Diodo

Semicondutores e Diodos
PROF. LEONARDO LIRA RAMALHO

LEONARDOLR@UFPA.BR
Agenda
• Funcionamento
◦ Estrutura
◦ Estrutura física: o semicondutor
◦ O diodo ideal
• Modelagem
◦ 1ª aproximação: O diodo ideal
◦ 2ª aproximação: diodo ideal em série com fonte de tensão
◦ 3ª aproximação: diodo ideal em série com fonte de tensão e resistor
◦ A corrente do diodo segue uma curva exponencial com a tnesão em seus
terminais
• Tipos de diodos
• Aplicações
2
Anodo Cátodo
O diodo
• Semicondutor
• É um dispositivo de apenas dois terminais, como resistores,
capacitores e indutores
• Porém a relação entre tensão e corrente é não-linear
𝑣 𝑣
𝑣 = 𝑅 × 𝑖 ou 𝑖 = 𝑣/𝑅
𝑖 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇 − 1 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇
𝑅
𝑖
𝑣
• Característica peculiar: no diodo ideal a corrente só pode ser
conduzida em um sentido
3
Semicondutores
4
Introdução
Tipos de materiais
• Condutor
• Isolante
• Semicondutor
𝜌𝐿
𝑅= Ω
𝐴
𝜌 → Resistividade dada em Ω. m
𝐿 → comprimento dado em m
𝐴 → área dada em m2
5
Condutores
Estrutura do átomo
Exemplo do átomo de cobre • O núcleo positivo com +29 prótons
atrai os 29 elétrons que orbitam
• A força centrífuga é igual a força que
Camada de atraí os elétrons para o núcleo
Valência
• Quanto maior a órbita do elétron,
menor é a força de atração do núcleo
6
Condutores
Estrutura do átomo
Exemplo do átomo de cobre • O elétron na camada de valência está
mais suscetível a ser solto da órbita,
através de uma força externa
Camada de
(temperatura, tensão elétrica, etc)
Valência
• Por isso, o elétron na camada de
valência é chamado de elétron livre
• Portanto, o átomo de cobre é um bom
condutor: uma pequena tensão elétrica
(força externa) pode deslocar o elétron
para o próximo átomo
◦ Elétron se movendo ≈ corrente elétrica
7
Condutores
Representação simplificada da estrutura do átomo
Exemplo do átomo de cobre • O núcleo é representado pela soma
do número de prótons e elétrons
internos (sem a camada de valência)
Camada de • No caso do cobre, o elétron na
Valência camada de valência “sente” uma
força de apenas +1
• Os melhores condutores (prata,
cobre e ouro) possuem apenas um
elétron na camada de valência
• Os melhores isolantes possuem oito
elétrons na camada de valência
8
Semicondutores
Exemplo do átomo de Silício • Um bom condutor possui 1 elétron
enquanto que um bom isolador
possui 8 na camada de valência
Camada de • Um semicondutor é um elemento
Valência
com propriedades entre a de um
condutor e um isolador
• Os melhores semicondutores
possuem quatro elétrons de valência
• Um átomo de silício possui 14
prótons e 14 elétrons, sendo que 4
estão na última órbita
9
Semicondutores
Cristais de Silício
• Quando os átomos de silício combinam-se para formar um sólido,
eles se agrupam em um padrão chamado de cristal.
• Cada átomo compartilham seus elétrons com quatro átomos
vizinhos, de tal forma que existem oito elétrons na órbita de valência
• Embora o átomo central
originalmente possuía quatro
elétrons de valência, agora
ele possui oito.
10
Ligação covalente
• Cada núcleo possui uma carga de +4
• Observe que cada núcleo atrai um par de elétrons em direção opostas
• Essa atração é o que mantém os átomos de silício ligados no cristal
• Os elétrons de valência são as
ligações covalentes que mantêm
a estrutura do cristal que
forma o sólido
11
Saturação de Valência
• A órbita de valência não pode manter mais de 8 elétrons
• Além disso, os oito elétrons de valência são chamados de elétrons de
ligação porque são fortemente atraídos pelos átomos
• Devido os elétrons de ligação
o cristal de silício é um isolante
quase perfeito em temperatura
ambiente (25 °C)
• Devido a forte atração, os
elétrons não saem da órbita
facilmente
12
Semicondutor
Lacuna e elétrons
• A saída de um elétron da órbita de valência cria uma
lacuna
• A lacuna comporta-se como uma carga positiva, pois
a perda de um elétron cria um íon positivo
• A lacuna vai atrair um elétron próximo
• A existência de lacuna é a diferença crítica entre
condutores e semicondutores
• As lacunas permite aos semicondutores terem
comportamentos impossíveis de conseguir apenas
com condutores
13
Semicondutor
Como as lacunas são criadas (temporariamente)
• A energia térmica (calor) cria um número igual de
elétrons livres e lacunas
• Os elétrons livres possuem movimento aleatório no
cristal e são atraídos pelas lacunas
• A recombinação é o desaparecimento de um
elétron livre e uma lacuna
1. Alguns elétrons livres e lacunas são gerados pela energia
térmica
2. Outros elétrons livres e lacunas se recombinam
3. Alguns elétrons livres existentes temporariamente
esperam pela recombinação
14
Semicondutor
Fluxo de elétrons e lacunas
• Dado um cristal entre duas
Elétron Livre
placas energizadas (tensão)
• A energia térmica cria uma
lacuna e elétron livre
• O elétron livre é puxado
LACUNA pela placa positiva
• A lacuna atraí o elétron mais
próximo (A)
15
Semicondutor
Fluxo de elétrons e lacunas
16
Semicondutor Intrínseco e
Semicondutor extrínseco
• O semicondutor intrínseco é um semicondutor puro
◦ Na temperatura ambiente, um cristal de silício age como um
isolante porque tem apenas alguns elétrons livres e lacunas
produzidas pela energia térmica
◦ Isso pode ser mudado com a dopagem
• Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor extrínseco
◦ Uma forma de aumentar a condutividade de um semicondutor é
pelo processo de dopagem
◦ Adiciona-se átomos de impureza ao cristal intrínseco (puro) a fim de
aumentar o número de lacuna e/ou elétrons livres
17
Dopagem
Aumentando o número de lacuna e elétrons livres
• Uma forma de aumentar a condutividade de um
semicondutor é pelo processo de dopagem
• Adiciona-se átomos de impureza ao cristal intrínseco
(puro) a fim de aumentar o número de lacuna e/ou
elétrons livres
• Um semicondutor dopado é chamado de
semicondutor extrínseco
• A dopagem cria lacunas e elétrons livres
(diferentemente do processo realizado com a
energia térmica)
18
Semicondutor extrínseco Tipo n
Tipos de semicondutores extrínsecos: tipo p e tipo n
• O semicondutor extrínseco (dopado, “impuro”) pode
ser do tipo n ou do tipo p
• O tipo n possui mais elétrons livres (cargas negativas)
do que lacunas(cargas positivas)
◦ Os elétrons livres são chamados de portadores majoritários
e as lacunas de portadores minoritários Tipo p
• O tipo p possui mais lacunas (cargas positivas) do que
elétrons livres (cargas negativas)
◦ As lacunas são chamadas de portadores majoritários e os
elétrons livres de portadores minoritários
19
Tipo n – dopagem com fósforo (pentavalente)
Elétrons de Ligações • Dopagem com fósforo (possui 5 elétrons
valência covalentes na órbita de valência - pentavalente)
• Devido a saturação de valência, apenas 8
Elétron elétrons pode estar na camada de valência
livre
Átomo de• Assim, um dos 5 elétrons acaba ficando
Fósforo livre
Átomo de
Silício
20
Tipo p – dopagem com alumínio, boro ou gálio (trivalente)
Elétrons de Ligações • Dopagem com impureza trivalente
valência covalentes Átomo de (3 elétrons na órbita de valência -
Silício trivalente)
• Como a órbita deve ter 8 elétrons no
Átomo do cristal, algum átomo deve fornecer o
Novo material elétron que falta no átomo trivalente
trivalente
• Esse átomo acaba criando uma
Elétron aceito lacuna
desse átomo
Criando uma
lacuna
21
Tipos de semicondutores extrínsecos
tipo p e tipo n
• As cargas negativas (elétrons livres)
são atraídas pelo terminal positivo
• As cargas positivas (lacunas) são
atraídas pelo terminal negativo
• Quando as lacunas alcançam o lado
extremo direito elas não saem do
cristal
• As lacunas recombinam-se com os
elétrons externos que adentram Semicondutor Semicondutor
Tipo n Tipo p
no cristal
22
Tipos de semicondutores extrínsecos: tipo p e tipo n
• Por si só, um semicondutor dopado Condutor
(tipo p ou tipo n) funcionam como
um resistor, em que a resistência Semicondutor Semicondutor
depende da dopagem (número de Tipo n Tipo p
lacunas e elétrons livres)

• Quando um fabricante dopa
metade do semicondutor com
tipo p e a outra metade com
tipo n, funções mais interessantes
podem ser implementadas
23
O Diodo
24
Semicondutor
Junção pn - as coisas começam a ficar mais interessantes
• A borda entre o tipo p e o tipo n é chamada de junção pn
• A junção pn é a base para a construção de diodos, transistores e
circuitos integrados
Construção Contato
Contato
De metal de um diodo De metal
Anodo Cátodo
+ −
25
Semicondutor
Junção pn - Camada de depleção (sem polarização externa)
• Perto da junção, os elétrons livres na parte tipo n combinam-se com
as lacuna do silício tipo p
• Criando uma região vazia de portadores*, chamada de camada de
depleção,
Contato Contato
De metal De metal
de depleção
Camada
+ −
*Portador= elétron livre ou lacuna
26
Semicondutor
Junção pn – Diodo com polarização
• Polarização reversa • Polarização direta
• Sem polarização
• Camada de depleção • Camada de depleção
• Camada de depleção
maior menor
criada na junção
• Corrente bem pequena • Corrente maior
− + + −
27
O diodo ideal
• A corrente flui apenas no sentido do anodo para o cátodo
• Se a corrente passar pelo diodo, a queda tensão é zero
• Opera como uma chave, em que a passagem de corrente depende
da polarização do diodo 𝑣 =𝑣 =𝑣 −𝑣 𝐷 𝐴 𝐶
𝑖
Polarização Polarização
reversa direta
𝑣
28
Diodo Ideal
Exemplo
𝑣𝐷 𝑣𝐷
29
Diodo Ideal
Uma aplicação simples: Retificador
𝑣𝐼
1 1
2 2 1
𝑣𝑜
2
30
𝑣𝐼
Diodo Ideal
𝑣𝑜
• Qual seria a forma de onda da

tensão sobre o diodo, 𝑣𝐷 ?
• 𝑣𝐷 = 𝑣𝐼 − 𝑣𝑜 𝑣𝐷
31
𝑣𝐼
Diodo Ideal
𝑣𝑜
• Considerando que 𝑣𝐼 tem um valor

de pico de 10 V e 𝑅 = 1 𝑘Ω
• Determine o valor de pico de 𝑖𝐷 e o
componente DC de 𝑣𝑜
• Dica: o valor médio de uma meia
onda senoidal é 𝑉𝑃 /𝜋
32
Diodo Ideal
Exercício
• Considerando o circuito abaixo para carregar uma bateria de 12V,
se 𝑣𝑆 é uma onda senoidal com 24 V de pico encontre a fração de
cada ciclo em qual o diodo conduz. Também, encontre o valor de
pico da corrente do diodo 𝑖𝐷 e a máxima tensão reversa sobre o
diodo.
Res: 1/3, 𝑖𝐷𝑝 = 0.12 A, 36V
33
Exercício
Encontre os valores de 𝐼 e 𝑉 em cada circuito
(a) (b) (c) (d)
34
Análise com
diodos ideias
• Em alguns circuitos com mais de um diodo pode não ser óbvio
descobrir se um diodo está conduzindo ou não. Nesses casos,
fazemos:
1. Uma suposição plausível
2. Procedemos com a análise
3. Verificamos se a solução encontrada é consistente
4. Caso não seja, fazemos outra suposição e voltamos ao passo 2
35
Exercício
• Assumindo que os diodos
são ideais, determine os
valores de 𝑉, 𝐼𝐷2 e 𝐼, para
cada caso
a) 0V, 1mA e 1 mA b) 3.3V, 1.33 mA e 0 A
36
Outra aplicação para os diodos
Portas lógicas
𝒗𝑨 𝒗𝑩 𝒗𝑪 𝒗𝒀 (𝑶𝑹) 𝒗𝒀 (𝑨𝑵𝑫)
𝑌 =𝐴+𝐵+𝐶
0V 0V 0V
(Lógico)
0V 0V +5V
0V +5V 0V
0V +5V +5V
+5V 0V 0V
Porta AND
+5V 0V +5V
+5V +5V 0V
Porta OR +5V +5V +5V
𝑌 = 𝐴. 𝐵. 𝐶
(Lógico)
37
Outra aplicação para os diodos
Portas lógicas
𝒗𝑨 𝒗𝑩 𝒗𝑪 𝒗𝒀 (𝑶𝑹) 𝒗𝒀 (𝑨𝑵𝑫)
𝑌 =𝐴+𝐵+𝐶
0V 0V 0V 0V 0V
(Lógico)
0V 0V +5V + 5V 0V
0V +5V 0V + 5V 0V
0V +5V +5V + 5V 0V
+5V 0V 0V +5V 0V
Porta AND
+5V 0V +5V +5V 0V
+5V +5V 0V +5V 0V
Porta OR +5V +5V +5V +5V +5V
𝑌 = 𝐴. 𝐵. 𝐶
(Lógico)
38
Exercício
Encontre os valores de 𝐼 e 𝑉 em cada circuito
(e) (f)
39
Aplicação de diodos
40
Características elétricas
dos diodos de Junção 𝑖 Diodo real
Três regiões
1. Polarização direta (𝑣 > 0)
2. Polarização reversa (𝑣 < 0) Ruptura
3. Tensão de Ruptura (𝑣 < −𝑉𝑍𝐾 )
Diodo Ideal 𝑖 𝑣
Polarização
Polarização Polarização reversa Polarização
reversa direta direta
𝑣
41
dos diodos de Junção
Três regiões 𝑖
1. Polarização direta (𝑣 > 0)
◦ Corrente aumenta exponencialmente
com a tensão Polarização
𝑣
direta
◦ 𝑖 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1
◦ 𝑖 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑣/(𝑛𝑉𝑇 ) , 𝑖 ≫ 𝐼𝑆
◦ 𝐼𝑆 muito pequeno (valores típicos 𝑣
10−15 A) Polarização
ruptura reversa 𝑖
2. Polarização reversa (𝑣 < 0)
◦ 𝑖 ≈ 𝐼𝑆
+ 𝑣 −
3. Tensão de Ruptura (𝑣 < −𝑉𝑍𝐾 )
42
Polarização direta (𝑣 > 0)
𝑣 𝑣
𝑖 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇
• 𝐼𝑠 é a corrente de saturação ou corrente de escala
◦ É uma constante que depende da temperatura e da construção do diodo
◦ Valores geralmente muito pequenos (p. ex. entre 10−12 e 10−15 A)
• 𝑛 é um valor entre 1 e 2 e depende da fabricação. Vamos assumir
𝑛 = 1, quando não informado
• 𝑉𝑇 é a tensão térmica 𝑘𝑇
◦ Constante que depende da temperatura
𝑉𝑇 =
𝑞
◦ 𝑘 é a constante de Boltzmann: 1,38 × 10−23
◦ 𝑇 é temperatura em Kelvin: 273+ temperatura em °C
◦ 𝑞 é a carga do elétron: 1,60 × 10−19 Coloumb
◦ Em temperatura ambiente (𝟐𝟓°𝑪) 𝑽𝑻 ≈ 𝟐𝟓, 𝟕𝒎𝑽
43
Polarização direta (𝑣 > 0)
𝑣 𝑣
𝑖 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇
• Para 𝑣 ≫ 𝑛𝑉𝑇 , então podemos usar a aproximação acima para
descrever o diodo com polarização direta
• Podemos escrever a tensão do diodo em função da corrente
𝑖 𝑖
𝑣 = 𝑛𝑉𝑇 ln = 2,3 × 𝑛𝑉𝑇 × log10
𝐼𝑆 𝐼𝑠
44
Exercício
• Um diodo de silício apresenta uma tensão direta de 0,7 V em uma
corrente de 1 mA. Assuma que 𝑉𝑇 = 25,7 mV
• Qual é a constante 𝐼𝑆 ?
• Qual seria o valor de 𝐼𝑠 em um outro diodo se ele conduzisse 1 A
com os mesmo 0,7 V?
𝐼𝑆 = 1,48 × 10−15 𝐴
𝐼𝑆 = 1,48 × 10−12 𝐴
45
𝑣
Polarização direta (𝑣 > 0) 𝑖 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇
• Em um mesmo diodo, podemos usar a propriedade do log para
encontrar a variação de tensão, através da razão das correntes
𝑖1 𝑖2
𝑣1 = 2,3𝑛𝑉𝑇 log10 𝑣2 = 2,3𝑛𝑉𝑇 log10
𝐼𝑠 𝐼𝑠
𝑖2 𝑖1 𝑖2 /𝐼𝑆
𝑣2 − 𝑣1 = 2,3𝑛𝑉𝑇 log10 − 2,3𝑛𝑉𝑇 log10 = 2,3𝑛𝑉𝑇 log10
𝐼𝑠 𝐼𝑠 𝑖1 /𝐼𝑠
𝑖2
𝑣2 − 𝑣1 = 2,3𝑛𝑉𝑇 log10 Para 𝑇 = 25º𝐶, 𝑉𝑇 ≈ 25,7 𝑚𝑉,considerando
𝑖1 𝑛 = 1, a cada aumento de 10x na corrente, a
𝑖2 tensão entra o anodo e o catodo aumenta
𝑣2 = 𝑣1 + 2,3𝑛𝑉𝑇 log10
𝑖1 apenas ≈ 59,2𝑚𝑉 ≈60 mV
46
𝑖2
𝑣2 − 𝑣1 = 2,3𝑛𝑉𝑇 log10
Exercício 𝑖1
• Encontre a mudança de tensão em um diodo se a corrente que

passa sobre ele é alterada de 0.1 mA para 10 mA.
• Um diodo de silício aprenseta 𝑣 = 0.7 𝑉 com 𝑖 = 1 𝑚𝐴. Encontre

a queda de tensão no diodo quando 𝑖 = 0.1 𝑚𝐴 e 𝑖 = 10 𝑚𝐴.
47
Polarização reversa (𝑣 < 0)
𝑣
𝑖 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1 ≈ −𝐼𝑆
• A tensão do Cátodo é maior que a do Anodo (𝑣 = 𝑣𝐴 − 𝑣𝐶 < 0)
• Segundo a equação, na polarização reversa ,a corrente reversa se mantém
constante 𝑖 ≈ −𝐼𝑆 , por isso 𝐼𝑆 geralmente é chamada de corrente de saturação
• Diodo reais geralmente apresentam corrente reversas com magnitudes muito
maiores que 𝐼𝑆 , ou seja, 𝑖 ≫ −𝐼𝑆
• Por exemplo, um diodo de pequenos sinais com 𝐼𝑆 da ordem de 10−14 a 10−15
apresenta uma corrente reversa de 1 𝑛𝐴
• A corrente reversa tem esse comportamento, pois depende de outro fatores
48
A região de ruptura(𝑣 ≪ 0, 𝑣 < −𝑉𝑍𝐾 )
𝑖
• A Terceira região de operação do
diodo pode ser facilmente
identificada na curva
Polarização
• Quando 𝑣 é mais negative que −𝑉𝑍𝐾 direta
a magnitude da corrente aumenta
−𝑉𝑍𝑘
rapidamente
𝑣
• A operação do diodo nessa região Polarização
tem aplicações em regulação de ruptura reversa 𝑖
tensão
+ 𝑣 −
49
Diferentes Modelos para Polarização
Direta do Diodo
• O modelo exponencial
• O modelo de queda de tensão constante
• O modelo ideal
• O modelo de pequenos sinais
• O modelo exponencial é o mais preciso, porém exige “mais” trabalho
• Os outros modelos fornecem uma maneira mais rápida de avaliar o
circuito, ao custo de perder um pouco da exatidão
50
Polarização Direta do Diodo
Exemplo de análise com modelo exponencial
• Curva exponencial do diodo:
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷 /𝑉𝑇
• A outra equação que
governa 𝐼𝐷 é dada 𝑉𝐷𝐷
pela análise da malha: 𝑅 Linha de
carga
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷
• 𝐼𝐷 = Ponto de operação Q
𝑅
• Assumindo que 𝑉𝐷𝐷 é muito 𝐼𝐷
maior que 𝑉𝐷 , então 𝑉𝐷𝐷 /𝑅
Inclinação: −1/𝑅
torna-se uma “boa”
aproximação para Ì𝐷
𝑉𝐷
51
Exemplo
• Encontre os valores de 𝐼𝐷 e 𝑉𝐷 do circuito, assumindo que 𝑅 =
1 𝑘Ω e 𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉. Além disso, é dado que a queda de tensão
no diodo é 0.7 V quando a corrente é 1 mA
• Podemos resolver esse problema por um método iterativo:
0. 𝑣1 = 𝑣𝐷 , 𝑖1 = 𝑖𝐷 (valore conhecidos de tensão e corrente do diodo)
1. Encontre a corrente da malha (𝑖2 ) com o valor de 𝑉𝐷 atual,
usando análise da corrente da malha
2. Use o valor da corrente encontrada no passo 1 para encontrar
um novo valor de 𝑉𝐷 com o modelo exponencial do diodo 𝑖2
𝑣2 = 𝑣1 + 2,3𝑛𝑉𝑇 log10
3. Se o novo valor de 𝑉𝐷 é suficientemente próximo ao valor 𝑖1
anterior, pare. Se não, volte ao passo 1 com 𝑣1 = 𝑣2 e 𝑖1 = 𝑖2
52
Exemplo (continuação)
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷 5−0.7
1) Análise da malha: 𝐼𝐷 = = = 4.3 𝑚𝐴
𝑅 1000
2) Usando a relaçaõ entre tensões e 𝑉𝑇 = 0.025 𝑛 = 1
𝑖2 4.3
𝑣2 = 𝑣1 + 2,3𝑛𝑉𝑇 log10 = 0.7 + 0.0575 log10 = 0.7364
𝑖1 1
3) De 0.7 -> 0.7364, não estamos satisfeitos, rodamos mais uma vez a
iteração
5−0.7364
1) 𝐼𝐷 = = 4.2636 𝑚𝐴
1000
4.2636
2) 𝑉𝐷 = 0.7364 + 0.0575 log10 = 0.7362
4.3
53
Exercício
Repita a mesma análise, considerando R = 2𝑘Ω e 𝑉𝐷𝐷 = 4𝑉, e que 𝑉𝐷 = 0.7 se 𝐼𝐷 =1 mA

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷 4−0.7
𝑅 2000
2) Usando a relaçaõ entre tensões e 𝑉𝑇 = 0.025
𝑖2 1.65
𝑣2 = 𝑣1 + 2,3𝑉𝑇 log10 = 0.7 + 0.0575 log10 = 0.7125
𝑖1 1
3) De 0.7 -> 0.7125, não estamos satisfeitos, rodamos mais uma vez a iteração
4−0.7125
1) 𝐼𝐷 = = 1.6438 𝑚𝐴
2000
1.64382
2) 𝑉𝐷 = 0.7125 + 0.0575 log10 = 0.7124
1.65
3) De 0.7 -> 0.7125-> 0.7124, estamos satisfeitos!
54
Exemplo
• Encontre os valores de 𝐼𝐷 e 𝑉𝐷 do circuito, assumindo que 𝑅 =
500 Ω e 𝑉𝐷𝐷 = 8𝑉. Além disso, é dado que a queda de tensão
no diodo é 0.7 V quando a corrente é 1 mA
• Podemos resolver esse problema por um método iterativo:
0. 𝑣1 = 𝑣𝐷 , 𝑖1 = 𝑖𝐷 (valore conhecidos de tensão e corrente do diodo)a
1. Encontre a corrente da malha (𝑖2 ) com o valor de 𝑉𝐷 atual,
usando análise da corrente da malha
2. Use o valor da corrente encontrada no passo 1 para encontrar
um novo valor de 𝑉𝐷 com o modelo exponencial do diodo 𝑖2
𝑣2 = 𝑣1 + 2,3𝑛𝑉𝑇 log10
3. Se o novo valor de 𝑉𝐷 é suficientemente próximo ao valor 𝑖1
anterior, pare. Se não, volte ao passo 1 com 𝑣1 = 𝑣2 e 𝑖1 = 𝑖2
55
Exercício
Repita a mesma análise, considerando R =500Ω e 𝑉𝐷𝐷 = 8𝑉, e que 𝑉𝐷 = 0.7 se 𝐼𝐷 =1 mA

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷 8−0.7
𝑅 500
2) Usando a relaçaõ entre tensões e 𝑉𝑇 = 0.025
𝑖2 14.6
𝑣2 = 𝑣1 + 2,3𝑉𝑇 log10 = 0.7 + 0.0575 log10 = 0.767
𝑖1 1
3) De 0.7 -> 0.767, não estamos satisfeitos, rodamos mais uma vez a iteração
8−0.767
1) 𝐼𝐷 = = 14.466 𝑚𝐴
500
14.466
2) 𝑉𝐷 = 0.767 + 0.0575 log10 ≈ 0.767
14.6
3) De 0.7 -> 0.767-> 0.767, estamos satisfeitos!
56
Modelo queda de tensão constante
• Modelo mais simples e mais preciso que o Anodo
modelo ideal
• Muito popular para análises manuais rápidas
• Se a tensão sobre o diodo for menor que
0.7, então a corrente é nula (circuito aberto) Cátodo
• Caso contrário o diodo funciona como uma
fonte de 0.7 V
• Nesse caso, a corrente que passaria
através do diodo dependeria da análise
do circuito
57
Modelo queda de tensão constante
• Esse valor de 0.7 pode variar, dependendo do diodo utilizado
• Esse modelo é baseado na observação
experimental que a queda de tensão
no diodo é ≈ 0.7
𝑖 𝑖
𝑣 𝑣
58
Modelo ideal
• Em aplicações envolvendo tensões muito
maiores que a queda de tensão no diodo
(0,6-0,8), podemos desprezar a queda de
tensão no diodo e usar o modelo ideal
𝑣𝐴𝐶 ≤ 0
59
Exercício
• Utilizando o modelo ideal e o modelo de queda de tensão
constante, encontre os valores de I e V nos circuitos abaixos.
+15 𝑉 +15 𝑉 +10 𝑉
1 𝑘Ω
2 𝑘Ω 2 𝑘Ω
60
Exercício
• Utilizando o modelo ideal e o modelo de queda de tensão
constante, encontre os valores de I e V nos circuitos abaixos.
+3 𝑉
1 𝑘Ω
2 𝑘Ω 2 𝑘Ω
61
Modelo bateria com resistência
• Modelo que apresenta um erro
menor da curva exponencial, A
quando comparado com o
Diodo
modelo de queda de tensão 𝑖𝐷
Ideal
constante
𝑟𝐷
𝑖𝐷 = 0, 𝑣𝐷 ≤ 𝑉𝐷0 )
ቊ 𝑉𝐷0
𝑖𝐷 = 𝑣𝐷 − 𝑉𝐷0 /𝑟𝐷
C
62
Modelo para pequenos sinais
• Considere a situação em que uma tensão DC 𝑉𝐷𝐷 estabelece uma
corrente DC através do diodo que está em série com o resistor 𝑅.
A tensão sobre o diodo é 𝑉𝐷
• Os valores de 𝐼𝐷 e 𝑉𝐷 podem ser encontradas utilizando o modelo
exponencial ou mais rapidamente (e com algum erro) através dos
outros modelos apresentados
• Caso exista um pequeno sinal sobre sobre 𝑉𝐷𝐷 ,
qual seria o efeito na corrente sobre o diodo?
63
• Caso exista um pequeno sinal sobre sobre 𝑉𝐷𝐷 , qual seria o efeito
na corrente sobre o diodo?
• Como encontrar Δ𝐼𝐷 , a partir de Δ𝑉𝐷 , e vice-versa?
• Vamos ver...
64
𝑖𝐷
Polarização Direta Inclinação
de 1/𝑟𝑑
Modelo para pequenos sinais no ponto Q
Ponto Q (𝑉𝐷 , 𝐼𝐷 )
• Polarização direta com 𝑉𝐷 gerando de Polarização
𝑖𝑑 (𝑡)
uma corrente 𝐼𝐷 𝐼𝐷
• Dada uma pequena variação
Δ𝑉𝐷 = 𝑣𝑑 (𝑡) variando sobre 𝑉𝐷 ,
a variação Δ𝐼𝐷 = 𝑖𝑑 𝑡 seria:
• 𝑖𝑑 𝑡 = 𝑣𝑑 (𝑡)/𝑟𝑑
𝑣𝐷
𝑣𝑑 (𝑡)
Como determinar 𝑟𝑑 ?
65
𝐼𝐷 + 𝑖𝑑 (𝑡)
Polarização Direta
• 𝑣𝐷 (𝑡) = 𝑉𝐷 + 𝑣𝑑 (𝑡) 𝑉𝐷 + 𝑣𝑑 (𝑡)
𝑣𝐷
• 𝑖𝐷 𝑡 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇
(𝑉𝐷 +𝑣𝑑 ) 𝑉𝐷 𝑣𝑑 𝑣𝑑
• 𝑖𝐷 𝑡 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇= 𝐼𝑠 𝑒 ×𝑒
𝑛𝑉𝑇 = 𝐼𝐷 × 𝑒
𝑛𝑉𝑇 𝑛𝑉𝑇
• Se 𝑣𝑑 é um pequeno sinal (𝒗𝒅 ≪ 𝒏𝑽𝑻 ), então podemos aproximar

a exponencial por uma série com apenas dois termos (vide 𝑖𝑑
próximo slide): 𝐼𝐷
𝑖 𝑡 =𝐼 +
𝐷 𝐷 𝑣 = 𝐼 + 𝑣 /𝑟
𝑑 𝐷 𝑑 𝑑
𝑣𝑑 𝑛𝑉𝑇
• 𝑖𝐷 𝑡 = 𝐼𝐷 1 +
𝑛𝑉𝑇 𝑛𝑉𝑇
• Logo: 𝑟𝑑 =
𝐼𝐷
66
∞
𝑥 𝑛
(representação da exponencial 𝑒𝑥 = ෍ ,∀ 𝑥 ∈ ℝ
𝑛!
como uma série de potência) 𝑛=0
𝑥 1 𝑥 2 𝑥 3 𝑥 4
𝑒𝑥 = 1 + + + + ⋯
1! 2! 3! 4!
2 3 4
𝑥 𝑥 𝑥
𝑒𝑥 = 1 + 𝑥 + + + ⋯
2 6 24
Para 𝑥 ≪ 1, as potências para 𝑛 ≥ 2

tornam-se próximas de zero e
podemos aproximar
𝑒𝑥 = 1 + 𝑥
67
• O modelo para pequenos sinais é apenas um resistor
𝑟𝑑 , em que a resistência depende da corrente de
polarização 𝐼𝐷 , do valor de 𝑛 e da tensão térmica 𝑉𝑇 :
Modelo para
• 𝑟𝑑 = 𝑛𝑉𝑇 /𝐼𝐷 dado em Ω pequenos
sinais
• Assim, a variação da corrente e tensão são
relacionadas Δ𝐼𝐷 = Δ𝑉𝐷 /𝑟𝑑 , desde que
Pequeno sinal
sobre o ponto
de polarização
68
Exemplo
• No circuito mostrado, 𝑅 = 10 𝑘Ω e 𝑉 + é um
sinal de 10 V somado com uma senoide de 60
Hz de 1-volt de pico (essa senoide aparece no
sinal devido a uma imperfeição da fonte de
alimentação)
• Calcule o ponto de polarização do diodo (𝐼𝐷 e
𝑉𝐷 ), bem como a variação de tensão no diodo,
devido ao sinal senoidal que está em 𝑉 +
69
Exercício
• Assumindo um diodo que possui queda tensão 𝑣𝐷 = 0.75 𝑉
quando a corrente 𝑖𝐷 = 1 𝑚𝐴, projete um circuito que utiliza 4
diodos conectados em série com uma resistência R e uma fonte de
alimentação de 15V, de modo que a tensão sobre os 4 diodos seja
3.3 V.
• Encontre o valor da corrente que passa pelos 4 diodos para que a
tensão em em série seja 3.3 V
• Com base na corrente encontrada, calcule o valor da resistência
necessária para o circuito
70
Resumo
• A relação de corrente e tensão no diodo real segue uma função exponencial
𝑣𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑛.𝑉𝑇
• É possível extrair algumas relações que facilitam a análise de circuitos com

diodos. Se tivermos um par de tensão-corrente conhecida (𝑣1 , 𝐼1 ), então
podemos estimar a queda de tensão no diodo para uma corrente 𝐼2 :
𝐼2 𝐼2
𝑣2 = 𝑣1 + 𝑛𝑉𝑇 ln = 𝑣1 + 2,3 𝑛𝑉𝑇 log10
𝐼1 𝐼1
• Usando a relação acima, podemos obter
𝐼2 𝐼2
𝑣2 − 𝑣1 = 𝑛𝑉𝑇 ln = 2,3 𝑛𝑉𝑇 log10
𝐼1 𝐼1
71
Resumo
• Modelos mais simples de queda de tensão
constante
• Se a tensão sobre o diodo for menor que 0.7,
então a corrente é nula (circuito aberto)
• Caso contrário o diodo funciona como uma
fonte de 0.7 V Ânodo
Cátodo
72
Resumo
Modelo ideal
• Se a tensão entre o ânodo e o cátodo for negativa, então
o diodo opera como um circuito aberto (corrente nula)
• Se houver passagem de corrente, então a queda de
tensão é nula
• Em aplicações envolvendo tensões muito maiores que a
queda de tensão no diodo (0,6-0,8), podemos desprezar a 𝑣𝐴𝐶 ≤ 0
queda de tensão no diodo e usar o modelo ideal
73
Tipos de Diodos
74
• Diodo Zener
Tipos de Diodos
• Diodo Shottky
Diodo retificador
• Varactor
• Diodo emissor de luz

(LED, Light-Emitting
Diodes)
• Fotodiodo
75
Diodo Zener
• São diodos especializados para operarem na
região de ruptura (efeito avalanche)
• Operam reversamente polarizados
• A tensão quase constante na região de
ruptura indica que nessa região o diodo
pode ser usado para operar em aplicações
que exigem tensão constante
• A tensão permanece quase a mesma,
independentemente da variação de
corrente. Usado para gerar tensões de
referência
• Δ𝑉 pequeno para Δ𝐼 grande
76
Diodo Zener
• Durante a fabricação do diodo zener, é
possível especificar a tensão 𝑉𝑍 , a qual
permanece quase constante para uma
grande variação da corrente
𝑉𝑧 = 𝑉𝑧0 + 𝑟𝑧 𝐼𝑧
Quando,
𝐼𝑧 > 𝐼𝑧𝑘 e 𝑉𝑧 > 𝑉𝑧0
77
Diodo Zener
Aplicação com regulador de tensão
• No circuito ao lado o diodo zener é especificado
com 𝑉𝑧 = 6.8, 𝐼𝑧 = 5 𝑚𝐴, 𝑟𝑧 = 20 Ω e 𝐼𝑧k = 0.2 𝑚𝐴
• A tensão de alimentação 𝑉 + nominal é 10V, mas
pode variar ±1𝑉
• Qual seria a tensão 𝑉𝑜 se nenhuma carga estivesse
conectada ao zener e 𝑉 + estivesse em seu valor
nominal?
78
Diodo Zener
pode variar ±1𝑉
• Qual seria a tensão 𝑉𝑜 se nenhuma carga estivesse
conectada ao zener e 𝑉 + estivesse em seu valor
nominal?
• 𝑉𝑧0 = 6.7𝑉
• Sabendo os valores de 𝑉𝑧0 , 𝑟𝑧 e 𝑉 + :
• 𝐼𝑧 = 𝐼 = 6.35 𝑚𝐴, logo: 𝑉𝑜 = 𝑉𝑧 = 6.83𝑉
79
Diodo Zener
pode variar ±1𝑉
• Se a tensão 𝑉 + variar ±1𝑉, qual seria a variação
em 𝑉𝑜 ?
80
Diodo Zener
pode variar ±1𝑉
• Qual seria a mudança de 𝑉𝑜 se uma carga 𝑅𝐿
consumisse 1mA?
81
Diodo Zener
pode variar ±1𝑉
• Qual seria a mudança de 𝑉𝑜 com uma carga
𝑅𝐿 = 2𝑘Ω?
• Nesse caso, a corrente exigida pela carga seria
6.8𝑉
aproximadamente = 3.4 mA, logo
2𝑘Ω
82
Diodo Zener
Gerando uma tensão de referência
𝐼𝑅 • O diodo zener apresenta uma tensão 𝑉𝑧 ,
R quando uma corrente 𝐼𝑧 passa por ele
Vz (𝑉𝑧 @𝐼𝑍 )*
𝐼𝑍 • Então, o ponto é como gerar essa corrente
𝐼𝑍 a partir de uma outra tensão maior.
+
Vs
Z1 Podemos gerar com um resistor em série
com o diodo zener
𝑉𝑆 − 𝑉𝑧 𝑉𝑆 − 𝑉𝑧
𝑅= =
𝐼𝑅 𝐼𝑍
• Observar que o 𝑉𝑆 deve ser maior que o 𝑉𝑧
e o 𝐼𝑍 deve ser maior que o 𝐼𝑍𝐾
*por exemplo, vide datasheet dos diodos zener 1N5221B - 1N5263B
83
Diodo Zener
Gerando uma tensão de referência conectado a uma carga
𝐼𝑅 𝐼𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
• O diodo zener apresenta uma tensão 𝑉𝑧 ,
R quando uma corrente 𝐼𝑧 passa por ele (𝑉𝑧 @𝐼𝑍 )*
Vz
• Então, o ponto é como gerar essa corrente a
partir de uma tensão. Podemos gerar com um
𝐼𝑍
resistor em série com o diodo zener
+
Vs
Z1 𝑉𝑆 − 𝑉𝑧 𝑉𝑆 − 𝑉𝑧
𝑅= =
𝐼𝑅 𝐼𝑍 + 𝐼𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
• Observar que o 𝑉𝑆 deve ser maior que o 𝑉𝑧 e o
𝐼𝑍 deve ser maior que o 𝐼𝑍𝐾
• Se a carga é uma resistência 𝑅𝐶 , então
*por exemplo, vide datasheet dos diodos 𝐼𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 𝑉𝑧 /𝑅𝑐
zener 1N5221B - 1N5263B
84
Diodo Shottky
Diodo de Barreira Schottky (SBD - Schottky-barrier diode)
Similaridades com o do diodo comum:
• Condução de corrente na polarização direta e apresenta uma queda
tensão quase constante depois de um certo valor de corrente
• Atua como um circuito aberto na polarização reversa. Também
possui o efeito avalanche
Diferença de diodos comuns
• O SBD possui uma resposta mais rápida que os diodos comuns (pode
operar com sinais de mais alta frequência)
• A queda de tensão direta é tipicamente menor que no diodo comum
(permite trabalhar com sinais que possui amplitudes menores)
85
Diodo Shottky
Diodo de Barreira Schottky (SBD - Schottky-barrier diode)
Valores típicos de queda de tensão direta (foward voltage)
Diodo Shottky Diodo comum
0.3 V a 0.5 V 0.6 V a 0.8 V
𝐼𝐷 = 5 𝐴 𝐼𝐷 = 5 𝐴
• Menor gasto de energia

+𝑣𝐷 − no diodo Shottky +𝑣𝐷 −
𝑣𝐷 = 0.3 𝑉 𝑣𝐷 = 0.7 𝑉
𝑃 = 𝑉 × 𝐼 = 1.5 𝑊 𝑃 = 𝑉 × 𝐼 = 3.5 𝑊
86
Diodo
Shottky
SD1 1N5817
output_shokkty
R1 1k
Entrada com
Input 100 Hz
+
D1 1N4007
output_Dcomum
R2 1k
O Diodo comum demora mais

tempo que o Shottky para
chavear entre os estados de Entrada com
condução e aberto 10 kHz
87
Varactor ou Varicap
Diodo que opera como uma capacitor variável com tensão
• Quando um diodo é reversamente polarizado, ele apresenta uma
capacitância que é função da tensão reversa
• Essa característica é útil em várias aplicações, por exemplos,
receptores de radio auto-ajustáveis ou em filtros, em que é
desejável mudar o valor de um capacitor
• Um Varactor é um tipo de diodo que é especialmente projetado
para que a relação da capacitância e da tensão reversa seja bem
definida, permitindo que ele opere como um capacitor variável
com tensão
88
Diodo emissor de Luz
LED- Light-Emitting Diodes
• O LED converte uma corrente de polarização direta em luz
• A luz emitida pelo LED é proporcional à corrente
• Valores típicos de queda de tensão nos LEDs estão entre 1,8 e 3,3V
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐿𝐸𝐷
NO datasheet do LED 𝑅=
há uma curva que 𝐼𝐿𝐸𝐷
relaciona corrente
(𝐼𝐿𝐸𝐷 ) e tensão (𝑉𝐿𝐸𝐷 ) 𝑉𝑖𝑛
no LED
89
Diodo emissor de Luz
LED- Light-Emitting Diodes
• Quando o LED está polarizado diretamente os elétrons livres que
cruzam a junção PN do diodo recombinam-se com as lacunas, o que
resulta em irradiação de energia
• Em diodos comuns essa energia é emitida em forma de calor, mas nos
LEDs a energia é irradiada em forma de luz (fótons), em um efeito
conhecido como eletroluminescência.
90
LEDS
De sinais indicadores a iluminação
• Inicialmente, os LEDs eram usados apenas como indicadores de
baixa potência
• Cada vez mais os LEDs são usados nos faróis de automóveis e
substituindo as lâmpadas de incandescentes e florescentes
• Lâmpadas incandescentes possuem uma eficiência de apenas 5%
(de toda a potência consumida pela lâmpada 95% é transformado
em calor ao invés de luz)
• A eficiência do LED é 60%!
• Os LEDs, em geral duram 25x mais que as lÂmpadas
incandescentes e 3x mais que as florescentes
91
LEDS
Exemplo com display de 7 segmentos
• Inicialmente, os LEDs eram usados apenas como
indicadores
92
LEDS
Iluminação
93
Optoacopladores
• Os optoacopladores combinam
LEDs com fotodetectores para
criar isolamentos elétricos entre
circuitos
• Current transfer ratio (CTR) ou
razão de transferência de corrente
mede quantos % da corrente no
LED da entrada é transferida para
a saída
94
Fotodiodos
• Se uma junção pn reversamente
polarizada é iluminada os fótons que
atingem a junção causam rupturas nas
ligações covalentes e assim pares de
elétrons-lacunas são criados na camada
de depleção
• O campo elétrico na região de depleção
então puxa os elétrons para o lado n e as
lacunas para o lado p criando uma
corrente reversa que é proporcional à
intensidade de luz
95
Painel Solar
• Os painéis solares são similares aos fotodiodos sem a tensão
reversa
• Quando a luz atinge o semicondutor, uma corrente é gerada
permitindo que a energia solar seja convertida em energia elétrica
• Usualmente fabricados com silício
96
Mais aplicações com
diodos
97
Aplicações com diodos
• Retificadores
• Circuito Limitadores ou clipadores
• Circuitos grampreadores ou clamper
• Circuito dobrador de tensão
98
Retificador
• O circuito retificador converte uma entrada senoidal em uma
saída unipolar
• Tal circuito é frequentemente utilizado no projeto de fontes de
reguladores de tensão que recebem uma tensão alternada de
110/220 V e convertem em uma tensão contínua na saída, por
exemplo, 3.3 V, 5V ou 12 V.
99
Retificador
Exemplo de sua utilização em fontes de alimentação
100
Retificador
𝐼𝑃 • O transformador permite converter os níveis de
𝐼𝑆
tensão entre seus terminais, mas mantendo a
mesma potência nos dois lados
𝑉𝑃 𝑉𝑆 • Transformador ideal: 𝑃𝑆 = 𝑃𝑃
𝑉𝑆 𝐼𝑆 = 𝑉𝑃 𝐼𝑃
Primário 𝑁𝑃 : 𝑁𝑆 Secundário
𝑁𝑆
𝑉𝑆 = 𝑉𝑃
𝑁𝑃
𝑛: 1 𝑁𝑃
ou 𝐼𝑆 = 𝐼𝑃
𝑁𝑆
1: 𝑛
101
Retificador
102
O Retificador de meia-onda
𝑣𝑜 = 0, 𝑣𝑠 < 𝑉𝐷
ቊ
𝑣𝑜 = 𝑣𝑠 − 𝑉𝐷 , 𝑣𝑠 ≥ 𝑉𝐷
103
Retificador de meia-onda
Máxima corrente e tensão de pico reversa
• A escolha do diodo no projeto do retificador deve levar em
conta a capacidade de corrente que o diodo pode conduzir
e a tensão de pico reversa que o diodo pode suportar.
• Tensão de pico reversa
𝑣 (PIV, peak inverse voltage)
𝑜𝑝
• Corrente no diodo:
• 𝑣𝑜 /𝑅
• Máxima corrente que
passa pelo diodo:
PIV • 𝑣𝑜𝑝 /𝑅
104
Retificador de meia-onda
Máxima corrente e tensão de pico reversa
• A escolha do diodo no projeto do retificador deve levar em
conta a capacidade de corrente que o diodo pode conduzir
e a tensão de pico reversa que o diodo pode suportar.
• Em retificadores de meia-
𝑣𝑜𝑝 onda a PIV é aproximada-
mente a tensão de pico da
entrada; 𝑃𝐼𝑉 = 𝑉𝑆
• É prudente escolher diodos
com uma tensão de ruptura
inversa, pelo menos, 50 %
maior que a PIV
PIV
105
O Retificador
de onda completa
• Transformador com center-tap que
torna-se a referência no lado secundário
• Duas tensões com amplitudes iguais,
mas polaridades distintas no secundário
• Quando a entrada da linha é positiva, as
duas tensões 𝑣𝑠 são positivas, então D1
conduz e D2 não conduz
• Quando a entrada da linha é negativa, o
contrário acontece e D2 conduz e D1
não conduz
106
1 3
O Retificador
de onda completa
• Center tap essencial no circuito
• PIV = 2𝑉𝑠 − 𝑉𝐷
2
1
3
PIV 107
O Retificador
de onda completa
108
Retificador em Ponte
Retificação de onda completa
• Não requer transformador
com center-tap
• Requer 4 diodos
• A corrente passa por dois
diodos no mesmo ciclo
109
• 𝑣𝐷3 reversa = 𝑣𝑜 + 𝑣𝐷2 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑡𝑎
• 𝑃𝐼𝑉 = 𝑉𝑠 − 2𝑉𝐷 + 𝑉𝐷 = 𝑉𝑠 − 𝑉𝐷
110
111
Retificador de meia onda
1 diodo
Retificadores Não requer transformador com center-tap
Resumo PIV: 𝑉𝑠
Máxima tensão de saída: 𝑉𝑆 − 𝑉𝐷
Retificador onda completa

2 diodos
Requer transformador com center-tap
PIV: 2𝑉𝑠 − 𝑉𝐷
Máxima tensão de saída: 𝑉𝑆 − 𝑉𝐷
Retificador onda completa em ponte

4 diodos
Não Requer transformador com center-tap
PIV: 𝑉𝑠 − 𝑉𝐷
Máxima tensão de saída: 𝑉𝑆 − 2𝑉𝐷
112
Retificador
113
Retificador com filtro capacitor
Retificador de pico
114
Retificador com
filtro capacitor
Efeitos da carga
1) O diodo conduz por um
breve tempo
2) Assumindo o diodo ideal,
a condução começa em 𝑡1
e encerra-se em 𝑡2
3) Quando o diodo não está
conduzindo, a carga é
alimentada pelo capacitor
4) Quando 𝑉𝑟 é pequeno, 𝑣𝑜
é quase constante em 𝑉𝑃
115
Retificador com filtro de capacitor
Retificador de onda completa VS Retificador de meia onda
Retificador de onda completa

Intervalo entre a recarga do
capacitor menor: Ripple menor
Retificador de meia onda
116
Retificador com filtro de capacitor
Como o valor do capacitor influencia o ripple
• Considerando o circuito do retificador de meia
onda ao lado, quando o diodo não está
conduzindo (ou seja, quando 𝑣𝐼 < 𝑣𝑜 )
𝑖𝐶 = −𝑖𝐿 • Com 𝑣 (0) sendo o valor de pico de 𝑣
𝑜 𝑜,
𝑑𝑣𝑜 𝑡 𝑣𝑜 𝑡 ou seja, o valor de pico de 𝑣𝐼 menos a
𝐶 =− queda de tensão no diodo
𝑑𝑡 𝑅 • 𝑡 sendo o tempo após o diodo parar de
𝑡 conduzir 𝑉𝑟 ≈ 𝑣𝑜 0 − 𝑣𝑜 (𝑇)
−
𝑣𝑜 𝑡 = 𝑣𝑜 0 𝑒 𝑅𝐶
• Para manter o ripple pequeno, é

𝑇
importante que < 0,1
𝑅𝐶
• Ou seja, 𝐶 > 10𝑇/𝑅
117
Retificador
118
O regulador de tensão
• Ajuda a diminuir o ripple que existe na entrada
• Geralmente implementado com reguladores lineares ou
chaveados. Exemplos de reguladores lineares são das famílias
LM78XX para tensões positivas ou o LM79XX para tensões
negativas, onde o XX indica tensão desejada. Por exemplo, o
LM7805 gera uma tensão regulada de 5V em sua saída, a partir de
uma tensão maior na entrada
• É possível gerar a tensão regulada com um diodo zener, pois a
tensão reversa é aproximadamente a mesma para uma grande
variação de corrente
119
Circuito limitador
• O limitador age com um circuito
𝐿− 𝐿+
linear no intervalo < 𝑣𝐼 < ,
𝐾 𝐾
sendo 𝑣𝑜 = 𝐾𝑣𝐼
• Se 𝑣𝐼 exceder o limite superior ou
inferior, a saída permanece em 𝐿+
ou 𝐿− , respectivamente
𝑣𝐼 Circuito 𝑣𝑜
Limitador
120
Circuito limitador
• O limitador age com um circuito
𝐿− 𝐿+
linear no intervalo < 𝑣𝐼 < ,
𝐾 𝐾
sendo 𝑣𝑜 = 𝐾𝑣𝐼
• Se 𝑣𝐼 exceder o limite superior ou
inferior, a saída permanece em 𝐿+
ou 𝐿− , respectivamente 𝑣𝐼
𝑣𝑜
𝑣𝐼 Circuito 𝑣𝑜
Limitador
121
Circuito limitador
hard limiter e soft limiter
SOFT HARD
122
Circuito limitador
com limite único
123
Circuito limitador
com limite duplo
124
Circuito limitador
limite único limite ajustável com fonte de tensão
125
Circuito limitador
Limite duplo com os valores dos limites configurados pelas
tensões do diodo Zener 𝑉𝑧
126
Circuito Limitador
Exemplo nos pinos de entrada dos CIs
• A tensão no pino Pxn estará limitada entre VCC
GND-0.7 e VCC+0.7
• Assim, os circuitos dentro do chip estão
protegidos contra tensões muito altas ou bem
abaixo do GND
Restante
do circuito
integrado
GND
127
Exercício
• Assumindo que os diodos são ideais. Descreva a a caraterística de
transferência, ou seja, 𝑣𝑜 em função de 𝑣𝐼
128
Circuito Grampeador
Restaurador de DC
• Formado por diodo e capacitor, sendo que a saída é a tensão sobre o diodo
• Esse circuito garante que a saída tenha a mesma forma da entrada, mas
contendo apenas valores positivos (diodo ideal)
• Na prática, a queda de tensão no diodo permite um pequena tensão negativa
Vide Simulação
129
Circuito Grampeador
Restaurador de DC
• Quando o diodo não está conduzindo 𝑣𝑜 = 𝑣𝑐 + 𝑣𝐼
• Quando o diodo está conduzindo, 𝑣𝑜 = 0 (diodo ideal) ou 𝑣𝑜 = −𝑣𝐷 (diodo real)
• Inicialmente o capacitor está descarregado, na primeira vez que o diodo conduz,
ele carrega o capacitor
Vide Simulação
130
Circuito Grampeador
Restaurador de DC (Simulação)
• Início com a entrada no ciclo positivo (diodo não conduz)
V +
Vc
C1 1u Saida
+
Entrada
D1 1N4007
131
Circuito Grampeador
• Início com a entrada no ciclo negativo (diodo já conduzindo)
V +
Vc
C1 1u Saida
+
Entrada
D1 1N4007
132
Circuito Grampeador
• Se o diodo for invertido, a saída permanece apenas com valores negativos
com o diodo ideal
V +
Vc
C1 1u Saida
Entrada
+
D1 1N4007
133
Circuito dobrador de tensão
• Formado por um circuito grampeador e retificador conectados
Grampeador Retificador
Grampeador Dobrador
C1 1u D2
+
Entrada
C2 1u
D1
134
Circuito dobrador de tensão
Inicialização
• O C1 armazena energia e ajuda a carregar C2 quando D1 não está conduzindo
• D1 e D2 conduzem em ciclos distintos
V +
Grampeador Dobrador
VC1
C1 1u D2
+
Entrada
C2 1u
D1
135
Referências
[1] SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth Carless. Microeletrônica. São
Paulo: Pearson Education do Brasil, 2007.
[2] MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4. ed. São Paulo: Pearson
Education do Brasil, 2009-2012
[3] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos
e teoria de circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil,
2013
136

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Semicondutores e Diodos

PROF. LEONARDO LIRA RAMALHO

lacunas e elétrons livres)

• Qual seria a forma de onda da

• Considerando que 𝑣𝐼 tem um valor

Res: 1/3, 𝑖𝐷𝑝 = 0.12 A, 36V

(a) (b) (c) (d)

a) 0V, 1mA e 1 mA b) 3.3V, 1.33 mA e 0 A

• Encontre a mudança de tensão em um diodo se a corrente que

• Um diodo de silício aprenseta 𝑣 = 0.7 𝑉 com 𝑖 = 1 𝑚𝐴. Encontre

Repita a mesma análise, considerando R = 2𝑘Ω e 𝑉𝐷𝐷 = 4𝑉, e que 𝑉𝐷 = 0.7 se 𝐼𝐷 =1 mA

Repita a mesma análise, considerando R =500Ω e 𝑉𝐷𝐷 = 8𝑉, e que 𝑉𝐷 = 0.7 se 𝐼𝐷 =1 mA

• Se 𝑣𝑑 é um pequeno sinal (𝒗𝒅 ≪ 𝒏𝑽𝑻 ), então podemos aproximar

Para 𝑥 ≪ 1, as potências para 𝑛 ≥ 2

• É possível extrair algumas relações que facilitam a análise de circuitos com

• Diodo emissor de luz

• Menor gasto de energia

O Diodo comum demora mais

Retificador onda completa

Retificador onda completa em ponte

Retificador de onda completa

Retificador de meia onda

• Para manter o ripple pequeno, é

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