Você está na página 1de 9

[MSG1] Comentrio: Centro Universo de Educao e Desenvolvimento

Trabalho Eletrnica de potencia

Aluno: Marcio de Souza Gonalves Curso: Tcnico em Automao e Controle Industrial Professor: Henrique 2/5/09

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia

NDICE

1 INTRODUO------------------------------------------------------------------------------03 2 DIODO----------------------------------------------------------------------------------------03 2.1 POLARIZAO DO DIODO-----------------------------------------------------------------03 2.2 POLARIZAO DIRETA ---------------------------------------------------------------------03 2.3 POLARIZAO REVERSA (INVERSA)---------------------------------------------------04 3 - CURVAS CARACTERSTICA DO DIODO-------------------------------------------04 3.1 POLARIZAO DIRETA----------------------------------------------------------------------04 3.2 POLARIZAO REVERSA--------------------------------------------------------------------04 3.3 TENSO DE CONDUO DO DIODO--------------------------------------------------04 3.4 RESISTNCIA INTERNA DO DIODO (RI)-----------------------------------------------04 4 - RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA-------------------05 4.1 - RETIFICADOR DE MEIA ONDA----------------------------------------------------------05 4.2 - RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA-------------------------------------------------05 4.3 - RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE-------------------------------05 5 TIRISTOR------------------------------------------------------------------------------------05 5.1 FUNCIONAMENTO-----------------------------------------------------------------------------06 5.2 DISPAROS DOS TIRISTORES----------------------------------------------------------------06 5.3 SCR----------------------------------------------------------------------------------------------------07 5.4 DIAC--------------------------------------------------------------------------------------------------08 5.5 TRIAC------------------------------------------------------------------------------------------------09 5.6 GTO--------------------------------------------------------------------------------------------------09 6 - REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS---------------------------------------------------09

Marcio de Souza Gonalves

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia

1 - INTRODUO
Este estudo foi elaborado para que compreenda melhor os fenmenos eltricos e suas aplicaes na vida prtica. Quando ligamos televiso, o rdio ou o computador estar utilizando a eletricidade. Seria muito difcil imaginar o mundo de hoje sem esse fenmeno. Aqui esto contidas informaes sobre diodo, tiristor, diac, triac, retificadores de meia onda e de onda completa. Para uma boa compreenso e desenvolvimento, deveremos estar familiarizados com esses assuntos.

2 - DIODO
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

Devido repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas as direes, alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on negativo) Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ons esto fixo na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ons aumenta a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta regio de camada de depleo. Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25 esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.

2.1 - POLARIZAO DO DIODO


Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em contato com o material tipo n.

2.2 - POLARIZAO DIRETA


No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrados para a juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V).

Marcio de Souza Gonalves

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia

2.3 - POLARIZAO REVERSA


Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inversamente. No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de uma camada para outra. O diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente pequena, (chamada de corrente de fuga). Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura apartir da qual a corrente aumenta sensivelmente.

3 - CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO


A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

3.1 - POLARIZAO DIRETA


Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um componente linear. Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades.

3.2 - POLARIZAO REVERSA DO DIODO


o diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente pequena, (chamada de corrente de fuga). Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente.

3.3 - TENSO DE CONDUO DO DIODO


Na verdade, o ponto de conduo exato do diodo (a tenso na qual ele comea a conduzir) varia de diodo para diodo. Um diodo pode comear a conduzir a partir de 0,6V ou 0,65V, ou em algum outro valor em torno de 0,7V. A folha de dados do 1N4001 informa tambm que se ele estiver polarizado diretamente e estiver sendo percorrido por uma corrente de 1,0A, a tenso em seus terminais pode ter qualquer valor entre 0,93V e 1,1V se a temperatura ambiente for de 25C. 3.4 - RESISTNCIA INTERNA DO DIODO(RI) Na maioria dos casos, considera-se o diodo em conduo como uma chave fechada, mas o diodo no se comporta exatamente como um curto, ele possui uma pequena resistncia interna. Esta resistncia interna pode ser calculada dividindo a tenso no diodo pela corrente que passa por ele. Como normalmente esta resistncia interna muito baixa, ela quase sempre desprezada. Podemos calcular a resistncia interna do diodo, como mostrado a seguir. RI = 0,7 2,3mA = 304,34

Marcio de Souza Gonalves

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia

4 - RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA 4.1 RETIFICADOR DE MEIA ONDA


O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (USECUNDRIO) CA numa tenso pulsante positiva UR. A sada do secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e pela lei das malhas toda a tenso do secundrio incide no resistor R. Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando implica em no ter tenso sob o resistor e toda a tenso do secundrio fica no diodo. Este circuito conhecido como retificador de meio ciclo porque s o semiciclo positivo aproveitado na retificao.

4.2 - RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA


Observando a tomada central no enrolamento secundrio (Figura 1-23). Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a dois retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tenso do secundrio, enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo da tenso do secundrio. As duas tenses denominadas de U2/2 so idnticas em amplitude e fase. Como mostra a Figura 1-23 direita, sem alterao no funcionamento eltrico da rede. Quando U2/2 positiva, D1 est diretamente polarizado e conduz, mas D2 est reversamente polarizado e cortado.

4.3 - RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE


Com o uso de quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso da tomada central do transformador (Figura 1-25). Durante o semiciclo positivo da tenso U2, o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem D1 e D4 ficam reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U2. Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o diodo D1 um potencial negativo no catodo, devido inverso da polaridade de U2. Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizado. UR sempre positiva. Na Figura 1-26 mostrado as formas de ondas sobre o resistor de carga e os diodos, considerando os diodos ideais.

5 - TIRISTORES O tiristor um dispositivo de quatro camadas e membro da famlia dos semicondutores que tem dois estados estveis de operao: um estado apresenta corrente aproximadamente igual a zero, e o outro tem uma corrente elevada; limitada apenas pela resistncia do circuito externo. O tiristor pode ser considerado uma chave unidirecional que substitui, com vantagens, por exemplo, contatores e rels de grande capacidade. Tornou-se vantajoso no controle de grandes potncias, devido a diversos fatores: um

dispositivo leve, pequeno, confivel, de ao rpida; pode ser ligado com correntes muito reduzidas e no apresenta problemas de desgaste mecnico porque no possui partes mveis. Marcio de Souza Gonalves

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia

5.1 - FUNCIONAMENTO

No circuito, a base do transistor NPN alimentada pelo coletor do PNP, e viceversa. No h inicialmente corrente de coletor alimentando o outro transistor, e ambos esto no corte. Mas se aplicarmos um pulso positivo na base do NPN, ou negativo na do PNP, o transistor ser ativado, fornecendo uma corrente amplificada na base do outro, que amplificar esta corrente fornecendo uma corrente ainda maior base do transistor que recebeu o pulso. O processo leva rapidamente os transistores saturao, fornecendo corrente somente limitada pela carga, o resistor. Uma vez disparada, a trava s se desliga quando a corrente for limitada a um valor a um valor mnimo, corrente de manuteno, que no permite manter os transistores na saturao. Isto pode ser conseguido desligando o circuito, ou curtocircuitando os emissores. A trava tambm pode ser disparada por avalanche, aplicando-se uma sobretenso entre os emissores, que inicia a ruptura em um dos transistores, alimentando a base do outro, o que leva saturao como no caso do pulso, anterior.

5.2 DISPAROS DOS TIRISTOR Os tiristores podem ser disparados de diversos modos: atravs de pulso, por ngulo de fase em CA e por CC. O disparo por CC usado em chaveamento de cargas por longos perodos, como lmpadas, calefatores, eletroims e motores, em sistemas de controle tipo ligadesliga e por ciclos. Nestes casos manter a alimentao de gatilho, apesar do consumo de energia desnecessrio e o aquecimento da juno, simplifica o circuito de comando. O disparo por ngulo de fase tpico de controle de luminosidade de lmpadas em CA (dimmer), e de velocidade de motores universais ou de CC. Nestes, a cada ciclo da tenso CA de alimentao, gerada uma tenso defasada por uma ou duas redes de atraso RC, e quando a tenso atingir a tenso necessria ao disparo do SCR ou TRIAC (mais a do DIAC, se estiver em srie), num dado ngulo de fase, o tiristor disparado. O processo se repete a cada ciclo (ou sericcola, em onda completa), e variando o valor do(s) resistor(es), varria-se a poro do ciclo em que alimentada a carga (ngulo de conduo do tiristor), variando a tenso mdia e eficaz, e a potncia na carga.

Marcio de Souza Gonalves

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia

O disparo por pulsos o mais sofisticado e preciso, e o mais empregado. Usa um gerador de pulsos, freqentemente com transistor unijuno, UJT, que outro tiristor, constitudo de uma barra de material N, com uma poro lateral tipo P prxima do centro. A regio P o emissor, E, e os extremos da barra as bases 1 e 2, B1 e B2.

estrutura do UJT

smbolo

5.3 - S.C.R. (Silicon Controled Rectifier)


Ele um diodo controlado por pulso, aplicado no gatilho ( gate ). Sua estrutura PNPN igual da trava ideal, sendo o pulso positivo aplicado no terminal que corresponde base do transistor NPN, o gatilho. O emissor do PNP o anodo e o do NPN, o catodo do diodo. a) Funcionamento Aplicando-se uma tenso E [(+) no anodo (A) e (-) no catodo (K)] veremos que o transistor PNP e o NPN no conduzem porque no circula a corrente i2 e a corrente i1. Aplicando agora um pulso positivo no gate (G) em relao ao catodo, vamos fazer circular a corrente i1 que far o transistor NPN entrar em conduo. Com isso i2 tambm ir circular fazendo com que o transistor PNP conduza. O pulso no gate no mais necessrio, pois o transistor PNP mantm o NPN conduzindo e vice-versa. Como podemos observar, esse estado de conduo permanecer indefinidamente. A nica maneira de desligar o SCR fazer a tenso E (entre anodo e catodo) igual zero. SCR pode ser disparado tambm pela tenso VAK (VAK = E, enquanto o SCR no est conduzindo). Esta tenso chamada tenso de bloqueio, que a tenso mxima que o SCR admite entre anodo e catodo, sem romper a barreira de potencial da juno NP (no centro), e entrar em conduo, quanto maior a corrente Ig, menor ser a tenso de bloqueio e consequentemente, o SCR ir entrar em conduo com um tempo menor. I - VRM - Tenso de pico repetitiva p/ estado desligado. a tenso de pico mxima que pode ser aplicada entre o anodo e o catodo para o SCR desligado. Se for aplicada tenso maior do que esta, pode ocorrer ruptura das junes. (breakdowm). II - TURN-ON - Tempo de atraso (delay - time) - o tempo que SCR demora para reagir ao (gatilho) recebido do gate. - Tempo de subida (rise-time) - o tempo que o SRC gasta para sair do 0,9 (VDM-VT), at atingir 0,1 (VDM-VT). III - Corrente de manuteno ( IH ) o valor mnimo de corrente capaz de manter o SCR no estado de conduo. Para SCRs de 35 A(RMS),por exemplo, a corrente IH est na faixa de 14 a 90 [mA] (ex: 2N6173) IV - Corrente de inicio de conduo (Latching Currente)

Marcio de Souza Gonalves

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia

Existem casos em que cargas indutivas no circuito, faro com que a corrente, pelo SCR, cresa mais lentamente. Na subida, se aplicarmos pulsos no gate, ocorrero pulsos de conduo como mostrado na figura 5. Isso ocorre porque necessrio que a corrente de conduo possa alcanar um valor de 1,5 a 3 vezes IH para conseguir manter o SCR em conduo, quando for gatilhado; caso contrrio vai conduzir e depois cortar enquanto a corrente de conduo no for maior do que IL. V - Corrente mdia de conduo: - IT (AV) - o valor mdio mximo de corrente para um ngulo de conduo de 180. Quando for usado um ngulo de conduo menor que 90 (1/2 onda), e o menor que 180 (onda completa) deve-se determinar novo valor de IT (AV). VI - Corrente de pico de curto-circuito (surge on-state current) Valor mximo de corrente permitida que possa passar pelo SCR num perodo de 1 ciclo. E iguala aproximadamente 15 x IT(AV). VII - Queda de tenso esttica direta (on state voltage) a queda de tenso entre anodo e catoto quando SCR est em conduo. Normalmente na ordem de 1,5V. VIII - Tempo de Desligamento (turn-off time) Aps a tenso de alimentao atingir 0 volts, necessrio esperar um certo tempo para aplicar novamente alimentao sem que o SCR entre em conduo. Isso ocorre porque, mesmo quando a alimentao atingir 0 volts, internamente o SCR no atingiu 0 volts, e, portanto, se for aplicado a alimentao logo depois ele ir conduzir. 5.4 - DIAC O DIAC no tem terminal de controle (Gate), tendo em vista que sua mudana de estado controlada pela tenso aplicada entre seus terminais. Pode ser entendido como dois diodos Schokley em antiparalelo. O seu disparo ocorre quando se atinge a tenso de bloqueio em qualquer sentido, da ordem de 25 a 40 V. usado em geral para disparar o TRIAC, em circuitos de controle de tenso CA por ngulo de disparo. Sua estrutura PNP, e funciona como um transistor cuja base s alimentada quando se atinge a tenso de ruptura, o que leva saturao, caindo a tenso nos terminais para uns 0.2 V. So construdos como mostrados na figura

Seu funcionamento simples: Para passar do estado de bloqueio para o estado de conduo, preciso ultrapassar a tenso de ruptura (VR), rompendo assim, a juno polarizada inversamente, podendo a corrente fluir em ambos sentidos. Para voltar ao estado de bloqueio, basta remover a tenso por alguns instantes.

Marcio de Souza Gonalves

Centro Universo de Educao e Desenvolvimento Eletrnica de Potencia


Exemplos de circuito a) Controle de intensidade de luz

Vamos supor que inicialmente o DIAC e o TRIAC esto cortados e a tenso VAC est no incio do semiciclo positivo; o capacitor C ir se carregar atravs de R1 e R2 at que seja atingida a tenso de conduo do DIAC. Com a conduo do DIAC o TRIAC recebe um pulso no Gate e comea a conduzir permitindo assim, que circule corrente de alimentao pela carga. O DIAC corta logo depois, porque com o disparo do capacitor se descarrega e a tenso do capacitor (VC) cai para prximo de zero. Quando a tenso de alimentao passar por zero. O TRIAC corta e s conduzir novamente quando o DIAC for disparado no semiciclo negativo. O valor mximo de R dado por: Rmax = VRmax / IRmax O valor mnimo dado por: Rmin = VRmin / IRmin Sua construo assemelha-se a de um transistor bipolar, porm difere na dopagem do cristal N. Os diacs servem para controlar o disparo de triacs quando uma tenso de referncia chegar a certo valor.

5.5 - Tiristor de Triodos Bidirecionais (TRIAC)


Um TRIAC pode conduzir em ambos os sentidos e utilizado em controle de fase CA (conversores CA-CA). Ele pode ser considerado como dois SCRs conectados em anti-paralelo com uma conexo de gatilho comum, como mostrado na Figura seus terminais no podem ser designados como anodo e catodo. Se o terminal MT2 for positivo em relao ao terminal MT1, o TRIAC pode ser disparado pela aplicao de um sinal negativo entre o gatilho G e MT1. Se o terminal MT2 for negativo em relao a MT1, ele pode ser disparado pela aplicao de um sinal negativo entre o gatilho G e MT1. No necessrio que existam ambas as polaridades no sinal de gatilho, pois o TRIAC pode ser disparado com um sinal tanto positivo como com um negativo. Na prtica as sensibilidades variam de um quadrante para outro e os TRIACs normalmente so operados no quadrante I+ (tenso e corrente no gatilho positivas) ou no quadrante III- (tenso e corrente no gatilho negativas).

5.6 GTO
Todos os tiristores s se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente de manuteno, o que exige circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO permite o desligamento pelo gatilho, por pulso negativo de alta corrente, da o nome (Gate Turn Off, desligamento pelo gatilho). Estruturalmente, similar ao SCR, mas a dopagem e a geometria da camada do gatilho permite minimizar o sobre aquecimento no desligamento (que destruiria um SCR). O desligamento feito em geral atravs de descarga de um capacitor.

6 - REFERNCIA BIBLIOGRFICA
MALVINO, ALBERT PAUL. Eletrnica Vol I e II, 4 Edio. So Paulo: Graw-Hill, 1997.

MELLO, Hilton Andrade de; INTRATOR, Edmond. Dispositivos semicondutores, 3 ed. Rio de Janeiro, Livros tcnicos e Cientficos, 1978. Eletrotcnica basica Instrumentao SENAI ES, 1999

Marcio de Souza Gonalves