Teoria das bandas nos sólidos

O que são e como surgem as bandas de energia nos sólidos?

Átomo de Li A equação de Schrödinger para o átomo de Lítio

3 x 2p dá-nos uma série de níveis discretos de energia.
1 x 2s Os três electrões do átomo de Lítio vão ocupar os
três primeiros níveis de energia. 1s2, 2s.
1 x 1s
Nível 2s
(anti-ligante)
Nível de 6 x 2p Molécula de Li2 Na molécula de Li2 o nível de energia 2s (dos
energia electrões partilhados) vai desdobrar-se num duplete
original 2 x 2s (as orbitais ligante e anti-ligante). Assim 4 electrões
Nível 2s estão nos níveis 1s localizados nos átomos de Lítio e
(ligante) 2 electrões no nível 2s no nível ligante. Os electrões
da orbital ligante 2s concentram-se essencialmente
na região entre os átomos.
Sólido de Lítio
N x 2p No sólido de Li cada nível é desdobrado em
N x 2s N níveis diferentes, mas muito juntos entre
si formando uma banda de energia. As
N x 1s bandas de energia correspondem a estados,
não localizados num só átomo mas,
deslocalizados por todo o sólido.
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 Teoria das Bandas (cont.)

O desdobramento dos níveis de energia não aumenta

com o número de átomos mas depende da distância
Banda de entre os átomos.
condução

Banda de Á medida que a interacção

valência é maior as bandas
alargam-se e podem
sobrepor-se e o hiato (gap)
entre elas desaparece.

Átomos: orbitais localizadas em volta dos átomos decaindo exponencialmente com a

distância.
Sólido: Orbitais deslocalizadas que descrevem ondas electrónicas propagando-se em
todo o sólido.
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 Níveis de energia numa banda

No modelo de Kronig-Penney foram calculadas as bandas de energia em função do

número de onda k.

Modelo de Kronig-Penney
16
Modelo de Kronig-Penney
∝E Banda de Potencial periódico unidimensional
14 condução

12 Banda de
valência
10
0 a 2a
8

6 Cada banda pode

conter 2N electrões
4

0
-1 -0.5 0 0.5 1 Não fazem sentido valores de k
−π a k π a superiores a π/a. Porquê?

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 A densidade de estados electrónica numa banda

E
32
1 ⎛ 2mn* ⎞
g cf (E ) = ⎜ 2 ⎟⎟
2 ⎜
(E − Ec )1 2 dE Banda de
2π ⎝ h ⎠ condução
Fundo da banda de condução
E>Ec Ec
gap
Ev Topo da banda de valência
32
1 ⎛⎜ 2 m p ⎞
*

g vt (E ) = ⎟ (Ev − E )1 2 dE Banda de
2π 2 ⎜ h 2 ⎟ valência
⎝ ⎠
E<Ev
g (E )

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 A lacuna

Uma banda de energia completamente cheia não contribui para a condução electrónica
se:
(1) As orbitais electrónicas estiverem localizadas nos átomos
(2) estiver completamente cheia.

No entanto se houverem electrões excitados da banda de valência para a banda de

condução eles ficam livres para se movimentarem na banda de condução e, na banda
de valência, o estado electrónico deixado vago (a lacuna) também se comporta como
se fosse um electrão livre mas de carga positiva.

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 Analogia lacuna-bolha de vácuo num liquido

Tal como uma bolha de vácuo subiria num liquido devido ao movimento conjugado de
queda de todas as moléculas do liquido devida á acção gravitacional assim acontece
com as lacunas na banda de valência de um semicondutor.

r
g

A aceleração da gravidade é o
análogo do campo eléctrico

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 A Teoria das Bandas e os Isoladores, Semicondutores e Metais

A Teoria das Bandas permite compreender porque existem condutores, isoladores e

semicondutores

ISOLADORES SEMICONDUTORES METAIS

E E E
Banda de Banda de
condução condução
Ec

gap Estados
Ec ocupados
gap
Ev Ev

A banda mais
Banda de Banda de
externa não está
valência valência
completamente
preenchida

Ec

g (E ) g (E ) g (E )
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 Sobreposição de bandas em metais divalentes e de transição

Há compostos que, pela sua valência, nos levariam a supor que seriam isoladores. No
entanto têm propriedades metálicas devido á sobreposição de bandas de energia.

Metais bivalentes: Be, Ca... Metais de transição

Níquel
Cálcio
E E E E E

4s 3d
Banda de Estados
condução ocupados

Ec gap 4p

Ev
4s
Estados
Banda de ocupados
valência

g (E ) g (E ) g (E )
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 Energia de Fermi

O nível de energia mais alto ocupado pelos electrões a 0 K é denominado nível de Fermi.
A temperaturas mais altas o estado de ocupação é dada pela chamada distribuição de
Fermi-Dirac.
T= 0K T> 0K
E E

Distribuição de Fermi-Dirac Banda de

condução
f FD (E ) =
1
1 + e ( E − E F ) k BT Ec Ec
1.0 EF EF
Ev Ev
0.0
EF

Banda de
valência

g (E ) g (E )

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 Número de electrões num semicondutor

O número de electrões na banda de condução deve ser calculado através do integral:

topo

T> 0K
n= ∫ g (E ) f (E )dE
Ec
c

Fazendo as substituições
Ec e cálculos obtém-se:
32
EF ⎛ mn* k BT ⎞ −( Ec − EF ) k BT
Ev n = 2⎜⎜ ⎟ e
2 ⎟
⎝ 2πh ⎠

g (E )

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 Número de lacunas num semicondutor

Podemos calcular as lacunas na banda de valência de um modo semelhante:

Ev
T> 0K
E p= ∫ g (E ) f (E )dE
fundo
v p

Fazendo as substituições
EF e cálculos obtém-se:
32
⎛ m*p k BT ⎞ −( EF − Ev ) k BT
p = 2⎜ ⎟ e
⎜ 2πh 2 ⎟
⎝ ⎠

g (E )

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 Lei da acção da massa. EF num semicondutor intrínseco.

Para um semicondutor o produto np só depende da temperatura da energia da gap mas

não da energia de Fermi,
3
⎛ k T ⎞
np = n = 4⎜ B 2 ⎟ mn* m*p
2
( )
32
e
− E g k BT

⎝ 2πh ⎠
i

Esta expressão é conhecida como lei da

acção da massa.

Chama-se semicondutor intrínseco a um

semicondutor para o qual o número de
electrões e de lacunas seja igual entre si.
Assim,
32
⎛ k BT ⎞
n = p = np = 2⎜
π 2 ⎟
(m m )
*
n
* 34
p e
− E g 2 k BT

⎝ 2 h ⎠

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 O nível de Fermi num semicondutor intrínseco

Para um semicondutor intrínseco as expressões anteriores de n e de p deverão dar o

mesmo valor. Assim, o valor de EF é,

Ec + Ev 3 ⎛ m*p ⎞
EF = + kT ln⎜ * ⎟
2 4 ⎜m ⎟
⎝ n⎠

Como em geral se tem Eg>>kT,

Ec + Ev Eg
EF ≈ = Ev +
2 2

i.e. a energia de Fermi localiza-se a meio da gap de energia

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 Mobilidades dos electrões e das lacunas.
Mobilidade μ, é a velocidade de arrasto (drift) adquirida pelos portadores de carga
quando se aplica um campo eléctrico de 1V/m. i.e.
vd = μ E
r
vd , n vd , p E

A velocidade de arrasto (drift) dos electrões está, por sua vez, relacionada com a massa
efectiva e com o tempo de colisão através de, qτ n
vd , n = − *
E
m
n

qτ n
Pelo que obtemos para a mobilidade electrónica: μ n = −
mn*

qτ p
Para as lacunas podemos também definir uma mobilidade que é dada por: μp =
m*p

Repare que a mobilidade das lacunas é positiva e portanto elas movem-se no mesmo
sentido do campo eléctrico.
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 Condutividade num semicondutor intrínseco

A corrente total é a soma das correntes

J = Jn + J p
= σ nE +σ pE r
vd , p J p E
= (σ n + σ p )E
vd , n Jn

= σE ⇒ σ = σ n + σ p = n(− q )μ n + pqμ p

σ = q (n μ n + pμ p )

Para um semicondutor intrínseco, ln σ intrinseco

σ intrinseco = qn( μ n + μ p ) inclinação

32
E g 2k
⎛ k T ⎞
= 2q⎜ B 2 ⎟ (m m )
* * 34
e
− E g 2 k BT
(μ + μp )
⎝ 2πh ⎠
n p n

1T
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 Condutividade eléctrica.

Vemos que o número de electrões cresce com a temperatura

32

n = 2⎜
⎛ kT ⎞
π
⎟ m * *
nmp ( )
34
e
− E g 2 kT

⎝ ⎠
2
2 h ln n inclinação
Eg E g 2k
ln (n ) = − +C
2kT

1T
Se substituirmos E g = 1eV ; mn* = m*p = mo ; T = 300 K
vem n ≈ 1015 electrões / cm3

ne 2τ n
Usando o valor de n acima, na expressão da condutividade electrónica: σ n =
mn*
τ n = 10 −12 s; me* = 0.1mo ; n = 1015 cm −3
vem σ n ≈ 1 (Ωm )
−1

Nota: Num metal a condutividade é da ordem de 107 (Ohms m)-1. A diferença de valores
deve-se á pequena concentração de electrões nos semicondutores.
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 Problemas

A condutividade eléctrica do Arseneto de Gálio á temperatura ambiente é 10-6 S/m; as

mobilidades electrónica e das lacunas é 0.85 e 0.04 m2/V.s. Calcule a concentração
intrínseca a essa temperatura.

Foi adicionado 1023 m-3 átomos de arsénio a silicio de alta pureza. (a) o semicondutor é
do tipo n ou do tipo p? (b) Calcule a condutividade á temperatura ambiente deste
material. (c) E a 100 ºC.

Querendo obter silício tipo p com uma condutividade de 50 S/m qual o tipo de impureza
e concentração necessárias?

A condutividade eléctrica e a mobilidade electrónica do aluminio são 3.8x107 S/m e

0.0012 m2/V.s respectivamente. Calcule a tensão de Hall para uma amostra de
Alumínio de 15 mm de espessura para uma corrente de 25 A e um campo magnético
de 0.6 T.

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