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Circuitos eltricos lineares

1 Circuitos de parmetros concentrados e leis de Kirchhoff

1.1 Conceitos

1.1.1 Cargas eltricas

Qualquer matria formada por tomos. O tomo de hidrognio o mais simples, o


qual constitudo por duas partculas (as cargas positivas chamadas de prtons e as cargas
negativas chamadas de eltrons), conforme figura abaixo.

A unidade da carga eltrica o Coulomb (C). Normalmente o tomo eletricamente


neutros o que significa que apresentam eltrons e prtons em igual nmero. Retirando eltrons
deste tomo ela apresentar carga positiva, ao passo que adicionando eltrons ao tomo ele
passa a ter carga negativa. Os matrias onde fcil retirar ou adicionar eltrons so chamadas
de condutores (cobre, alumnio, etc...) ao passo que os matrias onde difcil retirar ou
adicionar eltrons so chamadas de isolantes (borracha, porcelana, papelo, etc...).

1.1.2 Corrente eltrica

A corrente eltrica corresponde ao movimento de cargas por unidade de tempo que


atravessam uma determinada superfcie, conforme indicado na figura abaixo.
A corrente eltrica medida em Ampre (A) e definida, matematicamente como

q
i
t

Em engenharia o significa variao e no caso da corrente ela obtida pela razo


entre a variao de carga e a variao de tempo. Na verdade a corrente dada pela variao de
carga por unidade de tempo. Se esta razo for avaliada para uma variao temporal muito
pequena (tendendo a zero) esta razo entre duas variaes pode se expressa pelo conceito de
derivada de forma que

dq
i= , onde q a carga (Coulomb C) e i corrente (Ampres A)
dt

assim, a corrente a derivada da carga com relao ao tempo, ou seja, a variao


infinitesimal da carga com relao ao tempo. Graficamente a operao de derivada
equivalente ao clculo da inclinao de uma curva.

Na equao acima, a carga pode ser obtida pela operao inversa da derivada, a

integral. A integral representada pelo smbolo .


dq=idt

dq= idt

q= idt
Graficamente a operao de integral corresponde ao clculo da rea abaixo de uma
curva.

1.1.3 Tenso eltrica

A tenso eltrica corresponde a diferena de potencial (ddp) necessrio para para


mover uma unidade de carga atravs de um elemento. A tenso medida em Volt (V), e
definida como

w
v
q

ou, em termos de derivada

dw
v= , onde w energia, (Joule J) e v tenso (Volts V)
dq

onde w energia (Joule J), v tenso e q carga.

1.1.4 Potencia e energia:

Potncia corresponde ao trabalho ou energia por unidade de tempo.

dw
p= , onde p potncia (Watts W).
dt

dw dw dq
p= = =vi
dt dq dt

1.1.5 Modelos

Conjunto de elementos ideais que representam ou aproximam propriedades de


elementos ou fenmenos fsicos (anlogo das partculas e corpos rgidos da fsica).

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1.1.6 Elementos concentrados

Elementos que apresentam comprimento muito menor do que o comprimento de onda


da mxima frequncia que atua no circuito (anlogo dos sistemas mecnicos puntuais).

1.1.7 Circuitos concentrados

Interligao de elementos concentrados

1.1.8 Circuitos distribudos

Circuitos formados por um conjunto de circuitos concentrados.

1.1.9 Leis de Kirchhoff

Leis que relacionam correntes e tenses em circuitos concentrados (um caso particular
das equaes de Maxwell).

Para elementos de 2 terminais, a corrente de entrada igual corrente de sada e a


diferena de potencial entre seus terminais bem determinado e s varia no centro do
elemento.

1.2 Representao de circuitos concentrados

Circuitos concentrados so representados por elementos de 2 terminais interligados por


fios em pontos chamados NS. Os fios no apresentam queda de tenso, portanto todos os
pontos interligados por fios apresentam a mesma tenso eltrica com relao a um ponto de
referncia qualquer. Entre dois ns esto os elementos de dois terminais tambm chamados de
ramos, braos ou bipolos. No centro destes elementos se concentra a diferena de potencial
entre seus terminais. A figura abaixo representa um circuito concentrado. Os retngulos
representam os elementos e as linhas os fios.

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Para o circuito acima, alguns autores definem uma srie de conceitos:

N O ponto ao qual esto ligados dois ou mais elementos;

N ESSENCIAL O ponto ao qual esto ligados trs ou mais elementos;

CAMINHO Sequncia de elementos (no repetidos) ligados entre si;

RAMO Caminho que liga dois Ns;

RAMO ESSENCIAL Caminho que interliga dois Ns Essenciais;

LAO Caminho cujo ltimo N coincide com o primeiro;

MALHA Lao que no inclui nenhum outro Lao.

1.3 Sentidos de referncia para elementos de circuito

Para equacionar corretamente o comportamento de cada elemento de uma rede vamos


arbitrar sentidos de referncia para tenso e corrente neste elemento. Por conveno
consideraremos que uma vez determinado o sentido para a tenso, o sentido para a corrente
tambm estar determinado e vice versa. Os sentidos que iremos adotar so apresentados na
figura abaixo.

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v t =v A tv B t

Considerar tenso e correntes positivas sempre que elas possurem os sentidos de


referncia apresentados. Durante os clculos, se alguma grandeza apresentar resultado
negativo significa que o sentido adotado para esta grandeza est trocado.

1.4 Leis de Kirchhoff

A Lei das Correntes de Kirchhoff (LCK) diz que para qualquer circuito de elementos
concentrados, para qualquer dos seus ns e para qualquer instante de tempo, a soma algbrica
de todas as correntes de brao saindo de um n zero. Adotaremos como conveno que
correntes saindo do n so positivas e correntes chegando ao n so negativas.

Como consequncias da LCK, que se aplica a qualquer circuito concentrado, temos: 1)


existe uma dependncia linear entre as correntes de brao; 2) existe uma conservao de
cargas em todos os ns do circuito;

A Lei das Tenses de Kirchhoff (LTK) diz que para qualquer circuito eltrico
concentrado, para qualquer de seus percursos fechados e para qualquer instante de tempo a
soma algbrica das tenses de brao ao redor de qualquer percurso fechado zero.
Adotaremos como conveno que os braos cujos sentidos de referncia concordam com o
sentido em que percorremos um caminho fechado so positivos e os que no concordam so
negativos.

Como consequncia da LTC, que se aplica a qualquer circuito concentrado, temos: 1)


existe uma dependncia linear entre as tenses de brao de um percurso fechado.

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1.5 Absoro e Fornecimento de Energia

Supondo que exista uma corrente circulando pelo circuito da figura abaixo de se
esperar que a corrente por cada elemento de circuito seja igual em mdulo (LCK). Desta
forma no haver acumulo de cargas nos ns A e B.

Tambm de se esperar que a diferena de tenso sobre cada elemento do circuito seja
a mesma, assim, o somatrio das tenses no caminho formado nulo (LTK).

Esta situao est bem representada na figura. Observe que, desta forma, um elemento
de circuito apresenta os sentidos de referncia adotados e o outro elemento no. O elemento
que apresenta os sentidos de referncia estabelecidos tem corrente e tenso positivas,
resultando em potncia positiva (p>0). Isto significa que este elemento est absorvendo
(dissipando ou armazenando) energia.

O elemento que no apresenta a tenso ou a corrente com os sentidos de referncia ter


uma destas grandezas negativas e, portanto, potncia negativa (p<0). Isto significa que este
elemento est fornecendo energia.

Este exemplo pode ser generalizado: Toda vez que um elemento de circuito apresentar
potncia positiva ele est absorvendo energia e toda vez que um elemento de circuito
apresentar potncia negativa ele est fornecendo energia.

Tambm ocorre que o o somatrio algbrico das potncias de todos os elementos de


um circuito resulta em valor nulo ou seja, toda energia gerada no circuito absorvida pelo
prprio circuito. Isto significa que no possvel criar energia.

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Observa-se que estes valores de potncia positiva ou negativa dependem do sentido de
referncia adotados. Os sentidos adotados neste texto correspondem a conveno passiva para
corrente no sentido convencional. Livros que adotam corrente no sentido eletrnico ou outros
sentidos de referncia para corrente e tenso podem utilizar sinais opostos na potncia para
representar absoro e fornecimento de energia.

1.6 Exerccios

1) Uma antena de rdio, com 3 m de comprimento est sendo irradiada por uma onda
eletromagntica com frequncia de 100 MHz. Podemos estudar esta antena utilizando as leis
de Kirchhoff?

2) Utilizando a LCK equacione as correntes para os ns 1, 2, 3 e 4 da figura abaixo.


Determine a relao entre I X e I Y . Sugesto: considere corrente positiva aquela que sai do
n e negativa aquela que chega no n.

3) Utilizando a LTK determine as equaes para os diferentes laos e malhas da figura


abaixo. Sugesto: adote um sentido para percorrer os laos ou malhas e some as tenses cujo
primeiro sinal encontrado positivo e subtraia aqueles cujo sinal for negativo.

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4) Para o circuito abaixo, sabendo que I 1=2 , I 3 =1 , I 7 =2 e I 8=3 , determine as
demais correntes. A partir dos sentidos de referncia adotados e considerando
V 1=V 3=V 6=V 9=1 determine as demais tenses.

5) Para a figura abaixo, determinar as tenses v 3 , v 5 , v 8 , v 9 , v 10 e v 11 .

6) Assumindo os sentidos associados para correntes e tenses, e sabendo que v 1=1V ,


v 2=2V , v 3=3V , i 1=i 3=1mA : a) Identifique os ramos que fornecem energia e os que
absorvem energia; b) Calcule a potncia total absorvida e a potncia total fornecida;

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7) Dado o grfico da potncia entregue a um elemento, desenhe a curva da energia.

15

10

5
potncia (W)

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
-5

-10

-15

tempo (s)

8) Para o mesmo elemento do problema 7, considerando que a tenso sobre o elemento


dada pelo grfico abaixo, determine a forma de onda da corrente i(t) sobre este elemento.

4,5
4
3,5
3
tenso (V)

2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

tempo (s)

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9) A figura abaixo apresenta as formas de onda de tenso e corrente sobre um
elemento. Determinar se este elemento absorve ou fornece energia.

1.7 Solues

1) Uma antena de rdio, com 3 m de comprimento est sendo irradiada por uma onda
eletromagntica com frequncia de 100 MHz. Podemos estudar esta antena utilizando as leis
de Kirchhoff?

Uma onda de 100 MHz apresenta comprimento de onda de

v 3108
= = =3m .
f 100106

Como o comprimento da antena de 3 m este circuito no pode ser analisado pelas leis
de Kirchhoff. Observe que para um mesmo instante de tempo mas em dois pontos da antena,
distantes 2 m um do outro, temos tenses diferentes para cada ponto. Isto leva a uma
circulao de corrente pela antena que no pode ser explicada pelas leis de Kirchhoff.

8
v A=v0sen 210 t


v B=v0sen 2108t
4
3 .

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2) Utilizando a LCK equacione as correntes para os ns 1, 2, 3 e 4 da figura abaixo.
Determine a relao entre I X e I Y . Sugesto: considere corrente positiva aquela que sai do
n e negativa aquela que chega no n.

N 1: I1-I4+IX=0

N 2: -I1-I2+I3=0

N 3: -I3+I4+I5=0

No4: I2-I5+IY=0

Como IX=I6-I7 e IY=-I6+I7 ento IX=-IY

3) Utilizando a LTK determine as equaes para os diferentes laos e malhas da figura


abaixo. Sugesto: adote um sentido para percorrer os laos ou malhas e some as tenses cujo
primeiro sinal encontrado positivo e subtraia aqueles cujo sinal for negativo.

Adotando sentido horrio, comeando dos ns inferiores a esquerda:

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Malha 1: +V1+V5-V4=0

Malha 2: -V6+V4+V3=0

Malha 3: -V3-V5+V2=0;

Outros caminhos fechados podem ser equacionados mas no trazem informao


adicional para a soluo do problema.

+V1+V5+V3-V6=0 (combinao das equaes das malhas 1 e 2)

-V6+V4-V5+V2=0 (combinao das equaes das malhas 2 e 3)

+V1+V2-V3-V4=0 (combinao das equaes das malhas 1 e 3)

-V6+V1+V2=0 (combinao das equaes das malhas 1, 2 e 3)

4) Para o circuito abaixo, sabendo que I 1=2 , I 3 =1 , I 7 =2 e I 8=3 , determine as


demais correntes. A partir dos sentidos de referncia adotados e considerando
V 1=V 3=V 6=V 9=1 determine as demais tenses.

Para as tenses

-V1+V2-V3=0, logo -1+V2-1=0, portanto V2=2

+V6+V7+V9=0, logo1+V7+1=0, portanto V7= -2

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+V5+V3-V6=0, logo V5+1-1=0, portanto V5=0

+V4-V5+V8=0, logo V4+V8=0 mas os valores individuais de V4 e V8 no podem ser


determinados.

Para as correntes

I1+I2=0, logo I2= -2

-I2-I3-I6+I7=0, logo -(-2)-1-I6+2=0, portanto I6= 3

-I7+I9=0, logo I9=2

I4-I8=0, logo I4=3

-I1+I3-I4-I5=0, logo -2+1-3-I5=0, portanto I5= -4

5) Para a figura abaixo, determinar as tenses v 3 , v 5 , v 8 , v 9 , v 10 e v 11 .

+V7-V6-V5=0, logo +(-3)-2-V5=0, portanto V5= -5

-V1+V5+V2+V11=0, logo -10+(-5)+5+V11=0, portanto V11=10

-V2+V6-V12+V4-V10=0, logo -5+2-8+(-3)-V10=0, portanto V10= -14

V3, V8 e V9 no podem ser determinados individualmente pois no h trs equaes


independentes que envolvam esta trs incgnitas.

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6) Assumindo os sentidos associados para correntes e tenses, e sabendo que v 1=1V ,
v 2=2V , v 3=3V , i 1=i 3=1mA : a) Identifique os ramos que fornecem energia e os que
absorvem energia; b) Calcule a potncia total absorvida e a potncia total fornecida;

-V1+V4+V2=0, logo -1+V4+2=0, portanto V4= -1V

-V2+V5+V3=0, logo -2+V5+3=0, portanto V5= -1V

I1+I2+I3=0, logo 1m+I2+1m=0, portanto I2= -2mA

p1=V1I1=11m=1mW

p2=V2I2=2-2m= -4mW

p3=V3I3=31m= 3mW

p4=V4I4=V4(-I1)= -1(-1m)=1mW

p5=V5I5=V5I3= -11m= -1mW

ptot = p1+p2+p3+p4+p5 = (1-4+3+1-1)m = 0W

7) Dado o grfico da potncia entregue a um elemento, desenhe a curva da energia.

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15

10

potncia (W)
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
-5

-10

-15

tempo (s)

[0;1]: w=5t 2

[1;2]: w=510t 1

[2;3]: w=1510t2

[3;): w=5

8) Para o mesmo elemento do problema 7, considerando que a tenso sobre o elemento


dada pelo grfico abaixo, determine a forma de onda da corrente i(t) sobre este elemento.

4,5
4
3,5
3
tenso (V)

2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

tempo (s)

[0;1]: i=5t

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5
[1;2): i=
t

(2;3): i=5

(3;): i=indeterminado

9) A figura abaixo apresenta as formas de onda de tenso e corrente sobre um


elemento. Determinar se este elemento absorve ou fornece energia.

Da esquerda para direita:

Enquanto i(c1)>0 e v(c1)<0 a potncia e negativa (fornece energia)

Enquanto i(c1)>0 e v(c1)>0 potncia positiva (absorve energia)

Enquanto i(c1)<0 e v(c1)>0 potncia negativa (fornece energia)

Enquanto i(c1)<0 e v(c1)<0 potncia positiva (absorve energia)

Um novo ciclo acontece e todos os eventos anteriores se repetem.

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2 Elementos bsicos de circuito e suas associaes

Resistor, diodo, transistor, vlvula, capacitor, indutor e transformador, entre outros


elementos de circuito, so elementos reais que podem ser representados por modelos ou
associao de modelos, cada qual apresentando apenas 1 propriedade fsica.

2.1 Resistores lineares e invariantes

Os resistores so os elementos de circuito mais comuns e concentram a caracterstica


de resistncia eltrica, ou seja de oposio a passagem da corrente eltrica. Existem diversos
smbolos para o resistor: na Europa se utiliza um retngulo (como os elementos apresentados
no captulo anterior), nos Estados Unidos e no Brasil o smbolo mais comum apresentado na
figura abaixo.

O resistor caracterizado pelas seguintes relaes:

v t =Rit , onde R resistncia (Ohm ).

it =Gv t , onde G condutncia (Siemens S)

1
R=G

Normalmente R e G so lineares (como no grfico da figura abaixo) e invariantes com


o tempo, mas isto no uma exigncia.

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OBS.: So condies essenciais para a linearidade:

f x =f x

f x 1x 2 = f x 1 f x 2

2.1.1 Curto circuito

R=0 . Isto significa que a diferena de tenso entre dois terminais de um curto
circuito zero, independente da corrente que circula por este elemento. Idealmente o curto
circuito representado por um fio. Num grfico v x i o curto circuito se caracteriza por ser
uma reta paralela ao eixo da corrente e que passa pela origem.

2.1.2 Circuito aberto

R= . Isto significa que no h circulao de corrente pelo circuito aberto,


independente da tenso aplicada a seus terminais. Idealmente o curto circuito representado
por dois ns no conectados. Num grfico v x i o curto circuito se caracteriza por ser uma reta
paralela ao eixo da tenso e que passa pela origem.

2.2 Resistor linear e variante

Aquele que apresenta uma relao linear entre tenso e corrente porm com
dependncia temporal para o valor do resistor.

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v t =Rtit

Exemplo: Calcular v(t) quando R=R A RBcos 2f 1t e it = Acos 2 f 2t .

v t =Xcos 2 f 2tYcos [2 f 1 f 2 ]Zcos [2 f 1 f 2 ]

Observe que para cada instante de tempo a resistncia um valor constante, logo a
resistncia linear, porm este valor varia com o tempo.

2.3 Resistores no lineares e invariantes

Aqueles que apresentam uma relao no linear entre tenso e corrente porm so
invariantes com o tempo (no so funes do tempo).

2.3.1 Interruptor

Uma chave ideal pode ser modelada por por um curto circuito ou por circuito aberto
dependendo de estar fechada ou aberta respectivamente. Um modelo mais realstico pode
representar as resistncia de contatos eltricos (R1) quando a chave est fechada e uma
resistncia de isolao (R2) de quando a chave esta aberta. Outros modelos para a chave
podem ser utilizados, como na figura abaixo.

2.3.2 Diodo

Um elemento com comportamento muito semelhante ao de uma chave comutada por


tenso o diodo eletrnico, cujo smbolo e curva v x i so apresentados na figura abaixo.
Observe que a curva v x i no simtrica o que significa que este elemento apresenta
polaridade, ou seja, dependendo de como ele for ligado ao circuito este ter um
comportamento diferente.

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Tradicionalmente o diodo modelado pela equao

it =I e
qv t
KT
S 1

KT
onde 26mV para a temperatura ambiente.
q

muito comum, na prtica, simplificar os clculos de circuitos que utilizam diodos


substituindo seu comportamento real (descrito pela exponencial acima) por uma chave
controlada (um curto circuito ou circuito aberto). Eventualmente este modelo pode estar
associada com outros elementos como fontes e resistores.

2.3.3 Diodo tnel

O diodo tnel, cujo smbolo apresentado na figura a seguir, um diodo construdo


por processos especiais que levam a uma curva v x i bastante interessante e que pode ser
visualizado no grfico abaixo.

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Observa-se, no grfico, que a resistncia do diodo tnel no linear e controlada por
tenso (o grfico de i em funo de v uma funo no inversvel). Observa-se tambm, que
R negativo para uma faixa de valores (o que ser til em osciladores e filtros). Elementos
com resistncia positiva dissipam energia ao passo que resistncias negativas podem fornecer
energia. Resistncias negativas, como a do diodo tnel e de outros elementos de circuito s
existe para uma determinada faixa de operao e dependem de energia externa para serem
obtidas. No existe nenhum elemento que tenha resistncia negativa em toda sua faixa de
operao.

Tanto o diodo comum como o diodo tnel apresentam curvas no simtricas com
relao a origem o que significa que estes elementos tem polaridade.

2.4 Associao de resistores

2.4.1 Associao srie

A associao srie de resistores aquela onde um terminal de um resistor se conecta a


um terminal do prximo formando uma sequncia de resistores. Esta associao, ilustrada na

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figura abaixo pelos resistores R1 e R2 , tem um comportamento eltrico semelhante ao de
uma resistncia equivalente R EQ entre os ns A e C da associao.

O valor da resistncia equivalente pode ser calculada da seguinte maneira:

v =v R1v R2

v =IR 1IR2

v= I R1R2

v =IR EQ

R EQ=R 1R2

Genericamente R EQ= R n (a resistncia equivalente maior que todas as


resistncias individuais da associao).

Cabe ressaltar que a resistncia equivalente da associao equivalente apenas do


ponto de vista da tenso e da corrente ns A e C (na figura acima) pois a potncia dissipada
por cada resistor ser diferente da potncia dissipada pelo equivalente assim como a tenso
sobre cada resistor ser diferente da tenso sobre o resistor equivalente.

A figura acima tambm apresenta um smbolo no utilizado anteriormente. Um


tringulo interligado ao n C. Este smbolo marca o n como se fosse um nome e costuma ser
utilizado para representar uma referncia de tenso (tambm chamado de terra, massa, chassi,
retorno...). Quando ele est presente no circuito as medidas de diferena de tenso so dadas

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com relao a este ponto. Abaixo vemos curvas de tenso em funo da corrente para a
associao srie apresentada anteriormente.

A tenso V a equivale a diferena de tenso V AV C , a tenso V b equivale a


diferena de tenso V BV C , por outro lado a tenso V A , B ou V AB equivale a diferena
de tenso V AV B . Estas representaes de diferenas de potencial so comuns em circuitos
e sempre que se deseja expressar uma diferena de tenso entre a referncia e um n qualquer
do circuito basta indicar o nome deste n. Quando a diferena de potencial se refere a uma
medida que no inclua o n de referncia ento se indicam os dois ns para os quais a
diferena de tenso esta sendo fornecida ou solicitada.

2.4.2 Associao paralela

A associao paralela de resistores aquela onde um terminal de cada resistor se


conecta a um determinado n e todos os demais terminais se conectam a um outro n. Esta
associao, ilustrada na figura abaixo pelos resistores R1 e R2 , tem um comportamento
eltrico semelhante ao de uma resistncia equivalente R EQ entre os ns A e C da associao.

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O valor da condutncia equivalente pode ser calculado da seguinte maneira.

i TOTAL=i R1i R2

i TOTAL=vG 1vG 2

i TOTAL=vG1G2

i TOTAL=vG EQ

G EQ=G 1G2

Genericamente G EQ= Gn (a condutncia equivalente maior que todas as


condutncias individuais da associao, ou seja a resistncia equivalente menor que todas as
resistncias da associao). Novamente aqui, assim como em todas as associaes realizadas
nesta disciplina, o conceito de equivalente est diretamente relacionado com o comportamento
da tenso e da corrente entre dois ns, ou seja, para que dois circuitos sejam equivalentes a
equao de tenso em funo de corrente para quaisquer dois ns deve ser igual em ambos os
circuitos.

A figura abaixo mostra o grfico das condutncias formadas por R1 , R2 e R EQ

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2.5 Fonte de tenso independente

As fontes de tenso so elementos capazes de absorver ou fornecer energia a circuitos


mantendo constante a diferena de potencial entre seus terminais, independentemente da
corrente que circule pela fonte. Existem diversos smbolos para a fonte mas o mais comum
est representado na figura abaixo.

Observe na figura abaixo que a curva v x i da fonte de tenso uma reta paralela ao
eixo da corrente, como se fosse um curto circuito (a resistncia de uma fonte de tenso ideal
zero) porm esta curva no passa pela origem, ou seja no tem um comportamento linear.
Correntes positivas esto associadas ao sentido de referncia mostrado na figura acima e nesta
regio a fonte absorve energia (p>0) ou seja, esta sendo carregada. Quando a corrente
negativa (sentido contrario ao de referncia) a fonte fornece energia (p<0).

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Fontes de tenso reais apresentam uma diminuio da tenso em seus terminais que
proporcional a corrente fornecida para a carga. A figura abaixo apresenta um modelo para
fonte de tenso real formado por uma fonte de tenso ideal vo em srie com uma resistncia
RS,. Esta fonte est sendo utilizada para alimentar uma carga RL.

v vo
v i=Rsivo ou i v=
Rs Rs

O comportamento v x i da fonte de tenso real semelhante ao mostrado na figura


abaixo. Neste exemplo, vo=10V e RS =10 . Observe que com estes valores a curva de
tenso nos terminais da fonte est longe de ser considerada constante, mas a medida que Rs
for diminudo a curva torna-se mais parecida com a da fonte ideal.

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2.5.1 Associao de fontes de tenso

Fontes de tenso podem ser associadas em srie e em paralelo. Se forem conectadas


em srie a fonte de tenso equivalente ser dada pela soma algbrica das tenses de cada
fonte. Por outro lado, se as fontes forem conectadas em paralelo todas devem ter o mesmo
valor e a mesma polaridade. Isto deve ocorrer para que o somatrio das tenses em cada
caminho fechado seja nulo, obedecendo a LTK.

2.6 Fonte de corrente independente

As fontes de corrente so elementos capazes de absorver ou fornecer energia a


circuitos mantendo constante corrente que atravessa seus terminais, independentemente da
diferena de tenso entre seus terminais. Existem diversos smbolos para a fonte mas o mais
comum est representado na figura abaixo.

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Observe na figura abaixo que a curva v x i da fonte de corrente uma reta paralela ao
eixo da tenso, como se fosse um circuito aberto (a resistncia de uma fonte de corrente ideal
infinita) porm esta curva no passa pela origem, ou seja no tem um comportamento linear.
Tenses positivas esto associadas ao sentido de referncia mostrado na figura acima e nesta
regio a fonte absorve energia (p>0) ou seja, esta sendo carregada. Quando a tenso
negativa (sentido contrario ao de referncia) a fonte fornece energia (p<0).

Fontes de corrente reais apresentam uma diminuio da corrente de sada a medida que
a tenso nos terminais da fonte aumenta. A figura abaixo apresenta um modelo de uma fonte
de corrente real, representada por uma fonte de corrente ideal io e uma resistncia RS. Esta
fonte est sendo utilizada para alimentar a carga RL. Desenhe o grfico de v com relao a i.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 12


v
v i=RsiRsio ou i v= io
Rs

O comportamento v x i da fonte de corrente real semelhante ao mostrado na figura


abaixo. Neste exemplo, io=1A e RS =10 . Observe que a curva abaixo idntica aquela

obtida para o exemplo de fonte de tenso real com vo=10V e RS =10 . Se estes dois
circuitos apresentam a mesma caracterstica v x i ento os dois circuitos so equivalentes do
ponto de vista dos seus terminais.

2.6.1 Associaes de fontes de corrente

Fontes de corrente podem ser associadas em srie ou em paralelo. Se forem ligadas em


srie todas as fontes devem ter a mesma intensidade e o mesmo sentido para que seja
respeitada a LCK. Se ligadas em paralelo podem ter qualquer valor e sentido e, neste caso, a
fonte equivalente corresponde a uma fonte cuja intensidade e sentido dada pela soma
algbrica das correntes das fontes individuais.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 13


2.7 Modelo de Thvenin e Norton

Como foi mostrado os modelos de fontes de tenso e corrente reais apresentam a


mesma equao para a curva v x i e portanto podem ser equivalentes. Estes equivalentes
recebem nomes especiais (Thvenin e Norton respectivamente) e podem ser vistos na figura
abaixo.

Para substituir um equivalente Thvenin por um Norton e vice versa basta comparara
as equao de cada equivalente. Comparando as equaes de tenso

v i=RsiRsio , v i=Rsivo

observa-se que vo=Rsio , a inclinao do grfico v(i) Rs e seu intersepto vo .

Comparando-se as equaes de tenso

v v vo
i v= io , i v=
Rs Rs Rs

vo 1
observa-se que io= , a inclinao do grfico i(v) e seu intersepto io .
Rs Rs

2.8 Associao de fontes e resistores

2.8.1 Divisor de tenso

Um problema muito comum em circuitos o clculo da tenso sobre um resistor numa


ligao srie de fonte de tenso e resistores conforme indicado na figura a seguir.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 14


A tenso v pode ser obtida da seguinte maneira:

vs
i TOT =
R1R 2R3

v=i TOTR2

vs
v= R
R1 R2R3 2

vs
Genericamente v i = R
Rn i

2.8.2 Divisor de corrente

Outro problema muito comum o clculo de uma determinada corrente num circuito
paralelo entre uma fonte de corrente e resistores, como ilustrado na figura abaixo.

A corrente i1 pode ser obtida da seguinte maneira

is
v TOT =
G 1G 2G 3

i 1=v TOTG 1

is
i 1= G
G 1G 2G 3 1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 15


is
Genericamente i i= G
Gn i

2.9 Fontes controladas

Uma fonte controlada um elemento de circuito com 2 braos onde o primeiro


formado por um curto circuito ou circuito aberto e o segundo por uma fonte de tenso ou
corrente. A forma de onda na fonte do segundo brao uma funo na tenso de circuito
aberto ou da corrente de curto circuito do primeiro brao ou seja a fonte do segundo brao
controlada pela tenso ou corrente no primeiro brao. Assim, existem quatro combinaes
possveis de fontes controladas que esto representadas na figura abaixo.

Fonte de corrente controlada por corrente: i 2 =i 1

Fonte de corrente controlada por tenso: i 2 =gmv1

Fonte de tenso controlada por tenso: v 2 = v1

Fonte de tenso controlada por corrente: v 2 =rmi 1

Estas fontes so muito comuns em eletrnica e representam o funcionamento de


circuitos ou elementos como transistores, amplificadores operacionais e vlvulas. Os smbolos
utilizados diferem um pouco na literatura e nos simuladores. Via de regra o smbolo da fonte
continua o mesmo utilizado para fontes independentes ou assume um formato de losngulo. A
dependncia com a corrente ou a tenso do primeiro brao explicitada pela equao que
governa o funcionamento da fonte.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 16


Diferente das fontes independentes, fontes controladas representadas por , gm, e rm
constantes so fontes lineares e invariantes com o tempo mas tambm podem existir fontes
controladas no lineares e variantes.

As fontes independentes representam fornecimento de energia ou seja a ao do


mundo externo e so componentes no lineares por natureza. As fontes controladas
representam comportamento de elementos eletrnicos (resistores, por exemplo) acoplados ou
seja podem ser elementos lineares. Nos exemplos mostrados acima, com coeficientes
constantes, a impedncia de uma fonte de corrente controlada no infinita e a impedncia de
uma fonte de tenso controlada no zero. De resto as fontes controladas podem ser
consideradas fontes de tenso ou corrente e assim so consideradas na anlise de circuitos.

2.10 Exerccios

1) Observando a curva v x i de um elemento possvel determinar se ele apresenta


polaridade?

2) Para um elemento cuja relao v x i determinada por: v=50i0,5i 3 . a) Qual o


valor da resistncia desta elemento? b) Para correntes de 10 mA, 1 A e 10 A qual o erro em
aproximar R por 100 ? c) Para correntes de 10 mA, 1 A e 10 A qual o erro em aproximar R
pela sua resposta do item a? d) A corrente que circula por este elemento sempre apresenta as
mesmas frequncias da tenso sobre ele?

3) Calcule a resistncia equivalente para os circuitos da figura abaixo

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 17


4) Apresente as curvas v x i para as figuras abaixo (considerar o diodo como uma
chave ideal controlada por corrente). Com base nestes resultados determinar como seria
possvel modelar a curva do diodo real apresentada na seco sobre resistores no lineares e
invariantes. No LTSpice insira a diretiva spice: .model D d(N=0.001) para obter um diodo
prximo do ideal.

5) Projetar um circuito resistivo de um acesso com resistores lineares, diodos ideais e


fontes independentes que tenha a caracterstica v x i mostrada abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 18


6) Para os circuitos da figura abaixo calcule as tenses e as correntes sobre os
elementos. Considere R1=1 , R1=2 e R1=3 . Determine quem absorve e quem fornece
energia.

7) Determine a tenso, a corrente e a potncia sobre cada elemento do circuito abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 19


8) Para a figura abaixo calcule as tenses V 1 e V 2 .

9) Determine o modelo equivalente para os dois circuitos abaixo.

10) Abaixo so apresentadas duas redes resistivas: uma rede chamada T ou Y e outra
rede chamada ou . Dependendo dos valores dos resistores estas redes podem ser
equivalentes do ponto de vista dos terminais A, B e C. a) Determine os valores de RA, RB e
RC para que a rede Y seja equivalente a uma dada rede . b) Determine os valores de R1, R2
e R3 para que a rede seja equivalente a uma dada rede Y.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 20


11) Utilizando apenas associao de resistores e transformao de modelos Thvenin-
Norton determine o valor da tenso v.

12) Para a figura abaixo calcule a tenso sobre a carga (resistor R L )

13) Para o circuito abaixo, calcular vL (tenso sobre o resistor R L ).

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 21


14) Para o circuito abaixo calcular a impedncia vista pela fonte de corrente

15) Para os circuitos abaixo calcular o valor de v o considerando que o ganho A do


amplificador operacional no infinito. Determine o limite de v o quando o ganho A tende a
infinito. Refaa as contas considerando que a fonte controlada da sada uma fonte de tenso
independente de valor v o e que a diferena de tenso entre as duas entradas do operacional
nula. Compare os resultados e explique o que aconteceu.

2.11 Soluo

1) Observando a curva v x i de um elemento possvel determinar se ele apresenta


polaridade?

Sim. Simetria impar indicam elementos sem polaridade.

2) Para um elemento cuja relao v x i determinada por: v=50i0,5i 3 . a) Qual o


valor da resistncia deste elemento? b) Para correntes de 10 mA, 1 A e 10 A qual o erro em
aproximar R por 100 ? c) Para correntes de 10 mA, 1 A e 10 A qual o erro em aproximar R
pela sua resposta do item a? d) A corrente que circula por este elemento sempre apresenta as
mesmas frequncias da tenso sobre ele?

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 22


a) Genericamente a resistncia deste elemento pode ser modelada como

dv
=R=50+1,5i 2
di

b) Erro de aproximadamente 100% na tenso para corrente de 10mA

v 10mA =50i0,5i 3=0,5000005 V , v=R100 i=1V

Erro de aproximadamente 98% na tenso para corrente de 1A

v 1A =50i0,5i 3=50,5V , v=R100 i=100V

Erro de 0% na tenso para corrente de 10A

v 10A=50i0,5i 3=1000 V , v=R100 i=1000V

c) Erro de aproximadamente 0% na tenso para corrente de 10mA

2
R(10mA)=50+1,5i =50,00001 , v= Ri=0,500001V

Erro de aproximadamente 2% na tenso para corrente de 1A

R(1A )=50+1,5i 2=51,5 , v=Ri=51,5V

Erro de aproximadamente 100% na tenso para corrente de 10A

R(10A )=50+1,5i 2=200 , v=Ri=2000V

**Isto faz sentido? Como explicar estes nmeros? Usando a expresso da resistncia o
erro no deveria estar prximo de 0%? Como escolher o melhor valor de resistncia para
linearizar este resistor?

d) No. Por exemplo, se i=cos X , ento cos 2 X =0,5cos 2X 0,5 , ou seja a


frequncia X se transformou em duas outras frequncias, 2X e 0. O termo da tenso que
depende da corrente ao cubo vai apresentar outras frequncia que no a da corrente.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 23


3) Calcule a resistncia equivalente para os circuitos da figura abaixo

R2R3
Circuito da esquerda: Req=R1
R2R3

R4 R2R3
Circuito da direita: Req=R1
R4R2R3

4) Apresente as curvas v x i para as figuras abaixo (considerar o diodo como uma


chave ideal controlada por corrente). Com base nestes resultados determinar como seria
possvel modelar a curva do diodo real apresentada na seco sobre resistores no lineares e
invariantes. No LTSpice insira a diretiva spice: .model D d(N=0.001) para obter um diodo
prximo do ideal.

5) Projetar um circuito resistivo de um acesso com resistores lineares, diodos ideais e


fontes independentes que tenha a caracterstica v x i mostrada abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 24


Soluo: Um circuito possvel apresentado abaixo. No simulador do tipo Spice
modifique o parmetro N do diodo para obter um comportamento mais prximo do ideal.
Quanto menor o N mas prximo do ideal e mais problemas computacionais. No LTSpice
insira a diretiva spice: .model D d(N=0.001)

6) Para os circuitos da figura abaixo calcule as tenses e as correntes sobre os


elementos. Considere R1=1 , R1=2 e R1=3 . Determine quem absorve e quem fornece
energia.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 25


Circuito de cima a esquerda

R1=1 , v R1=v 1 , i R1=2 A , i V1=1 A , p V1=2 W , p R1 =4 W , p I1=2 W

R1=2 , v R1=v 1 , i R1=1 A , i V1=0 A , p V1=0 W , p R1 =2 W , p I1=2 W

R1=3 , v R1=v 1 , i R1=2 /3 A , i V1=1/3 A , p V1=2 /3 W , p R1 =4 /3 W , p I1=2 W

Circuito de cima a direita

R1=1 , v R1=1V , i R1=i I1 , i V1=i I1 , p V1=2 W , p R1 =1 W , p I1=3W

R1=2 , v R1=2 V , i R1=i I1 , i V1=i I1 , p V1=2 W , p R1 =2 W , p I1=4 W

R1=3 , v R1=3 V , i R1=i I1 , i V1=i I1 , p V1=2 W , p R1 =3W , p I1=5 W

Circuito de baixo, v R2=3 V , p R2 =3W

R1=1 , i R1=2 A , i V1=1 A , p V1=2 W , p R1 =4 W , p I1=5 W

R1=2 , i R1=1 A , i V1=0 A , p V1=0 W , p R1 =2 W , p I1=5 W

R1=3 , i R1=2 /3 A , i V1=1/3 A , p V1=2 /3 W , p R1 =4 /3 W , p I1=5 W

7) Determine a tenso, a corrente e a potncia sobre cada elemento do circuito abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 26


Os resultados esto apresentados na tabela abaixo. As clulas pintadas correspondem
as fontes que fornecem energia.

IR1=3A, VR1=6V, PR1=18W IR6=4A, VR6=16V, PR6=64W IR5=2A, VR5=10V, PR5=20W

VI1=V7+VR1=26V, PI1=78W IV10= 4A, PV10= 200W VI2=VV8+VR5=25V, P=50W

IR7=V9 / R7 = 4A, VR7= 40V, VI3=VV10+VR6VV9=26V, VR4=15V, IR4=2A, PR4=30W


PR7= 160W P=104W

VR2=20V, IR2=5A, PR2=100W VR3=VV9VR2VR4=5V, IV7=IR1+IR3IR2=0A, PV7=0W


IR3=2A, PR3= 10W

IV8=IR3+IR5IR4=2A, PV8=30W IV9=IR4+IV8+II3+IR7-II2 =10A,


PV9=400W

8) Para a figura abaixo calcule as tenses V 1 e V 2 .

v 2 =25 V , v 1=1V

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9) Determine o modelo equivalente para os dois circuitos abaixo.

Circuito da esquerda igual a uma fonte de tenso de valor V1. Circuito da direita igual
a uma fonte de corrente de valor I1.

10) Abaixo so apresentadas duas redes resistivas: uma rede chamada T ou Y e outra
rede chamada ou . Dependendo dos valores dos resistores estas redes podem ser
equivalentes do ponto de vista dos terminais A, B e C. a) Determine os valores de RA, RB e
RC para que a rede Y seja equivalente a uma dada rede . b) Determine os valores de R1, R2
e R3 para que a rede seja equivalente a uma dada rede Y.

a) R AC = RA RC , R AB= RARB , R BC =RBRC

R1 R2R3 R1R2R1R3
R AC = R1 // R2R3= =
R1R2R3 R1R2R3

R2 R1R3 R1R2R2R3
R AB= R2 // R1R3= =
R1R2R3 R1R2 R3

R3 R1R2 R1R3R2R3
R BC =R3 // R1R2= =
R1R2 R3 R1R2R3

R1R2 R1R3
RARC= (1)
R1R2R3

R1R2R2R3
RARB= (2)
R1R2R3

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 28


R1R3R2R3
RBRC = (3)
R1R2R3

12 3=2RA , 23 1=2RB , 13 2=2RC

R1R2 R2R3 R1R3


RA= , RB= , RC=
R1R2R3 R1R2R3 R1R2R3

b) considerando que RT =R1R2R3

R1R2 R2R3 R1R3


ento RA= , RB= , RC=
RT RT RT

2 2 3
R1R2 R3 R1 R2R3 R1R2R3
RARB= , RARC= 2 , RBRC =
RT 2
RT RT 2

2 2 2
R1R2 R3R1 R2R3R1R2R3
RARBRARC RBRC=
RT 2

2 2 2
1 1 R1R2 R3R1 R2R3R1R2R3
RARBRARC RBRC=
RA RA RT 2

1 RT R1R22R3R12R2R3R1R2R32
RARBRARC RBRC=
RA R1R2 RT 2

RARBRARCRBRC R2R3R1R3R3 2
=
RA RT

RARBRARCRBRC R3 R2R1 R3
=
RA R1R2R3

RARBRARC RBRC
R3= ,
RA

RARB RARC RBRC


R2=
RC

RARBRARCRBRC
R1=
RB

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11) Utilizando apenas associao de resistores e transformao de modelos Thvenin-
Norton determine o valor da tenso v.

R4 e R6 no influenciam a tenso v e podem ser desconsiderados

V 12=V 1V 2=104=6V

O modelo Thevnin formado por V 12 e R1 pode ser transformado em um Norton

I 12=V 12 /R 1=6/2=3 A e R1=2 .


Req =
1

1

1
R1 R3R5 R2 =1,14 , e I eq=I 12I 1=310=13 A .

Assim, v= I eqReq =14,85V

12) Para a figura abaixo calcule a tenso sobre a carga (resistor R L )

v sR1
v RL= RLgmv1 e v 1=
R1R 2

v sR1
v RL= RLgm com polaridade positiva para baixo.
R1R 2

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 30


13) Para o circuito abaixo, calcular vL (tenso sobre o resistor R L ).

Soluo:

v2 v1
vL = RL = RL
R2 + RL R2 + RL

vS
v 1= R
RS R1 1

v SR1R L
v L=
R L R2 R SR1

14) Para o circuito abaixo calcular a impedncia vista pela fonte de corrente

Soluo:

V L 1aI 1RL
RE= = =1aR L
IS IS

Observe que dependendo do valor de a a impedncia equivalente conectada em


paralelo com a fonte de corrente varia. Se a=1 a impedncia nula e o circuito se comporta
como um curto circuito. Se 0a1 a impedncia ser uma parcela da impedncia da carga.
Se a1 a impedncia negativa.

15) Para os circuitos abaixo calcular o valor de v o considerando que o ganho A do


amplificador operacional no infinito. Determine o limite de v o quando o ganho A tende a

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 31


infinito. Refaa as contas considerando que a fonte controlada da sada uma fonte de tenso
independente de valor v o e que a diferena de tenso entre as duas entradas do operacional
nula. Compare os resultados e explique o que aconteceu.

Soluo para o primeiro circuito.

Redesenhando o circuito para facilitar o equacionamento

v iv o
i 1=
R1R2

v iv o
v _=i 1R 2v o= R v
R1R 2 2 o

v iR 2v oR1
v _=
R1 R2

v o= A v + v _

como v + =0 , v o =Av _

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vo v R v R
v _= = i 2 o 2
A R1R 2

R2
v o = v
R1R 2 i
R1
A

R2
se lim v o= v
A R1 i

Observe que se A tende a infinito e a sada v o finita ento a diferena de tenso entre
as duas entradas do amplificador operacional obrigatoriamente deve ser ser nula.
Considerando antecipadamente as duas entradas do operacional com o mesmo potencial
podemos resolver o problema da seguinte forma:

v + =v _ =0 logo

vi v
i 1= = o , ento
R1 R2

R2
v o = v .
R1 i

v + =v _ =0

v i0 0v o
i 1= =
R1 R2

R2
v o = v
R1 i

Para o segundo circuito, resolvendo da forma simplificada:

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v R1=v i

v 0v i v i
i R1=i R2= =
R2 R1

v o=

R2
R1
1 v i

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3 Teoremas e anlise sistemtica de redes

3.1 Reviso de definies

Revisando os conceitos anteriores podemos classificar os circuitos como: Circuitos


Lineares: cada elemento do circuito linear ou uma fonte independente. Circuito Invariante:
cada elemento do circuito invariante ou uma fonte independente. Circuito Linear e
Invariante: cada elemento do circuito linear e invariante ou uma fonte independente.
Circuitos No Lineares ou Variantes: aqueles que no so lineares ou no so invariantes.

Nestas definies as fontes independentes precisam ser tratadas separadamente pois


elas exercem um papel diferente do das outras variveis de rede dos outros elementos. Alm
disto todas as fontes independentes so elementos no lineares (sua caracterstica uma linha
reta que no passa pela origem).

3.2 Teoremas de rede e transformaes de fontes

Apesar das leis de Kirchhoff se aplicarem a todas as classes de problemas que sero
estudados neste disciplina nem sempre seu uso direto. Algumas vezes necessrio montar
sistemas de equaes para solucionar um determinado problema. Computacionalmente
falando isto no representa um problema porm para anlise manual de circuitos a soluo de
sistemas de equaes com ordem superior a trs pode se tornar bastante trabalhosa.
Adicionalmente, durante o projeto de circuitos estas tcnicas podem no ser de muita
utilidade.

Para nossa sorte, muitas vezes possvel calcular uma determinada varivel de rede
simplificando a rede original. Isto pode ser realizado utilizando-se alguns teoremas,
associaes e transformaes de elementos. Estas simplificaes podem ser aplicadas sem
medo desde que a resposta desejada no se encontre junto aos elementos simplificados.
Quando as simplificaes forem realizadas eliminando ou modificando a resposta desejada
deve se ter o cuidado de retornar ao problema original para desfazer as simplificaes iniciais.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 1


3.2.1 Teorema da superposio

Seja uma rede linear, que apresente apenas uma resposta para o conjunto de excitao
(conjunto de fontes independentes que excita o circuito), independente dos elementos serem
variveis ou no com o tempo, ento a resposta da rede causada por vrias fontes
independentes a soma das respostas devidas a cada fonte independente agindo sozinha.

Em outras palavras, se desejarmos analisar um circuito que contenha muitas fontes


independentes podemos analisar a resposta da rede (circuito) para cada fonte em separado
(considerando que as demais fontes tm valor nulo curto circuito para as fontes de tenso e
circuito aberto para as fontes de corrente) e depois somar todas as respostas.

Exemplo: Calcular V 1 e V 2 .

Pela LTK temos que v 2=v sv1

2
logo 3i2=4i1 , de onde se obtm i= A
3

2 14
Ento: v 1= V e v 2 =23i= V
3 3

Por superposio temos que v 2 v s , i s=v 2 v s , i s=0v 2 v s=0, i s e


v 1 v s , i s =v 1 v s ,i s=0v1 v s=0, i s

ento v 2 =
[ vs
R1R2 ] 4 2 14
R2 [ i sR EQ ] = 23 = V e
3 3 3

v 1=
[ vs
R 1 R2 ] 4 2 2
R1 [ i sR EQ ] = 1 3 =
3 3 3
V

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3.2.2 Teorema de Thvenin-Norton

Seja uma rede linear ligada a uma carga por dois de seus terminais de forma que a
nica interao entre rede e carga se d atravs destes terminais, ento o teorema de Thvenin-
Norton afirma que as formas de onda de tenso e corrente nestes terminais no se afetam se a
rede for substituda por uma rede Thvenin equivalente ou Norton equivalente.

Para se obter esta rede equivalente basta determinar a relao v x i nos terminais da
rede. Isto pode ser realizado de forma genrica aplicando-se uma fonte de corrente de valor I
nos terminais da rede e determinando a equao da tenso sobre esta fonte.

Quando a rede em anlise apresenta apenas elementos lineares e fontes independentes


podemos obter os equivalentes Thvenin ou Norton da seguinte maneira: 1) A determinao
da tenso de Thvenin corresponde a tenso entre os terminais para os quais estamos
buscando o equivalente (os terminais devem ser mantidos em circuito aberto). 2) A
determinao da corrente de Norton corresponde a corrente que circularia pelos terminais para
os quais se deseja determinar o equivalente (curto circuitar os terminais). 3) A resistncia
pode ser calculada substituindo as fontes independentes pela sua resistncia interna ( R=0
para fonte de tenso e R= para fonte de corrente) e determinando a resistncia equivalente
nos terminais para os quais se deseja determinar o equivalente. Alternativamente a resistncia
poderia ser obtida pela diviso da tenso de Thvenin pela corrente de Norton.

Exemplo: Determinar os equivalentes Thvenin e Norton entre os terminais A e B da


rede abaixo.

Terminais A e B mantidos em aberto

V AB =ixR4 =ix3

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 3


v sR3ix 2ixR4ix=0

15 15
ix= =
1023 11

15 45
V AB = 3= V
11 11

Terminais A e B mantidos em curto circuito

considerando I T =ixi R5 e G EQ=G 4G 5

1 3
ento ix= i T e I R5= i T (divisor de corrente)
4 4

v sR3i T 2ixR EQi T =0

1
v sR3i T 2 i T R EQi T =0
4

15 60
iT = =
2 3 41
10
4 4

3 60 45
I R5= = A
4 41 41

Com dois pontos da curva v x i podemos calcular facilmente a resistncia para os dois
modelos. Para evitar problemas vale a pena redesenhar os modelos e identificar os elementos
de cada um.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 4


V =V AB=V TH =vo , I =I R5 =I N =io

V AB 45 /11 41
Rs= = =
I 45 /41 11

3.2.3 Exploso (transformao ou deslocamento) de fontes

Algumas vezes interessante transformar uma fonte independente em muitas outras de


forma a simplificar a anlise do restante do circuito que permanece inalterado. Quando isto
feito chamamos de transformao, ou exploso, de fontes.

Uma fonte de tenso independente que tenha um de seus terminais ligados a mais de
um elemento de circuito pode ser desmembrada, removendo este n desde que cada elemento
permanea interligado em srie com uma fonte de tenso de mesmo valor e polaridade. A
figura abaixo ilustra o fato. Uma fonte v se conecta aos resistores R1 e R2 . Ela pode ser
desmembrada em duas fontes em paralelo de mesmo valor e polaridade e, finalmente,
separadas de forma que cada uma fique em srie com um dos resistores R1 ou R2 . Do ponto
de vista de circuito as formas de onda de tenso e corrente nos terminais A, B e C
permanecem inalteradas.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 5


Um procedimento semelhante pode ser realizado com as fontes de corrente. Neste caso
uma fonte que interligue dois pontos de um circuito pode ser substituda por outras tantas
desde que percorram um outro caminho que uma os mesmos dois pontos unidos pela fonte
original. A figura abaixo ilustra esta situao. Uma fonte de corrente faz circular uma corrente
i1 do n B para o n A. Em paralelo com esta fonte h um outro caminho, formado pelos
resistores R1 , R2 e R3 , interligando o n B ao n A. Ento a fonte de corrente original pode
ser removida e outras podem ser colocadas em paralelo com estes resistores. Observe que a
corrente i1 movimentada pela fonte em paralelo com R3 e deslocada pela fonte em paralelo
com R2 e esta corrente deslocada pela fonte em paralelo com R1 de forma que toda a
corrente que saiu do n B chegou ao n A sem alterar o restante do circuito.

Exemplo: No circuito abaixo deseja-se calcular o valor da corrente I mas sem montar
um sistema de equaes pela LCK nem LTK. Mostre uma forma de fazer.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 6


Explodindo as fontes V 1 e I 1 e redesenhando o circuito obtemos

deste ponto em diante basta fazer transformaes sucessivas de modelos Thvenin e


Norton alm de algumas associaes de resistores. I =0,332 A

3.3 Anlise de ns e malhas

Quando a simplificao de circuitos no possvel ou deseja-se resolv-lo com auxilio


de ferramentas computacionais a aplicao da LCK e da LTK a maneira de resolver o
problema. Para facilitar a anlise possvel sistematizar o equacionamento da LCK e da LTK
como segue.

3.3.1 Anlise de ns

Para ilustrar esta tcnica de resoluo sistemtica de circuitos considere a figura


abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 7


Contar os ns essenciais (ns A, B e C). Como as tenses VAC VBC e VAB se relacionam
pela lei das tenses de Kirchhoff, apenas duas destas tenses so independentes, a terceira
uma combinao linear das anteriores. Sendo assim possvel escrever duas equaes de
tenso de ns independentes. Quaisquer duas tenses podem ser utilizadas mas normalmente
se escolhem as tenses com relao ao n referncia. Assim chamamos de tenso de n a
diferena de tenso entre o potencial de um n com relao referncia. No exemplo abaixo
as tenses de n sero VA e VB. Assim, para cada n ns essenciais existe n-1 equaes de
tenses de n independentes. Resolvendo o problema para as tenses de n todas as tenses
de brao tambm ficam determinadas. As correntes de brao podem ser especificadas em
funo das equaes de brao impostas por cada elemento.

Para escrever as equaes de n precisamos da lei das correntes de Kirchhoff. Assim


para o problema da figura acima temos

para o n A

i 1i 2=is1

v A0 v A v B
=is1
R1 R2

para o n B

i 3i 4i 5=0

v B v A v Bvs 1 v B 0
=0
R2 R4 R5

reescrevendo as equaes para os ns A e B respectivamente temos

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 8


v A
1

1
R1 R2
v B
1
R2
=is1

v A

1
R2
1
v B
1
R3 R4
=vs 1
1
R4

Desta forma obtemos um sistema de equaes com duas incgnitas e duas equaes
que pode ser resolvido sem maiores problemas. Como soluo para o problema obteremos as
tenses em cada n. As correntes de cada ramo ficam definidas pela tenso e pelo valor da
resistncia, ou pelo valor da fonte de corrente.

Observe que h uma lei de formao para o sistema de equaes obtido, de forma que
ele poderia ter sido obtido por inspeo da rede. Para um determinado n N a equao obtida
da seguinte forma: A tenso do n N multiplicada pelo somatrio das condutncias que vo do
n N aos nos J. Esta parcela subtrada das tenses nos ns J multiplicadas pelas
condutncias que interligam os ns J ao n N. O resultado igual a soma das fontes de
correntes que saem do n N multiplicadas por 1.

v N G NJ v JG JN = i N

onde G XY a condutncia que liga o n X ao n Y.

3.3.2 Anlise de malhas

Um outro mtodo de analisar uma rede genrica o mtodo das malhas. Para ilustrar
sua aplicao considere a figura a seguir.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 9


Inicialmente contamos o nmero de malhas essenciais (malhas M1, M2 e M3). Para
cada malha estipula-se uma corrente com sentido de referncia arbitrrio (IM1, IM2 e IM3). A
partir do sentido de referncia arbitrado os sentidos das tenses de referncia tambm ficam
bem definidos. A partir dos sentidos de tenso e utilizando a lei das tenses de Kirchhoff
podemos escrever as equaes que regem as correntes de cada malha. Em elementos que
pertencem a mais de uma malha, a corrente resultante ser a soma algbrica das correntes de
cada malha, levando-se em conta o sentido de cada corrente. Para o circuito acima temos

para a malha 1

v R1v R3v2v R2v1=0

R1 IM1R3 IM1IM2v2 R1 IM1v1=0

para a malha 2

v R4v R5v R6v2v R3=0

R4 IM2IM3IM2R5 IM2R6v2R3 IM2IM1=0

para a malha 3

v R7 v3v R4 v R2=0

R7 IM3v3R 4 IM3 IM2R 2 IM3IM1=0

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 10


reescrevendo as equaes temos

IM1 R1R2R 3IM2 R3 IM3 R 2=v1v2

IM1 R3 IM2 R3R 4R5 R6 IM3 R 4=v2

IM1 R2 IM2 R4 IM3 R2R4 R7 =v3

Que resulta num sistema com trs equaes e trs incgnitas que pode ser resolvido de
forma simples. As correntes de ramo podem ser determinadas por uma simples relao
algbrica entre correntes de malha.

i1=IM1

i2=IM2

i3=IM3

i4=IM1 IM2

i5=IM2IM3

As tenses de ramo podem ser obtidas a partir dos valores das fontes de tenso e das
quedas de tenso sobre os resistores. A tenso sobre as fontes de corrente deve ser
determinada pela lei das tenses de Kirchhoff.

Observe que h uma lei de formao para o sistema de equaes que determinam as
correntes de malha de modo que ele poderia ter sido obtido por simples inspeo da rede. Para
uma determinada malha M a equao obtida da seguinte maneira: A corrente da malha M
multiplica o somatrio de todas as resistncia que compe a malha. Esta parcela deve ser
subtrada das demais correntes de malha multiplicas pelas resistncia em comum com a malha
M. O resultado igual ao somatrio das fontes de tenso da malha multiplicadas por 1.

i M RMJ i JR JM = v M

onde R XY a resistncia da malha X que tambm pertence a malha Y.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 11


3.4 Grafos de rede e teorema de Tellegen

Toda a anlise de ns e malhas pode ser sistematizada ainda mais se for utilizada a
teoria e grafos e notao matricial. As prximas seces apresentam esta abordagem como um
exemplo de como esta sistematizao pode simplificar e muito a anlise de redes. Como ser
visto todos as redes podem ser resolvidas a partir de uma s equao entretanto todo o
trabalho de anlise passa a ser um problema matemtico. Esta abordagem, portanto, se aplica
muito bem a simulao e anlise computacional de redes.

3.4.1 Conceito e definies de grafos

Um grafo um conjunto de braos e ns com a condio de que cada brao comece e


termine em um n. Circuitos eltricos tambm so formados por braos e ns e por isso
tambm podem ser representados por grafos.

Como as leis de Kirchhoff no fazem exigncia quanto a natureza dos elementos da


rede, natural desprezar a influncia dessa natureza ao reduzir a rede a um grafo. Idias
tericas de grafos so ento usadas para formular de modo preciso a LTK e LCK. Isto
realizado para obter uma forma sistemtica de anlise de circuitos que sirva para redes de
qualquer complexidade e tamanho e possa ser simulada em computadores.

A representao de um circuito por um grafo pressupe a substituio dos elementos


de brao por um segmento de reta que pode estar orientado (grafo orientado) e que
chamado de brao (ou ramo). Os ns do circuito so os ns do grafo e tambm podem ser
chamados de vrtices ou junes. Os ns delimitam o incio e o fim de um brao. A
orientao dos braos coincide com a orientao dos sentidos de referncia associados de
tenso e corrente, adotados pela conveno passiva. Definidos assim, grafos mais simples
possuem apenas um n ou um ramo e um n. Os grafos tambm podem ser divididos em
subgrafos (subconjunto de elementos do grafo) sendo o menor deles chamado de grafo
degenerado (um grafo formado apenas por um n). A figura abaixo apresenta um exemplo de
grafo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 12


1 2 3
1 4

3
2 5

5 4

Os grafos tambm podem ser ligados se existir ao menos um brao entre quaisquer
dois ns. Um grafo ligado chamado de uma parte separada, assim os grafos no ligados
possuem ao menos duas partes separadas. Um corte um conjunto de braos que quando
removidos do grafo original resultam em um grafo com uma parte separada a mais porm, se
um dos braos do conjunto for mantido o grafo resultante continua com o mesmo nmero de
partes separadas do grafo original.

Um percurso fechado em um grafo todo subgrafo ligado onde cada n deste


subgrafo est conectado a apenas dois braos.

3.4.2 Cortes e lei das correntes de Kirchhoff

Usando a nomenclatura de grafos a lei das correntes de Kirchhoff pode ser enunciada
como Para qualquer rede de parmetros concentrados, para qualquer de seus cortes, e a
qualquer instante, a soma algbrica de todas as correntes atravs dos braos do corte
zero.

A figura abaixo mostra um grafo ligado onde uma superfcie S corta o grafo em duas
partes separadas. Os braos 1, 2 e 3 formam este corte. Se ao menos um destes trs braos no
forem removidos ento o grafo continua ligado.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 13


4
S

8 7

1 2 3
5 8

1 2 3

Se adotarmos um sentido de referncia associado a superfcie S podemos aplicar a


LCK. Adotaremos a seguinte conveno: positivo so as correntes cujos sentidos so do
interior para o exterior da superfcie.

Neste caso, aplicando a LCK para os braos do corte temos

i 1 t i 2 t i 3 t =0

Se fossemos aplicar a LCK a todos os ns dentro da superfcie S teriamos

N 1: i 1 i 5 i 6 =0

N 2: i 2 i 5i 7i 8=0

N 3: i 3 i 8 =0

N 4: i 6 i 7 =0

A soma de todas estas equaes resulta em

i 1 i 2 i 3 =0

Da mesma forma podemos definir lei das tenses de Kirchhoff usando a nomenclatura
de grafos: Para qualquer rede de parmetros concentrados, para qualquer de seus

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 14


percursos fechados, e a qualquer instante, a soma algbrica das tenses de brao ao longo
de qualquer percurso fechado zero.

3.4.3 Teorema de Tellegen

Para uma rede de parmetros concentrados cujo grafo tenha b braos e n ns.
Arbitremos para cada brao do grafo uma tenso de brao vK e uma corrente de brao iK e
suponhamos que vK e iK sejam medidos a partir de um sentido de referncia associado. Se as
tenses e as correntes de brao satisfazes a LTK e a LCK respectivamente ento:

b
v Ki K =0
K=1

ou seja, toda a potncia fornecida pela rede consumida na prpria rede. Em outras
palavras as leis de Kirchhoff implicam em conservao de energia.

3.5 Grafos de rede aplicados a anlise de ns

Dado um determinado grafo orientado possvel descrev-lo listando todos os braos


e ns e indicando qual brao est entrando e saindo de qual n. Isto pode ser feito por uma
matriz chamada matriz de incidncia, onde os elementos aik desta matriz podem assumir
valores +1 se o brao k sai do n i; 1 se o brao k entra no n i; 0 se o brao k no incidente
(no se conecta) com o n i. Assim, para o grafo abaixo

1 2 3
1 4

3
2 5

5 4

a matriz que o descreve

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 15


[ ]
1 1 0 0 0 0
1 0 1 1 0 0
A= 0 0 0 1 1 0
0 0 0 0 1 1
0 1 1 0 0 1

onde as colunas representam os braos e as linhas representam os ns.

Considerando a matriz incidncia reduzida (a matriz A sem a linha correspondente ao


n de referncia do circuito) possvel escrever a LCK matricialmente como

A j=0

e pela LTK a tenso v em cada brao da rede pode ser obtida matricialmente como

v= ATe

onde e um vetor com tenses de cada n.

Para concluir o equacionamento das tenses dos ns de uma rede ser definido um
brao genrico contendo uma resistncia, um modelo Thvenin ou Norton conforme
apresentado na figura abaixo. Para a continuidade da anlise imprescindvel que haja ao
menos uma resistncia no ramo mas caso isto no ocorra, deve-se utilizar tcnicas de exploso
de fontes para que a condio seja satisfeita.

A corrente no ramo genrico que est sendo definido nesta seco pode ser
equacionado como

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 16


j k = j sk G kv sk G kv k

onde o ndice k denota o k-simo ramo da rede.

A mesma equao pode ser reescrita matricialmente para todos os ramos, assim a
equao acima pode ser reescrita como

j=Gv j s Gv s

Se ambos os lados da equao forem multiplicados por A a esquerda ento

A j=AGv Aj s AGv s

0=AGv Aj s AGv s

e substituindo v por ATe considerando obtemos

T
0=AGA e A j s AGv s , ou

AGATe= AGv s A j s

Exemplo: No circuito da figura abaixo foram numerados os ns e os braos sendo


arbitrado um sentido para cada ramo. Os ramos foram escolhidos de tal forma que pudessem
ser equacionados de acordo com o modelo acima. As fontes no so deixadas em ramos
isolados.

A LCK pode ser escrita como

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 17


[]
j1

[
1 1 0 0 0 j2 0
A j= 0 1 1 1 0 j 3 = 0
0 0 0 1 1 j 4
j5
0 ] []
e a LTK como

[ ][ ]
1 0 0
1 1 0 e1
T
v= A e= 0 1 0 e2
0 1 1 e 3
0 0 1

O equacionamento das correntes em cada ramo dado por

j=Gv j sGv s

[ ] [ ][ ] [ ] [ ] [ ]
j1 2 0 0 0 0 v1 2 2 0 0 0 0 0
j2 0 1 0 0 0 v2 0 0 1 0 0 0 0
j3 = 0 0 3 0 0 v3 0 0 0 3 0 0 0
j4 0 0 0 1 0 v4 0 0 0 0 1 0 0
j5 0 0 0 0 1 v5 0 0 0 0 0 1 1

e as tenses de n podem ser obtidas por

AGATe= AGv s A j s

que pode ser reescrito como

Y ne=i s

T
onde Y n= AGA e i s=AGv s A j s .

Assim

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 18


[ ][ ]
2 0 0 0 0 1 0 0

[ ]
1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0
Y n= 0 1 1 1 0 0 0 3 0 0 0 1 0
0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1
0 0 0 0 1 0 0 1

[ ]
3 1 0
Y n= 1 5 1 e
0 1 2

[]
2
i s= 0
1

Logo, as equaes de n, que podem ser obtidas diretamente pelas tcnicas descritas
no captulo anterior, so

[ ][ ] [ ]
3 1 0 e 1 2
1 5 1 e 2 = 0 .
0 1 2 e 3 1

Portanto

e=
25 [ ]
1 17
1
12

Com estas informaes pode-se calcular as tenses e correntes de cada ramo

[]
17
16
T 1
v= A e= 1
25
13
12

j=Gv j sGv s

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 19


[]
16
16
1
j= 3
25
13
13

3.6 Grafos de rede aplicados a anlise de malhas

Alternativamente possvel descrever um grafo orientado, ligado, inseparvel e planar


listando todos os braos e malhas e indicando os braos que pertencem a cada malha. Isto
pode ser feito por uma matriz onde os elementos aik desta matriz podem assumir valores +1 se
o brao k pertence a malha e tem o mesmo sentido estabelecido para ela; 1 se o brao k
pertence a malha e tem sentido contrrio ao estabelecido para a malha; 0 se o brao k no
pertence a malha. Assim, para o grafo acima teramos

[ ]
1 1 1 0 0 0
M = 0 0 1 1 1 1
1 1 0 1 1 1

onde as colunas representam os braos e as linhas representam os ns.

Considerando a matriz M reduzida (matriz m sem a incluso da malha externa


apenas com malhas essenciais), podemos escrever a LTK como

Mv =0

e pela LCK as correntes de ramo podem ser obtidas pelas correntes de malha como

j=M Ti

onde i corresponde ao vetor de correntes de malha.

Mais uma vez a abordagem que est sendo apresentada requer a definio de um ramo
padro de circuito como apresentado na figura abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 20


A tenso sobre o ramo genrico pode ser equacionado como

v k =v sk Rk j sk R k j k

onde o ndice k define o k-simo ramo da rede.

Esta equao pode ser reescrita para todos os ramos na forma matricial como

v= Rbj Rb j sv s .

Multiplicando por M dos dois lados da equao

Mv =MRb j M Rb j sM v s

0=M Rb j M Rb j sMv s

Substituindo j por M Ti obtm-se

MRbM Ti=MRb j s v s

3.7 Exerccios

1) Para o circuito abaixo determine a tenso V sobre R3 .

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 21


2) A rede abaixo o circuito equivalente de um amplificador transistorizado com
emissor comum ligado a uma carga resistiva no linear. a) Determine a rede Thvenin
equivalente do amplificador. b) Determine a tenso de sada sobre a carga.

3) Encontrar Vo em funo de V1, V2 e dos resistores. Para os clculos, redesenhar o


circuito substituindo cada amplificador operacional pelo seu modelo ideal.

4) Determine a tenso V sobre o resistor R2 para as seguintes situaes: a) i S =4 A e


e S =10 V e b) i S =10 A e e S =10V . possvel resolver este problema por superposio?

5) Encontre o equivalente Thvenin entre os terminais A e B da rede abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 22


6) No circuito abaixo, calcular as potncias das fontes de corrente. O brao X
apresenta uma caracterstica v x =10i x 5 .

7) No circuito abaixo determine a potncia dissipada pelo resistor R6. Para tanto,
simplifique o circuito at obter apenas duas malhas. Aps, resolva o problema utilizando o
mtodo das correntes de malha.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 23


8) Para o circuito abaixo aplique uma fonte de tenso de V Volts entre os terminais A e
B. Equacione o problema utilizando malhas e isole a tenso V em funo da corrente pela
fonte. Compare com o resultado obtido no exemplo de Thvenin-Norton. Repita o processo
com uma fonte de corrente de I Amperes.

9) Escreva os sistemas de equaes que resolvem os problemas abaixo pelos mtodos


das malhas e dos ns.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 24


3.8 Solues

1) Para o circuito abaixo determine a tenso V sobre R3 .

Por superposio (nica soluo possvel)

G G3G4
I 1 2
I 1G EQ 1 G 2G3G 4 1
Para I1: V I1= =
G1G EQ G3G4 G G3G4 G3G4
G 1 2
G2 G3G 4

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 25


R R2 R3
V 1 1
V 1REQ R1R2 R3
Para V1: V V1= =
R4R EQ R R2 R3
R 4 1
R1 R2R3

V =V I1V V1

2) A rede abaixo o circuito equivalente de um amplificador transistorizado com


emissor comum ligado a uma carga resistiva no linear. a) Determine a rede Thvenin
equivalente do amplificador. b) Determine a tenso de sada sobre a carga.

a) Transformando o circuito Norton em Thvenin obtemos uma fonte V 2 =IR3 em


srie com R3. O positivo da fonte se conecta a R1 e R2. Assim, V 2 =100ki 1 .

Substituindo a resistncia dependente de tenso por uma fonte de tenso V ficamos


com um circuito de duas malhas. Estipulando as correntes de malha em sentido horrio:

Malha da esquerda: V 1R1i 1R2i 1i=0 (1)

Malha da direita: R2i i 1 V 2 R3iV =0 (2)

V 1 R2i 2
De 1: i= (3)
R1R2

Substituindo 3 em 2:


R2 i
V 1R2i 2
R1R2
V 2 R3iV =0

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 26


V= R2
R1R2
R2R3 i
R2V 1
R1R2
V 2 =RTHiV TH

R2 R2V 1
RTH =R2 R3 , V TH = V 2
R1R2 R1R2

b) O somatrio de tenses no circuito equivalente Thvenin em srie com a resistncia


dependente de corrente dado por

V TH iRTH 2600100i 2 =0 .

Determinar a corrente do circuito, 100i 2RTHi2600 V TH =0

e V =2600100i 2

3) Encontrar Vo em funo de V1, V2 e dos resistores. Para os clculos, redesenhar o


circuito substituindo cada amplificador operacional pelo seu modelo ideal.

Equacionando as 4 incgnitas ( V X , V DOWN , V UP e V O ) pelo mtodo das tenses de


ns, bastaria resolver o sistema de equaes abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 27


V X V X V DOWN
=0
R2 R1

V 2 V DOWN V 2V 1
=0
R3 R

V 1V 2 V 1V UP
=0
R R3

V X V UP V X V O
=0
R1 R2

4) Determine a tenso V sobre o resistor R2 para as seguintes situaes: a) i S =4 A e


e S =10 V e b) i S =10 A e e S =10V . possvel resolver este problema por superposio?

Transformando o circuito Thvenin em Norton obtemos uma fonte de corrente

es
I ES = em paralelo com o resistor R1. O sentido da corrente I ES para baixo.
R1

a) i S =4A para cima e I ES =5A para baixo. O diodo estar cortado pois as correntes
por R1 e R2 s poderiam circular de baixo para cima. Logo, o diodo uma chave aberta e
V =0V . No possvel resolver por superposio, pois neste caso o diodo conduziria para i S
.

b) i S =10A para cima e I ES =5A para cima. O diodo estar conduzindo pois as
correntes por R1 e R2 circulam de cima para baixo. Logo, o diodo uma chave fechada e a
corrente se divide entre as resistncias.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 28


i TOT 15
V =i R2R2 , i R2= G2= 0,5=7,5 A , V =15V
G1G2 0,50,5

5) Encontre o equivalente Thvenin entre os terminais A e B da rede abaixo.

Simplificando o circuito:

a) R4 pode ser retirado pois est em paralelo com V1; b) R1 e R2 esto em paralelo;
c)R5 pode ser retirado pois est em srie com I2; d) I2 e I3 ficam em paralelo e podem ser
associados; e) I4 est em curto e pode ser retirado.

Para calcular o equivalente Thvenin podemos colocar uma fonte de corrente I


(sentido para cima) entre os terminais A e B. Equacionando as tenses de ns:

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 29


VA
N A: I I 23I V3=0
R8

I
VA
R8 V V 3
I 23 I 5 A
R12
=0
V A=
R8R12
R8R12
i
R8R12

V3
R8R12 R12
I 23I 5 =RTHiV TH

RTH =
R8R12
R8R12
, V TH =
R8R12 V

3 I 23I 5
R8 R12 R12
6) No circuito abaixo, calcular as potncias das fontes de corrente. O brao X
apresenta uma caracterstica v x =10i x 5 .

O brao X corresponde a uma fonte de tenso de 5V em srie com uma resistncia de


10 ou uma fonte de corrente de 0,5A em paralelo com uma resistncia de 10. R4 e R3
esto em srie e podem ser associados. R6 e R5 esto em srie e podem ser associados.

Equacionando por tenses de ns:

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 30


V B1V 2V R2
N B1: I B1 I B2 =0
R34

V R2 V R2 V B1V 2
N R2x: I X =0
R2x R34

V B1V 2 V R2
Sabendo que I B1=0,5V R2 , I B2=3I R3 e I R3=
R34

P B1 =V B1I B1=V B1 0,5V R2

P B2 =V B2I B2 =V B12I R3R563I R3 3I R3

7) No circuito abaixo determine a potncia dissipada pelo resistor R6. Para tanto,
simplifique o circuito at obter apenas duas malhas. Aps, resolva o problema utilizando o
mtodo das correntes de malha.

A fonte B1 pode ser explodida sobre V1, R2, R3 e R5 (exploses menores sobre R6 ou
R4 podem ser realizadas mas necessrio mais ateno para no errar as reais correntes sobre
estes resistores). Aps a exploso possvel converter todos os modelos Norton em Thvenin.
Assim, a fonte B1 e a resistncia R1 em paralelo com V1 so simplificadas. B1 em paralelo
com I1 podem ser somadas. O circuito final pode ser visto abaixo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 31


Equacionando por malhas e considerando as correntes em sentido horrio:

Malha da esquerda: B 1R5ib R5 R4ibi2R3 I 1R3 B1R3=0

Malha da direita: I 1R3 B 1R3i2ibR3i2R2B1R2 V 1i2R6=0

P R6 =R6i22

8) Para o circuito abaixo aplique uma fonte de tenso de V Volts entre os terminais A e
B. Equacione o problema utilizando malhas e isole a tenso V em funo da corrente pela
fonte. Compare com o resultado obtido no exemplo de Thvenin-Norton. Repita o processo
com uma fonte de corrente de I Amperes.

Aplicando uma fonte de tenso entre A e B. Positivo para cima. Correntes de malha
em sentido anti-horrio.

Malha da esquerda: i 1 R3R4 i 2R4V H1 V S =0

Malha da direita: V 1i 2 R4R5 i 1R4=0

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 32


Sabendo que V H1=2i X , i X =i 2i 1 e V 1=R THi 2V TH , basta resolver o sistema de
equaes.

Aplicando uma fonte de corrente entre A e B. Corrente de baixo para cima.

V R4 V R4 V H1V S
i 2 =0
R4 R3

V R4
e V H1=2i X =2
R4

V 1=R5i 2 V R4=RTHi 2V TH

9) Escreva os sistemas de equaes que resolvem os problemas abaixo pelos mtodos


das malhas e dos ns.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 33


Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 34
4 Formas de ondas tpicas

4.1 Constante

f t=cte

4.2 Senoide

f t= Asen t

onde A amplitude, frequncia angular em rad/s e a fase em rad.

Vale lembrar que:

0
Acost90 = Asen t

Acost90 0= Asen t

Acost 900 = Asen t

4.3 Exponencial

t
f t= Ae

onde A a amplitude e chamado de constante de tempo. Se t=n , com n inteiro


ento f t = Aen .

4.4 Degrau unitrio u(t)

{
u t= 0 p/ t0 ou,
1 p/ t0

{
0 p/ t0
u t= 1/ 2 p/ t=0 , para uso com a transformada de Fourier.
1 p/ t0

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 1


Vale lembrar que u tt 0 com t 00 um deslocamento no tempo de tal forma que
a alterao de amplitude, que antes ocorria em zero, ocorra em t 0 . Esta operao de
deslocamento temporal serve para todas as demais funes descritas neste captulo.

4.5 Rampa r(t)

r t =tu t , logo

r t= u t e

dr t
u t=
dt

4.6 Pulso retangular p(t)

{
0 p/ t0
p t = 1/ p / 0t
0 p / t

Observe que a funo pulso retangular apresenta rea unitria e pode ser formada pela
soma de dois degraus unitrios deslocados no tempo tal que

u tu t
p t =

4.7 Impulso (t)

{
t = 0 p/ t0
p/ t=0

Observe que

t dt=1 , assim esta funo pode ser obtida pelo limite lim p t .
0
-

Vale ressaltar as seguintes relaes:

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 2


u t= t e

d ut
t = .
dt

4.8 Dubl

Dubl= ' t

4.9 Exerccios

1) Desenhar todas as formas de onda listadas neste captulo.

2) Determinar os valores de X, e tal que seja verdadeira a expresso:


Xcost=10cos 20t 5sen 20t

3) Desenhar os grficos das funes f(t), listadas abaixo, suas derivadas e suas
integrais:

f t=5ut110ut36 t4

f t=10r t 10r t110r t210r t4

f t=5u t110u t35u t6

f t=5r t 2r t13r t23ut3

f t=5p 0,1 t3p0,1 t0,12p0,2 t3 .

4) Desenhar o grfico da funo f t=e5tu t . Calcule a derivada da funo para


t=0+. Esboce a reta que passa pelo ponto f 0 + e tenha inclinao f 0 + . Para esta reta
determine o ponto de cruzamento pelo eixo t. Qual a relao deste ponto com a constante de
tempo da exponencial. Calcule f( t / ) para t / =1, 2, 3, 4 e 5.

5) Desenhar o grfico da funo f t=2e5tcos 3t/4ut e sua derivada


para t>0.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 3


5 Capacitores e Indutores

Capacitores e indutores so elementos passivos, como os resistores, porm ao invs de


dissipar energia estes elementos so capazes de absorver e fornecer energia. Isto ocorre porque
a energia absorvida fica armazenada na forma de campo eltrico ou magntico. Capacitores e
indutores podem ser lineares ou no lineares, variantes ou invariantes e tambm podem ser
associados como as resistncias. A eles tambm se estendem todos os conceitos de anlise
considerados anteriormente.

5.1 Capacitores

Capacitores so elementos capazes de armazenar energia sob a forma de campo


eltrico. O smbolo do capacitor pode ser visto na figura abaixo. Alguns capacitores, por
motivos meramente construtivos, podem ser polarizados e, nestes casos, utiliza-se um smbolo
ligeiramente diferente onde uma das barras aparece curva ou na forma de um retngulo que
pode estar pintado.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 1


Os capacitores so formados por duas superfcies condutoras separadas por um
isolante de tal forma que no h contato eltrico entre os dois terminais do capacitor. Estas
superfcies, entretanto ficam muito prximas uma da outra de forma que cargas eltricas que
se deslocam para uma das superfcies repelem cargas da outra superfcie permitindo a
circulao de corrente. Observe que a resistncia entre os dois terminais do capacitor infinita
porm h circulao de corrente e ela respeita a lei das correntes de Kirchhoff, mesmo assim
h uma diferena lquida de cargas entre os dois terminais do capacitor de forma que surge
sobre seus terminais uma diferena de tenso que permanece no capacitor depois que ele
desconectado do circuito. Esta caracterstica definida pela razo entre cargas no capacitor e
tenso sobre seus terminais chama-se capacitncia:

q t
C= , onde C a capacitncia (Farad F)
v t

5.2 Capacitor linear e invariante com o tempo

Um capacitor linear e invariante no tempo definido como

q t=cv t

de tal forma que

dq t dv t
=C
dt dt

dv
i=C , (uma relao linear)
dt

ou

t
1
v= it ' dt ' v 0 , (uma relao linear apenas se v 0=0 )
C 0

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 2


Observa-se que a equao de v s pode ser obtida se for conhecido o valor de v 0 ,
ou seja, a condio inicial da integral e do capacitor. Por esta razo todas as equaes que
envolvam capacitor s podem ser resolvidas se, tanto o valor de C como de v 0 forem
conhecidos (mesmo que se utilize a equao com diferencial, como veremos mais a frente).

Alm disto para que os circuitos envolvendo capacitores sejam lineares necessrio
que v 0 seja nulo ou seja as condies iniciais sejam nulas. Esta situao chamada de
estado zero. Se v 0 no for nulo podemos representar o capacitor no linear por um modelo
que emprega um capacitor descarregado em srie com uma fonte de tenso conforme indicado
na figura abaixo. Observe que esta associao (capacitor-fonte) um equivalente ao capacitor
carregado.

Adicionalmente observa-se que a corrente no capacitor depende de uma derivada ao


passo que a tenso depende de uma integral. Isto significa que a corrente no capacitor pode
variar instantaneamente. J a tenso sobre o capacitor s pode variar instantaneamente se i(t)
for infinita como uma funo impulso. Alguns autores utilizam o termo inrcia de tenso para
indicar que a tenso no capacitor no pode variar instantaneamente. Destas observaes
decorre que, em circuitos de corrente contnua (CC) e chaveados (com ondas de tenso ou
corrente pulsadas), o capacitor ir se comportar como um curto circuito para transies
rpidas (como degraus e impulsos) e como circuito aberto para corrente contnua. Entre o
chaveamento e o estabelecimento de uma corrente contnua constante h um perodo
transitrio onde o capacitor se carrega e no pode ser considerado como nenhuma das duas
situaes acima.

Exemplo: No circuito abaixo a chave ch1 fecha em t=0. Calcular a corrente e a tenso
no capacitor para t=0 + e t= .

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 3


t=0 + , (capacitor um curto circuito)

v C1 =0V

v1
i C1 = =10A
R1

t= , (capacitor um circuito aberto)

i C1 =0A

v1
v C1 = R2=7,5V
R1R2

5.2.1 Modelo Thvenin e Norton

Conforme apresentado na seco anterior um modelo para capacitor carregado obtido


pela associao srie de um capacitor descarregado com uma fonte de tenso formando um
equivalente Thvenin. Naturalmente este modelo Thvenin pode ser transformado em um
modelo Norton equivalente como apresentado na figura abaixo

Para o equivalente Thvenin

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 4


1
v= idtvs
C

d vvs dv dvs
i=C =C C
dt dt dt

Para o equivalente Norton

1 1 1
v= i isdt= idt isdt
C C C

dv
i=C is
dt

Desta forma, para que as equaes de v e i sejam iguais nos dois modelos temos que

t
1
vs t = ist ' dt e
C 0

dvs
ist =C
dt

Desta forma, caso estejamos fazendo a transformao de uma fonte que representa a
condio inicial do capacitor, vs deve ser representado como uma funo degrau (caso
contrrio is seria zero) e is por uma funo impulso. Por outro lado, importante notar que na
maioria das vezes que estivermos resolvendo circuitos com capacitores esta transformao e
estes equivalentes ficaro apenas na nossa mente. Circuitos com capacitores resultam em
equaes diferenciais cuja soluo naturalmente depende das condies inicias do problema.
A condio inicial do capacitor (vs ou is), ento, pode ser calculada separadamente e usada
apenas cara a determinao da soluo do problema e no para o seu completo
equacionamento.

5.3 Capacitor linear varivel com o tempo

Se um capacitor linear ento sua caracterstica a qualquer instante de tempo uma


reta que passa pela origem. Se este capacitor, por outro lado, variante, ento a inclinao

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 5


desta reta varia com o tempo. Consequentemente a carga no instante de tempo t pode ser
expressa em termos da tenso neste instante por uma equao da forma

q t=C tv t

e deriv-la para se obter uma relao mais til anlise de circuitos

dq
it = .
dt

Esta derivada deve ser realizada pela regra do produto tal que

dv dC
i t =C t v t
dt dt

Assim sendo um capacitor variante com o tempo pode resultar em um equacionamento


ainda mais complicado que para os resistores variantes.

Exemplo: Seja um capacitor C t =C 0C 1cos 3t alimentado por uma fonte de


tenso v t =Acos t , calcular a corrente que circula pelo capacitor.

dv dC
i t =C t v t
dt dt

it =[C 0C 1cos3t ][Asen t][C 1sen 3t3][ Acos t]

5.4 Capacitor no linear

Capacitores no lineares tm sua carga como uma funo no linear da tenso. Alguns
exemplos prticos de capacitores no lineares encontram-se nas junes semicondutoras de
diodos e transistores. Nestes elementos dois semicondutores so unidos formando uma
barreira de potencial e uma capacitncia parasita (no desejada) Cj. Algumas componentes,
entretanto, tentam aumentar esta capacitncia, como o caso do diodo de sintonia ou varactor.
Este diodo apresenta capacitncia de juno, polarizada reversamente como sendo
aproximadamente

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 6


C j0
C j=
2V 1

Transistores e alguns tipos de sensores tambm apresentam capacitncias no lineares


cujas funes costumam ser bastante complexas. Para facilitar o trabalho de anlise e projeto
muitas vezes estas funes so linearizadas em torno de um ponto de operao do elemento.
Este procedimento pressupe um capacitor operando com tenso v 1 , correspondente a uma
carga q 1 , e mais uma pequena variao em torno deste ponto de polarizao. Isto corresponde
a uma variao de tenso de v 2 tal que a carga varie de q conforme mostrado na figura
abaixo. Esta situao muito comum em circuitos que misturam tenses de polarizao com
pequenas tenses de sinais externos e que devem ser processados.

Ento

qq1
dq v
dv v1 2
v
dq
i t =
dt

dqv dv 2
it =
dv v1 dt

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 7


dv 2
it =C v 1 ,
dt

ou seja o capacitor pode ser considerado linear para pequenos sinais. O procedimento
apresentado aqui pode ser utilizado para qualquer outro elemento no linear.

5.5 Energia acumulada no capacitor

A energia pode ser obtida pela integral da potncia ao longo do tempo. Num capacitor
a energia no dissipada mas sim armazenada na forma de campo eltrico. Assim sendo a
energia armazenada em um capacitor igual a energia fornecida a ele por uma fonte.

t
w t 0, t= v t ' i t ' dt '
t0

q t
w t 0, t= v q 1dq 1 (rea entre o eixo q e a curva)
q t 0

q t
w t= v q1dq1 .
0

Para um capacitor linear invariante

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 8


q t
q1
w t= dq 1
0
C

2
1 q t
w t=
2 C

1 2
w t = Cv
2

Um capacitor passivo aquele que apresenta energia armazenada maior ou igual a


zero. Assim um capacitor linear invariante passivo se sua capacitncia no negativa e ativo
se sua capacitncia negativa.

5.6 Associao de capacitores

Capacitores ligados em srie ou paralelo podem ser substitudos por um capacitor


equivalente tal que a relao entre v e i nos terminais da associao seja igual a relao entre v
e i no equivalente.

5.6.1 Associao srie

Pela LTK e LCK

v=v C1vC2

1 1
v= itdt i tdt
C1 C2

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 9


v=
1

1
C1 C2
itdt

1
v= it dt
C EQ

onde
1
C EQ
=

1

1
C1 C2
.
Genericamente
1
C EQ
=

1
Cn

5.6.2 Associao paralela

Utilizando a LTK e a LCK

i=i C1 i C2

dv dv
i=C 1 C 2
dt dt

dv
i=C 1C 2
dt

dv
i=C EQ
dt

onde C EQ=C 1C 2

Genericamente C EQ= C n

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 10


5.6.3 Redistribuio de cargas

Suponha que dois capacitores C1 e C 2 de 1F carregados com 10 e 5V


respectivamente sejam conectados em paralelo. Qual a tenso resultante sobre o capacitor
equivalente? Este um problema interessante que merece ser analisado em separado. Neste
caso, no possvel utilizar a conservao da energia antes e depois da ligao para prever
a tenso final sobre os capacitores! Isto ocorre porque uma corrente impulsiva recarrega os
capacitores e esta funo apresenta todas as frequncias. Sendo assim, as leis de Kirchhoff no
se aplicam pois o circuito deixa de ser um circuito a parmetros concentrados. Apesar disto, a
conservao de carga ocorre e possvel utiliz-la para resolver o problema.

Q TOT =Q 1Q 2

QTOT =C 1V 1C 2V 2

QTOT =C EQV FINAL

C EQ=C 1C 2 (capacitores em paralelo)

C 1V 1C 2V 2
V FINAL=
C 1C 2

Calcule a carga total armazenada no problema acima. Confira se as tenses nos dois
capacitores ficou igual aps a redistribuio de cargas. Calcule a energia total antes e depois
da redistribuio. Para onde foi o resto da energia?

Uma outra abordagem emprega apenas o equacionamento das correntes e das tenses
em cada capacitor. Esta abordagem pode ser utilizada sempre a que a malha apresenta mais do
que dois capacitores ou apresenta fontes de tenso. Considera-se que uma corrente impulsiva
vai fluir pelos dois capacitores logo eles se estaro em srie. Sendo assim

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 11


C 1C2
C EQ= ,e
C 1C 2

dv d [v C1vC2 ut ]
i=C EQ =C EQ =C EQv C1vC2 t (fluindo de C1 para C2)
dt dt

Assim as tenses sobre cada capacitor so:

1 C2
v C1 0 + = idtv C1 0 = v C1 v C2 u t v C1 0 e
C1 C 1C 2

1 C1
v C2 0+ = idtv C2 0 = v v u tvC2 0 .
C2 C 1C 2 C1 C2

5.7 Indutores

Indutores so elementos armazenadores de energia na forma de campo magntico. O


smbolo do indutor apresentado na figura abaixo. Algumas vezes o smbolo do indutor
apresenta alguma marcao como um circulo prximo a um de seus terminais ou vem
acompanhado de outro indutor. Estes smbolos pertencem a indutores acoplados que sero
estudados separadamente em outros captulos.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 12


O indutor formado por um fio enrolado de tal forma a concentrar o campo magntico
produzido quando o condutor percorrido por corrente eltrica. O resultado que a corrente
que percorre o indutor torna-se dependente do fluxo magntico gerado. A caracterstica de
indutncia dada pela razo entre o enlace de fluxo magntico e a corrente

t
L=
i t

onde o enlace de fluxo magntico (Weber Wb), L indutncia (Henry H).

O enlace de fluxo determinado pelo produto entre o fluxo magntico (Weber) e o


nmero de espiras da bobina que forma o indutor.

5.8 Indutor linear e invariante

O indutor linear e invariante apresenta a seguinte caracterstica

t=Li t .

Pela lei da induo de Faraday temos que

d
v t = .
dt

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 13


Esta lei, associada aos sentidos estabelecidos para corrente e tenso esto em acordo
com a lei de Lenz que estabelece que a fora eletromotriz induzida por uma variao de fluxo
tem polaridade tal que se ope causa desta variao. Supondo que a corrente aumente, a
derivada do fluxo e a tenso sobre o indutor tambm aumentaro. Neste caso a polaridade da
tenso tal que tende a impedir novos aumentos da corrente.

Utilizando as duas relaes acima possvel determinar uma forma mais til para
caracterizar o indutor em termos de tenso e corrente em seus terminais.

di t
v t =L (uma relao linear)
dt

ou

t
1
it = v t ' dt ' i 0 (uma relao linear apenas se i 0=0 )
L 0

Assim como ocorre com o capacitor o indutor tambm s pode ser perfeitamente
caracterizado se conhecermos sua indutncia L e a condio inicial i 0 , ou seja, a corrente
que circulava por ele antes da anlise comear. O indutor tambm s pode ser considerado
linear se a sua condio inicial for nula e caso no seja, pode ser modelado por um indutor
descarregado em paralelo com uma fonte de corrente, como mostrado na figura abaixo.

Observa-se que a corrente no indutor obtida por uma integral e que a tenso obtida
por uma derivada. Isto significa que a tenso no indutor pode mudar instantaneamente ao
passo que a corrente s pode mudar instantaneamente se a tenso sobre o indutor assumir
valores infinitos (funo impulso). Alguns autores denominam este efeito de inrcia de
corrente. Tambm resulta, desta observao, que em circuitos de corrente contnua ou

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 14


pulsados o indutor se comporta como um circuito aberto para transies rpidas (degraus e
impulsos) e como um curto circuito para corrente contnua (quando no h mais variaes de
tenso ou corrente). Entre o chaveamento e o estabelecimento de uma corrente contnua
constante h um perodo transitrio onde o indutor se carrega e no pode ser considerado
como nenhuma das situaes acima.

Exemplo: Calcular as tenses e correntes no indutor para t=0 + e t= .

Para t=0 +

v L1=v1=10V

i L1=0A

Para t=

v L1=0V

v1
i L1= =10A
R1

5.8.1 Modelo de Thvenin e Norton

O modelo que representa o indutor carregado, apresentado acima, semelhante ao


modelo de Norton o que significa que ele tambm poderia ser representado por um modelo
Thvenin equivalente. Os dois modelos esto apresentados na figura abaixo

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 15


Para que ambos os modelos sejam equivalentes necessrio que

dist
vst =L e
dt

t
1
ist = vs t ' dt '
L 0

Observe que aqui tambm necessrio considerar is como um degrau de corrente e vs


como uma funo impulso caso a transformao diga respeito a condio inicial do indutor.

5.9 Indutor varivel com o tempo

O indutor linear variante com o tempo tem como caracterstica uma reta passando pela
origem mas sua inclinao muda a cada instante de tempo. O fluxo expresso em funo da
corrente

t=Lit

e como

d
v t =
dt

di dL
v t =Lt it
dt dt

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 16


5.10 Indutor no linear

Muitos indutores fsicos tm caracterstica no linear. Somente para uma faixa de


valores de corrente em torno da origem o indutor linear, para correntes de valor mais
elevado o fluxo satura (apresenta pouca variao para uma mesma variao de corrente). Um
dos efeitos no lineares mais comuns se chama histerese e apresentada no grfico da figura
abaixo. Quando a corrente aumenta o fluxo aumenta por uma curva 1 porm quando a

corrente diminui o fluxo diminui por uma curva 2 diferente da primeira. Este
comportamento ilustrado na figura abaixo.

Para o caso tpico do indutor com fluxo =tanh i excitado por uma corrente
it = Acos t a tenso sobre o indutor pode ser obtido como segue. Como

t=tanh [ Acos t ]

d
v t =
dt

ento

d di
v t =
di dt

assim

d [tanh i] d [ Acos t]
v t =
dt dt

1
v t = 2
[Asen t ]
cosh [ Acos t ]

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 17


5.10.1 Histerese

Indutores costumam ser construdos com ncleos ferromagnticos que saturam. Nestes
casos comum o aparecimento de uma caracterstica chamada de histerese apresentada no
grfico da figura abaixo. Quando a corrente aumenta o fluxo aumenta por uma curva 1

porm quando a corrente diminui o fluxo diminui por uma curva 2 diferente da primeira.
Este comportamento ilustrado na figura abaixo.

5.11 Energia armazenada no indutor

A energia pode ser obtida pela integral da potncia ao longo do tempo. O indutor, da
mesma forma que o capacitor capaz de armazenar energia ao invs de dissip-la. Esta
energia fica armazenada no campo magntico criado entorno do indutor. Assim sendo a
energia armazenada em um indutor igual a energia fornecida a ele por uma fonte.

t
w t 0, t= v t ' it ' dt '
t0

w t 0, t= i 1d 1 (rea entre o eixo e a curva)


t 0

w t= i 1 d 1
0

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 18


A rea entre as duas curvas 1 e 2 no grfico da histerese representa perda de
energia gasta para magnetizar o indutor. Quando maior a curva de histerese maior as perdas
no indutor.

Para um indutor linear e invariante

t
1
w t= d 1
0 L

2
1 t
w t=
2 L

1
w t = Li 2 t
2

Um indutor passivo aquele que apresenta energia armazenada maior ou igual a zero.
Assim um indutor linear invariante passivo se sua indutncia no negativa e ativo se sua
indutncia negativa.

5.12 Associao de indutores

Indutores ligados em srie ou em paralelo tambm podem ser substitudos por um


indutor equivalente do ponto de vista da tenso e da corrente nos terminais da associao.

5.12.1 Associao srie

Usando a LTK e LCK

v=v L1 v L2

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 19


di di
v L =L1 L2
dt dt

di
v= L1 L2
dt

di
v= LEQ
dt

onde

L EQ =L1L 2 .

Genericamente L EQ = Ln

5.12.2 Associao paralela

Usando a LCK e a LTK

i=i L1 i L2

1 1
i= v t dt v tdt
L1 L2

i=
1 1

v t dt
L1 L 2

1
i= v t dt
L EQ

onde

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 20


1 1 1
=
L EQ L1 L 2

Genericamente
1
L EQ
=

1
Ln

5.12.3 Redistribuio de fluxo

De forma semelhante ao que ocorre com os capacitores, se dois indutores com


condies iniciais diferentes forem conectados em srie haver uma redistribuio instantnea
de fluxo magntico entre eles de modo que a corrente resultante seja a mesma para ambos os
indutores. Esta situao est ilustrada abaixo e, da mesma forma que para a redistribuio de
cargas nos capacitores, no pode ser calculada pela conservao da energia no sistema.

TOT = 1 2

TOT = L1I 1 L2I 2

TOT = LEQI FINAL

L EQ =L1L 2

L1I 1L 2I 2
I FINAL=
L1L 2

5.13 Componentes reais

Os resistores, capacitores e indutores, conforme apresentados neste texto no existem.


Aqui descrevemos modelos ideais de elementos reais. Na prtica todos os condutores
apresentam resistncia no nula e todos os isolantes apresentam resistncia no infinita. Alm

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 21


disto todo caminho eltrico apresenta indutncia, entre espiras de um indutor existe
capacitncia e alguns resistores so construdos a partir de elementos enrolados. Desta forma
todo elemento, seja ele um resistor, um capacitor ou um indutor pode ser modelado por um
conjunto de elementos que incluem resistncias, capacitncias e indutncias.

Outros parmetros importantes so a temperatura e a faixa de operao. A temperatura


costuma afetar todos os elementos, passivos e ativos sejam eles descritos aqui ou no. A faixa
de operao dos elementos (valores nominais de tenso, corrente, potncia, temperatura,...)
tambm define se esto operando em condies normais e prximos da linearidade. A
potncia mxima de operao e uma informao importante para definir o tamanho de
resistores reais e a tenso de operao de capacitores limita o uso destes elementos.

Para finalizar vale a pena salientar que na prtica os valores de resistores variam desde
alguns Ohms at alguns mega Ohms, sendo os mais comuns aqueles no centro desta faixa
(centenas at dezenas de kilo Ohms). A faixa de valores para capacitores variam de alguns
pico Farads at alguns milhares de micro Farads sendo os valores mais comuns os de alguns
nano Farads. Para indutor comum encontrar valores na faixa de alguns micro Henrys at
alguns Henrys sendo que os valores mais comuns situam-se na faixa de alguns mili Henrys.

5.14 Lei dos ns e das malhas para equacionar circuitos RLC

As leis de Kirchhoff so vlidas para circuitos com capacitores, indutores e resistores


que incluam fontes dependentes ou no. Por esta razo as sistematizaes apresentadas para a
LCK e LTK tambm so vlidas.

No circuito abaixo iremos equacionar as tenses ns com objetivo de obter uma


equao para determinar a tenso sobre R2.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 22


para o n A (na fonte de corrente)

dv A v A 1 t '
C v v dtI 0= I1
dt R1 L 0 A B

para o n B (no resistor R2)

t'
1 v
v Bv A dtI 0 B =0
L 0 R2

a condio inicial do problema

v A 0=V 0

Com estas equaes j temos o sistema de equaes diferenciais que resolvem o


problema. Se a soluo particular a tenso sobre o resistor R 2 ento podemos obter esta
equao somando as duas equaes

dv v vB
C A A =I1
dt R1 R2

e a tenso vA pode ser obtida derivando a segunda equao duas vezes

1 1 1 dv
v B v A B =0
L L R2 dt

assim

L dv B
v A=v B
R2 dt

2
dv A dv B L d v B
=
dt dt R2 dt 2

substituindo vA temos

d2v

LC 2B R 2C
dt
L dv B

R
1 2 v B =R2I1
R1 dt R1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 23


as condies iniciais so

v A 0=V 0 =R2I 0

dv B 0 R2 R
= [ v A 0v B 0 ]= 2[ V 0R2I 0 ]
dt L L

O mtodo de anlise de malhas tambm pode ser utilizado. Neste caso a fonte de
corrente em paralela com um resistor pode ser substituda pelo seu equivalente Thevenin.

para a primeira malha

t
1
R1i 1V 0 i 1i 2 dt ' =V1
C 0

para a segunda malha

t
di L2 1
L R2i 2 V 0 i 2i 1dt '=0
dt C 0

a condio inicial do problema

i 2 0=I 0

As equaes acima garantem o sistema capaz de resolver o problema. Se estivermos


interessados em uma resposta particular como a tenso sobre R2 ento podemos manipular as
equaes para obter a resposta desejada. Para isso podemos somar as duas equaes acima

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 24


di
R1i 1L 2 R2i 2=V1
dt

L di 2 R 2 V1
i 1= i 2
R1 dt R1 R1

Derivando a segunda equao obtemos

d 2i 2 di i i
L R2 2 2 1 =0
2
dt dt C C

e substituindo i1

d 2 i2
LC 2 R 2C
dt L di2 R

1 2 i 2=
R1 dt R1
V1
R1

i 2 0=I 0

di 2 0 1
= V 0R2I 0
dt L

d2v

LC 2 2 R2C
dt
L dv 2 R

1 2 v 2= R2I1
R1 dt R1

v 2 0=R 2I 0

dv 2 0 R 2
= V 0 R2I 0
dt L

5.15 Consideraes sobre condies iniciais

No exemplo resolvido pelos mtodos das tenses de ns e correntes de malha as


condies iniciais do capacitor e do indutor foram consideradas constantes, como na maioria
dos livros de circuitos. Este procedimento utiliza as equaes bsicas do capacitor e do
indutor conforme foram apresentadas no incio deste captulo. O mesmo problema poderia ter
sido resolvido substituindo o capacitor e o indutor carregado pelos respectivos circuitos
equivalentes. Neste caso a corrente I 0 e a tenso V 0 apareceriam multiplicados pela funo

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 25


degrau e ao serem derivadas se tornariam funes impulsivas. Como consequncia apenas o
lado direito da equao ficaria diferente, contendo uma funo impulsiva a mais.
Normalmente, em circuitos, estuda-se redes de primeira e segunda ordem com excitao
polinomial (impulso ou degrau), exponencial ou senoidal cuja soluo obtida pelo mtodo
dos coeficientes a determinar para t>0. Nestes casos no h necessidade de considerar I 0 e
V 0 multiplicando a funo degrau.

5.16 Exerccios

Os exerccios deste mdulo tratam da determinao de condies especiais como


condies iniciais dos capacitores ou indutores e seus valores para infinito. Esta habilidade,
ora treinada indiscriminadamente, ser importante para a soluo dos problemas apresentados
nos mdulos subsequentes. Apesar disto, nem todas as informaes calculadas nestes
problemas sero utilizadas na soluo das equaes diferenciais dos mdulos 6 e 7. Assim,
quando for resolver problemas dos mdulos 6 e 7 deixe para calcular as condies especiais
apenas depois de ter as equaes diferenciais. Isto ajuda a diminuir a quantidade de clculo.

1) Os circuitos das figuras abaixo esto operando em regime permanente, quando em


t=0s, a chave S1 fecha ou troca de posio. Determinar as correntes e tenses nos capacitores
e indutores para os instantes imediatamente antes e depois do fechamento da chave e para
tempo infinito: iL(0), iL(0+), iL(), iC(0), iC(0+), iC(), vC(0), vC(0+), vC(), vL(0), vL(0+),
vL(), diL(0)/dt, diL(0+)/dt, dvC(0)/dt, dvC(0+)/dt.

a) Considere I S1 t uma fonte constante e independente e o capacitor descarregado.

b) Considere I 1 t uma fonte constante e independente.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 26


c) Considere V 1 t uma fonte constante e independente e o capacitor descarregado.

d) V 1 t uma fonte constante e independente.

e) V 1 t uma fonte constante e independente

f) V1t=ut

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 27


g) V1t=ut

h) Considere que V 1 t uma fonte constante e independente e que as chaves S1 e S2


trocam de posio simultaneamente calcule vL(0+) (ateno com as correntes impulsivas e a
redistribuio de cargas nos capacitores)

2) Determine iL1(), iL1(0+), vC(), vC(0+). Escreva as equaes diferenciais para iL1(t) e
vC(t).

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 28


3) Para o circuito abaixo determine vC(0), vC(0+), iC(0), iC(0+), vC(), iC().

4) Supondo v1(t) e i1(t) fontes independentes e iguais a um degrau unitrio de tenso e


corrente respectivamente, determine a tenso sobre a fonte i1(t) e as expresses para vL2(t) e
iv(t).

5) Escreva a equao diferencial de vo(t). Considere que o amplificador operacional


ideal.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 29


6) Escreva a equao diferencial para a determinao de v2(t) em funo de v1(t).
Considere que o amplificador operacional ideal.

7) Na figura abaixo o circuito se apresenta em regime permanente (todas as tenses e


correntes so constantes) quando, em t=0 a chave S1 troca de posio. Calcule iL1(0), iL1(0+),
iC1(0), iC1(0+), iL1(), iC1(), vC1(0), vC1(0+), vC1(), vL1(0), vL1(0+), vL1(), diL1(0)/dt,
diL1(0+)/dt, dvC1(0)/dt, dvC1(0+)/dt. Determine a equao diferencial para obteno de vc(t).

8) Para t=0 o circuito abaixo esta em regime permanente. Determinar as correntes e


tenses nos capacitores e indutores para t=0 , t=0 + e t= . As fontes V2 e V3 so
impulsivas ( d t =t ).

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 30


5.17 Solues

1) Os circuitos das figuras abaixo esto operando em regime permanente, quando em


t=0s, a chave S1 fecha ou troca de posio. Determinar as correntes e tenses nos capacitores
e indutores para os instantes imediatamente antes e depois do fechamento da chave e para
tempo infinito: iL(0), iL(0+), iL(), iC(0), iC(0+), iC(), vC(0), vC(0+), vC(), vL(0), vL(0+),
vL(), diL(0)/dt, diL(0+)/dt, dvC(0)/dt, dvC(0+)/dt.

a) Considere I S1 t uma fonte constante e independente e o capacitor descarregado.

Considerando a corrente fluindo da esquerda para a direita:

- - dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =0A , =
dt C1

+ - + Is1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =v C1 0 , i C1 0 = G 1 , =
G1G 1 dt C1

v C1 =Is1R1 , i C1 =0A

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 31


b) Considere I 1 t uma fonte constante e independente.

Considerando a corrente fluindo da esquerda para a direita:

I1 di 0 - v L1 0-
i L1 0- = G 2 , v L1 0 -=0V , L1 =
G1G 2 dt L1

di 0 + v L1 0
+
I1
i L1 0 + = G 2 , v L1 0 + = I1R1 , L1 =
G 1G 2 dt L1

i L1 =I1 , v L1 =0V .

c) Considere V 1 t uma fonte constante e independente e o capacitor descarregado.

Considerando a corrente fluindo da esquerda para a direita:

- V1 - di 0 - v L1 0-
i L1 0 = , v L1 0 =0V , L1 =
R1 dt L1

di 0 + v L1 0
+
V1
i L1 0 + = , v L1 0 + =V1 , L1 =
R1 dt L1

V1
i L1 = , v L1 =0V .
R1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 32


+ +
- - dv C1 0 i C1 0
v C1 0 =0V , i C1 0 =0A , =
dt C1

+ V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =
+
, =
R1 dt C1

v C1 =V1 , i C1 =0A .

d) V 1 t uma fonte constante e independente.

Considerando a corrente fluindo da esquerda para a direita e de cima para baixo:

di L1 0 - v L1 0
-
V1
i L1 0- = -
, v L1 0 =0V , =
R1 dt L1

V1 di L1 0 + v L1 0+
i L1 0 + = +
, v L1 0 =0V , =
R1 dt L1

V1
i L1 = , v L1 =0V .
R1

+ +
- - dv C1 0 i C1 0
v C1 0 =V1 , i C1 0 =0A , =
dt C1

+ + V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =V1 , i C1 0 = , =
R2 dt C1

v C1 =0V , i C1 =0A .

e) V 1 t uma fonte constante e independente

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 33


Fazendo um Thvenin sem incluir C1 nem o ramo de R2.

V12v 2 R3V1
Em circuito aberto: v CA =v 2=R3i 1 =R3 , logo v CA =
R1 R12R3

V12v 2 V1
Em curto circuito: i CC =I =i 1= = .
R1 R1

v CA
V TH =v CA , RTH =
I CC

dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0- =V TH , i C1 0 =0A ,
-
=
dt C1

+ + V TH dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =V TH , i C1 0 = , =
R2 dt C1

V TH
v C1 = R , i =0A .
RTH R2 2 C1

f) V1t=ut

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 34


Como Vot=v C1 t , i C1 ser determinado da direita para a esquerda.

- - dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =0A , =
dt C1

+ + V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =i R2= , =
R2 dt C1

V1
v C1 = R , i =0A .
R 2 1 C1

g) V1t=ut

- - dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 =0A , =
dt C1

+ + V1 dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0 =0V , i C1 0 = , =
R1 dt C1

v C1 =V1 , i C1 =0A .

h) Considere que V 1 t uma fonte constante e independente e que as chaves S1 e S2


trocam de posio simultaneamente calcule vL(0+) (ateno com as correntes impulsivas e a
redistribuio de cargas nos capacitores)

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 35


Soluo:

V C1 0 =V 1

V1
V C2 0 = R
R 3R1 3

V1
I L 0 =
R 3R1

Aps a troca de posio das chaves

V C1 ( 0+)=I L (0 )R1 +V L (0+ )

V L (0+ )=V C1 (0 + )I L (0 + )R1

+
V C1 ( 0 )V C1 (0 ) pois

V 1 0 + =V C1 0+ V C2 0+ (1)

H uma redistribuio de carga nos capacitores. Isso ocorre com a circulao de uma
corrente impulsiva pela malha da equao (1). A corrente da malha IC, tal que

d [V C1 0 V C1 0 + ]u t d [V C2 0 V C2 0+ ]u t
I C =C 1 =C 2
dt dt

I C =C 1[V C1 0 t V C1 0 + t ]=C 2[V C2 0 tV C2 0+ t]

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 36


+ +
C 1[V C1 0 V C1 0 ]=C 2[V C2 0 V C2 0 ]

V 1 0 + =V C1 0+ V C2 0+

V C2 0+ =V 1 0+ V C1 0 +

+ +
C 1[V C1 0 V C1 0 ]=C 2[V C2 0 V 1V C1 0 ]

(C 1+ C 2)V C1 (0 + )=C 2V C2 (0 )C 1V C1 (0 )C 2V 1

+ C 2V C2 0 C 1V C1 0 C 2V 1
V C1 0 =
C 1C 2

Substituindo os valores de V C2 e V C1 em 0

C 2V 1R3
C 1V 1C 2V 1
+ R3R1
V C1 0 =
C 1C 2

C 1 R3 R1V 1C 2R1V 1
V C1 0+ =
R3R1 C 1C 2

V L 0 + =V C1 0 + V R1 0+

C 1 R3R1V 1 C 2R1V 1 C 1C 2R1V 1


V L 0 + =
R3R1 C 1C 2 R3R1 C 1C 2

C 1R3V 1
V L 0+ =
R3R1 C 1C 2

2) Determine iL1(), iL1(0+), vC(), vC(0+). Escreva as equaes diferenciais para iL1(t) e
vC(t).

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 37


3) Para o circuito abaixo determine vC(0), vC(0+), iC(0), iC(0+), vC(), iC().

Calculando o Thvenin do circuito sem o capacitor:

RTH = R1R2 // R 3 onde // indica em paralelo com

I1 I2
V TH t= G R
G1G SERIE SERIE 3

G 2G3
onde G SERIE=
G 2G3

- - -
v C 0 =V TH 0 , i C 0 =0A

+ - V TH 0 + V TH 0 -
v C 0 =V TH 0 , i C 0+ =
RTH

v C =V TH 0 + , i C =0A .

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 38


4) Supondo v1(t) e i1(t) fontes independentes e iguais a um degrau unitrio de tenso e
corrente respectivamente, determine a tenso sobre a fonte i1(t) e as expresses para vL2(t) e
iv(t).

v L2= L2 t

v i1 v 1v L2 v R2=0

v i1 =u t L2 t i1R2

i v i1 i L1i C1 =0

1
i v =i1 u t dtC t
L

5) Escreva a equao diferencial de vo(t). Considere que o amplificador operacional


ideal.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 39


dvo t vot V1
C 1 =
dt R1 R2

6) Escreva a equao diferencial para a determinao de v 2(t) em funo de v1(t).


Considere que o amplificador operacional ideal.

dv t v t V1 R
C 1 2 2 = 2 1
dt R1 R1 R3
7) Na figura abaixo o circuito se apresenta em regime permanente (todas as tenses e
correntes so constantes) quando, em t=0 a chave S1 troca de posio. Calcule iL1(0), iL1(0+),
iC1(0), iC1(0+), iL1(), iC1(), vC1(0), vC1(0+), vC1(), vL1(0), vL1(0+), vL1(), diL1(0)/dt,
diL1(0+)/dt, dvC1(0)/dt, dvC1(0+)/dt. Determine a equao diferencial para obteno de vc(t).

Considerando a corrente fluindo da esquerda para a direita e de cima para baixo:

V2 di 0 - v L1 0-
i L1 0- = , v L1 0 - =0V , L1 =
R1R 2 dt L1

+ +
V2 di 0 v L1 0
i L1 0 + = , v L1 0 + =0V , L1 =
R1R 2 dt L1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 40


V1
i L1 = , v L1 =0V .
R1R2

dv C1 0 + i C1 0
+
V2
v C1 0- = R2 , i C1 0 - =0A , =
R1R2 dt C1

V2 V1vC1 0+ dv C1 0 + i C1 0 +
v C1 0+ = R2 , i C1 0+ = +
i L1 0 , =
R1 R2 R1 dt C1

V1
v C1 = R , i =0A .
R1R 2 2 C1

8) Para t=0 o circuito abaixo esta em regime permanente. Determinar as correntes e


tenses nos capacitores e indutores para t=0 , t=0 + e t= . As fontes V2 e V3 so
impulsivas ( d t=t ).

Soluo: Por superposio:

Fonte V1

V1 2
i L 0 = = =4A
R2 0,5


v C1 0 =v C2 0 =V 1 =2V

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 41


Fontes impulsivas (considerando estado zero)

i*(t)
R2
V2 1/2ohm
V3
5delta
10delta

V 3 10t
i R2 0= = =20t
R2 0,5

1 1 1
v CEQ 0= i R2 t dt= 20tdt= 20u t=4ut V
C EQ C 1C 2 5

v C1 0=v C2 0 =v CEQ 0=4u tV

dv
i C1 0=C 1 C =34t =12t
dt

dv
i C2 0=C 2 C =24t =8t
dt

v L 0=V 2=5 t

1 1
i L 0= v L tdt= 5ut =1u t A
L 5

As condies iniciais totais podem ser obtidas pela soma das condies iniciais
parciais.

+
i L 0 =i 0 i0=41=5u t A

v C1 0+ =v C1 0 vC1 0=24=6ut V

+
v C2 0 =v C2 0 v C2 0=24=6u t V

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 42


Estas condies iniciais, entretanto, geram um problema. O somatrio das tenses na
malha formada pelos capacitores e as fontes V4 e V5 no nula. Isto implica,
obrigatoriamente, em uma redistribuio de cargas nos capacitores.

A corrente impulsiva que percorre esta malha

C 1C2 6
C EQ= = F
C 1C 2 5

dv d [V 4V 5v C2 v C1 u t] 6
i=C EQ =C EQ = 10t=12 t
dt dt 5

Assim as tenses sobre cada capacitor so

1 1
v C1 0= idtvC1 0 = 12ut 6u t =10u t
C1 3

1 1
v C2 0= idt v C2 0 = 12u t6u t=0ut
C2 2

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 43


6 Circuitos de primeira ordem

6.1 Equao diferencial ordinria de primeira ordem

6.1.1 Caso linear, homognea, com coeficientes constantes

{
dv v
=0
dt
v 0=v 0

dv 1
v
= dt

t
ln v= D

t
v=v 0e

Est a chamada resposta natural da equao diferencial.

6.1.2 Caso, linear, com coeficientes constantes e entrada constante

{
dv v
=k
dt
v 0=v 0

dv kv
=
dt

dv 1
vk = dtD

t
ln vk= D

t
v=v [v v 0]e

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 1


Para este caso particular a resposta completa (v) formada pela resposta natural
somada a uma resposta forada que tem o mesmo formato da entrada.

6.1.3 Caso linear, com coeficientes constantes e entrada no constante

{
dv t v t
= y t
dt
v 0=v 0

Multiplicando ambos os lados da equao por e


t t

dv v
e = ye
dt
como

t
t

e =
dt dt
dv v d ve

ento

t
t
d ve
= ye
dt

t t
ve = ye dtD

t t t
v=e ye dtDe

Para o caso geral a resposta completa da equao diferencial a soma da resposta


natural com uma resposta forada que apresenta componentes com o mesmo formato da
entrada.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 2


6.2 Circuito linear invariante de primeira ordem resposta a excitao zero

6.2.1 O circuito RC (resistor-capacitor)

O circuito abaixo mostra um capacitor sendo carregado por uma fonte de tenso
constante. Em t=0 a chave S1 abre e a chave S2 fecha.

Para t0 ,

i C t i R t=0

dv v
C C = R e v C 0=v 0
dt R

Como

v C =v R=v

{
dv v
C =0
dt R
v 0=v 0

{
dv 1
= v
dt RC
v 0=v 0

Esta uma equao diferencial ordinria de primeira ordem, linear, homognea com
coeficientes constantes cuja soluo geral

t
v t =ke u t

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 3


=RC e k =v 0=v 0

1
dv v 0 RC t
i C t=C = e u t
dt R

Esta resposta chamada de resposta a excitao zero (sem excitao) e apresenta


soluo que depende das caractersticas do circuito ( s depende da topologia) e das
condies iniciais do circuito (k depende das condies iniciais).

A curva exponencial que corresponde a resposta deste problema apresentada na


figura abaixo. Nesta figura v 0=1 e RC =1 . Observa-se que a reta que passa pelas
coordenadas t=0 e v=v(0) e apresenta inclinao igual a derivada da funo no ponto t=0
cruza o eixo do tempo em um valor igual ao do produto RC . Este produto chamado
constante de tempo . Toda exponencial unitria apresenta 37% de seu valor inicial em 1 ,
14% em 2 , 5% em 3 , 2% em 4 e 0,7% em 5 .

A constante de tempo tem unidade de segundos e corresponde ao inverso da freqncia


natural do circuito. Um circuito RC com apenas um capacitor equivalente e um resistor
equivalente sempre apresenta constante de tempo da forma de um produto RC.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 4


6.2.2 O circuito RL (resistor-indutor)

O circuito abaixo mostra um indutor sendo carregado por uma fonte de corrente
constante. Em t=0 a chave S1 troca de posio e a chave S2 fecha.

Para t0

v L v R=0

di L
L Ri L =0 e i L 0=I 0
dt

{
di R
= i
dt L
i L 0= I 0

Esta uma equao diferencial de primeira ordem, homognea, linear de parmetros


constantes cuja soluo, de forma semelhante ao problema do circuito RC,

R
t
L
i L t =I 0e u t

Esta soluo tambm depende das condies iniciais do problema ( I 0 ) e da topologia


do circuito (constante de tempo). Neste caso a constante de tempo definida como

L
=
R

que tambm apresenta unidade de tempo (segundos).

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 5


6.3 Circuito linear invariante de primeira ordem resposta ao estado zero

Para o circuito abaixo a chave S1 abre em t=0

Para t0

i C i R =i S

dv v
C =i S t e v 0=0
dt R

Esta uma equao diferencial de primeira ordem, linear, no homognea (com


excitao) e condio inicial nula (estado zero).

A equao diferencial em questo deve satisfazer outras duas condies impostas pelo
circuito:

para t=0 +

dv i S
= (condio imposta pela topologia do circuito)
dt C

para t=

v=Ri S t (condio imposta pela fonte)

A soluo para a equao diferencial linear no homognea pode ser obtida pela soma
da soluo homognea e de uma soluo particular que apresenta o mesmo formato da
excitao, assim v completa =v hv p . A soluo homognea depende das condies iniciais do
problema e da sua topologia e a soluo particular depende da excitao. Algumas vezes a
resposta particular chamada de resposta forada pois imposta pela excitao.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 6


Para o exemplo em questo

1
t
v t =K 1e RC
Ri S t , para t0 .

sendo que K 1 pode ser calculado pela condio inicial do problema

v 0=K 1Ri S t=0

K 1=Ri S t ,

logo

v t =Ri t 1 e 1
t
RC
S

Se a excitao fosse senoidal a resposta forada seria senoidal, se a excitao fosse


uma exponencial a resposta forada seria uma exponencial e assim por diante.

Exemplo: Se i S t =A1cos t1 ento v p t= A2cost 2

dv v
C =A1cos t1
dt R

1
t
v t =K 1e RC
A2cos t 2 , para t0

v 0= K 1 A2cos 2 =0

K 1=A2cos 2

Aps o fim do transitrio (a exponencial decrescente), o problema restringe-se a

Cdv p v p
=A1cos t 1
dt R

como v p t= A2cos t 2

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 7


ento

A2
CA2sen t2 cost 2= A1cos t 1 onde
R

A1
A2 =


2
1 2
C
R

2=1arctanRC

0
A figura abaixo foi produzida com R=1 , C=1F , A1=0 e 1=90 . A resposta
completa a soma da exponencial com o cosseno defasado. A influncia da exponencial
desaparece depois de 5 constantes de tempo por isso chamada de resposta transitria ao
passo que a resposta sem exponencial decrescente chamada de resposta em regime
permanente. Este transitrio pode ser nulo se v 0= A2cos 2 , isto ocorre porque neste
caso a corrente e a tenso j esto com a mesma defasagem e amplitude de regime permanente
ento no necessrio nenhum perodo transitrio para ajustar estes dois parmetros.

O mesmo exemplo poderia ser resolvido da seguinte maneira:

i S t =A1cos t1 =A ' 1cos t A ' ' 1sen t

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 8


v p t= A2cos t2 =A ' 2cos t A' ' 2sen t

dv v
C =A ' 1cos tA ' ' 1sen t
dt R

1
t
v t =K 1e RC
A' 2cos t A' ' 2sen t , para t0

v 0= K 1 A' 2cos 0=K 1 A' 2=0

K 1=A' 2

Aps o fim do transitrio (a exponencial decrescente), o problema restringe-se a

dv v
C p p =A ' 1cos tA ' ' 1sen t
dt R

como v p t= A' 2cos t A ' ' 2sen t

ento

C[A ' 2sen t A' ' 2cos t ]...


[ A' 2cost A' ' 2sen t]
... =A ' 1cos t A ' ' 1sen t
R

agrupando os termos em seno e os termos em cosseno podemos montar duas equaes:

A' ' 2
para senos: CA' 2 = A' ' 1
R

A '2
para cossenos: CA' ' 2 =A ' 1
R

6.4 Linearidade da resposta ao estado zero

uma propriedade de qualquer circuito linear que a resposta ao estado zero uma
funo linear da excitao, isto , a dependncia da resposta ao estado zero com a forma de
onda da excitao expressa por uma funo linear. Se o smbolo Z t0 for utilizado para

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 9


representar uma rede no estado zero ento a linearidade obtida se forem satisfeitas as
seguintes condies.

Z t0 i 1i 2 =Z t0 i 1 Z t0 i 2

Z t0 ki 1=kZ t0 i 1

Para uma determinada rede, v 1 a resposta a excitao com uma fonte i 1 t tal que

dv v
C 1 1 =i 1 t com v 1 0=0
dt R

e v 2 a resposta para uma excitao i 2 t de tal forma que

dv 2 v 2
C =i 2 t com v 2 0=0 .
dt R

A soma das duas equaes resulta em

dv dv 2 v 1 v 2
C 1 C =i 1 ti 2 t
dt dt R R

ou seja

d v 1v 2 1
C v 1v 2 =i 1 t i 2 t com v 1 0v 2 0=0
dt R

o que satisfaz a primeira condio para linearidade.

Caso a fonte i 1 t seja multiplicada por por um determinado valor k ento

d kv 1 kv 1
C =ki 1 t com kv1 0=0
dt R

Assim as duas condies para linearidade so satisfeitas se a rede estiver no estado


zero mesmo que R e C forem variantes com o tempo.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 10


6.5 Invarincia com o tempo

Seja uma rede linear invariante excitada por uma corrente i 1 e cuja resposta ao estado
zero seja v 1 tal que

dv 1 v1
=i .
dt 1

Agora, supondo que a excitao mude para i 1 tT1 , ento a resposta ao problema
v 1 tT1 tal que

dv 1 tT1 v 1 tT1
=i 1 tT1
dt

cuja soluo idntica a da equao

dy y
=x onde
dt

y=v 1 tT1 e x=i 1 tT1 com v 1 0T1=0 .

Isto significa que em uma rede invariante a resposta ao estado zero deslocada T1
segundos se a entrada estiver deslocada T1 segundos.

6.6 Circuito linear invariante de primeira ordem resposta completa

Para os casos onde haja condio inicial no nula e excitao diferente de zero a
resposta da equao diferencial corresponde a soma da resposta a excitao zero mais a
resposta ao estado zero. Isto pode ser demonstrado se as equaes para o caso de excitao
zero e estado zero forem analisadas separadamente e em conjunto. Separadamente estas
equaes so

dv I v I
C =0 (equao para o circuito RC com excitao zero)
dt R

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 11


dv v
C O O =i S t (equao para o circuito RC com estado zero)
dt R

onde v I e v O so as respostas a excitao zero e ao estado zero respectivamente.


Somando as equaes temos

dv v dv v
C I I C O O =i S t
dt R dt R

que pode ser reescrita como

d v I v O v I v O
C =i S t .
dt R

Por esta razo a soma das respostas separadas corresponde a soluo para o problema
completo.

v C t =v I tv O t , para t0 .

Ri 1 e .
1 1
t t
RC RC
v C t =v Oe S

Esta resposta completa tambm pode ser obtida pela soma da resposta transitria e da
resposta em regime permanente.

v C t=v transitoria t v permanente t

1
t
v C t =v O Ri S e RC
Ri S t , para t0 .

Se a excitao um degrau ou um impulso a resposta sempre ter o formato

t
sol t=sol [sol sol 0]e

onde sol corresponde a soluo do problema (corrente ou tenso) e a constante de


tempo do circuito, seja ele RC ou RL.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 12


Exemplo: Determinar a equao da tenso sobre o capacitor da figura abaixo. A chave
S1 abre para t=0 e a chave S2 fecha para t=R1C .

para t0

v C =0

para 0tR1C

v C 0=0

v C =R1I


v C =R1I 1 e R1C
t

para t=R1C=T1

v C T1=R1I1 1
1
e

v C = I R1R2
R1 R2
2 =C
R1R2
R1 R2
v 1 e =v excitao zerov estado
t T1 t T1
2 2
v C t=v C T1e C zero

t T1
2
v C t =v C [v C v C T1]e =v permanente v transitria

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 13


6.7 Resposta ao Impulso

A resposta ao estado zero de um circuito invariante excitado por um impulso unitrio


em t=0 chamada de resposta ao impulso e simbolizada por h. Por convenincia usaremos
h(t)=0 para t<0.

Neste exemplo a resposta ao impulso pode ser calculada facilmente considerando o


capacitor como um curto circuito para t=0 e, a partir dai, calculando a resposta a excitao
zero.

Assim, para t=0

1 1
v= t dt=
C C

Para t>0 este problema apresenta a mesma soluo do problema de excitao zero.

t
v t =ke u t

1
onde =RC e k =v0 = .
C

A resposta ao impulso de um circuito linear e invariante caracteriza este circuito. Mais


adiante na matria ficar provado que possvel obter a resposta ao estado zero de qualquer
rede linear e invariante e para qualquer excitao se conhecermos a sua resposta ao impulso.
Isto intuitivamente correto, pois qualquer sinal pode ser obtido por um conjunto de infinitos
impulsos de amplitudes apropriadas e deslocados no tempo (propriedades de linearidade e
invarincia com o tempo). Tambm intuitivo pensar que a funo impulso apresenta todas as
frequncias com igual amplitude o que permite calcular a resposta da rede para todas as
frequncias simultaneamente. Como todos os sinais podem ser obtidos por uma soma de

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 14


senoides de diferentes frequncias com diferentes amplitudes e fases (Transformada de
Fourier) ento, conhecendo a resposta ao impulso podemos determinar a resposta do sistema a
qualquer excitao.

A resposta ao impulso poderia ser obtida de outras formas. Em redes lineares


possvel derivar a resposta ao degrau. No problema acima a resposta ao degrau significa a
resposta do problema quando i(t)=u(t). Ento

dv v
C =u t ,
dt R

v 0=0 e

v =Ri=Rut


v t =u tR 1e RC
1
t
para t>0.
Como

dv t
h t=
dt

ento

t 1
1

h t=t R 1e RC u te RC
C
t
1

1
t
RC
a primeira parcela zero pois para t0, (t)=0 e para t=0, 1e =0 .

1
1 t
h t = u t e RC para todo t>0.
C

Mostre que a mesma resposta poderia ser obtida calculando a resposta funo pulso
(soma de dois degraus) com 0 .

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 15


6.8 Resposta ao degrau e ao impulso para circuitos simples

Para os circuitos abaixo, considerar as correntes e tenses de fonte unitrias.

dv v
C =i
dt R


tem resposta ao degrau: v C t =R 1e
RC
1
t
u t
1
1 t
e resposta ao impulso: v C t = e RC u t
C

di
L Ri =v t
dt


tem resposta ao degrau: i L t = 1 1e
R
R
t
L
u t
R
1 t
e resposta ao impulso: i L t = e L u t
L

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 16


1 d
=it
R dt L

R
t
L
tem resposta ao degrau: v L t =Re u t

2 R
e resposta ao impulso: v t =Rt R e Ltut
L
L

dq q
R =v t
dt C

1
1 t
tem resposta ao degrau: i C t = e RC u t
R

1
1 1 t
e resposta ao impulso: i C t = t 2 e RC u t
R R C

di t
L Ri t=v t
dt

tem resposta ao degrau: v t =L t Ru t

e resposta ao impulso: v t =L ' t Rt

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 17


dv t v t
C =i t
dt R

1
tem resposta ao degrau: i t =Ct u t
R

1
e resposta ao impulso: it =C ' t t
R

t
1
Ri t i t ' dt ' =v t
C 0

1
tem resposta ao degrau: v t =Ru t r t
C

1
e resposta ao impulso: v t =Rt ut
C

t
1 1
v t v t ' dt ' =i t
R L 0

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 18


1 1
tem resposta ao degrau: it = u t r t
R L

1 1
e resposta ao impulso: i t = t u t
R L

6.9 Circuitos variveis com o tempo e no lineares

Nesta seco so apresentados exemplos de problemas no lineares e ou variantes com


o tempo. Estes problemas tem em geral soluo difcil e no existe um mtodo de anlise,
exceto integrao numrica das equaes diferenciais. As tcnicas utilizadas para soluo de
problemas lineares e invariantes no podem ser aplicadas a classe de problemas que sero
estudados nesta seo, sendo assim no se aplicam os seguintes conceitos:

1) A resposta a excitao zero uma funo linear do estado inicial.

2) A resposta ao estado zero uma funo linear da excitao.

3) A translao temporal da excitao implica na translao da resposta ao estado zero.

4) A resposta ao impulso a derivada da resposta ao degrau.

5) A resposta completa a soma da resposta excitao zero com a resposta ao estado


zero.

Exemplo: Para um circuito RC paralelo, sem excitao, com condio inicial v(0)=1V
e C=1F determinar a resposta a excitao zero para os seguintes casos:

a) Resistor linear e invariante de 1;

v t =u tet

b) Resistor linear variante com o tempo R=1 /[10,5cos t ] ;

dv
[10,5cos t]v=0 , para t 0
dt

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 19


v 0=1

dv
=[10,5cos t]dt
v

t t

dvv = [10,5cos t ]dt


0 0

ln [v t]=[t0,5sen t]

v t =u tet 0,5sen t

c) Um resistor no linear invariante tendo a caracterstica iR=vR2;

dv 2
v =0 , para t 0
dt

v 0=1

v t t
d v
= dt '
v 2 0
v 0

1
v t
1 =t

1
v t =u t
t 1

Exemplo: Para um circuito RC paralelo, sem excitao, com condio inicial v(0)=0V
e C=1F determinar a resposta ao degrau unitrio de corrente.

a) Resistor linear e invariante de 1;

v t =u t 1e t

b) Resistor linear variante com o tempo R=1 /[10,5cos t ] ;

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 20


dv
[10,5cos t]v=u t , para t 0
dt

v 0=0

No possvel integrar a resposta ao impulso, calculada no exemplo anterior, para


obter a resposta ao degrau, pois o resistor varivel com o tempo. A resposta a este problema
conter uma parcela constante (forada pela fonte) e outra varivel (forada pelo resistor).
Como o resistor varivel com o tempo tambm no possvel realizar operaes de
deslocamento temporal, ou seja, se o estmulo for deslocado no tempo a resposta no ser a
anterior deslocada no tempo.

t
t0,5sen t
e
t 0,5sen t t 0,5sen t
v t =v 0e e dt
0

c) Um resistor no linear invariante tendo a caracterstica iR=vR2;

dv 2
v =u t , para t 0
dt

v 0=0

v t t
d v
= dt '
1 v 2 0
v 0

v t =u t tanh t

observe que se a entrada fosse ku(t) a resposta no seria multiplicada por k e sim
v t = ku ttanh kt

Exemplo: Para o prximo circuito determine as formas de onda sobre o capacitor. A


fonte de tenso pulsada com perodo 2T, amplitude V0 e ciclo de trabalho de 50%.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 21


Soluo:

Aproximar o diodo por dois circuitos formados por um resistor em srie com um diodo
ideal. Cada circuito representa a resistncia linearizada do diodo para as situaes de
polarizao direta e reversa.

Analisar as constantes de tempo: Se as constantes de tempo forem muito menores do


que as formas de onda de tenso no capacitor tero um comportamento exponencial e
estabilizaro no valor mximo (V0) ou 0. J a tenso sobre o diodo sero exponenciais com
amplitude de V0 decaindo para zero.

Se as constantes de tempo de carga e descarga do capacitor forem da mesma ordem de


grandeza de ento as formas de onda no chegaro aos seus valores limites. Neste caso de
se esperar que a tenso sobre o capacitor passe por um perodo transitrio e estabilize entre
dois valores de tenso V1 e V2.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 22


Considerando que t=0 no incio do primeiro ciclo de carga do capacitor em regime
permanente, ento a carga do capacitor pode ser escrita como

v t=V V V 1e
t

1
1 1 0 1

e a descarga como

t T

v 2 t =V 2e 2 .

Ao final de um perodo de carga v 1 T =V 2 , logo

.
T

1
v 1 T =V 2=V 1V 0V 1 1e

O final de um perodo de descarga v 2 2T =V 1 , logo

T

v 2 2T =V 1=V 2e 2 .

Isolando V1 e V2 no sistema de equaes que determina v 1 T e v 2 2T temos


T
1
V 0 1e
V 2= T T
1 2
1e e

e
T T
1 2
V 0 1e
V 1= T T
1 2
1e e

6.10 Exerccios

Para todos os exerccios deste mdulo faa o grfico da resposta e compare com a
simulao do circuito. Para os problemas literais atribua valores aos componentes antes das
simulaes.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 23


1) Um circuito RC srie no qual entra uma onda quadrada est representado na figura a
seguir. A entrada formada por um trem peridico de pulsos com uma amplitude de 10V e
uma largura de 1ms, sendo cada pulso gerado a cada 2ms. Calcule a tenso sobre o capacitor (
v C ) e o resistor ( v R ). Quando a fonte V considerada entrada e a sada corresponde a v C o

circuito chamado de passa baixas e quando a sada v R o circuito chamado passa altas.
Qual seria a razo para estes nomes?

2) Considere o circuito linear invariante mostrado na figura abaixo. Seja v C 0=1V e


V =30cos 2 1000t
u tV . Calcular a corrente do circuito para t0 . Determinar se h
alguma condio inicial para o capacitor e/ou fase para o sinal V tal que a resposta transitria
seja nula.

3) No circuito abaixo o indutor est descarregado quando a chave S1 abre e a chave S2


fecha. a) Calcule a energia armazenada no indutor no instante t=4s; b) Em t=4s a chave S1
fecha e a S2 abre. Calcule a corrente que passa pelo resistor de 4 para t>4. Indique o sentido
correto desta corrente; c) Calcule a energia total dissipada no resistor de 4 no intervalo
4t .

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 24


4) Para os problemas abaixo, cujas condies iniciais foram calculadas no mdulo
anterior calcule tenso sobre o capacitor ou a corrente sobre o indutor.

a) Considere I S1 t uma fonte constante e independente.

b) Considere I 1 t uma fonte constante e independente.

c) Considere V 1 t uma fonte constante e independente

d) I 1 t um degrau unitrio de corrente.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 25


e) I 1 t um degrau de corrente de 10mA e I 2 t uma fonte de corrente constante
de 4mA.

f) V 1 t um pulso de tenso de amplitude 10V e largura 0,5s.

g) V 1 t um pulso de tenso de amplitude 10V e largura 6R1C 1 segundos.

h) V 1 t uma fonte constante e independente.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 26


5) Um circuito de disparo para laser apresentado na figura abaixo. Para disparar o
laser necessrio 60mAI180mA para 0t200 s . A chave S1 troca de posio em
t=0. Determine valores apropriados de R6 e R8 . O circuito estava em regime permanente
para t<0.

6) Para o circuito abaixo:

a) Determine a faixa de valores de B para que o circuito seja estvel.

b) Determine o valor de B para que a constante de tempo do circuito seja de 20ms.

c) Encontre a equao de i(t) quando V 1 t =10e100tu t V .

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 27


6.11 Solues

1) Um circuito RC srie no qual entra uma onda quadrada est representado na figura a
seguir. A entrada formada por um trem peridico de pulsos com uma amplitude de 10V e
uma largura de 1ms, sendo cada pulso gerado a cada 2ms. A constante de tempo do circuito
de 0,1ms. Calcule a tenso sobre o capacitor v C e o resistor v R . Quando a fonte V
considerada entrada e a sada corresponde a v C o circuito chamado de passa baixas e
quando a sada v R o circuito chamado passa altas. Qual seria a razo para estes nomes?

Transformando o circuito Thvenin em um equivalente Norton e resolvendo o


problema

v vC dv C
C
R R dt

dv C vC v
=
dt RC RC

onde RC =constante de tempo==0,1 ms

1
t
v C =k 1e
k 2

Para os 0,1ms onde v=10V

v C =10V

1
t
v C t=[ vC 010]e
10

a tenso chega a 10V em 0,5ms (5 constante de tempo)

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 28


Para os 0,1ms onde v=0V

v C =0V

1
t
v C t=10e

a tenso chega a 0V em 1,5ms.

Do segundo pulso em diante

1
t
v C t=10e
10 (considerando que t=0 quando a fonte muda para 10V)

1
t
v C t=10e (considerando que t=0 quando a fonte muda para 0V)

Fazendo o grfico destas funes observa-se que o desenho se parece com a onda
quadrada da entrada porm apresenta as bordas arredondadas. As bordas so mudanas
rpidas associadas a altas frequncias. Os patamares, que no mudam, esto associados as
baixas frequncias. Por esta razo este circuito chamado de passa baixas (passa baixas
frequncias).

v R t =vvC t

1
t
v R t =10e (considerando que t=0 quando a fonte muda para 10V)

1
t
v R t =1010e (considerando que t=0 quando a fonte muda para 0V)

Fazendo o grfico destas funes percebe-se que o desenho mantm as bordas da onda
quadrada mas zera as partes constantes. Por esta razo este circuito chamado de passa
altas (passa altas frequncias).

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 29


V(V1,C1) tenso sobre o resistor

2) Considere o circuito linear invariante mostrado na figura abaixo. Seja v C 0=1V e


V =30cos 2 1000t
u tV . Calcular a corrente do circuito para t0 . Determinar se h
alguma condio inicial para o capacitor e/ou fase para o sinal V tal que a resposta transitria
seja nula.

dv v [ A' 1cos t A ' ' 1sen t ]


C =
dt R R

onde =21000 , A ' 1=30 e A ' ' 1=0

1
t
v t =K 1e RC A' 2cos t A' ' 2sen t , para t0

v 0= K 1 A' 2cos 0=K 1 A' 2=1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 30


se v 0= A' 2 ento K 1=0 e no h transitrio

Aps o fim do transitrio (a exponencial decrescente), o problema restringe-se a

dv v p [ A ' 1cos t ]
C p =
dt R R

como v p t= A' 2cos t A ' ' 2sen t

ento

C[A ' 2sen t A' ' 2cos t ]...


[ A' 2cost A' ' 2sen t] [ A' 1cos t ]
... =
R R

agrupando os termos em seno e os termos em cosseno podemos montar duas equaes:

A' ' 2
para senos: CA' 2 =0
R

A '2
para cossenos: CA' ' 2 =30
R

3) No circuito abaixo o indutor est descarregado quando a chave S1 abre e a chave S2


fecha. a) Calcule a energia armazenada no indutor no instante t=4s; b) Em t=4s a chave S1
fecha e a S2 abre. Calcule a corrente que passa pelo resistor de 4 para t>4. Indique o sentido
correto desta corrente; c) Calcule a energia total dissipada no resistor de 4 no intervalo
4t .

a) Transformando o Norton (I=10A e R=2) em Thvenin

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 31


di L R R
i = I
dt L L L S

di L 1 1
i = 10=2,5
dt 4 L 4

i L 0=0A , i L =10A

t
i L t =10 10e 4 para t>0

1
i L 4=10 10e =6,32 A

1 1
w L 4= Li 2L 4= 86,322=159,8 J
2 2

b)

L 8
i L 4=6,32 A e i L =0 e = = =2
R 4

t 4
i L t =6,32e 2 para t>4

c)


w R = RI 2 t dt
0

2 t4

w R =4 6,32 e 2 2
dt=46,3221et 44 =159,8 J
4

4) Para os problemas abaixo, cujas condies iniciais foram calculadas no mdulo


anterior calcule tenso sobre o capacitor ou a corrente sobre o indutor.

a) Considere I S1 t uma fonte constante e independente e o capacitor descarregado.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 32


I S1 i R1i C =0 e i R1=I S1i C

1
R1i R1 i C t dtR1i C =0 considerando v C 0=0
C

derivando esta equao

diC 1 diC
R1 i C R 1 =0
dt C dt

di C 1
i =0
dt C R1R1 C

t
C R1 R1
i C t =ke

R1I S1
i C 0+ = =k
R1R1

t
R1I S1 C R R
it = e para t>0
1 1

R 1 R 1

b) Considere I 1 t uma fonte constante e independente.

I1
i L1 0- =i L1 0+ = G
G1 G2 2

i L1 =I1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 33


Com o modelo Norton (I1, R1) transformado em um modelo Thvenin o problema

di L1
I1R1=L R1I1
dt

L1
=
R1

1
t
i L1 t =k 1e
k 2 , para t>0.

I1
i L1 =k 2= I1 , i L1 0=k 1k 2= G
G1G2 2

I1G1
k 2= I1 , k 1=
G 1G 2

di t
v L1 t =L L1 , para t>0.
dt

c) Considere V 1 t uma fonte constante e independente

40 20
V TH = V , RTH =R N = , I N =2A
9 9

+
V TH
v C1 0 =V TH , v C1 = R =3,48V
RTH R2 2

Considerando o equivalente Norton, teremos um circuito formado por C1, R2, RN e IN


em paralelo. Este circuito j foi calculado.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 34


R2RN
R EQ=
R2 R N

dvC1 v C1
I N =C
dt R EQ

=REQC 1

1
t
v C1 t=k 1e
k 2 , para t>0.

v C1 =k 2=3,48

v C1 0=k 1k 2=4,44

k 1=7,92

d) I 1 t um degrau unitrio de corrente.

Observe que neste circuito R1 esta em paralelo com L1. Este conjunto est em srie
com o paralelo de C2 com R2. Desta forma este circuito equivalente a dois circuitos paralelo
independentes: a) I1, R1 e L1 ; b) I1, R2 e C2.

R1
t
L1
i L1 t =k 1e k 2

1
t
R2C 2
v C2 t=k 3e k 4

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 35


e) I 1 t um degrau de corrente de 10mA e I 2 t uma fonte de corrente constante
de 4mA.

Soluo: Calculando o equivalente Norton nos terminais do capacitor

R EQ=RTH =12k // 20k16k =9k

i EQ=[10u t 4]mA

4 mA[20k 12k // 16k]


V C1 0 = 12k =16V
20k12k

16V
i C 0+ =6mA =7,77 mA
9k

i C =0

dv C v i
C = EQ
dt REQC C

t
+ CR EQ
i C t =i C 0 e u t mA

f) V 1 t um pulso de tenso de amplitude 10V e largura 0,5s.

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 36


V1
v R2=V1 logo i R2= (a mesma corrente que flui pelo paralelo de C1 com R1)
R2

v C1 =v R1=Vo

Para 0<t<0,5

V1
v C1 0+ =0V , v C1 = R
R2 1

=R1C 1

1
t
v C1 t=k 1e
k 2

v C1 =k 2=5

v C1 0=k 1k 2=0

k 1=5

Para t>0,5

1
0,5
v C1 0,5=5e 0,1
54,9V , v C1 =0V

1
t0,5
v C1 t=k 3e
k 4

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 37


k 4 =0

v C1 0,5=k 3 =4,9

g) V 1 t um pulso de tenso de amplitude 10V e largura 6RC segundos.

Transformando o Thvenin (V1, R1) em um modelo Norton

V1 dv v
=C C1 C1
R1 dt R1

Para 0t6R1C 1

v C1 0+ =0V , v C1 =V1

=R1C 1

1
t
v C1 t=k 1e
k 2

1
t
v C1 t=V1e
V1

Para t6R1C 1

1
6R1C 1
v C1 6R1C 1 =V1e R1C 1
V1V1 , v C1 =0V

1
t6R1C 1
v C1 t=V1e

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 38


h) V 1 t uma fonte constante e independente.

Soluo:

V1 V1
i L 0 = , i L = , i L 0+ =i L 0-
R1 R1

v C 0 =V 1 , v C 0 =V 1 , v C =0V
+

dv vC
C C =0
dt R

t
v C t =6e RC
V para t>0.

5) Um circuito de disparo para laser apresentado na figura abaixo. Para disparar o


laser necessrio 60mAI180mA para 0t200 s . A chave S1 troca de posio em
t=0. Determine valores apropriados de R6 e R8 . O circuito estava em regime permanente
para t<0.

Com a chave na posio atual, o equivalente Thvenin de V2, R7 e R6

v 2R6
V TH =
R6R 7

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 39


R7R6
RTH =
R7R6

v2
i MAX = =180mA
RTH R9

R6
=0,18
804R6

R6=51,4

t R EQ
t
L3
I t=I 0e =0,18e

onde

R EQ=R 9R8

R8 deve ser escolhido tal que I(200s)=60mA

6) Para o circuito abaixo:

a) Determine a faixa de valores de B para que o circuito seja estvel.

b) Determine o valor de B para que a constante de tempo do circuito seja de 20ms.

c) Encontre a equao de i(t) quando V 1 t =10e100tu t V .

Retirando o capacitor e inserindo em seu lugar uma fonte de corrente independente de


valor IT para cima (para calcular um equivalente Norton do resto do circuito)

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 40


v T v 1
R1
B

v1 vT
R1
v
T =i T
R2


v T
1 B 1

R1 R1 R2
v 1
B 1

R1 R1
=i T

como

V TH
iT = IN
RTH

ento

1 1 3B
= =
RTH R N 10k

10k
RTH =
3B

a) RTH 3

3 6
= RTHC 1 =2010 =RTH210

20103
RTH = 6
=10k
210

10k
RTH = =10k
3B

b) B=2

Com o capacitor no circuito

v C1 dv C1
i2i C 1 =0
R2 dt

v C1 =v 1 iR1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 41


v 1R 1i d v 1 R1i
i2i C 1 =0
R2 dt

di i 1 dv 1 v1
=
dt R1 dt R1R 2C 1

v 1 0
i0= =1mA
R1

it =k 1e50t k 2e100t

Em regime permanente

v 1=10e100t , i=k 2e100t

dv 1 di 100t
=1000e100t , =100k 2e
dt dt

k 2 1000 10
100k 2 =
10k 100

k 2=0

Para t=0

1 mA=k 1e 50tk 2e100t

k 1=1

Circuitos Eltricos I EEL420 UFRJ 42


Eletromagnetismo

5.1. Histrico

Procurando identificar a origem do


magnetismo nos corpos, Gilbert pesava metais
antes e depois de serem magnetizados,
concluindo que a magnetizao no modifica o
peso do corpo.
O aspecto do campo magntico gerado
Naquela ocasio, a eletricidade e o
por corrente eltrica depende do tipo e formato
magnetismo ainda no se apresentavam como
do condutor, conforme veremos a seguir.
cincia, o que s foi alcanado no sculo
XVIII. Mas no sculo XIX, uma nova
descoberta lanou os fsicos numa tarefa que 5.2.1. Campo Magntico Criado por
levou formulao da cincia do Condutor Retilneo
Eletromagnetismo.
A distribuio do campo magntico
Hans Christian Oersted (1777-1851), gerado por um fio retilneo extenso tal que as
fsico dinamarqus, descobriu a relao entre linhas de induo so circunferncias
circuitos magnticos e eltricos atravs de uma concntricas, cujo centro o prprio fio.
experincia onde se aproximou uma bssola a O sentido desse campo magntico pode
um circuito eltrico controlado por um ser obtido pela regra da mo direita, aplicada
interruptor. Nesta experincia, Oersted como mostra a figura abaixo. O polegar
percebeu que o fechamento do interruptor, e a colocado no sentido convencional da corrente
conseqente circulao de corrente eltrica, e os outros dedos, que envolvem o condutor,
causava uma deflexo na agulha da bssola. indicam o sentido de B.
Alm de sugerir que os fenmenos
eltricos e magnticos esto relacionados, a
descoberta de Oersted levou concluso de
que a corrente eltrica cria um campo
magntico no espao que a circunda.
Desta forma, campos magnticos
idnticos aos originados por ms naturais,
podem ser produzidos atravs de corrente
eltrica, permitindo desta forma o
desenvolvimento de diversos equipamentos
diretamente relacionados produo e
utilizao da energia eltrica, tais como
geradores, motores, transformadores, etc.

5.2. Campo Magntico Criado por


Corrente Eltrica

Sempre que houver cargas eltricas em


movimento, em torno dessa carga surgir um
campo magntico. A figura abaixo mostra a
experincia de Oersted, onde o campo
magntico criado por corrente eltrica
interagia com a agulha de uma bssola,
desviando-a.
Num determinado ponto P do campo o.i
magntico, o vetor B pode ser representado =
num plano que seja perpendicular ao condutor 2. r
e que contenha o ponto P. Observe que B
tangente circunferncia que contm o ponto onde r o raio da espira.
P.
Nessas condies, a intensidade de B
pode ser determinada pela relao: 5.2.3. Campo Magntico Criado por
Bobina
o.i
= Uma bobina, ou solenide, constitudo
2 . d por um fio enrolado vrias vezes, tomando
uma forma cilndrica. Cada uma das voltas do
Onde o a permeabilidade fio da bobina denominada uma espira.
magntica do meio, no caso o vcuo, e d a
distncia do ponto P ao fio.

5.2.2. Campo Magntico Criado por Espira


Circular

Espira circular um fio condutor em


forma de circunferncia. O esquema a seguir
mostra o aspecto do campo magntico gerado
por esse tipo de condutor.

Desta forma, considerando as espiras muito


prximas e desprezando o comprimento da
bobina, temos:

o.i
= N.
2. r

Se inserirmos um ncleo ferromagntico


Os plos norte e sul da espira circular so
em uma bobina, teremos um eletrom, cuja
determinados, respectivamente, pela sada e
polaridade pode ser determinada aplicando-se
entrada das linhas de induo. Para relacionar
a regra da mo direita, conforme a figura
o sentido do vetor B com o sentido da corrente
abaixo.
i, usamos a regra da mo direita.

A intensidade de dada pela relao:

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5.3. Circuitos Magnticos 5.3.3. Lei de Ohm para Circuitos


Magnticos
5.3.1. Fora Magnetomotriz
Considere o circuito magntico abaixo,
A fora magnetomotriz de uma bobina composto de um ncleo ferromagntico e uma
a fora produtora de campo magntico. A fmm bobina.
depende da corrente eltrica (I) e do nmero
de espiras (N) da bobina. Sua unidade o
Ampre-espira (Ae).

fmm = N.I

5.3.2. Intensidade de Campo Magntico (H)

Se a bobina de um eletrom, com uma


determinada fmm, for esticada at atingir o
dobro do seu comprimento original, a
intensidade do campo magntico produzido A Lei de Ohm para circuitos magnticos,
por este eletrom ter a metade do seu valor correspondente a I=V/R, expressa por:
original. A unidade da intensidade magntica
em circuitos magnticos Ae/m.
fmm
N .I =
H=
l
Onde l o comprimento da bobina. Onde:
: fluxo magntico [Wb];
Exemplo: fmm: fora magnetomotriz [Ae];
: relutncia [Ae/Wb].

5.4. Aplicaes de Eletroms

De um modo geral, todos os eletroms,


usados em suas diversas aplicaes,
apresentam em seu interior um ncleo de ferro,
construdo, quase sempre, por vrias lminas
de ferro justapostas. Esse procedimento
adotado por ter sido verificado
experimentalmente que, ao se introduzir o
ncleo de ferro na bobina, o campo magntico
do eletrom torna-se muitas vezes mais
intenso. A figura abaixo mostra um guindaste
eletromagntico, capaz de transportar cargas
muito pesadas atravs da fora de atrao
Se o ncleo ferromagntico do eletrom magntica produzida pelo eletrom.
for maior que o comprimento da bobina, l ser
ento o comprimento do ncleo, uma vez que
este parte integrante do eletrom.

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Quanto a corrente alternada passa pela


bobina do eletrom, ela sucessivamente
O princpio de funcionamento de um
atrada e repelida pelo im permanente. O cone
eletrom tambm pode ser aplicado na
acompanha essas vibraes da bobina,
construo de uma campainha, conforme a
provocando compresses e rarefaes no ar,
figura abaixo, onde L uma lmina de ferro
cuja vibrao constitui uma onda sonora.
flexvel e C um contato que abre e fecha o
Alm dos equipamentos apresentados
circuito quando a lmina se afasta ou encosta
acima, os eletroms tambm so
nele.
indispensveis no funcionamento de mquinas
eltricas, tais como motores, geradores,
transformadores, etc, cujo princpio de
funcionamento ser visto posteriormente.

5.5. Fora Magntica

5.5.1. Fora Magntica numa Carga em


Movimento

Cargas eltricas em movimento originam


campo magntico. Estando a carga eltrica em
movimento, em um campo magntico, h uma
Quando o circuito fechado pelo interao entre esse campo e o campo
interruptor I, a corrente no eletrom faz com originado pela carga. Essa interao manifesta-
que L seja atrada, e o martelo M golpeia o se por foras que agem na carga eltrica; estas
tmpano T. Em virtude desse deslocamento de foras so denominadas foras magnticas.
L, o circuito se interrompe em C e o eletrom O valor da fora magntica, assim como
perde imantao. A lmina flexvel L retorna a seu sentido, depende do tipo de carga (positiva
sua posio normal, estabelecendo o contato ou negativa), de seu valor, do campo
em C. Assim, o processo se repete e M golpeia magntico externo ao da carga, e da forma
T repetidas vezes enquanto o interruptor I com que esta carga lanada no campo
estiver acionado. magntico externo.
O alto-falante um dispositivo que Para determinao do sentido da fora
produz som a partir de uma corrente eltrica magntica em uma carga eltrica em
varivel que passa na bobina de um eletrom. movimento num campo magntico externo,
Esta bobina est presa base de um cone de utiliza-se a regra da mo direita da seguinte
papelo e encaixada, com folga, em um m forma:
permanente, conforme a figura abaixo.

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F = B.q.v
Dedos no sentido do campo magntico
B, polegar no sentido do movimento da carga 5.5.2. Fora Magntica num Condutor
(vetor velocidade v). Se a carga for positiva, a Percorrido por Corrente
fora F sai da palma da mo; se negativa a
fora F sai do dorso da mo. Sabemos que a corrente eltrica i
Matematicamente, a fora magntica constituda por um movimento ordenado de
dada por: cargas eltricas q. Cargas eltricas imersas em
um campo magntico sofrem a ao de uma
F = . q. v. sen fora magntica F. Assim podemos dizer que:
Em todo condutor percorrido por corrente e
Onde: imerso num campo magntico de tal forma a
B: vetor induo magntica (Tesla); cortar suas linhas de fluxo magntico, surge
q: carga eltrica (Coulomb); uma fora magntica.
v: velocidade (m/s);
: ngulo entre o campo e o vetor velocidade. O sentido dessa fora dado pela regra
da mo direita conforme figura abaixo e o
Verificam-se experimentalmente os valor da fora dada por:
seguintes casos:
1) Se a carga se deslocar na direo paralela a
B, ela no ficar sujeita ao de nenhuma
fora, pois o ngulo entre B e v 0, sendo
seno de 0 igual a zero.

F = .i. l. sen
F=0

2) Se a carga se deslocar em uma direo Onde:


perpendicular ao vetor B, ela no ficar i: corrente eltrica (ampre);
sujeita ao de uma fora magntica B: vetor induo magntica;
F mxima, pois o ngulo entre B e v l: comprimento do condutor imerso no campo;
90, sendo seno de 90 igual a um. : ngulo entre e a corrente i.

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Essa fora magntica, usada para fazer Em situaes como as representadas


funcionar um grande nmero de aparelhos acima, verifica-se que:
eltricos, como os medidores (ampermetros e um condutor est imerso no campo
voltmetros) e muitos motores eltricos. A magntico criado pelo outro;
figura abaixo mostra o funcionamento de um em cada condutor aparece uma fora
motor elementar de corrente contnua. magntica F respectivamente perpendicular
a eles.
Essa fora magntica :
de atrao, quando as correntes eltricas
paralelas tm o mesmo sentido;
de repulso, quando as correntes eltricas
paralelas tm os sentidos opostos;

De acordo com a lei da ao e reao


F1,2 = F2,1, assim conclumos que:

F = .i1. l. sen90
1, 2 2

o.i 2
=
2. . d
2

5.5.3. Fora Magntica Entre Dois


Condutores Retilneos Percorridos
o.i1.i 2
por Corrente F = .l = F
2. . d
1, 2 2 ,1

O esquema I abaixo representa dois


condutores retilneos de comprimento l,
paralelos um ao outro com certa distncia d e 5.6. Fora Eletromotriz Induzida
percorridos por correntes eltricas de mesmo (Femi) Lei de Faraday
sentido e com intensidades i1 e i2 . No
esquema II, a nica diferena o sentido Se a corrente eltrica produz um campo
oposto entre as duas correntes paralelas: magntico, como demonstrou Oersted com a
deflexo da agulha prxima de um fio
conduzindo eletricidade, pode um campo
magntico produzir corrente eltrica?
Faraday descobriu que sim, realizando
uma experincia bem simples. Construiu uma
bobina de fio de cobre isolado e a partir dela
montou um circuito com chave, colocando
uma bssola prxima ao circuito, conforme a
figura abaixo.

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Mantendo o circuito fixo e com a chave


fechada, Faraday empurrou o plo de um m
para o interior da bobina, observando uma femi = N .
deflexo na agulha da bssola. Removendo o t
m do interior da bobina, a deflexo da agulha
era em sentido oposto ao anterior. Entretanto, O sinal negativo da frmula se deve a Lei
parando o movimento do m, quer seja de Lenz e atribu-se ao princpio da
aproximando-se ou afastando-se, a agulha da conservao de energia.
bssola voltava ao normal.
Sabendo que a aproximao ou
afastamento dos plos de um m varia o fluxo 5.8. Indutncia de uma Bobina
magntico no interior da espira, Faraday
deduziu que a variao do fluxo magntico A indutncia de uma bobina a grandeza
induzia uma ddp nos terminais da bobina, que relaciona a variao do fluxo em seu
produzindo uma corrente eltrica. interior em funo da variao da corrente
Ao fenmeno da produo de corrente aplicada. A indutncia uma caracterstica
eltrica por um campo magntico varivel, d- construtiva, que depende do meio, do nmero
se o nome de induo eletromagntica. de espiras, da rea da bobina e de seu
corrente eltrica assim gerada denominamos comprimento, conforme a equao abaixo.
corrente induzida.
Desta forma, podemos enunciar a Lei de .N 2 . A
Faraday: L = N. L=
i l
Em todo condutor imerso num fluxo
magntico variado, surge uma fora A unidade de indutncia o Henry [H].
eletromotriz induzida (femi).
Smbolo:
A corrente induzida tambm pode ser
gerada mantendo o m em repouso (fixo) e 5.9. Fora Eletromotriz Auto-
variando a posio da bobina, princpio este Induzida (femai)
muito utilizado em geradores eltricos.
O funcionamento elementar de um Considere o circuito da figura abaixo,
gerador CC consiste basicamente no processo onde circula a corrente i, que origina o campo
inverso de um motor CC; isto , se ao invs de B. Este campo determina o fluxo magntico a
aplicarmos uma ddp nos terminais, aplicarmos atravs da espira, denominado fluxo auto-
fora no eixo, fazendo-o girar, suas bobinas induzido. Verifica-se experimentalmente, que
estaro se movimentando dentro de um campo a diretamente proporcional intensidade de
magntico, estando sujeitas a um fluxo corrente i ( a = L.i ).
magntico varivel, que, pela Lei de Faraday,
induz uma femi nos terminais do gerador.

5.7. Sentido da Fora Eletromotriz


Induzida (Femi) Lei de Lenz

Para determinarmos o sentido da corrente


induzida, utilizamos a Lei de Lenz:

O sentido da corrente induzida tal que, por


seus efeitos, ope-se a causa que lhe deu
origem.

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Na figura, mudando-se a posio do Quando abrirmos o circuito, conforme a


cursor no reostato, variamos i e, por figura abaixo, a corrente tambm varia, mas
conseguinte, a. Ento aparece uma femai no agora de i at zero. Neste caso tambm surge
prprio circuito que, por sua vez, ao mesmo uma femai, porm agora se opondo ao
tempo circuito indutor e circuito induzido. A decrscimo de corrente.
este fenmeno denominamos auto-induo.
Desta forma, podemos concluir que:

femi = N .
t
N .a = L.i

i
femai = N . = L. Estas foras eletromotrizes de auto-
t t induo se comportam como uma fora contra-
eletromotriz, pois, opondo-se sempre causa,
estas produzem correntes que tendem sempre a
5.10. Fechamento e Abertura de manter as condies iniciais do circuito, isto ,
Circuitos Indutivos opondo-se ao aumento ou reduo da corrente
na bobina.
No momento do fechamento do circuito,
a femai ope-se ao crescimento da corrente,
fazendo com que a mesma demore para atingir
seu valor mximo, limitado pela resistncia R.
Quando a corrente atinge um valor constante,
no h variao de fluxo magntico e,
portanto, no h femai (regime permanente). J
no momento da abertura do circuito, a femai
ope-se ao decrscimo da corrente, fazendo
Considerando o circuito acima, quando com que esta demore para atingir o valor zero,
fecharmos o circuito, a corrente varia de zero produzindo um faiscamento nos contatos da
at i em um determinado tempo. Esta variao chave, devido circulao de corrente por um
de corrente d origem a uma variao de fluxo pequeno intervalo de tempo, mesmo aps sua
no indutor L que, durante o tempo da variao abertura. Este faiscamento recebe o nome de
de corrente, produz uma femai. A polaridade arco voltaico. Desta forma, mesmo sem a fonte
desta femai obedece a Lei de Lenz, sendo de alimentao, a corrente demora para ser
oposta causa que a originou, isto , a eliminada. Isto se deve descarga da energia
variao crescente da corrente. A figura abaixo armazenada no indutor, sob forma de campo
mostra o comportamento da corrente em magntico. A figura abaixo mostra a variao
funo do tempo durante o fechamento da da corrente do circuito nos momentos de
chave (0-t1). fechamento (0-t1), regime permanente (t1-t2) e
abertura (t2- t3) da chave.

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A femai depende da indutncia da bobina superfcie de contato, e consequentemente


e da variao da corrente. Desta forma, para aumentando a queda de tenso.
uma mesma bobina, utilizando ncleos A fasca queima oxignio e oxida os
diferentes, obteremos diferentes oposies, contatos da chave, reduzindo
conforme a figura abaixo, que compara um significativamente sua vida til.
ncleo de ar com um ncleo de ferro. Dependendo do valor da indutncia L e da
corrente do circuito, o arco voltaico pode
ocasionar queimaduras srias no operador
da chave, caso este no a manobre
adequadamente.

Visando reduzir a durao e as


conseqncias do arco voltaico, chaves
especiais oferecem dispositivos para reduzi-lo
atravs da abertura rpida dos contatos, injeo
de ar sob presso nos contatos ou um campo
magntico, que reduzem a propagao do arco.
5.11. Energia Acumulada no Indutor Algumas chaves tm seus contatos banhados
em leo isolante, atenuando assim a
O indutor ideal, assim como o capacitor ideal, manifestao do arco voltaico.
no dissipa a energia eltrica que recebe. No
caso do indutor ideal, essa energia
armazenada em um campo magntico. As 5.13. Correntes de Foucault
curvas da tenso, corrente e potncia de um
indutor, durante o processo de carga, so At agora, consideramos apenas
mostradas na figura abaixo. A energia condutores em forma de fio, mas pode-se
armazenada representada pela regio tambm obter correntes induzidas em
sombreada sob a curva de potncia. condutores macios. O cubo de cobre fixo, na
figura abaixo, est submetido a um campo
magntico varivel.

Dentro desse cubo, podemos encontrar


grande nmero de percursos fechados, como
L.i 2
EL = aquele que se destaca na figura. Em cada
percurso fechado, o fluxo magntico varia com
2 o tempo e, portanto, fem induzidas fazem
circular, no interior do cubo, correntes
induzidas, chamadas de Correntes de
5.12. Conseqncias do Arco Voltaico Foucault ou tambm de Correntes Parasitas.
J que o condutor macio tem resistncia
O aquecimento torna os contatos da chave eltrica muito pequena, as correntes de
rugosos, aumentando com isso a Foucault podem atingir valores elevados.
resistncia eltrica, devido a diminuio da Quando isto ocorre, h dissipao de

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considerveis quantidades de energia, fluxo magntico alternado no ncleo de


causando o aquecimento da massa metlica. ferro. Este fluxo primrio percorre o
Este fenmeno deve ser minimizado na caminho magntico de baixa relutncia
construo de transformadores e motores, para oferecida pelo ferro, cortando as espiras do
tanto, as massas metlicas que o compem so secundrio e induzindo, pela Lei de Faraday
laminadas afim de se aumentar a resistncia uma tenso Vs nos terminais, cujos mdulos
eltrica do mesmo. Assim diminu-se as esto expressos nas equaes abaixo.
correntes parasitas ou correntes de Foucault.
A principal aplicao deste fenmeno

na construo dos fornos de induo, onde Vp = Np. Vs = Ns.
uma pea metlica se funde, devido ao efeito t t
Joule originado pelas correntes de Foucault.

Isolando e igualando as equaes, temos:
t
5.14. Transformador Vp Np
=
O transformador um dispositivo que Vs Ns
permite modificar a amplitude de uma tenso
Desprezando-se as perdas, a potncia
alternada, aumentando-a ou diminuindo-a. Ele
absorvida no circuito primrio (Pp) igual
consiste, essencialmente, em duas bobinas
potncia fornecida pelo circuito secundrio
isoladas eletricamente, montadas em um
(Ps).
mesmo ncleo de ferro, conforme a figura
abaixo.

Onde: Pp = Vp.Ip e Ps = Vs.Is.

Igualando-se as potncias Pp e Ps, temos:

Ip Vs
=
Smbolo: Is Vp
Finalmente, relacionando tenso, corrente
e nmero de espiras em uma mesma equao,
obtemos:
Vp Np Is
= =
Vs Ns Ip

A bobina que recebe a tenso a ser Entretanto, em um transformador real,


transformada (Vp) denomina-se primrio, e a devido s perdas de potncia por efeito Joule
outra que fornece a tenso transformada (Vs) (correntes de Foucault e resistncia das
denomina-se secundrio. bobinas) e por disperso do fluxo magntico
A tenso alternada Vp, aplicada ao no acoplamento, a potncia do secundrio
circuito primrio, faz circular por suas espiras menor que a do primrio, isto , Ps<Pp,
uma corrente alternada Ip, originando um fazendo com que < 100%.

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Visando reduzir as perdas por correntes


parasitas (Foucault), os ncleos de
transformadores so constitudos por diversas
camadas laminadas, s quais aumentam a
resistncia eltrica entre as lminas, reduzindo
assim as correntes parasitas.
Um transformador s pode ser usado
com corrente alternada, uma vez que nenhuma
tenso ser induzida no secundrio, se no
houver variao do fluxo magntico. Se uma
tenso contnua aplicada ao primrio, s
haver induo de tenso no secundrio no
instante do fechamento ou abertura do circuito
primrio, pois somente nestes instantes haver
variao de fluxo magntico.

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Eletrnica analgica, digital e de potncia

Segundo o Dicionrio Aurlio, eletrnica a Parte da fsica dedicada ao


estudo do comportamento de circuitos eltricos que contenham vlvulas,
semicondutores, transdutores, etc., ou fabricao de tais circuitos. Outra definio
similar, mas de um ponto de vista diferente, a de que a eletrnica a cincia que tem
por objetivo estudar as diferentes formas de controlar a energia eltrica por meios
eltricos, nos quais os eltrons assumem um papel fundamental. Na realidade, todos os
dispositivos e circuitos em que os fenmenos relacionados envolvam o movimento de
eltrons (conduo) se enquadram nos estudos realizados pela eletrnica. E devido a
essa grande abrangncia que a eletrnica foi dividida em Analgica e Digital, de acordo
com a forma de representao dos sinais eltricos. Mesmo assim, o objetivo principal
desta cincia, nas duas divises, o de representar, armazenar, transmitir ou processar
informaes. Desta forma, a eletrnica est presente em:

 Computadores: armazenam e processam informaes;

 Nos sistemas de telecomunicaes: trasmitem informaes;

 Nos sensores e transdutores: considerando as grandezas fsicas sob as


diferentes formas de sinais eltricos;

 Nas usinas hidreltricas, termoeltricas e elicas: na transmisso da energia


gerada so necessrios transformadores, retificadores e inversores
(processamento da energia/informao) e as baterias (armazenamento da
energia/informao).

Neste material ser realizada uma pequena introduo a respeito deste ramo da
Engenharia Eltrica. A partir do estudo de um pouco da teoria sobre os dispositivos
mais utilizados nos circuitos eletrnicos, ser evidenciado as caractersticas que os
fazem ser de suma importncia em tantas aplicaes. Mas ser que o conhecimento
adquirido neste minicurso ser suficiente para implementar alguma coisa til? A
resposta SIM. Poderemos, ao final do curso, implementar alguns circuitos de lgica
muito utilizados no sensoriamento dentro do controle de casas, de nveis de tanques,
dentre outros. Implementaremos tambm circuitos retificadores, os quais so de suma
importncia para transmisso de energia, e construiremos circuitos com leds como
sinalizadores (similar aos leds utilizados atualmente nos sinais de trnsito). Veremos
tudo isso ao longo do curso. Ento BOA SORTE e aproveitem!
- EQUIPAMENTOS -
ALGUNS COMPONENTES ELETRNICOS

Resistor
O resistor considerado o mais bsico dos componentes. muito comum o erro
de cham-lo de resistncia, por exemplo, quando ouvimos algum dizer a resistncia
do chuveiro queimou ou at a resistncia do ferro de passar est queimada. Neste
caso, a resistncia a sua caracterstica eltrica, e o seu nome correto resistor. A
unidade utilizada pelo SI para medir resistncia o ohm, cujo smbolo .
Os resistores so constitudos por fios metlicos com baixa resistncia que, ao se
aplicar uma tenso sobre seus terminais, acabam por ser atravessados por uma corrente
eltrica. Neste caso, verifica-se a ocorrncia do efeito Joule, que consiste na
transformao de energia eltrica em calor. por este motivo que o resistor bastante
utilizado em aplicaes em que se deseja realizar o aquecimento de algo (por exemplo:
o aquecimento da gua no chuveiro eltrico).
Em circuitos eletrnicos o resistor tem outras finalidades e assim, devem
funcionar com a menor gerao de calor possvel. Mais abaixo, na figura 1.1, a foto de
resistores com o seu respectivo smbolo.

Figura 1.1 Resistores e seu smbolo

Existem resistores de diversos tipos e tamanhos. Dependendo da aplicao,


utiliza-se resistores maiores ou no (em termos de potncia). Da mesma forma, escolhe-
se o valor da resistncia de acordo com a necessidade da aplicao.

CDIGO DE CORES PARA RESISTORES

O valor da resistncia do resistor pode ser marcado diretamente no corpo do


mesmo, quer por meio de uma gerao direta do nmero correspondente ou quer pelo
uso de cdigos. O cdigo de cores a conveno utilizada para a identificao de
resistores de uso geral.
No corpo do componente existem anis coloridos inscritos e a cada cor dos anis
associado um algarismo, conforme a tabela 1. Para realizarmos a leitura da resistncia
devemos seguir os seguintes passos:
1. Identificar a cor do primeiro anel e o seu valor correspondente. Este algarismo
ser o primeiro dgito do valor da resistncia;
2. Identificar a cor do segundo anel e o seu valor correspondente. Este algarismo
ser o segundo dgito do nmero;
3. Identificar a cor do terceiro anel e o algarismo correspondente. Este valor
corresponde a potncia de 10 que dever ser multiplicada com o nmero obtido
nos itens 1 e 2. Depois de efetuar a operao ns obtemos o valor da resistncia.
4. Identificar a cor do quarto anel e verificar a porcentagem de tolerncia do valor
nominal da resistncia do resistor.

Tabela 1 Cdigo de Cores.

Cores 1 Anel 2 Anel 3 Anel 4 Anel


1 Dgito 2 Dgito Multiplicador Tolerncia
Prata - - 0,01 10%
Ouro - - 0,1 5%
Preto 0 0 1 -
1
Marrom 1 1 10 1%
Vermelho 2 2 102 2%
3
Laranja 3 3 10 -
Amarelo 4 4 104 -
5
Verde 5 5 10 -
Azul 6 6 106 -
7
Violeta 7 7 10 -
8
Cinza 8 8 10 -
9
Branco 9 9 10 -
Incolor - - - 20%

O primeiro anel sempre um dos que estiver mais prximo dos terminais e mais
prximo dos demais. O quarto anel a faixa mais isolada. Para facilitar o entendimento,
a figura 1.2 esquematiza o cdigo de cores em um resistor.

Figura 1.2 Cdigo de Cores

5
Exemplo: Qual a resistncia nominal de um resistor com os anis de cores Marrom,
Preto, Vermelho e Ouro, nesta ordem?

Resposta
Atravs do uso do cdigo de cores ns identificamos que: o primeiro dgito o 1,
o segundo o 0, o fator de multiplicao 2 e a tolerncia de 5%. Assim, a resistncia
deste resistor : 1K5%.

LEI DE OHM

Uma das Leis mostradas durante o curso de Eletricidade Bsica do Ensino Mdio
a LEI DE OHM. Atravs desta lei possvel obter uma relao direta entre a tenso
aplicada sobre um resistor, a corrente que o atravessa e o valor da sua resistncia. Sendo
assim, se aplicarmos diferentes tenses sobre uma mesma resistncia, obteramos a
seguinte curva:

Deste modo, temos que:

V
i=
R
V = R i

Os resistores que obedecem a LEI de OHM so ditos resistores hmicos ou seja,


possuem resistncia constante.

Exemplo: Na figura 1.3 temos um resistor de 6 em srie com uma bateria de 12V.
possvel determinar a corrente que atravessa o resistor? Se possvel, qual o valor da
corrente?

Figura 1.3 Relao entre corrente, tenso e resistncia.

Resposta
Atravs da LEI DE OHM possvel determinarmos o valor da corrente que
atravessa o resistor. Muitas vezes os dispositivos eletrnicos no suportam correntes

6
elevadas e torna-se necessrio um clculo prvio para evitar danos ao equipamento. A
resposta obtida da seguinte forma:
V 12V
i= o = = 2A
R 6

ASSOCIAO DE RESISTORES

muito comum encontrar resistores conectados uns aos outros em circuitos


eletrnicos. Existem duas diferentes formas de associaes entre resistores e estas so
do tipo srie e paralela. Veja na figura 1.4 como esto conectados os resistores em
ambos os casos:

Figura 1.4 Associao de resistores.

Dependendo da associao entre os resistores, a resistncia equivalente ser


obtida a partir das seguintes frmulas:

- Em paralelo: O inverso da resistncia equivalente dada pela soma dos inversos das
resistncias individuais:

1 1 1 1 1
= + + +L+
REQ R1 R2 R3 RN

- Em srie: A resistncia equivalente dada pela soma das resistncias individuais:

R EQ = R1 + R2 + R3 + L + R N

A associao de resistores de suma importncia, pois, como os valores


nominais de resistncia so padronizados, esta a maneira mais prtica de se obter
resistncias maiores ou menores do que as encontradas no mercado.

POTNCIA

Alm da corrente e tenso j conhecidas, outra grandeza eltrica importante


relacionada com os resistores a Potncia, sendo esta medida em watts, cujo smbolo

7
W. Potncia a energia fornecida, recebida ou gasta por unidade de tempo. Como j foi
mencionado, quando uma corrente eltrica atravessa um resistor, ocorre um
aquecimento do mesmo, ou seja, existe uma dissipao de energia na forma de calor.
Em outras palavras, o resistor est consumindo energia eltrica.
Se existe uma tenso V sobre um resistor R pelo qual percorre uma corrente i,
podemos obter as seguintes expresses para a Potncia:

(1) P = V i
Sendo : V = R i
( 2) P = R i 2
Sendo : i = V
R
2
(3) P = V
R

Exemplo: Considerando o mesmo circuito da figura 1.3, qual a potncia dissipada pelo
resistor de 6?

Resposta
Ser dissipada uma potncia de: P = 122 / 6 = 144/6 = 24 watts

DIVISOR DE TENSO

Considere o circuito representado na figura 1.5, constitudo por uma cadeia de


resistores ligados em srie com uma fonte de tenso.

Figura 1.5 Divisores de tenso

A determinao da queda de tenso referente aos terminais de cada uma das


resistncias dada pela expresso:

com j=1,2, . . . k. (1.1)

A corrente i que circula pelas resistncias dada por:

(1.2)

8
Sendo assim, substituindo a equao (1.1) na equao (1.2), obtm-se a seguinte
expresso:

(1.3)

Veja que atravs desta expresso possvel determinar a tenso sobre os


terminais de cada um dos resistores. Chamamos esta expresso por regra do divisor de
tenso.
Por exemplo, em um circuito com apenas dois resistores em srie com uma fonte
de tenso, para calcular a tenso sobre o resistor R1 utiliza-se a expresso abaixo:

J para calcular a tenso sobre o resistor R2 utiliza-se a expresso:

DIVISOR DE CORRENTE

Considere o circuito representado na figura 1.6, formado por um conjunto de


resistores ligados em paralelo com uma fonte de corrente.

Figura 1.6 Divisores de corrente.

Considerando G como sendo a condutncia, ou seja, o inverso da resistncia,


pode-se afirmar que a corrente que trafega por cada resistor dada Pela expresso
abaixo:

com j=1,2, . . . k. (1.4)

Sabendo que v a tenso sobre cada um dos resistores, temos que:

(1.5)

9
Portanto, substituindo (1.4) em (1.5), obtm-se a expresso da corrente em cada
um dos componentes. Veja:

(1.6)

A expresso acima conhecida como regra do divisor de corrente.


Como exemplo vamos estudar um circuito com apenas duas resistncias e uma
fonte de corrente ligados em paralelo. Observe que se desejarmos obter a corrente que
passa pelo resistor R1 utiliza-se a expresso:

Ou, no mais considerando as condutncias, mas sim, as prprias resistncias,


temos:

Desta forma, atravs das regras do divisor de tenso e do divisor de corrente, os


clculos de correntes e tenses em circuitos das mais diversas naturezas so bastante
facilitados.

Sensor
Um sensor definido como um dispositivo tecnolgico capaz de detectar, medir
ou gravar fenmenos fsicos, e de transmitir esta informao. Um transdutor por sua vez
um dispositivo que transforma uma forma de energia em outra.
Um sensor eltrico pode ser apenas um transdutor, que transforma diretamente
uma outra forma de energia em um sinal eltrico, ou ento um transdutor mais uma
parte que converta a energia resultante em sinla eltrico.
O uso de sensores fundamental quando se deseja medir e processar uma
informao (uma grandeza). Alm de outras aplicaes, estes dispositivos so
vastamente aplicados na rea de Controle e Automao, como por exemplo: na robtica;
na automao residencial; entre outros.

SENSORES MODELADOS POR RESISTORES

A modelagem de alguns sensores pode ser feita com o uso de resistores variveis
para quantificarmos a energia convertida em energia eltrica, ou para obtermos
respostas em circuitos auxiliares. Esta modelagem depender da caracterstica que os
sensores possuem e de qual tipo de energia convertida.
O circuito usado para analisar estes sensores o circuito divisor de tenso pois,
dependendo da intensidade da grandeza associada ao transdutor, a resistncia nos

10
terminais do sensor (RS) torna-se baixa ou alta. Desta forma, de acordo com a regra do
divisor de tenso, a tenso sobre o terminal do resistor R, ligado fonte de tenso, ser
prxima ao valor nominal da fonte (V) ou inferior a este valor, respectivamente. A
figura 1.7 mostra o circuito que modela estes sensores:

Figura 1.7 Circuito utilizado para modelar sensores.

SENSOR DE TOQUE

Este tipo de sensor muda suas caractersticas segundo a presena ou no de um


material que permita a conduo de corrente eltrica, no caso mais comum, nossos
dedos. O circuito de um sensor de toque pode ser modelado pelo circuito dado
anteriormente. Mas pensemos agora: como construir um sensor de toque?
Este sensor pode ser construdo usando-se dois condutores separados, por
exemplo, dois percevejos. Quando encostamos nosso dedo, fazendo com que ele fique
em contato com os dois percevejos simultaneamente, ns fechamos o circuito, pois o
dedo possui resistncia finita.
Analisando o sensor como um resistor varivel, pode-se concluir que: quando
no tocamos o percevejo, o sensor como um resistor de resistncia infinita (circuito
aberto); e quando colocamos o dedo, o sensor modelado como um resistor com
resistncia de valor K.
No estudo anterior sobre os resistores, j foi descrito o funcionamento do
circuito divisor de tenso, agora, basta fazer a anlise para os dois casos.

FOTOSENSOR

O LDR (do ingls Light Dependent Resistor) , como o nome j diz, um resistor
que varia o valor de sua resistncia de acordo com a luz incidente sobre ele. A relao
intensidade luminosa e a corrente que passa por este resistor caracterizada segundo o
seguinte grfico:

Figura 1.8 Grfico Corrente X Iluminao em um LDR.

11
Pelo grfico, ns podemos perceber que quando a intensidade luminosa aumenta
sobre o LDR, a corrente sobre ele tambm aumenta. Isto indica, pela Lei de Ohm, que a
resistncia do LDR diminuiu.
Ns podemos perceber tambm que existe um valor limite mnimo para a
resistncia do LDR. Este o ponto de saturao, ou seja, mesmo que a intensidade
luminosa aumente, o valor da resistncia do LDR ter esse valor.
Para verificar o funcionamento de um LDR, usa-se o circuito divisor de tenso
mostrado no inicio da seo. Essa anlise nos permite concluir que este sensor pode ser
utilizado em vrias aplicaes reais. Uma destas aplicaes a da iluminao pblica.
Usa-se fotosensores para saber se a luminosidade no ambiente ainda o suficiente, caso
contrrio, um circuito acionador liga as lmpadas dos postes, garantindo que a cidade
no fique s escuras.

Capacitor
Formado por duas placas paralelas e separadas por um material isolante,
conhecido como dieltrico, o capacitor um componente eletrnico capaz de armazenar
e fornecer cargas eltricas. A teoria que envolve o carregamento do capacitor um
pouco extensa, sendo mais detalhadamente tratada na disciplina Materiais Eltricos.
Neste minicurso, nos limitaremos a saber que quando ligada uma fonte de
tenso constante aos terminais do capacitor verificada a passagem de uma pequena
corrente pelo componente, de forma que esta circula at que o capacitor se carregue
completamente. Em um circuito simples com uma bateria e um capacitor, o componente
carregado com o mesmo valor da fonte.
Se fizermos a anlise da malha, verificaremos que ao atingir este valor de tenso
armazenada, a corrente ser nula. Neste momento, uma das placas fica com cargas
negativas (eltrons) e a outra com cargas positivas (lacunas=falta de eltrons).
Mais abaixo, na figura 1.9, so mostrados alguns tipos de capacitores.

Figura 1.9 - Capacitores e seu smbolo

Dentre as principais diferenas entre os capacitores, podemos citar os valores das


tenses eltricas suportadas, ou seja, se desejarmos impor uma tenso de 50 volts sobre
um capacitor, este ter um maior tamanho do que o que estiver sendo submetido a uma
tenso de 10 volts. Caso a tenso sobre o capacitor exceda o valor que o mesmo suporta,

12
dizemos que o componente sofreu ruptura do dieltrico. Neste caso, o material isolante
entre as placas passa a conduzir devido alta polarizao causada pela elevada tenso e
ento, em outras palavras, o capacitor explode!
Assim como com os resistores, muitas vezes as pessoas confundem os termos
capacitor e capacitncia. O valor de um capacitor chamado de capacitncia sendo esta
medida em faraday cujo smbolo F. Na prtica, encontramos valores baixos de
capacitncia, pois um capacitor de 1F seria enorme. Sendo assim, muito comum a
utilizao capacitncias da ordem de milsimos ou milionsimos do faraday.
Dentre as vrias aplicaes dos capacitores nos circuitos eletrnicos, podemos
destacar uma das principais, a filtragem. Sabe-se que o capacitor permite a passagem de
corrente alternada. Assim, o capacitor ora se carrega positivamente ora negativamente.
Neste mesmo raciocnio, quanto maior a freqncia da corrente alternada, maior a
facilidade com que ela circula pelo capacitor, de forma que este barra as componentes
de baixas freqncias de um sinal e permite a passagem das de freqncias altas, ou
seja, funciona como um filtro.
Outra aplicao se baseia no fato de que estes componentes podem armazenar
uma boa quantidade de cargas quando submetidos a uma tenso. Por exemplo, em um
circuito ao retirarmos a fonte de alimentao o capacitor continuar fornecendo ao
restante do circuito a tenso armazenada, apenas durante um pequeno intervalo de
tempo. Desta forma, os capacitores podem funcionar como uma bateria temporria.
Em geral, quando so necessrias capacitncias elevadas, so utilizados
capacitores eletrolticos de alumnio ou tntalo. Os capacitores eletrolticos de alumnio
so muito usados em fontes de alimentao, em circuitos de som, rdio e TV, e at em
placas de computador. Entretanto, para as placas de computador mais recomendvel o
uso dos capacitores de tntalo. Eles so mais caros, porm so mais durveis e de menor
tamanho.

Indutor
O indutor um componente eltrico constitudo por um fio enrolado em vrias
voltas. O valor do indutor conhecido como indutncia e tem como unidade de medida
o henry, cujo smbolo H. Assim como os capacitores, na prtica mais comum
encontrar indutncias de valores baixos, sendo mais utilizados o milihenry (mH) e o
microhenry (H). Na figura 1.10 mostrada uma foto de indutores com o seu respectivo
smbolo.

Figura 1.10 Indutores e seus smbolos.

13
Ao contrrio do capacitor, considerando uma corrente alternada atravessando o
indutor, verificamos que quanto maior a freqncia, maior a dificuldade da passagem
da corrente. Sendo assim, o indutor atravessado facilmente pela corrente contnua e
correntes de baixa freqncia.
Por conta destas caractersticas do capacitor e do indutor, estes componentes so
bastante utilizados na implementao de filtros, como por exemplo, os sintonizadores.
Quando giramos o boto sintonizador de estaes de um rdio (DIAL) estamos na
verdade atuando sobre um capacitor varivel, associado a uma bobina, e assim,
selecionando a freqncia desejada.

Bateria e fonte de alimentao


Para que os circuitos eltricos e eletrnicos funcionem adequadamente,
necessria a utilizao de um gerador de corrente eltrica. Estes geradores so baterias,
pilhas ou fontes de alimentao. Estes possuem dois terminais, sendo um positivo (por
onde sai a corrente) e o outro negativo (por onde entra a corrente). Mais abaixo, na
figura 1.11, so mostradas fotos de baterias e seu respectivo smbolo.

Figura 1.11 - Baterias e o seu smbolo.

Se tomarmos como exemplo o circuito de uma lanterna, podemos verificar a


existncia de uma bateria que tem seus terminais ligados aos da lanterna. Desta forma, a
corrente eltrica sai da bateria e segue atravs do fio at chegar na lmpada, onde a
energia eltrica convertida em energia luminosa e em calor. Em seguida, a corrente
segue o caminho at chegar ao terminal negativo da bateria. Neste caso dizemos que o
circuito est fechado.
Podemos perceber ento que a bateria um dispositivo que empurra a corrente
atravs dos fios que esto conectados aos seus terminais. Veja o esquema do circuito
mencionado na figura 1.12.

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Figura 1.12 - Esquema eltrico de uma lanterna. A letra i usada para designar a
corrente eltrica.

Se no existisse corrente atravessando a lmpada ela no acenderia, mesmo


existindo uma tenso sobre os seus terminais. Neste caso, dizemos que o circuito est
em aberto.
Outra possvel situao, que considerada anormal, o chamado curto-circuito.
Neste caso existe apenas um fio interligando os terminais positivo e negativo da bateria.
Como no existe um circuito para ser alimentado, a corrente tem enorme facilidade de
circular, podendo ento atingir valores muito altos, gerando muito aquecimento. Em
alguns casos os fios derretem ou at pegam fogo, e a bateria pode esquentar at ser
danificada.
No intuito de proteger os equipamentos da ocorrncia de curto-circuitos so
comumente utilizados fusveis.

Figura 1.13 - Circuito aberto e curto circuito.

Analisando os circuitos da figura acima, conclumos que: no caso do circuito


aberto a corrente que circula nula, mas a tenso entre os terminais a mesma tenso da
bateria; j no caso do curto-circuito, a corrente se torna muito alta, porm, a tenso entre
os terminais da bateria nula.
muito comum a utilizao de pilhas em vrios equipamentos como sons,
controles remotos, brinquedos, entre outros. As voltagens de uma pilha (bateria) so
especificadas. As pilhas, por exemplo, tm 1,5 volts. Tambm so bastante populares as
baterias de 9 volts. Hoje em dia encontramos vrios tipos de bateria com diversas
voltagens, inclusive recarregveis. o caso das baterias de telefones celulares.
No caso da fonte de alimentao, podemos verificar a existncia de um circuito
que recebe a tenso da rede eltrica e realiza vrias operaes como reduo,
retificao, filtragem e regulao. Na sada deste circuito obtida uma tenso contnua
semelhante fornecida por baterias. Na prxima aula mostraremos uma das formas de
retificao existentes.

15
- EQUIPAMENTOS -
ALGUNS INSTRUMENTOS: DE MEDIO E DE MONTAGEM

Protoboard
Protoboard um termo vindo do ingls muito utilizado na nomeao de uma
Matriz de Contatos, o que nada mais do que uma placa com milhares de furos e
conexes condutoras para montagem de circuitos eltricos experimentais. Nestes furos
so encaixados os componentes de forma que, torna-se possvel montar o circuito
desejado, pois as conexes internas do protoboard realiza a interligao eltrica dos
componentes inseridos na placa.
Uma das principais vantagens do protoboard durante a montagem de circuitos
eletrnicos a facilidade de introduo de componentes, sem que haja a necessidade de
soldagem.
O tamanho das placas variam de 1600 furos at 6000 furos, as conexes so
verticais e horizontais. Na figura 1.14 segue o formato do protoboard que usaremos
durante o mini-curso.

Figura 1.14 Esquema das ligaes internas de um protoboard.

Considerando as colunas enumeradas de 1 a 8, podemos afirmar que as


seqncias de cinco furos verticais das colunas 1, 4, 5 e 8 formam grupos que
representam um s n. Da mesma forma, as colunas 2, 3, 6 e 7, formadas por
seqncias de furos horizontais, tambm tm cada grupo de cinco furos como sendo um
nico n. Na figura 1.15, alguns circuitos montados em protoboard.

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Figura 1.15 Exemplos de montagens de circuitos em um protoboard ( esquerda); Foto de um
protoboard ( direita).

Multmetro digital
A realizao de medies de correntes, tenses ou resistncias, de suma
importncia em atividades realizadas em laboratrio ou em atividades envolvendo
hardware, quando se deseja medir a variao de alguma corrente, tenso ou resistncia.
Geralmente, para possibilitar essas medies atravs de apenas um aparelho, recorre-se
utilizao do multmetro digital.
O uso deste aparelho nos permite: checar tenses das fontes de alimentao e da
rede eltrica; verificar se as correntes que circulam pelo circuito estudado esto de
acordo com o esperado; realizar medio de resistncias; entre outros.
O multmetro digital, mesmo com tantos recursos a oferecer, de fcil acesso, de
tal forma que possvel realizar a compra de um modelo simples com aproximadamente
25 reais. A partir de 100 reais j possvel obter um multmetro mais sofisticado. Mais
abaixo, segue a foto de um multmetro digital bastante conhecido e que possivelmente
ns utilizaremos durante alguma das montagens.

Figura 1.16 - Multmetro digital.

Duas pontas de prova so normalmente encontradas com o multmetro: uma de


cor vermelha e outra de cor preta. A de cor vermelha deve ser ligada s entradas, ou
seja, na parte positiva do ramo que possui a grandeza a ser medida. Logo, apesar de

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poder ser conectada em outras entradas, na maioria das medidas realizadas a ponta
vermelha conectada no ponto indicado por V--mA. J a ponta de prova preta serve
como terra e deve ser posta no local de referncia desejado do circuito em estudo.
Sendo assim, a ponta preta conectada no multmetro no ponto onde se encontra a
especificao GND ou COM.

MEDIO DE TENSES VOLTMETRO

de suma importncia a anlise do circuito no qual se est medindo alguma


grandeza, pois, necessrio ter noo do tipo de medida eltrica, bem como da sua
ordem de grandeza. Por isto, existe no multmetro uma chave rotativa que responsvel
pela seleo da medida eltrica a ser feita, bem como da sua ordem de grandeza
aproximada (necessria para a obteno de uma maior preciso).
Atravs da chave rotativa possvel selecionar durante a medio, dentre outras,
as seguintes opes:

Relativa s grandezas eltricas:

 V para voltagem:
 AC(corrente alternada);
 DC(corrente contnua).
 para resistncia;
 mA para corrente.

Relativa ordem de grandeza:

 Para tenses:
 200 mV;
 2 V;
 20 V;
 200 V;
 2000 V.

Para ilustrar a importncia da seleo de escala no multmetro, utilizaremos


como exemplo a medio da tenso da bateria da placa de CPU. Espera-se medir valores
em torno de 3 volts, logo no devemos usar a escala de 2V, pois tenses acima deste
valor sero indicadas como 1,9999V. Sendo assim, o correto seria utilizar a escala de
20V para que tenhamos acesso ao valor mais aproximado do real.
Este raciocnio serve para qualquer caso em que o multmetro esteja sendo
utilizado. Nos casos em que no se tem idia do valor esperado da grandeza eltrica,
devemos iniciar as medies utilizando a maior escala possvel, assim no corremos o
risco de medir tenses altas com uma escala baixa, o que poderia danificar o aparelho.

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Figura 1.17 - Medio de tenso.

Portanto, para medir tenso entre dois pontos, deve-se selecionar a escala
apropriada e em seguida encostar as pontas de provas nos terminais nos quais a tenso
ser medida. Caso se deseje medir a tenso em relao ao terra, basta fixar a ponta de
prova preta em algum n que esteja conectado ao terra, usando a ponta de prova
vermelha para medir a tenso no ponto desejado.

MEDIO DE RESISTNCIAS OHMMETRO

Da mesma forma, a medio de resistncia tambm possui escalas.


Analogamente aos casos anteriores, deve-se escolher uma escala que comporte o valor
esperado na medio. Assim como com tenses, caso no se tenha idia da escala a ser
utilizada, o correto escolher a maior escala.
Na medio de resistncias a escolha de escalas importante para se obter mais
preciso nos valores fornecidos pelo multmetro. Podemos usar o multmetro como
ohmmetro (medio de resistncias) para verificar se um cabo est partido ou se um
fusvel est queimado. Se o fio ou fusvel esto em boas condies a resistncia medida
baixa, sendo este valor em geral inferior a 1 ohm. J se o cabo estiver partido ou o
fusvel queimado, teremos um circuito em aberto e, consequentemente, a resistncia
medida ser bem alta.
importante lembrar que estas verificaes devem ser feitas com o circuito
desligado. Vale salientar tambm que se medirmos a resistncia de um resistor inserido
em um circuito o valor medido ser influenciado pelos outros componentes, mascarando
assim o valor real do resistor em questo. Portanto, a forma correta de se medir
resistncias com o resistor desacoplado do circuito, conforme indicado na figura 1.18.

19
Figura 1.18 - Medindo o valor de um resistor.

OBS: No caso de medies de resistncias acima de 10k ohms, recomendvel no


tocar as mos nas pontas de prova do multmetro, pois a resistncia do corpo humano
provocar erro na medida.

MEDIO DE CORRENTES AMPERMETRO

As medies de corrente so realizadas de uma forma um pouco diferente dos


casos anteriormente mostrados. Como j se foi mencionado, para verificarmos tenses,
devemos introduzir o voltmetro em paralelo com o ramo em questo, pois estando o
voltmetro em paralelo com o ramo se ter acesso tenso desejada. J para se medir
corrente, necessrio que a corrente a ser medida seja a mesma que passa pelo
ampermetro e por isso o mesmo deve estar em srie com o ramo por onde circula a
corrente especificada.

Figura 1.19 - Os multmetros possuem entradas adicionais para medir altas tenses e altas
correntes.

A figura 1.19 ilustra um multmetro que possui uma entrada para medir volts,
ohms e Hertz (este mede tambm freqncia), uma outra entrada para medir
miliampres e outra para correntes de at 10 ampres. Alguns multmetros podem ainda
medir transistores para verificar se esto bons ou queimados.
sempre importante que se tome cuidado em relao ponta de prova vermelha,
pois pode ser necessrio que esta seja conectada em outras entradas, dependendo da
grandeza a ser medida. Em geral os multmetros possuem entradas adicionais para medir
altas voltagens e altas correntes.

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- MONTAGENS -

- ASSOCIAO DE RESISTORES (Em paralelo e em srie)

10.00k
OHMS 2.000k
OHMS
R1 R2 R3 R4 R5 R6
10k 10k 10k 10k 10k 10k

9.983k
OHMS

R1 R2 R3
1k 3k 6k

- DIVISOR DE TENSO

2.000 V 9.000 V 5.000 V


DC V DC V DC V

R1 R5
4k R4
1k 4k
A

+ V1 + V3 + V2
10V R2 10V R6
1k 10V R3
9k 4k

- DIVISOR DE CORRENTE

Is1 R1 R2 Is2 R3 R4 Is3 R5 R6


1A 1k 9k 1A 1k 1k 1A 1k 1Meg
100.00m

999.0uA
900.0mA

500.0mA

999.0mA
500.0mA
DC A

DC A
DC A

DC A

DC A
DC A

21
- CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES -
A ESTRUTURA DA MARRIA

Toda matria constituda por tomos, os quais possuem nutrons, eltrons e


prtons. Essas partculas possuem uma carga, ou seja, os eltrons possuem carga
negativa, os prtons cargas positivas enquanto os nutrons no possuem carga. A figura
2.1 mostra o modelo do tomo:

Figura 2.1 Modelo Atmico.

A passagem desses eltrons por um corpo qualquer, como demonstrado na figura


2.2, denominada de corrente eltrica.

Figura 2.2 Corrente Eltrica.

OBS: Diante das grandezas eltricas, preciso saber diferenciar de forma clara corrente
de tenso. Muitos pensam que, por exemplo, um choque de altas tenses mortal,
porm, ele no seria se no existisse a corrente eltrica. A corrente como se fosse a
medida da quantidade de eltrons passando. Grotescamente, ns poderamos afirmar que
tenso a presso que esses eltrons fazem. Voc leva choques de altas tenses toda vez
que tira o casaco de l num dia frio, porm a corrente existente nesse caso fraqussima.

muito comum a utilizao dos termos: condutor e no condutor. Embora


consideremos em geral os casos ideais, no existem elementos que conduzem e
elementos que isolam perfeitamente. Sendo assim, todo corpo possui uma resistncia
intrnseca. No existe separao muito definida entre elementos que conduzem e isolam.

22
J alguns outros materiais, nem so bons condutores e nem so bons isolantes
sendo ento denominados de semicondutores. Estes sim, podem tanto conduzir quanto
isolar, dependendo do jeito que so tratados. Na tabela abaixo seguem as resistividades
de alguns materiais:

Tabela 2. Resistividade dos materiais.

SUBSTNCIA RESISTIVIDADE (Ohms/cm)


Prata 0,000016
Cobre 0,000017
Ouro 0,000023
Alumnio 0,000028
Germnio 47
Silcio 214000
Vidro 1000000000000
mbar 50000000000000000
Mica 90000000000000000

SEMICONDUTORES

Os tomos possuem camadas externas pelas quais os eltrons circulam.


Denominadas KLMNOPQ, cada uma possui um nmero mximo de eltrons
permitidos.
Separando a "eletrosfera" de um tomo em camadas, podemos chamar a camada
mais externa de camada de Valncia. Esta camada que determina as caractersticas
fsicas de um elemento.
Separando as camadas do silcio temos:

K=2, L=8, M=4.

Figura 2.3 Camadas do silcio.

Assim, a camada de valncia do silcio possui 4 eltrons bem como a do


germnio, que tambm considerado semicondutor. Como essa camada suporta at 8
eltrons, o silcio faz 4 ligaes e isso que determina suas caractersticas de resistncia
e de cristalinidade.
Essas ligaes ente os eltrons so chamadas de ligaes covalentes. A -273 C,
ou a 0 grau absoluto, o silcio seria um isolante de eletricidade, porm, quando em
temperatura ambiente (25 C), algumas ligaes se desfazem deixando a ligao livre.

23
Esse eltron que se soltou deixa ento um espao vazio com carga positiva, chamado de
LACUNA. Essa lacuna pode se deslocar tanto quanto o eltron sobre o material. Veja:

Figura 2.4 Movimento de eltrons e lacunas.

IMPUREZAS

Para que o nosso dispositivo semicondutor seja til precisamos que ele no seja
puro. Desta forma, precisamos trat-lo conforme nossa necessidade. Tal tcnica de
adicionar impurezas se chama Doping.
Se adicionarmos impurezas com um eltron a mais na camada de valncia
(fsforo, antimnio, arsnico) teremos uma substncia com eltrons extras. Porm se
adicionarmos ao silcio elementos com um eltron a menos na camada de valncia
(alumnio, boro) temos uma substncia com lacunas extras.

Figura 2.4 Dopagem tipo N ( esquerda) e tipo P ( direita).

Impurezas com eltrons extras so chamadas de doadoras, ou TIPO N, e com


lacunas so aceitadoras, ou TIPO P. Essas notaes sero necessrias para entender o
funcionamento de transistores e diodos.

- DISPOSITIVOS ELETRNICOS -
Diodo
Dentre os componentes semicondutores mais conhecidos podemos citar o diodo.
Em geral, o diodo feito do mesmo material que os transistores e chips, a partir do
silcio (tambm podendo ser encontrado a partir do germnio). Existe um processo em
que so adicionadas impurezas ao silcio no intuito de se formar trechos do tipo N
(eltrons em excesso) e do tipo P (lacunas em excesso). O intuito deste mini-curso
clarear a idia de que: quando formada uma juno PN a corrente trafega com

24
facilidade do trecho P para o trecho N, mas no consegue no sentido contrrio. A figura
2.5 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.

Figura 2.5. Estrutura bsica de um diodo semicondutor.

Quando uma tenso aplicada entre as regies P e N, a diferena de potencial


verificada na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor
muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores).
Apesar da resistncia mencionada, a corrente ainda consegue passar atravs desta
regio. Durante esta conduo, se o campo eltrico na regio de transio for muito
intenso, os portadores de carga que esto trafegando por esta regio sofrero uma
acelerao, chegando a obter grandes velocidades. O aumento da velocidade dos
portadores causam choques com os tomos da estrutura semicondutora, produzindo
novos portadores que tambm sero acelerados, produzindo ento um efeito de
avalanche. Este fato explica o aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso
na juno.
J quando se polariza reversamente um diodo (se aplica uma tenso negativa no
anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N)), mais portadores positivos (lacunas)
migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio
aumenta, elevando a barreira de potencial e, conseqentemente, a resistncia torna-se
alta suficiente para bloquear a passagem de corrente.
No caso da polarizao direta, possvel verificar o estreitamento da regio de
transio, que acaba causando a reduo da barreira de potencial e da resistncia neste
trecho. Desta forma, quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca
de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo
potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo. Diz-se
ento, que quando em conduo, existe uma queda de tenso de aproximadamente 0,7V
no diodo.
Portanto, o diodo possui dois terminais ligados s partes da juno PN.
Denomina-se o terminal referente parte P como sendo o anodo e o referente parte P
como sendo o catodo. Portanto, dizemos que a corrente trafega no sentido do anodo para
o catodo, mas no no sentido catodo-anodo. Veja:

25
Figura 2.6 Conduo de corrente no diodo.

Mais abaixo, temos a figura ilustrativa dos diodos junto ao seu smbolo.

Figura 2.7 - Diodos e seu smbolo.

No diodo utilizado em laboratrio, podemos verificar uma barra pintada em uma


das extremidades. O terminal conectado a esta extremidade o catodo. Por
conseqncia o outro terminal o anodo. Veja:

Figura 2.8 -Diodo utilizado na montagem.

Por conta da caracterstica de conduzir a corrente num sentido e bloquear no


sentido inverso, o diodo largamente utilizado em vrias aplicaes. Dentre elas, em
circuitos retificadores. Eles atuam no processo de transformao de corrente alternada
em corrente contnua, como ser mostrado na parte experimental.

26
LED

O LED (Light Emitting Diode) um tipo especial de diodo que tem a


capacidade de emitir luz quando atravessado por uma corrente eltrica. Este
dispositivo tem o mesmo comportamento do diodo simples, permitindo a passagem de
corrente no sentido direto anodo-catodo (neste caso o LED acende) e bloqueando a
passagem de corrente no sentido inverso catodo-anodo (neste caso o LED no acende).
Mais abaixo, segue a foto dos LEDs junto com o seu smbolo.

Figura 2.9 - LEDs e seu smbolo.

Existem LEDs que emitem luz vermelha, verde, amarela e azul. Existem LEDs
que emitem luz infravermelha, muito usados em sistemas de alarmes. Existem ainda os
que emitem luz vermelha ou verde, dependendo do sentido da corrente. Estes so na
verdade dois LEDs, um vermelho e um verde, ambos montados sobre a mesma base, e
ligados em paralelo, um no sentido direto e outro no inverso. Este tipo de LED usado,
por exemplo, em gravadores de CD-ROM. Quando esto lendo, emitem luz verde ou
amarela, e quando esto gravando, emitem luz vermelha.
Neste laboratrio, utilizaremos LEDs como o modelo mostrado a seguir. Como
podemos observar, o terminal de maior tamanho o anodo e o de menor tamanho
catodo. Veja na figura abaixo:

Figura 2.10 Esquema eltrico do LED usado no experimento.

Em geral, quando conectamos um LED em um determinado circuito necessrio


associar um resistor em srie, com o intuito de limitar a corrente para que o LED no
queime. Mostraremos esta ligao mais adiante na parte experimental.

27
Sensores Infravermelho
Depois de estudarmos os diodos e os LEDs, vamos agora saber um pouco mais
sobre os semicondutores. Assim como os LEDs, os sensores infravermelho tm
funcionamento semelhante ao de um diodo. Um sensor infravermelho composto por
um emissor e um receptor. O seguinte circuito pode ser montado para a anlise desses
sensores:

Figura 2.11 Circuito utilizado para fazer a anlise dos sensores infravermelho.

O emissor o responsvel por enviar os raios infravermelhos, que sero captados


pelo receptor, para que o circuito funcione como desejamos. O receptor um diodo que
entra em estado de conduo quando polarizado diretamente e recebe uma quantidade
de raios infravermelhos suficiente.
Pelo circuito podemos ver que, utilizando o modelo do diodo ideal, se as
condies de conduo do receptor forem satisfeitas, a tenso sobre os terminais do
resistor ser igual ao da fonte. Caso contrtio, no passar corrente no circuito e por
conseqncia a tenso sobre o resistor ser nula. Logo podemos concluir que esse
circuito pode ser usado para obtermos informaes.
Como exemplo de aplicao desse circuito, utilizaremos um sistema de
segurana. Se os raios infravermelhos forem bloqueados, no caminho entre o emissor e
o receptor, haver uma queda de tenso no resistor, e portanto, essa queda pode ser
usada para acionar um circuito de alarme utilizado na segurana de lojas.

Transistores
Aps o estudo sobre o diodo, que o principal dispositivo semicondutor de dois
terminas, iniciaremos agora o estudo sobre os dispositivos semicondutores de trs
terminais. Estes dispositivos so muito mais usados do que os de dois terminais devido
a sua vasta aplicao, que parte desde a amplificao de sinais at o projeto de circuitos
digitais e de memria.
O principal dispositivo semicondutor de trs terminais o transistor. Inventado
em 1947 nos Laboratrios da Bell Telephone, este dispositivo um substituto das
vlvulas eletrnicas com grandes vantagens: tamanho minsculo, menor custo e
pequeno consumo de energia.
O termo transistor vem de transfer resistor (resistor de transferncia), como era
conhecido pelos seus inventores. Em circuitos analgicos, o processo de transferncia
de resistncia significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima
ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. A partir desta caracterstica, ns
podemos definir o seu princpio bsico de operao: uso de uma tenso entre dois
terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal.

28
Desse modo, um transistor pode ser utilizado como uma fonte controlada, a qual
a base para o projeto de amplificadores. No caso extremo, a tenso de controle pode
ser usada para fazer com que a corrente no terceiro terminal varie de zero at um valor
significativo, fazendo com que este dispositvo implemente uma chave analgica, que
o elemento bsico dos circuitos digitais.
Por estas aplicaes ns podemos concluir que o transistor o mais importante
componente eletrnico j criado, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores
e equipamentos eletrnicos.

Figura 2.12 Transistores e seus smbolos.

Existem dois tipos principais de dispositivos de trs terminais: o transistor


bipolar de juno (TBJ), geralmente chamado apenas de transistor; e o transistor de
efeito de campo (FET). Os dois tipos so igualmente importantes, tendo cada um
vantagens e aplicaes distintas. Neste material, nos dedicaremos ao estudo dos dois
tipos.
Na figura 2.12 temos a foto de transistores e a simbologia dos transistores TBJ
npn e pnp.

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

O transistor bipolar de juno consiste em duas junes pn construdas de um


modo especial e conectadas em srie e em oposio. A conduo de corrente se d por
eltrons e lacunas, da o termo bipolar.
O TBJ possui trs regies semicondutoras: o emissor (E), a base (B) e o coletor
(C); e duas junes pn, denominadas: juno emissor-base (JEB) e juno coletor-base
(JCB). Dependendo da condio de polarizao destas junes, so obtidos trs modos
de operao, como especificado na tabela abaixo.

Tabela 3 Modos de Operao do TBJ.

Modo JEB JCB


Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturao Direta Direta

29
Para o TBJ ser utilizado como amplificador preciso que ele opere no modo
ativo. J para utiliz-lo como chave, preciso que ele opere nos modos corte e
saturao.
No transistor npn a base do tipo p e as outras regies so do tipo n. De formar
anloga, no transistor pnp a base do tipo n e as outras regies do tipo p. A estrutura
simplificada dos transistores npn e pnp so mostradas nas figuras 2.13 e 2.14,
respectivamente.

Figura 2.13 Estrutura simplificada do transistor npn.

Figura 2.14 Estrutura simplificada do transistor pnp.

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Embora o conceito bsico do FET tenha sido conhecido desde 1930, antes
mesmo da inveo do TBJ, o dispositivo apenas se tornou uma realidade prtica na
dcada de 60.
O nome de transistor de efeito de campo origina-se de seu princpio fsico de
operao, pois o mecanismo de controle baseado no estabelecimento de um campo
eltrico pela tenso aplicada no terminal de controle. Outra caracterstica interessante
que o FET unipolar, ou seja, a conduo de corrente acontece apenas por um tipo de
portador (eltrons ou lacunas), de acordo com o tipo de FET (canal n ou canal p).
Basicamente, existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de juno
(JFET Junction Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de campo de porta
isolada (MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Os transistores de efeito de campo operam em trs regies: de corte; de triodo; e
de saturao. A regio de saturao usada se o FET for operar como amplificador.
Para operar como chave, so usadas as regies de corte e de triodo.
As regies de operao so determinadas pelas tenses porta-fonte e dreno-
fonte.

30
JFET

O transistor JFET consiste em uma fina camada de mateiral tipo n ou tipo p,


dependendo do canal, com dois contatos hmicos, a fonte (S) e o dreno (D), e dois
contatos retificadores, denominados portas (G).
A conduo de corrente em um JFET se d pela passagem de portadores de
carga da fonte (S-Source) para o dreno (D-drain), atravs do canal entre os elementos da
porta (G-Gate).
A polarizao de um JEFT cana n feita da seguinte forma: uma tenso positiva
aplicada entre os terminais do dreno e da fonte, estabelecendo uma corrente; e um
tenso negativa aplicada entre os terminais da porta e da fonte.
O aumento da tenso porta-fonte cria uma camada de depleo em volta das
regies p, estreitando o canal condutor. Se tentarmos aplicar uma tenso porta-fonte
positiva a juno porta-canal torna-se diretamente polarizada e a porta deixa de
controlar o canal.
A anlise de um transistor JFET canal p feita de forma anloga.

Figura 2.15 Transistor JFET canal n e smbolo.

MOSFET

H dois tipos de MOSFET: tipo enriquecimento (ou acumulao); e tipo


depleo. O MOSFET tipo enriquecimento o tipo de transistor mais usado. Sua
estrutura bsica simplificada mostrada na figura abaixo.

Figura 2.16 MOSFET canal n tipo enriquecimento.

A operao deste transistor consiste na aplicao de uma tenso positiva porta-


fonte, que faz com que as lacunas livres sejam repelidas da regio do substrato sob a
porta e que eltrons das regies n da fonte e do dreno sejam atrados para esta mesma
regio. Quando for acumulado um nmero suficiente de eltrons uma regio n criada,
conectando as regies da fonte e do dreno.
A partir deste ponto, se uma tenso for aplicada entre os terminais do dreno e da
fonte, um corrente circular por essa regio induzida (canal). A tenso necessria para
formar um canal de conduo denominada tenso de limiar.
A anlise para o MOSFET canal p tipo enriquecimento anloga.

31
A diferena bsica entre os MOSFETs tipo acumulao e depleo est no canal,
pois no modo depleo o canal j est fisicamente implementado, e a tenso porta-fonte
apenas controla a largura do mesmo.
Entre o MOSFET e o JFET a diferena a porta isolada eletricamente do canal.
E por este fato que a corrente da porta do MOSFET extremamente pequena,
independendo da tenso na porta (positiva ou negativa).

- MONTAGENS

- REGIES DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR(CHAVE


ANALGICA)
V1
5V V1
+V 5V
+V

R2 -4.588pA
DC A R2 229.5nA
1k DC A
Q1 1k
NPN Q1
+ V2 NPN
+ V2
0.3V
0.7V
16.01pA

23.18uA
DC A

DC A
R1 R1
1k 1k

V1
5V V1
+V 5V
+V

R2 11.97uA
DC A R2 41.07uA
1k DC A
A Q1 1k
NPN A Q1
NPN
+ V2
+ V2
2V
5V
1.209mA

4.148mA
DC A

DC A

1
R1
1k R1
1k

V1
5V
+V

R2 4.189mA
1k DC A
A Q1
NPN
+ V2
10V
4.980mA
DC A

R1
1k
32
- MONTAGENS
AULA PRTICA E SIMULAES

- RETIFICADOR DE MEIA ONDA SEM CAPACITOR


V1
-1/1V D1
DIODE
B A
1kHz
R1
1k

Xa: 5.000m Xb: 0.000 a-b: 5.000m freq: 200.0


Yc: 1.200 Yd:-1.200 c-d: 2.400

b a
A 1.2 c
B
800m

400m

-400m

-800m

-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage

- RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM CAPACITOR


V1
-1/1V D1
DIODE
B A
1kHz
R1 C1
1k 1uF

Xa: 5.000m Xb: 0.000 a-b: 5.000m freq: 200.0


Yc: 1.200 Yd:-1.200 c-d: 2.400

b a
A 1.2 c
B
800m

400m

-400m

-800m

-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage

33
- RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA SEM CAPACITOR
V1
-1/1V D1
DIODE
C A
1kHz R1
1k

V2
-1/1V
D2
DIODE
B
1kHz

Xa: 5.000m Xb: 0.000 a-b: 5.000m freq: 200.0


Yc: 1.200 Yd:-1.200 c-d: 2.400

b a
A 1.2 c
B
C 800m

400m

-400m

-800m

-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage

- RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM CAPACITOR


V1
-1/1V D1
DIODE
C A
1kHz R1 C1
1k 1uF

V2
-1/1V
D2
DIODE
B
1kHz

Xa: 5.000m Xb: 0.000 a-b: 5.000m freq: 200.0


Yc: 1.200 Yd:-1.200 c-d: 2.400

b a
A 1.2 c
B
C 800m

400m

-400m

-800m

-1.2 d
0 833u 1.67m 2.5m 3.33m 4.17m 5m
Ref=Ground X=833u/Div Y=voltage

34
- INTRODUO AOS CIRCUITOS LGICOS -

Operadores Lgicos
possvel desenvolver a eletrnica digital a partir da elaborao e da
implementao de circuitos capazes de executar operaes lgicas, tambm conhecidas
como operaes booleanas (por conta da lgebra de Boole). Neste mini-curso sero
verificadas trs principais operaes que so o E (AND), o Ou (OR) e o No
(NOT). Partindo desses trs operadores possvel realizar a construo de circuitos
mais complexos como:

 Somadores e Subtratores;
 Multiplicadores e divisores;
 Clulas de memria;
 Registradores, multiplexadores, decodificadores;
 Entre outros.

A utilizao dos circuitos mencionados acima de forma conjunta, em forma de


chips, possibilita a construo de circuitos ainda mais complexos e sofisticados como
por exemplo:

 Processadores;
 Memrias;
 Chips grficos;
 Chipsets;
 Microcontroladores;
 Entre outros.

Como dito anteriormente, possvel fazer uma analogia de um operador lgico


com um operador aritmtico. Assim como temos na aritmtica operaes como 5 + 2 =
7 (adio), temos na lgica operaes como 1 AND 1 = 1, 1 OR 0 = 1 e NOT 1 = 0. As
operaes lgicas podem ser descritas atravs de um tabela especifica, a qual
denominamos de tabela da verdade.

OPERADOR NOT

O operador NOT, tambm conhecido como inversor, um operador de apenas


uma entrada e produz em sua sada o bit inverso do recebido como entrada. Ou seja, ao
receber um bit 0 o inversor produz um bit 1 em sua sada e, de forma anloga, ao
receber um bit 1, produzir um bit 0. A tabela da verdade segue abaixo.

A NOT A
0 1
1 0

35
OPERADOR AND

O operador AND possui duas entradas e uma sada. Ser produzida na sada o bit 1
no caso em que as duas entradas so 1 simultaneamente, ou seja, em qualquer caso em
que uma das entradas for 0, ser produzida uma sada com bit 0. Na seqncia, a tabela
da verdade do operador AND.

A B A AND B
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1

OPERADOR OR

No caso do operador OR, tambm so encontradas duas entradas e uma sada,


porm, este operador produz uma sada 1 quando pelo menos uma das entradas possuir
o valor 1. Ou seja, a sada do operador OR ser 0 apenas quando ambas as entradas
forem 0. Mais abaixo, segue a tabela da verdade do operador OR.

A B A OR B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

Em geral, atravs dos transistores descritos neste material, os operadores lgicos


NAND, NOR e NOT so mais fceis de implementar. O NOT o mesmo descrito mais
acima, j o NAND e o NOR nada mais so do que os operadores AND e OR negados,
ou seja NOT AND e NOT OR, respectivamente. As tabelas da verdade mostradas
abaixo descrevem estes operadores.

A NOT A B A NAND B A B A NOR B


A
0 1 0 0 0 0 0 0

1 0 0 1 0 0 1 1

1 0 0 1 0 1

1 1 1 1 1 1

36
Circuitos Lgicos
Como mencionado anteriormente, iremos nos deter no estudo dos circuitos
bsicos, os quais so a base para implementao de circuitos mais complexos. Desta
forma, mostraremos os circuitos referentes s operaes NAND, NOR e NOT. Vale
lembrar que, considerando o funcionamento do MOSFET como chave analgica,
importante saber que os NMOS iro conduzir do dreno D para a fonte S se possuir 1
lgico no gate G. Ao contrrio, o PMOS conduzir se o gate G estiver com o 0 lgico.

NOT

Figura 3.1 Circuito Eltrico (MOS): Porta Lgica NOT.

A porta NOT possui apenas uma entrada. Ou seja, se considerarmos E(V)=0V(0


lgico), o PMOS(transistor de cima) ir conduzir e o NMOS (transistor de baixo)
bloquear, fazendo S(V)=5V(1 lgico). No caso contrrio, sendo E(V)=5V(1 lgico), o
NMOS ir conduzir e o PMOS bloquear, fazendo S(V)=0V(0 lgico).

NAND

Figura 3.2 Circuito Eltrico (MOS): Porta Lgica NAND.

Neste circuito, no caso, por exemplo, de E1=E2=0, os transistores de cima iro


conduzir e os de baixo iro bloquear, levando o 1 lgico para a sada S. J se E1=0 e
E2=1, percebe-se que um dos transistores de cima ir conduzir o que suficiente para
fazer S=1. O mesmo raciocnio usado para os outros casos.

37
NOR

Figura 3.3 Circuito Eltrico (MOS): Porta Lgica NOR.

Agora, considerando a porta lgica NOR, se tomarmos como exemplo um caso


com entradas A=B=0, percebe-se que os transistores de cima iro conduzir e os de baixo
iro bloquear, levando o 1 lgico para a sada S. J se A=0 e B=1, percebe-se que um
dos transistores de baixo ir conduzir o que suficiente para fazer S=0. O mesmo
raciocnio usado para os outros casos.

- MONTAGENS

- INVERSOR

V1
5V
+V

Q2
V2 PNP
0/5V
A B
1MHz
Q1
NPN

Circuito referente operao NOT

38
Entrada V2(A)

Sada(B)

- PORTA NAND
V1
5V
+V

Q4 Q3
PNP PNP
V2
0/5V C
A
1MHz
V3
0/5V Q2
NPN
B
1MHz
Q1
NPN

Circuito referente operao NAND

Entrada V2(A)

39
Entrada V3(B)

Sada (C)

- PORTA NOR
V1
5V
+V

Q4
V2 PNP
0/5V
A
1MHz Q3
PNP
V3
0/5V
C
B
1MHz
Q2 Q1
NPN NPN

Circuito referente operao NOR

40
Entrada V2(A)

Entrada V3(B)

Sada (C)

41
- SIMULAO DIGIAL -
Motivao
A simulao digital na Engenharia Eltrica de suma importncia, pois ela nos
permite verificar a validade do circuito que projetamos sem que corramos o risco de
danificarmos os componentes e aparelhos utilizados.
Os circuitos estudados podem ser simulados para a verificao e fixao dos
conceitos abordados, bem como para conhecermos mais uma ferramenta no estudo dos
circuitos eletrnicos.

Circuit Maker Student version


O CircuitMaker o simulador que utilizaremos no mini-curso, com ele
poderemos fazer a simulao de todos os circuitos apresentados aqui. A seguir esto
alguns passos que voc deve realizar para a familiarizao com esse timo simulador.

INSERINDO COMPONENTES

Para inserir componentes na rea de trabalho do CircuitMaker basta dar um


clique com o boto esquerdo do mouse em Devices. Neste momento, aparecero quatro
opes, clique com o boto direito do mouse em Browse, assim como est mostrado na
seguinte figura:

Figura 4.1 Abrindo a lista de componentes.

A janela Device Selection vai aparecer, figura 4.2. Nela voc encontrar uma
lista de componentes que podem ser simulados neste software. Para acrescentar um
componente na rea de trabalho basta escolhermos, em Major Device Class, a classe,
em Minor Device Class, a sub-classe e, em Device Symbol, o smbolo do componente
em questo.

42
Figura 4.2 Janela Device Selection.

Como exemplo, vamos adicionar o transistor TBJ na rea de trabalho. Em Major


Device Class escolha Transistors, em Minor Devices Class escolha BJTs e em Device
Symbol escolha NPN Trans:C. Agora, clique com o boto esquerdo do mouse em place
e coloque onde desejar, na rea de trabalho, o componente.

Figura 4.3 Escolhendo o transistor TBJ NPN.

LIGANDO OS COMPONENTES

Siga os passos a seguir para inserir alguns componentes, deixando-os nas


posies indicadas na figura 4.4.

 Device -> Browse -> Transistors -> BJTs -> NPN Trans:C -> Place.

 Device -> Browse -> Sources -> Linear -> +V -> Place.

 Device -> Browse -> Sources -> Linear -> Battery -> Place.

43
 Device -> Browse -> Sources -> Linear -> +V -> Ground.

 Device -> Browse -> Resistors -> Resistors ->Resistor -> Place.

 Device -> Browse -> Instruments -> Analog ->Multimeter -> Current ->
Place

Figura 4.4 - disposio dos components na rea de trabalho do CircuitMaker

Perceba que no circuito h dois resistores e dois multmetros. Para duplicar e


girar o componente basta clicar com o boto direito do mouse que essas opes
aparecero. Para fazer a ligao entre os componentes preciso clicar sobre a cruz que
est na parte superior esquerda da tela.

Figura 4.5 - Selecionando o Wire Tool.

Em seguida, clique com o boto esquerdo do mouse no terminal do componente


quando aparecer uma caixinha e permanea com ele pressionado. Arraste o cursor do
mouse at o outro terminal que deve ser conectado, e ento, solte o boto.
Repita o procedimento at que todos os componentes estejam conectados, e o
circuito esteja completamente montado.

SIMULAO

Voc deve fazer as ligaes conforme mostrado na figura 4.6.

44
Figura 4.6 Montagem do circuito para a simulao.

Para simular o circuito clique no boto Run/Stop no centro superior da tela,


figura 4.7, e ento, uma janela ser aberta. Nesta voc poder verificar graficamente a
tenso ou a corrente nos terminais de cada componente.

Figura 4.7 Boto Run/Stop.

Agora voc j est pronto para simular alguns circuitos! A partir dos primeiros
passos ensinados nesta apostila, com a curiosidade e com a experincia adquirida com o
tempo, voc poder simular circuitos maiores e mais complexos.

45
Conversores CC-CA

A obteno de uma tenso alternada (senoidal ou no) a partir de uma fonte


CC ou mesmo de uma fonte CA de freqncia diferente muitas vezes necessria
para o acionamento de diversas cargas ou alimentao de sistemas.

Os conversores que realizam a transformao CC-CA so chamados


inversores, enquanto a converso CA-CA para distintas freqncias feita pelos
cicloconversores. Como exemplos de aplicaes pode-se citar:

Controle de velocidade de motores de corrente alternada,


Fontes de alimentao ininterrupta (no-break),
Sistemas de alimentao embarcados (navios, avies, etc).

Geralmente os sistemas de alimentao operam a freqncia fixa, gerando a


tenso alternada a partir de fontes CC, utilizando, portanto, inversores. Por exemplo,
o sistema de distribuio de energia em avies comerciais opera a 400Hz.

Os conversores CC-CA que fornecem em sua sada tenses com freqncia


fixa, para determinada aplicao so conhecidos como fonte de tenso, isto ,
fontes de alimentao ininterrupta chamadas de no-break ou UPS - Uninterruptible
Power Supplies,em ingls).

Qualquer sistema no qual o fornecimento da energia eltrica no pode ser


interrompido deve prever uma fonte de emergncia para supri-lo. Quando a potncia
instalada muito grande tem-se, em geral, um sistema de acionamento imediato,
alimentado a partir de baterias, e um sistema motor-gerador que, por necessitar de
alguns minutos para estar em condies ideais de operao, no pode ser usado de
imediato. Tal arranjo usado, por exemplo, em centrais telefnicas, hospitais, etc.

Quando as cargas crticas so distribudas, como no caso de


microcomputadores, podem se usar UPSs modulares, de acionamento imediato, que
so capazes de manter a operao do equipamento por um tempo suficiente para
que no sejam perdidas operaes que estavam em curso (tipicamente os tempos
so da ordem de dezenas de minutos). Alm disso, os sistemas mais modernos
devem ter a capacidade de trocar informaes com os computadores, de forma a
otimizar seu funcionamento.

Os conversores so circuitos estticos (isto , no tem partes mveis) que


convertem potncia CC em potncia CA com frequncia e tenso ou corrente de
sada controlada.

A tenso de sada tem uma forma de onda peridica que, embora no-
senoidal, pode, com uma boa aproximao, chegar a ser considerada como tal. H
muitos tipos de inversores, classificados de acordo com o nmero de fases, com a
utilizao de dispositivos semicondutores de potncia, com os princpios de
comutao e com as formas de onda de sada.

Analisaremos primeiro o inversor monofsico. Depois os inversores de fonte


de tenso (voltage source inverters VSI) e de fonte ideal de corrente (current
source inverters CSI). Estes dipositivos so usados em muitas aplicaes
industriais, incluindo controles de velocidade para motores sncronos e de induo,
aquecimento por induo, fontes de alimentao para aeronaves, fontes de
alimentao de funcionamento contnuo (uninterruptible power supplier UPS) e
transmisso em alta tenso CC.

1. Conversor monofsico

O circuito bsico para gerar uma tenso alternada monofsica, a partir de


uma alimentao de pontncia CC, mostrado na figura 2.1. Esse circuito tambm
conhecido como inversor em H-ponte (meia-ponte) porque usa duas chaves
semicondutoras. As chaves S1 e S2 ligam e desligam a fonte CC carga de modo
alternado, o que produz uma forma de onda retangular de tenso CA.
S
1

Vs/2

Carga

Vs/2
S
2

Figura 2.1

Uma vez que cada chave tem terminais positivo e negativo, a combinao da
duas chaves fornece os quatro estados mostrados na tabela 2.1.

Estado S1 S2 Tenso de Entrada


1 + - +E
2 - - 0
3 - + -E
4 + + 0
Tabela 2.1.

Quando os estados 1 e 3 so repetidos de maneira alternada, uma tenso de


onda quadrada gerada na carga, como mostra a figura 10.2.a. Se os estados 2 e 4
que fazem a tenso na carga ficar em zero, so usados, obtm-se uma onda em
degrau ou uma forma de onda quase quadrada, como pode ser observado na figura
10.2.b.
vo
Vs/2 S1 on Figura 2.1.a.
S 2 on
Vs/2 t
T/2 T

io

t
D1 S1 D2 S2 chaves em conduo Figura 2.1.b.
A frequncia de teso que se alterna determinada pela taxa de variao do
chaveamento. Se o perodo de chaveamento for de T segundos, a frequncia f ser:

1
f = [Hz]
T

A tenso de sada CA retangular do inversor serve para algumas aplicaes,


entretanto, a tenso de sada senoidal a forma de onda ideal para muitas
aplicaes.

Dois mtodos podem ser usados para tornar a sada o mais prximo possvel
de uma senide. Um deles consiste em empregar um circuito filtro no lado da sada
do inversor. Esse filtro deve ser capaz de deixar pasar a grande potncia de sada
do dispositivo, o que significa ter um tamanho adequado. Isso aumenta o custo e o
peso do inversor. Mas ainda, a eficincia ficar reduzida por causa das perdas
adicionais de potncia no filtro.

O segundo mtodo, modulao por largura de pulso (pulse width modulation


PWM), usa um esquema de chaveamento no inversor para modificar a forma de
onda da tenso de sada.

2.1 Inversores de fonte de tenso (VSIs)

O inversor de fonte de tenso (VSI) o mais usado. Nele, a tenso da fonte


de entrada CC essencialmente constante e independente da corrente puxada pela
carga. A tenso de entrada CC pode vir de uma fonte independente, como uma
bateria, ou pode ser a sada de um retificador controlado. Um capacitor de valor
grande colocado em paralelo com a entrada da linha CC para o inversor. O
capacitor garante que os enventos de chaveamento no alterem de modo significa-
tivo a tenso CC. Ele carrega e descarrega, de acordo com a necessidade de
fornecimento de uma sada estvel. O inversor converte a tenso de entrada CC em
uma onda quadrada CA na sada da fonte.
2.1.2 VSI em meia-ponte

O inversor em meia-ponte, usado para aplicaes de baixa potncia, o


alicerce bsico dos circuitos inversores. A figura 2.1.2a. mostra uma configurao de
VSI monofsico em meia-ponte que utiliza duas chaves (S1 e S2) e duas fontes de
alimentao CC.

Figura 2.1.2.a.

O dispositivo de chaveamento pode ser um transistor de potncia um BJT


(bipolar junction transistor transistor bipolar de juno) ou um MOSFET (metal-
oxide semiconductor field-effect transistor transistor de efeito de campo metal-
xido-semicondutor), um tiristor GTO (Gate-turnnoff thyristor tiristor de
desligamento por porta) ou um SCR (silicon controlled rectifier retificador
controlado de silcio), com seu circuito de comutao. Os diodos D1 e D2 so de
retorno.

A figura 2.1.2.b. mostra a forma de onda da tenso de sada com carga


resistiva. As chaves passam para o estado ligado e desligado alternadamente: uma
estar ligada enquanto a outra estiver desligada. No perodo de 0 a T/2, a chave S1
se mantm fechada, o que faz com que Vo = +E. Em T/2, S1 fica aberta e S2,
fechada. Durante T/2 a T, a tenso de sada Vo = -E. Portanto, essa tenso tem uma
forma de onda retangular com frequncia f = 1/T. Ao controlar T, podemos dominar a
frequncia das tenses de sada do inversor. Entretanto, deve-se tomar cuidado
para no passar ambas as chaves ao estado ligado, pois nesse caso elas
produziriam um curto na fonte CC.
Figura 2.1.2.b.

2.1.3 VSI em ponte completa

Um VSI em ponte completa pode ser montado com dois VSIs em meia ponte.
Podemos ver na figura 2.1.3.a. o circuito bsico para um inversor monofsico de
fonte de tenso em ponte completa. So necessrias quatro chaves e quatro diodos
de retorno. A amplitude da tenso de sada, e portanto, a potncia de sada o
dobro do modelo meia-ponte. As chaves so passadas para os estados ligados e
desligados por pares em diagonal. Assim, ou as chaves S1 e S4 ou as S2 e S3 vo
para o estado ligado em um semiciclo (T/2). Portanto, a fonte CC fica ligada de
maneira alternada carga, em direes opostas. A frequncia de sada controlada
pela taxa de velocidade, segundo a qual as chaves se e se fecham. Se os pares de
chaves passarem para o estado ligado em intervalos iguai, a forma de onda da
tenso de sada ser uma onda quadrada com um pico de amplitude E.

Figura 2.1.3.a.

Na tabela abaixo mostramos a sequncia de chaveamento atravs da tabela


Tabela 2.1.3.a.

Estado S1 S2 S3 S4 Tenso de Sada


1 Ligada Desligada Desligada Ligada +E
2 Desligada Ligada Ligada Desligada -E
3 Ligada Desligada Desligada Ligada +E
4 Desligada Ligada Ligada Desligada -E
Tabela 2.1.3.a.

Quando o estado do chaveamento muda, enquanto se estiver passando de


um estado para outro, ambos os pares de chaves devem estar desligados por um
curto perodo de tempo. Impedindo que ocorra algum curto na fonte CC no estado
transitrio, em que as duas chaves pode estar se fechando ao mesmo tempo.
Portanto, o chaveamento do estado ligado para o desligado deve ser feito o mais
rpido possvel, enquanto o do desligado para o ligado deve contar com um atraso
apropriado, o que o faz levar um tempo definido.

Podemos controlar a tenso CA ao usar um terceiro estado da chave, durante


o qual a tenso de sada zero. A forma de onda da sada a onda em degrau
mostrada na figura 2.1.3.b.
v Ao
Vs/2
S1 on S 1 on

S2 on
-Vs/2 t
VBo T/2 T
Vs/2
S3 on

S4 on S4 on
-Vs/2 t
vAB T/2 T
v
s

-v t
s

i AB

o
t

is

o
D1 S1 D2 S2
t
D4 S4 D3 S3 Figura 2.1.3.b.

A forma de onda mostrada na figura 2.1.3.b (acima) obtida por meio de um


inversor de fonte de tenso em ponte que usa uma carga RL. A tenso de sada
uma forma de onda retangular, com um ciclo de trabalho de 50%. A forma de onda
da corrente na sada tem forma exponencial. Quando a tenso de sada for positiva,
a corrente crescer exponencialmente. Durante o ciclo seguinte, quando a tenso de
sada for negativa, a corrente cair exponencialmente.
Abaixo na figura 2.1.3.c. mostramos o circuito com a carga RL citada no bloco
do texto anterior.

is
S1 D1 D3 S3
A L R B
V
s
S2
D2 D4
S4
Figura 2.1.3.c.
A funo dos diodos de retorno fornecer um caminho de volta para a
corrente de carga, quando as chaves estiverem desligadas. Logo aps S2 e S3
passarem para o estado desligado em t = 0, por exemplo, os diodos D1 e D4 iro
ligar.
A corrente de carga comear em um valor negativo e crescer
exponencialmente a uma taxa dada pela constante de tempo da carga ( = L/R). A
fonte de corrente CC, nesse perodo, invertida e flui de fato para a fonte CC.
Quando a corrente na sada chega a zero, D1 e D4 passam para o estado desligado
e S1 e S4, para o ligado. A tenso e a corrente na sada so positivas e produzem
uma potncia positiva. A corrente continua a crescer e alcana o valor mximo em
t= T/2, quando S1 e S4 passam para o estado desligado. A tenso de sada se
inverte, mas a corrente na sada continua a fluir na mesma direo. A corrente na
sada somente pode fluir atravs dos diodos D2 e D3, que ligam a fonte CC carga,
o que gera tenso inversa. A energia armazenada no indutor retorna fonte CC e a
corrente alcana seu valor mximo negativo em t = T e o ciclo se repete.

2. Produo de uma onda senoidal

A maioria das aplicaes de inversores requer algum tipo de controle da


tenso de sada CA. Vrios mtodos so usados para isso e podem ser classificados
em trs grande categorias:

Controle da tenso de entrada CC fornecida para o inversor


Controle da tenso de sada CA do inversor
Controle da tenso no inversor

3.1 Controle da tenso de entrada CC

Para um dado padro de chaveamento, a tenso de sada do inversor


diretamente proporcional tenso de entrada. Portanto, a variao da tenso de
entrada CC fornecida a maneira mais simples de controlar a tenso de sada. Se a
fonte de potncai for CC, ento o uso de um chopper (circuito conversor usado para
se obter uma tenso CC varivel a partir de uma fonte de tenso CC constante),
ser o mtodo principal para a obteno de uma tenso CC varivel. Entretanto,
quando a tenso CC advm da tenso CA, o controle mais fcil. Basta usar
retificadores controlados ou no, para conseguir uma tenso de sada CC varivel.

3.2 Controle da tenso de sada CA

Para usar esse tipo de controle introduzido um regulador CA entre o


inversor e a carga, assim podemos controlar a tenso CA e, dessa maneira tambm
a tenso de sada do inversor.

3.3 Controle da tenso no inversor

A modulao por largura de pulso (PWM) o mtodo mais comum para


controlar a tenso num conversor. Nela, a tenso de sada uma onda modulada
por largura de pulso, controlada pela variao da durao dos pulsos, ou SPWM
(Modulao por largura de puplso de senoidal).

3. PWM

A modulao por largura de pulso varia a razo cclica aplicada aos


interruptores em uma alta freqncia de comutao com o intuito de suprir uma
determinada tenso ou corrente na sada em baixa freqncia, ou seja, tem-se como
objetivo criar uma seqncia de pulsos que devem ter o mesmo valor fundamental
de uma referncia desejada. Todavia, nesta seqncia de pulsos existem
componentes harmnicos indesejados que devem ser minimizados.

Na SPWM, a largura dos pulsos enviados para os interruptores depende da


amplitude da referncia senoidal de tenso, fazendo com que a tenso Vab tenha
uma componente fundamental na mesma freqncia da tenso de referncia e os
harmnicos deslocados em torno da freqncia da portadora Vtri. Esta modulao
apresenta a caracterstica de possuir um nico comando para cada dois
interruptores, como por exemplo, S1 e S4. Nos outros dois interruptores pode-se
usar, idealmente, um comando complementar.

Entre os pontos positivos da vasta utilizao da SPWM na indstria


destacam-se a operao em freqncia fixa e o contedo harmnico deslocado para
altas freqncias utilizando-se uma portadora. O emprego de freqncia fixa
aperfeioa o projeto dos componentes magnticos, tendo em vista que em
aplicaes onde a freqncia varivel os componentes magnticos devem ser
projetados para toda a faixa de freqncia utilizada. Quando o contedo harmnico
se concentra nas altas freqncias tem-se uma diminuio de dimenso, peso e
custo dos componentes do filtro.

4. Conversores CC-CA trifsicos

A estrutura do inversor trifsico pode ser obtida pela insero de mais uma
perna ao bloco do inversor monofsico em ponte, e os sinais para acionamento das
chaves superiores devem estar defasados de 120 um do outro e as chaves na
mesma perna devem estar alternadamente ligadas por 180 uma da outra, abaixo
na figura 5.a. podemos ver o esquemtico de inversor trifsico.

Figura 5.a.

A operao do inversor de seis passos essencialmente a mesma de um


inversor monofsico em ponte, como no monofsico cada chave ligada e desligada
durante intervalos de 180 e cada terminal de sada conectado alternadamente por
meio perodo aos plos positivos e negativos da fonte de tenso contnua. A tenso
trifsica obtida conservando um defasamento mtuo de 120 entre as sequencias
de chaveamento nas trs pernas do conversor. Esse defasamento entre as fases
resulta numa sequencia que mostrada na figura 5.b. logo abaixo, fazendo uma
referencia para a figura 5.a. da pgina anterior.

Figura 5.b.

Abaixo na figura 5.c. vemos a forma de onda de um conversor trifsico de seis


passos.
v
AO
S1 S1 S1
S6 S6
wt
v
BO
S3 S3 S3
S4 S4 S4
wt
v
CO
S5 S5
S2 S2 S2
wt
v
AB (a)

wt

v
BC

wt

v
CA

wt

v
AN (b)

wt
v
BN

Figura 5.b.
wt
(c)
Componentes Funcionais do Computador

Um computador um dispositivo eletrnico controlado por um programa (chamado


sistema operacional) , usado para processar dados.

Ele constitudo por componentes eletrnicos, especialmente circuitos integrados,


miniaturizados e encaixados em pequeno pedao de silcio, usualmente chamado chip.

Esses circuitos integrados, os chips, so a essncia dos computadores modernos, porque


so eles que executam todas as operaes. Tais operaes, que os circuitos integrados
executam, so controladas por um programa.

Sem um programa, um computador reduz-se a um conjunto de partes eletrnicas, que


nada pode fazer.

Esse programa (o sistema operacional) um conjunto ordenado de instrues que


determina o que o computador deve fazer.

Processamento de dados

Em informtica, e mais especialmente em computadores, a organizao bsica de um


sistema ser na forma de:

- -
Entrada Processamento Sada
> >

Dispositivos de entrada so os equipamentos atravs dos quais podemos introduzir


dados no computador. Alguns permitem a interveno direta do homem, como por
exemplo, o teclado.

Processamento pode ser definido como sendo a maneira pela qual os dados de entrada
sero organizados, modificados, transformados ou agrupados de alguma forma,
gerando-se assim uma informao de sada.

Dispositivos de sada so os equipamentos atravs dos quais so geradas as


informaes resultantes do processamento. Por exemplo, o monitor de vdeo e a
impressora.

Conceitos fundamentais da informtica

chamado de sistema de computao, o conjunto de hardware e software atravs do


qual executamos um processamento.

O HARDWARE o equipamento fsico, representado no computador por suas partes


mecnicas, eletrnicas e magnticas. A mquina em si, tudo o que se pode tocar. Pode
ser basicamente formado por: unidade central de processamento, memria e
unidades de entrada ou sada de dados.
O SOFTWARE o conjunto de programas (instrues) que faz com que o computador
realize o processamento e produza o resultado desejado.

Para facilitar o entendimento, podemos dizer que um toca discos est para o hardware,
assim como a msica est para o software, ou seja, o seu equipamento (hardware) s
tem utilidade com o auxlio de programas (software).

HARDWARE Componentes funcionais do computador

1 Unidade central de processamento (UCP ou CPU)

A unidade central de processamento ou processador central tem por funo executar


os programas armazenados na memria principal, buscando cada instruo,
interpretando-a e depois a executando. Ela compreende duas grandes subunidades,
conhecidas como unidade de controle (UC) e unidade lgica e aritmtica (ULA),
cujas funes sero mais bem descritas a seguir:

1. Unidade de Controle: Essa unidade supervisiona todas as operaes do


computador, sob a direo de um programa armazenado. Primeiro ela determina
que instruo ser executada pelo computador, e depois procura essa instruo
na memria interna e a interpreta. A instruo ento executada por outras
unidades do computador, sob a sua direo.
2. Unidade Lgica e Aritmtica: Essa unidade que executa as operaes
aritmticas e lgicas dirigidas pela Unidade de Controle.

Operaes lgicas so de forma simples, a habilidade de


comparar coisas para tomada de deciso.

Esta habilidade para testar (ou comparar) dois nmeros e


ramificar para um dos muitos caminhos alternativos possveis,
dependendo do resultado da comparao, d ao computador
muitas fora e habilidade e uma das razes principais para o uso
dos computadores digitais em diferentes aplicaes, tanto
administrativas como tcnicas.

2 Memria

A memria um componente que tem por funo armazenar internamente toda


informao que manipulada pela mquina: os programas (conjunto de
instrues) e os dados. A capacidade de armazenar um programa uma
caracterstica que permite o processamento automtico de dados.

A memria em geral, classificada em dois grandes tipos:


Memria Principal (MP)
Memria Secundria (MS) ou auxiliar ou de massa

1. Memria Principal

A memria principal a memria de armazenamento temporrio, que


armazena os programas e os dados que esto sendo processados,
somente durante o processamento. uma memria voltil (RAM),
pois os dados s permanecem nela armazenados enquanto houver energia
eltrica. Na falta de energia, quando o computador for desligada, todos
os dados so perdidos.

H alguns conceitos que devem ser conhecidos para que se possa melhor
compreender a memria principal nos computadores atuais:

1.1 RAM Random Access Memory (Memria de Acesso Aleatrio


ou Randmico)

usada para o armazenamento temporrio de dados ou instrues.

Quando escrevemos um texto num computador, as informaes so


armazenadas na memria RAM, assim como os dados de entrada.

A RAM tambm conhecida como memria de escrita e leitura, pois


lemos ou escrevemos informaes neste tipo de memria.

1.2 ROM Read Only Memory (Memria s de Leitura)

usada para armazenar instrues e/ou dados permanentes ou


raramente alterados. A informao geralmente colocada no chip de
armazenamento quando ele fabricado e o contedo da ROM no pode
ser alterado por um programa de usurio. Por esse motivo uma
memria s de leitura.

A ROM se constitui em um chip que possui um software determinado e


no apagvel pelo usurio. Desta forma a ROM incorpora as idias de
hardware e software (a isto se d o nome de firmware).

Portanto, firmware, um hardware que contm um software j


determinado, associando assim as duas capacidades. Ex: fita de
videogame

Em resumo, a informao armazenada em ROM no voltil, ou seja,


no perdida quando o fornecimento de energia externa do computador
interrompido. J a RAM voltil, pois as informaes armazenadas so
perdidas quando a energia cortada.

2. Memria Secundria

A memria secundria a memria de armazenamento permanente, que


armazena os dados permanentemente no sistema, sem a necessidade de
energia eltrica e, por esse motivo, conhecida como memria no voltil.
Ela funciona como complemento da memria principal para guardar
dados.

O computador s consegue processar o que est na memria principal,


assim como ocorre conosco. Na verdade, s conseguimos processar o
que est na nossa memria. Por exemplo, s podemos discar um nmero
telefnico do qual nos lembramos, o qual esteja na nossa memria. Se
no lembrarmos, temos que recorrer a uma memria auxiliar,
representada neste caso por uma agenda telefnica e s ento estaremos
em condies de discar.

Como exemplos de memria secundria podemos citar o disquete, o


disco rgido e o CD-ROM.

3. Unidades de Entrada e Sada

Os dispositivos de E/S (Entrada e Sada) servem basicamente para a


comunicao do computador com o meio externo. Eles provem o modo
pelo qual as informaes so transferidas de fora para dentro da mquina,
e vice-versa, alm de compatibilizar esta transferncia atravs do
equilbrio de velocidade entre os meios diferentes. Entre estes
componentes podemos mencionar o teclado, o vdeo e a impressora.

1. Teclado (Perifrico de Entrada): sem dvida o mais importante


meio de entrada de dados, no qual estabelece uma relao direta
entre o usurio e o equipamento.

2. Drive (Perifrico de Entrada e Sada): Conhecido tambm como


"Unidade de Disco" ou "acionador", o drive, tem como funo
fazer o disco girar (dentro do envelope) numa velocidade
constante e transferir programas ou dados do disco para o
computador. Essa operao feita atravs de uma cabea de
leitura e gravao que se move para trs e para frente na
superfcie do disco. Os dados gravados em disco podem ser lidos
e utilizados como fonte de consulta em uma operao futura.

3. Winchester, Disco Rgido ou HD (Perifrico de Entrada e Sada):


Semelhantemente aos drives em utilizao e funcionamento, tem
como principal diferena, a inviolabilidade, a maior capacidade
de armazenamento e a maior velocidade de operao.

composto por uma srie de discos de material rgido, agrupados


em um nico eixo, possuindo cada disco um cabeote. Os
cabeotes flutuam sobre a superfcie do disco apoiados num
colcho de ar, isso significa que eles devem ser conservados em
caixas hermeticamente fechadas para evitar problemas causados
pela poeira e outros elementos estranhos.

As unidades winchester devem receber um cuidado maior por


guardarem maiores quantidades de informaes, pois qualquer
trepidao pode fazer com que o cabeote encoste-se ao disco,
danificando os dados.

4. Vdeo ou Monitor (Perifrico de Sada): Utilizado basicamente


para a sada de informaes, o vdeo o canal por onde o
computador apresenta informaes ao operador. Em geral
conectado placa de sistema por meio de um adaptador
monocromtico de alta-resoluo ou por um adaptador colorido-
grfico.

5. Caneta ptica (Perifrico de Entrada): A caneta ptica um


instrumento cilndrico bastante parecido com uma caneta comum
(da seu nome), que tem um fio semelhante ao de um telefone em
uma das extremidades. Quando se encosta a caneta ptica na tela,
o computador capaz de detectar exatamente a posio apontada
(em alguns sistemas pressiona-se a caneta na tela, para ativar o
interruptor existente em seu interior).

A caneta ptica nada mais do que um sensor ptico, que ao ser


apontada na tela do monitor, a coincidncia da varredura no
ponto onde est a caneta provoca um mapeamento da tela e,
portanto, permite at desenhar diretamente na tela.

A caneta ptica usada mais comumente para escolher um dos


itens mostrados na tela. Reconhecendo o ponto indicado pela
caneta, o computador reduz o caracter ou smbolo a que o ponto
de refere.
6. Mouse (Perifrico de Entrada): H algum tempo atrs, o nico
modo de fazer um computador funcionar era registrar uma funo
atravs do teclado. Por ser esta uma tarefa cansativa que poderia
estar fazendo as pessoas deixarem de utilizar os computadores, os
fabricantes encontraram a soluo brilhante e simples do
"mouse".

O mouse colocado sobre qualquer superfcie plana e, quando se


move, movimenta tambm o cursor na tela com extrema
agilidade. Assim, uma pessoa pode fazer um movimento para
qualquer parte da tela, pressionar o boto e dar andamento
operao desejada. O mouse utilizado em programas grficos
para traar linhas ou "pintar" cores na tela e em programas com
grande nmero de menus de opes.

7. Joystick (Perifrico de Entrada): Esse tipo de controle manual foi


desenvolvido baseado no manche com que o piloto manobra o
avio. Geralmente utilizado para jogos semelhantes aos
fliperamas. A espaonave, ou qualquer outro objeto controlado na
tela pelo joystick, move-se na mesma direo que ele. Quando o
joystick movido para frente, a espaonave avana na tela. O
aparelho tem quatro chaves eltricas dispostas de tal forma que,
quando o joystick movimentado apenas um dos contatos se
fecha. Cada chave envia sua prpria mensagem para o
computador: para cima, para baixo, para e esquerda ou para a
direita.

Alguns deles so dotados ainda de um boto lateral de disparo (de


msseis, balas, ou eventos, dependendo do programa usado) para
ser operado com a mo que estiver desocupada. Em alguns
modelos, no entanto, basta que se aperte um boto disparador
com o polegar.

8. Impressoras (Perifrico de Sada): Existem trs tipos principais


de impressoras para microcomputador: Matricial (ou de Matriz
de Pontos), Jato de Tinta e Laser. So utilizados para a sada de
dados.

8.1 Matricial

A tecnologia mais comum de impresso o da matriz de pontos,


que funciona por meio de uma cabea de impresso contendo um
grupo de agulhas. Os caracteres so impressos no papel mediante
a combinao dessas agulhas. A vantagem da matriz de pontos
est na rapidez e no preo. Entretanto, como as letras e nmeros
so feitos com srie de pontos, a qualidade da impresso deixa a
desejar, alm disso, essa impressora faz muito barulho.

Algumas impressoras de matriz de pontos resolvem o problema


da m qualidade de impresso gravando os pontos duas ou trs
vezes. Nesse caso, preenchem os espaos deixados na primeira
impresso.

8.2 Jato de Tinta

As impressoras de jato de tinta so de preo um pouco mais


elevado que as matriciais. Injetam gotas de tinta (ou bolhas de
tintas aquecidas) que formam o caracter a ser impresso. As gotas
passam por um eletrodo e recebem carga eltrica. Esse tipo de
impressora trabalha com enorme rapidez, tendo capacidade para
imprimir muitos caracteres por segundo. Sua qualidade de
impresso muito boa. So muito adequadas cores.

8.3 Laser

Sistema semelhante ao utilizado nas mquinas de xerox, por


sensibilizao do papel e uso de toner para impresso. Possui alta
velocidade e alta resoluo, tanto na escrita quanto em modo
grfico. Se forem coloridas usam toner de 3 ou 4 cores.

9. Modem (Perifrico de Entrada e Sada): O modem um


dispositivo de converso de sinais, que transmite dados atravs de
linhas telefnicas. A palavra MODEM derivada das palavras
MOdulao e DEModulao.

Modular significa converter pulsos digitais (dgitos) em sinais


analgicos (ondas senoidais), para que eles possam percorrer
numa linha telefnica.

O modem permite que o computador "converse" com qualquer


outro computador do mundo; mais isso s pode acorrer se o outro
tambm tiver um modem. Ele tanto pode ser adaptado a um
microcomputador, como ao poderoso equipamento central de
uma universidade ou instituio bancria.
A ligao de seu micro a um grande equipamento pode lhe dar
acesso a grandes bancos de dados, a servio de informao e as
ltimas cotaes da bolsa de valores. Se ligar o seu micro ao de
seu amigo, vocs podem trocar software, enviar cartas eletrnicas
(e-mails) , alm de praticar jogos bidirecionais.

10. Scanner Digitalizador de imagem (Perifrico de Entrada):


Um digitalizador de imagens um equipamento de entrada de
dados, que permite a leitura de imagens a partir de material
impresso (revistas, jornais, cartazes), armazenando na memria
toda a tela recebida na leitura.

As telas podem, assim, serem modificadas e reproduzidas


novamente por equipamentos adequados de impresso. Dessa
forma podemos confeccionar cartazes ou qualquer outro tipo de
trabalho utilizando fotografias.

11. Multimdia - Multimdia uma unio de informaes, com udio


e vdeo, formando a partir da um dos mais poderosos recursos
digitais utilizados pelo computador.

Tambm chama-se multimdia aos softwares desenvolvidos


especialmente para a utilizao destes recursos e podem ser
formados a partir de tipos de arquivos diferentes, como: vdeo-
clips, msicas digitais, apresentaes audiovisuais, animaes
grficas, etc.

Para que um microcomputador possa utilizar todas as vantagens


que a multimdia oferece, ele precisa de acessrios especiais. Por
exemplo, o udio s ser reproduzido pelo computador se o
mesmo possuir uma Placa de Som.

Placa de Som um dispositivo ligado internamente ao


computador responsvel pela reproduo de sons digitais gerados
pelos softwares.

Hoje em dia no mercado, encontramos uma grande variedade de


Kits Multimdia, que so pacotes com equipamentos responsveis
pela execuo da multimdia no computador. Na maioria deles
encontraremos os seguintes itens: uma placa de som, um drive de
leitura para CD-ROM, dois cabos para a conexo do drive de
CD-ROM placa de som, duas caixas amplificadas, disquetes
para a instalao dos componentes e manuais de instalao e uso.
Como equipamentos opcionais encontraremos: um microfone,
ttulos em CD-ROM multimdia e talvez at uma cmera digital.
Equipamentos de processamento

1. Placa Me

O elemento central de um microcomputador uma placa onde se


encontra o microprocessador e vrios componentes que fazem a
comunicao entre o microprocessador com meios perifricos externos e
internos.

No nvel fsico mais bsico, a placa me corresponde s fundaes do


computador. Nela ficam as placas de expanso; nela so feitas as
conexes com circuitos externos; e ela a base de apoio para os
componentes eletrnicos fundamentais do computador. No nvel eltrico,
os circuitos gravados na placa me incluem o crebro do computador e
os elementos mais importantes para que esse crebro possa comandar os
seus "membros". Esses circuitos determinam todas as caractersticas da
personalidade do computador: como ele funciona, como ele reage ao
acionamento de cada tela, e o que ele faz.

Dois importantes componentes da Placa Me so:

o Microprocessador - Responsvel pelo pensamento do


computador. O microprocessador escolhido, entre as dezenas de
microprocessadores disponveis no mercado, determina a
capacidade de processamento do computador e tambm os
sistemas operacionais que ele compreende (e, portanto, os
programas que ele capaz de executar).
o Co-processador - Complemento do microprocessador, o co-
processador permite que o computador execute determinadas
operaes com muito mais rapidez. O co-processador pode fazer
com que, em certos casos, o computador fique entre cinco e dez
vezes mais rpido.

2. Monitores e Vdeos

Embora os dois termos sejam usados como sinnimos (e s vezes at em


conjunto: monitores de vdeo), na realidade h diferenas importantes
entre eles. O vdeo o dispositivo que produz a imagem, a tela que voc
v. O monitor o aparelho completo, a caixa onde o vdeo est alojado,
juntamente com vrios circuitos de apoio. Esses circuitos convertem os
sinais enviados pelo computador (ou por outro equipamento, como um
gravador de videocassete) num formato que o vdeo possa utilizar.
Embora a maioria dos monitores funcione segundo princpios
semelhantes aos dos aparelhos de televiso (Tubos de Raios Catdios ou
CRT), os vdeos podem ser construdos com base em vrias tecnologias,
incluindo o cristal lquido (LCD) e o que usa o brilho de alguns gases
nobres (painis eletroluminesentes).

Os vdeos e monitores recorrem a diversas tecnologias para produzir


imagens visveis. A maioria dos computadores de mesa emprega
sistemas de vdeo apoiados na mesma tecnologia de tubos de raios
catdicos da maioria dos aparelhos de televiso. Os computadores
portteis utilizam principalmente vdeos de cristal lquido.
Sistemas Operacionais
1.1 Introduo
Antes de comearmos a estudar os conceitos e os principais componentes de um sistema
operacional, devemos saber primeiramente quais so suas funes bsicas.
Por mais complexo que possa parecer, um sistema operacional e apenas um conjunto de rotinas
executado pelo processador, da mesma forma que qualquer outro programa.. Sua principal funo e
controlar o funcionamento do computador, como um gerente dos diversos recursos disponveis no sistema.
O nome sistema operacional no e nico para designar esse conjunto de programas. Nomes como
monitor, executivo, supervisor ou controlador possuem, normalmente, o mesmo significado.
Um sistema operacional possui inmeras funes e resumimos essas funes, basicamente, em
duas, descritas a seguir:

1.1.1 Facilidade de acesso aos recursos do sistema


Um sistema de computaco, ao possui, normalmente, diversos componentes, como terminais,
impressoras, discos e fitas. Quando utilizamos um desses dispositivos, no nos preocupamos com a
maneira como e realizada esta comunicao e os inmeros detalhes envolvidos.
Para a maioria de ns uma operao cotidiana, como, por exemplo, a leitura de um arquivo em
disquete, pode parecer simples. Na realidade, existe um conjunto de rotinas especficas, controladas pelo
sistema operacional, responsvel por acionar a cabea, a de leitura e gravao da unidade de disco,
posicionar na trilha e setor onde esto os dados, transferir os dados do disco para a memria e, finalmente,
informar ao programa a chegada dos dados.
O sistema operacional, ento, serve de interface entre o usurios e os recursos diponveis no
sistema, tornando esta comunicao transparente e permitindo ao usurio um trabalho mais eficiente e
com menores chances de erros (Figura 1).
Este conceito de ambiente simulado, criado pelo sistema operacional, e denominado mquina
virtual (virtual machine) e est presente, de alguma forma, na maioria dos sistemas atuais.
comum pensar-se que compiladores, linkers, bibliotecas, depuradores e outras ferramentas
fazem parte do sistema operacional, mas, na realidade, estas facilidades so apenas utilitrios, destinados
a ajudar a interao do usurio com o computador.

1.1.2 Compartilhamento de recursos de forma organizada e protegida

Quando pensamos em sistemas multiusurio, onde vrios usurios podem estar compartilhando
os mesmos recursos, como, por exemplo, memria e discos, necessrio que todos tenham oportunidade
de ter acesso a esses recursos, de forma que um usurio no interfira no trabalho do outro.
Se imaginarmos, por exemplo, que uma impressora possa ser utilizada por vrios usurios do
sistema, dever existir algum controle para impedir que a impresso de um usurio interrompa a
impresso de outro. Novamente, o sistema operacional responsvel por permitir o acesso concorrente a
esse e a outros recursos, de forma organizada e protegida, dando ao usurio a impresso de ser o nico a
utiliz-los.
O compartilhamento de recursos permite, tambm, a diminuio de custos, na medida em que
mais de um usurio possa utilizar as mesmas facilidades concorrentemente, como discos, impressoras,
linhas de comunicao etc.
No apenas em sistemas multiusurio que o sistema operacional imporntate. Se pensarmos
que um computador pessoal nos permite executar vrias tarefas, como imprimir um documento, copiar um
arquivo pela internet ou processar uma planilha, o sistema operacional deve ser capaz de controlar a
execuo concorrentes de todas essas tarefas.
Figura 1 - Viso do sistema operacional como interface entre os usurios e os recursos do sistema.

1.2 Mquinas de Nveis


Um computador, visto somente como um gabinete composto de circuitos eletrnicos, cabos e
fontes de alimentao (hardware), no tem nenhuma utilidade. atravs de programas (software) que o
computador consegue armazenar dados em discos, imprimir relatrios, gerar grficos, realizar clculos,
entre outras funes. O hardware o responsvel pela execuo das instrues de um programa, com a
finalidade de se realizar alguma tarefa.
Uma operao efetuada pelo software pode ser implementada em hardware, enquanto uma
instruo executada pelo hardware pode ser simulada via software. Esta deciso fica a cargo do projetista
do computador em funo de aspectos como custo, confiabilidade e desempenho. Tanto o hardware como
o software so logicamente equivalentes, interagindo de uma forma nica para o usurio.
Nos primeiros computadores, a programao era realizada em painis, atravs de fios, exigindo
um grande conhecimento do hardware e de sua linguagem de mquina. Isso era uma grande dificuldade
para os programadores da poca.
A soluo para esse problema foi o surgimento do sistema operacional, que tornou a interao
entre usurio e computador mais simples, confivel e eficiente. A partir desse acontecimento, no existia
mais a necessidade de o programador se envolver com a complexidade do hardware para poder trabalhar;
ou seja, a parte fsica do computador tornou-se transparente para o usurio.
Sistema
Operacional

Hardware

Figura 2 - Viso modular do computador pelo usurio.

Partindo desse princpio, podemos considerar o computador como uma mquina de nveis ou
camadas, onde inicialmente existem dois nveis: o nvel 0 (hardware) e o nvel 1 (sistema operacional).
Desta forma, o usurio pode enxergar a mquina como sendo apenas o sistema operacional, ou seja, como
se o hardware no existisse. Esta viso modular e abstrata chamada mquina virtual.
Na realidade, um computador no possui apenas dois nveis, e sim tantos nveis quanto forem
necessrios para adequar o usurio s suas diversas aplicaes. Quando o usurio est trabalhando em um
desse nveis, no necessita da existncia das outras camadas, acima ou abaixo de sua mquina virtual.
Atualmente, a maioria dos computadores possui a estrutura mostrada na Figura, podendo conter
mais ou menos camadas. A linguagem utilizada em cada um desses nveis diferente, variando da mais
elementar (baixo nvel) mais sofisticada (alto nvel).

Aplicativos

Utilitrios

Sistema Operacional

Linguagem de Mquina

Microprogramao Hadware

Dispositivos Fsicos

Figura 3 - Mquina de nveis.

1.3 Histrico
A evoluo dos sistemas operacionais est, em grande parte, relacionada ao desenvolvimento de
equipamentos cada vez mais velozes, compactos e de custos baixos, e necessidade de aproveitamento e
controle desses recursos.
Neste histrico dividimos essa evoluo em fases, once destacamos, em cada uma, sues
principals caractersticas de hardware, software, interao com o sistema e aspectos de conectividade.
1.3.1 Primeira Fase (1945-1955)
No incio da Segunda Guerra Mundial, surgiram os primeiros computadores digitais, formados
por milhares de vlvulas, que ocupavam areas enormes, sendo de funcionamento lento e duvidoso.
O ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer) foi o primeiro computador digital de
propsito geral. Criado pare a realizao de clculos balsticos, sue estrutura possua 18 mil vlvulas, 10
mil capacitores, 70 mil resistores e pesava 30 toneladas. Quando em operao, consumia cerca de 140
quilowatts e era capaz de realizar 5 mil adies por segundo.
Para trabalhar nessas mquinas, era necessrio conhecer profundamente o funcionamento do
hardware, pods a programao era feita em painis, atravs de fios, utilizando linguagem de mquina.
Nessa fase, ainda no existia o conceito de sistema operacional.
Outros computadores foram construdos nessa mesma poca, como o EDVAC (Electronic
Discrete Variable Automatic Computer) e o IAS (Princeton Institute for Advanced Studies), mas eram
utilizados, praticamente, apenas nas universidades e nos rgos militares.
Com o desenvolvimento da indstria de computadores, muitas empresas foram fundadas ou
investiram no setor, como a Sperry e a IBM, o que levou a criao dos primeiros computadores pare
aplicaes comerciais. A primeira mquina fabricada com esse propsito e bem-sucedida foi o UNIVAC I
(Universal Automatic Computer), criado especialmente pare o censo americano de 1950.

1.3.2 Segunda Fase (1956-1965)


A criao do transistor e das memrias magnticas contribui pare o enorme avano dos
computadores da poca. O transistor permitiu o aumento da velocidade e da confiabilidade do
processamento, e as memrias magnticas permitiram o acesso mais rpido aos dados, major capacidade
de armazenamento e computadores menores.
Com o surgimento das primeiras linguagens de programao, como Assembly e Fortran, os
programas deixaram de ser feitos diretamente no hardware, o que facilitou enormemente o processo de
desenvolvimento de programas.
J no era mais possvel conviver com tantos procedimentos manuais como os anteriores, que
no permitiam o uso eficiente do computador e de seus recursos. Os primeiros sistemas operacionais
surgiram, justamente, pare tentar automatizar as tarefas manuais

Figura 4 - Processamento batch


Inicialmente, os programas passaram a ser perfurados em cartes, que, submetidos a uma leitora,
eram gravados em uma fita de entrada (Figura 4a). A fita, ento, era lida pelo computador, que executava
um programa de cada vez, gravando o resultado do processamento em uma fita de sada (Figura 4b). Ao
terminar de todos os programas, a fita de sada era lida e impressa (Figura 4c). A esse tipo de
processamento, onde um lote (batch) de programas era submetido ao computador, deu-se o nome de
processamento batch.
Pode no parecer um avano, mas anteriormente os programas eram submetidos pelo operador,
um a um, fazendo com que o processador ficasse ocioso entre a execuo, ao de um programa e outro.
Com o processamento batch, um grupo de programas era submetido de uma s vez, o que diminua o
tempo existente entre a execuo dos programas, permitindo, assim, melhor uso do processador.
Os sistemas operacionais passaram a ter seu prprio conjunto de rotinas pare operaes de
entrada/sada (Input/Output Control SystemIOCS), que veio facilitar bastante o processo de
programao. O IOCS eliminou a necessidade de os programadores desenvolverem sues prprias rotinas
de leitura/gravao especficas para cada dispositivo perifrico. Essa facilidade de comunicao criou o
conceito de independncia de dispositivos.
Importantes avanos, em nvel de hardware, foram implementados no final dessa fase,
principalmente na linha 7094 da IBM. Entre eles, destacamos o conceito de canal, que veio permitir a
transferncia de dados entre dispositivos de entrada/sada e memria principal de forma independente da
UCP. Ainda nessa fase, destacamos os sistemas FMS (Fortran Monitor System) e IBSYS.

1.3.3 Terceira Fase (1966-1980)


Atravs dos circuitos integrados (CIs) e, posteriormente, dos microprocessadores, foi possvel
viabilizar e difundir o uso de sistemas computacionais por empresas, devido a diminuio de seus custos
de aquisio. Alm disso, houve grande aumento do poder de processamento e diminuio no tamanho
dos equipamentos.
Com base nessa nova tecnologia, a IBM lanou em 1964 a Srie 360. Esse lanamento causou
uma revoluo na indstria de informtica, pois introduzia uma linha (famlia) de computadores pequena,
poderosa e, principalmente, compatvel. Isso permitiu que uma empresa adquirisse um modelo mais
simples e barato e, conforme sues necessidades, mudasse pare modelos com mais recursos, sem
comprometer sues aplicaes j existentes. Para essa srie, foi desenvolvido o sistema operacional
OS/360, que tentava atender todos os tipos de aplicaes e perifricos. Apesar de todos os problemas
desse equipamento e de seu tamanho fsico, a Srie 360 introduziu novas tcnicas, utilizadas ate hoje.
Na mesma poca, a DEC lanou a linha PDP-8, tambm revolucionria, pois apresentava uma
linha de computadores de porte pequeno e baixo custo, se comparada aos mainframes ate ento
comercializados, criando um novo mercado, o de minicomputadores.
A evoluo dos processadores de entrada/sada permitiu que, enquanto um programa esperasse
por uma operao de leitura/gravao, o processador executasse um outro programa. Para tal, a memria
foi dividida em parties, onde cada programa esperava sue vez pare ser processado. A essa tcnica de
compartilhamento da memria principal e processador deu-se o nome de multiprogramao.
Com a substituio das fitas por discos no processo de submisso dos programas, o
processamento batch tornou-se mais eficiente, pois permitia a alterao na ordem de execuo das tarefas,
ate ento puramente seqencial. A essa tcnica de submisso de programas chamou-se spooling, que, mais
tarde, tambm viria a ser utilizada no processo de impresso.
Os sistemas operacionais, mesmo implementando o processamento batch e a multiprogramao,
ao, ainda estavam limitados a processamentos que no exigiam comunicao com o usurio. Para permitir
a interao rpida entre o usurio e o computador, foram adicionados terminais de vdeo e teclado
(interao on-line).
A multiprogramao evoluiu preocupada em oferecer aos usurios tempos de respostas razoveis
e uma interface cada vez mais amigvel. Para tal, cada programa na memria utilizaria o processador em
pequenos intervalos de tempo. A esse sistema de diviso de tempo do processador chamou-se time-
sharing (tempo compartilhado).
Outro fato importante nessa fase foi o surgimento do sistema operacional Unix (1969).
Concebido inicialmente em um minicomputador PDP-7, baseado no sistema MULTICS (Multiplexed
Information and Computing Service), o Unix foi depois rescrito em uma linguagem de alto nvel
(linguagem C), tornando-se conhecido por sue portabilidade.
No final dessa fase, com a evoluo dos microprocessadores, surgiram os primeiros
microcomputadores, muito mais baratos que qualquer um dos computadores ate ento comercializados.
Entre eles, destacamos os micros de 8 bits da Apple e o sistema operacional CP/M (Control Program
Monitor).

1.3.4 Quarta Fase (1981-1990)


A integrao em large escala (Large Scale Integration-LSI) e a integrao em muito large escala
(Very Large Scale Integration-VLSI) levaram adiante o projeto de miniaturizao e barateamento dos
equipamentos. Os mini e superminicomputadores se firmaram no mercado e os microcomputadores
ganharam um grande impulso.
Nesse quadro surgiram os microcomputadores PC (Personal Computer) de 16 bits da IBM e o
sistema operacional DOS (Disk Operation System), criando a filosofia dos computadores pessoais. Na
rea dos minis e superminicomputadores ganharam impulso os sistemas multiusurio, com destaque pare
os sistemas compatveis com o Unix (Unix-like) e o VMS (Virtual Memory System) da DEC. Surgem as
estaes de trabalho (workstations) que, apesar de monousurias, permitem que se executem diversas
tarefas concorrentemente, criando o conceito de multitarefa.
No final dos anos 80, os computadores tiveram um grande avano, decorrente de aplicaes que
exigiam um enorme volume de clculos. Para acelerar o processamento, foram adicionados outros
processadores, exigindo dos sistemas operacionais novos mecanismos de controle e sincronismo. Com o
multiprocessamento, foi possvel a execuo de mais de um programa simultaneamente, ou ate de um
mesmo programa por mais de um processador. Alm de equipamentos com mltiplos processadores,
foram introduzidos processadores vetoriais e tcnicas de paralelismo em diferentes nveis, fazendo com
que os computadores se tornassem ainda mais poderosos.
As redes distribudas (Wide Area Network- WANs) se difundiram por todo o mundo, permitindo
o acesso a outros sistemas de computao, independentemente de estado, pas e, ate mesmo, fabricante.
Nesse contexto so desenvolvidos inmeros protocolos de rede, alguns proprietrios, como o DECnet da
DEC e o SNA (System Network Architecture) da IBM, e outros de domnio pblico, como o TCP/IP e o
CCITT X.25. Surgem as primeiras redes locals (Local Area NetworkLANs) interligando pequenas
reas. Os softwares de rede passaram a estar intimamente relacionados ao sistema operacional e surgem os
sistemas operacionais de rede.

1.3.5 Quinta Fase (1991- )


Grandes avanos em termos de hardware, software e telecomunicaes podem ser esperados ate
o final deste sculo. Essas mudanas so conseqncia da evoluo das aplicaes, que necessitam cada
vez mais de capacidade de processamento e armazenamento de dados. Sistemas especialistas, sistemas
multimdia, banco de dados distribudos, inteligncia artificial e redes neurais so apenas alguns exemplos
da necessidade cada vez major.
A evoluo da microeletrnica permitir o desenvolvimento de processadores e memrias cada
vez mais velozes e baratos, Alm de dispositivos menores, mais rpidos e com major capacidade de
armazenamento. Os componentes baseados em tecnologia VLSI (Very Large Scale Integration) evoluem
rapidamente pare o ULSI (Ultra Large Scale Integration).
Os computadores da prxima gerao tm de ser muito mais eficientes que os atuais, pare atender
o volume cada vez major de processamento. Para isso, est ocorrendo uma mudana radical na filosofia
de projeto de computadores. Arquiteturas paralelas, baseadas em organizaes de multiprocessadores no
convencionais, j se encontram em desenvolvimento em varies universidades e centros de pesquisa do
mundo.
A evoluo do hardware encadear modificaes profundas nas disciplines de programao pare
fazer melhor uso das arquiteturas paralelas. Assim, novas linguagens e metodologias de programao
concorrentes esto sendo desenvolvidas, em particular, fazendo uso extensivo de inteligncia artificial e
CAD (Computer-Aided Design).
O conceito de processamento distribudo ser explorado nos sistemas operacionais, de forma que
sues funes estejam espalhadas por vrios processadores atravs de redes de computadores. Isso s ser
possvel devido a reduo, ao dos custos de comunicao e ao aumento na taxa de transmisso de dados.
A arquitetura cliente-servidor aplicada basicamente a redes locais passe a ser oferecida em redes
distribudas, permitindo que qualquer pessoa tenha acesso a todo tipo de informao, independentemente
de once esteja armazenada. Problemas de segurana, gerncia e desempenho tornam-se fatores
importantes relacionados ao sistema operacional e a rede.
A dcada de 90 foi definitiva pare a consolidao dos sistemas operacionais baseados em
interfaces grficas. Apesar da evoluo da interface, a forma de interao com os computadores sofrer,
talvez, uma das modificaes mais visveis. Novas interfaces homem-mquina sero utilizadas, como
linguagens naturais, sons e imagens, fazendo essa comunicao mais inteligente, simples e eficiente.
Os conceitos e implementaes s vistos em sistemas considerados de grande porte esto sendo
introduzidos na maioria dos sistemas desktop, como na famlia Windows da Microsoft, no Unix e no OS/2
da IBM.

Fase Primeira (1945- Segunda (1956- Terceira (1966- Quarta (1981- Quinta (1991-
1955) 1965) 1980) 1990) )
Computad ENIAC NCR IBM 360, 370 Cray XMP IBM 3090
EDVAC IMB 7094 PDP-11 IBM 308 Alpha AXP
ores
UNIVAK CDC-6600 Cray 1 VAX-11 Pentium
Cyber-205 IBM-PC Sun SPARC

Hardware Vlvulas Transistor Circuito Integrado LSI ou VLSI Ultra-LSI


Tambor Magntico Memria Magntica Disco Magntico Disco ptico Arquiteturas
Tubos de raios Minicomputador Microcomputador Paralelas
catdicos Microprocessador Circuto Integrado 3-
D

Software Linguagem de Linguagem de Alto Linguagem Multiprocessamento Processamento


Mquina Nvel Estruturadas Sistemas Distribudo
Linguagem assembly Processamento Multiprogramao Especialistas Linguagens
Batch Time-Sharing Linguagens concorrentes
Computao Grfica orientadas a objetos Programao
funcional
Linguagens naturais

Telecomu Telefone Transmisso Digital Comunicao via Redes Locais (LAN) Redes Locais
Teletipo satlite Internet estendidas(ELAN)
nicaes
Microondas Redes sem fio
Redes Modelo cliente-
distribudas(WAN) servidor
Fibra ptica

Desempen 10 ips 200.000 ips 5 Mips 30 Mips 1 Gflops


1 Tflops
ho
Tabela 1 - Caractersticas de cada fase
2. Conceitos de Hardware e Software

2.1 Hardware
Um computador digital constitudo por um conjunto de componentes interligados, composto
por processadores, memria principal e dispositivos fsicos (hardware). Esses dispositivos manipulam
dados na forma digital, o que proporciona uma maneira confivel de representao.
Todos os componentes de um computador so agrupados em trs subsistemas bsicos: unidade
central de processamento (UCP), memria principal, e dispositivos de entrada e sada (Figura 5. Estes
subsistemas, tambm chamados de unidades funcionais, esto presentes em todo computador digital,
apesar de suas implementaes variarem nas diferentes arquiteturas existentes e comercializadas pelos
diversos fabricantes de computadores. Neste item descrevemos os conceitos bsicos dos principais
componentes desses sistema.

2.1.1 Unidade Central de Processalmento


A unidade central de processamento (UCP), ou processador, tem como funo principal unificar
todo o sistema, controlando as funes realizadas por cada unidade funcional. AUCP tambm
responsvel pela execuo de todos os programas do sistema, que obrigatoriamente devero estar
armazenados na memria principal.
Um programa composto por uma srie de instrues que so executadas sequencialmente pela
UCP, atravs de operaes bsicas como somar, subtrair, comparar e movimentar dados. Desta forma, a
UCP busca cada instruo na memria principal e a interpreta para sua execuo.

Unidade Lgica Unidade


e Aritmtica de Controle
(ULA) (UC)

Registradores
Dispositivos de
Entrada e Sada

Memria Principal (MP)

Figura 5 - Unidades funcionais de um computador

A UCP composta por dois componentes bsicos: unidade de controle e unidade lgica
aritmtica. A Unidade de controle (UC) responsvel por controlar as atividades de todos os
componentes do computador, mediante a emisso de pulsos eltricos (sinais de controle) gerados por um
dispositivo denominado clock. Este controle pode ser a gravao de um dado no disco ou a busca de uma
instruo da memria. A unidade lgica e aritmtica (ULA), como o nome indica, responsvel pela
realizao de operaes lgicas (testes e comparaes) e aritmticas (somas e subtraes).
A especificao da velocidade de processamento de uma UCP determinada pelo nmero de
instrues que o processador executa por unidade de tempo, normalmente segundo. Alguns fabricantes
utilizam unidade processamento prprias, j que no existe uma padronizao, sendo as mais comuns o
MIPS (milhes de instrues por segundo) e o MFLOPS/GFLOPS (milhes/bilhes de instrues de
ponto flutuante por segundo). A mostra alguns processadores e suas respectivas velocidades de
processamento.

Intel 80386 Intel 80486 Item Pentium Item Pentium Pro


Velocidade de 5 MIPS 20 MIPS 100 MIPS 250 MIPS
Processamento
Tabela 2 - Velocidade de processamento de alguns computadores.

2.1.2 Clock
O clock e um dispositivo, localizado na UCP, que gera pulsos eltricos sncronos em um
determinado intervalo de tempo (sinal de clock). A quantidade de vezes que este pulso se repete em um
segundo define a freqncia do clock. O sinal de clock e utilizado pela unidade de controle pare a
execuo, das instrues.
A freqncia do clock de um processador e medida em Hertz (Hz), que significa o nmero de
pulsos eltricos gerados em um segundo de tempo. A freqncia tambm pode ser utilizada como unidade
de desempenho entre diferentes processadores, pods quanto major a freqncia, mais instrues podem
ser executadas pela UCP em um mesmo intervalo de tempo.

2.1.3 Registradores
Os registradores so dispositivos de alta velocidade, localizados fisicamente na UCP, pare
armazenamento temporrio de dados. O nmero de registradores varia em funo da arquitetura de cada
processador. Alguns registradores so de uso especfico e tm propsitos especiais, enquanto outros so
ditos de uso geral.
Entre os registradores de uso especfico, merecem destaque:
contador de instrues (CI) ou program counter (PC) e o registrador responsvel pelo armazenamento
do endereo da prxima instruo que a UCP dever executar. Toda vez que a UCP execute uma
instruo, o PC e atualizado com um novo endereo;
o apontador da pilha (AP) ou stack pointer (SP) e o registrador que contmemriam o endereo de
memria do topo da pilha, que e a estrutura de dados onde o sistema mantm informaes sobre
tarefas que estavam sendo processadas e tiveram que ser interrompidas por algum motivo;
o registrador de estado, tambm chamado em alguns equipamentos de program status word (PSW), e
o registrador responsvel por armazenar informaes sobre a execuo do programa, como a
ocorrncia de carry e overflow. A cada instruo executada, o registrador de estado e alterado
conforme o resultado gerado pela instruo.

2.1.4 Memria Principal


A memria principal, tambm conhecida como memria primria ou real, e a parte do
computador onde so armazenados instrues e dados. Ela e composta por unidades de acesso chamadas
clulas, sendo cada clula composta por um determinado nmero de bits (binary digit). O bit e a unidade
bsica de memria, podendo assumir o valor 0 ou 1. Atualmente, a grande maioria dos computadores
utilize o byte (8 bits) como tamanho de clula, porm encontramos computadores de geraes passadas
com clulas de 16, 32 e ate mesmo 60 bits. Podemos concluir, ento, que a memria, e formada por um
conjunto de clulas, onde cada clula possui um determinado nmero de bits (Figura 6).
0

Endereos

M-1

Clula = n bits

Figura 6 - Memria principal

O acesso ao contedo de uma clula e realizado atravs da especificao, ao de um nmero


chamado endereo. O endereo e uma referncia nica, que podemos fazer a uma clula de memria
Quando um programa deseja ler ou escrever um dado em uma clula, deve primeiro especificar qual o
endereo de memria desejado, pare depois realizar a operao.
A especificao, ao do endereo, o e realizada atravs de um registrador denominado registrador
de endereo de memria (memory register address - MAR). atravs do contedo deste registrador, a
unidade de controle sabe qual a clula de memria que ser acessada. Outro registrador usado em
operaes com a memria e o registrador de dados da memria (memory buffer registerMBR) . Este
registrador e utilizado pare guardar o contedo de uma ou mais clulas de memria aps uma operao de
leitura, ou pare guardar o dado que ser transferido pare a memria em uma operao de gravao. Este
ciclo de leitura e gravao e mostrado na Figura 7.

Operao de Leitura Operao de gravao


1. A UCP armazena no MAR, o endereo da clula 1. A UCP armazena no MAR, o endereo da clula
a ser lida. que ser gravada.
2. A UCP gera um sinal de controle pare a memria 2. A UCP armazena no MBR, a informao que
principal, indicando que uma operao de leitura dever ser gravada.
deve ser realizada. 3. A UCP gera um sinal de controle pare a memria
3. 0 contedo da(s) clula(s), identificada(s) pelo principal, indicando que uma operao de gravao
endereo contido no MAR, e transferido pare o deve ser realizada.
MBR. 4. A informao contida no MBR e transferida pare
a clula de memria endereada pelo MAR.

Figura 7 - Ciclo de leitura e gravao

A capacidade de uma memria e limitada pelo tamanho do MAR. No caso de o registrador


possuir n bits, a memria principal poder no mximo enderear 2n clulas, isto , do endereo 0 ao 2n-
1.
A memria principal pode ser classificada em funo de sue volatilidade, que e a capacidade de a
memria preservar o seu contedo mesmo sem uma fonte de alimentao, ao ativa. As memrias
chamadas volteis se caracterizam por poderem ser lidas ou gravadas, como o tipo RAM (random access
memory), que constitui quase que a totalidade da memria principal de um computador. O outro tipo,
chamado de no voltil, no permite alterar ou apagar seu contedo. Este tipo de memria conhecido
como ROM (read-only memory), j vem pr-gravado do fabricante, geralmente com algum programa, e
seu contedo e preservado mesmo quando a alimentao e desligada. Uma variao da ROM e a EPROM
(erasable programmable ROM), once podemos gravar e regravar a memria atravs exposio de luz
ultravioleta por um dispositivo especial.
Atualmente, uma srie de memrias com diferentes caractersticas, existe pare diversas
aplicaes, como a EEPROM, EAROM, EAPROM, NOVRAM entre outras.

2.1.5 Memria Cache


A MEMRIA cache e uma memria voltil de alta velocidade. O tempo de acesso a um dado
nela contido e muito menor que se o mesmo estivesse na memria principal.
Toda vez que o processador fez referncia a um dado armazenado na memria principal, ele
"olha" antes na memria cache. Se o processador encontrar o dado na cache, no ha necessidade do
acesso a memria principal; do contrrio, o acesso e obrigatrio Neste ltimo cave, o processador, a partir
do dado referenciado, transfere um bloco de dados pare a cache. O tempo de transferncia entre as
memrias e pequeno, se comparado com o aumento do desempenho obtido com a utilizao, ao desse tipo
de memria.
Apesar de ser uma memria de acesso rpido, seu uso e limitado em fun,cao do alto custo. A
Tabela 2.2 mostra a relao entre as memrias cache e principal em alguns equipamentos.

HP 9000/855S IBM 3090/600S VAX 9000/440


Tamanho mximo 256 Mb 512 Mb 512 Mb
memria principal
Tamanho mximo 256 Kb 128 Kb por UCP 128 Kb por UCP
Memria cache
Tabela 3 - Relao entre as memrias cache e principal

2.1.6 Memria Secundria


A memria secundria e um meio permanente (no voltil) de armazenamento de programas e
dados. Enquanto a memria principal precisa estar sempre energizada pare manter sues informaes, a
memria secundria no precise de alimentao.
O acesso a memria secundria e lento, se comparado com o acesso a memria cache ou
principal, porm seu custo e baixo e sua capacidade de armazenamento e bem superior a da memria
principal. Enquanto a unidade de acesso a memria secundria e da ordem de milissegundos, o acesso a
memria principal e de nanossegundos. Podemos citar, como exemplos de memrias secundrias, a fita
magntica, o disco magntico e o disco ptico.
A Figura 8 mostra a relao entre os diversos tipos de dispositivos de armazenamento
apresentados, comparando custo, velocidade e capacidade de armazenamento.

Registradores

Maior Capacidade Memria Cache Maior Custo e


de armazenamento Maior Velocidade
de Acesso
Memria Principal

Memria Secundria

Figura 8 - Relao entre os diversos tipos de dispositivos de armazenamento.


2.1.7 Dispositivos de Entrada e Sada
Os dispositivos de entrada e sada (E/S) so utilizados pare permitir a comunicao entre o
computador e o mundo externo. Atravs desses dispositivos, a UCP e a memria principal podem se
comunicar, tanto com usurios quanto com memrias secundrias, a fim de realizar qualquer tipo de
processamento.
Os dispositivos de E/S podem ser divididos em duas categorias: os que so utilizados como
memria secundria e os que servem pare a interface homem-mquina.
Os dispositivos utilizados como memria secundria, como discos e fitas magnticas se
caracterizam por armazenar de trs a quatro vezes mais informaes que a memria principal. Seu custo e
relativamente baixo, porm o tempo de acesso a memria secundria e de quatro a seis vezes major que o
acesso a memria principal.
Alguns dispositivos servem pare a comunicao, ao homem-mquina, como teclados, monitores
de vdeo, impressoras, plotters, entre outros. Com o avano no desenvolvimento de aplicaes de uso cada
vez mais geral, procure-se aumentar a facilidade de comunicao entre o usurio e o computador. A
implementao, de interfaces mais amigveis permite, cada vez mais, que pessoas sem conhecimento
especfico sobre informtica possam utilizar o computador. Scanner, caneta tica, mouse, dispositivos
sensveis a voz humana e ao calor do corpo humano so alguns exemplos desses tipos de dispositivos.

2.1.8 Barramento
A UCP, a memria principal e os dispositivos de E/S so interligados atravs de linhas de
comunicao denominadas barramentos, barras ou vias. Um barramento (bus) e um conjunto de fios
paralelos (linhas de transmisso), onde trafegam informaes, como dados, endereos ou Sinais de
controle. Ele pode ser classificado como unidirecional (transmisso em um s sentido) ou bidirecional
(transmisso em ambos os sentidos).
Na ligao entre UCP e memria principal, podemos observar que trs barramentos so
necessrios pare que a comunicao seja realizada. O barramento de dados transmite informaes entre a
memria principal e a UCP. O barramento de endereos e utilizado pela UCP pare especificar o endereo,
o da clula de memria que ser acessada. Finalmente , o barramento de controle e por onde a UCP envia
os pulsos de controle relativos as operaes de leitura e gravao.
Na Fig. 2.5, podemos observar dois tipos de configuraces, onde UCP, memria principal e
dispositivos de E/S so interligados de maneira diferente.

2.1.9 Pipelining
O conceito de processamento pipeline se assemelha muito a uma linha de montagem, onde uma
tarefa e dividida em uma seqncia de subtarefas, executadas em diferentes estgios, dentro da linha de
produo.

Dispositivos Memria
UCP de E/S Principal
UCP

Memria
Principal
Dispositivos
de E/S

Figura 9 - Configuraes de sistema


Da mesma forma que em uma linha de montagem, a execuo de uma instruo pode ser dividida
em subtarefas, como as fases de busca da instruo e dos operandos, execuo e armazenamento dos
resultados. O processador, atravs de suas vrias unidades funcionais pipeline, funciona de forma a
permitir que, enquanto uma instruo se encontra na fase de execuo possa estar na fase de busca
simultaneamente.
A tcnica de pipelining pode ser empregada em sistemas com um ou mais processadores, em
diversos nveis, e tem sido a tcnica de paralelismo mais utilizada para maior desempenho dos sistemas de
computadores.

2.1.10 Ativao e desativao do Sistema


O sistema operacional essencial para o funcionamento de um computador. Sem ele, grande
parte dos recursos do sistema no estaria disponvel, ou se apresentaria de uma forma complexa para
utilizao pelos usurios.
Toda vez que um computador ligado, necessrio que o sistema operacional seja carregado da
memria secundria para a memria principal. Esse processo, denominado ativao do sistema (boot),
realizado por um programa localizado em um posio especifca do disco (disco block), geralmente o
primeiro bloco. O procedimento de ativao varia em funo do equipamento, podendo ser realizado
atravs do teclado, de um terminal ou por manipulao de chaves de um painel (Figura 10).

Disco Memria
Principal

Boot
Sistema
Operacional

Figura 10 - Ativao do sistema

Alm da carga do sistema operacional, a ativao do sistema tambm consiste na execuo de


arquivos de inicializao. Nestes arquivos so especificados procedimentos de inicializao de hardware e
software especficos para cada ambiente.
Na maioria dos sistemas, tambm existe o processo de desativao (shutdown). Este
procedimento permite que as aplicaes e componentes do sistema sejam desativados de forma ordenada.
Garantindo a integridade do sistema.

2.1.11 Arquiteturas RISC e CISC


Um processador com arquitetura RISC (Reduced Instruction Set Computer) se caracteriza por
possuir poucas instrues de mquina, em geral bastante simples, que so executadas diretamente pelo
hardware. Na sua maioria, estas instrues no acessam a memria principal, trabalhando principalmente
com registradores que, neste tipo de processador, se apresentam em grande nmero. Estas caractersticas,
alm de ajudarem as instrues serem executadas em alta velocidade, facilitam a implementao do
pipeline. Como exemplos de processaores RISC podemos citar o Sparc (SUN), RS-6000 (IBM), PA-RISC
(HP), Alpha AXP (DEC) e Rx000 (MIPS).
Os processadores CISC (Complex Instruction Set computers) j possuem instrues complexas
que so interpretadas por microprogramas. O nmero de registradores pequeno e qualquer instruo
pode referenciar a memria principal. Neste tipo de arquitetura, a implementao do pipeline mais
difcil. So exemplos de processadores CISC o VAX (DEC), 80x86 e o Pentium (Intel), e o 68xx
(Motorola).

2.2 Software
O Hardware por si s no tem a menor utilidade. Para torn-lo til existe um conjunto de
programas, utilizado como interface entre as necessidades do usurio e as capacidades do hardware. A
utilizao de softwares adequados s diversas tarefas e aplicaes (conceitos de camadas) torna o trabalho
do usurios muito mais simples e eficiente.
2.2.1 Tradutor
Nos sistemas operacionais antigos, o ato de programar era bastante complicado, j que o
programador deveria possuir conhecimento do hardware e programar em painis atravs de fios. Esses
programas eram desenvolvidos em linguagem de mquina e carregados diretamente na memria principal
para execuo.
Com o surgimento das primeiras linguagens de montagem (assembly languages) e das linguagens
de alto nvel, o programador deixou de se preocupar com muitos aspectos pertinentes ao hardware, como
em qual regio da memria o programa deveria ser carregado ou quais endereos de memria seriam
reservados para as variveis. A utilizao dessas linguagens facilitou a construo de programas em
muitos aspectos. Desse modo, um programa poderia ser escrito de uma forma bem documentada e com
facilidades para realizar alteraes.
O tradutor, pelo tipo de linguagem de programao utilizada, pode ser chamado de montador ou
compilador (Figura 11).

Programa-Fonte Programa-Fonte Programa-Objeto

Linguagem de
Montagem Montador Mdulo-Objeto

Linguagem de
Alto Nvel Mdulo-Objeto
Compilador

Figura 11 - Tradutor

2.2.2 Compilador
o utilitrio responsvel por gerar, a partir de um programa escrito em uma linguagem de alto
nvel, um programa em linguagem de mquina no executvel.
As linguagens de alto nvel, como pascal, fortran, cobol no tem nenhuma relao direta com a
mquina, ficando essa preocupao exclusivamente com o compilador.

2.2.3 Interpretador
O interpretador considerado um tradutor que no gera cdigo-objeto. A partir de um programa
fonte, escrito em linguagem de alto nvel, o interpretador, no momento da execuo do programa, traduz
cada instruo e a executa em seguida.

2.2.4 Linker
O linker (ligador), tambm chamado de linkagem, o utilitrio responsvel por gerar, a partir de
um ou mais mdulos-objetos, um nico programa executvel.
Mdulo Mdulo
Fonte Compilador Objeto

Mdulo Mdulo Programa


Fonte Compilador Objeto Linker Executvel

Mdulo Mdulo
Fonte Compilador Objeto

Figura 12 - Linker.

2.2.5 Loader
Tambm chamado carregador o utilitrio responsvel por colocar fisicamente na memria um
programa para execuo. O procedimento de carga varia com o cdigo gerado pelo linker e, em funo
deste, o loader classificado como sendo do tipo absoluto ou relocvel.
Tipo absoluto - o loader s necessita conhecer o endereo de memria inicial e o tamanho do
mdulo para realizar o carregamento. Ento, ele transfere o programa da memria secundria para a
memria principal e inicia sua execuo.
No caso de cdigo relocvel, o programa pode ser carregado em qualquer posio de memria, e
o loader responsvel pela relocao no momento do carregamento.

2.2.6 Depurador
O desenvolvimento de programas est sujeito a erros de lgica, independentemente de
metodologias utilizadas pelo programador. A depurao um dos estgios desse desenvolvimento, e a
utilizao de ferramentas adequadas essencial para acelerar o processo de correo de programas.
O depurador (debbuger) o utilitrio que permite ao usurio controlar a execuo de um
programa a fim de detectar erros na sua estrutura. Este utilitrio oferece ao usurio recursos como:
Acompanhar a execuo de um programa instruo por instruo;
Possibilitar a alterao e visualizao do contedo de variveis;
Implementar pontos de parada dentro do programa (break-point), de forma que, durante a execuo, o
programa pare nesses pontos;
Especificar que, toda vez que o contedo de uma varivel for modificado, o programa envie uma
mensagem (watchpoint).

2.2.7 Linguagem de Controle


Tambm denominada a linguagem de comando, e a forma mais direta de um usurio se
comunicar com o sistema operacional. Esta linguagem oferecida por cada sistema operacional para que,
atravs de comandos simples, o usurio possa ter acesso a rotinas especificas do sistema.

2.2.8 Interpretador de Comandos (Shell)


O sistema operacional o cdigo executor de chamadas de sistema. Os editores, compiladores,
montadores, ligadores e interpretadores de comando no fazem parte do sistema operacional, apesar de
serem softwares muito importantes e muito teis. Esses comandos quando digitados pelos usurios, so
interpretados pelo Shell, verifica sua sintaxe, envia mensagens de erro e faz chamadas a rotinas do
sistema. Dessa forma o usurio dispe de uma interface interativa com o sistema operacional, para realizar
tarefas como acessar uma arquivo em disco ou consultar um diretrio.
2.2.9 Linguagem de Mquina
A linguagem de mquina de um computador a linguagem de programao que o processador
realmente consegue entender. Cada processador possui um conjunto nico de instrues de mquina,
definido pelo prprio fabricante. As instrues especificam detalhes, como registradores, modos de
endereamento e tipos de dados, que caracterizam um processador e suas potencialidades.

2.2.10 Microprogramao
Um programa em linguagem de mquina executado diretamente pelo hardware em
processadores de arquitetura RISC, porm em mquinas CISC isto no acontece. Neste caso, como
podemos observar na Figura 3, entre os nveis de linguagem de mquina e do hardware, existem ainda o
da microprogramao.
Os microprogramas definem a linguagem de mquina de cada computador. Apesar de cada
computador possui nveis de microprogramao diferentes, existem muitas semelhanas nessa camada se
compararmos os diversos equipamentos. Uma mquina possui, aproximadamente 25 microintrues
bsicas, que so interpretadas pelos circuitos eletrnicos.

2.2.11 Processos
Um conceito chave da teoria dos sistemas operacionais o conceito de processo. Um processo
basicamente um programa em execuo, sendo constitudo do cdigo executvel, dos dados referentes ao
cdigo.

2.2.12 Chamadas de Sistema


Os programas de usurio solicitam servios do sistema operacional atravs da execuo de
chamadas de sistema. A cada chamada corresponde um procedimento de uma biblioteca de procedimentos
que o programa do usurio pode chamar.

2.2.13 Arquivos
Arquivos so mecanismos de abstrao que fornece uma forma de armazenar recuperar
informaes em disco. Isto deve ser feito de uma forma que mantenha o usurio isolado dos detalhes a
respeito de como as informaes so armazenadas, e de como os discos efetivamente trabalha.
3. Tipos de Sistemas Operacionais

3.1 Introduo
Tipos de sistemas operacionais e sua evoluo esto intimamente relacionados com a evoluo
do hardware e das aplicaes por ele suportadas.
Muitos termos inicialmente introduzidos para definir conceitos e tcnicas forma substitudos por
outros, na tentativa de refletir uma nova maneira de intera ou ou processamento. Isto fica muito claro
quanto tratamos da unidade de execuo do processador. Inicialmente, os termos programa ou job eram os
mais utilizados, depois surgiu o conceito de processo e subprocesso e, mais recentemente, os conceitos de
tarefa e de thread.
A evoluo dos sistemas operacionais para computadores pessoais e estaes de trabalho
popularizou vrios conceitos e tcnicas, antes s conhecidos em ambientes de grande porte. A
nomenclatura, no entanto, no se manteve a mesma. Surgiram novos termos para conceitos j conhecidos,
que foram apenas adaptados para uma nova realidade.

Tipos de Sistemas
Operacionais

Sistemas Sistemas Sistemas com


Monoprogamveis/ Multiprogramveis/ Mltiplos
Monotarefa Multitarefa Processadores

Figura 13 - Tipos de sistemas operacionais

Tipos de Sistemas Operacionais


Sistemas Monoprogramveis/Monotarefa
Sistemas Multiprogramveis/Multitarefa
Sistemas Batch
Sistemas de Tempo Compartilhado
Sistemas de Tempo Real
Sistemas com Mltiplos Processadores
Sistemas Fortemente Acoplados
Sistemas Simtricos
Sistemas Assimtricos
Sistemas Fracamente Acoplados
Sistemas Operacionais de Rede
Sistemas Operacionais Distribudos

3.2 Sistemas Monoprogramveis/Monotarefa


Os primeiros sistemas operacionais eram tipicamente voltados para a execuo de um nico
programa (job). Qualquer outro programa, para ser executado, deveria aguardar o trmino do programa
corrente. Os sistemas monoprogramveis, como vieram a ser conhecidos, se caracterizam por permitir que
o processador, a memria e os perifricos permaneam exclusivamente dedicados execuo de um nico
programa.
Neste tipo de sistema, enquanto um programa aguarda por um evento, como a digitao de um
dado, o processador permanece ocioso, sem realizar qualquer tipo de processamento. A memria
subtilizada caso o programa no a preencha totalmente, e os perifricos, como discos e impressoras, esto
dedicados a um nico usurio.
Comparados a outros sistemas, os sistemas monoprogramveis/monotarefa so de simples
implementao, no existindo muita preocupao com problemas de proteo.

Programa/
UCP Tarefa

Memria

Dispositivos
de E/S

Figura 14 - Sistemas monoprogramveis/monotarefa

3.3 Sistemas Multiprogramveis/Multitarefa


Os Sistemas Multiprogramveis, que vieram a substituir os monoprogramveis, so mais
complexos e eficientes. Enquanto em sistemas monoprogramveis existe apenas um programa utilizando
seus diversos recursos, nos multiprogramveis vrios programas dividem esses mesmos recursos.
As vantagens do uso de sistemas multiprogramveis so o aumento da produtividade dos seus
usurios e a reduo de custos, a partir do compartilhamento dos diversos recursos do sistema.
A partir do nmero de usurios que interagem com o sistema, podemos classificar os sistemas
multiprogramveis como monousurio e multiusurio.
O conceito de sistemas multiprogramvel est tipicamente associado aos mainframes e
minicomputadores, onde existe a idia do sistema sendo utilizado por vrios usurios (multiusurio). No
mundo dos computadores pessoais e estaes de trabalho, apesar de existir apenas um nico usurio
interagindo como sistema (monousurio), possvel que ele execute diversas tarefas concorrentemente ou
mesmo simultaneamente. Os sistemas multitarefa, como tambm so chamados, se caracterizam por
permitir que o usurio edite um texto, imprima um arquivo, copie um arquivo pela rede e calcule uma
planilha. Abaixo esto relacionados os tipos de sistemas em funo do nmero de usurios

Um usurio Dois ou mais usurios


Monoprogramao Monousurio N/A
/
Monotarefa
Multiprogramao/ Monousurio Multiusurio
Multitarefa
Tabela 4 - Sistemas X Usurios

Os sistemas multiprogramveis/multitarefa podem ser classificados pela forma com que suas
aplicaes so gerenciadas, podendo ser divididos em sistemas batch, de tempo compartilhado ou de
tempo real. Um sistema operacional pode suportar um ou mais desses tipos de processamento.
Sistemas
Multiprogramveis/Multirefa

Sistemas Sistemas de Sistemas de


Batch Tempo compartilhado Tempo Real

Figura 15 - Tipos de sistemas multiprogramveis/multitarefa

3.3.1 Sistemas Batch


Os sistemas batch (lote) foram os primeiros sistemas multiprogramveis a serem implementados
e caracterizam-se por terem seus programas, quando submetidos, armazenados em disco ou fita, onde
esperam para ser executados seqencialmente.
Normalmente, os programas, tambm chamados de jobs, no exigem interao com os usurios,
lendo e gravando dados em discos e fitas. Alguns exemplos de aplicaes originalmente processadas em
batch so compilaes, linkedies, sorts, backups e todas aquelas onde no necessria a interao com
o usurio.

3.3.2 Sistemas de Tempo Compartilhado


Os sistemas de tempo compartilhado (time-sharing) permitem a interao dos usurios com o
sistema, basicamente atravs de terminais que incluem vdeo, teclado e mouse. Dessa forma, o usurio
pode interagir diretamente com o sistema em cada fase do desenvolvimento de suas aplicaes e, se
preciso, modific-las imediatamente. Devido a esse tipo de interao, os sistemas de tempo compartilhado
tambm ficaram conhecidos como sistemas on-line.
Para cada usurio, o sistema operacional aloca uma fatia de tempo (time-slice) do processador.
Caso o programa do usurio no esteja concludo nesse intervalo de tempo, ele substitudo por um de
outro usurio, e fica esperando por uma nova fatia de tempo. No s o processador compartilhado nesse
sistema, mas tambm a memria e os perifricos, como discos e impressoras. O sistema cria para o
usurio um ambiente de trabalho prprio, dando a impresso de que todo o sistema est dedicado,
exclusivamente, a ele.
Sistemas de tempo compartilhado so de implementao complexa, porm, se levado em
considerao o tempo de desenvolvimento e depurao de uma aplicao, aumentam consideravelmente a
produtividade dos seus usurios, reduzindo os custos de utilizao do sistema.

3.3.3 Sistemas de Tempo Real


Os sistemas de tempo real (real time) so bem semelhantes em implementao aos sistemas de
tempo compartilhado. A maior diferena o tempo de resposta exigido no processamento das aplicaes.
Enquanto em sistemas de tempo compartilhado o tempo de resposta pode variar sem
comprometer as aplicaes em execuo, nos sistemas de tempo real os tempos de resposta devem estar
dentro de limites rgidos, que devem ser obedecidos, caso contrrio podero ocorrer problemas
irreparveis.
No existe idia de fatia de tempo, um programa detm o processador o tempo que for
necessrio, ou at que aparea outro prioritrio em funo de sua importncia no sistema. Esta
importncia ou prioridade de execuo controlada pela prpria aplicao e no pelo sistema
operacional, como nos sistemas de tempo compartilhado.
Esses sistemas, normalmente, esto presentes em controle de processos, como no monitoramento
de refinarias de petrleo, controle de trfego areo, de usinas termeltricas e nucleares, ou em qualquer
aplicao onde o tempo de resposta fator fundamental.

3.4 Sistemas com Mltiplos Processadores


Os sistemas com mltiplos processadores caracterizam-se por possuir duas ou mais UCPS
interligadas, trabalhando em conjunto. Um fator-chave no desenvolvimento de sistemas operacionais com
mltiplos processadores a forma de comunicao entre as UCPs e o grau de compartilhamento da
memria e dos dispositivos de entrada e sada. Em funo desses fatores, podemos classificar os sistemas
em fortemente acoplados ou fracamente acoplados.

Sistemas com Mltiplos


Processadores

Sistemas Fortemente Sistemas Fracamente


Acoplados Acoplados

Sistemas Sistemas Sistemas Sistemas


Simtricos Assimtricos Operacionais de Rede Operacionais
Distribudos

Figura 16 - Sistemas com mltiplos processadores.

3.5 Sistemas Fortemente Acoplados


Nos sistemas fortemente acoplados (tightly coupled) existem vrios processadores
compartilhando uma nica memria e gerenciados por apenas um sistema operacional. Mltiplos
processadores permitem que vrios programas sejam executados ao mesmo tempo, ou que um programa
seja dividido em subprogramas, para execuo simultnea em mais de um processador. Dessa forma,
possvel ampliar a capacidade de computao de um sistema, adicionando-se apenas novos processadores,
com um custo muito inferior aquisio de outros computadores.
Com o multiprocessamento, novos problemas de concorrncia foram introduzidos, pois vrios
processadores podem estar acessando as mesmas reas de memria. Alm disso, existe o problema de
organizar de forma eficiente os processadores, a memria e os perifricos.
Uma conseqncia do multiprocessamento foi o surgimento dos computadores voltados,
principalmente, para processamento cientfico, aplicado, por exemplo, ao desenvolvimento aeroespacial,
prospeo de petrleo, simulaes, processamento de imagens e CAD. A princpio qualquer aplicao que
faa uso intensivo da UCP ser beneficiada pelo acrscimo de processadores ao sistema.

Memria
UCP UCP

Dispositivos Dispositivos
de E/S de E/S

Figura 17 - Sistemas fortemente acoplados


Link de Comunicao

UCP UCP

Memria Dispositivos Memria Dispositivos


de E/S de E/S

Figura 18 - Sistemas fracamente acoplados

3.5.1 Sistemas Assimtricos


Na organizao assimtrica ou mestre/escravo(master/slave), somente um processador (mestre)
pode executar servios do sistema operacional, como, por exemplo, realizar operaes de entrada/sada.
Sempre que um processador do tipo escravo precisar realizar uma operao de entrada/sada, ter de
requisitar o servio ao processador mestre. Dependendo do volume de operaes de entrada/sada
destinadas aos processadores escravos, o sistema pode se tornar ineficiente, devido ao elevado nmero de
interrupes que devero ser tratadas pelo mestre.

UCP Master UCP Slave

Dispositivos Usurios Usurios


de E/S
S.O

Figura 19 - Sistemas assimtricos.

Se o processador falhar, todo o sistema ficar incapaz de continuar o processamento. Neste caso,
o sistema deve ser reconfigurado, fazendo um dos processadores escravos assumir o papel do mestre.
Mesmo sendo uma organizao simples de implementar e quase um extenso dos sistemas
multiprogramveis, esse tipo de sistema no utiliza eficientemente o hardware, devido assimetria dos
processadores, que no realizam as mesmas funes.

3.5.2 Sistemas Simtricos


O multiprocessamento simtrico (Simmetric Multiprocessing- SMP), ao contrrio da organizao
mestre/escravo, implementa a simetria dos processadores, ou seja, todos os processadores realizam as
mesmas funes. Apenas algumas poucas funes ficam a cargo de um nico processador, como, por
exemplo, a inicialiazao (boot) do sistema.
UCP UCP

Dispositivos Usurios
de E/S S.O

Figura 20 - Sistemas simtricos.

Como vrios processadores esto utilizando, independentemente, a mesma memria e o mesmo


sistema operacional, natural a ocorrncia de acessos simultneos s mesmas reas de memria. A
soluo desses conflitos fica a cargo do hardware e do sistema operacional.
No processamento simtrico, um programa pode ser executado por qualquer processador,
inclusive por vrios processadores ao mesmo tempo (paralelismo). Alm disso, quando um processador
falha, o sistema continua em funcionamento sem nenhuma interferncia manual, porm com menor
capacidade de computao.
Os sistemas simtricos so mais poderosos que os assimtricos, permitindo um melhor
balanceamento do processamento e das operaes de entrada/sada, apesar de sua implementao ser
bastante complexa.

3.5.3 Multiprocessamento
Desde sua criao, os computadores tm sido vistos como mquinas seqncias, onde a UCP
executa a instrues de um programa, uma de cada vez. Na realidade, essa viso no totalmente
verdadeira, pois, em nvel de hardware, mltiplos sinais esto ativos simultaneamente, o que pode ser
entendido como uma forma de paralelismo.
Com a implementao de sistemas com mltiplos processadores, o conceito de simultaneidade ou
paralelismo pode ser expandido a um nvel mais amplo, denominado multiprocessamento, onde uma
tarefa pode ser dividida e executada, ao mesmo tempo, por mais de um processador.

3.5.4 Organizao Funcional


O esquema de comunicao interna das UCPs, memria e dipositivos de E/S (unidades
funcionais) fundamental no projeto de sistemas com mltiplos processadores, pois termina quantas
UCPs o sistema poder ter e como ser o acesso memria.
Para permitir mltiplos acessos simultneos memria (interliving), comum que esta dividida
em mdulos, podendo assim ser compartilhada por vrias unidades funcionais. As organizaes funcionais
de multiprocessadores podem ser divididas basicamente em trs tipos: barramento comum, barramento
cruzado e memria multiport.

3.6 Sistemas Fracamente Acoplados


Os sistemas fracamente acoplados caracterizam-se por possuir dois ou mais sistemas de
computao interligados, sendo que cada sistema possui o seu prprio sistema operacional, gerenciando
os seus recursos, como processador, memria e dispositivos de entrada/sada.
At meados da dcada de 80, os sistemas operacionais e as aplicaes suportadas por eles eram
tipicamente concentradas em sistemas de grande porte, com um ou mais processadores. Nos sistemas
centralizados, os usurios utilizam terminais no inteligentes conectados a linhas seriais dedicadas ou
linhas telefnicas pblicas para a comunicao interativa com esses sistemas.
No modelo centralizado, os terminais no tm capacidade de processamento. Sempre um usurio
deseja alguma tarefa, o pedido encaminhado ao sistema, que realiza o processamento e retorna uma
resposta, utilizando as linhas de comunicao.
Com a evoluo dos computadores pessoais e das estaes de trabalho, juntamente com o avano
das telecomunicaes e da tecnologia de redes, surgiu um novo modelo de computao, chamado de
modelo de rede de computadores.
N
N
N

Rede

N N

Figura 21- Sistemas fracamente acoplados

3.6.1 Sistemas Operacionais de Rede


Em sistemas operacionais de rede (SOR), cada n possui seu prprio sistema operacional, alm
de um hardware e software que possibilitam ao sistema ter acesso a outros componentes da rede,
compartilhando seus recursos. O SOR permite entre outras funes:
Cpia remota de arquivos
Emulao de terminal
Impresso remota
Gerncia remota
Correio eletrnico.
Cada n totalmente independente do outro, podendo inclusive possuir sistemas operacionais
diferentes. Caso a conexo entre os ns sofra qualquer problema, os sistemas podem continuar operando
normalmente, apesar de alguns recursos se tornarem indisponveis.
O melhor exemplo da utilizao dos sistemas operacionais de rede so as redes locais. Nesse
ambiente, cada estao pode compartilhar seus recursos com o restante da rede. Caso uma estao sofra
qualquer, os demais componentes da rede podem continuar o processamento, apenas no dispondo dos
recursos oferecidos por ela.

Figura 22 - Sistemas operacionais de rede.

3.6.2 Sistemas Operacionais distribudos


Em sistemas distribudos, cada componente da rede tambm possui seu prprio sistema
operacional, memria, processador e dispositivos. O que define um sistema distribudo a existncia de
um relacionamento mais forte entre os seus componentes, onde geralmente os sistemas operacionais so
os mesmos. Para o usurio e suas aplicaes, como se no existisse uma rede de computadores, mas sim
um nico sistema centralizado.
Rede

Usurio

Figura 23 - Sistemas Operacionais Distribudos.

A grande vantagem desses sistemas a possibilidade do balanceamento de carga, ou seja, quando


um programa admitido para execuo, a carga de processamento de cada sistema avaliada e o
processador mais livre escolhido. Depois de aceito para processamento, o programa executado no
mesmo processador at o seu trmino. Tambm possvel o compartilhamento de impressoras, discos e
fitas, independentemente do sistema em que a aplicao esteja sendo processada. Este tipo de sistema
distribudo muitas vezes chamado de cluster.

COMP 1 COMP 2

Figura 24 - Cluster.

Suponha, por exemplo, uma configurao de dois computadores (COMP 1 e COMP 2),
formando um cluster. Qualquer usurio conectado ao cluster poder ter acesso aos dispositivos
compartilhados, que permitem a ele imprimir uma listagem ou copiar um arquivo. Nesse tipo de
configurao, se um dos sistemas falhar, o acesso aos dispositivos no ser interrompido.
Os sistemas distribudos podem ser considerados como uma evoluo dos sistemas fortemente
acoplados, onde uma aplicao pode ser executada por qualquer processador. Os sistemas distribudos
permitem que uma aplicao seja dividida em diferentes partes (aplicaes distribudas), que se
comunicam atravs de linhas de comunicao, podendo cada parte ser processada em um sistema
independente.
3.6.3 Organizao Funcional
A organizao funcional dos sistemas fracamente acoplados ou topologia define como so
interligados fisicamente os diversos sistemas da rede.

3.6.3.1 Barramento
Na organizao de barramento, os sistemas so conectados a uma nica linha de comunicao e
todos compartilham o mesmo meio, tanto para receber como para enviar mensagens. Esse tipo de
organizao utilizada geralmente em redes locais (Figura 25).
Neste tipo de topologia, caso haja algum problema com o meio de transmisso, todos os ns da
rede ficaro incomunicveis.

Figura 25 - Organizao de Barramento

3.6.3.2 Organizao distribuda


Na organizao distribuda existem linhas de comunicao ponto-a-ponto que ligam os sistemas e
caminhos alternativos entre os diversos ns da rede. Caso uma linha de comunicao apresente problema,
linhas alternativas permitiro que a rede continue em funcionamento. Este tipo de organizao utilizada
geralmente em redes distrbudas (Figura 26).

Figura 26 - Organizao distribuda


4. Sistemas Multiprogramveis

A possibilidade de perifricos funcionarem simultaneamente entre si, juntamente com a UCP,


permitiu a execuo de tarefas concorrentes, que o princpio bsico para projeto e implementao de
sistemas multiprogramveis. Sistemas operacionais podem ser vistos como um conjunto de rotinas que
executam concorrentemente de uma forma ordenada.
Os sistemas multiprogramveis surgiram de um problema existente nos sistemas
monoprogramveis, que a baixa utilizao de recursos do sistema, como processador, memria e
perifricos.
Nos sistemas monoprogramveis, somente um programa pode estar residente em memria, e a
UCP permanece dedicada, exclusivamente, execuo desse programa. Podemos observar que, nesse
tipo de sistema, ocorre um desperdcio na utilizao da UCP, pois enquanto o programa est realizando,
por exemplo, uma leitura em disco, o processador permanece sem realizar nenhuma tarefa. O tempo de
espera consideravelmente grande, j que as operaes com dispositivos de entrada e sada so muito
lentas se comparadas com a velocidade da UCP. Na tabela abaixo, vemos um exemplo de um programa
que l registros de uma arquivo e executa, em mdia, 100 instrues de mquina por registro lido. Neste
caso, o processador gasta 93% do tempo esperando o dispositivo de E/S concluir a operao para
continuar o processamento. Em um sistema monoprogramvel, a UCP utilizada em aproximadamente
30% do tempo, enquanto em sistemas multiprogramveis o tempo de utilizao sobre para at 90%.

Leitura de um registro 0,0015 segundos


Execuo de 100 instrues 0,0001 segundos
Total 0.0016 segundos

Percentual de utilizao da UCP 0,0001 = 0,066 = 6,6%


0,0015
Tabela 5 - Exemplo de utilizao do sistema
Outro aspecto que devemos considerar a subutilizao da memria. Um programa que no
ocupe totalmente a memria principal ocasiona a existncia de reas livres, sem utilizao.
Nos sistemas multiprogramveis, vrios programas podem estar residentes em memria,
concorrendo pela utilizao da UCP. Dessa forma, quando um programa solicita uma operao de
entrada/sada, outros programas podero estar disponveis para utilizar o processador. Nesse caso, a UCP
permanece menos tempo ociosa e a memria principal utilizada de forma mais eficiente, pois existem
vrios programas residentes se revezando na utilizao do processador.
A utilizao concorrente da UCP deve ser implementada de maneira que, quando um programa
perde o uso do processador e depois retorna para continuar o processamento, seu estado deve ser idntico
ao do momento em que foi interrompido. O programa dever continuar sua execuo exatamente na
instruo seguinte quela em que havia parado, aparentando ao usurio que nada aconteceu. Em sistemas
de tempo compartilhado, existe a impresso de que o computador est inteiramente dedicado ao usurio,
ficando todo esse mecanismo transparente para ele.
No caso de perifricos, comum termos, em sistemas monoprogramveis, impressoras paradas
por um grande perodo de tempo e discos com acesso restrito a um nico usurio. Esses problemas so
solucionados em sistemas multiprogramveis, onde possvel compartilhar impressoras entre vrios
usurios e realizar acesso concorrente a discos por diversos programas.
E/S E/S 1

UCP Livre UCP 1 1


2

tempo tempo
Sistema Nomoprogramvel (a) Sistema Multiprogramvel (b)

Figura 27 - Sistema monoprogramvel X multiprogramvel.


As vantagens de perifricos pela multiprogramao podem ser percebidas segundo o exemplo
descrito a seguir, onde consideramos um computador de 256 Kb de memria, com um disco , um terminal
e uma impressora. Nesta configurao sero executadas trs programas (Prog1, Prog2, e Prog3), que
possuem caractersticas de processamento descritas na Tabela 6. Nesta tabela, podemos notar que o Prog1
no realiza operaes de E/S, enquanto o Prog2 e o Prog3 realizam muitos acessos a perifricos.

Caractersticas Prog1 Prog2 Prog3


Utilizao da UCP Grande Baixa Baixa
Operaes de E/S Poucas Muitas Muitas
Tempo para execuo 5 min. 15 min. 10 min.
Espao da memria utilizado 50 Kb 100Kb 80Kb
Utiliza disco No No No
Utiliza terminal No Sim No
Utiliza impressora No No Sim
Tabela 6 - Caractersticas dos programas exemplos
Em um ambiente monoprogramvel, os programas so executados sequencialmente. Sendo
assim, o Prog1 completa em cinco minutos e o Prog2 deve esperar cinco minutos para comear sua
execuo, que leva 15 minutos. Finalmente, o Prog3 inicia sua execuo aps 20 minutos e completa seu
processamento em 10 minutos, perfazendo um total de 30 minutos para a execuo dos programas.
No caso de os programas serem executados concorrentemente, em um sistema multiprogramvel,
o ganho na utilizao do processador, memria, perifricos e no tempo de reposta considervel, como
mostra a Tabela 7.

Monoprogramao Multiprogramao
Utilizao da UCP 17 % 33%
Utilizao da memria 30 % 67%
Utilizao do disco 33 % 67%
Utilizao da impressora 33 % 67 %
Tempo total para execuo dos programas 30 min. 15 min.
Taxa de execuo de programas 6 prog./hora 12 prog./hora
Tabela 7 - Comparao entre monoprogramao x multiprogramao

4.1 Interrupo e Exceo


Durante a execuo de um programa, alguns eventos podem ocorrer durante seu processamento,
obrigando a interveno do sistema operacional. Esse tipo de interveno chamado interrupo ou
exceo e pode ser resultado da execuo de instrues do prprio programa, gerado pelo sistema
operacional ou por algum dispositivo de hardware. Nestas situaes o fluxo de execuo do programa
desviado para uma rotina especial de tratamento. O que diferencia uma interrupo de uma exceo o
tipo de evento que gera esta condio.
Uma interrupo gerada pelo sistema operacional ou por algum dispositivo e, neste caso,
independe do programa que est sendo executado. Um exemplo quando um perifrico avisa UCP que
est pronto para transmitir algum dado. Neste caso, a UCP deve interromper o programa para atender a
solicitao do dispositivo.

Programa

Salva os
. registradores
.
Identifica a origem
.
da interrupo
. Rotina de
. Obtm o endereo da Tratamento
Interrupo . rotina de tratamento
. :
. :
. :
.
Restaura
. os registradores
.

Figura 28 - Mecanismo de interrupo.


No existe apenas um nico tipo de interrupo e sim diferentes tipos que devem ser atendidos
por diversas rotinas de tratamento. No momento que uma interrupo acontece, a UCP deve saber para
qual rotina de tratamento dever ser desviado o fluxo de execuo. Essa informao est em uma estrutura
do sistema chamada vetor de interrupo, que contm a relao de todas as rotinas de tratamento
existentes, associadas a cada tipo de interrupo.
A interrupo o mecanismo que tornou possvel a implementao da concorrncia nos
computadores, sendo o fundamento bsico dos sistemas multiprogramveis. em funo desse
mecanismo que o sistema operacional sincroniza a execuo de todas as suas rotinas e dos programas dos
usurios, alm de controlar os perifricos e dispositivos do sistema.
Inicialmente os sistemas operacionais apenas implementavam o mecanismo de interrupo. Com
a evoluo dos sistemas foi introduzido o conceito de exceo. Uma exceo resultado direto da
execuo de uma instruo do prprio programa. Situaes como a diviso de um nmero por zero ou a
ocorrncia de um overflow caracterizavam essa situao.
A diferena fundamental entre exceo e interrupo que a primeira gerada por um evento
sncrono, enquanto a segunda gerada por eventos assncronos. Um evento sncrono quando resultado
direto da execuo do programa corrente. Tais eventos so previsveis e, por definio s podem ocorrer
um de cada vez. Se um programa que causa esse tipo de evento for reexecutado, com a mesma entrada de
dados, a exceo ocorrer sempre na mesma instruo.
Um evento dito assncrono quando ocorre independentemente da execuo do programa
corrente. Esses eventos, por serem imprevisveis, podem ocorrer mltiplas vezes simultaneamente, como
no caso de diversos dispositivos de E/S informarem UCP que esto prontos para receber ou transmitir
dados.

4.2 Operaes de Entrada/Sada


Em sistemas mais primitivos, a comunicao entre a UCP e os perifricos era controlada por um
conjunto de instrues especiais, denominadas instrues de entrada / sada, executadas pela prpria UCP.
Essas instrues continham detalhes especficos de cada perifrico, como quais trilhas e setores de um
disco deveriam ser lidos ou gravados em determinado bloco de dados. Esse tipo de instruo limitava a
comunicao do processador a um grupo particular de dispositivos.
A implementao de um dispositivo chamado controlador ou interface permitiu UCP agir de
maneira independente dos dispositivos de E/S. Com esse novo elemento, a UCP no se comunicava mais
diretamente com os perifricos, mas sim atravs do controlador. Isso significa as instrues de E/S, por
no ser mais preciso especificar detalhes de operao dos perifricos, tarefa esta realizada pelo
controlador.

Memria
UCP Controlador
Principal

:
:
:
:

Figura 29 - Controlador.

Com a implementao do mecanismo de interrupo no hardware dos computadores, as


operaes de E/S puderam ser realizadas de uma forma mais eficiente. Em vez de o sistema
periodicamente verificar o estado de uma operao pendente, o prprio controlador interrompia a UCP
para avisar do trmino da operao. Com esse mecanismo, denominado E/S controlada por interrupo, a
UCP, aps a execuo de um comando de leitura ou gravao, fica livre para o processamento de outras
tarefas. O controlador por sua vez, ao receber, por exemplo, um sinal de leitura, fica encarregado de ler os
blocos dos disco e armazen-los em memria ou registradores prprios. Em seguida, o controlador,
atravs de uma linha de controle, sinaliza uma interrupo ao processador. Quando a UCP atende a
interrupo, a rotina responsvel pelo tratamento desse tipo de interrupo transfere os dados dos
registradores do controlador para a memria principal. Ao trmino da transferncia, a UCP volta a
executar o programa interrompido e o controlador fica novamente disponvel para outra operao.
A operao de E/S controlada por interrupo muito mais eficiente que a operao de E/S
controlada por programa, j que elimina a necessidade de a UCP esperar pelo trmino da operao, alm
de permitir que vrias operaes de E/S sejam executadas simultaneamente. Apesar disso, essa
implementao ainda sobrecarregava a UCP, uma vez que toda transferncia de dados entre memria e
perifricos exigia a interveno da UCP. A soluo desse problema foi a implementao, por parte do
controlador, de uma tcnica de transferncia de dados denominada DMA (Direct Memory Access).
A tcnica de DMA permite que bloco de dados seja transferido entre memria e perifricos, sem
a interveno da UCP, exceto no incio e no final da transferncia. Quando o sistema deseja ler ou gravar
um bloco de dados, so passadas da UCP para o controlador informaes como: onde o dado est
localizado, qual o dispositivo de E/S envolvido na operao, posio inicial da memria de onde os dados
sero lidos ou gravados e o tamanho do bloco de dados. Com estas informaes, o controlador realiza a
transferncia entre o perifrico e a memria principal, e a UCP somente interrompida no final da
operao. A rea de memria utilizada pelo controlador na tcnica de DMA chamada buffer, sendo
reservada exclusivamente para este propsito.
No momento em que a transferncia de DMA realizada, o controlador deve assumir,
momentaneamente, o controle do barramento. Como a utilizao do barramento exclusiva de um
dispositivo, a UCP deve suspender o acesso ao bus, temporariamente, durante a operao de transferncia.
Este procedimento no gera uma interrupo, e a UCP pode realizar tarefas, desde que sem a utilizao
do barramento, como, por exemplo, um acesso memria cache.
A extenso do conceito do DMA possibilitou o surgimento dos canais de E/S, ou somente canais,
introduzidos pela IBM no Sistema 7094. O canal de E/S um processador com capacidade de executar
programas de E/S, permitindo o controle total sobre operaes de entrada e sada. As instrues de E/S
so armazenadas na memria principal pela UCP, porm o canal responsvel pela sua execuo. Assim,
a UCP realiza uma operao de E/S, instruindo o canal para executar um programa localizado na memria
(programa de canal). Este programa especifica os dispositivos para transferncia, buffers e aes a serem
tomadas em caso de erros. O canal de E/S realiza a transferncia e, ao final gera uma interrupo,
avisando do trmino da operao.
Um canal de E/S pode controlar mltiplos dispositivos atravs de diversos controladores. Cada
dispositivo, ou conjunto de dispositivos, manipulado por um nico controlador. O canal atua como um
elo de ligao entre a UCP e o controlador.

Memria
UCP Principal

Cana de
E/S

Controlador Controlador

..... .....

Figura 30 - Canal de E/S

4.3 Buffering
A tcnica de buffering consiste na utilizao de uma rea de memria para a transferncia de
dados entre os perifricos e a memria principal denominada buffer. O buffering veio permitir que,
quando um dado fosse transferido para o buffer aps uma operao de leitura, o dispositivo de entrada
pudesse iniciar uma nova leitura. Neste caso, enquanto a UCP manipula o dado localizado no buffer, o
dispositivo de entrada pudesse iniciar uma nova leitura. Neste caso, enquanto a UCP manipula o dado
localizado no buffer, o dispositivo realiza outra operao de leitura no mesmo instante. O mesmo
raciocnio pode ser aplicado para operaes de gravao, onde a UCP coloca o dado no buffer para um
dispositivo de sada manipular.

Memria Principal

Controlador
UCP Gravao Buffer Gravao
de E/S

Leitura Leitura

Figura 31 - Operaes utilizando buffer.


O buffering outra implementao para minimizar o problema da disparidade da velocidade de
processamento existente entre a UCP e os dispositivos de E/S. O objetivo do buffering manter, na maior
parte do tempo, UCP e dispositivos de E/S ocupados.
A unidade de transferncia usada no mecanismo de buffering o registro. O tamanho do registro
pode ser especificado em funo da natureza do dispositivo ( como uma linha gerada por uma impressora
ou um caracter de um teclado) ou da aplicao ( como um registro lgico definido em um arquivo).
O buffer deve possuir a capacidade de armazenar diversos registros, de forma a permitir que
existam dados lidos no buffer, mas ainda no processados (operaes de leitura), ou processados, mas
ainda no gravados (operao de gravao). Desta forma, o dispositivo de entrada poder ler diversos
registros antes que a UCP os processe, ou a UCP poder processar diversos registros antes de o
dispositivo de sada realizar a gravao. Isso extremamente eficiente, pois, dessa maneira, possvel
compatibilizar a diferena existente entre o tempo em que a UCP processa os dados e o tempo em que o
dispositivo de E/S realiza as operaes de leitura e gravao.

4.4 Spooling
A tcnica de spooling (simultaneous peripheral operation on-line) foi introduzida no final dos
anos 50 para aumentar a produtividade e a eficincia dos sistemas operacionais.
Naquela poca, os programas dos usurios eram submetidos um a um para processamento pelo
operador. Como a velocidade de operao dos dispositivos de entrada/sada muito lenta se comparada
do processador, era comum que a UCP ficasse ociosa espera de programas e dados de entrada ou pelo
trmino de uma impresso.
A soluo foi armazenar os vrios programas e seus dados, tambm chamados de jobs, em uma
fita magntica e, em seguida, submet-los a processamento. Desta forma, a UCP poderia processar
seqencialmente cada job, diminuindo o tempo de execuo dos jobs e o tempo de transio entre eles. Da
mesma forma, em vez de um job gravar suas sadas diretamente na impressora, poderia direcion-las para
uma outra fita, que depois seria impressa integralmente. Esta forma de processamento chamada de
spooling e foi a base dos sistemas batch.
A utilizao de fitas magnticas obrigava o processamento a ser estritamente seqncia, ou seja,
o primeiro job a ser gravado era o primeiro a ser processado. Assim, se um job que levasse vrias horas
antecedesse pequenos jobs, seus tempos de resposta ficariam seriamente comprometidos. Com o
surgimento de dispositivos de acesso direto, como discos, foi possvel tornar o spooling muito mais
eficiente, e principalmente, permitir a eliminao do processamento estritamente seqencial, com a
atribuio de prioridade aos jobs.
A tcnica de buffering, como j apresentamos, permite que um job utilize um buffer
concorrentemente com um dispositivo de E/S. O spooling, basicamente, utiliza o disco como um grande
buffer, permitindo que dados sejam lidos e gravados em disco, enquanto outros jobs so processados.
Um exemplo dessa tcnica est presente quanto impressora so utilizadas. No momento em que
um comando de impresso executado por um programa, as informaes que sero impressas so
gravadas em um arquivo em disco (arquivo de spool), para ser impresso posteriormente pelo sistema
Figura 32. Dessa forma, situaes como a de um programa reservar a impressora, imprimir uma linha e
ficar horas para continuar a impresso no acontecero. Essa implementao permite maior grau de
conpartilhamento na utilizao de impressoras.

Sistema
Programa Operacional

Arquivo de Spool
Impresso

Figura 32 - Tcnico de spooling.


Atualmente, a tcnica de spooling implementada na maioria dos sistemas operacionais. Fazendo
com que tanto a UCP quanto os dispositivos de E/S seja aproveitados de forma mais eficiente.

4.5 Reentrncia
comum, em sistemas multiprogramveis, vrios usurios executarem os mesmos utilitrios do
sistema operacional simultaneamente, como, por exemplo, um editor de textos. Se cada usurio que
utilizasse o editor trouxesse o cdigo do utilitrio para a memria, haveria diversas cpias de um mesmo
programa na memria principal, o que ocasionaria um desperdcio de espao.
Reentrncia a capacidade de um cdigo de programa (cdigo reentrante) poder ser
compartilhado por diversos usurios, exigindo que apenas uma cpia do programa esteja na memria.
Uma caracterstica da reentrncia que o cdigo no pode ser modificado por nenhum usurio no
momento em que est sendo executado.
A reentrncia permite que cada usurio possa estar em um ponto diferente do cdigo reentrante,
manipulando dados prprios, exclusivos de cada usurios.

4.6 Proteo do Sistema


Nos sistemas multiprogramveis, onde diversos usurios compartilham os mesmo recursos, deve
existir uma preocupao, por parte do sistema operacional, de garantir a integridade dos dados
pertencentes a cada usurio. Problemas como um programa acessar (acidentalmente ou no) a rea de
memria pertencente a outro programa ou ao prprio sistema operacional tornaria o sistema pouco
confivel. Para isso, todo sistema implementa algum tipo de proteo aos diversos recursos que so
compartilhados, como memria, dispositivos de E/S e UCP.
Com vrios programas ocupam a memria simultaneamente e cada usurio possui uma rea onde
dados e cdigo so armazenados, os sistema operacional deve possuir mecanismos de proteo
memria, de forma a preservar as informaes. Caso um programa tente acessar uma posio de memria
fora da sua rea, um erro do tipo violao de acesso ocorre e o programa encerrado. O mecanismo para
o controle de acesso memria varia em funo do tipo de gerncia de memria implementado pelo
sistema.
H outro problema quando um programa reserva um perifrico para realizar alguma operao.
Neste situao, como, por exemplo, na utilizao de uma impressora, nenhum outro programa deve
interferir at que o programa libere. O compartilhamento de dispositivos de E/S deve ser controlado de
forma centralizada pelo sistema operacional.
Para solucionar esses diversos problemas, o sistema operacional deve implementar mecanismos
de proteo que controlem o acesso concorrente aos diversos recursos do sistema. Esse mecanismo de
proteo, implementado na maioria dos sistemas multiprogramveis, denominado modos de acesso.
5. Estrutura dos Sistemas Operacionais

Existe uma grande dificuldade em compreender a estrutura e o funcionamento de um sistema


operacional, pois ele no executado como uma aplicao tipicamente seqencial, com incio, meio e fim.
As rotinas do sistema so executadas sem uma ordem predefinida, baseada em eventos dissociados do
tempo (eventos assncronos). Muitos desses eventos esto relacionados ao hardware e tarefas internas do
prprio sistema operacional.
O sistema operacional formado por um conjunto de rotinas (procedimentos) que oferecem
servios aos usurios do sistema e suas aplicaes, bem como a outras rotinas do prprio sistema. Esse
conjunto de rotinas chamado ncleo do sistema ou Kernel (crebro). As principais funes do ncleo
so:
tratamento de interrupes;
criao e eliminao de processos;
sincronizao e comunicao de processos;
escalonamento e controle dos processos;
gerncia de memria;
gerncia do sistema de arquivos;
operaes de entrada e sada;
contabilizao e segurana do sistema.

5.1 System Calls


Uma preocupao que surge na grande maioria dos projetos de sistemas operacionais a
implementao de mecanismos de proteo ao ncleo do sistema e de acesso aos seus servios. Caso uma
aplicao, que tenha acesso ao ncleo, realize uma operao que o danifique, todo o sistema poder ficar
comprometido e inoperante.
O usurio (ou aplicao), quando deseja solicitar algum servio do sistema, realiza uma chamada
a uma de suas rotinas ( ou servios) atravs de system calls (chamadas ao sistema), que so a porta de
entrada para se ter acesso ao ncleo do sistema operacional. Para cada servio existe uma system call
associada e cada sistema operacional tem o seu prprio conjunto (biblioteca) de chamadas, com nomes,
parmetros e formas de ativao especficos (Figura 33).

System
Aplicao Ncleo Hardware
Call

Figura 33 - System Call


Atravs dos parmetros fornecidos na system call, a solicitao processada e uma resposta
retornada aplicao, em um dos parmetros fornecidos na chamada. O mecanismo de ativao e
comunicao entre a aplicao e o sistema semelhante ao mecanismo implementado quando um
programa modularizado ativa um dos seus procedimentos ou funes.

As system call podem ser divididas em grupos de funo:

* Gerncia de processos
Criao e eliminao de processos
Alterao das caractersticas do processo
Sincronizao e comunicao entre processos
* Gerncia de memria
Alocao e desalocao de memria
*Gerncia de entrada/sada
Operaes de entrada/sada
Manipulao de arquivos e diretrios

5.2 Modos de Acesso


Existem certas instrues que no podem ser colocadas diretamente disposio das aplicaes,
pois a sua utilizao indevida ocasionaria srios problemas integridade do sistema. Suponha que uma
aplicao deseja atualizar um arquivo em disco. O programa, por si s, no pode especificar diretamente
as instrues que acessam seus dados. Como o disco um recurso compartilhado, sua utilizao dever
ser realizada unicamente pelo sistema operacional, evitando que a aplicao possa ter acesso a qualquer a
qualquer rea do disco indiscriminadamente, o que poderia comprometer a segurana do sistema.
Como visto, fica claro que existem certas instrues, como operaes de entrada e sada, que s
devem ser executadas pelo sistema operacional, para impedir a ocorrncia de problemas de segurana e
mesmo violao do sistema. As instrues que tm o poder de comprometer o sistema so conhecidas
como instrues privilegiadas, enquanto as instrues no privilegiadas so as que no oferecem perigo ao
sistema.
Para que uma aplicao possa executar uma instruo privilegiada, o processador implementa o
mecanismo de modos de acesso. Existem basicamente dois modos de acesso implementados pelo
processador: modo usurio e modo kernel. Quando um processador trabalha no modo usurio, uma
aplicao s pode executar instrues no privilegiadas, tendo acesso a um nmero reduzido de
instrues, enquanto no modo kernel a aplicao pode ter acesso ao conjunto total de instrues do
processador.
O modo de acesso de uma aplicao determinado por um conjunto de bits, localizado em um
registrador especial da UCP, que indica o modo de acesso corrente. Atravs desse registrador, o hardware
verifica se a instruo pode ou no ser executada pela aplicao.
A melhor maneira de controlar o acesso s instrues privilegiadas permitir que apenas o
sistema operacional tenha acesso a elas. Sempre que uma aplicao necessita de um servio que incorra
em risco para o sistema, a solicitao feita atravs de uma system call. A system call altera o modo de
acesso do processador para um modo mais privilegiado (modo kernel). Ao trmino da rotina do sistema, o
modo de acesso retornado para o modo usurio (Figura 34). Caso um programa tente executar uma
instruo privilegiada, sem o processador estar no modo kernel, uma execeo gerada e o programa
encerrado.

Figura 34 - Chamada a uma rotina do sistema

5.3 Tipos de Estrutura de Sistemas Operacionais


Vamos examinar quatro maneiras diferentes de se estruturar um sistema operacional, do modo a
formar uma idia a respeito do espectro de possibilidades

5.3.1 Sistemas Monolticos


Apesar da estrutura monoltica ser de longe a mais utilizada, ela poderia muito bem ser chamada
de a grande confuso. Simplesmente no h estruturao visvel na organizao monoltica. O sistema
operacional escrito como um conjunto de procedimentos, cada um dos quais podendo chamar qualquer
dos demais sempre que necessrio. Quando esta tcnica usada, cada procedimento do sistema deve ter
uma interface bem definida em termos de parmetros e de resultados, sendo, conforme mencionado
anteriormente, cada procedimento livre para chamar qualquer outro se este ltimo realizar algo de que o
primeiro necessite.
Ex. MS-DOS, UNIX

Figura 35 - Sistemas monolticos.

5.3.2 Sistemas em Camadas


Um sistema em camadas divide o sistema operacional em camadas sobrepostas. Cada mdulo
oferece um conjunto de funes que podem ser utilizadas por outros mdulos. Mdulos de uma camada
podem fazer referncia apenas a mdulos das camadas inferiores.
O primeiro sistema com base nesta abordagem foi o sistema THE (Techinische Hogeschool
Eindhoven), construdo por Dijkstra na Holanda em 1968 e que utilizava seis camadas. Posteriormente, os
sistemas MULTICS e VMS tambm implementaram o conceito de camadas, sendo estas concntricas.
Neste tipo de implementao, as camadas mais internas so mais privilegiadas que as mais externas.

5 Operador

4 Programas de Usurio

3 Entrada/Sada

2 Comunicao

1 Gerncia de memria

0 Multiprogramao

Figura 36 - Sistema MULTICS

A vantagem da estruturao em camadas isolar as funes do sistema operacional facilitando


sua alterao sua alterao e depurao, alm de criar uma hierarquia de nveis de modos de acesso,
protegendo as camadas mais internas.
Usurio
Supervisor

Executivo

Kernel

Figura 37 - Sistema VMS.

5.3.3 Mquinas Virtuais


Chamado originalmente de CP/CMS, agora denominado VM/370 (Seawright and MacKinnon,
1979), baseou-se numa astuta observao: um sistema de compartilhamento de tempo deve fornecer: (1)
ambiente para multiprogramao e (2) uma mquina estendida com uma interface mais conveniente que o
hardware. A essncia do VM/370 a separao completa destas duas funes.
O corao conhecido como monitor da mquina virtual, roda sobre o hardware, e implementa a
multiprogramao, fornecendo no s uma, mas vrias mquinas virtuais para o nvel acima dele. Porm,
ao contrrio dos demais sistemas operacionais, estas mquinas no so mquinas estendidas, com sistemas
de arquivos e outras caractersticas agradveis e convenientes ao usurio. Em vez disso, elas so cpias
fiis do hardware, incluindo os modos kernel/usurio, entrada/sada, interrupes, e tudo o mais que uma
mquina real possui.
Pelo fato de cada mquina virtual ser uma cpia exata do hardware, cada uma delas pode rodar
um sistema operacional. Mquinas virtuais diferentes podem rodar sistemas operacionais diferentes.
Algumas rodam sistemas sucessores do OS/360 para processamento batch, outras rodam um sistema
monousurio, outras um sistema interativo denominado CMS (Conversational Monitor System) para
usurios de sistemas de compartilhamento de tempo.
Quando um programa CMS executa uma chamada de sistema, a chamada interceptada pelo
sistema operacional de sua prpria mquina virtual, no pelo VM/370, exatamente como se ele estivesse
rodando numa mquina real, e no numa virtual. O CMS ento executa as instrues necessrias para
efetuar a chamada. Estas instrues so interceptadas pelo VM/370, que as executa como parte da
simulao do hardware real. Atravs da completa separao das funes de fornecimento do ambiente de
multiprogramao e do fornecimento de uma mquina virtual, cada um dos mdulos mais simples, mais
flexvel e mais fcil de manter.

5.3.4 Modelo Cliente Servidor


Uma tendncia dos sistemas operacionais modernos tornar o ncleo do sistema operacional o
menor e mais simples possvel. Para implementar esta idia, o sistema dividido em processos, sendo
cada um responsvel por oferecer um conjunto de servios, como servios de arquivos, servios de
criao de processos, servios de memria, servios de escalonamento, etc.
Sempre que uma aplicao deseja algum servio, ela solicita ao processo responsvel. Neste
caso, a aplicao que solicita um servio chamada de cliente, enquanto o processo que responde
solicitao chamado servidor. Um cliente, que pode ser uma aplicao de um usurio ou um outro
componente do sistema operacional, solicita um servio enviando uma mensagem para o servidor. O
servidor responde ao cliente atravs de uma outra mensagem. funo do ncleo do sistema realizar a
comunicao ou seja, a troca de mensagens entre o cliente e o servidor.
Servidor
Cliente de memria Servidor
de rede

Servidor Servidor
de arquivo de processo

Modo usurio
Modo kernel
Ncleo

Hardware

Figura 38 -Sistemas cliente-servidor.

A utilizao deste modelo permite que os servidores executem em modo usurio, ou seja, no
tenham acesso direto a certos componentes do sistema. Apenas o ncleo do sistema, responsvel pela
comunicao entre clientes e servidores, executa no modo kernel. Como conseqncia, se um erro ocorrer
em um servidor, este servidor pode parar, mas o sistema no ficar inteiramente comprometido. Alm
disso, a implementao de sistemas cliente-servidor permite isolar as funes do sistema operacional por
diversos processos (servidores) pequenos e dedicados a servios especficos. Como conseqncia, os
sistema operacional passa a ser de mais fcil manuteno.
Como os servidores se comunicam atravs de trocas de mensagens, no importa se os clientes e
servidores esto sendo processados em um sistema com um nico processador, com mltiplos
processadores (fortemente acoplado) ou ainda em um ambiente de sistema distribudo (fracamente
acoplado). A implementao de sistemas cliente-servidor em um ambiente distribudo permite que um
cliente solicite um servio e a resposta seja processada remotamente.
Apesar de todas as vantagens deste modelo, sua implementao, na prtica, muito difcil devido
a certas funes do sistema operacional exigirem acesso direto ao hardware, como operaes de entrada e
sada. Na realidade, o que implementado mais usualmente uma combinao do modelo de camadas
com o modelo cliente-servidor. O ncleo do sistema, alm de ser responsvel pela comunicao entre
cliente e servidor, passa a incorporar outras funes crticas do sistema, como escalonamento e gerncia
de memria, alm das funes dos device drivers.
Teoria de Controle

Sistemas Lineares

Neste captulo vamos apresentar a teoria b


asica de sistemas equaco
es diferenciais ordin
arias lineares
que ser
autil para o estudo de sistemas de controle lineares.
O material relacionado a sistemas lineares contido neste captulo pode ser encontrado citeso-
tomayor. O teorema da contraca o e assunto b
asico dos cursos de matem atica. O material que aqui
aparece foi retirado de [Hon].

1.1 Introdu
c
ao

Sistemas Lineares s
ao aqueles que tem a forma:
0

x1 = a11 (t)x1 + . . . + a1n (t)xn + b1 (t)

x02 = a21 (t)x1 + . . . + a2n (t)xn + b2 (t)
.. (1.1)

.

0
xn = an1 (t)x1 + . . . + ann (t)xn + bn (t)
onde os aij , bi s
ao funco
es contnuas em um intervalo I, aberto com i,j=1,2,. . . ,n.
Equivalentemente podemos escrever
n
X
x0i = [aij (t)xj (t) + bi (t)], i = 1, 2, ..., n.
j=1

es {1 , 2 ,...,n } de classe C 1 em I0 I satisfaz


Se um conjunto de soluco

X n
d
i (t) = [aij (t)j (t) + bi (t)], i = 1, 2, ..., n.
dt j=1

ent o do sistema (1.1) em I0 para todo t I0 .


ao tal conjunto e soluca
Considerando agora A(t) a matriz cujos elementos s ao as funco
es a ij e b(t) o vetor cujos elementos
s
ao as funco
es bi (t), temos a equaca
o matricial:

x0 = A(t)x + b(t). (1.2)

Assim, se um conjunto {1 , 2 ,...,n } e soluca


o de (1.1) em I0 ent
ao a aplicaca
o =(1 , 2 ,...,n )
e soluca
o para (1.2) em I0 , isto e,

0 = A(t)(t) + b(t), t I0 .

1
Antes de prosseguirmos, vamos apresentar algumas noco
es de espaco
es metricos necess
arios ao
desenvolvimento deste captulo.

Defini
c
ao 1.1.1 Um espaco metrico e um par (X,d) onde X e um conjunto e d e uma funca
o,

d : X X R
(x, y) d(x, y),

chamada dist
ancia de x a y, que satisfaz:

(a) d(x,x) = 0

(b) x 6= y d(x, y) > 0

(c) d(x,y) = d(y,x)

(d) d(x,y) d(x,z)+d(z,y) - (desigualdade triangular)

Defini c
ao 1.1.2 Seja X um espaco metrico com a metrica d. Dizemos que uma aplicacao T : X
X e uma contraca o se existe c R, 0 c < 1 tal que x1 , x2 X temos que d(T (x1 ), T (x2 ))
cd(x1 , x2 ), onde c e a chamada de constante de contraca
o de T.

Notaao: Seja T : X X, denotaremos T 2 = T T , T 3 = T T 2 , ou seja T n = T T n1 .


c

ao 1 + c + c2 + ... + cmn1 (1 c)1 .


Lema 1.1.3 Sejam 0 c < 1 e m > n 1. Ent

Demonstra
c
ao: Exerccio.

Defini ao 1.1.4 Dada uma sequencia (xn ) em (X, d) e um ponto x X, dizemos que (xn ) converge
c
a x se a sequencia de n
umeros reais d(xn , x) converge a zero.

Defini
c
ao 1.1.5 Uma sequencia (xn ) de X e chamada de sequencia de Cauchy se dado > 0, existe
n0 N tal que
d(xn , xm ) < para todo n, m > n0 .

Dizemos que um espaco metrico e completo se toda sequencia de Cauchy neste espaco for con-
vergente.

Teorema 1.1.6 (Teorema do ponto fixo de Banach para contra co


es)
Sejam X um espaco metrico e T : X X uma contraca
o. Ent
ao:

(i) ! x : T (x) = x;

uencia (xn )nN , onde xn+1 = T n (x1 ), converge a x;


(ii) x1 , a seq

cn1
(iii) n temos d(xn , x) d(xn , x).
1c

2
Demonstra ao: (i) Mostremos primeiramente a existencia. Seja x1 X qualquer e xn+1 = T (xn ),
c
n = 1, 2, ...
Vamos demonstrar que (xn )nN e uma sequencia de Cauchy.
Para n > 1, temos
d(xn , xn+1 ) = d(T xn1 , T xn ) cd(xn1 , xn )
e, por induca
o sobre n, vem que

d(xn , xn+1 ) cn1 d(x1 , x2 ).

ao, para 1 n m, temos


Ent

d(xn , xm ) d(xn , xn+1 ) + ... + d(xm1 , xm )


cn1 d(x1 , x2 ) + ... + cm2 d(x1 , x2 )

= cn1 d(x1 , x2 ) 1 + c + ... + cmn1
cn1
d(x1 , x2 ) ( Lema (1.1.3)).
1c

e, como cn 0, segue que (xn ) e uma sequencia de Cauchy. Como X e um espaco metrico completo,
X tal que xn x
temos que existe x .
Mostremos agora que T x=x . Assim sendo

d(T x , T xn ) cd(
, xn+1 ) = d(T x x , xn )

x, xn ) 0, segue que xn T x
e, como d( . Pelo teorema de unicidade do limite, temos ent
ao que
Tx=x .

, y X, x
Mostremos agora a unicidade. Sejam x 6= y, com T x
=x
, T y = y. Ent
ao

0 < d( , T y) cd(
x, y) = d(T x x, y)

e, portanto, c 1, o que contradiz a hip


otese.

(ii) Observe que a sequencia definida em i) tambem pode ser escrita da seguinte forma

xn+1 = Txn1

Sabemos que esta sequencia converge a um ponto fixo, mas pela unicidade do ponto fixo temos que
ela converge a x.

o de i) resulta que para 1 n m,


(iii) Da demonstraca

cn1
) d(xn , xm ) + d(xm , x
d(xn , x ) d(x1 , x2 ) + d(xm , x)
1c

) 0, segue a afirmaca
Como d(xm , x o (iii).

Corolario 1.1.7 Seja T : X X tal que, para algum m, T m e uma contraca o. Ent ao T tem
uencia (T n x1 )nN converge ao
um e somente um ponto fixo e, para qualquer que seja x1 X, a seq
ponto fixo.

3
Demonstraao: Como T m e uma contraca
c nico ponto fixo, ou seja T m x = x. Ent
o, seja x seu u ao:

T m (T x) = T (T mx) = T x
Logo T x e ponto fixo de T m . Mas como x e o u nico ponto fixo de T m , temos que x = T x
(existencia), ou seja x e ponto fixo de T .
Para provar que x e u nico, tomemos x e como um outro ponto fixo de T. Assim,

T m (e
x) = T m1 (T x
e) = T m1 (e
x) = T m2 (T x
e) = ... = T x
e=x
e
Logo xe e ponto fixo de T m , e portanto x = x e.
Provemos ent ao a segunda parte do corol ario.
Seja x1 X. Tome yk = (T m )k y1 , onde y1 = T r x1 , com r N fixo e k N. Pelo Teorema do
ponto fixo de Banach para contraco es, yk x. Entao, para n > m, temos que r N , 1 r < m,
tal que n = km + r. Assim,

T n x1 = T mk+r x1 = T mk (T r x1 ) = (T m )k y1 = yk
Como yk x, temos que T n x1 x.
Consideraremos C(I0 , E) := {x : I0 E} o espaco das funco
es contnuas com a metrica
d(x, y) = max |x(t) y(t)| =k x y k .
t I0

Observaao: Denotaremos por E os espacos Rn ou Cn .


c

Teorema 1.1.8 Se as funco es aij e bi , i,j=1,2,...,n, s


ao contnuas em I, ent
ao existe uma u
nica
soluca
o (t) (definida em I) da equaca
o
x0 = A(t)x + b(t),
que satisfaz a condica
o inicial
(t0 ) = x0 , t0 I,
onde x0 E e um valor arbitr
ario.

Rt
Demonstra ao: Seja T : C C definida por T (t) := x0 + t0 [A(s)(s) + b(s)]ds. Assim T
c
est
a bem definida. Provemos que T possui um u
nico ponto fixo em C, o que implica no resultado
desejado. Dados u, v C, temos

Z t Z t
|T u(t) T v(t)| = | [A(s)(u(s) v(s))]ds| k A(s) kk u v k ds
t0 t0
K k u v k |t t0 |,
onde K := supsI0 k A(s) k . Tambem temos:

Z t
|T 2 u(t) T 2 v(t)| = |T (T u)(t) T (T v)(t)| k A(s)(T u(s) T v(s)) k ds
t0
Z t
K |T u(s) T v(s)|ds
t0
Z t
2 (t t0 )2
K k u v k |s t0 |ds = K 2 k u v k
t0 2!

4
Por induca
o, provamos que

Kn
|T n u(t) T n v(t)| k u v k |t t0 |n
n!
Suponhamos que a desigualdade acima seja verdadeira para n N. Ent
ao

Z t
n+1 n+1 n n
|T u(t) T v(t)| = |T (T u)(t) T (T v)(t)| = | A(s)(T n u(s) T n v(s))ds|
t0
Z t
Kn K n+1
K k u v k |s t0 |n ds k u v k |t t0 |n+1 .
t0 n! (n + 1)!

Sendo I0 = [a, b] com a < b, segue que

K n (b a)n
|T n u(t) T n v(t)| k u v k , n N.
n!
Logo, para algum m N suficientemente grande, podemos afirmar que T m e uma contraca
o. Do
Corol nico ponto fixo C, tal que
ario (1.1.7) segue que T possui um u

T = ,

isto e,
Z t
(t) = x0 + [A(s)(s) + b(s)]ds (1.3)
t0

o que demonstra o teorema da existencia e unicidade em quest


ao.

Consideremos a equaca
o diferencial

x(n) = p1 (t)x(n1) + p2 (t)x(n2) + . . . + pn1 (t)x0 + pn (t)x + g(t), (1.4)


onde as funco
es p1 , p2 , . . . , pn e g s
ao contnuas num intervalo I. Podemos transformar a equaca
o
(1.4) num sistema de n equaco es de primeira ordem, assim:



z1 = x

z10 = x0 = z2



0 00
z20 = x000 = z3

z3 = x = z 4 (1.5)

..

.



z0 = x(n1) = zn

n10
zn = x(n) = p1 (t)x(n1) + . . . + pn (t)x + g(t) = p1 (t)zn + . . . + pn (t)z1 + g(t)

Com tal mudanca facilitaremos os c alculos a serem feitos, j


a que precisaremos apenas de achar a
soluca
o de equaco
es diferenciais de primeira ordem.
O sistema (1.5) e equivalente na forma matricial a`

z 0 = A(t)z + b(t),

5
onde

z1 0 1 0 0 0
z2 0 0 1 0 0

.. .. .. .. .. .. ..
z= . , A(t) = . . . . . e b(t) = . .

zn1 0 0 0 1 0
zn pn (t) pn1 (t) pn2 (t) p1 (t) g(t)

Assim, como pelo Teorema 1.1.8 a equaca o diferencial acima tem u


nica soluca
o, conseq
uentemente,
a equaca
o (1.4) tambem tem soluca
o u
nica.

Exemplo 1.1.9 Transforme a equaca


o

ax00 + bx + c = 0

onde a, b e c s
ao constantes, num sistema de equaco
es lineares.
b c
Solu c
ao: O sistema dado e equivalente a ` x00 + x0 + ao x01 = x0 .
= 0. Facamos x1 = x; ent
a a
b c b c
ao x02 = x00 = x0 = x1 .
Facamos agora, x2 = x0 ; ent
a a a a
Assim, obtemos o sistema ( 0
x1 = x 2
b c
x02 = x1
a a
que e equivalente a  0      
x1 0 1 x1 0
= b + c .
x02 a 0 x2 a

Se a matriz A(t) do sistema de equaco


es

x0 = A(t)x + b(t),

e constante, isto e, os elementos aij s


ao constantes, dizemos que o sistema associado e um sistema
autonomo. Caso contr ario, chamamos o sistema de sistema n ao-autonomo. Trataremos agora
do caso mais geral, onde o sistema e n ao-aut
onomo.

1.2 Sistemas N
ao-Aut
onomos
Estudaremos equaco
es da forma
x0 = A(t)x + b(t), (1.6)
onde todos os elementos da matriz A(t) e do vetor b(t) s
ao funco
es contnuas num intervalo I. Como
j
a visto, a equaca
o (1.6) possui u
nica soluca
o.

Corol
ario 1.2.1 Sejam , soluco
es da equaca
o homogenea

x0 = A(t)x. (1.7)

(a) Se a e b s
ao constantes arbitr
arias, ent
ao = a + b e soluca
o da equaca
o (1.7);

6
(b) Se (s) = 0 para algum s I ent
ao (t) = 0, t I.

Demonstra
c
ao: (a) Se e s
ao soluco
es da equaca
o (1.7), ent
ao satisfazem

0 = A(t) e 0 = A(t).

Logo,

0 (t) = a0 (t) + b 0 (t)


= aA(t)(t) + bA(t)(t)
= A(t)[a(t) + b(t)]
= A(t)(t).

(b) A funcao nula e soluca


o da equaca
o (1.7) e satisfaz a condica
o inicial (s) = 0. Pelo Teorema
1.1.8 esta soluca
o e u
nica. Ent ao
(t) = 0, t I.

Teorema 1.2.2 O conjunto A de todas as soluco es da equacao (1.7) e um subespaco do espaco


es contnuas : I E, de dimens
vetorial das funco ao n, e para cada s I, a aplicacao que a
cada x0 E associa a solucao (t) satisfazendo (s) = x0 e um isomorfismo de E sobre A.

Demonstra c
ao: A primeira parte e consequencia imediata do Corol
ario 1.2.1,Provemos a segunda
o de A em E, dada por
parte. Representemos por s a aplicaca

s () = (s), s I.

Observemos que s e linear:

s (a1 + 2 ) = (a1 + 2 )(s)


= a1 (s) + 2 (s)
= as (1 ) + s (2 ),

onde 1 e 2 sao soluco o (1.7). Pelo Teorema 1.1.8, temos que para x 0 E, i A
es da equaca
tal que s () = (s) = x0 , ou seja, s e sobrejetora. Agora

ker s = { A : s () = 0}.
Mas pela parte (b) do Corol ario 1.2.1, a u
nica soluca
o que satisfaz (s) = 0 e a soluca
o nula. Logo
ker s = {0}, ou seja, s e injetora. Portanto s e bijetora, e existe 1
s (tamb em bijetora),

1
s (x0 ) = (t), com (s) = x0 .

o de E em A, bijetora. Logo esta e isomorfismo de E sobre A e portanto


Assim obtemos uma aplicaca
dimA = dimE.

Notemos que como A e um subespaco vetorial, tambem e um espaco vetorial. Particularmente


se v1 , v2 , . . . , vn formam uma base de E, ent
ao 1 (t), 2 (t), . . . , n (t) com 1 (s) = v1 , 2 (s) =
v2 , . . . , n (s) = vn formam uma base de A.

7
Consideremos agora as equaco
es matriciais lineares
X 0 = A(t)X, (1.8)
onde X e uma matriz quadrada de ordem n. (t) e soluca o da equacao (1.8) se, e somente se, para
todo 1 j n, a j-esima coluna j (t) de (t) e soluca
o da equacao homogenea x0 = A(t)x.
Definimos a matriz fundamental da equaca o (1.7) como sendo uma matriz quadrada (t) de
ordem n cujas colunas formam uma base do espaco de soluco es de (1.7).
Como as colunas de uma matriz fundamental formam uma base do espaco A de soluco es de
(1.7), estas s
ao linearmente independentes. Temos que a dimens ao de A e n; logo temos n colunas
linearmente independentes, e assim a matriz fundamental e n ao-singular1.
Pelo Teorema 1.1.8, dado t0 I, e M0 uma matriz n ao-singular, existe uma u nica matriz funda-
mental tal que (t0 ) = M0 .
Seja C uma matriz constante, n n. Ent ao se (t) e uma soluca o da equaca
o (1.8), (t) = (t)C
e tambem solucao de (1.8), pois
0 (t) = 0 (t)C = A(t)(t)C = A(t)(t).

Proposi
c
ao 1.2.3 Sejam (t) e (t) soluco
es da equaca
o
X 0 = A(t)X,
sendo fundamental. Ent nica matriz C, n n, tal que
ao existe uma u
(t) = (t)C, t I.
C e n
ao singular se e somente se (t) e fundamental.
Demonstra
c ao singular para todo t I. Ent
ao: Como e fundamental, e n ao temos
[1 (t)(t)]0 = [1 (t)]0 (t) + 1 (t) 0 (t). (1.9)
Mas 1 (t) = 1 (t)(t)1 (t). Logo
[1 (t)]0 = [1 (t)(t)1 (t)]0
= [1 (t)]0 (t)1 (t) + 1 (t)0 (t)1 (t) + 1 (t)(t)[1 (t)]0
= [1 (t)]0 + 1 (t)0 (t)1 (t) + [1 (t)]0 .
Assim obtemos [1 (t)]0 = 2[1 (t)]0 + 1 (t)0 (t)1 (t), ou seja,
[1 (t)]0 = 1 (t)0 (t)1 (t)
= 1 (t)A(t)(t)1 (t)
= 1 (t)A(t), (1.10)
e substituindo em (1.9), obtemos
[1 (t)(t)]0 = 1 (t)A(t)(t) + 1 (t)A(t)(t) = 0.
Portanto
1 (t)(t) = C = (t) = (t)C.
Desta forma, temos que
det 1 (t) det (t) = det[1 (t)(t)] = det C.
Assim, det C 6= 0, isto e, C e n
ao singular se e somente se det (t) 6= 0, ou seja, se e somente se (t)
e fundamental.
1 det[(t)] 6= 0, ou seja, e inversvel.

8
Teorema 1.2.4 Se (t) e uma matriz fundamental da equaca
o

x0 = A(t)x,

ent
ao a soluca
o (t), com (t0 ) = x0 , da equaca
o

x0 = A(t)x + b(t),

e dada por
 Z t 
1 1
(t) = (t) (t0 )x0 + (s)b(s)ds . (1.11)
t0

Demonstra c
ao: Por causa do Teorema 1.1.8 basta verificar que (t) dada em (1.11) satisfaz a
condica
o inicial (t0 ) = x0 (o que pode ser feito por inspeca
o) e a equaca
o (1.6). Verifiquemos que
(t) satisfaz (1.6). De fato

Z t Z t
0 (t) = 0 (t)[1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds] + (t)[1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds]0 =
t0 t0
Z t
A(t)(t)[1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds] + (t)1 (t)b(t) = A(t) + b(t).
t0

A ttulo de ilustraca
o vamos mostrar como deduzir a carade usando o metodo de variaca
o
de par
ametros. Seja C(t) tal que

(t) = (t)C(t), (t0 ) = x0 . (1.12)

Como (t) e fundamental, e n


ao singular. Ent
ao

C(t0 ) = 1 (t0 )(t0 ) = 1 (t0 )x0 .

Desde que (t) e soluca


o, satisfaz

0 (t) = A(t)(t) + b(t). (1.13)

Mas de (1.12), temos

0 (t) = 0 (t)C(t) + (t)C 0 (t)


= A(t)(t)C(t) + (t)C 0 (t)
= A(t)(t) + (t)C 0 (t). (1.14)

De (1.13) e (1.14) segue que

A(t)(t) + b(t) = A(t)(t) + (t)C 0 (t) b(t) = (t)C 0 (t) C 0 (t) = 1 (t)b(t).

Assim Z t
C(t) = 1 (s)b(s)ds + k,
t0

9
onde k e um vetor constante arbitr
ario. Podemos determin a-lo utilizando a condica
o inicial C(t 0 ) =
1 (t0 )x0 . Deste modo
Z t
C(t) = 1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds,
t0

e portanto
 Z t 
(t) = (t)C(t) = (t) 1 (t0 )x0 + 1 (s)b(s)ds .
t0

Observemos que para a caso homogeneo,

x0 = A(t)x,

a soluca
o e dada por
(t) = (t)1 (t0 )x0 .

Exemplo 1.2.5 Ache a soluca


o da equaca
o

x0 = A(t)x,

com    
x1 0 1
x= e A= .
x2 k 2 0

Solu
cao: Uma matriz fundamental para esta equaca
o e dada por (na pr
oxima seca
o veremos como
encontr
a-la):  
sen kt cos kt
(t) = .
k cos kt k sen kt
alculos, temos que 1 (t) e dada por
Efetuando os c
 1

sen kt cos kt
1 (t) = k
1 .
cos kt k sen kt

Vimos que a soluca


o e dada por
(t) = (t)1 (t0 )x0 .
Assim temos que  
x01 cos k(t t0 ) + x02 (1/k) senk(t t0 )
(t) = ,
x01 k senk(t t0 ) + x02 cos k(t t0 )
 
x0 1
onde x01 e x02 s
ao as componentes do vetor x0 , isto e, x0 = .
x0 2

Um problema importante e o caso associado com o sistema adjunto ao sistema (1.7). Definimos
o sistema adjunto como sendo o sistema

y 0 = [A(t)]t y.

o (1.7). Segue de (1.10) que [ 1 (t)]t e uma


Seja (t) uma matriz fundamental para a equaca
matriz fundamental do sistema adjunto. Se A(t) = [A(t)]t , o sistema e chamado auto-adjunto.
Neste caso [1 (t)]t = (t).

10
1.3 Sistemas Aut
onomos
Estudaremos equaco
es da forma
x0 = Ax + b(t), (1.15)
onde A e uma matriz n n constante.
Consideremos primeiro o caso homogeneo

x0 = Ax. (1.16)

Seja (t) a matriz fundamental da equaca


o (1.16), com (0) = Id .

Proposiao 1.3.1 (a) 0 (t) = A(t), (0) = Id ;


c
(b) (t + s) = (t)(s), t, s R;
(c) 1 (t) = (t);
(d) a serie
k k
X t A
(1.17)
k!
k=0

converge para (t) em R, uniformemente em cada intervalo compacto.


Demonstra
c
ao: (a) Como (t) e a matriz fundamental,

0 (t) = A(t), (0) = Id .

(b) Fixemos s. Consideremos a equaca


o matricial

X 0 = AX, (1.18)

e as matrizes
(t) = (t + s), (t) = (t)(s).
Para a primeira matriz, temos

0 (t) = 0 (t + s) = A(t + s) = A(t).

Logo (t) e a soluca


o da equaca
o (1.18), com X(0) = (s). Para a segunda matriz, temos

0 (t) = [(t)(s)]0 = (t)0 (s) = A(t).

Logo (t) tambem e soluca o da equacao (1.18), com X(0) = (s). Porem, pelo Teorema 1.1.8 a
soluca
o e u
nica. Da (t) = (t), ou seja,

(t + s) = (t)(s).

(c) Do item anterior, temos,

(t + s) = (t)(s) t, s R.

Pondo s = t, temos

(t t) = (t)(t) Id = (t)(t) 1 (t) = (t).

11
(d) Consideremos a sequencia de aplicacoes k dadas por

0 (t) = Id
Rt
k+1 (t) = Id + 0 Ak (s)ds.
Temos que
Z t Z t
1 (t) = Id + A0 (s)ds = Id + Ads = Id + tA,
0 0
Z t Z t
t2 2
2 (t) = Id + A1 (s)ds = Id + A(Id + sA)ds = Id + tA + A ,
0 0 2!
Z t Z t
s2 2
3 (t) = Id + A2 (s)ds = Id + A(Id + sA + A )ds
0 0 2!
t2 t3
= Id + tA + A2 + A3 .
2! 3!
Tomemos por hip
otese de induca
o que

Z t k2
X j X sj Aj
j k1
s A
k1 (t) = Id + A ds = .
0 j=0
j! j=0
j!

Logo


Z t Z t k1
X sj Aj
k (t) = Id + Ak1 ds = Id + A ds
0 0 j=0
j!
Z t  2 2

s A sk1 Ak1
= Id + A Id + sA + +... + ds
0 2! (k 1)!
X tj A j k
t2 2 tk
= Id + tA + A + . . . + Ak = .
2! k! j=0
j!

Portanto, por induca


o temos
k
X tj A j
k (t) = .
j=0
j!
Procedendo como na demonstraca
o do Teorema 1.1.8, agora para a equaca
o linear homogenea
X 0 = AX, X(0) = Id ,
temos que a sequencia k converge uniformemente para a solucao da equaca
o acima, em cada in-
tervalo compacto. Assim a serie (1.17) converge para (t) em R, uniformemente em cada intervalo
compacto.

Observemos que a aplicacao t (t) tem propriedades an


alogas a
` funca
o exponencial. Defini-
mos a exponencial da matriz A como sendo a matriz eA definida por (1). Assim

X
A Aj
e = .
j=0
j!

Logo, podemos reescrever a Proposica


o 1.3.1.

12
d tA
Proposi
c
ao 1.3.2 (a) (e ) = AetA e e0A = Id ;
dt
(b) e(t+s)A = etA esA ;
(c) (etA )1 = etA ;
P

tk A k
(d) etA = k! , sendo a convergencia da serie uniforme em cada intervalo compacto.
k=0

Consequentemente a soluca
o da equaca
o (1.16) e dada por

(t) = etA et0 A x0 .

E voltando ao caso n
ao-homogeneo, com base no Teorema 1.2.4, a solucao da equaca
o (1.15) e
dada por  Z t 
tA t0 A sA
(t) = e e x0 + e b(s)ds .
t0

Na pr
oxima seca
o trabalharemos com a condica
o inicial x(0) = x 0 . Neste caso as soluco
es acima
tornam-se
(t) = etA para o caso homogeneo,
h Rt i
(t) = etA x0 + 0 esA b(s)ds , para o caso n
ao-homogeneo.

Exemplo 1.3.3 Calcule etA , com  


0 1
A=
1 0
Solu
c
ao: Efetuando os c
alculos, obtemos
 
2k (1)k 0
A =
0 (1)k
e  
2k1 0 (1)k+1
A = .
(1)k 0
Portanto

X
X
X
A k tk A2k t2k A2k1 t2k1
etA = = +
k! (2k)! (2k 1)!
k=0 k=0 k=1

P

(1)k t2k P

(1)k+1 t2k1
(2k)! 0 0 (2k1)!
=

k=0
P
k 2k

+
P

k=1

(1) t (1)k t2k1
0 (2k)! (2k1)! 0
k=0 k=1

P

(1)k t2k P

(1)k+1 t2k1
k=0 (2k)! (2k1)!
=
P

k=1
P



(1)k t2k1 (1)k t2k
(2k1)! (2k)!
k=1 k=0
 
cos t sen t
= .
sen t cos t

13
Lema 1.3.4 Seja A uma matriz n n constante. Se e um auto-valor de A e v e um auto-vetor
ao (t) = et v e uma soluca
correspondente, ent o da equaca
o

x0 = Ax.

Demonstra
c
ao: Temos Av = v. Logo

0 (t) = et v = vet = Avet = A(t).

Proposi cao 1.3.5 Seja A uma matriz n n constante. Se A tem auto-valores 1 , 2 , . . . , n e


v1 , v2 , . . . , vn s
ao auto-vetores linearmente independentes, com Avi = i vi , ent ao a matriz V (t),
cuja i-esima coluna, i = 1, 2, . . . , n, e i (t) = ei t vi , e uma matriz fundamental da equaca
o

x0 = Ax.

Em particular etA = V (t)V 1 (0).


Demonstra c
ao: Como os auto-valores vi s
ao linearmente independentes, o resultado e imediato do
Lema (1.3.4). A particularidade
etA = V (t)V 1 (0),
segue da unicidade da soluca
o da equaca
o
X 0 = AX, com X(0) = Id .

Quando os auto-valores da matriz A (real) s


ao complexos conjugados, teremos uma soluca
o com-
plexa para a equacao (1.16). Mas podemos expressa-la como soluca
o real. Sejam = + i um
auto-valor e v = v1 + iv2 um auto-vetor correspondente; assim = i tambem e um auto-valor
com auto-vetor correspondente v = v1 iv2 , pois Av = v Av = v Av = v.

Pela Proposicao (1.3.5), (t) = et v e (t) = et v s


ao soluco
es linearmente independentes da
equaca
o (1.16). Deste modo
1 1
1 (t) = [(t) + (t)] e 2 (t) = [(t) (t)]
2 2i
s
ao soluco
es reais de (1.16), com 1 (0) = v1 , 2 (0) = v2 . Veja:
1 0 1 1
01 (t) = [ (t) + 0 (t)] = [A(t) + A(t)] = A [(t) + (t)] = A1 (t),
2 2 2
1 0 1 1
02 (t) = [ (t) 0 (t)] = [A(t) A(t)] = A [(t) (t)] = A2 (t),
2i 2i 2i
1 1 1
1 (0) = [(0) + (0)] = [v + v] = [2v1 ] = v1 ,
2 2 2
1 1 1
2 (0) = [(0) (0)] = [v v] = [2iv2 ] = v2 .
2i 2i 2i
Os vetores v1 e v2 s ao linearmente independentes, pois, caso contr ario teramos v2 = cv1 e assim
v = v1 + iv2 = v1 + icv1 = (1 + ic)v1 e v = v1 iv2 = v1 icv1 = (1 ic)v1 resultariam linearmente
dependentes, o que n ao e verdade. Ent ao as soluco
es 1 (t) e 2 (t) s
ao linearmente independentes.
Agora,
(t) = e(+i)t v = et (cos t + i sen t)(v1 + iv2 ),

14
e
(t) = e(i)t v = et (cos t i sen t)(v1 iv2 ).
Logo
1 1
1 (t) = [(t) + (t)] = [et (2v1 cos t 2v2 sen t)].
2 2
= et [(v1 cos t v2 sen t)],

1 1
2 (t) = [(t) (t)] = [et (2iv1 sen t + 2iv2 cos t)]
2i 2i
= et [(v1 sen t + v2 cos t)].

Exemplo 1.3.6 Encontre uma matriz fundamental para a equaca


o

x0 = Ax,

com
   
x1 0 1
x= e A= .
x2 k 2 0
Soluao: Temos que ik e ik s
c ao auto-valores de A e
     
i 0 1
v= = +i = v1 + iv2
k k 0

e um auto-vetor correspondente ao auto-valor ik. Portanto

1 (t) = et (v1 cos t v2 sen t)


   
0 1
= cos kt sen kt
k 0
 
sen kt
= ,
k cos kt
e

2 (t) = et (v1 sen t + v2 cos t)


   
0 1
= sen kt + cos kt
k 0
 
cos kt
= .
k sen kt

Consequentemente uma matriz fundamental para a equaca


o dada e
 
sen kt cos kt
(t) = .
k cos kt k sen kt

Agora considerando a equacao n


ao-homogenea (1.15), devemos ressaltar que o Teorema 1.2.4,
naturalmente, tambem e v
alido para sistemas aut
onomos; tanto e que j
a o usamos na soluca
o do
Exemplo (1.2.5).

15
16
Captulo 2

Controlabilidade

Neste captulo vamos introduzir as noco


es basicas de controle de sistemas lineares. Para isto vamos
estudar a controlabilidade a` origem e as propriedades do conjunto de estados control aveis. Vamos
introduzir a matriz de controlabilidade e algumas propriedades desta que, em conjunto com outras
condico
es, caracterizam a controlabilidade do sistema linear.
Tambem ser a objeto de estudo neste captulo as propriedades do conjunto dos estados atingveis
do sistema.

2.1 Controlabilidade Para Sistemas Lineares


Estudaremos sistemas aut
onomos da forma

x0 = Ax + Bu, (2.1)

onde A Rnn e B Rnm s ao matrizes constantes. Denominamos o vetor x (n-dimensional) de


vetor estado e u (m-dimensional) de vari
avel de controle.

Consideraremos primeiramente controlabilidade a


` origem; desta forma, o alvo e x = 0. Por
trabalharmos com sistemas aut
onomos, podemos escolher o tempo inicial como sendo zero. Assim,
o estado inicial e dado por
x(0) = x0 . (2.2)
As vari aveis de controle s ao funco
es de t, integr
aveis. Atribuiremos classes aos diferentes tipos
de vari aveis de controle; se as funco ao ilimitadas, dizemos que u U u ; se s
es s ao limitadas, isto e,
se |ui (t)| 1, i = 1, 2, . . . , m, dizemos que u Ub . Quando |ui (t)| = 1, i = 1, 2, . . . , m, dizemos
que u Ubb . Desta forma
Ubb Ub Uu ,
onde Ubb , Ub e Uu s
ao os conjuntos de controle.

Definimos o conjunto control avel no tempo t1 como sendo o conjunto de estados iniciais x0
que podem ser levados a ` origem no tempo t1 usando um controle admissvel, isto e, um controle
pertencente ao conjunto de controle escolhido. Denotaremos o conjunto definido acima por C(t 1 ),
mas, podemos ser ainda mais exatos, denotando tal conjunto por C(t1 , u, 0), onde t1 e o tempo e
u U e o controle usado, e 0 (zero) e o alvo.

avel C como sendo o conjunto de pontos que podem ser levados a


Definimos o conjunto control `

17
origem em qualquer tempo finito, ou seja,
[
C= C(t1 ).
t1 0

Temos que C Rn , porem e desej


avel que C = Rn . Quando isto ocorre todos os estados iniciais s
ao
control
aveis a
` origem e dizemos que o sistema e completamente control avel.

Proposiao 2.1.1 Se x0 C e se y e um ponto na trajet


c oria de x0 a ao y C.
` 0, ent

Demonstra c
ao: Suponhamos que x(t) seja a trajet
oria, com controle u(t). Por hipotese x 0 C,
assim x(t1 ) = 0, para algum t1 0. Tambem por hip
otese, y e um ponto na trajet
oria de x0 a` 0,
ent
ao para algum tempo , x( ) = y.
Tomemos o controle v(t) = u(t + ) (para comecarmos a partir de y, ou seja, mudamos a origem).
Entao com x(0) = y, seguimos a mesma trajetoria de x0 e alcancamos a origem no tempo t1 .
Deste modo y C(t1 ) e portanto y C.

Com este resultado podemos afirmar que toda trajet


oria de x0 a
` 0 fica totalmente no conjunto
control
avel.

C
X0

Figura 2.1: Ilustraca


o referente a
` Proposica
o 2.1.1

Apresentaremos a seguir, algumas definico


es necess
arias para pr
oximas demonstraco
es.

Definic o contnua : I X onde


ao 2.1.2 Um caminho num espaco metrico X e uma aplicaca
I = [0, 1] R. Os pontos x1 = (0) e x2 = (1) s
ao chamados respectivamente, de ponto inicial e
ponto final do caminho . Dizemos tambem que e um caminho ligando os pontos x1 e x2 .

Definiao 2.1.3 (Conexidade por Caminhos) Um espaco metrico X e conexo por


c
caminhos, se para todo x1 , x2 X existe um caminho ligando x1 e x2 .

Proposiao 2.1.4 C e conexo por caminhos.


c

18
Demonstra ao: Sejam x0 , y0 C. Pela Proposica
c o 2.1.1, existe um caminho de cada ponto a`
origem que fica totalmente em C. Assim existe um caminho em C conectando x0 e y0 . De maneira
analoga se mostra que C(t1 ) e conexo por caminhos. Portanto podemos observar que C n
ao e com-
posto de um n umero de partes disjuntas.

C
X0

Figura 2.2: Ilustraca


o referente a
` Proposica
o 2.1.4

Proposi
c ao C(t1 ) C(t2 ).
ao 2.1.5 Se t1 < t2 , ent

Demonstra ao: Seja x0 um ponto qualquer de C(t1 ), com controle u(t). Consideremos o controle
c
v definido por

u(t) para 0 t t1 ,
v(t) =
0 para t1 < t t2 .
Apliquemos este controle em x0 . Ent
ao

x(t1 ) = 0 pois x0 C(t1 ),
x0 = Ax para t1 < t t2 .

Logo x(t) = 0 para t1 < t t2 . Claramente o controle v e integr


avel e assim e admissvel. Desta
forma x0 e um ponto de C(t2 ) e assim mostramos que o conjunto control avel em qualquer tempo
contem o conjunto control
avel em todos os tempos anteriores.

Obviamente 0 pertence a C(0). Logo 0 C(t1 ) para qualquer t1 0 e ent


ao 0 C.

Proposiao 2.1.6 C e aberto, se e somente se, 0 int C.1


c

Demonstra cao:[] Vimos que 0 C. Mas quando C e aberto, temos que C = int C. Logo 0 int
C.
[] Se 0 int C, ent
ao existe uma bola B(0, r) C. Seja u o controle que leva um ponto arbitr ario
x0 a o com y(0) = y0 , onde y0 B(x0 , r0 ). Pela continuidade da
` 0 no tempo t1 . Seja y(t) a soluca
1 int C denota o interior de C

19
o do PVI, y(t1 ) = y1 B(0, r) para r0 suficientemente pequeno. Como B(0, r) C, podemos
soluca
encontrar um controle u que leva y1 a` 0 no tempo t2 . Tomemos o controle v definido por

u(t) para 0 t t1 ,
v(t) =
u(t t1 ) para t1 < t t2 .

Logo usando este controle, e possvel levar y0 a` 0 no tempo t1 + t2 . Deste modo y0 C(t1 + t2 ) e
B(x0 , r0 ) C, x0 C. Portanto C e aberto se 0 int C.

C
( t1 )
r0
X0
( t1 ) r
Y0
0
( t2 )
Y
1

Figura 2.3: Ilustraca


o referente a
` Proposica
o 2.1.6

As equaco
es estado para o sistema linear aut onomo s a vimos por x 0 =
ao dadas conforme j
Ax + Bu, da seca
o anterior temos que a soluca
o e dada por
 Z t 
tA sA
x(t) = e x0 + e Bu(s)ds . (2.3)
0

Temos que x0 C(t1 ) se e somente se existe um controle u U, tal que x(t1 ) = 0, ou seja,
 Z t1 
t1 A sA
0=e x0 + e Bu(s)ds ,
0

e como a funca
o exponencial nunca se anula,
Z t1
x0 = esA Bu(s)ds. (2.4)
0

Precisamos agora saber sob que condicoes o sistema e completamente controlavel, isto e, C R n .
Os conjuntos de controle que usaremos s aveis, com ou sem limite, ou seja, U pode ser U u
ao integr
ou Ub . Provaremos agora alguns resultados sobre o conjunto control
avel. Adimitimos que o conjunto
de controles admissveis U e convexo

Proposiao 2.1.7 C(t1 ) e simetrico e convexo.


c

20
Demonstra cao: Primeiro provemos que C(t1 ) e simetrico. Seja x0 C(t1 ) com controle u(t). Da
o (2.4), segue que x0 C(t1 ) com controle u(t), e assim C(t1 ) e simetrico.
equaca
Agora provemos a convexidade. Temos que o conjunto U e convexo:

cu1 + (1 c)u2 U, para 0 c 1, u1 , u2 U.

Suponhamos que os controles u1 e u2 levam os pontos x1 e x2 a


` origem no tempo t1 , respectivamente.
De (2.4), segue que
Z t1 Z t1
sA
x1 = e Bu1 (s)ds e x2 = esA Bu2 (s)ds.
0 0

Temos que
Z t1 Z t1
cx1 + (1 c)x2 = c esA Bu1 (s)ds (1 c) esA Bu2 (s)ds
0 0
Z t1
= esA B[cu1 (s) + (1 c)u2 ]ds, para 0 c 1.
0

Logo cx1 + (1 c)x2 C(t1 ) e portanto C(t1 ) e convexo.

Proposiao 2.1.8 C e simetrico e convexo.


c
Demonstra ao: Lembremos que C = t1 0 C(t1 ). A simetria e o
c bvia. Provemos que C e convexo.
Sejam x1 C(t1 ) e x2 C(t2 ) com t1 < t2 . Desde que t1 < t2 , C(t1 ) C(t2 ), e da segue que
x1 C(t2 ). Pela Proposica
o 2.1.7 C(t2 ) e convexo, ent
ao

cx1 + (1 c)x2 C(t2 ), para 0 c 1.


Mas C(t2 ) C. Logo C e convexo.

Exemplo 2.1.9 Consideremos um sistema inst avel com dois componentes, isto e, qualquer desvio
da origem, se o sistema for incontrol avel, levara a um estado de desequilbrio. Para um sistema
control
avel com estas caractersticas, podemos considerar as equacoes estado
 0
x1 = x 1 + u 1
x02 = x2 + u1

e u1 Ub , ou seja, |u1 | 1. Encontre C(t1 ) e C.


Solu
c
ao: O sistema dado e equivalente a

x0 = Ax + Bu,
     
x1 1 0 1
com x = ,A= eB= . De (2.4) segue que x C(t1 ) se
x2 0 1 1
Z t1
(x1 , x2 )t = eId s Bu1 ds.
0

Mas

X
X
(s)k (Id )k (s)k
eId s = = Id = Id es .
k! k!
k=0 k=0

21
Logo
Z t1
x1 = x 2 = es u1 ds.
0

Agora, como |u1 | 1 temos


Z t1 Z t1

|x1 | = e s
u1 ds |es ||u1 |ds

0 0
Z t1
es ds = et1 + 1.
0

Assim
C(t1 ) = {x1 = x2 : |x1 | 1 et1 },

e
C = {x1 = x2 : |x1 | < 1}.

Observemos que, como parte do R2 , int C=. Da segue que C n ao e aberto (Proposica
o 2.1.6).
Com C = {x1 = x2 : |x1 | < 1} podemos concluir que para qualquer estado inicial fora do intervalo
1 < x1 < 1, o sistema e incontrol avel. Porem a origem pertence a este intervalo e o sistema e
controlavel a. O sistema continua control avel para qualquer desvio da origem menor que 1. Mas,
em geral, n ao e possvel controlar os dois componentes simultaneamente com o mesmo controle. Isto
s
o e possvel se os desvios iniciais dos dois componentes forem iguais.
Geralmente s ao necess arias duas condicoes para o sistema ser completamente control avel. O
conjunto control avel deve ser n-dimensional e ilimitado, mesmo quando os controles pertencem a U b .

C(t )1 C

-(1-et 1) -1
1-e t1 1

Figura 2.4: Ilustraca


o referente ao Exemplo 2.1.9

22
2.2 A Matriz de Controlabilidade
Definimos a matriz de controlabilidade M, como sendo a matriz formada pela matriz B, n m,
e o seu produto com potencias da matriz A, n n, ou seja, a matriz

M = [B AB A2 B An1 B],

que tem n linhas e nm colunas.

Exemplo 2.2.1 Ache a matriz de controlabilidade para o sistema do exemplo anterior, onde
   
1 0 1
A= e B= .
0 1 1

Solu
c
ao: Temos que

 
1
AB =
1
Logo
 
1 1
M = [B AB] = .
1 1
Provaremos agora, alguns resultados sobre a controlabilidade completa que dependem do posto
de M e dos auto-valores de A. Observemos por exemplo, que o posto da matriz de controlabilidade
no exemplo anterior e 1, e pelo Exemplo 2.1.9 existem pontos pr oximos a` origem que n
ao sao
control
aveis.

Proposiao 2.2.2 0 int C posto(M ) = n.


c
Demostra ao:[] Temos que posto(M ) n. Suponhamos que posto(M ) < n. Ent
c ao nao existem
n colunas de M linearmente independentes, e assim existe pelo menos um vetor y Rn , com k y k= 1,
que e ortogonal a todas as colunas de M . Deste modo y tambem e ortogonal a cada coluna de B e
a cada coluna de Ak B, k = 1, 2, ..., n 1, ou seja,

y t B = y t Ak B = 0, k = 1, 2, ..., n 1.

Pelo Teorema de Cayley-Hamilton (Ver [Lim]) concluimos que

y t Ak B = 0, k N. (2.5)

Da seca
o anterior sabemos que

X Ak (s)k
esA = , (2.6)
k!
k=0

o linear de Ak , onde k N. Portanto de (2.5) e (2.6), segue que


isto e, esA e uma combinaca

y t esA B = 0.

De (2.4), temos que x0 C(t1 ) se


Z t1
x0 = esA Bu(s)ds.
0

23
ao, para todo x0 C(t1 )
Ent
Z t1
y t x0 = y t esA Bu(s)ds = 0.
0

Consequentemente C(t1 ) fica num hiperplano com normal y, para todo t1 > 0. E o conjunto con-
trol
avel fica no mesmo hiperplano, e ent ao qualquer bola B(0, r) 6 C, r. Portanto
0 6 int C, o que contradiz a hip
otese. Logo posto(M ) = n.
[] Suponhamos que 0 6 int C. Como C(t1 ) C, t1 , temos que 0 6 int C(t1 ), o que implica que
0 fr2 C(t1 ). Como ja vimos, C(t1 ) e convexo. Deste modo existe um hiperplano suporte a ` C(t1 )
ao bt x0 0, x0 C(t1 ).
passando por 0, para todo t1 . Seja b(t1 ) o normal a este hiperplano. Ent
De (2.4), temos que x0 C(t1 ) se
Z t1
x0 = esA Bu(s)ds.
0

Assim,
Z t1
bt esA Bu(s)ds = bt x0 , x0 C(t1 ). (2.7)
0

Mas u U u U. Portanto
Z t1
bt esA Bu(s)ds = bt x0 0, x0 C(t1 ). (2.8)
0

Assim de (2.7) e (2.8) segue que


Z t1
bt esA Bu(s)ds = 0,
0

o que implica que


bt esA B = 0, para 0 s t1 . (2.9)
alida para qualquer s [0, t1 ], tomemos s = 0. Assim
Como (2.9) e v

bt B = 0.

Derivando (2.9) k vezes e tomando sempre s = 0, obtemos

bt Ak B = 0.

Logo b e ortogonal a todas as colunas de M , e assim posto(M ) < n, contradizendo a hip


otese.
Portanto 0 int C.

Com este resultado temos uma relacao entre o posto da matriz de controlabilidade com a origem,
e consequentemente (de acordo com a Proposica o 2.1.6) com o conjunto ser aberto ou n ao. Se o
posto de M e menor que n, o sistema n ao e completamente control avel. Porem, se o posto de M e
igual a n, o sistema pode ou n
ao ser completamente control avel, dependendo agora do conjunto de
controle.

Proposi
c ao C = Rn .
ao 2.2.3 Se posto(M ) = n, e u Uu , ent
2 fronteira de C(t1 )

24
Demonstra c
ao: Por hip o anterior, 0 int C. Ent
otese posto(M ) = n. Logo, pela proposica ao
existe uma bola B(0, r) C, para algum r > 0. Seja x0 Rn um ponto arbitr ario. Consideremos
y0 = cx0 , com c = 12 r kx10 k . Temos que k y0 k=k cx0 k= c k x0 k= 21 r. Logo y0 B(0, r), e assim e
avel com um controle v pertencente a Uu . Portanto
control
Z t1
y0 = esA Bv(s)ds.
0

Ent
ao
Z t1 Z t1 Z t1
v(s)
cx0 = esA Bv(s)ds x0 = esA B ds = esA Bu(s)ds,
0 0 c 0

onde
v(s)
Uu .
u(s) =
c
avel, e como x0 foi tomado arbitrariamente temos que C = Rn . De maneira
Deste modo x0 e control
aloga podemos mostrar que C(t1 ) = Rn , t1 > 0.
an

A partir de agora consideraremos apenas o conjunto Ub como sendo o conjunto de controle.

Proposi
c ao C = Rn .
ao 2.2.4 Se posto(M ) = n, e Re(i ) < 03 para cada auto valor i de A, ent
Demonstra c avel. Seja x0 Rn um ponto arbitr
ao: Suponhamos a princpio que A e diagonaliz ario.
Consideremos a equaca
o
x0 = Ax, (2.10)
e facamos a transformaca
o x = P y, onde P e a matriz formada pelos auto-vetores linearmente
independentes correspondentes aos auto-valores i de A. De x = P y, temos

x0 = P y 0 (2.11)

Assim, das equaco


es (2.10) e (2.11) segue que

P y 0 = Ax = AP y y 0 = P 1 AP y = Dy,

onde D e a matriz

1 0 ... 0
0 2 ... 0

D= .. .. .. .. .
. . . .
0 0 . . . n
A soluca
o da equaca
o diferencial acima e dada por

y(t) = eDt y0 ,

onde y0 = P 1 x0 . Determinemos eDt . Temos que


k
1 0 ... 0
0 k2 ... 0

Dk = . .. .. .. ,
.. . . .
0 0 . . . kn
3 Re(
i) representa a parte real de i

25
logo,

P

k
1t
k

k! 0 ... 0
k=0
P

k
2t
k

X D k tk 0 ... 0
k!
eDt = = k=0
k! .. .. .. ..
k=0 . . . .

P

k
nt
k
0 0 ... k!
k=0

e 1 t 0 ... 0
0 e 2 t ... 0

= .. .. .. .. . (2.12)
. . . .
0 0 . . . e n t

Desde que Re(i ) < 0, temos que ei t 0 e assim k y(t) k 0 quando t . De x = P y segue
que k x(t) k=k P y(t) kk P kk y(t) k 0, ou seja, k x(t1 ) k< para algum t1 > 0 e > 0 e tomado
arbitrariamente pequeno. Por hipotese posto(M ) = n, ent o 2.2.2 0 int C. Assim
ao pela Proposica
existe uma bola B(0, ) C. Como k x(t1 ) k< , x(t1 ) pode ser levado a` 0 em algum tempo t2 por
um controle u, digamos, pertencente a Ub . Consideremos o controle v definido por

0 para 0 t t1 ,
v(t) =
para t1 < t t2 .
u

Usando o controle v, podemos levar x0 a ` 0 em algum tempo t1 + t2 . Portanto


x0 C(t1 + t2 ) C. Como x0 era um ponto arbitr ario em Rn , temos que C = Rn . Se A n ao e
diagonalizavel, a matriz D ter
a alguns elementos nao nulos acima da diagonal principal. Contudo,
ainda e verdade que k y(t) k 0 e assim este detalhe n
ao invalida a demonstraca
o apresentada.

Em alguns casos onde temos auto-valores imagin


arios puros o resultado anterior n
ao e aplic
avel.
Contudo, podemos provar um resultado similar para estes casos.

Proposi
c ao C = Rn .
ao 2.2.5 Se posto(M ) = n, e Re(i ) 0 para cada auto-valor i de A, ent
Demonstra ao: Suponha por absurdo que C 6= Rn e que y 6 C. Deste modo existe um hiperplano
c
com normal b separando y e C, tal que

bt x0 p, x0 C e bt y > p.

Se mostramos que Z t1
b t x0 = bt esA Bu(s)ds > p
0
para t1 suficientemente grande e para algum controle u Ub , teremos uma contradica o. A igualdade
acima segue diretamente de (2.4). Ent ao vamos definir z t (s) = bt esA B, assim z(t) 6= 0 para
0 t t1 . Escolhendo ui (t) = sgn zi (t) temos
Z t1
b t x0 = |z(t)|dt.
0

o de termos da forma q(t)ei t , onde q e um polin


Cada componente de z e uma combinaca omio e
i e um auto-valor de A.

26
Consideremos, a princpio, os auto-valores com parte real negativa. Assim q(t)e i t quando
t . Os termos correspondentes aos auto-valores com parte real nula s ao polinomios em t ou s
ao
termos periodicos em t. Tanto os termos polinomiais como os termos perio
Rt dicos d
a o uma contribui
cao
positiva a
` integral acima num intervalo n ao nulo. Portanto bt x0 = 0 1 |z(t)|dt e arbitrariamente
grande para t1 suficientemente grande. Logo obtemos a contradica o requerida e C = R n .

Como j
a vimos, se posto(M ) < n o sistema n avel, ou seja, C 6= R n . Mas
ao e totalmente control
mesmo com posto(M ) = n o sistema ainda pode n ao ser totalmente control
avel.

Proposi
c ao C 6= R n .
ao 2.2.6 Se posto(M ) = n, e A tem um auto-valor com parte real positiva, ent

Demonstra c
ao: Sejam um auto-valor de A com Re() > 0 e y um auto-vetor a
` esquerda
correspondente.
Entao temos
y t A = y t .
Observemos que
y t AA = y t A y t A2 = y t y t A2 = 2 y t .
Suponhamos por induca
o que
y t Ak1 = k1 y t .
Mas
y t Ak1 A = k1 y t A y t Ak = k1 y t y t Ak = k y t .
Logo provamos que
y t Ak = k y t . (2.13)
Das equaco
es (2.6) e (2.13) segue que

!
X Ak (s)k
y t esA = yt
k!
k=0
 
t A2 s2 A3 s3
= y Id As + + ...
2! 3!
y t A2 s2 y t A3 s3
= y t Id y t As + + ...
2! 3!
2 y t s 2 3 y t s 3
= y t y t s + + ...
 2! 3! 
2 s 2 3 s 3
= 1 s + + ... y t
2! 3!

!
X k (s)k
= yt
k!
k=0
s t
= e y.

Deste modo
y t esA = es y t . (2.14)
Seja x0 C. Logo x0 C(t1 ), para algum t1 > 0. Assim
Z t1
x0 = esA Bu(s)ds,
0

27
e da equaca
o (2.14) segue que
Z t1 Z t1
t sA
t
y x0 = ye Bu(s)ds = es y t Bu(s)ds. (2.15)
0 0

Quando t1 , es 0 pois Re() > 0, e assim es e limitado. Desde que y t B e um termo


constante e u(s) pertence ao conjunto Ub (u(s) e limitado), temos que es y t Bu(s) e limitado, o que
implica que Z t1
es y t Bu(s)ds < p, para algum p.
0

De (2.15) segue que


y t x0 < p,
e assim existe um hiperplano separando C e com normal y, e o conjunto control
avel fica em um dos
semi-espacos definidos pelo hiperplano. Portanto C 6= Rn .

Exemplo 2.2.7 Verifique a controlabilidade do sistema x0 = Ax + Bu com:


   
0 1 1 1
(a)A = , B= ;
0 1 0 0
   
0 0 1 1
(b)A = , B= ;
1 1 0 0

p 1 0 q
(c)A = 0 p 1 , B = r , onde p, q, r e s s
ao n
umeros reais.
0 0 p s
Solu
c
ao: (a) Temos que

      
1 1 0 1 1 1 1 1 0 0
M = [B AB] = = .
0 0 0 1 0 0 0 0 0 0

Neste caso posto(M ) = 1 6= n = 2. Assim o sistema n


ao e completamente control
avel.

(b) Temos que

      
1 1 0 0 1 1 1 1 0 0
M = [B AB] = = .
0 0 1 1 0 0 0 0 1 1

Neste caso posto(M ) = 2 = n. Logo se u Uu , o sistema e completamente controlavel. Agora se


u Ub , devemos analisar os auto-valores de A. Temos que 0 e 1 s
ao os auto-valores de A. Como
Re(1) > 0, o sistema n
ao e completamente control
avel.

(c) Temos que





q p 1 0 q p 1 0 p 1 0 q
r 0 p 1
M = [B AB AB 2 ] = r 0 p 1 r
0 p 1
s 0 0 p s 0 0 p 0 0 p s

28

q pq + r p2 q + 2pr + s
= r pr + s p2 r + 2ps .
s ps p2 s

Neste caso posto(M ) = 3 = n. Portanto se u Uu , o sistema e completamente control avel. Porem


se u Ub e Re(p) 0 (note que p e o u
nico auto-valor de A) o sistema e completamente control
avel.

2.3 Conjunto dos Estados Atingveis


Ate ent
ao consideramos controlabilidade a ` origem. Mas, de maneira semelhante, podemos definir
a controlabilidade a um ponto x1 . Definimos C(t1 , x1 ) como sendo o conjunto dos pontos control aveis
a x1 no tempo t1 . Temos que x0 C(t1 , x1 ) se e somente se existe controle u U, tal que x(t1 ) = x1 ,
ou seja,
 Z t1 
x1 = e t1 A x0 + esA Bu(s)ds .
0

Logo,
Z t1
t1 A
x0 = e x1 esA Bu(s)ds. (2.16)
0

O resultado acima segue diretamente de (2.3). Muitos resultados que provamos anteriormente
para C(t1 ) tambem s alidos para C(t1 , x1 ), por exemplo a convexidade. Por outro lado alguns
ao v
resultados nao s
ao validos, por exemplo se n ao existe controle u tal que Ax 1 + Bu = 0 n
ao podemos
afirmar que C(t1 , x1 ) C(t2 , x1 ) para t2 > t1 .
Agora vamos definir o conjunto dos estados atingveis. Definimos R(t1 , x0 ) como sendo o
conjunto dos pontos que s ao atingveis a partir de um ponto inicial x0 no tempo t1 . De (2.3) segue
que x1 R(t1 , x0 ) se
 Z t1 
x1 = e t1 A x0 + esA Bu(s)ds , (2.17)
0

para algum u U.
Podemos observar claramente uma reciprocidade entre os dois conjuntos: x1 R(t1 , x0 ), ent
ao
x0 C(t1 , x1 ). Tambem, podemos definir o sistema tempo-inverso. Definimos este sistema como
sendo o sistema com a seguinte equacao estado

x0 = Ax Bu. (2.18)

Agora determinemos quando x0 pertence aos conjuntos C(t1 , x0 ) e R(t1 , x0 ) para o sistema tempo-
inverso. Da seca
o anterior, temos que a soluca
o de (2.18) e dada por
 Z t 
tA sA
x(t) = e x0 e Bu(s)ds .
0

Logo, x0 C(t1 , x1 ) se
Z t1
x0 = e t1 A x1 + esA Bu(s)ds, (2.19)
0

e x1 R(t1 , x0 ) se
 Z t1 
t1 A sA
x1 = e x0 e Bu(s)ds . (2.20)
0

29
Existe uma relaca
o entre o sistema tempo-inverso (2.18)
( e o original (2.1). Se fizermos a mudanca
= t1 se s = 0
avel s = t1 em (2.19), teremos ds = d e
de vari . Assim,
= 0 se s = t1
Z 0
x0 = e t1 A x1 + et1 A e A Bu(t1 )(d )
t1
Z t1
= e t1 A
x1 + e t1 A
e A Bu(t1 )d
0
 Z t1 
t1 A A
= e x1 + e Bu
( )d , (2.21)
0

onde pomos u ( ) = u(t1 ). Portanto comparando (2.17) e (2.21) podemos concluir que o conjunto
control
avel para o sistema tempo-inverso e igual ao conjunto dos estados atingveis para o sistema
original. Conseq uentemente as propriedades gerais do conjunto control avel tambem serao validas
para o conjunto dos estados atingveis.

Exemplo 2.3.1 Encontre o conjunto control


avel e o conjunto dos estados atingveis para o sistema
unidimensional
x0 = x + u;
1
x0 = , |u| 1.
2
1
Soluao: De (2.17) temos que x1 R(t1 , ) se
c
2
 Z t1 
t1 1 s
x1 = e + e u(s)ds
2 0
Z t1
1 t1
= e + e t1 es u(s)ds.
2 0

Mas como |u| 1, temos


Z t1

x1 1 e t1 e t1 es ds
2
0
= et1 (et1 + 1) = et1 1.

Portanto
1 t1
1 e t1 x 1 e et1 1,
2
e assim,  
1 1 t1 3 t1
R(t1 , ) = 1 e , e 1 .
2 2 2
De (2.20) temos que os pontos pertencentes ao conjunto dos estados atingveis para o sistema
tempo-inverso s
ao dados por
 Z t1 
t1 1 s
x1 = e e u(s)ds
2 0
Z t1
1 t1
= e et1 es u(s)ds.
2 0

30
Considerando que |u| 1, temos
Z t1

x1 1 et1 et1 es ds
2
0
= et1 (et1 1) = 1 et1 .

Assim,
1 t1
et1 1 x1 e 1 et1 ,
2
e o conjunto procurado e o intervalo fechado
 
3 t1 1 t1
e 1, 1 e ,
2 2
1
que pelo que vimos anteriormente e o conjunto control avel ao ponto para o sistema em questao.
2
1
Notemos que todos os pontos em R s ao atingveis por num tempo finito, mas somente os pontos no
2
1
intervalo (1, 1) s
ao control
aveis a (isto pode se facilmente observado tomando t1 arbitrariamente
2
grande).

10

t
0.5 1 1.5 2
-2

Figura 2.5: A linha vertical representa o conjunto R(t1 , 1/2)

Proposi
c
ao 2.3.2 Os conjuntos dos estados atingveis e control
avel s
ao contnuos em t 1 .
Demonstra c
ao: Para mostrar que isto e uma propriedade geral, vamos considerar, por simplicidade,
que o conjunto dos estados atingveis pela origem com controles limitados, o qual denotaremos por
R(t). Logo de (2.19) segue que x R(t) quando
Z t
x= esA Bu(s)ds.
0

Mostremos que R(t1 ) e contnua, ou seja, se dado  > 0, () > 0 tal que |t2 t1 | < (),
ao dH (R(t2 ), R(t1 )) < , que e equivalente a
ent ` max(H12 , H21 ) <  para t2 (t1 , t1 + ), onde
H12 = sup {d(y, R(t1 ))}yR(t2 ) e H21 = sup {d(x, R(t2 ))}xR(t1 ) .

31
0.75

0.5

0.25

t
0.5 1 1.5 2
-0.25

-0.5

-0.75

Figura 2.6: A linha vertical representa o conjunto C(t1 , 1/2)

Tomemos M = max k esA B kt1 ,t2 [0,T ] .


R(t1 ) com controle u. Temos que mostrar que d(
Seja x x, R(t2 )) < .
Tomemos t3 = min(t1 , t2 ) e consideremos o controle v definido por
(
u(t), para 0 t t3 ,
v(t) = (2.22)
(t), para t3 t T.
u

Ub .
onde u
Se Z t2
y = esA Bv(s)ds, (2.23)
0

ao y R(t2 ).
ent
Suponhamos t3 = t1 e de (2.22) e (2.23) temos
Z t2 Z t1

d(
y k =
x, y) =k x sA
e Bv(s)ds e Bu(s)ds
sA
0 0
Z t1 Z t2 Z t1

= esA Bv(s)ds + esA Bv(s)ds e sA
Bu(s)ds
0 t1 0

Da,
Z t2 Z t2

kx
y k = esA Bv(s)ds k esA Bv(s)ds k

t3 t3
M |t2 t3 |.

Assim, se < temos
M

kx
y k< M |t2 t3 | < M= .
M
O caso t3 = t2 tambem se verifica analogamente. Logo, k x
y k< ,
x R(t1 ). Portanto,
x, R(t2 )) <  e assim H21 < .
d(
Da mesma forma, mostra-se que H12 < . Portanto, max{H12 , H21 } < .

32
Para a pr oxima proposica
o precisamos das seguintes notaco
es e conceitos. Considere o espaco
vetorial de funco
es reais

L2 ([0, t1 ], R) := {f : [0, t1 ] R : f possui quadrado integr


avel}.

A este espaco associamos a norma usual, k . k2 , dada por


Z t1 1/2
k f (t) k:= |f (s)|2 ds , f L2 ([0, t1 ], R).
0

conhecido que L2 ([0, t1 ], R) e um espaco de Hilbert e que bolas fechadas s


E ao fracamente compactas.
Relembremos a noca o de convergencia fraca para esse espaco. Diz-se que uma sequencia (f k )
L2 ([0, t1 ], R), k, converge fracamente a uma funca o f L2 ([0, t1 ], R) se
Z t1 Z t1
k
v(s)f (s)ds v(s)f (s)ds, v L2 ([0, t1 ], R).
0 0

Proposi
c
ao 2.3.3 O conjunto dos estados atingveis e compacto.
Demonstraao: De (2.17) temos que x1 R(t1 , x0 ) quando
c
 Z t1 
x1 = e t1 A x0 + esA Bu(s)ds . (2.24)
0

Assim, se considerarmos u Ub , claramente R(t1 , x0 ) e limitado. Agora temos que provar que
R(t1 , x0 ) e fechado. Para isto, devemos mostrar que toda sequencia convergente de pontos em
R(t1 , x0 ) possui limite em R(t1 , x0 ).
Seja  Z  t1
(k)
x1 = e t1 A x0 + esA Bu(k) (s)ds
0

uma sequencia de pontos em R(t1 , x0 ), onde uk Ub e a sequencia de controles correspondentes.


Denotemos por i , i = 1, 2, . . . , m, a i-esima coluna de esA B. Ent ao
" Z t1 Z t1 t #
(k) t1 A (k) (k)
x1 = e x0 + 1 (s)u1 (s)ds + + m (s)um (s)ds , (2.25)
0 0

onde
(k)
u1 (s)
..
u(k) (s) =
.
.

(k)
um (s)
(k)
Suponhamos que x1 x 1 , quando k , para algum x 1 R. Mostremos que x 1 R(t1 , x0 ),
isto e, x
1 e da forma (2.24), para algum u Ub . A demonstraca o deste fato estara concluida, uma
vez que mostrarmos que u Ub tal que
Z t1 Z t1
(k )
i (s)ui j (s)ds i (s)
ui (s)ds, i = 1, 2, . . . , m,
0 0

(kj ) (k)
para alguma subsequencia ui de ui , devido a (2.25) e a
` unicidade do limite de sequencias em
Rn .

33
Estamos considerando u(k) Ub . Logo
Z t1 1/2 Z t1 1/2
(k) (k) 2
k ui (t) k2 = ui (s) ds ds = (t1 )1/2 . (2.26)
0 0
 
(k) (k )
De (2.26) vemos que a sequencia ui e limitada em L2 [0, t1 ]. Portanto possui subsequencia ui j
i L2 [0, t1 ], isto e,
fracamente convergente para algum u
Z t1 Z t1
(k )
f (s)ui j (s)ds f (s)
ui (s)ds, f L2 [0, t1 ]. (2.27)
0 0

i > 1 num subconjunto H [0, t1 ] com medida h > 0. Seja


Agora suponhamos que u
(
1 se s H,
f (s) =
0 se s 6 H.

Ent
ao Z Z
t1
f (s)
ui (s)ds = u
i ds > h.
0 H

Mas,
Z t1 Z
(kj ) (kj )
f (s)ui (s)ds = ui ds h.
0 H

Portanto temos uma contradica o. Se tomarmos ui < 1, analogamente teremos outra contradica o.
Deste modo, 1 ui 1, ou seja, |ui | 1. Desde que os pontos no conjunto dos estados atingveis
s
ao definidos em termos de integrais da forma (2.26) para funcoes especficas f (t), o conjunto dos
estados atingveis e fechado e consequentemente e compacto.

No desenvolvimento da teoria nao fizemos restrico


es no n
umero de controles usados, isto e, na
dimens
ao do vetor u. Ocasionalmente, pode haver uma redund ancia entre estes controles. Podemos
remover esta redund
ancia, sem perdermos algo de import ancia pr
atica nas aplicaco
es da teoria.

2.4 Controles Redundantes


Na equacao (2.1) vemos que os controles s ao dados pelo termo Bu, onde B e uma matriz
n m e u e um vetor m-dimensional. A soluca o desta equaca
o por um dado ponto inicial e u
nica.
Deste modo, se a matriz B tem m colunas linearmente independentes, diferentes controles levam a
diferentes trajet
orias, isto e, Bu = Bv implica que u = v. Se m > n, obviamente isto n
ao e verdade,
pois e impossvel B ter m colunas linearmente independentes. Ent ao podemos reduzir o n umero
de controles independentes. Suponhamos que B tenha m colunas linearmente independentes. Se
m
< n, atraves de operaco es com as colunas, podemos encontrar uma matriz P de modo que

u = Pu
e
BP = B, (2.28)
n m, e a matriz formada pelas m
onde B, colunas linearmente independentes de B, e as m
m
colunas restantes s
ao nulas. Sempre podemos colocar as m colunas linearmente independentes
ocupando as m
primeiras posico
es. De (2.28) temos que

Bu = BP u u
=B

34
Vamos definir a matriz C, n m,
como sendo a matriz formada pelas colunas n
ao nulas de B; e
o vetor v, m-dimensional, como sendo o vetor formado pelos primeiros m
componentes de u
. Deste
modo
Cv = B u
= Bu
e obtemos um sistema com m
controles independentes.

Exemplo 2.4.1 Verifique a redund


ancia entre os controles do sistema

x0 = Ax + Bu
 
1 2 3
com B = e u t = [ u1 u2 u3 ].
1 2 3
Solu
c
ao: Neste caso temos m = 3 e n = 2. Consideremos a matriz elementar P

1 2 3
0 1 0 .
0 0 1

Ent
ao
  1 2 3  
1 2 3 0 1 1 0 0
BP = 0 = = B,
1 2 3 1 0 0
0 0 1

  u1  
1 2 3 u2 = u1 + 2u2 + 3u3 = B u
Bu = .
1 2 3 u1 + 2u2 + 3u3
u3
Logo,  
1
C= e v = u1 + 2u2 + 3u3 .
1
Qualquer escolha dos controles originais tal que u1 + 2u2 + u3 = v n
ao afeta a trajet
oria. Assim
o sistema original possui uma dupla redund ancia.

2.5 Considera
co
es Finais
Neste captulo de Controlabilidade provamos v arios resultados sobre o conjunto control avel e para
facilitar o entendimento procuramos fazer diversas ilustracoes e exemplos. Foram discutidas tambem
as condicoes sobre a total controlabilidade do sistema; vimos que tais condicoes est
ao associadas ao
posto da matriz de controlabilidade M e dos auto-vetores de A.
Fizemos um breve estudo tambem sobre o conjunto dos estados atingveis onde vimos que de
maneira semelhante ao que fizemos em controlabilidade a ` origem, o alvo pode ser um ponto qualquer.
E por u ltimo em controles reduntantes vimos que quando a matriz B, n m, tem m colunas
linearmente independentes, diferentes controles levam a ` diferentes trajet
orias, mas quando isto nao
ocorre podemos reduzir o n umero de controles independentes.

35
36
Captulo 3

Estabilidade

Estudamos neste captulo o comportamento em perodos longos de tempo das soluco es de sistemas
autonomos de equaco es diferenciais ordinarias (EDOs). O principal interesse esta em determinar
se uma soluca o (trajet oria) permanece ou n ao limitada e, em caso afirmativo, se esta converge
assintoticamente para algum ponto de equilbrio.
Na Seccao 3.1 e definido o conceito de estabilidade de um ponto de equilbrio. Na Secca
o 3.2 s
ao
discutidas condicoes necess arias e suficientes para estabilidade de sistemas lineares autonomos. A
Secca
o 3.3 se destina a analisar um criterio algebrico (teorema de Hurwitz) para garantir estabilidade
de matrizes. Na Secca o 3.4 consideramos sistemas obtidos por perturbaco es de sistemas lineares
est
aveis. As Secco es 3.5 e 3.6 tratam do criterio de estabilidade formulado por Lyapunov. Na
Secca
o 3.7 aplicamos o criterio de Lyapunov a sistemas lineares discretos.

3.1 Conceito e Exemplos


Considere a equaca
o diferencial ordin
aria

z 0 = f (z), (3.1)

em que o campo vetorial f satisfaz as seguintes condico


es:

f : D IRn , D IRn aberto; (3.2)


D, f () = ; (3.3)
f e continuamente diferenci
avel em D. (3.4)

Como o sistema e aut


onomo, i.e. o campo vetorial f n ao depende explicitamente do tempo, podemos
sem perda de generalidade estudar as solucoes a partir do instante de tempo t 0 = 0. A hipotese (3.4)
o inicial z0 IRn , a existencia de uma soluca
garante, para toda condica o local para o problema de
valor inicial (PVI):
z 0 = f (z), z(0) = z0 . (3.5)

Essa soluca
o pode ser prolongada a um intervalo m
aximo de existencia, o qual e aqui representado
por1
J(z0 ) = [0, (z0 )).
1 Estamos interessados apenas no futuro.

37
Nesse intervalo a soluca
o e unicamente determinada. Este resultado e conseq uencia do teorema de
PicardLindeloff.2 A chave para esse resultado e considerar a equaca o integral associada ao PVI
(3.5)
Z t
z(t) = z0 + f (z(s)) ds, t [0, ],
0
n
no espaco C([0, ]; IR ), onde > 0 e escolhido de forma adequada. Representamos esta soluca o
maximal por z(, z0 ).
A condicao (3.3) garante que e um ponto de equilbrio do sistema, pois o PVI com condica o
inicial z0 = possui apenas a solucao z(, z0 ) (repouso). Note que a escolha de como ponto de
equilbrio n
ao e restritiva, uma vez que e sempre possvel (atraves de translaco
es) alterar um campo
vetorial de forma a atingir esta configuraca o, desde que o campo possua apenas um zero. 3

Defini
c
ao 3.1.1 O ponto de equilbrio z = do sistema (3.1) e denominado est
avel quando:

> 0 > 0 tq z0 B (
z ) = J(z0 ) = [0, ) e z(t, z0 ) B t 0 ;

e denominado atrativo quando:

> 0 tq z0 B (
z ) = J(z0 ) = [0, ) e lim z(t, z0 ) = ;
t

e denominado assintoticamente est


avel quando e simultaneamente est
avel e atrativo. 2 2 2

Exemplo 3.1.2 Considere o problema do pendulo n


ao linear modelado pela equaca
o diferencial

x
+ sin x = 0.

O sistema correspondente e:
 
z2
z 0 = f (z) com f (z) := ,
sin z1

cujo campo vetorial e mostrado na Figura 3.1.


E de simples verificaca
o o fato dos pontos
   
0 k
e , k IN.
0 0

serem pontos de equilbrio do sistema. Atraves de uma translacao, o ponto de equilbrio (, 0) pode
ser levado na origem e ent ao analisado no sentido da Definica intuitivamente claro que os
o 3.1.1. E
pontos de equilbrio (0, 0) e (, 0) s
ao de natureza diferente. Sem entrar em detalhes, comentamos
por hora que (0, 0) e um ponto de equilbrio est
avel, enquanto que (, 0) nao o e. 2 2 2

Exemplo 3.1.3 Consideremos agora o conhecido sistema n


ao linear de Lorenz:

s(z2 z1 )
z 0 = f (z) com f (z) = rz1 z2 z1 z3 , (3.6)
z1 z2 bz3
2 Maiores detalhes na literatura especializada em EDO; por exemplo [Sot] ou [Wa2].
3 Na definica o: Para r 0, temos
o a seguir e no resto do texto adotamos a seguinte notaca
r (x) = {v IRn | |x v| r}, Br = Br (), B
Br (x) = {v IRn | |x v| < r}, B r = B
r ().

38
4

y
2

-10 -5 0 0 5 10
x

-2

-4

Figura 3.1: Campo vetorial de x00 + sin x = 0

onde s, r e b s
ao constantes positivas. Este sistema foi utilizado por Lorenz como modelo de dimens ao
finita para um fen omeno fsico (a convecca
o de RayleighBenard).
Em particular, a escolha dos par ametros s = 10, r = 28 e b = 8/3 gera um atrator es-
tranho, que foi observado numericamente e tem sido objeto intensivo de estudo de v arios grupos
de pesquisadores.4 Para r > 1, o sistema possui tres pontos de equilbrio:
p p
0 pb(r 1) pb(r 1)
z = 0 , z = b(r 1) e z = b(r 1) .
0 r1 r1
A estabilidade destes 3 pontos de equilbrio pode ser analisada quando conhecemos um pouco melhor
a aproximaca
o linear do campo vetorial. E possvel assim, verificar de forma clara a natureza inst
avel
do sistema. 2 2 2

Observa c importante observar que a atratividade n


ao 3.1.4 E ao implica, em geral, na estabilidade
assint
otica. Um exemplo e encontrado no sistema n ao linear
 0
x = (x2 (y x) + y 5 ) / (x2 + y 2 )(1 + (x2 + y 2 )2 )
y 0 = y 2 (y 2x) / (x2 + y 2 )(1 + (x2 + y 2 )2 )
cuja dinamica e ilustrada na Figura 3.2. Entretanto, para sistemas aut onomos, as definico
es de
atratividade e estabilidade assintotica s
ao equivalentes. Tal fato e analisado na pr
oxima seccao.
Sistemas est
aveis mas n ao atrativos s
ao mais f
aceis de ser encontrados. Considere, por exemplo,
4 Maiores detalhes por exemplo em [Je].

39
1.5

0.5

-1 -0.5 0 0.5 1
x

-0.5

-1

-1.5

Figura 3.2: A origem e um ponto de equilbrio atrativo, porem n


ao e est
avel

40
f (z) = Az, onde A corresponde a
` matriz de rotaca
o pelo a
ngulo de /2. 2 2 2

3.2 Estabilidade de Sistemas Lineares


Analisamos nesta seccao o importante caso particular do sistema (3.1) em que a din
amica do sistema
e descrita pela equaca
o
z 0 = A z, (3.7)
onde A IRn,n . O objetivo principal e esclarecer a quest ao da estabilidade do ponto de equilbrio
z = . Neste caso e usual referir-mo-nos ao sistema (3.7) como sistema estavel.

Teorema 3.2.1 Seja o sistema (3.7). S


ao equivalentes as seguintes afirmaco
es:
a) O ponto de equilbrio z = e assintoticamente est
avel;
b) O ponto de equilbrio z = e atrativo;
c) max{Re() | e autovalor de A} < 0.
Demonstraca
o: a) = b) Segue imediatamente da Definica
o 3.1.1.
b) = c) Suponha que A possui um autovalor = + i com 0. Se v e um autovetor
correspondente, definimos atraves de

z(s) := Re (es v), s 0

uma soluca
o que claramente n
ao satisfaz lim z(t) = .
t
c) = a) Temos que
keAt k cet , t 0,
o do sistema e z(t, z 0 ) = eAt z0 , conclumos
com constantes c 0 e > 0. Observando que a soluca
que z = e assintoticamente est
avel.

Observa c
ao 3.2.2 Se o ponto de equilbrio z = e assintoticamente est
avel, podemos concluir do
es de (3.7) convergem exponencialmente para quando t .
Teorema 3.2.1 que todas as soluco
Esta propriedade e denominada estabilidade exponencial. Fica claro, portanto, que os conceitos de
estabilidade assint
otica e exponencial s
ao equivalentes no caso dos sistemas lineares aut onomos.
2 2 2

Observa cao 3.2.3 Caso o ponto de equilbrio z = do sistema (3.7) seja assintoticamente est
avel,
ent
ao o sistema
z 0 = A z + b(t), t 0, (3.8)
e BIBOest avel (Bounded-Input Bounded-Output). Isto e, se b L ([0, ); IRn ), ent
ao toda soluca
o
de (3.8) est a tambem em L ([0, ); IRn ). Este fato segue imediatamente da representaca o da so-
luca
o para o problema n ao homogeneo. Tal propriedade e entretanto perdida quando o ponto de
equilbrio z = e somente est
avel (veja o pr
oximo exemplo). 2 2 2

Exemplo 3.2.4 Considere o oscilador harm


onico modelado pela equaca
o diferencial

x + a2 x = b(t)

e o respectivo sistema
      
z10 0 1 z1 0
= + .
z20 a2 0 z2 b(t)

41
Note que z = e um ponto de equilbrio do sistema
 0    
z1 0 1 z1
= .
z20 a2 0 z2

Como uma matriz fundamental para esse sistema e dada por


 
sin at cos at
, t 0,
a cos at a sin at

podemos concluir que o ponto de equilbrio e est


avel.
Considere agora como inomogeniedade (entrada) a funca o limitada b(t) := cos t. A soluca
o
correspondente e dada por
 t
x(t) = 2 sin t , para = a
1
2
a 2 (cos t cos at) , para 6= a

A interpretaca
o da soluca
o obtida e a seguinte:
Para 6= a, a soluca
o e formada pela composicao de duas vibraco
es com frequencias respectiva-
mente a/2 (frequencia da energia do sistema) e /2 (frequencia da forca externa).
No caso a = , observamos o fen omeno de resson
ancia: com o tempo o sistema ganha cada vez
mais energia e a soluca
o se torna ilimitada. Na pratica, o sistema acaba sendo destrudo, devido a`
sobrecarga de energia acumulada. 2 2 2

Observa c
ao 3.2.5 Suponha que no sistema (3.7) tenhamos max{ Re()| e autovalor de A} = 0.
Nesse caso o ponto z = ser
a est
avel exatamente quando todos os blocos de Jordan relativos aos
autovalores com Re() = 0 tiverem forma diagonal (por que?). 2 2 2

Definiao 3.2.6 Uma matriz M IRn,n que satisfaz


c

max {Re() | e autovalor de M } < 0.

e denominada matriz est


avel. 2 2 2

3.3 Crit
erio de RouthHurwitz
Como sabemos, os autovalores da matriz A IRn,n do sistema (3.7) s ao as razes do polin
omio
caracterstico de A (aqui denominado pA ). Suponha que pA e da forma
n
X
pA (r) = rn + ai rni .
i=1

Pela Definica
o 3.2.6 a matriz A e est
avel quando todas as razes de p a estiverem no semi-plano
esquerdo do plano complexo. Discutimos nesta seccao uma condicao necessaria (criterio de Routh
Hurwitz) para a estabilidade de uma matriz.

Lema 3.3.1 Se A e uma matriz est


avel, ent
ao todos os coeficientes a 1 , . . . , an de pA s
ao positivos.
Demonstraca
o: Denotando por k os autovalores reais de A e por j os autovalores com parte
imagin
aria n
ao nula, temos que
Y Y
pA (r) = (r k ) (r2 2Re(j )r + |j |2 ).
k j

42
A hip
otese da estabilidade de A implica em

k > 0, 2Re(j ) > 0.

Provando assim que os coeficientes de pA s


ao positivos.

Uma desvantagem o bvia da aplicaca


o deste criterio e a necessidade do conhecimento do polin omio
caracterstico pA . O exemplo a seguir mostra que o criterio n ao e suficiente para garantir a estabili-
dade de A.

Exemplo 3.3.2 Considere a equaca


o diferencial

x(3) + x(2) + x(1) + x = 0.

O polin
omio caracterstico do sistema correspondente e

p(r) = r3 + r2 + r + 1

e possui razes 1, i. Portanto, o ponto de equilbrio z = do sistema correspondente e est


avel,
mas nao e assintoticamente est
avel. 2 2 2

Observa c
ao 3.3.3 No caso dos polin omios de grau menor ou igual a 4, e possvel encontrar condico
es
suficientes para garantir a estabilidade da matriz A a partir da aplicaca o do teorema fundamental
da algebra (veja [Gon]). De fato, os polin
omios
i) r+a
ii) r2 + ar + b
iii) r3 + ar2 + br + c
iv) r4 + ar3 + br2 + cr + d
com coeficientes reais possuem apenas razes com parte real negativa se e somente se as seguintes
condico
es s
ao respectivamente satisfeitas:
i ) a>0
ii ) a > 0, b > 0
iii ) a > 0, b > 0, c > 0 e ab > c
iv ) a > 0, b > 0, c > 0, d > 0 e abc > c2 + a2 d.
2 2 2

Exemplo 3.3.4 Considere um circuito com um resistor (de resistencia R), dois indutores (cada um
com indut
ancia L) e um capacitor (de capacitancia C), onde as constantes R, L e C s
ao positivas.
O problema e modelado pela equaca
o diferencial escalar

L2 Cx(3) + RLCx(2) + 2Lx(1) + Rx = 0.

A funcao x representa a diferenca de potencial (DDP). Da Observaca


o 3.3.3 segue a estabilidade
assint
otica do circuito (veja ainda a Observaca
o 3.2.2). 2 2 2

O proximo passo e a obtenca


o de uma condica
o suficiente para o caso geral de (3.7). O criterio
apresentado a seguir foi descoberto por Routh em 1877. Seja
n
X
p(r) = rn + ai rni
i=1

43
um polinomio com coeficientes reais positivos. Defina os polin
omios U e V (com coeficientes tambem
reais positivos) de modo que
U (r) + iV (r) = p(ir), r IR.
Temos ent
ao:
Grau de U = n e grau de V = n 1, se n for par;
Grau de U = n 1 e grau de V = n, se n for mpar.
Definimos a partir de U e V os seguintes polin
omios:

q1 := U, q2 := V, se n e par;
q1 := V, q2 := U, se n e mpar.

q3 , . . . , qm s
ao obtidos a partir do algoritmo de divis
ao de Euclides aplicado ao par q 1 , q2 .
Temos assim:5

qk1 = k qk qk+1 , k = 2, . . . , m 1 e qm1 = m qm .

Ap
os esta construca
o estamos prontos para enunciar o teorema de Routh.

Teorema 3.3.5 Sejam U , V , q1 , . . . , qm definidos como acima. As seguintes afirmaco


es s
ao equiv-
alentes:
a) O polin
omio p possui apenas razes com Re() < 0;
b) m = n + 1 e os sinais dos coeficientes de maior grau de q1 , . . . , qn+1 alternam.

A demonstraca
o deste resultado foge aos nossos objetivos e n
ao e apresentada. O leitor interes-
sado pode encontrar em [Gan] uma demonstraca o baseada em um teorema de resduos da an alise
complexa.

3.4 Perturba
c
ao de Sistemas Lineares
Consideramos nesta secca
o sistemas da forma

z 0 = A z + g(z), (3.9)

onde A IRn,n e g : IRn IRn . Supomos ainda que as hip


oteses em (3.3) e (3.4) sejam satisfeitas
pela funca
o
f (z) := Az + g(z), z D := IRn .
O teorema a seguir nos fornece uma condica
o suficiente para garantir a estabilidade do ponto de
equilbrio do sistema (3.9).

avel e g : IRn IRn uma aplicaca


Teorema 3.4.1 Seja A uma matriz est o satisfazendo lim |g(z)|/|z| =
|z|0
0. Ent
ao o ponto de equilbrio z = do sistema (3.9) e assintoticamente est
avel.
Demonstraca
o: Das hip
oteses temos que

c 0, > 0 tq (keAt k ce2t ), t 0,

> 0 tq (|g(y)| c1 |y|), y B .


5 Note que qm e (a menos de uma constante) o maior divisor comum de q1 , q2 .

44
Seja z : [0, T ) IRn uma soluca
o local do sistema

z 0 = A z + g(z).

(A existencia desta soluca


o e garantida pela hip
otese (3.4).) Temos ent
ao
Z t
At
z(t) = e z(0) +eA(ts) g(z(s)) ds,
0
Z t
At
|z(t)| ke k |z(0)| + keA(ts) k |g(z(s))| ds
0
Z t
2t
ce |z(0)| + e2(ts) |z(s)| ds, t [0, T ).
0

Definindo w(t) := e2t |z(t)| para t [0, T ), obtemos a estimativa


Z t
w(t) c |z(0)| + w(s) ds, t [0, T ).
0

Temos agora como resultado do lema de Gronwall que

w(t) c |z(0)| et , t [0, T ),

de onde segue
z(t) c |z(0)| et , t [0, T ). (3.10)
Podemos ent o local z pode ser prolongada ao intervalo [0, ). Logo, a
ao concluir que a soluca
estimativa (3.10) vale para T = e o teorema fica provado.

Observa cao 3.4.2 A import ancia do Teorema 3.4.1 e a forma pela qual ele pode ser aplicado na
an
alise da estabilidade dos pontos de equilbrio dos sistemas de controle em (3.9):
Expanda o campo vetorial f no ponto de equilbrio z = . O sistema resultante e da forma
otese de g estar definida em todo IR n n
(3.9), onde A = df () e g(z) = f (z) df ()g. (A hip ao
e restritiva, pois na demonstraca
o necessitamos de g somente em uma vizinhanca de z = .)
Verifique se A = df () e uma matriz est
avel.
A hipotese lim|z|0 |g(z)|/|z| = 0 e trivialmente satisfeita, pois f e suposta continuamente
diferenci
avel.
Note, entretanto, que este metodo de linearizaca
o fornece apenas uma condica o suficiente para a
estabilidade. Tal condica
o e por demasiado restritiva e est
a longe de ser necess
aria (veja o Exem-
plo 3.5.1). 2 2 2

Exemplo 3.4.3 Aplicamos o metodo de linearizacao ao oscilador n


ao linear com amortecimento
a > 0, que e descrito pela equaca
o diferencial

x
+ 2a x + sin x = 0.

O sistema correspondente e:
 
0 z2
z = f (z) com f (z1 , z2 ) = (3.11)
2az2 sin z1

45
e a linearizaca
o do sistema no ponto de equilbrio z = nos fornece a matriz
 
0 1
A = df () = .
1 2a

f
E acil verificar que os autovalores da matriz A s
ao:
p
= a a2 1.

A matriz A e portanto est


avel e o ponto de equilbrio z = e assintoticamente estavel. O sistema
(3.11) possui ainda outro ponto de equilbrio, a saber: z = (, 0). A linearizaca
o neste ponto gera
a matriz  
0 1
A = df ( z) = ,
1 2a
que possui um autovalor com Re() > 0. O Teorema 3.4.1 n ao se aplica, entretanto o ponto de
equilbrio z n
ao e est
avel. Nas Figuras 3.3 e 3.4 e mostrado o campo em vizinhancas dos pontos
z = e z = (, 0), respectivamente. 2 2 2

Exemplo 3.4.4 Consideremos novamente o sistema de Lorenz (veja Exemplo 3.1.3), descrito pela
equaca
o diferencial
s(z2 z1 )
z 0 = f (z) com f (z) = rz1 z2 z1 z3 , (3.12)
z1 z2 bz3

onde s, r e b s f
ao constantes positivas. E acil verificar que, para r > 1, existem tres pontos de
equilbrio:
p p
0 pb(r 1) pb(r 1)
z = 0 , z = b(r 1) e z = b(r 1) .
0 r1 r1
Linearizando o sistema nestes pontos, obtemos respectivamente as matrizes:

s s 0
A = df (
z ) = r 1 0 ,
0 0 b

s s p 0
A = df (
z) = p 1 p 1 b(r 1) ,
b(r 1) b(r 1) b
e
s s p 0
A = df (
z) = p 1 p 1 b(r 1) .
b(r 1) b(r 1) b
Para o ponto de equilbrio z obtemos o polin
omio caracterstico

p() = ( + b) (2 + (s + 1) s(r 1)),

o qual possui duas razes negativas e uma positiva. Portanto, a estabilidade numa vizinhanca de z
e improv
avel.

46
0.3

0.2

0.1

-1 -0.5 0 0.5 1
x

-0.1

-0.2

-0.3

Figura 3.3: Campo vetorial de x00 + 2ax0 + sin x = 0 (para a = 1) em uma vizinhanca do ponto
z = .

47
0.3

0.2

0.1

0 2 2.5 3 3.5 4
x

-0.1

-0.2

-0.3

Figura 3.4: Campo vetorial de x00 + 2ax0 + sin x = 0 (para a = 1) em uma vizinhanca do ponto
z = (, 0).

48
40

30

20

10

-15
-10 20
-5 0 10
00
-10 5
-20 10
15
20


Figura 3.5: Orbita do atrator de Lorenz (3.12) para os par
ametros s = 10, r = 28 e b = 8/3; condica
o
inicial: z(0) = (0.1, 0.1, 0.1).

Os pontos de equilbrio z e z est


ao associados ao mesmo polin
omio caracterstico:

p() = 3 + (s + 1 + b)2 + b(s + r) + 2bs(r 1).

avel quando6
O criterio de RouthHurwitz e aplic

(s + 1 + b)b(s + r) 2bs(r 1) > 0

Este e o caso se
s+3+b
s > b + 1 , r < rc := s ,
sb1
quando ent ao podemos concluir que os pontos de equilbrio z e z s
ao assintoticamente est
aveis. Para
os valores especiais s = 10, r = 28 e b = 8/3, temos r > rc 24.74 e os tres pontos de equilbrio
n
ao mais sao est
aveis. Entretanto, os polin
omios caractersticos de z e z ainda possuem uma raiz
negativa, fato que contribui para o comportamento mpar das o rbitas do sistema (veja Figura 3.5).
2 2 2

3.5 M
etodo de Lyapunov
Um metodo eficiente de se verificar a estabilidade e o desenvolvido por A.M. Lyapunov (1893). O
metodo trata de sistemas n
ao lineares da forma (3.1) e se baseia na an
alise de autovalores. Analisamos
a seguir um exemplo que serve de motivaca o para o metodo apresentado nesta secca o.

6 Veja Observaca
o 3.3.3.

49
Exemplo 3.5.1 Considere o sistema
 
3z2 z15
z 0 = f (z) com f (z1 , z2 ) = . (3.13)
2z2 + z15

Os autovalores da matriz A = df () s ao 0 e 2. Logo, A n ao e uma matriz est avel e a quest


ao da
estabilidade do ponto de equilbrio permanece em aberto.
Defina V (z1 , z2 ) := z16 + 9z22 e seja z = (z1 , z2 ) IR2 uma soluca o do sistema (3.13). Temos
ent
ao
d
V (z1 (t), z2 (t)) = 6z1 (t)10 36z2 (t)2 0,
dt
de onde segue
Z t
0 V (z1 (t), z2 (t)) = V (z1 (0), z2 (0)) (6z1 (s)10 + 36z2 (s)2 ) ds, t 0.
0

A estabilidade do ponto de equilbrio e agora uma conseq uencia direta desta desigualdade. Alem
disto, temos ainda que limt z(t) = . De fato, como a funca o t 7 V (z1 (t), z2 (t)) e mon
otona n
ao
crescente, existe o limite a := limt V (z1 (t), z2 (t)).
Como V (z1 , z2 ) = 0 se e somente se (z1 , z2 ) = , basta verificar que a = 0. Suponha por contradica o
que a > 0. Temos ent ao que

0 < a V (z1 (t), z2 (t)) V (z1 (0), z2 (0)), t 0.

Defina m := inf{6z110 + 36z22 | (z1 , z2 ) IR2 ; a V (z1 , z2 ) V (z1 (0), z2 (0))}. Como V e contnua,
temos que m > 0. Para t 0 temos agora
Z t
0 V (z1 (t), z2 (t)) V (z1 (0), z2 (0)) m dt = V (z1 (0), z2 (0)) mt.
0

Como o lado direito da u ltima express


ao se torna negativo para t suficientemente grande, chegamos
a
` desejada contradica
o. 2 2 2

Defini
c
ao 3.5.2 Uma funcao V : U IR, onde U e uma vizinhanca qualquer de z = , e denomi-
o de Lyapunov para o sistema z 0 = f (z) quando satisfaz:
nada funca
i) V e contnua em U e continuamente diferenciavel em U \{};
ii) V () = 0, V (x) > 0 para todo x U, x 6= ;
iii) hV (x), f (x)i 0 para todo x U \{}.
V e denominada funca
o de Lyapunov estrita quando, ao inves da condica
o iii), satisfizer:
iii ) hV (x), f (x)i < 0 para todo x U \{}.
2 2 2

Teorema 3.5.3 Seja U uma vizinhanca qualquer de z = e V : U IR uma funca


o de Lyapunov
para o sistema z 0 = f (z). S
ao verdadeiras as afirmativas:
a) z = e um ponto de equilbrio est
avel ;
b) z = e um ponto de equilbrio atrativo se e somente se existe vizinhanca W
de de modo que a solucao estacion aria seja a u
nica soluca
o
0
z : [0, ) U de z = f (z) com z(0) W e d V (z(t)) = 0, t [0, ).
dt
Demonstracao: Provamos primeiro o item a). Seja r > 0 tal que B2r U . Defina :=

50
min{V (x) | |x| = r} e U := {x U | V (x) < } B r Br . Entao > 0 e a continuidade
de V implica que U 6= e que U e uma vizinhanca de . Seja z uma soluca
o de
z 0 = f (z), z(0) = z0 U .
Temos ent
ao V (z(0)) < e
d
V (z(t)) = hV (z(t)), z 0 (t)i = hV (z(t)), f (z)i 0, t [0, (z0 )), (3.14)
dt
onde (z0 ) e o maior real que satisfaz z(t) B r , t [0, (z0 )]. Se existisse t1 (0, (z0 )] tal que
|z(t1 )| = r, teramos
V (z(0)) < V (z(t1 ))
pela definica
o de e
V (z(t1 )) V (z(0))
como conseq uencia de (3.14), nos levando a uma contradica o. Portanto, temos necessariamente
z(t) Br , para todo t [0, (z0 )]. Isto porem contradiz a maximalidade do intervalo [0, (z0 )],
provando assim que (z0 ) = e z(t) Br para todo t [0, ). Fica assim provado que z = e
um ponto de equilbrio est avel.
Provamos agora b). Defina inicialmente W := U .
(=) Como z e atrativo, existe > 0 tal que, para todo z0 B , a soluca o correspondente z(, z0 )
converge para z quando t . Caso W 6 B , redefina W := U B . Seja z : [0, ) U uma
d
o de z 0 = f (z); z(0) = z0 W satisfazendo dt
soluca V (z(t)) = 0, t [0, ). Temos ent
ao
V (z(0)) = lim V (z(t)) = V ( lim z(t)) = V () = 0.
t t

Logo, z(0) = e de V (z(t)) = V (z(0)), t, conclumos que z(t) = , t [0, ).


(=) Seja z uma soluca o de z 0 = f (z) com z(0) W . Do item a) temos que z : [0, )
Br . Logo, para toda seq uencia (tn )nIN com limn tn = , a seq uencia (z(tn ))nIN possui uma
subsequencia convergente. Para provar que e um ponto de equilbrio atrativo, basta verificarmos
que o limite limn z(tn ) e sempre . Suponhamos por contradica o que existe uma seq uencia (t n )nN
com lim tn = e limn z(tn ) = z 6= . Se | z | = r chegaramos (como em a)) a ` contradica o:
V (z(0)) < V (z ) e V (z ) V (z(0)). Logo z Br . Note ainda que a hip otese V (
z ) = implica
na mesma contradica o acima. Logo V ( z ) < e portanto z U = {x U | V (x) < } B r .
Considere agora a soluca o z do sistema
z0 = f (
z ), z(0) = z.
Do item a) temos que
z : [0, ) Br ,
Como z 6= e V ( z (t)) e mon otona nao crescente, ent
ao V (z (t)) V ( z ), t. Caso a
z (0)) = V (
igualdade sempre se verificasse, a hip otese em b) implicaria em z(t) e z = . Portanto, existe
um > 0 com V ( z ( )) < V (
z ).
A equaca o diferencial e aut es zn : [0, ) IRn definidas por zn (t) :=
onoma, logo as funco
0
z(tn + t) s
ao soluco
es respectivamente de zn = f (zn ), zn (0) = z(tn ). Como limn z(tn ) = z, segue
que
lim |zn (t) z(t)| = lim |z(tn + t) z(t)| = 0, t [0, ].
n n
Isto e, limn zn (t) = z(t), t [0, ]. Temos, portanto,
lim V (z(tn + )) = V (
z ( )) < V (
z ).
n

Isto porem e um absurdo, pois sendo V (z(t)) mon otona nao crescente, e possvel encontrar, para
todo n IN, um m IN tal que V (z(tn + )) V (z(tm )) V (
z ) = limn V (z(tn )).

51
Corol ario 3.5.4 (Lyapunov) Seja V uma funca o de Lyapunov estrita em U , uma vizinhanca de
, para o sistema z 0 = f (z). Ent
ao, o ponto de equilbrio z = e assintoticamente est
avel.
Demonstraca o: O Teorema 3.5.3 a) garante estabilidade de z em alguma vizinhanca B r U .
Note agora que, para toda soluca o de z 0 = f (z) que permanece em Br para t 0, a aplicaca o
t 7 V (z(t)) e mon otona estritamente decrescente. Portanto, a u nica dentre essas soluco
es que
d
satisfaz dt V (z(t)) = 0, t 0 e a soluca aria z(t) . Do Teorema 3.5.3 b) segue que z e
o estacion
atrativo.

Exemplo 3.5.5 Considere novamente o sistema n


ao linear
 
3z2 z15
z 0 = f (z) com f (z1 , z2 ) = .
2z2 + z15

No Exemplo 3.5.1 introduzimos a funca


o de Lyapunov estrita

V (z1 , z2 ) := z16 + 9z22 , (z1 , z2 ) IR2

a fim de analisar este sistema. Podemos agora concluir diretamente do Corol


ario 3.5.4 que o ponto
de equilbrio z = e assintoticamente est
avel. 2 2 2

Exemplo 3.5.6 Considere a equaca


o diferencial para o circuito eletrico RLC:

CL
x + RC x + x = 0,

cujo sistema associado e


  
0 1 z1
z 0 = f (z) com f (z1 , z2 ) = ,
[LC]1 RL1 z2

onde R, L e C s
ao constantes positivas. Uma funca
o de Lyapunov para este sistema e

V (z1 , z2 ) := Lz22 + C 1 z12 , (z1 , z2 ) IR2 ,

de onde calculamos
hV (z1 , z2 ), f (z1 , z2 )i = 2Rz22 , (z1 , z2 ) IR2 .

Logo, V n ao e uma funca


o de Lyapunov estrita e o Teorema 3.5.3 a) garante que z = e est avel.
Note porem que a condica o 2Rz2 (t)2 = 0, para todo t 0, implica em z2 (t) = z20 (t) = 0, t 0.
Da equaca ao z1 (t) = 0, t 0. Assim sendo, o Teorema 3.5.3 b) garante que
o diferencial temos ent
z = e tambem atrativo e, portanto, assintoticamente est avel. 2 2 2

Exemplo 3.5.7 Considere agora o sistema


  
0 0 1 z1
z = f (z) com f (z1 , z2 ) = .
1 0 z2

o de Lyapunov e dada por V (z1 , z2 ) = z12 + z22 . O Teorema 3.5.3 garante que z = e
Uma funca
um ponto de equilbrio est
avel mas n
ao atrativo (verifique!). 2 2 2

52
3.6 Equa
c
ao Matricial de Lyapunov
Iniciamos esta secca
o recordando alguns importantes conceitos da a
lgebra linear, relacionados com
os autovalores de uma matriz.

Definiao 3.6.1 Uma matriz simetrica M IRn,n e denominada


c
Positiva definida quando hx, M xi > 0, para todo x IRn , x 6= ;
Positiva semi-definida quando hx, M xi 0, para todo x IR n ;
Negativa definida quando M e positiva definida. 2 2 2
No lema a seguir apresentamos a soluca
o de uma equaca
o matricial que e fundamental para a
formulaca
o do criterio de Lyapunov.

Lema 3.6.2 Sejam U IRn,n , V IRm,m e W IRn,m . Se U e V s


ao matrizes est
aveis, ent
ao a
soluca
o u
nica da equaca
o matricial
U X + XV + W = (X IRn,m )
e a matriz est
avel X definida por
Z
X := etU W etV dt.
0

Demonstraca otese, temos que existem constantes c 0 e > 0 tais que


o: Da hip
ketU k cet , ketV k cet , t 0.
Note que para T > 0, temos
Z T
d tU
eT U W e T V W = (e W etV ) dt
0 dt
Z T
= (U etU W etV + etU W V etV ) dt
0
Z T
= (U etU W etV + etU W etV V ) dt.
0

Tomando o limite quando T , temos que


Z
X= etU W etV dt
0

e soluca o matricial W = U X + XV , ficando assim provada a existencia de soluco


o da equaca es.
Para provar unicidade, suponha que X1 , X2 s ao ambas soluco
es de U X + XV + W = e defina
Xb := X1 X2 . Logo, Xb IRn,m e soluca
o de
b + XV
UX b = .
Temos ent
ao
d tU b tV b + XV
b )etV =
(e Xe ) = etU (U X
dt
e portanto,
b tV = e0U Xe
etU Xe b 0V = X.
b
Tomando o limite quando t , obtemos Xb = .

53
No teorema a seguir e apresentada uma equaca
o matricial, que fornece uma forma equivalente
de definir a estabilidade de uma matriz.

Teorema 3.6.3 Dada uma matriz A IRn,n , s


ao equivalentes as as seguintes afirmaco
es:
a) A e uma matriz est
avel;
b) Existe uma matriz positiva definida P IRn,n tal que

A P + P A = I. (3.15)

Demonstraca avel, a existencia de P segue do Lema 3.6.2 com U = A , V = A


o: Se a matriz A e est
e X = P . Reciprocamente, se P satisfaz a equaca o (3.15), defina

V (x) := hx, P xi, x IRn .

Logo, a funca avel V satisfaz V (0) = 0, V (x) > 0, x 6= e ainda


o diferenci

hV (x), Axi = hP x + P x, Axi


= hA P x, xi + hx, P Axi
= h(A P + P A)x, xi
= hx, xi.

Isto e, V e uma funca


o de Lyapunov estrita. O Corol ario 3.5.4 implica que o ponto de equilbrio
z = e assintoticamente est
avel. O Teorema 3.2.1 garante por fim que os autovalores de A possuem
parte real estritamente negativa.

Observa c o (3.15) pode ser substituda pela exigencia de A P +


ao 3.6.4 No Teorema 3.6.3, a equaca
P A ser negativa definida. 2 2 2

Teorema 3.6.5 Sejam A, X, W IRn,n e C IRl,n matrizes satisfazendo


A X + XA = W ;
W C C e positiva semi-definida;
(A, , C) e observ
avel.
Ent
ao a matriz A e est
avel sse X for positiva definida.
R
Demonstraca
o: (=) Seja A uma matriz est
avel. Do Lema 3.6.2 temos que X = 0 etA W etA dt.
Logo, para x IRn temos
Z
hx, Xxi = hetA x, W etA xi dt
0
Z
hetA x, C CetA xi dt
Z0
= |CetA x|2 dt.
0

avel, conclumos que CetA x = , t 0 sse x = .


Como (A, , C) e observ
(=) Suponha X positiva definida. Defina como na demonstraca o do Teorema 3.6.3 a funca
o

V (x) := hx, Xxi, x IRn .

54
Como W C C e positiva semi-definida, ent
ao W tambem o e. Logo, V e uma funca
o de Lyapunov,
pois hV (z(t)), Az(t)i = hz, W zi (veja Observaca
o 3.6.4). Seja agora z uma solucao de z 0 = Az
d
com dt V (z(t)) = 0, t 0. Temos ent
ao
d
0 = V (z(t)) = hz(t), W z(t)i.
dt
Logo,
0 hz(t), (W C C)z(t)i = hCz(t), Cz(t)i, t 0.
Portanto, Cz(t) = , t 0, e da observabilidade de (A, , C) temos z(0) = . O Teorema 3.5.3 b)
garante que o ponto de equilbrio z = e assintoticamente est
avel e do Teorema 3.2.1 segue a
estabilidade da matriz A.
A equacao matricial (3.15) e denominada equaca
o matricial de Lyapunov. Igualmente interessante
na an alise da estabilidade de sistemas n ao lineares e o criterio de Popow, que fornece condico
es
suficientes para garantir a estabilidade absoluta de sistemas de loop fechado. Para detalhes sobre o
conceito de estabilidade absoluta e sobre o criterio de Popow veja [F o3].

3.7 Estabilidade de Sistemas Lineares Discretos


Uma an alise de estabilidade semelhante a
` realizada na Secca
o 3.2 para problemas contnuos pode
ser estendida para sistemas de evoluca
o discretos da forma
xk+1 = A xk , k = 0, 1, . . . (3.16)
onde A IRn,n e xk IRn , k 0.

Defini
c
ao 3.7.1 O ponto de equilbrio x
= do sistema (3.16) e denominado:
avel quando: dado > 0, para todo x0 B , temos xk B , k = 1, 2, . . .
est
atrativo quando: para todo x0 IRn , temos lim xk = . 2 2 2
k

Como nos sistemas contnuos aut onomos, a atratividade implica na estabilidade. A an


asise da
estabilidade de tais sistemas e bastante simples e e esclarecida com os seguintes lemas:

Lema 3.7.2 Dado um sistema linear discreto da forma (3.16), s


ao equivalentes as afirmaco
es:
a) O ponto de equilbrio x
= e atrativo;
b) O operador A considerado como elemento do espaco L(IR n , IRn ) e contrativo, i.e.
kAxk
kAk := sup < 1.
xIRn \{} kxk

Demonstracao: a) = b) Seja um autovalor de A e x0 o respectivo autovetor. Logo, xk =


Ak x0 = k x0 . Da hip
otese temos agora
lim ||k kx0 k = 0,
k

o que implica em < 1. Como e arbitr


ario, b) fica provado.
b) = a) Dado x0 IRn , temos da hipotese
lim kxk k kx0 k lim kAkk = 0
k k

e o teorema fica provado.

55
No que se refere a` verificaca
o da estabilidade do ponto de equilbrio de (3.16) temos o lema a
seguir, que por sua semelhanca com o Lema 3.7.2 e deixado para o leitor como exerccio.

Lema 3.7.3 Dado o sistema linear discreto (3.16), s


ao equivalentes as afirmaco
es:
a) O ponto de equilbrio x
= e est
avel;
b) O operador A considerado como elemento do espaco L(IR n , IRn ) e n
ao expansivo, i.e.

kAxk
kAk := sup 1.
xIRn \{} kxk

O criterio de Lyapunov tambem se aplica a sistemas discretos, com a finalidade de estabelecer


condico
es suficientes para estabilidade.

Definic o V : IRn IR e denominada funca


ao 3.7.4 Uma funca o de Lyapunov quadr
atica para o
sistema xk+1 = Axk quando satisfaz:
i) V e da forma: V (x) = hx, P xi, com P positiva definida;
ii) V (A x) < V (x) para todo x IRn \{}.
2 2 2

Lema 3.7.5 Seja V uma funca o de Lyapunov quadr


atica para o sistema (3.16). Ent
ao o ponto de
equilbrio x
= e atrativo.
Demonstraca
o: Seja um autovalor de A e x o respectivo autovetor. Por hip
otese temos

||2 hx, P xi = hAx, P Axi < hx, P xi,

provando assim que || < 1. Como e arbitr


ario, o lema fica provado.

Do Lema 3.7.5, obtemos para sistemas discretos um resultado an


alogo ao Teorema 3.6.3.

Lema 3.7.6 O ponto de equilbrio x = do sistema xk+1 = Axk e atrativo se e somente se existe
matriz definida positiva P tal que A P A P e negativa definida.
Demonstracao: (=) Como kAk < 1, e f acil verificar que P = I (a matriz identidade) e tal que
A P A P e negativa definida. (Na verdade para qualquer matriz positiva definida P a express ao
acima e negativa definida.)
(=) Basta observar que V (x) := hx, P xi define uma funca o de Lyapunov quadr atica para o
sistema.

o A P A P = I e denominada equaca
A equaca o matricial discreta de Lyapunov.

Corol
ario 3.7.7 Se o ponto de equilbrio x = do sistema xk+1 = Axk e atrativo, ent
ao existe
uma funca
o de Lyapunov quadr
atica para o sistema.
Demonstraca
o: Segue imediatamente do Lema 3.7.6.

Exerccios
3.1 Verifique que o ponto de equilbrio do sistema no Exemplo 3.5.7 e est
avel mas n
ao atrativo.

56
3.2 Considere o sistema do oscilador n
ao linear amortecido (veja Exemplo 3.4.3)

x 1 = x2 , x 2 = x2 sin(x1 ),

onde > 0 e > 0 s


ao constantes.
a) Mostre que V (x1 , x2 ) := 21 x22 cos x1 e uma funca
o de Lyapunov para o sistema;
es do sistema possuem intervalo de existencia [0, );
b) Verifique que todas as soluco
c) Prove que toda soluca
o (x1 , x2 ) do sistema satisfaz

lim (x1 (t), x2 (t)) = (2k, 0),


t

onde k IN depende da condica


o inicial (x1 (0), x2 (0)).

3.3 Encontre para o sistema

x1 = x2 , x2 = x1 + 2x31 x2

uma funca
o de Lyapunov da forma

V (x1 , x2 ) = a11 x21 + 2a12 x1 x2 + a22 x22 ,

provando assim que a origem e um ponto de equilbrio assintoticamente est


avel.

3.4 Encontre para o sistema

x1 = x1 + 2x1 x2 , x2 = x2 + x3 , x3 = x2 4x3

uma funca
o de Lyapunov da forma

V (x1 , x2 , x3 ) = a11 x21 + a22 x22 + a33 x23 + 2a12 x1 x2 + 2a23 x2 x3 + 2a13 x1 x3 .

3.5 Complete os detalhes da demonstraca


o do Lema 3.7.3.

3.6 Para sistemas n ao aut


onomos, o metodo de linearizaca
o n
ao pode, via de regra, ser utilizado na
an alise de estabilidade. Tal fato se torna claro mesmo para sistemas lineares. Considere o sistema
z 0 = A(t) z, com  
1 2 cos 4t 2 + 2 sin 4t
A(t) = .
2 + 2 sin 4t 1 + 2 cos 4t
a) Calcule os autovalores de A(t);
b) Mostre que a origem e um ponto de equilbrio inst
avel;
(Dica: Observe que a equaca
o diferencial possui uma solucao da forma: e t+it .)

3.7 O que se pode afirmar, a partir do metodo de linearizaca


o, sobre a estabilidade do ponto de
equilbrio (0, 0, 0) do sistema no Exerccio 3.4?

3.8 Considere novamente o oscilador harm


oninco ( > 0, > 0)

, s > 0
x
+ F (x)
+ x = 0, com F (s) :=
, s < 0

a) Faca um esboco da famlia de soluco


es no plano (x, x);

b) Encontre os pontos de equilbrio (x, x)
do sistema.

57
3.9 Considere o sistema ( > 0, b > 0)

b, t > 0
x
= U (t), com U (t) :=
b, t < 0

a) Faca um esboco da famlia de soluco


es no plano (x, x);

b) Mostre que existem soluco
es peri
odicas e calcule o perodo da o
rbita.

3.10 Mostre que a matriz


1 1 1
A = 1 1 1
1 1 0
e positiva indefinida, i.e. n
ao e nem positiva definida nem negativa definida.

3.11 Considere o sistema


x1 = 3x2 , x2 = x1 + 4x2 .
a) Mostre que o ponto de equilbrio (0, 0) e assintoticamente est
avel;
b) Prove que V (x1 , x2 ) := 35 x21 + 2x1 x2 + x22 e uma funca
o de Lyapunov estrita;
c) Considere a solucao correspondente a ` condica
o inicial x1 (0) = 0, x2 (0) = 2. Estime o tempo
ts > 0 em que a soluca ao x21 + x22 0.02.
o (x1 , x2 ) alcanca a regi
(Dica: Encontre a > 0 com V (x) aV (x).)

omio p(t) = t3 + 6r2 + 12r + 9 possui somente raizes com parte real negativa.
3.12 Prove que o polin

3.13 Seja A IRn,n e IR. Prove a equivalencia das afirmaco


es abaixo:
a) max{ Re() | e autovalor de A} < ;
b) Para cada matriz positiva definida W IRn,n , a equaca
o matricial

A W + XA + 2X = W

possui uma u
nica soluca
o positiva definida X.

58
Captulo 4

Estabilizac
ao

Neste captulo utilizamos o conceito de estabilidade introduzido no Captulo 3 e analisamos a seguinte


questao: Como e quando e possvel tornar est avel um sistema de controle. Tal tarefa, denominada
de estabilizacao, tem se mostrado nos u ltimos anos como uma das aplicaco es mais importantes da
teoria de controle em problemas de engenharia e tecnologia. A forma cl assica de realiz
a-la e obter
a entrada (ou controle) a partir do estado ou da sada do sistema. Falamos ent ao de realimentaca o
de estado ou de sada. A quest ao da estabilizaca
o permite abordagens tanto qualitativas quanto
quantitativas, ambas aqui discutidas.
Na Secca o 4.1, definimos os sistemas lineares estabiliz aveis e discutimos um resultado sobre
estabilizaca
o de sistemas aut onomos control aveis. A seguir e analisada uma condica o necessaria
e suficiente para estabilizacao de sistemas aut onomos. Na Secca o 4.2, consideramos o problema
quantitativo relacionado a ` estabilizaca
o. O metodo de colocaca
o de p
olos nos fornece uma estratetiga
de estabilizacao, na qual e possvel escolher o grau de estabilidade do sistema estabilizado. Na
Secca
o 4.3 e apresentada a estrategia de Luenberger (observador din amico), atraves da qual o estado
de um sistema paralelo e utilizado para estabilizar o sistema dado. Na Secca o 4.4 e discutido
um metodo de estabilizaca o que combina o observador din amico com a realimentaca o de sada. Na
Secca
o 4.5 consideramos o problema de estabilizar o ponto de operaca o (desconhecido) de um sistema
linear.

4.1 Sistemas Lineares


Em aplicacoes s
ao utilizadas essencialmente estrategias de realimentaca
o de sada e de realimentaca
o
de estado, com o objetivo de alterar a din
amica do sistema livre (sem controle) obtendo determinadas
propriedades, que podem ser:

BIBOestabilidade; (qualitativo)

Estabilidade assint
otica; (qualitativo)

Aceleraca
o do retorno ao ponto de equilbrio. (quantitativo)

No caso dos sistemas de controle lineares autonomos, as propriedades acima est


ao intrinsecamente
relacionadas com os autovalores da matriz do sistema. Dadas A IRn,n e B IRn,m , considere o
sistema de controle
z 0 = A z + B u. (4.1)

59
Supondo que o controle u e obtido a partir do estado z por uma lei linear, escrevemos

u = F z,

onde F IRm,n . Substituindo em (4.1), obtemos

z 0 = (A + B F ) z. (4.2)

A fim de tornar o ponto de equilbrio z = assintoticamente est


avel, devemos escolher F de modo
que A + BF seja uma matriz est avel (veja Definicao 3.2.6).

Definic avel quando existe F IR m,n


ao 4.1.1 O sistema de controle (A, B) e denominado estabiliz
n,n
tal que a matriz A + BF IR e est
avel. 2 2 2
O sistema (4.1), quando escrito com o controle de malha fechada, toma a forma (A + BF, B). A
controlabilidade de (A, B) implica na controlabilidade de (A + BF, B). Este argumento nos leva ao
seguinte teorema:

Teorema 4.1.2 Seja (A, B) e um sistema aut


onomo control
avel. Ent
ao (A, B) e estabiliz
avel pela
matriz de realimentaca
o
F := B WT1 ,
onde Z T

WT := etA BB etA dt, T > 0.
0
Demonstraca
o: A ideia e uilizar o Teorema 3.6.5 com

(A, , C) = ((A + BF ) , , B ) e X = WT .

Para garantir a estabilidade de (A + BF ) ou equivalentemente de (A + BF ) basta verificar que:


(1) WT e positiva definida;
(2) ((A + BF ) , , B ) e observ
avel;
(3) W := (A + BF )WT WT (A + BF ) e tal que
W BB e positiva semi-definida.
(1) Por construca
o, WT e positiva semi-definida. Logo, WT e n ao singular para T > 0 e, portanto,
WT e positiva definida.
(2) Como (A, B) e control
avel, (A, B) tambem o e. Dasegue a controlabilidade de ((A+BF ), B).
Por fim, segue a observabilidade de ((A + BF ) , , B ).
(3) Observe que

(A + BF )WT + WT (A + BF ) = AWT BB + WT A BB
Z T
d tA
= (e BB etA ) dt 2BB
0 dt

= eT A BB eT A + BB 2BB

= eT A BB eT A BB .

Chegamos assim a
` identidade
W = eT A BB eT A + BB ,
a qual nos permite concluir que W BB e positiva semi-definida.

60
Observa c
ao 4.1.3 O Teorema 4.1.2 garante que sistemas aut onomos controlaveis s
ao estabiliz
aveis
por realimentaca
o de estado. A recproca entretanto n
ao e verdadeira, conforme podemos verificar
no seguinte exemplo trivial: 
A matriz est
avel, B =
z 0 = Az + Bu
2 2 2
A fim de esclarecer a questao levantada na Observacao 4.1.3, investigamos condicoes suficientes
para garantir a controlabilidade de sistemas estabiliz
aveis. Este e o objetivo do teorema

Teorema 4.1.4 Seja (A, B) um sistema aut onomo de controle. Ent


ao (A, B) e control
avel se e
somente se (A, B) e (A, B) s
ao ambos estabiliz
aveis.
Demonstraca o: Seja (A, B) control ao (A, B) e control
avel. Ent avel e a estabilidade de (A, B)
e (A, B) segue do Teorema 4.1.2. Reciprocamente, sejam (A, B) e (A, B) estabiliz
aveis. E
possvel escrever os sistemas (A, B) na forma normal
     
x1 0 A11 A12 B1
= u,
x2 0 A22
onde (A11 , B1 ) e control
avel. O sistema
   
A11 A12 B1
,
A22
e estabiliz
avel quando existe uma matriz F = (F1 , F2 ) tal que
 
A11 + B1 F1 A12 + B1 F2

A22
e uma matriz estavel. Conclumos da que os blocos A22 possuem somente autovalores com parte
real estritamente menor que zero. Como essa condica o n
ao pode ser satisfeita simulteneamente para
A22 e A22 , temos que o bloco A22 n ao pode existir na forma normal. Temos ent ao que
A = P 1 A11 P, B = P 1 B1 ,
onde P e n
ao singular. A controlabilidade de (A, B) segue agora da controlabilidade de (A 11 , B1 ).

Exemplo 4.1.5 Considere novamente o problema do equilbrio de um bast


ao vertical. A equaca
o
diferencial e
g = u(t),
que se escreve na forma do sistema
   
0 1 0
z 0 = Az + Bu com A = , B= .
g 0 1
O sistema (A, B) e control
avel devido a
` condica
o de posto. Logo, o Teorema 4.1.4 garante sua
estabilidade. O Teorema 4.1.2 nos permite ainda calcular a matriz de ganho F , isto porem exige
algumas contas longas. 2 2 2
O problema da estabilizacao de sistemas n ao lineares e discutido em [Is]. Em particular os
sistemas Single-Input Single-Output (SISO) n ao lineares s
ao tratados no Captulo 4, onde e possvel
identificar semelhancas com a abordagem aqui apresentada para sistemas lineares. Uma tecnica
baseada na utilizaca
o de series de Fourier (equilbrio harmonico) pode ser encontrada em [F o1,
Captulo 2].

61
4.2 Coloca
c
ao de P
olos
Uma vez esclarecida a quest ao de que todo sistema control avel pode ser estabilizado por uma es-
trategia de controle de realimentaca
o do tipo u = F z, concentra-mo-nos no problema de escolher a
posica
o no plano complexo dos autovalores da matriz do sistema
z 0 = (A + BF )z.
Esta tarefa e equivalente a
` de escolher os p
olos de uma funca
o racional colocaca
o de p
olos. Tratamos
nesta secca
o apenas de sistemas com controle escalar (m = 1), isto e, da forma
z 0 = Az + bu com A IRn,n , b IRn .
Investigamos a princpio um resultado do tipo formanormal.

Lema 4.2.1 Seja A IRn,n e b IRn . S


ao equivalentes as afirmaco
es:
a) (A, b) e control
avel;
b) Existe P IRn,n inversvel tal que o sistema (A, b) nas coordenadas x = P z tenha a forma
+ bu com
x0 = Ax

0 1 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0

.. .. .. .. .. .. ..
.
A = . . . . . , b = . .
0 0 0 1 0 0

0 0 0 0 1 0
a0 a1 a2 an2 an1 1
Os numeros a0 , . . . , an1 s omio caracterstico p de A: p(r) = r n +
ao os coeficientes do polin
Pn1 i
i=0 ai r .
Demonstracao: a) = b) Basta encontrar uma base w 1 , . . . , wn para IRn , de modo que a matriz
n,n
P IR definida pelas equaco
es
P wk = ek , 1 k n,
satisfaca
(i) P b = en , (ii) P AP 1 e1 = a0 en , (iii) P AP 1 ek+1 = ek ak en , 1 k < n.
Definimos wk recursivamente por
wn = b, wk = Awk+1 + ak b, 1 k < n.
Temos ent
ao
nk
X
wk = Ank b + anj Ankj b, 1 k n. (4.3)
j=1

Como b, Ab, . . ., An1 b s ao linearmente independentes (devido a


` controlabilidade de (A, b)), temos
de (4.3) que w1 , . . . , wn tambem o s
ao. Do teorema de CaleyHamilton, temos que p(A) = . Logo,
P b = P wn = en (provando (i)) ;
n1
X
1 n
Aw = A b + anj Anj b a0 b = p(A)b a0 b = a0 b
j=1
= a0 wn (provando (ii)) ;
Awk+1 = wk ak en , 1 k n (provando (iii)).

62
b) = a) Seja agora o sistema (A, b) satisfazendo as hipoteses do item b). O criterio do posto nos
garante que esse sistema e control
avel. Logo, (A, b) e tambem controlavel.
O teorema a seguir esclarece o resultado principal sobre a colocaca
o de razes dos polin
omios
caractersticos de sistemas de controle.

Teorema 4.2.2 Seja (A, b) um sistema control avel e 1 , . . ., r IR, r+1 , r+1 , . . ., s ,
s
n
C\IR numeros complexos dados, com r + 2(s r) = n. Ent ao existe f IR tal que o polin omio
r+1 , . . ., s ,
caracterstico de A + bf possui como razes 1 , . . ., r , r+1 , s .
Demonstraca
o: Seja f um vetor com componentes f0 , . . . , fn1 . O Lema 4.2.1 nos permite escrever
o sistema A + bf (a menos de uma mudanca de vari
aveis) na forma

0 1 0 0 0
0 0 1 0 0

.. .. .. .. .
.. .
..
. . . .
A + bf = ,
0 0 0 1 0

0 0 0 0 1
f0 a0 f1 a1 f2 a2 fn2 an2 fn1 an1
onde a0 , . . . , an1 , 1 s
ao os coeficientes do polin
omio caracterstico de A. Logo, o polin
omio carac-
terstico p de A + bf satisfaz
n1
X
p(r) = rn + (fi ai )ri .
i=0
Como os coeficientes fi ai , i = 0, . . . , n 1 s
ao determinados pelas razes do polin
omio, podemos
determinar f0 , . . . , fn1 (observe que e preciso resolver um sistema nao linear com n vari aveis e n
equaco
es).

Exemplo 4.2.3 Considere novamente o sistema linear (veja Exemplo 4.1.5)


   
0 1 0
A = , b = .
g 0 1
 
o com f = ff01 IR2 nos leva a
A estabilizaca ` matriz
 
0 1
A + bf = ,
g f0 f1
cujo polinomio caracterstico e: 2 + f1 + (f0 g). Se escolhemos os autovalores = 1, obtemos
os coeficientes f0 = g + 1, f1 = 2. 2 2 2

Observa c
ao 4.2.4 E possvel obter um resultado semelhante ao apresentado no Teorema 4.2.2 para
sistemas genericos (A, B) com m 1. Neste caso, a demonstraca o baseia-se na forma normal.
Discutimos aqui o caso geral na forma de algoritmo.
Seja o sistema de controle
z 0 = Az + Bu, com A IRn,n , B IRn,m .
Procuramos uma matriz F IRm,n tal que os autovalores de A+BF sejam os n
umeros 1 , . . . , n C
dados (note que os autovalores complexos aparecem com seus conjulgados).
Os autovetores de A + BF devem ser encontrados satisfazendo:
(A + BF ) v i = i v i , 1 i n.

63
Definindo q i := F v i , 1 i n, obtemos
(A i I)v i + Bq i = , 1 i n.
Portanto,
 
vi
Ke(A i I|B), 1 i n, F = (q 1 | |q n )(v 1 | |v n )1 ,
qi

caso det(v 1 | |v n ) 6= 0. Essa u


ltima condica
o e satisfeita quando A + BF e diagonalis
avel, o que
por sua vez pode ser garantido pela escolha dos autovalores 1 , . . . , n C. 2 2 2

Exemplo 4.2.5 Considere o sistema de controle com matrizes



0 1 0 1 0
A = 0 0 1 , B = 0 0 .
4 4 1 0 1
ao 1, 2, 2. Escolhemos para novos autovalores os valores:
Os autovalores do sistema livre (u = 0) s
1 = 2, 2 = 3, 3 = 4. Calculamos a seguir o n ucleo de (A i I | B) i = 1, 2, 3, onde

i 1 0 1 0
(A i I | B) = 0 i 1 0 0 .
4 4 i 1 0 1
alculo nos permite obter Ke(A i I | B), sendo estes para i = 1, 2, 3 respectivamente
Um simples c
span{(1, 2, 4, 0, 0), (1, 0, 0, 2, 4)}, span{(3, 2, 6, 5, 0), (2, 3, 9, 0, 26)},
span{(2, 1, 4, 9, 0), (2, 4, 16, 0, 36)}.
Podemos escolher ent
ao:

0   1  
1 3
v1 = 1 , q1 = , v2 = 0 , q2 = 52 ,
2 5
2 0

0  
1
v3 = 1 , q3 = .
8
4
Obtemos assim a matriz de ganho
 
3 1 0
F = 52 ,
5 12 5
e a matriz do sistema de malha fechada e

3 0 0
A + BF = 0 0 1 .
72
5 8 6
2 2 2
Uma interessante aplicacao da colocaca o de p olos para um modelo de um reator qumico e
discutida em [KnKw] (ver exemplo 5.5). Neste problema a vari avel de estado (z IR 5 ) corresponde
` temperatura em diferentes partes do reator, enquanto que o controle (u IR 3 ) corresponde a
a `
abertura de tres v
alvulas de refrigeraca
o disponveis.

64
4.3 Observador Din
amico
Dadas A IRn,n , B IRn,m , C IRl,n considere o sistema de controle (A, B, C). Na Secca o 4.1,
vimos que para estabilizar um sistema utilizando uma estrategia de realimentaca o de estado da
forma u = F z temos que encontrar F de modo a tornar a matriz (A + BF ) est avel.
Fazemos agora o desenvolvimento equivalente para o problema de realimentacao de sada, quando
procuramos controladores da forma u = F y. Note que

u = F y = F Cz, F IRm,l .

ao encontrar F de modo que o ponto de equilbrio z = do sistema z 0 = (A+BF C)z


O objetivo e ent
seja assintoticamente est
avel. Tal abordagem encontra serios obst
aculos a` sua realizaca
o, pois mesmo
as hipoteses
(A, B) control
avel, (A, , C) observ
avel

n
ao s
ao suficientes para garantir a estabilidade da matriz (A + BF C). Tal fato pode ser comprovado
no simples exemplo a seguir.

Exemplo 4.3.1 Considere o problema de controle descrito por

x
+ x = u, y = x.

Na forma de sistema temos


(  
z0 = 0 1
1 0 z + 0
1 u
z1

y = (1 0) z2

f
E acil verificar que os sistemas (A, B) e (A, , C) s
ao respectivamente control avel e observ
avel. Es-
colhendo agora uma estrategia de controle linear de realimentacao de sada, temos

u := f y, com f IR1,1 .

Obtemos assim a equaca + (1 f )x = 0, que corresponde ao sistema z 0 = (A + Bf C)z, com


o x
 
0 1
(A + Bf C) = .
f 1 0

omio caracterstico deste novo sistema, obtemos p(r) = r 2 + (1 f ) = 0, que


Calculando o polin
possui razes:
p
= f 1.

Obviamente e impossvel encontrar f IR que satisfaca Re(+ ) < 0 e Re( ) < 0 ao mesmo tempo.
Portanto, o sistema n
ao e estabiliz
avel. 2 2 2

Na Secca
o 4.4 e analisada uma alternativa para a estabilizaca
o por realimentacao de sada, que
consiste de duas etapas: inicialmente o estado e recontrudo a partir da sada; em um segundo passo
utiliza-se a aproximaca o do estado na realimentaca
o.
A fim de reconstruir dinamicamente o estado z a partir da observaca o y, utilizamos a seguinte
ideia:

65
O sistema (A, B, C) e simulado por outro com a mesma estrutura;
Seja x o estado desse sistema paralelo e w = Cx sua sada;
O controle do sistema paralelo e constitudo pelo controle do sistema usual adicionado de
uma componente da forma L(w y), com L IRn,l ;
Obtemos assim o sistema

x0 = Ax + Bu + L(Cx y), w = Cx,

amico;1
que e denominado observador din
A diferenca entre os estados do observador e do sistema original e definida por := z x
e satisfaz
0 = A L(Cx Cz) = (A + LC) ;

L e escolhido tal que (A + LC) seja est


avel, garantindo assim lim (t) = .
t

A an alise da estabilidade de (A + LC) nos leva ao conceito de detectabilidade. O teorema a


seguir estabelece a equivalencia entre a detectabilidade de um sistema (A, , C) e a estabilidade da
matriz do observador din amico (A + LC).

Teorema 4.3.2 Dadas A IRn,n e C IRl,n , s


ao equivalentes as afirmaco
es:
a) (A, , C) e detect
avel;
b) Se v C n e autovetor de A e seu autovalor satisfaz Re() 0, ent
ao Cv 6= ;
c) (A , C ) e estabiliz
avel;
d) Existe L IRn,l tal que a matriz (A + LC) e est
avel.
Demonstraca o: a) = b) Sejam v e como em b). Considere as soluco
es especiais do problema de
valor inicial z 0 = Az, z(0) = v dadas por

zr (t) := Re(et v), zi (t) := Im(et v), t IR.

Note que, se Cv = , ent ao v pertence ao subespaco n ao observavel de (A, , C). Neste caso,
limt zr (t) 6= , contradizendo a detectabilidade de (A, , C).
b) = c) Note que e possvel escrever o sistema (A , C ) na forma normal
   
AI CI
A = , C = ,
AII

com (AI , CI ) control


avel. Analisamos separadamente as duas possveis situaco es:
Se o bloco AII n ao existir, temos (A , C ) = (P 1 AI P, P 1 CI ). Logo, (A , C ) e control
avel.
O item c) segue agora do Teorema 4.1.2.
Suponha que o bloco AII esteja presente na forma normal. Se e um autovalor de AII e w um
autovetor correspondente, temos para v = w que

A v = v, Cv
= .

otese em b) segue que Re() < 0, provando assim que AII (e conseq
Da hip uentemente AII ) e uma
matriz est
avel. Da controlabilidade de (AI , CI ) segue sua estabilizabilidade, i.e. existe FI tal que
1A escolha da letra L para o observador se deve a D.G. Luenberger, que introduziu esta ideia.

66
(AI + CI FI ) e est
avel. Temos ent
ao que a matriz
 
A I + C I FI
A + C (FI | ) =
AII

avel. Como F = (FI |) estabiliza (A,


e est C)
e (P 1 AP,
P 1 C)
= (A , C ), ent
ao F = F P

estabiliza (A , C ).
c) = d) Por hip otese, existe uma matriz D tal que a matriz A + (C )(D) e estavel. Logo,
A + LC e estavel com Ta escolha L := D .
n1
d) = a) Dado z0 k=0 Ke(CAk ) defina z(t) := etA z0 , t IR. Do teorema de CaleyHamilton
segue Cz(t) = , para t 0. Logo, z tambem e soluca
o de
z 0 = (A + LC) z.
Como os autovalores da matriz (A + LC) possuem parte real negativa, temos que lim z(t) = .
t

Exemplo 4.3.3 Vamos aplicar a ideia do observador din


amico ao sistema (A, B, C) com matrizes
   
1 3 1 
A= , B= , C= 1 0 .
0 2 1
f
E acil ver que (A, B) e control
 a vel e (A, , C) observ
avel, e portanto tambem detect
avel. Os auto-
l1
valores de A + LC com L = l2 s ao obtidos resolvendo-se a equaca
o

0 = det(I (A + LC)) = 2 + (3 l1 ) + (2 2l1 3l2 ). (4.4)


Escolhemos para a matriz A + LC os autovalores 1 = 9, 2 = 10. Resolvendo (4.4) para (l1 , l2 ),
obtemos l1 = 16, l2 = 56/3. O observador dinamico possui ent
ao a seguinte estrutura:
+ Bu Ly,
x0 = Ax
com    
17 3 1 
A = , B= , L= 16 56/3 .
56/3 2 1
O observador din amico nos permite reconstruir a componente z2 do estado note que a compo-
nente z1 j
a e observada. Suponha que temos a seguinte situaca
o:
   
0 0
u(t) 1, z(0) = , x(0) = ,
0
com IR. O erro de reconstruca
o := z x satisfaz

0 = (A + LC)
 
(0) = 0
 
1
ao 1 = 9, 2 = 10 e os respectivos autovetores s
Os autovalores de A + LC s ao v1 = 8/3 e
 
1
v2 = 7/3 . Temos ent
ao
   9t 
1 (t) 3e 3e10t
(t) = = .
2 (t) 8e9t 7e10t
Nos interessa saber o qu
ao r
apido 2 converge a zero. Para t = 0.5, temos e2 (t) = 0.041 (aprox-
imadamente 4% do erro inicial) e para t = 0.9, temos e2 (t) = 0.015 (i.e. 0.1% do erro inicial).
2 2 2

67
E possvel utilizar sistemas auxiliares observadores tambem para sistemas de controle n
ao lineares.
Para maiores detelhes, consulte [KIF], [Is]. Ainda no contexto de sistems aut onomos, o leitor pode
encontrar em [KnKw] detalhes sobre o observador reduzido (semelhante ao observador discutido
nesta secca
o).

4.4 Estabiliza
c
ao por Realimenta
c
ao de Sada
O Exemplo 4.3.1 nos mostra que a forma cl assica da estabilizaca
o por realimentaca
o de sada u =
F y = F Cx nem sempre e possvel. Uma alternativa e utilizar o observador din
amico para encontrar
uma aproximacao para o estado, e, a partir desta aproximacao, escolher o controle.
O observador din
amico e definido pelo sistema (veja Seccao 4.3)
 0
x = Ax + Bu + L(w y)
(4.5)
w = Cx

A partir do estado x escolhemos um controle de realimentaca


o da forma u = F x. Substituindo esse
controlador no sistema (A, B), obtemos para (z, x) o sistema acoplado:
 0
z = Az + BF x
(4.6)
x0 = (A + BF + LC)x LCz

que est
a associado a
` matriz  
A BF
A = .
LC A + BF + LC
Se a matriz A for est
avel, conseguimos atingir o nosso objetivo inicial de estabilizar (A, B, C) atraves
do sistema acoplado (4.6) constitudo de processo mais observador. Note que esta abordagem nos
permite, alem de estabilizar o processo, reconstruir seu estado.
Defina agora w := z x. O sistema (4.6) se escreve nas novas vari aveis (z, w) como
 0
z = (A + BF )z + BF w
(4.7)
w0 = (A + LC)w

Conclumos assim que a matriz A e semelhante a


` matriz
 
A + BF BF
A = .
A + LC

A tarefa de estabilizar A e portanto equivalente a Note, porem, que a estrutura de


` de estabilizar A.
A nos permite escrever
pA = p(A+BF ) p(A+LC) ,
onde pM representa o polin
omio caracterstico da matriz M . Sendo assim, nossa tarefa se reduz a:
Determinar F tal que a matriz A + BF e est
avel;
Determinar L tal que a matriz A + LC e est
avel.
Conhecemos, entretanto, da Definica
o 4.1.1 e do Teorema 4.3.2 condicoes necess
arias e suficientes
para que os objetivos acima possam ser alcancados. S
ao essas respectivamente:
(A, B) estabiliz
avel,
(A, , C) detect
avel.

68
Exemplo 4.4.1 Considere o sistema (A, B, C) do Exemplo 4.3.3 com matrizes:
   
1 3 1 
A = , B = , C = 1 0 .
0 2 1

Vimos naquele exemplo que a matriz


 
16
L =
56/3

e tal que A + LC possui autovalores 9 e 10. Se F = f1 f2 , os autovalores de A + BF s
ao
dados pelas razes do polin
omio caracterstico

det(I (A + BF )) = 2 + (3 f1 f2 ) + (2 5f1 f2 ).

Escolhendo para A+BF os autovalores 1 = 5, 2 = 6, obtemos para F os coeficientes: f1 = 5,


f2 = 3. Portanto, a matriz do sistema (4.7) assume a forma

6 0 5 3
5 5 5 3
A = 0
.
0 17 3
0 0 56/3 2
2 2 2
A estabilizaca
o por realimentaca
o de sada para sistemas SISO n
ao lineares especiais e considerada
em [KIF].

4.5 Pontos de Opera


c
ao
Nesta secca
o consideramos os problemas de determinaca o e estabilizaca
o de pontos de operaca
o.
Considere um sistema de controle (A, B), no qual a vari avel de controle u se decomp oe em uma
entrada fixa u
(desconhecida) e um sinal de controle v. O sistema se escreve ent
ao como

z 0 = Az + B(
u + v). (4.8)

O ponto de operaca
o zo do sistema (4.8) corresponde ao ponto de equilbrio do sistema livre (i.e.
v 0). Temos assim
zo = A1 B u
.
O problema abordado nesta secca o e o de encontrar uma estrategia de controle v que torne o ponto
de operacao assintoticamente estavel e que, se possvel, nos permita identific
a-lo.
Note que se u e conhecido, recamos no problema de estabilizaca o do sistema (A, B). De fato,
uma vez calculado zo , basta fazer a mudanca de vari avel x = z zo para que o estado x satisfaca a
amica x0 = Ax + Bv.
din
Utilizando uma abordagem semelhante a ` do observador din amico, e possvel n
ao somente es-
tabilizar o ponto de operaca o, como tambem determin a-lo. Vamos aproximar o estado z por x
satisfazendo a dinamica:
x0 = L(z x),
onde L IRn,n e n
ao singular. Escolhemos agora para (4.8) um controle da forma

v = F (z x).

69
aveis z = z zo , x = x zo , obtemos
Fazendo a mudanca de vari
0 = L(z x) = L(
x zx
)
e ainda
z0 = z 0 = Az + B u
+ BF (z x) = A
z + BF z BF x
.
Temos ent
ao, para o par (
z x), o sistema
 0     
z A + BF BF z
= . (4.9)
x0 L L x
Portanto, basta encontrar matrizes F e L, tais que a matriz do sistema (4.9) seja est
avel. Note que,
avel, uma escolha possvel e F = , L = I.
se A e est

Exemplo 4.5.1 Considere o sistema de controle (A, B) com matrizes:


   
1 3 1
A = , B = .
0 2 1
Supomos F e L da forma:    
f1 l1 l2
F = , L = .
f2 l2 l1
avel, escolhemos f1 = f2 = 3, obtendo assim:
A fim de torna a matriz A + BF est
 
2 0
A + BF = .
3 5
Temos ent
ao
  2 0 3 3
A + BF BF 3 5 3 3
=
l1
,
L L l2 l1 l2
l2 l1 l2 l1
cujo polin
omio caracterstico e:
p() = 4 + (7 + 2l1 ) 3 + (10 + 8l1 + l12 l22 6l2 ) 2 + (8l1 + l12 l22 12l2 ) + 2(l22 l12 ).
A observancia do criterio de Hurwitz (veja Teorema 3.3.5) nos leva a escolher os coeficientes l 1 = 1,
l2 = 3. As razes obtidas sao
1 = 2 = 2, 3 = 1, 4 = 4.
 1 3

Logo, F = 3 3 e L = 3 1 estabilizam o ponto de opera ca
o.
 Para fins de c
a lculo, suponha u
= 2. O ponto
 de opera
cao correspondente e z o = A1 B u
=
5 5
1 . Suponha as condi co
es iniciais: z(0) = 0 e x(0) = . Temos ent ao

  0
z(0) 1
=
5

x(0)
1
e a soluca z0 x
o do sistema ( 0 ) e:

  66et + 66e2t + 48te2t
z(t) 33et 34e2t 48te2t
=
77e + 96te2t + 12e4t + 60e2t .
t
x(t)
55et 44e2t 96te2t 12e4t
2 2 2

70
Exerccios
4.1 Considere o sistema SISO (A, b) com

1 6 1 1
A = 1 1 1 , b = 1 .
2 2 0 1

b) do sistema (b = (0, 0, 1)).


Encontre a forma normal (A,

4.2 Considere o sistema SISO (A, b) com



0 1 0 0
A = 0 0 1 , b = 0 .
2 3 0 1

Encontre uma estrategia de realimentaca


o de estado u = f x, com f = (f 1 , f2 , f3 ), tal que o sistema
de malha fechada A + bf possua autovalores 1 + i, 1 i, 4.

4.3 Considere o sistema (A, B) com



1 1 0 0 1
A = 1 0 1 , B = 1 0 .
0 0 1 0 1

a) Mostre que (A, B) e control


avel;
b) Encontre uma estrategia de realimentaca
o de estado u = F x, tal que o sistema de malha fechada
A + BF possua autovalores 4, 5, 6.

4.4 Construa um observador din


amico para o sistema

1 0 0 
A = 2 2 2 , C = 1 1 1 ,
1 0 3

tal que A + LC possua autovalores 8, 9, 10.

4.5 Encontre uma estrategia de realimentaca


o F e um observador L para o sistema (A, B, C) com

1 0 0 1 
A = 2 2 2 , B = 0 , C = 1 1 1 ,
1 0 3 1

tal que A + BF possua autovalores 4, 5, 6 e A + LC possua autovalores 8, 9, 10.

71
72
Captulo 5

Princpio do M
aximo

Neste captulo e analisado um conjunto de condico es necessarias para otimalidade de soluco es de


problemas de controle o timo. Tal resultado e conhecido na literatura como princpio do m aximo 1 e
muito se assemelha a um teorema de multiplicadores de Lagrange, formulado em espacos de dimens ao
infinita.
Com hip oteses adicionais de convexidade, o princpio do maximo pode ser demonstrado utilizando-
se argumentos elementares de an alise. Em particular, a condica o de m aximo e obtida a partir da
equacao de EulerLagrange. No caso geral (sem a hip otese de convexidade da Hamiltoniana), a
demonstracao da necessidade da condica o de maximo e mais complicada e necessita de alguns resul-
tados oriundos da teoria de otimizaca o em espacos de dimens ao infinita.
A autoria do princpio do m aximo e controversa. A maioria dos autores credita a condica o de
maximo ao grupo liderado pelo matem atico russo L.S. Pontryagin (1956). Entretanto, tal condica o
pode ser encontrada em um texto anterior, porem pouco divulgado, de M.R. Hestenes (1950). Para
maiores detalhes consulte [Hes], [PBG], assim como o artigo de Hestenes2 em [BaNe].
O captulo e organizado da seguinte forma: Na Secca o 5.1 apresentamos o princpio do m aximo
para problemas de controle o timo com horizonte finito. Algumas variantes do resultado, corre-
spondentes a diferentes condico es de contorno, s ao tambem analisadas nesta secca o. Na Secca o 5.2
consideramos o princpio do m aximo para problemas com horizonte infinito. Na Secca o 5.3 s
ao dis-
cutidas diversas aplicaco
es, nas quais o princpio do maximo e utilizado na identificaca
o de processos
o
timos.

5.1 Problemas com Horizonte Finito


Comecamos por discutir uma formulaca o bastante geral para problemas de controle o timo com
horizonte finito. Considere o problema de controle
Z t1



Minimizar J(z, u) := L (t
1 1 , z(t 1 )) + L(t, z(t), u(t)) dt




t0
sujeito a
P (t0 , z0 )

t1 t0 ; u L1 ([t0 , t1 ]; IRm ), u(t) q.s. em [t0 , t1 ] ;

Z t



f (s, z(s), u(s)) ds, t [t0 , t1 ] ; (t1 , z(t1 )) =
z(t) = z0 +
t0

1 Tamb
em conhecido como princpio do mnimo, ou princpio de Pontryagin.
2 Hestenes, M.R., Variational theory and optimal control theory, 1 22

73
onde
L : [t0 , ) IRn IRm IR, L1 : [t0 , ) IRn IR,
f : [t0 , ) IRn IRm IRn , : [t0 , ) IRn IRp
e IRm . O tempo inicial t0 e a condica o inicial z0 s
ao fornecidos, enquanto que o tempo final t1
e a condica
o final s
ao, a princpio, desconhecidos.
Note que o fato da din amica do sistema ser descrita por uma equaca o integral ao inves de
diferencial, permite-nos considerar traje orias admissveis menos regulares. O conjunto das estrategias
de controle admissveis e
Uad := L1loc ([0, ); IRm ).
Desta forma, as trajet
orias correspondentes s
ao funco
es absolutamente contnuas em [t 0 , t1 ].

Defini
c
ao 5.1.1 Sejam f , L as funco
es definidas acima. A aplicaca
o

H : [t0 , ) IRn IRn IRm IR,


(t, z, , u) 7 h, f (t, z, u)i + L(t, z, u)

e denominada funca
o de Hamilton (note que a origem da constante precisa ainda ser esclarecida).
2 2 2
No teorema a seguir apresentamos o princpio do maximo. Por ser longa e tecnica, a demonstraca
o
n
ao e apresentada nestas notas. A argumentacao utilizada na demontraca
o segue a linha das notas
de aula de M. Brokate (veja [Br]).
Como referencias auxiliares o leitor pode consultar [PBG], [Hes], [Ber], [Know], [MaSt], [Za],
entre outros. A obtencao do princpio do maximo para problemas com tempo final fixo (t 1 = T
conhecido) e mais simples, podendo ser encontrada em [FlRi, Captulo 2], [Ho, Captulo 9] ou [Tr,
Teorema 11.8].

Teorema 5.1.2 Suponha que L, f s es C 2 e que L1 , s


ao aplicaco ao C 1 . Se ( , t1 ) e uma soluca
z, u o
do problema P (t0 , z0 ), tal que

z (t1 , z(t1 )) 6= e (L1 )z (t1 , z(t1 )) 6= ,

ent o : [t0 , t1 ] IRn e constantes 0, IRp que satisfazem:


ao existe uma funca
i) Equaca
o de estado
Z t
z(t) = z0 + (s)) ds, t [t0 , t1 ] ;
f (s, z(s), u
t0

ii) Equaca
o adjunta
Z t1

(t) = 1 + H
(s, z(s), (s), u(s)) ds, t [t0 , t1 ],
t z


1 := L1 (t1 , z(t1 )) (t , z(t1 )) ;
z z 1
iii) Equaca
o de evoluca
o da funcao de Hamilton
Z t1

H
H(t, z(t), (t), u
(t)) = H1 (s)) ds, t [t0 , t1 ],
(s, z(s), (s), u
t t
D E

H1 := L1 (t1 , z(t1 )) + (t1 , z(t1 )), ;
t t

74
iv) Condica
o de otimalidade

H(t, z(t), (t), u(t)) = min H(t, z(t), (t), u), q.s. em [t0 , t1 ] ;
u

v) Condica ao acoplamento + || 6= 0.
o de n

A demonstracao do Teorema 5.1.2 constitui-se na aplicaca o de um teorema de multiplicadores a


um problema auxiliar, obtido de P (t0 , z0 ) por uma mudanca de vari aveis denominada transformaca
o
no tempo e cuja solubilidade esta relacionada a de P (t0 , z0 ). As constantes e surgem na demon-
straca
o como componentes de um vetor normal a um hiperplano, que separa conjuntos de nvel
associados a
` funca
o objetivo J e a
` condicao final (t, z(t)) = .

Observa cao 5.1.3 A denominaca o princpio do m


aximo e motivada pelo item iv) do Teorema 5.1.2,
que, entretanto, refere-se a
` determinacao de um mnimo. Note, porem, que a elementar substituica o
de J por J permite-nos trocar o problema de minimizaca o por um de maximizaca o, alterando assim
o min da condica
o iv) para max. Sem d uvida, as condico
es mais interessantes do Teorema 5.1.2 s ao

z 0 = H (t, z, , u), z(t0 ) = z0 , (t1 , z(t1 )) = 0,

0 = Hz (t, z, , u), (t1 ) = L1 (t1 , z(t1 )) (t1 , z(t1 )) ;
z z

H(t, z, , u) = min H(t, z(t), (t), w), q.s. em [t0 , t1 ] .


w

Note que o par (z, ) e soluca


o de um sistema hamiltoniano para a funca
o H. 2 2 2

Observa c
ao 5.1.4 Analogamente aos problemas variacionais, os problemas de controle o timo tambem
podem ser formulados com diferentes tipos de condico es de contorno. A cada um destes tipos corre-
sponde uma variante do Teorema 5.1.2, que se diferencia deste apenas pelas condico es de contorno
da vari avel adjunta e da funca o de Hamilton. Enunciamos a seguir algumas variantes do problema
P (t0 , z0 ) que surgem com maior freq uencia nas aplicaco es. Apresentamos tambem as condico es
necess arias correspondentes para cada problema.
Considere o problema P (t0 , z0 ) com t1 fixo (t1 > t0 ) e L1 .
Se a condica o final e fixada (z(t1 ) = z1 ), n ao h a nenhuma condica o para (t1 ) (corresponde a `
escolha (t, z) := (t t1 , z z1 ) IR2 ).
Se a condica o final e livre (z(t1 ) qualquer), a vari avel adjunta satisfaz (t1 ) = (corresponde a `
escolha (t, z) := t t1 IR).
Se a condica o final e da forma: z(t1 ) z1 (no caso escalar), a vari avel adjunta satisfaz (t1 ) 0,
ocorrendo a igualdade quando z(t1 ) > z1 .
Considere o problema P (t0 , z0 ) com L1 . Neste caso, as condico es para (t1 ) discutidas acima
n
ao se alteram e, alem disso,
H(t1 , z(t1 ), (t1 ), u(t1 )) = 0 .
Esta equaca
o extra corresponde a
` vari
avel adicional do problema, representada pelo tempo final
desconhecido t1 . 2 2 2
O princpio do m
aximo pode, em alguns casos, ser utilizado para efetivamente determinar uma
soluca
o do problema P (t0 , z0 ). Para tanto, aplica-se a seguinte estrategia: Inicialmente explicitamos
o controle u em funca
o das vari aveis z e , obtendo assim

u() = U (, z(), ()) .

75
1. Estime 0 := (t0 ) e ;
2. Resolva o problema de valor inicial

z 0 = + H (t, z, , 1, U (t, z, )), z(t0 ) = z0 ,

0 = H (t, z, , 1, U (t, z, )), (t0 ) = 0 ;
z

3. Aprimore a estimativa (p.ex. atrav


es do m
etodo de Newton)
com o objetivo de satisfazer as equa
co
~es

L1
(t1 , z(t1 )) = 0, (t1 ) = (t1 , z(t1 )) (t1 , z(t1 )) ;
z z

4. Retorne ao passo 2.

Figura 5.1: Algoritmo do metodo de shooting para sistema hamiltoniano

O proximo passo e substituir essa express


ao no problema de valor de contorno da Observaca
o 5.1.3
(eliminando a variavel u):

z0 = H (t, z, , U ), z(t0 ) = z0 , (t1 , z(t1 )) = 0 ; (5.1)


L1
0 = Hz (t, z, , U ), (t1 ) = (t1 , z(t1 )) (t1 , z(t1 )) ; (5.2)
z z
H
H0 = (t, z, , U ) , (5.3)
t
L1 D E
H(t1 , z(t1 ), (t1 ), U (t1 )) = (t1 , z(t1 )) + (t1 , z(t1 )),
t t
Este sistema e ent ao resolvido, com o intuito de obter um candidato a ` soluca
o do problema de
controle P (t0 , z0 ). Entretanto, nem sempre e possvel obter a representaca
o U (, z, ) e nesses casos
fala-se da existencia de uma estrategia de controle singular.
O sistema resultante de (5.1), (5.2), (5.3) pela substituica o u() = U (, z, ) pode ser resolvido
por um metodo do tipo shooting, conforme mostra o esquema na Figura 5.1 (supomos = 1 no
Teorema 5.1.2).

Observa c
ao 5.1.5 O problema de valor de contorno (5.1), (5.2), (5.3) possui, tomando o controle u
fixo, 2n+1 variaveis (z, , H) e p+1 par
ametros (, ). Temos assim 2n+p+2 graus de liberdade, os
quais est
ao sujeitos a 2n+p+1 equaco es. Aparentemente, temos um grau de liberdade a mais. Note,
porem, que a condica
o de nao acoplamento v) garante que e n ao s
ao ambos nulos, sendo portanto
sempre possvel simplificar o sistema (5.1), (5.2), (5.3) em relaca
o a ou a uma das componentes
de . Sendo assim, o Teorema 5.1.2 pode ser formulado alternativamente como:

. . . existem : [t0 , t1 ] IRn , = 0 ou = 1, IRp que satisfazem i), . . . , v).

2 2 2

Observa c
ao 5.1.6 E simples verificar que a equaca
o de EulerLagrange do calculo variacional
pode ser obtida do princpio do m
aximo. De fato, o problema de minimizaca
o cl
assico do c
alculo

76
variacional pode ser interpretado como
Z b

Minimizar J(z, u) := L(t, z(t), u(t)) dt
a
0
sujeito a z = u(t) .

Logo, a condica
o de m
aximo iv) do Teorema 5.1.2 implica em
H u + L (t, z, u
0 = (t, z, , ) = i + L(t, z, u
[h, u )] = )
u u u
e, portanto,
= L (t, z, u
) . (5.4)
u
O sistema hamiltoniano para as vari
aveis de estado e adjunta se escreve

d z = + H = u
dt (5.5)

d = H = L (t, z, u )
dt z z
De (5.4) e (5.5), temos  
L d L
(t, z, u
) = (t, z, u
)
z dt u
ou  
L 0 d L 0
z) )
(t, z, ( (t, z, (
z) ) = 0 .
z dt z 0
2 2 2

5.2 Problemas com Horizonte Infinito


Analisamos nesta secca o condico
es necess arias para problemas de controle o timo com horizonte
infinito. Os problemas de controle dessa natureza tem ganho import ancia nas u ltimas decadas
devido aos modelos matem aticos oriundos das ciencias econ omicas e biol
ogicas que os utilizam.
Os primeiros trabalhos a tratar de problemas de otimizaca o com horizonte infinito sao devidos
aos economistas. Uma referencia cl assica e o artigo escrito em 1928 por F. Ramsey (veja [Ra]), que
trata de problemas do tipo consumo investimento (veja Aplicaca o 5.3.5). A primeira extens ao
do princpio do m aximo para problemas com horizonte infinito foi apresentada por H. Halkin em
1964 (veja [Ha]). Um apanhado do desenvolvimento da teoria pode ser encontrado em [CaHa]. Na
abordagem aqui apresentada, seguimos os passos descritos em [Leit], que utiliza um conceito de
otimalidade diferente dos encontrados em [Ha] e [CaHa].
In
umeros modelos econ omicos (de horizonte finito e infinito) sao tratados, sob a o
tica do controle
o
timo e programaca o din amica, em [SeSy]. Nesta referencia tambem s ao analisados problemas de
exploraca
o de recursos naturais. O leitor interessado em aplicaco es desta natureza deve consultar
ainda [SeZh].
Aplicaco
es a modelos biol ogicos podem ser encontradas em [Cl]. Um interessante problema
relacionado a ` exploraca
o o
tima de recursos biorenov aveis (pescaria otima) e analisado em [CCM], e
[BaLe].
A seguir analisamos um caso particular do problema abordado na Secca o 5.1. Trata-se de prob-
lemas de controle o timo com tempo final fixo. A abordagem nesta secca o de tais problemas (de
horizonte finito) e justificada pelo fato das condico es necessarias para estes problemas serem uti-
lizadas na demonstraca o do princpio do m aximo para os problemas com horizonte infinito.

77
Suponha que no problema P (t0 , z0 ) o tempo final t1 = T e o estado final z1 = zT s
ao dados.
Temos assim o seguinte problema de controle o timo:
Z T



Minimizar J(z, u) := L(t, z(t), u(t)) dt

0

sujeito a
PT (z0 ) Z t



z(t) = z0 + f (s, z(s), u(s)) ds, t [0, T ], z(T ) = zT ;


0
u L ([0, T ]; IRm ), u(t) q.s. em [0, T ] ;
1

Argumentando como na Observaca o 5.1.4, obtemos um conjunto de condico


es necess
arias para oti-
malidade de uma soluca
o do problema PT (z0 ):

Corolario 5.2.1 Suponha que L, f s es C 2 . Se (


ao aplicaco z, u
) e uma soluca
o do problema PT (z0 ),
n
ent o : [0, T ] IR e = 1 ou = 0 que satisfazem
ao existe uma funca
i) Sistema hamiltoniano

z )0 (t) = H (t, z, , u
( ), q.s. em [0, T ],
0 (t) = Hz (t, z, , u ), q.s. em [0, T ],

z(t0 ) = z0 , z(T ) = zT ;
ii) Condica
o de otimalidade
H(t, z(t), (t), u
(t)) = min H(t, z(t), (t), u), q.s. em [0, T ] ;
u

iii) Condica ao acoplamento + kk 6= 0.


o de n
Demonstraca
o: Segue imediatamente do Teorema 5.1.2 e da Observaca
o 5.1.4.
Analisamos agora os problemas com horizonte infinito. Considere o seguinte problema de controle
o
timo:
Z

Minimizar J(z, u) := et L(z(t), u(t)) dt



0
sujeito a

P (z0 ) Z t



z(t) = z 0 + f (z(s), u(s)) ds, t [0, ) ;

0


u L1loc ([0, ); IRm ), u(t) q.s. em [0, ) ;

es L : Rn IRn IR, f : Rn IRn IRn , o conjunto IRm e a constante > 0


onde as funco
s
ao dados. Verificamos a seguir um resultado que fornece condico
es necess
arias para otimalidade de
uma soluca
o de P (z0 ).

Teorema 5.2.2 Suponha que L, f s es C 2 . Se (


ao aplicaco z, u
) e uma soluca
o de P (z0 ), ent
ao
o : [0, ) IR e constantes = 0 ou = 1, 0 IRn que satisfazem:
existe uma aplicaca n

i) Equaca
o de estado
Z t
z(t) = z0 + (s)) ds, t [0, ) ;
f (s, z(s), u
0

ii) Equaca
o adjunta
Z t
H
(t) = 0 + (s)) ds, t [0, ) ;
(s, z(s), (s), u
0 z

78
iii) Condica
o de otimalidade

(t)) = min H(t, z(t), (t), u), q.s. em [0, ) .


H(t, z(t), (t), u
u

Demonstraca o: Seja ( z, u
) um processo o timo para P (z0 ). Dado T > 0, as funco es et L :
n m n m
[0, T ] IR IR e f : [0, T ] IR IR satisfazem as condico es do Corol ario 5.2.1. Logo, este
corol ario nos fornece condico es necess arias para otimalidade de cada problema
Z Tk


Minimizar J(z, u) :=
et L(t, z(t), u(t)) dt

0

sujeito a
PTk (z0 ) Z t


z(t) = z0 +
f (s, z(s), u(s)) ds, t [0, Tk ], z(Tk ) = zk := z(Tk ) ;


0
u L ([0, Tk ]; IRm ), u(t) q.s. em [0, Tk ] ;
1

onde Tk . Como consequencia do princpio de otimalidade de Bellman, temos que ( z, u


)| [0,Tk ] e
uma soluca o de PTk (z0 ). Juntando os fatos, podemos garantir a existencia de k 0, k : [0, Tk ]
IRn , tal que

kk k + k > 0 ;
( o do sistema Hamiltoniano3
z , k ) e soluca

d
z (t) = (t)) dt, t [0, Tk ]
H (t, z(t), k (t), u
dk (t) = Hx (t, z(t), k (t), u
(t)) dt, t [0, Tk ]
z(0) = z0 , z(Tk ) = zk ;

H(t, z(t), k (t), u


(t)) = max{H(t, z(t), k (t), u)}, q.s. in [0, Tk ].
u

Considere agora a sequencia {k (0), k }kIN . Normalizando os multiplicadores de Lagrange, podemos


supor que |k (0)| + k = 1, k IN. Tomando subseq uencias (se necess
ario), podemos garantir a
existencia de 0 IRn e 0 satisfazendo

|0 | + = 1, lim k (0) = 0 , lim k = . (5.6)


k k

Seja agora T > 0 fixo. Logo Tk > T , para k > k0 e como o sistema Hamiltoniano desfruta da
es iniciais, podemos garantir que existe : [0, T ]
propriedade de dependencia contnua das condico
IRn , tal que k converge uniformemente para em [0, T ]. Essa convergencia implica nas desejadas
condicoes de otimalidade para o problema P (x0 ), uma vez que T > 0 e arbitrario.

Observa c
ao 5.2.3 Duas diferencas b
asicas devem ser observadas na formulaca
o do Teorema 5.2.2
em relaca
o ao Teorema 5.1.2:
Falta uma condicao de contorno final para a vari
avel adjunta (eventualmente uma condica
o de
decaimento do tipo lim (t) = );
t
Falta a condica ao acoplamento (neste caso + |0 | 6= 0).
o de n 2 2 2
Uma analise para problemas do tipo linear-quadr atico com horizonte infinito e tambem possvel
via programacao dinamica. Atraves de um processo de limite, e possvel obter a funca o valor
resolvendo-se a equaca
o algebrica de Riccati (veja [So, Captulo 7]).
3 Note que H(t, z, k , u) = hk , F (t, z, u)i + k L(t, z, u).

79
5.3 Aplica
co
es do Princpio do M
aximo
Nesta seccao analisamos, a ` luz do princpio do maximo, alguns problemas de controle o timo. Na
Aplicacao 5.3.1 e discutido formalmente um problema de tempo mnimo. A Aplicaca o 5.3.2 e uma ex-
tens ao da primeira. Nela e analisada uma famlia maior de problemas, composta pelos denominados
problemas de tempo mnimo ate a origem.
Na Aplicacao 5.3.3 o princpio do m aximo e utilizado para verificar que uma estrategia do tipo
bang-bang e a unica estrategia otima existente para um problema de alunissagem. Na Aplicaca o 5.3.4
consideramos um problema com controle singular.
Na Aplicacao 5.3.5 consideramos um modelo econ omico classico, que foi formulado por F. Ram-
sey em 1928 (veja [Ra]). Utilizando a equaca o de EulerLagrange, obtemos a poltica o tima para
um problema de consumo investimento com horizonte infinito.
Em [BMS] podem ser encontradas diversas aplicaco es do princpio do m
aximo a problemas aeroes-
paciais, dentre as quais citamos: Desenho o timo de uma miss ao a Netuno; Ascenss ao o
tima de um
veculo espacial hipers onico; Alcance m aximo de v oo para uma asa delta atravessando uma termica.
Em [Ho] s ao discutidas (entre outras) as seguintes aplicaco es: Oscilador harm onico com custo de
combustvel; controle de epidemias; Pescaria o tima; Contracao do ventrculo esquerdo do coraca o;
Compra e venda de aco es.

Aplica c
ao 5.3.1 (Tempo mnimo I) Considere a tarefa de encontrar uma estrategia u (acel-
eraca
o e frenagem) que permita levar, no menor tempo possvel, um carro que se encontra na
origem e em repouso, ate uma parede distante de uma unidade. Ao chegar na parede o carro deve
ter novamente velocidade nula.
Supondo que o carro de massa unit
aria e desprezando os atritos, temos o modelo:

x(t) = u(t), t [0, t],

onde x(t) representa o deslocamento, x(t)


a velocidade e x(t) a aceleraca
o do veculo no tempo t.
As condico
es de contorno s
ao:
x(0) = 0, x(0)
= 0;
x(t) = 1, x( t) = 0 .
Podemos ent
ao escrever o problema na forma P (t0 , z0 ) como
RT

Minimizar 0 1 dt

sujeito a
 

z 0 = 00 10 z + 01 u, z(0) = ;


(T, z(T )) := 10 z(T ) =

onde T 0, u L1 [0, T ] e u(t) := [1, 1] q.s. em [0, T ]. Como o sistema e aut


onomo, a
aplicaca
o U = U (z, ) n
ao depende explicitamente do tempo. Do princpio do m
aximo, obtemos
as seguintes condico
es necess
arias:
  
z 0 = zu2 , z(0) = , z(T ) = 10 ;
 
0 = 01 , (T ) = 12 ;
H(t, z, , u) = z2 1 + u2 + ;
z2 1 + U (z, )2 + = min {z2 1 + u2 + }, q.s. em [0, T ] ;
u[1,1]
+ |1 | + |2 | 6= 0 .

80
A condica
o de optimalidade nos permite encontrar

sign 2 , 2 6= 0
U (z, ) = (5.7)
? , 2 = 0

Calculando agora z(t), (t) para t [0, T ], obtemos4


Z t Z tZ s
z2 (t) = u(s) ds, z1 (t) = u(r) dr ds, t [0, T ] ; (5.8)
0 0 0

1 (t) = 1 , 2 (t) = (T t)1 + 2 , t [0, T ] . (5.9)


Analisando (5.7), conclumos que basta identificar o sinal e os zeros da funca
o 2 para obtermos a
estrategia o
tima de controle. Estudamos assim os seguintes casos:
2 n
ao possui zeros: de (5.7), segue que u(t) 1 ou u(t) 1. Entretanto, essas estrategias
n
ao s
ao admissveis, pois as respectivas trajet
orias n
ao alcancam o estado final;
2 possui zeros em [0, T ): de (5.9), temos que 2 e uma funca
o linear em t. Logo, 2 possui
apenas um zero em [0, T ), o qual denominamos .
Temos assim duas famlias de candidatos a controle o
timo:
 
1, t < 1, t <
u(t) = e u(t) = .
1, t > 1, t >

ao e possvel atingir o estado final z(T ) = ( 10 ) para


Note que com os controles da segunda famlia n
nenhum T > 0. Substituindo a express
ao restante em (5.8), temos
 1 2   1 2 
2 2 T + 2 T 2
z( ) = ; z(T ) = .
2 T

o de contono z(T ) = (10 ), obtemos para o par (, T ) o sistema n


Da condica ao linear

1 = 12 T 2 + 2 T 2
0 = 2 T
cuja soluca
o e = 1, T = 2, como se verifica facilmente. Portanto, a soluca
o do problema de controle
e 
1, 0 t < 1
T = 2, u (t) =
1, 1 t 2
2 2 2

Aplicacao 5.3.2 (Tempo mnimo II) Consideramos agora uma variante da aplicaca o anterior.
Suponha que no tempo t = 0 nosso carro se encontra na posica o a IR com velocidade b IR. Nosso
objetivo e lev
a-lo ate a origem no menor tempo possvel, de forma que ao chegar ao destino, o carro
tenha velocidade nula.
Temos agora o seguinte problema de controle
RT

Minimizar 0 1 dt

sujeito a
 

z 0 = 00 10 z + 01 u, z(0) = (ab ) ;


(T, z(T )) := z(T ) =
4 Note que e calculado para tr
as no tempo.

81
z2
C
u1 b

a z1

u1

Figura 5.2: Trajet


orias correspondentes aos controles o 1 ou u
timos u 1

onde T 0, u L1 [0, T ] e u(t) := [1, 1] q.s. em [0, T ]. As condico


es necess
arias fornecidas
pelo princpio do m
aximo sao as mesmas, com excess ao das condicoes de contorno para a variavel
de estado    
z 0 = zu2 , z(0) = a b , z(T ) = .
U (z, ) e novamente dada pela equaca
o (5.7) e os multiplicadores de Lagrange por (5.9). Portanto,
2 e linear e muda de sinal no maximo uma vez em [0, T ]. Sendo assim, basta estudar os seguintes
casos:
1o Caso: u
nao muda de sinal em [0, T ].
Se u
1, temos
t2
z2 (t) = b + t, z1 (t) = a + bt + , t [0, T ] .
2
Como z(T ) = , tais estrategias s ao admissveis apenas para condico es iniciais do tipo (a, b) =
(T 2 /2, T ), com T > 0.
Se u 1, temos
t2
z2 (t) = b t, z1 (t) = a + bt , t [0, T ] .
2
Como z(T ) = , tais estrategias s ao admissveis apenas para condico es iniciais do tipo (a, b) =
(T 2 /2, T ), com T > 0.
A curva C na Figura 5.2 e composta pelas condico es iniciais (a, b), para as quais as estrategias
1 ou u
u 1 sao o
timas. As respectivas trajet orias correspondem a ` parte da curva C limitada
por (a, b) e pela origem.
2o Caso: u muda de sinal em (0, T ).
No caso anterior vimos que, se u 1, entao z2 (t)2 = 2z1 (t) + const; enquanto que u 1 implica
2
em z2 (t) = 2z1 (t) + const. Portanto, as trajet orias correspondentes a tais controles s ao necessari-
amente paralelas a um dos arcos de par abola mostrados na Figura 5.3. De onde conclumos que a
trajet
oria o
tima e necessariamente composta por dois arcos: cada um pertencente a uma das famlias
na Figura 5.3 (lembre que u muda de sinal uma u nica vez no intervalo [0, T ]).
Note que a parte final da trajet oria o
tima e necessariamente como na Figura 5.2 (caso contr ario a
trajet
oria nao seria admissvel). Para determinar a parte inicial da trajet oria, observe que, dada uma
o inicial (a, b) IR2 , existe uma u
condica nica curva pertencente a `s famlias mostradas na Figura 5.3,
que intercepta tanto o ponto (a, b) quanto a curva C (o caso a > 0, b > 0 e mostrado na Figura 5.4).
O princpio do m aximo nos permite concluir que existe uma u nica trajet oria associada a controles
do tipo  
1, t < 1, t <
u
(t) = ou u (t) =
1, t > 1, t >

82
que e admissvel para a condica o inicial (a, b). Tal trajet
oria e composta por dois arcos: um da
curva E limitado por (a, b) e pelo ponto P e outro da curva C limitado por P e pela origem.
Para calcular (instante em que trocamos o controle de 1 para 1) n ao e necess
ario calcular as
constantes 1 , 2 na equaca o (5.9). No caso a > 0, b > 0, basta descobrir para qual > 0 a curva
(z1 (t), z2 (t)) = (a + bt t2 /2, b t) satisfaz a condica
o

z2 ( ) < 0, z2 ( )2 = 2z1 ( ) .
p
alculo simples mostra que e dado por uma das razes b
Um c b2 /2 a. 2 2 2

Aplicac
ao 5.3.3 (Alunissagem) Considere o problema de controlar a descida de uma espaconave
na Lua, utilizando para isso a menor quantidade possvel de combustvel. Em um modelo simplifi-
cado, temos5
t : tempo;
h(t) : altura da espaconave;
v(t) : velocidade da espaconave;
m(t) : massa da espaconave + combustvel;
u(t) : empuxo dos motores da espaconave.
Seja M a massa da espaconave sem combustvel, F a quantidade inicial de combustvel, h 0 a altura
inicial, v0 a velocidade inicial, umax o empuxo m aximo dos motores da nave (0 u(t) umax ,
t 0), g a constante gravitacional da Lua (considerada constante) e k a constante de proporcionali-
dade entre o empuxo e a taxa de queima do combustvel. As variaveis de estado (h, v, m) satisfazem
a seguinte dinamica: 0
h = v(t)
v 0 = g + u(t)/m(t)
0
m = ku(t)
Definindo z(t) = (h(t), v(t), m(t)), temos o sistema n ao linear


z2

z 0 = g + u/z3 =: f (t, z, u)
ku (5.10)




z(0) = (h0 , v0 , M + F ), z(T ) = (0, 0, ?) .

A condica
o final segue da hip
otese que um pouso suave ocorre quando h(T ) = 0 e v(T ) = 0, sendo
para m somente relevante que m(T ) M . Como o custo a ser minimizado corresponde ao gasto de
5 Este modelo e tambem discutido em [FlRi], [Ho] e [Know].

z2 z2

z1 z1

Figura 5.3: Trajet


orias correspondentes a controles constantes

83
z2
C E
b
u1

a z1
u1

Figura 5.4: Trajet


oria o
tima para a condica
o inicial z(0) = (a, b)

combust vel, temos que maximizar


Z T
m(T ) = M + F k u(t) dt .
0
O problema de controle o
timo pode ser escrito como:
Z T



Minimizar J(T, z, u) = u(t) dt

0


sujeito a
u {L1 [0, T ] | u(t) := [0, umax ] q.s. em [0, T ]},





z 0 = f (z, u), z(0) = (h0 v0 M + F ) IR3 ,


(T, z(T )) = (z1 (T ) z2 (T )) = IR2
A funca
o de Hamilton e
H(t, z, , u) = h, ui + L(t, z, u) = 1 z2 + 2 (g + u/z3 ) 3 ku + u .
Minimizando a funca
o de Hamilton em relaca
o a u obtemos

0 , + 2 /z3 k3 > 0
U (z, ) = ? , + 2 /z3 k3 = 0 (5.11)

umax , + 2 /z3 k3 < 0
Tomamos por simplicidade umax = 1. A fim de tornar o problema fisicamente coerente, supomos
ainda
1 = empuxo m aximo > forca gravitacional = (M + F )g,

isto e 1/(M + F ) > g. E razo
avel considerar que existe uma estrategia o
tima do tipo bangbang,
i.e. da forma 
0 , t [0, )
u
(t) = (5.12)
1 , t [, T ]
Calculamos inicialmente a trajet oria associada a ` estrategia u
. Como u 1 em [, T ], usamos o
sistema (5.10) e as condicoes de contorno z1 (T ) = z2 (T ) = 0 e z3 () = M + T a fim de determinar
z no instante t = . Obtemos assim
 

z () = 1
g(T ) 2
M +F
ln M +F k(T )
T

1 2 k2 M +F k
 
z2 () = g(T ) + k1 ln M +FMk(T +F
)




z3 () = M + F

84
z1 = h

z2 = v
= T F/k

Figura 5.5: Condico


es iniciais (h, v) que s 1a
ao levadas pelo controle u ` condica
o final (0, 0, m(T ))
com m(T ) M .

z1 = h
(v0 ,h0 )

u
=0

u
=1 z2 = v

Figura 5.6: Trajet


oria correspondente a
` estrategia bang-bang u
.

Tracando o grafico de z1 () por z2 (), obtemos a curva da Figura 5.5, que e formada pelos estados
da forma z() = (h(), v(), M + F ) que s (t) = 1, t [, T ] no estado
ao levados pelo controle u
final z(T ) = (0, 0, m(T )) com m(T ) M . Note que o comprimento dessa curva e limitado pois,
como u 1, temos m0 = k e o combustvel se esgotar a ap
os F/k unidades de tempo. Temos assim
o T F/k (alem de T 0, obviamente).
a limitaca
Como inicialmente u 0, a nave se encontra em queda livre durante o intervalo de tempo [0, ].
A trajetoria correspondente e
1 2
z1 (t) = 2 gt + v0 t + h0

z2 (t) = gt + v0 t [0, ] .


z3 (t) = M + F

Explicitando z1 (= h) em funca
o de z2 (= v), obtemos:

1 2
h(t) = h0 [v (t) v02 ], t [0, ] .
2g

A curva (v(t), h(t)) e uma par abola no plano de fase v h. Unindo os dois trechos da trajet oria
correspondente a u , obtemos a curva mostrada na Figura 5.6. Segundo essa trajet oria, a nave cai
em queda livre ate que o estado (v, h) alcance a curva da Figura 5.5. Nesse momento os motores s ao
acionados na potencia m axima ate um estado final admissvel ser atingido ((T, z(T )) = ).
Observe que se a intersecca
o das duas curvas na Figura 5.6 ocorre em um ponto (v(), h()) com
< T F/k, a quantidade de combustivel n ao e suficiente para realizar um pouso suave. Enquanto

85
que se a condica
o inicial (v0 , h0 ) se encontra abaixo da curva na Figura 5.5, mesmo empregando
empuxo m aximo u(t) = 1, t [0, T ], o solo lunar e atingido com v(T ) < 0.
Atraves do princpio do maximo verificamos agora que a estrategia de controle definida em (5.12)
e um candidato a controle o timo. Suponha (0) = (l1 l2 l3 ). Substituindo na equaca o adjunta
0
1 = 0
0 = 1
02
3 = 2 u/z32

temos:

1 (t) = l1 , t [0, T ] ; 2 (t) = l2 l1 t, t [0, T ] ; 3 (t) = l3 , t [0, ] .

Como z3 (t) = M + F k(t ), t [, T ], podemos calcular 3 no intervalo final de tempo, obtendo


Z t
l2 l 1 s
3 (t) = l3 + ds, t [, T ] .
[k( s) + M + F ]2

Defina agora r(t) := + 2 (t)/z3 (t) k3 (t), t [0, T ]. De (5.11) sabemos que a escolha do controle
u
no tempo t depende de sign(r(t)). Portanto, como a estrategia de controle u salta de 0 para 1 em
t = , temos obrigatoriamente

2 ()
r() = + k3 () = 0 .
z3 ()

Escolhendo = 1 (que satisfaz condica


o de transversalidade), reescrevemos a equaca
o acima como

l2 l 1
1 + k l3 = 0 .
M +F
A escolha de u em (5.12) implica em r(t) > 0, t [0, ). Portanto, l1 > 0, necessariamente.
O princpio do m
aximo fornece-nos ainda uma condica o inicial para a equaca
o adjunta:

    1
1 0 0 1
(T ) = (T, z(T )) = = 2 ,
z 0 1 0 2
0

de onde conclumos que 3 (T ) = 0. Obtemos assim para l1 , l2 , l3 o sistema sub-determinado de


equaco
es lineares 1
1 + (M + F ) (l2 l1 ) k l3 = 0

Z T
l2 l 1 s
l3 + ds = 0
[k( s) + M + F ]2
Considerando 2 como par
ametro, o sistema se reescreve como

(M + F )1 l1 + k l3 = 1 + l2 (M + F )1
P l1 l 3 = Q l 2
RT RT
onde P = s[k( s) + M + F ]2 ds e Q = [k( s) + M + F ]2 ds s ao constantes positivas.
Resolvendo o novo sistema obtemos:
   
l1 [1 + ((M + F )1 + kQ)l2 ] / [(M + F )1 + kP]
= (5.13)
l3 P[1 + ((M + F )1 + kQ)l2 ] / [(M + F )1 + kP] Ql2

86
Note que para t [, T ), temos
r(t) = 1 + (l2 l1 t)/z3 (t) k3 (t)
< 1 + l2 /M k l3 + (P /(M + F ))l1 . (5.14)
Substituindo em (5.14) as express oes encontradas em (5.13) para l1 e l3 , obtemos uma restrica o
linear para escolha de l2 . Outra restrica o (tambem linear) para l2 e dada por l1 > 0 e (5.13). Como
o problema assim colocado possui soluca o n ao u
nica, e possvel encontrar uma condica
o inicial
(l1 , l2 , l3 ), de forma que a funca
o r satisfaca

r(t) > 0, t [0, )
r(t) < 0, t (, T ]
provando que u satisfaz as condico
es do princpio do m
aximo.
Verificamos agora que u e o u
nico candidato fornecido pelo princpio de Pontryagin. A funca
o
r(t) obtida de (5.11) determina quando ocorrem saltos na estrategia de controle. Note ainda que,
ao 02 l1 e temos
como 1 l1 , ent
r0 (t) = (02 z3 2 z30 )z32 k03
= 02 /z3 2 (ku)z32 k2 uz32
= l1 /z3 (t), t [0, T ] .
Analisamos separadamente as situaco
es possveis:
l1 6= 0: Como z3 (t) = m(t) > 0, ent ao r e monotona. Se l1 > 0, obtemos um controle do tipo
u
. Se l1 < 0, obtemos uma estrategia oposta, i.e. inicialmente u = 1 e depois u = 0. Com essa
estrategia n
ao e possvel obter um pouso suave. De fato, ou (v0 , h0 ) se situa abaixo ou acima
do gr
afico na Figura 5.5. No primeiro caso, j a vimos que v(T ) < 0. No segundo caso, como u
e da forma 
1 , t [0, )
u(t) =
0 , t [, T ]
obtemos do sistema adjunto
Z T Z T
0
v(T ) v( ) = v (t) dt = g dt = g(T ) .

Logo, uma condica


o necess
aria para v(T ) = 0 e que T = v( )/g + . Novamente do sistema
adjunto obtemos
Z T Z T
h( ) = h(T ) h( ) = h0 (t) dt = v(t) dt

Z T
g
= g(T t) dt = (T )2 ,
2
2
isto e h( ) = v ( )/2g < 0. Portanto, a transica
o de 1 para 0 na estrategia de controle ocorre
abaixo da superfcie da Lua, e o pouso obviamente n ao e suave.
l1 = 0: Neste caso, r 0 = 0 e r e constante. Se r 6= 0, os possveis candidatos s
ao u 0 e u 1.
O primeiro controle obviamente n ao permite pouso suave. J a o segundo seraotimo somente
se (v0 , h0 ) pertence a
` curva na Figura 5.5, quando a estrategia se torna identica a u. Por fim,
se r = 0, temos
1
1 + l2 + k 3 (t) = 0, t [0, T ],
z3 (t)

87
es {1, z31 , 3 } s
isto e, as funco ao linearmente dependentes. Mas isto e uma contradica
o pois
Z t Z t
z3 (t) = M + F k u(s) ds, 3 (t) = l2 u(s)z3 (s)2 ds .
0 T

Portanto, o u
nico controle admissvel que satisfaz as condico
es do princpio do m
aximo e u
definido
em (5.12). 2 2 2

Aplica
c
ao 5.3.4 (Controle singular) Considere o problema escalar de controle
Z 3



Minimizar 2 1
z(t)2 dt

0
sujeito a



u L1 [0, 3], u(t) := [1, 1] q.s. em [0, 3],

0
z = u, z(0) = z(3) = 1.
O tempo final T = 3 e a condica
o final para a trajet
oria z(T ) = 1 s
ao fixados atraves da condica
o:
 
1z
(T, z(T )) = = IR2 .
T 3
Do princpio do m
aximo, obtemos as condico
es necess
arias:
z 0 = u, z(0) = z(3) = 1 ;
0 = z, 1 = 1 ;
1 2
H(t, z, , u) = u + 2 z , H1 = 2 ;
+ |1 | + |2 | 6= 0 .
A condica
o de maximo implica em U (z, ) = sign . Note que = 0 n ao pode ocorrer, pois
implica em 0 = 0. Logo, u 1 ou u 1, mas ambas as estrategias n
ao s
ao admissveis. Suponha
ao = 1. Logo 0 (0) = 1. Supondo (0) 0, temos:
ent
Se (0) 0 e (t) < 0, t [0, 3], ent
ao u 1, o que implica em z(3) = 4 (contradizendo a
condica
o de contorno final).
ao 0 (t1 ) 0. Mas
Se (0) 0, (t1 ) = 0 para algum t1 > 0 e (t) < 0, t (0, t1 ), ent
u(t) 1, t (0, t1 ) z(t) > 0, t (0, t1 ] 0 (t) < 0, t (0, t1 ],
ao 0 (t1 ) 0.
contradizendo a conclus
Conclumos assim que (0) > 0. De forma an aloga prova-se que (3) < 0. Portanto, a funca o
possui pelo menos um zero em (0, 3). Seja t1 o menor e t2 o maior zero de em (0, 3). Provamos
agora que t1 = 1 e t2 = 2:
n
1t, t[0,3/2]
Note que t1 6= t2 , pois se possui apenas um zero, ent
ao z(t) = t2, t[3/2,3] , que obviamente
nao e uma trajetoria o
tima;
Em [0, t1 ) temos: u(t) = 1, z(t) = 1 t, (t) = (0) t + 12 t2 .
p
Como (t1 ) = 0, entao t1 = 1 1 2(0). Se t1 assume
n o valor da maior raiz, temos t1 > 1
z(t), z(t)0
e a trajet
oria associada a n
ao e o
tima, pois z(t) := 0 , z(t)<0 satisfaz
Z 3 Z 3
z(t)2 dt < z(t)2 dt .
0 0
p
Logo, t1 = 1 1 2(0) 1.

88
ao 0 (t1 ) = z(t1 ) < 0. Seja t > 1, tal que (t) < 0, t (t1 , t) e (t) = 0. Logo,
Se t1 < 1, ent
0 (t) 0.
De (t) < 0, segue u(t) 1, t (t1 , t). Como z(t1 ) > 0 e z 0 (t) = u(t) = 1, t (t1 , t), temos
z(t) 1 t1 > 0, t [0, t]. Ent
ao 0 (t) = z(t) < 0 (contradica
o).
Conclumos assim que t1 = 1. De modo an alogo, prova-se que t2 = 2. Provamos agora que (t) =
0, t (t1 , t2 ). De fato, se (t) > 0 (o caso < 0 e an alogo) para algum t (t1 , t2 ), ent
ao existem
t1 , t2 [t1 , t2 ] tais que (t) > 0, t (t1 , t2 ) e (t1 ) = (t2 ) = 0. Logo, u(t) = 1, t (t1 , t2 ) e
portanto 00 (t) = (z(t))0 = u(t) = 1, t (t1 , t2 ), o que e claramente uma contradica o. Portanto,
a estrategia o tima de controle tem de ser

1 , t [0, 1]
u
(t) = 0 , t (1, 2) .

+1 , t [2, 3]

oria z 0 e um extremal singular do problema e a trajet


(Note que a trajet oria o
tima z e do tipo:
bangsingularbang.) 2 2 2

Aplica ao 5.3.5 (Consumo Investimento) Tratamos a seguir um problema cl


c assico da econo-
mia, que foi um dos primeiros a ser considerado sob a o tica do c
alculo variacional. Consideramos
o seguinte problema macroeconomico: Como equacionar a relaca o entre consumo e investimento, a
fim de otimizar o desenvolvimento econ
omico?
Suponha que a economia de uma naca o e representada pelas vari
aveis

K(t) : Capital no tempo t;


C(t) : Consumo;
Y (t) : Produca
o (produto interno);
K 0 (t) : Investimento (variaca
o do Capital);

ao longo do intervalo de tempo t [0, ). Considere ainda o seguinte modelo simplificado:


i) Y = g(K), onde g 0 > 0 e g 00 0;
ii) C = Y K 0 (parte da produca
o e consumida e o restante e reinvestido);
iii) K(0) = K0 (o capital inicial e conhecido);
iv) U = U (C) e a utilidade do capital, onde U 0 > 0, U 00 < 0;
v) > 0 e o fator de desconto.
O objetivo e encontrar uma poltica o
tima de investimento para o problema:
Z

Maximizar et U (C(t))dt
0
sujeito a K 0 = g(K) C, K(0) = K0 .

Este problema foi originalmente formulado e resolvido por Ramsey em 1928 (veja [Ra]). A hip otese
C = g(K)K 0 permite-nos analisar este problema utilizando c
alculo variacional. Note que a equaca
o
de EulerLagrange e dada por
U 0 (g(K) K 0 )
K 00 g 0 (K)K 0 + ( g 0 (K)) = 0 .
U 00 (g(K) K 0 )

89
No caso geral esta equaca
o n
ao pode ser resolvida analiticamente. Fazemos aqui a hip
otese simpli-
ficadora:
1 1q
U (r) = r , g(r) = br,
1q
onde b > 0, q (0, 1). Neste caso particular a equaca
o de EulerLagrange fica simplificada, na forma
de uma equacao que sabemos resolver:

qK 00 + ( b qb)bK 0 + b(b )K = 0.

omio caracterstico, temos 1 = b, 2 = a := q 1 (b ). Portanto, as


Calculando as razes do polin
soluco
es que satisfazem a condica
o inicial K(0) = K0 s
ao da forma:

K(t) = (K0 A)eat + Aebt , t 0,

ametro livre. Suponha agora que b > a, i.e. > (1 q)b. Neste caso, as hip
onde A e um par oteses
do modelo:
C(t) = g(K(t)) K 0 (t) > 0, t 0 e lim K(t) 0
t

ao satisfeitas respectivamente para A 0 e A < K0 . Para determinar o par


s ametro A [0, K0 ) e
necess
aria uma condica o de contorno para a equaca o da dinamica por exemplo K 0 (0) ou K().
Como tal condica o n
ao e explicitamente fornecida, e preciso analisar a equaca
o de HamiltonJacobi
Bellman, que para este problema aut onomo se escreve como
 
V 1
V (x) + min h , g(x) ui + u1q = 0, x IRn
u x 1q

f
(note que = b qa). E acil verificar que V (x) := (1 q)/(b a)q x1q , x 0 e soluca
o da equaca
o
acima. Note ainda que se A = 0 a condica o

lim inf et V (K(t)) =0
t

e satisfeita, pois a(1 q) < 0 por hip


otese. Portanto, V (x) e a trajet
oria K(t) = K0 eat satisfazem
as condicoes do teorema , de onde conclumos que uma estrategia o
tima de consumo e dada por
= (b a)K0 eat , t 0.
C(t)

2 2 2

Exerccios
5.1 Considere o problema de Bolza
Z

1 1

Minimizar u(t)2 dt + z1 (1)2 + z2 (1)2
2 0
sujeito a


u L1 [0, 1], z 0 = z , z 0 = u, z (0) = z (0) = 0.
1 2 2 1 2

a) Formule o princpio do m
aximo para o problema acima.
b) Obtenha o processo o
timo.

90
5.2 Considere o problema de controle o
timo
Z T

 

Minimizar z1 (t)2 + u(t)2 dt
0
sujeito a



u L1 [0, T ], z10 = z2 , z20 = z2 + u, z1 (0) = 1, z2 (0) = 0.

a) Formule o princpio do m
aximo para o problema acima.
b) Obtenha o processo o
timo.

5.3 Considere o problema de controle o


timo escalar
Z

1 1 

Minimizar 2 3z(t)2 + u(t)2 dt
0
sujeito a


u L1 [0, 1], z 0 = z + u, z(0) = 1.

a) Formule o princpio do m
aximo para o problema acima.
b) Obtenha o processo o
timo.

5.4 (Problema de Investimento) Suponha que um determinado produto e fabricado com a taxa
z(t). No tempo t > 0 uma fracao u(t) da producao e reinvestida para aumentar a produca
o, sendo o
restante vendido para geraca
o de lucro. O objetivo e determinar uma poltica de investimento o
tima,
de forma a maximizar o lucro total no horizonte fixo de tempo [0, T ]. Temos assim o problema
Z T


Maximizar
(1 u(t))z(t)dt
0
sujeito a


0 T]
z = uz, z(0) = z0 > 0, z(t) 0, u C[0,

es lagrangeanas: y 0 (t) 0,
a) Reescreva o problema como um problema variacional com restrico
0
y (t) y(t).
b) Obtenha condico
es necess
arias para o novo problema.
c) Encontre a taxa o
tima de produca
o y.

5.5 (Problema do Caf ` temperatura de 100 o C deve ser esfriada a


e) Uma xcara cheia de cafe a
o
temperatura de 0 C por adica
o de uma quantidade fixa de creme de leite. Uma equacao aproximada
para evoluca
o da temperatura z da mistura e dada por

z 0 = z 25u uz/4.

As condico
es de contorno s
ao z(0) = 100, z(T ) = 0.
a) Obtenha condico es necess
arias para o problema de tempo o timo sujeito a es 0 u(t) 1,
`s restrico
RT
t [0, T ], 0 u(t)dt = 1, impostas ao fluxo externo de lquido u.
b) Use o fato z 0 < 0 para obter um problema equivalente com intervalo de tempo fixo. O que se
pode afirmar sobre a unicidade da solucao obtida no item a).
(Sugest
ao: A nova vari
avel livre e s = z.)

91
Princpios de cincias dos materiais

MATERIAIS ISOLANTES

Quando se trata de campos eletrostticos, o meio no qual os mesmos existem dever ter
resistividade muito alta, ou seja, dever opor-se tanto quanto possvel, passagem de corrente
eltrica de conduo, motivo pelo qual recebe o nome de dieltrico. O material que o constitui
designado por isolante.
O papel dos dieltricos na eletrotecnia muito importante e tem dois aspectos:
realizam o isolamento entre os condutores, entre estes e a massa ou a terra, ou, ainda, entre
eles e qualquer outra massa metlica existente na sua vizinhana;
modificam, em propores importantes, o valor do campo eltrico existente em determinado
local.
O processo principal, caracterstico para qualquer dieltrico, que se produz quando sobre
ele atua uma tenso eltrica, a polarizao, ou seja, o deslocamento limitado de cargas ou a
orientao das molculas dipolares.
Os fennemos devidos a polarizao de um dieltrico podem ser julgados atravs do
valor da constante dieltrica e pelos ngulo de perdas dieltricas, se a polarizao vem
acompanhada de dissipao de energia que provoca o aquecimento do dieltrico. Neste
aquecimento tomam parte as poucas cargas livres que existem no material, as quais determinam o
aparecimento de uma corrente de fuga, que passa atravs do dieltrico e sua superficie.
A maioria dos dieltricos se caracteriza por um deslocamento eltrico das cargas como
uma funo linear do campo eltrico que se cria no dieltrico.
Todo dieltrico inserido em um circuito eltrico pode ser considerado como um
capacitor de capacidade determinada (Fig. 4.1). Como sabemos, a carga em um capacitor
qualquer dada por:
Q = C. U (4.1)

------------
+++++++++
U (Fonte de Tenso)
------------
+++++++++

Fig. 4.1 - Polarizao


Onde C a capacitncia do capacitor e U a tenso aplicada. A quantidade de carga Q,
para um dado valor da tenso aplicada, a soma de duas componentes: Q0, que a carga que
existiria se os eletrodos estivessem separados pelo vcuo, e Qd, que devida a polarizao do
dieltrico que na verdade separa os tais eletrodos.
Q = Q0 + Qd (4.2)
Uma das caractersticas mais importantes de um dieltricos sua permissividade relativa
ou constante dieltrica . Esta magnitude razo entre a carga Q, obtida com uma determinada
tenso no capacitor que contm um dado dieltrico e a carga Q0, que poderia obter-se com um
capacitor das mesmas dimenses, com a mesma tenso, se entre os eletrodos existisse vcuo.
= Q = 1 + Qd (4.3)
Q0 Q0
Da expresso 4.3 se deduz que a permissividade relativa de qualquer substncia dieltrica
maior que a unidade. A constante dieltrica tambm pode ser determinada pela razo entre a
capacitncia de um capacitor com o dado dieltrico e a capacitncia de outro capacitor com as
mesmas dimenses cujo dieltrico seja o vcuo.
Voltando ao estudo do fenmeno da polarizao, deve-se distinguir os tipos
fundamentais de polarizao:
Ao primeiro tipo de polarizao pertencem as polarizaes eletrnica e inica que ocorre de
um modo praticamente instantneo sob a ao de um campo eltrico e sem dissipao de
energia, se caracterizando por um deslocamento elstico de ons ou eltrons ligados ao ncleo
de um tomo. A polarizao eletrnica diminui com o aumento da temperatura, devido a
dilatao do dieltrico e conseqente diminuio do nmero de partculas por unidade de
volume. J a polarizao inica intensificada com o aumento da temperatura, uma vez que se
debilitam as foras elsticas interinicas quando aumentam as distncias entre os ons quando o
corpo se dilata;
A polarizao dipolar difere da eletrnica e da inica com relao ao movimento trmico das
partculas. As molculas dipolares, que se encontram em movimento trmico catico, se
orientam parcialmente pela ao do campo, o qual a causa da polarizao. A polarizao
dipolar possvel se as foras moleculares no impedirem os dipolos de se orientarem de
acordo com o campo. Ao aumentar a temperatura se enfraquecem as foras moleculares e
diminui a viscosidade da substncia, de forma que se intensifica a polarizao dipolar. No
entanto, ao mesmo tempo aumenta a energia dos movimentos trmicos das molculas, o que
faz que diminua a influncia orientadora do campo. De acordo com isto, a polarizao dipolar
aumenta a princpio com o aumento da temperatura, enquanto que o enfraquecimento das
foras moleculares influencia mais que a intensificao do movimento trmico catico. Depois,
quando este ltima se intensifica, a polarizao dipolar cai a medida que aumenta a
temperatura;
A polarizao estrutural aparece apenas em corpos amorfos e em slidos cristalinos polares
como no caso do vidro, onde um corpo amorfo parcialmente constitudo de partculas de
ons. A polarizao estrutural vem a ser a orientao de estruturas complexas de material,
perante a ao de um campo externo, aparecendo devido a um deslocamento de ons e dipolos,
na presena de aquecimento devido a perdas Joule. Quanto a sua dependncia com a
temperatura tm comportamento semelhante polarizao dipolar.
As particularidades da polarizao permitem dividir todos os dieltricos em vrios
grupos.
Materiais Eltricos 73

Ao primeiro grupo podem pertencer os dieltricos que possuem somente a polarizao


eletrnica, por exemplo as substncias slidas no polares ou debilmente polares em estado
cristalino ou amorfo (parafina, enxofre, poliestireno), assim como os lquidos e gases no polares
ou debilmente polares (benzeno, hidrognio e outros).
Ao segundo grupo pertencem os dieltricos que possuem ao mesmo tempo polarizao
eletrnica e dipolar. So estas as substncias polares (dipolares) orgnicas, semilquidas e slidas
(algumas resinas, celulose, alguns hidrocarbonetos cloretados, etc).
Ao terceiro grupo pertencem os dieltricos inorgnicos slidos com polarizao
eletrnica, inica e on-eletrnica dipolar. Este grupo pode ser dividido no subgrupo 1) com
polarizao eletrnica e inica ao qual pertencem principalmente as substncias cristalinas com
empacotamento denso de ons (quartzo, mica, sal e xido de alumnio) e o subgrupo 2) com
polarizao eletrnica, inica de dipolar ao qual pertencem os materiais que contem fase vtrea
(porcelana) e os dieltricos cristalinos com empacotamento no denso.
A um quarto grupo pertencem os componentes ferroeltricos, que se caracterizam por
ter polarizao espontnea (nos campos eltricos alternados, os materiais com polarizao
espontnea se caracterizam por uma considervel dissipao de energia), eletrnica e inica
combinadas. Seriam estes materiais o sal de Seignette e o de Rochelle, titanato de Brio e outros.
Esta classificao dos dieltricos permite que suas propriedades eltricas sejam at certo
ponto pr-determinadas.

4.2 - Comportamento dos Dieltricos em Servio


Uma vez que uma certa poro de isolamento apresenta uma dada resistncia, podemos
falar em resistividade do material, se bem que esta seja influenciada por uma diversidade de
fatores. Por exemplo, a temperatura afeta sensivelmente o valor da resistividade e, de uma
maneira geral, o aumento da temperatura provoca uma diminuio da resistividade dos materiais
isolantes.
Resistncia de Isolamento - O dieltrico impede a passagem da corrente eltrica
enquanto o campo eltrico nele estabelecido no ultrapassar um determinado valor que depende
da natureza do dieltrico e das suas condies fsicas.
Este impedimento porm, no total pois, se uma determinada poro do isolante estiver
submetida a uma tenso U, ela ser atravessada por uma corrente I, sendo o quociente entre U e I
designado por resistncia de isolamento.
A resistncia de isolamento no constante, isto , os isolantes no obedecem, de uma
forma geral, lei de Ohm. No caso do comportamento dos gases, j vimos que s para valores
baixos de tenso estes obedecem quela lei. No caso dos dieltricos slidos, a curva de variao
da corrente com a tenso j tem um aspecto diferente, sendo de uma forma geral do tipo da
apresentada na Fig. 4.2.
A primeira parte da curva corresponde aproximadamente a uma proporcionalidade entre
a intensidade de corrente e a tenso, a partir de um determinado valor de tenso, o crescimento de
corrente acentua-se e ao atingir-se um valor UM da tenso, a corrente cresce rapidamente mesmo
que se faa descer o valor de tenso.

08/04/02 - 15:44 - Prof. Jacqueline Rolim - cap4a.doc


Materiais Eltricos 74

Fig. 4.2 - Lei de variao da corrente com a tenso nos dieltricos slidos

Esta ltima parte da curva corresponde perfurao do isolamento ou, pelo menos,
antecede-a de um pequeno intervalo de tempo, pois a libertao de calor engrandecida pelo
aumento da corrente vai rapidamente provocar a perfurao.
Resistncia Superficial - No caso dos isolantes slidos de muito grande resistividade, a
resistncia atravs da sua massa tambm elevada, sendo muito pequena a corrente que os
atravessa. Ora acontece que, pela acumulao de poeira e umidade na superfcie das peas
isoladoras, se forma um novo caminho para a passagem da corrente eltrica, o qual se diz ser
superficial.
Isto acontece especialmente nas peas isoladoras expostas ao tempo, como por exemplo,
os isoladores de linhas de tranmisso areas. resistncia do novo circuito dado o nome de
resistncia superficial e, neste caso, a resistncia de isolamento dos dois circuitos em paralelo,
superficial e de massa. (Ver Fig. 4.3)
O aumento da temperatura faz atenuar a importncia da resistncia superficial, pois a de
massa decresce em relao quela.
Rigidez Dieltrica - Para poder exprimir numericamente a capacidade de um
determinado material isolante suportar tenses elevadas, define-se uma grandeza a que se d o
nome de rigidez dieltrica e que definida como sendo o valor do campo eltrico para o qual se
d a ruptura do isolante.

C R1

A B

R2
Fig. 4.3 - Circuito Equivalente de um dieltrico com perdas de energia e correntes de fuga.

Esta grandeza est longe de ser constante para cada material, pois depende de muitos
fatores, tais como a espessura do isolante, as dimenses e forma dos eletrodos utilizados para a
aplicao da tenso, a freqncia da tenso aplicada, o nmero de aplicaes de tenso na
unidade do tempo (fadiga do material), a temperatura, grau de umidade, etc.
Como difcil conhecer o valor do campo no momento da ruptura, visto ele no ser
normalmente uniforme, costume definir-se a rigidez dieltrica (RD) simplesmente pelo
quociente da tenso aplicada no momento da ruptura pela espessura do isolamento e como a R.D.
Materiais Eltricos 75

varia com a espessura do isolante costume indicar esta ao referir aquela. Por exemplo para a
mica a RD varia de 600 a 750 kV/cm, medida para espessura de 1mm.
Rigidez dieltrica superficial - No caso dos isolantes slidos, pode acontecer que o arco
disruptivo, em vez de atravessar a sua massa, salte pela sua superfcie.
Ao quociente da tenso pela distncia entre os condutores dado o nome de rigidez
dieltrica superficial. Esta depende, evidentemente, da forma do isolante e do estado da sua
superfcie.
Perdas nos dieltricos - Nos dieltricos sujeitos a uma tenso contnua verifica-se uma
perda por efeito Joule tal como nos condutores. A corrente de perdas, se bem que muito limitada,
d lugar a um certo aquecimento. Estas perdas no tm importncia a no ser quando do lugar a
um aquecimento permitindo, por conseqncia, maior corrente e maiores perdas.
Nos dieltricos sujeitos a uma tenso alternada d-se, da mesma forma, a perda por
efeito Joule, mas surge um outro fenmeno que origina perdas e que tem o nome de histerese
dieltrica. A energia perdida tambm transformada em calor. O nome deste fenmeno dado
pela analogia existente com a histerese magntica. A explicao fsica das perdas por histerese
dieltrica dada por considerao da falta de homogeneidade do dieltrico.
ngulo e Fator de Perdas - Quando um dieltrico est sujeito a um campo eltrico
alternado, a corrente que o atravessa deveria estar avanada de /2 em relao tenso, mas pelo
fato de existir uma queda hmica atravs da massa do isolante, haver uma componente da
corrente que fica em fase com a tenso e o ngulo de diferena de fase ser (/2 - ), sendo
chamado ngulo de perdas. Este valor pode ir de poucos minutos, se o dieltrico for bom, at a
alguns graus, se for de m qualidade.
tg, que pode tomar igual ao ngulo expresso em radianos (por se tratar de ngulos
muito pequenos) dado o nome de fator de perdas. A potncia perdida no dieltrico ser dada
por:
P = U.I.cos(/2 - ) = U.I.sen U.I. (4.4)
Cada material caracterizado por um certo fator de perdas, o qual, contudo, depende
das condies fsicas a que o mesmo se encontra submetido, principalmente a temperatura.
Ruptura dos Dieltricos - Quando o campo eltrico a que um dado dieltrico est sujeito
ultrapassa um determinado valor se d a ruptura do dieltrico. A maneira como esta se produz e
as suas conseqncias so porm, diferentes conforme o tipo de dieltrico.
Assim, compreensvel que, se a ruptura se produzir num dieltrico fluido, a matria
atingida pela descarga logo substituda por outra e, se o fenmeno no repetir, a sua nica
conseqncia o aparecimento de partculas carbonizadas no seio do fluido.
No caso dos dieltricos slidos j assim no acontece, pois a descarga implica a sua
destruio no ponto em que a ruptura se verifica.
Efeito Corona - Se, entre dois condutores, existir uma grande diferena de potencial,
junto s suas superfcies poder surgir um campo eltrico de valor tal que o gs ou o ar, no meio
do qual se encontram seja ionizado.
Se isto acontecer, o efeito obtido equivalente ao aumento das dimenses dos
condutores, visto o gs ou o ar ionizado se tornar condutor tambm. Nessas condies, d-se
como que uma aproximao dos condutores e um aumento da sua superfcie. Estes dois fatores
que se verificam tendem a modificar o campo nos dois sentidos, prevalecendo um ou outro
conforme as circunstncias.

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Materiais Eltricos 76

De uma maneira geral, podemos dizer que, se os condutores forem de pequena seo e
estiverem bastante afastados, o efeito da ionizao traduz-se por uma diminuio do campo na
zona circunvizinha. Desta forma, ionizada a primeira camada que envolve os condutores, a
ionizao no prossegue nas camadas seguintes e o fenmeno no progride.
A ionizao limita-se como que a uma bainha volta dos condutores, visvel sob o
aspecto de uma luz azulada e sensvel pelo cheiro a oznio. Esta situao aquilo a que
chamamos de efeito coroa ou corona.
Se a forma e a distncia dos condutores forem outras, pode dar-se o contrrio, isto , o
campo ir mantendo nas camadas sucessivas valores suficientemente altos para provocarem a
ionizao at o ponto de se estabelecer um caminho de gs ou ar ionizado entre os condutores.
As cargas eltricas deixam de encontrar resistncia e passam em grande quantidade de
um condutor para o outro, sob a forma de um arco. a descarga eltrica.

4.3 - Materiais Isolantes


Conforme a aplicao, alguns isolantes apresentam, em certos casos, ntida superioridade
sobre outros, sendo inteiramente inadequados em casos diferentes.
O exemplo da porcelana tpico: sendo material excelente para isolamento de linhas
areas, pelas suas propriedades dieltricas, qumicas e mecnicas, inteiramente inadequada aos
cabos isolados, pela falta de flexibilidade.
A borracha apresenta excelentes qualidades qumicas, mecnicas e eltricas, de modo
que geralmente utilizada nos fios e cabos, mas no completamente a prova de gua, no
resiste a temperaturas elevadas, atacvel pelos leos e pelo ozona.
O fato de um material apresentar propriedades eltricas muito superiores a outros ( alta
rigidez dieltrica, alta resistividade, baixas perdas) no suficiente para determinar o seu emprego
se as qualidades mencionadas no forem acompanhadas de propriedades qumicas e mecnicas
adequadas. Assim, s boas propriedades eltricas pode corresponder uma reduo de espessura do
isolante a empregar nos condutores das mquinas eltricas; porm necessrio que o material seja
suficientemente forte para resistir aos esforos mecnicos durante a construo e o
funcionamento.
Muitas das substncias industrialmente empregadas como isolantes no so inteiramente
homogneas - especialmente as de origem orgnica como o algodo, seda, madeira, leos, etc -
sendo alm disto em geral deteriorveis.
Uma primeira classificao dos isolantes pode ser feita de acordo com o seu estado:

I - Gases: Ar, anidrido carbnico, azoto, hidrognio, gases raros, hexafluoreto de enxofre.
II - Lqudos:
A - leos minerais: leos para transformadores, interruptores e cabos.
B - Dieltricos lquidos prova de fogo: Askarel.
C - leos vegetais: Tung, linhaa.
D - Solventes: (empregados nos vernizes e compostos isolantes) lcool, tolueno, benzeno,
benzina, terebentina, petrleo, nafta, acetatos amlicos e butlicos, tetracloreto de carbono,
acetona.
Materiais Eltricos 77

III - Slidos aplicados em estado lquido ou pastoso:


A - Resinas e plsticos naturais: resinas fsseis e vegetais, materiais asflticos, goma laca.
B - Ceras: cera de abelhas de minerais, parafina.
C - Vernizes e lacas: preparados de resinas e leos naturais, produtos sintticos, esmaltes para
fios, vernizes solventes, lacas.
D - Resinas sintticas: (plsticos moldados e laminados) resinas fenlicas, casena, borracha
sinttica, silicones.
E - Compostos de celulose: (termoplsticos) acetato de celulose, nitrocelulose.
F - Plsticos moldados a frio: cimento portland empregado com resinas ou asfaltos.
IV - Slidos:
A - Minerais: quartzo, pedra sabo, mica, mrmore, ardsia, asbesto.
B - Cermicos: porcelana, vidro, micalex.
C - Materiais da classe da borracha: borracha natural, guta-percha, neoprene, buna.
D - Materiais fibrosos (tratados e no tratados): algodo, seda, linha, papel, vidro, asbesto,
madeira, celofane, rayon, nylon.

Alm desta classificao cujo critrio a natureza dos materiais isolantes, estes podem
ser classificados visando a sua aplicao, especialmente na construo de mquinas e aparelhos
eltricos, cuja temperatura limitada no pelos materiais condutores ou magnticos (que so
metlicos) e sim pelos isolantes. A durabilidade destes depende de fatores diversos, entre os quais
predomina a temperatura, como mostrado na tabela a seguir.
A durao dos materiais utilizados para isolamento de mquinas e aparelhos eltricos
depende de vrios fatores, tais como a temperatura, os esforos eltricos e mecnicos, as
vibraes, a exposio a produtos qumicos, umidade e a sujeira de qualquer espcie.

Tabela 4.1 - Classificao dos materiais isolantes em relao sua estabilidade trmica em servio
(NBR 7034)
Classe Temperatura mxima admissvel em servio
Y (O) 90OC (algodo, seda e papel sem impregnao)
A 105OC (idem impregnados)
E 120OC ( alguns vernizes, esmaltes e fibras)
B 130OC (mica, asbesto com aglutinante, EPR)
F 155O C (mica, fibra de vidro com algutinante)
H 180O C (elastmeros de silicato)
C > 180OC (porcelana, vidro, quartzo, cermicas)

Reconhece-se que os materiais isolantes podero no suportar as temperaturas a eles


atribudas na classificao se estas forem mantidas durante tempo ilimitado. Essas temperaturas

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Materiais Eltricos 78

todavia so tais que permitiro uma durao adequada do material se forem mantidas durante
longos perodos de tempo com temperatura mais baixa.
As normas de equipamento eltrico especificam geralmente a elevao de temperatura
permissvel acima do ar ambiente ou de outro meio refrigerante.

4.3.1 - Isolantes gasosos


O isolante gasoso de maior uso sem dvida o ar, excetuando-se algumas aplicaes de
gases especiais, notadamente o SF6, hexafluoreto de enxofre.
O ar, como isolante, amplamente usado entre todos os condutores sem isolamento
slido ou lquido, como, por exemplo, nas redes eltricas de transmisso e eventualmente de
distribuio, onde os condutores so fixados a certa altura atravs de cruzetas, ou de braos, os
quais, fixos a postes ou torres, so equipados com isoladores (de porcelana, vidro ou resina com
borracha). Entre esses condutores nus, o isolamento somente o ar, de tal modo que o
afastamento entre os fios ou cabos , entre outros fatores, conseqncia da rigidez dieltrica do
ar. Esse valor varia acentuadamente com as condies de umidade, impurezas e temperatura. Seu
valor a seco e limpo, a 20oC, de 45kV/mm; decresce, entretanto, rapidamente, a 3kV/mm, sob
ao da umidade, de contaminaes provenientes de poluio, da presso atmosfrica e da
temperatura, fatores normais no ambiente externo e, conseqentemente, esse valor precisa ser
considerado nos projetos.
O afastamento entre condutores no , porm, apenas funo das caractersticas
eltricas, mas tambm das mecnicas e de agentes, tais como ventos e outros, que vo determinar,
em conjunto, a menor distncia entre dois cabos.
Outro gs de uso bastante recente o j mencionado hexafluoreto de enxofre, cujas
caractersticas so apresentadas a seguir:
Peso molecular: 146,05
Condutividade trmica presso atmosfrica: 1,4W/cmK a 40oC
Viscosidade (em CP) presso atmosfrica: 0,015 a 25oC
Capacidade de ruptura: 100A 1 atm. de presso
Fator de perdas: tg < 10-3a - 50oC
tg < 2 x 10-7a 25oC
Tenso de ruptura: 125kV a 2 atmosferas de presso com afastamento de 10mm.

4.3.2 - Isolantes lquidos


Os isolantes lquidos atuam geralmente em duas reas, ou seja a refrigerao e a
isolao. Seu efeito refrigerante o de retirar o calor gerado internamente ao elemento condutor,
transferindo-o aos radiadores de calor, mantendo, assim, dentro de nveis admissveis o
aquecimento do equipamento.
No uso dirio destacam-se os isolantes lquidos enunciados a seguir.
leo mineral
Obteno: obtm-se o leo mineral a partir do petrleo e, eventualmente, tambm de
outros produtos sedimentares, sendo constitudo basicamente de misturas de hidrocarbonatos,
gorduras e outras deposies. Seu cheiro desagradvel, de colorao preto-azulada ou marrom,
com uma composio dependente do local em que encontrado. Fundamentalmente se compe
de:
Materiais Eltricos 79

- metana, ou leos parafinados do qual se extrai 3 a 8% de parafina slida;


- nafta;
- mistura de dois anteriores.
Caractersticas
Ponto de chama: aquecendo-se o leo gradativamente at temperaturas mais elevadas,
comeam a aparecer vapores. Por ponto de chama se caracteriza uma certa temperatura, qual
os vapores formam uma chama, se desses vapores aproximarmos uma chama de ignio. A
chama formada nos vapores porm, se extingue imediatamente aps o afastamento da chama
de ignio.
Ponto de queima: esse um ponto trmico superior ao anterior, no qual a chama j no se
extingue mais, aps afastada a chama de ignio. Seu valor costuma ser 30 a 50 oC superior ao
ponto de chama.
Ponto de ignio: o valor de temperatura, no qual os vapores se incandescem por si mesmos.
Ponto de solidificao: o valor de temperatura, em que o leo deixa de escorrer sob a ao
do seu peso prprio, tornando-se denso. O ponto de solidificao um valor caracterstico a
baixas temperaturas.
Viscosidade: entende-se por viscosidade a resistncia existente entre duas camadas adjacentes
de um lquido. O uso dos leos para determinadas aplicaes tcnicas depende acentuadamente
do seu valor de viscosidade. Assim, devem ser pouco viscosos, os leos destinados a mquinas
leves e de alta velocidade, bem como os leos para transformadores e dispositivos de comando
(disjuntores, interruptores). J em equipamentos que trabalham com presses elevadas,
necessrio o uso de leos pesados (ou de maior viscosidade). leos para mquinas de
refrigerao e leos isolantes, usados em equipamentos ao ar livre, precisam ainda ter
adequada viscosidade quando da queda da temperatura ambiente.
Coeficiente de acidez e de neutralizao: a medida para cidos orgnicos livres, existentes no
leo, indicando a quantidade de KOH por miligrama (mg) que necessria para neutralizar a
acidez de 1 g de leo.
Coeficiente de saponificao: Indica a quantidade de KOH (em mg) necessria para eliminar
cidos e steres livres ligados a cidos, para cada grama de leo (1 g leo). O nmero de
saponificao uma referncia para determinar o envelhecimento ocorrido no leo, ou seno,
pode servir para constatar a existncia de leos gordurosos no leo mineral.
Coeficiente de oxidao: outro valor indicativo do envelhecimento. Seu valor no deve
ultrapassar 0,1%. O coeficiente de oxidao depende do regime trmico em que o leo vai
trabalhar, da ao de metais sobre as caractersticas do leo e de outros agentes.
Os leos minerais isolantes so processados atravs de uma rigorosa purificao. Seu
uso est concentrado nos transformadores, cabos, capacitores e chaves a leo. Estes leos devem
ser altamente estveis, ter baixa viscosidade (serem bastante lquidos), pois, alm de sua funo
dieltrica de impregnao, devem tambm transmitir o calor. Este um dos problemas tpicos de
transformadores, onde o leo transfere para as paredes do tanque, o calor gerado nos
enrolamentos. leos mais densos no podem atender a essas condies. No caso dos dispositivos
de comando, o leo deve fluir rapidamente entre os contatos entreabertos, para extinguir
rapidamente o arco voltaico. Em cabos e capacitores, o leo deve tambm fluir com facilidade,
para impregnar totalmente o papel isolante empregado, deslocando e eliminando assim a presena
de gua e de bolsas de ar em produtos fibrosos, como o caso dos papis. Para esse problema, a

08/04/02 - 15:44 - Prof. Jacqueline Rolim - cap4a.doc


Materiais Eltricos 80

tenso superficial do lquido tambm deve ser suficientemente baixa, tenso essa cujo valor
depende do grau de purificao. Quanto maior o grau de purificao, maior a tenso superficial.
A viscosidade recomendada em cada aplicao consta de normas tcnicas, devidamente
relacionada com a temperatura, sobretudo a temperatura mxima admissvel. Assim, o ponto de
chama varia de 130 a 145oC.
No caso de leo para cabos, distinguem-se os papis impregnados com leo (leos
grossos) e os cabos em leo fluido (O.F.) (leos finos). A Tab. (4.2) apresenta alguns valores
caractersticos desses leos.
O fator de perdas de bons leos isolantes, a 20oC, de aproximadamente 0,001,
dependendo porm acentuadamente da temperatura. Para os cabos, o tg deve ser baixo, para
no provocar aquecimento excessivo da isolao do cabo. O mesmo vale para capacitores.
Tabela 4.2 - Caractersticas de leo para papis de cabos
Caractersticas leo fino leo grosso
o 3
Peso especfico a 20 C (g/cm ) 0,86 a 0,88 0,92 a 0,94
o
Ponto de solidificao ( C) - 30 -5
o
Ponto de inflamao ( C) 150 - 170 250 a 270
Resistividade (x cm)
leo novo a 100oC, > 25 x 1012 > 0,5 x 1012
aps 40 horas a 120oC > 2,5 x 1012 > 1,7 x 1012
Fator de perdas
leo novo a 100oC, 5 x 10-3 40 x 10-3
aps 40 horas a 120oC 30 x 10-3 70 x 10-3

Ao lado do fator de perdas (tg ), tambm a rigidez dieltrica ou a tenso de ruptura


obtida em um equipamento de ensaio padronizado, so fatores importantes. Esse valor de
aproximadamente 200 kV/cm para leos para leos secos e novos na faixa de temperatura de
- 40oC a + 50oC, destinados a transformadores, e destinados a transformadores, e de 120 kV/cm
para leo de disjuntores. Esses valores, porm devem ser usados com cuidado, face s influncias
dos campos eltricos entre os eletrodos de ensaio, devido possvel variao de seus formatos
(planos, esfricos, etc.) e que, devido s diferentes configuraes do campo eltrico, levam a
campo heterogneos com nmero varivel de linhas por centmetro quadrado, e
conseqentemente, daro diferentes valores de ruptura, para mesmo afastamento (ou seja,
diferentes valores de rigidez dieltrica).
A tenso de ruptura dieltrica mnima varia tambm com a classe de tenso em que o
leo usado, bem como do equipamento onde empregado.
Valores mdios nesse sentido se situam entre 80 kV/cm at 140 kV/cm (na faixa de
classes de tenso de 34,5 a 220 kV) para transformadores para redes e para instrumentos, e com
valores de 40 kV/cm a 80 kV/cm (para classes de tenso de 34,5 a 69 kV) para dispositivos de
comando.
No uso de equipamentos possuidores de leo mineral, uma das providncias de rotina
uma sistemtica verificao da tenso de ruptura ou da rigidez dieltrica, face constatao de um
envelhecimento relativamente rpido e inexeqvel para diversas dessas aplicaes. Como
resultado, os prprios sistemas de manuteno prevem a retirada peridica de amostras de leo,
Materiais Eltricos 81

e a verificao de suas caractersticas isolantes. Nota-se perfeitamente aps um perodo por vezes
relativamente curto (2 a 3 anos) que o leo perdeu sensivelmente suas propriedades isolantes,
reduzindo, por exemplo, em algumas vezes sua rigidez dieltrica. Dependendo do valor obtido,
necessrio aplicar processos de purificao ou filtragem ou, em caso extremo, fazer a substituio
do leo envelhecido por outro novo.
A oxidao do leo um dos fatores que sempre esto presentes, e que se fazem sentir
devido presena do oxignio do ar e da elevao de temperatura.
Em grau menor, a luz do dia pode atuar no mesmo sentido, razo pela qual o leo deve
ficar protegido de seus raios de luz. O tipo de cadeia de carbono que est presente tambm tem
sua influncia: certas ligaes de cadeias de carbono se oxidam com maior facilidade. Como
resultado, aparecem diversos cidos orgnicos, alm de gua e materiais volteis. Sob a ao do
campo eltrico ou perante descargas internas, podero acontecer decomposies moleculares, de
modo que os produtos cidos da oxidao se transformam em matrias com cadeia molecular
extensa, devido polimerizao ou policondensao progressiva.
O incio do envelhecimento do leo sempre caracterizado pelo aumento do coeficiente
de acidez, apesar de que o grau de envelhecimento no pode ser avaliado com segurana pelo
valor numrico desse coeficiente pois, os produtos cidos que se formam, sofrem novas
transformaes, deixando de apresentar, assim, um comportamento cido.
Alm da prpria contaminao do leo e da perda parcial de suas propriedades,
importante analisar tambm as conseqncias da acidez do leo sobre os demais materiais usados
no equipamento. A celulose do papel, por exemplo, tem a tendncia de absorver certos tipos de
molculas remanentes nas impurezas do leo, deslocando este de sua impregnao no papel, ou
seno de ser atacado por certas formaes moleculares especficas.
Alis, esse mesmo problema ocorre ao incidir gua sobre um papel impregnado com
leo: gua desloca o leo e, sendo o primeiro um mau isolante, cria locais de isolao deficiente.
Alm da rigidez dieltrica, outro fator que pode caracterizar o envelhecimento a
variao do fator de perdas (tg ) perante diferente freqncias. A Fig. (4.4) demonstra tal
situao, no caso perante uma freqncia industrial de 60 Hz. Nota-se que, ao longo do tempo
(no caso, praticamente trs anos), o leo corretamente purificado no alterou seu tg , o mesmo
j no acontecendo com os outros dois. Pela configurao das curvas, possvel concluir ainda
sobre os tipos de produtos de oxidao que se apresentaram, e da escolher a melhor maneira de
elimin-los.

Fig. 4.4 - Variao das perdas dieltricas de leos minerais em funo do grau de pureza e do
envelhecimento
Os produtos de oxidao que se formam em uso, geralmente influem menos sobre o
valor da rigidez dieltrica do que a presena de certos gases ou gua no leo.

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Materiais Eltricos 82

A umidade presente no leo provm, geralmente do ar; mesmo porque, no processo de


fabricao do equipamento, todos os cuidados so tomados para eliminar a umidade, a qual
penetra no equipamento em uso, devido variao das presses internas: um equipamento ligado
se aquece, dilata-se o leo e o ar interno expulso do tanque; quando o equipamento desligado,
ocorre um esfriamento de todas as partes, conseqentes contrao, e um vcuo relativo na parte
onde o ar foi expulso.
Da, pela diferena entre presses, a maior presso externa forar a entrada do ar
externo. possuidor de certo grau de umidade, que vai se condensar internamente ao tanque, aps
o que escorre pelas paredes e entra em contato com o leo.
Conforme j vimos anteriormente, os produtos de oxidao reduzem a tenso superficial
do leo, aumentando a capacidade de associao entre gua e leo, que assim fica em estado de
emulso dentro do leo. Essa gua, mesmo em pequenas quantidades (o leo a 60 oC absorve 2%
de gua) ir influir de modo acentuado sobre a rigidez dieltrica do leo. Problema semelhante
ocorre se o leo absorve gases, os quais tambm apresentam caractersticas isolantes inferiores s
dos leos, podendo levar assim a problema de baixa isolao.
Observa-se, em resumo, que a deteriorao do leo mineral pode ocorrer por diversas
razes, externas e internas, devidas ao prprio processo de obteno do leo, ao contato com
outros componentes (particularmente metlicos) e com elementos resultantes do ambiente em que
o leo vai operar. De todos estes, resultam produtos lquidos, slidos e, eventualmente, gasosos,
que influem negativamente sobre o leo, e que assim, precisam ser eliminados. Surgem da
diversos processos de purificao como a eliminao de impurezas slidas atravs de filtro-prensa
ou centrifugao e eliminao da gua em cmara a vcuo aquecida.
Outro problema apresentado pelos leos minerais a sua inflamabilidade, motivado no
pelo contato direto com uma chama, mas sim devido combusto espontnea quando sobre
aquecido, colocando em risco o pessoal e os equipamentos prximos.
Por essa razo, equipamentos que usam leos minerais dispe de controladores
temperatura (termmetros com contatos), que numa primeira etapa, ligam um alarme
comunicando que o leo atingiu seu valor mximo admissvel; se nenhuma providncia for
tomada para reduzir a temperatura (reduo de carga, aumento da velocidade de retirada de calor
por refrigerao intensa, etc.), ento, numa segunda etapa, acionado o disjuntor de entrada, que
assim desliga o equipamento.

O askarel
No desenvolvimento de lquidos que possam ser substitutos do leo mineral,
encontramos o askarel, quimicamente se compe de um pentaclorodifenil (C6 H2 Cl3 C6 H2 Cl3)
que se destaca sobretudo pelo fato de no ser inflamvel, apresentando porm uma srie de
outros problemas e cuidados, que fazem com que hoje j se esteja a substitu-lo, provavelmente
por um leo base de silicone. O askarel tambm no pode ser usado em aplicaes onde se
apresentam arcos voltaicos expostos, pois, nessas condies de temperatura, haver rompimento
da cadeia de HCl e desprendimento do cloro. Seu emprego, entretanto, j mais recomendado em
cabos e capacitores com isolamento em papel ( = 5 a 6) pois o askarel ( = 5), ao impregnar o
papel confere-lhe uma caracterstica mais homognea e, conseqentemente, uma distribuio de
campo eltrico mais uniforme, do que se o impregnante fosse o leo mineral ( = 2). Com isto,, a
capacitncia dos capacitores pode ser elevada em at 40%.
Os askaris se caracterizam ainda pela ausncia de envelhecimento e da formao de
subprodutos durante o seu uso. Com isso, varia pouco o valor da rigidez dieltrica de askaris
Materiais Eltricos 83

novos e em uso, no havendo necessidade de sistemas de purificao. Alm disso, esse valor de
rigidez dieltrica costuma ser mais elevado que o dos leos isolantes. Sua temperatura de servio
um pouco superior do leo, se localizando a 110oC.
Os askaris se distinguem ainda dos leos minerais, no seu manuseio. Enquanto os leos
so neutros, pouco ou nada reagindo com os materiais eltricos convencionais, os askaris,
devido presena do cloro, so quimicamente ativos, atacando o sistema respiratrio e visual dos
que o manuseiam, ataque que se estende a alguns produtos dos componentes. Dessa forma, alm
de certas medidas de preveno contra intoxicao orgnica, o uso dos askaris exige uma
verificao de seu comportamento com os materiais com os quais ficar em contato.
Alguns nomes comerciais do askarel so Clophen, Inerteen, Aroclor. O preo do askarel,
geralmente dez vezes superior ao do leo mineral, o que tambm limita seu uso.

leos de silicone
Os leos de silicone (cadeias Si - O - Si associado a grupos metlicos e fenlicos) so
lquidos incolores e transparentes com uma gama bastante ampla de viscosidades e pontos de
ebulio, caracterizando-se por um ponto de chama bastante elevado (300oC e acima) e baixo
ponto de solidificao (- 100oC); como conseqncia, sua faixa de emprego se situa entre 200oC

e - 60oC, faixa essa que ainda pode ser ampliada, sob certas condies. Mesmo variando a
temperatura, a viscosidade no se modifica na mesma proporo, dentro de valores bem menores
que os leos minerais. So recomendados como lubrificantes em mquinas que trabalham a
temperaturas muito altas ou baixas.
Utilizando-se das caractersticas bsicas do silcio, os silicones permanecem neutros
perante a grande maioria dos elementos, o que lhes confere uma elevada estabilidade qumica e
conseqente ausncia de envelhecimento. Ainda, se apresentam repelentes gua, evitando assim
perda de caractersticas isolantes, e servio. Consulte os valores numricos das caractersticas
eltricas, trmicas e qumicas na Tab. 4.4.
Em reas paralelas, graxas e leos de silicone so preferidos como elemento de
separao entre a massa de um molde e o molde propriamente dito, nas aplicaes de injeo em
plstico.
Silicones lquidos encontram ainda extensa aplicao em numerosos processos e
produtos industriais tais como acrscimos de tintas e vernizes, lubrificantes e outros. So solveis
em benzol, toluol, ter e lcoois de grau superior, sendo insolveis em leos minerais e lcoois de
grau inferior. O preo do leo de silicone , comparativamente muito alto em relao ao leo
mineral.

4.3.3 - Isolantes Pastosos e Ceras


As pastas ou ceras utilizadas eletricamente se caracterizam por um baixo ponto de fuso,
podendo ter estrutura cristalina, baixa resistncia mecnica e baixa higroscopia.

Parafina
o material pastoso no-polar mais usado e mais barato. obtido de uma das fases de
decomposio do petrleo, com elevado teor de metana, atravs de uma destilao adequada.

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Materiais Eltricos 84

Aps o esfriamento desse destilado, a pasta de parafina se separa do volume restante de material;
a parafina assim obtida passa por processo de purificao subseqente, para eliminar restos de
leo e de materiais residuais de fcil oxidao. Uma parafina de boa qualidade se apresenta com
os valores numricos da Tab.(4.4) com aparncia branca, livre de cidos, de bolhas impurezas. A
constante dieltrica () se reduz com elevao de temperatura, mudando bruscamente seu valor
quando passa do estado slido ao lquido. altamente anti-higroscpio ou repelente gua, o que
mantm elevada sua rigidez dieltrica e a resistividade superficial e transversal, e o recomenda
como material de recobrimento de outros isolantes.
A baixa estabilidade trmica - veja seu ponto de fuso na tabela - representa vantagem e
desvantagem. Se um lado, esse valor demonstrar a desnecessidade de calorias elevadas para
liqefazer a parafina durante um processo de impregnao ou recobrimento, facilitando assim o
seu emprego, essa mesma propriedade limita seu uso para os casos em que o nvel de
aquecimento do componente se mantm baixo. Esse ltimo caso praticamente s ocorre na rea
das baixas perdas Joule s baixas correntes circulantes, situao encontrada particularmente nos
componentes eletrnicos. Assim, a importante caracterstica de repelncia gua, muito
procurada para componentes eletrotcnicos usados ao ar livre, no pode ser satisfatoriamente
resolvida com a parafina.
Pasta de silicone
Com uma estrutura molecular semelhante dos leos de silicone, e guardando tambm
basicamente as mesmas propriedades, as pastas de silicone so usadas mais com finalidades
lubrificantes do que eltricas, quando freqentemente recebem o acrscimo de p de grafita para
melhorar suas caractersticas antifrico. So usadas, eletricamente, para proteo de partes onde
se deve reduzir a oxidao, tal como peas de contato, em articulaes condutoras e outras, e
tambm so usadas como pastas de recobrimento de partes isolantes expostas que devem manter
elevada resistividade superficial. Neste ltimo caso, prevalece a caracterstica da pasta de silicone
de ser repelente gua.
Resinas
Um verniz aplicado na forma lquida, e solidifica durante a sua aplicao, passando ao
estado slido em sua fase final. Assim, o verniz no propriamente um isolante lquido, apesar de
ser adquirido nesse estado fsico. Um verniz constitudo de um solvente e uma matria-prima
capaz de formar uma pelcula, um filme geralmente representado por uma resina.
Define-se resina como uma famlia bastante grande, freqentemente ampliada, de
matrias-primas que, apesar de origens e caractersticas diferentes possuem composio qumica
ou propriedades fsicas semelhantes. So misturas estruturalmente complexas, de elevado nmero
molecular e elevado grau de polimerizao, Perante baixas temperaturas, as resinas so massas
vitrificadas, amorfas. A maioria das resinas se apresenta quebradia temperatura ambiente,
dependendo da maior espessura da camada em que se encontram. Em camadas finas se tornam
flexveis. Quando aquecidas, podem amolecer dentro de certos intervalos de temperatura, se
tornam plsticas e podem chegar ao estado lquido. Geralmente as resinas no se caracterizam por
um certo ponto de fuso.
As resinas podem ser classificadas em naturais e sintticas. Resinas naturais so de
origem animal (como a goma-laca) ou vegetal (Kopal). So obtidas na forma final, bastando-lhes
aplicar um processo relativamente simples de purificao.
J as resinas sintticas, em nmero maior e sempre crescente, so obtidas por complexos
processos qumicos, reunindo diversas matrias-primas. Dentro desse grupo se destacam
geralmente, as resinas polimerizadas, as condensadas e as base de celulose.
Materiais Eltricos 85

As resinas podem ainda ser classificadas em termofixas (termoestveis) ou


termoplsticas. Essa classificao se baseia na produo fundamental de plsticos, onde a resina,
ao lado de outras matrias-primas, aquecida at sua plastificao, estado em que colocada em
moldes que lhe conferem a forma final de uso, sendo posteriormente esfriada at a temperatura
ambiente, na qual se apresenta slida. Ambos os tipos, os termofixos e termoplticos, tm, at
esse ponto, comportamento geral parecido.
Se agora, aps a solidificao, aplicarmos novamente a temperatura de plastificao a
ambas as resinas, vamos notar que a resina termoplstica novamente amolece, enquanto a
termofixa se mantm slida. Continuando o aquecimento da termofixa, atingiremos uma mudana
do seu estado apenas a temperaturas bem mais elevadas, nas quais se carboniza sem amolecer.
Em relao s famlias de resinas antes mencionadas, vamos notar que uma grande parte
das resinas polimerizadas pertence aos termoplsticos, enquanto que as condensadas podem tanto
ser termofixas quanto termoplsticas. As que tm origem na celulose so termoplsticas.
Vernizes
Os vernizes so produtos resultantes de sinas com um solvente, este ltimo eliminado na
fase final do processo. Usando resinas, como as analisadas no captulo anterior, os vernizes
mantm na forma final as propriedades das resinas, classificando-se em trs grupos, a saber:
a) vernizes de impregnao,
b) vernizes de colagem,
c) vernizes de recobrimento.
Vernizes de impregnao
o tipo geralmente encontrado em associao com papis, tecidos, cermicas porosas e
materiais semelhantes. Sua funo preencher o espao deixado internamente a um material, com
um isolante de qualidade e caractersticas adequadas, evitando a fixao de umidade, que seria
prejudicial s caractersticas eltricas.
O seu processo de aplicao o seguinte: o material isolante fibroso ou poroso
colocado numa estufa, para dele se retirar toda ou quase toda a umidade, que ocupou os
interstcios do material devido sua presena no ar circundante. Esta eliminao feita em estufa,
regulada para o material que se deseja secar, para evitar que a temperatura presente venha a
prejudicar as caractersticas do material. Uma vez eliminada a umidade, o material colocado em
contato direto com o verniz de impregnao, seja atravs da imerso em recipientes contendo o
verniz seja na forma de injeo do verniz sobre o material, sob presso. Com o fechamento de
poros e vazios dentro do material, eleva-se acentuadamente a condutividade trmica e a rigidez
dieltrica e reduz-se higroscopia, o que beneficia ainda mais as caractersticas do isolante
impregnado.
Uma vez impregnado, o verniz seco em estufa, eliminado-se o solvente. Essa
eliminao pode eventualemente ser feita ao ar livre, sem estufa; observa-se, entretanto, que
vernizes que secam ao ar livre apresentam geralmente elevado grau de envelhecimento.
Alm da melhoria das propriedades eltricas e trmicas, observa-se tambm uma
melhoria das propriedades mecnicas, uma vez que, com a complementao do volume por um
material slido, a transferncia de tenses mecnicas se faz em toda a seo aplicada, o que reduz
a concentrao de esforos e eleva os valores que podem ser aplicados.

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Materiais Eltricos 86

Vernizes de recobrimento
Se destinam a formar sobre o material slido de base, uma camada de elevada resistncia
mecnica, lisa, e prova de umidade e com aparncia brilhante. Sua aplicao, assim
especialmente necessria em corpos isolantes porosos e fibrosos, bem como na cobertura de
matais (fios esmaltados). No caso particular de seu uso com isolantes porosos e fibrosos a sua
ao se faz sentir por uma elevao da resistncia superficial de descarga e conseqente tenso de
descarga externa.
Eleva-se a resistncia penetrao de umidade, apesar de que, para proteger neste
sentido, o isolamento tambm deveria ser impregnado, pois qualquer fissura ou remoo da
camada de verniz de cobertura pode colocar o isolamento em perigo. Sendo a superfcie lisa,
torna-se mais difcil a deposio de poeiras e outros detritos, alm de facilitar a limpeza.
Vernizes de colagem
Diversos isolantes quando purificados, perdem consistncia devido eliminao de
materiais de colagem entre suas diversas pores. Em outros casos, o prprio isolamento, em
geral sinttico, no apresenta a necessria consistncia ou coeficiente de atrito, para permitir seu
uso em eletricidade. Como exemplo do primeiro caso, podemos citar a mica, que ao ser
purificada, se desmancha grande nmero de pequenas lminas, sem possibilidade de se formar um
slido de dimenses definidas e fixas. Outro caso, como exemplo da segunda hiptese, o da
fibra de vidro. As fibras em si so lisas, no se estabelecendo entre elas, mesmo formando um
tecido, a necessria consistncia para que o tecido de fibra de vidro possa ser usado tecnicamente
na rea eltrica.
Note-se que, em ambos os casos, no se trata da necessidade de um verniz que se
impregne no slido, pois os slidos em si so bastante compactos; por outro lado, tambm no
o caso de um recobrimento. Portanto, nessas condies, o necessrio um verniz que cole entre
si as diversas partes do isolamento: o verniz de colagem.
Uma outra aplicao desse tipo de verniz tambm a colagem de isolantes sobre metais.
Distinguem-se tais vernizes por baixa higroscopia e boas caractersticas isolantes.
Na prtica, uma verniz no apresenta unicamente uma dessas propriedades. Todos eles
possuem uma certa predominncia de alguma das trs propriedades indicadas, vindo porm
acompanhadas de mais ou duas outras propriedades.

4.3.4 Isolantes Slidos


Isolantes fibrosos
Fibras isolantes podem ser orgnicas e inorgnicas. As orgnicas mais encontradas so a
celulose, o papel, o algodo, a seda e outras fibras sintticas ou naturais. J as inorgnicas so
representadas sobretudo pelo amianto e fibra de vidro.

O papel
A matria-prima bsica do papel a celulose. Uma celulose praticamente pura obtida a
partir do algodo, sobretudo usando aquelas fibras que no so usadas para finalidades txteis.
Entretanto, a maior parte da celulose provm de rvores, de mais diferentes tipos.
muito freqente at os dias atuais o uso de papel para finalidades eltricas, sobretudo
devido grande flexibilidade, capacidade de obteno em espessuras pequenas, preo geralmente
razovel e estabilidade trmica em torno de 100oC, o que tambm razovel. O maior problema
Materiais Eltricos 87

do papel est em sua elevada higroscopia, o que condiciona seu uso na eletrotcnica e uma
impregnao adequada com leos ou resinas.
Essa elevada higroscopia conseqncia da disposio irregular e cruzada das fibras,
deixando grande nmero de aberturas ou interstcios no seu interior, que na impregnao, so
ocupados por isolante adequado. Geralmente apenas 40% do volume do papel de fibras, o
restante so espaos livres.
Alm das favorveis propriedades eltricas do papel, ele se destaca por uma elevada
resistncia mecnica, tanto ao longo da fibra quando transversalmente. Esse comportamento
importante, por exemplo, no uso do papel como isolante de cabos, onde, tanto na fabricao
quanto no uso, os papis ficam sujeitos a acentuados esforos de trao e de compresso, quando
o cabo tracionado e dobrado. A trao mais acentuada durante a prpria aplicao do papel
como camada isolante sobre o material condutor. Nesse processo, aplica-se uma acentuada fora
de trao, para se evitar ao mximo a existncia de bolhas de ar entre o condutor e o papel e entre
as camadas de papel entre si.
O papel tambm permite um dobramento acentuado sem quebrar suas fibras,
caracterstica importante quando o dimetro da pea a ser isolada pequeno ou quando existem
ngulos de pequeno valor.
O comportamento trmico do papel outro aspecto. Nesse sentido, a propriedade de
suportar ou no certos nveis de temperatura depende acentuadamente da natureza da fibra.
Celulose sulfitada no pode ser solicitada, por exemplo, a 100oC por um tempo razoavelmente
longo, ao contrrio de celulose sulfatada, que no apresenta maior modificao de propriedades
quando exposta a 100oC, durante uma semana. O envelhecimento da fibra desse papel de celulose
ainda mnimo a 120oC se forem aplicados durante 48 horas, ou 135oC durante algumas horas.
Acima desses valores, procede-se uma modificao molecular da celulose devido ao do vapor
de gua e de outros gases prejudiciais.
Pelas razes expostas, um papel ao ser utilizado eletricamente, deve ser seco a vcuo,
quando ento fica livre da umidade que penetra no material durante o seu prprio manuseio na
fabricao das camadas isolantes.
Papis so utilizados ainda hoje em grande nmero de casos, apesar de ser um produto
em uso desde longa data e dos problemas e cuidados que devem ser tomados. Observa-se porm,
que a tendncia substitu-lo por materiais fibrosos sintticos, que permanentemente esto sendo
desenvolvidos e produzidos.
O papel na forma mais simples isola espiras de fios, caso em que vem impregnado com
leo ou vernizes. Este basicamente o caso de capacitores, onde o papel isola entre si as placas
condutoras.
Em outra forma, o papel que flexvel por natureza, impregnado com verniz que ao
secar, se torna rgido; o caso de placas usadas como base de suporte de outros componentes ou
mesmo como separadores dieltricos, no caso de barramentos ou de base de suporte de ncleos
de transformadores ou dos enrolamentos de motor, dentro da ranhura.
Fibras Sintticas
Grande parte dos produtos fibrosos naturais, como o algodo e a seda natural, esto
sendo sistematicamente substitudos por fibras sintticas, de variedade cada vez maior, sempre
que o preo e suas propriedades justificarem essa substituio. Em uma primeira fase, a seda
artificial encontrou aplicao; hoje porm, j substituda por fibra de vidro ou fibras de poliamida
ou outros sintticos. Esses materiais, em geral, melhoraram as caractersticas eltricas, mecnicas

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Materiais Eltricos 88

e qumicas (envelhecimento) dos produtos em que so usados, sempre que uma produo em
grande escala se justificar, para poder economicamente competir com as fibras existentes.
Diversos poderiam ser os produtos aqui mencionados. Vamos, porm, nos limitar aos
dois exemplos dados a seguir.
Fibras de poliamida
So fibras usadas freqentemente como reforos mecnicos de cabos de utilizao
especial, sempre que as condies de uso exigem um material resistente ao do fogo, elevada
flexibilidade e capaz de suportar elevados esforos de trao.
Sendo fibras sintticas, por natureza de massa compacta e no porosa como as fibras de
celulose e, alm disso, tendo em geral uma superfcie externa lisa, com baixo coeficiente de atrito,
torna-se imprescindvel a aplicao de um verniz de colagem, capaz de conferir ao tecido assim
fabricado, a necessria consistncia mecnica, o que, por sua vez, garante manter a continuidade
de uma camada eltrica isolante.
Essas fibras so manufaturadas e consumidas em forma de fitas isolantes, que suportam
at 2000 kgf/cm2, com espessura em torno de 0,5 a 1,5 mm.
Fibras de vidro
Derivada do vidro isolante, a fibra de vidro obtida com espessura de 5 a 10 m
(micrometros). A matria-prima deve ser vidro livre de lcalis, para evitar o aparecimento de
fissuras capilares tendentes a reter a umidade, prejudicando assim a propriedade de resistncia
superficial. Logo aps sua fabricao, recomenda-se envolver a fibra de vidro com uma camada
protetora contra ao do ambiente.
A fibra de vidro se carateriza por uma estabilidade trmica sensivelmente mais elevada
do que a de outras fibras. Por essa razo, fibras de vidro adequadamente associadas a resinas da
famlia dos epoxes, so freqentemente encontradas quando se trata de utilizar um material
isolante capaz de suportar temperaturas de 200-300oC ou mais. Casos tpicos so as cmaras de
extino do arco voltaico, sobretudo em disjuntores de mdia e alta-tenso com reduzido volume
de leo. A exemplo dos comentrios anteriormente feitos para a fibra de poliamida, a fibra de
vidro tambm necessita um tratamento com verniz de colagem, para fornecer produtos eltrica e
mecanicamente adequados.

Materiais Cermicos
Rene-se sob a designao de cermicas um grupo de materiais de elevado ponto de
fuso, que em geral, so manufaturados a frio na forma plstica e que sofrem processos de
queima at temperaturas de 2000oC. Apenas aps a queima, o material adquire as caractersticas
que permitem seu uso tcnico. Cermicas so matrias-primas de uso bastante antigo,
inicialmente apenas como utenslio domstico, mas at hoje com utilizao eltrica bastante
importante.
As matrias primas mais importantes so o quartzo, o feldspato, o caolim e a argila,
havendo ainda uma srie de aditivos em menor porcentagem mas de influncia sensvel no
produto resultante. O caolim formado de microcristais do tipo folheado, resultante da
composio de granito e feldspato, devido ao da gua, cido carbnico e outros gases cidos.
Materiais cermicos se caracterizam geralmente pelo preo baixo, por um processo de
fabricao relativamente simples, e devido s caractersticas eltricas, trmicas e fsicas vantajosas
que podem apresentar, quando o processo de fabricao bem cuidado.
Materiais Eltricos 89

Os componentes bsicos mencionados tm, cada um, sua influncia predominante no


aspecto trmico, mecnico ou dieltrico. Assim, fazendo-se a anlise em termos gerais, tem-se:
a) aspecto trmico - o componente que influi termicamente o quartzo; portanto, quanto maior
sua porcentagem, maior a temperatura suportada por essa porcelana;
b) aspecto dieltrico - o feldspato o componente que define o comportamento isolante, ou seja,
os valores de rigidez dieltrica, o fator de perdas, etc;
c) aspecto mecnico - a exemplo da grande maioria dos demais materiais isolantes, os esforos
melhor suportados pelos mesmos, so os de compresso, apresentando perante essas
solicitaes, valores dez vezes superiores aos de trao. Esses valores so conseqncia da
porcentagem de argila e caolim presentes na massa cermica.
Os trs grupos mencionados compem basicamente uma porcelana, sem prejuzo de
acrscimos outros bastante importantes mas de porcentagem menor. Portanto, para o preparo da
massa a ser trabalhada, deve-se estabelecer primeiramente a aplicao que a porcelana ter, para
ento, em funo das condies eltricas ou dieltricas, mecnicas e trmicas que o material deve
suportar, estabelecer a porcentagem de cada um. Essa composio representada graficamente
no tringulo de composio, indicado na Fig. (4.5).

Figura 4.5 - Tringulo de composio da porcelana


Caolim + argila: propriedade mecnicas.
feldspato: propriedades eltricas
quartzo: propriedades trmicas
Exemplo: Ponto A: 20% caolim + argila
40% feldspato
40% quartzo.

A porcelana, at aqui referida, apenas um exemplo de produto cermico, apesar de


que, em tese, o processo de fabricao dos demais semelhante, variando apenas a composio.
Condensado na Tab. (4.3), podemos destacar os produtos relacionados a seguir:

1. Porcelana de isoladores Destinada a fabricao de isoladores de baixa, mdia e alta-tenso,


para redes eltricas, dispositivos de comando, transformadores, etc. Deve apresentar
comportamentos eltrico e mecnico adequado.
2. Cermica de capacitores. Distingue-se pela elevada constante dieltrica, aplicando-se em
capacitores de baixa e alta-tenso. No so solicitados por esforos mecnicos elevados.
3. Cermica porosa. Prprios para receber fios resistivos destinados fabricao de resistores de
fornos eltricos e de cmaras de extino.

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Tabela 4.3 - Classificao de materiais isolantes cermicos de acordo com suas fases cristalinas
Nomes Componentes Composio Principais caratersticas
Principais qumica

Porcelana de Argila 3 Al2O3 Pequeno coeficiente linear de


dilatao.
isoladores Caolim 2 SiO2
Quartzo
Feldspato
Porcelana de Argila 3 Al2O3 Pequeno coeficiente de dilatao e
alta Caolim 2 SiO2 baixas perdas dieltricas.
freqncia Brio -------------------------------------

BaOAl2O3.
. 2SiO2
Ultraporcelana Argila 3 Al2O3 Elevada resistncia mecnica
Caolim 2 SiO2 Baixas perdas dielticas.
Esteatite Talco MgO.SiO2 Elevada resistncia mecnica
Argila e Baixas perdas dieltricas
Magnesita 2 MgO.SiO2 Baixo coeficiente de dilatao
e
2 MgO.2Al2O3.
. . 5SiO2
Titanatos Dixido de TiO2 Elevada constante dieltrica
Titnio Coeficiente de temperatura negativo.
Dixido de CaTiO3 Elevada constante dieltrica
Titnio e Coeficiente de temperatura negativo.
Calcita
Titanato de TiO2 . ZrO2 Coeficiente de temperatura
zircnio praticamente igual zero.
Titanato de BaO.4TiO2 Coeficiente de temperatura
brio e praticamente igual a zero
BaO.5TiO2
Titanato de Mg TiO3 Coeficiente de temperatura positivo
magnsio prximo a zero.
Materiais Eltricos 91

Vidro
O vidro a soluo mais moderna para diversos problemas anteriormente s resolvidos
com porcelana, e que hoje j encontram tambm solues mediante o uso de resinas (epoxe) e
aglomerados de resina com borrracha. O vidro encontrado em duas formas: a normal e a
temperada.
Seguindo a classificao do material segundo seu estado fsico, o vidro includo tanto
no estado slido quanto no lquido, uma vez que sua forma estrutura e as leis da deformao que
obedece so as prprias do estado lquido, enquanto que a sua forma estvel o classifica como
slido. O estado vtreo particular de uma longa srie de produtos orgnicos e inorgnicos,
incluindo-se nesta ltima o produto que tecnicamente conhecemos por vidro.
O vidro basicamente composto de xido de silcio e de boro, nas formas SiO2 e B2O3;
acrescentam-se a esses dois uma grande srie de aditivos, tais como os xidos alcalinos K2O e
Na2O, que influem sobretudo no valor da temperatura de fuso do material Vidros tcnicos
normais, dependendo das porcentagens x, y, e z de cada um. apresentam-se, assim, como
composio do tipo xNa2O-yCaO.zSiO2 (vidro de sdio) ou xK2O-yCaO.zSiO2. Outros aditivos,
geralmente ainda na forma de xidos, so o magnsio, o zinco, o antimnio, o chumbo e outros.
Assim os vidros so classificados em um dos grupos dados a seguir:
1. Vidros sdio-clcicos, com a frmula bsica Na2O.CaO.6SiO2. com pequenos acrscimos de
Al2O3, BaO, MgO e outros. So empregados em vidraas, garrafas e outros casos no-
eltricos. Apresentam baixo ponto de fuso
2. Vidros clcio-clcicos com frmula K2O.CaO.6SiO2, apresentando alto ponto de fuso e boa
resistncia qumica.
3. Vidros de clcio-chumbo, com frmula K2O-PbO.6SiO2 e acrscimos do tipo CaO e BaO.
Tem baixo ponto de fuso, apresentam elevado ndice de refrao perante a luz. Seu uso
encontrado em vidro ptico e cristal de chumbo.
4. Vidro de silicato de boro e alumnio, com acrscimos de sdio (Na2O), brio (BaO), clcio
(CaO) e outros. Apresentam bom comportamento qumico e trmico. So apropriados para
termmetros e finalidades qumicas diversas.
5. Espcies, como por exemplo, vidro de quartzo que deixa passar as radiaes ultravioletas e
insensvel a variaes de temperatura.
Sendo um produto resultante de composio porcentual varivel, diversos componentes,
variam suas caractersticas em funo dessa composio. Tambm tratamentos trmicos
posteriores (tmpera) influem acentuadamente em particular no que se refere a suas caractersticas
mecnicas, podendo-se, porm caracterizar o vidro sob os aspectos vistos a seguir.
1. Suportar temperaturas elevadas - a temperatura de servio normal se localiza em torno de 200-
250oC, ocupando assim posio dentro do grupo dos isolantes de elevada estabilidade trmica.
2. Peso especfico relativamente baixo, apresentando, em geral, valor em torno de 2,5g/cm3,
dependendo, porm, da composio.
3. Permite um tratamento trmico que eleva em muito as suas propiredades mecnicas. A
tmpera do vidro adquire importncia particular nas rea dos isolantes, tipo disco e pedestal,
devido presena de esforos mecnicos acentuados.
4. Possui elevada estabilidade trmica. Entende-se por estabilidade trmica, o comportamento do
material em suportar bruscas variaes de temperatura. Esse comportamento funo do
coeficiente linear de dilatao, da condutividade trmica e da resistncia mecnica.

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5. Geralmente possui acentuada estabilidade perante a umidade, dependendo porm de sua


composio. Sendo freqentemente um silicato, e tendo o silcio a propriedade de ser repelente
gua, justifica-se esta propriedade. Quando se eleva a porcentagem de materiais alcalinos,
observa-se uma reduo dessa propriedade. Atinge-se uma situao em que, no caso de vidros
compostos apenas de Na2O ou K2o, e perante elevao de presso e temperatura, o vidro se
torna totalmente solvel em gua.
Apresenta elevadas perdas dieltricas, de modo geral, que ainda se elevam com elevao
de temperatura. Essa propriedade torna pouco recomendvel o uso do vidro perante freqncia
elevadas, pois poder ocorrer destruio trmica. O valor das perdas depende de sua composio,
notando-se uma reduo das mesmas na presena de xido de metais pesados ou xido de clcio.

Minerais

Mica
A mica um mineral cristalino, que se apresenta em forma de pequenas lamelas ou
lminas, devido baixa fora de coeso entre os diversos planos cristalinos. Em termos de
composio qumica, a mica um silicato de alumnio. Dos diversos tipos de mica existentes, dois
tm aplicao eltrica mais freqente, a muscovita que tem a composio
K2O.3Al2O3.6SiO2.2H2O, e a flogopita com a frmula K2O.3Al2O3.12MgO.12 SiO2.2H2O.
Caracteriza-se pelas propriedades enunciadas a seguir.
1. encontrado com relativa facilidade, o que faz desse isolante um dos mais antigos em uso. Na
forma natural, se mantm em camadas facilmente divisveis, permitindo obter lminas ou
lamelas de pequena espessura. No estado natural ainda, encontrado associado a xidos
metlicos, que precisam ser eliminados antes da utilizao eltrica, por meio de purificao.
2. Na purificao com eliminao conseqente das impurezas, elimina-se tambm material de
ligao entre as lminas de mica, ficando o material sem meio aderente. Esse meio restitudo
mica em sua aplicao, atravs de um verniz de colagem. Por vezes, alm do verniz, a mica
recebe um esforo mecnico atravs de uma base de papel ou de tecido. Resulta, assim um
produto conhecido comercialmente por micanite, onde a porcentagem de verniz de colagem
atinge at 25% do volume; em geral, porm esse valor se situa em torno dos 5% do volume.
3. O produto da mica com verniz pode ser rgido ou flexvel, dependendo das caractersticas do
verniz usado. Vernizes rgidos do como resultado produtos rgidos.
4. A mica um dos produtos de mais elevada estabilidade trmica e maior temperatura de
servio, atingindo valores de at 1000oC. Como tal, usado em numerosos casos de
aquecimento eltrico. Sendo o produto de mica uma mistura de mica com verniz, a
temperatura mxima admissvel vai depender tambm do limite de temperatura do verniz, e que
ainda se encontra em valores mais baixos. Assim, apesar de permitir uma temperatura muito
alta, os produtos de mica tm sua temperatura limitada pelo valor mximo admissvel tolerado
pela resina do verniz.
5. Bom comportamento mecnico: a mica apresenta valores de resistncia trao e
compresso bastante altos: , entretanto, sensvel perante a flexo, o que faz da mica um
material quebradio no seu estado puro e em plaquetas grandes.
6. Apresenta timas caractersticas eltricas, variando esses valores com a espessura e a
temperatura.
7. A mica usada na forma de grandes lminas, lamelas e p, sempre reforada por material de
base e impregnado com vernizes, se assim se fizer necessrio, para o seu uso correto.
Materiais Eltricos 93

8. A mica relativamente higroscpica, devido sua estrutura lamelar.


9. A cor da mica informa sobre sua qualidade. Essa colorao sobretudo devido presena de
impurezas de difcil eliminao, de modo que, quanto mais incolor a mica, melhor a sua
qualidade. As cores geralmente encontradas so o amarelo, o esverdeado e o avermelhado.
Partindo da mica no estado puro, tm-se os produtos enunciados a seguir.
1. Placas de mica. So camadas com espessura superior a 0,05 mm, usados em equipamentos e
componentes eltricos estticos, como, por exemplo, em alguns tipos de capacitores,
atualmente pouco freqentes. Essas placas de mica so tambm usadas para aparelhos
trmicos, tais como, aquecedores e ferros eltricos, onde um fio de aquecimento envolto por
placas de mica.
2. Lamelas ou lminas de mica. Nesses casos, que so os mais comuns, a mica no apresenta
forma prpria, necessitando de aglomerante, e, eventualmente, tambm de um material de
base. As lamelas de mica so coladas entre si, formando fitas, chapas, tubos, etc., de acordo
com a necessidade. Incluem-se nesse caso, canaletas de papel, mica e verniz de colagem,
usados para isolar ranhuras de mquinas, ou a isolao entre as lminas de um coletor.
3. P de mica, obtido por moagem de lamelas. Esse p de mica pode ser usado como aditivo a
outras massas e ps, ou, seno, na forma combinada com verniz de colagem, ser prensado em
moldes, dando origem a peas de micanite.
Em todos os casos mencionados, seja devido relativa higroscopia, seja por causa da
necessidade de certas propriedades mecnicas no seu uso, a mica geralmente associada a
vernizes, e outros isolantes.
Assim, as caractersticas da mica pura no tm o mesmo significado como as de sua
forma combinada. Assim, a rigidez dieltrica normalmente encontrada varia de 15 a 20kV/mm,
havendo, porm casos em que atinge 40kV/mm.
No resta dvida de que, nas aplicaes eltricas, a forma composta de mica, conhecida
por micanite, a mais importante, devido grande variedade de produtos da resultantes. A
micanite encontrada em fitas e em placas, na forma flexvel e rgida, em diversos tamanhos. E
existncia, em nmero cada vez maior, de resinas e, conseqentemente, de vernizes, confere
micanite papel de destaque entre os isolantes eltricos.
Enquanto a micanite basicamente formada de lamelas, o produto usando p de mica,
por vezes conhecido por micalex, tambm tem ampla faixa de uso. O micalex rgido, composto
de p de mica e vidro de baixo ponto de fuso.
Amianto
um material mineral fibroso, com brilho de seda, flexvel, resultante da transformao
de silicato de magnsio. A estrutura fsica explicada pela forma cristalina que apresenta.
Conforme se sabe, silicatos se apresentam numa estrutura tetradrica de ons de SiO4. Nos cantos
dos tetraedros se encontra o tomo de oxignio; no centro, o tomo de silcio. Comparando com
a mica, cuja estrutura tetradrica o tipo plano, no amianto essa estrutura de tubos. Essas
cadeias so em seguida ligadas entre si por ons de magnsio, formando os cristais de amianto.
Dessa ligaes, as de Si-O-Si so particularmente fortes, sendo as de Mg-O-Mg menos
resistentes. Por essa razo, os cristais de amianto permitem uma diviso em filetes ou tubos. O
amianto encontrado na natureza dentro de pedras, em filetes, com espessura varivel desde
fiao de milmetros at alguns centmetros. Quanto maior o seu comprimento, maior o valor do
produto.

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O amianto se destaca pela estabilidade trmica e alta temperatura de servio, mantendo


sua resistncia mecnica e flexbilidade praticamente inalteradas perante temperaturas em que
fibras orgnicas j esto sendo destrudas.
Na sua estrutura, que 3MgO.2SiO2.2H2O; na forma mais comum, a gua libertada
apenas perante 300 a 400oC, a partir da qual perde acentuadamente as suas propriedades
mecnicas. A sua temperatura de fuso cerca de 3 a 4 vezes mais elevada.
Suporta elevados esforos mecnicos, que se localizam numa taxa de toro de
350kgf/cm2, em mdia.
Apresenta higroscopia relativamente elevada, o que faz com que seja usado eletricamente
com a devida impregnao com resinas, leos ou massas isolantes. Dessa propriedade e da
respectiva impregnao vo depender as caractersticas finais.
O amianto costuma vir acompanhado de impurezas, particularmente ferrosas, sendo, em
especial, acentuada a influncia negativa do Fe2O4. Essas impurezas so eliminadas por meio de
cidos.
O amianto usado nas formas enunciadas a seguir.
I. P. O p de amianto , em geral, o resultado da decomposio de fios muito curtos, que alis
so os mais freqentes. Esse p usado de diversas maneiras, como por exemplo.
a) recebendo como aditivo um verniz e aplicando a massa sobre papel isolante; o produto assim
obtido repelente gua, de elevada estabilidade trmica e resistente a cidos, lcalis e
solventes orgnicos (com exceo do benzol e seus derivados);
b) preenchimento de fusveis do tipo encapsulado, atuando como elemento extintor, em
substituio areia (que tambm um silicato).

Tabela 4.4 - Caractersticas de Materiais Isolantes

II. Fibras e respectivos tecidos. Nesta forma, obtm-se fitas, simples e combinadas com papis,
devidamente aglutinadas por meio de um verniz de colagem. Comparativamente com fitas
orgnicas, as de amianto so duras, grossas e mal-acabadas. Por vezes, opta-se por uma
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mistura de fibras de amianto com fibras orgnicas, para se obter um tecido mais flexvel e que
mesmo assim ainda se destaque por um bom comportamento trmico. Mais recentemente, tem-
se usado tambm a fibra de amianto misturada com a fibra de vidro. Para algumas aplicaes
eltricas especiais, usa-se o cimento de amianto, que substitui com vantagem mrmores e
produtos semelhantes. Nesse caso, fibras de amianto so misturadas com cimento e gua,
prensando-se a massa nas dimenses desejadas. Devido a elevada higroscopia, necessrio
aplicar verniz. O cimento endurece e se liga rigidamente s fibras. Esse cimento, assim obtido,
suporta bem o calor e elevadas solicitaes mecnicas, o que leva a seu uso como base de
chaves de manobra, cmaras de extino do arco voltaico e paredes de separao de fase.

Materiais da Classe da Borracha


Fundamentalmente podemos diferenciar entre borrachas naturais e artificiais ou
sintticas.
A borracha natural obtida a partir do ltex, que o lquido retirado de certas plantas, e
que, para seu uso industrial, sofre um tratamento com enxofre e outros aditivos, dando origem
vulcanizao da borracha. Entretanto, com o desenvolvimento de borrachas sintticas, a borracha
natural perdeu sua importncia, sendo que, para as aplicaes eltricas, so vlidas, hoje,
praticamente apenas as borrachas sintticas.
A borracha sinttica se desenvolveu sobretudo no sentido de resolver alguns crticos da
borracha natural, enumerados a seguir.
Rpido envelhecimento - a borracha natural se torna dura e quebradia.
extremamente sensvel gasolina e ao leo, inchando acentuadamente.
atacado pelo cobre e pelo mangans. Particularmente, quanto ao enxofre presente na
borracha, este desencadeia uma reao inadmissvel para finalidades eltricas. Lembrando o
grande nmero de condutores em que se usa o cobre, j salta de imediato a importncia dessa
observao. A soluo prtica que se tem usado nesse caso a estanhagem do condutor de
cobre.
No permite temperaturas de servio acima de 75oC. Acima desse valor, a borracha perde sua
elasticidade.
tambm sensvel ao dos raios solares e da ozona.
A borracha sinttica tem como elemento bsico o isopreno, que foi substiudo
posteriormente pelo butadieno (bu), usando-se como catalisador o sdio (Na). Da o fato de uma
das primeiras borrachas sintticas receber o nome de buna. Esse processo j sofreu um srie de
modificaes, adequando-se s novas observaes e descobertas feitas. Por meio de mtodos
adequados, esse mistura plastificada, atravs de oxidantes e da elevao de temperatura.
As propriedades dos produtos prontos dependem acentuadamente do processo de
preparo, aditivos plastificantes e outros materiais presentes. Com isso, podem ser adaptados s
exigncias que so feitas, inclusive preparando uma camada ou um tubo de borracha sinttica com
materiais diferentes na parte interna e na externa.
Observa-se, como regra geral, as borrachas sintticas so inferiores s naturais, no que se
refere aos reforos admissveis de trao; entretanto, so sensivelmente melhores quanto ao
envelhecimento, estabilidade trmica, resistncia perante agentes qumicos e perante ozona, e
mais resistentes abraso.
Entre as borrachas artificiais, que pertencem ao grupo termofixos, destacam-se as
conhecidas por EPR (borracha de etileno-propileno), o neoprene e a borracha butlica.

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O neoprene obtido por polimerizao do clorobutadieno, que apresenta elevada


velocidade de reao devido presena do cloro. Resultam, assim cadeias de tomos
intensamente interligados, de difcil manuseio. Esse produto, mediante o acrscimo de certos
produtos, se transforma no que se chama de neoprene, que recebe tambm estabilizadores de
reao, para evitar usa modificao perante a temperatura ambiente. Nesse estado, o neoprene se
apresenta como uma massa dura, mal-cheirosa e escura, que no inflamvel. Aquecido a 60oC,
perante uma compresso, a massa amolece e permite facilmente sua aplicao.
Apresenta a vantagem de no precisar de enxofre para sua polimerizao, bastando
aquec-la a 130-170oC.
O enxofre, porm apresenta problemas de ordem qumica com o cobre; melhora no
entanto as propriedades fsicas da borracha e evita endurecimentos futuros do produto acabado.
O neoprene suporta 120oC e mais, apresentando, assim, uma estabilidade trmica e
temperatura de servio superior da borracha natural. Suporta tambm a gasolina e o leo. A
resistncia trao um pouco inferior da borracha natural, sendo tambm inferior em
elasticidade.
As propriedades eltricas tambm no so as melhores, devido aos tomos de cloro, que
so grupos polares. Por essa razo, o neoprene tem importante aplicao como capa externa de
cabos, mas no como isolamento dos mesmos.
A borracha butlica, que substitui com vantagens a borracha natural, tambm sob ponto
de vista eltrico, se apresenta com grande flexibilidade, boa resistncia contra agentes qumicos e,
assim, baixo envelhecimento. A presena de enxofre, que d ao material uma maior estabilidade,
cria porm um problema em contato com o cobre, com o qual reage. Por essa razo, os
condutores isolados eletricamente com borracha butlica, devem ser estanhados. Sua temperatura
limite de servio menor que a do neoprene, no devendo ultrapassar 80oC (max. 85oC).
A borracha de etileno-propileno (abreviamente EPR, ethylene propylene rubber),
atualmente a borracha mais moderna e de melhores caractersticas. Esse material termofixo
apresenta uma rigidez dieltrica levemente superior borracha butlica, inferior porm ao

polietileno reticulado, que um plstico tambm termofixo, com caractersticas bem semelhantes
ao EPR. Apresenta baixo fator de perdas e valor de constante dieltrica intermediria. Suporta
temperaturas at 90oC em regime permanente. Quimicamente, o EPR excelente perante a ao
da ozona, e aos agentes qumicos presentes no ar.

4.4 - Aplicaes
(Seminrios e visitas na parte de laboratrio)

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