Eletricidade Aplicada - Engenharia Química

Aluna: Gabriela Pozzebon Data: 25/11/2021

Professor: Eloir De Carli

Relatório – Curva característica do Diodo de Silício

Introdução

Os diodos semicondutores são componentes eletrônicos que são construídos por um

material semicondutor, geralmente o Silício (Si) ou Germânio (Ge). Um semicondutor
pode ter sua condutividade controlada por meio da adição de impurezas, ou seja, materiais
com átomos trivalentes ou pentavalentes através de um processo chamado de dopagem.
(MATTEDE, [20--])

Segundo Sze (1981):

Um diodo semicondutor consiste numa junção de uma camada de

semicondutor tipo N com outra de semicondutor tipo P. Num semicondutor
tipo N, os portadores de carga – ou seja, as partículas que participam da
condução elétrica – são elétrons livres, enquanto num semicondutor tipo P, são
buracos livres, de carga positiva.

Quando ocorre a junção PN, os elétrons livres provenientes do cristal tipo N

preenchem as lacunas do cristal tipo P. Dessa forma, acaba ocorrendo o equilíbrio entre
as cargas, ou seja, ocorrendo uma recombinação das cargas. No entanto, essa
recombinação ocorre somente no centro desta junção, pois é aonde há uma maior força
de atração. Essa região central é chamada de camada de depleção ou barreira de potencial.
(MATTEDE, [20--])

De acordo com Teixeira [20--], a condução de corrente elétrica dependerá da forma

como o diodo está polarizado, podendo ser de duas formas:

 Polarização reversa: Onde o terminal positivo da fonte de tensão está conectado

ao lado N da junção. Por causa da atração que ocorre entre os polos opostos,
as cargas no diodo irão se concentrar nas extremidades, aumentando a barreira
de potencial. Em decorrência disso, a corrente elétrica não consegue circular.
  Polarização direta: A tensão irá fazer com que as cargas se repelem, indo em
direção ao centro e diminuindo a barreira de potencial. Quanto maior a tensão,
mais cargas se repelem e menor é a barreira de potencial. Em consequência
disso, quando a tensão chega a um certo nível não há mais barreira de potencial,
assim as cargas ficam livres para se encontrarem e os elétrons livres podem se
recombinar preenchendo as lacunas, ocasionando a passagem de corrente
elétrica.

Segundo Castro [20--], esse comportamento característico do diodo gera uma curva de
corrente em relação à tensão muito característica. Essa curva, representada na Figura 1, é
denominada de curva não ôhmica.

Figura 1: Curva do diodo.

Fonte: (CASTRO, [20--])

Com o objetivo de pôr em prática o conhecimento adquirido sobre o diodo, no dia 18

de novembro de 2021, no Campus Feliz, houve a realização da atividade experimental a
fim de determinar experimentalmente a curva característica de um diodo de Silício,
utilizando os equipamentos necessários e roteiro auxiliar.

Procedimento Experimental

Seguindo o roteiro sobre a curva característica do diodo de Silício, disponibilizado no

ambiente virtual do Moodle, é necessário para a realização do procedimento experimental
alguns equipamentos:
  1 Placa protoboard;
 1 Fonte DC de 3,3V (Arduino);
 1 Resistor de 2,2kΩ;
 Conjunto de fios de ligação;
 2 Multímetros digitais (1 azul e 1 amarelo);
 1 Diodo 1N4007;
 1 Resistor variável de 5k;

O experimento em si foi subdividido essencialmente em três procedimentos que serão

elucidados abaixo e que constam no roteiro:

1. Polarização direta do diodo: Nessa primeira etapa, foi necessário montar na placa
protoboard o circuito esquematizado na Figura 2, com ele desligado. Após isso, foi
ajustada a escala do amperímetro para 2000μA e a do voltímetro em 2V.

Figura 2: Montagem do circuito para a determinação da curva característica.

Fonte: (ROTEIRO, 2021).

Após a montagem do circuito, ele foi ligado e vagarosamente foi realizada a variação
da tensão sobre o diodo a fim de observar os resultados. Também foi feito o cálculo da
potência elétrica dissipada pelo diodo, através da equação 𝑃 = 𝑖 ∗ 𝑈.

2. Polarização reversa do diodo: A montagem é a mesma da Figura 2 mas, com esse

circuito desligado, foi feita a inversão dos polos do diodo e ajustado a escala do
amperímetro para 2000μA e a do voltímetro para 20V.
 Prontamente, o circuito foi ligado e foi realizada uma variação da tensão da fonte
anotando os resultados. Feito isso, a potência elétrica dissipada pelo diodo também foi
calculada.

3. Análise dos resultados e conclusões: Nessa última etapa de procedimentos,

analisando os valores obtidos durante as etapas anteriores, foi feita a construção do
gráfico de diferença de potencial (V) versus intensidade de corrente elétrica (A).
Ademais, foram realizadas análises em relação a tensão no diodo, e também foi feita uma
comparação entre os resultados observados experimentalmente na polarização direta e na
polarização reversa. Além disso, foi discutido o porquê da utilização de um diodo zener
ao invés de um diodo convencional.

Resultados e Discussão

Seguindo o primeiro procedimento do roteiro, a Figura 3 mostra o circuito que foi

montado para a determinação da curva característica em uma polarização direta.

Figura 3: circuito para a determinação da curva característica.

Fonte: Imagem do autor.

Todos os valores obtidos experimentalmente, e o cálculo da potência (W) podem ser

observados na Tabela 1 onde há a comparação dos resultados.

Tabela 1: Comparativo entre os valores de tensão e corrente (Polarização direta).

U (V) 0,2 0,4 0,5 0,6 0,62 0,64 0,66 0,67 0,68

i (μA) 0,0 0,0 0,5 11,0 22,1 44,7 91,4 130,0 188,4

P (W) 0,0 0,0 2,5x10−7 6,6x10−6 1,4x10−5 2,9x10−5 6,0x10−5 8,7x10−5 1,3x10−4

Fonte: Autor próprio.

Percebe-se que, por ser uma polarização direta, a tensão fez com que as cargas se
repelissem, indo em direção ao centro e diminuindo a barreira de potencial no diodo. Por
isso, quanto maior a tensão, maior a passagem de corrente elétrica. Ademais, pode-se se
observar que a tensão de joelho ocorreu em 0,6V, a partir daí, a corrente elétrica começou
a aumentar rapidamente porque houve a inibição da barreira de potencial existente. Isso
pode ser observado no Gráfico 1.

No procedimento seguinte, os valores teóricos e experimentais obtidos na

polarização reversa e o cálculo da potência (W) podem ser verificados na Tabela 2
abaixo:

Tabela 2: Comparativo entre os valores de tensão e corrente (Polarização reversa).

U (V) 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,4 1,6 1,8 1,9

i (mA) 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,01 0,07 0,11 0,28

P (W) 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 1,4x10−5 1,1x10−4 2,0x10−4 5,3x10−4

Fonte: Autor próprio.

Por causa da atração que ocorre entre os polos opostos, as cargas no diodo se
concentraram nas extremidades, aumentando a barreira de potencial neste caso. No
entanto, há um ponto chamado de tensão de ruptura, que é o limite que o diodo consegue
impedir a circulação da corrente. A partir daí, com a ruptura da barreira de potencial, uma
corrente considerável começa a circular. No experimento realizado, não foi obtida a
tensão de ruptura, foram registrados apenas indícios de passagem de corrente pelo diodo
que começaram em 1,4V.
 O motivo para a utilização do diodo zener neste experimento ao invés de um diodo
convencional pode ser explicado por Chiesse (2003):

Comparando o diodo zener com o diodo comum, podemos concluir que

o diodo zener é fabricado justamente para trabalhar com a polarização reversa.
Desse modo, quando a tensão de ruptura do diodo zener é atingida, a mesma
torna-se praticamente constante independentemente da corrente que passa
pelo diodo.

Abaixo, está presente o Gráfico 1 onde se pode observar a curva característica do

diodo de Silício e os demais aspectos abordados.

Gráfico 1: Circuito elétrico da associação em paralelo.

0,0003

0,0002

0,0001
Tensão (V)

0
-2,5 -2 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1
-0,0001

-0,0002

-0,0003

-0,0004
Corrente (A)
i(A)

Fonte: Autor próprio.

Observação: Não foi possível colocar uma linha de tendência exponencial no Excel.

A fim de incrementar ainda mais os estudos, abaixo na Tabela 3 há a resistividade de

um material condutor (Prata), de um semicondutor (Silício) e de um isolante (Vidro).
(EDUFER, [20--])

Tabela 3: Resistividade de um condutor, semicondutor e isolante.

Material Resistividade (Ω x mm²) a 20ºC

 Prata (Ag) 0,0158

Silício (Si) 64 x 107

Vidro 1016 a 1020

Fonte: Autor próprio.

Observa-se que quanto mais condutor é o material, menor é a sua resistividade e,

consequentemente, mais corrente elétrica irá passar por ele.

Fontes de erro

É claro que o experimento busca ser o mais real e assertivo possível, no entanto, no
decorrer do experimento diversas discrepâncias podem ter ocorrido devido a possíveis
falhas nos equipamentos, no modo de manuseio, má interpretação de resultados, entre
outras.

Conclusão

Os dados obtidos através dos procedimentos experimentais nos revelam que em uma
polarização direta a corrente elétrica circula com muito mais facilidade do que em uma
polarização reversa, esta que necessita de uma tensão de ruptura que é atingida em uma
maior tensão do que a tensão de joelho da polarização direta. Essa afirmação está
comprovada no decorrer do relatório.

Em suma, o estudo do diodo trouxe inúmeras aplicações deste equipamento no

cotidiano, seja para evitar correntes reversas de danificar componentes de um circuito ou
até mesmo na iluminação LED presente em nossas casas.

Referências

-CASTRO, Giovanni. Introdução ao Diodo. [20--]. Disponível em:

https://www.robocore.net/tutoriais/introducao-ao-diodo. Acesso em 17 de novembro de
2021.

-CHIESSE, Luiz. Outros tipos de diodo. 2003. Disponível em:

https://web.archive.org/web/20090306053844/http:/www.cp.utfpr.edu.br/chiesse/Eletro
nica/Outros_diodos.pdf. Acesso em 18 de novembro de 2021.
 -EDUFER. Tabela de resistividade dos materiais condutores, semicondutores e
isolantes. [20--]. Disponível em: https://www.edufer.com.br/tabela-de-resistividade-dos-
materiais-condutores-semicondutores-e-isolantes/. Acesso em 17 de novembro de 2021.

-MATTEDE, Henrique. O que é diodo semicondutor e como funciona?. [20--].

Disponível em: https://www.mundodaeletrica.com.br/o-que-e-diodo-semicondutor-e-
como-funciona/. Acesso em 17 de novembro de 2021.

-ROTEIRO. Roteiro da Curva característica do Diodo de Silício. 2021. Disponível

em:https://moodle.feliz.ifrs.edu.br/pluginfile.php/121207/mod_resource/content/2/Curv
a%20caracter%C3%ADsca%20do%20diodo.pdf. Acesso em: 17 de novembro de 2021.

-SZE, S. M. Physics of Semicondutors Devices. 2 ed. New York: John Whiley, 1981.
Disponível em: https://www.fisica.ufmg.br/ciclo-basico/wp-
content/uploads/sites/4/2020/05/Diodo_semicondutor.pdf. Acesso em 17 de novembro
de 2021.

-TEIXEIRA, Mariane Mendes. Diodo semicondutor. [20--]. Disponível em:

https://mundoeducacao.uol.com.br/fisica/diodo-semicondutor.htm. Acesso em 17 de
novembro de 2021.