manufaturadas e consumidas em forma de fitas isolantes, que suportam
at 2000 kgf/cm2, com espessura em torno de 0,5 a 1,5 mm.
Fibras de vidro
Derivada do vidro isolante, a fibra de vidro obtida com espessura de 5 a 10 m
(micrometros). A matria-prima deve ser vidro livre de lcalis, para evitar o aparecimento de
fissuras capilares tendentes a reter a umidade, prejudicando assim a propriedade de resistncia
superficial. Logo aps sua fabricao, recomenda-se envolver a fibra de vidro com uma camada
protetora contra ao do ambiente.
A fibra de vidro se carateriza por uma estabilidade trmica sensivelmente mais elevada
do que a de outras fibras. Por essa razo, fibras de vidro adequadamente associadas a resinas da
famlia dos epoxes, so freqentemente encontradas quando se trata de utilizar um material
isolante capaz de suportar temperaturas de 200-300oC ou mais. Casos tpicos so as cmaras de
extino do arco voltaico, sobretudo em disjuntores de mdia e alta-tenso com reduzido volume
de leo. A exemplo dos comentrios anteriormente feitos para a fibra de poliamida, a fibra de
vidro tambm necessita um tratamento com verniz de colagem, para fornecer produtos eltrica e
mecanicamente adequados.
Materiais Cermicos
Rene-se sob a designao de cermicas um grupo de materiais de elevado ponto de
fuso, que em geral, so manufaturados a frio na forma plstica e que sofrem processos de
queima at temperaturas de 2000oC. Apenas aps a queima, o material adquire as caractersticas
que permitem seu uso tcnico. Cermicas so matrias-primas de uso bastante antigo,
inicialmente apenas como utenslio domstico, mas at hoje com utilizao eltrica bastante
importante.
As matrias primas mais importantes so o quartzo, o feldspato, o caolim e a argila,
havendo ainda uma srie de aditivos em menor porcentagem mas de influncia sensvel no
produto resultante. O caolim formado de microcristais do tipo folheado, resultante da
composio de granito e feldspato, devido ao da gua, cido carbnico e outros gases cidos.
Materiais cermicos se caracterizam geralmente pelo preo baixo, por um processo de
fabricao relativamente simples, e devido s caractersticas eltricas, trmicas e fsicas vantajosas
que podem apresentar, quando o processo de fabricao bem cuidado.
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Tabela 4.3 - Classificao de materiais isolantes cermicos de acordo com suas fases cristalinas
Nomes Componentes Composio Principais caratersticas
Principais qumica
BaOAl2O3.
. 2SiO2
Ultraporcelana Argila 3 Al2O3 Elevada resistncia mecnica
Caolim 2 SiO2 Baixas perdas dielticas.
Esteatite Talco MgO.SiO2 Elevada resistncia mecnica
Argila e Baixas perdas dieltricas
Magnesita 2 MgO.SiO2 Baixo coeficiente de dilatao
e
2 MgO.2Al2O3.
. . 5SiO2
Titanatos Dixido de TiO2 Elevada constante dieltrica
Titnio Coeficiente de temperatura negativo.
Dixido de CaTiO3 Elevada constante dieltrica
Titnio e Coeficiente de temperatura negativo.
Calcita
Titanato de TiO2 . ZrO2 Coeficiente de temperatura
zircnio praticamente igual zero.
Titanato de BaO.4TiO2 Coeficiente de temperatura
brio e praticamente igual a zero
BaO.5TiO2
Titanato de Mg TiO3 Coeficiente de temperatura positivo
magnsio prximo a zero.
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Vidro
O vidro a soluo mais moderna para diversos problemas anteriormente s resolvidos
com porcelana, e que hoje j encontram tambm solues mediante o uso de resinas (epoxe) e
aglomerados de resina com borrracha. O vidro encontrado em duas formas: a normal e a
temperada.
Seguindo a classificao do material segundo seu estado fsico, o vidro includo tanto
no estado slido quanto no lquido, uma vez que sua forma estrutura e as leis da deformao que
obedece so as prprias do estado lquido, enquanto que a sua forma estvel o classifica como
slido. O estado vtreo particular de uma longa srie de produtos orgnicos e inorgnicos,
incluindo-se nesta ltima o produto que tecnicamente conhecemos por vidro.
O vidro basicamente composto de xido de silcio e de boro, nas formas SiO2 e B2O3;
acrescentam-se a esses dois uma grande srie de aditivos, tais como os xidos alcalinos K2O e
Na2O, que influem sobretudo no valor da temperatura de fuso do material Vidros tcnicos
normais, dependendo das porcentagens x, y, e z de cada um. apresentam-se, assim, como
composio do tipo xNa2O-yCaO.zSiO2 (vidro de sdio) ou xK2O-yCaO.zSiO2. Outros aditivos,
geralmente ainda na forma de xidos, so o magnsio, o zinco, o antimnio, o chumbo e outros.
Assim os vidros so classificados em um dos grupos dados a seguir:
1. Vidros sdio-clcicos, com a frmula bsica Na2O.CaO.6SiO2. com pequenos acrscimos de
Al2O3, BaO, MgO e outros. So empregados em vidraas, garrafas e outros casos no-
eltricos. Apresentam baixo ponto de fuso
2. Vidros clcio-clcicos com frmula K2O.CaO.6SiO2, apresentando alto ponto de fuso e boa
resistncia qumica.
3. Vidros de clcio-chumbo, com frmula K2O-PbO.6SiO2 e acrscimos do tipo CaO e BaO.
Tem baixo ponto de fuso, apresentam elevado ndice de refrao perante a luz. Seu uso
encontrado em vidro ptico e cristal de chumbo.
4. Vidro de silicato de boro e alumnio, com acrscimos de sdio (Na2O), brio (BaO), clcio
(CaO) e outros. Apresentam bom comportamento qumico e trmico. So apropriados para
termmetros e finalidades qumicas diversas.
5. Espcies, como por exemplo, vidro de quartzo que deixa passar as radiaes ultravioletas e
insensvel a variaes de temperatura.
Sendo um produto resultante de composio porcentual varivel, diversos componentes,
variam suas caractersticas em funo dessa composio. Tambm tratamentos trmicos
posteriores (tmpera) influem acentuadamente em particular no que se refere a suas caractersticas
mecnicas, podendo-se, porm caracterizar o vidro sob os aspectos vistos a seguir.
1. Suportar temperaturas elevadas - a temperatura de servio normal se localiza em torno de 200-
250oC, ocupando assim posio dentro do grupo dos isolantes de elevada estabilidade trmica.
2. Peso especfico relativamente baixo, apresentando, em geral, valor em torno de 2,5g/cm3,
dependendo, porm, da composio.
3. Permite um tratamento trmico que eleva em muito as suas propiredades mecnicas. A
tmpera do vidro adquire importncia particular nas rea dos isolantes, tipo disco e pedestal,
devido presena de esforos mecnicos acentuados.
4. Possui elevada estabilidade trmica. Entende-se por estabilidade trmica, o comportamento do
material em suportar bruscas variaes de temperatura. Esse comportamento funo do
coeficiente linear de dilatao, da condutividade trmica e da resistncia mecnica.
Minerais
Mica
A mica um mineral cristalino, que se apresenta em forma de pequenas lamelas ou
lminas, devido baixa fora de coeso entre os diversos planos cristalinos. Em termos de
composio qumica, a mica um silicato de alumnio. Dos diversos tipos de mica existentes, dois
tm aplicao eltrica mais freqente, a muscovita que tem a composio
K2O.3Al2O3.6SiO2.2H2O, e a flogopita com a frmula K2O.3Al2O3.12MgO.12 SiO2.2H2O.
Caracteriza-se pelas propriedades enunciadas a seguir.
1. encontrado com relativa facilidade, o que faz desse isolante um dos mais antigos em uso. Na
forma natural, se mantm em camadas facilmente divisveis, permitindo obter lminas ou
lamelas de pequena espessura. No estado natural ainda, encontrado associado a xidos
metlicos, que precisam ser eliminados antes da utilizao eltrica, por meio de purificao.
2. Na purificao com eliminao conseqente das impurezas, elimina-se tambm material de
ligao entre as lminas de mica, ficando o material sem meio aderente. Esse meio restitudo
mica em sua aplicao, atravs de um verniz de colagem. Por vezes, alm do verniz, a mica
recebe um esforo mecnico atravs de uma base de papel ou de tecido. Resulta, assim um
produto conhecido comercialmente por micanite, onde a porcentagem de verniz de colagem
atinge at 25% do volume; em geral, porm esse valor se situa em torno dos 5% do volume.
3. O produto da mica com verniz pode ser rgido ou flexvel, dependendo das caractersticas do
verniz usado. Vernizes rgidos do como resultado produtos rgidos.
4. A mica um dos produtos de mais elevada estabilidade trmica e maior temperatura de
servio, atingindo valores de at 1000oC. Como tal, usado em numerosos casos de
aquecimento eltrico. Sendo o produto de mica uma mistura de mica com verniz, a
temperatura mxima admissvel vai depender tambm do limite de temperatura do verniz, e que
ainda se encontra em valores mais baixos. Assim, apesar de permitir uma temperatura muito
alta, os produtos de mica tm sua temperatura limitada pelo valor mximo admissvel tolerado
pela resina do verniz.
5. Bom comportamento mecnico: a mica apresenta valores de resistncia trao e
compresso bastante altos: , entretanto, sensvel perante a flexo, o que faz da mica um
material quebradio no seu estado puro e em plaquetas grandes.
6. Apresenta timas caractersticas eltricas, variando esses valores com a espessura e a
temperatura.
7. A mica usada na forma de grandes lminas, lamelas e p, sempre reforada por material de
base e impregnado com vernizes, se assim se fizer necessrio, para o seu uso correto.
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II. Fibras e respectivos tecidos. Nesta forma, obtm-se fitas, simples e combinadas com papis,
devidamente aglutinadas por meio de um verniz de colagem. Comparativamente com fitas
orgnicas, as de amianto so duras, grossas e mal-acabadas. Por vezes, opta-se por uma
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mistura de fibras de amianto com fibras orgnicas, para se obter um tecido mais flexvel e que
mesmo assim ainda se destaque por um bom comportamento trmico. Mais recentemente, tem-
se usado tambm a fibra de amianto misturada com a fibra de vidro. Para algumas aplicaes
eltricas especiais, usa-se o cimento de amianto, que substitui com vantagem mrmores e
produtos semelhantes. Nesse caso, fibras de amianto so misturadas com cimento e gua,
prensando-se a massa nas dimenses desejadas. Devido a elevada higroscopia, necessrio
aplicar verniz. O cimento endurece e se liga rigidamente s fibras. Esse cimento, assim obtido,
suporta bem o calor e elevadas solicitaes mecnicas, o que leva a seu uso como base de
chaves de manobra, cmaras de extino do arco voltaico e paredes de separao de fase.
polietileno reticulado, que um plstico tambm termofixo, com caractersticas bem semelhantes
ao EPR. Apresenta baixo fator de perdas e valor de constante dieltrica intermediria. Suporta
temperaturas at 90oC em regime permanente. Quimicamente, o EPR excelente perante a ao
da ozona, e aos agentes qumicos presentes no ar.
4.4 - Aplicaes
(Seminrios e visitas na parte de laboratrio)