UNIDADE 1

MATERIAIS
SEMICONDUTORES

Eletrônica Analógica Prof° Dr. Hélio Ferreira

 Estrutura da Matéria
 Átomo: É o menor elemento químico que compõe
a molécula. O átomo é composto pelas partículas
denominadas elétrons, prótons e nêutrons.

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Estrutura do átomo Prof° Dr. Hélio Ferreira
 Estrutura da Matéria
 Camadas Eletrônicas: São os níveis de energia
onde se localizam os elétrons. Cada camada suporta
um número máximo de elétrons.

Camada atômica

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 Estrutura da Matéria
 Camada de Valência: É a última camada do átomo. É
responsável pela junção dos átomos para a formação
das moléculas.

 Na natureza, os únicos elementos que apresentam a

última camada completa (8 elétrons) são os gases
nobres.

 As camadas inferiores, uma vez completas, não cedem

nem recebem elétrons.

 Os elétrons de valência são os únicos em condição de

participar de fenômenos químicos ou elétricos.
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 Estrutura da Matéria
 Valência: Um átomo é estável quando apresenta a
última camada completa, ou seja, a primeira camada
possui dois e as restantes, no mínimo, oito elétrons.

Valência

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 Estrutura da Matéria
 Eletrovalência: Quando um dos átomos doa de forma
definitiva um elétron ao átomo vizinho.

Eletrovalência

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 Estrutura da Matéria
 Covalência: Quando os átomos compartilham elétrons
para atingir a estabilidade.

Covalência (CH4 Metano)

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 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Condutores: São elementos que possuem elétrons
livres em grande quantidade e são fracamente ligados ao
núcleo. Ex: ouro, prata e cobre

 Aplicando-se uma tensão nas extremidades de um fio

de cobre, os elétrons livres irão se movimentar de forma
ordenada formando a “corrente elétrica”.

 Quanto maior o número de elétrons livres, maior será o

fluxo de corrente.

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 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Os elétrons livres são os elétrons que saem dos
átomos.
 Os elétrons livres são responsáveis pela corrente
elétrica nos materiais condutores.

Estrutura atômica do Cobre

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 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Condutores

Cabos de eletricidade Linhas de transmissão de Placas de circuito

energia eletrônico

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Cabos de comunicação Prof° Dr. Hélio Ferreira
 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Isolantes: São elementos onde os elétrons encontram-
se fortemente ligados ao núcleo.

 Oferecem uma resistência elétrica elevada ao fluxo de

corrente.
Ex: borracha, vidro, porcelana

 Resistência Elétrica => dificuldade de se obter uma

maior intensidade de corrente elétrica em um meio.

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 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Isolantes:

Luvas e botas isolantes

Proteção isolante dos
condutores

Eletrônica Analógica Isoladores elétricos Prof° Dr. Hélio Ferreira

 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Semicondutores: São elementos cuja resistência
situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes.
Ex: silício e germânio.
 Tanto o silício quanto o germânio possuem um total de
quatro elétrons na camada de valência.

Representação esquemática dos átomos de Germânio (Ge) e Silício (Si)

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 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Semicondutores:

Silício
Dispositivos semicondutores

Chip de silício
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 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Isolantes são materiais que apresentam de 5 a 8
elétrons na camada de valência, sendo que o material
com 5 elétrons será menos isolante que um material de 8
elétrons na ultima camada. Quanto mais camada o
elemento tiver, menos isolante ele será.

 Condutores possuem de 1 a 3 elétrons em sua

camada de valência, sendo que o elemento que tiver 1
elétron na camada de valência será mais condutor que
um elemento que possuir 3 elétrons. Quanto mais
camadas o elemento tiver, mais condutor ele será.

 Semicondutores como o Germânio e o Silício

apresentam 4 elétrons na camada de valência.

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 Condutores, Isolantes e Semicondutores
 Resistividade de alguns materiais

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 Semicondutores
 Para haver corrente elétrica nos semicontudores é
necessário romper as ligações covalentes.
 Uma ligação de átomos, baseada no
compartilhamento de elétrons, é chamada ligação
covalente.

Estrutura cristalina do silício a -273°C

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 Semicondutor

Na estrutura atômica isolada, os níveis de energia são

discretos associados com cada elétron em órbita.

Entre os níveis discretos de

energia existem espaços, nos
quais nenhum elétron está
presente na estrutura atômica
isolada.
 Semicondutor

Níveis de energia (a) niveis discretos na estrutura isolada e (b) banda de

condução e de valência de um material isolante, semicondutor e condutor.
 Semicondutores
 Formação das Lacunas: Com o rompimento da
ligação covalente (temperatura ambiente) ocorre a
liberação do elétron. O espaço vazio originado (lacuna
ou buraco) comporta-se como uma carga positiva.

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Formação das lacunas Prof° Dr. Hélio Ferreira
 Semicondutores
 Mecanismo de Condução de Elétrons e Lacunas:
 Cada elétron retirado do material pelo pólo positivo da
bateria ocasiona a formação de uma lacuna, porém o
pólo negativo dela se encarrega de repor um outro
elétron.

 Existem duas correntes dentro do material

semicondutor, uma de portadores positivos (lacunas) e
outra de portadores negativos (elétrons).

Mecanismo de condução de elétrons e lacunas

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 Semicondutores
 Mecanismo de Condução de Elétrons e Lacunas:

Mecanismo de condução de elétrons e lacunas

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 Semicondutores Tipo P e N
 Recombinação: Durante o movimento, elétrons e
lacunas se recombinam. Desse modo, não existirão
portadores de carga (elétrons ou lacunas) livres
indefinidamente.

Dopagem: Processo utilizado para constituir os

semicondutores P e N através da adição de pequenas
quantidades de impurezas ao silício ou ao germânio.

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 Impurezas Doadoras e Receptoras
 Impurezas Doadoras: São impurezas responsáveis
por fornecer elétrons excedentes no processo de
dopagem do silício ou do germânio. Criando o material
ou estrutura tipo N.
Ex: antimônio, fósforo e arsênio.

 Impurezas Receptoras: São impurezas responsáveis

por dar origem à formação de lacunas no processo de
dopagem do silício ou do germânio. Criando o material
ou estrutura tipo P.
Ex: alumínio, índio e boro.

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 Dopagem do Semicondutor Tipo P
 É adicionado ao silício (Si) pequena quantidade de
material trivalente (3 elétrons na última camada) como o
Índio (In).
 Nesse caso, estará sempre sobrando uma lacuna.
 O material semicondutor com excesso de lacunas é
denominado tipo P. Tornam-se estruturas que aceitam
elétrons.

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Adição de material trivalente ao silício Prof° Dr. Hélio Ferreira
 Dopagem do Semicondutor Tipo N
 É adicionado ao silício (Si) pequena quantidade de
material pentavalente (5 elétrons na última camada)
como o Arsênio (As).
 Nesse caso, estará sempre sobrando um elétron.
 O material semicondutor com excesso de elétrons é
denominado tipo N. Tornam-se estruturas que fornecem
elétrons.

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Adição de material pentavalente ao silício Prof° Dr. Hélio Ferreira
 Grafeno
 Material que promete substituir o silício na fabricação de
diversos componentes eletrônicos.
 O grafeno é constituído por uma camada extremamente
fina de grafite. Trata-se de uma forma pura de carbono
descoberta em 2004.

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 Grafeno
 O que torna o material especial é a estrutura hexagonal
com que seus átomos individuais estão distribuídos, que
gera uma folha plana (com somente um átomo de
espessura) que, se enroladas, geram nanotubos de
carbono.

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 Grafeno
 O que torna o material especial é a estrutura hexagonal
com que seus átomos individuais estão distribuídos, que
gera uma folha plana (com somente um átomo de
espessura) que, se enroladas, geram nanotubos de
carbono.

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 Grafeno
 Um material tão ou mais revolucionário do que o
silício, extremamente forte, leve, flexível, ótimo condutor
de eletricidade, excelente condutor térmico e quase
totalmente transparente.
 A estrutura atômica das moléculas proporciona
máxima flexibilidade com extrema resistência.

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