FUNDAMENTOS DA ELETRÔNICA

ANALÓGICA E DIGITAL

Professor Raphael Amorim

 1. INTRODUÇÃO

Inicialmente será feita uma revisão de conceitos de circuitos elétricos.

Corrente Elétrica: é o fluxo ordenado de elétrons entre corpos com situações elétricas diferentes.
No Sistema Internacional de medidas (SI), a intensidade elétrica é medida em Ampère (A) que é a
quantidade de carga elétrica por segundo que passa em um determinado ponto. Seu cálculo é dado da
seguinte forma:
Q
I= onde I é a Intensidade da corrente (ou corrente elétrica propriamente dita) medida em
t
Ampère (A), Q é a quantidade de eletricidade (ou quantidade de elétrons) medido em Coulomb (C) e t é o
tempo no qual circulou a quantidade de eletricidade medido em segundos (s).
Diferença de Potencial (d.d.p.): quando um corpo envia elétrons para outro, ou recebe elétrons de
outro corpo, assume-se que ele tem potencial elétrico. Com isso, se dois corpos estabelecem um fluxo de
elétrons. Eles apresentam uma diferença de potencial. A d.d.p. também é conhecida como força
eletromotriz ou tensão. No SI, a d.d.p. é medida em Volts (V).
Resistência Elétrica: quando se tem uma diferença de potencial entre dois pontos e eles são postos
em contato, surgirá uma corrente elétrica. No entanto, o meio material utilizado para conectar esses dois
pontos fornecerá uma dificuldade para o deslocamento dos elétrons. A essa oposição que o meio material
cria para a passagem de corrente elétrica recebe o nome de Resistência Elétrica. No SI, a resistência
elétrica é medida em Ohm (Ω).
Lei de Ohm: a intensidade elétrica num condutor é diretamente proporcional à força eletromotriz e
inversamente proporcional à sua resistência elétrica. Isso significa que, com uma resistência elétrica
constante, a corrente elétrica aumentará se a tensão aumentar e diminuirá se a tensão diminuir. A equação
que rege essa lei é definida a seguir:
V =RI , onde V é a tensão, R a resistência e I a corrente elétrica.

Tipos de corrente elétrica: existem dois tipos de correntes elétricas: corrente contínua (c.c.) e
corrente alternada (c.a.). Na corrente contínua, o fluxo de elétrons percorre sempre no mesmo sentido. Já
na corrente alternada, o fluxo de elétrons alternam o sentido de movimento.
1.1. FONTES DE TENSÃO

Um dispositivo eletrônico só funciona se houver uma fonte de energia conectada a ele por um
circuito. Essa fonte pode ser de tensão ou de corrente.
Fonte de Tensão Ideal: é uma fonte de tensão perfeita que tem resistência interna zero. A figura 1.1
mostra uma carga RL alimentada por uma tensão de 12V. Como a fonte de tensão é ideal, a carga será
alimentada com a tensão total da fonte, o que pode variar é a corrente de acordo com o valor da
resistência da carga.

Figura 1.1: Fonte de Tensão Ideal

Fonte de Tensão Real: na fonte ideal, caso a resistência da carga fosse próxima de zero, a corrente
elétrica produzida pela fonte seria próxima do infinito. Isso não é possível de acontecer com uma fonte de
tensão real pois possui uma certa resistência interna, uma vez que a corrente da carga também circula na
resistência interna da fonte. Com isso, existe uma queda de tensão na resistência interna da fonte fazendo
com que a tensão na carga seja menor do que a tensão da fonte. A tensão da resistência interna da fonte
torna-se desprezível quando a resistência da carga é muito maior que a resistência interna da fonte. A
figura 1.2 representa uma fonte de tensão real com a resistência interna da fonte Rs.

Figura 1.2: Fonte de Tensão Real.

 Fonte de Tensão Quase-Ideal: pode-se desprezar a resistência da fonte quando ela for 100 vezes
menor do que a resistência da carga.

1.2. FONTES DE CORRENTE

A fonte de corrente possui uma resistência interna alta e sua corrente de saída independe da
resistência da carga. Pode-se criar uma fonte de corrente através da combinação de uma bateria com uma
resistência interna muito alta. Como mostrado na figura 1.3.

Figura 1.3: Fonte de Corrente.

1.3. TEOREMA DE THEVENIN

O teorema de Thevenin diz que a partir de um par de terminais, um circuito elétrico pode ser
substituído por uma fonte de tensão de Thevenin (V TH) com resistência de Thevenin (RTH). Para
exemplificar, tem-se o circuito da figura 1.4 onde deseja-se calcular a corrente na carga para valores
diferentes de RL.

Figura 1.4: Circuito Elétrico

 Para achar a tensão de Thevenin, deve-se retirar a carga do circuito e medir a tensão nesses
terminais. A tensão de Thevenin pode ser chamada de tensão em circuito aberto. Já para achar a
resistência de Thevenin deve-se primeiro reduzir todas as tensões a zero, ou seja, substituir as fontes de
tensão por curto-circuitos e retirar todas as fontes de corrente deixando o circuito em aberto. Logo em
seguida, mede-se com um ohmímetro (instrumento de medida de resistência) a resistência nos terminais
da carga. Essa será a resistência de Thevenin. O circuito da figura 1.4 é então substituído pelo circuito da
figura 1.5.

Figura 1.5: Tensão e Resistência de Thevenin

1.4. TEOREMA DE NORTON

O teorema de Thevenin simplifica o circuito com uma fonte de tensão em série com uma
resistência. Já o teorema de Norton simplifica o circuito com uma fonte de corrente em paralelo com uma
resistência. Esse circuito é mostrado na figura 1.6

Figura 1.6: Circuito de Norton Figura 1.7: Circuito de Thevenin

 A relação entre a corrente de Norton e a tensão de Thevenin é dada como:
V TH
IN=
R TH

1.5. VERIFICAÇÃO DE DEFEITOS

Verificar defeitos é identificar o por que do circuito não executa o que era esperado dele. Dentre os
diversos problemas, os mais comuns são circuitos abertos e o curto-circuitos. Os dispositivos podem estar
aberto ou em curto de várias maneiras. No caso dos transistores, por exemplo, ele fica inutilizável quando
é excedido sua potência nominal máxima.
Os resistores abrem quando tem sua potência de dissipação máxima excedida, ou podem estar em
curto-circuito quando na montagem do circuito impresso, um pingo de solda conecta suas trilhas. A isso
dá-se o nome de ponte de solda. De outra forma, a solda pode ser malfeita não ocorrendo a conexão do
circuito. Isso recebe o nome de solda fria e será entendido como um dispositivo aberto.
Dispositivo aberto: a corrente através de um dispositivo aberto é zero; a tensão é indeterminada.
Dispositivo em curto-circuito: a tensão no dispositivo é zero; a corrente é indeterminada.
A figura 1.8 mostra um divisor de tensão feito por R 1 e R2 que alimenta os resistores R3 e R4 em
série. No divisor de tensão, a tensão de saída é calculada pela seguinte equação:
R2
V saída= .V
( R 1+ R 2) entrada

Figura 1.8: Divisor de tensão

 Para o circuito funcionando perfeitamente, a tensão em VA pode ser calculada utilizando a equação
do divisor de tensão:
10
V A= .12=6 V
(10+10)

Já a tensão em VB é a tensão que passa pelo R4 que está em série com o R3 e ambos em paralelo com
R2. Logo, pode-se concluir que a tensão VB = 3V.
A tabela abaixo mostra os valores das tensões em VA e VB para os defeitos assinalados na coluna da
esquerda. Façam os cálculos para entender os valores dos defeitos.

Defeitos VA VB
Circuito OK 6V 3V
R1 em aberto 0 0
R2 em aberto 12 V 6V
R3 em aberto 6V 0
R4 em aberto 6V 6V
C aberto 12 V 6V
D aberto 6V 6V
R1 em curto 12 V 6V
R2 em curto 0 0
R3 em curto 6V 6V
R4 em curto 6V 0
 2. SEMICONDUTORES

Para entender o funcionamento dos diodos, transistores e circuitos integrados, é necessário fazer um
estudo prévio sobre semicondutores. Estes são elementos que possuem propriedades intermediárias entre
os metais e o não metais, ou condutores e isolantes.
Condutores: são materiais que permitem o fluxo de elétrons.
Isolantes: são materiais que dificultam o fluxo de elétrons.
Os semicondutores são elementos de valência quatro, ou seja, possuem quatro elétrons na última
órbita. Os elementos mais comuns são Germânio (Ge) e o Silício (Si).

2.1. ESTRUTURA ATÔMICA DO GERMÂNIO E DO SILÍCIO

Átomos são formados por um núcleo que contém prótons e nêutrons e orbitados por elétrons de
acordo com o modelo atômico de Bohr. Os elétrons giram em órbitas bem definidas que são as camadas:
K, L, M ,N, O, P e Q.
O número de elétrons por camada é: K = 2; L = 8; M =18; N =32; O = 32; P = 18 e Q = 2.
O Germânio possui o número atômico 32, ou seja, ele tem 32 elétrons. Por camada tem-se: K= 2;
L = 8; M = 18; N = 4. O Silício possui o número atômico 14 sendo sua distribuição de elétrons por
camada: K = 2; L = 8; M = 4.
Pode-se observar que ambos os elementos possuem 4 elétrons na camada de valência (última
camada).

2.2. CRISTAIS DE Ge E Si

O número máximo de elétrons na última camada é de 8 elétrons. Quando a órbita de valência fica
com 8 elétrons, o átomo fica quimicamente estável. Os elementos de Ge e Si possuem 4 elétrons na
camada de valência e portanto precisam de mais 4 elétrons para se tornarem estáveis. Esses elementos se
tornam estáveis fazendo ligações covalentes. Quando as ligações covalentes são apenas entre os átomos
do próprio elemento (ou só Si, ou só Ge) é formado um padrão ordenado chamado de cristal. Esse cristal
é um isolante perfeito à temperatura de zero absoluto, 0K = 273°C, por formar ligações covalentes muito
estáveis. Quando a temperatura ambiente está acima do zero absoluto a energia térmica do ar faz os
átomos do cristal vibrarem, sendo que quanto mais alta a temperatura, maior a vibração dos átomos. Em
decorrência disso, os elétrons podem ser deslocados da camada de valência, pois ganham energia
suficiente para passar para outra órbita maior se tornando um elétron livre. Além disso, a saída do elétron
deixa um espaço vazio na órbita de valência que recebe o nome de lacuna. A lacuna comporta-se como
uma carga positiva, visto que ela pode atrair e segurar qualquer elétron nas proximidades.
Lacunas e elétrons livres são criados em iguais quantidades num cristal puro pela energia térmica,
ou seja, pelo aquecimento do cristal. Como os elétrons livres se movem aleatoriamente no cristal, num
determinado momento ele se aproxima de uma lacuna sendo atraído e capturado. A esse movimento dá-se
o nome de recombinação. Sendo que o tempo entre a geração e desaparecimento de um elétron livre
recebe o nome de tempo de vida.

2.3. SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS

Semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. Todos os átomos do cristal são do mesmo

elemento.
Fluxo de elétrons livres: tendo um cristal de silício entre placas metálicas carregadas, os elétrons,
por serem cargas negativas, serão repelidos pela placa negativa e seguirão para a placa positiva.
Fluxo de lacunas: as lacunas seguem o fluxo inverso ao dos elétrons livres.

2.4. DOPAGEM DE UM SEMICONDUTOR

A dopagem é uma maneira de aumentar a condutibilidade de um semicondutor. Ela ocorre ao

adicionar impurezas aos átomos de um cristal intrínseco que alterem sua condutibilidade elétrica. Com
isso, tem-se o chamado semicondutor extrínseco.
A dopagem acontece com a adição de elementos chamados de impurezas doadoras. Existem dois
tipos de impurezas doadoras:
Impurezas doadoras pentavalentes: são elementos com 5 elétrons na camada de valência, sendo
os mais comuns Arsênio (As), Fósforo (P) e Antimônio (Sb).
Impurezas doadoras trivalentes: são elementos com 3 elétrons na camada de valência, sendo os
mais comuns Alumínio (Al), Boro (B), Gálio (Ga) e Índio (In).

2.5. TIPOS DE SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS

Um semicondutor pode ser dopado por impurezas pentavalentes ou trivalentes, com o objetivo de
ter um excesso de elétrons livres ou um excesso de lacunas.
 Semicondutor Tipo n: se forma quando um semicondutor intrínseco é dopado com impurezas
pentavalentes. Como essas impurezas possuem 5 elétrons na camada de valência, ao se conectarem com
os átomos do semicondutor, esse átomo (o Si por exemplo) fará 4 ligações covalentes com a impureza que
terá o 1 elétron extra na órbita maior, ou seja, um elétron livre. Nesse tipo de semicondutor, os elétrons
livres excedem em número as lacunas, por isso os elétrons livres são chamados de portadores
majoritários e as lacunas de portadores minoritários.
Semicondutor Tipo p: quando o semicondutor é dopado por impurezas trivalentes é chamado de
semicondutor tipo p. Nesse caso, as lacunas excedem em número os elétrons livres, por isso as lacunas
são chamadas de portadores majoritários e os elétrons livres de portadores minoritários.

2.6. DIODO NÃO-POLARIZADO

Tanto um semicondutor tipo n quanto um tipo p tem a mesma utilidade de um resistor de carbono.
No entanto, quando um cristal semicondutor é dopado de modo que metade dele seja tipo p e a outra
metade tipo n tem-se um novo efeito no cristal devido a criação da junção pn. Essa junção originou vários
dispositivos, como diodos, transistores e circuitos integrados.
A junção é a borda onde as regiões do tipo p e do tipo n se encontram, sendo que o cristal pn recebe
o nome de diodo de junção. Diodo significa “dois eletrodos”.
A figura 2.1 mostra um cristal pn. No lado direito encontra-se o semicondutor tipo n, onde cada
círculo com sinal de mais representa um átomo pentavalente e o sinal de menos representa o elétron livre
que esse átomo forneceu para o semicondutor. O lado esquerdo é o semicondutor tipo p onde cada círculo
com sinal de menos representa um átomo trivalente e o sinal de mais é a lacuna da sua órbita de valência.

Figura 2.1: Cristal pn

Camada de Depleção: é a região onde ocorre a junção pn provocada pela formação de íons
positivos e negativos. Essa região impede que todos os elétrons livres do material tipo n difundam-se com
todas as lacunas do material tipo p.
 Barreira de Potencial: é a tensão que surge na camada de depleção por causa da concentração de
íons negativos do material do tipo p e positivos do material do tipo n. Na junção pn do Ge, a barreira de
potencial tem uma d.d.p. de 0,3V. Já na junção de Si, a barreira de potencial tem uma d.d.p. de 0,7V. Isso
quer dizer que para que haja fluxo elétrico nessa junção, deve-se fornecer uma tensão maior que 0,3V
para o material de Ge e maior que 0,7V para o material de Si.
A figura 2.2 ilustra a camada de depleção de uma junção pn.

Figura 2.2: Camada de depleção da junção pn

2.7. POLARIZAÇÃO DIRETA

Na polarização direta, o terminal negativo da fonte está conectado ao material tipo n e o terminal
positivo está conectado ao material tipo p.
O diodo polarizado diretamente apresenta: baixa resistência; permite a circulação de corrente de
valor elevado; e baixa tensão sobre o diodo. Na prática ele pode ser comparado a uma chave fechada
(resistência zero). A figura 2.3 representa um circuito com diodo em polarização direta.

Figura 2.3: Polarização direta.

2.8. POLARIZAÇÃO REVERSA

Na polarização reversa, o terminal negativo da bateria está conectado do lado p e o termina positivo
no lado n. Nessas condições, o terminal negativo atrai as lacunas e o positivo atrai os elétrons livres
afastando-os da junção pn. Com isso, a camada de depleção fica mais larga.
O diodo polarizado inversamente possui as seguintes características: alta resistência elétrica; baixa
circulação de corrente; e alta tensão sobre o diodo (valor ≡ fonte). Na prática, pode-se comparar a uma
chave aberta.

Figura 2.4: Polarização reversa.

2.9. RUPTURA

O processo de ruptura ocorre na polarização reversa do diodo. Os diodos possuem uma tensão
máxima nominal e com isso, existe um limite de tensão que se pode aplicar no modo reverso para que ele
mantenha suas propriedades. Caso a tensão reversa ultrapasse essa tensão máxima, chamada de tensão de
ruptura, o diodo perde suas propriedades.
Atingindo a tensão de ruptura, uma grande quantidade de portadores minoritários aparece na
camada de depleção e o diodo conduz intensamente. Esses portadores são produzidos pelo efeito
avalanche, que ocorre quando a tensão inversa é muito alta.
A tensão de ruptura do diodo depende do nível de dopagem do diodo. Com diodos retificadores
( mais comuns), geralmente é 50V.
3. REFERÊNCIAS

MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. Vol. 1. 7ª ed. São Paulo: AMGH Editora Ltda, 2007
CAVALCANTI, Paulo João Mendes. Fundamentos da Eletrotécnica. 22ª ed. Rio de Janeiro: Freitas
Bastos, 2015