TÉCNICO EM

ELETROELETRÔNICA

Semicondutores

Disciplina de Eletrônica Geral I

Professor Tarcísio Pollnow Kruger
tarcisiokruger@gmail.com – tarcisio.kruger@ifsc.edu.br

Itajaí – SC
2017
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ELETROELETRÔNICA

Sumário
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ELETROELETRÔNICA

Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
O átomo é formado basicamente por três partículas elementares:
elétrons, prótons e nêutrons. A carga elétrica do elétron é igual a do
próton, porém de sinal contrário. Os elétrons giram em torno do núcleo
(composto de prótons e nêutrons) distribuídos em até sete camadas. Em
cada átomo, a camada mais externa é chamada de camada de valência e
geralmente é ela que participa das reações químicas.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Condutores:
São materiais que oferecem pouca resistência à passagem de
corrente. Quanto menor a resistência, melhor condutor é o material. O
que caracteriza o material bom condutor é o fato de que os elétrons da
camada de valência estão fracamente ligados ao núcleo, encontrando
facilidade de abandonar seus átomos e se movimentarem livremente pelo
material.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Condutores:
O cobre, por exemplo, com somente um elétron em sua camada de
valência, tem facilidade em cedê-lo para ganhar estabilidade. O elétron
cedido pode tornar-se um elétron livre.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Isolantes
São materiais que possuem uma resistividade muito alta,
bloqueando a passagem da corrente elétrica. Os elétrons de valência são
fortemente ligados a seus átomos, sendo necessária muita energia para
desprender elétrons das moléculas, necessários à circulação de corrente
pelo material.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Isolantes
Exemplos de isolantes: borracha natural (látex), borracha sintética,
plástico, cerâmica, vidro, o ar, a água pura, óleo, etc.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
São materiais que apresentam resistividade intermediária. Como
exemplo, temos o germânio (Ge) e o silício (Si).
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Os átomos desses elementos possuem quatro elétrons na camada de
valência. Quando esses átomos agrupam-se, formam uma estrutura
cristalina, ou seja, são substâncias cujos átomos se posicionam
regularmente espaçados, formando estruturas ordenadas.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Nessa estrutura, cada átomo une-se a outros quatro, por meio de
ligações covalentes, e cada elétron da camada de valência é
compartilhado com um átomo vizinho. Assim cada dois átomos adjacentes
compartilham dois elétrons.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Essas estruturas cristalinas, compostas exclusivamente de átomos
iguais, são chamadas de cristais semicondutores intrínsecos.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Se as estruturas não permitissem o rompimento das ligações
covalentes, o silício e o germânio seriam materiais isolantes. Entretanto,
com o aumento da temperatura, algumas ligações recebem energia
suficiente para se romperem, fazendo com que elétrons passem a se
movimentar pelo cristal, tornando-se elétrons livres.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Com a quebra das ligações, no local onde havia um elétron, passa a
existir uma região com carga positiva, já que o desbalanceamento de
cargas faz com que o átomo fique com um próton a mais, tornando a
região mais receptiva a elétrons. Essa região positiva recebe o nome de
lacuna.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
As lacunas não existem realmente, pois são espaços vazios deixados
por elétrons que deixaram suas ligações covalentes.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Sempre que uma ligação é rompida, surgem um elétron livre e uma
lacuna. Ao mesmo tempo, o processo de recombinação ocorre quando
um elétron livre preenche uma lacuna.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Como os elétrons livres e as lacunas aparecem e desaparecem aos
pares, pode-se afirmar que o número de lacunas é sempre igual ao de
elétrons livres.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Efeito da diferença de potencial: Quando o cristal de silício ou
germânio é submetido a uma diferença de potencial, os elétrons livres se
movem em direção ao maior potencial elétrico, fazendo com que as
lacunas se desloquem no sentido contrário.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Efeito avalanche: Quando um cristal semicondutor intrínseco é
submetido a uma diferença de potencial, ele permite a passagem de uma
corrente baixa, devido a sua resistividade.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Efeito avalanche: Com a circulação de corrente, parte da potência é
dissipada em forma de calor, outra parte é absorvida por elétrons, o que
aumenta seu nível de energia, fazendo com que troquem de camada ou
sejam libertos de seus átomos, caso estejam na camada de valência.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Efeito avalanche: Esse processo aumenta a disponibilidade de
portadores para a circulação de corrente, que aumenta a energia
absorvida pelos elétrons e a dissipação de calor.
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Teoria dos semicondutores

Estrutura do átomo
Materiais Semicondutores
Efeito avalanche: Essa cadeia de causa e efeito, chamada efeito
avalanche, faz com que surjam níveis de corrente tão altos que destroem
o dispositivo.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Cristais intrínsecos
Os cristais semicondutores são encontrados na natureza misturados
a outros elementos. Dada a dificuldade de se controlar as características
dos cristais in natura, é feito um processo de purificação do cristal,
gerando o cristal intrínseco.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Cristais intrínsecos
O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal
que, não-intencionalmente, possui não mais de um átomo de elemento
químico estranho para cada um bilhão (109) ou trilhão (1012) de átomos
do material escolhido. A interferência da impureza não é suficiente par
interferir na estabilidade do material, sendo o cristal, portanto, estável.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Cristais extrínsecos
Em seguida, são injetados propositalmente e de forma controlada
átomos de outro elemento, que são chamados de impurezas. O cristal
intrínseco, com a adição de impurezas, passa a se chamar cristal
semicondutor extrínseco.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Cristais extrínsecos
As impurezas são introduzidas na ordem de 1 átomo de impureza
para 106 átomos do material semicondutor. O nome desse processo é
chamado dopagem, e é responsável por introduzir elétrons livres ou
lacunas no cristal semicondutor.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Cristais extrínsecos
Como consequência da dopagem, a concentração de portadores de
carga aumenta significativamente, da ordem de 10.000:1 a 1.000.000:1
dependendo do nível de dopagem realizado.
As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor
podem ser de dois tipos:
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Impurezas doadoras: São adicionados átomos pentavalentes (com 5
elétrons na camada de valência, como o Fósforo e o Antimônio).

Si Si Si
Elétron
Si P Si Livre

Si Si Si
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Impurezas doadoras: O átomo pentavalente substitui um átomo de
silício dentro do cristal, absorvendo suas 4 ligações covalentes e restando
um elétron fracamente ligado ao núcleo do átomo pentavalente. Assim
uma pequena quantidade de energia pode tornar esse elétron livre.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Impurezas receptoras: São adicionados átomos trivalentes (com 3
elétrons na camada de valência, como Boro, Alumínio e Gálio).

Si Si Si
Lacuna
Si B Si

Si Si Si
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Impurezas receptoras: O átomo trivalente substitui um dos átomos
do cristal, absorvendo três das quatro ligações. Isto significa que existe
uma lacuna (falta de elétron) na camada de valência em cada átomo
trivalente.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de elétrons
livres ou excesso de lacunas (falta de elétrons).

Si Si Si Si Si Si
Elétron
Lacuna
Si P Si Livre Si B Si

Si Si Si Si Si Si
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Semicondutor tipo N: Os cristais dopados com impurezas doadoras
são chamados de semicondutores tipo N (negativo), que devido ao maior
número de elétrons livres que lacunas, os elétrons livres são chamados
de portadores majoritários em semicondutores tipo N, enquanto que as
lacunas são os portadores minoritários.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Semicondutor tipo P: Os cristais dopados com impurezas receptoras
são de tipo P (positivo), pois apresentam mais lacunas do que elétrons
livres. Assim os portadores majoritários em semicondutores tipo P são as
lacunas, enquanto que os minoritários são os elétrons.
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Teoria dos semicondutores

Impurezas
Portadores minoritários: A existência dos portadores minoritários
nos cristais se deve às imperfeições no processo de purificação que não é
capaz de retirar todos os átomos diferentes. Assim, apesar dos esforços,
sempre restam impurezas, tanto doadoras quanto receptoras no cristal
intrínseco em pequena quantidade, cerca de 1 impureza a cada 1010
átomos.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Quando um material semicondutor tipo N é unido a outro tipo P, de
modo a formar um bloco composto e fundido na área da junção, uma
junção PN é formada.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Esta é a base da constituição de todos os dispositivos de estado
sólido, desde os diodos semicondutores até circuitos integrados e
microprocessadores.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Quando a junção PN é formada, alguns elétrons do material tipo N
atravessam essa junção, tomando o lugar das lacunas do material tipo P.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Esse deslocamento de elétrons que ocorre durante a formação da
junção é chamada corrente de difusão e ocorre apenas na zona próxima a
junção.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Em determinado momento a corrente de difusão cessa. Isto ocorre
porque os elétrons do cristal N não encontram lacunas para se
movimentar pela camada de depleção. O mesmo ocorre com as lacunas
que ficaram isoladas no lado P. Ou seja, a camada de depleção é uma
espécie de "zona morta" onde não há espaço para movimentação de
elétrons e lacunas.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Após cessar a corrente de difusão, tem-se como consequência uma
ionização positiva ou formação de cátions no material tipo N e uma
ionização negativa ou formação de ânions no material tipo P.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Esta ionização dos materiais tipo P e N ocorre apenas na zona
próxima a junção porque a presença de elétrons no material tipo P
constitui uma barreira, que impede que todos os elétrons do material
tipo N se recombinem com as lacunas do material tipo P.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
A zona da junção, onde ocorrem as ionizações, é conhecida como
região de carga especial, região de esgotamento, região de transição ou
zona de depleção.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Devido à ionização ocorrida na região, aparece aí uma diferença de
potencial, tendo sua polaridade positiva no material tipo N e a negativa no
material tipo P.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Essa diferença de potencial é chamada de potencial de barreira ou
tensão de barreira de potencial (VB) e tem um valor diferente para cada
tipo de material da junção PN: o potencial de barreira de uma junção PN
de silício varia de 0,6 V a 0,8 V e de uma junção de germânio varia de 0,2 V
a 0,4 V.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Inversamente: Quando uma fonte de tensão
contínua (Vcc) é aplicada nos extremos de uma junção PN de maneira que
o polo negativo da fonte seja ligado ao material tipo P e o polo positivo da
fonte ao material tipo N, diz-se que a junção PN está polarizada
inversamente.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Inversamente: Neste caso, a região da
transição aumenta, pois as lacunas do material tipo P e os elétrons livres
do material tipo N são atraídos para longe da junção, deixando em seu
lugar átomos carregados eletricamente: cátions no material tipo N e
ânions no material tipo P.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Inversamente: Assim, o potencial de barreira
aumenta, ficando com valor igual à da tensão da fonte.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Inversamente: Por não dispor de portadores
de corrente próximos à zona da junção, a corrente no circuito é
praticamente zero (existe somente uma corrente de fuga, praticamente
desprezível).
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Inversamente: A tensão inversa da fonte não
pode ser aumentada indefinidamente sobre a junção PN.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Inversamente: Existe um limite máximo para
cada dispositivo, conhecida como Tensão Reversa de Ruptura ou Tensão
Inversa de Pico Máxima (VRRM), fornecido pelo fabricante. Se a tensão
inversa superar este valor, ocorre o efeito avalanche, a resistência da
junção cai bruscamente e a corrente sobe a níveis insuportáveis pela
junção, vindo a destruí-la.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Diretamente: Quando uma fonte de tensão é
aplicada nos extremos de uma junção PN de maneira que o polo positivo
da fonte seja ligado ao material tipo P e o polo negativo da fonte ao
material tipo N, diz-se que a junção PN está polarizada diretamente.
VB

P N

VCC
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Junção PN
Junção PN Polarizada Diretamente: Neste caso, se a tensão da fonte
for de valor inferior a VB, a intensidade da corrente é praticamente zero.
Se a tensão for maior ou igual a VB, um fluxo de corrente se estabelece
através dos materiais P e N, com valor entre milhares e bilhões de vezes
maiores que a corrente de fuga, encontrada na polarização reversa.
VB

P N

VCC
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Diretamente: Quando a tensão da fonte for
maior que VB, a região de transição se estreita e os elétrons livres do
material tipo N atravessam a junção para se recombinar com as lacunas do
material tipo P. Para cada elétron que atravessa a junção,
simultaneamente outro ingressa no material tipo N proveniente do polo
negativo da fonte e outro abandona o material tipo P em direção ao
positivo da fonte.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Diretamente: Quanto maior for o valor da
tensão de polarização direta, maior a corrente que circula na junção PN.
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Teoria dos semicondutores

Junção PN
Junção PN Polarizada Diretamente: A tensão da fonte não pode ser
aumentada indefinidamente, pois existe um limite máximo da corrente
que uma junção PN suportar. Este valor é expresso por Ifmáx (corrente
direta máxima).
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Teoria dos semicondutores

Exercícios
1 - Caracteriza um material semicondutor.
2 - O que é uma estrutura cristalina?
3 - O que significa material semicondutor intrínseco?
4 - Por que dizemos que um determinado átomo é trivalente?
5 - O que é dopagem de um semicondutor?
6 - O que são impurezas aceitadoras?
7 - Como obtemos materiais semicondutores tipo P e tipo N?
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Teoria dos semicondutores

Exercícios
8 - Quais são os portadores de corrente no material tipo P?
9 - Como polarizamos diretamente uma junção PN? Qual seu
comportamento neste caso?
10 - O que ocorre internamente em uma junção PN polarizada
inversamente?
11 - Explique o que é o efeito avalanche.
12 - O que é corrente de difusão?
13 - O que é região de depleção?
14 - O que é potencial de barreira ou tensão de barreira de potencial? Quais
são as faixas de valores para a junção PN do silício, e para a junção do germânio.
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Semicondutores e diodos
Referências bibliográficas:
BOYLESTAD, Robert L., LOUIS Nashelsky. Dispositivos Eletrônicos e
Teoria de Circuitos. 11ª Ed: Pearson, 2013.
MALVINO, A. P.. Eletrônica. 1 ed. Vol. 1 São Paulo: McGraw-Hill,
1987a.
SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 5 ed. São Paulo: Pearson
Prentice Hall, 2007.
BRAATZ, Luciano. Apostila de Eletrônica Geral I. Curso de eletrônica,
Instituto Federal Sul-Rio-Grandense, 2015.