5 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P.

Bonaldo

1 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

1.1 INTRODUÇÃO

Os semicondutores de potência atualmente disponíveis no mercado podem ser classificados

em três grupos, de acordo com o seu grau de controle. Os grupos são:

1) Diodos → Dispositivos não controlados: Estados ligado e desligado pelo circuito de potên-
cia;

2) Tiristores → Dispositivos semicontrolados: Estado ligado pelo sinal de controle, e desliga-

do pelo circuito de potência;

3) Chaves controladas → Ligados e desligados pelos sinais de controle (TJB, MOSFET, GTO
e IGBT).

1.2 DIODO

1.2.1 Características Ideais

Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que permite a

passagem de corrente em um único sentido.
A característica estática ideal de um diodo é mostrada ao la-
do. Quando o diodo é polarizado diretamente, isto é uma tensão
positiva é aplicada entre anodo e catodo, o diodo conduz e, ideal-
mente, a tensão direta sobre o diodo é nula (𝑉𝐹 = 0). Quando uma
tensão negativa é aplicada, esta tensão aparece sobre o diodo e não
há circulação de corrente (𝐼𝐹 = 0).
Fig. 1.1. Característica estática ideal.
6 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.2.2 Características Reais

Dispositivos de potência apresentam uma grande área transversal, para permitir maiores correntes
e grande comprimento, para permitir maior capacidade de bloqueio de tensão.
A diferença de potencial aplicada entre os terminais de um diodo aparece sobre a região de transi-
ção, pois a resistência da junção é maior que a resistência das outras partes do diodo, pois na junção a
concentração de portadores é menor.
Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tensão negativa no anodo (regi-
ão P) e positiva no catodo (região N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-
versa, de modo que a largura da região de transição aumenta, elevando a barreira de potencial. Se o
campo elétrico na região de transição for muito intenso, os portadores em trânsito obterão grande velo-
cidade e, ao se chocar com os átomos da estrutura, produzirão novos portadores, os quais, também ace-
lerados, produzirão um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem redução significativa na
tensão na junção, produz-se um pico de potência que destrói o componente.
Uma polarização direta (tensão no anodo mais positiva que a tensão no catodo) leva ao estreita-
mento da região de transição e à redução da barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar o
valor natural da barreira, cerca de 0,7 V para diodos de silício (Si), os portadores negativos do lado N
serão atraídos pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente à condução.

Fig. 1.2. Camadas construtivas de um diodo convencional.

No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição como um capacitor, cuja carga é aque-
la presente na própria região de transição. Na condução não existe tal carga, no entanto, devido à alta
dopagem da camada P+, por difusão, existe uma penetração de lacunas na região N-. Além disso, à me-
dida que cresce a corrente, mais lacunas são injetadas na região N-, fazendo com que elétrons venham
da região N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a
7 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

qual terá que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do dio-
do.

Fig. 1.2. Camadas construtivas de um diodo de potência

1.2.3 Características de Chaveamento

Geralmente, o diodo pode ser considerado ideal quando na entrada em condução. Entretanto para a
entrada em bloqueio existe um tempo de recuperação reversa (𝑡𝑟𝑟 ) do diodo antes da corrente se anular.
Tempo este necessário para remover a carga espacial da região N+.
Teste da comutação do diodo

Fig. 1.4. Entrada em condução.

Fig. 1.3. Circuito usado para teste da comutação do diodo.

𝐼𝐹 → Corrente direta pelo diodo;

𝑉𝐹 = 𝑉𝐷 → Tensão de polarização direta sobre o
diodo; Tensão de condução;
𝐼𝑅𝑀 → Pico da corrente de recuperação reversa;
𝑉𝑅𝑀 = 𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 → Pico da tensão causado pela corrente
de recuperação reversa.
Fig. 1.5. Entrada em bloqueio.
𝐸 → Tensão de alimentação do circuito;
8 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

Isto pode levar a algumas sobretensões em circuitos indutivos. Em casos em que este problema
aparece, devem ser utilizados diodos de recuperação rápida (fast diodes).
A carga de recuperação reversa é dada por:
𝑡3
𝑄𝑟𝑟 = ∫ 𝑖𝑟𝑟 𝑑𝑡
𝑡1

𝑡𝑟𝑟 = 𝑡3 − 𝑡1

1.2.4 Perdas de condução

São as perdas devidas à tensão reversa do diodo e à resistência interna. Ocorrem apenas quando o
componente está em estado de condução (conduzindo corrente).

Fig. 1.6. Modelo de um diodo em condução.

Perdas de condução:
2
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑉𝑇𝑂 ⋅ 𝐼𝐹𝑚𝑒𝑑 + 𝐼𝐹𝑟𝑚𝑠 ⋅ 𝑟𝑇

Onde:
𝑉𝑇𝑂 → Queda de tensão (quando diodo está em condução);
𝐼𝐹𝑚𝑒𝑑 → Corrente média pelo diodo;
𝐼𝐹𝑟𝑚𝑠 → Corrente RMS pelo diodo
𝑟𝑇 → Resistência interna do diodo;
9 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.2.5 Perdas de Comutação

Ocorrem nas transições do estado desligado para ligado (entrada em condução) e na transição do
estado ligado para estado desligado (entrada em corte).
Entrada em corte: Entrada em condução:
𝑃𝑠𝑤 = 𝑃𝑜𝑛 + 𝑃𝑜𝑓𝑓 1
𝑃𝑜𝑛 = (𝑉𝐹𝑃 − 𝑉𝐹 ) ⋅ 𝐼𝑜 ⋅ 𝑡𝑟𝑓 ⋅ 𝐹𝑠𝑤
1 2
𝑃𝑜𝑓𝑓 = 𝑄𝑟𝑟 ⋅ 𝑉𝑅𝑀 ⋅ 𝐹𝑠𝑤 = 𝑉𝑅𝑀 ⋅ ⋅ 𝐼𝑅𝑀 ⋅ 𝑡𝑟𝑖 ⋅ 𝐹𝑠𝑤
2

𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 = 𝑉𝑅𝑀

Fig. 1.7. Detalhe da entrada em corte e entrada em condução do diodo [2].

Fig. 1.8. Resultados experimentais das comutações de diodo: a) desligamento; b) entrada em condução. Canal 1: corrente;
Canal 2: tensão 𝑣𝐹 [1].
10 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.3 TRANSISTOR BIPOLAR (TBJ)

O TBJ é um dispositivo controlado em corrente, pelo terminal de base. Quando utilizado em cir-
cuitos de potência:
• Geralmente é utilizada a estrutura NPN pois apresenta menores perdas que a estrutura PNP (isto se
deve à maior mobilidade dos elétrons em relação às lacunas).
• Geralmente utilizado como chave, apresentando dois estados distintos: corte (𝑖𝑏 ≤ 0) ou saturação
(𝑖𝑐 ≤ 𝑖𝑏 ⋅ ℎ𝑓𝑒 ).
• Condução de corrente apenas em uma direção (𝑖𝐶 > 0);
• Bloqueia tensões positivas (𝑣𝐶𝐸 > 0)

Fig. 1.9. Característica estática do TBJ.

1.3.1 Características Construtivas

A operação normal de um TBJ é realizada com a junção J1 diretamente polarizada e a junção J2

reversamente polarizada, conforme a figura que mostra a estrutura básica do transistor bipolar.
A tensão 𝑉𝑏 atrai os portadores da região N+ (emissor) gerando uma corrente através da junção J1,
levando a um estreitamento da região de depleção nesta junção. Então, a maior parte dos portadores pos-
sui energia suficiente para atravessar esta barreira e chegar à junção J2, de onde são atraídos para o po-
tencial positivo do coletor, originando, assim, a corrente 𝐼𝑐 .
11 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

Fig. 1.10. Camadas construtivas de um TBJ de potência.

A região N- apresenta baixa dopagem (menos elétrons livres que a região N+), sendo responsável
por aumentar a tensão de bloqueio do dispositivo.
A figura a seguir mostra a característica estática do TBJ, onde são notadas 3 regiões distintas: cor-
te, quase saturação e saturação.
Na região ativa o circuito atua como um amplificador linear e o transistor deve suportar tensão e
corrente simultaneamente, levando a dissipação significativa de potência. Quando em corte, 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 .
Na região ativa, quando 𝐼𝑏 aumenta, a corrente 𝐼𝑐 também aumenta, aumentando a queda de tensão so-
bre a carga e diminuindo 𝑉𝑐𝑒 . Quando 𝑉𝑐𝑒 for suficientemente pequeno, o transistor estará na região de
quase-saturação. Se 𝑉𝑐𝑒 continuar diminuindo o transistor entra na região de saturação pesada.

Fig. 1.11. Região de quase saturação do TBJ e distribuição da carga estática acumulada [1].

Quanto mais saturado o componente estiver, menor será a tensão 𝑉𝑐𝑒 e, portanto, as perdas de con-
dução serão menores. Porém, o tempo de desligamento do dispositivo será maior, devido ao excesso de
carga armazenada no coletor (carga espacial), as quais existem devido aos elétrons que deixam a região
12 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

N+ (emissor) passando pela junções J1 e J2 chegando à região N-. Para desligar o dispositivo, esta carga
espacial deve ser eliminada (removida).

1.3.2 Perdas de condução

Os TBJ apresentam baixas perdas quando em condução, visto que a tensão de saturação entre co-
letor e emissor é baixa. Quando em condução, a potência dissipada no TBJ pode ser calculada através do
modelo abaixo.

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡 ⋅ 𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡 → Tensão de saturação;

𝐼𝐶 → Corrente média através do coletor;
Fig. 1.12. Modelo do TBJ em condução.

1.3.3 Comutação do TBJ com carga indutiva

A comutação do TBJ pode ser resumida em duas etapas discutidas abaixo.

Entrada em condução: Com TBJ cortado, Io circula pelo diodo de roda livre 𝐷𝑓 . Após 𝑡𝑑 , a cor-
rente 𝐼𝑐 começa a crescer, até que 𝐼𝑐 = 𝐼𝑜 , quando 𝐷𝑓 desliga e 𝑉𝑐𝑒 começa a diminuir. O pico de corren-
te 𝐼𝑐 se deve a corrente de recuperação reversa do diodo.
Entrada em bloqueio: Com a anulação ou inversão de 𝑉𝑏 , a corrente de base, 𝐼𝐵 , também se in-
verte/anula, dando inicio ao bloqueio do TBJ (recombinação dos portadores, isto é, remoção das cargas
espaciais da base e do coletor), durante o intervalo 𝑡𝑠𝑣 . Após a remoção das cargas, a tensão 𝑉𝐶𝐸 começa
a crescer. Quando 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝑐𝑐 , então 𝐷𝑓 torna-se diretamente polarizado e entra em condução, passando a
assumir gradativamente a corrente da carga, fazendo com que 𝐼𝑐 diminua.
13 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

Fig. 1.13. Formas de onda para a comutação do TBJ com carga indutiva [1].

No caso de saturação profunda, para que o dispositivo inicie o bloqueio, é necessário remover a carga
especial representada por pela área A1 + A2. No caso de quase-saturação, basta eliminar a carga corres-
pondente a A1;
• 𝑡𝑑 : tempo necessário para o descarregamento da capacitância da junção BE (este tempo pode ser
reduzido se 𝑖𝑏 apresentar grande di/dt (inicia a formação da distribuição espacial de cargas).
• 𝑡𝑟𝑖 : tempo de crescimento da corrente do coletor. Este tempo está relacionado à velocidade de
aumento de carga estocada, sendo dependente da corrente de base.
• 𝑡𝑠𝑣 : Intervalo de tempo necessário para remover as cargas espaciais estocadas no coletor e na ba-
se. Só depois disto a tensão 𝑉𝐶𝐸 começa a crescer
• 𝑡𝑓𝑖 : Tempo de queda de 𝐼𝑐 . Corresponde ao processo de bloqueio do TBJ, sendo o tempo neces-
sário para que o transistor saia da saturação, passe pela região ativa, até atingir a região de corte.
Para um desligamento mais rápido deve-se evitar operar na região de saturação profunda, isto é,
deve-se operar na região de quase saturação, que, apesar de apresentar 𝑉𝑐𝑒𝑆𝑎𝑡 ligeiramente maior
que a tensão obtida quando em saturação profunda, permite uma recombinação mais rápida dos
portadores, pois a quantidade de carga a ser removida é menor.
14 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.3.4 Área de Operação Segura

O TBJ, assim como outras chaves semicondutoras como IGBTs e MOSFETs, deve operar dentro
de seus limites construtivos, de forma a respeitar a AOS (Área de Operação Segura), conforme figura a
seguir:

Fig. 1.14. Aspecto típico da OAS de um TBJ [1].

Sendo que:
• A representa a máxima corrente que o dispositivo pode suportar;
• B a máxima potência, pois nesta região tanto Vce quanto Ic são significativos.
• C representa o limite de segunda ruptura.
• D representa a máxima tensão que pode ser aplicada sobre o dispositivo (tensão de ruptura)

1.3.5 Circuito típico de acionamento do TBJ

• Comando da corrente de base (não-isolado);

• Uma fonte negativa é usada para remover a carga espacial e acelerar a entrada em bloqueio;
• Para ligar o TBJ (entrada em condução):
o T1 conduz, forçando a condução de T2 que conecta +Vc à R2. D1 fica diretamente pola-
rizado;
o 𝐼𝐵 positiva é aplicada em TP através T2, R2, D1;
o D1 polariza reversamente T3
15 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

• Para desligar o TBJ (entrada em bloqueio):

o T1 bloqueia, o que leva ao bloqueio de T2 que desconecta +Vc de R2. D1 é polarizado
reversamente (não conduz);
o T3 é polarizado diretamente por –Vc e R3;
o IB negativa circula pela base de TP através de T3 e R4;

Fig. 1.15. Circuito de acionamento de um TBJ usando correntes positivas e negativas na base [2].

1.4 MOSFET – METAL-OXIDE FIELD EFECT TRANSISTOR

Característica Ideal
A aplicação de 𝑉𝐺𝑆 adequado coloca o componente em condução, conduzindo corrente 𝐼𝐷 positiva
através dos terminais de gate e source. O MOSFET se comporta como um curto-circuito.
Com a remoção de 𝑉𝐺𝑆 o componente deixa de conduzir e entra em corte. O MOSFET se compor-
ta como um circuito aberto.

Fig. 1.16. Característica estática de um MOSFET ideal.

16 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

Característica Real
• Na prática o dispositivo entra em condução com uma tensão VGS acima da tensão limite 𝑽𝑻 ;
• Apresenta uma resistência de condução entre dreno e source (𝑹𝑫𝑺𝒐𝒏 );
• Região Hômica: Região de interesse para atuação como chave;
• Região de corte: 𝑽𝑮𝑺 < 𝑽𝑻 . Transistor bloqueado;

Fig. 1.17. Característica estática real do MOSFET.

Como principais características gerais dos MOSFETs, pode-se citar:

• É um dispositivo controlado por tensão, com elevada impedância de entrada. Facilidade de acio-
namento;
• Usados em aplicações que requerem alta frequência de chaveamento (de dezenas a centenas de
kHz). Para ligar o MOSFET basta carregar a capacitância de entrada;
• Geralmente usados em aplicações em que 𝑽𝑫𝑺 < 𝟓𝟎𝟎 𝑽;

• Em aplicações onde a capacidade de bloqueio deve ser elevada (𝑽𝑫𝑺 ≈ 𝟏𝟎𝟎𝟎 𝑽) a potência pro-
cessada deve ser baixa (≈ 𝟏𝟎𝟎 𝑾);
• Podem ser facilmente colocados em paralelo, pois MOSFETs apresentam coeficiente de tempera-
tura positivo, isto é, a resistência interna (𝑹𝑫𝑺𝒐𝒏 ) aumenta com o aumento da temperatura, reali-
zando automaticamente o compartilhamento de corrente entre os dispositivos colocados em para-
lelo.
17 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.4.1 Características Construtivas

O terminal de gate (G) é isolado do substrato P por um dielétrico. Assim, quando aplicada uma
tensão positiva ao gate (𝑽𝑮𝑺 > 𝑽𝑻𝑯 ), devido ao efeito capacitivo, são atraídos elétrons (cargas minoritá-
rias do substrato P) formando um canal N dentro do substrato P, o qual conecta os terminas de dreno (D)
e source (S), fornecendo um caminho de baixa impedância para circulação da corrente. Na região hômi-
ca (condução plena) a resistência interna do MOSFET é constante, sendo responsável pelas perdas de
condução (𝑹𝑫𝑺𝒐𝒏 ).

Fig. 1.18. Esquema construtivo do MOSFET canal N [1].

Diodo Intrínseco (parasita)

Entre os terminais de dreno e source existe apenas uma junção entre um material P no source e um
material N no dreno, caracterizando um diodo parasita em anti-paralelo com MOSFET. A figura abaixo
mostra a característica estática do MOSFET quando se leva com consideração o diodo parasita.

Fig. 1.18. Característica ideal do MOSFET quando considerado o diodo parasita [3].
18 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

Uma tensão negativa no dreno polariza diretamente este diodo intrínseco, que tem capacidade de
conduzir a corrente nominal do MOSFET (𝑰𝑫 ). Entretanto, o tempo de recuperação reversa (𝒕𝒓𝒓 ) deste
diodo normalmente é alto. Desta forma, o pico elevado de corrente que flui durante o período de recupe-
ração reversa deste diodo pode causar danos ao componente.

1.4.2 Características de Chaveamento

𝐶𝐺𝐷 : Capacitância entre Gate de Dreno. Exibe comporta-

mento não linear, aumenta com o inverso da tensão 𝑉𝐷𝑆 . Se
𝑉𝐷𝑆 diminui, 𝐶𝐺𝐷 aumenta;
𝐶𝐺𝑆 : Capacitância entre gate e source; Quando esta capaci-
tância se carrega, o MOSFET entra em condução;
𝐶𝐷𝑆 : Capacitância entre dreno e source (pode ser despreza-
da);
Fig. 1.19. Capacitância intrínsecas do MOSFET.
A comutação do MOSFET pode ser
Comutação Simplificada do MOSFET analisada de forma simplificada consi-
derando uma capacitância equivalente
de entrada Ciss . A capacitância entre os
terminais de gate e source é a capaci-
tância mais significativa e domina o
comportamento de Ciss .
Ciss = Cgd + Cgs
𝐶0𝑠𝑠 = 𝐶𝑔𝑑 + 𝐶𝑑𝑠
𝐶𝑟𝑠 = 𝐶𝑔𝑑

Fig. 1.20. Formas de onda simplificadas para comutação do MOS- Fig. 1.21. Circuito equivalente de chaveamento
FET do MOSFET considerando apenas 𝐶𝑖𝑠𝑠 .
19 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.4.2.1 Entrada em condução – Fenômeno Completo

Fig. 1.22. Formas de onda da entrada em condução do MOSFET.

Os principais tempos envolvidos na comutação são:
• 𝑡𝑑𝑜𝑛 → Tempo necessário para carregar 𝐶𝐺𝑆 até atingir a tensão de limiar (𝑉𝑇𝐻 ), iniciando a con-
dução;
• 𝑡𝑟𝑖 → Tempo necessário para que 𝑉𝐺𝑆 cresça até 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 𝐼𝑜 , isto é, para que a tensão de gate se-
ja igual à tensão que permita a passagem da corrente da carga. Quando 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 𝐼𝑜 toda a cor-
rente da carga flui pelo transistor e o diodo (roda livre) desliga;
• 𝑡𝑓𝑣1 → Durante este intervalo a capacitância 𝐶𝐺𝐷 , que estava previamente carregada, se descarre-
𝑉𝐺𝐺 −𝑉𝐺𝑆𝐼𝑜
ga pela circulação da corrente do gate 𝑖𝑔 (𝑖𝑔 = 𝑖𝐶𝑔𝑑 = ). Logo, se a capacitância 𝐶𝐺𝐷 se
𝑅𝐺

descarrega, a tensão 𝑉𝐷𝐺 diminui, levando a um decréscimo na tensão 𝑉𝐷𝑆 . A tensão 𝑉𝐷𝐺 diminui
na mesma proporção de 𝑉𝐷𝑆 , mantendo constante a tensão entre gate e source (𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 𝐼𝑜 );
• 𝑡𝑓𝑣2 → Durante este intervalo 𝑉𝐷𝑆 diminui, levando a um aumento em 𝐶𝐺𝐷 , fazendo com que a
inclinação da tensão 𝑉𝐷𝑆 diminua;
Ao final de 𝑡𝑓𝑣2 a tensão 𝑉𝐷𝑆 atinge seu valor de condução (𝑉𝐷𝑆 = 𝑅𝐷𝑆 𝑜𝑛 ⋅ 𝐼𝑜 ), entrando na região
hômica do MOSFET. Como 𝐶𝐺𝐷 está descarregada, a tensão 𝑉𝐺𝑆 volta a aumentar, pois a corrente de
gate volta a carregar 𝐶𝐺𝑆 e 𝐶𝐺𝐷 começa ser carregada no sentido contrário. A corrente 𝑖𝐺𝑆 diminui até se
anular quando quando 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝐺 . Durante 𝑡𝑓𝑣1 e 𝑡𝑓𝑣2 , a corrente 𝑖𝐺 é constante, pois o MOSFET está na
região ativa e como a corrente de dreno é constante, a tensão 𝑉𝐺𝑆 deve se manter fixa. A dinâmica da
entrada em bloqueio é similar à dinâmica de entrada em condução, apenas em ordem inversa.
20 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.4.3 Circuito de Acionamento do MOSFET

O acionamento do MOSFET pelo circuito abaixo: Pulso de acionamento positivo:

• T2 levado à condução;
• Aplica tensão VGS positiva através de Rg;

Pulso de acionamento nulo:

• Capacitância Ciss polariza T3
• Aplica VGS nula e Ciss se descarrega sobre 𝑅𝑔
através de T3 que está em condução;
Fig. 1.23. Circuito típico para acionamento de MOSFET.

1.4.4 Comparativo entre MOSFETs

Os principais parâmetros que caracterizam um MOSFET usado em eletrônica de potência são

apresentados abaixo. Estes dados foram extraídos dos datasheets dos dispositivos.

Parâmetros de alguns MOSFETs usados em eletrônica de potência

Onde:
• 𝑅𝐷𝑆𝑜𝑛 → Resistência de condução;
• 𝑉𝐵𝑅𝐷𝑆 → Máxima tensão suportável entre dreno e source;
• 𝐼𝐷𝑀 → Máxima corrente pelo MOSFET (corrente de dreno)
• 𝐼𝑆𝑀 → Máxima corrente que pode ser conduzida pelo diodo intrínseco (parasita);
21 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.4.5 Perdas de Condução

As perdas durante a condução do MOSFET são função da resistência de condução:

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑅𝐷𝑆𝑜𝑛 (𝐼𝐷𝑟𝑚𝑠 )2
• 𝑅𝐷𝑆𝑜𝑛 → Resistência de condução;
• 𝐼𝐷𝑟𝑚𝑠 → Valor RMS da corrente do MOSFET;

1.5 IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

O IGBT possui algumas vantagens e desvantagens da combinação MOSFET e TJB.

• Possui elevada impedância de entrada, como o MOSFET;
• Potências mais elevadas disponíveis no mercado;
• Admite tensão negativa, como o GTO;
• Frequência de chaveamento menor do que o MOSFET;
• Podem ter coeficiente de temperatura positivo ou negativo;
• IGBTs com coeficiente positivo de temperatura facilitam o paralelismo.

Fig. 1.24. Representação de um IGBT, característica estática e característica estática ideal.

22 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

IGBTs combinam algumas das vantagens de BJTs e MOSFETS, apresentando alta impedância de
entrada (como os MOSFETS) e baixas perdas de condução (como BJTs). Construtivamente o IGBT é
muito parecido com o MOSFET, diferindo apenas no substrato dopado P+ que é colocado junto com
contato de coletor/dreno. O controle do componente, assim como nos MOSFETS, é realizado por meio
do controle da tensão de Gate.
O IGBT não suporta elevadas tensões reversas, isto se deve a junção J1 que divide duas regiões
muito dopadas. Porém, existem modelos de IGBTs sem o substrato N+ junto do substrato P+, permitin-
do o bloqueio de tensão reversa.

Fig. 1.25. Esquema construtivo do IGBT canal N [1].

A Operação dinâmica do IGBT é muito similar à dinâmica do MOSFET. A principal diferença é

que, na saída de condução, existe uma porção de corrente denominada corrente de cauda que é causada
pelo excesso de portadores, similar ao que ocorre com o TBJ.

1.5.1 Circuito de Acionamento do IGBT

O acionamento do IGBT é realizado de forma muito similar ao MOSFET, uma vez que ambos
semicondutores apresentam características de entrada semelhantes.

1.5.2 Perdas de Condução

A perda durante a condução do IGBT é similar à perda durante a condução do TBJ.

23 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.5.3 Comparativo entre IGBTs

Parâmetros de alguns IGBTs usados em eletrônica de potência

1.6 COMPARATIVO ENTRE AS CHAVES E TIRISTORES

A seguir são comentados aspectos da utilização de cada componente, como os parâmetros máxi-
mos de tensão, corrente e frequência de operação.
Triac → Controlar a tensão eficaz na carga, pois conduz nos dois
semiciclos da rede (1200V/300A/400Hz).

Tiristor → Controlar as tensões média e eficaz na carga. Trabalha na

freqüência da rede. Possui elevadas potências disponíveis no mercado
(5000V/5000A/1KHz).

TBJ → Elevadas potências disponíveis no mercado, entretanto

inferior à dos tiristores. Baixa perda na condução. Frequências de chavea-
mento média, poucas dezenas de kHz (1200V/400A/10KHz).

MOSFET → Baixas potências disponíveis no mercado. Elevadas perdas de condu-

ção. Elevada frequência de chaveamento chegando a centenas de KHz
(500V/10A/500KHz).
24 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

IGBT → Médias potências encontradas. Baixas perdas de condução.

Sua faixa de frequências de chaveamento está entre poucas unidades de
kHZ até 50 kHz (3500V/2000A/50KHz).

A figura abaixo mostra uma distribuição dos componentes semicondutores, indicando limites
(1994) para valores de tensão de bloqueio, corrente de condução e freqüência de comutação.
Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnológico e servem como uma ilus-
tração para a verificação, numa primeira aproximação, das faixas de potência em que cada componente
pode ser utilizado.

Fig. 1.25. Limites de operação de componentes semicondutores de potência.

25 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

Quadro comparativo entre as principais chaves semicondutoras controladas

1.6.1 Circuito Amaciadores (de ajuda à comutação) - "snubber"

Circuitos amaciadores garantem a operação dos transistores (seja TBJ, MOSFET ou IGBT) dentro
da AOS. São usados principalmente para auxiliar o desligamento do transistor.
O objetivo é atrasar o crescimento de 𝑣𝑐𝑒 , para diminuir a potência dissipada no transistor durante
a entrada em bloqueio. É importante ressaltar que amaciadores não tem objetivo de fazer comuta-
ções não dissipativa, apenas evitam que a potência da comutação seja dissipada sobre o transistor,
transferindo-a para o circuito amaciador.
Quando 𝑣𝑐𝑒 começa a crescer, o capacitor 𝐶𝑠 começa a se carregar (via 𝐷𝑠 ), desviando parte da
corrente, diminuindo 𝐼𝑐 . Quando o transistor for ligado novamente, o capacitor se descarregará sobre
ele, com a corrente de descarga limitada por 𝑅𝑠 . A energia acumulada (no campo elétrico de 𝐶𝑠 ) será
dissipada sobre 𝑅𝑠 .
26 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

Fig. 1.26. Circuito para teste do snubber.

Fig. 1.27. Formas de onda da entrada em bloqueio de um TBJ sem snubber (esquerda) e com snubber (direita).

1.6.2 Cálculo do Circuito Amaciador

• 𝐼𝑐 → Corrente circulando pelo transistor no momento anterior ao desligamento;

• 𝐼𝑑𝑃𝑖𝑐𝑜 → Máxima corrente repetitiva de pico suportada pelo componente (datasheet);
• 𝛿𝑚𝑖𝑛 → Mínimo ciclo de trabalho (largura de pulso) especificado para o conversor, tipicamente
alguns % para fontes de tensão ajustável;
• 𝐹𝑠 → Frequência de chaveamento do componente;
• 𝑡𝑟 → Tempo de crescimento da tensão 𝑉𝑐𝑒 ;
27 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

𝐼𝑐 ⋅ 𝑡𝑟
𝐶𝑠 =
𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑐𝑐 𝛿𝑚𝑖𝑛
≤ 𝑅𝑠 ≤
𝐼𝑑𝑃𝑖𝑐𝑜 3𝐹𝑠 𝐶𝑠
𝐶𝑠 𝑉𝑐𝑐2
𝑃𝑅𝑠 = 𝐹
2 𝑠
O valor de 𝑅𝑠 deve ser tal que permita a total descarga do capacitor 𝐶𝑠 durante o mínimo tempo
(𝛿𝑚𝑖𝑛 𝑇) em que o transistor estiver ligado. Entretanto, deve ser utilizado o maior valor possível para 𝑅𝑠 ,
para diminuir a corrente pelo transistor quando este entrar novamente em condução, isto é, diminuir as
perdas no transistor.

1.7 REFERÊNCIAS

[1] POMILIO, José Antenor. Notas de Aula da Disciplina de Eletrônica de Potência. Disponível em:
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/ee833.html

[2] BARBI, Ivo; MARTINS, Denizar Cruz.; Eletrônica de potência: conversores CC-CC básicos não
isolados. 3. ed. rev. Florianópolis Ed. do Autor, 2008. 380p. ISBN 8590520323.

[3] GONÇALVES, Flávio A. S; CANESIN, Carlos A.; WWW Course in Power Electronics, Disponível
em: http://200.145.241.31/dee/gradua/elepot/ajuda/applets.html
28 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

1.8 EXERCÍCIOS

1) Determinar, em função de 𝑉 e 𝐼, a
potência dissipada na entrada em con-
dução (𝑃𝑜𝑛 ) e na entrada em bloqueio
(𝑃𝑜𝑓𝑓 ) do transistor cujas formas de
onda de tensão e corrente são mostra-
das ao lado.

2) Calcule as perdas em condução de um IGBT e 50A

de um MOSFET quando ambos conduzem a cor-
rente apresentada abaixo na frequência de 50 kHz.
O transistor permanece ligado por 30% do período.
Qual semicondutor escolher sabendo que:
IGBT: Vcesat = 1,2V 0A

MOSFET: Rdson = 0,2Ω

Ts=1/Fs
29 Notas de Aula: Eletrônica de Potência – 2021/2 Prof. Jakson P. Bonaldo

3) Considere as formas de onda mostradas abaixo, relativas a um transistor, desenhe a potência instantâ-
nea e determine a potência média dissipada por este componente.

4) Calcular a carga de recuperação reversa (𝑄𝑟𝑟 ) de um diodo cuja e corrente de pico reversa é de 20A e
o tempo de recuperação reversa é 𝑡𝑟𝑟 = 20𝑢𝑠.

5) Para um diodo, cujo circuito e formas de onda são mostradas abaixo, com os seguintes parâmetros
𝐸 = 100 𝑉, 𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 = 300 𝑉, 𝑡𝑟𝑖 = 1 𝑢𝑠, 𝑡𝑟 = 500 𝑛𝑠, 𝐼𝑟𝑟𝑝𝑖𝑐𝑜 = 𝐼𝑅𝑀 = 20 𝐴 e frequência de comutação
de Fs=10 kHz, calcular:
a) A carga de recuperação reversa (𝑄𝑟𝑟 );
b) A potência dissipada no desligamento;
c) A indutância parasita (Ls) do circuito;