em uma ligação próxima, por sua vez, deixa outra vaga, com uma carga positiva associada.

O resultado
aparente é o de um movimento de vacâncias ou buracos carregados positivamente. Por esta razão, a
corrente devido aos elétrons da banda de valência é representada pela corrente devido aos buracos. A
CÉLULA SOLAR Desta forma, quando uma ligação é quebrada em um semicondutor puro, um elétron e
uma lacuna, que identificaremos como portadores, ficam livres para se moverem pelo material. No
entanto, a densidade de buracos e elétrons é idêntica. Essa densidade, chamada de densidade
intrínseca, depende da temperatura e da largura do band gap. A corrente elétrica produzida é aleatória,
sem direção predeterminada e, portanto, não é utilizável em um circuito externo. De vez em quando¹
ocorrem encontros elétron-buraco que restabelecem uma ligação com a liberação de energia (Eg) na
forma de calor. Esse fenômeno é chamado de recombinação de um par elétron-buraco, e é favorecido
pelas impurezas no cristal. Já que o objetivo é manter a existência da corrente elétrica. e aproveitá-la
externamente, é necessário evitar a recombinação, para a qual é necessário direcionar o movimento de
elétrons e lacunas por meio de um campo elétrico. Aplicando um campo elétrico externo poderíamos
separar e direcionar os elétrons e as lacunas, mas a energia utilizada para manter esse estado seria
maior do que a obtida. Outro mecanismo para manter a condução elétrica é baseado no uso de
semicondutores dopados. 4.1.3. A dopagem de semicondutores da junção p-n consiste em introduzir
impurezas no cristal de forma controlada. Consideremos primeiro o uso de átomos de fósforo (símbolo
P na tabela periódica). Os átomos de fósforo têm cinco elétrons de valência (um a mais que o silício).
Ao purificar um cristal de Silício com átomos de Fósforo, o quinto elétron não está bem integrado à rede
e, portanto, a quebra dessa ligação ocorre com uma contribuição de energia menor que a largura da
banda proibida do semicondutor intrínseco. Este quinto elétron permanece livre na banda de condução,
mas a carga positiva associada (íon P+) permanece ligada à rede cristalina sem poder contribuir para a
condução elétrica. Nestas condições a densidade de elétrons é maior que a de buracos, e este
semicondutor é classificado como tipo n (figura 4.1b). Dada sua maior concentração, o portador
majoritário em um semicondutor do tipo n é o elétron. As impurezas que, como o fósforo, contribuem
com elétrons adicionais são chamadas de doadores. Vejamos agora o caso de um átomo de boro
(símbolo B na tabela periódica). Os átomos de boro têm três elétrons de valência (um a menos que o
silício). Ao purificar um cristal de Silício com átomos de Boro, ficará uma vacância nas ligações das quais
participa (buraco). Novamente, a quebra desta ligação ocorre com uma entrada de energia menor que a
largura do gap do semicondutor intrínseco. O buraco é livre para contribuir para a corrente elétrica,
mas a carga negativa (íon B) permanece ligada à rede cristalina. Nesse caso, a densidade de lacunas é
maior que a de elétrons e esse semicondutor é classificado como tipo p (figura 4.1a). Agora a operadora
majoritária é o buraco. Suponha agora a existência de dois semicondutores, um tipo p e um tipo n
(figura 4.2). Ao juntá-los fisicamente, produz-se um desequilíbrio dada a diferente concentração de
elétrons e lacunas em cada cristal. Para atingir o equilíbrio, ocorre a difusão dos portadores
majoritários, de modo que um movimento de buracos aparece do cristal p para o cristal n, deixando o
primeiro carregado negativamente. Simultaneamente, há um movimento de elétrons do cristal n para o
cristal p, deixando o primeiro carregado positivamente. Se as lacunas e os elétrons não fossem
partículas carregadas, esse processo de difusão continuaria até atingir uma concentração uniforme em
todo o volume. Mas a carga do . őnőnő 16 E₁ B. Condução ... 43 . OO B. Valencia (A) semicondutor tipo
p. • I0,01 ev U D 5 CD I C FIGURA 4.1: Semicondutores dopados. U 19 Es B. Condução " ht 8. Valência ( B
) Semicondutor tipo n . I0,01 eV ¹O tempo de vida do portador mede quanto tempo leva para o processo
de recombinação ocorrer. O comprimento de difusão do portador mede a distância média que pode
percorrer um portador antes de ser recombinado.