IVANE ADELMO MOTA PINHEIRO

Luanda
2020
1.2) DIODO IDEAL
1. Descreva com suas próprias palavras o significado da palavra ideal aplicada
a um dispositivo ou sistema.
R: A palavra ideal aplicada a um dispositivo ou sistema é que quando se
compara o funcionamento real com o ideal, nota-se que é possível aperfeiçoar o mesmo
até atingir níveis satisfatórios perto dos 100%, ou seja, aplica-se a sistemas ou
dispositivos que não apresentam perdas, cumprem a sua função exatamente como foi
programada.
2. Descreva com suas palavras as características do díodo ideal e como elas
determinam os estados ligado e desligado do dispositivo. Isto é, descreva porque o
curto-circuito e o circuito aberto equivalente adequado.
R: Díodo ideal apresenta características de fácil manipulação:
Determinam os estados ligados quando permite a passagem da corrente,
desligado quando bloqueia a mesma.
3. Qual é a diferença importante entre as características de uma chave simples
e as de um diodo ideal?
R: Semi-condutro é um material que pode atuar como isolante ou condutor e
possuir a capacidade de mudar de condição de actuação com grande facilidade.
1.3 MATERIAIS SEMICONDUTORES
4. Com suas palavras defina semicondutor, resistividade, resistência bulk e
resistência ôhmica de contato.
R: Semi-condutro é um material que pode atuar como isolante ou condutor e
possuir a capacidade de mudar de condição de atuação com grande facilidade.
Resistividade: É uma medida que se aplica a corrente elétrica que define ou que
se ope a passagem da corrente elétrica.
Resistência Ohmica de Contacto: É a posição em relação a passagem da corrente
letrica dentro de circuitos com correntes contínua, ou seja, é a soma das resistência de
mais de um elemento que integra cada circuito de um transformador.
5. (a) Usando o quadro 1.1, determine a resistência de uma amostra de silício
apresentando uma área de 1cm2 e um comprimento de 3 cm.
R:
Dados Fórmula Resolução
𝐿 (3𝑐𝑚)
l = 3cm 𝑅 = 𝑃∗𝐴 𝑅 = 50 ∗ 103 ∗ (1𝑐𝑚2 )
P=50*10^3 Ω-cm
A= 1cm^2 R= 150000 Ω-cm
(b)Repita a letra (a) se o comprimento for de 1 cm a área de 4 cm^2.
R:
Dados Fórmula Resolução
𝐿 (1𝑐𝑚)
l = 1cm 𝑅 = 𝑃∗𝐴 𝑅 = 𝟓𝟎 ∗ 𝟏𝟎𝟑 ∗ (4𝑐𝑚2 )
P=50*10^3 Ω-cm
A= 4cm^2 R= 12500 Ω-cm

(c)Repita a letra (a) se o comprimento for de 8 cm e a área de 0,5 cm2.

R:
Dados Fórmula Resolução
𝐿 (8𝑐𝑚)
l = 8cm 𝑅 = 𝑃∗𝐴 𝑅 = 𝟓𝟎 ∗ 𝟏𝟎𝟑 ∗ (0.5𝑐𝑚2 )
P=50*10^3 Ω-cm
A= 0.5cm^2 R= 800000 Ω-cm

6. (d) Repita a letra (a) para o cobre e compare os resultados.

R:
Dados Fórmula Resolução
𝐿 (3𝑐𝑚)
l = 3cm 𝑅 = 𝑃∗𝐴 𝑅 = 10−6 ∗ (1𝑐𝑚2 )
P= 10^-6Ω
A= 1cm^2 R= 3*10−06Ω ou 0.000003 Ω-cm

Percebeu-se com os resultados que a resistência do Material condutor é muito baixa em

relação ao material semi-condutor.
6. Esboce a estrutura atômica do cobre e discuta por que ele é um bom condutor
e de que forma sua estrutura e diferente da do germânio e do silício.
R:

K=2
L=8
M=18
N=1

O cobre é um bom condutor devido as seguintes características:

1- O cobre é um metal muito utilizado para a construção de condutores elétricos, já

que é muito dúctil e maleável.

2- Os condutores de cobre garantem a eliminação de prováveis falhas causadas por

maus contatos devido ao óxido que se forma no condutor, como o que poderia
ocorrer ao alumínio. Além disso, dão maior facilidade no uso de soldas nos
terminais e emendas.

3- Outra característica é que os cabos de cobre são menos volumosos, o que faz com
que seu transporte e instalação sejam mais fáceis.

A estrutura é diferente do Germânio e do Silício pois eles apresentam 4 eletrões na

última camada de valência.
7. Defina, com suas palavras um material intrínseco, um coeficiente de
temperatura negativo e ligação covalente.
R: Material Intrínseco: É aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura,
ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de
portadores de carga negativa.

Coeficiente de Temperatura negativo: É uma propriedade intensiva dos

materiais que quantifica a relação entre a variação da resistência elétrica de um
material e a alteração de temperatura.

Ligação Covalente: É quando os átomos compartilham eletrões para atingir a

estabilidade.
8. Pesquise e liste três materiais que apresentam um coeficiente de temperatura
negativo positivo.
R: Coeficiente de temperatura Negativo:
1- Carbono
2- Germânio
3- Silício
Coeficiente de temperatura Positivo:
1- Prata
2- Cobre
3- Aluminio

1.4 NÍVEIS DE ENERGIA

9. Qual é a energia em joules necessária para mover uma curva de 6 C através
de uma diferença de potencial de 3 V?
R: Dados Fórmula Resolução
q=6c W=q*U W=6*3
U= 3V W= 18eV
W?
10. Se 48V de energia é necessário para mover uma carga através de uma diferença
de potencial de 12 V, determine a carga envolvida.
R: Dados Fórmula Resolução
12
q=? W=q*U q= 48W
𝑈
U= 12V q= 𝑉 q= 0.25C
W= 48V
11. Pesquise e determine o nível de E, para GaP e ZnS, dos materiais
semicondutores utilizados na prática. Além disso, determine o nome de cada
material.
R: GaP: é a quantidade de energia necessária para que o elétron efetue essa
transição é chamada de gap de energia.
ZnS: É um composto químico com a fórmula química ZnS, conhecido também
como Sulfeto de Zinco.

1.5 MATERIAIS INTRÍNSICOS - Tipos n e p

12. Descreva a diferença entre os materiais semicondutores tipo n e tipo p.
R: A diferença pode consistir em:

1- Natureza do Elemento de Doping:

1.1 - No Material do Tipo P a impureza adicionada cria lacunas chamada
de Átomo Aceitante.
1.2 - No Material do Tipo N a impureza adicionada fornece eletrões
extras e é conhecida como o átomo doador.

2- Tipo de Dopagem.
2.1 - Impurezas trivalentes como Alumínio e o Gálio são adicionadas.
2.2 - Impurezas pentavalentes como Fósforo e Arsênio são adicionadas.

13. Descreva a diferença entre impurezas doadoras e aceitadoras.

R: A maior diferença consiste na adição de impurezas, ou seja, no processo de
dopagem, a impureza doadora são adicionados átomos Pentavalentes, já na
impureza aceitadora são adicionados átomos trivalentes.

14. Descreva a diferença entre portadores majoritário e minoritário.

R: A diferença entre eles vai se basear no Tipo em que se encontram, ou seja, a
diferença é que portadores Majoritários é quando existe uma maior quantidade de
eletrões em relação as lacunas, no lado N, já acontece o inverso no Lado P, existe
uma maior quantidade de lacunas em relação ao elétron.
15. Esboce a estrutura atômica do silício e insira uma impureza composta de
arsênio, como demostração para o silício na Fig.1.9.
R:

16. Repita o problema 15, mas insira agora uma impureza composta de índio.
R:

17. Pesquise e encontre uma outra explicação para o fluxo de lacuna versus
elétron. Usando ambas descrições, apresente com suas palavras o processo da
condução de buraco.
R: Se um elétron de valência adquire energia cinética suficiente para quebrar sua
ligação covalente e preencher o vazio criado por um buraco, então uma lacuna, ou
buraco, será criada na ligação covalente que liberou o elétron. Existe, portanto, uma
transferência de buracos para a esquerda, e de elétron para a direita.

1.6 DIODO SEMICONDUTOR

18. Descreva com suas palavras as condições estabelecidas pelas situações de
polarização directa e reversa em um diodo de junção p-n, como afectam a
corrente resultante.
R: Na polarização direta acontece com a associação do tipo p, positivo e do tipo
n. negativo, for estabelecida, a aplicação de um potencial de polarização direta força
eletrões do material do tipo n e os buracos do material do tipo p a recombinarem-se
com iões mais próximos, permitindo que a corrente passe pelo circuito.
 Na polarização reversa ao conectarmos o terminal positivo é conectado ao
material do tipo n e o terminal negativo é ligado ao material do tipo p, o numero de
iões positivos não combinados na região de depleção do material do tipo n
aumentará, o efeito é portanto um alargamento da região de depleção estabelecerá
uma barreira maior, impossibilitando a passagem da corrente eletrica.
19. Descreve o que você sabe dos estados de polarização directa e reversa do diodo
de junção p-n. Isto é, tente lembrar – se de qual potencial ( positivo ou
negativo) é aplicado a um determinado terminal .
R: É o potencial positivo, aplicado para receber os resultados aplicados nas
correntes, isto é, permitindo ou bloqueando a corrente.

20. Usando a Eq.(1.4). Determine a corrente de diodo a 20ºC para um diodo de

silício com Is = 50 nA e uma polarização directa aplicada de 0,6 V .
R:
21. Repita o problema 20 para T= 100ºC ( ponto de ebulição da água). Assuma que
I, aumentou para 5,0 uA.
22. (a) Usando a Eq.(1.4), determine a corrente de diodo a 20ºC para um diodo de
silício com Is = 0,1 uA em potencial de polarização reversa de – 10 V.
(b) O resultado é esperado porquê?
23. (a) Trace a função y= ex , com x de 0 a 5.

(b) Qual é o valor de y= ex , em x=o ?

(c) Baseado nos resultados da letra (b), por que o factor - 1 é importante na
Eq.(1.4)?
24. Na região de polarização reversa, a corrente de saturação de um diodo de
silício gira em torno de 0,1 uA ( 20ºC). Determine o seu valor aproximado se a
temperatura for aumentada para 40ºC.
25. Compare as características de um diodo de silécio e de germânio, e
determine qual você prefere para a maioria das aplicações práticas. Forneça
detalhes. Consulte uma lista do fabricante, e compare as características de uma
diodo de germânio e de silício e que apresentam especificações semelhantes.
R: Um díodo de silício apresenta uma diferença de potencial de de 0.7V, onde só
passará corrente eletrica se for aplicada uma tensão superior a 0.7V, caso não seja
aplicado ele passa a atuar como bloqueador de corrente.
Já os díodos de Germânio apresentam uma diferença de potencial de 0.3V.
Eu prefiro usar os díodos de Silício, pois além de serem mais duráveis do que os
díodos de germânio eles são bem mais fáceis de serem encontrados.
É aconselhável por especialista o uso do díodo de silício durante a elaboração do
projecto o uso do Silício para maior durabilidade.
26. Determine a queda de tensão directa através do diodo, cujas características
aparecem na Fig. 1.24, em temperaturas de 75ºC, 25ºC, 100ºC e 200ºC, e uma
corrente de 10mA. Para cada temperatura determine o nível da corrente de
saturação, Compare as situações extremas, e comente baseado na razão dos
resultados obtidos para as duas situações.