O DIODO

O diodo um componente eletrnico com dois eletrodos (da a origem do seu nome:
di-dois; odo-eletrodo), construdo a partir de cristais de material semicondutor, capaz de
permitir, ou no, a passagem de corrente eltrica, conforme o tipo de polarizao a que est
submetido.

1 Conceitos Importantes Para o Estudo dos Diodos

1.1 O Semicondutor
Um material semicondutor possui caractersticas intermedirias s de um condutor e s
de um isolante. Sendo assim, temos um material formado por tomos que no impedem e nem
permitem, completamente, a passagem de corrente eltrica.
Dos tomos semicondutores existentes, o mais usado para a confeco de diodos o
silcio. O germnio, tambm usado para esse fim, atualmente encontra-se em desuso, por
possuir muitas desvantagens em relao ao silcio, principalmente no que diz respeito
estabilidade dos cristais formados por germnio. Alm disso, os diodos construdos com este
material so muito sensveis a variaes de temperatura, o que pode prejudicar o seu
desempenho em alguns circuitos eletrnicos. Por esse motivo, sero utilizadas, nessa apostila,
as condies de funcionamento dos diodos de silcio.
1.2 A Valncia e os Cristais
A valncia de um tomo est relacionada ao nmero de eltrons que este possui em
sua ltima camada. Assim, se um tomo possui:
- 2 eltrons na ltima camada, este tomo ser bivalente;
- 3 eltrons na ltima camada, este tomo ser trivalente;
- 4 eltrons na ltima camada, este tomo ser tetravalente;
- 5 eltrons na ltima camada, este tomo ser pentavalente.
Os tomos de germnio e de silcio, em seu estado natural, possuem 4 eltrons na
ltima camada, sendo, portanto, tomos tetravalentes.
A estabilidade de um tomo depende do nmero de eltrons na sua ltima camada. Na
maioria dos casos, um tomo dito estvel quando possui 8 eltrons na ltima camada.
Basicamente, existem 3 formas de um tomo, naturalmente instvel, obter seu equilbrio:
1 Recebendo eltrons de outros tomos;
2 Doando eltrons para outros tomos;
3 Compartilhando eltrons com outros tomos.
Assim, um tomo com menos de 4 eltrons na ltima camada pode doar eltrons para
se estabilizar e um tomo com mais de 4 eltrons, pode receber eltrons para se tornar estvel.
Um tomo com 4 eltrons na ltima camada tende a compartilhar eltrons com outros tomos
para estabilizar-se.
A unio de tomos, que compartilham eltrons, forma estruturas complexas, chamadas
cristais. Assim, um cristal de silcio a unio de tomos de silcio em uma estrutura complexa
e estvel.

1.3 A Dopagem, a Camada de Depleo e a Barreira de Potencial

Os diodos so formados a partir de cristais de semicondutores. Porm, estes sozinhos,
no seriam capazes de criar uma estrutura que pudesse responder a certos tipos de
polarizao. Para formar um diodo, usa-se o processo de dopagem, que consiste em introduzir
tomos de outra valncia (impurezas) em um cristal puro de material semicondutor.
Observe a figura 1. Pode-se entender que quando se introduz em um dos lados do
cristal, tomos trivalentes, est-se colocando, nesse local, um material mais positivo (com
menos eltrons na ltima camada) que o semicondutor original. Esse material mais positivo
ser chamado: Material do Tipo P.
Ao mesmo tempo, introduz-se, na outra extremidade, tomos pentavalentes, com mais
eltrons na ltima camada que o semicondutor original e, portanto, mais negativos, formando
o Material do Tipo N.
Dessa forma, pode-se dizer que o semicondutor, agora dopado, possuir cargas mais
positivas em um dos seus lados (chamado Anodo) e cargas mais negativas do lado oposto
(chamado Catodo). O smbolo do diodo mostrado na figura 2.

Figura 1 Dopagem em um diodo.

Figura 2 Smbolo do diodo.

Sabe-se que cargas de mesma polaridade se repelem e que cargas de polaridades
opostas se atraem. Assim, haver uma interpenetrao de materiais positivos para o lado
negativo e vice-versa, at que se estabelea o equilbrio entre as foras de atrao e repulso
das cargas internas, como mostra a figura 3.

Figura 3 Formao da camada de depleo.

Observe que, com o equilbrio das cargas, uma parte das cargas negativas invade a
rea de material do tipo P e vice-versa, criando-se uma camada central, chamada Camada de
Depleo. A queda de tenso (diferena de potencial) na camada de depleo d origem
Tenso de Barreira (Vb) que ser especfica para cada tipo de semicondutor usado na
construo do diodo. Para os diodos de germnio, a tenso de barreira estar entre 0,2V e
0,3V. Para os de silcio, essa tenso estar entre 0,5 V e 0,7 V.

A tenso de barreira a tenso que dever ser superada para que o diodo permita a
conduo de corrente em seu interior. Caso contrrio pode-se dizer que o diodo no
conduzir.
1.4 A Polarizao de um Diodo
O diodo permitir, ou no, a conduo de corrente, de acordo com a polarizao
imposta a ele. interessante, portanto, conhecer duas regras bsicas para a polarizao do
diodo:
- Quando o diodo estiver polarizado diretamente, este permitir a conduo de
corrente, se a tenso aplicada ao mesmo vencer a tenso de barreira.
- Quando o diodo estiver polarizado reversamente, este no permitir a conduo de
corrente. Nesse caso, a barreira de potencial aumenta.
Diz-se que um diodo est polarizado diretamente quando ao seu anodo aplicada uma
tenso mais positiva que aquela aplicada ao seu catodo. A polarizao reversa, ao contrrio,
ser estabelecida quando a tenso no anodo for mais negativa que a do catodo.
Em casos prticos, na polarizao direta, s haver circulao de corrente no diodo
quando a tenso de barreira for ultrapassada, ou seja, quando a tenso no diodo (Vd) for igual
ou maior que a sua tenso de barreira (Vb).
Quando o diodo estiver polarizado reversamente, diz-se que no haver corrente
circulando, ou seja, Id = 0 A. Isto, apesar de ideal, no completamente verdade, pois existir
uma corrente muito pequena (de valor desprezvel) passando pelo diodo. Essa corrente
chamada Corrente de Fuga do diodo. Na prtica, essa corrente, quando existe, costuma ser
desprezada por possuir valor extremamente baixo.
1.5 A Curva de um Diodo
Torna-se interessante observar a curva de um diodo, mostrada na figura 4.

Figura 4 A curva de um diodo.

Observam-se 2 regies particulares:

a)
b)
c)
d)

1 Regio direta, onde:

Praticamente no h corrente no diodo at que se atinja a tenso de barreira (Vb est
prxima tenso de joelho dessa curva).
Aps a tenso de barreira, a corrente sobe rapidamente para pequenos acrscimos de
tenso no diodo.
Existe um valor mximo para a corrente direta do diodo (Idmx) a partir da qual o diodo
ser danificado. Na prtica, deve-se evitar atingir esse valor.
Na regio direta, pode haver correntes altas para tenses prximas de 0 V.

2 Regio reversa, onde:

a) A tenso aumenta, at certo ponto, havendo uma corrente extremamente baixa (corrente
de fuga), de valor desprezvel.
b) Existe uma tenso mxima (PIVmx) que, se ultrapassada, levar o diodo queima.
c) Na regio reversa, pode haver tenses altas (at valores prximos a PIVmx) para correntes
extremamente baixas (Id 0A).
OBS.: PIV significa tenso de pico inversa e definida como sendo a tenso mxima
(de pico) sobre o diodo quando este no est conduzindo no circuito (polarizado
reversamente). Se PIV (no circuito) > PIVmx, o diodo ser danificado.
Observando-se a curva do diodo, pode-se notar que esse componente no possui
caractersticas lineares. Portanto, um diodo no obedecer Lei de Ohm da mesma forma que
um resistor. Na verdade, a resistncia do diodo varia ao longo de sua curva.
Na regio direta, sua resistncia diminui medida que a corrente aumenta (a tenso
praticamente constante, estando sempre prxima tenso de joelho). Na regio reversa, com a
corrente sempre prxima de 0 A, pode-se dizer que a resistncia do diodo ser extremamente
alta por toda regio, at que sua tenso atinja PIVmax, quando o diodo ser danificado.
Sendo assim, ganha importncia o estudo de um mtodo que torne prtico e funcional
o estudo de diodos em circuitos eletrnicos. Para esse fim, criaram-se aproximaes que,
quando utilizadas em ocasies adequadas, permitem realizar o estudo de circuitos com diodos,
com maior facilidade. Essas aproximaes deram origem a modelos eltricos, representativos
dos diodos, que sero descritos a seguir.

2 Modelos Eltricos de Diodos

Existem, basicamente, 3 modelos eltricos usados para descrever o funcionamento de

diodos em circuitos eletrnicos. A inteno desses modelos facilitar o entendimento e a
anlise dos circuitos que se utilizam desse componente no linear. Os 3 modelos fazem uso de
aproximaes lineares e cada um deles ser usado em ocasies especficas, de acordo com o
circuito que estar em anlise.
Os 3 modelos so:
1 Modelo Ideal o diodo como uma chave;
2 Modelo Prtico o diodo como uma chave em srie com uma bateria;
3 Modelo Real o diodo como uma chave em srie com uma bateria e com uma resistncia.
Na prtica, costuma-se usar o segundo modelo, j que um componente ideal
dificilmente poder ser obtido. Alm disso, como a resistncia do diodo geralmente possui
valor muito baixo na regio direta de sua curva (normalmente desprezvel), o modelo real
recai no modelo prtico, para a maior parte das aplicaes.
O modelo ideal tambm pode ser utilizado em alguns casos, para facilitar algumas
anlises. Quando isso for levado em considerao em nossos estudos, ser chamada a ateno
do aluno para esse fato.
Sendo assim, tomaremos como padro a anlise pelo modelo prtico e, ainda, tendo
em vista a sua maior utilizao no mercado, o diodo construdo com silcio. Usaremos o valor
da tenso de barreira para esse diodo, igual a 0,7 V, que o pior caso (significa a maior queda
de tenso possvel, portanto, a maior perda de tenso no circuito estudado). Em um circuito
eletrnico com diodos, a anlise ser feita substituindo-se os diodos do circuito pelo modelo
escolhido para represent-los.

2.1 O Modelo Ideal O Diodo Como Uma Chave

Como o prprio nome sugere, o modelo ideal considera o diodo como um elemento
sem perdas. Quando a corrente estiver circulando pelo diodo (polarizao direta), no haver
queda de tenso sobre ele (desconsidera-se a tenso de barreira, fazendo-se: Vb = 0 V).
Quando o diodo estiver reversamente polarizado, no haver corrente no circuito, ou seja, a
corrente de fuga ser considerada igual a 0 A.
O componente eltrico que corresponde a esse tipo de funcionamento a chave
eltrica (ou interruptor), cujo smbolo mostrado na figura 5.

Figura 5 A chave eltrica (interruptor).

Assim, faz-se a seguinte associao:
- Na polarizao direta:

Chave fechada. O diodo conduz. Vd = 0V e Id 0A.

- Na polarizao reversa:

Chave aberta. O diodo no conduz. Id = 0A e Vd 0V.

Para se saber, em um circuito, se o diodo est diretamente ou reversamente polarizado,
inicialmente, faz-se a corrente percorrer o circuito a partir do terminal positivo da fonte
(sentido convencional). O ponto por onde a corrente entra nos componentes ter potencial
maior (mais positivo) do que o ponto por onde ela deixa o componente (ponto mais negativo).
Isso se d por um motivo simples:
Todo componente atravessado por uma corrente eltrica produz uma queda de tenso
em seus terminais. O prprio nome j diz: queda de tenso. Logo, se h uma queda de tenso,
o potencial (tenso) antes da passagem de corrente ser maior do que o potencial depois da
passagem desta, pelo componente.
Assim, em qualquer componente, com exceo das fontes, as quedas de tenso estaro
de acordo com o que mostrado na figura 6.

Figura 6 Queda de tenso em componentes.

Nas fontes, o sentido da tenso segue o smbolo da prpria fonte (inverso do sentido
nos componentes). Isso acontece porque, ao contrrio do que se d nos componentes, a fonte

fornece energia, logo, no h consumo, mas sim fornecimento de energia (tenso) para o
circuito.
Em circuitos com diodos segue-se a mesma orientao e, lembrando: quando o anodo
for mais positivo que o catodo, o diodo estar em polarizao direta, caso contrrio, a
polarizao ser reversa.
Assim, em um circuito bsico como o da figura 7a, sabe-se que o diodo est em
polarizao direta. Este ser substitudo por uma chave fechada, como mostra a figura 7b.

Figura 7 Circuito bsico com um diodo em polarizao direta.

O clculo da corrente no circuito (I) fica da seguinte forma:
VR V
I=
=
Vd = 0V;
VR = V
e
R
R
A tenso no resistor (R), nesse caso, ser a mesma tenso da fonte, visto que esses dois
componentes so postos em paralelo pelo diodo (chave). A queda de tenso no diodo (Vd)
ser igual a 0 V (sem perdas) e a corrente no diodo (Id) ser a mesma da fonte e do resistor
(I), pois trata-se de um circuito srie.
Na figura 8, tem-se o exemplo para a polarizao reversa.

Figura 8 Circuito bsico com um diodo em polarizao reversa.

Observe que a tenso no anodo mais negativa que a tenso do catodo (figura 8a).
Dessa forma, no modelo ideal, para a polarizao reversa, troca-se o diodo por uma chave
aberta (figura 8b), logo:
I = 0 A;

VR = R . I = R . 0 A = 0 V

Vd = V.

A tenso sobre o diodo ser igual tenso da fonte (Vd = V), pois no h queda de
tenso no resistor. Lembre-se que o diodo um componente no linear e, portanto, pode haver
tenso com corrente desprezvel (Id 0 A) e vice-versa.
Esse modelo bastante conveniente para a explicao de diversos circuitos, como
veremos posteriormente. Entretanto, como j foi dito, ele no condiz com a situao prtica de

circuitos com diodos. Por esse motivo, ser analisado em seguida o modelo prtico. Esse
modelo utiliza, alm da chave para representar a conduo, ou no, do diodo, uma bateria em
srie com a mesma, para representar a queda de tenso de barreira do diodo (Vb).
2.2 O Modelo Prtico O Diodo Como Uma Chave em Srie Com Uma Bateria
Para representar a queda de tenso de barreira (Vb) em um diodo, usa-se uma bateria
em srie com a chave, que j existia no modelo anterior. Esta bateria ter valor equivalente a
0,7 V para diodos de silcio (nosso padro) e 0,3 V para diodos de germnio.
importante observar o posicionamento da bateria no modelo. O terminal positivo
dessa bateria dever estar voltado para o anodo do diodo. A associao a seguinte:
- Na polarizao direta:

Chave fechada. O diodo conduz. Vd = Vb e Id 0A.

- Na polarizao reversa:

Chave aberta. O diodo no conduz. Id = 0A e Vd 0V.

Assim, para o circuito bsico da figura 9a, tem-se o equivalente mostrado na figura 9b.
Essa figura corresponde ao caso da polarizao direta aplicada ao diodo.

Figura 9 - Circuito bsico com um diodo em polarizao direta.

O clculo da corrente no circuito (I) fica da seguinte forma:
Vd = Vb;

VR = V-Vd

I=

VR V - Vd
=
R
R

Na figura 10 tem-se o raciocnio para a polarizao reversa.

Figura 10 - Circuito bsico com um diodo em polarizao reversa.

I = 0 A;

VR = R . I = R . 0 A = 0 V

Vd = V.

Esse modelo ser usado como padro em nossas aplicaes. Se em algum exemplo ou
exerccio com diodos, for requerido um outro modelo diferente deste, ser avisado ao aluno
para que ele considere essa situao em sua anlise. Se nada for dito, o modelo empregado
ser o modelo prtico para o diodo de silcio (Vb = 0,7 V).
3 O Modelo Real O Diodo Como Uma Chave em Srie Com Uma Bateria e Com um
Resistor
Esse modelo representa todas as perdas que podem existir em um diodo. Alm da
tenso de barreira, este modelo apresentar um resistor para representar as perdas durante a
passagem da corrente pelo corpo do diodo (resistncia de corpo do diodo), apesar destas
serem desprezveis.
O modelo real o seguinte:
- Na polarizao direta:

Chave fechada. O diodo conduz. Vd = Vb+Vr e Id 0A.

- Na polarizao reversa:

Chave aberta. O diodo no conduz. Id = 0A e Vd 0V.

Analisando-se o circuito bsico da figura 11, pode-se entender que:

Figura 11 - Circuito bsico com um diodo em polarizao direta.

Req = R + r

VReq = V Vb

I=

VReq
Req

VR = I . R

Vr = I . r

Vd = Vb + Vr
Na figura 12 tem-se o raciocnio para a polarizao reversa.

Figura 12 - Circuito bsico com um diodo em polarizao reversa.

I = 0 A;

VR = R . I = R . 0 A = 0 V

Vd = V.

Levando-se em considerao que a resistncia de corpo de um diodo costuma ser

muito baixa (muitas vezes de valor desprezvel), o modelo em questo costuma ser
aproximado para o modelo prtico, descrito anteriormente, que corresponderia ao modelo real
com r = 0 . Tambm por esse motivo, o modelo prtico costuma ser tomado como padro
para a anlise de circuitos com diodos.

6.3 Exerccios

1 Dado o circuito, calcule sua corrente, a tenso no resistor e a tenso no diodo.

2 Dado o circuito, calcule sua corrente, a tenso no resistor e a tenso no diodo.

3 Dado o circuito, calcule sua corrente, a tenso no resistor e a tenso no diodo. Use a
aproximao para o diodo ideal.

4 O que voc entende por dopagem em um diodo ?

5 Como se forma a camada de depleo em um diodo ?

Respostas:

1 I = 9,3 mA; VR = 9,3 V e Vd = 0,7 V

2 I = 0 A; VR = 0 V e Vd = 10 V
3 I = 2 A; VR = 5 V e Vd = 0 V
4 Consiste na introduo de impurezas (tomos de outra valncia) em um cristal puro de
material semicondutor, transformando-o em um diodo.
5 Aps feita a dopagem em um diodo, as cargas internas de mesma polaridade se repelem
enquanto as cargas de polaridades opostas se atraem. Assim, haver uma interpenetrao de
cargas do lado positivo para o lado negativo e vice-versa, at que se estabelea o equilbrio
entre as foras de atrao e repulso dessas cargas. Nesse momento criada uma camada
central, chamada camada de depleo, como foi visto na figura 3.

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