Bruno Tavares da Cunha – SL3023338 - BCC 5º Semestre

Atividade Assíncrona 2 - Exercícios de fixação

Circuitos eletrônicos – CIEC5

Respostas dos exercícios:

1. D) O número atômico 29 indica que o átomo do elemento cobre tem 29
elétrons em seu núcleo.
2. A) A carga líquida deste átomo vale zero e, portanto, este átomo está
eletricamente neutro.
3. B) Se tratando de um átomo que perdeu um elétron na camada de
valência, verifica-se que a carga final do elemento será positiva, visto que
haverá um próton a mais em relação ao número de elétrons.
4. B) Como o cobre é um condutor, significa que há uma enorme presença
de elétrons em sua camada de valência, que apresentam uma baixa força
de atração com o núcleo do seu átomo, o que concede grande liberdade
de movimentação dos elétrons através do condutor.
5. D) Verificando a configuração eletrônica do Silício (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2),
percebemos que esse átomo contém 4 elétrons de valência.
6. C) O semicondutor mais utilizado é o silício, especialmente na indústria
eletrônica e na informática, por ser o mais abundante na natureza e o que
se comporta melhor ao ser submetido a altas temperaturas.
7. B) O número atômico 14 indica que o átomo do elemento cobre tem 14
prótons em seu núcleo.
8. B) Quando os átomos de silício se combinam para formar um sólido, eles
se arranjam numa configuração ordenada chamada cristal. As forças que
mantêm os átomos unidos são conhecidas como ligações covalentes.
9. C) Quando a energia térmica gera um elétron livre, automaticamente
aparece gerando uma lacuna ao mesmo tempo.
10. A) Quando um elétron é promovido para uma órbita mais externa, ele
absorve energia e, portanto, seu nível de energia em relação ao núcleo
aumenta.
11. C) Desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado
recombinação. Quando ocorre a recombinação, a lacuna não se desloca
mais para lugar algum, ela desaparece.
12. C) Na temperatura ambiente, um cristal de silício age como um isolante
porque tem apenas alguns elétrons livres e lacunas produzidas pela
energia térmica.
13. B) Tempo de vida.
14. B) Em condutores, os elétrons de valência podem mover-se facilmente
através da estrutura cristalina do material, contribuindo para a condução
elétrica. Esses elétrons móveis, são chamados de elétrons livres.
15. A) Apenas 1 fluxo de corrente.
16. B) Será 2 fluxos de corrente, pois as lacunas se movimentam no sentido
oposto dos elétrons livres.
17. D) Quando um campo elétrico for aplicado a um material semicondutor,
as lacunas se movimentarão no sentido do campo decrescente, enquanto
os elétrons seguirão em sentido oposto.
18. D) Em um material semicondutor, a órbita de valência fica saturada
quando todos os elétrons de valência estão preenchidos, ou seja, não há
elétrons livres se movendo para níveis de energia mais baixos.
19. A) Num semicondutor intrínseco, o número de lacunas é igual ao número
de elétrons livres. Enquanto a agitação térmica continua produzindo
novos pares, elétron-lacuna, outros pares desaparecem, resultado da
recombinação.
20. A) Zero absoluto significa 0 K, para Celsius é -273ºC.
21. D) Sem a presença de energia térmica, não há criação de elétrons livres
nem lacunas.
22. A) Na temperatura ambiente, o comportamento é intermediário, possuindo
apenas poucos elétrons livres e lacunas.
23. A) Ao diminuir a temperatura, o número de elétrons livres e lacunas
diminui também, devido a falta de energia térmica para energizar o átomo.
24. A) As lacunas se movimentarão no sentido oposto dos elétrons de
valência, ou seja, o fluxo das lacunas está fluindo para a esquerda.
25. D) As lacunas agem como se fossem cargas positivas: indicadas com o
sinal mais.
26. B) Um átomo trivalente tem valência igual a 3.
27. B) Átomos aceitadores também são conhecidos como átomos trivalentes,
ou seja, tem 3 elétrons de valência.
28. B) Átomos doadores são aqueles que fornecem elétrons extras para a
estrutura do semicondutor, aumentando e criando uma maioria de
elétrons livres no material. Portanto, você utilizaria átomos doadores para
produzir um semicondutor tipo n.
29. D) No tipo p, os elétrons são portadores minoritários, pois as lacunas são
os portadores majoritários nesse tipo.
30. C) No tipo p as lacunas são os portadores majoritários, portanto, para
haver elétrons livres somente na presença de energia térmica.
31. A) Para que a prata seja um bom condutor, é necessário que tenha
apenas um elétron de valência, uma vez que facilita a movimentação dos
elétrons através do metal.
32. A) Ao diminuir a temperatura, o número de elétrons livres e lacunas
diminui para menos de 1 bilhão, devido à falta de energia térmica para
energizar o átomo.
33. B) No tipo p, as lacunas são os portadores majoritários e se movimentarão
no sentido do campo negativo, ou seja, circularão para o lado direito.
34. A) As outras opções se referem às características presentes em
semicondutores, ou seja, condutor não pertence a este grupo.
35. B) 25ºC é a temperatura ambiente.
36. C) Quando o silício faz parte de um cristal, cada átomo de silício forma
quatro ligações covalentes com outros átomos de silício vizinhos, de
 forma a completar os oito elétrons da sua órbita de valência e formar uma
estrutura cristalina estável.
37. C) Íon negativo, também conhecido como ânion, é um átomo que ganhou
um ou mais elétrons.
38. A) Mesmo que haja um excesso de elétrons em comparação com as
lacunas, a carga total do semicondutor permanece neutra devido ao
equilíbrio entre os portadores de carga positiva (átomos doadores) e
negativa (elétrons).
39. B) O semicondutor do tipo p é dopado com íons negativos (ânions), ou
seja, átomos que ganham elétrons por ligações covalentes.
40. A) Da mesma forma que o semicondutor do tipo n se mantém neutro
mesmo com a diferença entre elétrons e lacunas, o semicondutor do tipo
p também fica equilibrado, mesmo que haja mais lacunas do que elétrons
livres.
41. B) A corrente de saturação de um diodo de silício inversamente polarizado
apresenta um valor típico de 10-12A, enquanto para diodos de germânio,
um valor típico é 10-6A. Portanto, o diodo de silício apresenta uma
corrente menor em comparação ao diodo de germânio.
42. B) A região de depleção refere-se a região em torno de uma junção P-N
de um semicondutor na qual existem poucos portadores de carga,
elétrons ou lacunas, devido ao processo de recombinação.
43. B) À temperatura ambiente (25ºC), esta barreira de potencial é
aproximadamente igual a 0,7 V para os diodos de silício.
44. C) A faixa de energia de um átomo refere-se à energia necessária para
mover um elétron de sua energia mais baixa para seu estado mais alto.
No silício, a energia necessária ao elétron para atravessar a banda
proibida é de 1,1 eV. Enquanto no germânio, a energia necessária ao
elétron para atravessar a banda proibida é de 0,67 eV.
45. A) Com a polarização reversa, a camada de depleção torna-se maior até
que a sua diferença de potencial se iguale à tensão da fonte. Dessa forma,
é produzida pelos portadores minoritários a corrente de saturação inversa,
que apresenta um valor extremamente baixo.
46. C)
47. D) Quando a tensão aplicada a um diodo polarizado inversamente atinge
um certo valor crítico, este fenômeno da avalanche cria uma rápida
multiplicação dos elétrons na junção PN, resultando em um aumento
súbito e significativo da corrente. A tensão em que esse fenômeno ocorre
é a tensão de ruptura.
48. A)
49. A) A diminuição da camada de depleção está diretamente ligada com a
diminuição da tensão inversa.
50. D) Na prática, quando o diodo está diretamente polarizado, também pode-
se dizer que ele funciona como uma "fonte de tensão" por produzir
emissão de fótons.
51. C) A tensão na camada de depleção de um diodo é igual à tensão reversa
aplicada, desde que a polarização reversa não cause a avalanche.
 52. B) A faixa de energia pode ser representada pela banda proibida, que é a
distância entre a banda de valência e a banda de condução.
53. D) Para cada aumento de aproximadamente 10ºC na temperatura da
junção, a corrente de saturação inversa dobra.
54. B)

Respostas dos problemas práticos:

2.1. Resposta: -2. Isso ocorre porque a adição de dois elétrons negativos supera
a carga positiva do núcleo, resultando em uma carga líquida negativa.
2.2. Resposta: -3. Isso ocorre porque a adição de três elétrons negativos supera
a carga positiva do núcleo, resultando em uma carga líquida negativa.
2.3. Resposta:
a) Semicondutor
b) Condutor
c) Semicondutor
d) Condutor
2.4. Resposta: Para um cristal de silício puro, o número de lacunas é igual ao
número de elétrons livres, ou seja, ambos serão 500 mil.
2.5. Resposta:
a) 5mA
b) 5mA
c) 5mA
2.6. Resposta:
a) Tipo p
b) Tipo n
c) Tipo n
d) Tipo n
e) Tipo p
2.7. Resposta: Mínimo = 0.6V, Máximo = 0,75 V
2.8. Resposta: Mínimo = 10nA, Máximo = 320nA
2.9. Resposta: 110nA