Eletrônica I - Engenharia

Professor: Me. Eng. Rodrigo José Piontkewicz

Email: rodrigo.piontkewicz@ifsc.edu.br
Eletrônica I - Ementa
Eletrônica I - Bibliografia
 Eletrônica I - Avaliação

• Prova 1: Diodos (40%)

• Prova 2: Transistores (40%)
• Trabalhos / Relatórios: (20%)
 Eletrônica I - Introdução
• O Átomo: Formado por três partículas elementares: próton, nêutron e elétron.

• Pode possuir até 7 camadas de elétrons onde a última camada recebe o nome de
camada de valência.
 Eletrônica I - Materiais
• Materiais condutores: Não oferecem resistência a passagem da corrente elétrica. Os
elétrons da camada de valência estão fracamente ligados ao átomo. Ex: Cobre

• Materiais Isolantes: São materiais que possuem uma resistividade muito elevada. Os
elétrons na camada de valência estão fortemente ligados ao átomo. Ex: Borracha

• Materiais Semicondutores: Apresentam resistividade intermediária. (Germânio e Silício).

 Eletrônica I - Silício
• O Átomo de silício apresenta 4 elétrons na sua camada de valência.
 Eletrônica I - Silício
• Quando átomos de silício se agrupam, formam uma estrutura cristalina, ou seja, uma
estrutura ordenada.
• Cada átomo une-se a 4 outros átomos vizinhos por meio de uma ligação covalente
(onde ocorre o compartilhamento de elétrons).
 Eletrônica I - Silício
• Idealmente se comporta como um isolante (no zero absoluto), pois não há elétrons
livres para a passagem da corrente elétrica.

• Adicionando-se energia (temperatura, luz, radiação..) quebra-se algumas das ligações

formando elétrons livres e lacunas “buracos”
 Eletrônica I - Dopagem
• A temperatura ambiente um cristal de silício praticamente não possuí elétrons livres. É
conhecido como semicondutor intrínseco.

• Dopagem significa adicionar átomos de impurezas num cristal de modo a aumentar a

quantidade de elétrons livres e lacunas

• Semicondutor Intrínseco: Semicondutor puro – Sem Dopagem

• Semicondutor Extrínseco: Semicondutor que recebeu impurezas (dopagem)

 Eletrônica I – Dopagem
• Na dopagem tipo N adiciona-se átomos pentavalentes (5 elétrons na camada de
valência). Ex: Fósforo e Antimônio

• Na dopagem tipo P adiciona-se átomos trivalentes (3 elétrons na última camada). Ex:

Alumínio, Boro e Gálio.
 Eletrônica I – Dopagem
• Dopagem tipo P: Portadores minoritários são os elétrons
 Eletrônica I – Dopagem
• Dopagem tipo N: Portadores minoritários são as lacunas
 Eletrônica I – Junção PN
• Na união de um material tipo P com um material tipo N, obtém-se uma junção.

• Uma junção PN é conhecida como um DIODO.

• A camada de depleção é a região próxima de onde ocorre o contato dos

materiais, nessa região os elétrons em excesso preenchem as lacunas.

P Type N Type
_ _ _
+ + +_ + _ __
+ + _ +_ _ _
+ + + +
 Eletrônica I – Junção PN
• A “quantidade de tensão – barreira de potencial” necessária para mover um elétron
através da camada de depleção é de:

• Silício = 0,7 V
• Germânio = 0,3 V

P Type N Type
_ _ _
+ + +_ + _ __
+ + _ +_ _ _
+ + + +
 Eletrônica I – Polarização Direta
• Se aplicada uma tensão suficiente para atravessar a camada de depleção, o diodo
conduzirá corrente. Este caso é conhecido como polarização direta do diodo

P Type N Type
+ + _ _
+ + _ _
+ + _ _
Depletion Layer
 Eletrônica I – Polarização Reversa
• Se aplicada uma tensão conforme a figura abaixo, a camada de depleção irá
aumentar. Nesta polarização o diodo não conduz corrente elétrica.

P Type N Type
+ + _ _
+ + _ _
+ + _ _
Depletion Layer
Eletrônica I – Polarização
 Eletrônica I – Tensão de Ruptura
(Breakdown)
• Se o diodo for polarizado reversamente com tensão suficiente (Breakdown
Voltage), este irá conduzir.
• Tipicamente, a tensão de ruptura de um diodo é entre 50V e 1kV.
• Se atingida a tensão de ruptura, normalmente ocorrerá a destruição da junção.

Idiode

Vdiode
 Eletrônica I – Camada de
depleção e temperatura
• A 25°C a barreira de potencial de um diodo de silício é de
aproximadamente 0,7V.

• Quando conduzindo corrente, a temperatura da junção é maior

que a temperatura ambiente (diodo aquece).

• Conforme a temperatura da junção aumenta, a barreira de

potencial diminui a uma razão de aproximadamente 2mV por grau
Celsius.
 Referencias Bibliográficas
• O material utilizado para compor estes slides foram retirados
das seguintes referências:

• Datasheet (Vishay)

• Eletrônica Vol. 1 – Albert Malvino / David Bates

• Dispositivos Eletroeletrônicos e Teoria de Circuitos – Robert

L. Boylestad / Louis Nashelsky