Pontifcia Universidade Catlica de Minas Gerais

Laboratrio de Fsica Geral III

Prof. Jos Carlos Bezerra Filho
Aluno: Renato Martins Ferreira 489331

Relatrio - Atividade 5
Dispositivos hmicos e No hmicos

Objetivo

Observar, usando um circuito simples, o comportamento hmico ou

no-hmico de um resistor, uma lmpada e um diodo.

Introduo

Quando um componente de um circuito eltrico submetido a uma

diferena de potencial V, aparece nele uma corrente I. A resistncia eltrica R
desse elemento definida pelo quociente entre diferena de potencial aplicada
e a corrente resultante:
V
R=
I
O comportamento de uma funo de V depende das caractersticas do
componente eltrico. Quando a relao V/I constante para qualquer valor de
V, o elemento chamado de resistor linear.Essa situao corresponde lei de
Ohm, segundo a qual a corrente em um resistor diretamenteproporcional
diferena de potencial, ou tenso eltrica, aplicada nele. Os resistores lineares
so,tambm, chamados de resistores hmicos. Os materiais de que so feitos
os resistores hmicoscomerciais so o filme de carbono, o filme do metal
nquel (Ni) e o enrolamento de um fio feito daliga metlica nquel cromo (Ni
Cr).
A variao da temperatura de um dispositivo hmico devido ao efeito
Joule pode acarretar nodesvio da lei de Ohm. O aumento da temperatura leva
ao aumento da resistncia eltrica R. Para cadatenso eltrica o dispositivo
apresenta um valor diferente para R. A curva caracterstica V x I de
umdispositivo hmico no qual esse fenmeno fsico se apresenta , em geral,
uma parbola. A lmpadade incandescncia um exemplo tpico de dispositivo
hmico que apresenta este comportamento.
Nos materiais semicondutores a lei de Ohm observada apenas para
campos eltricos abaixode certo valor. O diodo de silcio um exemplo de
material semicondutor. Os quatro eltrons devalncia de cada tomo em um
cristal de silcio esto envolvidos em ligaes covalentes perfeitas, deforma
que no podem se mover entre os tomos. Um cristal de silcio puro
praticamente umisolante, muito pouca eletricidade passa por ele. possvel
alterar o comportamento do silcio etransform-lo em um condutor dopando-o.
Na dopagem, mistura-se uma pequena quantidade deimpurezas ao cristal de
silcio. Existem dois tipos de impurezas:
 Tipo n- Na dopagem tipo n, o fsforo ou o arsnico adicionado ao
silcio em pequenasquantidades. O fsforo e o arsnico possuem cinco
eltrons externos cada um, de formaque ficam fora de posio quando
entram no reticulado de silcio. O quinto eltron no tem aque se ligar,
ganhando liberdade de movimento. Apenas uma pequena quantidade
deimpurezas necessria para criar eltrons livres o suficiente para
permitir que uma correnteeltrica flua pelo silcio. O silcio tipo n um
bom condutor. Os eltrons possuem uma carganegativa, da o nome
tipo n.

Tipo p- Na dopagem tipo p, o boro ou o glio o dopante. O glio e o

boro possuem apenas trs eltrons externos cada um. Quando
misturados no reticulado de silcio, formam "buracos" ou "lacunas" e um
eltron do silcio no tem a que se ligar. A ausncia de eltron cria o
efeito de uma carga positiva, da o nome tipo p. Lacunas podem
conduzir corrente. Uma lacuna aceita muito bem um eltron de um
vizinho, movendo a lacuna em um espao. O silcio tipo p um bom
condutor.

Uma quantidade minscula de dopagem tipo n ou tipo p leva um cristal

de silcio de bomisolante a um condutor vivel, mas no excelente - da o nome
semicondutor. Os silcios tipo n e tipop no so to impressionantes sozinhos,
mas quando juntos, consegue-se um comportamento beminteressante, que d
ao diodo suas propriedades nicas.
Os buracos do material tipo p se encontram com os eltrons do material tipo n,
gerando uma zona vazia desprovida de portadores de carga. Quando o
material composto ligado a uma bateria, os eltrons negativos no silcio tipo n
e as lacunas positivas no silcio tipo p so atrados para os terminais positivo e
negativo da bateria, respectivamente. Portanto, nenhuma corrente flui pela
juno. Nesta situao, dizemos que o diodo semicondutor est em polarizao
reversa. Mas, se a bateria invertida, o diodo conduz a eletricidade muito bem.
Os eltrons livres no silcio tipo nso repelidos pelo terminal negativo da bateria
e as lacunas no silcio tipo p so repelidas pelo terminal positivo. Na juno
entre o silcio tipo n e o silcio tipo p as lacunas e os eltrons se encontram. Os
eltrons preenchem as lacunas. Ambos deixam de existir e novas lacunas e
eltrons surgem em seu lugar. O efeito que a corrente flui pela juno. Nesta
situao, dizemos que o diodo semicondutor est em polarizao direta.
Teoricamente, a dependncia I(V) de um diodo de silcio dada pela equao
V
V0
I =I 0(e 1) , que, para V>0,1 V, pode ser aproximada por:
V

I =I 0e V 0

I 0 uma pequena parte corrente, aproximadamente constante, que aparece

em polarizao direta, e V0 uma constante dada por
K T
V 0=2 B
q
em que kB a constante de Boltzmann, q a carga do eltron e T a
temperatura absoluta (Kelvin). Assim temperatura ambiente (~300K),
V 0 0,052 V .
 Quando polarizado diretamente, uma pequena quantidade de tenso
VF necessria para fazer o diodo funcionar, isto , para iniciar o processo de
combinao lacuna-eltron na juno. No silcio, essa tenso ,
aproximadamente, 0,7 V.

Procedimentos

Utilizando uma fonte universal de tenso contnua, um voltmetro, um

miliampermetro, uma lmpada de 6V, um resistor de 47, um diodo
semicondutor e cabos de ligao, monte o circuito abaixo:

Varie a tenso no resistor e mea a corrente eltrica no circuito.Repita

os mesmos procedimentos, substituindo o resistor pela lmpada. O valor
mximo de tenso permitida para a lmpada 6,0 V. Anote os
resultados;
Repita os mesmos procedimentos, substituindo o resistor pela lmpada.
O valor mximo de tenso permitida para a lmpada 6,0 V. Anote os
resultados;
Substitua a lmpada pelo diodo na polarizao direta. Varie a tenso
lentamente e identifique o valor de VF.

V F =0,6 V

Mea a corrente no diodo em funo da tenso. O professor lhe

informar o valor mximo de V permitido para o diodo. Anote os
resultados;

VR (V) 3% IR (A) 3% VL (V) 3% IL (A) 3% VD (V) 3% ID (A) 3%

1,0 0,024 0,2 0,060 0,1 0,0
2,0 0,045 0,4 0,075 0,2 0,0
3,0 0,065 0,6 0,088 0,3 0,00001
4,0 0,088 0,8 0,101 0,4 0,00006
5,0 0,118 1,0 0,120 0,5 0,00043
6,0 0,140 2,0 0,165 0,6 0,0265
- - 3,0 0,200 0,7 0,022
- - 4,0 0,230 0,8 0,165
- - 5,0 0,260 - -
- - 6,0 0,285 - -

Construa trs grficos: VR x IR; VL x IL; ID x VD. Use o programa Scidavis.

 A relao linear em algum deles? Em caso afirmativo, faa uma
regresso linear e determine a inclinao e seu significado.
R.: Sim, no resistor. A regresso mostra que V/I tem uma relao
constante.

H grficos onde a relao no linear? Qual(is)? Por que no so

lineares?
R.: Sim, lmpada e diodo. O grfico gerado no uma funo de
primeiro grau, sendo assim, a relao V/I do grfico e da lmpada e
do diodo no se mantm constantes.

Concluso

Aps realizar todos os procedimentos e construir os grficos, possvel

notar que um nico componente que apresenta um comportamento linear o
resistor,seu grfico VR x IR uma funo do primeiro grau,sendo a relao V/I
constante.Os demais componentes,lmpada e diodo,apresentaram curvas
diferentes de primeiro grau,sendo assim a relao V/I no se mantm
constante.