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INTROOUCAo
A
,
FISICA
,
DOS
I SEMICONDUTORES
I
I
I
I
I
I
I
1
I
"
I
I
I
I
.,"
"
.,' "
.,'
.~---------------~~MEC
I NTRODUCO FSICA
DOS SEMICONDUTORES
I
FICHA CATALOGRFICA
(Preparada pelo Centro de Catalogao-na-fonte,
Cmara Brasileira do Livro, SP)
CCF/CBL/SP-75-1026
COO: 537.622
COU: 536.311
DE MELLO
Ph. D. RONALDO
SRGIO DE BIASI
INTRODUCO
FSICA
DOS SEMICONDUTORES
I
EdiTORA
Este livro foi coeditado com o Instituto Nacional do Livro/Ministrio da Educao e Cultura, dentro do Programa do Livro
Didtico-Ensino Superior, patrocinado pela Secretaria de Planejamento da Presidncia da Repblica.
EDITORA
EDGARD
BLCHER
LTDA.
O 1000
SP -
BRASIL
A nossas esposas
MARIA DE PAULA
e
MARLIA
Contedo
Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. IX
Constantes fsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. XI
Parmetros de alguns semicondutores a 27 DC
XII
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
1
8
13
27
42
49
61
70
83
93
107
114
Apndices
A. Teorema de Bloch
119
B. Experincias em semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 121
Respostas e sugestes para os exerccios propostos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 123
Introduo
CONSTANTES FSICAS
Smbolo
Nome
Valor e unidade
Gerais
c
L
No
k
constante de Planck
hl2n
raio de Bohr
permissividade
permeabilidade
Atmicas
h
fi
ao
34
34
11
J-s
J-s
m
Eltricas
Eo
110
do vcuo
do vcuo
Partculas
me
Mp
Mn
q
massa
massa
massa
valor
de repouso
de repouso
de repouso
absoluto da
do eltron
do prton
do nutron
carga do eltron
9,108
1,672
1,675
1,601
x
x
x
x
10- 31 kg
10- 27 kg
1O-27kg
10-19 C
Gases
Ro
constante
8,31 Jjmol-K
GaAs
Si
22
22
Densidade
(tomos/em")
4,42 x 10
5,00
Constante
da rede (nm)
0,556
0,543
0,565
5,32
2,33
0,67
1,11
5,32
1,40
2,40 x 1013
1,45
3900
1900
1350
480
8600
16,3
11,7
12,0
1,04 x 1019
6,00 x 1018
2,80
1,04
da faixa proibida
(eV)
Concentrao
intrnseca
(portadores/em")
10
1010
1022
106
2,21
9,00
Mobilidade
(cm jY s):
Eltrons
Buracos
Constante
dieltrica
250
X
X
1019
1019
4,70
7,00
X
X
1017
1018
1 Consideraes
clssicas
a estrutu ra atm ica
sobre
--,~--+
Au
<,
-, -,
<,
(a)
+
Au
------[7--/
/
/
/
(b)
Para explicar esse fato, Rutherford (1911) sugeriu que as partculas que
constituem o tomo no esto uniformemente distribudas, mas que toda a
carga positiva est concentrada em uma regio central (ncleo), enquanto que
a carga negativa est distribuda em torno da regio central.
Posteriormente, verificou-se que a regio central do tomo (ncleo) constituda por dois tipos diferentes de partculas, o prton, que possui uma carga
eltrica positiva, e o nutron, que no possui carga eltrica. As cargas negativas
distribudas em torno do ncleo foram associadas s partculas chamadas eltrons,
que possuem carga eltrica negativa. As cargas e massas dos trs tipos de partculas esto indicadas na Tab. 1.1.
(*)No final do captulo
a referncia completa
Introduo
Tabela
Partcula
Eltron
Nutron
Prton
1.1
Carga eltrica
Massa
me
31
9,1083 x 10-
kg
Mn = 1838,65 me
M p = 1836,12 me
-1,609
10-19 coulomb
+ 1,609
O
10-19 coulomb
Figura
tomo
1.2 Representao
esquemtica
de um
Consideraes
clssicas
sobre a estrutura
atmica
lei de
Rayleigh-Jeans
~
(!}
a:
w
z
w
COMPRIMENTO
DE ONDA
teoria eleckTr4
= 2n
do metal
,u*IDe um modo geral, chamamos de momento angular o momento da Quantidade de movimento
(m . ;) em relao ao ponto considerado
(definido pelo raio vetor
momento angular = m . ~ x
(Nessa expresso
x significa produto vetorial)
r):
Introduo
= mvr = nh/2n
um nmero inteiro.
Finalmente, Bohr introduziu outra hiptese, baseada nos estudos de Planck.
Ele sups que quando o eltron passa de uma rbita de energia E2 para uma
rbita de energia E1 (E2 > E1), irradia energia com uma freqncia tal que a
relao de Planck satisfeita, isto , E2 - E 1 = hv.
Vamos aplicar as hipteses de Bohr ao caso simples do tomo de hidrognio, que possui apenas um eltron. Suponhamos que esse eltron est descrevendo uma trajetria circular em torno do ncleo (Fig. 1.4).
n
Para que a rbita seja estvel, a fora de atrao que o ncleo exerce sobre
o eltron deve ser equilibrada pela fora centrfuga resultante do movimento
de rotao; isto <*),
(Eq. 1.1)
onde
q a carga do eltron,
m a massa do eltron,
= nh/2n
(Eq. 1.3)
<*)0 leitor deve observar que estamos usando o sistema MKS racionalizado, no qual a fora
ql e q2 dada por F = Q1Q2/47CEor2, Caso estivssemos usando o sistema no-racionalizado,
teramos
Consideraes
clssicas
De acordo
sobre a estrutura
atmica
mq4
8E2n2h2
(Eq. 1.4)
o
1 e 2, as energias
=-
=-
mq"
2
SEonlh
E2
2 '
=-
mq"
2
8Eon2h
(Eq. 1.5)
2 '
m
El = 8 ;h42
Eo
a freqncia
(~-4\
n2)
n1
v da radiao
hv.
(Eq. 1.6)
dada por
8:;:3 (:2 - n
12) .
(Eq. 1.7)
o
1
2,
O resultado anterior, obtido por Bohr, est de pleno acordo com os resultados experimentais. Na verdade, os espectroscopistas
j haviam observado o
espectro do hidrognio, chegando a frmulas empricas que permitiam prever
as radiaes monocromticas
emitidas. Essas frmulas eram usadas para calcular, no o comprimento
de onda ou a freqncia, mas o chamado nmero
de onda (freqncia da radiao dividida pela velocidade da luz). Rydberg, por
exemplo, mostrou que as sries observadas por Lyman, Balmer e Paschen podiam
ser enquadradas
na frmula geral seguinte:
nmero
de onda
= R (~-~}
(Eq. 1.8)
de onda =
Q':!zqh:
=0
(~-~),
n1.
n2
(Eq. 1.9)
ou
nmero
de onda = R'
(4-4\
n
n
j
(Eq. 1.10)
2)
onde:
4
R' - ---.!!!L
- 8E~h3C
A constante R' que aparece na Eq. 1.10 concorda excepcionalmente
com o valor experimental (R) obtido por Rydberg.
Na Fig. 1.5 ilustramos algumas transies entre rbitas permissveis
o tomo de hidrognio.
bem
para
EXERCCIOS
<*)1.1.Calcule, usando a Eq. 1.4, o raio da rbita de menor energia do tomo de hidro- .
gnio, o chamado raio de Bohr.
(*)1.2.Calcule as freqncias das radiaes correspondentes srie de Lyman e srie
de Balmer,
REFERNCIAS
BOHR, N., "On the Constitution of Atoms and Molecules", Phi/. Mag. 10, 91 (1905).
BOHR, N., "On the Quantum Theory of Radiation and the Structure of the Atom", ibid.,
30 (1915).
EINSTEIN, A., "Uber einen die Erzengung und Verwandlung des Lichtes be treffenden
heuristischen Gesichtspunkt", Ann. Physik 17, 132 (1905).
GEIGER, H. e E. MARSDEN, "On a Diffuse Reflection of the ct - Particles", Proc.
Roy. Soco 82, 495 (1909).
GEIGER, H. e E. MARSDEN, "The Laws of Deflection of (1. - Particles Through Large
Angles", Phil. Mag. 25, 604 (1913).
JEANS, J. H., "On the Partition of Energy between Matter and Aether", Phil. Mag. 10,
91 (1905).
(*IAs respostas e/ou sugestes para os exerccios
Iinal do livro
Consideraes
atmica
PLANCK, M., "Uber das Gesetz der Energieverteilung in Normalspectrum", Ann. Physik 4,
553 (1901).
RAYLEIGH, J. W., "Remarks upon the Law of Complete Radiation", Phil. Mag. 49,
539 (1900).
RUTHERFORD, E., "The Scattering of IX - and f3 - Particles by Matter and the Structure of the Atom", Phil. Mag. 21, 669 (1911).
THOMSON, J. J., The Corpuscular Theory of Mat ter, (New York: Charles Scribner 's
Sons, 1907), 103.
BIBLIOGRAFIA
Beiser, A., Conceitos de Fsica Moderna (So Paulo: Editora Polgono, 1969).
Boorse, H. A. e Lloyd Motz, eds., The World of lhe Atom (New York: Basic Books, 1966).
Lopes, J. L., Introduo Teoria Atmica da Matria (Rio de Janeiro; Ao Livro Tcnico,
1959).
= -,h
mv
(Eq. 2.1)
= Znr
= n
(Eq. 2.2)
mv
mv
Assim a concepo de de Broglie d s rbitas previstas por Bohr o significado de que a circunferncia da rbita igual a um nmero inteiro de comprimentos de onda do eltron (onda estacionria). A Fig. 2.1 ilustra esse fato.
Em 1925, Schroedinger criou a Mecnica ondulatria (Schroedinger, 1926),
partindo da equao clssica que descreve as ondas estacionrias e usando a
concepo de de Broglie para definir o comprimento de onda do eltron. Com
isso chegou a uma equao, atualmente conhecida como equao de Schroedinger,que, convenientemente interpretada, conduz soluo geral do problema
das rbitas dos eltrons.
Na mesma poca em que Schroedinger publicou seus trabalhos sobre
Mecnica ondulatria, Max Bom e Werner Heisenberg criaram a chamada
2n nh/2n = n ~
jJ
Ncleo
h2 [82
2m
82
82
fi? + 8y2 + a?
J....
!/I(r, t) -Ver,
....
-+
t)l/I(r, t)
h 8 !/I (;, t)
= T -8-t -,
(Eq. 2.3)
Ver,
(*)No existe qualquer argumento terico que justifique a interpretao atribuda a t/t(;, t).
Por isso, aconselhamos o leitor a aceitar a Equao de Schroedinger da mesma forma como aceitou
a Lei da Gravitao Universal de Newton
10
Introduo
pC;,
Se chamarmos
de
t)
PCr, t)
IljJ(;, t)
dxdydzdt:
a densidade
PC;, t) =
IljJ(;, t)
(Eq. 2.4)
de probabilidade,
teremos
(Eq. 2.5)
(Eq. 2.6)
82
82 ]
+ -2
+ -2
y
z
li 8
= -:- -I/I(r)
. T(t),
(Eq. 2.7)
ou
T(t)
h2 [ 82
{ 2m 8x2
82
+-
8y2
82]
+-
8z2
_}
1/1(1")-
li
_ 8T(t)
(Eq. 2.8)
8t
e, finalmente,
12
2m
--"'~-I/J-(-=';)------""'--
_
Ver)
1 8T(t)
= - T T(t) iJt .
(Eq. 2.9)
Obtemos, portanto,
fi2 [ a2
- -
2m
11
quntica
--2
a2
J _+
+ -2y + -2z
t/J(r)
V(r) l/J(r)
El/J(r),
(Eq.2.11)
(Eq .. 2 12)
A equao original foi desmembrada em duas equaes, uma que s depende das coordenadas espaciais do eltron e outra que s depende do tempo:
A Eq. 2.11 chamada de Equao de Schroedinger independente do tempo.
A interpretao da constante E introduzida na Eq. 2.10 importante. No
segundo termo da Eq. 2.11, a funo de onda l/J aparece multiplicada pela energia
potencial V(r} Assim para que a equao seja dimensionamente correta E deve
ser uma energia. Alm disso, como E uma constante, essa energia deve ser
constante. Ora, de acordo tanto com a Mecnica clssica como com a Mecnica
quntica, a energia total de um sistema constante (Princpio da Conservao
da Energia). Assim, a constante que aparece na soluo da Equao de Schroedinger interpretada como sendo a energia total do eltron (energia cintica
mais energia potencial).
A soluo da Eq. 2.12
T(t) = e-iErlh.
(Eq. 2.13)
Assim, de acordo com a Eq. 2.6, temos
= l/J(i) e-iErih.
t/JCi,t)
E a densidade
de probabilidade
(Eq.2.14)
dada por!"!
(Eq. 2.15)
A funo t/J(r) possui uma propriedade importante. Suponhamos, por exemplo, que estamos estudando o movimento de um eltron em torno de um ncleo.
evidente que em certo instante o eltron estar em algum ponto do espao.
Assim a probabilidade de encontrarmos o eltron em algum ponto do espao deve
ser unitria, de acordo com o conceito clssico de probabilidade. Nesse caso
devemos impor a rjJ(i) a seguinte condio, conhecida como condio de normalizao:
.
t/J(r)* . l/J(r)
dxdydz = 1
(Eq.2.16)
todo o espao
-fi2
2m
[ --2
8
8 + -2
8
+ -2
T(t)
l/J(r)
= e":",
t(7)* . t/J(7)
t/J(r, t)
+ [ E- V(r) ] t/J(r) = O;
dxdydz
t/J()T(t)
(Eq.2.17)
(Eq. 2.18)
1;
(Eq. 2.19)
= t/J(r) e-iErjh.
(Eq. 2.20)
l*)Observe que os fatores e-iEljh, que aparece em .p(;, t), e eiEl;'r, que aparece em .p*(;, tl. se canceIam na Eq. 2.15
12
EXERCCIOS
2.1. Calcule o comprimento de onda de um eltron que foi submetido a uma diferena
de potencial V.
t/ln(x)
Ane-x2/2Hn(fax),
n = 1,2, ... ,
onde
2
!X
= ::
de BROGLIE, L., "Recherche Sur Ia Theorie des Quanta", Ann. Phys. 3, 22 (1925).
de BROGLIE, L., "A Tentative Theory of Light Quanta", Phil. Mag. 47, 446 (1926).
SCHROEDINGER, E., Ann. Physik, 79, 361, 489 (1926); 80, 437 (1926) e 81, 109 (1926).
BIBLIOGRAFIA
Dicke, R. H. e J. P. Wittke, Introduction to Quantum Mechanics (New York: Addison-Wesley, 1960).
Gamow, G., Mr. Tompkins in Paperback (New York: Cambridge University Press, 1965).
Schiff, L. 1., Quantum Mechanics (New York: McGraw-Hill, 1965).
White, R. L., Basic Quantum Mechanics (New York: McGraw-HiIl, 1966).
Agora que dispomos das ferramentas bsicas da Mecnica quntica, podemos aplic-Ia a dois exemplos importantes. Em primeiro lugar, estudaremos
a estrutura eletrnica dos tomos, mostrando quais so os estados possveis para
os eltrons de um tomo. No segundo exemplo, vamos examinar as propriedades do chamado Gs de Fermi, de importantes aplicaes para o estudo dos'
materiais semicondutores.
3.1. ESTRUTURA ELETRNICA DOS TOMOS
-q
Figura 3.1 Representao
tomo de hidrognio
<.
esquemtica do
Eletron
Nosso problema resolver a Eq. 2.3 para o sistema da Fig. 3.1. Sabemos
que, para o sistema representado, o potencial apenas funo de r e dado por
V{r)
= --
47rEo
q2
-'
(Eq. 3.1)
14
Introduo
(Eq. 3.2)
Isso equivale dizer que quando dois eltrons tm o mesmo nmero quntico
principal e o mesmo nmero quntico I, eles tm a mesma energia. Os eltrons
podem entretanto estar em estados diferentes, bastando para isso que um dos
outros nmeros qunticos seja diferente. Na Tab. 3.1 vemos todos os estados
possveis de um eltron cujo nmero quntico principal 2.
Tabela 3.1 Estados possveis do eltron de um tomo para n = 2
m
ms
2
2
+1/2
-1/2
-1
+1/2
-1
-1/2
2
2
2
2
+1
+1
+ 1/2
-1/2
+ 1/2
-1/2
Estados
(n = 2, 1= 1)
Aplicaes
15
da mecnica quntica
Cada um desses estados s pode ser ocupado por um eltron, devido ao importante princpio de excluso de Pauli. Esse princpio estabelece que num mesmo
sistema fisico dois eltrons no podem ocupar o mesmo estado. Em outras palavras, os quatro nmeros qunticos no podem ser iguais para dois eltrons.
Assim, por exemplo, se dois eltrons no mesmo tomo possuem os mesmos
valores de n, I e m, o valor de ms para esses eltrons no pode ser o mesmo; um
tem que ter ms = 1/2 e o outro ms = -1/2(*).
Em qualquer tomo a ordem de ocupao dos estados tal que a energia
total do tomo, isto , a soma das energias dos estados ocupados, a menor
possvel. De modo geral, isto significa que as diferentes camadas so ocupadas
sucessivamente, medida que aumenta o nmero de eltrons. Em certos elementos, entretanto, como a prata, o ndio, o estanho, etc., a interao entre os
eltrons favorece energeticamente a ocupao de uma camada antes que a camada anterior esteja completa.
Os diferentes estados dos eltrons de um tomo so designados de vrios
modos. A maneira mais conveniente, naturalmente, seria especificar os quatro
nmeros qunticos. Existem, entretanto, dois sistemas de nomenclatura que
datam dos primeiros dias da espectroscopia. O primeiro usado quando estamos
interessados apenas no nmero quntico principal. Nesse caso as camadas so
designadas por letras sucessivas do alfabeto, comeando pela letra K. Assim,
a camada K corresponde a n = 1, a camada L a n = 2, etc. O segundo usado
para especificar os nmeros qunticos n e l. Nesse sistema de nomenclatura,
cada grupo de estados indicado por um nmero e uma letra. O nmero o
nmero quntico principal. A letra indica o valor de l. Por motivos histricos,
os estados correspondentes a I = O so indicados pela letra s (do ingls sharp);
os estados em que I = 1 so indicados pela letra p (principal); os estados em
que I = 2 so indicados pela letra d (diffuse). Os estados em que I = 3 so indicados pela letra f (fundamental). De I = 4 em diante, os estados so indicados
em ordem alfabtica, comeando pela letra g. Assim o grupo de estados 2p inclui
todos os estados em que n = 2 e I = 1; o grupo 5d compreende os estados em
que n = 5 e I = 2, etc., Na Tab. 3.2 vemos os estados normalmente ocupados
dos diferentes elementos.
3.1.1. Espectros dos elementos
A distribuio da Tab. 3.2 se aplica aos tomos no estado normal, no-excitado, em que a energia mnima (estado fundamental). Quando um eltron
em um certo estado recebe energia suficiente, pode passar para um estado de
maior energia que se encontre desocupado. A energia necessria para causar
essa transio pode ser fornecida por uma onda eletromagntica ou por um
(OIAspartculas que tm spin 1/2, 3/2, ... so chamadas partculas an-simetricas (o eltron,
o prton e o nutron esto nessa categoria). As partculas que tm spin O, 1, 2, ... so chamadas
partculas simtricas (os ftons esto includos nesse grupo). O Princpio de Excluso de Pauli no
se aplica apenas aos eltrons,
de excluso
de Pauli pode ser enunciado do seguinte modo: "Duas partculas idnticas anti-simtricas no podem
chamada estatstica de Fermi-Dirac, (Capo 7), sendo portanto chamadas de frmions. As partculas
simtricas obedecem estatstica de Bose-Einstein, sendo portanto chamadas de bsons. O eltron
, conseqentemente, um frmion. Essa nomenclatura muito usada nos livros de Mecnica Quntica
16
3.2 Estrutura
eletrnica
1
K
Nmero quntico J
Notao espectroscpica
Z
Elemento
Is
2s
1
2
Hidrognio
Hlio
(H)
(He)
3
4
Ltio
Berlio
(Li)
(Be)
dos elementos
2
L
1
2p
O
3s
1
3p
3d
4s
2
2
1
2
(B)
Carbono
Nitrognio
Oxignio
Flor
Nenio
(C)
(N)
(O)
(F)
(Ne)
2
2
2
2
2
2
2
3
4
5
6
11
12
13
14
15
16
17
18
Sdio
Magnsio
Alumnio
Silcio
Fsforo
Enxofre
Cloro
Argnio
(Na)
(Mg)
(AI)
(Si)
(P)
(S)
(C I)
(A)
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
Potssio
Clcio
Escndio
Titnio
Vandio
Crmio
Mangans
Ferro
Cobalto
Nquel
(K)
(Ca)
(Sc)
(Ti)
(V)
(Cr)
(Mn)
(Fe)
(Co)
(Ni)
2
Configurao
do nenio
2
2
2
2
2
2
2
3
4
5
6
1
2
1
2
3
Configurao
do argnio
5
5
6
7
29 Cobre
(Cu)
10
30
31
32
33
34
35
36
(Zn)
(Ga)
(Ge)
(As)
(Se)
(Br)
(Kr)
10
10
10
10
10
10
10
Zinco
Glio
Germnio
Arsnio
Selnio
Bromo
Criptnio
1
4p
6
7
8
9
10
5 Boro
4
N
3
M
2
2
2
1
2
2
2
2
1
2
2
2
2
2
2
2
I
2
3
4
5
6
17
Tabela
Nmero quntico principal
Nomenclatura
das camadas
Nmero
Notao
3.2 (continuao)
quntico I.
espectroscpica
Elemento
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
Rubdio
Estrncio
trio
Zircnio
Nibio
Molibdnio
Tecncio
Rutnio
Rdio
Paldio
(Rb)
(Sr)
47
48
49
50
51
52
53
54
Prata
Cdmio
ndio
Estanho
Antimnio
Telrio
Iodo
Xennio
(Ag)
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
Csio
Brio
Lantnio
Crio
Praseodmio
Neodmio
Promcio
Samrio
Eurpio
Gadolnio
Trbio
(Cs)
(Ba)
(La)
(Ce)
(Pr)
(Nd)
(Pm)
(Sm)
(Eu)
(Gd)
(Tb)
(Dy)
(Ho)
(Er)
(Tm)
(Yb)
(Lu)
Hlmio
rbio
Tlio
Itrbio
Lutcio
2
4d
6
P
5
O
3
4f
5s
5p
5d
6s
Configurao
das camadas
internas
Disprsio
4
N
11
(Y)
(Zr)
(Nb)
(Mo)
(Tc)
(Ru)
(R h)
(Pd)
(Cd)
(In)
(Sn)
(Sb)
(Te)
(I)
(Xe)
Configurao
do criptnio
1
2
2
4
5
6
7
8
10
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
Configurao
do paldio
1
2
3
4
5
6
1
2
As camadas Is
a 4d contm
46 eltrons
2
3
4
5
6
7
7
8
2
2
2
As camadas
5s a 5p
contm 8
eltrons
1
1
2
2
2
2
10
11
1
1
12
13
2
2
2
2
14
18
Hfnio
Tntalo
Tungstnio
Rnio
smio
Irdio
Platina
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
Ouro
Mercrio
Tlio
Chumbo
Bismuto
Polnio
Astatnio
Radnio
Frncio
Rdio
Actnio
Trio
Protactnio
Urnio
Netnio
Plutnio
Amercio
Crio
Berqulio
Califrnio
Einstenio
Frmio
Mendelvio
Noblio
Laurncio
6
p
5d
51
O
6s
1
6p
7
Q
2
6(1
O
7s
Configurao
das camadas
internas
Elemento
72
73
74
75
76
77
78
(Hf)
(Ta)
(W)
(Re)
(Os)
(Ir)
(Pt)
(Au)
(Hg)
(TI)
(Pb)
(Bi)
(Po)
(At)
(Rn)
(Fr)
(Ra)
(Ac)
(Th)
(Pa)
(U)
(Np)
(Pu)
(Am)
(Cm)
(Bk)
(Cf)
(Es)
(Fm)
(Md)
(No)
(Lw)
2
2
2
2
2
O
1
As camadas
15a 5p contm
68 eltrons
4
5
6
9
9
1
2
2
2
2
2
As camadas
1s a 5d contm
78 eltrons
2
2
2
2
2
2
2
6
6
6
6
6
9
10
11
12
13
14
14
2
2
1
2
6
6
6
6
2
1(-)
2(1)
3
5(4)
6(5)
7
1
2
3
4
5
6
2
2
2
6
6
2
2
1
1(2)
1(2)
1
-(1)
-(1)
2
2
2
2
2
2
2
2
2
6
1
2
2
2
2
2
choque com outra partcula. Depois de um certo tempo, o tomo volta espontaneamente ao estado fundamental, emitindo o excesso de energia sob a forma
de radiao eletromagntica.
Assim os tomos de um elemento, quando excitados, emitem ondas eletromagnticas com comprimentos de onda bem caractersticos, que variam de
elemento para elemento. O conjunto de radiaes emitidas pelos tomos de um
elemento chamado de espectro do elemento.
Aplicaes
da mecnica
19
quntica
3.1.2. Representao
esquemtica
de um tomo
Vamos concluir nosso estudo da estrutura eletrnica dos tomos apresentando duas representaes grficas muito usadas na prtica. A primeira dessas
representaes est ilustrada na Fig. 3.2 para o caso do silcio, cuja estrutura
eletrnica, de acordo com a Tab. 3.2, K2L8M\ onde os nmeros representam
o nmero de eltrons em cada camada. Nessa representao grfica, as camadas
so representadas por crculos e os eltrons em cada camada por pontos. O
crculo central representa o ncleo. O nmero indicado no interior do ncleo
representa a carga eltrica total do ncleo, que em um tomo no estado normalv"
igual soma das cargas de todos os eltrons.
esquemtica
O tomo de germamo,
sentado como na Fig. 3.3.
de um tomo
cuja estrutura
eletrnica
K2LsM18N4,
repre-
20
Introduo
E lt ron de
Valncia
Figura 3.4 Representao esquemtica simplificada dos
tomos de silcio e germnio
cao da Mecnica quntica a um problema prtico. Em segundo lugar, usaremos uma das equaes deduzidas nesta seo para o estudo do comportamento dos eltrons em um material semicondutor.
.
O Gs de Fermi definido como um conjunto de partculas totalmente
livres, mas sujeitas ao Princpio de Excluso de Pauli. Em muitos metais, os
eltrons de conduo se comportam como se constitussem um Gs de Fermi.
Consideremos
por exemplo o caso do cobre, cuja estrutura
eletrnica
lS22s22p63s23p63dl04s1
(os sobrescritos indicam o nmero de eltrons em cada
estado). O eltron 4s est fracamente ligado rede cristalina, podendo se movimentar com liberdade quase completa no interior do material. Quando usamos
o modelo do Gs de Fermi para estudar as propriedades
eltricas do cobre,
estamos supondo que os eltrons 4s esto inteiramente livres, isto , que sua
energia potencial nula. claro que na prtica os eltrons "livres" do cobre
interagem com a rede cristalina e com outros eltrons "livres", mas essa interao to fraca que pode ser desprezada em primeira aproximao.
.
3.2.1. Gs de Fermi em uma dimenso
Vamos estudar inicialmente o comportamento
do Gs de Fermi em uma
dimenso. Suponhamos um eltron de massa m confinado a uma linha de comprimento L por barreiras infinitas de potencial nas extremidades da linha (Fig.
3.5).
1,(
I
I
I
I
BARREIRAS
INFINITAS DE POTENCIAL
I
v=o
x-o
I
I
X=L
V = O significa
que o eltron
est livre
Aplicaes
da mecnica
21
quntica
de contorno:
= I/I(L) = O.
1/1(0)
(Eq. 3.4)
o.
= I/In(L) =
I/In(O)
resolver
= A sen
(Eq. 3.6)
essa equao
nnx
L ;
diferencial,
obtendo
(Eq. 3.7)
n = 1,2,3, ... ;
_ f2 (nn)2.
E --n
2m L
Vamos proceder
uma soluo
De fato,
inversamente
(Eq. 3.8)
e simplesmente
mostrar
que
da equao.
dl/ln
nnA
rmx
-=--cos-,
dx
L
L
d 21/1
n2n2
nnx
__
n = ---Asen-.
dx2
L2
L
Portanto
s:
2m
t/1n(x)
dx2
2 2
nn
= ~[_
L2
2m
=-
f2 (
[ 2m
A seu nnx] =
)2J
tt
"T.
nn:x
AsenL=-Enl/ln(x).
da forma
e, =
Para calcular
a constante
nnx
L,
Asen
;:(n:y.
A, usamos
a condio
(Eq.3.9)
(Eq. 3.10)
de normalizao:
(Eq. 3.11)
22
=-=-)
(Eq. 3.13)
2
(Eq. 3.14)
Em conseqncia, as expresses finais para as funes de onda e para as energias
permitidas so as seguintes:
t/ln =
E"
sen
nlx
= 2m
h2.(nrr)2
L
n = 1,2,3, ... ;
(Eq. 3.15)
= 1,2,3,...
(Eq. 3.16)
2 (rr)2
Ll=-h
2m L
n=2
n
= 3
n=4
n = 5
n=6
n=7
n>7
2 eltrons,
2 eltrons,
2 eltrons,
2 eltrons,
2 eltrons,
2 eltrons,
1 eltron,
O eltrons,
(nvel incompleto),
(nveis vazios).
23
(L)2
1th
dn
-=m
1
_.
-'-
dEn
(Eq. 3.19)
2m(Lnh)J2 .Ln
4L
(m.)1/2 ,
(Eq, 3.20)
21th 2E
ou, finalmente,
L
E1th V""'"
.
D(E) = -
!2;;;
(Eq. 3.21)
1/2.
dimenso
EF
(*)Embora no seja estritamente vlida, j que, como vimos, o nmero n s pode assumir valores inteiros, essa aproximao usada em muitos problemas de Mecnica quntica e em geral
conduz a resultados corretos
24
---..,.,
---(
,,
,/
,/
[8
h
2m 8x2
8 8
2
+ 8y2 + 8z2 ]
ljJ(x, y, z)
+ EIjJ(x, y, z)
0,
(Eq. 3.22)
(Eq. 3.23)
ljJ(x, y, O) = ljJ(x, y, a) = O.
E n --
h2 n 2 [ 2
-2 ma
2 nx
+ ny2 + n;2J ,
(Eq. 3.24)
(Eq. 3.25)
onde
Fica a cargo do leitor verificar que as funes de onda (Eq. 3.24) satisfazem
equao de Schroedinger (Eq. 3.22).
Para calcularmos a constante A usamos a condio de normalizao seguinte:
fff
= 1.
(Eq. 3.26)
Aplicaes
da mecnica
25
quntica
ai
O
ia
n nx
sen2-X--dx
a
n ny
sen2-Y-dy
a
ia
o
nznz
sen2--dz
a
= l.
(Eq. 3.27)
nx ttx
n
[ffzzsen--sen-Y-sen--
a
a
a
It
Itz
tez
(Eq. 3.29)
a
Assim o estado de um eltron confinado a uma regio tridimensional caracterizado por quatro nmeros qunticos: trs nmeros qunticos espaciais, nx,
n nz, que podem assumir os valores 1,2,3, ... e um nmero quntico de spin,
ms' que pode assumir os valores + 1/2 e -1/2.
Vamos agora calcular a densidade de estados do Gs de Fermi em trs
dimenses.
Nosso ponto de partida ser a equao que nos d as energias permitidas
para o eltron:
y,
(Eq. 3.30)
Se representarmos os valores de I1x, l1y e nz em um sistema de eixos cartesianos, o lugar geomtrico dos pontos de mesma energia E ser dado por
2
11
hn
= [~a
hn
J2
E1/2
(Eq. 3.31)
R=--E
hn
1/2
(Eg. 3.32)
'
nz
E = ete.
Figura 3.8 Superficie de energia constante de
um Gs de Fermi em trs dimenses
ny
26
Introduo
/
a3 [2mJ3
_
1 43
= 2-'-nR
<E
=-
3n2
h2
E3/2
'
(Eq. 3.33)
= ~; =
2: [~~T/2
El/2.
(Eq. 3.34)
A Eq. 3.34 nos d a densidade de estados de um Gs de Fermi em trs dimenses. Podemos definir tambm a densidade de estados por unidade de volume
como sendo a relao entre a densidade de estados e o volume no qual os eltrons esto confinados. Como supusemos que os eltrons estavam confinados
a um cubo de lado a (volume a3), a densidade de estados por unidade de volume
do Gs de Fermi em trs dimenses dada por
D (E)
v
= ~ D(E) =
V
/2
[2mJ3
2n h
_1_
E1/2.
(E
q..
335)
=~
F
2m
(Nn)2,
2L
4 Noes de cristalografia
/
Figura 4.1 Estrutura de uma substncia cristalina
/
/
/
V
V
/
/
/
/
/
/
/
/
Um modo interessante de caracterizar um cristal como o da Fig. 4.1 definir uma estrutura puramente geomtrica, a cujos pontos so associados um
ou mais tomos para reproduzir o cristal. Esse mtodo de representar as
substncias cristalinas est ilustrado na Fig. 4.2.
/
/
V
(a)
1/
V
/
V
l/
A'"'<,
'
1/
tomo
/'
-o
--:
/
/
(b)
V
V
V
V
./
(c)
Figura 4.2 A estrutura cristalina que aparece em (c) formada associando-seum tomo
(b) a cada ponto de uma estrutura puramente geomtrica (a)
A estrutura puramente geomtrica chamada de rede cristalina da substncia consideradav", O conjunto de tomos que associado a cada ponto da
rede cristalina (no caso da Fig. 4.2, apenas um tomo) chamado de base.
Qualquer cristal pode ser definido atravs de uma rede cristalina associada a
uma base apropriada.
A Fig. 4.3 mostra a rede cristalina e a base correspondente para o caso
do cloreto de sdio (NaCI). Repare que neste exemplo a base constituda por
dois tomos diferentes, Na e Cl.
(*)CrystaC Cartice, em ingls
28
Introduo
/I
1/
/
i/
/
/
/
1/
'/
1/
CI
Na
( b)
/
(c)
(a)
Figura 4.3 Cristal de cloreto de sdio. (a) rede cristalina; (b) base; (c) cristal completo
importante observar que o mesmo cristal pode ser representado por mais
de uma redecristalina. Nesse caso, naturalmente, as bases associadas a cada
rede sero diferentes.
4.2. CLULA UNITRIA E SISTEMAS CRISTALINOS
Um fato importante a respeito das redes cristalinas que qualquer rede
cristalina tridimensional pode ser gerada pela translao de um paraleleppedo
ao longo de trs eixos mutuamente perpendiculares. Assim, por exemplo, a rede
cristalina da Fig. 4.2 pode ser gerada pela translao de um cubo (Fig. 4.4).
,I
Convm lembrar que, como a rede cristalina, a clula unitria uma estrutura puramente geomtrica, a cujos pontos deve ser associada uma base adequada para gerar o cristal. evidente que podemos definir qualquer cristal por
29
Noesde cristalografia
l1;DrIlJrIIJ
(bl
(a)
(e)
= b =
O(
= f3
= '1 = 90'
Figura 4.5 Sistema cbico; (a) cbico simples; (b) cbico de corpo centrado; (c) cbico
de faces centradas
Figura 4.6 Sistema tetragonal; (a) tetragonal simples; (b) tetragonal de corpo centrado
(al
(b)
a = b
;i
oi.=j3=I=90
D[]DO
(bl
(a)
(e)
;i
0\
f3 = ~ = 90'
;i
(d)
Figura 4.7 Sistema ortorrmbico; (a) ortorrmbico simples; (b) ortorrmbico de bases
centradas; (c) ortorrmbico de corpo centrado; (d) ortorrmbico de faces centradas
(a)
(b)
a t- b t- e
01
=~
= 90;fo
a ;.b ; c
rXt:f3t:1
Figura 4.9 Sistema triclnico
Por que,
30
Introduo
a
o(
oI.={J=6
= b ;t e
= f3 = 90
t" 120
< 120,;, 90
Cr
(a)
(e)
Figura 4.12 (a) Clula unitria cbica de corpo centrado; (b) base a ser associada
rede cristalina; no caso, tomo de cromo; (c) clula unitria do cromo com os tomos
posicionados
da rede cristalina
~----Cs
Cs
Cs
'---~------.CS
Figura
4.13
Estrutura
cristalina
do alumnio
Cs
Cs
Figura 4.14 Estrutura cristalina do
cloreto de csio
31
Noes de cristalografia
A Fig. 4.13 mostra a estrutura cristalina do alumnio (cbica de faces centradas). Outros elementos com a mesma estrutura so o cobre, o ouro, o chumbo,
o nquel e a prata.
A Fig. 4.14 mostra um exemplo de cristal composto, o cloreto de csio.
A rede cristalina do cloreto de csio cbica simples; a base consiste em dois
tomos, um de cloro e um de csio.
Finalmente apresentamos na Fig. 4.15 a clula unitria do diamante, que
nada mais que o carbono na forma cristalina'?',
Aproveitamos esse exemplo para introduzir o parmetro a, a chamada
constante da rede; como vemos na Fig. 4.15, a constante de rede igual ao lado
da clula unitria.
interessante observar que a estrutura da Fig. 4.15 exatamente a mesma
do germnio e do silcio, duas substncias de vital importncia para a tecnologia
dos dispositivos semicondutores; apenas a constante da rede diferente.
cristalina do diamante
A Fig. 4.16 mostra a parte inferior esquerda da Fig. 4.15, onde esto localizados os tomos A, B, C, D e E.
.
Os tomos B, C, D e E formam um tetraedro regular, com o tomo A exatamente no centro. Assim, o tomo A est mesma distncia dos quatro tomos
mais prximos, B, C, D e E. Como veremos mais tarde, entre o tomo A e os
tomos B, C, D e E existe uma ligao especial, chamada ligao cova lente, que
mantm os tomos firmemente presos rede cristalina. Essa ligao, que no
caso de cristais como o diamante, o germnio e o silcio tambm chamada
de ligao tetradrica (porque os tomos vizinhos de qualquer tomo considerado formam um tetraedro) tem uma profunda influncia sobre as propriedades dos materiais semicondutores.
(*>Chamamos a ateno do leitor para a diferena extraordinria
cristalina (diamante) e amorfa (grafita)
32
Introduo
A4
_--t---~Al
As
Figura 4.17 Exemplo do clculo do nmero de tomos por unidade de volume em um cristal
Como vimos, a clula unitria deve ser transladada ao longo de trs dimenses mutuamente perpendiculares para gerar o cristal no espao. Assim um
tomo como Ai' localizado no vrtice do cubo, pertence simultaneamente a
8 clulas adjacentes. Para efeito de clculo, apenas 1/8 desse tomo pertence
clula unitria da Fig. 4.17. Como existem 8 vrtices, a contribuio dos tomos
dos vrtices para uma clula unitria igual a 8 x 1/8 = 1 tomo.
Por outro lado, o tomo A9' localizado no centro do cubo, pertence exclusivamente clula da ilustrao. Assim, o nmero total de tomos pertencentes
clula dado por: N = 1 (contribuio dos tomos dos vrtices) + 1 (contribuio do tomo central) = 2 tomos.
Como o volume da clula a3, onde a a constante de rede, o nmero de
tomos por unidade de volume de um cristal como o da Fig. 4.17 igual a 2/a3
Vamos agora calcular o nmero de tomos por unidade de volume para
os materiais que nos interessam mais de perto, o germnio e o silcio, cuja estrutura cristalina a representada na Fig. 4.15.
No caso da estrutura da Fig. 4.15, cada tomo situado no vrtice do cubo
pertence simultaneamente a 8 clulas, exatamente como o exemplo anterior.
Assim a contribuio total dos tomos dos vrtices igual a 1 tomo.
Os tomos situados nos centros das faces do cubo pertencem a duas clulas
vizinhas; como existem faces, a contribuio total para uma clula igual a
6 X 1/2 = 3 tomos.
Os 4 tomos situados no interior da clula pertencem exclusivamente
clula considerada.
33
Noes de cristalografia
Contribuio
de cada tomo
dos vrtices para a clula
= 1/8
Contribuio
total para
a clula:
8 x 1/8 = 1
Contribuio
de cada tomo
dos centros das faces para a
clula = 1/2
6 x 1/2 = 3
Nmero de tomos no
interior da clula = 4
Contribuio
de cada tomo
interior para a clula = 1/1
4 x 1/1 = 4
Nmero total de tomos
da clula 8
Substncias
de rede (nm)*
Nmero de tomos/cm3
germnio
0,566
1,77
4,42
silcio
0,543
5,00
diamante
0,356
X
X
1023
1022
1022
10-9
34
Introduo
-y
x
a) Calculam-se as distncias da origem aos pontos A, B e C de interseo
com os eixos de referncia, tomando como unidade a constante de
rede. No caso da Fig. 4.20,
do plano
DA = 1,
DB
2,
De
2.
35
Noes de cristalografia
2a
3a
3a
1,
1/0B
= 1/2,
l/De
= 1/2.
2 x 1/2 = 1,
2 x 1/2 = 1.
y
a
X/2a
36
Introduo
oe
OB = 2,
1/0B = 1/2,
3;
1/0e = 1/3;
6 x (-1/2) = -3,
6 x 1/2 = 3,
ndices de Miller: (3 3 2).
6 x 1/3
= 2.
NDICES DE MILLER (O 2 O)
y
a
aF---Y
(c)
(d)
Figura 4.22 Alguns planos de um cristal cbico: (a) plano (100), (b) plano (O2 O),
(c) plano (1 1 1), (d) plano (2 O O)
37
Noes de cristalografia
op= perpendicular
ao plano p
c
p
Os co-senos
diretores
da reta definida
cos o: = dl a,
cos f3
= dfb,
cos y
= dlc,
EM UM CRISTAL
Convencionalmente,
os ndices que caracterizam uma direo em um cristal
so definidos pelos trs menores nmeros inteiros que guardam entre si a mesma
relao que as componentes de um vetor de mdulo arbitrrio, paralelo direo considerada.
~
A Fig. 4.24 mostra um exemplo. A direo dada a direo d. Um vetor
v, traado paralelamente
a d, possui as seguintes componentes:
"z = 1,
Multiplicando
por 2 as componentes
2 x 1
= 2,
2 x 1
"s = 7/2.
de v, obtemos
= 2,
2 x 7/2
= 7.
38
Introduo
z
5a
4a
3a
y
3a
z
PLANO
P: (100)
P: (1 1 1 )
DIREO d: [111]
PLANO
seria muito mais simples defini-lo pelas coordenadas dos seus traos? Na verdade, a importncia dos ndices de Miller est intimamente relacionada ao
conceito de rede recproca, que infelizmente foge ao escopo deste livro. Mesmo
assim, fizemos questo de definir os ndices de Miller para que o leitor possa
39
Noes de cristalografia
DA ESTRUTURA DE UM CRISTAL
FEIXE/DIFRATADO
A Fig. 4.27 uma vista de perfil do cristal da Fig. 4.26, que mostra como
os raios X so difratados pelo conjunto de planos paralelos P l' P 2' ... do cristal.
Como vemos na Fig. 4.27, os raios so refletidos pelos tomos localizados
nos planos P I' P 2' .. e em seguida so registrados em uma placa fotogrfica.
Chamando de d a distncia entre os planos e de ()o ngulo entre o feixe incidente
e o conjunto de planos paralelos, a distncia entre os pontos de incidncia no
filme de dois raios refletidos por planos vizinhos, como P e P igual a (d cos 8).
Ora, como a extremamente pequeno, o ponto de incidncia no filme dos raios
refletidos Rl' R2' R3""
praticamente o mesmo. Em conseqncia a imagem
produzida no filme pelos raios RI' R2' R3' etc. ser um ponto.
1
2'
40
Introduo
Figura
cristal
trando
ralelos
1'
P2
' ...
AO
OB
= 2dsen(J.
(Eq. 4.1)
Assim a condio para que os planos paralelos P l' P 2' ... produzam uma
imagem na placa fotogrfica expressa pela seguinte equao:
2d sen
n,
(Eq. 4.2)
41
fator de forma, uma medida do poder de espalhamento dos tomos que constituem a base. Para uma discusso elementar desses dois fatores, consulte por
exemplo Kittel (1967). Um estudo mais completo pode ser encontrado em
Azaroff (1968).
EXERCCIOS
<*)4.1.O ouro tem uma massa especfica de 19,32g/cm", um peso atmico de 197,0 e
uma estrutura cbica de faces centradas. (a) Calcule o nmero de tomos de ouro
por centmetro cbico; (b) Calcule a constante de rede.
4.2. O sistema tetragonal de faces centradas equivalente a um dos 14 tipos de rede
cristalina ilustrados nas Figs. 4.5 a 4.11. Qual esse tipo?
4.3. Calcule a distncia entre dois tomos vizinhos em um cristal de silcio.
<*)4.4.Calcule o valor do ngulo existente entre as ligaes tetradricas de um cristal
de Si. Esse valor difere para o caso do Ge e do diamante?
4.5. Prove que em um cristal cbico o plano definido pelos ndices (hkl) sempre perpendicular direo [hklJ.
4.6. Mostre as posies atmicas do Ga e do As nos planos (11 O) e (1 OO) de um cristal
de GaAs.
<*)4.7.Quais os planos que contm os trs tipos de direes de baixo ndice, [10 OJ,
[110J e [111]?
4.8. Em uma experincia de difrao, quais as condies que devem ser satisfeitas
para que se tenha uma imagem na chapa fotogrfica, correspondente a um conjunto de planos paralelos?
4.9. Lembrando que a luz visvel est na faixa de comprimentos de onda de 400 a
800 nm, explique por que no se pode usar luz visvel para estudar a rede cristalina de um cristal por difrao.
REFERNCIAS
AZAROFF, L. V., Elements of X-Ray Crystallography (New York: McGraw-Hill, 1966),
Cap.8.
BRAGG, W. L., "Structure ofSome Crystals as Indicated by their Diffraction ofX-Rays",
Proc. Roy. Soco A 89, 248 (1913).
KITIEL, C., lntroduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo 2.
BIBLIOGRAFIA
Kittel, C; Introduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967),Capo I.
Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-HiIl, 1966), Capo 2.
Neste captulo vamos aplicar as idias desenvolvidas nos captulos anteriores ao estudo dos estados de energia dos eltrons em um cristal. O problema;
em sua forma geral, extremamente complexo, pois os eltrons, alm de serem
atrados pelos ncleos dos tomos que formam a rede cristalina, so repelidos
pelos outros eltrons. No caso de um cristal, a equao de Schroedinger assume
a forma
(Eq. 5.1)
que uma generalizao da Eq. 2.17.
Na Eq. 5.1, os ndices ie i- so usados para distinguir as coordenadas dos
diferentes eltrons e o somatrio se estende a todos os eltrons do cristal.
A energia potencial V(r'ij) pode s.:r decomposta em dois termos, um que s
depende da posio do eltron i, VI (rJ, e que corresponde energia potencial
do eltron i no campo eltrico dos ncleos dos tomos do cristal, e um segundo
termo, Vir'i)' que corresponde energia potencial do eltron i no campo eltrico de todos os outros eltrons e que portanto depende da posio de todos
os eltrons do cristal.
Se o termo V2(r'i) da energia potencial fosse desprezvel, a Eq. 5.1 assumiria
a forma
(Eq. 5.2)
Vamos agora demonstrar que a soluo da Eq. 5.2 pode ser escrita na forma
onde l/t 1(r 1)' l/tir 2)' ... , l/tk(rk), ... ,l/tll(rll)
[Ek-
V1(r'k)] = O
= 1,2, ... , n.
(Eq.5.4)
Para isso vamos substituir a Eq. 5.3 na Eq. 5.2. Fazendo isso, temos
h2 [ 82
~ {, 2m
-3
Xi
uy,
UZi
+ ~8 + ~8
J ~
-->
t/I
kk)
-->
...
43
a um cristal
(Eq. 5.6)
(Eq. 5.7)
(Eq. 5.8)
(Eq. 5.9)
1/1(;1' 72,,rn)
= 1/11(71)l/1irz)I/1/r,.),
(Eq. 5.10)
(Eq.5.11)
El
Ez
+ ... +
En'
44
iP
2m ox2
+ oy2 + OZ2
-+
I/Ik (r)
+ [Ek
-+-+
- V(r)]
I/Ik (r) = O,
(Eq. 5.12)
onde Ver) o potencial no qual o eltron est se movendo (potencial dos ncleos
dos tomos do cristal) e o ndice k serve para distinguir as diferentes solues.
A Eq. 5.12 se aplica a qualquer eltron do cristal, isto , o somatrio da Eq. 5.1
foi transformado em um sistema de n equaes idnticas, quando desprezamos
o termo V2(r'i). Assim podemos estudar o movimento de cada eltron como se
ele estivesse sozinho na rede cristalina (ncleos) e da o nome de aproximao
de "um eltron".
Devido regularidade da disposio dos ncleos em um cristal, o potencial
V(r) peridico no espao. Essa periodicidade, por sua vez, impe certas restries forma das solues da Eq. 5.12. Essas restries so expressas pelo
Teorema de Bloch, que demonstrado no Apndice A.
O Teorema de Bloch diz que a soluo mais geral da equao de Schroedinger
para um eltron em um cristal da forma
-),
I/Ik(r)
= e
ik'--;"-+
J1k (r),
(Eq. 5.13)
onde J1k (r) uma funo com a mesma periodicidade espacial que a rede cristalina.
A nica restrio imposta funo J1k (r') pelo Teorema de Bloch que
ela deve ter a periodicidade da rede cristalina. Sua forma detalhada depende
da forma do potencial V(r') da Eq. 5.12. Vamos agora examinar o caso simples de
um cristal de uma dimenso apenas e verificar qual a forma assumida pela funo
J1k (r').
= --,
(Eq.5.14)
onde r a distncia entre o eltron e o ncleo do tomo ionizado. Esse potencial est representado na Fig. 5.1.
Consideremos agora um "cristal unidimensional", isto , o conjunto formado por uma linha de tomos ionizados e uma srie de eltrons. O potencial
de qualquer um desses eltrons no campo dos tomos ionizados est representado na Fig. 5.2.
45
V(r)
vrx:
no
46
Introduo
v I)X
Vo
-
o a
-b
+ Be-iPX,
= AeiPx
I/tl(X)
onde f3 =
2 Em/li. Na regio O > x > -b, V
assume a forma
(Eq.5.16)
+ De :";
1/t2(X) = Ce"
(Eq. 5.17)
onde o: =
2m(Va - E)/Ii. Os coeficientes A, B, C e D so relacionados entre si
pelas condies de fronteira. Como o valor de E - V(x) finito na fronteira, a
derivada dljJ/dx e a prpria funo I/t devem ser contnuas na fronteira x = o.
Em outras palavras,
+B =
if3(A-B)
+ D,
(Eq. 5.18)
rx(C-D).
IjJ(x) = eikxJ-l(x).
J-l(x)
J-l(x
(Eq. 5.19)
+ a + b).
Ento
I/t(x
+ a + b) =
eik(a+bJeikxJ-l(x)
eik(a+bJI/t(x).
ou:
b) = eik(a+bJI/t2(X)
+a +
IjJ3(X) = eik(a+bJI/t2(x-a-b).
As condies
de fronteira
AeiPa
f32
a so portanto
(Ce-ab
if3(Aeipa_Be-iPa)
y2 _
em x
+ Be-ipa =
+ Deab)eik(a+bJ,
(Eq. 5.20)
a(Ce-lXb_DelXb)eik(a+bJ.
o determinante
dos coeficientes
+ cosh
+ b).
deve ser
(Eq. 5.21)
Aplicao
da mecnica
quntica
47
a um cristal
-----pa-
onde
aba. 2
p=_.
2
Na Fig. 5.4, desenhamos o lado esquerdo da Eq. 5.22 em funo de f3a.
Como I cos kal ~ 1, s so permitidos os valores de f3a para os quais o lado
esquerdo da Eq. 5.22 esteja entre -1 e 1. Dentro dessa faixa, para cada valor de
f3a existe um valor correspondente
de ka (Fig. 5.4).
F(~a)
F({3a) = p --
+ cos f3a
I
TT
2TT
3if
vi
I
I
~D
B
-2T
-T
vl'
:
I
I
2T
. I
I
I
I
II
I
I
I
31T
41T
ka
48
5.2. CONDUTORES,
ISOLANTES, SEMICONDUTORES
K2
Nenio
K2U
Argnio
Criptnio:
Xennio
Radnio :
K2L8M8
K2L8M18NB
K2L8M18N1808
K2L8M18N32018p8
50
do tetraedro
4 tomos vizinhos
formado
pelos
germnio ou silcio
Propriedades
51
II
II
II
/EI~trons da ligao
-=O=O=O~Covalente
11
-= OII= O11);
= 0=
ou ~
bidimen-
sional do um cristal do Si ou
II
oe
II
II
=0=0=0=
II
II
II
Repare que a representao bidimensional reproduz corretamente as posies relativas dos tomos e ligaes covalentes, mas que os ngulos entre as
ligaes so alterados. Entretanto esses ngulos no so importantes para as propriedades que vamos estudar.
.
6.3. ELTRONS E BURACOS
Como os eltrons de valncia dos semicondutores formam pares covalentes,
eles no so normalmente livres como no caso dos metais. Na verdade em temperaturas muito baixas, prximas do zero absoluto, em que as ligaes covalentes se mantm praticamente intactas, o cristal se comporta como um isolante.
Entretanto medida que a temperatura cresce, algumas ligaes covalentes
se rompem, devido agitao trmica'w.
Na Fig. 6.4 vemos um cristal em que uma das ligaes covalentes deixou
de existir.
II
II
II
-=0"=0,, ~~
I
eL~~:~~~nJ~~:lente
Incompleta
"
"
=O=O=O=-
II
II
II
52
Introduo
Em conseqncia, um dos eltrons ficou livre para vagar por todo o cristal,
e ficou um "vazio" em uma das ligaes covalentes do cristal. A ausncia do
eltron na ligao covalente est representada por uma linha tracejada. Esse
"vazio" chamado de buraco. Os buracos tambm podem servir para o transporte de cargas, pelo mecanismo que explicaremos em seguida.
.
Quando uma ligao covalente est incompleta, isto , quando existe um
buraco, o eltron de um tomo vizinho pode deixar sua ligao covalente e vir
preencher esse "vazio". Com isso, entretanto, o eltron deixa um buraco em
sua posio original, que por sua vez pode ser preenchido por outro eltron.
Assim um buraco pode "caminhar" por um cristal, na direo contrria do
movimento dos eltrons que procuram "ench-lo".
No que se refere ao transporte de cargas, o buraco se comporta como uma
carga positiva, com o mesmo valor absoluto da carga do eltron. Na verdade,
para simplificar o estudo, podemos considerar o buraco como uma entidade
real; preciso ter sempre em mente, entretanto, que se trata de um artificio e
que os buracos no passam de "vazios" nas ligaes covalentes do cristal. Outro
ponto que vale a pena destacar o seguinte: o movimento dos eltrons e o movimento dos buracos se realiza de modo diferente - enquanto os eltrons caminham no cristal de forma mais livre, os buracos s podem passar de ligao
covalente para ligao covalente. por isso que a velocidade com que os eltrons se movem no interior do cristal em geral maior do que a dos buracos':".
6.3. GERAO E RECOMBINAO
6.3.1. Gerao trmica
Definimos como gerao trmica o processo de criao de pares eltron-buraco em um cristal pela rutura de ligaes covalentes devido agitao
trmica da rede cristalina. medida que a temperatura de um cristal aumenta,
a partir do zero absoluto (O K), os tomos da rede comeam a vibrar em torno
de suas posies ideais, fazendo variar as distncias entre os tomos e os ngulos
entre as ligaes covalentes.
Quanto maior a temperatura, maior a amplitude das oscilaes. Parte da
energia das oscilaes transferida para os eltrons de valncia dos tomos
da rede. Alguns dos eltrons recebem energia suficiente para abandonarem a
ligao covalente de que participam. Naturalmente a rutura de uma ligao
covalente resulta na criao de um eltron livre e um buraco.
Para descrevermos a criao de pares eltron-buraco pela agitao trmica
da rede, definimos a chamada taxa de gerao trmica, G(T), que representa o
nmero de pares eltron-buraco criados no cristal, por unidade de volume e
por unidade de tempo. pra um determinado material semicondutor, a taxa de
gerao trmica funo apenas da temperatura.
6.3.2. Recombinao
Definimos como recombinao a associao de um eltron a um buraco,
com a reconstituio
(*)0 parmetro conhecido como mobilidade, que ser definido no Capo 7, relaciona a velocidade dos eltrons (ou buracos) ao campo eltrico aplicado. Em geral, a mobilidade dos eltrons
maior que a dos buracos
53
tidade de energia. Essa energia pode ser irradiada (emisso de ftons) ou absorvida pela rede cristalina (emisso de fnons).
Embora os mecanismos da recombinao sejam bastante complexos, o fenmeno pode ser descrito por uma equao fenomenolgica bastante simples:
Como o processo de recombinao depende da presena simultnea de um eltron
e um buraco em um mesmo ponto do cristal, a taxa de recombinao, R, proporcional s concentraes de eltrons e buracos no cristal, isto ,(*)
R = np
(Eq. 6.1)
onde R a taxa de recombinao, n e p so as concentraes de eltrons e buracos, respectivamente, e IX um parmetro que depende da temperatura e do
mecanismo de recombinao considerado.
A Eq. 6.1 chamada de Lei da Ao das Massas, por analogia com a lei
que descreve a evoluo das reaes qumicas.
6.3.3. Equilbrio trmico
Dizemos que um sistema est em equilbrio trmico quando sua temperatura constante e uniforme.
Como vimos nos pargrafos anteriores, as concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor dependem de dois processos competitivos, a gerao
trmica e a recombinao. Para uma dada temperatura, a taxa de gerao trmica G(T) tem um valor constante. Assim se o semicondutor estiver em equilbrio trmico, o nmero de pares eltron-buraco gerados por unidade de tempo
ser constante. Ora, o nmero de eltrons buracos no cristal no pode aumentar
indefinidamente, j que, como vimos, a taxa de recombinao diretamente
proporcional s concentraes de eltrons e buracos. Em conseqncia, quando
mantemos um semicondutor a uma temperatura constante durante um tempo
suficientemente longo, as concentraes de eltrons e buracos assumem valores
tais que a taxa de recombinao se torna exatamente igual taxa de gerao
trmica:
G(T) = R = anp.
(Eq. 6.2)
Naturalmente a Eq. 6.2 s vlida para um semicondutor em equilbrio
trmico.
= =
(*lA taxa de recombinao definida como o nmero de pares que se recombinam por uni-
54
Introduo
--
/'
<,
"-
I
\
'\
.....
---
/
~
Figura
6.5 Representao
esquemtiea
do tomo
de
..- ---..
/
"-
I
\
\....
@)
--
\
T
/
/
.-/
55
Como os tomos das impurezas trivalentes cedem buracos ao cristal (retiram eltrons do cristal), essas impurezas so chamadas de impurezas aceitadoras
ou impurezas tipo P (a letra P a inicial de positiva, referindo-se carga
buraco).
Os eltrons livres e buracos de um semicondutor
so chamados de portadores, pois atravs deles que se realiza qualquer transporte de cargas de um'
ponto para outro do material. Como vimos, em um semicondutor
intrnseco
(puro) o nmero de eltrons igual ao nmero de buracos.
Nos semicondutores
tipo N, isto , que contm impurezas doadoras, pentavalentes, o nmero de eltrons maior, naturalmente, que nos sernicondutores
intrnsecos. Alm disso, o nmero de buracos menor, pois havendo excesso
de eltrons, os buracos tm maior oportunidade
de se recombinarem.
Nos se-
do
de eltrons,
56
Propriedades
57
(b)
(a)
Figura 6.9 Faixas de energia (a) nos metais; (b) nos isolantes
suficiente para passarem para a faixa de conduo. Nesse caso as ligaes covalentes se mantm intactas.
Quando aumentamos a temperatura, entretanto, alguns eltrons adquirem
energia suficiente para transporem a faixa proibida e passarem para a faixa de
conduo, deixando buracos na faixa de valncia.
As Figs. 6.1O(a),(b) e (c) mostram o que acontece nos trs tipos de semicondutores.
Conduo {
--
-.;;;-
F.proibida{
Valncia
--Eltrons
------0----0-
)uracos
{
+ + + +'
(a)
Figura
6.10
_Eo
- 0-----0-
+ +
(b)
__
EA
+++ +++
(c)
58
Tabela
6.2 Energias
de ionizao
em eltrons-volt
(eV)
Semicondutor
Impurezas
Silcio
Germnio
D
O
A
D
0,044
0,0120
As
0,049
0,0130
Sb
0,039
0,0096
Li
0,033
0,0010
0,045
0,010
AI
0,057
0,010
Ga
0,065
0,011
Conduo
Valncia
S
A
C
E
I
T
A
D
O
R
Conduo
._------.--
---1
Valncia
In
0,160
0,011
59
II
II
II
-O====O-O=Figura 6.11 Eltron de massa real mo deslocando-se no interior de um cristal semicondutor sob o efeito de um campo eltrico
externo. Devemos aplicar as leis da Mecnica
quntica
/I 11~ll
-=O====O-O===-
II
11
TI
II
r+:
E
E
Na prtica, as massas efetivas so determinadas
com o auxlio da ressonncia de ciclotron dos eltrons e buracosv" (Lax e Mavroids, 1960).
.
Voltaremos ao conceito de massa efetiva no Capo 8, quando calcularmos
as concentraes
de eltrons e buracos em um semicondutor.
EXERCCIOS
6.1. Verificamos a possibilidade da introduo de impurezas em um material sernicondutor,
transformando-o
em
um semicondutor
do
<*)0 nome "ressonnciade ciclotron" provm do fato de que os eltrons e buracos descrevem
rbitas circulares no interior do cristal, sob o efeito de campos eltricos e magnticos. O mesmo
ocorre com as partculas carregadas no interior de um "ciclotron" (acelerador de partculas)
60
Introduo
7 Distribuies estatsticas
J sabemos quais so os estados permitidos para os eltrons em um semicondutor. Neste captulo, vamos investigar qual a probabilidade de que esses
estados estejam ocupados. Aproveitaremos a oportunidade para examinar as
distribuies estatsticas de um modo geral.
7.1. NECESSIDADE DAS DISTRIBUIES ESTATSTICAS
O melhor meio de ilustrar a necessidade das distribuies estatsticas para
o estudo das propriedades da matria apresentar algumas perguntas-chave,
conforme segue.
.
a) Suponhamos que estamos estudando um sistema constitudo por molculas que no interagem entre si, a no ser atravs de choques (esse sistema
chamado de gs perfeito). A pergunta que temos a fazer a seguinte: qual a
distribuio de energia das molculas desse gs? Em outras palavras, quantas
molculas estaro em uma determinada faixa de energias? Qual a energia mdia
das molculas?
b) Nos slidos cristalinos, os eltrons de conduo s podem ocupar determinados nveis de energia. Como os eltrons se distribuem entre esses nveis?
Basta uma ligeira reflexo do leitor para verificar que perguntas como
essas s podem ser respondidas estatisticamente. Existe um ramo da Fsica,
chamado Mecnica estatstica, que trata exclusivamente desses problemas. No
restante deste captulo vamos apresentar alguns resultados obtidos pela Me-.
cnica estatstica.
A primeira observao a fazer que os resultados obtidos dependem das
restries impostas ao sistema em estudo. Por exemplo, para o gs perfeito,
definido anteriormente, o nmero de estados permitidos muito maior que o
nmero de partculas presentes; assim, no h sentido em aplicarmos o Princpio
de Excluso de Pauli. Por outro lado, devemos aplic-lopara calcularmos a
distribuio de energia dos eltrons de conduo em Um slido cristalino, j
que nesse caso o nmero de eltrons da mesma ordem de grandeza que o nmero de estados permitidos. Com essa idia em mente, vamos estudar algumas
distribuies importantes.
7.2. SISTEMAS DILUDOS - DISTRIBUIO DE BOLTZMANN
Sistemas diludos podem ser definidos como aqueles em que o nmero de
partculas muito menor que o nmero de estados permissveis. Um exemplo
de sistema diludo o gs perfeito. Vamos ver agora como as N partculas de
um sistema diludo se distribuem entre os n estados permissveis de energia.
Nosso clculo ser baseado nas seguintes hipteses:
a) As partculas so distintas. O conceito de partculas distintas e idnticas
muito importante para a formulao estatstica do problema Quando dizemos
que as partculas so distintas, isso significa que podemos localizar uma de-
62
Introduo
IABCI
LQJ
L2J
IABcl
13
I
12
PART
11
PARTI
llU
PARTI
13 PART I
11
PARTI
~ARTI
(b)
Figura 7.1 Diferentes modos de distribuir trs partculas entre dois estados. (a) partculas distintas. (b)
partculas idnticas. No caso (b), como no podemos
distinguir entre as partculas, indicamos apenas o
nmero de partculas em cada estado
LU
LU ~I
~
(a)
b) O nmero total de partculas conservado. Essa hiptese no se aplicaria, por exemplo, a um sistema contendo partculas jnstveis.
'
c) A energia total do sistema conservada. Isso equivale a supormos que
o sistema est livre de influncias externas.
Vamos agora distribuir as N partculas do sistema entre os n estados permitidos,de tal forma que N 1 partculas sejam alojadas no estado 1, N 2 no estado
2 e assim por diante (Fig. 7.2).
estado 1
estado 2
N 1 part.
N 2 part.
N1
+ N2 + ... + N; + ... + Nn =
Figura
7.2 Distribuio
estado i
N, part.
N
de N partculas
estado n
N n part.
1,2, ... , n
(*)0 leitor deve observar que estamos permitindo que mais de uma partcula ocupe o mesmo
estado, isto , estamos ignorando o Princpio de Excluso de Pauli
'**ICZ' representa combinao de N elementos N, a N,
Distribuies
63
estat sticas
w=
C'~1
x
H
C'Y'~\'
C'Nv,-""I _";'12
(N - N I)!
N2 !(N -N1 -N2)!
N!
N1 !(N -N1)!
X ...
(N-N1-N2
-Nn_I)!
x ... N,,!(N -N -N . -Nn)!
1
'11
(N - N 1- N J!
N3 !(N -N1 -N2 - N3)!
N!
N1 !N2 !N !
_"I~n
.. N !
(Eq.7.1)
II
Vamos introduzir agora duas hipteses adicionais que podem ser deduzidas
rigorosamente
no contexto da termodinmica, mas que so suficientemente
intuitivas para serem aceitas sem demonstrao:
d) Quando o sistema est em equilbrio, a distribuio de partculas entre
os diferentes estados a mais provvel.
e) A distribuio mais provvel de partculas a que pode ser obtida maior
nmero de vezes, isto , a que maximiza o valor de W na Eq. 7.l.
Estamos agora de posse de
garmos chamada distribuio
chamada de distribuio clssica,
Vamos recordar as hipteses
a)
b)
c)
d)
e)
as partculas so distintas;
o nmero total de partculas conservado;
a energia total conservada;
em equilbrio, a distribuio de partculas a mais provvel;
a distribuio mais provvel a que maximiza W.
+ NzEz
maximizar
+ N3E3 +
como
(Eq.7.2)
(Eq. 7.3)
onde E, a energia do estado i.
Um artificio bastante conveniente para facilitar o desenvolvimento
matemtico maximizar ln W<*) em lugar de W, o que evidentemente no altera a
soluo do problema.
A condio necessria para que ln W seja mximo
dlnW
= "L. JlnW
aNo dN = O.
= constante
I.NjEj
constante
(*J/n W
L:N
(Eq. 7.4)
= Logaritmo neperiano de
ydN
= O;
ter
(Eq. 7.5)
(Eq. 7.6)
64
Neste ponto temos que fazer alguns comentrios sobre o problema matemtico que enfrentamos. Suponhamos que queremos maximizar urna funo
f(x, y, z).
f
ax dx
af
ay dy
af
+ az
dz.
af
af
ay
af
a condio necessria
+ r:t. + f3Ei ]
(Eq. 7.7)
dNi = O.
+ o: + f3El = O,
alnW
aN
+ (:I. + f3E2
O.
.I
t*
1,2
[8~~+
r:t.
+ f3EiJ
dNi
o,
(Eq. 7.8)
em que os incrementos dN 3' dN 4' ... so todos independentes. Em conseqncia, podemos igualar separadamente a zero cada uma das parcelas do
somatrio, obtendo':"
81nW
aN
+ r:t. + f3Ei =
(Eq. 7.9)
O.
n N'-""l
. L n N i' '] ---~""l N L n N'i' --~l
I. I
N:
I.
n N'i'
(Eq. 7.10)
<*lEstritamente falando, a Eq. 7.9 s vlida para i = 3,4,5, ... ; entretanto assim como escolhemos os incrementos dN 1 e dN 2' poderamos ter escolhido qualquer outro par de incrementos;
assim a equao pode ser aplicada, qualquer que seja o valor de i
65
Distribuies estatfsticas
lnNi! = Ni(lnNi
Ento
(Eq. 7.11)
1).
= I N.
alnW
aNo
(Eq. 7.12)
t:
De acordo
lnN i =
N, =
Fazendo
ea
(J.
ea+pEi
= A, temos finalmente
Ni =
+ {3Ei ;
= eaePEi.
AePE"
(Eq. 7.13)
(Eq. 7.16)
Ae-mgz/kT.
graficamente
na Fig. 7.3.
de Boltzmann
66
e portanto
NTmg
A=--
kT
(Eq. 7.17)
kT
-mgzlkT
(Eq. 7.18)
as partculas so idnticas;
o nmero total de partculas conservado;
a energia total conservada;
o Princpio de Excluso de Pauli respeitado;
a distribuio mais provvel a que maximiza W
{N
n
{N
estados
partculas
z estados
n2 partculas
:
Ei
{Nnii
estados
partculas
Distribuies
67
estatsticas
N.!
I
ni !(Nj - n)!
= C", =
N,
o problema
agora maximizar
(Eq. 7.19)
W usando
a funo
como condies
adi-
cionars:
Lni = constante;
(Eq. 7.20)
"LnjEj = constante.
(Eq. 7.21)
Fazendo
n
N.'
vemos
que
Nj
+ ea-fJE,
os coe-
(Eq. 7.22)
corresponde
probabilidade
de encon-
n.
f = r-Ji =
Novamente
possvel mostrar
que fJ
1+
ea-fJEi
= -
1
kT'
ento
f = 1+
Definimos
obtendo-se
ea+E;/kT
EF tal que
()(~_EF.
kT
ou eliminando
o ndice i:
1
f =
1+
elE
EF)/kT
(Eq. 7.23)
uma conseqncia
68
Introduo
fIE)
2"
em qualquer temperatura,
f = 1/2 para E = Ey, isto , que a probabilidade
de ocupao do nvel Ey sempre igual a 1/2.
A energia EF chamada de nvel de Fermi.
E fcil demonstrar (Prob. 7.2) que para sistemas diludos, isto , quando
ni ~ Ni' a distribuio de Fermi-Dirac se reduz distribuio de Boltzmann.
7.3. OUTRAS
DISTRIBUIES
EXERCCIOS
7.1. Demonstre a Eq. 7.22.
7.2. Mostre que para sistemas diludos a distribuio de Fermi-Dirac se reduz distribuio de Boltzmann.
(*)7.3. Determine a distribuio de energia cintica das molculas de um gs perfeito
(distribuio de Maxwell). Para calcular a constante multiplicativa, suponha que
o gs contm N molculas.
7.4. Neste exerccio vamos mostrar com um exemplo particular que a constante f3 da
Eq. 7.14 igual a -ljkT. Considere um gs perfeito em um recipiente a uma temperatura T, sob a ao da gravidade. Definindo:
n(z) - nmero de molculas com cota z por unidade de volume,
m - massa de cada molcula;
acelerao da gravidade;
constante de Boltzmann;
- temperatura absoluta.
onde
uma constante.
Ae-rngz/kT
que
69
Distribuies estatsticas
f3
=--
kT
REFERNCIA
KITTEL, c.,
Elementary
Statistical
BIBLIOGRAFIA
Blakemore, J. S., Semiconductor Statistics (New York: Pergamon Press, 1962).
Mayer, J. E. e M. G. Mayer, Statistical Mechanics (New York: John Wiley, 1950).
8 Aplicao da distribuio de
Fermi-Dirac a um material
semicondutor
8.1. APROXIMAES
PARA A FUNO
DE FERMI-DIRAC
DE DISTRIBUIO
governada pelas
anterior. O prinFermi-Dirac, que
E esteja ocupado
.
(Eq. 8.1)
e(E-EF)/kT
...LLLLL..Ec
---EF
-L-.-L-EC
___
EF
___
EF
....".."",..Ec
f (E)
--,,---Ev
fIE)
~Ev
fIE)
(aI
~Ec
(bl
(e)
de Fermi-Dirac
a semicondutores:
intrnseco (a),
71
de um semicondutor
intrnseco), o nvel de Fermi estar no centro da faixa
proibida. O nvel de Fermi de um semicondutor intrnseco chamado de nvel
de F ermi intrnseco e designado pelo smbolo Ei'
Em um semicondutor tipo N, o nmero de eltrons na faixa de conduo
maior que no caso intrnseco. Como, entretanto, a densidade de estados disponveis de energia o mesmo que no caso intrnseco, conclui-se que, em um
semicondutor tipo N, o nvel de Fermi, e com ele toda a funo de distribuio
de Fermi-Dirac,
ser deslocado para cima, para mais perto da faixa de conduo. Ao contrrio, em um semicondutor tipo P o nvel de Fermi e a funo de
distribuio de Fermi-Dirac se deslocam para baixo. Os dois casos esto ilustrados nas Figs. 8.1(b) e 8.1(c).
.
Para energias muito acima ou muito abaixo do nvel de Fermi, a distribuio de Fermi-Dirac
pode ser aproximada
pelas seguintes expresses:
.
f(E)~e-(E-EF)!kT
f(E) ~ l_e-(ErE)!kT
(para
IE-EFI~kT,
(para
IE-EFI ~ kT,
E>E,F)'
E < E,F)'
(Eq.8.2)
(Eq.8.3)
DE PORTADORES
EM UM CRISTAL
Normalmente,
a concentrao de impurezas em um semicondutor
tipo N
ou tipo P no suficiente para que o nvel de Fermi se aproxime muito da faixa
de conduo ou de valncia. Nesse caso as aproximaes anteriores so vlidas
e fcil calcular a concentrao dos portadores em funo do nvel de Fermi.
8.2.1. Determinao das concentraes
em funo do nvel de Fermi
de eltrons e buracos
A probabilidade
de que um estado da faixa de conduo
no caso em que E - EF ~ kT, dada por
fc(E) ~ e - (E- Ep)!kT,
esteja ocupado,
(Eq. 8.4)
D (E)
c.
_1_ (2m
e)3!2
2n2
h2
[E _ E ] 1/2,
G
(E
q.
85)
..
onde tomamos como referncia de energia o topo da faixa de valncia (Fig. 8.2).
Repare que a -Eq. 3.35 foi deduzida para o Gs de Fermi. O que fizemos
foi supor que o efeito do cristal sobre os portadores pode ser descrito por uma
massa efetiva, me' usada em lugar da massa "real", m (veja o pargrafo 6.6).
Ora, conhecendo a probabilidade
de ocupao dos estados da faixa de
conduo, f(E), e a densidade de estados disponveis nessa mesma faixa, D(E),
podemos calcular a concentrao
de portadores, n, atravs da equao:
.
00
EG
D(E)f(E)
dE.
(Eq. 8.6)
72
Introduo
Faixa
de
f-
-- -- -
f-
Conduo
Nvel de
Fermi/
Faixa de
Valncia
Figura 8.2 Diagrama ilustrando a referncia de energias (topo da faixa de valncia)
(Eq. 8.8)
A integral anterior pode ser encontrada em qualquer tabela de integrais.
O resultado
(00
Jo
kT
xl/2e-x/kT dx =
TJ nkT.
(Eq. 8.9)
(Eq. 8.11)
onde
N
= 2 2nmh2e kT)3/2
(Eq. 8.12)
= E-EF)/kT
(para
IE-EFI
~ kT)
(Eq.8.13)
73
D (E)
= _1_
2n2
v.
(2m12h)3/2(_E)1/2.'
(E 8 14)
q. .
=
v.
2 (2nmhkT)3/2
h2
(Eq. 8.16)
NcelEF-EC>/kT,
p =
Nve-(EF-Ev)/kT,
(Eq. 8.17)
(Eq, 8.18)
de
ConduFo
Ev
8.2.2. Produto np
Multiplicando a Eq. 8.11 pela Eq. 8.15, obtemos
np =
NcNve-EG/kT.
(Eq. 8.19)
.
n = p = ni,
intrnseca de portadores.
(Eq. 8.20)
74
Combinando
n~ = N c N v e-EG/kT
l
ou
ni
(Eq. 8.21)
'
(Eq. 8.22)
NcNve-EG/2kT.
A Eq. 8.22 permite calcular a concentrao intrnseca de portadores, conhecidos os parmetros do material e a temperatura em que este se encontra.'
8.2.4. Taxa de gerao trmica
Podemos tambm usar as Eqs. 8.10, 8.15 e 8.16 para calcular a taxa de
gerao trmica de um semicondutor em equilbrio trmico. Com efeito, de acordo
com a Eq. 6.2, temos
(Eq. 8.23)
G(T) = np.
Substituindo
(Eq. 8.24)
onde
(Eq. 8.25)
uma constante independente da temperatura.
A Eq. 8.24 mostra que a variao da taxa de gerao trmica com a temperatura da forma T3 e - a/To Essa dependncia pode ser verificada experimentalmente.
8.2.5. Nvel de Fermi de um semicondutor
intrnseco
=
=
semicon-
Nce(EF-Ec)/kT;
Nve-(EF-Ev)/kT.
o nvel
ou
(Eq. 8.26)
Ora, de acordo com as Eqs. 8.12 e 8.16, a nica diferena entre N, e N v
est no fato de que as massas efetivas dos eltrons e dos buracos no so iguais ..
Como em geral a diferena entre as duas massas no grande, o nvel de Fermi
do material intrnseco est localizado aproximadamente
no centro da faixa
::::O e portanto
(Eq. 8.27)
Aplicao
da distribuio
de Fermi-Dirac
a um material
75
semicondutor
(Eq. 8.28)
(Eq. 8.29)
= n e<E;- Eyl/kT.
i
= n.,
de Si
Eltron livre
-tl----
-(0'I~~i
--I-r:+\A+
-II "-11--"
_I
Vejamos agora as implicaes da neutralidade macroscpica para o equilbrio dos portadores em um semicondutor.
.
8.3.1. Semicondutores intrnsecos
No caso dos semicondutores intrnsecos, a condio de neutralidade pode
ser expressa pela relao n = p, que satisfeita automaticamente devido natureza dos processos de gerao e recombinao de portadores'?",
.
8.3.2. Semicondutores extrnsecos
No caso dos semicondutores extrnsecos (tipo N ou tipo P), a condio
de neutralidade se toma mais complexa, pois alm dos portadores, os tomos
ionizados das impurezas tambm participam do equilbrio de cargas.
Suponhamos um semicondutor que possui uma concentrao NAde impu-
76
Introduo
ilustrando
os nveis de energia
Faixa de
Conduo
,-----
-----
Figura
8.5 Diagrama
Ey,
Ec,EA,ED
Faixa de
Valncia
NA-N~,
(Eq.8.31)
onde N;; a concentrao de tomos aceitadores ionizados'<" e N~ a concentrao de tomos aceitadores neutros.
. Nesse caso a condio de neutralidade macroscpica assume a seguinte
forma:
(Eq. 8.32)
n + N;; = p + N;.
8.4. CONCENTRAES DE PORTADORES
SEMICONDUTOR EXTRNSECO
EM UM
(Eq. 8.33)
(*)0 sinal positivo indica que os doadores ionizados so ons positivos
(**>0 sinal negativo indica que os aceitadores ionizados so ons negativos
77
onde iA a probabilidade de que o estado de energia EA introduzido pela impureza aceitadora na faixa proibida esteja ocupado (ou seja, a probabilidade de
que o tomo da impureza esteja ionizado).
Ora, de acordo com a Eq. 8.1, a probabilidade de que um estado de energia
E A esteja ocupado por um eltron dada por
iA
1
e<EA -
(Eq. 8.34)
EF)/kT
= 1 + e(ENA, EF)/kT
A
Eq. 83)
. 5
N;
iD
= 1
(Eq. 8.38)
e<ED-EF)/kT
ND
,
(Eq. 8.39)
D 1 + e<EF-ED)/kT
equao que permite calcular a concentrao de tomos doadores ionizados
e-(Ec-EF)/kT
N
1 + e(EA
=N
e-(EF-Ev)/kT
EF)/kT
ND
+ --=-'''--;:-:-;-;-;;;
1 + e<EF ED)/kT
(Eq. 8.40)
se
corrncccmoe
u.:t l'UlalU~UVO
DAS
78
(Eq. 8.42)
I
. -,-:;t----
I
1
2.3kT I
I
Ec
Ev-EF
=vr:
(Eq. 8.43)
1018
-P2
I
1017
-4;
,-
-P1
: 2,3kT:
Vamos
analisar
por
partes
1+ e
a variao
(Ev
(Eq. 8.44
EF)/kT
de N D com
E,F'
Quando
EF = ED,
N;; = ND12. Quando EF ~ ED, (ED - EF)/kT ~ O e portanto N;; ~ ND' Por
79
EF ~ ED,
N+ ~
D -
e-(En-EFl/kT
ND
(En
logloND
- N
EFl/kT
1 e portanto
De
ogloND
-(EF-Enl/kT
ED-EF
kT
(Eq. 8.45)
A Eq. 8.45 tem a mesma forma que a Eq. 8.43, o que mostra que quando
varia com EF da mesma forma que p.
Os casos extremos EF ~ ED e EF ~ ED nos do as assntotas da curva
que representa a variao de logloN; com EF Para obtermos alguns pontos
intermedirios, podemos usar a seguinte tabela, baseada na Eq. 8.44:
EF ~ ED, N;
ED-EF
ED-EF
1,1 kT
0,1 kT
e-(E[)-EFl/kT
N;.
kT
kT
-0,1 kT
-1,1 kT
-1,39 kT
-1,95 kT
-2,3 kT
-1,1
-0,1
+0,1
+1,10
+1,39
+1,95
+2,30
0,33
0,90
1
1,10
3,00
4,00
-7,00
-9,00
N D/l,33
N D/1,90
ND/2
ND/2,1
ND/4
ND/5
ND/8
ND/lO
= 0,75 N D
= 0,53 N D
= 0,50ND
= 0,48 ND
=
0,25 ND
= 0,2ND
= 0,125ND
= 0,1 ND
EF.
(Fig. 8.8).
2.3kT/
dcada
80
Introduo
log (p,n,Nb,N)
;<N
,p
v
N -
Ev
-NC
Ec
Eq. 8.40.
do grfico.
EF (como
e p atravs
(Eq. 8.46)
(Eq. 8.47)
ou ento atravs
81
das equaes
p
Nve-(EF-Evl/kT,
(Eq. 8.48)
n2
n=---L
(Eq. 8.49)
N:;'
Com referncia
N+
D =N
calcular N;
DI
= NA 1
(ED EFl/kT
1
+e
(EA
EFl/kT
(Eq. 8.50)
(Eq. 8.51)
o seguinte:
EXERCCIOS
<*)8.1.Considere um semicondutor tipo N, em equilbrio trmico, que contm uma concentrao N D de tomos doadores. Chamando de n. e P. as concentraes de
portadores em maioria e minoria no material, respectivamente: a) calcule nn e Pn'
supondo que todas as impurezas esto ionizadas; b) a aproximao P. = n;/N D
muito usada na prtica. Para um cristal de germnio com ND = 7,5 X 1013 cm" ",
calcule o erro cometido usando essa aproximao.
8.2. Calcule a localizao do nvel de Fermi intrnseco no silcio a -78C, 27C e
300C. razovel supor que o nvel de Fermi est no centro da faixa proibida?
8.3. Desenhe (em escala) o diagrama de nveis de energia para o silcio com 1016 tomos
de boro por centmetro cbico. Indique as faixas de conduo e de valncia, o
nvel de Fermi intrnseco e o nvel de Fermi real.
8.4. O ouro no silcio uma impureza peculiar, pois pode comportar-se tanto como
doador como aceitador. Em outras palavras, o ouro introduz dois nveis na faixa
proibida, um a 0,35eV da banda de valncia e outro a 0,54 eV da banda de conduo. Pergunta-se: a) Um cristal de silcio com uma certa concentrao N x de
ouro tipo N ou tipo P?; b) Qual a posio do nvel de Fermi?
8.5. Quando discutimos o fenmeno da neutralidade macroscpica, consideramos
apenas as impurezas mais simples. Existem impurezas, como o zinco no silcio,
que podem se comportar como um aceitador simples ou como um aceitador duplo,
isto , que podem capturar um ou dois eltrons. No caso de um cristal de silcio
com uma concentrao NAde tomos de zinco e N D tomos de fsforo, escreva
a equao de neutralidade macroscpica.
<*)8.6.O zinco introduz no silcio os seguintes nveis na faixa proibida; E1, 0,35 eV acima
do topo da banda de valncia; E2, 0,2 eV acima de El' Para um cristal de silcio
com 2x
1Q15
82
Introduo
REFERNCIA
MOLL,
(New York:
McGraw-Hill,
1964), p. 86.
BIBLIOGRAFIA
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York: McGraw Hill, 1968),
Cap.8.
Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New Y ork: John Wiley,
1967), Capo 4.
9 Transporte
de cargas
semicondutores
nos
..
18
to
I I I
t, t817
15
(a)
I I I
I I I I
t,
t, t, t, t, t2t1 to
( b)
15
Deslocamento
total em t =19
(c)
Figura 9.1 Deriva de portadores. (a) Movimento trmico dos portadores na ausncia
de campo eltrico externo. (b) Componente de deriva, produzida pelo campo externo.
(c) Efeito combinado da deriva e da agitao trmica
ingls, drift
84
Introduo
n = noe-(t-tol!<.
(Eq.9.2)
De acordo com a Eq. 9.1, o nmero de eltrons que sofrem colises entre
t e t + dt igual a ndt] r. Para esses eltrons, o tempo entre colises t - to.
Assim o tempo mdio entre colsesv" para os no eltrons dada por
oo
<t-to>
= -1
no
(t-to)n~ dt =i
to
t.
. (Eq.
9.3)
(Eq.9.5)
no
t:
= campo eltrico,
permissividade,
E = energia,
e = base dos logaritmos
neperianos
pelo smbolo
<f >
Transporte
85
q8
nom
= ---*
fI
_
now(t-to)~
dt
7:
a)
q8
m
-*7:
(Eq. 9.7)
-f1.8.
= tn-:v,> =
(Eq.9.10)
pqf1.pc.
+ Jp
+ pf1.pk
= q(nf1.n
(Eq.9.11)
Considere um bloco de um material qualquer de seo reta A e comprimento I, ao qual aplicada uma tenso V, produzindo uma corrente I (Fig. 9.2).
I_
~I
~----- ~J
I+
RI
-I
J=_.
A
(*)A equao J = qnv uma equao bsica que relaciona a densidade de corrente (J), em
qualquer material, velocidade dos portadores de carga nesse material (v), densidade de portadores
(11) e carga de cada portador (q)
86
Assim, temos
1
ou
v
V
1
=-=-=--v,
R
pilA
p I
A=p'T'
porm, Il A = J e VII
seqentemente,
J = -'
= ae,
(Eq. 9.12)
De acordo com a Eq. 9.14, a resistividade dos semicondutores varia inversamente com a mobilidade e com a concentrao de portadores. Assim, a uma
dada temperatura, a resistividade depende apenas da concentrao de impurezas
(doadoras ou aceitadoras) do material. Na prtica, a variao da resistividade
com a concentrao de impurezas s obedece a uma equao simples para
baixas concentraes de impurezas, caso em que a mobilidade dos eltrons e
buracos praticamente constante; para concentraes elevadas, tanto a mobilidade como a concentrao dos portadores dependem da concentrao de
impurezas (veja 9.1.3).
A Fig. 9.3 mostra a variao da resistividade do silcio com a concentrao
de impurezas para cristais tipo P e tipo N. A mobilidade dos portadores se
mantm constante at a concentrao de impurezas atingir valores da ordem
de 1016 tomos/em",
9.1.3. Mobilidade dos portadores em um semicondutor
A mobilidade dos portadores de carga em um cristal depende das interaes
desses portadores com os tomos da rede cristalina, com os tomos de impurezas, com defeitos da rede, com outros portadores, etc. Todas essas interaes
so conhecidas pelo nome genrico de mecanismos de espalhamento iscatterinq
mecnanismss ,
No caso dos semicondutores usados na prtica, que esto relativamente
livres de defeitos e cuja densidade de portadores no muito grande, os me-
87
'\
6
4
(J
~
::t:
.2-
Cl
u;
w
a::
r-,
4
2
C/)
r-.
10-~
i=
"-
w
O
f\
"-
101a
r-,
i'.
<;
r-,
t-,
10':2
8
I'..
6
4
1'-...'
16~
6
4
10-4
1d4
'"
2
468
10
2468
15
2468
10
16
1d
2468
CONCENTRAO
10
2468
18
2468
19
10
2468
10
20
21
10
DE IMPUREZAS (CM-3)
'R
88
Introduo
do tomo ionizado e a carga do portador. Naturalmente, quanto maior a velocidade do portador, menor a deflexo sofrida; assim, o espalhamento por
impurezas ionizadas mais importante em baixas temperaturas, que implicam
em uma menor velocidade trmica dos portadores.
Como no caso do espalhamento pela rede, podemos associar ao espalhamento por impurezas ionizadas uma constante de tempo, "I' o tempo mdio
entre colises dos portadores com os tomos das impurezas ionizadas, Podemos
definir tambm uma constante, 11r, atravs da equao:
l1r =
q"I
*'
m
(Eq. 9.16)
ondeu, a contribuio do espalhamento por impurezas ionizadas para a mobilidade total. Naturalmente, "I e J.lI so inversamente proporcionais concentrao de impurezas ionizadas.
Os outros mecanismos de espalhamento s so importantes em circunstncias especiais. O espalhamento eltron-eltron, o espalhamento buraco-buraco
e o espalhamento eltron-buraco, caracterizados por diferentes tempos mdios
entre colises, "e-e' "h-h e "e-h' resultam da interao direta de portadores e
s so importantes quando a densidade de portadores muito elevada. O espalhamento por impurezas neutras (neutral impurity scattering), caracterizado por
um tempo entre colises "N' resulta da interao de portadores com impurezas
neutras e s importante em temperaturas muito baixas, quando nem todos
os tomos das impurezas esto ionizados.
Se supusermos que Os mecanismos de espalhamento que ocorrem no material so independentes entre si (o que nem sempre verdade), a mobilidade
total dos portadores pode ser calculada a partir das mobilidades parciais atravs
de uma equao bastante simples. Com efeito,basta observar que se" 1, "2' "3' ...
so os tempos mdios entre colises para os diversos mecanismos de espalhamento, ento 1/" i > 1/"2' l/r 3 ' . .. representam os nmeros mdios de colises
por unidade de tempo para os referidos mecanismos. Assim, supondo que os
mecanismos so independentes, o nmero mdio total de colises por unidade
de tempo dado por
(Eq. 9.17)
1
J.ll
- =-
J.ll
= q't1/m*, J.lz
+ -J.lz1 + J.l3
-1 + ...
= q"z/m*,
... , temos
(Eq. 9.18)
onde J.l a mobilidade total e J.ll ' J.l2 ' J.l3' ... so as contribuies para a mobilidade total dos diversos mecanismos de espalhamento.
Quando os mecanismos de espalhamento considerados so apenas o espalhamento pela rede e o espalhamento por impurezas ionizadas, a Eq. 9.18 se
reduz a uma expresso muito usada na prtica
1
-=-+-'
It
It R
ItI
(Eq.9.19)
Transporte
89
(Eq. 9.20)
= /1,13.
8
CIO
'"
~
'"
'
;li:
Vmax
- - - ---
- - -~=-=~---Eltrons
Buracos
4
2
Q2
Q4
Q6
0,8
1,2
1.4
1.6
1,8
2 x 104
E (V/em)
Figura 9.4 Variao da velocidade de deriva com o campo eltrico no silcio (Ryder,
1953)
VI
90
mero correspondente
da direita para a esquerda n1 v/2, onde n2 e n1 so as
concentraes de partculas esquerda e direita de linha A, respectivamente.
O fluxo total de partculas por unidade de tempo e por unidade de rea dado por
S
VI
n2;
n1
(Eq. 9.21)
= -v, x l.
(Eq. 9.22)
rn*
dessas partculas
(Eq.9.23)
onde, por definio, I = vt T, m*v: = kT. No caso tridimen sion ai, a Eq. 9.23
fornece a componente x da corrente de difuso se substituirmos Vt pela componente x da velocidade, vtx' A corrente J definida pela Eq. 9.23 chamada
de corrente de difuso. A constante D chamada de coeficiente de difuso. Repare que de acordo com as Eqs. 9.7 e 9.23 existe uma relao entre D e Jl:
D = kTlljq. Essa relao chamada de relao de Einstein.
9.3. SUPERPOSIO
DOS PROCESSOS
DE DERIVA
E DIFUSO
91
-qDp
ap
ax
+ qpPpsx'
(Eq.9.25)
EXERCCIOS
9.1. Sugira um mtodo para medir a condutividade de um semicondutor.
9.2. Descreva dois mtodos para verificar experimentalmente
se um semicondutor
tipo P ou tipo N.
9.3. Calcule a resistividade de um cristal de silcio com 1,4 x 10'6 tomos de fsforo
por cm ' e 1,0 x 10'6 tomos de boro por em", temperatura de 27 "C,
(*'9.4. Uma pequena concentrao de portadores em minoria injetada em um ponto
de um cristal semicondutor homogneo. Um campo eltrico de 10 Vjcm aplicado ao cristal; esse campo faz com que os portadores injetados percorram uma
distncia de 1 em em 250 JlS. Calcule a velocidade de deriva e o coeficiente de difuso dos portadores em minoria.
9.5. Em um cristal semicondutor, os eltrons tm uma mobilidade de 500 cm2jV' s.
Calcule o tempo mdio entre colises. Para um campo eltrico de 100 Vjcm, calcule
tambm a distncia mdia percorrida pelos eltrons entre duas colises sucessivas.
Nesses clculos, use m* = m, onde m a massa do eltron livre.
(*19.6. A resistncia: de um cristal de germnio tipo P (figura a seguir), entre os planos
A e B, igual a 100 Q a 300 K. Calcule a concentrao de eltrons e buracos na
amostra.
Dados:
0
= 1900cm jV-s;
Jln
l1i
= 2,4
10'3 em ~ 3;
= 3900cm jV-s.
92
. Introduo
<v >
= Re
r-~
L
m*
F. eiWI ]
1+
iWT
REFERNCIAS
FAN, H. Y., "Valence Semiconductors, Germanium and Silicon", em F. Seitz e D. Turnbull
(eds.), Solid State Physics, Vol. 1 (New York: Academic Press, 1955).
RYDER, E. J., "Mobility of Holes and Electrons in High Electric Fields", Phys. Rev.90,
766 (1953).
BIBLIOGRAFIA
Conwell, E. M., High Field Effects in Semiconductors (New York: Academic Press, 1967).
Paige, E. G. S., The Electrical Conductivity of Germanium, em Progr. Semiconductors,
VaI. 8 (1964).
1 O Junes PN
Vamos agora aplicar os conhecimentos desenvolvidos nos captulos anteriores ao estudo de um dispositivo semicondutor muito usado na prtica: a
juno PN, cuja estrutura est representada de forma esquemtica na Fig. 10.l.
Como est indicado na figura, uma juno PN um bloco de material
semicondutor que consiste em duas regies distintas, uma tipo P e outra do tipo N.
Figura 10.1 Representao esquemtica de uma juno P-N
Neoe00o
eO eO eO
0 0 0
0
'e
de uma juno
P-N em
equilibrio
N~+o~+.
~\;!;Ie
0e0
I-e
-,",,-
'00
eee
94
assim que se atinge o equilbrio, no qual a corrente total zero; as correntes de difuso dos eltrons e buracos so equilibradas
exatamente pelas
correntes de deriva devido ao campo eltrico interno.
Vamos agora traduzir essa afirmao em termos matemticos. De acordo
com a Eq. 9.25, a corrente de buracos dada por
Jp
-qDpox
op
+ qJ.1pPf..
Substituindo
nessa expresso a concentrao
em termos do nvel de Fermi intrnseco (Eq. 8.29)
P = ni elE, - EF)/kT
e sua derivada
[Eq.9.25J
de buracos
dp _ P [dEi dEp]
dx - k T dx - dx '
(Eq. 10.1)
temos
(Eq. 10.2)
Sabemos
da eletrosttica
= --,
q ox
(Eq.1O.3)
Dp
Jp
dEp
= q kTP dx =
J.1pP
dEF
dx .
(Eq. 10.5)
Assim, para que a corrente total de buracos seja zero preciso que o nvel
de Fermi no varie ao passarmos de um lado para outro da juno.
Se aplicarmos o mesmo tratamento
matemtico corrente de eltrons,
obteremos a expresso
(Eq. 10.6)
e portanto para que a corrente total de eltrons seja zero o nvel de Fermi tambm deve ser constante. Assim, em umajuno PN em equilbrio o nvel de Fermi
constante ao longo de todo o cristal.
95
Junes PN
Para calcularmos as caractersticas da regio de carga espacial que formada nas proximidades da juno, vamos supor que ela consiste inteiramente
nas cargas dos aceitadores e doadores ionizados. Isso equivale a dizer que a
regio de carga espacial est totalmente desprovida de portadores, ou melhor,
que as concentraes de portadores n e p so desprezveis em comparao com
a concentrao de impurezas na regio de carga espacial.
Na Fig. 10.3(a) vemos a distribuio de cargas em uma juno PN em
funo da distncia, para o caso em que a concentrao de impurezas nas regies
p e n uniforme.
~
I--W--1
rxn+-xp-l
Cmax
qNo
18
( bl
qNA
(a)
x
Ec
Ei
EF
Ev
0-
-?
abrupta
( c)
a Fig. lO.3(c),
EFP
= -kTln n;;
(Eq. 10.8)
N
-kTln---12
(Eq. 10.9)
ET
= EFP
+ EFII
Epp
EFn:
(Eq. 10.10)
96
Introduo
o potencial
por
cp
(Eq. 10.11)
q
onde E a energia do eltron e q a sua carga. Assim, a variao total do potencial eltrico cp atravs de uma juno PN em equilbrio dada por
.
= - ~,
= _ ET =
'l'B
kT ln NAND.
q.
n~
(Eq.l0.12)
O campo
eltrico
mximo
P'
da juno
qN x
= -- DE
e max
(Eq. 10.13)
= NAx
NDxn
dado por
qNAx
= --, E p
lI
(Eq. 10.14)
onde
E a permissividade
do materialv".
A variao total de potencial eltrico dada pela rea sob a curva da Fig.
W.3(b), ou seja
1
cpT = TBmax W
(Eq. 10.15)
Combinando
as Eqs. 10.13, 10.14 e 10.15 e lembrando que xn + xp = W,
vemos que nesse caso a largura da regio de carga espacial dada por
J 2E
NA + N D cpT
NAND
ou, usando
(Eq. 10.16)
trmico,
8p
ou seja, quando
(Eg. 10.17)
qD p x
= D /kT,
!Edx = dp
(Eq. 10.18)
kT
p
Integrando a Eq, 10.18 de A a B [Figo W.3(a)], j que no resto do cristal
o campo eltrico zero, temos
o
kT
-'
1 p(B) _ qcpT
n p(A) - kT '
(Eq. 10.20)
Ppo
r;
eqtPTlkT,
= permissividade,
(Eq. 10.19)
(Eq. 10.21)
6
= campo eltrico
97
Junes PN
onde
Ppo
npo = e -q<l>TlkT,
;
onde npo e
nno
(Eq. 10.22)
L- Xn-+----
'1
Cmax
I
Xp---,
qNo1---1----1
:
qNA--
- - -
....L..
--I'
t--Xn---l--xp~
-1--
1
I
1
I
x
( b)
(a)
Em condies de equilbrio, pares eltron-buraco so gerados constantemente no cristal. Na ausncia de campo eltrico externo, os pares eltron:
98
Introduo
-wp
+
VI
Figura
10.5 Juno
PN polarizada
inversamente,
np(O)
Pn(O)
= ~q-'!i w
2
'
(Eq.
10.24)
99
Junes PN
(Eq. 10.26)
= Pn(O) = O.
= qnpo'./
!Dn
-:t + qPno'./
!li;
--:-'
(Eq. 10.27)
: + v: __
~
,
+ ND).JD,;.
NA' N D
W
= 2n.(NA
I
temos
(Eq. 10.28)
+ Jdif),
(Eq. 10.29)
100
Introduo
J
0a-vo
ECN
:~p
_- - - ---'./
Evp
EVN
q!!.L
't'
(Eq. 10.30)
u'eQVn/2kT
YY/
-w-
....
......
....
Pno
f:=o
f:=o
-o
Pn(o)
-o
-o -o
~
"piO)
"pO
diretamente,
101
Junes PN
(O)
n e-q(</>B-VD)/kT
n
ci>B/kT e-q(ci>B-VD)/kT
po
eqVD/kT
(Eq. 10.31)
po'
PnoeqVD/kT.
= -[
+ qPno~J
qnpo~
[eqVDlkT
(Eq. 10.33)
-1].
+ Pno.
2 npo
Dn r [VDlkT
Jrec
_
- Zn,
-1J
(NA
N
+ND)JDnr[eQVD/kT_1J.
N
W
VD/2kT
A
(Eq. 10.34)
+ Jdif),
= A(Jec
(Eq. 10.35)
1
1
/;
I~
~
T
WeQVD/2kT
!D,. + P fIi;)
~"j ~
-"j ~
2 ~ W + ; -:;-+ Pno
1 n;
(eqvDlkT
1)
.
~
.\~r\
VD kT
/
-
ID = Is(eqVDlkT
1;
-1),
(Eq. 10.36)
102
onde
ls
= -1[ = -
npo~
it;
--t + Pno ~ ~)
-:
A.
A relao entre corrente e tenso dada pela Eq. 10.36 chamada de equao
do diodo ideal e est representada graficamente na Fig. 10.8. Para tenses inversas
r; ~ kTjq, a corrente tende para o valor constante II = -1s' A corrente ls
chamada de corrente inversa de saturao. Para tenses diretas Vn ~ kTjq, a
corrente aumenta exponencialmente: 1D ~ l, eqV"jkT.
1D
rs-
qVI
+5
Is
do
qVD
kT
I<T
10.4. CAPACITNCIA
DE UMA JUNO
PN
(Eq. 10.37)
onde dQ a variao incremental de carga por unidade de rea e dV a variao incremental de tenso aplicada.
.
No caso de uma juno PN, uma variao na tenso aplicada faz variar
a carga espacial e portanto a juno PN possui uma capacitncia diferente
de zero.
Para calcularmos o valor desta capacitncia, suponhamos que a carga
espacial total de um dos lados da juno Q (do outro lado da juno, naturalmente, a carga ser -Q). Nesse caso, quando aumentamos a tenso aplicada
juno de uma quantidade dV, a carga aumenta de dQ. De acordo com a
Equao de Poisson, a variao de campo eltrico dada por
dQ
de=-,
E
onde
a permissividade do material.
(Eq. 10.38)
103
Junes PN
= Wde,
(Eq. 10.39)
c=~
(Eq. 10.40)
c=
(Eq. 10.41)
Como vimos, a juno PN apresenta uma baixa resistncia quando polarizada diretamente e uma resistncia elevada quando polarizada inversamente. Entretanto todas as junes PN tambm apresentam uma baixa resis-'
tncia quando so polarizadas inversamente com uma tenso suficientemente
elevada. Esse fenmeno chamado de ruptura da juno. A ruptura pode ser
causada por dois mecanismos, que estudaremos a seguir.
10.5.1. Efeito Zener
Se
campo el-
104
Introduo
Vo
Figura 10.9 Curva caracterstica
de
uma juno PN. (a) regio de conduo
direta. (b) regio de conduo inversa;
(c) regio de ruptura
(C)
11
EXERCCIOS
(*)10.1. Em uma juno PN abrupta de gerrnnio, a concentrao
dores do lado P igual concentrao N D de tomos
NA = ND = 1015 tomos/em".
inversa de 0,1 V.
da juno
Junes
105
PN
Dados:
para o germnio
a 300K,
11;
1,4
16,3 Eo
= 2,4 x 1Q13cm-3;
x
10-
12
Fiem ..
= - qax
gradual,
pede-se
conhecidos
os parmetros
em equilbrio,
do material
Wo.
+
10V
10.4. Um meio de detetar a presena de radiaes - raios gama, por exemplo -
utilizar uma juno inversamente polarizada. Se a tenso inversa conveniente-
106
mente escolhida, a largura da regio de transio tal que os ftons dos raios
gama perdem toda a sua energia dentro da regio de transio.
a) Explique como funciona este detetor de radiao.
b) Qual a necessidade de a partcula perder toda a sua energia dentro da regio
de transio?
c) Que acontece quando a corrente de fuga muito elevada?
d) Que mais vantajoso, dopar mais fortemente a regio N (lado em que a radiao
incide) ou a regio P? Justifique.
BIBILIOGRAFIA
Grave, A. S., Physics and Technology of Semiconductor
1967), Capo 6
Mello, H. A. e Intrator,
1972).
1 1 Transistores de juno
c:EEJ
Figura 11.1 Representao esquemtica da estrutura de transistores de juno: (a) PNP; (b)
(a)
NPN
( b)
[T]
c:EEJ
[T]
EEJ+[T]=~
Figura 11.2 Combinao puramente esquemtica de duas junes, compondo um
transistor
11.2. TRANSISTOR EM EQUILBRIO
""-
/'
./
Ec
EF
Ev
108
11.3. TRANSISTOR
POLARIZADO
e polap
.--
++++
+++++
+++++
+++++
+++++
+,
1-
++ +
+++++
+++++
+++++
+ + + ++ + + +
+ + + +
+,
de
um
l-
I
Repare que quando a juno emissor-base est polarizada diretamente, um
grande nmero de buracos atravessa a juno e penetra na regio da base. Alguns
desses buracos se combinam com os eltrons da base tipo N, como em uma
juno P N comum; entretanto, se a base for muito estreita, a maioria dos buracos
chegar a juno base-coletor. Assim que cruzam a juno base-coletor, esses
buracos so atrados para o terminal do coletor.
Como vimos no captulo anterior, os buracos que deixam o emissor so
imediatamente
substitudos por novos buracos criados nas vizinhanas do terminal de emissor, que retira eltrons da regio tipo P. Da mesma forma, os
eltrons perdidos pela base ao se recombinarem com os buracos que cruzam a
juno emissor-base so substitudos por novos eltrons, introduzidos
atravs
109
Transistores de juno
IE
Emissor
Base
Coletor
Tipo P
Tipo N
Tipo P
IE
Ic
Emissor
Base
Coletor
Tipo N
Tipo P
Tipo N
I8
+,
I
+,
Ia
- ,+
est representada
IE=Ic+IB.
DO TRANSISTOR
na Fig. 11.8.
(Eq.ll.1)
DE JUNO
- ,+
I
Figura 11.8 Correntes em um transistor NPN
11.4. GANHO
Ic
1
IE
=~ =
de corrente
lc
1
c
(Eq. 11.2)
+ IB
IX
= TE =
0,98
100
,
= 0,9
Surge imediatamente
a pergunta: se a corrente de sada sempre menor
que a corrente de entrada, como podemos usar um transistor para amplificar
um sinal? Existem duas respostas para essa pergunta: em primeiro lugar, no
somos obrigados a considerar o emissor como entrada e coletor como sada;
existem outras maneiras de aplicar o sinal ao transistor, como veremos daqui
a pouco, que permitem um ganho de corrente maior que 1. Em segundo lugar,
110
Introduo
RBC
IX ,
REB
de tenso
IX ~BC
EB
Ganho
de potncia
= Ganho
= 0,98
11.6. FUNCIONAMENTO
CONFIGURAO
de corrente x Ganho
= 1 920.
de tenso =
x 1 960
DO TRANSISTOR
BASE COMUM
NA
RL
~VV'\---
RL
Transistores
111'
de juno
11.7. FUNCIONAMENTO
EMISSOR COMUM
DE TRANSISTOR NA CONFIGURAO
Assim, se tomarmos
= IE-aIE
(Eq.11.3)
= IE(l-ct)
= 0,98, teremos
IB = 0,02 IE = 0,0204 Ic
l
P
Ic
RL
Is=Is
+
RE
IE
: fIE
112
Introduo
Ento
ale
= Ie-aIB'
a
Ic = -l-IR
-a
f3
= 49.
Emissor
Coletar
Base:
No= ete.
I
I
de im-
purezas em um transistor
riva NPN
de de-
N~= ete.
x
Naturalmente, a variao na concentrao de impurezas produz uma variao proporcional na concentrao de portadores em maioria. Em conseqncia da variao na concentrao de portadores, existe uma corrente de
difuso no interior da base. Entretanto nas condies de equilbrio, a corrente
total na regio da base deve ser zero, de modo que surge um campo eltrico
no interior da base tal que a corrente de deriva seja igual e oposta corrente
de difuso.
Transistores de juno
113
campo eltrico deve ser tal que a corrente de deriva dos buracos na base seja
do coletor para o emissor. Ora, um campo eltrico com esse sentido acelera os
eltrons injetados pelo emissor em direo ao coletor. Em conseqncia, o
tempo que os portadores injetados pelo emissor levam para atravessar a base
muito menor nos transistores de deriva do que nos transistores comuns, em que
os portadores se movimentam apenas por difuso. Levando menos tempo para
atravessarem a base, os portadores injetados tm menos tempo para se recombinarem com os portadores da base. O resultado que o ganho de corrente
dos transistores de deriva muito elevado.
BmLlOGRAFIA
Phillips, A. B., Transistor Engineering (New York: McGraw-HiIl, 1962)
Mello, H. A. e Intrator, E., Dispositivos Semicondutores (Rio de Janeiro: Ao Livro Tcnico,
1972).
Outros fenmenos
Regio P
115
Regio N
(c)
( b)
Figura 12.1 Efeito tnel em uma juno PN degenerada. (a) Juno em equilbrio; (b)
Juno submetida a uma pequena polarizao direta, que produz o efeito tnel; (c) Juno
submetida a uma polarizao direta mais elevada. O efeito tnel deixou de existir
UJ
!z
o::
o::
o
u
UJ
I
Regio de
I
L.----Resist~ncia
Negatlva
'
lI
I
TENSO
116
Introduo
v
O campo eltrico pode ser aplicado, por exemplo, ligando-se uma fonte
de tenso V s extremidades do cristal. O campo magntico pode ser aplicado
colocando-se o cristal entre os plos de um eletrom.
Sob a ao do campo eltrico, os portadores do cristal adquirem uma certa
velocidade de deriva, v. Ora, sabemos do eletromagnetismo que uma partcula
carregada sob a ao de um campo magntico est sujeita a uma fora perpendicular direo do movimento e direo do campo magntico. Essa fora
dada pela equao vetorial
r; = q(v x ),
(Eq. 12.1)
IE"ll~y_-~--:--~
I ~'x l
XB_~_
++++++++++++++++++++
(a)
++++++++++++++++++++
E"j
(b)
Figura 12.4 Efeito Hall para os dois tipos de portadores. (a) eltrons. (b) buracos. O
sentido do campo magntico para dentro do papel
Outros fenmenos
observados
117
nos semicondutores
(Eq. 12.2)
qvB;
Fe = qsw
(Eq. 12.3)
(Eq. 12.4)
SH'
a concentrao
(Eq. 12.5)
J = qav.
I/A
qa
qaht
v=-=-=--'
(Eq. 12.6)
Em conseqncia, temos
I
SH
= vB = -h
qa t
B.
(Eq. 12.7)
ou
(Eq. 12.8)
onde RH = 1/qa chamado de constante de HaU do material considerado.
Quando os portadores so todos eltrons (carga -q, concentrao n), podemos escrever'
.
R
H
=-~.
qn
(Eq. 12.9)
=~.
R
H
qp
(Eq. 12.10)
As Eqs. 12.9 e 12.10 mostram que a polaridade da tenso VH (que chamada de tenso de HalQ depende do tipo de portador presente no cristal. O
efeito Hall pode ser usado portanto para determinar se um semicondutor
tipo N ou tipo P.
118
EXERCCIOS
<*)Considere a experincia esquematizada na figura a seguir.
~------IV
VR
Sabendo que
VR = 0,5 V;
I=10mA;
V = -1 V;
B = 2
10-3 T.
Pede-se
a) o tipo dos portadores (eltrons ou buracos),
b) a resistividade do material,
c) a concentrao dos portadores,
d) a mobilidade dos portadores.
BIBLIOGRAFIA
Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-Hill, 1966), Capo 11.
Yariv, A., Quantum Electronics (New York: John Wiley, 1967), Capo 17.
Chang, K. K. N., Parametric and Tunnel Diodes (New Jersey: Prentice Hall, 1964).
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York:
Cap.8.
McGraw-Hill,
1968),
APNDICE A
Teorema de Bloch
t/lr(r) =
(Eq. A.!)
onde J-I-k(1) uma funo com a mesma periodicidade espacial que a rede cristalina.
Prova: Consideremos o operador
R7 o vetor
onde
'0 F(r) =
'0, definido
F(r
por
+ R),
(Eq. A.2)
V(r
+ R).
~{-;~[::2:;2
+
+ :z22Jt/lr(Y) + v(r)t/lr(r)}
Er'0t/1r(r)
como
1j[V(r)t/lk'(r)]
temos
h2 2
~
- 2m V ['0l/1r(r,]
V(r
+ R)1jt/lr(r)
-+....
+ V(r)[1jl/lj/(r)]
V(r)1jt/lr(Y).
...
= Er[1jl/lr(r)].
Assim, a funo 1jl/lk(r) satisfaz mesma equao que a funo l/Ik(r) (Eq.
5.12), Nesse caso, ~l/Iy;(r) s pode diferir de t/ly;(r) por um fator constante. Vamos
aj
Assim, temos
(Eq. A.3)
Vamos fazer
aj
eik' Ri,
(Eq.
A.4)
(Eq. A.S)
120
(Eq. A.6)
(Eq. A.7)
Assim, a funo I1t(;) tem a periodicidade
I1t(;
+ Rj) = 11-,:(i\ Multiplicando os dois membros da Eq. A.6 por exp (ik
temos finalmente
1/11(r)= ei-':'-;l1tC;)
o que completa a prova do teorema de Bloch.
(Eq. A.8)
APNDICE
Experincias em semicondutores
EXPERINCIAS
Experincia 1. Ilustrao do crescimento de um cristal utilizando blocos cbicos de madeira ou papel. Ref. 1. p. 58.
Experincia 2. Ilustrao da estrutura de cristais utilizando bolas furadas e hastes cilndricas. Ref. 1. p. 59.
Experincia 3. Determinao da freqncia crtica.j,
na qual um cristal comea a absorver
energia de um feixe de luz monocromtica
iphotoelectric threshol). Ref. 1. p. 92.
Experincia 4. Estudo do fenmeno da fotocondutividade,
ou seja. da variao da condutividade de um material semicondutor
em funo do fluxo luminoso incidente.
Ref. 1. p. 93.
Experincia 5. Ilustrao do fenmeno de luminescncia em um cristal. Ref. 1. p. 94.
Experincia 6. Verificao do tipo de semicondutor
(P ou N) para materiais fortemente
dopados. Toca-se o cristal com uma ponta aquecida e observa-se a leitura de um
voltmetro de alta impedncia ligado entre essa ponta e um outro ponto do cristal.
Ref. 1. p. 87.
Experincia 7. Experincia de Shockley-Haynes. Essa experincia permite medir as correntes de deriva e difuso e verificar experimentalmente
a relao de Einstein (D/J1. =
= kT/q). Ref. 1. p. 120, 143.
Experincia 8. Medida da condutividade
de uma amostra de germnio intrnseco, em
funo da temperatura. Essa experincia permite medir o coeficiente de temperatura
de a e tambm estimar a energia necessria para criar um par eltron-buraco.
Ref.
1. p. 143.
Experincia 9. Efeito Hall - Experincia extremamente
interessante, que alm de suas
aplicaes industriais (medida de corrente), permite uma confirmao da existncia
de dois tipos de portadores de carga. Ref. 1. p. 126 e Ref. 2. pp. 195, 205.
122
CAPTULO 1
ao = 5,292
1.1.
10-
11m.
CAPTULO 2
2.5. possvel provar que a seguinte relao vlida para um polinmio
de ordem n:
de Hermite
CAPTULO 4
4.1. a) 5,8 x 1022
b) 4,07 .
4.4. 109 28'.
4.7. Observe que [100], [010] e [001] so direes de "mesmo tipo".
O plano (011) contm as direes [100], [011] e [111].
O plano (I01) contm as direes [010], [101] e [111].
O plano (110) contm as direes [OOlJ, [110] e [111].
CAPTULO 7
7.3. Considere o recipiente onde est o gs suficientemente
variao da energia potencial. Nesse caso
.
E = ~ ( ,2
2 [x
u)'
+ V 2)
= Px
CAPTULO 8
8.1. a) P =
-Nn
J2 ; + n~
b)~10%.
CAPTULO 9
9.4. vd = 4 X 103 em/s.
D = 10 em2fs.
raso e portanto
.2
+ 2m
Py + Pz
despreze a
124
qEG
U
2 k T1
que
CAPTULO 10
10.1. a) 5,0 x 10 - 5 em.
b) 9,9 x 10-5 em.
10J.
a) Vi = 0,017 Y;
V2 = 9,983 Y.
b) 10 }-tA.
CAPTULO 12
a)
b)
c)
d)
Eltrons.
1 -cm.
6,2 x 1015 cm-3.
103 em2/ys.
impresso
EDITORA
nas Oficinas
da
"AVE MARIA LTDA.
So
Paulo
ASN
EdITORA
EDGARD BLUCHER
lIdA.
Cr$ 30,00
Este preo s se tornou possvel devido
do Instituto Nacional do livro,
que, em regime de coedio, J)ermitiu o aumento
da tiragem e a conseqente reduo do custo industrial
participao
07421