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Capítulo -2

Semicondutores
Tópicos abordados no capítulo 2
• Condutores • Diodo não
• Semicondutores polarizado
• Polarização direta
• Cristais de silício
• Polarização
• Dopagem de um reversa
semicondutor • Ruptura
• Dois tipos de • Barreira de
semicondutores potencial e
temperature
Átomo
• O átomo é o bloco de construção básico
de toda a matéria.
• Composto por:
– núcleo
– prótons
– nêutrons
– elétrons
Núcleo
• O núcleo é composto por órbitas internas.
• A camada Valência ou órbita externa
controla as propriedades elétricas.
• A atração entre o núcleo e elétrons de
Valência é fraca.
• Uma força externa desaloja facilmente um
elétron de Valência de um átomo.
Condutores
• Material que permite a passagem da corrente
facilmente.
• Exemplos:
• Ouro
• Prata
• Cobre
• 1 elétron de Valência.
Condutores
• Átomo de cobre
Condutores

Elétrons de Valência
Diagramas do núcleo

Cobre Silicio

1 elétron de Valência 4 elétrons de Valência


Semicondutores
Semicondutores
• Germânio
– Falha: corrente reversa excessiva
• Silício
• 4 elétrons na camada mais externa
(valência)
Cristais de silício
• Saturação de valência
– Estabilidade ao cristal
• Energia térmica cria buracos e elétrons livres.
• Recombinação:elétron livre cai em buracos disponíveis.
• A recombinação ocorre na escala de alguns nanossegundos
até vários microssegundos.
• Chama-se o tempo entre a criação e a recombinação de um
elétron livre e um buraco, de tempo de vida.
Tipos de semicondutores
• Semicondutor intrínseco; temperature ambiente
– Semicondutor puro, ou seja, não dopado.
– Função de um dielétrico
• Semicondutor extrínseco
– Foi dopado (impureza); Adição de átomos de
impureza ao cristal de silício intrínseco a fim de
alterar sua condutividade elétrica.
Dopagem
• Processo de adicionar impurezas ao cristal de silicio
• Impurezas são átomos trivalentes ou pentavalentes
Dopagem pentavalente
• Tipo N
• Portadores minoritários são os buracos.
Dopangem trivalente
• Tipo P
• Portador minoritário é o elétron.
Diodo
Diodo não polarizado
P Type N Type
_ _ _
+ + +_ + _ __
+ + _ +_ _ _
+ + + +
Camada de depleção
Os elétrons migram através da junção e
preenchem os buracos, criando uma "barreira"
para o movimento de elétrons.
Diodo não polarizado
P Type N Type
_ _ _
+ + +_ + _ __
+ + _ +_ _ _
+ + + +
Potencial da barreira= +0.7 V
A quantidade de "empurrar" necessária para
mover um elétron (fluxo atual), através da
barreira é + 0.7V ou +0.3V
Polarização direta
P Type N Type 1- A bateria empurra as lacunas e os
elétrons livres em direção a junção. Se a

+ + _ _ tensão da bateria for inferior a barreira de


potencial, os elétrons livres não possuem
energia suficiente para penetrar na camada

+ + _ _ de depleção.
2- Quando a tensão da bateria for maior

+ + _ _ que a barreira de potencial, a bateria


empurra a lacunas e os elétrons livres em
direção a junção. Dessa vez, os elétrons
livres têm energia suficiente para passar
Camada de para a camada de depleção e recombinar
com as lacunas. Lacunas movendo-se para
depleção direita e elétrons movendo-se para
esquerda

Se a tensão aplicada exceder a barreira potencial


(0.7 v), o diodo irá conduzir corrente.
Polarização reversa
P Type N Type
+ + _ _ 1- Corrente de portadores minoritários:Em
virtude da energia térmica é gerado

+ + _ _ elétrons e lacunas perto ou no interior na


barreira de depleção, chamada de corrente
de saturação.

+ + _ _ 2- Termo saturação: Significa que não


podemos ter uma corrente de portadores
minoritários maior do que a produzida pela
energia térmica ou seja, aumentar a tensão
Camada de reverá não aumentará o número de
portadores minoritários gerados
depleção termicamente.
3- Corrente que circula na superfície do
material: causada pelas impurezas da
superfície e imperfeições na estrutura do
cristal

A tensão aplicada faz com que a camada de


depleção comece a se expandir, logo nenhuma
corrente flui através da barreira.
Polarização reversa-Tensão de ruptura

1- Se aumentarmos a tensão reversa,


eventualmente atingiremos a tensão de ruptura.
2- Atingida a tensão de ruptura, uma grande
quantidade de portadores minoritários aparece de
repente na camada de depleção e o diodo conduz
intensamente. ( efeito Avalanche).
• O aumento da tensão reversa força os
portadores minoritários a se movem mais
rapidamente.
• Portadores minoritários colidem com os
átomos do cristal.
• Portadores minoritários colidem com os
elétrons da camada de valência,
produzindo elétrons livres.
• Novos portadores minoritários colidem com
outros átomos.
• A progressão geométrica continua até a
corrente inversa se torna intensa
Polarização do diodo
Níveis de energia
1- Uma das forças externas, capaz de elevar um
elétron a níveis de energia mais altos, pode ser, o
calor, luz ou tensão.
2- Quando o elétron volta para sua camada de
origem, ele devolve sua energia adicional em forma
de calor.
Recapitulação da junção PN
• A ⁰C 25, a barreira de potencial para uma
junção PN de silício é cerca de 0,7 volts.
• Se a junção PN for palarizada diretamente
e maior que 0.7 v( barreira de depleção),
conduzirá corrente.
• Se a junção PN é polarizada
reversamente, não conduzirá corrente a
menos que o diodo entra em “ruptura".
Recapitulação da junção PN
• Difusão de elétrons cria pares de íons,
chamados dipolos.
• Cada dipolo tem um campo elétrico
associado.
Ruptura
• Na polarização reversa, com uma
voltagem suficiente, um diodo conduzirá.
• Avaliações típicas de ruptura variam de 50
volts até 1000 volts.
Idiode

Vdiode
Temperatura e potencial de
barreira
• Quando um diodo está conduzindo, a
temperatura na sua junção PN é maior do
que o ar ambiente por causa do calor
gerado pela recombinação
• A barreira de potencial de um diodo de
silício diminui 2mV para cada graus
Celsius de aumento
Temperatura e potencial de
barreira
• A 25° C, o potencial de barreira é 0.7 v.
• Determinar o potencial de barreira, se o ar
ambiente em torno do diodo aumentou
para 30° C.
 2mV 
Vdiode  Barrier Potential   T C x 
 C 
 2mV 
Vdiode  0.7V  5C x 
 C 
Vdiode  0.7V  10 mV
Vdiode  0.69V