Estrutura da Matéria II

Quantização e Bandas de Energia em Sólidos

Responsável pelo Conteúdo:

Prof. Dr. Francisco de Assis Cavallaro

Revisão Textual:
Esp. Sara Marques Orofino
 Quantização e Bandas de Energia
em Sólidos

• Introdução;
• Átomos de um Elétron e Átomos Multieletrônicos;
• Modelo de Bandas;
• Classificação dos Sólidos em Isolantes, Condutores e Semicondutores.

OBJETIVO DE APRENDIZADO
• Estudar os níveis de energia dos sólidos e os estados quânticos, conforme a teoria de bandas.
UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

Introdução
Nesta quarta unidade da disciplina, o foco dos nossos estudos será o elétron. Em
primeiro lugar, vamos abordar, novamente, mas de forma mais conceitual, o átomo de
hidrogênio, que, como sabemos, apresenta somente um elétron e também átomos multie-
letrônicos – isto é, com mais de um elétron em sua estrutura.

A Equação de Schrödinger consegue explicar, com primor, a estrutura atômica do

hidrogênio de forma mais completa e, corroborando com o modelo de Bohr e por meio
de sua forma geral, também permite explicar o comportamento de outros átomos.

Assim, nos tópicos a seguir, veremos que o comportamento do elétron dentro dos
átomos, e também as ligações atômicas, levam às classificações de diversos materiais
sólidos conforme suas propriedades. Por fim, descreveremos os sólidos por meio, prin-
cipalmente, do seu comportamento elétrico que, como veremos, são classificados em
categorias de condutividade – condutores, isolantes e semicondutores.

Átomos de um Elétron e
Átomos Multieletrônicos
Átomo de Hidrogênio
Em outras Unidades desta disciplina, vimos duas formas gerais da Equação de
Schrödinger (dependente do tempo e independente do tempo) para o caso de proble-
mas unidimensionais. No entanto, para o átomo de hidrogênio, a forma adequada de se
analisar é utilizando a Equação de Schrödinger na forma tridimensional, pois os átomos
são tridimensionais.

A Equação de Schrödinger, independentemente do tempo na forma tridimensional,

é dada por:

 2  ∂ 2ψ ∂ 2ψ ∂ 2ψ 
−  + +  + V ( x, y, z )ψ ( x, y, z ) =
Eψ ( x, y, z ) (Eq. 01)
2m  ∂x 2 ∂y 2 ∂z 2 
Onde:
• V ( x, y, z ) é a função de energia potencial da partícula;
• ψ ( x, y , z ) é a função de onda;

• E é a energia do sistema;
• m é a massa da partícula;
• x é a posição no eixo x;
• y é a posição no eixo y;
• z é a posição no eixo z;

8
 h
•  é a constante de Planck reduzida ( = );
2π
• h é a constante de Planck.

A forma anterior da equação é facilmente empregada para o átomo de hidrogênio,

pois o único elétron presente se move em um potencial coulombiano do próton. ­Contudo,
mesmo sendo um problema de dois corpos (dado também ao movimento do próton), por
haver uma grande diferença na massa entre eles (elétron e próton), a solução requer uma
simples correção da energia do átomo. No entanto, quando se quer descrever o compor-
tamento atômico de casos mais complicados, como no átomo de Hélio, devemos utilizar
outra forma da Equação de Schrödinger, aplicada a duas ou mais partículas, para o caso
de haver mais de um elétron que são idênticos e interagem entre si.

Importante!
A Equação de Schrödinger para átomos com dois ou mais elétrons necessita da utilização
de métodos de aproximação, pois não pode ser resolvida de forma exata.

A Equação de Schrödinger independente do tempo para duas partículas idênticas,

cada uma com massa m, na forma cartesiana, é dada por:

 2 ∂ ψ ( x1 , x2 )  2 ∂ ψ ( x1 , x2 )
2 2

− − + V ( x1 , x2 )ψ ( x1 , x2 ) =
Eψ ( x1 , x2 ) (Eq. 02)
2m ∂x12 2m ∂x12
Onde:
• V ( x1 , x2 ) é a função de energia potencial das partículas;
• ψ ( x , x ) é a função de onda;
1 2

• E é a energia do sistema;
• m é a massa de cada partícula;
• x1 e x2 são as coordenadas das partículas;
h
•  é a constante de Planck reduzida ( = );
2π
• h é a constante de Planck.

A solução da Eq. 02 é uma função de onda do tipo simétrica (para Férmions, como
elétrons, prótons e nêutrons) ou antissimétrica (para Bósons, como os fótons, mésons,
partículas α , etc.)

Conheça o significado de Bósons e Férmions acessando o material “Modelo-Padrão da

Física de Partículas“. Disponível em: https://bit.ly/3Zvpp7v

Observe a Figura 1:

9
9
UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

Próton
Elétron
r

x
y

Figura 1 – Elétron à distância r do próton em um átomo de hidrogênio

Fonte: Adaptada de KNIGH, 2009

#ParaTodosVerem: Figura com gráfico, sob fundo branco, a ilustração mostra três
eixos (x, y, z) representados por linhas que partem de um ponto no centro da figura,
que tem a presença de um pequeno círculo na cor verde indicado como próton. Um
pequeno ponto em verde-claro indica o elétron, cuja ilustração de suas coordenadas
é indicada com linhas tracejadas em preto. A linha que liga o próton ao elétron está
representada por uma letra “r” indicando o raio. Fim da descrição.
Na Figura 1, nota-se que, no átomo de hidrogênio, o elétron se encontra a uma distân-
cia r do próton, perfazendo um movimento coulombiano. Verifica-se, juntamente, a forma
tridimensional do átomo.

Ao aplicar a Equação de Schrödinger tridimensional para determinar o comporta-

mento do átomo de hidrogênio, a função de onda precisa satisfazer três condições de
contorno diferentes, relativas aos três números quânticos e aos três parâmetros quan-
tizados. Assim, as soluções para a energia potencial do átomo de hidrogênio somente
podem existir caso as condições a seguir sejam satisfeitas:
• A energia deve assumir algum dos valores dado por:

1  1 e2  13, 6eV
En =
− 2 =− 1, 2, 3,…
n= (Eq. 03)
n  4π ò0 2aB  n2

Onde:
» aB é o raio de Bohr.
• O momentum angular da órbita do elétron, dado por L, deve assumir algum valor
dado por:

L= l ( l + 1)  l 0,1, 2, 3,…, n − 1
=
(Eq. 04)

Onde:
» l é inteiro e corresponde ao número quântico orbital.

10
 • O momentum angular de componente z ( Lz), deve assumir algum valor dado por:

Lz =m m =−l , −l + 1,…, 0,…, l − 1, l

(Eq. 05)

Onde:
» m é inteiro e corresponde ao número quântico magnético.

Em Síntese
Com exceção da energia, que é caracterizada somente por n, cada estado estacionário
do átomo de hidrogênio é caracterizado por três números quânticos: número quântico
principal (n), número quântico orbital (l ) e número quântico magnético (m), que
estão, cada um deles, associados a uma propriedade física do átomo.

Com exceção do hidrogênio, todos os outros átomos apresentam estados estacioná-

rios dependentes dos números quânticos n e l.
Para o número quântico orbital (l ), os números possíveis são expressos conforme a
notação espectroscópica, dada na Tabela 1:

Tabela 1 – Notação Espectroscópica do Número Quântico l .

Número quântico l Símbolo
0 s
1 p
2 d
3 f

Exemplo 1
Determinar, para o estado fundamental do hidrogênio, a simbologia utilizada confor-
me a notação espectroscópica de l.

Solução
No estado fundamental, o átomo de hidrogênio apresenta o número quântico princi-
pal (n) como = 1.
Utilizando das relações e valores possíveis para os números quânticos dados nas Eqs.
03, 04 e 05, podemos encontrar os outros números quânticos l e m. Como neste exemplo
necessitamos somente de l, utilizaremos os valores possíveis de l dados na Eq. 04. Assim,
o valor do número quântico orbital (l) é:

=l 0,1, 2, 3,…, n − 1

l = n − 1 = (1) − 1 = 0

E, portanto:
l =0

11
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UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

Para n = 1 e l = 0, corresponde ao estado 1s.

Note que o número “1” do estado 1s corresponde ao valor do número quântico prin-
cipal (n)!

As Eqs. 04 e 05 informam que o momento angular orbital do elétron é quantizado,

impondo restrições à forma e à orientação orbital do elétron.

Um vetor momentum angular deve possuir componentes x ou y, ou ambos os com-

ponentes, isto é, deve possuir inclinação além do plano xy e também não pode apontar
diretamente para o eixo de z. Desta forma, a quantização deste momentum acaba por
restringir os planos orbitais a determinados ângulos θlm , dados conforme o estado quân-
tico (n, l , m):
 m 
θlm = cos −1   (Eq. 06)
 l ( l + 1) 
 
Exemplo 2
Indicar o ângulo de inclinação entre o vetor momentum angular e o eixo de z do átomo
de hidrogênio, considerando o estado quântico ( n, l , m ) = ( 4, 2,1).

Solução
Para o estado quântico ( n, l , m ) = ( 4, 2,1), o ângulo de inclinação do vetor momentum
angular é:

 m   1  1 
θlm cos
=  −1
= cos 
 −1
=  cos −1  =  65,9°
 l ( l + 1)   ( 2 )( 2 + 1)   6
  

A Figura 2 ilustra o diagrama de níveis de energia para o átomo de hidrogênio, para

cada valor possível de l:

12
 Energia, eV
S P D F G
n I=0 1 2 3 4
∞ 0,00
4 –0,85
3 –1,51

656,3
2 121,6 –3,40

1 – 13,6 eV
Figura 2 – Diagrama de níveis de energia para o átomo de hidrogênio
Fonte: Adaptada de TIPLER; LLEWELLYN, 2017

#ParaTodosVerem: Figura com diagrama em preto e branco. Sob fundo branco, a

ilustração mostra um diagrama de níveis de energia do átomo de hidrogênio, cujos
estados de energia estão marcados por pequenas linhas pretas na horizontal, em várias
partes do diagrama, correspondendo aos estados “n” de 1 a 4, mostrado em uma colu-
na à esquerda da figura. As colunas seguintes, da segunda até a sexta, compreendem a
notação do número quântico orbital l, descritos conforme as letras S, P, D, F, G, respec-
tivamente. Na sétima coluna, é mostrado a energia correspondente a cada estado “n”.
São mostradas diversas linhas na cor verde, que partem das pequenas linhas horizon-
tais pretas para outras do mesmo tipo, indicando os saltos possíveis dos elétrons entre
níveis de energia. Fim da descrição.
A Figura 3 ilustra os diagramas de densidade da probabilidade de encontrar o elétron
em um átomo de hidrogênio, de acordo com alguns estados quânticos do tipo ( n, l , m ).

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UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

Função de Onda do Hidrogênio

Parcela de probabilidade e densidade

Figura 3 – Nuvens eletrônicas ilustrando as densidades de

probabilidade de localização do elétron no átomo de hidrogênio
Fonte: Adaptada de Wikimedia Commons

#ParaTodosVerem: Figura com nuvens eletrônicas coloridas. Sob fundo preto, a

ilustração mostra dezenove formas coloridas conforme os estados quânticos n, l, m
representam as nuvens eletrônicas para o átomo de hidrogênio, indicando os for-
matos que remetem às densidades de probabilidade da localização do elétron deste
átomo. A parte mais externa de cada um dos dezenove formatos diversos apresenta
coloração violeta, que se transforma em uma cor alaranjada e amarelo bem forte
no centro de cada forma, cujo brilho indica a maior probabilidade de encontrar um
elétron neste local. Fim da descrição.
Uma informação importante que podemos obter nos diagramas de nuvens de elé-
trons (figuras que descrevem densidades de probabilidade em coordenadas tridimensio-
nais x, y, z) é a susceptibilidade de ligações moleculares que os estados quânticos podem
ter. Por exemplo, a probabilidade de se encontrar elétrons correspondentes ao número
quântico orbital l do tipo p é maior em certas direções do que em outras, como no caso
do átomo de hidrogênio. A nuvem eletrônica do estado quântico ( 2,1, 0 ) apresenta maior
probabilidade de localizar o elétron nas extremidades das nuvens, na direção do eixo z.

Assim, as nuvens direcionais dadas às propriedades dos elétrons p, permitem que

estes alcancem átomos vizinhos (KNIGHT, 2009, p. 1304).

Átomos Multieletrônicos
Átomos que apresentam dois ou mais elétrons e sejam neutros consistem na quan-
tidade Z de elétrons orbitando ao redor do núcleo de Z prótons, cuja carga seja +Ze –
onde Z é o número atômico. A interação entre Z elétrons com o núcleo atômico e de Z
elétrons entre si, constitui a função energia potencial dos átomos multieletrônicos.

14
 O modelo atômico de Bohr explicava muito bem o átomo de hidrogênio ­(somente
um elétron), mas para átomos multieletrônicos não funcionava, o que acabou por
­inviabilizá-lo como um modelo atômico. A Equação de Schrödinger conseguia descrever
esses átomos, mesmo que de forma não tão exata, mas bem próxima das medidas ex-
perimentais. Assim, as interações mais complexas, como no caso elétron-elétron ou elé-
tron-próton, cuja energia potencial resultante flutua com a movimentação dos elétrons
e varia conforme a distância entre eles, pode-se utilizar da Equação de Schrödinger de
uma forma diferente, transformando-a em Z equações separadas, pois nestas interações
elétron-elétron, por exemplo, utiliza-se uma abordagem denominada de aproximação de
partícula independente, cujos elétrons se movem dado um potencial médio entre todos
os outros durante a interação.

Assim, conforme Knight:

A consequência mais importante da IPA é que cada elétron pode ser des-
crito por uma função de onda com os mesmos quatro números quânticos
n, l , m, ms usados para descrever o único elétron do átomo de hidrogênio.
Ainda podemos utilizar apenas n e l para caracterizar o elétron, semelhan-
temente ao que utilizávamos para o hidrogênio, pois os números quânticos
m e ms não afetam a energia do elétron. (KNIGHT, 2009, p. 1310)

Note que ms é o número quântico de spin.

Em Síntese
Elétrons com número quântico orbital l menores permanecem por mais tempo próximos
ao núcleo atômico e, portanto, sentem uma força nuclear maior, sendo mais atraídos.

Em processos de interação elétron-elétron, por exemplo, devemos levar em conta

uma ideia importante, aplicada a todas as partículas cujo número quântico de spin ( s) seja
diferente de 0 ou um número inteiro (HALLIDAY; RESNICK; WALKER, 2012, p. 241).

No caso dos elétrons, o Princípio de Exclusão de Pauli pode ser enunciado como:

Importante!
Princípio de Exclusão de Pauli: “dois elétrons confinados na mesma armadilha não
podem ter o mesmo conjunto de valores para os números quânticos” (HALLIDAY;
RESNICK, 2012, p. 241).

Desta forma, em um sistema quântico, dois elétrons não podem apresentar qualquer
um dos números quânticos (n, l , m, ms) que os descrevem com valores iguais, devendo
no mínimo um destes números ser diferente. Assim, caso um elétron ocupe um estado
quântico, é excluída a possibilidade de outro elétron ocupar este mesmo estado.

Para o átomo de hélio, seus dois elétrons precisam estar em estados quânticos dife-
rentes, devido ao Princípio de Exclusão de Pauli.

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UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

Como exemplo, para o Hélio, considerando o estado quântico 1s, com n = 1 e l = 0 ,

tem-se que o único valor possível de m é igualmente 0. No entanto, ainda resta o número
1 1
quântico de spin (ms) que, para o elétron, pode assumir valores de + e − .
2 2
Desta forma, caso um dos elétrons do Hélio esteja no estado 1s de spinup, isto é,
(1, 0, 0, +1/ 2) o outro elétron pode estar no estado 1s de spin down, isto é, (1, 0, 0, −1/ 2).
2
A Figura 4 ilustra o átomo de He com os elétrons no estado fundamental 1s . Confor-
me descreve Knight (2009), o subscrito 2 em 1s 2 corresponde a quantidade de elétrons
no nível energético 1s.

Estado Fundamental do He

As linhas horizontais representam 2s

as energias permitidas.

Cada círculo representa um elétron 1s

naquele nível de energia.

Figura 4 – Primeira energia de ionização em função de Z de átomos no intervalo 1 ≤ Z ≤ 90

Fonte: Adaptada de KNIGHT, 2009

#ParaTodosVerem: Figura com gráfico em preto e branco. Sob fundo branco, a ilustra-
ção mostra duas linhas horizontais na cor preta. Na parte inferior da figura, uma destas
linhas tem a indicação 1s e apresenta dois círculos azuis, sendo um com uma seta para
baixo e o outro à direita com uma seta para cima. Na linha de cima, também na cor
preta, indica “2s” na parte esquerda. Na esquerda da figura, há duas frases indicando
os significados das linhas e dos pontos, com o seguinte texto: “As linhas horizontais
representam as energias permitidas”. No texto logo abaixo, está escrito: “Cada círculo
representa um elétron naquele nível de energia”. Há linhas verdes tracejadas ligando
os textos às suas indicações na figura. Fim da descrição.
Um conceito importante a mencionar diz respeito à energia de ionização, que cor-
responde a menor energia que é necessária para remoção de um elétron do estado
fundamental, produzindo um íon positivo (KNIGHT, 2009, p. 1315).
A Figura 5 mostra a primeira energia de ionização em função do número atômico Z ,
para átomos no intervalo 1 ≤ Z ≤ 90:

16
 30

He
25
Ne
Energia de ionização, eV 20
Ar
15
Kr
Xe
Rn
10

5 2s 3s
Li Na 4s 5s 6s 7s
K Rb Cs Fr
0
02 10 20 30 36 40 50 54 60 70 80 86 90 100
18
Z

Figura 5 – Primeira energia de ionização em função de Z de átomos no intervalo 1 ≤ Z ≤ 90

Fonte: Adaptada de TIPLER; LLEWELLYN, 2017

#ParaTodosVerem: Figura com gráfico em preto e branco. Sob fundo branco, a ilustra-
ção mostra um gráfico nos eixos x, y com a energia de ionização em função do número
atômico Z. Em linhas na cor verdes, são mostrados valores de energia para átomos do
número atômico 1 ao 90. Fim da descrição.

Modelo de Bandas
Vamos iniciar o estudo do modelo de bandas utilizando como exemplo o átomo de
sódio. Assim, observe a Figura 6, que mostra um diagrama de níveis de energia para
um único átomo de Na, com número atômico Z = 11, cuja configuração eletrônica é
1s 2 2 s 2 2 p 6 3s1 (SHACKELFORD, 2008):

3s

2p

2s

1s

Átomo de Na isolado

Figura 6 – Diagrama de níveis de energia para único átomo de Na

Fonte: Adaptado de SHACKELFORD, 2008

#ParaTodosVerem: Figura em preto e branco da ilustração do diagrama de níveis de

energia do átomo isolado de sódio. Sob fundo branco, a ilustração mostra, de cima

17
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UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

para baixo, seis orbitais com pequenas linhas pretas com pontos de mesma cor, indi-
cando os elétrons em cada orbital. Na primeira linha há um orbital com um elétron, na
linha logo abaixo há três orbitais com seis elétrons, e nas duas linhas de baixo há dois
elétrons em cada. Na parte inferior, abaixo do último orbital, há um grande círculo de
cor cinza indicando o átomo, com um texto escrito logo abaixo: “Átomo de Na isolado”.
Ao lado de cada uma das quatro barras dos orbitais, está escrito: “3s”, “2p”, “2s”, “1s”,
respectivamente e de cima para baixo. Fim da descrição.
Conforme a Figura 6, nota-se que o nível energético 2 p apresenta três orbitais asso-
ciados e os restantes somente um orbital. O orbital externo 3s está parcialmente ocupado,
com somente um elétron.

Em Síntese
Cada orbital diferente corresponde a um conjunto singular caracterizado por quatro
números quânticos (n, l , m, ms), e só pode admitir, no máximo, dois elétrons.

Já uma molécula com quatro átomos de Na apresenta um diagrama de níveis de

energias inalterados para os elétrons mais internos, como sendo 1s 2 2 s 2 2 p 6. Contudo,
os quatro elétrons mais externos sofrem influência do “Princípio de Exclusão de Pauli,
pois os elétrons deslocalizados agora estão sendo compartilhados por todos os quatro
átomos na molécula” (SHACKELFORD, 2008, p. 349). Assim, ocorre uma separação
do nível de energia 3s em quatro níveis diferentes, pois estes elétrons não podem ocupar
um único orbital. Esta separação ocorre para satisfazer o Princípio de Exclusão de Pauli.

A forma da distribuição destes elétrons em todos os níveis de energia, fazendo com que
cada nível tenha um elétron, atende ao Princípio da Máxima Multiplicidade, também
chamado de Regra de Hund.

A Figura 7 ilustra como seria este processo dado pela Regra de Hund para o átomo
de nitrogênio.

Sem repulsão elétron-elétron Repulsão elétron-elétron

é igual a mais baixa energia é igual a mais alta energia

Ou

1s 2s 2p 1s 2s 2p
Correto Incorreto
Figura 7 – Diagrama de orbital com a aplicação correta
e incorreta da Regra de Hund para o átomo de N
Fonte: Adaptada de Wikimedia Commons

#ParaTodosVerem: Figura com diagrama em preto e branco. Sob fundo transparente,

a ilustração mostra dois diagramas de orbitais da aplicação da regra de Hund para
o átomo de nitrogênio, sendo a forma correta de aplicação na esquerda e a forma
incorreta à direita. Na esquerda, há a frase “sem repulsão elétron-elétron é igual a
mais baixa energia”, indicando os três retângulos da camada 2p, com uma seta para
cima em cada um deles, indicando um elétron cada. Na direita da figura, há outra frase

18
 “repulsão elétron-elétron é igual a mais alta energia”, indicando três retângulos da
camada 2p, sendo o primeiro com dois elétrons, o segundo adiante com um elétron e
o terceiro retângulo sem qualquer seta. Tanto na esquerda quanto na direita, também
há dois retângulos em cada lado, representando as camadas 1s e 2s, contendo cada
um deles duas setas (uma para cima e outra apontando para baixo). Fim da descrição.
A separação dos elétrons conforme a Regra de Hund resulta em uma estreita banda
de níveis energéticos, que correspondem a energia de um único nível 3s no átomo iso-
lado. Assim, essa estrutura separada resulta em uma alta mobilidade dos elétrons nos
átomos adjacentes (SHACKELFORD, 2008).
A Figura 8 mostra em (a) uma molécula hipotética de sódio com quatro átomos, e
em (b) um sólido de Na com diversos átomos reunidos pela ligação metálica. De forma
análoga ao conjunto hipotético de quatro átomos de sódio, em (b) nota-se as separações
ocorridas nos últimos orbitais mais externos, com exceção que em (b) isso ocorre em
grande quantidade em 3s.

3s banda de valência
(preenchida atéa metade)
3s 2p
2s
2p 1s
2s
1s

Molécula hipotética de Na4

(a)
Na sólido
(b)

Figura 8 – Diagrama de níveis de energia para (a) Na4 (hipotético) e (b) Na sólido
Fonte: Adaptada de SHACKELFORD, 2008

#ParaTodosVerem: À esquerda, ilustração em preto e branco do diagrama de níveis

de energia de uma molécula hipotética de sódio. À direita, ilustração de um sólido de
átomos de sódio. Sob fundo branco, à esquerda, a ilustração mostra, de cima para ­baixo,
quatro linhas horizontais pretas, indicando os orbitais. Logo abaixo, diversos orbitais em
linhas pretas com pontos da mesma cor, indicando os elétrons em cada ­orbital. Na parte
inferior, abaixo dos orbitais, há quatro grandes círculos cinza, indicando os átomos da
molécula de sódio, com um texto escrito embaixo: “Molécula h­ ipotética de Na”. Ao lado
de cada um dos quatro conjuntos de barras dos orbitais, à direita, está escrito: “3s”, “2p”,
“2s”, “1s”, respectivamente e de cima para baixo. Na d­ ireita da ilustração, aparece, de
cima para baixo, duas faixas preenchidas pela m ­ etade, com a indicação ao lado de cada
um a frase: “3s banda de valência preenchida até a metade”. Na parte logo abaixo, há
diversos orbitais com pequenas linhas pretas com pontos da mesma cor, indicando os
elétrons em cada orbital. Na parte inferior, abaixo dos orbitais, há diversos círculos gran-
des de cor cinza, indicando os átomos que compõem o sólido de sódio, com um texto
escrito logo abaixo: “Na sólido”. Ao lado de cada um dos quatro conjuntos de barras
dos orbitais, à direita, está escrito: “3s”, “2p”, “2s”, “1s”, respectivamente e de cima para
baixo. Fim da descrição.

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Assim, é possível observar uma banda de energia do nível 3s do átomo isolado, também
chamada de banda de valência.
A depender do tipo de átomo e do tipo de ligação do sólido, a banda de valência
pode estar completa ou parcialmente preenchida com elétrons. Isso nos dá uma ideia do
porquê alguns sólidos são condutores ou isolantes.
A seguir, estão expressas algumas denominações importantes:
• Banda de condução: é assim denominada a banda mais baixa, com a presença de
estados de energia não ocupados;
• Banda de energia proibida: são as lacunas ou espaçamentos presentes entre as
bandas de energia permitidas.
A Figura 9 mostra as estruturas de bandas típicas para sólidos, com as seguintes
características:
a) Estrutura de bandas de um condutor típico, como o cobre, cuja banda de valência
é também a banda de condução, parcialmente cheia;
b) Neste caso, a banda de valência de um condutor se superpõe a banda de con-
dução acima dela;
c) Banda típica de um isolante, com a presença de uma grande lacuna entre a
banda de valência e a banda de condução;
d) Banda de um material semicondutor, com uma pequena lacuna entre a banda
de valência e a banda de condução, permitindo que alguns elétrons sejam exci-
tados para a banda de condução.

Proibida
oibida Espaçamentos dos níveis
de energia muito próximos
Permitida,, vazia Sobreposição dentro da banda

Permitida,
mitida,
ocupada
cupada

Condutor
Conduutor Condutor
Con duttor Isolante
Iso nte Semicondutor
Semiccondutor
(a)) ((b) (c) (d)

Figura 9 – Estruturas de bandas típicas para sólidos

Fonte: Adaptada de TIPLER; MOSCA, 2009

#ParaTodosVerem: Ilustração em preto e branco das bandas de energia para sólidos.

Sob fundo branco, a ilustração mostra, da esquerda para a direita, palavras indicativas:
“proibida”, “permitida, vazia”, “permitida, ocupada”. Ao lado, estão quatro retângulos
com algumas camadas preenchidas e com variações em preto. Os retângulos correspon-
dem, respectivamente, a: condutor, condutor, isolante e semicondutor. No canto direito
da figura, há dois conjuntos de finas linhas pretas e, entre elas, o seguinte texto: “espaça-
mento dos níveis de energia muito próximos dentro da banda”. Fim da descrição.

20
 O preenchimento parcial da banda de valência permite uma alta mobilidade para o
elétron, o que condiz com a boa condutividade dos metais, que normalmente se encontra
dessa forma (com exceção de alguns metais).

No geral, a descrição do preenchimento, isto é, a probabilidade da ocupação de um

estado de energia, dos níveis de energia na banda de valência é descrita pela função de
Fermi, f ( E ), dada por:

1
f (E) = ( E − EF ) / ( kT )
(Eq. 07)
e +1
Onde:
• E é o nível de energia;
• EF é o nível de energia de Fermi;
• k é a constante de Boltzmann (1,38 × 10−25 J / K );
• T é a temperatura, em Kelvin.

Com o aumento da temperatura, “o intervalo acima do qual a função de Fermi f ( E ) cai

de 1 para 0 aumenta e é da ordem de grandeza de kT ” (SHACKELFORD, 2008, p. 351).

Em Síntese
Os metais apresentam boa condutividade elétrica por causa da fonte externa de energia
térmica, capaz de promover elétrons para níveis acima de EF , por ora desocupados.

As probabilidades dadas pela função de Fermi f ( E ) são válidas somente para as

bandas de valência e de condução e, com isso, tem-se que os elétrons não podem apre-
sentar níveis de energia dentro das lacunas (bandas de energia proibida).

A energia de Fermi ( EF ) para três dimensões e na temperatura T = 0 depende da

densidade de elétrons livres N / V , e é dada por:
2/3
h2  3N 
EF =   (Eq. 08a)
8me  π V 
Ou, substituindo os valores das constantes, resulta em:
2/3
N
EF = 0,3646 eV .nm 2   (Eq. 08b)
V 
Onde:
• N / V é a densidade de elétrons livres.

Exemplo 3 – Energia de Fermi para o Cobre (TIPLER; MOSCA, p. 119)

Determinar a energia de Fermi ( EF ) para o cobre, considerando uma temperatura
T = K , cuja densidade de elétrons livres é 84, 7 elétrons / nm3.

21
21
UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

Solução
2/3
N
( )
2/3
=EF 0,3646
= eV .nm 2   0,3646 eV
= .nm 2 84, 7 / nm3 7, 03eV
V 

Portanto, a energia de Fermi para o cobre em OK corresponde a EF = 7, 03eV .

Exemplo 4
Calcular a probabilidade da promoção térmica na temperatura de 25°C de um elé-
tron para a banda de condução do diamante, cujo valor de energia da banda de espaça-
mento é de Eg = 5, 6eV .

é k 86, 2 × 10−6 eV .K −1.

Dados: a constante de Boltzmann em função de eV e de K =

Solução
Para o diamante, o fundo da banda corresponde à metade do valor de Eg , pois EF se
encontra no centro do espaçamento entre as bandas de condução e a banda de valência.
Assim, temos o seguinte:

5, 6eV
E − E=
F = 2,8eV
2

Agora, vamos converter a temperatura de graus Celsius para Kelvin:

T ( K ) =°
( C ) + 273,15K
T (K ) =
( 25) + 273,15K =
298,15 K

Agora, podemos inserir os valores na Eq. 07:

1 1
f (=
E) = = 4,84 ×10−48
( E − EF ) / ( kT ) ( 2,8 eV ) / ( 86,2×10−6 eV . K −1 )( 298,15 K )
e +1 e +1

Classificação dos Sólidos em Isolantes,

Condutores e Semicondutores
A classificação dos materiais é feita com base em suas propriedades e ligações
atômicas.

A natureza da ligação atômica é determinada pelo comportamento dos elétrons que

orbitam em volta do núcleo. A Figura 10 mostra uma ilustração da contribuição relativa
das ligações para diferentes tipos de materiais:

22
 Covalente

Semicondutores

Polímeros

Metálica Secundária

Metais
Iônica Cerâmicas e vidros

Figura 10 – Ilustração da contribuição relativa das ligações para diferentes tipos de materiais
Fonte: Adaptada de SHACKELFORD, 2008

#ParaTodosVerem: Ilustração em preto e branco de um tetraedro. Sob fundo branco,

a ilustração representa a contribuição relativa dos tipos de ligações moleculares com
os quatro principais tipos de materiais. Em cada vértice do tetraedro, há as palavras:
“covalente” (no topo), seguido, no sentido horário, por “semicondutores”, “polímeros”,
“secundária”, “cerâmicas e vidros”, “iônica”, “metais” e “metálica”. Fim da descrição.
Assim, o comportamento das ligações atômicas dos materiais é uma de suas proprie-
dades mais importantes, e permite classificá-los em quatro categorias fundamentais de
materiais (SHACKELFORD, 2008, p. 38):
• Metais;
• Cerâmicas e vidros;
• Polímeros;
• Semicondutores.

Considerando o comportamento elétrico, podemos classificar os sólidos, basicamente,

de três tipos, como:
• Condutores;
• Isolantes;
• Semicondutores.

Trataremos desses três anteriores nos subitens a seguir.

Condutores
De acordo com Tipler e Llewellyn (2017, p. 459), “Um condutor é um sólido cuja banda
de valência está apenas parcialmente completa ou cuja banda de condução coincide parcial-
mente com a banda de valência”. Desta forma, os materiais condutores apresentam grande
valor de condutividade.

23
23
UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

A forma geral para a expressão da condutividade dos condutores é dada por:

σ = ne qe µe (Eq. 09)

Onde:
• σ é a condutividade, em (Ω −1 ⋅ m −1);
• n
e é a concentração de portadores de carga, em m −3;
• q
e é a carga transportada por portador, em Coulombs;
• µe é a mobilidade de cada portador, em m 2 / (V ⋅ s ).
O subscrito e nos termos da Eq. 09 descreve uma condução eletrônica pura, cuja
condução elétrica é resultante do movimento dos elétrons.

Para os condutores metálicos, o modelo de bandas denota a importância que a m

­ obilidade
µe implica na condutividade. Contudo, um aumento na temperatura acima da temperatura
ambiente implica na redução da condutividade, resultado da predominante diminuição da
quantidade de elétrons.

A resistividade ( ρ ) é o inverso da condutividade, isto é:

1
ρ= (Eq. 10)
σ
Desta forma, em função da temperatura, a relação também é inversa, cujo aumento
da resistividade é linear:

ρ = ρ rt 1 + α (T − Trt )  (Eq. 11)

Onde:
• ρ é a resistividade, em (Ω × m);
• ρ rt é a resistividade à temperatura ambiente;
• α é o coeficiente de temperatura da resistividade;
• T é a temperatura;
• T é a temperatura ambiente.
rt

A resistividade de um material de comprimento l pode ser determinada por:

RA
ρ= (Eq. 12)
l
Onde:
• ρ é a resistividade, em (Ω ⋅ m);
• R é a resistência, em Ohms;
• A é a área da seção transversal da amostra;
• l é o comprimento da amostra.

Assim como a condutividade, a resistividade também é uma propriedade do material.

24
 Exemplo 5 (SHACKELFORD, 2008)
Determinar a condutividade de uma liga de alumínio contendo 1,2% de magnésio,
cuja amostra tem as dimensões de 1mm de diâmetro por 1m de comprimento, e é colo-
cada em um circuito elétrico cuja queda de tensão medida entre as extremidades do fio
é de 432mV , relativa a uma condução de corrente de 10A.

Solução
Primeiro utilizaremos a Lei de Ohm para encontrar a resistência:

V
R=
I (Eq. 13)

Substituindo na equação anterior, resulta em:

V 432 ×10-3V
R= = =43, 2 ×10-3 Ω
I 10 A

A resistividade é dada por:

) ( 43, 2 ×10 Ω ) π ( 0,5 ×10 m )=

2

(
-3 -3
RA R π r
2

ρ =
= = 33,9 ×10-9 Ω × m
l l 1m

Por fim, calculamos a condutividade por meio do recíproco da Eq. 10:

1 1
σ= = = 29,5 ×106 Ω-1 × m-1
ρ -9
33,9 ×10 Ω × m

A resistividade do cobre com 10% de ouro é maior do que a apresentada no cobre

puro. Este conceito é importante, pois essa “impureza” que foi adicionada ao cobre tem
relação com o motivo de a temperatura ocasionar o aumento da resistividade de um
metal, pois ao adicionar impurezas, ocorre uma diminuição da perfeição da estrutura
cristalina deste metal originalmente puro. Desta forma, a irregularidade estrutural pre-
judica o movimento ondulatório dos elétrons na estrutura cristalina, fazendo aumentar
a resistividade.

A Figura 11 mostra algumas curvas de variação da resistividade para algumas com-

posições de ligas de cobre à temperatura de 20°C :

25
25
UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

30

P Fe
Si
25
p x 109 (ohm-m) a 20°C
Cr

20 Al

Cd

15
0 0,10 0,20
Adição de elemento de liga (% p)

Figura 11 – Curvas de variação da resistividade para algumas

composições de ligas de cobre à temperatura de 20°C
Fonte: Adaptada de SHACKELFORD, 2008

#ParaTodosVerem: Figura em preto e branco de gráfico de função. Sob fundo bran-

co, a ilustração mostra um gráfico bidimensional com eixos x, y da resistividade em
função da adição de elemento de liga. Em linhas cinza, são mostradas seis retas com
uma indicação em cada ponta do símbolo dos átomos de adição. De cima para baixo
e à direita, os símbolos dos átomos de adição são: “P”, “Fe”, “Si”, “Cr”, “Al” e “Cd”. Fim
da descrição.

Exemplo 6
Determinar a condutividade do ouro a 200°C , considerando uma temperatura am-
biente de 20°C , cujo coeficiente de temperatura da resistividade
= α 0, 0034°C −1 e a
resistividade na mesma temperatura ambiente seja de 24, 4 × 10-9 Ω × m.

Solução
Utilizaremos para este cálculo a Eq. 11:

ρ = ρ rt 1 + α (T − Trt ) 

Substituindo os valores, resulta em:

ρ
= ( 24, 4 ×10 -9
) (
Ω × m 1 + 0, 0034°C -1 ( 200°C - 20°C=)
) 39,3 ×10-9 Ω × m

Agora, podemos calcular a condutividade correspondente:

1 1
σ= = = 25, 4 ×106 Ω-1 × m-1
ρ ( 39,3 ×10-9 Ω × m )

26
Isolantes
Consideram-se isolantes os materiais cuja condutividade é baixa, isto é, para isolantes
-10 -16 -1 -1
típicos, a magnitude da condutividade é da ordem de 10 a 10 Ω × m , devido ao
grande espaçamento entre as bandas de energia serem maiores que 2eV .

De acordo com Shackelford (2008), a pequena parcela de condutividade presente

nos materiais isolantes deve ser devido a impurezas dadas por elétrons associados e/ou
a condução iônica.

Importante!
Conforme Tipler e Llewellyn (2009, p. 459), “Um sólido com a banda de valência total-
mente ocupada é um isolante quando a largura da banda proibida que separa a banda
de valência da banda de condução é maior que aproximadamente 2eV ”.

Semicondutores
Os materiais com condutividade intermediária entre os condutores e os isolantes
são denominados de semicondutores. Estes materiais têm vasta aplicação na indústria
eletrônica.

Os semicondutores são assim classificados caso apresentem condutividade dentro do

-4 4 -1 -1
intervalo de 10 a 10 Ω × m .

Ao se comparar as bandas de energia de um semicondutor com a de um isolante, no-

ta-se que a principal diferença consiste no tamanho do espaçamento da banda de energia
entre o nível mais baixo da banda de condução e o nível mais alto da banda de valência.

Por exemplo, o espaçamento Eg do silício, que é um semicondutor, com Eg = 1,1eV , é

bem menor do que o Eg = 5,5eV do diamante, que é um isolante (HALLIDAY; RESNICK,
2012, p. 279).

Considerando um semicondutor intrínseco, na temperatura de 0K , a condutividade

é nula, devido a ocupação total da banda de valência e a 100% da banda de condução
estar vazia.
Em uma temperatura finita, alguns elétrons podem saltar da banda de valência para a
banda de condução, devido a excitação térmica. Ao mesmo tempo, também aumenta o
número de buracos na banda de valência. O efeito do aumento da quantidade de elétrons
e buracos, denominados como portadores, é maior que o efeito do espalhamento dos
elétrons por excitação térmica da rede cristalina.
De acordo com Tipler e Llewellyn:
Os elétrons da banda de condução de um semicondutor intrínseco podem
ser acelerados por um campo elétrico porque existem estados desocupados
com energias ligeiramente maiores. Além disso, para cada elétron ­excitado
para a banda de condução é criado um nível desocupado, conhecido como

27
27
UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

buraco, na banda de valência. [...] [O] movimento de elétrons, que contribui

para a corrente elétrica, pode ser considerado como o movimento de um
buraco no sentido do campo elétrico, ou seja, no sentido oposto ao do
movimento dos elétrons. (TIPLER; LLEWELLYN, 2009, p. 460)

Em Síntese
“Para altas concentrações de impurezas, os semicondutores têm uma concentração de
elétrons semelhante à dos semimetais; para concentrações muito baixas, alguns semi-
condutores se tornam isolantes” (KITTEL, 2013, p. 160).

Semicondutores intrínsecos são assim denominados quando apresentam somente o

átomo semicondutor base, isto é, quando não tem dopagem.

A dopagem é o processo de introdução controlada de um pequeno número de outros

átomos, caracterizados como impurezas na rede cristalina do semicondutor intrínseco.

Os semicondutores dopados podem ser de dois tipos: tipo n e tipo p.

A Figura 12 ilustra um cristal de silício dopado com arsênio, que corresponde a um

semicondutor do tipo n, onde se observa na rede cristalina que os átomos de arsênio
ocupam o lugar de alguns dos átomos de silício. “Um dos cinco elétrons do arsênio a
mais ocupa um nível de energia ligeiramente abaixo da banda de condução, e pode ser
facilmente excitado para essa banda, onde contribui para a condução da eletricidade”
(TIPLER; LLEWELLYN, 2009, p. 464).

(b) Banda de
(a) Elétron a mais
condução vazia
Si Si Si Si Si

Níveis
Elétron Si As Si Si Si doadores
a mais
Si Si Si As Si

Banda de valência
Si Si Si Si Si completa

Figura 12 – (a) Representação em duas dimensões de um cristal

de silício dopado com arsênio e (b) a estrutura de bandas de energia
de um semicondutor tipo n, como o silício dopado com arsênio
Fonte: Adaptada de TIPLER; LLEWELLYN, 2009

#ParaTodosVerem: À esquerda, ilustração em preto e branco da representação da

­estrutura de um cristal de silício, e, à direita, ilustração da estrutura de bandas de energia,
relativos ao mesmo cristal. Sob fundo branco, a ilustração da esquerda é representada
por diversos pequenos círculos com “Si” escrito em cada um deles, com exceção de dois
círculos em que está escrito “As”. Os círculos são ligados por pequenas linhas ­finas e outros
círculos menores na cor cinza, indicando os elétrons. Há dois elétrons fora destas ligações,
indicados com a frase “elétron a mais”. Na direita, há a representação de dois retângu-
los de tamanho médio na horizontal. O de cima apresenta ­preenchimento com linhas

28
na diagonal um pouco espaçadas, com um texto acima indicando “banda de condução
vazia”. Logo abaixo há três linhas menores com dois pequenos círculos sobrepostos, com
a frase ao lado indicando “níveis doadores”. No retângulo de baixo, também preenchido
com linhas na diagonal pouco menos espaçadas, o texto abaixo indica “banda de valência
completa”. Fim da descrição.

Conheça mais sobre os semicondutores acessando o material “Semicondutores“.

Disponível em: https://bit.ly/3EN2Wdp

29
29
UNIDADE Quantização e Bandas de Energiaem Sólidos

Material Complementar
Indicações para saber mais sobre os assuntos abordados nesta Unidade:

 Vídeos
Mecânica quântica – Spin e experimento de Stern-Gerlach
Conheça mais sobre o experimento de Stern-Gerlach, desenvolvido para medir o momento
magnético dos átomos, acessando o seguinte vídeo.
https://youtu.be/feWYbIjFOMI

 Leitura
Átomos com mais de um elétron Teoria de Hartree
Saiba mais sobre átomos com mais de um elétron, conforme a Teoria de Hartree, acessando
o seguinte material.
https://bit.ly/3KR9ICL
Algumas Considerações sobre a Regra de Hund e a Estrutura Eletrônica de Átomos no Ensino de Química
Explore um artigo com algumas considerações sobre a Regra de Hund acessando o
seguinte material.
https://bit.ly/3ZfUU5f
Distribuição de Fermi-Dirac
Conheça detalhes sobre a Distribuição de Fermi-Dirac, que governa a distribuição de elétrons
livres, acessando o seguinte material.
https://bit.ly/3mfOnc5

30
Referências
EISBERG, R.; RESNICK, R. Quantum physics of atoms, molecules, solids, nuclei,
and particles. 2. ed. New York: John Wiley & Sons, 1985.

HALLIDAY, D.; RESNICK, R.; WALKER, J. Fundamentos de Física: óptica e física

moderna. 9. ed. Rio de Janeiro: LTC Editora, 2012. v. 4.

JAMES, B. Probabilidade: um curso em nível intermediário. Rio de Janeiro: IMPA, 1981.

KITTEL, C. Introdução à física do estado sólido. Trad. Ronaldo Sérgio de Biasi.

8. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2006.

KNIGHT, R. Física 4: uma abordagem estratégica. Trad. Clóvis Belbute Peres, Ana Rita
de Avila Belbute Peres. 2. ed. Porto Alegre: Bookman, 2009.

MAGALHÃES, M. N. Probabilidade e variáveis aleatórias I. 2. ed. São Paulo: Editora

da Universidade de São Paulo, 2006.

SHACKELFORD, J. F. Introdução à ciência dos materiais para engenheiros. Trad.

Daniel Vieira. Rev. técnica Nilson C. Cruz. 6. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008.

TIPLER, P. A.; LLEWELLYN, R. A. Física moderna. Trad. e rev. técnica Ronaldo Sérgio
de Biasi. 6. ed. Rio de Janeiro: LTC Editora, 2017.

TIPLER, P. A.; MOSCA, G. Física para cientistas e engenheiros: física moderna: me-
cânica quântica, relatividade e estrutura da matéria. 6. ed. Rio de Janeiro: LTC Editora,
2009. v. 3. (Física para cientistas e engenheiros, 3).

31
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