Equation Chapter 1 Section 1

RAFAEL RODRIGUES DA PAZ

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 1

Sorocaba/SP
2014

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MATERIAIS SEMICONDUTORES

Materiais:

Isolante: Material que oferece um nível muito baixo de condutividade quando

submetido a uma fonte de tensão.

Condutor: Material que sustenta uma grande fluxo de carga ao se aplicar

através de seus terminais uma fonte de tensão de amplitude limitada
(condutividade elevada).

Figura 1 - Tipos de materiais quanto a condutividade

Resistividade (ρ)
•Condutor: ρ = 1.10-6 Ω-cm (cobre)
•Isolante: ρ = 1.10+12 Ω-cm (mica)
•Semicondutor: ρ = 50 Ω-cm (Germânio), ρ = 50x10+3 Ω-cm (Silício)

l
R  . (1.1)
A

•Materiais Semicondutores
–Evolução da Fabricação de Materiais Semicondutores;
•Alto grau de pureza (1: 10 bilhões);
•Inserção de impurezas (1:1 milhão) em uma wafer de silício:
–Transformar condutor ruim em ótimo;
–Dopagem: processo de fabricação que altera as características do material,
por meio da modificação da pureza pela inserção de outros componentes
“impurezas”);
•Boro ou Alumínio : 3 átomos na camada de valência;
•Fósforo: 5 átomos na camada de valência;
–Germânio e Silício
•Materiais com estruturas cristalinas singulares;
•Átomos tetravalentes : possuem 4 elétrons na camada de valência;
•Dopagem = Materiais do tipo P e do tipo N;

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 Figura 2 - Ligações: Material do tipo P e Material do tipo N

Ligações covalentes incompletas ou com excesso de elétrons;

• O material permanece eletricamente neutro?
– a quantidade total de elétrons e prótons é a mesma!

• Material do tipo N: portadores majoritários são os elétrons e minoritários as

lacunas;

• Material do tipo P: portadores majoritários são as lacunas e minoritários os

elétrons;

INTRODUÇÃO

Conversores Estáticos: Controle do fluxo de energia entre dois ou mais

sistemas elétricos com características distintas.

Área de Estudo: Eletrônica de Potência

Sub-áreas:
Eletrônica de Potência Básica = Comutação Natural, tensões <= 2kV, correntes
<= 1kA e frequências <= 1 kHz.
Elevadas correntes = Aplicações com correntes > 1kA.
Elevadas tensões = Aplicações com tensões > 2 kV.
Elevadas Frequências = Aplicações com frequências > 1 kHz.
Elevadas Potências = Aplicações com tensões > 2 kV e correntes > 1 kA.
Comutação forçada = Inversores de tensão autônomos à SCR.
Técnicas Especiais de Controle e Filtragem.

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 Figura 3 - Principais aplicações

Fontes de alimentação, Controle de máquinas elétricas, Aquecimento indutivo,

Alimentação de segurança e emergência, Transmissão em corrente contínua,
Interligação de sistemas com frequências diferentes, Carregadores de baterias,
Retificadores em geral, etc...

PRINCÍPIO BÁSICO DA CONVERSÃO ESTÁTICA

Ação dos dispositivos de processamento de energia => INTERRUPTORES

Figura 3 - Interruptor ideal

INTERRUPTOR IDEAL (S)

• Tempos de comutação nulos (entrada em condução e bloqueio
instantâneo);
• Resistência nula em condução;
• Resistência infinita quando bloqueado.

EVOLUÇÃO DOS DISPOSITIVOS INTERRUPTORES

Relés => Contatores => Reatores com núcleos saturáveis => Retificadores
à arco => Válvulas Tiraton => SCR (anos 60 pela General Electric e Bell
Telephone Laboratory), etc...

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Conversão Estática: Revolução no processamento de energia elétrica,
possibilitando:
Redução de peso, volume e custos;
Redução das perdas e aumento da densidade de potência;
Operação com frequências maiores;
Aumento do rendimento.

CARACTERÍSTICAS DE ATUAÇÃO PARA OS INTERRUPTORES

Processamento Estático de Energia: Requer em diversas aplicações,

ações diferentes de controle para os dispositivos interruptores.

Operações Básicas Desejadas

Figura 4 - Operação em 1 quadrante

Figura 5 - Operação em dois quadrantes com tensão bidirecional

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 Figura 6 - Operação em dois quadrantes com corrente bidirecional

Figura 7 - Operação em quatro quadrantes

Figura 8 - Interruptor para Operação em Quatro Quadrantes Implementação

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Figura 9 - Evolução temporal dos principais dispositivos semicondutores

Figura 10 - Aumento da potência

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 Figura 11 - Potência x frequência

Figura 12 - Área de Atuação (Potência x Frequência) - 2007

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Observa-se que as dificuldades do processamento estático de energia
aumentam com a potência processada e frequência de operação dos
interruptores.

CARACTERÍSTICAS GERAIS DOS PRINCIPAIS DISPOSITIVOS

INTERRUPTORES

Principais interruptores em Eletrônica de Potência

Análise das características básicas de funcionamento, para os seguintes

interruptores:

Diodos de Potência (Diodo);

Transistores Bipolares de Potência (BPT);
MOSFETs de Potência (MOSFET);
Transistores tipo IGBT (IGBT);
Tiristores (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC e GTO).

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O DIODO DE POTÊNCIA

Figura 1 - Símbolo

Figura 2 - Característica Volt-Ampère

Figura 3 - Polarização reversa (Bloqueio)

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 Figura 4 - Polarização direta (condução)

Figura 5 - Características Dinâmicas do Diodo de Potência

Onde:
VFP: Máxima tensão direta na entrada em condução
trr: Tempo de recuperação reversa
Qr: Carga armazenada na capacitância de junção

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Tipos de Diodos de Potência

Diodos Convencionais (Standard)

Tempo de recuperação reversa não é especificado. Operação normalmente em
50 ou 60 Hz.

Diodos Rápidos e Ultra-rápidos (Fast/Ultra-fast)

Tempo de recuperação reversa e carga armazenada na capacitância de junção
são especificados. Operação em médias e elevadas frequências.

Diodos tipo Schottky

Praticamente não existe tempo de recuperação (carga armazenada
praticamente nula). Operação com frequências elevadas e baixas tensões
(poucos componentes possuem capacidade de bloqueio superior à 100 V).
Filme metálico em contato direto com o semicondutor.

Tabela 1 - Características de Alguns Diodos de Potência Existentes no

Mercado
Componente Máxima Corrente Tensão em Tempo
Tensão Média Condução Recuperação
Diodos Rápidos
1N3913 400V 30A 1,1V 400ns
SD453N25S20PC 2500V 400A 2,2V 2µs
Diodos Ultra-rápidos
MUR815 150V 8A 0,975V 35 ns
MUR1560 600V 15A 1,2V 60ns
RHRU100120 1200V 100A 2,6V 60ns
Diodos Schottky
MBR6030L 30V 60A 0,48V
444CNQ045 45V 440A 0,69V
30CPQ150 150V 30A 1,19V

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TIRISTORES (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC, GTO)

Definição IEC: Tiristor é qualquer dispositivo semicondutor biestável, contendo

três ou mais junções (P-N), com capacidade de conduzir ou bloquear uma
corrente num ou nos dois sentidos.

O diodo PNPN (Diodo Schokley)

Figura 1 - Símbolo do diodo Schokley

Figura 2 - Circuito equivalente do diodo Schokley

Figura 3 - Construção básica do diodo Schokley

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•Vak for negativa:, J1 e J3 estão reversamente polarizadas, e J2 diretamente
polarizada. J3 é intermediária a regiões de alta dopagem, não suporta altas
tensões, cabendo a J1 manter o estado de bloqueio;

Utilização em Baixa Potência:

Em condução (Resistência tipicamente =< 10 Ω)
Bloqueado (Resistência tipicamente => 100 MΩ)

O diodo PNPN

VAC >= VBO = Entra em condução. Passa pela região de resistência negativa
e opera em regime na região de saturação (VAC =~ 1V)
Em condução e com I < IH = Bloqueio.
IH e VH: Corrente e tensão de manutenção em condução.
VBO : ordem de alguns volts até centenas de volts.
IBO : ordem de centenas de µA.
Dispositivo para operação em baixas potências.

Figura 4 - Característica Volt-Ampère

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 I co
I (1.2)
1  (1   2 )

onde:
α1=ganho de T1
α2=ganho de T2
Ico=corrente de saturação reversa

(α1+ α2)=1 (condução)

(α1+ α2)<1 (bloqueio)

O SCR
O SCR foi desenvolvido em 1965 pelo Bell Telephone Laboratory (EUA).

• É ainda hoje um dos principais dispositivos interruptores para elevadas

tensões e potências (operação em baixas frequências, tipicamente menores
que 2 kHz).

A DIFERENÇA em relação ao Diodo Schokley é a presença do terminal de

GATE, com a finalidade de modificar a tensão de entrada em condução (V BO).

Figura 5 - Símbolo do SCR

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 Figura 6 - Circuito equivalente SCR

Figura 7 - Construção básica do SCR

Figura 8 - Funcionamento do SCR quanto as suas camadas

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 Figura 9 - Funcionamento básico do SCR

Quando uma corrente Ig positiva é aplicada, Ic2 e Ik crescerão.

•Como Ic2 = Ib1, T1 conduzirá e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentará Ic2 e
assim o dispositivo evoluirá até a saturação, mesmo que Ig seja retirada.

•O componente se manterá em condução desde que, após o processo

dinâmico de entrada em condução, a corrente de anodo tenha atingido um
valor superior ao limite IL, chamado de corrente de manutenção
("latching“).

•Para que o tiristor deixe de conduzir é necessário que a corrente por ele esteja
abaixo do valor mínimo de manutenção (IH), permitindo que se restabeleça a
barreira de potencial em J2. (Não basta: aplicação de uma tensão negativa
entre anodo e cátodo)

Figura 10 - Estrutura interna do SCR

•Máxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o

início do processo de condução de corrente pelo tiristor ocorre no centro da
pastilha de silício, ao redor da região onde foi construída a porta, espalhando-

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se radialmente até ocupar toda a superfície do catodo, à medida que cresce a
corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a
expansão necessária na superfície condutora, haverá um excesso de
dissipação de potência na área de condução, danificando a estrutura
semicondutora. Este limite é ampliado para tiristores de tecnologia mais
avançada fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior área de
contato, por exemplo, 'interdigitando" o gate.

Figura 11 - Característica Volt-ampère do SCR

Com o aumento da corrente de gate, diminui a tensão direta de entrada em

condução (VBO).

• Em condução a característica é similar ao diodo PN.

• Não existe capacidade de bloqueio pelo terminal de gate após a entrada

em condução.

Dispositivo com características em condução de portadores minoritários.

• Características de reduzidas resistências e tensões em condução, permitindo

a aplicação em elevadas tensões e potências (5000 - 6000 V e 1000 - 2000 A) -
1998.

Bloqueio através da redução da corrente à valores inferiores à IH (corrente de

manutenção), uma vez que, mesmo com a inversão da corrente de gate, não é
possível bloquear o SCR. Acionamento: Tensão VAK>VB0, VAK>0+Ação de

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corrente no gate, Taxa de Crescimento da Tensão Direta (dv/dt), Temperatura
e Energia Radiante;

d (C j V
. ak ) dVak dC
Ij  C j . Vak . j (1.3)
dt dt dt

Características Dinâmicas para o SCR

Figura 12 - Entrada em Condução

td : Tempo de retardo
• tf : Tempo de descida de VAC
• ton : Tempo de entrada em condução
td é a maior parcela e depende da amplitude e velocidade de crescimento
de iG.
— tf independe de iG.
— ton (tipicamente entre 1µs - 5µs)

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 Figura 13 - Entrada em bloqueio do SCR

• tq : Tempo mínimo de aplicação de tensão reversa durante o processo de

bloqueio. — tipicamente: (10µs <tq < 200µs).

Figura 14 - Característica do comando do SCR

Portanto, o SCR é um dispositivo para operação em baixas frequências.

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 O TRIODO CA (TRIAC)

O TRIAC permite o controle de corrente nas duas direções.

Figura 1 - Simbologia do triac e estrutura interna

Equivalente à dois SCRs conectados em anti-paralelo.

Figura 2 - Circuito equivalente do triac e estrutura interna

Operação em dois quadrantes, com corrente de gate positiva ou negativa.

Ig VTP2 - TP1 VG - TP1 Quadrante Sensibilidade

+ + + 1° >>
- + - 1° <
+ - + 3° <<
- - - 3° >

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Embora seja bidirecional, sua sensibilidade é maior operando no 1° quadrante
com Ig > 0 e tensões positivas ( G - TP1 eTP2 - TP1).

Figura 3 - Característica Volt-Ampère do triac

• Operação em baixas potências — Tipicamente para correntes eficazes

inferiores à 40 A.
• Operação em baixas frequências — Tipicamente inferiores à 400 Hz.

O DIODO CA (DIAC)

Permite corrente nos dois sentidos.

• Não há designação de terminais devido simetria (na prática ocorre pequena
assimetria).
• Aplicações em baixa potência.

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 Figura 1 - Simbologia do diac e estrutura interna

• V >= VD ocorre Condução — I > 0 (1° Quadrante)

• V <= -VD ocorre Condução — I < 0 (3° Quadrante)

• Bloqueio:
I < IH (1° Quadrante)
I > - IH (3° Quadrante)

Figura 2 - Característica Volt-Ampère do diac

• IH: corrente de manutenção em condução.

• VD: Tensão de disparo (entrada em condução)

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