INSTITUTO DO EMPREGO E FORMAÇÃO PROFISSIONAL,

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DELEGAÇÃO REGIONAL DO NORTE
CENTRO DE FORMAÇÃO PROFISSIONAL DE VIANA DO CASTELO

Portefólio Reflexivo de Aprendizagem

Curso: Técnico electrónica médica

UFCD: 6011 – Semicondutores

Formando: Rafael Costa

Formador/a: Armindo Silva

Mediadora: Sandra Micaela

Validado: Sim N#o

Data da defesa: / /
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Introdução:
Neste módulo abordamos sobre Semicondutores, camadas de electrões, condutores,
isoladores ou isolantes, Processo de dopagem, semicondutores tipo P e N, formação de
semicondutores tipo P e N, influência da temperatura nos semicondutores, impurezas pentavalentes
e trivalentes, rectificação meia onda e rectificação completa, rectificação completa com ponte
rectificadora, rectificação de meia onda por condensador.

Desenvolvimento:
Neste módulo de abordamos que os semicondutores tais como o Germânio e o Silício são cristais
com quatro electrões de valência por átomo. Eles associam-se a átomos vizinhos através de ligações
covalentes em que existe uma partilha de electrões entre os átomos. Daqui resulta uma orbita de
oito electrões, o que corresponde a um sistema bastante estável. Os Condutores é o fato de os
elétrons de valência estarem fracamente ligados ao átomo podendo ser facilmente deslocados do
mesmo. Nos Isolantes devem corresponder aos materiais que apresentam os electrões de valência
rigidamente ligados aos seus átomos como sendo que poucos electrões conseguem desprender-se de
átomos para se transformarem em electrões livres e consegue-se uma maior resistividade com
substâncias compostas. O processo de dopagem e quando são adicionadas impurezas a um semi
condutor puro este passa a ser um semi condutor extrínseco as impurezas usadas na dopagem de um
semicondutor intrínseco podem ser dois tipos como impurezas de átomos dadores ou impurezas de
átomos aceitadores os átomos dadores tem cinco electrões de valência que são pentavalentes como
arsénio fosforo ou antimónio os átomos aceitadores tem três de valência que são conhecidos como
trivalentes índio gálio boro ou alumínio. A junção PN consiste numa interface entre duas diferentes
camadas dopadas de um material semicondutor uma destas camadas e dopada com dopante de tipo
positivo e a outra com um tipo negativo estabelecendo então um campo eléctrico que define a
direcção de um fluxo de electrões estimulados pela luz ou pelo calor Nos semicondutores de tipo
N os átomos pentavalentes como o arsénio em um semicondutor puro faz com que apareçam
electrões livres no seu interior. Como esses átomos doam electrões ao cristal semicondutor eles
recebem o nome de impurezas dadoras ou átomos dadores. O cristal silício ou germânio dopado
com átomos dadores e designado por semicondutor do tipo N de negativo referindo a carga de
electrões.
Nos semicondutores do tipo P os átomos trivalentes cum semicondutor puro faz com que apareça
lacunas livres no seu interior como esses átomos recebem ou aceitam electrões eles são
denominados em átomos aceitadores todo o cristal puro de silício ou germânio dopado com
impurezas aceitadoras e designado por semicondutores do tipo P referindo-se a falta de carga
negativa de electrões. Nos movimentos dos electrões e das lacunas nos semicondutores do tipo N é
que o fluxo será muito mais intenso como se pode reparar na imagem abaixo na seta gorda o fluxo
de lacunas. E na seta magra número de electrões livres e muito maior do que o número de lacunas:
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A influência da temperatura nos semicondutores nos condutores pode ter um aumento na

temperatura que aumenta a resistência oferecida na passagem da corrente eléctrica 8á nos
semicondutores acontece o contrário como pode ter um aumento de temperatura e uma redução da
resistência oferecida pela passagem de corrente eléctrica devido a repulsão causada na união dos
mesmos. Como na resistividade dos cristais puros diminui a medida que a temperatura aumenta o
mesmo ocorre nos cristais dopados do tio N e P contudo a resistividade desses cristais e afectada
sensivelmente por impurezas que lhes são adicionadas. Rectificação de onda completa colocando
uma ponte rectificadora de 9 díodos obtemos uma rectificação de onda completa com cargas
positivas assim como na imagem abaixo:

A rectificação de Meia Onda considerando um

circuito supondo que se trata de um díodo ideal comportando-se por isso como um interruptor
fechado nas correntes positivas da sinusóide e
com um interruptor aberto nas negativas assim se conclui que o circuito elimina as alternâncias
negativas da tensão de entrada e assim verifica-se
apenas metade do sinal de entrada. Na
rectificação com ponte rectificadora denomina se ao con8unto de quatro díodos que ao
receberem tensão alterna nos díodos de entrada que separa os pulsos positivos e negativos na saída
permitindo rectificação de onda completa.

Conclusão:
Neste modulo abordei que que um átomo como
sendo menor se compões como moléculas e que este por sua vez também e composto por
pequenas partículas que são protões e neutrões como os
protões e os neutros consistem um núcleo como
os protões tem carga positiva e os neutros ficam
sem carga. Como existem 7 camadas de electrões
conhecidos por K-0< L-0> M-1> N-3< O-3< P1> @-0> esta ultima carga pode-se se conhecida
como eletrons de valência. Posso pelo meu ver identificar que estes elementos são de
importância para o mundo da electrónica como também para a electrotécnica onde poderemos usar
formação que de
rectificadores tivecorrentes
fui pontual mantive sempredeotensão
esclarecimento de dúvidas com oa saber
formador
comoe a
consegui entender a matéria como reguladores
fornecida. e outras aplicações ficamos
8unção PN e constituída e t c  Em relação a formação tive dificuldades apenas no início em calcular
uma ponte rectificadora mas depois de entender pareceu- me bastante fácil gostei muito do
conhecimento que obtive neste modulo e gostei também da
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