JUNÇÃO P-N

Uma junção P-N produzida quando dois semicondutor do tippo P e do tipo N são ligados de
forma que se mantenha a continuidade do reticulo cristaliano ou seja,não basta apenas colocar
em contento intimo os tipos de semicondutor,pós além da presença de impurrezas e defeitos
nas superficies existem também filmes de oxidos que cobrem essas superficies mudando
totalmente a interface dos semicondutor.

O diodo de junção é um elemento basico para quase todos os dispositivos semicondutor que
usam uma junção P-N.

A maioria dos dispositivo semicondutor usados em componete electrônicos modernos utiliza

junções P-N como sua estrutura fundamental.

PROCESSO DE PRODUÇÃO DA JUNÇÃO

Existe varios processos que garante a continuidade cristaliana entre os lados P-N de uma
junção.

Os principais são:

• Processo de liga:neste metodo um metal trivalente como o índio é colocado sobre uma
pastilha d semicondutor(Gêrmanio) do tipo N e aquecido até 600˚C. Nesta temperatura o
índio funde-se e dissolve-se no gêrmanio.Quando um resfriamento lento e feito,o gêrmanio
contendo impureza de índio começa a se prercipitar,cristalizando-se na mesma orientação do
cristal do substrato.porem,diferentemente do substrato(que era do tipo N),a nova região
formada e dio tipo P (em função do índio).Na interface entre o substrato nao dissolvido e a
região recentemente cristalizada surge uma junçã P-N, muito bem definida ou abrupta.

• processo de difusão:neste metodo a junção e formda pela difusão de uma impureza (por
exemplo o aceitadora) na forma gasosa ou liquida para dentro de um substrato semicondutor
(por exemplo doador do tipo N).

Quando os atomos da impureza aceitadora penetram o interior do semicondutor,forma-se

primeiramente uma região chamada de intríseca(onde ha uma compensação das impurezas
doadoras do substrato).
 A medida que as impurezas vão se acumulando esta parte do semicondutor vai se tornando
do tipo P.A profundidade desta região depende do tempo e da temperatura na qual ocorre a
difusão.A interface entre a parte do semicondutor tornada P e a parte N do substrato que
permaneceu nao contaminada forma a junção P-N,que é do tipo gradual.

BARREIRA INTERNA DE POLARIZAÇÃO

TIPO P TIPO N
Difusão de burracos
Difusão de electrôns

TIPO P TIPO N

Quando a juncao e formada,ocorre uma difusao de eletrons do cristal tipo N ao P e dos

buracos (ou lacunas )do cristal tipo P ao N.Portanto ,o material do tipo N que era inicialmente
neutro ,comeca a ficar com uma dificiencia de eletrons que consequentemente com carga
positiva.O mesmo raciocinio vale para o lado da juncao ,que comeca a ficar co carga
negativa.

A medida que proguide o processo de fusao a zona de carga espacial vai aumentando sua
largura aprofunda-se nos cristais em ambos os lados da juncao .A acumulacao de ions
positivos na zona N e de ons negativos na zona P cria um campo elettrico(E) que atuara
sobre os buracos da P comuma detrminada forca que se opora a corrente de difusao ate que
um equilibrio seja antijido.

A regiao que contem esses atomos ionizados e,portanto,desprovida de cargas livres e

chamada de regiao de deplecao
A Tensao associada a esse campoe chamada de barreira de potencial.

Essa diferenca de potencial esta em torno de 0,6V no caso de silicio e 0,3V se os sao de
germanio.

POLARIZACAODIRETA DA JUNCAO P-N

•O polo negativo da bateria repele os eletrons livres do cristal N,de maneira que estes eletrons
se derigem a juncao P-N

•O polo posetivo da bateria atrai os eletrons de valencia cristal p,isto e equivalente dizr que
empura as lacunas para a juncao P-N.

•Quando a diferenca d
e potencial entre os bornes da bateria e maior que a diferenca de potential na zona de carga
espacial P,os elentrons livre do cristal N,adiquerem a energia suficiente para saltar ate as
lacunas do cristal P as quis foram deslocadads para a juncao P-N.

•Uma vez que um eletron livre da zona N salta zona P atravessando a zona da carga espacial
cai em uma das muitas lacunas da zona P covertendo-se em eletron de valencia .Uma vez que
isto ocorre o eletron e atraido pelo o polon posetivo da bateria e se desloca de atomoms em
atomos ate chegar ao final do crstal P,atraves do qual intriduz no fio condutor e chega a
bateria .

Neste caso a bateria diminuie a barreira de potencial da zona de carga espacial(sedendo

eletrons livres a zona N e atraindo eletrons de valencia da zona P),permintindo a passagem da
corrente de eletrons atraves da juncao;Isto e,o diodo polarizado diretamente conduz a
eletrecidade .

POLARIZACAO INVERSA DA JUNCAO P-N

•O polo positivo da bateria atrai os eletrons livres da zona N,dos quias saem do cristal N e se
introduz no condutor no qual se deslcoca ate chegar a bateria.A medida que os eletrons livres
abandona a zona N,os atomos pentavalentes que antes eram neutros ,ao verem-se desprendido
de seus eletrons no orbitual de conducao ,adquirem estabilidade (8 eletrons na camada de
valencia,ver semicondutor e atomos )e uma carga eletrica liquida de +1,o que os faz
converterem-se em ions positivos

•O polo negativo da bateria sede eletrons livres aos atomos trivalentes da zona P.Recordemos
sque estes atomos so tem 3 eletrons de valencia,e uma vez que tenha formado as ligacoes
covalente com os atomos de silicio ,tem somente 7 elertrons de valencia,sendo o eletrons que
falta denominado lacuna acontece que quando estes eltrons livres cedido pela bateria entra na
zona P,caiem dentro desta lacunas com o que os atomos prevalentes adquirem estabilidade(8
eletrons em seu orbitual de valencia )e uma carga eletrica liquida de -1,convertendo-se assim
em ions negaivos .

•Este processo se repete e de novo ate que a zona de carga espacial adequireo mesmo
potencial eletrico da bateria.

Nesta situacao ,o diodo nao deveria conduzir a corrente ;nao bastante,devido ao efeito da
temperatura forma-se os pares eletron lacuna em ambos os lados da juncao produzido-se uma
pequena corrrente (da ordem de 1µA)denominada corrente inversa de saturacao.Alem disso
existe tambem uma corrente denominada corrente suporficial de fugas a qual como o proprio
nome indica ,conduz uma pequena corrente pela superficie do diodo ;Ja que na superficie os
atomos de silicio nao estao rodeados de suficientes atomos para realizar as quatros ligacoes
covalentes necessarios para obter estabilidade .Este faz com que os atomos da superficie do
diodo ,tanto da zona N como do P tenhan lacunas em seus orbitais de valencia e por isso os
elementos circulam sem dificuldades atraves dele .Nao basta assim como a corrente invers de
saturacao a corrente superficial de fugas e despresivel.