Livro Eletronica Analogica

continua a ser feito. Bicicletas após bicicletas.
Eu ainda
pedalo, estudo e analiso cada tecnologia que está ao meu
alcance, sempre tentando entender o porquê de cada
material, formato, alinhamento, tecnologia etc. Analiso,
também, cada relação de transmissão entre diferentes
marchas para decidir qual a melhor para cada situação,
desempenho, distância, velocidade, grau de exigência,
massa, tempo de manutenção, tipos de lubrificantes, ti-
pos de terreno etc., com gráficos e projeções que podem
responder à muitas perguntas sobre minha prática no
ciclismo e Engenharia das bikes.
Gosto de afirmar que quando pedalo meus pensamentos
atingem um nível mais elevado e passo a raciocinar de
maneira mais criativa. Na estrada, somos todos iguais,
pois estamos sujeitos às mesmas dificuldades, afinal, su-
bida é subida, não importa qual é o seu equipamento, vai
ter que se esforçar para vencer aquele desafio e, a cada
morro escalado, uma vitória é somada. Naquele ambiente,
resta apenas a humildade, não há espaço para mais nada.
É assim que vivo parte dos meus momentos, pedalando
e contemplando a natureza, sempre curioso para saber
como funcionam as coisas. Esforço-me para vencer as
ladeiras da vida e busco aprender a humildade, fazendo
algo de novo para melhorar a cada dia, pois a subida da
vida é implacável.
RECURSOS DE
IMERSÃO
REALIDADE AUMENTADA
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RODA DE CONVERSA
Professores especialistas e convidados, ampliando as discussões sobre os temas.
PÍLULA DE APRENDIZAGEM
Uma dose extra de conhecimento é sempre bem-vinda. Posicionando seu leitor de QRCode
sobre o código, você terá acesso aos vídeos que complementam o assunto discutido
PENSANDO JUNTOS
Ao longo do livro, você será convidado(a) a refletir, questionar e transformar. Aproveite

este momento.
EXPLORANDO IDEIAS
Com este elemento, você terá a oportunidade de explorar termos e palavras-chave do

assunto discutido, de forma mais objetiva.
EU INDICO
Enquanto estuda, você pode acessar conteúdos online que ampliaram a discussão sobre
os assuntos de maneira interativa usando a tecnologia a seu favor.
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PROVOCAÇÕES
INICIAIS
ELETRÔNICA ANALÓGICA
Quase tudo o que nos conecta, atualmente, ao mundo moderno utiliza eletrônica.
São diversos componentes eletrônicos que combinados formam os mais complexos
e fantásticos circuitos que tornam a nossa vida, cada vez melhor, seja pela aproxima-
ção das pessoas, por meio de um dispositivo de smartphone ou pela capacidade de
realizar diagnósticos médicos, com o uso de equipamentos de ressonância magnética,
raios x etc.
A Eletrônica está presente nos mais diversos seguimentos, seja na área da saúde,
em equipamentos voltados ao suporte à vida, em UTIs e clínicas, nos aparelhos de
telecomunicações, em rádios e televisores, em aplicações militares, na aeronáutica
ou em pesquisas espaciais.
Com tantas tecnologias ao seu alcance, você sabe como funciona o LED utilizado para
indicar o estado de funcionamento de um dispositivo eletrônico? Ou como é possível
carregar a bateria do seu smartphone, em corrente contínua, se a tensão da rede em
nossas casas é dada em corrente alternada?
O entendimento do funcionamento dos semicondutores é necessário para a com-

preensão dos princípios funcionais da maior parte dos equipamentos que utilizamos,
na atualidade. Por isso, neste livro, estudaremos o funcionamento dos semicondutores,
utilizados na fabricação dos principais componentes eletrônicos, e suas aplicações.
Estas contribuem para o funcionamento dos dispositivos responsáveis pelo conforto,
em nossa vida, na atualidade.
Os semicondutores são estruturas com arquitetura tetravalente, pois são constituí-

dos de elementos com quatro elétrons em suas camadas de valência, por exemplo,
o Silício que combinado com outros elementos, com mais ou com menos elétrons,
permite a formação de outros elementos que manifestam cargas do tipo “n” ou do
tipo “p” em maior concentração.
A formação de pastilhas com portadores majoritários do tipo “n” ou do tipo “p” e
suas respectivas junções dá origem aos dispositivos conhecidos como diodos, aos
transístores, aos tiristores, aos circuitos integrados. Esses componentes são capazes
de retificar os sinais alternados, amplificar sinais, controlar a velocidade e a potência
de motores, processar e armazenar dados etc.
Com base em nosso aprendizado até o momento, realizaremos uma análise das prin-
cipais aplicações da eletrônica analógica conhecidas por você. Desse modo, realize
uma observação em torno do seu ambiente de trabalho ou em sua casa e liste 20
equipamentos eletrônicos que utilizam semicondutores, desde eletrodomésticos até
equipamentos industriais. Depois, relacione a tensão de alimentação de cada um ao
seu consumo de potência.
Com o uso dos semicondutores, as indústrias tiveram a possibilidade de fabricar

equipamentos menores, mais leves e com consumo de energia muitas vezes menor,
com maior eficiência, conectividade, inteligência, viabilidade e com a possibilidade de
comercialização por preços mais acessíveis. Como isso é possível? Como podemos ter
equipamentos melhores e mais baratos? Normalmente, sabemos que, para produzir
algo mais eficiente, precisamos utilizar tecnologias de custo superior, isso reflete no
valor do produto final, mas, nesse caso, o que explica este processo?
A maioria dos dispositivos que nos rodeiam são fabricados com semicondutores de
silício, e as tecnologias tiveram forte evolução, desde a década de 70 até meados dos
anos 2010. Nesta época, houve uma desaceleração do número de novas tecnologias
que utilizam o semicondutor, por conta dos limites estruturais do próprio elemento,
o que demandou a pesquisa por outros semicondutores capazes de substituí-lo, com
forte tendência para o Grafeno.
Estratégias de combinação de outros elementos e técnicas permitiram o desenvolvi-

mento de microprocessadores com múltiplos núcleos de processamento e transístores
com altíssimas tensões de trabalho, lançados, ainda, em 2020, como uma inovação
à utilização do silício. De toda forma, o que leva um equipamento a ser menor, mais
leve, mais barato e mais eficiente? A resposta é intrigante e remete a uma palavra:
frequência.
PROVOCAÇÕES
INICIAIS
Com o advento das novas tecnologias relacionadas aos materiais utilizados na fa-
bricação de componentes magnéticos e semicondutores, com maior capacidade de
integração, a transferência de potência se tornou muito mais eficiente, operando em
curvas de saturação que, antes, eram da ordem de 50 kHz e, agora, passam a mais
de 500 kHz.
Quanto maior a frequência, menor é a área de secção magnética do núcleo de um

transformador. Isso possibilita o uso de elementos magnéticos cada vez menores,
mais leves e, fabricados em grandes escalas, mais baratos.
Como os elementos magnéticos dos equipamentos modernos operam em altas fre-

quências, o núcleo de seus indutores e transformadores são fabricados em ferrite,
que apresenta a curva de saturação com frequência superior e maior eficiência, per-
mitindo a fabricação de conversores com rendimento aproximado de 99% à carga
plena. Fator determinante para o aumento (necessário) da eficiência energética ou
do fator de potência em instalações.
A eletrônica analógica é um ramo da ciência que estuda o comportamento do elétron

em circuitos com componentes, como os semicondutores, resistores metálicos e de
carvão, capacitores, indutores, circuitos integrados, diodos, transístores etc.
Quando estudamos a eletrônica analógica, devemos imaginar um contexto da eletrô-

nica que se dedica ao comportamento análogo ao dos fenômenos físicos conhecidos,
por exemplo, o comportamento da temperatura ao longo de um período, que pode
assumir qualquer valor dentro de seus limites de operação ou, mesmo, um sinal de
áudio, oriundo de um microfone, e precisa ser amplificado para que sua intensidade
sonora seja projetada por um autofalante.
No ambiente de eletrônica analógica, o estudante compreenderá os circuitos com
diodos e transístores responsáveis pela retificação de sinais, em uma fonte de ali-
mentação, e o controle de potência, em sua saída, ou como se dá a amplificação de
sinais em um amplificador de áudio que opera com sinais de entrada de natureza
alternada, em um circuito alimentado com corrente contínua.
A eletrônica analógica é uma área de pesquisa que pode ser explorada pelo estudan-
te em sua própria casa, pois opera com recursos acessíveis e de fácil aquisição, fácil
entendimento e manipulação, tornando possível testes e simulações com o uso de
softwares simuladores dedicados.
Quando ligamos nossa TV e acessamos os canais captados por antenas ou quando

ligamos nosso rádio, utilizamos a eletrônica analógica, composta por componentes e
circuitos dedicados à sintonia de sinais. Nesse tipo de equipamento, os mais diferentes
circuitos de eletrônica analógica estão presentes, desde a entrada de energia elétrica
até os circuitos mais sofisticados de varredura e amplificação de áudio. Desde recep-
tores de rádio e TV até sondas espaciais e satélites dependem da eletrônica analógica
para funcionar e proporcionar os resultados que garantem a vida confortável a que
estamos acostumados.
Considerando os conhecimentos obtidos até este estágio de nossa disciplina, refleti-

remos e concluiremos a respeito de um assunto intrigante: por que temos receptores
de rádio FM em nossos smartphones, mas não temos receptores de AM, considerando
que esta faixa de rádio difusão é amplamente utilizada quando o alcance do sinal
deve ser de maior cobertura?
UNICESUMAR
Você sabe o que acontece quando o carregador de baterias do seu smartphone é inserido na tomada?
Figura 1 - Carregador de baterias

de um smartphone conectado à
rede elétrica de uma residência
Como é possível que o potencial de 100 V à 240 V (em corrente alternada) da tomada de sua residência
seja convertido em um nível de tensão de 5 V (em corrente contínua) para carregar a bateria de um
dispositivo eletrônico tão sensível?
Essa e muitas outras aplicações da eletrônica são muito comuns em equipamentos que possuem
componentes integrados, pois necessitam de alimentação de energia elétrica em potenciais pequenos,
da ordem dos 5 V, 3,3 V, 1,8 V ou, até menos, tudo isso em corrente contínua. Quem não se lembra dos
aparelhos “MP3 players”? Aqueles com a aparência semelhante ao mostrado na Figura 2. Você já parou
para se perguntar como é possível executar tantas funções com tão pouca energia?
Figura 2 - Modelo de um MP3 player
14
UNIDADE 1
Os modernos smartphones e gadgets, em geral, utilizam baterias com capacidades de armazenamento

de carga cada vez maiores e dimensões mecânicas cada vez menores, tudo isso para atender aos requi-
sitos dos dispositivos, como mostradores de grandes proporções, conectividade com protocolos de
comunicação sem fio, aplicativos etc. A necessidade de realizar a carga diária de suas baterias é iminente.
A compatibilização dos potenciais de tensão disponíveis, nas residências, de maneira segura e
controlada, é papel dos semicondutores modernos e seus circuitos conversores, capazes de transferir
a potência necessária ao trabalho de carregar as baterias; prezar por sua integridade, ciclos de carga e
descarga, tempo de vida útil e, ao mesmo tempo, respeitar critérios de segurança, no que tange à iso-
lação entre o potencial de saída em corrente contínua do potencial de entrada em corrente alternada,
oriundo da rede elétrica da concessionária.
O dispositivo da Figura 2 é composto de visor de cristal líquido (LCD - Liquid Crystal Display)
com iluminação de fundo (backlight), amplificador de áudio para os fones, memória flash para arma-
zenar os arquivos, microcontrolador para controlar o acesso à memória e todas as demais funções do
dispositivo, teclado para navegação, sintonizador FM e gravador de voz. Todas essas incríveis funções
alimentadas por uma pilha de ínfimos 1,2 V.
Isso só é capaz de funcionar graças às inovações realizadas nas tecnologias de fabricação dos com-
ponentes semicondutores eletrônicos, que podem operar com potenciais de tensão elétrica baixíssimos
e com consumo de energia quase que nulo, da ordem dos picoampères.
Analisaremos, agora, nossa realidade, listando quais são os dispositivos eletrônicos que nos atendem
e nos auxiliam na realização de nossas tarefas diárias (pelo menos 10 itens), por exemplo, telefones
celulares (smartphones ou não), computadores, relógios digitais, aparelhos de rádio e televisão, ilumi-
nação com lâmpadas LED, central de injeção eletrônica do carro/caminhão/moto etc. Para cada item
listado, associe dois atributos, classificando-os, conforme o Quadro 1.
Quadro 1 - Lista de dispositivos eletrônicos e atributos funcionais
Item Dispositivo Possui bateria interna Possui semicondutores

1 SMARTPHONE SIM SIM
2 DESKTOP NÃO SIM
3
4
5
6
7
8
9
10
Fonte: o autor.
15
UNICESUMAR
Diante dos itens listados, totalize a quantidade de dispositivos e o percentual de itens que possuem
semicondutores. Com base no estudo, conclua sobre a importância desta tecnologia em seu dia a dia
e qual seria o impacto da não oferta desses equipamentos úteis para a solução das tarefas cotidianas.
A utilização dos semicondutores em circuitos especializados, como carregadores de baterias, fontes
de alimentação para dispositivos eletrônicos, computadores, smartphones, equipamentos hospitalares,
satélites de comunicação etc., é, decididamente, imprescindível.
Não há outra tecnologia disponível em nosso tempo que possa substituir os semicondutores de
silício para imediatamente realizar as mesmas funções que nossos dispositivos realizam. Ainda há
muitas pesquisas sendo validadas para concluir a produção de novos materiais, como o grafeno, que
poderiam substituir os conhecidos semicondutores que temos até hoje, desde a era da eletromecânica,
em que as válvulas termiônicas (Figura 3) realizavam as tarefas de amplificação de sinais em trans-
missores e receptores de rádio.
Figura 3 - Válvulas termoiônicas

- os amplificadores de áudio ain-
da utilizam essa tecnologia até a
atualidade
Seja bem-vindo(a), caro(a) estudante! Esta unidade foi produzida, especialmente, para você que “respira”
a eletrônica e se identifica com o tema, em tudo o que faz. Este livro foi escrito com todo o carinho por
uma pessoa que, como você, tem grande admiração pela eletrônica e quer saber mais sobre todos os
detalhes. A partir de agora, prepare-se para entrar no mundo da Eletrônica Analógica.
A eletrônica que conhecemos na atualidade depende (quase que totalmente) do uso de semicon-
dutores, seja para a fabricação de componentes de pequeno porte, utilizados em dispositivos portáteis,
como os smartphones, gadgets e computadores, seja no processamento de potência em grande escala,
por exemplo, o controle de potência de um forno de alta temperatura ou a velocidade de deslocamento
de um elevador em um edifício.
16
UNIDADE 1
Nesta seção, estudaremos os semicondutores mais utilizados para a fabricação de componentes ele-
trônicos e suas características, o que lhes conferem tal capacidade e os distinguem dos demais materiais
da natureza e da sua aplicação nos mais diversos circuitos aplicados nos carregadores de baterias dos
dispositivos móveis, processamento de dados, conversão de sinais etc.
Antes de definir as características dos semicondutores, realizaremos uma breve abordagem dos
materiais em três famílias:
• Materiais condutores.
• Materiais semicondutores.
• Materiais isolantes.
A maneira com que cada material se comporta com relação à condução de portadores de cargas elé-
tricas define sua família, podendo o material possuir mais ou menos elétrons livres em sua estrutura
molecular, deste modo, limitando a mobilidade do fluxo de cargas.
Os materiais condutores são aqueles que apresentam a característica de conduzir os portadores
de cargas elétricas com certa facilidade, pois apresentam, normalmente, 1 elétron em sua camada de
valência que é a órbita mais afastada do núcleo do átomo, por exemplo, o cobre, a prata, o ouro etc.
(LOURENÇO; CRUZ; CHOUERI JÚNIOR, 1996). Na Figura 4, é possível observar um átomo de
cobre (Cu) e sua estrutura eletrônica.
Cobre
Massa atômica: 63.546

Configuração do elétron: 2, 8, 18, 1 Figura 4 - Átomo de cobre: 1 elétron
na camada de valência
17
UNICESUMAR
O cobre é um tipo de material condutor encontrado em maior abundância na natureza do que

os demais metais, ouro e prata, e apresenta as características de condução elétrica, rigidez e res-
posta às temperaturas favoráveis à utilização na fabricação da maioria dos condutores usados na
atualidade, seja na distribuição de energia elétrica residencial, seja na fabricação de componentes
elétricos, como transformadores e motores, conforme mostra a Figura 5, em que os condutores
de cobre são enrolados no interior do estator de um motor de indução elétrico (LOURENÇO;
CRUZ; CHOUERI JÚNIOR, 1996).
Figura 5 - Condutores de cobre no

interior de um motor elétrico
Os condutores de cobre podem formar fios, barramentos, lâminas e demais formas que permitem a
utilização em aplicações industriais e residenciais. Sua presença também está nos aparelhos eletrônicos
e pode ser visualizada, facilmente, quando observamos uma placa de circuito impresso (PCI), em que
as trilhas que conduzem a corrente elétrica normalmente são de cobre (Figura 6).
Figura 6 - Condutores de cobre: cabos elétricos, barramentos e placa de circuito impresso (PCI)
18
UNIDADE 1
Perceba que, em cada aplicação, os condutores são dimensionados de acordo com a necessidade, tendo
maiores dimensões na medida em que o valor da corrente se torna maior e mais finos, quando os sinais
têm menores intensidades, como os circuitos eletrônicos das placas dos computadores.
Agora, pensando em materiais semicondutores, tradicionalmente, conhecidos e utilizados na ele-
trônica, desde sua origem, podemos citar o Silício (Si) e o Germânio (Ge) (Figura 7). Estes, atuando no
desenvolvimento de novas tecnologias ao longo dos anos e de novos materiais, produziram soluções
para áreas de fotônica, imensamente utilizados na atualidade, quando o assunto remete às tecnologias
baseadas em luz e captura de imagens, por exemplo (GRAEME, 1995).
Silício Germânio
Massa atômica: 28.085 Massa atômica: 72.63

Configuração do elétron: 2, 8, 4 Configuração do elétron: 2, 8, 18, 4
Figura 7 - Configuração eletrônica dos semicondutores
No caso dos dispositivos aplicados à fotônica, um tipo de semicondutor muito investigado e utilizado
nos últimos anos é o Arsenieto de Gálio (GaAs), um composto químico utilizado na fabricação de
LEDs, lasers, fototransistores e outros (SZE; NG, 2007).
Figura 8 - Estrutura do GaAs: Composto utilizado na fabricação

de componentes que atuam em fotônica
19
UNICESUMAR
As características marcantes dos semicondutores citados é a presença de 4 elétrons na camada de

valência e sua capacidade de poder se misturar a outros elementos para se tornar mais ou menos
eletronegativo, ou seja, admite a mistura de outro elemento doador ou receptor de elétrons, podendo
tornar a porção de semicondutor mais positivo (tipo “p”) ou mais negativo (tipo “n”). Essa característica
é conhecida como dopagem (SEDRA; SMITH, 2012).
Um exemplo clássico é a adição de átomos de Fósforo (P) ou Boro (B) a uma pastilha de silí-
cio, podendo torná-la do tipo “p” (portadores majoritários positivos) ou do tipo “n” (portadores
majoritários negativos), dependendo da dopagem, pois os átomos de silício possuem 4 elétrons
em sua camada de valência (tetravalente), formando assim quatro ligações covalentes entre os
mesmos átomos, porém, com a mistura de outro elemento pentavalente (5 elétrons na camada
de valência) ou trivalente (3 elétrons na camada de valência), a pastilha passa a ter elétrons em
excesso ou lacunas em excesso, o que a torna do tipo “p” ou do tipo “n” (SEDRA; SMITH, 2012).
A Figura 9 mostra os átomos de Fósforo e Boro, que apresentam 5 e 3 elétrons em suas camadas
de valência, respectivamente.
Fósforo Boro
Massa atômica: 30.973 Massa atômica: 10.81

Configuração do elétron: 2, 8, 5 Configuração do elétron: 2, 3
Figura 9 - Átomos de Fósforo e Boro: configurações pentavalante e trivalente, respectivamente
Quando inserimos um átomo de Fósforo em uma estrutura composta por átomos de silício (puro), os
4 elétrons dos átomos de silício se recombinarão com quatro elétrons do átomo de fósforo, porém, um
elétron de Fósforo ficará sem ligação, desta forma, esta estrutura de silício será mais negativa e passa
a ser denominada pastilha do tipo “n”. Neste caso, afirmamos que o silício foi dopado com Fósforo
(CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
20
UNIDADE 1
Quando inserimos um átomo de Boro (que possui 3 elétrons em sua camada de valência) a uma
estrutura composta dos mesmos átomos de silício (puro), o resultado é o inverso. Como o silício possui
4 elétrons para se recombinar com o Boro, haverá o surgimento de uma lacuna do átomo de silício
sem ligação. A essa porção de silício denominamos de pastilha do tipo “p”. Neste caso, afirmamos que
o silício foi dopado com Boro (CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
Veremos mais adiante que o tipo de dopagem do Silício pode produzir como resultado variações
de cores em diferentes tipos de diodos emissores de luz (LEDs), altamente explorados na atualidade,
na fabricação de sistemas de iluminação aplicadas em diversas áreas, desde a sinalização até aplicações
médicas, espaciais e militares.
Os semicondutores são amplamente utilizados na fabricação de componentes eletrônicos miniatu-
rizados, por exemplo: diodos, transistores, tiristores, circuitos integrados (microprocessadores, micro-
controladores, circuitos lógicos, circuitos analógicos etc.). É graças a essa tecnologia que podemos ter
dispositivos tão pequenos com tantas funções de interatividade e conectividade. A Figura 10 apresenta
exemplos de diodos e transistores em seus respectivos encapsulamentos comerciais.
Figura 10 - Diodos e transistores em encapsulamentos comerciais
Os diodos e transistores são os componentes básicos na construção de circuitos integrados (CIs). Com
o passar dos anos, desde a década de 1960, os circuitos integrados (incluindo os modernos micropro-
cessadores) vêm aumentando o número de transístores em suas pastilhas até os limites de integração
do Silício (TOCCI; WIDMER, 2003).
Em 1971, um microprocessador INTEL 4004 com clock de 108 kHz tinha 2300 transistores em sua
arquitetura. Já em 2012, um microprocessador moderno de 2,9 GHz (3ª geração da Intel® Core™) tinha
cerca de 1,4 bilhão de transistores. Atualmente, este número está próximo de 7 bilhões (INTEL, [2020]).
A Tabela 1 apresenta a relação existente entre as principais tecnologias desenvolvidas pela INTEL
em microprocessadores, desde 1971 e 2012, em termos de quantidade de transistores e frequência,
que se refere ao clock do processador, que produz o ciclo de máquina, responsável por ditar o ritmo
de execução das tarefas em um computador.
21
UNIDADE 1
Perceba que, na medida em que há um aumento do número de transistores (na maior parte dos casos),
também há um aumento da frequência do clock, que influencia diretamente na velocidade de proces-
samento e execução de tarefas (TOCCI; WIDMER, 2003). A Figura 11 mostra uma pastilha de silício
de um microprocessador, antes de ser encapsulada para comercialização. Perceba a relação entre seu
tamanho e sua potencialidade em destaque na ponta de um dedo humano.
Figura 11 - Pastilha de um microprocessador comercial sem encapsulamento
Há, entretanto, inúmeras aplicações de semicondutores que serão relevantes em seções futuras, deste
livro, e que serão abordadas na sequência de nossos estudos.
Os materiais isolantes são conhecidos por isolar, eletricamente, uma superfície de outra, por exemplo,
a camada plástica que envolve os condutores metálicos utilizados em nossos aparelhos eletrodomés-
ticos, permitindo que sejam manuseados, se o risco de contato com o potencial elétrico presente nos
condutores, o cabo de uma chave de fenda ou alicate de um eletricista, que pode isolar centenas de volts,
permitindo assim o uso em instalações energizadas (LOURENÇO; CRUZ; CHOUERI JÚNIOR, 1996).
23
UNICESUMAR
Como exemplo de materiais que possuem as características de isolação elétrica, podemos citar o
plástico, a borracha, o vidro, a cerâmica, o ar etc. Cada material é utilizado de acordo com a necessi-
dade, assim, podemos observar condutores elétricos, cabos de ferramentas e superfícies de contato
energizadas com capas plásticas de isolação, para minimizar o risco de contato que possa resultar em
choque elétrico. Geralmente, os materiais isolantes são caracterizados por possuírem baixo volume
de elétrons livres, sendo necessário potencial elevado para promover sua mobilidade e, com isso, a
circulação de corrente elétrica (LOURENÇO; CRUZ; CHOUERI JÚNIOR, 1996).
Deve-se levar em conta que os limites de isolação para um material isolante estão diretamente
relacionados ao potencial elétrico aplicado em suas extremidades. Como exemplo disso, observe que
até mesmo o ar atmosférico possui isolação limitada, ultrapassada quando uma descarga atmosférica
se manifesta em um dia chuvoso, permitindo que elétrons fluam entre as nuvens e a superfície de
contato com o solo da terra.
Agora, passamos para estudo das principais características do diodo retificador que serão a base
para o entendimento do funcionamento deste componente eletrônico. Quando um material é com-
posto puramente de átomos de Silício, por exemplo, temos a representação dada na Figura 12. Note
que para cada elétron de um átomo, há outro correspondente no átomo adjacente, assim, não há pre-
dominância negativa ou positiva, pois, neste caso, temos uma pastilha composta puramente por um
único tipo de átomo.
e
Átomo de
Silício
e Si e
e e e e
e Si e e Si e e Si e e Si e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e e
Figura 12 - Ligação covalente de e Si e e Si e e Si e e Si e

átomos de semicondutor (Si)
e e e e
Fonte: Gentilin (2019, p. 23).
24
UNIDADE 1
Pensando na formação de semicondutores tipo “p” e tipo “n”, há derivações dos semicondutores que são
necessárias para a fabricação de componentes eletrônicos que, por sua vez, dependem da mistura de
átomos de outros materiais com mais ou com menos elétrons em suas camadas de valência, junto de
uma estrutura-base constituída de átomos semicondutores. Este processo é denominado dopagem e
tem como objetivo atribuir ao material características elétricas, predominantemente, positivas (p) ou
negativas (n) (CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
Na fabricação de componentes eletrônicos como diodos, transistores e circuitos integrados, é ne-
cessário produzir semicondutores do tipo “p” e do tipo “n” (Figura 13). Nos materiais do tipo “p”, há
maior concentração de portadores positivos denominados de “lacunas”, e nos materiais semiconduto-
res do tipo “n” há a predominância de portadores de cargas negativas, que são os elétrons (CIPELLI;
MARKUS; SANDRINI, 2006).
Figura 13 - Semicondutores inte-

grados: funções computacionais
embarcadas.
O processo de dopagem do semicondutor silício para se obter um material do tipo “p” consiste em
adicionar pequenas quantidades de átomos trivalentes, ou seja, com três elétrons em sua camada de
valência, como é caso do alumínio, do gálio, do índio e do boro. Neste caso, a pastilha de material do
tipo “p” terá muitos átomos tetravalentes de silício e alguns átomos trivalentes de boro, por exemplo,
e, com isto, haverá sempre a falta de um elétron (o átomo de boro tem apenas três em sua camada de
valência) para se recombinar com o elétron do átomo de silício e, assim, ter-se o surgimento de uma
estrutura denominada de “lacuna” (CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
Outro assunto fundamental é a formação do semicondutor tipo “p”. As lacunas são classificadas como
os portadores positivos do semicondutor. Quando há predominância de lacunas em uma porção de
material semicondutor, afirmamos que este material possui portadores majoritários do tipo “p” (Figura
14) (CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
25
UNICESUMAR
e e
Átomo de Átomo de
Silício e Si e e B e
Boro
(tetravalente) e e
(trivalente)
e e e e
e e e e
lacuna
e e e e
e Si e e Si e B e e Si e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e e
Figura 14 - Formação do semicon-

dutor do tipo “p”: dopagem com
elemento trivalente
e e e e
Quando se deseja produzir materiais semicondutores com portadores majoritários do tipo “n” (mais
eletronegativos), utiliza-se o processo de dopagem do semicondutor com elementos pentavalentes,
assim, haverá mais elétrons sem recombinação no material. Alguns exemplos de materiais pentavalentes
utilizados na dopagem de semicondutores são: o antimônio, o arsênio e o fósforo, conforme Figura 15
(CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
Perceba que, neste caso, o átomo de arsênio apresenta cinco elétrons, portanto, pentavalente. Quando
este átomo é combinado com átomos de silício, há “sobra” de elétrons, pois o silício só pode se recombi-
nar com quatro elétrons (tetravalente), então, o material composto da dopagem de semicondutor puro
(Si ou Ge) com elemento pentavalente (As) produz portadores majoritários negativos, e esta porção
de material é denominada de semicondutor do tipo “n” (CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
26
UNIDADE 1
e e
Átomo de e e Átomo de
Silício e Si e As Arsênio
(tetravalente) e
e e (pentavalente)
e e e e
elétron
e e “sobrando” e e
e e e e
e
e Si e e Si e e As e e Si e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e e
Figura 15 - Formação do semicon-

dutor do tipo “n”: dopagem com
elemento pentavalente
e e e e
Praticamente todos os dispositivos eletrônicos utilizam semicondutores, responsáveis pelas telecomu-

nicações modernas, tendo larga utilização na fabricação de componentes eletrônicos e optoeletrônicos
utilizados em computadores, aparelhos de TV, smartphones etc. (GENTILIN, 2019).
Deste ponto em diante, você estudará os diodos, isto é, semicondutores mais simples que abordare-
mos neste livro, porém, não menos importantes, pois são a base de todos os demais a serem estudados,
em termos de semicondutores, nas próximas unidades. Os diodos são estruturas fabricadas para fun-
ções específicas, como: retificação de sinais, regulação de tensão, sintonia de sinais de áudio e vídeo,
emissão de luz, acoplamento de sinais etc. (MALVINO et al., 1997). Abordaremos, aqui, os diodos em
sua funcionalidade e os principais tipos.
O diodo semicondutor é composto de uma junção “pn” que recebe esta nomenclatura, graças à
sua arquitetura baseada na junção de duas pastilhas de semicondutor, sendo uma com portadores
majoritários positivos (p), e a outra com portadores majoritários negativos (n). A Figura 16 mostra
a estrutura interna de um diodo retificador. Nele, podemos observar as pastilhas de semicondutor
compostas de portadores majoritários positivos, dando origem ao elemento do tipo “p”, e a pastilha
com portadores majoritários negativos, que dão origem ao elemento do tipo “n”. A junção das duas
pastilhas é denominada de camada de depleção (CIPELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
27
As tecnologias baseadas em diodos são amplamente aplicadas na indústria de produtos que
utilizamos na atualidade, assim como smartphones, smart TVs, painéis de veículos automotores,
iluminação pública, controle de potência, telecomunicações etc. O estudo dessa tecnologia é
fundamental para o entendimento da Eletrônica.
Chegou o momento de pensar no que aprendemos, até este momento. Para isso, resgataremos
alguns termos importantes e a relação entre os diferentes tipos de materiais e aplicações orien-
tadas ao uso e combinação de cada tipo, no mapa conceitual da Figura 22:
APLICAÇÕES
AQUECIMENTO
TELECOMUNICAÇÕES
ISOLANTE
ILUMINAÇÃO
EQUIPAMENTO
DISPONITIVO
SEMICONDUTOR
ELETRÔNICO
ENTRETERIMENTO
CONDUTOR
MAPA MENTAL
TRANSPORTE DE
CARGAS
CONTROLE DE
PROCESSOS
Figura 22 - Mapa conceitual de exemplo

Fonte: o autor.
33
Levando em conta o mapa conceitual apresentado na Figura 22, estudante, agora: enumere as
aplicações diferentes das apresentadas no mapa conceitual, preenchendo suas contribuições no
diagrama da Figura 23, vamos lá?
APLICAÇÕES
ISOLANTE
EQUIPAMENTO
DISPONITIVO
SEMICONDUTOR
ELETRÔNICO
CONDUTOR
MAPA MENTAL
Figura 23 - Mapa conceitual do aluno

Fonte: o autor.
34
1. Os diodos são os componentes responsáveis por várias ações em circuitos, como a retifica-
ção e regulação de sinais. Dentre os materiais utilizados na fabricação de diodos, há várias
tecnologias que permitem afirmar que:
a) Os diodos podem ser fabricados em ouro, pois apresenta ótima qualidade, porém alto custo.
b) Os diodos são fabricados de SiO2 que representa uma fusão de dióxido de enxofre com silício,
extremamente forte e ótimo semicondutor.
c) Os diodos Zener apresentam a capacidade de regular a corrente de um circuito.
d) Os materiais mais utilizados para a fabricação de diodos são o Silício, o Germânio e o Per-
manganato de potássio enriquecido.
e) Os diodos semicondutores são fabricados em Silício e Germânio e recebem a dopagem de
elementos trivalentes e pentavalentes com o intuito de se produzir pastilhas do tipo “p” e do
tipo “n”, respectivamente.
2. Os materiais semicondutores permitem a fabricação de diodos, transistores e circuitos inte-

grados. Sobre os materiais semicondutores, é correto afirmar que:
a) Os materiais do tipo “n” podem ser produzidos a partir de uma mistura de bauxita e titânio
junto do silício, pois são materiais com muitos elétrons livres.
b) As pastilhas de silício do tipo “p” podem ser obtidas misturando-se elementos pentavalentes
ao silício, pois assim diminuiria os elétrons livres, ficando mais positivo.
c) Quando uma pastilha é do tipo “n” significa que ela é composta de um semicondutor e de
AGORA É COM VOCÊ

elementos pentavalentes, por exemplo: antimônio, o arsênio e o fósforo.
d) Quando um elétron sobra em uma ligação entre semicondutor e materiais dopantes, significa
que o resultado será uma pastilha do tipo “p”.
e) Os semicondutores são conhecidos por possuírem uma estrutura tetravalente, composta de
6 elétrons na camada de valência.
35
3. Dada a Figura 24, assinale a alternativa correta:
e e
Átomo de e e
Silício e Si e
e e
e
e e e e
elétron
e e “sobrando” e e
e e e e
e
e Si e e Si e e e e Si e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e e
AGORA É COM VOCÊ
Figura 24 - Formação de semicondutor

Fonte: o autor.
a) Trata-se da representação da formação de uma pastilha do tipo “n”, pois o elemento associado
ao silício possui menos elétrons que o semicondutor.
b) Refere-se à composição de uma pastilha do tipo “n”, uma vez que o átomo misturado ao semi-
condutor possui 5 elétrons na camada de valência e, assim, o elétron que sobra representa
que a pastilha terá portadores majoritários negativos.
c) Refere-se a uma pastilha do tipo “n”, pois o arsênio é um elemento pentavalente e, com isso,
um elétron não se recombinará com o silício, e a pastilha terá portadores majoritários positivos.
d) A Figura 24 apresenta a dopagem na etapa de fabricação de uma pastilha do tipo “p”, em que
um elemento trivalente é associado ao semicondutor.
e) Trata-se de uma pastilha do tipo “p”, porque o elétron livre é trocado na ligação dativa e, assim,
fica positivamente polarizado.
36
1. E. “Os diodos semicondutores são fabricados em Silício e Germânio e recebem a dopagem de elementos
trivalentes e pentavalentes com o intuito de se produzir pastilhas do tipo “p” e do tipo “n”, respectiva-
mente”, é uma característica construtiva dos semicondutores, uma vez que sua estrutura atômica é
tetravalente.
2. C. “Quando uma pastilha é do tipo “n” significa que ela é composta de um semicondutor e de elementos
pentavalentes, por exemplo: antimônio, o arsênio e o fósforo”, já que esses elementos apresentam um
elétron a mais do que o silício, que fica sem se recombinar, após a dopagem. Desse modo, a pastilha
resultante será, predominantemente, negativa ou do tipo n.
3. B. “Refere-se a composição de uma pastilha do tipo “n”, uma vez que o átomo misturado ao semicondu-
tor possui 5 elétrons na camada de valência e, assim, o elétron que sobra representa que a pastilha
terá portadores majoritários negativos”, já que átomos com 5 elétrons na camada de valência, ao
se combinarem com átomos de 4 elétrons ( por exemplo, o semicondutor silício), têm um dos elétrons
“livres”, ou sem ligação, caracterizando assim o tipo “n”.
CONFIRA SUAS RESPOSTAS
37
CIPELLI, A. M. V.; MARKUS, O; SANDRINI, W. J. Teoria e desenvolvimento de projetos de circuitos
eletrônicos. 22. ed. São Paulo: Érica, 2006.
GENTILIN, F. A. Eletrotécnica e Eletrônica. Maringá: Unicesumar, 2019.
GRAEME, J. G. Photodiode Amplifiers: Op Amp Solutions. New York : McGraw-Hill, 1995.
INTEL. Transistors to Transformations. [S. I.: s. n.], [2020]. Disponível em: https://www.intel.com/content/
www/us/en/history/museum-transistors-to-transformations-brochure.html?wapkw=transistor+count+intel.
Acesso em: 2 dez. 2020.
LOURENÇO, A. C. de; CRUZ, E. C. A; CHOUERI JÚNIOR, S. Estude e Use Eletricidade: Circuitos em

Corrente Contínua. 2. ed. São Paulo: Érica, 1996.
MUSEU VIRTUAL DE INFORMÁTICA. on-line, [2020]. Disponível em: http://piano.dsi.uminho.pt/mu-

seuv/1905a1942.html. Acesso em: 2 dez. 2020.
MALVINO, A. P.; ABDO, R. Eletrônica. São Paulo : Pearson Education do Brasil, 1997. v. 1.
SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 5. ed. São Paulo: Pearson, 2012.
SZE, S. M.; NG, K. K. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken: Wiley, 2007.
TOCCI, R. J.; WIDMER, N. S. Sistemas Digitais: Princípios e Aplicações. São Paulo: Pearson, 2003.
REFERÊNCIAS
38
39
MEU ESPAÇO
MEU ESPAÇO
40
UNICESUMAR
Você sabe como é possível converter o sinal senoidal da tensão alternada, disponível nas tomadas de
nossas casas em um sinal contínuo, compatível com o funcionamento dos equipamentos eletrônicos,
que operam com tensões de corrente contínua, como no caso dos computadores, televisores, sistemas
de telecomunicações, por exemplo?
Os equipamentos eletrônicos, que auxiliam na execução da maioria das tarefas do nosso coti-
diano, utilizam alimentação em corrente contínua (cc), na maioria dos casos, com potenciais da
ordem de 5 V e 12 V (ou menos), por exemplo, centrais injeção eletrônica de automóveis, com-
putadores, smartphones etc.
Para que a alimentação desses dispositivos seja compatibilizada com o formato e os potenciais de
oferta de tensão elétrica, disponibilizada pela concessionária de energia, que é dado, geralmente, entre
127 V ou 220 V em tensão alternada (ca), os dispositivos eletrônicos contam com estágios de retificação
(Figura 1) e filtragem, que são responsáveis por converter o sinal alternado senoidal em sinal de tensão
continua (cc), utilizando diodos retificadores.
Figura 1 - Retificação de sinal alternado com ponte de diodos
Além de retificar o sinal alternado, as fontes dos dispositivos eletrônicos também contam com um
estágio de transformação (no caso de fontes lineares) ou de conversão (em fontes chaveadas), que são
utilizados para rebaixar a tensão a níveis compatíveis aos dispositivos eletrônicos.
Faremos, agora, uma breve análise de todos os nossos equipamentos eletrônicos, classificando-os
em termos de tipo de alimentação: corrente alternada ou corrente contínua, potencial de alimentação
(127 V, 220 V, 100 a 240 V, 12 V, 5V...) e se eles funcionam com o uso de semicondutores eletrônicos,
ou não, preenchendo-o com cada um.
Quadro 1 - Tipos de dispositivos e seus potenciais de alimentação
Tipo de Utiliza
Potencial de
Item Dispositivo alimentação? semicondutores?
alimentação
(ca ou cc) (sim/não)
1 Forno elétrico ca 220 V Não
2 Forno de Microondas ca 127 V Sim

3 Carregador de baterias ca 100 a 240 V Sim
de smartphone
4 smartphone cc 5 Sim
5 liquidificador ca 127 V Não

Fonte: o autor.
42
UNICESUMAR
Na polarização direta do diodo, o potencial positivo da fonte de tensão é conectado ao terminal

anodo (A) do diodo, e o potencial negativo é ligado no catodo (K) dele. Com a tensão aumentando
(eixo x do gráfico da Figura 2), os elétrons, estimulados pela fonte, repelem os elétrons do material
semicondutor da pastilha do catodo do diodo, estes migram para a região da camada de depleção,
atraindo os portadores de cargas positivas da pastilha vizinha (anodo), para se agruparem na periferia
da junção pn, promovendo o estreitamento da camada de depleção (MALVINO, 1995).
A concentração de elétrons de um lado e de cargas positivas do outro aumenta até que a tensão da
fonte atinge, aproximadamente, 0,7 V, em que ocorre a tensão de joelho. Neste momento, a corrente
flui plenamente por meio da junção, conforme a Figura 2. Esta é a configuração mais comum para a
polarização de diodos retificadores ou de sinal (MALVINO, 1995).
DIODO
A K
Fonte de
tensão
variável Tensão de
Estreitamento da joelho
camada de depleção
Figura 2 - Polarização direta do diodo / Fonte: Gentilin (2019, p. 183).
Na polarização reversa (diodo inversamente polarizado), o terminal catodo do diodo é ligado ao po-
tencial positivo da fonte de tensão, e o terminal anodo é conectado ao potencial negativo da fonte. Com
isso, há o afastamento dos potenciais que antes ficavam na periferia da camada de depleção e, agora,
passam às bordas externas das pastilhas, atraídos pelos potenciais da fonte que possuem polaridades
opostas (Figura 3) (SEDRA; SMITH, 2012).
DIODO
A K
Fonte de
tensão Ruptura
variável
Aumento da camada
de depleção
Avalanche Corrente
de fuga
Figura 3 - Polarização reversa do diodo

44
UNIDADE 2
Com o aumento da tensão reversa, há o aumento da largura da camada de depleção que pode atingir
determinado valor tal, ocorrendo o efeito avalanche, e o diodo é permanentemente inutilizado (ruptura da
junção). Normalmente, esse efeito ocorre acima dos 50 V para os diodos retificadores. Há, entretanto, diodos
que são projetados para operar na região reversa (inversamente polarizados): são os diodos reguladores
zener, que possuem uma tensão reversa do valor da sua tensão nominal, e podem ser de diversos valores,
como 4, 7 V , 12 V , 24 V etc. Os diodos zener são utilizados quando se deseja limitar uma tensão em
um valor específico para que seja fixado um valor de tensão de referência, por exemplo (MALVINO, 1995).
A maior parte dos diodos são fabricados com silício (Si), o material semicondutor mais abundante
atualmente, mas há algumas tecnologias que utilizam materiais como germânio, Arseneto de Gálio
(GaAs), Arseneto de Gálio Índio (InGaAs), fosforeto de Índio (InP) etc. e, dependendo da aplicação,
pode ser a fabricação de diodos retificadores ou, mesmo, dispositivos optoeletrônicos, como fotode-
tectores ou diodos emissores de luz (LED) (MALVINO, 1995).
Para iniciarmos nosso estudo de aplicação dos diodos em circuitos elétricos, abordaremos, inicial-
mente, o conceito prático de sinais em corrente contínua e em corrente alternada, que produz conteúdo
mínimo para entendimento dos próximos conceitos.
A rede elétrica, que alimenta nossas instalações residenciais e industriais, utiliza sinais em corrente
alternada com frequência de 60 Hz e amplitude que pode variar de acordo com a região, entre 127
V e 220 V. O comportamento do sinal de tensão alternada (VCA) é periódico e recebe esta definição
(alternado), porque alterna do quadrante de valores positivos de tensão para o quadrante de valores
negativos de tensão no domínio do tempo (SEDRA; SMITH, 2012).
Observe a Figura 4. A tensão senoidal dada por VCA apresenta sinal periódico e cíclico que percorre
os 360° desde sua origem até o final do ciclo, em que se iniciaria um novo sinal. Quando dividimos o
ciclo completo (360°) em duas partes, sendo a parte positiva denominada de semiciclo positivo e a parte
negativa, semiciclo negativo, podemos analisar o comportamento do diodo.
Na Figura 4, há um circuito com
semiciclo D1
diodo sendo estudado em cada um positivo + +
dos tempos t1 e t2 , respectivamen-

te (a) e (b), em que os diferentes se-
VCA R1
miciclos são aplicados ao diodo.
VCA
Perceba que, na Figura 4 (a), o se- semiciclo
positivo
miciclo positivo da tensão alternada +
(a)
é aplicado no anodo do diodo D1 - t(ms)
que, durante este intervalo de tempo, t1 t2
semiciclo
encontra-se diretamente polarizado, negativo semiciclo D1
-
havendo então a condução do semi- negativo
ciclo para a carga R1 . É importante

considerar que no caso de um dio-
VCA R1
do real, adotaremos a tensão sobre
o diodo de 0, 7 V , e que a tensão na
(b)
carga ( VR1 ) fica (Equação 1):
Figura 4 - Circuito com diodo em corrente alternada / Fonte: o autor.
45
UNICESUMAR
VR1 VCA VD1 (1)
Em que VD1 é a tensão sobre o diodo D1. Quando analisamos o tempo t2, encontramos a situação
em que ocorre o semiciclo negativo de VCA e, nesse instante, o diodo D1 encontra-se inversamente
polarizado, não conduzindo o sinal para a carga. Essa situação pode ser observada na Figura 4 (b).
A partir desse ponto, será apresentada uma situação prática real, obtida a partir de um osciloscópio
em um circuito em que um sinal alternado é aplicado. Observe então a Figura 5, nela, um sinal alter-
nado de amplitude de 25, 2 VP (tensão de pico) ou 50, 4 VPP (tensão pico a pico) possui frequência
de 59, 99 Hz (aproximadamente 60 Hz ).
Tek M Pos: 0.000s MEDIDAS

CH1
Frequência
59.99Hz
CH1
Pico a Pico
50.4V
CH1
1 RMS
17.8V
CH1
Médio
162mV
CH1
Período
16.67ms
CH1 10.0V M 5.00ms CH1 2.56V
4-Jun-19 21:26 59.9854Hz
Figura 5 - Sinal de tensão alternada - comportamento periódico
Fonte: o autor.
Quando o sinal alternado da Figura 5 passa por um diodo retificador, apenas um semiciclo é condu-
zido por vez, pois ora o diodo apresenta-se diretamente polarizado com relação ao sinal aplicado, ora
inversamente polarizado, conforme a Figura 6.
46
UNIDADE 2
+25,2 V
+ + +
0V 1
Figura 6 - Sinal de meia onda - condução e corte no diodo

Fonte: o autor.
Quando o diodo está diretamente polarizado, a corrente flui pela junção “pn”, porém, quando o sinal
alternado inverte a polaridade da tensão para o semiciclo negativo, o diodo encontra-se inversamente
polarizado e “corta” a condução de corrente, ficando o sinal “ceifado”, durante este período, que corres-
ponde à metade de um ciclo completo ( 360° ou 2p ) (SEDRA; SMITH, 2012).
A Figura 7 mostra o sinal alternado e a identificação de seu período ( T ) de tempo, em que é possível
identificar os quadrantes positivos (+) e negativos (-). Nesses intervalos de tempo, a tensão assume
valores positivos e negativos, conforme a função que a descreve: seno, daí o nome “sinal senoidal”
(MALVINO, 1995). Para o sinal da Figura 7, o período “ T ” é de 16, 6 ms , o que é definido pela relação
dada na Equação 2 (SEDRA; SMITH, 2012):
1
T= = [ s] (2)
f
Substituindo-se o valor da frequência (60 Hz) em f , fica:
1
=
T = 16, 6 ms
60
47
UNIDADE 2
A partir deste momento, você, estudante, terá a oportunidade de conhecer alguns circuitos com diodos
em suas aplicações mais clássicas, abordando a sua utilização em estágios de retificação de sinais alterna-
dos, oriundos da rede elétrica, tipicamente encontrados em fontes de alimentação lineares e chaveadas.
Para as fontes de alimentação lineares, há uma particularidade relacionada ao uso de transformador,

no estágio de entrada, e que se faz necessário introduzir o conceito, neste momento, para referência em
estudos futuros, deste livro. Os transformadores monofásicos são, amplamente, utilizados em diversas
aplicações que podem ser normalmente:
• Elevar sinais (transformador elevador).
• Rebaixar sinais (transformador rebaixador).
• Acoplar sinais (transformador de acoplamento).
Em algumas aplicações especiais, existem terminologias que remetem a transformadores isoladores

(que isolam o sinal de entrada do sinal de saída, trocando sua referência) e autotransformadores, que
são utilizados para elevação ou rebaixamento de sinais (KOSOV, 2005).
O objetivo do nosso estudo é entender os fenômenos que ocorrem no processo de conversão de
energia descoberto por Faraday, em 1831, (KOSOV, 2005, p. 4), em que uma tensão era induzida em
um condutor metálico, quando este era cortado por linhas de campo magnético.
Este processo permitiu a pesquisa da maior parte dos fenômenos que relacionam a eletricidade e a
construção da maioria dos dispositivos elétricos que temos na atualidade, pois desencadeou as pesquisas
com a indução eletromagnética. Baseado no conceito da indução eletromagnética, o transformador é
composto basicamente de um enrolamento primário e um enrolamento secundário, em que a tensão
de entrada é aplicada no primário e a tensão de saída é induzida no secundário (KOSOV, 2005).
49
UNICESUMAR
U U
t t
Figura 8 - transformador monofásico
A estrutura, que permite o enrolamento dos condutores isolados

de cobre, é denominada núcleo, e, no caso do exemplo dado na Fi-
gura 8, refere-se a um núcleo de chapas de aço-silício, comumente
utilizado em projetos de fontes lineares.
TR1
Enrolamento Enrolamento
primário secundário
Os transformadores são máqui-

nas estáticas que revoluciona-
Figura 9 - Transformador monofásico: diagrama elétrico
ram a eletrônica e viabilizaram Fonte: o autor.
o funcionamento de diversos
equipamentos que utilizamos Quando um sinal alternado U t , com frequência f é aplicado
até hoje. Você sabe como eles no enrolamento primário de um transformador ( TR1 ), uma tensão
funcionam e são fabricados? U ' t , de mesma frequência, é induzida no seu enrolamento secun-
Neste podcast falaremos a res- dário, graças ao efeito da indução eletromagnética que flui por meio
peito dessa fantástica tecnolo- do núcleo (de chapas), este conduz o fluxo magnético f produzido
gia que permite o uso de nossos pela circulação de corrente i no condutor do enrolamento primário,
eletrodomésticos e dispositivos conforme Figura 10.
eletrônicos que trazem o con-
i i’
forto para nossos lares e am- TR1
bientes profissionais.
U(t) R1 U’(t)
ф ф’
Figura 10 - Transformador monofásico: tensão induzida

Fonte: o autor.
50
UNIDADE 2
O fluxo magnético f do enrolamento primário induz a força ele-

tromotriz (ou diferença de potencial) U ' t no enrolamento secun-
dário, que, ao ser conectada a uma carga R1 , permite a circulação
da corrente i ' . Este, por sua vez, produz o fluxo f ' (KOSOV, 2005).
Para um transformador ideal (ou sem perdas), a relação de potências se faz verdadeira:
PP = PS (4)
Onde PP é a potência do enrolamento primário e PS é a potência do secundário do transformador.

Sabendo-se que:
P = V .I (5)
VP I P VS I S (6)
Onde: VP é a tensão no enrolamento primário, I P é a corrente no enrolamento primário; enquanto

que VS é a tensão no enrolamento secundário, I S é a corrente no enrolamento secundário. De
acordo com a Figura 10, adote as relações de igualdade:
U (t ) = VP
U '(t ) = VS
i = IP
i ' = IS
Assim, quando a corrente do secundário do transformador variar, para sustentar a igualdade, haverá
a necessidade de compensar essa variação por meio de f e consequentemente i , no enrolamento
primário de TR1 , uma vez que se mantem constante U t (MALVINO, 1995).
Este princípio nos permite entender a utilização de fusíveis em série com o enrolamento primário
do transformador, para que, quando uma variação na corrente do enrolamento secundário for limítrofe,
não comprometer o projeto do transformador (MALVINO, 1995).
51
UNICESUMAR
A relação de tensão nos enrolamentos depende do número de espiras dos mesmos, que são cal-
culadas com base em um parâmetro conhecido como “relação de espiras por volt” ou, simplesmente,
“espiras/volt”. Este parâmetro é calculado conforme o projeto do transformador e depende do tipo e
das dimensões do núcleo utilizado (KOSOV, 2005). Assim, a tensão desejada para cada enrolamento
define o número de espiras, conforme Equação 7:
N x (espiras / volt ) Venrolamento (7)
Onde N é o número de espiras e x é o enrolamento em questão, podendo ser enrolamento primário

ou secundário (um mesmo transformador pode ter múltiplos enrolamentos primários ou secundários).
Assim, para o caso de um enrolamento primário, o número de espiras ( N P ) seria:
N P (espiras / volt ) VP (8)
Ou, para o caso de um enrolamento secundário, o número de espiras ( N S ) fica:
N S (espiras / volt ) VS (9)
Exemplo numérico: suponha um transformador monofásico com as características: VP = 127 V ,

relação de transformação de 10:1, espiras / volt = 7, 3 espiras , fica:
Cálculo do número de espiras do enrolamento primário do transformador ( N P ):
N P espira / volt VP
N P 7, 3 127
N P 927, 1 espiras
N P 928 espiras
Cálculo do número de espiras do enrolamento secundário do transformador ( N S ):
Como a relação de transformação é de 10:1, então, temos que o transformador é rebaixador em
uma escala de 10 vezes, ou seja, se a tensão de entrada (enrolamento primário) é de 127 V, a tensão na
saída (enrolamento secundário) será de:
52
UNICESUMAR
Para permitir a construção de fontes de alimentação que convertam o sinal de corrente alternada em
corrente contínua, faz-se necessário a utilização de diodos associados de modo a formarem circuitos
denominados “retificadores” de sinal, como é o caso do “Retificador de onda completa em ponte” (CI-
PELLI; MARKUS; SANDRINI, 2006).
O Retificador de onda completa em ponte é, amplamente, utilizado em estágios de retificação de
entrada em fontes de alimentação lineares e chaveadas e estágios de saída em fontes de alimentação
chaveadas. É composto de quatro diodos associados de modo a conduzir a corrente, de acordo com
o sinal alternado de entrada, mantendo-se constante a polaridade de saída, conforme apresentado na
Figura 11 (SEDRA; SMITH, 2012).
a b
Figura 11 - Ponte retificadora: (a) diagrama elétrico e (b) símbolo composto

Fonte: o autor.
Na Figura 12, podemos observar alguns exemplos de pontes retificadoras encapsuladas para aplicações
em circuitos retificadores de sinais, como fontes de alimentação e conversores CA-CC, em estágios de
entrada e saída, facilidade de montagem e manutenção.
Figura 12 - Ponte retificadora - Exemplos de encapsulamentos
54
UNICESUMAR
e finalmente:
f ' 2 f (15)
Exemplo resolvido:
Um sinal de corrente alternada de 60 Hz foi aplicado em um retificador de onda completa.
Calcule a frequência na saída entre os terminais + e − da ponte retificadora.
Solução:
Dados:
f = 60 Hz
Para calcular a frequência na saída da ponte retificadora, podemos facilmente utilizar a Equação 15:
f ' 2 f
f ' 2 (60)
f ' 120 Hz
Observe que, para um sinal de 60 Hz , aplicado a um circuito retificador de onda completa, a frequên-
cia do sinal de saída é o dobro da frequência do sinal de entrada ( 120 Hz ). Este resultado é devido
à conversão do sinal senoidal de 60 Hz em sinal de corrente contínua pulsante (MALVINO, 1995).
Observe que o sinal alternado de 60 Hz apresenta período T igual a:
1 1
T= = = 0, 0166 s
f 60
Ou
T = 16, 6 ms
Já para o sinal contínuo de 120 Hz , temos que:
1 1
T=' = = 0, 0083 s
f ' 120
Ou
T ' = 8, 3 ms
Este resultado significa que T ' consome a metade do tempo que T para realizar o mesmo trabalho,
apresentando, assim, o dobro da frequência.
No circuito retificador de onda completa, com tomada central, o sinal senoidal é provido pelo enro-
58
UNICESUMAR
Como exemplo, considere um transformador rebaixador (que rebaixa a tensão da entrada para a saída ou
do enrolamento primário para o enrolamento secundário) com uma relação de 10 : 1 , ou seja, quando o
transformador receber 100 V , no enrolamento primário, apresentará 10 V no enrolamento secundário.
Considere que a relação de espiras é de 4 espiras/volt, (significa que, durante o projeto do trans-
formador, chegou-se à conclusão de que cada 4 espiras enroladas no núcleo, seria equivalente a 1 V
), assim, para o enrolamento primário de 100 V ( VP = 100 V ), haveria uma relação de espiras de:
Substituindo-se os valores em VP e esp / volt , fica:
espPRIMÁRIO 100 4
espPRIMÁRIO = 400
Como o transformador do exemplo apresenta relação de transformação de 10:1, logo, com a tensão
VP = 100 V , no secundário ( VS ) teremos:
VP
VS =
10
100
VS =
10
VS = 10 V
Como sabemos o valor da tensão VS , podemos estudar seu comportamento aplicado no circuito
retificador de onda completa com tomada central. A Figura 16 apresenta o circuito:
TR1 TR1
D1 D1
U(t) U(t)
RL RL
D2 D2
GND
GND
(a) (b)
Figura 16 - Circuito retificador de onda completa com tomada central, (a) e (b) – mesmos circuitos com represen-
tações alternativas
Fonte: o autor.
Perceba que, na Figura 16 (a) e (b), há duas representações que na verdade referem-se ao mesmo cir-
cuito, porém, em (a), o símbolo da referência (GND) está em um ponto comum e, em (b), GND está
nos pontos em que este potencial está conectado. O que o estudante deve entender é que em ambos
os casos, GND está conectado na tomada central e na carga RL conforme a Figura 16.
60
UNIDADE 2
No circuito da Figura 16, a análise deve ser feita da seguinte maneira: quando a tensão VS alterna
de 0 até 10 V e de 0 até -10 V, temos um cenário semelhante ao já estudado, anteriormente, mostrado
na Figura 14, porém, agora, temos apenas dois diodos D1 e D2 com o objetivo de conduzir o sinal de
onda completa para a carga associados ao enrolamento secundário de um transformador com tomada
central, conforme a Figura 17:
Figura 17 - Retificador de onda completa com tomada central

Fonte: o autor.
Perceba na Figura 17 que temos o sinal da rede sendo aplicado no enrolamento primário do trans-
formador TR1 e, como resultado, temos a tensão induzida em seu enrolamento secundário VS , que,
neste caso, varia de acordo com o sinal de entrada ao longo do tempo.
Como os diodos D1 e D2 estão associados com seus respectivos anodos nas extremidades do
enrolamento secundário do transformador, observamos na Figura 17 (a) que o diodo D1 se comporta
como um curto-circuito, durante o semiciclo positivo (tempo t1 ) e D2 , neste período, comporta-se
como um circuito aberto.
Consequentemente, no semiciclo negativo (tempo t2 ), o diodo D2 se comporta como um curto-
-circuito e D1 , neste período, comporta-se como um circuito aberto. Dessa forma, cada diodo conduz
um semiciclo por vez e, com isso, o sinal de saída fica com o aspecto da Figura 18:
61
UNICESUMAR
Figura 18 - Sinal de tensão na carga – retificador de onda completa com tomada central
Fonte: o autor.
No caso do LED (e da maioria dos demais diodos), é importante salientar que, quando ocorre a con-
dução de corrente pela junção, a corrente pode atingir valores elevadíssimos, tendendo, teoricamente,
ao infinito (MALVINO, 1995). Logo, para estabelecer a corrente de operação do diodo, analisaremos
o caso do LED e do dimensionamento de seu circuito de limitação de corrente.
Primeiramente, devemos identificar o modelo de LED que temos. Neste exemplo, adotaremos um
LED de 5 mm com as especificações dadas pelo fabricante:
VD = 2, 0 V (é a tensão de trabalho do LED).
I L = 10 mA = (é a corrente adotada para este LED).
VS = 12 V (é a tensão da fonte que utilizaremos para acionar o LED).
Para limitar a corrente no LED, precisamos utilizar um resistor em série, de acordo com a Figura 19.
REALIDADE
AUMENTADA
Retificação de sinal alternado
62
UNIDADE 2
VD
Corrente
tendendo
Emissão ao infimito
de luz
Corrente
LED limitada em
VS 10 mA
R
Figura 19 - Polarização do LED
Cálculo do valor da resistência do resistor limitador RL :

VS VD 12 2
RL 3
1 103 W
IL 10 10
ou
RL = 1 kW
Cálculo do valor da potência do resistor limitador RL:

Como a tensão do LED é de 2 V e temos 12 V na fonte, os restantes 10 V fica-
rão sobre o resistor RL , logo, a tensão VRL = F � VD
é de: VRL V= 12� 2 = 10 V
, assim, se VRL = 10 V , e circula por ele uma corrente de 10 mA , de acordo com a
equação da potência, fica:

P = V .I
Onde:
=
P P= RL ?
=
V V=
RL 10 V
I I L 10 10 3 A = 10 mA
Adaptando a equação da potência, fica:

PRL VRL .I L 10 10 103 = 100 mW
63
Chegamos ao final de nossa unidade e, agora, vamos testar os conceitos que aprendemos ana-
lisando o mapa mental da Figura 20, em que cada conceito remete à tecnologia do diodo retifi-
cador, vamos lá?
Polarização direta
Semiciclo positivo
Tensão direta
Camada de Semiciclo negativo

depleção
Corrente de fuga
Tensão de joelho Diodo retificador
Retificador em
ponte
Polarização reversa
Retificador de onda
completa em ponte
Pastilha tipo “p”

Pastilha tipo “n”
MAPA MENTAL
Figura 20 - Mapa mental do diodo retificador
Fonte: o autor.
65
Conforme o exemplo do mapa mental apresentado, você estudante deve preencher cada campo
do mapa mental abaixo para o DIODO de forma genérica, não se reservando apenas ao diodo
retificador, mas sim a qualquer tipo de diodo na Figura 21.
DIODO
Figura 21 - Mapa mental do DIODO genérico

MAPA MENTAL
Fonte: o autor.
66
1. Os diodos são utilizados em diversas aplicações, em que a retificação de sinais é uma das mais
comuns. Sobre a utilização e polarização de diodos, é correto afirmar que:
a) O anodo do diodo deve ser interligado no polo negativo da fonte de alimentação para pola-
rização direta.
b) Quando um diodo é polarizado diretamente, a corrente que flui por meio da junção pn é
apenas de prótons, pois nesse tipo de polarização os elétrons estão em repouso, enquanto
os prótons se movimentam.
c) Se um diodo for polarizado inversamente, haverá a ruptura instantânea do mesmo, indepen-
dentemente do valor da tensão reversa.
d) A polarização direta permite o funcionamento dos diodos retificadores e a polarização reversa
dos diodos zener.
e) Os diodos retificadores podem ser utilizados como diodos zener, tendo apenas que ser po-
larizados inversamente.
2. Os transformadores são muito utilizados quando desejamos diminuir a amplitude de um sinal

alternado e, também, podem atuar para aumentar ou isolar sinais. Sobre os transformadores,
é correto afirmar que:
a) Os transformadores são utilizados para converter corrente alternada em corrente contínua.
b) Os transformadores elevadores são responsáveis por elevarem a tensão e rebaixarem a cor-
rente, pois a potência do enrolamento primário é igual à potência do enrolamento secundário
ao quadrado.
AGORA É COM VOCÊ

c) Quando um transformador é utilizado em uma fonte de alimentação, a corrente no enrola-
mento primário, sempre, será igual a corrente do enrolamento secundário.
d) O valor da potência do secundário será o dobro da potência do enrolamento primário em
um transformador rebaixador.
e) O transformador rebaixador pode ser utilizado em fontes de alimentação e o dimensiona-
mento de sua potência depende da tensão fornecida e da corrente consumida pela carga.
3. Dado um transformador rebaixador com enrolamento primário projetado para 127 V em uma
relação de 10:1 e corrente de enrolamento secundário de 2 A, é correto afirmar que:
a) O transformador fornece 12,7 V no enrolamento secundário, e a potência no enrolamento
primário é de 300 W.
b) O transformador fornece 12,7 V no enrolamento secundário com potência de 25,4 W.
c) O transformador fornece 12,7 V no enrolamento secundário, e a corrente é de 12 A no en-
rolamento primário.
d) A potência do transformador será de 50,8 W.
e) A corrente do enrolamento primário será igual à corrente do enrolamento secundário.
67
1. D. “A polarização direta permite o funcionamento dos diodos retificadores e a polarização reversa dos
diodos zener”, uma vez que a tensão zener se dá na tensão reversa do diodo.
2. E. “O transformador rebaixador pode ser utilizado em fontes de alimentação e o dimensionamento de

sua potência depende da tensão fornecida e da corrente consumida pela carga”, uma vez que a potência
é produto da tensão pela corrente.
3. B. “O transformador fornece 12,7 V no enrolamento secundário com potência de 25,4 W.”, uma vez
que, se sua relação de transformação é de 10:1, a tensão de 127 V é rebaixada para 12,7 V e, com uma
corrente de 2 A, a potência do transformador fica 12,7 x 2 = 25,4 W.
68
4.

KOSOV, I. I. Máquinas Elétricas e Transformadores. São Paulo: Globo, 2005.
MALVINO, A. P.; ABDO, R. Eletrônica. São Paulo : Pearson Education do Brasil, 1997. v. 1.
REFERÊNCIAS
69
MEU ESPAÇO
70
UNICESUMAR
Você conhece bem um aparelho de rádio, certamente teve contato com um, ainda quando muito
pequeno. Certo? E uma televisão, obviamente, já se deparou com várias ideias de como funciona essa
incrível invenção. É claro que estou me referindo aos transistores.
Estudante, sabe como eles são uteis para que esses e tantos outros dispositivos de nosso tempo
possam funcionar, como: computadores modernos, aparelhos celulares, satélites etc.?
A necessidade de transmitir sinais de comunicação, sempre, foi um desafio para a tecnologia, em
qualquer tempo em que a humanidade passou, até os dias atuais. Com o advento dos semicondutores
foi possível o desenvolvimento de dispositivos de estado sólido, que permitem a amplificação de sinais
de comunicação e a sua transmissão por diferentes meios, como o ar ou condutores elétricos metálicos.
Quando ouvimos o som de um rádio ou televisor, utilizamos o circuito de amplificação que recebe
o sinal bem baixinho, advindo de um instrumento musical ou microfone, por exemplo, e o eleva em
amplitude capaz de acionar um alto falante. Este feito é possível, a partir do uso de transistores.
As aplicações dos transistores vão desde “ligar” dispositivos até mesmo controlar sinais continua-
mente, como o volume do som de sua música favorita, atuando de maneira suave com pequenos sinais,
por meio de um ganho de corrente que permite a elevação de sua capacidade.
Esta capacidade é mérito da tecnologia que utiliza junções entre pastilhas do tipo “p” e do tipo “n”
e pode ser utilizada em muitas áreas diferentes, aplicando-se a amplificadores de áudio, pesquisas
espaciais, militares, equipamentos médicos, computadores, indústria em geral etc.
Como já aprendemos um pouquinho sobre os transistores, agora, buscaremos, ao nosso redor,
objetos que se utilizam de transistores bipolares. Para isso, você, estudante, deve listar pelo menos 20
exemplos de dispositivos que podem utilizar transistores bipolares, conforme dado no Quadro 1:
72
UNIDADE 2
Quadro 1 - Exemplos de dispositivos que utilizam transistores bipolares
Item Dispositivo Função do transistor no equipamento

1 Rádio Amplificação de áudio
Processamento de dados no microprocessador e demais
2 Computador
circuitos
3
Fonte: o autor.
Durante a Segunda Guerra Mundial (1939-1945), os exércitos tinham uma enorme dificuldade em
se comunicar, dado às tecnologias disponíveis na época que utilizavam válvulas termiônicas para
amplificar os sinais de comunicações. Tecnologia muito limitada e frágil, incompatível com os am-
bientes inóspitos dos campos de batalha. Esta foi a era da eletromecânica, em que cada componente
era composto de itens resistivos ou indutivos, como válvulas e relés, e realizavam as principais tarefas
necessárias às comunicações da época.
Com o advento dos semicondutores, iniciou-se a era do estado sólido, em que os dispositivos não
têm partes móveis e são menores, além de não necessitarem de um bulbo de vidro para proteger seus
elementos internos, uma vez que eram encapsulados, esta época foi marcada pelo advento do transistor.
O transistor serve a muitos propósitos, um deles é a amplificação de sinais, o que faz deste componen-
te um ótimo aliado nas telecomunicações, indústria de dispositivos eletrônicos em geral, pesquisa etc.
Caro estudante de eletrônica analógica,
os transistores bipolares foram os primei-
ros transistores conhecidos pela ciência e,
certamente, têm um papel fundamental até
os dias de hoje, em diversas áreas. Convido
você, neste momento, para aprender mais
sobre essa fantástica área da eletrônica que
é o transistor bipolar.
Os transistores consistem em uma das
mais notáveis e fascinantes tecnologias da
eletrônica. Apresentam estrutura semicon-
dutora derivada dos princípios dos diodos
estudados, anteriormente, e possibilitam
uma gama de possibilidades que podem
ir do simples acionamento de um LED ou
amplificação do sinal de um microfone até
73
a composição dos circuitos integrados mais avançados em microprocessadores, utilizados nos com-
putadores mais modernos.
Nesta unidade, estudaremos como operam os transistores e suas principais derivações, as quais
podemos utilizar para explorar seus recursos, que tornam a vida das pessoas cada vez melhor, propor-
cionando a existência dos computadores, smartphones, telecomunicações etc.
Os transístores se dividem em famílias que se diferenciam de acordo com as tecnologias utilizadas
em sua fabricação. Nesta unidade, abordaremos o “transístor bipolar”. Este componente nasceu com
o propósito de amplificar sinais de tensão e corrente e pode ser utilizado, hoje, por inúmeras aplicações,
desde o simples acendimento de uma lâmpada controlada, remotamente, até a fabricação de poderosos
microprocessadores que utilizam milhões de transístores em seus projetos (MALVINO, 1995).
O transístor bipolar é um dispositivo com duas junções, como se fossem dois diodos associados,
mas com algumas peculiaridades, conforme a Figura 1. Observe que, no transístor bipolar, há a pre-
sença das estruturas:
• Base “ B ”.
• Coletor “ C ”.
• Emissor “ E ”.
Circuito dw polarização de um transístor

NPN
ic
Símbolos dos transístores bipolares
n NPN PNP
coletor RL C C
Rb
ib B
p B
base
Fonte de
E E
Fonte de Tensão
Tensão
n da carga
variável emissor
ie
Figura 1 - Polarização de um transístor bipolar

Fonte: Gentilin (2019).
No transístor bipolar, há duas junções: a junção entre a base e o emissor (BE) e a junção entre a base
e o coletor (BC). A base é onde inserimos o sinal de controle para o transístor. É um sinal de baixa
intensidade que será amplificado no coletor e terá como caminho final o emissor que assume a soma
das correntes, pois, de acordo com a Equação 1, fica (SEDRA; SMITH, 2012).
UNIDADE 3
R8
R6
R2 R4
Q2 C4
Q1 C2
VCC
R1 RL
C1
sinal de
R3 R7 R9
entrada R5 C5
C3
Figura 3 - Circuito pré-amplificador a transistores

Fonte: o autor.
No caso de transístores atuando como chave, podemos fazer uma analogia com um interruptor que,
ao receber um sinal de entrada, liga uma carga, e na ausência desse sinal, desliga a carga. Por exemplo,
uma lâmpada cujo circuito com capacidade de pequeno sinal aciona, utilizando um transístor, pois a
lâmpada exige corrente acima da capacidade máxima do circuito de acionamento, e o transístor assume
esta responsabilidade, conduzindo a corrente da lâmpada pelos terminais coletor-emissor.
A Figura 4 mostra dois exemplos de circuitos com transístores, sendo o da esquerda um amplificador
de áudio, e o da direita, um circuito em que o transístor atua como chave.
R1 R2
C4
Lâmpada
C1 R5
Fonte de sinal de baixa Circuito de Vcc
potência Transístor acionamento
Vcc Transístor
Auto-falante
R3 R4 C3
Transístor atuando como amplificador Transístor atuando como chave
Figura 4 - Modos de atuação do transistor: amplificador e chave

Fonte: Gentilin (2019).
Na operação como chave, a corrente ib pode ser obtida analisando a tensão do circuito de acionamento
como sendo vi , a tensão da junção base-emissor ( vBE ) como sendo de 0, 7 V para transístores de silí-
cio, e o resistor limitador de corrente na base Rb (na Figura 4 aparece como R5 ), conforme Equação 5:
77
UNIDADE 3
Os transistores bipolares possuem duas junções denominadas:

• Junção emissor-base ( J EB ).
• Junção coletor-base ( J CB ).
Para cada junção, há modos de operação que depende de como são polarizadas, ou seja, conforme estuda-
mos, anteriormente, os circuitos com diodos, podemos polarizar direta ou reversamente as junções pn , a
mesma ideia se estende às junções do transistor bipolar (SEDRA; SMITH, 2012). Dentre as possibilidades
de polarização das junções (reversa ou direta), temos os modos de operação disponíveis dados no Quadro 2:
Quadro 2 - Modos de operação do transistor bipolar
MODO JEB JCB
CORTE Reversa Reversa

ATIVO Direta Reversa
ATIVO REVERSO Reversa Direta
SATURAÇÃO Direta Direta
Fonte: Sedra e Smith (2012, p. 237).
79
UNICESUMAR
ie ib ic
Se ie é igual a zero, logo, não há corrente fluindo pelo coletor nem pela base,
já que a corrente do coletor depende da corrente na base do transístor
bipolar. No exemplo dado, o limite é de 100 V .
• Tensão Coletor-Emissor quando RBE ≤ 100 W : esta tensão ocorre sobre a junção
Coletor-Emissor e remete a um valor de resistência associada em paralelo com a
J EB , que neste caso é de RBE ≤ 100 W , em destaque na Figura 5.
RC
RB
VL
VCE
R BE Q1
VS
Figura 5 - Resistor RBE - auxílio na diminuição do tempo de desligamento do transistor

Fonte: o autor.
É muito importante levar em consideração esse parâmetro, porque quando o transistor opera entre a
região de saturação e corte ou mesmo no modo ativo, quando flui corrente entre Coletor e Emissor,
há a formação de queda de tensão e, consequentemente, a dissipação de potência no coletor ( PC ), que
será proporcional a (Equação 6):
PC VCE ic (6)
Onde PC é a potência dissipada no coletor do transístor, VCE é a queda de tensão entre os terminais
Coletor-Emissor, e ic é a corrente que flui pelo coletor. Note que quanto maior o valor da tensão Co-
letor-Emissor, maior será a dissipação de potência no coletor e, com isso, a necessidade de dissipador
de calor para transferir o calor produzido como efeito.
82
UNICESUMAR
Neste podcast abordaremos um pouco sobre o uso dos transístores

em circuitos utilizados na prática, com base nos dados de sua folha
de dados para o projeto dos circuitos.
A interpretação do gráfico permite inferir que, em regime de teste de pico não repetitivo, o componente
apresenta a capacidade de conduzir corrente máxima em seu coletor de 11 A , em diferentes tempos,
variando desde 100 µs, 1 ms e 10 ms em função da queda de tensão permitida durante este período.
Alguns modelos de transístores apresentam em suas folhas de dados mais gráficos que permitem
a abstração de dados referentes à resposta em temperatura, por exemplo, em que a capacidade de
dissipação de potência diminui, na medida em que a temperatura sobre o encapsulamento aumenta
(STMICROELECTRONICS, 2013), conforme Figura 8.
90
80
70
PD - Dissipação de potência (W)
60
50
40 MJE3055T
MJE2955T
30
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T C - Temperatura do encapsulamento (°C)
Figura 8 - Dissipação de potência em função da temperatura do encapsulamento

Fonte: STMicroelectronics (2013, p. 2).
Observe, na Figura 8, que a partir da temperatura de 25 C , a capacidade de dissipação de potência

diminui na medida em que a temperatura aumenta até seu limite máximo de 150 C . Este parâmetro
é importante para estimar o ponto de operação do transístor em termos de temperatura e dimensio-
namento do sistema de troca de calor (dissipador de calor).
Neste outro gráfico mostrado na Figura 9, é possível verificar que para cada curva de temperatura
de operação, com tensão coletor-emissor fixa em 2.0 V, os valores de ganho em corrente contínua (hFE)
86
UNIDADE 3
são definidos de acordo com a temperatura sobre a junção do transístor, contemplado por três tem-
peraturas distintas, sendo: -55 , 25 C e 150 C.
500
300 V CE = 2.0 V
200 TJ = 150°C
hFE - ganho em corrente contínua
100
25°C
50
- 55°C
30
20
10
5.0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
Corrente no coletor (A)
Figura 9 - Ganho em corrente contínua em função da corrente do coletor

Fonte: STMicroelectronics (2013, p. 2).
Observe que, para a temperatura de 150 C, o ganho se mostra maior, o mesmo valor de corrente no
coletor comparado com as demais temperaturas e, na medida em que a corrente no coletor aumenta,
tendendo a 10 A , o ganho diminui para todas as temperaturas. Um parâmetro muito importante que
relaciona à temperatura e determina o dimensionamento do sistema de troca de calor é a impedância
térmica ( Zth ) (Figura 10).
Figura 10 - Impedância térmica e condições de teste do transístor

Fonte: Semiconductors (1999, p. 4).
87
UNICESUMAR
O gráfico da Figura 10 mostra o comportamento previsto para o transístor BU4530AL, em que é

possível observar que, na medida em que o tempo aumenta, os valores de impedância térmica variam
com base no teste de pulsos mostrado no gráfico. Portanto, o transístor atua em regime transitório ou,
então, impedância térmica transiente.
Já a Figura 11 mostra a resposta da corrente no coletor em função da frequência (SEMICONDUC-
TORS, 1999). Observe que, na medida em que a frequência aumenta, a corrente no coletor tende a
diminuir, o que permite inferir que a variação de frequência implica no ganho de corrente do coletor
com relação à corrente da base (b / hFE ) , sendo que para aplicações com valores elevados de fre-
quência, deve-se levar em consideração a capacidade de resposta do transístor para o sinal pretendido.
10
8
Corrente no coletor (A)
0
0 20 40 60 80 100
Frequência (kHz)
Figura 11 - Corrente no coletor em função da frequência
Fonte: Semiconductors (1999, p. 4).
Frequência de operação do transístor ( fT ): este parâmetro (também denotado de “frequência de

transição”) é muito cogitado, quando o transístor é fabricado para operar em circuitos de telecomu-
nicações, como nos circuitos ressonantes de rádio comunicação e comutação em altas velocidades e
9
tempos de recuperação curtos. Normalmente, é apresentado com valores em torno de MHz ( 10 Hz
), ou bilhões de oscilações por segundo (STMICROELECTRONICS, 2013).
Um exemplo clássico é do PN 2222 A , amplamente utilizado em circuitos transmissores de rádio
e opera com frequências de 300 MHz (PHILIPS, 2004). É muito importante observar este indicador
para que o projeto contemple, também, a frequência do sinal, que pode representar um limitador, pois
caso a frequência aplicada ao transístor seja superior à capacidade do mesmo, em responder, poderá
haver diminuição do ganho do sinal e, com isso, mal funcionamento do circuito.
Finalmente, um tema determinante, no que tange ao projeto de circuitos com transistores, é o en-
capsulamento do modelo escolhido. Este parâmetro implica em limitações de tamanho final da placa
(ou do gabinete no caso de projetos de potência), custo, peso etc.
88
UNIDADE 3
Há diversos tipos de encapsulamentos comerciais que podem ser utilizados em diferentes mode-
los de transistores, por exemplo, o encapsulamento TO-92 é o mesmo para os transístores BC547 e
BC328, e o encapsulamento TO-3 é o mesmo para os modelos MJ802 e 2N3055, já os modelos TIP32
e MJ31307 utilizam encapsulamentos TO-220. Veja que diferentes modelos (part numbers) de tran-
sistores utilizam os mesmos encapsulamentos (veja alguns exemplos na Figura 12).
a b
TO-247 TO-3PH TO-202 TO-126 TO-92
Figura 12 - Encapsulamentos utilizados nos transistores: (a) diversos e (b) TO-220
Quando o encapsulamento prevê elevada dissipação de potência, normalmente, ele é projetado com
uma parte metálica capaz de permitir a fixação em um dissipador de calor, por meio de um furo, nele
é inserido um parafuso de fixação, conforme alguns modelos apresentados na Figura 12, como o TO-
220 e o TO-247, por exemplo.
A Figura 13 mostra alguns modelos de dissipadores de calor (do inglês “heat sink”). Estes perfis,
normalmente, fabricados em alumínio podem ter tratamentos metalúrgicos, como a anodização, por
exemplo, que aumenta a emissividade de 0,04 para 0,85, o que permite concluir que há um ganho da
taxa de calor radiado de até 20 vezes.
89
UNICESUMAR
Tabela 3 - Condutância térmica para diferentes materiais Nesta unidade, estudamos o princípio dos
transistores bipolares que dão início a um as-
Material (W/°C.cm)
sunto fundamental da eletrônica que teremos
Alumínio 2,08
acesso em unidades futuras, os circuitos com
Cobre 3,85 aplicações de eletrônica analógica, utilizando
Latão 1,1 transistores bipolares.
Aço 0,46 Os transístores servem a diversos propósitos,
Mica 0,006 dentre os principais destaques para os circuitos de
Óxido de berílio 2,10 amplificadores de corrente e tensão, circuitos de
Fonte: adaptado de Pomilio (2014, p. 11).
chaveamento (comutação em alta frequência para
controle de potência), circuitos de equipamen-
Observe que o cobre apresenta uma capacidade de tos utilizados em telecomunicações, telemetria e
conduzir calor de 3, 85 W / °C.cm , enquanto que instrumentação, satélites, fabricação de circuitos
o aço apenas 0, 46 C.cm, já o alumínio apre- integrados e microprocessadores, além de aplica-
senta a condutância térmica de 2, 08 C.cm ções na área da saúde, em equipamentos médicos.
, sendo um bom condutor de calor e, portanto, o A área de aplicação dos transistores é muito
mais utilizado para a confecção de dissipadores em ampla e suas possibilidades são diversas, desde a
eletrônica, amplamente utilizados, inclusive, em área de telecomunicações, aplicações industriais,
placas de computadores no sistema de arrefecimen- eletrodomésticos, computadores até mesmo na
to de microprocessadores, conforme a Figura 15. composição dos dispositivos que dão suporte à vida.
Figura 15 - Dissipador de calor utilizado em uma placa mãe de um microcomputador
92
Chegamos ao final de nossa unidade e, agora, faremos uma análise para verificar os principais
assuntos que aprendemos nesta etapa, por meio do mapa mental da Figura 16:
βcc
Corrente de hFE
coletor
Tensão base-
Corrente de emissor
base
Tensão coletor-
Transistor emissor
Amplificação bipolar
α
Corte
Encapsulamento
Saturação
Junção emissor
-base
MAPA MENTAL
Figura 16 - Mapa mental do transistor bipolar
Fonte: o autor.
93
Agora que resgatamos alguns conceitos, você, estudante, deve preencher o mapa mental a seguir
(Figura 17), com um exemplo de aplicação para cada item apresentado na Figura 16.
Transistor
bipolar
MAPA MENTAL
Figura 17 - Mapa mental para o transistor bipolar com exemplos de cada termo
Fonte: o autor.
94
1. Os transístores bipolares são componentes capazes de amplificar sinais e comutar o aciona-
mento de dispositivos, por meio da modulação de corrente em sua base. De acordo com os
estudos relacionados aos transístores bipolares, é correto afirmar que:
a) O transístor PNP é composto de duas pastilhas de semicondutor do tipo N e uma do tipo P.
b) O transístor NPN é diferente do PNP, pois seu ganho é sempre maior, por este motivo é mais
utilizado.
c) A junção base-emissor é aquela que determina a corrente que aciona o coletor, assim, quando
houver corrente entre base e emissor, consequentemente, haverá uma corrente proporcional
no coletor que depende do ganho b ou hFE do transístor em questão.
d) O coletor do transístor bipolar é o terminal de controle, e a base é a saída para a carga.
e) O emissor de um transístor NPN é sempre positivo, pois interliga a base ao coletor.
2. O ganho de corrente do coletor de um transístor depende da corrente da base. Calcule o va-

lor da corrente do coletor do transístor de silício ( vBE = 0, 7 V ) que apresente as seguintes
características: tensão de entrada de 12 V , resistor Rb = 10 kW , ganho bCC = 250 . Depois,
assinale a alternativa correta.
a) O valor da corrente no coletor é 28, 2 A .
b) O valor da corrente no coletor é 100 mA .
c) O valor da corrente no coletor é 138,3 µA .
d) O valor da corrente no coletor é 7 mA .
AGORA É COM VOCÊ

e) O valor da corrente no coletor é 282, 5 mA .
3. O uso de dissipadores de calor potencializa a troca de calor entre o encapsulamento do

transístor e a atmosfera. Sobre os dissipadores de calor utilizados em eletrônica, assinale a
alternativa correta:
a) Os dissipadores de calor de alumínio podem ser anodizados, potencializando sua capacidade
de trocar calor, sendo que a cor vermelha apresenta potencial de emissividade elevado.
b) A anodização é mais indicada para metais não ferrosos como o cobre e o latão, já o alumínio
utiliza apenas a cromeação para a fabricação de dissipadores, pois a anodização causaria a
formação de oxidação em sua superfície.
c) O enxofre é adicionado ao cobre para formar a bauxita que, por sua vez, é altamente con-
dutor de calor.
d) Na eletrônica, os dissipadores são fabricados em alumínio, pois sua condutância térmica
supera todos os metais, inclusive, o cobre.
e) A anodização amarela apresenta emissividade superior às cores azul, verde e vermelho e,
portanto, a mais eficiente.
95
1. Resposta correta: C, pois a corrente do coletor é diretamente proporcional ao produto do ganho e a
corrente da base.
2. Resposta correta: E.
Solução:
Cálculo da corrente na base:
vi vBE 12 0, 7 11, 3
ib 3
3
= 1,13.10 3 A ou 1,13 mA
Rb 10 10 10 10
Cálculo da corrente no coletor:
iC
bCC iC bCC iB 1, 13.103 250 282, 5.103 A
iB
iC 282, 5.103 A ou
iC 282, 5 mA
3. Resposta correta: A, pois, de acordo com os fabricantes de dissipadores de calor, pesquisas realizadas
indicam que a cor vermelha apresenta potencial de emissividade superior.
96
PHILIPS. Silicon Diffused Power Transistor. Amsterdã: Philips, 1999.
PHILIPS. Discret Semiconductors. Amsterdã: Philips, 2004. Disponível em: https://datasheet.octopart.

com/PN2222A-Philips-datasheet-50936.pdf. Acesso em: 4 dez. 2020.
POMILIO, J. A. Dimensionamento de sistemas de dissipação de calor para dispositivos semicondutores de

potência. In: Eletrônica de Potência. Campinas: Unicamp, 2014. Disponível em: http://www.dsce.fee.
unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpot/cap11.pdf. Acesso em: 4 dez. 2020.
STMICROELECTRONICS. Complementary Power Transistors. Tours, 2013. Disponível em: https://

www.st.com/resource/en/datasheet/cd00000895.pdf. Acesso em: 4 dez. 2020.
TOCCI, R. J.; WIDMER, N. S. Sistemas Digitais: Princípios e Aplicações. São Paulo: Pearson, 2003.
REFERÊNCIAS
97
MEU ESPAÇO
98
UNICESUMAR
Para fazer com que um sinal de áudio possa atingir grandes distâncias, por exemplo, é necessário am-
pliar sua intensidade, tarefa que os amplificadores de áudio realizam com maestria. Existem diversas
topologias de circuitos que são, amplamente, utilizadas para que um sinal de entrada seja elevado
várias vezes, na saída de um estágio amplificador. Este acopla o sinal proveniente de uma fonte de
baixa intensidade ao estágio de ganho e, posteriormente, acopla-o ao sistema de reprodução de áudio,
no caso, alto falantes.
A amplificação de sinais opera, continuamente, com um sinal de entrada, no modo “amplificador”
e consiste em, apenas, uma das diversas tarefas realizadas por transístores bipolares. Estes permitem,
também, configurações em circuitos capazes de acionar cargas de modo discreto (liga ou desliga),
denominado de operação “chave”.
Os circuitos com transístores permitem o controle sobre o comportamento dos sinais utilizados
em aplicações de áudio, vídeo, equipamentos médicos, instrumentação etc., sempre contribuindo para
que o mundo analógico, em pequenos e grandes sinais, seja disponibilizado ao acesso das pessoas. Veja
o Quadro 1, a seguir:
Quadro 1 - Dispositivos que realizam amplificação de sinais
Item Dispositivo Função

1 Caixa de som Bluetooth Amplificar sinais de áudio.
2 Transmissor de pressão industrial Amplificar sinais de um sensor capacitivo.
3 Prótese auditiva Amplificar sinais de áudio para audição.
4 Caixa amplificada para violão e guitarra Amplificar sinais de instrumentos musicais.
Amplificar os sinais dos sensores piezelétricos
5 Eletrocardiógrafo
das sondas conectadas ao corpo do paciente.
Fonte: o autor.
Com base em nossa imersão no mundo dos circuitos com transístores e, conforme os exemplos dados
no Quadro 1, crie um quadro conforme o exemplo e insira todos os dispositivos que você identifica a
necessidade de utilizar amplificadores.
Se não houvessem os amplificadores de áudio, como seria possível a comunicação direta com gran-
de quantidade de pessoas em ambientes comuns, seja em aplicações de entretenimento, como shows
musicais, seja em eventos religiosos, em que há a necessidade de elevar o som para que todos possam
ouvir? Até mesmo no ambiente hospitalar, um elemento sensível aos sinais de pulso ou ondas cerebrais
depende do uso de amplificadores, pois os sinais oriundos dos sensores são dados em pequenos sinais,
que precisam ser amplificados para que os instrumentos sejam capazes de processá-los e analisa-los.
Nas telecomunicações, como seria possível enviar dados, imagens e até a voz em longas distâncias, se
não fosse pela ação dos amplificadores? Um processo semelhante, também, ocorre com a rádio difusão
e transmissão de programas de televisão. Como os sinais dessas importantes fontes de informações
chegam em nossas casas ou dispositivos móveis, preservando sua integridade?
100
UNICESUMAR
Nessa configuração, a base do transístor é comum aos sinais de entrada e saída (Figura 4).
NPN PNP
E C E C
ie ic ie ic
V BE B VCB RL V BE B VCB RL
- +
+ V BB + V BB
ib ib
+
-
+ -
VCC VCC
- +
BASE COMUM
Figura 4 - Configuração Base Comum

Fonte: o autor.
Perceba que, nessa topologia, o sinal de entrada passa pelo emissor, sendo transferido para a carga (RL)
através do coletor do transístor, já o terminal da base está associado à referência. Observe as caracterís-
ticas das polaridades das fontes de alimentação VBB e VCC para ambas as topologias (NPN e PNP), que
se mostram totalmente diferentes. Na topologia coletor comum (CC ), o coletor do transístor está em
comum com o sinal de entrada e o sinal de saída (Figura 5).
NPN PNP
ie ie
RL RL
E E
ib V CE ib V EC
B - B +
VCC VCC
- + + -
+ V BB VCB C + V BB VBC C
ic ic
+ -
COLETOR COMUM
Figura 5 - Configuração Coletor Comum

Fonte: o autor.
Nesta topologia, a base do transístor é a entrada do sinal a ser amplificado e o emissor é a saída para
a carga (RL). O coletor é o terminal que serve de referência, tanto para a entrada quanto para a saída
do circuito, conforme podemos observar, em destaque, na Figura 5.
104
UNICESUMAR
i RX
RX V RX
V CC
Figura 6 - Queda de tensão: consequência da circulação de corrente através do resistor

Fonte: o autor.
Conforme vimos, anteriormente, nas configurações , BC e CC , agora, analisaremos cada uma em

termos de polarização dos transístores. Iniciamos pela polarização da configuração EC (Figura 7):
RC RC
RB RB
VRC VRC
VRB VRB
VCB ic VBC ic
ib VCE ib VEC -
+
VCC + VCC
V BE
-
V EB
NPN RE PNP RE
VRE VRE
ie ie
Figura 7 - Polarização da configuração emissor comum

Fonte: adaptada de Cipelli, Markus e Sandrini (2006, p.79).
No circuito da Figura 7, podemos observar que a forma é um pouco diferente do que vimos na primeira
oportunidade, quando estudamos a configuração emissor comum. Representa, no entanto, o mesmo
conceito. A diferenciação na notação do circuito deve capacitar você, estudante, a analisar os circuitos,
não, apenas, observando os componentes e suas associações, mas também seus efeitos dentro de um
circuito, como se fosse uma nova dimensão de seu poder de percepção.
Iniciamos a análise identificando os sinais de entrada e de saída que, conforme já vimos anterior-
mente, a entrada nesta configuração é pela base, e a saída é pelo coletor do transístor. Posteriormente,
identificamos o terminal do transístor que está em comum entre o sinal de entrada e o sinal de saída.
Neste caso, é o emissor, por este motivo o denominamos configuração emissor comum. Agora, ob-
servemos o resistor da base ( RB ), que, na representação inicial, não existia (Figura 3), mas que, neste
circuito, passa a existir e, na verdade, possui uma componente dinâmica que atribuímos o nome de
VRB . Lembra-se da queda de tensão, então, aqui este resistor exerce essa função e VRB tem o mesmo
papel de VBB da Figura 3.
106
UNIDADE 4
Observemos, agora, que existe a figura do resistor de emissor ( RE ), este, por sua vez, também, é
percorrido por uma corrente ( ie ) e produz como consequência uma queda de tensão VRE . O mesmo
ocorre com o resistor de coletor ( RC ), que é percorrido por uma corrente ( ic ) e apresenta a queda
de tensão VRC .
Utilizaremos esse raciocínio para analisar todos os circuitos, a partir desse momento, portanto,
sempre utilize como referência esta análise para interpretar os demais circuitos na sequência. Agora,
vamos para a parte mais interessante da nossa análise, aquela que envolve a matemática e as equações
que representam as variáveis de nossos circuitos.
Conforme podemos analisar, na Figura 7, para o transístor NPN, as equações que determinam as
variáveis envolvidas são dadas de acordo com as leis de Kirchhoff para correntes e tensões, conforme
podemos analisar, separadamente, na Figura 8:
RC
RB
VRC
VRB
VCB ic
ib VCE +
VCC
V BE
-
NPN RE
VRE
ie
Figura 8 - Análise das correntes e tensões nas malhas

Fonte: o autor.
ie ib ic (1)
VCE VBE VCB (2)
Agora, determinaremos as equações das malhas I , II e malha externa, conforme a

Figura 8: observe que na malha I as tensões VRC , VCE e VRE têm a mesma orientação
e sua soma deve resultar em VCC , logo:
VCC VRC VCE VRE (3)
Substituindo as tensões VRC e VRE por suas componentes ( R × I ), fica:
VCC ( RC I C ) VCE ( RE I E ) (4)
107
UNICESUMAR
Se utilizarmos o mesmo raciocínio para analisar a malha II , temos que:
VRB VCB VRC (5)
Que podemos representar:
( RB ib ) VCB ( RC iC ) (6)
Já VCB vem da relação entre VCE e VBE :
VCB VCE VBE (7)
Ao analisarmos a malha externa, temos que:
(8)
VCC VRB VBE VRE
Que podemos representar como:
VCC ( RB ib ) VBE ( RE ie ) (9)
108
UNICESUMAR
A partir do download do programa, de acordo com seu sistema operacional, é possível instalar e si-
mular os circuitos que estudaremos em nossa disciplina e, também, em demais projetos com circuitos
elétricos e eletrônicos.
01. EXEMPLO Dado o circuito da Figura 9, determinar os valores das correntes no resistor da base,
do emissor e do coletor do transístor.
Figura 9 - Circuito do exemplo 1

Fonte: o autor.
Ao utilizarmos o simulador, obtemos o circuito dado na Figura 10:
R1
R3
120
1.2k
V1
Q1
2N2222
12
Rser=1
R2
.tran 1000
Figura 10 - Circuito do exemplo 1 no ambiente LTspice

Fonte: o autor.
110
UNIDADE 4
Passando-se o mouse sobre os resistores de coletor e de emissor, é possível clicar e

obter o comportamento gráfico das correntes, conforme dado na Figura 11:
I (R3) I (R1) I (R2)

60mA
55mA
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
5mA
0mA
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1s
Figura 11 - Comportamento gráfico das correntes nos terminais base, coletor e emissor do
transístor
Fonte: o autor.
De acordo com os dados obtidos, podemos observar que os valores das correntes
nos respectivos resistores são:
iRB = 4.56 mA
iRC = 51.87 mA (10)
iRE = 56.43 mA
Perceba que a relação dada, anteriormente, na Equação 10, é verificada na simulação,

em que a corrente de emissor é comprovada com os valores mensurados no circuito
simulado:
ie ib ic (11)
111
UNIDADE 4
id
R1 RC
ib +
VCC
-
R2 RE
Figura 12 - Circuito da polarização por divisor de tensão

Fonte: o autor.
Observe os resistores R1 e R2 . Eles formam o divisor de tensão que recebe alimentação da mesma
fonte que alimenta a carga no coletor do transístor ( RC ), e a corrente que circula por eles ( id ) define
a corrente da base ( ib ). Como o divisor de tensão formado por R1 e R2 está associado, em paralelo,
com a fonte VCC , é fácil notar, pela primeira lei de Ohm, que a corrente id depende de:
VCC
id (13)
R1 R2
113
UNICESUMAR
Na Figura 13, temos um exemplo de polarização por divisor de tensão, em que R1

e R2 possuem os valores 12 kΩ e 3,3 kΩ, respectivamente, e a fonte de alimentação
VCC fornece 12 V ao circuito. Desta forma, o valor da corrente id fica:
12
id
12 k 3, 3 k
12
id =
15, 3 k
id = 0, 784 mA
12 kΩ 3,9 kΩ
-
10 V
3,3 kΩ 1,2 kΩ
Figura 13 - Polarização por divisor de tensão com valores

Fonte: o autor.
Para realizar esse cálculo, lembre-se que adotamos a correte da base tão pequena que
pouco interfere na corrente do divisor, com isso, o valor de id = 0, 784 mA é uma
aproximação considerável. Observe que, no simulador, o mesmo circuito se aproxima
dos valores teóricos mostrados na Figura 14:
114
UNIDADE 4
Figura 14 - Simulação do circuito com polarização por divisor de tensão

Fonte: o autor.
Como regra de aproximação, adotaremos um parâmetro prático aplicável na maioria

dos casos. Neles, adotamos a corrente na base pelo menos 20 vezes menor que a
corrente do divisor ( id ), assim, o valor da corrente da base ( ib ), para nosso exemplo,
deve ser menor que:
id 0, 784 mA
=
ib = = 39 µ
µA
20 20
Atendendo à essa aproximação, calcularemos a tensão na base ( Vb ):
Vb = id .R2
Vb 0, 784 mA 3, 3 kW (14)
Vb = 2, 58 V
Conhecendo o valor da tensão na base do transístor, agora, calcularemos a tensão e

a corrente no emissor do mesmo, adotando a relação dada por (Equação 15):
VE Vb VBE
VE 2, 54 0, 7 (15)
VE = 1, 88 V
115
UNICESUMAR
Quanto à corrente no emissor ( ie ), essa pode ser calculada pela relação dada entre
a tensão no emissor e o resistor do emissor, que de acordo com a lei de Ohm, fica
(Equação 16):
VE
ie =
RE
1, 88 V (16)
ie =
3, 3 kW
ie = 1, 57 mA
Com esses dados, é possível, agora, calcularmos a tensão no coletor e a tensão cole-
tor-emissor para este circuito:
Cálculo da tensão no coletor do transístor:
VC VCC VRC (17)
Que significa:
VC VCC (ic RC ) (18)

Para esta etapa de nosso cálculo, com a aproximação da corrente no coletor, apro-
ximadamente o valor da corrente no emissor (muito próximo), podemos considerar
neste método que:
ie ic 1, 57 mA
Substituindo os valores na Equação 18, temos:
VC 10 (1, 57 mA 3, 9 kW)
VC = 3, 88 V
Já a tensão VCE é dada por:
VCE VC VE (19)
Assim, VCE fica:
VCE 3, 88 1, 88
VCE = 2, 0 V
116
UNIDADE 4
Se, agora, testarmos nossa aproximação para o modelo em que a corrente da base é
20 vezes menor do que a corrente do divisor, teremos que analisar a faixa de ganhos
que pretendemos utilizar em nosso transístor, pensando sempre no pior caso: quan-
do o valor de hFE é mínimo, pois:
ic i
hFE ib c
ib hFE
Adotando um transístor com variação de hFE de 50 a 300 (FAIRCHILD, 2004),

o pior caso é quando o valor de hFE é menor, pois é inversamente proporcional ao
valor da corrente na base, logo, para este caso fica:
1, 57 mA
ib =
50
ib = 31
31µµA
Como o resultado da verificação ( ib = 31 µA)

µA é menor do que o valor estimado pela
aproximação ( ib = 39 µA),
µA ou seja:
31 µA < 39 µA
Concluímos que a aproximação utilizada é válida e nos permite calcular com facili-
dade os parâmetros de nosso circuito com polarização, por divisor de tensão.
Nesta seção do nosso livro, abordaremos o comportamento gráfico do transístor
bipolar, analisando algumas informações que são fornecidas pelos fabricantes aos seus
modelos. Estes são, definitivamente, indispensáveis para que um projeto, envolvendo
essa tecnologia, contemple a operação segura e o sucesso esperado.
117
UNIDADE 4
Com base na curva característica do transístor, podemos traçar uma reta que corta as diferentes linhas
propostas para diferentes valores de corrente de coletor e tensão coletor-emissor e, assim, analisar onde
desejamos que o transístor opere, pontuando a intersecção da reta com a curva, o ponto de operação
do mesmo, também conhecido como ponto Q, conforme mostrado na Figura 16.
100
REGIÃO DE SATURAÇÃO
I B = 400 μA
80 I B = 350 μA
I B = 300 μA
I c - CORRENTE NO COLETOR (mA)
I B = 250 μA
60
I B = 200 μA
REGIÃO ATIVA
40 I B = 150 μA
REGIÃO DE CARGA
I B = 100 μA
20 PONTO DE
OPERAÇÃO
I B = 50 μA
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
V CE - TENSÃO COLETOR-EMISSOR (V)
REGIÃO DE CORTE
Figura 16 - Reta de carga traçada sobre as curvas características do transístor BC546

Fonte: adaptada de ON Semiconductor (2002).
Observe a reta de carga que corta as curvas características do transístor. Os valores de corrente de co-
letor e de tensão coletor-emissor fixados em 60 mA e 12 V , respectivamente, e um ponto de operação
sobre a corrente de base de 150 µA . Sob o ponto de vista de projeto, o exemplo mostrado na Figura
16 estabelece que o transístor irá operar na reta de carga, entre valores operacionais, que respeitam
os limites impostos para o modelo, sendo, portanto, operação segura, pois, de acordo com a folha de
dados do transístor BC546, a corrente máxima de coletor é de 100 mA , seu VCEO = 65 V e o circuito
para qual a reta de carga representa contempla a tensão máxima de alimentação do coletor de 12 V ,
com corrente de coletor de 60 mA .
119
UNICESUMAR
I C - CORRENTE NO COLETOR (mA)

7
6
5
4
3
2
1
15
VCE - TENSÃO COLETOR-EMISSOR (V)
Figura 19 - Reta de carga do circuito da Figura 18

Fonte: adaptado de Malvino (1995, p. 247).
Através do gráfico mostrado na Figura 19, podemos concluir que a tensão entre coletor e emissor
máxima será de 15 V , e que a corrente máxima para a carga de 3, 3 kW será de 5 mA , que terá outro
valor se o valor da resistência de coletor for alterado.
Para explicar melhor, podemos imaginar, hipoteticamente, um curto-circuito entre os terminais
do coletor e do emissor, durante a saturação do transístor. Nesse momento, teríamos VCE = 0 V , e
um resistor de 3, 3 kW associado a uma fonte de 15 V , que, então, teria como resultado a corrente de
5 mA no coletor do transístor.
15 V
= ic = 5 mA
3 kW
Uma leitura que você, aluno, deve realizar a respeito da reta de carga é que este recurso contém todos
os pontos possíveis de operação do circuito onde o transístor está operando, ou seja, de acordo com
os pré-requisitos do projeto, o transístor assume determinado valor de tensão entre coletor e emissor
(devidamente de acordo com os limites de sua tecnologia dados pela folha de dados).
É importante salientar que todo circuito com transístor tem uma reta de carga e, analisando essa
informação, é possível determinar a corrente de saturação e a tensão de corte, conforme vimos na Figura
17, em que os valores são de 5 mA e 15 V , respectivamente. Com base nesses valores, interligamos
esses pontos com uma reta, e sobre ela escolhemos um ponto de operação que definirá a corrente da
base e resultará no efeito desejado ou na operação do transístor, dentro do circuito ao qual se aplica.
Para dar sequência nos dados do circuito, você deve adotar um valor de ganho hFE para o transís-
tor, de acordo com a folha de dados do mesmo, assim, para um transístor 2N3904, o ganho pode variar
de 100 a 300 , de acordo com valores de corrente de coletor e tensão coletor-emissor.
122
UNIDADE 4
GANHO DE CORRENTE (hFE)

VCE =1,0 V
CORRENTE NO COLETOR (mA)
GANHO MÍNIMO GANHO MÁXIMO
Figura 20 - Ganho hFE em função dos valores de corrente no coletor do transístor bipolar
Fonte: adaptada de ON Semiconductor (2012).
Uma vez adotado o ganho para a operação do transístor, por exemplo, 100 , podemos avançar e chegar
até o valor da corrente de coletor, com os dados que adotamos do circuito da Figura 18, assumindo
que o resistor da base seja de 500 kW , fica (MALVINO, 1995, p. 250):
15 V
ib ib 30 µ
µA
A
500 kW
ic
hFE ic ib hFE
ib
ic 100 30 µ
µA
A
ic = 3 mA
A corrente de coletor com 3 mA , ao circular pelo resistor do coletor de 3, 3 kW ,

produz a queda de tensão de:
VRC RC ic
VRC 3, 3 kW 3 m A
VRC = 9, 9 V
123
UNIDADE 4
Compreendemos, então, que os amplificadores podem ser utilizados para aplicações de áudio, vídeo,
instrumentação, entre outras, que visam, na maioria dos casos, tornar um sinal de pequena amplitude
em outro sinal com mais potência, capaz de excitar transdutores, por exemplo, os alto-falantes de um
sistema de som.
A amplificação, também, é muito utilizada em telecomunicações, seja na telefonia, seja na comu-
nicação via rádio, que utilizamos, constantemente, para enviar informações de diversas naturezas e
em diferentes tecnologias. Finalizamos, essa unidade. Aqui, aprendemos sobre topologias de circuitos
com transistores, de modo que a base para a interpretação dos principais circuitos com transistores
seja possível. Nas próximas unidades, falaremos um pouco mais sobre os circuitos, que remetem ao
conhecimento adquirido nesta etapa de nosso estudo.
Neste podcast, falaremos sobre os amplificadores de áudio e suas

principais tecnologias e aplicações. Estes utilizam os transistores
para amplificar os sinais que ouvimos em tantas aplicações diferen-
tes. Vem com a gente?!
127
Olá caro estudante. Chegamos ao final de nossa unidade. Vamos, então, rever os
principais conceitos por meio do mapa mental da Figura 24:
Polarização
coletor
comum
Polarização
emissor
Região ativa
comum
Operação Polarização
como base comum
amplificador
Circuitos Ponto Q
Operação com
como chave Transistores
Região de
saturação
VBB
Região de
corte
VRE
Reta de carga
MAPA MENTAL
Figura 24 - Mapa mental sobre circuitos com transístores

Fonte: o autor.
128
Cada um dos termos relacionados, na Figura 24, foram apresentados nessa unidade.
Agora, você deve preencher o mapa mental da Figura 24, informando o significado
de cada termo, com exemplo de utilização em cada caso.
Circuitos
com
Transistores
MAPA MENTAL
Figura 25 - Mapa mental para preenchimento - significado de cada termo
Fonte: o autor.
129
1. Quando polarizamos transístores bipolares, podemos adotar diversas topologias diferentes,
entre elas, a configuração emissor comum. Para esse tipo de polarização, é correto afirmar que:
a) O emissor é comum para os sinais de entrada e saída, e a tensão coletor-emissor é igual à soma
da tensão de alimentação do coletor, com as tensões sobre os resistores do emissor e do coletor,
respectivamente.
b) A corrente que circula pelo emissor é igual à corrente da base vezes a corrente do coletor do
transístor.
c) A tensão da junção base-emissor deve ser de 1, 2 V para que o transístor entre em saturação.
d) O emissor é comum para os sinais de entrada e saída, e a tensão coletor-emissor é igual à tensão
de alimentação menos as tensões sobre os resistores do emissor e do coletor, respectivamente.
e) A corrente de coletor independe do ganho de corrente do transístor, pois, nessa configuração,
os elétrons do coletor fluem, apenas, pelo emissor, sem influência da base, por esse motivo
emissor comum.
2. Na polarização de transístor bipolar por divisor de tensão, a técnica de aproximação impõe que a
corrente da base seja 20 vezes menor do que a corrente do divisor. Isso nos permite concluir que:
a) Dado ao tipo de circuito, o erro pode ser de 20 % e não terá efeito significativo, pois o transístor
está acionando um resistor que não depende de precisão por conta das influências da tempe-
ratura.
b) Devido à faixa de ganho de corrente de coletor, uma vez que a corrente da base é ampla, quando
AGORA É COM VOCÊ
utilizamos a aproximação podemos operar com um valor referencial de corrente de base para
fins de cálculo e, posteriormente, comparar com o pior caso dentro da faixa de ganho, onde o
transístor irá operar, e, assim, concluir que ele atende as especificações de operação.
c) O ganho de corrente do coletor pode variar de um valor mínimo até um valor máximo que de-
pende de cada modelo de transístor, em que o valor máximo é o pior caso, pois determina o
valor da corrente da base.
d) Nesse tipo de polarização, a corrente de coletor depende da corrente de emissor; esta, por sua
vez, é sempre duas vezes e meia maior devido à corrente de base ser multiplicada pela corrente
do divisor de tensão formado.
e) O divisor de tensão é baseado em resistores que, sempre, obedecem ao princípio da sobrepo-
sição, em que o valor de um não interfere na corrente do outro.
130
3. O ganho de corrente de um transístor é um dos parâmetros mais utilizados para projetos de ele-
trônica com tecnologia bipolar. Sobre o ganho de corrente de um transístor é correto afirmar que:
a) Este parâmetro sofre influência direta da corrente da base do transístor.
b) A temperatura não influencia neste parâmetro, e, apenas, a frequência pode exercer alterações,
pois na medida em que a frequência aumenta, o ganho aumenta na mesma proporção.
c) A corrente do coletor aumenta de acordo com o ganho e, na medida em que aumentamos a
corrente da base, o coletor sempre aumenta sua corrente, pois os elétrons coletados da base
continuam a surgir e aumentar. Dessa forma, a corrente sempre aumenta proporcionalmente
ao quadrado da corrente de emissor.
d) O ganho de corrente depende da tensão de emissor e da corrente de base do quadrado.
e) A frequência de corte do transístor influencia durante a região de saturação, pois é quando o
ganho atua cortado.
AGORA É COM VOCÊ
131
1. D, pois dado ao fato de o emissor ser comum para os sinais de entrada e saída e a tensão coletor-emissor
é igual à diferença entre a tensão de alimentação e a soma das tensões sobre os resistores do emissor e
do coletor.
2. B, pois a faixa de ganho do transistor é ampla e ao adotar valores de referência permite que o dimensio-
namento do circuito seja rápido, dado que os valores obtidos são comparados com limites de operação.
3. A, pois o ganho de corrente no coletor é função do produto da corrente da base e do ganho de um transístor.
132
CIPELLI, A. M. V.; MARKUS, O.; SANDRINI, W. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Ele-
trônicos. 22. ed. São Paulo: Érica, 2006.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. Jameco Part Number 787536. On-line, 2004. Disponível
em: https://www.jameco.com/Jameco/Products/ProdDS/787536.pdf. Acesso em: 17 dez. 2020.
MALVINO, A. P. Eletrônica. 4. ed. São Paulo: Makron Books, 1995. v. 1.
ON SEMICONDUCTOR. BC546/BC547/BC548/BC549/BC550 NPN Epitaxial Silicon Transistor. Aurora,

2002. Disponível em: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC550-D.pdf. Acesso em: 17 dez. 2020.
ON SEMICONDUCTOR. 2N3903, 2N3904: General Purpose Transistors. [S. I.], 2012. Disponível em: https://
www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF. Acesso em: 17 dez. 2020.
ON SEMICONDUCTOR. MPSA42, MPSA43: High Voltage Transistors. Denver, 2013. Disponível em: https://
www.onsemi.com/pub/Collateral/MPSA42-D.PDF. Acesso em: 17 dez. 2020.
ROHDE E SCHWARS. R&S®RTC1000 oscilloscope. São Paulo, [2020]. Disponível em: https://www.rohde-
-schwarz.com/br/produto/rtc1000-pagina-inicial-de-produtos_63493-515585.html. Acesso em: 17 dez. 2020.
REFERÊNCIAS
133
MEU ESPAÇO
134
UNICESUMAR
Quando você conecta o carregador do seu smartphone na tomada de energia elétrica de sua casa, o
que acontece? Ou, quando você liga seu computador na tomada e energiza a sua fonte de alimentação,
o que acontece dentro deste estágio responsável por alimentar todos os circuitos do equipamento?
A maioria dos dispositivos eletrônicos modernos utilizam fontes de alimentação chaveadas, e o ter-
mo que denomina o chaveamento é, justamente, o transístor que atua na comutação do seu conversor.
Esse transístor é de um tipo especial, conhecido como MOSFET.
A velocidade de comutação exigida pelos circuitos dos equipamentos mais modernos sugere uma
chave capaz de comutar elementos indutivos, em altas frequências e com capacidade de condução de
correntes elevadas, aliado à baixa dissipação de calor. Esses são atributos que os MOSFETs detêm e,
por esse motivo, são aplicados na fabricação de fontes de alimentação chaveadas em geral.
Esta tecnologia é, amplamente, utilizada por conversores de eletrônica de potência, como fontes
chaveadas, reatores eletrônicos, carregadores de baterias, amplificadores, cargas eletrônicas etc. Os
MOSFETs, também, estão presentes nas placas dos computadores, nos circuitos de conversão de po-
tenciais para alimentação de componentes eletrônicos sensíveis, alimentados em baixíssima tensão,
com elevadas correntes.
Uma das maiores diferenças entre as tecnologias alimentadas com fontes chaveadas e as antigas,
mantidas por fontes lineares, é a eficiência energética e, consequentemente, o consumo de energia.
Antes, em equipamentos eletrônicos, como televisores antigos, a dissipação de potência em forma de
calor era demasiadamente grande, ficando os circuitos responsáveis por reproduzir som e imagem,
com aproximadamente (em média) 60% da potência, o resto era dissipado na forma de calor.
Com o desenvolvimento dos MOSFETs, os equipamentos eletrônicos passaram a “aproveitar” melhor
a energia, ou seja, passaram a converter a energia recebida na entrada em ações uteis na saída, graças à
elevação do fator de potência, que só ocorreu quando os equipamentos passaram a contar com fontes
de alimentação chaveadas em alta frequência.
Os transistores MOSFET não retém queda de tensão entre os terminais de condução da “chave”
(Dreno-Source) na mesma proporção que o transístor bipolar, por isso, o aquecimento dos MOSFETs
é quase nulo, convertendo a potência oferecida na entrada em quase 100% de energia na saída, apenas
com poucas perdas. Desse modo, é bastante comum encontrar conversores chaveados com fator de
potência de 98%.
Quais dispositivos eletrônicos você utiliza em seu dia a dia? Carregadores de baterias para smar-
tphone? Computador de mesas ou laptop? Monitor de vídeo e Televisor com tela LED ou plasma?
Qualquer um desses exemplos precisa de fonte de alimentação chaveada.
136
UNICESUMAR
Olá estudante! Estudamos, nas unidades anteriores, o funcionamento do transístor bipolar que permite
o controle da corrente de coletor, por meio da manipulação da corrente na base. Esse efeito é graças à
arquitetura funcional da tecnologia bipolar, que recebe este nome em função dos dois tipos de porta-
dores de carga elétrica (elétrons e lacunas) que se manifestam em seu funcionamento.
Nesta unidade, estudaremos uma tecnologia que opera com o princípio do campo elétrico (que está
associado à diferença de potencial elétrica), o que permite o desenvolvimento de muitas tecnologias
de transístores que operam com caraterísticas diferentes das já estudadas nos transístores bipolares:
os transístores de efeito de campo ou “FETs” (do inglês: Field-Effect Trasnsistor).
O transístor JFET é um exemplo de transístor unipolar e recebe essa denominação porque, para seu
funcionamento, essa tecnologia depende apenas de um tipo de carga: elétrons ou lacunas, portanto,
uni, que é prefixo de um.
Fonte: adaptado de Malvino (1995, p. 548).
A tecnologia FET oferece vários tipos de transístores diferentes, por exemplo: JFET, MOSFET, IGBT
etc. Nesta unidade, abordaremos o JFET e o MOSFET. Iniciamos nosso estudo dos dispositivos de
efeito de campo, portanto, pelo JFET, que também é conhecido como FET de junção. Nessa tecnologia
de efeito de campo, o transístor possui três terminais que se assemelham muito com as funções da
tecnologia bipolar, porém com suas devidas particularidades. Analisemos, na Figura 1, os terminais,
suas semelhanças e equivalências com os terminais do transístor bipolar:
Equivalência entre
os terminais dos
n transístores
FET bipolar
G p p G B
D C
n S E
G = Gate (porta)
D = Drain (dreno)
S = Source (fonte)
Figura 1 - JFET: seus terminais e equivalência com a tecnologia bipolar

Fonte: adaptada de Malvino (1995, p. 550).
O terminal do gate (G) de um transístor JFET é equivalente ao terminal da base (B) de um transístor
bipolar. O terminal dreno (D), por sua vez, tem a função semelhante à do terminal do coletor (C) de um
transístor bipolar, enquanto o source (S) realiza o trabalho do emissor (E). Observe, ainda, na Figura
138
UNICESUMAR
Na Figura 3, podemos verificar um exemplo de JFET. Nela, um circuito de polarização é mostrado.
inversamente
polarizado
n
+
p p
G - VDD
- n
VGG +
S
Figura 3 - JFET: circuito para análise

Perceba que, diferentemente, da polarização de transístores bipolares, o transístor JFET apresenta a

tensão Gate-Source ( VGS ), inversamente polarizada. Isso nos permite concluir que a corrente no
gate do JFET é muito pequena, praticamente desprezível. Esta característica está associada ao termo
“resistência de entrada” - Rin (que será abordado mais adiante). Neste caso, é praticamente infinita,
uma vez que, assumindo uma aproximação algébrica em que uma tensão VGG = 2 V é aplicada no
gate do JFET, assumindo iG = 0 A , temos a Equação 1 (MALVINO, 1995):
VGG 2
Rin (1)
iG 0
140
UNIDADE 5
Na prática, a resistência de entrada Rin não é infinita, porém muito alta. Tipicamente da ordem de
centenas de megaohms (MALVINO, 1995). Esta característica permite atuar em circuitos com pequenos
sinais, como de sensores, em que a amplitude do sinal possui baixa potência e requer um circuito ampli-
ficador, capaz de ampliar o seu sinal de milivolts (por exemplo), sem prejudicá-lo, logo, como mínima
corrente na entrada (gate), este componente pode estimular uma corrente amplificada no seu dreno.
Essa característica, também, tem um preço: falta de sensibilidade para o controle da corrente no
dreno e, com isso, baixo ganho de corrente de saída com relação à corrente de entrada (ao contrário
dos transístores bipolares). Uma regra geral seria utilizar o JFET quando buscamos alta impedância de
entrada para sinais de pequena amplitude, e transístores bipolares quando a intensão é aplicar ganhos
elevados com sensibilidade e controle sobre a corrente de saída.
Quando nos referimos aos transístores JFET, devemos associar o termo “efeito de campo” às ca-
madas de depleção em torno de cada região p da Figura 4. Perceba que há camadas de depleção entre
os terminais de porta (gates) do JFET e o seu canal que assumem, respectivamente, os portadores de
carga p e n , conforme o exemplo dado pela Figura 4.
D
Em operação, quando há corrente fluindo pelo
canal do JFET, os elétrons livres se difundem da
região n para a região p , formando o que conhe-
cemos como camada de depleção entre o canal e
n o gate do componente e, como temos um canal
negativo ( n ), no exemplo dado, ao aplicar ten-
G p p são negativa em seu gate, podemos manipular a
largura do canal e, consequentemente, o fluxo de
n corrente entre dreno e source.
Assim, semelhante a um diodo reversamente
polarizado, quanto mais negativa a tensão aplica-
da entre o gate e o source de um JFET ( VGS ), mais
estreito é o caminho para a corrente entre dreno e
S source, e, da mesma forma, quanto mais positiva a
Figura 4 - Região das camadas de depleção de um JFET tensão VGS , maior será a abertura do canal para a
Fonte: o autor. circulação de corrente entre dreno e source.
141
UNICESUMAR
Como o gate do JFET é inversamente polarizado, devemos observar que a tensão VGS possui
uma faixa de valores que permite a condução de corrente pelo dreno, definida entre VGS (off ) (tensão
de corte gate-source) e VDS ( máx ) . Assim, na medida em que a tensão gate-source fica mais negativa,
menor é a corrente entre dreno e source. Por outro lado, na medida em que VGS aumenta, tendendo a
zero, assistimos a um aumento da corrente no dreno. Esses valores podem ser consultados na folha de
dados do JFET. No caso do MPF 102 , podemos observar que os valores de VGS variam entre −0, 5 V
e −7, 5 V (ON SEMICONDUCTOR, 2006).
É importante observar, também, que o transístor do exemplo ( MPF 102 ) apresenta, em sua folha de
dados, o parâmetro VGS (off ) de −8, 0 V . Isso significa que para uma tensão de −8, 0 V , o gate está tão
negativo que a corrente entre dreno e source, nessa condição, é igual a zero. O termo VGS (off ) também
significa VGS (corte) (tensão de corte entre gate-source), pois com esse valor a corrente de dreno é cortada.
Além do valor de VGS (off ) , há, também, um parâmetro denominado de tensão de constrição “ VP
” (ou tensão de estrangulamento) que consiste na tensão mínima, esta deve ser aplicada entre o dreno
e o source de um JFET para que o dreno opere como uma fonte de corrente. Analisemos um exemplo
dado no gráfico da Figura 5.
Figura 5 - Curvas de dreno do JFET

142
UNIDADE 5
Observe que a corrente de dreno ( I D ) é amostrada para três valores

de VGS : 0 V , −1V , − 2 V , −3 V e −4 V . Note que para a tensão
gate-source de 0 V a corrente de dreno apresenta o maior valor:
10 mA , que corresponde ao parâmetro I DSS (máxima corrente
permitida para o gate do JFET).
Por outro lado, para o valor de VGS 4 V a corrente no dreno
é, praticamente, zero. Os valores intermediários de VGS ( −1 V ,
− 2 V e −3 V ) produzem correntes proporcionais de 5,62 mA
, 2,5 mA e 0, 625 mA , respectivamente. Para a Figura 5, a tensão
de constrição VP é igual a 4 V entre dreno e source, e a tensão
de ruptura é de 30 V . A partir dessa análise, podemos obter mais
informações sobre o comportamento do JFET, baseado na folha de Neste podcast, falaremos sobre
dados do componente, conforme os quadros mostrados na Figura os JFETs e suas funcionalidades
6, no caso do MPF102: e aplicações.
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Característica Símbolo Min. Máx. Unidade
Corrente reversa no gate

− −2, 0
( VGS 15 Vdc , VDS = 0 V ) I GSS
nAdc
− µAdc
−2, 0
( VGS 15 Vdc , VDS = 0 V , TA 100 C )
Tensão gate-source de corte

VGS (off ) − −8, 0 Vdc
( VDS = 15 Vdc , I D = 2, 0 nAdc )
Tensão gate-source
VGS −0, 5 −7, 5 Vdc
( VDS = 15 Vdc , I D = 0, 2 mAdc )
CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS
Corrente de dreno com 0 V no gate ( VGS = 0 V )

I DSS 2, 0 20 mAdc
( VDS = 15 Vdc , VGS = 0 Vdc )
Figura 6 - Parâmetros do JFET

Fonte: ON Semiconductor (2006, p. 2).
143
UNICESUMAR
A Figura 7 mostra a curva de transcondutância do JFET, que se relaciona à corrente de dreno, pela
tensão gate-source do mesmo. Observe que no caso do JFET, a corrente de dreno inicia a partir da
tensão VGS (off ) e aumenta na medida com que VGS aumenta. Este comportamento será sempre o
mesmo para os JFETs, diferenciando-se, apenas, para os valores específicos de cada modelo.
Figura 7 - Curva de transcondutância do JFET

Quando adotamos os valores de tensão e corrente, para o exemplo da Figura 5, obtemos o gráfico da
curva de transcondutância da Figura 8, para o transístor JFET MPF102:
Figura 8 - Curva de transcondutância do JFET MPF102

144
UNIDADE 5
Observe que o valor de VGS (off ) para este transístor é de e, para este valor de corrente de dreno (
I D ), é igual a zero. Desse modo, a partir dos valores maiores de tensão gate-source, a corrente de
dreno aumenta até 10 mA , em que a curva de transcondutância intercepta o eixo de valores de I D
. Na verdade, temos o limite para este modelo (MPF102). Este ponto é denominado como I DSS , já
mencionado anteriormente.
Podemos concluir que o gráfico de transcondutância nos permite analisar o comportamento de um
transístor de maneira ampla e rápida, podendo o projetista entender se atende ou não à sua necessidade.
É comum em projetos de amplificadores o uso de um estágio JFET de entrada (devido à alta impedância
de entrada) associado a um estágio que utiliza transístor bipolar, graças à sua capacidade de amplificar
o sinal de maneira sensível, conhecidos como amplificadores BIFET (BI – Bipolar e FET – Field-Effect
transistor). Isso atribui o ganho desejado para excitar estágios que exigem potência elevada do sinal,
como autofalantes, motores etc., conforme o diagrama em blocos da Figura 9.
Estágio de Estágio de
entrada do ganho do
amplificador amplificador
JFET BIPOLAR
Alta Alto ganho Figura 9 - Estágios de um amplifi-

impedância do sinal cador BIFET
de entrada Fonte: o autor.
Em termos de circuito, podemos avaliar o exemplo dado na Figura 10, em que temos uma etapa de
pré-amplificador de áudio com estágio de entrada, baseado em JFET e estágio de saída, utilizando um
transístor bipolar.
alto ganho
alta impedância
entrada
JFET volume
saída
Figura 10 - Circuito com estágio FET de entrada e Bipolar de saída

Fonte: o autor.
145
UNIDADE 5
V CC +
Q10
Q2 Q15
JF3
Q3
Q7
Q6 Q16
Q11 Q13
IN +
Q12 R7
D1 R9
IN - R5 OUT
JF1 JF2
R8
C1
Q4 Q14 Q17
Q8
Q1
Q5 Q9
OFFSET N1
See Note A R10 D2
OFFSET N2 R4
R6
R1 R2 R3
VCC -
Figura 11 - Diagrama interno do amplificador operacional BIFET TL05X

Fonte: Texas Instruments (2003, p. 3).
Observe, na Figura 11, as entradas e IN − , que são conectadas diretamente aos JFETs tipo P “ JF 1” e “
JF 2 ”, onde, posteriormente, os sinais de seus drenos são entregues a estágios com transístores bipolares,
muito semelhante ao que observamos na Figura 10, porém, na Figura 11, temos um circuito fundido
em uma pastilha de silício e, portanto, os componentes mostrados no diagrama estão encapsulados
em um invólucro único, conforme Figura 12:
TL054
D, DB, N OR NS PACKAGE
TL051 TL052 (TOP VIEW)
D OR P PACKAGE D, P OR PS PACKAGE
(TOP VIEW) (TOP VIEW) 1OUT 1 14 4OUT
1IN - 2 13 2IN-
OFFSET N1 1 8 NC 1OUT 1 8 VCC +
1IN + 3 12 2IN+
IN - 2 7 V CC + 1IN - 2 7 2OUT VCC + 4 11 VCC -
IN + 3 6 OUT 1IN + 3 6 2IN- 2IN+ 5 10 3IN+
V CC - 4 5 OFFSET N2 VCC - 4 5 2IN+ 2IN- 6 9 3IN-
2OUT 7 8 3OUT
(a) (b) (c)
Figura 12 - Encapsulamentos dos amplificadores operacionais da família TL05X

Fonte: Texas Instruments (2003, p. 1).
147
UNICESUMAR
Observe que diferentes encapsulamentos permitem uma quanti-

dade variável de circuitos dentro de sua estrutura, sendo, assim,
um componente com 8 terminais (Figura 12 (a) e (b) - encapsula-
mentos tipo D, P ou PS) pode acomodar 2 circuitos independentes,
enquanto que um encapsulamento com 14 terminais (Figura 12 (c)
- encapsulamentos tipo D, DB, N ou NS) pode oferecer 4 circuitos
amplificadores em um só componente para essa tecnologia.
O fato de encapsular amplificadores em circuitos integrados
permite que aplicações em instrumentos eletrônicos sejam viabili-
zadas mais facilmente, e as dimensões dos circuitos sejam reduzidas,
além de ter estabilidade térmica que assegura integridade aos sinais,
mesmo sujeitos às variações de temperatura, dentro de faixas de
operação dadas pelo fabricante.
Agora, chegamos em um assunto muito relevante desta unidade
e fala sobre uma tecnologia muito utilizada, talvez, tanto quanto a
tecnologia de transístores bipolares: os MOSFETS. O MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) ou IGFET
(Insulated-Gate Field-Effect Transistor) ou transístor de efeito de
campo de porta isolada ou, ainda, “transístor de efeito de campo
metal-óxido-semicondutor” (SEDRA; SMITH, 2012, p. 143), seme-
lhante ao JFET, porém com algumas particularidades.
No MOSFET, o gate é isolado da pastilha que compõe o canal,
por meio de uma fina camada de (dióxido de silício), que é o mes-
mo vidro que conhecemos. Esta característica maximiza, ainda
mais, o conceito de alta impedância de entrada (resultando em
baixíssimos níveis de corrente de porta (gate), da ordem de 10-15
A) e implica que, para controlar um fluxo de corrente através do
dreno, atuamos com a variação de cargas elétricas entre o gate e o
source, agindo diretamente sobre a dife Si O2 rença de potencial da
fonte ligada entre o gate e o source.
Algumas vantagens substanciais dos MOSFETs é que essa tec-
nologia opera dissipando muito menos calor do que os transístores
bipolares, portanto, com maior eficiência aliado à velocidade de
comutação, permitindo o controle com precisão em circuitos de
resposta ultrarrápida, como em fontes chaveadas.
148
UNIDADE 5
A estrutura dos MOSFETs é, amplamente, utilizada para a fa-

bricação de circuitos integrados dada as suas dimensões extrema-
mente reduzidas que possibilitam a integração em elevada escala
(VLSI – Very Large Scale Integration) em mais de 200 milhões de
transístores em uma mesma pastilha de circuito integrado (SEDRA;
SMTH, 2012). A Figura 13 apresenta a estrutura física do MOSFET
e suas características internas (modelos de MOSFETs em corte com
representação dos elementos internos):
Figura 13 - Estrutura física do MOS-

FET em algumas configurações
Observe, na Figura 13, que as representações contam com os termos “E-MOSFET” e “D-MOSFET”, que
significam, respectivamente: “Enhancement MOSFET” (E-MOSFET) ou MOSFET tipo intensificação
ou crescimento e “Depletion MOSFET” (D-MOSFET) ou MOSFET tipo depleção. Para essas aplicações,
em que os MOSFETs são montados diretamente em placas de circuito impresso, os encapsulamentos
podem variar em diversos modelos, de acordo com a necessidade, seja ela com soldagem, por meio
de furos, seja na superfície da placa (SMD).
149
UNICESUMAR
Figura 14 - Encapsulamentos de MOSFETs

Fonte: Infineon (2019, p. 6).
150
UNIDADE 5
A Figura 15 apresenta duas tecnologias de MOSFETS: tipo intensificação (ou crescimento – E-MOS-
FET) e tipo depleção (D-MOSFET). Observe a camada de Si O2 entre o terminal do gate e o corpo
do MOSFET.
Figura 15 - Tipos de MOSFETs e sua simbologia

Fonte: o autor.
Neste livro, abordaremos, apenas, o modo intensificação, pois é o mais difundido e utilizado atualmente,
já o modo de depleção destina-se a algumas situações específicas na área de pesquisa em laboratório.
A Figura 16 mostra a simbologia para cada um dos tipos de MOSFETs: intensificação e depleção para
os dois canais possíveis ( e n ).
INTESIFICAÇÃO DEPLEÇÃO
D D
CANAL N
G G
S S
D D
CANAL P
G G
Figura 16 - Simbologia para os
S S MOSFETs
Fonte: adaptado de Malvino (1995).
151
UNICESUMAR
Observe que o substrato do símbolo (parte com a seta) indica seu tipo de canal ( p ou n ). Desse
modo, a seta para dentro indica o tipo n , e a seta para fora, o canal p , em ambos os tipos. Figura 17
nos permite observar cada item interno de um MOSFET do tipo intensificação, como a região do
Dreno, Gate, Source, o substrato, a camada isolante de Si O2 e algumas dimensões relacionadas à
microeletrônica do componente.
S Camada de
G óxido de silício
Si O2 (tox )
W D
Dimensões típicas:
L: 0,1 a 3,0 μm
W: 0,2 a 100 μm
n tox : 2 a 50 nm
L n
Região do
source (fonte)
B
Região do canal Região do dreno
Substrato tipo
“p”
Figura 17 - Estrutura física de um transístor NMOS tipo enriquecimento em perspectiva

Fonte: adaptada de Sedra e Smith (2012, p. 142).
O substrato é uma lâmina de silício monocristalino e, portanto, a base sobre a qual o MOSFET
é construído e que, neste caso, é do tipo “ p ” (não confundir substrato com o canal do MOSFET). O
substrato é, também, conhecido como corpo do MOSFET, por esse motivo, a letra “ B ” (do inglês
“body”), no terminal inferior do desenho, não tem efeito sobre o funcionamento do MOSFET, sendo,
internamente, interligado ao terminal do source. O MOSFET, desse modo, oferece acesso externo,
apenas, aos três terminais: gate, dreno e source.
A Figura 18 apresenta exemplos de encapsulamentos que são usuais na fabricação de MOSFETs.
Observe em (a) um exemplo de encapsulamento para montagem em superfície na placa de circuito
impresso (tecnologia de montagem em superfície SMT – “surface mount technology”). Quanto ao
encapsulamento, referimo-nos ao SMD, que remete ao termo “surface-mount device”.
152
UNIDADE 5
Dreno
“D”
Gate Source G
“G” “S”
Encapsulamento TO-220
(a)
Encapsulamento TO-220F
G D S
Encapsulamento TO-220F
G D S
(b)
Figura 18 - Encapsulamentos utilizados para MOSFETs: (a) exemplo de encapsulamento SMD e (b) exemplo de
encapsulamentos para montagem “through-hole”
Fonte: adaptada de ON Semiconductor (2003; 2017).
153
UNICESUMAR
Na Figura 18 (b), observamos dois exemplos de encapsulamentos

muito utilizados na indústria de componentes, especialmente, para
os MOSFETs, é o encapsulamento TO-220 (muito comum também
em reguladores de tensão, transístores bipolares etc.). Este modelo
de encapsulamento é utilizado para montagem, por meio de furos.
Este método é conhecido como tecnologia “PTH” ou “Through-hole
technology” que é, sem dúvidas, uma das mais antigas e utilizadas
tecnologias de montagem, aplicado em componentes de diversos
tipos de componentes montados em placas de circuito impresso.
Caro(a) estudante! Finalizamos esta unidade! Aqui, entendemos
que o transístor de efeito de campo do tipo MOSFET tem aplicações
na comutação em altas frequência. Ele opera com sinais de baixa
potência em níveis de tensão e, ao mesmo tempo, permite controlar
fluxos de corrente de grandes amplitudes, como o acionamento de
estágios de fontes de alimentação de equipamentos eletrônicos,
eletrodomésticos, smartphones e computadores, dissipando a baixa
potência e aumentando a eficiência da comutação, graças à baixa
resistência, durante a comutação (resistência dreno-source com o
transístor saturado).
154
Chegamos ao final desta unidade. Vamos recordar os principais termos que traduzem a tecnologia
de transistores de efeito de campo, por meio do mapa mental da Figura 19:
ID
IGBT
VGS
Curva de
MOSFET Transcondutância
Transistor RD
JFET de efeito de
campo
Região
Ôhmica
VDS
Região
linear
SiO2
I D(ON)
MAPA MENTAL
Figura 19 - Mapa mental para o transístor de efeito de campo
Fonte: o autor.
155
UNICESUMAR
Agora, você deve preencher seu mapa mental, inserindo a função de cada termo da Figura 19:
Transistor
de efeito de
campo
Figura 20 - Mapa mental para o transistor de efeito de campo - a ser preenchido pelo aluno
Fonte: o autor.
156
1. Analisando a curva de correntes do dreno de um determinado JFET, mostrado na Figura 21,
podemos concluir que:
Figura 21 - Curvas de dreno de um JFET

Fonte: o autor.
a) Quando a tensão entre o gate e o source for menor ou igual à −3, 5 V , a corrente no dreno
é máxima, pois este tipo de transístor atua com tensão negativa no gate.
b) Com uma tensão igual ou superior à 24 V em VDS , a corrente de dreno é máxima, configu-
rando a região ativa do transístor definida como “região linear”.
AGORA É COM VOCÊ

c) Quando a tensão em VDS assume valores entre 0 e 3 V , podemos afirmar que o JFET atua
como uma fonte de corrente.
d) Este JFET pode operar com 12 V entre seu dreno e source e, sempre, atuará como um resistor
controlado por tensão.
e) Quando este JFET opera com tensão de 0 V entre seu gate e source, a corrente chega a 10 mA
, pois o canal entre dreno e source está, totalmente, aberto devido à polarização do gate.
157
2. Um estudante de Engenharia, ao projetar um circuito com MOSFET para acionar o enrolamen-
to de um transformador, selecionou um modelo que atenderia as especificações do projeto,
analisando sua curva característica de transcondutância. Sobre a curva analisada pelo estu-
dante, é correto afirmar que:
a) A curva de transcondutância permite interpretar a relação entre a tensão no gate do MOSFET
e a corrente proporcional em seu dreno, uma vez que, nos dispositivos do tipo depleção, essa
tensão inicia-se no quadrante negativo e, no MOSFET do tipo intensificação, a polarização
ocorre com tensão positiva entre o gate e o source.
b) A curva de transcondutância permite ao projetista entender qual o valor do RDS (ON ) do
MOSFET, pois este é seu único objetivo.
c) A inclinação da curva de transcondutância depende apenas da corrente do dreno e da tensão
de constrição ao quadrado, por conta desse efeito quadrático é que a referida curva apresenta
sua concavidade para cima.
d) A reta de carga típica da curva de transcondutância é utilizada para definir o ponto de opera-
ção do MOSFET, relacionando à corrente do gate e a tensão máxima permitida pelo source.
e) O projeto baseado na curva de transcondutância analisa todos os valores de corrente e ten-
são permitidos para o MOSFET, apenas, para valores de tensão reversa, sendo que corrente
direta aplicada no gate terá o mesmo valor da corrente no dreno do mesmo.
3. Os transístores de efeito de campo apresentam características que os diferenciam em ter-

mos de impedância de entrada, o que os qualifica a operar em circuitos de condicionamento
AGORA É COM VOCÊ
de pequenos sinais. Sobre as características dos transístores de efeito de campo, assinale a

a) Os transistores de efeito de campo apresentam elevada impedância de saída e baixa impe-
dância de entrada, o que os torna compatíveis com sinais de baixa intensidade.
b) Os transístores de efeito de campo apresentam elevada impedância de entrada, o que os
torna compatíveis com sinais de baixai intensidade dado que sua saída é no terminal Gate.
c) A impedância de entrada dos transistores de efeito de campo utiliza dióxido de silício (caso do
MOSFET) para isolar o sinal de entrada entre a junção Gate-Source e, então, criar um campo
magnético que controla o fluxo de corrente pela junção Dreno-Source.
d) Quando um MOSFET é disparado, a resistência entre os terminais Dreno e Source diminui
a valores muito próximos de zero, assim, a queda de tensão sobre esta junção, durante a
condução, é quase nula ou muito baixa.
e) Quando os MOSFETs são disparados, uma vez acionado seu Gate, o canal tende a fechar para
que a corrente possa fluir por meio da junção do substrato-source (Vss).
158
1. E, pois, devido à arquitetura do transístor JFET, a corrente de 10 mA ocorre em 0 V, enquanto que se
aplicarmos tensão negativa em VDS, a corrente no dreno diminui até zero.
2. A, pois a curva de transcondutância é a ferramenta para avaliar a relação entre o valor da tensão no
gate e a corrente do dreno do transistor.
3. D, pois a corrente tem início no MOSFET com a polarização positiva no Gate, em que o canal é aberto
e o fluxo de corrente é o máximo, enquanto estiver acionado.
159
FREESCALE SEMICONDUCTOR. Field Effect Transistors in Theory and Practice. On-line, 1993.
Disponível em: https://www.nxp.com/docs/en/application-note/AN211A.pdf. Acesso em: 21 dez.
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GENTILIN, F. A. Eletrotécnica e Eletrônica. Maringá: UniCesumar, 2019.
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MOS_Benefits_i_Hard_Soft_Switching-ProductBrochure-v07_01EN.pdf?fileId=db3a3043338c8a-
c80133aca62ba63047. Acesso em: 21 dez. 2020.
ON SEMICONDUCTOR. BSS123: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect
Transistor. Aurora, 2017. Disponível em: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BSS123-D.PDF.
Acesso em: 21 dez 2020.
ON SEMICONDUCTOR. FQP10N20C/ FQPF10N20C: N-Channel QFET®MOSFET. Aurora,
2003. Disponível em: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FQPF10N20C-D.pdf. Acesso em:
21 dez. 2020.
ON SEMICONDUCTOR. MPF102: JFET VHF Amplifier N−Channel − Depletion. Phoenix, 2006.
Disponível em: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MPF102-D.PDF. Acesso em: 21 dez. 2020.
RASHID, M. H. Power Electronics Handbook. San Diego: ACADEMIC PRESS, 2001.
TEXAS INSTRUMENTS. Tl05x, Tl05xa Enhanced-Jfet Low-Offset Operational Amplifiers. Dallas,
2003. Disponível em: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl054.pdf. Acesso em: 21 dez. 2020.
REFERÊNCIAS
160
161
MEU ESPAÇO
MEU ESPAÇO
162
UNICESUMAR
Você sabe como é possível um mesmo transístor ser utilizado em diferentes aplicações, seja na comuta-
ção discreta de uma carga resistiva, seja no controle da potência da saída de uma fonte de alimentação
com carga variável?
Figura 1 - Fonte de alimentação de computador: variações de carga em regime dinâmico
Atualmente, dependemos de muitos itens de tecnologia para nos mantermos conectados ao trabalho,
à família, aos amigos etc. Os recursos tecnológicos que utilizamos, por exemplo, computadores e
smartphones, são fabricados para operar com eletricidade. Para isso, é necessário que os potenciais de
tensão sejam adequados a cada tipo de tecnologia.
Os computadores pessoais, em específico aqueles que ocupam um espaço físico, em uma mesa
permanentemente, conhecidos como “desktops”, normalmente, utilizam uma fonte de alimentação
adequada às placas que o compõe, sendo necessário fornecer potenciais de tensão em corrente contínua
de +3,3 V, +5 V, +12 V, -5 V e -12 V (padrão ATX). Quando o computador é portátil (laptop), os valores
de tensão de saída do carregador de baterias (ou fonte externa) variam entre 15 V e 20 V, dependendo
do modelo e do fabricante do equipamento.
164
UNIDADE 6
O fato é: essas tensões tem um propósito, alimentar os circuitos do computador, que possuem, por
sua vez, uma arquitetura baseada em Microprocessadores, memórias e dispositivos periféricos. As tarefas
de processamento podem variar de acordo com a necessidade dos programas realizados. Desse modo,
a fonte de alimentação dos computadores deve ter a capacidade de manter, constantemente, a tensão
na saída, enquanto uma variação na corrente pode ocorrer dentro de valores seguros, atendendo aos
limites máximos de consumo (da carga) e, ao mesmo tempo, da fonte.
Para realizar a tarefa de controlar a tensão na saída, mantendo-a dentro de níveis estreitos de tole-
rância e, ao mesmo tempo, fornecer a corrente necessária para manter o funcionamento do circuito
dentro de uma faixa de operação prevista, os transístores de efeito de campo são associados a circuitos
de controle. Estes introduzem, em seus gates, pulsos de tensão modulados em alta frequência (PWM
– Pulse-Width Modulation), capazes de manipular altas correntes em seus gates, adequadas às neces-
sidades de cargas eletrônicas, resistivas, indutivas e capacitivas.
As aplicações de alimentação de circuitos microprocessados de dispositivos eletrônicos com eletrô-
nica embarcada, circuitos de controle e acionamento de iluminação LED ou carregadores de baterias,
estas cada vez mais utilizadas em aplicações de dispositivos móveis e em veículos elétricos, sugerem alta
utilização dos transístores de efeito de campo, que são aplicados no controle de potência e eficiência
energética.
Figura 2 - Carga de bateria em carro elétrico
165
UNICESUMAR
Quantos dispositivos você utiliza em seu dia a dia que possuem

baterias recarregáveis em seus circuitos internos? Nesta etapa de
nosso estudo, listaremos todos os dispositivos que têm seu funcio-
namento condicionado à vida útil de uma bateria e que precisam
ser conectados à rede elétrica para serem carregados. Uma vez que
os itens estejam listados, associe a cada um a capacidade de cada
bateria, conforme o exemplo dado no Quadro 1:
Quadro 1 - Dispositivos alimentados por bateria recarregável
Item Descrição Capacidade (mAh)

1 Smartphone 3.110
2 Laptop 6.600
3 Tablet 5.000
Fonte: o autor.
O objetivo de relacionar a capacidade de carga refere-se à quantida-

de de energia que o carregador deverá entregar a cada bateria para
torná-la carregada. Na verdade, nunca conseguimos ligar nossos
carregadores nos dispositivos, exatamente, no mesmo ponto em
todas as vezes que vamos carregá-los, assim, em alguns casos, quan-
do a bateria estiver quase, ou totalmente descarregada, a carga será
maior (ou mais intensa), tendo a corrente de carga mais elevada. Já
em outros momentos, com a bateria não totalmente descarregada, a
sua carga terá intensidade menor, com isso a corrente de carga será
menor. Essa variação de corrente de carga na medida certa é dada
por meio do uso de circuitos com transístores de efeito de campo.
Como seria possível controlar a corrente de carga de uma bateria,
sem o uso de modulação em alta frequência? Quantas aplicações
movidas à bateria existem e passaram a existir, nos últimos 10 anos,
e que vieram para ficar? O que seria dessas tecnologias se não hou-
vessem os transístores de efeito de campo?
166
UNICESUMAR
Olá, caro estudante. Nesta unidade, daremos sequência ao estudo que iniciamos na Unidade 5 e
continuamos a analisar a tecnologia de efeito de campo (MOSFET), porém, agora, em termos de po-
larização e funcionamento dinâmico de circuitos para que você possa entender como essa maravilha
da eletrônica funciona. Analisaremos o MOSFET em corte dado pela Figura 4, em que se aplica uma
fonte de tensão entre o gate e o source e aterra os terminais de source e dreno. Podemos observar
que as lacunas na região do substrato tipo p , que se posicionam próximas da região da porta (gate),
afastam-se empurradas pelo potencial positivo aplicado em VGS e, também, pela atração exercida pelo
potencial mais negativo na região da fonte. Assim, temos uma região altamente negativa, formada no
substrato abaixo da região da porta, denominada de “região de depleção”.
+
- VGS
Camada de Si O2 Canal tipo “n”

G induzido
S D
n n
L
Substrato tipo “p”
Região de
depleção B
Figura 4 - Aplica-se uma tensão positiva ao gate do MOSFET – vista em corte

Fonte: adaptada de Sedra e Smith (2012, p. 143).
Nesse momento, o potencial positivo, também, atrai elétrons provenientes das regiões do tipo n ,
das regiões do source e do dreno, para a região do canal, formando o “canal tipo n induzido”,
interligando o dreno e o source. Mais adiante, aplicaremos, uma diferença de potencial no dreno para
verificar como ocorre a circulação de corrente, por meio desta camada.
Analisaremos, agora, o referido MOSFET para entender melhor seu funcionamento. Observe
a presença de duas regiões, fortemente, dopadas do tipo “ n ”, denominadas “ região do dreno ” e “
região do source ”, que estão difundidas no substrato. Ainda, na Figura 5, podemos observar uma
camada de dióxido de silício ( Si O2 ) com espessura entre 2 e 50 nm que isola o terminal do gate da
região do canal . Manipulando-se a tensão entre o gate e o source do MOSFET ( VGS ), provocamos
o surgimento da corrente entre o source e o dreno. Este conceito é melhor observado na Figura 5, em
que um circuito de polarização é exibido:
168
UNIDADE 6
Figura 5 - Circuito de polarização

do MOSFET
Fonte: o autor.
Quando a tensão VGS é igual a zero, há apenas poucos elétrons livres na pastilha p , o que não resulta
em circulação de corrente impulsionada pela tensão entre dreno e source ( VDS ), ou seja, com tensão
igual a zero em VGS , a corrente no dreno de um MOSFET do tipo intensificação é igual a zero. Isso
o diferencia, totalmente, do JFET, que apresenta corrente no dreno com sinal negativo de tensão no
gate. Quando a tensão VGS aumenta, cargas positivas começam a surgir no terminal do gate, atraindo
os elétrons livres da pastilha p , eles se recombinam com as lacunas próximas à camada de dióxido
de silício.
Figura 6 - Polarização do MOSFET:

elétrons livres se recombinam com
lacunas
Fonte: o autor.
169
UNIDADE 6
+ ip
- VGS
iS =iD
Camada de Si O2 Canal tipo “n”
G induzido
S iG=0 D
ip
n n
Canal tipo “n”
induzido
Substrato tipo “p”
Região de
Figura 8 - NMOS polarizado com
depleção B
pequeno sinal no Dreno
Fonte: adaptada de Sedra e Smith
(2012, p.144).
No instante em que aplicamos uma tensão no gate do MOSFET ( vGS ), as lacunas do substrato tipo
“ p ” são empurradas para a região do source, e restam, nesta área, apenas as ligações covalentes de
cargas negativas de átomos aceitadores. Ao mesmo tempo, a mesma tensão no gate atrai elétrons das
regiões de dreno e source que se interligam nesta região denominada “canal tipo n ”, conforme mos-
trou a Figura 8. Mas, afinal, qual valor de tensão em vGS é necessário para formar o canal entre dreno
e source? Em outras palavras: qual valor de vGS reuniria um número suficiente de elétrons móveis
capazes de formar o canal entre dreno e source? A resposta é “ Vt ”, que significa “tensão de limiar” do
inglês “threshold voltage” (que também é conhecido como VGS (th ) do inglês “Gate Threshold Volta-
ge” – que será abordado mais adiante). O valor de Vt é fixado quando o MOSFET é fabricado e opera,
geralmente, entre 0, 5 V e 1, 0 V (SEDRA; SMITH, 2012).
Na medida em que elevamos o valor de vGS , assistimos um aumento do número de elétrons na
região do canal e, com isso, a relação entre vGS e Vt ( vGS − Vt ) determinará a corrente no dreno do
MOSFET, além da tensão VDS que impulsiona I D . A este excesso de tensão no gate (relação vGS − Vt
) é dado o nome de “tensão efetiva” ou “sobretensão de condução” (SEDRA; SMITH, 2012, p. 144).
Podemos observar, na Figura 9, que para cada valor de vGS , há um valor correspondente de I D .
171
UNICESUMAR
ID (mA)
0,4 VGS = Vt + 2,0 V
0,3 VGS = Vt + 1,5 V
0,2 VGS = Vt + 1,0 V
0,1 VGS = Vt + 0,5 V

Figura 9 - Características de ID - VDS
Fonte: adaptada de Sedra e Smith VGS Vt
(2012, p. 145). VDS = VO
0 50 100 150 200
Observe, na Figura 9, que quando vGS ≤ Vt , a corrente no dreno do MOSFET é igual a zero (ou muito
próximo disso) e só, a partir dos valores de tensão entre gate e source somados a Vt , é que conseguimos
aumentar, drasticamente, a corrente no dreno do MOSFET.
A ideia da transcondutância se define pelo mesmo princípio da ação e reação que observamos no
estudo do JFET (embora existam certas especificidades), que deriva da análise da curva de transcon-
dutância, que leva em consideração a relação entre a corrente de dreno e a tensão no gate. A Figura
10 mostra um exemplo de curva de transcondutância para o MOSFET do tipo intensificação, em que
faremos vGS = VGS para facilitar nosso entendimento.
ID
ID (ON)
Figura 10 - Curva de transcon-

dutância para o MOSFET do tipo
intensificação
VGS Fonte: adaptada de Malvino (1995,
VGS (th) VGS (ON) p. 575).
172
UNIDADE 6
Observe, na Figura 10, uma curva, esta mostra o crescimento da corrente no dreno do MOSFET, a partir
do limiar VGS (th ) , indicando o valor da tensão, que tem início com o fluxo de corrente pelo dreno do
MOSFET. Assim, para valores de VGS menores que VGS (th ) , a corrente no dreno é, aproximadamente,
zero. Para I D (ON ) valores de VGS superiores a VGS (th ) , a corrente VGS do dreno é controlada por meio
da tensão VGS , neste temos um valor limite, denominado VGS (ON ) , em que a corrente no dreno atinge
seu valor ativo ().
A Figura 11 mostra as curvas de dreno para um MOSFET com alguns valores de tensão e as res-
pectivas correntes de dreno. Observe que a corrente do dreno começa a fluir a partir do ponto em
que VGS = VGS (th ) e pode operar até o limite de I D , quando aplicamos uma VGS 15 V . Os valores
intermediários de VGS resultam em valores proporcionais de I D .
região
ôhmica
VGS = + 15 V
V DD / R D região linear
(fonte de corrente)
VGS = +10 V
V GS = +5 V
VGS (th)
V DS
V DD
Figura 11 - Curvas de dreno para o MOSFET

Observe, na Figura 11, que a corrente de dreno depende da tensão VGS e que a tensão VDD determina
um limite para a operação do MOSFET, levando-se em consideração os limites de cada modelo. Assim,
de acordo com a carga a ser acionada pelo dreno, é possível relacionar a sua corrente, realizando a
V
operação que envolve DD R = I D e estabelecer um ponto no eixo de I D . Ao interligarmos este ponto
D
ao ponto relacionado com VDD , temos, então, a reta de carga para o MOSFET.
173
UNIDADE 6
No gráfico, na Figura 12, os pontos Q , Q ' e Q" representam valores

de tensão entre dreno e source e corrente de dreno, que o MOSFET
pode assumir dentro de uma margem segura de operação e, como
consequência, será caracterizado em regiões de operação, de acordo
com os valores do ponto “ Q ”, adotado em projeto.
O ponto Q , que representa uma operação na região linear com
valores médios de tensão e corrente I D e VDS , já Q ' , opera na
região ôhmica, onde o MOSFET se comporta como um resistor,
com VDS muito baixo e a corrente I D com valor elevado. Enquanto
isso, em Q" encontramos o MOSFET operando com valor de VDS
elevado, porém com a corrente I D pequena.
É importante para o estudante relacionar os gráficos mostra-
dos na Figura 11 e 12 e associar seus termos, principalmente, VGS
, VGS (th ) , I D , VDS e VDD , pois são dependentes uns dos outros, e
a manipulação de um pode resultar na alteração do outro. Alguns
termos, entretanto, podem ser obtidos diretamente da folha de
dados do fabricante.
Nesta etapa de nossa unidade, abordaremos as principais ca-
racterísticas elétricas de um MOSFET, tomando como base um
modelo real, tanto para efeito estático quanto para comportamen-
to dinâmico. Como exemplo, estudaremos o modelo comercial
STY34NB50, que apresenta as seguintes características elétricas,
mostradas no Quadro 2.
Observe um parâmetro denominado “ RDS (on ) ”, que representa
a resistência entre o dreno e o source do MOSFET. Este parâmetro
remete a quão resistivo o componente se mostra quando ativo, ou
seja, qual a resistência entre dreno e source do MOSFET ao ser
acionado.
175
UNICESUMAR
Quadro 2 - Características elétricas do MOSFET STY34NB50
Símbolo Parâmetro Condições de teste Mín. Típ. Máx. Unidade
VDS Tensão dreno-source 500 V

Corrente no dreno VDS = máx. 10 µA
I DSS com gate aterrado ( 100 µA
VGS = 0 ) VDS = máx. , TC 125 C
Corrente de fuga do
I GSS gate ( VDS = 0 ) VGS 30 V ±100 nA
Tensão de limiar no
VGS (th ) gate VDS = VGS , I D = 250 µA 3 4 5 V
Resistência dreno-
RDS (on ) -source (ativo) VGS = 10 V , I D = 17 A 0, 11 0, 13 W
Corrente no dreno
VDS I D (on ) RDS (on ) max
I D (on ) (ativo)
34 A
VGS = 10 V
Corrente no dreno
ID (contínua) Temperatura de 25 °C 34 A
Corrente no dreno
ID (contínua) Temperatura de 100 °C 21, 4 A
Repetitiva ou não-repetitiva
Corrente de avalan- (largura de pulso limita-
I AR che da pela temperatura da
34 A
junção).
Dissipação total de
Ptot potência do compo- Temperatura = 25 °C 450 W
nente
Máxima Temperatu-
TJ ra de operação da 150 °C
junção
Fonte: adaptado de STMicroelectronics (1998, p. 1-2).
É muito importante levar em consideração o RDS (on ) de um MOSFET, pois, quando percorrido por
corrente elétrica, a queda de tensão sobre este componente ( VRDS (ON ) ) será proporcional ao valor da
Neste podcast, falaremos sobre as principais características de um

MOSFET, citando os dados de modelos conhecidos e utilizados com
frequência, em projetos de equipamentos eletrônicos.
176
UNIDADE 6
resistência, de acordo com a Equação 1:
VRDS (ON ) RDS (ON ) I D (1)
Como consequência disso, a potência a ser dissipada pelo transístor é impactada

diretamente, pois (Equação 2):
PD VD I D (2)
Onde PD é a potência dissipada no dreno do MOSFET, VD é a tensão no dreno e,

de acordo com o valor dado pelo fabricante, não deve ultrapassar a máxima potência
dissipada pela junção do transístor ou dissipação total de sua potência “ Ptot ”, con-
forme Quadro 2, que é de 450 W . Associado a este parâmetro, temos a temperatura
de operação da junção que define o dimensionamento do sistema de troca de calor
ou dissipador de calor a ser utilizado. Para o MOSFET em questão, a Máxima Tem-
peratura de operação da junção “ TJ ” é de 150 °C .
Observe com atenção os parâmetros I D (on ) e I D . Veja que I D (on ) se refere à
corrente do dreno do MOSFET nas condições de teste: VDS I D (on ) RDS (on ) max e
VGS = 10 V . Isso significa que a tensão entre o gate e o source satisfaz a condição de
VGS (ON ) dada no gráfico da Figura 10, sabendo-se que com 10 V entre gate e source,
obtemos a corrente de no dreno, por esse motivo este valor está na coluna “mínimo”.
Já o parâmetro I D , que aparece duas vezes, remete também à corrente de dreno
do MOSFET, porém, com a influência da temperatura. Desse modo, I D é para dois
valores de temperatura, 25 °C e 100 °C . Observe que quando o transístor opera
a 25 °C , a corrente máxima é de 34 A , porém, na medida em que a temperatura
aumenta, a corrente no dreno ( I D ) diminu 34 A i, chegando aos 21, 4 A , quando a
temperatura é igual a 100 °C .
Por conta das características do MOSFET, de permitir o controle da corrente de
dreno através da manipulação da corrente de gate, este componente ajusta-se perfei-
tamente aos casos em que há a necessidade de controlar cargas em altas velocidades,
como nas fontes comutadas em alta frequência (fontes chaveadas) ou em circuitos
de controle, utilizando técnicas de modulação por largura de pulso (PWM – “Pulse
Width Modulation”).
São inúmeras as opções que utilizam o MOSFET, graças à sua capacidade de operar
em altas velocidades, podendo permanecer quase que em temperatura ambiente, é
o caso das tecnologias com muito baixos, como a família de MOSFETs CoolMOS™.
A série de imagens, da Figura 13 até a Figura 16, mostra algumas aplicações típicas
em que os MOSFETs da tecnologia CoolMOS™ se aplicam.
177
UNIDADE 6
ser inserida no transformador. Conversor “full-bridge” ou “conversor de onda completa”. Perceba que
o acionamento dos transístores desse conversor deve ocorrer em diagonal cruzado, pois, senão, há
sério risco de curto-circuito. Se, por algum motivo, forem acionados na vertical, haverá corrente por
meio dos MOSFETs, e os elétrons do polo negativo migrarão, rapidamente, para o polo negativo, sem
passar pela bobina do enrolamento primário do transformador, pois há um caminho pouco relutante
dado as características da tecnologia. Este tipo de situação poderia levar o MOSFET à sua ruptura e
permanente inutilização.
Figura 14 - Circuito de um conversor full-bridge (CC-CA), utilizando MOSFET CoolMOS™
CoolMOSTM CoolMOSTM
Vin
CoolMOSTM CoolMOSTM
Na Figura 15, o MOSFET é aplicado em um circuito clássico, um conversor “Flyback”. Este tipo de
conversor é utilizado, frequentemente, em fontes de alimentação chaveadas, utilizadas em carregadores
de baterias de celular, smartphones, tablets, monitores de vídeo, desktops, laptops etc. Quase todos os
equipamentos eletrônicos da atualidade utilizam conversores Flyback para alimentar seus circuitos,
dado a sua densidade de potência, eficiência, dimensões reduzidas etc.
Figura 15 - Conversor Flyback utilizando MOSFET CoolMOS™
179
UNICESUMAR
CoolMOSTM
Controller
Quando observamos a imagem da Figura 16, encontramos dois MOSFETs que atuam em um conversor
“Half-bridge”, ou “meia ponte”.
Figura 16 - Conversor half-bridge utilizando MOSFET CoolMOS™
CoolMOSTM
CoolMOSTM
ICE1HSO1G
180
UNIDADE 6
Nesta aplicação, cada MOSFET é acionado por vez, comutando, em um tempo, o potencial positivo
e, em outro tempo, o potencial negativo, no mesmo ponto do enrolamento primário de um transfor-
mador. Todas as aplicações de exemplo são clássicas e utilizam MOSFETs, porém, nem sempre, são
CoolMOS. Esta tecnologia representa uma opção para operações em que há a necessidade da redução
das dimensões dos equipamentos, dado a quase extinta necessidade do uso de dissipadores de calor,
resultando em alta eficiência, pois a potência de entrada dos conversores é convertida, praticamente,
toda em potência de saída, ou seja, muito pouco se dissipa em calor durante o processo de conversão.
Há aplicações que os MOSFETs são solicitados em grande escala, para correntes de centenas de
amperes. Nesses casos, os encapsulamentos são diferentes e admitem montagem com cabos, direta-
mente, parafusados em seu gabinete, conforme pode ser visto na Figura 17.
Figura 17 - MOSFETs para altas

correntes
Assim como os MOSFETs, há também os IGBTs (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) ou Tran-
sístor Bipolar de Porta Isolada, que consiste na junção da tecnologia bipolar com o MOSFET, reunindo
as características dos dois dispositivos. São amplamente utilizados em acionamentos elétricos e fazem
parte dos circuitos dos inversores de frequência. A isolação entre o gate (porta) do IGBT e o canal
formado pelo seu Coletor-Emissor permite que ele atue com a alta impedância de entrada de um
MOSFET e com as características de acionamento de um transístor bipolar (Figura 18).
G
G = Gate
C = Coletor
Figura 18 - Símbolo do IGBT
E E = Emissor Fonte: Gentilin (2019, p. 195).
181
UNICESUMAR
Na Figura 19, é possível visualizar alguns encapsulamentos utilizados para a fabricação dos IGBTs. Os
encapsulamentos com terminais para soldagem, normalmente, são utilizados em projetos que envolvem
placas de circuito impresso, já os encapsulamentos maiores são utilizados quando a corrente é muito
elevada para trilhas em placas, e são necessários cabos e terminais de alta potência fixados por parafusos.
Figura 19 - IGBT - disponível em

encapsulamentos para montagem
em placas e por meio de cabos (al-
tas correntes).
Estudamos, nesta unidade, os princípios fundamentais de dispositivos de efeito de campo, com destaque
para os MOSFETs, amplamente utilizados na eletrônica atual.
A tecnologia MOSFET é muito utilizada em aplicações em que o controle de potência é realizado
por meio da comutação em alta velocidade, no caso de conversores CC-CC, por exemplo, nas fontes
de alimentação chaveadas, controle de potência para acionamento de motores, aquecimento etc.
Os MOSFETs são, largamente, aplicados em ambientes em que o sinal de controle é dado em tensão
pulsante, com frequência fixa e razão cíclica variável (PWM), atuando de modo a modular a largura
do pulso de comutação do transístor, de maneira rápida e eficiente.
182
Chegamos ao final desta unidade. Agora, recordaremos os principais termos que traduzem a
tecnologia de transístores de efeito de campo, por meio do mapa conceitual da Figura 20.
Região de
depleção
Sobretenção
Half-bridge de consução
VGS(th)
Flyback
Região
Ôhmica
Full-bridge MOSFET
Conversor
R D(ON)
CC-CC
VRDS(ON)
Conversor
Boost
PWM
MAPA MENTAL
Figura 20 - Mapa conceitual para o transístor de efeito de campo
Fonte: o autor.
183
Agora, você deve preencher seu mapa conceitual, na Figura 21, inserindo a definição de cada
termo da Figura 20:
MOSFET
MAPA MENTAL
Figura 21 - Mapa conceitual para o MOSFET – deve ser preenchido pelo aluno
Fonte: o autor.
184
1. Os MOSFETs são tecnologias que utilizam o efeito de campo para comutar correntes em
atuações de alta velocidade e alta impedância. Sobre o MOSFET, assinale a alternativa correta
com relação ao termo Si O2 .
a) É uma camada de condução entre o terminal Gate e o Dreno, necessária para o controle da
corrente.
b) Tem como objetivo interligar o Dreno no terminal Source.
c) Opera na mesma filosofia dos transístores bipolares.
d) Permite o MOSFET utilizar fontes independentes.
e) É a camada isolante que caracteriza a alta impedância de entrada do MOSFET.
2. A polarização do MOSFET depende do valor da tensão aplicada entre os terminais Gate e

Source. Desse modo, a corrente no Dreno depende, diretamente, deste parâmetro. Sobre o
termo “tensão de limiar”, ou “ Vt ”, assinale a alternativa correta:
a) A corrente do dreno é, inversamente, proporcional à tensão VDS.

b) A tensão de limiar representa o valor máximo de tensão suportada pelo Dreno do MOSFET.
c) O valor de Vt opera entre 0, 5 V e 1, 0 V , entre Dreno e Source e corresponde à razão de
ganho do MOSFET.
d) A sobretensão de condução ocorre quando vGS − Vt .
AGORA É COM VOCÊ

e) O valor de Vt é sempre maior do que a tensão máxima da junção Dreno-Source, logo, em
termos de 1000 V.
3. A queda de tensão sobre os terminais Dreno e Source determinam a potência dissipada pelo
MOSFET, logo o RDS ( on ) tem um papel importantíssimo sobre este parâmetro. Sobre o termo
“ RDS ( on ) ” assinale a alternativa correta.
a) O RDS ( on ) é o valor do resistor montado entre o Gate e o Source do MOSFET para estabilizar
a corrente do Gate.
b) O RDS ( on ) é a resistência entre os terminais Dreno e Source do MOSFET, quando o mesmo
está em operação (ativo).
c) O RDS ( on ) é utilizado para definir o valor da curva de transcondutância do MOSFET, dado
que determina a tensão do Gate.
d) A tensão no Dreno depende da relação da soma do valor de RDS ( on ) e a tensão Gate-Dreno
ao quadrado.
e) O parâmetro RDS ( on ) é, diretamente, proporcional à corrente do Dreno do MOSFET.
185
1. E, pois o Si O2 é uma camada de isolação formada na conexão do terminal gate do MOSFET.
2. D, pois a diferença entre a tensão Gate-Source e a tensão de limiar define a sobretensão de condução.
3. B, pois o RDS ( on ) , ou “Resistência Dreno-Source, quando o MOSFET está ativo”, é a resistência entre os
terminais Dreno e Source do MOSFET, quando ele está em operação (ativo).
186
GENTILIN, F. A. Eletrotécnica e Eletrônica. Maringá: UniCesumar, 2019.
INFINEON. CoolMOS™ SJ MOSFETs benefits: in hard and soft switching SMPS topologies. Villach, 2019.
Disponível em: https://www.infineon.com/dgdl/InfineonProductBrochure_CoolMOS_Benefits_i_Hard_
Soft_Switching-ProductBrochure-v07_01EN.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133aca62ba63047. Acesso
em: 21 dez. 2020.
STMICROELECTRONICS. STY34NB50: N - CHANNEL 500V - 0.11Ω - 34 A - Max247 PowerMESHTM

MOSFET. [S. I.], 1998. Disponível em: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/24987/STMICROE-
LECTRONICS/STY34NB50.html. Acesso em: 28 dez. 2020.
187
MEU ESPAÇO
188
UNICESUMAR
Quando comparamos grandezas, por exemplo, uma distância entre uma cidade e outra ou, mesmo,
a altura entre edifícios, utilizamos parâmetros tangíveis, ou seja, podemos ver com facilidade que há
certa diferença e quantificá-la. Se a grandeza, porém, que desejamos mensurar não fosse visível, como
a velocidade e a altura do voo de uma aeronave, a temperatura no interior de um ambiente, a corrente
elétrica de um circuito ou o valor da pressão em um reservatório? Como é possível medir e comparar
essas grandezas por meio de recursos eletrônicos?
Diversas aplicações são necessárias para comparar

valores oriundos de sinais elétricos e, assim, tomar
decisões. Por exemplo: acionar um compressor do
sistema de refrigeração, para atingir a temperatu-
ra desejada, ou abrir uma válvula, para regular a
pressão de um reservatório, justifica a utilização de
circuitos especializados na análise e, então, a res-
pectiva tomada de decisão, adequada a cada caso.
Além disso, o condicionamento de sinais está
presente, em nosso dia a dia, nas aplicações de
áudio, por exemplo, em que se faz necessário am-
pliar o volume de um sinal sonoro para que ele
seja enviado em distâncias maiores, como no caso
das caixas acústicas que utilizamos. Este processo
de amplificação é realizado por amplificadores
operacionais que operam em parceria com mi-
crocontroladores (as vezes até DSPs) com o obje-
Figura 1 - Medição de temperatura sem contato:
leitura de variável analógica indicada em mos- tivo de processar os dados de áudio e produzir a
trador digital experiência sonora desejada.
190
UNICESUMAR
Figura 3 - Amplificadores ope-

racionais integrados em en-
capsulamentos comerciais DIP
(Dual In-line Package)
Uma vez condicionados, os sinais podem ser comparados entre si, amplificados, filtrados, isolados,
convertidos ou até operacionalizados (operações lógicas e matemáticas), entre outras aplicações
importantíssimas dos amplificadores operacionais, que atuam desde a instrumentação eletrônica até
aplicações de controle, puramente analógico ou em parceria com microcontroladores, no tratamento
e processamento de sinais.
Como você faria para determinar a temperatura ambiente, neste momento? Se tivesse como exibir
em um mostrador digital, como você faria? O amplificador operacional pode auxiliar neste processo,
associado a um microcontrolador; realizar o condicionamento do sinal enviado pelo sensor e in-
troduzi-lo na entrada do conversor digital-analógico, com potenciais padronizados. Baseado nessa
leitura, relacione, no Quadro 1, a seguir, as variáveis que podem ser mensuradas por meio de recursos
eletrônicos e condicionadas por amplificadores operacionais, para posterior processamento, a ser
realizado por um microcontrolador.
Quadro 1 - Variáveis a serem mensuradas e suas faixas de operação: preenchimento do aluno
Item: Variável Faixa de operação da variável
1 Temperatura ambiente -55 a 150 °C
2
3
4
5
6
7
Fonte: o autor.
192
UNICESUMAR
Olá! Seja bem-vindo à mais esta unidade, aqui, estudaremos uma das mais interessantes áreas já desen-
volvidas pela Eletrônica. Graças à essa tecnologia, podemos conectar o mundo analógico ao inovador
ambiente digital, seja na leitura da temperatura enviada por um sensor, seja para ouvir aquela faixa
de áudio que está gravada em CD (ou pendrive). As aplicações não param por aqui, há muito o que
aprender quando o assunto é amplificador operacional, também conhecido como AOP.
Certamente, já utilizamos, e muito, as funcionalidades dos amplificadores operacionais, e, agora,
estamos aptos a entender como funciona, quais são suas funções, limitações e os seus principais modos de
operação. Durante a segunda guerra mundial, muitos países precisavam dominar tecnologias que, na época,
não existiam e que poderiam viabilizar as telecomunicações e, até mesmo, o controle automático de
processos de fabricação, baseado em realimentação negativa (feedback) ou controle em malha fechada.
Até a década de 40, os amplificadores eram compostos de componentes discretos, como válvulas
eletrônicas. Com o advento do transístor nesta época, os circuitos com válvulas deram espaço para a
nova tecnologia, mas, ainda, continuavam circuitos discretos que ocupavam espaço e não permitiam
miniaturização. Para resolver isso, era necessário desenvolver uma tecnologia capaz de integrar todos
(ou quase todos) os componentes do circuito dentro de uma caixa (encapsulamento) e acessar seus
terminais, possibilitando a padronização e a diminuição das dimensões dos circuitos, que antes ocu-
pavam placas enormes e, agora, passavam a poucos milímetros quadrados.
Os circuitos discretos têm uma particularidade: são circuitos constituídos por componentes sepa-
rados, interconectados por algum recurso mecânico, como uma placa de circuito impresso, ponte de
terminais etc. Como exemplo, podemos citar um circuito com resistores, capacitores, diodos, transís-
tores, relés e indutores, montados em uma placa de circuito impresso, conforme a Figura 4.
Figura 4 - Componentes discretos
194
UNICESUMAR
A evolução dessa tecnologia pôde ser acompanhada ao longo dos anos, em que a 1ª geração surgiu
no ano de 1945 com as válvulas e a 5ª geração (utilizada até os dias atuais), é datada em 1985 (PERTEN-
CE, 2015). Observe que, ao longo dos anos, diferentes tecnologias foram utilizadas para os circuitos
amplificadores operacionais:
• 1ª geração: 1945 – amplificadores operacionais com válvulas.
Figura 5 - Válvulas termiônicas:

componentes utilizados para
os estágios de amplificação da
época
• 2ª geração: 1955 – amplificadores operacionais a transístores.
Figura 6 - Amplificador de áudio

à transistor: encapsulamento
metálico para montagem em
dissipador de calor
196
UNICESUMAR
• 5ª geração: 1985 – amplificadores operacionais integrados

de potência para aplicações gerais.
Figura 9 - Encapsulamento PENTAWATT para amplificador opera-

cional de potência integrado
Fonte: adaptada de Stmicroelectronics (2000).
Note que os primeiros circuitos amplificadores eram discretos, com

válvulas e transístores. Posteriormente, com o advento dos circuitos
integrados, surgiram as tecnologias baseadas em transístores bipo-
lares, projeto iniciado pela empresa Fairchild. Mais adiante, surgiu
a tecnologia “biFET” (bipolar + JFET) desenvolvida pela empresa
National com o icônico LF 351 (PERTENCE, 2015). Essa tecnologia
reúne o uso de transístores bipolares e JFET na construção do AOP,
Neste podcast, falaremos sobre
atribuindo características de alta impedância de entrada. A empresa
importantes modelos de ampli-
RCA, também, apresentou um modelo com tecnologia “biMOS”,
ficadores operacionais e seus
representado pelo modelo CA3140 , que combina transístores bi-
papeis no desenvolvimento de
polares e MOSFETs em sua arquitetura.
equipamentos eletrônicos.
198
UNIDADE 7
Olhando para a Figura 11 (b), podemos observar o estágio “amplificador diferencial”, utilizado, normal-
mente, nas entradas dos amplificadores operacionais. Na Figura 12, por sua vez, temos o circuito do
estágio amplificador diferencial clássico, com tecnologia bipolar, que, historicamente, foi introduzido
pela primeira vez com transístores e resistores idênticos em simetria, assim:
VBE 1 VBE 2

iC 1 iC 2
i i
E1 E2
Note que, neste caso, a tensão de saída ( vout ) é a diferença entre as tensões nos coletores de Q1 e Q2
( vC1 e vC2 ).
+VCC
R C1 R C2
vC1 - vout + vC2

iC1 iC1
R B1 iB2 iB2 R B2
Q1 Q2
VBE1 VBE2
v1 P v2
i E1 iE2
iE
RE
-VEE
Figura 12 - Estágio amplificador diferencial

Fonte: adaptada de Pertence (2015, p. 251).
201
UNICESUMAR
Considerando que:
iC 1 iE 1

e
i i
C2 E2
E assumindo que:
b1
Resolvendo em termos das correntes dos emissores, fica:
iE iE 1 iE 2 (2)
Pois os dois estágios consistem em um divisor de corrente que flui de VCC até VEE
com comum referenciado no GND .
Logo:
2 VCC
iE (3)
RE
É importante lembrar que a tensão no ponto P da Figura 12, em relação às tensões
de entrada, v1 e v2 , é −VBE , pois as referidas tensões estão referenciadas para terra
(GND). Analisemos, também, que: a corrente iE (Equação 3) depende de VCC e
RE , assumidos como valores constantes, por isso, podemos concluir que a corrente
iE também será constante. Assim, o conjunto formado por −VEE e RE formam
uma fonte de corrente (PERTENCE, 2015). Para sustentar essa relação matemática,
quando uma das variáveis envolvidas aumentar, a outra, em consequência disso, deve
diminuir, daí, assumindo que iC 1 iC 2 constante , temos que:
se iC 1 aumenta iC 2 diminui

se iC 1 diminui iC 2 aumenta
202
UNIDADE 7
Ao manipular as tensões v1 e v2 , observamos a alteração da tensão em vout , de modo que, quando as

tensões v1 e v2 forem iguais, a tensão em vout será igual a zero, porém, quando v1 for maior do que v2
, a tensão em vout tem sua polaridade invertida (oposta). Em resumo: analisando o circuito da Figura
12, podemos concluir que: quando apenas a tensão em v1 aumenta, a corrente em seu emissor ( iE1 ) e
a tensão no ponto P também aumentam, isso faz com que a tensão VBE2 diminua, o que resulta no
aumento da tensão em vout . Assim, podemos afirmar que v1 está em fase com vout e, portanto, v1 é
denominado de “entrada não inversora” do amplificador operacional.
Por outro lado, ao aumentar, apenas, a tensão em v2 , a corrente por meio do coletor de Q2 aumenta,
diminuindo com isso a tensão em vout . Isso mostra que a entrada v2 é denominada de “entrada in-
versora” do amplificador operacional e está a 180° defasada em relação a vout . Analisaremos o circuito
da Figura 12, por meio da Figura 13, com uma simulação em que v1 e v2 assumem a tensão de 0 V .
+12 V
R1 R2
20k 20k
-
IC1 IC2
0.00
0.00
µA
µA
+ VOUT +
Volts
-
+
0.00
v1 R4 Q1 Q2 R5 v2
BC548C BC548C
1k 1k
0V + + 0V
0.00 0.00
V1 Volts + Volts
V2
- -
IE
0.00
µA
-
R3
10k
-12 V
Figura 13 - Simulação do estágio diferencial de entrada: tensões nas bases iguais a zero: Vout igual a
zero / Fonte: o autor.
203
UNICESUMAR
Conforme mostrado na Figura 13, aumentamos a tensão apenas de v1 para 2 V e observamos o efeito
sobre vout mostrado na Figura 14.
+12 V
R1 R2
20k 20k
-
IC1 IC2
+17.8
+0.00
µA
µA
+ VOUT +
-0.36
Volts
-
v1 R4 Q1 Q2 R5 v2
BC548C BC548C
1k 1k
2V + + 0V
+1.95 0.00
V1 Volts + Volts
V2
- -
+34.4
IE
µA
-
R3
10k
-12 V
Figura 14 - Simulação do estágio diferencial de entrada: tensão em v1 igual a 2V e v2=0V: Vout negativo
Fonte: o autor.
De acordo com a Figura 13, observamos que a tensão, em vout , é igual a zero, e as correntes de coletor
dos dois transístores e do emissor também estão em zero. Já, na Figura 14, vout é igual a −0, 36 V
(observe a polaridade negativa da tensão). Note, ainda, na Figura 14, que a corrente no coletor de Q1
é igual a 17, 8 µA e que, no transístor Q2 , permanece igual a zero, além da corrente de emissor atingir
41, 3 µA . Agora, adicionaremos 2 V também em v2 para analisar o que ocorre com vout na Figura 15.
204
UNIDADE 7
+12 V
R1 R2
20k 20k
-
IC1 IC2
+18.9
+18.9
µA
µA
+ VOUT +
0.00
Volts
-
+
v1 R4 Q1 Q2 R5 v2
BC548C BC548C
1k 1k
2V + + 0V
+1.96 +1.96
V1 Volts + Volts
V2
- -
+37.0
IE
µA
-
R3
10k
-12 V
Figura 15 - Estágio diferencial de entrada: tensões iguais nas bases, tensão de saída igual a zero
Fonte: o autor.
Conforme podemos observar, a tensão em vout será igual a zero sempre que as tensões aplicadas às
bases dos transístores do par diferencial forem iguais ou ambas simultaneamente iguais a zero. Já
quando v1 recebe 0 V , e v2 assume 2 V , temos o comportamento dado na Figura 16.
205
UNICESUMAR
+12 V
R1 R2
20k 20k
-
IC1 IC2
+0.00
+17.8
µA
µA
+ VOUT +
+0.36
Volts
-
+
v1 R4 Q1 Q2 R5 v2
BC548C BC548C
1k 1k
0V + + 2V
0.00 +1.95
V1 Volts + Volts
V2
- -
+34.4
IE
µA
-
R3
10k
-12 V
Figura 16 - Estágio diferencial de entrada: V2 em 2V e V1 em zero = Vout positivo / Fonte: o autor.
Observe que semelhante ao resultado da Figura 14, a tensão vout assume uma tensão diferencial entre
os dois coletores dos transístores Q1 e Q2 , porém, nesse caso, sua polaridade é positiva ( +0, 36 V ).
Conforme o que aprendemos até agora, um conjunto de regras básicas para o amplificador operacional
pode ser dado pela seguinte relação:
quando v1 v2 vout negativo

quando v1 v2 vout zero
quando v v v
1 2 out positivo
206
UNIDADE 7
Essa relação nos permite entender que, de acordo com o valor das tensões aplicadas nas entradas in-
versora e não inversora do amplificador operacional, teremos um resultado na sua saída. Conforme se
realizaram os testes em amplificadores operacionais, desde sua origem, a configuração, inicialmente,
dada pela Figura 12, passou por otimizações. Na atualidade, o estágio diferencial de entrada passou
a assumir o aspecto da Figura 17, e a tensão de saída é tomada, em apenas, um dos coletores do par
diferencial, assumindo o coletor do transístor Q2 como vout . A variação de v1 ou de v2 , por sua vez,
deve obedecer às regras já mencionadas nesta unidade.
+Vcc
RC1 RC2
vout
v1 Q1 Q2 v2
-VEE
Figura 17 - Estágio amplificador diferencial: análise de Vout

Fonte: o autor.
A Figura 17, portanto, mostra-nos a base para a composição de um estágio diferencial de entrada de
um amplificador operacional, com tecnologia bipolar. Muitos fabricantes diversificam esse estágio,
introduzindo circuitos adicionais ou variando sua composição, com a adição de estágios em cascata
com mais transístores, de acordo com o projeto do amplificador. O circuito da Figura 18 apresenta um
exemplo de amplificador operacional simplificado, apenas, para estudos didáticos, como o conhecido
741 , que serviu de exemplo para o projeto de tantos outros, utilizados até hoje.
207
UNICESUMAR
Erro ou
sinal de Pertubação Pertubação
Atuação 1 2
(DV)
Entrada
ou Transdutor + Planta ou + Saída
de entrada
+ Controlador +
processo +
- - - (variável controlada/
Referência
(setpoint - SP) manipulada - MV)
Trasdutor de
saída
(sensor)
Realimentação
(Feedback)
Figura 20 - Exemplo de realimentação em processo de controle

Fonte: adaptada de Nise (2013, p. 7).
Note que a realimentação ou “feedback” ocorre, amostrando o sinal da saída, na entrada, onde ocorre
uma comparação entre esses dois sinais, produzindo um terceiro sinal, denominado de “desvio ou
DV”, que se comporta como um sinal de atuação, pois, de acordo com o valor do desvio, as ações de
controle atuam sobre a planta do processo, por meio do controlador, definindo quão rápida ou lenta
será a resposta, conforme a dinâmica do processo (GENTILIN, 2020).
Os amplificadores operacionais podem ser utilizados em circuitos de condicionamento de sinais,
oriundos de sensores, em que há a necessidade da sua amplificação (ganho de tensão) e, também, na
filtragem de ruídos que podem estar sobrepostos ao sinal original.
210
UNIDADE 7
Figura 21 - Painel de controle de um avião moderno: instrumentação eletrônica de variáveis analó-

gicas com recursos digitais
São empregados em instrumentos eletrônicos, aparelhos médicos, instrumentos musicais, robótica,

controladores, aviônica, computadores, eletrônica de potência e em uma ampla área industrial. O uso
de amplificadores operacionais é muito amplo e será estudado nas próximas unidades deste livro.
Situações reais serão apresentadas para entendimento dessa tecnologia, indispensável a conversão do
mundo analógico para o ambiente digital, adaptado aos computadores que utilizamos na atualidade.
Estas aplicações têm alinhamento direto com os modos de operação dos amplificadores operacionais.
Tema da próxima unidade. Não deixe de conferir!
211
Chegamos ao final desta unidade e, agora, retomaremos os principais termos que
aprendemos, até aqui, estudando o mapa conceitual dado a seguir:
FEEDBACK GANHO
ENTRADA NÃO
uA709
INVERSORA
ENTRADA
uA741 AOP INVERSORA
AMPLIFICADOR
LF351
DIFERENCIAL
CA3140 REALIMENTAÇÃO
Figura 22 - Mapa conceitual da unidade 7: principais conceitos da introdução aos

amplificadores operacionais / Fonte: o autor.
MAPA MENTAL
212
Agora, com base na Figura 22, você deve preencher o mapa conceitual dado na sequên-
cia (Figura 23), com o significado de cada termo e sua aplicação prática com um exemplo.
AOP
Figura 23 - Mapa conceitual do aluno / Fonte: o autor.
MAPA MENTAL
213
1. Os amplificadores operacionais tiveram seu desenvolvimento e utilização desde sua origem,
na solução de problemas encontrados pela humanidade e no segmento de condicionamento
de sinais. Sobre os amplificadores operacionais, assinale a alternativa correta:
a) Os AOPs surgiram em 1831 com a utilização de válvulas termiônicas, à base de Césio 137,
com o intuito de operar em amplificadores de áudio portáteis.
b) Os computadores analógicos utilizavam amplificadores operacionais para realizar operações
matemáticas.
c) Os circuitos amplificadores operacionais atuam com estágio diferencial de saída, capaz de
imprimir ganho de tensão ao sinal em malha aberta.
d) Os AOPs foram desenvolvidos com germânio, até os anos 2000, e a partir deste período pas-
saram a ser fabricados em titânio e kanthal, que dissipam menos potência reativa.
e) Os filtros ativos não utilizam amplificadores operacionais, pois eles não operam acima de 10
Hz e, portanto, possuem uma faixa muito estreita de frequência.
AGORA É COM VOCÊ
214
2. A análise de um estágio diferencial de entrada do AOP é fundamental para interpretar seu
funcionamento. Dada a figura 24, a seguir, assinale a alternativa correta:
Figura 24 - Entrada do AOP / Fonte: o autor.

a) Se iC1 aumenta, então, iC2 diminui, pois IE= iC1- 2.iC2.
AGORA É COM VOCÊ

b) Se iC1 diminui, então, iC2 diminui, pois IE= iC1- iC2.
c) Se iC1 aumenta, então, iC2 aumenta, pois IE= iC1+ iC2.
d) Se iC1 aumenta, então, iC2 diminui, pois IE= iC2- iC1.
e) Se iC1 aumenta, então, iC2 diminui, pois IE= iC1+ iC2.
3. Uma aplicação muito utilizada dos amplificadores operacionais acontece no controle de pro-
cessos, onde há o sinal de entrada, o sinal de saída do controlador e o feedback, necessário
para o fechamento da malha de controle. Sobre as aplicações de amplificadores operacionais
em controle, assinale a alternativa correta:
a) O feedback consiste na realimentação do sinal de saída do amplificador, em sua entrada, e
pode contribuir para a interpretação do erro ou desvio que ocorre entre o valor desejado no
setpoint e o valor real mensurado.
b) O feedback consiste no erro do sistema.
c) A variável controlada (ou variável manipulada) é conhecida como setpoint.
d) Controle em malha fechada não requer feedback, enquanto que controle e malha aberta,
mandatoriamente, deve contemplar este recurso em tempo real.
e) Em controle de processos, as entradas inversora e não inversora do AOP devem permanecer
em curto-circuito.
215
1. B, pois, no princípio, quando os primeiros AOPs surgiram eles eram utilizados para realizar operações
matemáticas em computadores analógicos.
2. E, porque, para sustentar a relação da corrente no emissor, IE= iC1+ iC2, quando iC1 aumenta, iC2 diminui,
mantendo-se IE constante.
3. A, pois o feedback, dado entre a saída do controlador e sua entrada, representa um parâmetro neces-
sário para que haja a comparação do que se deseja e o que, realmente, é produzido na saída. Assim, a
diferença entre um valor e outro representa o erro ou o desvio.
216
GENTILIN, F. A. Automação Industrial. Maringá: Unicesumar, 2020.
MALVINO, A. P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995. Vol. 2.
NISE, N. S. Engenharia de Sistemas de Controle. 6. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2013.
PERTENCE, A. J. Eletrônica Analógica: Amplificadores Operacionais e Filtros Ativos. 8. ed. Porto Alegre:
Bookman, 2015.
STMICROELECTRONICS. TDA2030A: 18W Hi-Fi AMPLIFIER AND 35W DRIVER. [S. I.: s. n.],
2000. Disponível em: https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ST%20Microelectronics%20
PDFS/TDA2030A.pdf. Acesso em: 29 dez. 2020.
TEXAS INSTRUMENTS. LM35 Precision Centigrade Temperature Sensors. Dallas, 2020. Disponível
em: https://www.ti.com/lit/ds/snis159h/snis159h.pdf?ts=1609184923063&ref_url=https%253A%252F%-
252Fwww.google.com%252F. Acesso em: 28 dez. 2020.
TOSHIBA. A7250BP, A7251BP. [S. I.: s. n.], 1997. Disponível em: https://pdf1.alldatasheet.com/datashee-
t-pdf/view/31261/TOSHIBA/TA7250BP.html. Acesso em: 29 dez. 2020.
REFERÊNCIAS
217
MEU ESPAÇO
218
UNICESUMAR
Quando você aperta o play, em seu smartphone, para ouvir aquela música tão agradável, e o seu som
é reproduzido nos alto-falantes (ou nos fones de ouvido), a sensação é fantástica! Parece que está em
pleno êxtase. Mas, afinal de contas, você sabe como o som reproduzido por um dispositivo pode atingir
tal amplitude, capaz de acionar os alto-falantes e, em alguns casos, caixas acústicas?
Nesta unidade, estudaremos como os amplificadores operacionais atuam para amplificar sinais que,
além do áudio, podem ser úteis para outras aplicações, como instrumentação industrial, médica e controle
de processos. A amplificação de sinais é uma das diversas utilidades dos amplificadores e, sempre, foi uma
necessidade da humanidade, desde que necessitamos captar sinais de baixa intensidade e transformá-los em
sinais capazes de acionar dispositivos; serem digitalizados; mensurados e, até mesmo, transmitidos.
O áudio é, sem dúvidas, uma das mais abundantes fontes de sinal conhecida pela nossa espécie.
Tudo na natureza parece produzir algum som. Certamente, é um assunto fortemente explorado pelas
áreas de tecnologia, em toda a história do desenvolvimento humano. Na década de 1850, inicia-se as
primeiras descobertas acerca da gravação do som, a partir do fonautógrafo, sistema inventado por
Édouard-Léon Scott de Martinville, em 1857. Este objeto foi o primeiro aparato capaz de registrar sons,
em um cilindro de papel, madeira ou vidro, e mais tarde, em 1877, otimizado por Thomas Alva Edison
para a versão que conhecemos como “gramofone” (SOUND RECORDING HISTORY, 2020, on-line)1.
Os dispositivos, por exemplo, o gramofone, os instrumentos musicais, os microfones e outras tec-
nologias de áudio, que têm como objetivo enviar informações a públicos distantes da sua origem,
requerem a amplificação de seus sinais para que, então, possam ser projetados por meio de trans-
dutores (neste caso, alto-falantes). Atualmente, essa necessidade é adequada a pequenos dispositivos
reprodutores de áudio, como smartphones e MP3 players. Estes, por sua vez, exigem a compactação e
miniaturização dos componentes internos.
As tecnologias modernas de áudio oferecem componentes eletrônicos integrados, cada vez mais
sofisticados, para atuar no processamento de som, com tecnologias de amplificação em alta fidelidade,
controle automático de ganho, baixo ruído, potências cada vez mais elevadas etc., permitindo que, cada
vez mais, dispositivos portáteis sejam desenvolvidos com a capacidade de amplificar sinais de áudio
com qualidade e eficiência, em níveis de excelência.
Além das aplicações de áudio, os amplificadores têm um papel muito importante, que resulta na
ponte entre o mundo analógico, que vemos e sentimos, e o mundo digital, composto pelos dispositivos
programáveis, microprocessadores, microcontroladores, memórias etc. Nesta aplicação, os sinais são
amplificados para atender às demandas de isolação, soma e subtração, integração e demais operações
entre sinais que dependem das características entre os meios de entrada e saída.
Quando operacionalizamos sinais, devemos imaginar que a ferramenta que manipula o processa-
mento de um sinal de entrada para a saída deve ser isenta de influência sobre este processo, ou seja,
ao ser amplificado, um sinal de entrada não deve sofrer perdas ou demais influências que possam
prejudicar suas características originais. Assim, um sinal de áudio proveniente de um instrumento
musical, uma vez amplificado, deve permanecer o mais fiel possível ao som produzido pelas cordas do
instrumento, e um sensor de nível industrial ultrassônico deve ser capaz de enviar dados referentes à
distância entre as superfícies do fluido e do sensor, com precisão e confiabilidade.
220
UNICESUMAR
Durante a unidade anterior, abordamos um pouco sobre o amplificador operacional

(AOP), o que nos permite, ao longo desta unidade, estudar seu funcionamento. Inicia-
mos, então, esta unidade, com um assunto já comentado na unidade anterior, deno-
minado “ganho “ AV ” de um AOP”.
Eo
AV = (1)
Ei
Aqui, AV é o ganho de tensão, Eo é a tensão de saída e Ei a tensão de entrada do
AOP. Note que, nesta unidade, incorporamos o conceito subscrito “ V ” que representa
a tensão do sinal, já os termos subscritos “ o ” e “ i ” representam saída (output) e entrada
(input), respectivamente. O ganho de um AOP consiste em um fator multiplicado, ao
sinal aplicado em sua entrada “ vin ”, e, como resultado, produz um sinal em sua saída
“ vout ”, conforme Equação 2 (PERTENCE, 2015).
vout = A.v in (2)
Exemplo resolvido:
Um instrumento musical utiliza um captador que produz sinal de 0 a 50 mV com
faixa de frequência de operação de 20 a 20 kHz. Um amplificador é utilizado para
amplificar o sinal do captador para uma faixa linear de 0 a 5 V, aplicados a um circuito
com microcontrolador para análise do som. Calcule o ganho do amplificador.
Dados:
vout 0 à 5V 5V
3
vin 0 à 50 mV 50.10 V
vout = A.v in
vout
A=
v in
5
A
50.10 3
A = 100
222
UNICESUMAR
O ganho de tensão de um AOP é, sem dúvidas, um dos parâmetros mais visados, no momento em que
escolhemos um amplificador operacional para inserir em um projeto. Será, todavia, que o valor do
ganho é fixo e constante em qualquer condição de operação, envolvendo a variação de temperatura,
frequência do sinal de entrada, ruído etc.? A resposta é não.
Na medida em que ocorrem variações na temperatura, muitos fenômenos invisíveis ocorrem dentro
de um componente fabricado com semicondutores, dado o aumento da taxa de portadores que se mo-
vimenta por conta desta influência. O mesmo ocorre quando variamos a frequência do sinal de entrada
e condições de ruído sobre o sinal conduzido ou radiado no espaço que contém o circuito com AOP.
Os fabricantes, normalmente, emitem suas folhas de dados, informando a tolerância para cada
variável (temperatura, frequência, ruído etc.). Assim, ao fixar o fator de realimentação, estabelecendo
o ganho de um AOP, o projetista deve prever que este componente pode ser mais ou menos tolerante
às influências externas, que varia de modelo para modelo. Desse modo, terá aquele que melhor se
adéqua a cada caso, visto que AOPs com estabilidade térmica possuem custos maiores do que aqueles
que não tem este recurso.
Observe o gráfico da Figura 1. Nele, a folha de dados do AOP AD8038 apresenta o comportamento
dinâmico do ganho da sua saída, em função da frequência. Temos algumas curvas no mesmo gráfico,
para diferentes pontos de operação de ganho, que possuem região linear estável entre 0,1 e, aproxima-
damente, 3 MHz para a curva de maior ganho (G = +10), e entre 0,1 e 13 MHz para a curva de menor
ganho (G = +1).
Perceba que para valores de ganhos maiores, a faixa de frequência do sinal de entrada pode ser mais
estreita e, para valores de ganhos menores, podemos atuar com faixas de frequência maiores.
Figura 1 - Curva de resposta de ganho em função da frequência

Fonte: adaptada de Analog Devices (2009, p. 1).
224
UNIDADE 8
Um parâmetro muito importante a ser levado em consideração para um AOP é a sua resistência ou
impedância de entrada e de saída, já que o AOP deve receber um sinal em sua entrada, oriundo de
alguma fonte de sinal, por exemplo, um sensor, e a amplitude normalmente é da ordem dos mV. Caso
a impedância de entrada do AOP seja baixa, pode haver atenuação do sinal de entrada, sendo assim
muito importante que um AOP de boa qualidade apresente uma impedância de entrada elevada, para
não influenciar as características do sinal que entra em uma de suas entradas.
Quadro 2 - Resistência de entrada do AOP LM741
Fonte: adaptado de National Semiconductor (1998, p. 2).
Para as características de saída de um AOP, desejamos que ele apresente baixa impedância de saída
para, assim, permitir o acionamento do estágio que está acoplado com a máxima potência possível
(Figura 2), sem distorcer o sinal fornecido à carga. Porém, como tudo na natureza, há limites! Podemos
verificar que há um parâmetro nos AOPs que determina a capacidade de corrente na saída, ou seja, I L .
VRS VRT iL
RS VR1 RT VRL
R1 RL
VS
VO
FONTE DE SINAL AMPLIFICADOR CARGA
Figura 2 - Representação de um AOP recebendo sinal em sua entrada e alimentando uma carga na saída
225
UNICESUMAR
Quando nos referimos à resistência de entrada do AOP, devemos observar a Figura

2,em que VR1 depende da relação entre R1, RS e VS , dada por:
R1.VS
VR 1 (3)
R1 RS
Aqui, VR1 é a queda de tensão sobre o resistor R1 (tensão na entrada do amplifica-

dor operacional), VS é a tensão da fonte de sinal e RS é a resistência em série com
VS . Considerando que VR 1 = 90%VS , automaticamente o valor de R1 deve ser
R1 = 9 RS , porém, assumindo que haja um aumento de tensão em VR1 na proporção
de VR 1 = 99%VS , concluímos que (PERTENCE, 2015):
R1 VR 1 VS (4)
Isso nos permite concluir que quanto maior R1 for em relação à RS , mais queda de
tensão teremos sobre R1 , resultando na maior parcela da tensão VS (fonte de sinal),
amostrada na entrada do AOP e, com isso, a tensão VRS é mínima (PERTENCE,
2015). Quando nos referimos à resistência de saída do AOP, devemos entender, neste
caso, que desejamos a máxima taxa de sinal transferida para a carga. Desse modo, a
resistência de saída do AOP (impedância de saída) deve ser muito baixa. Analitica-
mente, podemos observar que (PERTENCE, 2015):
VRL VO VRT (5)
Fazendo:
VRT = RT .iL (6)
Fica:
VRL VO ( RT .iL ) (7)
A tensão sobre a carga ( RL ) é dada por VRL , que consiste na diferença entre a tensão
VO e a queda de tensão VRT , esta é, diretamente, proporcional ao valor da resistên-
cia da carga RT , multiplicada pela corrente iL . Já a tensão VO é a tensão que está
disponível na saída do AOP e se pretende entregar à carga. Para que isso ocorra, a
resistência RT deve ser igual a zero, em condições ideais (PERTENCE, 2015):
VRL = VO
226
UNIDADE 8
Por isso, podemos concluir que um bom amplificador operacional

deve ter:
• Alta impedância de entrada (resistência de entrada).
• Baixa impedância de saída (resistência de saída).
Cada AOP possui limites de corrente iL que devem ser respeitados,

podem ser, por exemplo, de 25 mA (NATIONAL SEMICONDUC-
TOR, 1998). Esta corrente máxima, também, pode ser definida
como “corrente de curto circuito” do AOP. Mas qual a influência da
corrente na carga sobre o ganho do AOP? Analisaremos com base
no gráfico de um modelo específico Figura 3:
Figura 3 - Resposta em frequência para pequenos sinais com diferentes valores de resistores na carga
Fonte: Analog Devices (2009, p. 6).
227
UNICESUMAR
Podemos observar, rapidamente, que a resposta em frequência para pequenos sinais, variando-se o
valor das resistências de carga entre 500 W , 1 kW e 2 k' , o sinal apresentou ganhos com faixas mais
estreitas para resistências de carga ( RL ) menores ( 500 W e 1 kW ) do que o sinal para curva de ganho,
que excitou uma carga de 2 kW , ou seja, com resistência da carga maior, a corrente é menor e o AOP
pode assumir uma faixa de frequências superior.
Um outro fator decisivo para a escolha de um AOP é, sem dúvidas, a resposta em frequência, ou
“BW” do inglês “Band Width”, que remete à Largura de Banda. Este parâmetro se refere à capacidade
de um AOP em operar com determinada faixa de frequências de sinal (quanto mais ampla melhor),
sem que o sinal sofra atenuações.
Figura 4 - Atenuação da amplitude de um sinal
Em outras palavras, um sinal que possui variação de frequência, de um valor mínimo até um máximo,
é amplificado pelo AOP e, dentro dessa faixa, não sofrerá atenuação, se o BW do amplificador atender
à faixa de frequência do sinal. Normalmente, os fabricantes de AOPs informam esse parâmetro em
suas folhas de dados, por exemplo, o LM741, que possui um BW de 0,437 até 1,5 MHz, isso @ 25 °C
(NATIONAL SEMICONDUCTOR, 1998).
228
UNICESUMAR
A Figura 5 apresenta uma curva que descreve o ganho em malha aberta de um

AOP. Veja que há uma região linear entre os pontos A e B, intervalo em que há uma
atenuação uniforme de 20 dB/década e, nas regiões da curva que antecedem o ponto
A e ultrapassam o ponto B, podemos observar um comportamento não linear.
Quando fixamos um valor de ganho para o AOP operar, devemos contemplar os
limites entre A e B, pois, no ponto A, temos a “frequência de corte”, em que há uma
atenuação de 3 dB e, no ponto B, temos a frequência unitária, pois:
AV 1 AV (dB) 0
(8)
Além do mais:
AVO (máx)
AVO = (9)
2
Aplicando-se as propriedades de ganho em dB (decibéis) na Equação 9, fica (PER-
TENCE, 2015):
A (máx)
20 log AVO 20 log VO (10)
2
Quando utilizamos AOPs em nossos circuitos, devemos considerar as influências da
temperatura, conforme já mencionado anteriormente. Entretanto, para esta sensibili-
dade, há um termo denominado “DRIFT”, que é a capacidade de um AOP operar sob
influência da temperatura, em que o ideal seria que não houvesse qualquer variação
do seu comportamento. Na prática, porém, a maioria dos AOPs possui certa sensi-
bilidade que pode comprometer o sinal amplificado por este componente.
Em termos de variação de tensão do sinal por conta da temperatura, a represen-
tação dada nas folhas de dados é DDVt , e a unidade de medida para esta relação é mV/
ºC. Já a influência da temperatura, em um sinal em corrente, pode ser informada pela
DI
relação Dt , que, por sua vez, é dada em nA / °C . Para o exemplo do LM741, temos
um DRIFT de 15mV/ºC e 0, 5 nA / °C (NATIONAL SEMICONDUCTOR, 1998, p. 2).
Devemos entender que há, também, influência da temperatura sobre a resposta
em frequência, que pode diminuir a banda de frequência de um AOP, durante sua
operação, conforme observado na Figura 6:
230
UNICESUMAR
Agora que já estamos mais familiarizados com os AOPs, estudaremos seu comportamento, quando
alimentamos seus circuitos, afinal, estudamos componentes integrados que possuem terminais de-
dicados à alimentação em corrente contínua e que possuem limites em baixas amplitudes, podendo
ser alimentados com fontes simétricas ou não. Os AOPs, normalmente, apresentam terminais para
alimentação que são identificados como V+ e V-, indicando a tensão positiva e negativa para alimen-
tação simétrica e V+ e GND para monoalimentação (uma única fonte de tensão positiva e GND).
OFFSET NULL 1 8 NC
INVERTING INPUT 2 7 V+
NON-IVERTING 3 6 OUTPUT
INPUT
V- 4 5 OFFSET NULL
Figura 7 - Símbolo representativo do AOP LM741

Fonte: National Semiconductor (1998, p. 4).
Observe, na Figura 7, os símbolos V+ e V-, indicando a alimentação simétrica, adquirida com o uso de
uma fonte de alimentação simétrica ou a partir de uma fonte de alimentação mono saída e um circuito
que fixa uma referência e duas tensões, sendo uma positiva e outra negativa.
É importante salientar que a alimentação de circuitos eletrônicos deve ser constante para garantir
os resultados esperados por suas funções, logo, é importante que a fonte de alimentação seja regulada.
Para estes casos, existem reguladores de tensão integrados com 3 terminais capazes de regular a tensão
de alimentação, em canal único de tensão ou em fontes simétricas.
A família LM340 oferece uma gama de reguladores de tensão (78xx) que podem atuar em diferentes
valores de saída com proteção interna contra curto-circuito, sobreaquecimento, sobrecarga etc., devendo-se
prever sempre valor de tensão de entrada pouco superior ao valor da tensão da saída, por exemplo, o modelo
LM7812, que regula a tensão na saída em 12 V, com entrada mínima de 14,6 V em 1 A de corrente máxima.
A família de reguladores de tensão oferece reguladores positivos (família 78xx) e negativos (família
79xx), que permitem a produção de fontes de alimentação simétricas. Ambos em encapsulamentos de
3 terminais, podendo ser encontrados no formato SMD e para montagem, por meio de furos PTH -
Pin Through Hole (pinos por meio de furos) na placa de circuito impresso.
Normalmente, os encapsulamentos through-hole para a família 78xx ou 79xx utilizam o modelo
TO-220, que permite o acoplamento de dissipador de calor, por meio de base metálica e parafuso, que
auxilia na troca de calor com o meio, quando a potência dissipada pelo encapsulamento é elevada.
232
UNIDADE 8
(a) (b)
Figura 8 - Encapsulamento TO-220 e dissipador de calor: (a) encapsulamento e (b) dissipador
Já os modelos de reguladores com encapsulamentos para montagem em superfície utilizam SOT-223,

TO-252 e SOT-223, por exemplo.
(a) (b)
Figura 9 - Encapsulamentos utilizados para reguladores de tensão: (a) SOT-223 e (b) TO-252
A Figura 11 mostra um circuito sugerido pelo fabricante Fairchild Semiconductor, em que são utilizados
dois reguladores de tensão integrados, um positivo (LM7815) e outro negativo (LM7915). Eles possuem
sua referência (GND) comum com entrada em 40 V (+20 e - 20 V) e produzem, na saída, as tensões
de +15 V e -15 V medidas a partir do GND.
233
UNICESUMAR
1 3
LM7815
+20V +15V
0.33μF 2
0.1μF
1N4001
+ 2.2μF
1μF +
1
1N4001
2 3
MC7915
-20V -15V
Figura 10 - Regulador simétrico com 7815 e 7915 Fonte: Fairchild Semiconductor (2006, p. 25).
A realimentação (ou feedback, do inglês) é um recurso utilizado com AOPs, em que a tensão da saída
é amostrada na entrada, de modo que seja possível realizar uma série de operações de amplificação,
com o fator de realimentação que estudaremos, na sequência. Quando você pensa em um controlador,
o que vem a sua mente? Um equipamento capaz de manter estável uma variável de interesse. Como,
porém, um sistema de controle pode estabilizar o valor de uma variável? Como é a relação entre o
valor desejado e o valor real?
Em aplicações de controle, normalmente, temos que imaginar uma maneira de mensurar a variável
de interesse ou variável do processo (conhecida como “Process Variable” – “PV”), e posteriormente
compará-la com a variável desejada, denominada Setpoint (SP). O processo de medição consiste em
um elemento sensor que insere o sinal da saída “de volta” na entrada, para que haja essa comparação e,
então, os ajustes adequados. Quando o circuito possui esta arquitetura, afirmamos que há realimentação.
A Figura 11 mostra um diagrama, em que um estágio de amplificação é representado. Observe os
termos, em que “ Vi ” é a tensão de entrada ou “setpoint”,“ V f ” é a tensão de realimentação ou feedback,
e “ Vd ” é tensão de desvio entre Vi e V f . A tensão que está presente na saída (“ VO ”) é amostrada na
entrada, pelo circuito que forma o fator de realimentação “ B ”.
Vi Vd AV
+ Vo
-
Vf
Figura 11 - Realimentação: conceitos fundamentais de feedback

Fonte: adaptada de Pertence (2015).
234
UNIDADE 8
Ao analisar o diagrama da Figura 11, podemos afirmar que:
Vd Vi V f (11)
VO = Vd . AV (12)
Ao dividir ambos os termos por AV , fica:

VO
Vd = (13)
AV
Substitui-se a Equação 13, na Equação 11, e tem-se na Equação 14:
(14)
VO
Vi V f
AV
Sabendo-se que:
V f = B.VO (15)
Substituindo-se o termo V f da Equação 14 pelo V f da Equação 15, fica:
VO
Vi B.VO (16)
AV
Que pode ser escrita como:
VO AV (17)

Vi 1 B. AV
Como a relação
VO
de ganho associa-se à tensão de saída, dividida pela tensão de entrada,
temos que Vi seja substituído pelo termo AVf , que ilustra o ganho de tensão em
malha fechada, também conhecido como “equação de Black” (Equação 18).
AV (18)
AVf
1 B. AV
Considerando-se o ganho de tensão em malha aberta “ AV ”, fica:

1
AVf = (19)
B
235
UNIDADE 8
VO (V) vi
vO
0
t (ms)
(a)
VO (V)
Saturação positiva
14
região de operação
linear
0 V d (μV)
Saturação negativa
-14 Figura 12 - Saturação do AOP:
(a) sinal alternado e (b) sinal
contínuo
Fonte: adaptada de Pertence
(b) (2015).
Quando olhamos para o funcionamento do sinal na saída do AOP, em termos dinâmicos, devemos
estudar o “Rise Time” ( Tr ), que significa o tempo de subida do sinal, variando de 10% a 90% do seu
valor final, medido em ms. No caso do LM741, Tr=0,3ms (PERTENCE, 2015). Esse parâmetro é muito
importante, quando comutamos dispositivos em alta velocidade, que podem ser, por exemplo, o con-
trole de posição e o chaveamento e altas frequências em conversores estáticos. O atraso do sinal pode
significar problemas de dissipação de potência e, até mesmo, baixa eficiência.
Além do Tr , também temos um fator importantíssimo denominado “overshoot”, que representa a
ultrapassagem do sinal de saída do AOP em regime transitório ao seu valor final, mensurada em per-
centual de sobreposição ao valor final da saída em regime permanente. Em outras palavras: é a medida
percentual de quanto o sinal de saída ultrapassa o valor final, enquanto transita para a máxima tensão
prevista, antes de tornar-se constante ou sem alteração.
237
UNICESUMAR
O fator overshoot pode prejudicar um sinal e, por isso, deve ser minimizado.
Normalmente, as folhas de dados dos AOPs trazem o percentual de overshoot que o
modelo pode apresentar e, de acordo com o nível de sinal, é possível calcular sua
amplitude relativa como %VOVS , dado na Equação 20.
VOVS
%VOVS = .100 (20)
VO
No caso do LM741, o overshoot e o Tr estão na resposta transitória do AOP e apre-
sentam os seguintes valores:
Overshoot: 5%
Rise Time: 0,3 ms
A Figura 14 apresenta o conceito de Tr e de overshoot para que você possa relacionar o efeito do tempo
de subida e a sua ultrapassagem.
VO (V)
overshoot
VO
90%
10%
0
Tr t (ms)
Figura 13 - Rise Time e Overshoot de um AOP

Fonte: adaptada de Pertence (2015).
O ganho de tensão serve para amplificar sinais de baixa amplitude, na ordem de mV, para sinais de
amplitudes maiores, da ordem de V, como no caso dos sensores que detectam variáveis e enviam si-
nais de baixa amplitude. Um exemplo seria os sensores de temperatura termopares que são sensíveis a
variações de temperatura e, de acordo com este estímulo, produzem em suas saídas sinais de tensão,
da ordem de mV, muito úteis para a instrumentação industrial em diversas áreas aplicadas.
238
UNIDADE 8
Figura 14 - Termopar: conversão da variação de temperatura para tensão elétrica em mV
Chegamos ao final desta unidade e, agora, chegou a hora de exercitar o que aprendemos até aqui.
239
Para a memorizar o conteúdo dessa unidade, praticaremos o que aprendemos, utilizando-nos do
mapa conceitual:
Rise time Band Width
Overshoot DRIFT
Resistência de Fator de
entrada AOP realimentação
Resistência de Equação de
saída Black
Resposta em
Saturação
frequência
Figura 15 - Mapa conceitual referente à unidade

Fonte: o autor.
MAPA MENTAL
240
Agora, você, estudante, deve realizar o preenchimento do seu mapa conceitual, na Figura 16, inserindo
os dados, de acordo com o significado de cada parâmetro dado na Figura 15.
AOP

Fonte: o autor.
MAPA MENTAL
241
1. Em um circuito de condicionamento para instrumentação médica, uma capsula piezelétrica
capta as vibrações do coração do paciente e produz um sinal que varia de 0 a 20 mV, faixa
de tensão que deve ser amplificada para que um microcontrolador possa integrar os dados
com variação proporcional de entrada de 0 a 5 V. A partir destas informações, assinale a
a) O rise time do AOP é de 400 ms.
b) O ganho do amplificador deve ser igual a 250 .
V
c) O slew-rate do AOP é de 250 ms .
d) A frequência de corte do amplificador é de 1000 Hz .
e) O ganho do amplificador deve ser igual a 250 dB .
AGORA É COM VOCÊ
242
2. Um AOP apresenta comportamento de atenuação, dado pelo gráfico da imagem, a seguir.
Analise a curva identificada como “A” no gráfico, que representa o seu ganho em malha aberta
e, depois, assinale a alternativa correta:
AGORA É COM VOCÊ

Figura 17 - Resposta em frequência para o AOP AD8038
Fonte: adaptada de Analog Devices (2009).
a) O ganho da curva A tem uma atenuação igual a 7 dB por oitava.
b) O ganho unitário deste AOP é de 10 MHz.
c) A frequência de corte para este amplificador é de 0,08 MHz.
d) O ganho do AOP para a frequência de 20 kHz é de aproximadamente 60 dB.
e) O ganho em malha fechada para a frequência de 1 MHz é de 40 dB.
243
3. Um circuito de controle de temperatura atua com setpoint 25 °C , enquanto que a tempera-
tura do ambiente, atualmente, é de 30 °C . Sabendo que o AOP atua com ganho de 150 , as-
sinale a alternativa correta:

a) O valor da tensão na saída do AOP é de 30 V.
b) O valor da tensão na saída do AOP, quando a temperatura for igual a 26 °C , é de 12 V .
c) O valor da tensão na saída do AOP, quando o desvio for igual a 5 C , é de −15 V .
d) O valor da tensão na saída do AOP, quando a temperatura for igual a 20 °C , é de −30 V .
e) O valor da tensão na saída do AOP, quando o desvio for igual a 5 °C , é de −3, 5 V .

AGORA É COM VOCÊ
244
1. B.
Solução:
Dados:
vout = 5 V
vin 20 mV 20.10 3 V
vout = A.v in
vout
A=
v in
5
A
20.10 3
A = 250

2. D, pois, de acordo com o gráfico da Figura 17, o ponto de interseção entre a frequência de 20 kHz é de
ganho 60 dB. Portanto, “o ganho do AOP para a frequência de 20 kHz é de aproximadamente 60 dB.”
245
3. C.
Solução:
Dados:
SP Vi 25 C
PV V f 30 C
AV = 150
Relação mV por º C : 20 mV por ºC .
Vd Vi V f
Vd 25 30
Vd 5 C
Aplicando-se a conversão mV por º C , fica:
20.10 −3.(−5)
−100.10 −3 V
Logo, Vd 5 C 100.10 3 V
Cálculo da tensão de saída:
VO = Vd . AV
VO 100.10 3.150
VO 15 V
246
ANALOG DEVICES. Low Power, 350 MHz Voltage Feedback Amplifiers: AD8038/AD8039. Nor-
wood, 2009. Disponível em: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/
AD8038_8039.pdf. Acesso em: 4 dez. 2020.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. LM78XX/LM78XXA: 3-Terminal 1A Positive Voltage Regulator.

Portland, 2006. Disponível em: https://www.mouser.com/datasheet/2/149/LM7812-461970.pdf. Acesso
em: 5 dez. 2020.
NATIONAL SEMICONDUCTOR. LM74: Operational Amplifier. Santa Clara, 1998. Disponível em: https://
pdf1.alldatasheetpt.com/datasheet-pdf/view/9027/NSC/LM741.html. Acesso em: 4 dez. 2020.
Bookman, 2015.
Referências on-line
1
Em: http://www.soundrecordinghistory.net. Disponível em: 4 dez. 2020.
REFERÊNCIAS
247
MEU ESPAÇO
248
UNICESUMAR
Você já observou os painéis de instrumentos dos veículos modernos, cheios de recursos eletrônicos
utilizados para medir a velocidade, volume de combustível no tanque (calculado a partir do nível),
rotações por minuto do motor e, no caso de veículos elétricos modernos, instrumentos que medem o
quanto o veículo consome ou gera energia em seu movimento? O que, afinal de contas, esses instru-
mentos de medida têm a ver com os AOPs e a eletrônica?
Para realizar medidas, utilizando a eletrônica, podemos contar com soluções embarcadas, baseadas
em microcontroladores, em que é possível detectar o valor da variável e indicá-la por meio de um
mostrador (display) ou a partir do movimento de ponteiros estimulados magneticamente, além de ter
a possibilidade de salvar, na memória, amostras dos valores assumidos no tempo para cada variável.
Os recursos de digitalização, utilizados para converter variáveis analógicas (nível do tanque de com-
bustível, velocidade, temperatura da água, rotações por minuto etc.), necessitam de condicionamento
e conversão para, posteriormente, serem processados por um microcontrolador. Assim, os AOPs,
resistores, capacitores e demais componentes são utilizados para a composição de filtros, estágios de
ganho, detectores de pico, entre outros circuitos, que juntos formam um estágio de condicionamento.
Este, por sua vez, é responsável por atribuir os ganhos necessários ao sinal para compatibilizá-lo, elimi-
nar os componentes de frequência indesejados (filtros), ajustar os potenciais dos sinais para posterior
amostragem e detecção de sua máxima amplitude para entrega ao circuito de processamento.
Os AOPs são necessários para atribuir ganhos, filtrar, compatibilizar, amplificar, detectar o pico de
amplitude dos sinais, além de outras operações inerentes ao processo de condicionamento, utilizados
na instrumentação eletrônica moderna, em aplicações veiculares e, principalmente, em dispositivos
industriais e máquinas inteligentes.
Com base no conhecimento que temos a respeito dos AOPs e suas aplicações em condicionamento
de sinais, relacione em uma lista, 10 instrumentos eletrônicos que são utilizados para a medição de
variáveis e possuem mostradores digitais, conforme o exemplo dado no Quadro 1.
Quadro 1 - Instrumentos eletrônicos e suas funções
INSTRUMENTO VARIÁVEL MENSURADA

Termômetro digital Temperatura
Fonte: o autor.
250
UNICESUMAR
Viver em um mundo, onde as variáveis são analógicas e, ao mesmo

tempo, a tecnologia da época é limitada ao processo de dados no
formato bits, desafia a eletrônica, no sentido de produzir soluções
que permitam a interação com variáveis, por meios indiretos, como
na detecção dos eventos de aumento de temperatura, em que o sinal
elétrico do sensor deve “traduzir” o comportamento da variável
natural, por meio de um sinal de maneira fidedigna, mantendo-se
a curva de resposta.
Este comportamento é possível na atualidade, graças à utilização
de ferramentas combinadas entre a eletrônica analógica e digital.
Desse modo, os AOPs interagem, diretamente, com microcon-
troladores e recursos de software embarcados; atuam no controle
adaptativo da resposta dos sistemas de controle e nos instrumentos
que, com a variação de temperatura, por exemplo, podem informar
a variável mensurada de maneira equivocada.
Quando abordamos o conceito de controle adaptativo, devemos
considerar que, no caso do sistema de injeção eletrônica dos veículos
modernos, a quantidade de combustível, combinada com a quantidade
de ar, define a qualidade da queima durante a combustão interna do
motor. Logo, o sistema de controle deve conhecer variáveis, como a tem-
peratura e a emissão dos gases produzidos pela queima, para determinar
a quantidade de combustível e ar que devem entrar na câmara. Caso
ocorra variações de qualquer uma das variáveis, um cálculo instantâneo
é feito, e o sistema se ajusta aos novos valores automaticamente, graças
à detecção da variável e ao processamento realizado pelo microcontro-
lador embarcado (Figura 1).
Figura 1 - Central de injeção eletrônica: controle das funções do veículo

em um único módulo
252
UNIDADE 9
Este fato permite que os veículos modernos se adaptem aos dias frios e quentes. Ao injetar a quantidade
correta de combustível e ar na queima, permite-se aos carros modernos um funcionamento uniforme,
independentemente da temperatura, ao longo do ano.
Para dar sequência aos estudos de nossa disciplina, aprofundaremos nosso conhecimento nos
circuitos com AOPs e demais aplicações importantes da eletrônica analógica, em que você terá a
oportunidade de aprender mais sobre o condicionamento de sinais e as possibilidades em termos de
operações que possibilitam a medição, registro e manipulação de variáveis.
Estudaremos, agora, os AOPs aplicados em circuitos clássicos para entendermos suas funcionalida-
des, começando pelos circuitos lineares, a partir do conceito de realimentação negativa (RN). Observe
a Figura 2, ela mostra um circuito amplificador inversor com RN.
Rf
iƒ
R1 i1 iB1
a
-
Vi Vo
Vd +
b
Figura 2 - Amplificador inversor
com AOP
Fonte: adaptada de Pertence
(2015, p. 52).
O termo “inversor” é aplicado ao circuito neste caso, pois o sinal, na saída Vo é defasado em 180° do
sinal de entrada Vi . Neste circuito, que podemos analisar a partir da lei das correntes de Kirchhoff
(LCK), no ponto “ a ”, podemos concluir que (PERTENCE, 2015):
i1 i f iB 1 (1)
Considerando-se, porém, que o AOP seja ideal, então, a corrente:
iB1 = 0 (2)
Sabendo que:
Vi Va
i1 (3)
R1
e
Vo Va
if (4)
Rf
253
UNICESUMAR
Substituindo-se a Equação 3 e Equação 4, na Equação 1 e Equação 2 juntamente, fica:

Vi Va Vo Va
0 (5)
R1 Rf
Como no ponto “ a ” temos o conceito de terra virtual, temos que:
va = 0
(6)
Para entendermos melhor, considere que dado a impedância de entrada do AOP

tender ao infinito, temos um curto-circuito virtual entre os terminais inversor e
não-inversor. Assim, a tensão aplicada na entrada não-inversora aparece sobre o
resistor R1 , assim:
Vi Vo
0 (7)
R1 R f
Como sabemos da Unidade 8:
Eo
AV = (8)
Ei
Trazendo para o conceito de ganho em malha fechada, fica:
Vo
Avf = (9)
Vi
Ao analisar a corrente no resistor R f , observamos que, por conta da alta impedância

de entrada do AOP e da baixa impedância de saída do mesmo, a corrente i1 terá que
fluir pelo terminal de saída do amplificador. Assim, aplicando a lei de Ohm nesta
malha, temos (SEDRA; SMITH, 2012):
Vo Va i1.R f (10)
Dado ao conceito de terra virtual em “ a ”, fica:
V1 (11)
Vo 0 .R f
R1
Igualando a Equação 9, temos o ganho de tensão em malha fechada ( Avf ):

Vo Rf
Avf (12)
Vi R1
254
UNIDADE 9
Concluímos que o ganho em malha fechada pode ser controlado a partir da realimenta-
ção negativa, e o sinal negativo indica defasagem de 180°, entre o sinal de saída e o sinal
de entrada. No caso de números complexos, a Equação 12 fica (PERTENCE, 2015):
Vo R f (13)
Avf 180
Vi R1
Observamos que as características inerentes do AOP em circuito com RN trazem

um ponto de atenção, ele se refere à impedância de entrada do amplificador, que tem
relação direta com o resistor R1, pois:
Zif  R1 (14)
Isso significa que, ao admitir um resistor R1 de alto valor para aumentar a resistência
de entrada, afetamos o ganho em malha fechada, uma vez que R1 é inversamente
proporcional ao valo de Avf . Já o fator de realimentação ( B ) é dado pela relação:
R1
B
R1 R f
Quando nos deparamos com a configuração de amplificação, em que o sinal de saída

tem a mesma polaridade do sinal de entrada, temos então o amplificador não-inversor,
que consiste no circuito da Figura 3:
255
UNICESUMAR
Rf
iƒ
R1 i1 iB1
a
-
Vi Vo
Vd +
b
Vi
Figura 3 - Amplificador não-inversor

Nesta configuração, a tensão de saída é dada pela relação:

V
Vo Vi i .R f (15)
R1
Dividindo-se ambos os lados da igualdade por Vi , fica (SEDRA; SMITH, 2012):
Vo Rf
1 (16)
Vi R1
Ou seja, em termos de ganho, fica:
Vo Rf
Avf 1 (17)
Vi R1
Como sabemos, o AOP deve ter uma impedância de entrada que tende ao infinito,
característica que permite várias aplicações distintas, por exemplo, isolar um sinal ou
“casar” impedâncias entre estágios de alta impedância de saída e uma carga de baixa
impedância (SEDRA; SMITH, 2012).
256
UNICESUMAR
-
Vo
+
Vi
Figura 5 - Buffer: amplificador de ganho unitário

O buffer é conhecido como um transformador de impedâncias ou amplificador de potência, em que

uma malha com RN, o resistor R f = 0 W e R1 (SEDRA; SMITH, 2012).
Vo (18
=
Avf = 1
Vi
Além disso o buffer, também, é conhecido como “seguidor de tensão”, pois a saída segue a entrada,
uma vez que para um buffer ideal, temos que:
• Vo = Vi
• Rin
• Rout = 0
As aplicações dos AOPs não param por aí. Temos muitas oportunidades para utilizar os amplificado-
res operacionais e, agora, iniciaremos o estudo do amplificador somador, que pode ser observado na
Figura 6.
258
UNICESUMAR
Rf Rf Rf
Vo V1 V2 ... VN (20)
R1 R2 RN
Ou na forma simplificada:
V V V
Vo R f 1 2 ... N (21)
R1 R2 RN
Em termos gerais, podemos concluir que a tensão de saída é igual à soma ponderada
das tensões de entrada ( V1, V2 , ... , VN ). Há, entretanto, um ajuste que pode ser feito
para minimizar os efeitos da tensão de offset do AOP, definindo o valor de um resistor
de equalização “ Re ”, por meio da relação entre os resistores R 1, R 2, ... , RN em
paralelo, conforme a Equação 22 (PERTENCE, 2015):
Re = R1 / / R2 / /... / / RN (22)
A Figura 7 mostra o circuito amplificador somador com o resistor de equalização.
i1 Rƒ
R1 i1
V1
R2 i2
V2
-
RN iN + +
VN
Vo
-
Re
Figura 7 - Somador com resistor de equalização

260
UNIDADE 9
Se tivermos a situação em que R= 1 R=2 = ... RN= R f (os resistores devem ser
todos iguais entre R1 e RN ), podemos utilizar a seguinte relação para o cálculo da
tensão de saída:
(23)
Vo V1 V2 V3
E, se R=
1 R=
2 = = 3.R f , podemos calcular a tensão Vo :
... RN
(24)
V V ... VN
Vo 1 2
N
Exemplo resolvido:
Determine o valor da tensão na saída do circuito da figura seguinte:
100 kΩ
1 kΩ
3 mV
2 kΩ
10 mV -
+ +
Vo
-
Figura 8 - Circuito do amplificador somador

Fonte: o autor.
261
UNICESUMAR
Solução:
Calculando-se pelo método simplificado:
Utilizando-se a Equação 21:
V V
Vo R f 1 2
R1 R2
Substituindo-se os valores dados, fica:
3
10.10 3
3 3.10
Vo 100.10
110 3
2.10 3
.
Vo 100.10 3 8.10 6

Vo 800 mV
Calculando-se pelo método do ganho:

Ganho do sinal de 3 mV :
Vo Rf
Avf1
Vi R1
100.10 3
Avf1
. 3
110
Avf1 100
Ganho do sinal de 10 mV :
Vo Rf
Avf2
Vi R1
100.10 3
Avf2
2.10 3
Avf2 50
262
UNIDADE 9
A tensão na saída é igual à soma das tensões de entrada amplificadas, assim:
Vo Avf1 .(V 1) Avf2 .(V 2) (25)
Vo 100.(3.10 3 ) 50.(10.10 3 )

Vo 300.10 3 500.10 3

Vo 800.10 3 V
Vo 800 mV
Agora, estudaremos mais aplicações dos AOPs nos circuitos em que se deseja obter a
diferença entre dois sinais de entrada, ou seja, os circuitos amplificadores diferenciais
ou subtratores.
Rƒ
R1 i1
V1 a
-
i2 Vd
V2 + +
b Vo
R2
curto-circuito -
R1 = R2 R3 virtual
Rƒ = R3
Figura 9 - Amplificador subtrator

Neste circuito, podemos observar que, ao aplicar a lei das correntes de Kirchhoff
(LCK), no ponto “ a”, temos (PERTENCE, 2015):
V1 Va Vo Va
0 (26)
R1 R2
263
UNICESUMAR
E, ao aplicar a lei das correntes de Kirchhoff (LCK), no ponto “ b ”, temos:

V2 Vb Vo Vb
0 (27)
R1 R2
Assim:
R2
Vb . V2 (28)
R1 R2
Substituindo-se a Equação 28 na Equação 27, temos:
R2 R2
V2 . V2 Vo . V2 (29)
R1 R2 R1 R2 0
R1 R2
Então:
R2
Vo .(V2 V1) (30)
R1
Considerando que há o conceito de “curto-circuito virtual” entre os terminais de
entrada inversora e não-inversora, temos que (SEDRA; SMITH, 2012):
(31)
Vd VR 1 VR 2
Onde:
Vd R1.i1 R2.i2 (32)
Sabendo-se que R1 = R2 e Rf = R 3 , temos que:
(33)
Vd R1.i1 R1.i1
Assim:
Rd = 2.R1 (34)
264
UNIDADE 9
Estudaremos, agora, os circuitos com AOP, muito utilizados em controle automático. São eles os cir-
cuitos diferenciadores e integradores. Estes circuitos podem envolver funções que utilizam o tempo
e são úteis, quando atuamos em antecipação de eventos e, também, com condições de operação, que
podem ser mais rápidas ou mais lentas, de acordo com a dinâmica de um processo a ser controlado.
Começaremos, então, nosso estudo pelo circuito diferenciador, que, como denuncia o próprio nome,
tem equacionamento descrito por uma equação diferencial, dado na Figura 10.
Rf
iƒ
i C1
a
-
V1 Vo
Vd +
b
Figura 10 - Amplificador Diferenciador

Aplicando-se a lei das correntes de Kirchhoff (LCK), no ponto “ a”, podemos concluir que
(PERTENDE, 2015):
dVi Vo (35)
C 0
dt R f
Que pode ser expresso como:

dVi
Vo R f C (36)
dt
265
UNICESUMAR
O amplificador diferenciador apresenta um comportamento abrupto, ou seja, é muito sensível às varia-

ções de frequência dos sinais de entrada. Isso pode gerar oscilações em forma de picos ou “spykes”, na
forma de onda de saída. Já o amplificador integrador tem um comportamento que permite aplicações
em ações de controle, em que temos a necessidade de eliminar oscilações da resposta do sistema de
controle, conforme a Figura 11.
C1
iƒ
i R1
a
-
V1 Vo
Vd +
b
Figura 11 - Amplificador Integrador

Aplicando-se a lei das correntes de Kirchhoff (LCK), no ponto “ a ”, podemos concluir que (PERTEN-
CE, 2015):
Vi dV (37)
C1 o 0
R1 dt
Que pode ser expresso como:
t
1 (38)
R1.C 1 0
Vo Vi dt
Em aplicações de controle de processos industriais, os controladores eletrônicos

atuam no sentido de manter uma variável de interesse (ou variável de processo –
PV), dentro dos limites preestabelecidos. Assim como programamos o aparelho de
ar condicionado para operar dentro de uma faixa de temperatura, podemos definir o
nível de um tanque ou a vazão de determinado fluido dentro de uma faixa aceitável
definida como “setpoint” (SP), que é o valo desejado a ser atingido e mantido, ao longo
do tempo. Já a variável que manipulamos para obter o resultado desejado da variável
de interesse é denominado “variável controlada”, ou “variável manipulada” (MV).
266
UNIDADE 9
Dentro do processo de controle, existe a relação entre o valor

desejado (SP) e o valor real da variável, ou seja, a diferença entre
o que se deseja e o que se tem de fato. A resultante dessa diferença
nós conhecemos como o erro ou desvio (DV). Esse desvio varia
no tempo na medida em que a variável de processo varia em torno
do ponto de operação definido pelo setpoint.
Ao acompanhar a variação do erro, devemos observar que ele
será mais acentuado ou inclinado na medida em que a dinâmi-
ca do processo se manifestar naturalmente, ou seja, a variação de
temperatura ocorre com determinada velocidade em um ambiente
climatizado, já a vazão de um determinado gás pressurizado possui
outra velocidade.
A relação de interação entre a dinâmica funcional do compor-
tamento de uma variável e a resposta do sistema influem, direta-
mente, sobre a maneira como atuaremos no controle do processo.
Logo, é necessário que ações de controle sejam estabelecidas, com
o intuito de promover a estabilidade do sistema (desde que ele seja
controlável e reúna condições de estabilidade).
As ações de controle podem atuar no sentido de manter a PV
dentro de uma faixa aceitável de SP, ou seja, em torno do ponto de
operação, dentro de limites toleráveis, por exemplo, a temperatura
do processo deve ser de 25 C 1 C . Isso significa que o valor
desejado da temperatura é de 25 °C , podendo assumir de 24 °C
a 26 °C e, ainda, assim, estaria dentro da faixa definida.
Neste podcast, falaremos sobre as ações de con-

trole aplicadas a processos industriais e como os
AOPs podem ser utilizados para estabilizar variá-
veis na indústria.
267
UNICESUMAR
26 °C
25 °C
24 °C
PV SP
Figura 12 - Variável de processo (PV) oscilando em torno do ponto de operação (SP)

Fonte: o autor.
O desafio do controlador automático é fazer com que a temperatura do processo se estabeleça dentro
dessa faixa, sem que ocorram distúrbios que possam ultrapassar os limites de tolerância. Para realizar
esta tarefa, a ação de controle a ser utilizada deve estar sintonizada com a dinâmica do trocador de
calor, ou seja, o controlador deve ter a mesma velocidade de resposta que o sistema de troca de calor
necessita, nem a mais, nem a menos.
A Figura 13 mostra um exemplo de controle de vazão automático, em que uma válvula de controle
é utilizada para manipular a vazão, por meio de sua abertura que ocorre de 0 a 100%, de acordo com
o comando enviado pelo controlador eletrônico, baseado em ações de controle, por exemplo, o PID.
A atuação da válvula (abertura ou fechamento) depende do sinal de erro enviado pelo sistema de
instrumentação industrial, que infere, diretamente, sobre as ações de controle, que, na saída, enviam
sinal elétrico proporcional à posição desejada. O mesmo raciocínio é utilizado para demais variáveis,
além da vazão.
268
UNIDADE 9
Figura 13 - Sistema de posicionamento de válvula: ação de controle realizada por controlador eletrônico
Controlar significa manter a variável de interesse dentro dos limites aceitáveis. Logo, quando um estí-
mulo externo faz com que a variável de interesse seja deslocada de seu ponto de operação para outro
valor, automaticamente um atuador deve ser acionado para estimular o retorno da variável de processo
para sua faixa de tolerância. Isso deve ocorrer na velocidade com que o processo ocorre.
Caso a ação de controle seja mais lenta do que a resposta do sistema, teremos problemas com atrasos
e a ação corretiva para “trazer de volta” o valor de PV próximo de SP. Desse modo, pode não conseguir
mais reverter a situação causada pelo estímulo de entrada (que normalmente pode ser um degrau, uma
rampa ou mesmo um sinal senoidal), ou, se agirmos com muita intensidade, com velocidade mais alta
do que o necessário, podemos induzir a PV a um comportamento oscilatório.
Os controladores eletrônicos baseados em ações de controle Proporcionais, Integrais e Derivativas
foram concebidos para responder ao estímulo introduzido a um sistema e podem ser implementados,
a partir da combinação de circuitos com AOPs que acabamos de estudar. Conheceremos, agora, um
controlador PID baseado em AOPs, mostrado na Figura 14:
269
UNICESUMAR
Z1 Z2
R2 C2
C1
R4
R1
R3
+ - a
+ + -
Vi
V + +
-
- Vo
-
Figura 14 - Controlador PID com AOP

Fonte: adaptada de Ogata (2003, p. 83).
Note que dois amplificadores operacionais são utilizados neste circuito. Desse modo, estudaremos sua
configuração a partir da análise das impedâncias Z 1 e Z 2 , levantando a sua função de transferência.
V (s) Z2
(39)
Vi ( s ) Z1
Em que:
R1 (40)
Z1
R1C 1s 1
e
R2C 2s 1 (41)
Z2
C 2s
Substituindo a Equação 40 e a Equação 41 na Equação 39, temos:

R 2C 2s 1
V (s)
C 2s (42)
Vi ( s ) R1
R1C 1s 1
Uma vez que o segundo AOP tem o ganho dado por:
Vo ( s ) R4
(43)
V ( s) R3
270
UNIDADE 9
Temos:
Vo ( s ) Vo ( s ) V ( s ) R4 R2 ( R1C 1s 1)( R 2C 2s 1)

Vi ( s ) V ( s ) Vi ( s ) R 3R 1 R2C C 2s
R4 R2 R1C 1 R2C 2 1
R1C 1s
R 3R 1 R2C 2 R2C 2s (44)
Vo ( s ) R 4 ( R 1C 1 R 2C 2) 1 R 1C 1R 2C 2
1 s
Vi ( s ) R 3R 1C 2 R 2C 2
( R 1C 1 R 2C 2) s R 1C 1
Além disso, temos que um controlador PID é expresso como (OGATA, 2003):
Vo ( s ) T (45)
k p 1 i Td s
Vi ( s ) s
Onde:
k p é o ganho proporcional.
Ti é o tempo integral.
Td é o tempo derivativo.
Em que, a partir da Equação 44, podemos definir as constantes (OGATA, 2003):
R4 ( R1C 1 R2C 2) (46)

kp
R 3R 1C 2
1 (47)
Ti
( R1C 1 R2C 2)
R1C 1R2C 2
Td (48)
R1C 1 R2C 2
Uma vez que os ganhos dos estágios proporcional, integral e derivativos forem, res-
pectivamente: k p , ki e kd , então, fica:
R4 ( R1C 1 R2C 2)
kp (49)
R 3R1C 2
R4 (50)
ki =
R 3R 1C 2
R4 R2C 1
kd = (51)
R3
271
UNICESUMAR
O estudo da eletrônica analógica é muito amplo e tem diversas

linhas que exploraremos nos momentos de vivências roteiriza-
das, ao longo de nossa metodologia. Assim, temas que não foram
abordados neste livro farão parte de nossos momentos presenciais,
com a teoria e a prática necessárias a aprendizagem desta fantástica
ciência denominada Eletrônica Analógica.
Os amplificadores operacionais são aplicados em circuitos de
controle, em que o processo industrial pode ser estabilizado de
maneira adequada à sua dinâmica. Além disso, podemos utilizar
AOPs em circuitos comparadores, em que uma tensão de referência
fixa pode ser comparada com um valor variável proveniente de um
sensor, por exemplo, e de acordo com o valor da diferença entre a
referência e o sinal do sensor, é possível controlar o acionamento de
dispositivos, como um ventilador acionado, quando determinada
temperatura atinge um valor predefinido.
272
Para fixar o conteúdo desta unidade, praticaremos o que aprendemos com esse mapa conceitual:
AMPLIFICADOR AMPLIFICADOR
INVERSOR SUBTRATOR
AMPLIFICADOR BUFFER
NÃO-INVERSOR
CIRCUITO
COM AOP
AMPLIFICADOR CONTROLADOR
SOMADOR PID
AMPLIFICADOR AMPLIFICADOR
DIFERENCIADOR INTEGRADOR
Figura 15 - Mapa conceitual para referência do estudante

Fonte: o autor.
Agora, você, estudante, deve realizar o preenchimento do seu mapa conceitual, na Figura 16,
apresentando a definição para cada um dos circuitos estudados, nesta unidade, conforme orien-
tação do mapa conceitual da Figura 15.
CIRCUITO MAPA MENTAL

COM AOP

Fonte: o autor.
273
MAPA MENTAL
274
1. Um circuito amplificador inversor possui tensão de entrada, variando entre 0 e 50 mV , e
está configurado de forma que o ganho em malha fechada é de 100 vezes. Qual o valor da
tensão na saída, quando a tensão na entrada estiver a 30% de seu valor máximo? Assinale
a alternativa correta.
a) - 15 V.
b) 1,5 V.
c) - 1,5 V.
d) 3 V.
e) - 9 V.
2. Um amplificador somador apresenta a seguinte configuração: V1 = 25 mV , V2 = 50 mV ,

R1 = 10 kW , R2 = 4, 7 kW e R f = 100 kW . Calcule o valor de Vo para o amplificador somador
e, depois, assinale a alternativa correta.
a) O valor da tensão na saída é de −10, 31 mV .
b) O valor da tensão na saída é de 12, 5 V .
c) O valor da tensão na saída é de 75 mV .
d) O valor da tensão na saída é de −1, 31 V .
e) O valor da tensão na saída é de −7, 5 V .
3. Os controladores eletrônicos baseados em AOPs podem ser implementados de acordo com
AGORA É COM VOCÊ

a necessidade e atuam com ações de controle proporcional, integral e derivativa. É correto
afirmar sobre AOPs aplicados em controladores eletrônicos:
a) O amplificador integrador produz spyke em sua atuação.
b) O circuito diferenciador é utilizado para linearizar a saída, pois não produz oscilações.
c) A função de transferência de um controlador considera a tensão de entrada dividida pela
tensão de saída.
d) O sinal de erro ou desvio é invariante no tempo.
e) A ação de controle PID pode ser implementada com dois AOPs, e sua função de transferência
é utilizada para calcular os valores dos ganhos proporcional, tempo integral e tempo derivativo.
275
1. C.
Solução:
Dados:
Tensão de entrada variando entre 0 e 50 mV .
Ganho em malha fechada de 100 vezes.
Valor da tensão na saída quando a tensão na entrada estiver a 30% de seu valor máximo.
Cálculo do percentual de 30% sobre 50 mV :
30
.50.10 3 15.10 3 V
100
Cálculo da tensão na saída a 30% do sinal de entrada:
Vo
Avf =
Vi
Vo = Avf .Vi
Vo 100.15.10 3
Vo 100.15.10 3
Vo = 1, 5 V
Como é um amplificador inversor, a tensão na saída está defasada em 180° da tensão, na entrada, logo,
o sinal de negativo no valor de Vo .
Vo 1, 5 V
276
2. D.
Solução:
Dados:
V1 = 25 mV
V2 = 50 mV
R1 = 10 kW
R2 = 4, 7 kW
R f = 100 kW
Calcule o valor de Vo para o amplificador somador.
Calculando-se pelo método simplificado:

Utilizando-se a Equação 21:
V V
Vo R f 1 2
R1 R2
Substituindo-se os valores dados, fica:
25.10 3 50.10 3
Vo 100.10 3
10.10 3 4, 7.10 3

Vo 100.10 3 13, 138.10 6

Vo 1, 31 mV
3. E, pois “um controlador PID é expresso como” (ORTEGA, 2003):
Vo ( s ) T
k p 1 i Td s (52)
Vi ( s ) s
Onde:
k p é o ganho proporcional.
Ti é o tempo integral.
Td é o tempo derivativo.
277
OGATA, K. Engenharia de Controle Moderno. 4. ed. São Paulo: Prentice Hall, 2003.
Bookman, 2015.

REFERÊNCIAS
278
279
MEU ESPAÇO
MEU ESPAÇO
280

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Figura 2 - Modelo de um MP3 player

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Figura 8 - Estrutura do GaAs: Composto utilizado na fabricação

As características marcantes dos semicondutores citados é a presença de 4 elétrons na camada de

Massa atômica: 30.973 Massa atômica: 10.81

Figura 9 - Átomos de Fósforo e Boro: configurações pentavalante e trivalente, respectivamente

Figura 10 - Diodos e transistores em encapsulamentos comerciais

Figura 11 - Pastilha de um microprocessador comercial sem encapsulamento

Figura 12 - Ligação covalente de e Si e e Si e e Si e e Si e

Figura 13 - Semicondutores inte-

Figura 14 - Formação do semicon-

Figura 15 - Formação do semicon-

Praticamente todos os dispositivos eletrônicos utilizam semicondutores, responsáveis pelas telecomu-

Figura 22 - Mapa conceitual de exemplo

Figura 23 - Mapa conceitual do aluno

2. Os materiais semicondutores permitem a fabricação de diodos, transistores e circuitos inte-

AGORA É COM VOCÊ

Figura 24 - Formação de semicondutor

CONFIRA SUAS RESPOSTAS

GENTILIN, F. A. Eletrotécnica e Eletrônica. Maringá: Unicesumar, 2019.

GRAEME, J. G. Photodiode Amplifiers: Op Amp Solutions. New York : McGraw-Hill, 1995.

LOURENÇO, A. C. de; CRUZ, E. C. A; CHOUERI JÚNIOR, S. Estude e Use Eletricidade: Circuitos em

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SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 5. ed. São Paulo: Pearson, 2012.

SZE, S. M.; NG, K. K. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken: Wiley, 2007.

Figura 1 - Retificação de sinal alternado com ponte de diodos

2 Forno de Microondas ca 127 V Sim

5 liquidificador ca 127 V Não

Na polarização direta do diodo, o potencial positivo da fonte de tensão é conectado ao terminal

Figura 2 - Polarização direta do diodo / Fonte: Gentilin (2019, p. 183).

Figura 3 - Polarização reversa do diodo

dos tempos t1 e t2 , respectivamen-

ciclo para a carga R1 . É importante

VR1  VCA  VD1 (1)

Tek M Pos: 0.000s MEDIDAS

Figura 6 - Sinal de meia onda - condução e corte no diodo

Para as fontes de alimentação lineares, há uma particularidade relacionada ao uso de transformador,

Em algumas aplicações especiais, existem terminologias que remetem a transformadores isoladores

Figura 8 - transformador monofásico

A estrutura, que permite o enrolamento dos condutores isolados

VR1 VCA VD1 (1)

N x (espiras / volt ) Venrolamento (7)

N P (espiras / volt ) VP (8)

N S (espiras / volt ) VS (9)

VCE VBE VCB (2)